JP4292117B2 - 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 - Google Patents
化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4292117B2 JP4292117B2 JP2004208609A JP2004208609A JP4292117B2 JP 4292117 B2 JP4292117 B2 JP 4292117B2 JP 2004208609 A JP2004208609 A JP 2004208609A JP 2004208609 A JP2004208609 A JP 2004208609A JP 4292117 B2 JP4292117 B2 JP 4292117B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical mechanical
- mechanical polishing
- aqueous dispersion
- particles
- cationic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
- H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials
- H10P95/062—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
例えば、特許文献1及び2には、STIの化学機械研磨工程において、研磨砥粒としてセリアを使用した水系分散体を用いることにより、研磨速度が速く、しかも比較的研磨傷の少ない被研磨面を得られることが開示されている。
被研磨面の研磨傷の減少については、キトサン酢酸塩、ドデシルアミン、ポリビニルピロリドンといった界面活性剤が有効である旨の報告がある(例えば、特許文献3乃至5参照。)。しかし、これら技術によると研磨傷の減少には効果見られるものの、研磨速度が低下してしまい、スループットの向上はいまだ達成されていない。
本発明の上記目的は、第二に、上記化学機械研磨用水系分散体を用いて絶縁膜の除去を行う化学機械研磨方法によって達成される。
本発明の化学機械研磨用水系分散体に配合される砥粒は、セリアを含み平均分散粒径が1.0μm以上のものである。
上記セリアを含み平均分散粒径が1.0μm以上である砥粒は、この要件を満たす限りどのようなものであってもよいが、例えば、セリア及びカチオン性有機粒子から構成される複合粒子であることができる。
上記セリアは、例えば4価のセリウム化合物を酸化雰囲気中で加熱処理することによって得ることができる。セリアの原料たる4価のセリウム化合物としては、例えば水酸化セリウム、炭酸セリウム、シュウ酸セリウム等を挙げることができる。
セリアの平均粒子径は、好ましくは0.01〜3μm、より好ましくは0.02〜1μm、更に好ましくは0.04〜0.7μmである。この範囲の平均粒子径を有するセリアを使用することにより、研磨速度と水系分散体中における分散安定性とのバランスに優れた砥粒を得ることができる。上記平均粒子径は、動的光散乱法、レーザー散乱回折法、透過型電子顕微鏡観察等により測定することができる。これらのうち、レーザー散乱回折法により測定することが簡便であるため好ましい。
また、セリアの比表面積は、好ましくは5〜100m2/g、より好ましくは10〜70m2/g、更に好ましく10〜30m2/gである。この範囲の比表面積を有するセリアを使用することにより、平坦性に優れた砥粒を得ることができる。
上記カチオン性有機粒子は、上記のようなカチオン性の残基を有する限り、特に制限はないが、例えば上記のようなカチオン性残基を有する重合体粒子、カチオン性残基を有する界面活性剤が付着した重合体粒子等を挙げることができる。
カチオン性有機粒子がカチオン性残基を有する重合体粒子粒子である場合、上記カチオン性残基は、重合体の側鎖中及び/又は末端に位置することができる。
カチオン性残基を側鎖に有する重合体は、カチオン性モノマーの単独重合若しくは二種以上のカチオン性モノマーの共重合又はカチオン性モノマーとそれ以外のモノマーとの共重合によって得ることができる。
アミノアルコキシアルキル基含有(メタ)アクリル酸エステル、N−アミノアルキル基含有(メタ)アクリル酸エステル等を挙げることができる。
アミノアルキル基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば2−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、2−ジエチルアミノエチル(メタ)アクリレート、2−ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリレート、3−ジメチルアミノプロピル(メタ)アクリレート等を;
アミノアルコキシアルキル基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば2−(ジメチルアミノエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、2−(ジエチルアミノエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、3−(ジメチルアミノエトキシ)プロピル(メタ)アクリレート等を;
N−アミノアルキル基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えばN−(2−ジメチルアミノエチル)(メタ)アクリルアミド、N−(2−ジエチルアミノエチル)(メタ)アクリルアミド、N−(2−ジメチルアミノプロピル)(メタ)アクリルアミド、N−(3−ジメチルアミノプロピル)(メタ)アクリルアミド等を、それぞれ挙げることができる。
