JP4288604B2 - 光結合装置 - Google Patents

Description

本発明は、光配線システムにおいて有用な、光導波路と他の光部品（発光素子、受光素子、光ファイバ、或いは光導波路など）とを位置合わせして支持体に位置固定し、光路を接続した光結合装置及びその製造方法に関するものである。

これまで、電子機器内のボード間又はボード内のチップ間など、比較的短距離間の情報伝達は、主に電気信号により行われてきたが、集積回路の性能を更に向上されるためには、信号の高速化や信号配線の高密度化が必要となる。しかし、電気信号配線においては、配線の時定数による信号遅延や、ノイズ発生等の問題から、電気信号の高速化や電気信号配線の高密度化が困難である。

こうした問題を解決する光配線（光インターコネクション）が注目されている。光配線は、電子機器間、電子機器内のボード間又はボード内のチップ間など、種々の箇所に適用可能であり、例えばチップ間のような短距離の信号の伝送には、チップが搭載されている基板上に光導波路を形成し、この光導波路を信号変調されたレーザ光等の伝送路とした光伝送・通信システムを構築することができる。

このような光配線システムにおいて、光導波路と他の光部品（発光素子、受光素子、光ファイバ、或いは光導波路など）との位置合わせを行い、光路を接続する光結合装置が不可欠である。この際、光導波路と他の光部品との間で入出力される光の接続損失が許容範囲に収まるように、両者の相対的な位置精度を良好に保つ必要がある。なお、以下、本明細書において、発光素子および受光素子を区別しない場合に、これらを光素子と呼ぶことがある。

従来、位置合わせの方法としては、信号光の強さを実際に観察しながら位置合わせを行うアクティブアライメント法や、基板などに設けた位置合わせマーカを顕微鏡で観察しながら行う方法などがあるが、これらの方法は手間がかかり、光配線システムをコスト高にする原因の１つである。従って、嵌め合わせや突き当てなどの、外形に基づくセルフアレンジメントによって、生産性よく、低コストで位置合わせする方法が望まれている。

このような例として、後述の特許文献１に開示されているように、基板上に形成された光導波路に嵌合のための凹部または凸部を設け、光素子などを搭載した他の基板に設けられた凸部または凹部との嵌め合わせによって位置合わせを行う方法がある。

図５は、特許文献１に開示されている光導波路付き基板を用いる光モジュール装置の構成例を示す説明図である。この装置では、光素子１０３は光導波路１０２が形成された基板１０１に実装され、光ファイバ１０５は光ファイバ嵌合溝１０８に嵌合されて他の基板１０４に位置固定されている。そして、光導波路１０２の上に設けられた低融点金属などからなる突起１０６を、他の基板１０４の上に設けられた嵌合孔１０７に嵌合させることで、光導波路１０２と光ファイバ１０５とが位置合わせされ、光結合が形成される。

また、特許文献２には、当接（突き当て）によって光導波路材端面に半導体光素子の端面を接触させることにより、光軸方向における位置合わせを行う方法が示されている。

図６は、特許文献２に開示されている光結合構造の例を示す平面図である。この装置では、図示省略した基板の上に、石英系の材料を用いて、クラッド１１１とコア１１２からなる光導波路１１４が形成されている。光導波路１１４の端部には、コア１１２とその近傍のクラッドに形成された光導波路端面１１８と、その周囲に形成された光導波路材端面１１９との２つの端面が、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法によって形成されている。光導波路端面１１８と光導波路材端面１１９は、いずれも光軸に垂直に、光軸方向に所定の距離１２０だけずれた位置に設けられている。

半導体光素子１１５は、その出射光の光軸が光導波路１１４のコア１１２の軸方向と一致するように方向を調整し、光導波路１１４との位置合わせを行って、基板上に固定される。図６は、そのうち、光軸方向における位置合わせを行う工程を示している。初め、図６（ａ）に示すように、光導波路１１４から離れた位置にある半導体光素子１１５を、光導波路１１４の方へ移動させ、図６（ｂ）に示すように、半導体光素子の端面１１６を光導波路材端面１１９に当接させると、半導体光素子１１５の光出射端面１１７は自動的に光導波路端面１１８から所定の距離１２０だけ離れた位置に位置決めされる。

