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JP4268396B2 - 1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスのファイル管理 - Google Patents
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JP4268396B2 - 1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスのファイル管理 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイス内に格納され、読み出されるファイルを管理する方法および装置にほぼ関し、詳細には、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイス内に格納されたファイルの位置のトラックを保持するファイルマネージャを操作することに関する。
【0002】
【従来の技術】
デジタル情報の格納は、技術の進歩に応じて、格納および検索の実行速度という点において、絶えず、改良され、進歩し続けている。例として、取り込まれた写真画像の格納および検索のための写真に用いる不揮発性メモリデバイス(情報の再書き込み前の情報を消去する必要のあるデバイス)の分野における、通常のデジタルカメラが挙げられる。同様に、情報の記録が不揮発性メモリデバイスによって行われる。ごく最近、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスは、デジタルカメラによる使用および記録に用いられるようになった。
【0003】
1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスによって提示された問題は、明らかに、再プログラムができないことである。すなわち、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスは、一旦メモリ領域にデータが書き込まれると、再書き込みが不可能になる。これが、情報の記録について1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスが用いられる本来の理由である。一般に、情報を記録するには、1回書き込みまたは1回プログラミングを必要とする。同じことが、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスを処分可能なデジタルフィルムに用いる場合にも当てはまる。多数の写真画像が格納されると、処分可能なフィルムは、現像され、その後、処分される。
【0004】
任意の上述のシステム内での情報の管理、すなわち、デジタルデータは、格納された情報の位置のトラックを維持するように実行される必要がある。一般に、上述のシステムは、1回プログラム可能な不揮発性メモリに接続され、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイス内の特定の領域に情報を格納するように指示するホストに接続されたコントローラデバイスを含む。実際のデータまたはユーザデータは、一般にファイル領域と呼ばれる、上述の目的のために識別された位置に格納され、ファイル領域の位置に関する情報は、システム領域と呼ばれる、個別の位置に保持される。ファイル領域およびシステム領域は両方とも、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイス内に格納されている。ここで、生じている問題は、データ領域を管理するシステム領域の上手な操作にある。例えば、出力が一時的に断続され、再確立される場合、コントローラは、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイス内に新しい情報を書き込ための不使用のメモリまたは利用可能なメモリがあることを知る必要があり、次いで、利用可能なメモリ内の情報の位置に関する情報を復元する必要がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスに格納され、読み出されるデジタル情報を管理するか、または操作するシステムおよび方法の必要性が生じている。
【0006】
したがって、本発明は、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスに格納され、読み出されるデジタル情報を管理するか、または操作するシステムおよび方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のデジタル機器システムは、a.情報のセクタを有するファイルを読み出すか、または、書き込むためのコマンドを送信するホストであって、各セクタは、ビット、バイトまたはワードを基本としており、上記ビット毎、上記バイト毎または上記ワード毎に変更可能であり、上記ホストは、上記コマンドに対する応答を受信するように動作可能である、ホストと、b.上記コマンドに応答するコントローラデバイスであって、上記ホストから受信されたコマンドに基づいて、セクタに整理された情報を格納する1回プログラム可能な不揮発性メモリを含み、セクタを再書き込みするためのコマンドを上記ホストから受信すると、上記ビット毎、バイト毎またはワード毎に上記セクタを再書き込みする、コントローラデバイスと、を含む。
【0008】
上記1回プログラム可能な不揮発性メモリは、システム領域およびデータ領域を含み、上記システム領域は、上記データ領域に格納されるか、または、格納されることになる情報の整理に関連する情報を格納する。
【0009】
上記システム領域は、オリジナルエンジニアリングマニュファクチャ(OEM)識別/双方向入力/出力システム(BIOS)と、ファイルアロケーションテーブル(FAT)1、FAT2およびルートディスクディレクトリ情報を含む格納領域を含む。
【0010】
上記コントローラデバイスは、ホスト提供セクタを格納する第1のバッファおよび上記1回プログラム可能な不揮発性メモリに格納されるか、または、格納されることなるセクタを格納する第2のバッファをさらに含む。
【0011】
上記第1のバッファと上記第2のバッファとの間に接続され、上記ホストによって変更されることになるセクタまたはアクセスされることになるセクタを、情報が以前に書き込まれたセクタと比較する比較器をさらに含む。
【0012】
上記コントローラデバイスは、パワーアップの間、エンド−オブ−ファイルを識別し、上記エンド−オブ−ファイルが常駐する位置に続く位置は、格納されることになる新しいファイルのスタート−オブ−ファイルの位置として識別される。
【0013】
上記エンド−オブ−ファイルは、フラグの使用によって識別される。
【0014】
上記ファイルは、デジタル写真である。
【0015】
上記ファイルは、アーカイブである。
【0016】
上記コントローラデバイスは、ホストによって提供されたアドレスを上記1回プログラム可能な不揮発性メモリによって認識されるアドレスに変換するように、論理アドレスと物理アドレスとの間の相関を維持する。
【0017】
上記コントローラは、上記1回プログラム可能な不揮発性メモリ内に欠陥のある位置のトラックを維持する。
【0018】
本発明の、デジタル機器システムは、a.情報のセクタを有するファイルを読み出すか、または、書き込むためのコマンドを送信するホストであって、上記コマンドに対する応答を受信するように動作可能である、ホストと、b.上記コマンドに応答するコントローラデバイスであって、上記ホストから受信されたコマンドに基づいて、セクタに整理された情報を格納する1回プログラム可能な不揮発性メモリであって、セクタを再書き込みするための、上記ホストからのコマンドに基づいて予備領域を含む、1回プログラム可能なメモリと、再書き込みされるセクタを予備領域にマッピングするコントローラとを含む、コントローラデバイスと、を含む。
【0019】
上記1回プログラム可能な不揮発性メモリは、システム領域およびデータ領域をさらに含む。
【0020】
上記1回プログラム可能な不揮発性メモリ内のスタート−オブ−ファイル位置、エンド−オブ−ファイル位置および欠陥のあるセクタ位置を識別し、セクタが書き込まれる場合に、上記欠陥のあるセクタ位置がスキップされる。
【0021】
上記欠陥のあるセクタに書き込まれた情報が上記予備領域位置に代わりに書き込まれる。
【0022】
上記コントローラは、壊れているセクタに続く位置にはスタート−オブ−ファイルの識別子がないか、または、上記1回プログラム可能な不揮発性メモリの残りにエンド−オブ−ファイルがないかを判定し、上記位置は、電力故障に起因して壊れたセクタとして識別され、したがって、情報を将来的に格納することを防止するように指定される。
【0023】
本発明の、デジタル機器システムは、a.ファイルを読み出すか、または、書き込むためのコマンドを送信するホストであって、上記コマンドに対する応答を受信するように動作するホストと、b.上記コマンドに応答するコントローラデバイスであって、ファイルを格納し、格納されたファイルのスタート−オブ−ファイルおよびエンド−オブ−ファイルを識別する1回プログラム可能なメモリを含み、パワーアップの間、格納されたファイルのエンド−オブ−ファイルを識別し、上記エンド−オブ−ファイルが常駐する位置に続く位置は、エンド−オブ−ファイルが格納されることになる新しいファイルのスタート−オブ−ファイルの位置として識別される、コントローラデバイスと、を含む。
【0024】
本発明のデジタル機器システムは、a.情報のセクタを有するファイルを読み出すか、または、書き込むためのコマンドを送信するホストであって、上記コマンドへの応答を受信するように動作する、ホストと、b.上記コマンドに応答するコントローラであって、セクタ情報を格納する予備位置を有する1回プログラム可能な不揮発性メモリであって、上記ホストから受信されたコマンドに基づきセクタに整理された情報を格納する上記1回プログラム可能な不揮発性メモリを含み、セクタを再書き込みするか、または、セクタを更新するためのコマンドを上記ホストから受信すると、更新されたセクタを予備位置に書き込む、コントローラデバイスと、を含む。
【0025】
本発明のデジタル機器システムは、a.情報のセクタを有するファイルを読み出すか、または、書き込むためのコマンドを送信するホストであって、各セクタは、セクタ情報の破壊を示す誤り訂正符合(ECC)と関連し、上記ホストは、上記コマンドに対する応答を受信するように動作可能である、ホストと、b.上記コマンドに応答するコントローラデバイスであって、整理された情報をセクタに格納する1回プログラム可能な不揮発性メモリであって、上記コントローラは、特定のセクタの上記ECCをチェックし、上記特定のセクタが破壊しているかどうかを判定し、上記特定のセクタが破壊している場合に、次のセクタ内に格納された上記情報を読み出し、上記次のセクタ情報がプログラム不可能な状態であるかどうかを判定し、上記次のセクタ情報がプログラム不可能な状態である場合には、上記次のセクタと関連する上記ECCは、上記次のセクタ情報が破壊することを示し、上記コントローラデバイスは、エンド−オブ−ファイルを識別する、コントローラデバイスと、を含む。
【0026】