これらのうち、2−ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、N−(2−ジメチルアミノエチル)(メタ)アクリルアミドが好ましい。
なお、これらカチオン性モノマーは、塩化メチル、硫酸ジメチル、硫酸ジエチル等が付加した塩のかたちであってもよい。カチオン性モノマーがこれらの塩である場合には、塩化メチルが付加した塩が好ましい。
芳香族ビニル化合物としては、例えばスチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、ハロゲン化スチレン等を;
不飽和ニトリル化合物としては例えばアクリロニトリル等を;
(メタ)アクリル酸エステル(ただし、上記カチオン性モノマーに相当するものは除く。)としては例えばメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)クリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等を;
共役ジエン化合物としては、例えばブタジエン、イソプレン等を;
カルボン酸のビニルエステルとしては、例えば酢酸ビニル等を;
ハロゲン化ビニリデンとしては、例えば塩化ビニル、塩化ビニリデン等をそれぞれ挙げることができる。
これらのうち、スチレン、α−メチルスチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート、ブチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート及びトリメチロールプロパントリメタクリレートが好ましい。
このようなモノマーとしては、例えば、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、2,2'−ビス〔4−(メタ)アクリロイルオキシプロピオキシフェニル〕プロパン、2,2'−ビス〔4−(メタ)アクリロイルオキシジエトキジフェニル〕プロパン、グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールブロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
これらのうち、ジビニルベンゼン及びエチレングリコールジメタクリレートが好ましい。
なお、上記重合体は、ラジカル重合開始剤を用いて、公知の方法により製造することができる。ここで、ラジカル重合開始剤としては、例えば過酸化ベンゾイル、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル等を挙げることができる。
この場合の原料となる単量体としては、上記したカチオン性モノマー及び/又はそれ以外のモノマーの単独重合又は共重合によって製造することができる。ここで、原料モノマーの一部又は全部にカチオン性モノマーを使用すると、重合体の側鎖及び末端の双方にカチオン性の残基を有する重合体を得ることができる。
2,2'−アゾビス[N−(4−クロロフェニル)−2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−546」として販売)、
2,2'−アゾビス[N−(4−ヒドロキシフェニル)−2−メチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−548」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−メチル−N−(フェニルメチル)−プロピオンアミジン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−552」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−メチル−N−(2−プロペニル)プロピオンアミジン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−553」として販売)、
2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「V−50」として販売)、
2,2'−アゾビス[N−(2−ヒドロキシエチル)−2−メチルプロピオンアミジン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−558」として販売)、
2,2'−アゾビス[N−(2−カルボキシエチル)−2−メチルプロピオンアミジン]ハイドレート(和光純薬工業(株)から商品名「VA−057」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−メチル−(5−メチル−2−イミダゾリン−2−イル)プロパン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−041」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン)ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−044」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−(3,4,5,6−テトラヒドロピリミジン−2−イル)プロパン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−058」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−(5−ヒドロキシ−3,4,5,6−テトラヒドロピリミジン−2−イル)プロパン]ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−059」として販売)、
2,2'−アゾビス{2−[1−(2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリン−2−イル]プロパン}ジヒドロクロライド(和光純薬工業(株)から商品名「VA−060」として販売)、