なお、光軸に直交する横方向の位置合わせは、光素子側マーカ１２１と基板側マーカ１２２とを観察しながらビジュアルアライメント法によって行う。

特開２０００−２７５４７２号公報（第６−１５頁、図１−２６及び図３２） 特開平１１−３３７７７９号公報（第４−６頁、図１−６）

特許文献１に開示されている装置では、光導波路に凹凸嵌合手段を設ける加工工程が必要であり、光導波路の作製工程が増加し、生産性が低下する。しかも、１つの凹凸嵌合手段によって三次元方向すべての位置合わせを行うので、点と点を合わせるような位置合わせが必要になり、嵌合手段の凹部と凸部との接合部は狭い領域に限定される。この接合部の誤差は、光結合の際の位置合わせ誤差に直結するので、高い加工精度が必要になり、生産性や歩留まりが悪化して、光導波路がコスト高になる原因となる。

更に、実装作業においても、三次元方向すべての位置合わせを一挙に行おうとすると、何らかのガイド機構を利用するとしても、嵌合手段の凹部と凸部とを嵌合するのに先だって微細な位置合わせを行う必要が生じ、実装作業の能率が低下する。

これに対して、特許文献２に開示されている装置によれば、当接するだけで位置合わせが達成されるので、生産性よく光導波路と半導体光素子との光結合を形成することができる。しかし、当接面が光導波路に形成されているため、主として次の（１）〜（３）のような問題点がある。

（１）光導波路の構造が複雑になり、製造工程数も増加するので、光導波路の生産性や歩留まりが悪化し、コスト高になる。

（２）当接面に加わる機械的な負荷や衝撃などによって光導波路の光導波特性に悪影響が生じないようにするために、例えば、光導波路を硬い材料で強固に作る必要があるなど、光導波路の材料や形状が制限される。

（３）当接面の大きさや形状、或いは当接面を設ける位置や向きや形成方法などが、光導波路の大きさや形状や材質によって制限される。

本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、光導波路と光ファイバや光素子などとの光結合を、簡易に、低コストで、生産性や歩留まりよく、しかも高い正確度で形成することができる光結合装置を提供することにある。

即ち、本発明は、コアとクラッドとの接合体からなり、前記コアを導光路とする平面型の光導波路の一方の端面と、他の光部品とが光結合するように、前記光導波路とこの光導波路の上部に位置する第１支持体とが接合一体化された複合体と、前記他の光部品が実装された第２支持体とが配置され、前記第１支持体と前記第２支持体とが当接され、この当接によって前記光導波路と前記他の光部品とが位置合わせされている、光結合装置であって、
前記第２支持体上に前記光導波路が面接触して保持され、
この保持面よりも高い位置にて前記第１支持体と前記第２支持体とが当接され、
前記光導波路の長さ方向において前記光導波路の前記一方の端面から所定の距離だけ 前進した位置に、前記第２支持体に対する前記第１支持体の当接面が形成され、
前記光導波路の前記長さ方向において前記第１支持体に対する前記第２支持体の当接 面から所定の距離だけ後退した位置に、前端が位置するように前記他の光部品が実装さ れている、
光結合装置に係わるものである。
本発明の光結合装置では、後述の例に示すように、前記光導波路の前記長さ方向と直交する方向においても前記第１支持体と前記第２支持体とが当接する当接面がこれらの両支持体にそれぞれ形成されているのがよい。

また、本発明の光結合装置の製造方法は、基板上に光導波路を形成する工程と、前記光導波路を前記基板から剥離して前記第１支持体用の基材に接着する工程と、前記光導波路の前記一方の端面から所定の距離だけ離れた位置において前記基材を切断して、前記第２支持体との当接面を有する前記第１支持体に加工する工程と、前記第１支持体と当接する当接面を前記第２支持体に形成する工程と、前記光導波路を接着保持した前記第１支持体と前記第２支持体とを当接させる工程とを有する、光結合装置の製造方法であるのがよい。

本発明によれば、前記光導波路と一体化された前記第１支持体と、前記他の光部品が実装された前記第２支持体とが当接され、この当接によって前記光導波路と前記他の光部品とが位置合わせされているので、当接される領域の作製の正確度と同じ正確度で前記位置合わせが行われる。そして、こうした位置合わせを行う上で、前記第２支持体上の前記光導波路の保持面よりも高い位置にて前記第１支持体と前記第２支持体とが当接され、前記光導波路の長さ方向において、前記光導波路の前記一方の端面から所定の距離だけ前進した位置に、前記第２支持体に対する前記第１支持体の当接面が形成されると共に、前記第１支持体に対する前記第２支持体の当接面から所定の距離だけ後退した位置に、前端が位置するように前記他の光部品が実装されていることが重要である。