本発明の実施形態は、簡単に言うと、情報のセクタを有するファイルを読み出すためのコマンドまたは書き込むためのコマンドを送信するホストを含むデジタル機器システムを含む。各セクタは、ビット、バイトまたはワードを基本としており、ビット毎、バイト毎またはワード毎に変更可能である。受信するように動作可能なホストがコマンドに応答する。デジタル機器は、コマンドに応答するコントローラデバイスと、ホストから受信されたコマンドに基づいて、整理された情報をセクタに格納する1回プログラム可能なメモリと、セクタを再書き込みするホストからのコマンドに基づいて、ビット毎、バイト毎またはワード毎に上述したセクタを再書き込みするコントローラデバイスとをさらに含む。
【0027】
本発明の上述した目的および他の目的は、図面にあるいくつかの図を参考にする以下の好適な実施形態の詳細な説明から明らかになる。
【0028】
【発明の実施の形態】
(好適な実施形態の詳細な説明)
図1を参照すると、ファイルシステムのレイアウト10の実施例が、本発明の実施形態により、システム領域12およびデータ領域14を含むことが示される。システム領域12は、データ領域14に格納されるか、または、格納されることになる情報の整理に関連する情報を格納するために用いられる。
【0029】
システム領域12内には、オリジナルエンジニアリングマニュファクチャ(Original Engineering Manufacture)(OEM)識別/双方向入力/出力システム(Bidirectional Input/Output System)(BIOS)を維持する領域16と、ファイルアロケーションテーブル(File Allocation Table)(FAT)1を維持する領域18と、FAT2を維持する領域20と、ルートディスクディレクトリ情報を維持する領域22とが含まれ、ファイル領域を維持する領域24が含まれる。領域16〜24全てが1回プログラム可能なメモリデバイス内に格納される。上述したように、このような1回プログラム可能なメモリは、1回プログラム可能なメモリデバイスの任意の所与の位置にて1回のみプログラミングされると、その後、再度、消去され、プログラミングされることができない。本発明により解決される、提示された課題は、システム領域12内に格納され、読み出される情報を用いることによって、領域24内に格納された情報またはデータを操作することである。
【0030】
本発明の1実施形態において、図1のレイアウト10を維持することは、ファイルシステム構造が一般にそのようなレイアウトを用いる場合に、従来技術のシステムの方法および教示物に対する本発明の方法および教示物の後方適合性を保証するために、かなり重要である。実際、DOS適合ファイルシステム等の1タイプのファイルシステムは、図1のレイアウト10のタイプに適合しなければならない。デジタルカメラ等のデジタル機器は、デジタル写真(またはファイル)を格納デバイスに格納するようにDOS構造ファイルシステムを用いる。
【0031】
図1において、FAT1およびFAT2は、ファイル領域24が割り当てられる方法を示す。ルートディスクディレクトリは、固定数のディレクトリエントリを含む。ファイル領域24は、データファイル(デジタルカメラの場合、これは、デジタル写真が維持される領域である)およびサブディレクトリおよびファイル領域24への格納に利用可能な不使用データセクタを含む。これらの領域は、以下でさらに詳細に説明されるように、ホストによってアクセス可能なセクタのブロックに分割される。本発明の1実施形態において、これらの領域は、通常、媒体の容量に依存してサイズが固定される。ファイル領域24のデータがクラスタに整理され、各クラスタは、セクタの1、2、4、8、16または任意の他の整数等の所定数のセクタを含む。
【0032】
FAT1およびFAT2は、クラスタ毎に1エントリを含む。FATの各エントリ内に、データが配置されるクラスタ内に次の位置を指し示すリンク値が格納される。これの実施例は図2に示されている。図2は、FATのセクタの1セクタ内にあるFATエントリ30の実施例を示す。位置32〜48のそれぞれは、図1のファイル領域24内のクラスタを指し示す。例えば、「File1.txt」の始まりまたはスタート−オブ−ファイルであるファイルの位置36にて、リンク値は、「0003」であり、「0003」は、File1.txtでのファイル領域24内のデータの次の位置が配置されるFATエントリ30内の位置である。位置「0003」または位置38にて、リンク値は、次の位置等を指し示す「0004」である。任意の他の値がエンド−オブ−ファイルを示すように用いられ得るが、File1.txtのエンド−オブ−ファイルは、値「FFFF」が現れ、エンド−オブ−ファイルを示す位置40に配置されている。始まりまたはスタート−オフ−「File2.txt」が位置42に配置される。ここで、リンク値は、「0006」であり、「0006」は、エントリ30内の次の位置を指し示し、「0006」は、「0007」を指し示し、最終的に「File2.txt」のエンド−オブ−ファイルを指し示す。値「0000」は、不使用のクラスタまたは利用可能なクラスタを指し示す。
【0033】
本発明の1実施形態において、エンド−オブ−ファイルの識別は、パワーアップの間には重要である。すなわち、電力中断後およびパワーアップと同時に、システムは、システムがデジタル写真またはファイル等の新しい情報を格納できるかどうかを知らなければならない。このようにする場合、エンド−オブ−ファイルは、フラグまたは「FFFF」等の所定値によって識別され、エンド−オブ−ファイルが常駐する位置に続く位置が格納されることになる新しいファイルのスタート−オブ−ファイルに関する位置として識別される。
【0034】
今日、用いられる従来技術のデジタルカメラにおいて、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスが利用されず、再プログラミングのために消去可能な不揮発性メモリデバイスが利用され、各ファイルのサイズ(またはピクチャ)が異なるサイズであり、媒体またはメモリは、様々なピクチャサイズを説明するように、容易に変更され得る。ピクチャは、媒体に格納され、FAT領域は、ピクチャ(またはファイル)がシステムに格納される度に更新される。したがって、FAT1またはFAT2内の格納位置のグループであるセクタは、1以上のピクチャが媒体に格納される場合には、1回以上の変更が為される。従来技術の方法および技術では、1セクタが1ビットより多くおよび/または1バイトより多くの情報を含み、ピクチャが格納される場合、セクタの全てのビットまたはバイトが変更されずに、メモリまたは媒体内でセクタの情報全てを変更することを留意する。
【0035】
しかし、本発明は、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスにより、セクタは、ホストがセクタを更新するか、または、変更する毎に、消去され得ず、再プログラムされ得ない。したがって、本発明は、ホストが同じものを更新する毎のセクタの再プログラミングを避けなければならない。
【0036】
これは、2つの異なる方法の1つの、本発明の方法および教示物によって達成される。第1に、媒体が本発明のファイルシステムに後方適合するため、コントローラデバイスは、論理アドレスと物理アドレスとの間の相関を保持することにより、ならびに、欠陥のあるブロックおよび1つ以上の情報のセクタを含むブロックのトラックを維持することにより、このタスクを達成するように利用される。論理アドレスは、コントローラによってアクセスされることになるセクタを識別するための、ホストが生成するアドレスである。物理アドレスは、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイス内のセクタを識別するアドレスである。
【0037】
1回プログラム可能なデバイスの使用は、欠陥の可能性があるセクタ/ブロックを除く1対1の論理アドレスと物理アドレスとの間の関係を必要とする。本発明の1実施形態において、ピクチャが(またはファイル)が格納される場合、セクタ全体ではなく、ビット、バイトまたはワード(バイトまたはワードは、それぞれ1以上のビットである)がプログラミングされる。したがって、コントローラは、ホストによって書き込まれるように要求されるセクタ全体のトラックを維持し、ホストがファイルマネージャセクタ(図1に示されるDOS等のファイル管理システムの場合、FAT1、FAT2および/またはルートディスクディレクトリセクタ等)を変更するか、または、更新する場合、コントローラは、実際、媒体に実際に格納され、プログラミングされる(または書き込まれる)ことになる複数のセクタを比較し、書き込まれることになるセクタ内にて変更されるバイトを識別し、同じ物理的位置内に常駐し、変更される媒体内のこれらのビット、バイト、またはワードのみをプログラミングする。これは、おそらく、ブロック図を参照することによってよく理解される。
【0038】
図3を参照すると、デジタル機器システム50は、本発明の実施形態にしたがって、データバス56を介してコントローラデバイス54に接続されるホスト52を含むことが示される。ホスト52は、データバス56を介して、コントローラデバイス54にコマンドを与え、媒体または1回プログラム可能な不揮発性メモリ内にピクチャまたはファイルを格納し、その後、データバス56を介して、再度、上述の情報を読み出すように要求し得る。
【0039】
図3の、コントローラデバイス54は、バッファ60と、アドレスポインタ62と、比較器64と、バッファ66と、アドレスポインタ68と、媒体デバイス70と、媒体デバイス72と、マイクロプロセッサ74と、レジスタ76と、ランダムアクセスメモリ(RAM)デバイス78と、媒体状態機械80とを含むことが示される。バッファ60は、比較器64に接続されることが示される。図示されるように、バッファ66は、比較器64に接続される。アドレスポインタ62はまた、バッファ60に接続されることが示され、アドレスポインタ68は、バッファ66に接続されることが示される。バッファはまた、媒体デバイス70および72に接続されることが示される。混同を避けるために図3に明確に示されていないが、マイクロプロセッサ74は、コントローラデバイス54内に示されたブロックを制御するプログラムを実行する。マイクロプロセッサ74が実行するプログラムは、RAMデバイス78内に常駐する。媒体状態機械80は、媒体デバイス70および72のアドレス指定を部分的に制御する。バッファ66は、媒体デバイス70および72に格納され、読み出されることになる情報を管理する。媒体デバイス70および72は、システム50のアプリケーションに依存してピクチャおよびファイルを格納する、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスである。
【0040】
バッファ60は、動作中、情報を読み出し、その情報を媒体デバイス70および72にプログラミングするためのコマンドをホスト52から受信する。ホストがコントローラデバイス54によってアクセスするためのコマンドを与える毎に、所定のセクタが、識別され、本明細書中で上述された論理的なアドレス指定を用いるアクセスが為される。図3のバッファ60に格納される期間のいくつかの時点に存在する、このセクタ情報またはこのセクタ情報の派生を用いて、比較器は、ホストによって変更されるか、または、ホストによってアクセスされるセクタを、情報が以前に書き込まれたセクタと比較する。これは、バッファ60の内容とバッファ66の内容との、比較器64による比較動作によって実行される。実際、この比較動作は、ビット毎、バイト毎またはワード毎に実行され、直に格納される情報によって変更される必要があるビット、バイトまたはワードのみが変更される。これは、ビット、バイトまたはワードのみが、セクタ全体でなく、変更されるので、部分的なプログラミングと呼ばれる。バッファ66は、媒体デバイス70および72から情報を受信する。