2,2'−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン)(和光純薬工業(株)から商品名「VA−061」として販売)等を挙げることができる。
これらのうち、2,2'−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジヒドロクロライド(商品名 「V−50」)、2,2'−アゾビス[N−(2−カルボキシエチル)−2−メチルプロピオンアミジン]ハイドレート(商品名 「VA−057」)及び2,2'−アゾビス[2−(2−イミダゾリン−2−イル)プロパン)ジヒドロクロライド(商品名 「VA−044」)を使用することが好ましい。
アニオン性残基を有するモノマーとしては、例えば上記したカルボン酸のビニルエステル等を用いることができる。ここで、アニオン性残基を有するモノマーの使用量としては、全モノマーに対して1〜60質量%であることが好ましく、1〜30質量%であることが更に好ましい。
カチオン性残基を有する界面活性剤の使用量は、重合体100質量部に対して、好ましくは10〜300質量部であり、更に好ましくは10〜100質量部である。
重合体にカチオン性残基を有する界面活性剤付着させるには、適宜の方法が使用できるが、例えば重合体粒子を含有する分散体を調製し、これに界面活性剤の溶液を加えることにより、実施することができる。
なお、上記方法(1)による場合には、後述するように、セリアを含有する水系分散体とカチオン性を有する重合体粒子を含有する水系分散体とを予め混合した化学機械研磨用水系分散体を用意して化学機械研磨工程に供してもよく、或いは、セリアを含有する水系分散体とカチオン性を有する重合体粒子を含有する水系分散体とをそれぞれ用意し、これらを化学機械研磨装置のライン中又は研磨パッド上で接触させ、混合せしめて砥粒を形成させてもよい。
上記のようにして得られる砥粒は、セリアを含み、平均分散粒径が1.0μm以上である。この平均分散粒径は、好ましくは1.0〜10μm、より好ましくは1.0〜5.0μm、更に好ましくは1〜2.5μmである。上記平均分散粒径は、動的光散乱法、レーザー散乱回折法等により測定することができる。
本発明の化学機械研磨用水系分散体は上記砥粒を1.5質量%以下の含有量で含む。この含有量は、好ましくは0.1〜1.5質量%、更に好ましくは0.5〜1.0質量%である。
上記アニオン性基を有する水溶性有機重合体は、砥粒の分散安定性を高め、同時に被研磨面の表面欠陥の発生をより低減するために配合することができる。上記アニオン性基としては、例えばカルボキシル基、スルホン基等を挙げることができる。
アニオン性基としてカルボキシル基を含有する水溶性有機重合体としては、例えば不飽和カルボン酸の(共)重合体、ポリグルタミン酸等を挙げることができる。アニオン性基としてスルホン基を含有する水溶性有機重合体としては、例えばスルホン基を有する不飽和単量体の(共)重合体等を挙げることができる。
上記スルホン基を有する不飽和単量体の(共)重合体は、スルホン基を有する不飽和単量体の単独重合体又はスルホン基を有する不飽和単量体とその他の単量体との共重合体である。スルホン基を有する不飽和単量体としては、例えばスチレンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、イソプレンスルホン酸等を挙げることができる。その他の単量体としては、上記した不飽和カルボン酸共重合体の原料として例示したその他の単量体と同様の単量体を使用することができる。
これらアニオン性基を有する水溶性有機重合体のうち、不飽和カルボン酸(共)重合体が好ましく使用でき、特にポリ(メタ)アクリル酸が好ましい。
なお、これらアニオン性基を有する水溶性有機重合体は、これに含まれるアニオン性基の全部又は一部が塩であるものを使用してもよい。その場合のカウンターカチオンとしては、例えばアンモニウムイオン、アルキルアンモニウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。
本発明の化学機械研磨用水系分散体に配合されるアニオン性基を有する水溶性有機重合体の量は、セリアを含み平均粒子径が1.0μm以上である砥粒100質量部あたり、好ましくは600質量部以下であり、より好ましくは60〜600質量部であり、更に好ましくは60〜500質量部であり、特に60〜450質量部であることが好ましい。この範囲の使用量とすることにより、砥粒の分散安定性と研磨速度のバランスに優れる化学機械研磨用水系分散体を得ることができる。
有機酸としては、パラトルエンスルホン酸、イソプレンスルホン酸、グルコン酸、乳酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、グリコール酸、マロン酸、ギ酸、シユウ酸、コハク酸、フマル酸、マレイン酸及びフタル酸等が挙げられる。無機酸としては、硝酸、塩酸及び硫酸等が挙げられる。これら有機酸及び無機酸は、それぞれ1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができ、更に、有機酸と無機酸とを併用することもできる。
上記酸の配合量は、化学機械研磨用水系分散体を100質量%とした場合に、好ましくは2質量%以下であり、より好ましくは1質量%以下である。
有機塩基としては、エチレンジアミン、エタノールアミン等の含窒素有機化合物等が挙げられる。無機塩基としては、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム等が挙げられる。これら有機塩基及び無機塩基は、それぞれ1種単独であるいは2種以上を組み合わせて用いることができ、更に、有機塩基と無機塩基とを併用することもできる。
上記塩基の配合量は、化学機械研磨用水系分散体を100質量%とした場合に、好ましくは1質量%以下、より好ましくは0.5質量%以下である。