このため、前記第１支持体および前記第２支持体の当接される領域を、それぞれ必要な正確さで作製するだけで、常に正確な位置で前記当接を行うことが可能となり、位置合わせ用の嵌合手段などを新たに設ける必要がない。また、当接するだけで位置合わせが達成されるので、手間のかかる微細な位置合わせ操作などは不要である。したがって、前記光導波路と前記他の光部品との光結合を、簡易に、低コストで、生産性や歩留まりよく、しかも高い正確度で行うことができる。

また、前記当接が、前記光導波路に対して行われるのではなく、前記第１支持体に対して行われるので、前述した特許文献２の方法の問題点（１）〜（３）が生じることがない。すなわち、本発明は、光導波路に当接部を設ける構造に比べ、下記の（１）〜（３）の優位性を有する。

（１）前記光導波路自体の構造は変化しないので、従来の光導波路と同様の生産性や歩留まりやコストで、前記光導波路を製造できる。

（２）前記当接部に加わる機械的な負荷や衝撃が前記第１支持体で吸収され、前記光導波路に及ばないから、前記光導波路の材料や形状が制限されることがなく、長期的な信頼性にも優れている。

（３）前記第１支持体に設ける当接部の大きさや形状、或いは当接部を設ける位置や向きや形成方法は、前記光導波路の大きさや形状や材質に無関係に選択できる。従って、光結合装置を設計する際の自由度が大きくなる。また、前記光導波路の構造や材質が変化した場合でも、全く同じ構造で対応することができる。

本発明の光結合装置は、基板上に光導波路を形成する工程と、前記光導波路を前記基板から剥離して前記第１支持体用の基材に接着する工程と、前記光導波路の前記一方の端面から所定の距離だけ離れた位置において前記基材を切断して、前記第２支持体との当接面を有する前記第１支持体に加工する工程と、前記第１支持体と当接する当接面を前記第２支持体に形成する工程と、前記光導波路を接着保持した前記第１支持体と前記第２支持体とを当接させる工程とを有する製造方法により、熟成された半導体製造技術を応用して製造できるので、正確に、効率や歩留まり良く、低コストで製造することができる。

また、前記第２支持体に凹部が形成され、この凹部内の所定位置に前記他の光部品である発光又は受光素子が固定されているのがよい。この際、前記光導波路の前記一方の端面が傾斜した反射端面に形成されており、この傾斜反射面による反射を介して、光を前記光導波路の内部又は外部へ導くように構成され、前記他の光部品との光結合が行われるのがよい。このようにすると、面発光型の発光素子や面受光型の受光素子を用いることができる利点がある。例えば、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface-Emitting Laｓer；垂直共振器型面発光レーザ）や面発光型のＬＥＤは、製造が容易で、安価で、市販されている品種も豊富であり、高周波特性に優れ変調しやすく、実装も容易である。また、フォトダイオードなどの受光素子も、面受光型の素子が主であり、実装も容易である。

また、前記光導波路の他方の端面が傾斜した反射面に形成されており、この傾斜反射面による反射を介して、光を前記光導波路の外部又は内部へ導くように構成され、前記更に他の光部品との光結合が形成されるのがよい。傾斜端面による反射を利用すれば、光路を方向変換しながら他の光部品との光結合を形成することができる。

また、前記複合体が前記第２支持体に対し着脱可能に構成されているのがよい。このようにすると、前記複合体の部分と前記第２支持体に保持される部分とを、必要に応じて分離したり結合したりすることのできる、いわゆるコネクタ形状の光結合装置を実現することができる。

また、前記光導波路は、コアとクラッドとの接合体からなり、コアを導光路とするが、この際、前記接合体の少なくとも一部が高分子材料からなるのがよい。光導波路の材料として有機材料系の高分子材料を用いることで、光導波路の作製工程を簡易化できる。例えば、ＵＶ（紫外線）硬化型有機材料を用いると、スピンコート等による成膜や、フォトリソグラフィによるコア加工が可能であり、安価な製造設備と低い製造コストで光導波路を作製することができる。