【0041】
部分的なプログラミングが限定される場合、図1のシステム領域12に所定数の予備位置を保持することもまた可能である。この場合、これらのセクタは、コントローラによって予備セクタにマッピングされ得る。予備セクタの使用は、上述のように、論理アドレスと物理アドレスとの間の1対1の対応ではなく、マッピングするための実際のアドレスを提供する。また、DOS等のファイルシステムに後方適合を提供するように、可変長が必須であるファイルが接続される。
【0042】
新しいファイルマネージャが組み込まれ得る固体状態または1回プログラム可能な不揮発性デバイスを用いるデータ保存の他の形式において、コントローラ/ホストシステムは、アドレス指定のトラックと、欠陥ブロックのトラックと、スタート−オブ−ファイルおよびエンド−オブ−ファイル、次のファイルのスタート−オフ−ファイル等のファイル位置のトラックとを保持する必要がある。1つのシナリオでは、欠陥管理は、セクタまたはブロックを分解することにより、バイトまたはワードのレベルで達成され得る。セクタまたはブロックを分解したものがバイトまたはワードのように小さい場合、テーブルの形式でデータをマッピングする。データがマッピングされたテーブルにおいて、コントローラまたはホストは、欠陥のあるデータの位置が識別され、保存され、その結果、欠陥のあるデータは、プログラミング中に、スキップされ得る。欠陥を含むデータ構造の実施例は、図4に示される。
【0043】
欠陥の処理が行われると、コントローラまたはホストは、欠陥位置を欠陥のない別の位置にマッピングする。スタート−オブ−ファイルおよびエンド−オブ−ファイルは、データが、例えば、ブロック0、1、2、3、4、...のような連続したフォーマット中にあるので、1回プログム可能媒体に識別され、その結果、記録される。スタート−オブ−ファイルおよびエンド−オブ−ファイルは記録され、欠陥ブロックは、簡単な識別子を用いることによって読み飛ばされ、例えば、フラグまたは所定の値またはアドレスのような欠陥ブロックを識別する。図5は、スタート−オブ−ファイルの位置84、エンド−オブ−ファイルの位置86、および欠陥セクタの位置82を含むブロック構造80の実施例を示す。欠陥セクタの位置82は、いつセクタ0〜6に書き込まれる場合に、読み飛ばされる。欠陥セクタに書き込まれた情報は、代わりに、システム領域の予備領域中の位置に書き込まれる。
【0044】
アドレス関係が一対一の場合、欠陥セクタ/ブロックの位置が予備の位置に置き換えられる場合、欠陥セクタ/ブロックは予備の位置を指し示し得る。このことは、欠陥のあるセクタ/ブロックが、書き直されたセクタ位置が記録され得るのに十分な使用可能なバイトを有することを必要とする。記録したアドレスの整合性の目的に対して、コントローラは一意的な方法を用いて、予備の位置に記録された値を保証すべきである。この方法は、複数の位置の欠陥セクタのアドレスをプログラミングし得、欠陥セクタがアクセスされるときには、欠陥セクタの複数の位置が比較され、書き直されたアドレスを確認する。
【0045】
本発明の別の実施形態の実施例100は、図6を参照して説明される。電力故障が生じると、1回プログム可能な不揮発性メモリのある位置内に格納されたいくつかのデータは、破壊され得る。電力が回復されると、システムは、壊れたデータを含むファイルが、無効なデータとして認識され、次のファイルが、電力故障によって不利に影響されなかった有効な位置に格納されるように、電力故障の発生を認識する必要がある。
【0046】
システムは、特定のセクタが壊れたことを認識するために、特定のセクタに関する誤り訂正符号(ECC)を調べ、ECCがその特定のセクタまたは特定のセクタの任意の部分が壊れたことを示す場合、次のセクタが読み出される。
【0047】
さらに、システムは継続して、エンド−オブ−ファイルの識別子をチェックし、ファイルが適切に書き込まれたかどうかを判定して、ECCエラーが電力故障に関連したエラーではなく、拡大したエラー(単数または複数)に起因することを判定する。壊れたセクタの後に続く位置でスタート−オブ−ファイルの識別子がない場合、あるいは媒体の静止におけるエンド−オブ−ファイルがない場合、このような位置は、電力故障に起因する壊れたセクタとして認識され、その結果、ファイル中への、将来の、情報の格納を防ぐように指定され得る。
【0048】
特定のセクタが、壊れたことを判定した場合、次のセクタは読み出され、次のセクタの全てがプログラム不可能な状態である場合(すなわち、全て0の状態または全て1の状態)、および/または次のセクタに関連したECCがエラーを示す場合、エンド−オブ−ファイルに到達したと判定される。代わりに、より十分にエンド−オブ−ファイルをチェックするために、次のセクタに続くセクタが読み出され、同様の判定が実施される。すなわち、セクタ内の全てのデータがプログラム可能な状態にあるかどうか、および/またはECCに関連したセクタは、エラーを示すかどうかが判定され、その判定の結果に基づいて、エンド−オブ−ファイルに到達したかどうかについて判定される。
【0049】
さらに、媒体中に一つ以上の電力故障があると、一つ以上の壊れたセクタがあり得、従って、システムは、全ての位置を調べ、新しいファイルの開始位置および終了位置を確認しなければならない。システムは、予備領域において壊れたファイルのテーブルを維持し得る。故に、パワーアップ後、システムは、壊れたファイルを識別し、マッピングして、それにより、壊れたファイルが将来の格納に使用されることを防ぐ。
【0050】
例示的に、図6において、スタート−オブ−ファイルは、102のセクタ0で指定され、従って、ファイルの残りのセクタは次のセクタ位置(例えば、セクタ1の位置104およびセクタ2の位置106)に格納される。しかし、次のセクタ位置(セクタ3の位置108)は、電力故障によって、不利に影響され、破壊される。従って、新しいファイルは、110からの始まりを格納される。
【0051】
本発明は、本明細書の実施形態によって記載されるが、疑うことなく本発明の改変および変更が当業者にとって明白になることが予測される。従って、上掲の特許請求の範囲が本発明の真実の意図および範囲内に収まるように、全てのこのような改変および変更を包含するように解釈されることが意図される。
【0052】
【発明の効果】
したがって、本発明は、1回プログラム可能な不揮発性メモリデバイスに格納され、読み出されるデジタル情報を管理するか、または操作するシステムおよび方法を提供することを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明の実施形態によるファイルシステムのレイアウト10の実施例を示す図である。
【図2】図2は、FATエントリ30の実施例を示す図である。
【図3】図3は、本発明の実施形態によるデジタル機器システム50を示す図である。
【図4】図4は、本発明の実施形態に従う欠陥を含むデータ構造の実施例を示す図である。
【図5】図5は、本発明の実施形態によるブロック構造80の実施例を示す図である。
【図6】図6は、本発明の別の実施形態の実施例を示す図である。
【符号の説明】
52 ホスト
54 コントロールデバイス
60 バッファ
62 アドレスポインタ
64 比較器
66 バッファ
68 アドレスポインタ
70 媒体
72 媒体
74 マイクロプロセッサ
76 レジスタ
78 RAM

Claims (9)

  1. デジタル機器システムであって、
    該デジタル機器システムは、
    a.情報の複数のセクタを有するファイルを読み出すか、または書き込むためのコマンドを送信するホストと、
    b.該コマンドに応答するコントローラデバイスと
    を備え、
    該複数のセクタの各々は、ビット、バイトまたはワードを基本としており、該ビット毎、該バイト毎または該ワード毎に変更可能であり、該ホストは、該コマンドに対する応答を受信するように動作可能であり、
    該コントローラデバイスは、
    該ホストから受信されたコマンドに基づいて、複数のセクタに整理された情報を格納する1回プログラム可能な不揮発性メモリと、
    ホストによって提供されたセクタを格納する第1のバッファと、該1回プログラム可能な不揮発性メモリに格納されたセクタ、または、該1回プログラム可能な不揮発性メモリに格納されることなるセクタを格納する第2のバッファと、
    書き込みおよび再書き込みされるべきセクタを受信するように該第1のバッファと該第2のバッファとの間に結合された比較器と
    を含み、
    該比較器は、セクタを再書き込みするためのコマンドを該ホストから受信すると、再書き込みされるべきセクタと、対応する格納されたセクタとを比較して、該コントローラデバイスが、該再書き込みされるべきセクタを、ビット毎、バイト毎またはワード毎でのみ、かつ、該セクタの変更された位置についてのみ、再書き込みすることを可能にする、デジタル機器システム。
  2. 前記1回プログラム可能な不揮発性メモリは、システム領域とデータ領域とを含み、該システム領域は、該データ領域に格納された情報、または、該データ領域に格納されることになる情報の整理に関連する情報を格納する、請求項1に記載のデジタル機器システム。
  3. 前記システム領域は、オリジナルエンジニアリングマニュファクチャ(OEM)識別/双方向入力/出力システム(BIOS)と、ファイルアロケーションテーブル(FAT)1と、FAT2と、ルートディスクディレクトリ情報とを含む格納領域を含む、請求項2に記載のデジタル機器システム。
  4. 前記コントローラデバイスは、パワーアップの間、エンド−オブ−ファイルを識別し、
    該エンド−オブ−ファイルが存在する位置に続く位置は、格納されることになる新しいファイルのスタート−オブ−ファイルの位置として識別される、請求項1に記載のデジタル機器システム。
  5. 前記エンド−オブ−ファイルは、フラグの使用によって識別される、請求項に記載のデジタル機器システム。
  6. 前記ファイルは、デジタル写真である、請求項1に記載のデジタル機器システム。
  7. 前記ファイルは、アーカイブである、請求項1に記載のデジタル機器システム。
  8. 前記コントローラデバイスは、ホストによって提供されたアドレスを前記1回プログラム可能な不揮発性メモリによって認識されるアドレスに変換するように、論理アドレスと物理アドレスとの間の相関を維持する、請求項1に記載のデジタル機器システム。
  9. 前記コントローラデバイスは、前記1回プログラム可能な不揮発性メモリ内に欠陥のある位置のトラックを維持する、請求項に記載のデジタル機器システム。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6728851B1 (en) 1995-07-31 2004-04-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US6978342B1 (en) 1995-07-31 2005-12-20 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US5845313A (en) 1995-07-31 1998-12-01 Lexar Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US8171203B2 (en) 1995-07-31 2012-05-01 Micron Technology, Inc. Faster write operations to nonvolatile memory using FSInfo sector manipulation