上記化学機械研磨用水系分散体のpHは、好ましくはpH4〜12である。この範囲であれば、研磨速度が高く、研磨傷の低減された被研磨面が得られる化学機械研磨用水系分散体とすることができ、また、水系分散体自体の安定性にも優れる。
濃縮状態で調製する場合、砥粒の配合量としては20質量%以下にとどめることが、水系分散体の長期安定性の面から好ましい。
本発明の化学機械研磨方法は、上記の化学機械研磨用水系分散体を用いて、絶縁膜を研磨するものである。具体的には、微細素子分離工程(STI工程)における絶縁膜研磨、多層化配線基板の層間絶縁膜の研磨等を挙げることができる。
上記STI工程における研磨の対象となる絶縁膜及び、多層化配線基板の絶縁膜を構成する材料としては、例えば熱酸化膜、PETEOS膜(Plasma Enhanced−TEOS膜)、HDP膜(High Density Plasma Enhanced−TEOS膜)、熱CVD法により得られる酸化シリコン膜等が挙げられる。
上記熱酸化膜は、高温にしたシリコンを酸化性雰囲気に晒し、シリコンと酸素あるいはシリコンと水分を化学反応させることにより形成されたものである。
上記PETEOS膜は、テトラエチルオルトシリケート(TEOS)を原料として、促進条件としてプラズマを利用して化学気相成長で形成されたものである。
上記HDP膜はテトラエチルオルトシリケート(TEOS)を原料として、促進条件として高密度プラズマを利用して化学気相成長で形成されたものである。
上記熱CVD法により得られる酸化シリコン膜は、常圧CVD法(AP−CVD法)又は減圧CVD法(LP−CVD法)により形成されたものである。
上記ホウ素リンシリケート膜(BPSG膜)は、常圧CVD法(AP−CVD法)又は減圧CVD法(LP−CVD法)により形成されたものである。
また、上記FSGと呼ばれる絶縁膜は、促進条件として高密度プラズマを利用して化学気相成長で形成されたものである。
セリアの水分散体の調製
バストネサイト(bastnaesite)を硝酸に溶解したのち、炭酸塩として再結晶を3回繰り返し、高純度化されたセリウムの炭酸塩を得た。これを空気中で900℃で5時間加熱し、セリアを得た。このセリアを、ジルコニアビーズを使用してビーズミルで粉砕後、水簸工程により分級した。
こうして得たセリア粒子を、硝酸の存在下、イオン交換水に分散させ、pHを6に調整して、平均粒子径(二次粒子径)0.24μmのセリアを15質量%含有するセリアの水分散体を得た。
合成例1[カチオン性重合体粒子(a)]
モノマーとしてスチレン70質量部、メチルメタクリレ−ト20質量部及びN−(3−ジメチルアミノプロピル)アクリルアミドの塩化メチル付加物((株)興人製、商品名「DMAPAAQ」)10質量部、重合開始剤としてアゾ系重合開始剤(和光純薬(株)製、商品名「V50」)1質量部、界面活性剤としてドデシルトリメチルアンモニウムクロライドの27質量%水溶液(花王(株)製、商品名「コータミン24P」)5質量部、並びに溶媒としてイオン交換水400質量部を、容量2リットルのフラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下、攪拌しながら70℃に昇温し、70℃にて6時間重合させた。これによりカチオン性残基を有する平均粒子径0.31μmのスチレン−メチルメタクリレート系共重合体粒子[重合体粒子(a)]を含む水系分散体を得た。なお、重合収率は95%であった。また、この重合体粒子につき、レーザードップラー電気泳動光散乱法ゼータ電位測定器(COULTER社製、形式「DELSA440」)により測定したゼータ電位は+25mVであった。
モノマーとしてスチレン50質量部、アクリロニトリル20質量部及びメチルメタクリレート30質量部、重合開始剤として過酸化アンモニウム1質量部、界面活性剤としてポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル(花王(株)製、商品名「エマルゲン920」)2質量部、並びにイオン交換水400質量部を、容量2リットルのフラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下、攪拌しながら70℃に昇温し、70℃にて6時間重合させた。これによりアニオン性残基を有する平均粒子径0.42μmのスチレン−メチルメタクリレート系共重合体粒子[重合体粒子(b)]を含む水分散体を得た。なお、重合収率は94%であった。また、この重合対粒子につき、合成例1と同様にして測定したゼータ電位は−16mVであった。
モノマー、重合開始剤及び界面活性剤の種類及び量を表1に記載のとおりとした他は、上記合成例1と同様にして実施し、重合体粒子(c)、(d)及び(e)を得た。これらの重合体粒子の平均粒子径及びゼータ電位を表1に示した。
ポリアクリル酸(溶媒を水としてGPCで測定したポリエチレングリコール換算の重量平均分子量は8,000である。)を40質量%含有する水溶液に28質量%アンモニア水を、ポリアクリル酸の有するカルボキシル基の80%が中和されるに相当する量添加した。
また、DMAPAAQ、V−50、コータミン24P、エマルゲン920及びアクアロンRN20は商品名であり、それぞれ以下を表す。
DMAPAAQ:N−(3−ジメチルアミノプロピル)アクリルアミドの塩化メチル付加物((株)興人製)
V−50:2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)の2塩化水素塩(和光純薬工業(株)製 )
コータミン24P:ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド27質量%水溶液(花王(株)製)
エマルゲン920:ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル(花王(株)製)
アクアロンRN20:非イオン反応性界面活性剤(第一工業製薬(株)製)
(1)化学機械研磨用水系分散体の調製