また、前記他の光部品が、発光素子、受光素子、光ファイバ、又は平面光導波路であるのがよい。

次に、本発明の好ましい実施の形態を図面参照下に具体的かつ詳細に説明する。

本実施の形態では、光導波路と前記第１支持体とが接合されて前記複合体が形成され、光導波路と前記第２支持体とが面接触し、第２支持体に対する前記第１支持体の当接面が、光導波路の一方の端面から所定の距離だけ離れた位置に形成されている光結合装置の例およびその作製工程を、図１〜４を用いて説明する。

図２は、前記第１支持体である支持体１と光導波路２との複合体１０の平面図（ａ）と断面図（ｂ）とである。支持体１は、例えばシリコンからなる基板であり、光導波路２は、クラッド３とコア４との接合体からなり、導光路であるコア４が、下部クラッドと上部クラッドとの間に挟持されている。図２には、コア４が４本並置されている例を示したが、これに限るものではなく、光導波路２に含まれるコア４の本数は単一でも複数でもよい。

支持体１の材料としては、シリコン基板以外のガラス基板やセラミック基板でもよいが、半導体加工技術で加工できることから、半導体基板とりわけシリコン基板が好ましい。

光導波路２の下部クラッド、コアおよび上部クラッドの各層は、例えば、屈折率の異なる公知の高分子材料を順次積層し、コア材料をパターニングすることによって形成される。コア４の屈折率はクラッド３の屈折率よりも大きく、比屈折率差Δｎは、例えば０．８％である。また、コア４の断面は、例えば４０μｍ×４０μｍの正方形である。

光導波路２の一方の端面５は、光導波路２の主面に対しておおよそ４５度に傾斜した反射面に形成されており、この傾斜反射面５による反射を介して、光を光導波路２の内部又は外部へ導き、次に述べるようにして対向配置された光素子１４との光結合が形成される。

図１は、支持体１と、前記第２支持体である実装基板１１との当接によって、光導波路２と実装基板１１との位置合わせを行い、光素子１４の発光または受光部分と光導波路コア４との正確な光結合を実現する仕組みを説明するものである。図１（ａ）は当接前の光結合装置の状態を示す断面図であり、図１（ｂ）と（ｃ）は、当接により光結合が形成された状態を示す断面図（ｂ）と平面図（ｃ）である。なお、断面図は、平面図（ｃ）の１Ａ−１Ａ線の位置における断面図である。

図１（ａ）に示すように、実装基板１１には、光導波路２を保持する光導波路支持面１２、光素子１４を固定するための凹部１３、および支持体１との当接面１５が設けられている。図１（ｂ）に示すように、光結合が形成された状態では、光導波路２はその実装基板１１の側の主面が光導波路支持面１２に接触して保持され、光素子１４は凹部１３内に固定され、凹部１３の深さによって、図１（ｂ）の高さ方向における光導波路２と光素子１４との間隔が制御される。

このとき、光素子１４が発光素子であれば、発光素子の発光部から傾斜反射面５に入射した光が、傾斜反射面５で反射され、コア４の内部へ導かれる。また、光素子１４が受光素子である場合には、コア４の内部を伝播してきた光が、傾斜反射面５で反射され、受光素子１４の受光部へと導かれる。このようにすると、上面に発光部をもつ面発光型の発光素子や、上面に受光部をもつ面受光型の受光素子を用いることができる利点がある。例えば、ＶＣＳＥＬ（発光領域の大きさは、例えば１０μｍ）や面発光型のＬＥＤは、製造が容易で、安価で、市販されている品種も豊富であり、高周波特性に優れ変調しやすく、実装も容易である。また、フォトダイオードなどの受光素子も、面受光型の素子が主であり、実装も容易である。

また、図１（ｂ）に示すように、支持体１の当接面６は、光導波路２の一方の端面５から所定の距離２１だけ離れた位置に形成されている。そして、光素子１４は、実装基板１１の当接面１５から所定の距離２２だけ離れた位置に固定されている。このため、支持体１の当接面６と、実装基板１１の当接面１５との当接（突き当て）によって、図１の左右方向における光導波路２と光素子１４との正確な位置合わせが行われる。