US7102671B1 (en) 2000-02-08 2006-09-05 Lexar Media, Inc. Enhanced compact flash memory card
US7167944B1 (en) 2000-07-21 2007-01-23 Lexar Media, Inc. Block management for mass storage
US7062602B1 (en) 2001-04-09 2006-06-13 Matrix Semiconductor, Inc. Method for reading data in a write-once memory device using a write-many file system
US6996660B1 (en) 2001-04-09 2006-02-07 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for storing and reading data in a write-once memory array
US6895490B1 (en) 2001-04-09 2005-05-17 Matrix Semiconductor, Inc. Method for making a write-once memory device read compatible with a write-many file system
US7003619B1 (en) 2001-04-09 2006-02-21 Matrix Semiconductor, Inc. Memory device and method for storing and reading a file system structure in a write-once memory array
GB0123416D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Non-volatile memory control
GB0123410D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Memory system for data storage and retrieval
GB0123415D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Method of writing data to non-volatile memory
GB0123421D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Power management system
GB0123417D0 (en) 2001-09-28 2001-11-21 Memquest Ltd Improved data processing
US7231643B1 (en) 2002-02-22 2007-06-12 Lexar Media, Inc. Image rescue system including direct communication between an application program and a device driver
US7051251B2 (en) 2002-12-20 2006-05-23 Matrix Semiconductor, Inc. Method for storing data in a write-once memory array using a write-many file system
TW200507556A (en) * 2003-01-16 2005-02-16 Koninkl Philips Electronics Nv Preventing distribution of modified or corrupted files
WO2005059854A2 (en) 2003-12-17 2005-06-30 Lexar Media, Inc. Electronic equipment point-of-sale activation to avoid theft
US7725628B1 (en) 2004-04-20 2010-05-25 Lexar Media, Inc. Direct secondary device interface by a host
US7370166B1 (en) 2004-04-30 2008-05-06 Lexar Media, Inc. Secure portable storage device
US7398348B2 (en) 2004-08-24 2008-07-08 Sandisk 3D Llc Method and apparatus for using a one-time or few-time programmable memory with a host device designed for erasable/rewritable memory
US7594063B1 (en) 2004-08-27 2009-09-22 Lexar Media, Inc. Storage capacity status
US7464306B1 (en) 2004-08-27 2008-12-09 Lexar Media, Inc. Status of overall health of nonvolatile memory
US7509526B2 (en) * 2004-09-24 2009-03-24 Seiko Epson Corporation Method of correcting NAND memory blocks and to a printing device employing the method
US8429375B1 (en) * 2006-06-16 2013-04-23 Synopsys, Inc. Memory management unit (MMU) to make only one time programmable (OTP) memory appear multiple times programmable (MTP)
US7650458B2 (en) * 2006-06-23 2010-01-19 Microsoft Corporation Flash memory driver
US7783956B2 (en) * 2006-07-12 2010-08-24 Cronera Systems Incorporated Data recorder
US20080027892A1 (en) * 2006-07-27 2008-01-31 Kestrelink Corporation Dynamic stream file system network support
US8122322B2 (en) 2007-07-31 2012-02-21 Seagate Technology Llc System and method of storing reliability data
EP2761476B1 (en) 2011-09-30 2017-10-25 Intel Corporation Apparatus, method and system that stores bios in non-volatile random access memory
EP2761465B1 (en) * 2011-09-30 2022-02-09 Intel Corporation Autonomous initialization of non-volatile random access memory in a computer system
US9529708B2 (en) 2011-09-30 2016-12-27 Intel Corporation Apparatus for configuring partitions within phase change memory of tablet computer with integrated memory controller emulating mass storage to storage driver based on request from software
US11099949B2 (en) * 2018-08-03 2021-08-24 Cirrus Logic, Inc. Method apparatus for resuming and recovery checking from interrupted programming of one-time programmable memory device

Family Cites Families (245)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52130536A (en) 1976-04-26 1977-11-01 Toshiba Corp Semiconductor memory unit
US4099069A (en) 1976-10-08 1978-07-04 Westinghouse Electric Corp. Circuit producing a common clear signal for erasing selected arrays in a mnos memory system
US4398248A (en) 1980-10-20 1983-08-09 Mcdonnell Douglas Corporation Adaptive WSI/MNOS solid state memory system
GB2020437B (en) 1978-04-14 1982-08-04 Seiko Instr & Electronics Voltage detecting circuit
US4210959A (en) 1978-05-10 1980-07-01 Apple Computer, Inc. Controller for magnetic disc, recorder, or the like
FR2426938A1 (fr) 1978-05-26 1979-12-21 Cii Honeywell Bull Dispositif de detection de secteurs defectueux et d'allocation de secteurs de remplacement dans une memoire a disques
JPS559260A (en) 1978-07-03 1980-01-23 Nec Corp Information processing system
US4532590A (en) 1980-04-25 1985-07-30 Data General Corporation Data processing system having a unique address translation unit
US4355376A (en) 1980-09-30 1982-10-19 Burroughs Corporation Apparatus and method for utilizing partially defective memory devices