上記「セリアの水分散体の調製」で調製したセリアの水分散体をセリアに換算して10質量部に相当する量、上記合成例1で合成した重合体粒子(a)を含む水系分散体を重合体粒子に換算して2質量部に相当する量、及び「上記アニオン性基を有する水溶性有機重合体を含有する溶液の調製」で調製した水溶性重合体を含有する溶液を水溶性重合体に換算して25質量%に相当する量を混合し、化学機械研磨用水系分散体の濃縮品を調製した。
更に、この濃縮品につき、超純水を用いてセリアの含有量が0.8質量%となるように希釈し(セリアを含有する砥粒として、0.96質量%に相当する。)化学機械研磨用水系分散体を調製した。ここで調製した化学機械研磨用水系分散体に含有される砥粒の平均分散粒径をレーザー回折法により測定したところ、1.57μmであった。
上記で調製した化学機械研磨用水系分散体を使用して、以下の条件で直径8インチのPETEOS膜を被研磨物として、化学機械研磨を行った。
研磨装置:荏原製作所(株)製、形式「EPO−112」
研磨パッド:ロデール・ニッタ(株)製、「IC1000/SUBA400」
水系分散体供給量:200mL/分
定盤回転数:100回/分
研磨ヘッド回転数:107回/分
研磨ヘッド押し付け圧:450g/cm2
研磨時間:3分間
光干渉式膜厚計「NanoSpec 6100」(ナノメトリクス・ジャパン(株)製)を用いて、上記化学機械研磨における被研磨物の研磨前後の膜厚を測定し、その差を研磨時間で除して研磨速度を算出した。
研磨速度は表2に示した。
この値が20nm/分を超えるとき研磨速度は良好であり、20nm/分未満のとき研磨速度は不良といえる。
研磨後のPETEOS膜につき、ケーエルエー・テンコール(株)製「KLA2351」により欠陥検査を行った。まず、ウェハ表面の全範囲をピクセルサイズ0.39μm、スレショルド 50の条件で測定し、「KLA2351」が「欠陥」としてカウントした数を計測した。次いでこれら「欠陥」をランダムに250個抽出して観察し、1つ1つについてスクラッチであるか、付着したゴミであるかを見極め、これら「欠陥」中に占めるスクラッチの割合を出し、これよりウェハ全面あたりのスクラッチ数を算出した。結果は表2に示した。
この値が50個/面以下であるときスクラッチ数は極めて良好であり、50〜100個/面のときスクラッチ数は良好であり、101個/面以上のときスクラッチ数は不良といえる。
各成分の種類及び量を表2のとおりとした他は、実施例1と同様に濃縮品を調製し、更に化学機械研磨用水型分散体を調製し、評価した。結果は表2に示した。
なお、比較例5においては、研磨後の被研磨面の均一性がきわめて悪く、スクラッチの評価は行わなかった。
Claims (4)
- セリア粒子およびカチオン性有機粒子からなる複合粒子と、
アニオン性水溶性有機重合体と、
を含む、化学機械研磨用水系分散体であって、
前記複合粒子を0.1〜1.5質量%含有し、
前記セリア粒子100質量部に対して、前記カチオン性有機粒子を1〜20質量部含み、
前記カチオン性有機粒子の平均粒子径は、前記セリア粒子の平均粒子径の0.42〜2倍であり、かつ前記複合粒子の平均分散粒径は、1.0μm以上である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1において、
前記カチオン性有機粒子は、カチオン性残基を有する重合体粒子およびカチオン性残基を有する界面活性剤を付着した重合体粒子から選ばれる少なくとも1種である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1または2において、
前記アニオン性水溶性有機重合体は、カルボキシル基またはスルホン酸基を有する水溶性有機重合体である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いて、絶縁膜を研磨することを特徴とする、化学機械研磨方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004208609A JP4292117B2 (ja) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
| DE602005002409T DE602005002409T2 (de) | 2004-07-15 | 2005-07-13 | Wässrige Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren und chemisch-mechanisches Polierverfahren |
| EP05015261A EP1616927B1 (en) | 2004-07-15 | 2005-07-13 | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
| KR1020050063511A KR100737202B1 (ko) | 2004-07-15 | 2005-07-14 | 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 화학 기계 연마 방법 |
| US11/180,619 US7550020B2 (en) | 2004-07-15 | 2005-07-14 | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
| TW094123890A TWI304090B (en) | 2004-07-15 | 2005-07-14 | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