さらに、当接面６と当接面１５との当接部２３に十分な広がりがあれば、当接によって支持体１と実装基板１１との角度ずれの修正も行われる。

図３は、支持体１と光導波路２との複合体１０を作製する工程を示すフロー図である。なお、この図は、図１の断面図と同じ位置における断面図である。

まず、図３（ａ）に示すように、基板３１の上に光導波路２の下部クラッド、コア４および上部クラッドの各層を、例えば、屈折率の異なる公知の高分子材料をスピンコートなどにより塗布し、紫外線照射や加熱により硬化させて順次積層し、コア材料をパターニングすることによって形成する。

次に、図３（ｂ）に示すように、Ｖ字型ブレードでダイサー加工することにより斜め４５度加工を施し、光導波路２の一方の端面５を傾斜反射面に形成する。さらに通常のブレードでもう一方の端面を切断する。

次に、図３（ｃ）に示すように、光導波路２を基板３１から剥離して支持体１の基材３２に接着する。このとき用いる接着剤は、熱硬化性のものでも、紫外線硬化性のものでもよい。

次に、図３（ｃ）および（ｄ）に示すように、光導波路２一方の端面５から所定の距離２１だけ離れた位置において基材を切断して、実装基板１１との当接面６を有する支持体１に加工し、複合体１０を形成する。この際、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラと顕微鏡を用いた画像観察で、一方の端面５のエッジ５ａを検出しながら切断することで、±数μｍの精度で当接面６を形成することができる。

当接面６は、切断によって形成した後、エッチング処理を行うことにより、寸法精度を向上させたり、段付き形状に加工したりすることができる。

一方、図示省略したが、シリコン基板などの半導体基板に、光導波路支持面１２、凹部１３、そして支持体１と当接する当接面１５をエッチングにより形成し、実装基板１１を作製する。

次に、図１（ｂ）に示すように、実装基板１１の凹部１３の、当接面１５から所定の距離２２だけ離れた位置に光素子１４を固定する。その後、支持体１と実装基板１１とを当接面６と１５において当接させ、光結合装置の作製を終了する。

図４は、本実施の形態に基づく光結合装置の他の例を示す断面図（ａ）と平面図（ｂ）である。この光結合装置では、支持体１および実装基板１６のそれぞれに、互いに交差する２つの当接面６と７、および、当接面１５と１７を設けることにより、当接部２３と当接部２４の２つの領域における当接によって、左右方向に加え、図４の奥行き方向における位置合わせも行えるようにした例である。

実際の位置合わせは、例えば、まず支持体１を左右方向に移動させて、当接面６を当接面１５に当接させ、図４の左右方向における位置合わせを行い、次に支持体１を当接面１５に沿って奥行き方向に移動させて、当接面７を当接面１７に当接させ、奥行き方向における位置合わせを行う。このように２度当接を繰り返すだけで二次元方向における位置合わせが行われ、先述した凹部１３の深さ調節による高さ方向の位置合わせと合わせると、三次元方向における完全な位置合わせが行われ、光導波路コア４と、光素子１４の発光または受光部分との光結合が実現する。

同様にして、高さ方向においても当接面を設け、高さ方向の位置合わせも当接によって行うようにすることもできる。

以上に説明してきたように、本実施の形態によれば、支持体１と実装基板との当接によって、実装基板面に平行な面方向のずれ、実装基板面に垂直な高さ方向のずれ、或いは角度のずれの少なくとも１つの位置合わせを行うことができる。また、その位置合わせを繰り返すことで容易に三次元方向における完全な位置合わせを行うこともできる。

この方法によれば、位置合わせの作業は、当接部同士を当接させるだけであり、簡易である。しかも、当接が十分広い領域にわたって行われるようにすれば、当接部全体としての位置の正確性が保たれていれば、細部の作製精度に関係なく、正確度の高い位置合わせを実現できる。従って、光導波路と光素子との光結合を、簡易に、生産性や歩留まりよく、低コストで、しかも高い正確度で形成することができる。

光導波路の傾斜端面の機械的強度は一般に弱いため、傾斜端面部を直接突き当てて光導波路の位置合わせを行うことは困難である。本実施の形態は、光導波路に機械的な負荷を加えることなく位置決めできるので、傾斜端面を有する光導波路にも適用でき、長期的な信頼性にも優れている。また、例えば、前記光導波路を構成するチャンネル数が増えるなど、前記光導波路の構成が変化した場合でも、同じ構造で対応することができる。

以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの例に何ら限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