JPS5764383A (en) 1980-10-03 1982-04-19 Toshiba Corp Address converting method and its device
JPS57132256A (en) 1981-02-09 1982-08-16 Sony Corp Memory device
JPS5877034A (ja) 1981-10-30 1983-05-10 Hitachi Ltd 記録方法
US4473878A (en) 1981-11-23 1984-09-25 Motorola, Inc. Memory management unit
US4476526A (en) 1981-11-27 1984-10-09 Storage Technology Corporation Cache buffered memory subsystem
US4468730A (en) 1981-11-27 1984-08-28 Storage Technology Corporation Detection of sequential data stream for improvements in cache data storage
US4450559A (en) 1981-12-24 1984-05-22 International Business Machines Corporation Memory system with selective assignment of spare locations
JPS58215795A (ja) 1982-06-08 1983-12-15 Toshiba Corp 不揮発性メモリ装置
JPS58215794A (ja) 1982-06-08 1983-12-15 Toshiba Corp 不揮発性メモリ装置
US4498146A (en) 1982-07-30 1985-02-05 At&T Bell Laboratories Management of defects in storage media
JPS5945695A (ja) 1982-09-07 1984-03-14 Fujitsu Ltd Icメモリ
US4710871A (en) 1982-11-01 1987-12-01 Ncr Corporation Data transmitting and receiving apparatus
JPS5992485U (ja) 1982-12-13 1984-06-22 日本ビクター株式会社 テ−プカセツト
JPS59162695A (ja) 1983-03-07 1984-09-13 Nec Corp 記憶装置
US4609833A (en) 1983-08-12 1986-09-02 Thomson Components-Mostek Corporation Simple NMOS voltage reference circuit
JPS6074020A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 Toshiba Corp 記憶装置
US4896262A (en) 1984-02-24 1990-01-23 Kabushiki Kaisha Meidensha Emulation device for converting magnetic disc memory mode signal from computer into semiconductor memory access mode signal for semiconductor memory
JPS60212900A (ja) 1984-04-09 1985-10-25 Nec Corp 半導体固定記憶装置
JPH0618018B2 (ja) 1984-05-22 1994-03-09 キヤノン株式会社 携帯型情報処理装置
JPS618798A (ja) 1984-06-21 1986-01-16 Nec Corp 不揮発性記憶装置
JPS6180597A (ja) 1984-09-26 1986-04-24 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS6196598A (ja) 1984-10-17 1986-05-15 Fuji Electric Co Ltd 電気的消去可能なp−romのカウントデ−タ記憶方法
US4654847A (en) 1984-12-28 1987-03-31 International Business Machines Apparatus for automatically correcting erroneous data and for storing the corrected data in a common pool alternate memory array
JPS61208673A (ja) 1985-03-12 1986-09-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録再生装置
US4744062A (en) 1985-04-23 1988-05-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit with nonvolatile memory
US4829169A (en) 1985-07-01 1989-05-09 Toppan Moore Company, Inc. IC card having state marker for record access
JPH0635227B2 (ja) 1985-07-31 1994-05-11 トツパン・ム−ア株式会社 更新情報と履歴情報の読出し手段を有するicカ−ド
JPS62102482A (ja) 1985-10-28 1987-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録再生装置
US4800520A (en) 1985-10-29 1989-01-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Portable electronic device with garbage collection function
JP2664137B2 (ja) 1985-10-29 1997-10-15 凸版印刷株式会社 Icカード
US4924331A (en) 1985-11-20 1990-05-08 Seagate Technology, Inc. Method for mapping around defective sectors in a disc drive
US4746998A (en) 1985-11-20 1988-05-24 Seagate Technology, Inc. Method for mapping around defective sectors in a disc drive
DE3640238A1 (de) 1985-11-30 1987-06-25 Toshiba Kawasaki Kk Tragbare elektronische vorrichtung
US4757474A (en) 1986-01-28 1988-07-12 Fujitsu Limited Semiconductor memory device having redundancy circuit portion
JPH07114499B2 (ja) 1986-12-24 1995-12-06 株式会社日立製作所 データ符号化方法
JPS62283495A (ja) 1986-05-30 1987-12-09 Ricoh Co Ltd 読出し専用メモリ
JPH07109717B2 (ja) 1986-05-31 1995-11-22 キヤノン株式会社 メモリ書き込み制御方法
JPH0784871B2 (ja) 1986-06-12 1995-09-13 株式会社日立製作所 真空排気装置
SU1388877A1 (ru) 1986-09-16 1988-04-15 Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова Устройство дл адресации блоков пам ти
SU1408439A1 (ru) 1986-10-20 1988-07-07 Предприятие П/Я В-2129 Устройство адресации дл автоматической конфигурации пам ти ЭВМ
US4953122A (en) 1986-10-31 1990-08-28 Laserdrive Ltd. Pseudo-erasable and rewritable write-once optical disk memory system
JPS63183700A (ja) 1987-01-26 1988-07-29 Mitsubishi Electric Corp Eepromアクセス方法
JPH0636578Y2 (ja) 1987-04-10 1994-09-21 日本電気株式会社 半導体集積回路
JPS63198567U (ja) 1987-06-12 1988-12-21
JPS6473430A (en) 1987-09-14 1989-03-17 Hudson Soft Co Ltd Memory access control device
JPH081760B2 (ja) 1987-11-17 1996-01-10 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
JPH01137817A (ja) 1987-11-25 1989-05-30 Toshiba Corp 遅延回路
JP2696864B2 (ja) 1987-11-25 1998-01-14 日本電気株式会社 メモリ装置
SU1515164A1 (ru) 1988-01-12 1989-10-15 Предприятие П/Я Г-4493 Устройство дл адресации к пам ти
SU1541619A1 (ru) 1988-05-30 1990-02-07 Предприятие П/Я Г-4173 Устройство дл формировани адреса
US5198380A (en) 1988-06-08 1993-03-30 Sundisk Corporation Method of highly compact EPROM and flash EEPROM devices
US5293560A (en) 1988-06-08 1994-03-08 Eliyahou Harari Multi-state flash EEPROM system using incremental programing and erasing methods
US5268318A (en) 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Highly compact EPROM and flash EEPROM devices
US5168465A (en) 1988-06-08 1992-12-01 Eliyahou Harari Highly compact EPROM and flash EEPROM devices
US5268319A (en) 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Highly compact EPROM and flash EEPROM devices
US5268870A (en) 1988-06-08 1993-12-07 Eliyahou Harari Flash EEPROM system and intelligent programming and erasing methods therefor
US4914529A (en) 1988-07-18 1990-04-03 Western Digital Corp. Data disk defect handling using relocation ID fields
US5070474A (en) 1988-07-26 1991-12-03 Disk Emulation Systems, Inc. Disk emulation system
JPH064399Y2 (ja) 1988-08-10 1994-02-02 株式会社セガ・エンタープライゼス 音発生装置
US5253351A (en) 1988-08-11 1993-10-12 Hitachi, Ltd. Memory controller with a cache memory and control method of cache memory including steps of determining memory access threshold values
SU1573458A2 (ru) 1988-09-26 1990-06-23 Войсковая Часть 32103 Устройство дл адресации
JPH0793499B2 (ja) 1989-01-10 1995-10-09 キヤノン株式会社 レーザーを用いた孔加工方法
US5535328A (en) 1989-04-13 1996-07-09 Sandisk Corporation Non-volatile memory system card with flash erasable sectors of EEprom cells including a mechanism for substituting defective cells
DE69024086T2 (de) 1989-04-13 1996-06-20 Sundisk Corp EEprom-System mit Blocklöschung
US5226168A (en) 1989-04-25 1993-07-06 Seiko Epson Corporation Semiconductor memory configured to emulate floppy and hard disk magnetic storage based upon a determined storage capacity of the semiconductor memory
GB2231419B (en) * 1989-05-05 1993-09-22 Technophone Ltd Updating prom information.
JPH02308738A (ja) 1989-05-22 1990-12-21 Masao Shiotani イセエビ用魚礁
US5200959A (en) 1989-10-17 1993-04-06 Sundisk Corporation Device and method for defect handling in semi-conductor memory
SU1686449A2 (ru) 1989-10-23 1991-10-23 Войсковая Часть 32103 Устройство дл адресации
US5247658A (en) 1989-10-31 1993-09-21 Microsoft Corporation Method and system for traversing linked list record based upon write-once predetermined bit value of secondary pointers
JPH03228377A (ja) 1990-02-02 1991-10-09 Toshiba Corp 半導体装置
US5218695A (en) 1990-02-05 1993-06-08 Epoch Systems, Inc. File server system having high-speed write execution
US5220518A (en) 1990-06-07 1993-06-15 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit memory with non-binary array configuration
US5303198A (en) 1990-09-28 1994-04-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of recording data in memory card having EEPROM and memory card system using the same
EP0489204B1 (en) 1990-12-04 1995-08-16 Hewlett-Packard Limited Reprogrammable data storage device
JPH04216392A (ja) 1990-12-18 1992-08-06 Mitsubishi Electric Corp ブロックライト機能を備える半導体記憶装置
GB2251324B (en) 1990-12-31 1995-05-10 Intel Corp File structure for a non-volatile semiconductor memory
JPH04268284A (ja) 1991-02-22 1992-09-24 Fuji Photo Film Co Ltd メモリカード
JP3126396B2 (ja) 1991-02-06 2001-01-22 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
JPH04278297A (ja) 1991-03-07 1992-10-02 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
US5396468A (en) 1991-03-15 1995-03-07 Sundisk Corporation Streamlined write operation for EEPROM system
US5270979A (en) 1991-03-15 1993-12-14 Sundisk Corporation Method for optimum erasing of EEPROM
US5504760A (en) 1991-03-15 1996-04-02 Sandisk Corporation Mixed data encoding EEPROM system
US5663901A (en) 1991-04-11 1997-09-02 Sandisk Corporation Computer memory cards using flash EEPROM integrated circuit chips and memory-controller systems
JPH04332999A (ja) 1991-05-07 1992-11-19 Hitachi Koki Co Ltd メモリの使用方法
JP2582487B2 (ja) 1991-07-12 1997-02-19 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
US5430859A (en) 1991-07-26 1995-07-04 Sundisk Corporation Solid state memory system including plural memory chips and a serialized bus
EP0772358A1 (en) 1991-08-09 1997-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory card apparatus
JP3229345B2 (ja) 1991-09-11 2001-11-19 ローム株式会社 不揮発性icメモリ
US5438573A (en) 1991-09-13 1995-08-01 Sundisk Corporation Flash EEPROM array data and header file structure
US6230233B1 (en) 1991-09-13 2001-05-08 Sandisk Corporation Wear leveling techniques for flash EEPROM systems
US5357462A (en) 1991-09-24 1994-10-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller
US5778418A (en) 1991-09-27 1998-07-07 Sandisk Corporation Mass computer storage system having both solid state and rotating disk types of memory
US5227714A (en) 1991-10-07 1993-07-13 Brooktree Corporation Voltage regulator
US5640528A (en) 1991-10-24 1997-06-17 Intel Corporation Method and apparatus for translating addresses using mask and replacement value registers
US5315558A (en) 1991-10-25 1994-05-24 Vlsi Technology, Inc. Integrated circuit memory with non-binary array configuration
US5359569A (en) 1991-10-29 1994-10-25 Hitachi Ltd. Semiconductor memory
JPH05128877A (ja) 1991-11-07 1993-05-25 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPH05151097A (ja) 1991-11-28 1993-06-18 Fujitsu Ltd 書換回数制限型メモリのデータ管理方式
JP3171901B2 (ja) 1992-02-05 2001-06-04 セイコーインスツルメンツ株式会社 不揮発性メモリカードの書換え方法
JPH05233426A (ja) 1992-02-20 1993-09-10 Fujitsu Ltd フラッシュ・メモリ使用方法
DE69326370T2 (de) 1992-03-05 2000-01-20 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung
FR2688333B1 (fr) 1992-03-06 1994-04-29 Sgc Thomson Microelectronics S Dispositif et procede d'effacement par secteurs d'une memoire flash eprom.