本発明の光結合装置は、電子機器間、電子機器内のボード間又はボード内のチップ間など、種々の箇所に適用可能な光配線において好適に用いられ、小型で、低コストで、しかも高性能の光伝送・通信システムの構築に寄与することができる。

本発明の実施の形態に基づき、支持体１と実装基板１１との当接によって光導波路２と実装基板１１との位置合わせを行う仕組みを説明する、光結合装置の当接前の断面図（ａ）と、当接後の断面図（ｂ）および平面図（ｃ）である。 同、前記第１支持体である支持体１と光導波路２との複合体１０の平面図（ａ）と断面図（ｂ）とである光結合装置のＡ−Ａ線断面図（ａ）およびＢ−Ｂ線断面図（ｂ）である。 同、支持体１と光導波路２の複合体１０の作製工程を示すフロー図である。 同、光結合装置の他の例を示す断面図（ａ）と平面図（ｂ）である。 特許文献１に開示されている光導波路付き基板を用いる光モジュール装置の 特許文献２に開示されている、当接（突き当て）によって位置合わせが行われる光結合構造の例を示す平面図である。

符号の説明

１…支持体、２…光導波路、３…クラッド、４…コア、５…一方の端面、
５ａ…一方の端面のエッジ、６、７…当接面、１０…複合体、１１…実装基板、
１２…光導波路支持面、１３…凹部、１４…光素子、１５、１７…当接面、
１６…実装基板、２１、２２…所定の距離、２３、２４…当接部、３１…基板、
３２…支持体１の基材、１０１…基板、１０２…光導波路、１０３…光素子、
１０４…他の基板、１０５…光ファイバ、１０６…突起、１０７…嵌合孔、
１０８…光ファイバ嵌合溝、１１１…クラッド、１１２…コア、１１４…光導波路、
１１５…半導体光素子、１１６…半導体光素子の端面、
１１７…半導体光素子の光入射または出射端面、１１８……光導波路端面、
１１９…光導波路材端面、１２０…所定の距離、１２１…光素子側マーカ、
１２２…基板側マーカ

Claims (8)

1. コアとクラッドとの接合体からなり、前記コアを導光路とする平面型の光導波路の一方の端面と、他の光部品とが光結合するように、前記光導波路とこの光導波路の上部に位置する第１支持体とが一体化された複合体と、前記他の光部品が実装された第２支持体とが配置され、前記第１支持体と前記第２支持体とが当接され、この当接によって前記光導波路と前記他の光部品とが位置合わせされている、光結合装置であって、
   前記第２支持体上に前記光導波路が面接触して保持され、
   この保持面よりも高い位置にて前記第１支持体と前記第２支持体とが当接され、
   前記光導波路の長さ方向において前記光導波路の前記一方の端面から所定の距離だけ 前進した位置に、前記第２支持体に対する前記第１支持体の当接面が形成され、
   前記光導波路の前記長さ方向において前記第１支持体に対する前記第２支持体の当接 面から所定の距離だけ後退した位置に、前端が位置するように前記他の光部品が実装さ れている、
   光結合装置。
2. 前記光導波路の前記長さ方向と直交する方向においても前記第１支持体と前記第２支持体とが当接する当接面がこれらの両支持体にそれぞれ形成されている、請求項１に記載した光結合装置。
3. 前記第２支持体に凹部が形成され、この凹部内の所定位置に前記他の光部品である発光又は受光素子が固定されている、請求項１又は２に記載した光結合装置。
4. 前記光導波路の前記一方の端面が傾斜した反射端面に形成されており、この傾斜端面による反射を介して、光を前記光導波路の内部又は外部へ導くように構成され、前記他の光部品との光結合が行われる、請求項３に記載した光結合装置。
5. 前記光導波路の他方の端面が傾斜した反射端面に形成されており、この傾斜端面による反射を介して、光を前記光導波路の外部又は内部へ導くように構成され、更に他の光部品との光結合が行われる、請求項１、２又は４に記載した光結合装置。
6. 前記複合体が前記第２支持体に対し着脱可能に構成されている、請求項１又は２に記載した光結合装置。
7. 前記接合体の少なくとも一部が高分子材料からなる、請求項１又は２に記載した光結合装置。
8. 前記他の光部品が、発光素子、受光素子、光ファイバ、又は平面光導波路である、請求項１〜７のいずれか１項に記載した光結合装置。

Images