TW231343B (ja) 1992-03-17 1994-10-01 Hitachi Seisakusyo Kk
JP2830594B2 (ja) 1992-03-26 1998-12-02 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
US5267218A (en) 1992-03-31 1993-11-30 Intel Corporation Nonvolatile memory card with a single power supply input
JP3323869B2 (ja) 1992-03-31 2002-09-09 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ装置
JP3485938B2 (ja) 1992-03-31 2004-01-13 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリ装置
US5532962A (en) 1992-05-20 1996-07-02 Sandisk Corporation Soft errors handling in EEPROM devices
US5381539A (en) 1992-06-04 1995-01-10 Emc Corporation System and method for dynamically controlling cache management
DE4219145C1 (de) 1992-06-11 1994-03-17 Emitec Emissionstechnologie Verfahren und Vorrichtung zum Beloten eines metallischen Wabenkörpers
JP3328321B2 (ja) 1992-06-22 2002-09-24 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JPH0612863A (ja) 1992-06-26 1994-01-21 Toshiba Corp デュアルポートdram
US5592415A (en) 1992-07-06 1997-01-07 Hitachi, Ltd. Non-volatile semiconductor memory
US5315541A (en) 1992-07-24 1994-05-24 Sundisk Corporation Segmented column memory array
JP2768618B2 (ja) 1992-08-28 1998-06-25 シャープ株式会社 半導体ディスク装置
JPH06103748A (ja) 1992-09-16 1994-04-15 Mitsubishi Electric Corp Icメモリカードの電源制御回路
US5428621A (en) 1992-09-21 1995-06-27 Sundisk Corporation Latent defect handling in EEPROM devices
JP3177015B2 (ja) 1992-10-14 2001-06-18 株式会社東芝 半導体メモリ装置の制御方法
JPH06131889A (ja) 1992-10-14 1994-05-13 Toshiba Corp 半導体ファイル装置
JPH06132747A (ja) 1992-10-20 1994-05-13 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5357475A (en) 1992-10-30 1994-10-18 Intel Corporation Method for detaching sectors in a flash EEPROM memory array
US5341330A (en) 1992-10-30 1994-08-23 Intel Corporation Method for writing to a flash memory array during erase suspend intervals
JP3641280B2 (ja) 1992-10-30 2005-04-20 インテル・コーポレーション フラッシュeepromアレイのクリーン・アップすべきブロックを決定する方法
US5822781A (en) 1992-10-30 1998-10-13 Intel Corporation Sector-based storage device emulator having variable-sized sector
US5337275A (en) 1992-10-30 1994-08-09 Intel Corporation Method for releasing space in flash EEPROM memory array to allow the storage of compressed data
US5734567A (en) 1992-11-06 1998-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Diagnosis system for a plant
JPH06149395A (ja) 1992-11-12 1994-05-27 Nec Corp 半導体装置
US5581723A (en) 1993-02-19 1996-12-03 Intel Corporation Method and apparatus for retaining flash block structure data during erase operations in a flash EEPROM memory array
JP2856621B2 (ja) 1993-02-24 1999-02-10 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置
US5812814A (en) 1993-02-26 1998-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Alternative flash EEPROM semiconductor memory system
JP3594626B2 (ja) 1993-03-04 2004-12-02 株式会社ルネサステクノロジ 不揮発性メモリ装置
US5404485A (en) 1993-03-08 1995-04-04 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash file system
JPH06266596A (ja) 1993-03-11 1994-09-22 Hitachi Ltd フラッシュメモリファイル記憶装置および情報処理装置
JP3477781B2 (ja) 1993-03-23 2003-12-10 セイコーエプソン株式会社 Icカード
US5479638A (en) 1993-03-26 1995-12-26 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporation wear leveling technique
US5388083A (en) 1993-03-26 1995-02-07 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture
US5485595A (en) 1993-03-26 1996-01-16 Cirrus Logic, Inc. Flash memory mass storage architecture incorporating wear leveling technique without using cam cells
KR970008188B1 (ko) 1993-04-08 1997-05-21 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플래시메모리의 제어방법 및 그것을 사용한 정보처리장치
JP3330187B2 (ja) 1993-05-13 2002-09-30 株式会社リコー メモリカード
US5544355A (en) 1993-06-14 1996-08-06 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for query optimization in a relational database system having foreign functions
US5519847A (en) 1993-06-30 1996-05-21 Intel Corporation Method of pipelining sequential writes in a flash memory
US5329491A (en) 1993-06-30 1994-07-12 Intel Corporation Nonvolatile memory card with automatic power supply configuration
US5353256A (en) 1993-06-30 1994-10-04 Intel Corporation Block specific status information in a memory device
US5422842A (en) 1993-07-08 1995-06-06 Sundisk Corporation Method and circuit for simultaneously programming and verifying the programming of selected EEPROM cells
US5465338A (en) 1993-08-24 1995-11-07 Conner Peripherals, Inc. Disk drive system interface architecture employing state machines
US5566314A (en) 1993-08-30 1996-10-15 Lucent Technologies Inc. Flash memory device employing unused cell arrays to update files
JP2922116B2 (ja) 1993-09-02 1999-07-19 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP3683915B2 (ja) 1993-09-24 2005-08-17 株式会社東芝 半導体記憶装置
JP3215237B2 (ja) 1993-10-01 2001-10-02 富士通株式会社 記憶装置および記憶装置の書き込み/消去方法
US5365127A (en) 1993-10-18 1994-11-15 Hewlett-Packard Company Circuit for conversion from CMOS voltage levels to shifted ECL voltage levels with process compensation
US5430662A (en) 1993-10-22 1995-07-04 Sepa -- Group Ltd. Laser projection system for truss manufacturing
JPH07141258A (ja) 1993-11-15 1995-06-02 Toshiba Corp データ記録再生装置
JPH07235193A (ja) 1993-12-28 1995-09-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
DE69428881T2 (de) 1994-01-12 2002-07-18 Sun Microsystems, Inc. Logisch adressierbarer physikalischer Speicher für ein Rechnersystem mit virtuellem Speicher, das mehrere Seitengrössen unterstützt
US5473765A (en) 1994-01-24 1995-12-05 3Com Corporation Apparatus for using flash memory as a floppy disk emulator in a computer system
US6026027A (en) 1994-01-31 2000-02-15 Norand Corporation Flash memory system having memory cache
US5661053A (en) 1994-05-25 1997-08-26 Sandisk Corporation Method of making dense flash EEPROM cell array and peripheral supporting circuits formed in deposited field oxide with the use of spacers
US5603001A (en) 1994-05-09 1997-02-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor disk system having a plurality of flash memories
JPH07311708A (ja) 1994-05-18 1995-11-28 Fuji Film Micro Device Kk メモリカード
JP3092449B2 (ja) 1994-06-06 2000-09-25 ヤマハ株式会社 半導体記憶装置
JPH0869696A (ja) 1994-08-31 1996-03-12 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US5809558A (en) 1994-09-29 1998-09-15 Intel Corporation Method and data storage system for storing data in blocks without file reallocation before erasure
US5508971A (en) 1994-10-17 1996-04-16 Sandisk Corporation Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems
JP2669365B2 (ja) 1994-11-24 1997-10-27 日本電気株式会社 書換え可能なromファイル装置
US5541551A (en) 1994-12-23 1996-07-30 Advinced Micro Devices, Inc. Analog voltage reference generator system
US5847552A (en) 1995-01-24 1998-12-08 Dell Usa, L.P. Integrated circuit with determinate power source control
JPH08263361A (ja) 1995-03-23 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp フラッシュメモリカード
US5572465A (en) 1995-05-25 1996-11-05 Intel Corporation Power supply configured sensing scheme for flash EEPROM
US6072796A (en) 1995-06-14 2000-06-06 Avid Technology, Inc. Apparatus and method for accessing memory in a TDM network
US5723990A (en) 1995-06-21 1998-03-03 Micron Quantum Devices, Inc. Integrated circuit having high voltage detection circuit
US5552698A (en) 1995-06-29 1996-09-03 United Microelectronics Corp. Voltage supply system for IC chips
US5627416A (en) 1995-07-21 1997-05-06 Itt Corporation Multi-voltage IC card host
US5930815A (en) 1995-07-31 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Moving sequential sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US5845313A (en) 1995-07-31 1998-12-01 Lexar Direct logical block addressing flash memory mass storage architecture
US5907856A (en) 1995-07-31 1999-05-25 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US6081878A (en) 1997-03-31 2000-06-27 Lexar Media, Inc. Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices
US5838614A (en) 1995-07-31 1998-11-17 Lexar Microsystems, Inc. Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory
JPH0969295A (ja) 1995-08-31 1997-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 不揮発性多値メモリ装置
US6125435A (en) 1995-09-13 2000-09-26 Lexar Media, Inc. Alignment of cluster address to block addresses within a semiconductor non-volatile mass storage memory
US5835935A (en) 1995-09-13 1998-11-10 Lexar Media, Inc. Method of and architecture for controlling system data with automatic wear leveling in a semiconductor non-volatile mass storage memory
US5809560A (en) 1995-10-13 1998-09-15 Compaq Computer Corporation Adaptive read-ahead disk cache
KR100253868B1 (ko) 1995-11-13 2000-05-01 니시무로 타이죠 불휘발성 반도체기억장치
WO1997020269A1 (en) 1995-11-13 1997-06-05 Lexar Microsystems, Inc. Automatic voltage detection in multiple voltage applications
JPH09147581A (ja) 1995-11-21 1997-06-06 Hitachi Ltd 半導体記憶装置、及びデータ処理装置
US5799168A (en) 1996-01-05 1998-08-25 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Standardized flash controller
JPH09212411A (ja) 1996-02-06 1997-08-15 Tokyo Electron Ltd メモリシステム
US5724303A (en) 1996-02-15 1998-03-03 Nexcom Technology, Inc. Non-volatile programmable memory having an SRAM capability
US5787445A (en) 1996-03-07 1998-07-28 Norris Communications Corporation Operating system including improved file management for use in devices utilizing flash memory as main memory
US5822252A (en) 1996-03-29 1998-10-13 Aplus Integrated Circuits, Inc. Flash memory wordline decoder with overerase repair
US5991849A (en) 1996-04-10 1999-11-23 Sanyo Electric Co., Ltd Rewriting protection of a size varying first region of a reprogrammable non-volatile memory
JP3493096B2 (ja) 1996-06-07 2004-02-03 株式会社東芝 半導体集積回路、icカード、及びicカードシステム
US5959926A (en) 1996-06-07 1999-09-28 Dallas Semiconductor Corp. Programmable power supply systems and methods providing a write protected memory having multiple interface capability
US5758100A (en) 1996-07-01 1998-05-26 Sun Microsystems, Inc. Dual voltage module interconnect
US5757712A (en) 1996-07-12 1998-05-26 International Business Machines Corporation Memory modules with voltage regulation and level translation
JP3761635B2 (ja) 1996-07-12 2006-03-29 株式会社ダックス メモリボード、メモリアクセス方法及びメモリアクセス装置
US5787484A (en) 1996-08-08 1998-07-28 Micron Technology, Inc. System and method which compares data preread from memory cells to data to be written to the cells
US6021408A (en) 1996-09-12 2000-02-01 Veritas Software Corp. Methods for operating a log device
US5920884A (en) 1996-09-24 1999-07-06 Hyundai Electronics America, Inc. Nonvolatile memory interface protocol which selects a memory device, transmits an address, deselects the device, subsequently reselects the device and accesses data
US5860124A (en) 1996-09-30 1999-01-12 Intel Corporation Method for performing a continuous over-write of a file in nonvolatile memory
US5754567A (en) 1996-10-15 1998-05-19 Micron Quantum Devices, Inc. Write reduction in flash memory systems through ECC usage
US6047352A (en) 1996-10-29 2000-04-04 Micron Technology, Inc. Memory system, method and predecoding circuit operable in different modes for selectively accessing multiple blocks of memory cells for simultaneous writing or erasure
US5890192A (en) 1996-11-05 1999-03-30 Sandisk Corporation Concurrent write of multiple chunks of data into multiple subarrays of flash EEPROM
US5909586A (en) 1996-11-06 1999-06-01 The Foxboro Company Methods and systems for interfacing with an interface powered I/O device
US5956473A (en) 1996-11-25 1999-09-21 Macronix International Co., Ltd. Method and system for managing a flash memory mass storage system
US5745418A (en) 1996-11-25 1998-04-28 Macronix International Co., Ltd. Flash memory mass storage system
JPH10154101A (ja) 1996-11-26 1998-06-09 Toshiba Corp データ記憶システム及び同システムに適用するキャッシュ制御方法
JPH10177797A (ja) 1996-12-17 1998-06-30 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPH10187505A (ja) 1996-12-24 1998-07-21 Toshiba Corp 情報記憶システム及び同システムに適用するデータ配置方法
US6279069B1 (en) 1996-12-26 2001-08-21 Intel Corporation Interface for flash EEPROM memory arrays
US5901086A (en) 1996-12-26 1999-05-04 Motorola, Inc. Pipelined fast-access floating gate memory architecture and method of operation
US5928370A (en) 1997-02-05 1999-07-27 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure
US5822245A (en) 1997-03-26 1998-10-13 Atmel Corporation Dual buffer flash memory architecture with multiple operating modes
US5953737A (en) 1997-03-31 1999-09-14 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for performing erase operations transparent to a solid state storage system
US6034897A (en) 1999-04-01 2000-03-07 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
US6122195A (en) 1997-03-31 2000-09-19 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for decreasing block write operation times performed on nonvolatile memory
US6411546B1 (en) 1997-03-31 2002-06-25 Lexar Media, Inc. Nonvolatile memory using flexible erasing methods and method and system for using same
US5831929A (en) 1997-04-04 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Memory device with staggered data paths
JP3592887B2 (ja) 1997-04-30 2004-11-24 株式会社東芝 不揮発性半導体記憶装置
US6011322A (en) 1997-07-28 2000-01-04 Sony Corporation Apparatus and method for providing power to circuitry implementing two different power sources
US6226708B1 (en) 1997-08-18 2001-05-01 Texas Instruments Incorporated Method and system for efficiently programming non-volatile memory
US6011323A (en) 1997-09-30 2000-01-04 International Business Machines Corporation Apparatus, method and article of manufacture providing for auxiliary battery conservation in adapters
US5937425A (en) 1997-10-16 1999-08-10 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash file system optimized for page-mode flash technologies
JPH11224492A (ja) 1997-11-06 1999-08-17 Toshiba Corp 半導体記憶装置、不揮発性半導体記憶装置及びフラッシュメモリ
US5969986A (en) 1998-06-23 1999-10-19 Invox Technology High-bandwidth read and write architectures for non-volatile memories
US6182162B1 (en) 1998-03-02 2001-01-30 Lexar Media, Inc. Externally coupled compact flash memory card that configures itself one of a plurality of appropriate operating protocol modes of a host computer
US6040997A (en) 1998-03-25 2000-03-21 Lexar Media, Inc. Flash memory leveling architecture having no external latch
US6055184A (en) 1998-09-02 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Semiconductor memory device having programmable parallel erase operation
US6279114B1 (en) 1998-11-04 2001-08-21 Sandisk Corporation Voltage negotiation in a single host multiple cards system
WO2000030116A1 (en) 1998-11-17 2000-05-25 Lexar Media, Inc. Method and apparatus for memory control circuit
JP3948692B2 (ja) * 1999-03-26 2007-07-25 シャープ株式会社 半導体記憶装置
EP1228510B1 (en) 1999-04-01 2006-09-20 Lexar Media, Inc. Space management for managing high capacity nonvolatile memory
US6141249A (en) 1999-04-01 2000-10-31 Lexar Media, Inc. Organization of blocks within a nonvolatile memory unit to effectively decrease sector write operation time
US6181118B1 (en) 1999-06-24 2001-01-30 Analog Devices, Inc. Control circuit for controlling a semi-conductor switch for selectively outputting an output voltage at two voltage levels
US6426893B1 (en) * 2000-02-17 2002-07-30 Sandisk Corporation Flash eeprom system with simultaneous multiple data sector programming and storage of physical block characteristics in other designated blocks
TW539946B (en) 2001-08-07 2003-07-01 Solid State System Company Ltd Window-based flash memory storage system, and the management method and the access method thereof

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