| CNB200510084026XA CN1324106C (zh) | 2004-07-15 | 2005-07-15 | 化学机械研磨用水性分散剂以及化学机械研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004208609A JP4292117B2 (ja) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008005310A Division JP2008147688A (ja) | 2008-01-15 | 2008-01-15 | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006032611A JP2006032611A (ja) | 2006-02-02 |
| JP4292117B2 true JP4292117B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=35169259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004208609A Expired - Lifetime JP4292117B2 (ja) | 2004-07-15 | 2004-07-15 | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7550020B2 (ja) |
| EP (1) | EP1616927B1 (ja) |
| JP (1) | JP4292117B2 (ja) |
| KR (1) | KR100737202B1 (ja) |
| CN (1) | CN1324106C (ja) |
| DE (1) | DE602005002409T2 (ja) |
| TW (1) | TWI304090B (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4292117B2 (ja) | 2004-07-15 | 2009-07-08 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
| US8157877B2 (en) * | 2005-12-16 | 2012-04-17 | Jsr Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, chemical mechanical polishing method, and kit for preparing chemical mechanical polishing aqueous dispersion |
| KR20090031571A (ko) * | 2006-07-18 | 2009-03-26 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마용 수계 분산체, 그의 제조 방법 및 화학 기계 연마 방법 |
| EP2061070A4 (en) * | 2006-09-11 | 2010-06-02 | Asahi Glass Co Ltd | POLISHING AGENT FOR AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR ELEMENTS, POLISHING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING AN INTEGRATED SEMICONDUCTOR EQUIPMENT |
| JP4811586B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-11-09 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法ならびに化学機械研磨方法 |
| US20090090696A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Cabot Microelectronics Corporation | Slurries for polishing oxide and nitride with high removal rates |
| CN102766407B (zh) | 2008-04-23 | 2016-04-27 | 日立化成株式会社 | 研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法 |
| CN102477261B (zh) * | 2010-11-26 | 2015-06-17 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| JP6321022B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2018-05-09 | ローレンス リバモア ナショナル セキュリティー, エルエルシー | 表面活性を失うことなく荷電コロイドの凝集を阻止する方法 |
| KR102239131B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2021-04-12 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 및 그 제조 방법 |
| EP3582252B1 (en) * | 2017-02-08 | 2022-02-23 | Showa Denko Materials Co., Ltd. | Polishing method |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235631A (ja) | 1984-05-09 | 1985-11-22 | Toho Chem Ind Co Ltd | 非自己重合性反応性カチオン界面活性剤 |
| JP3335667B2 (ja) | 1992-05-26 | 2002-10-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09270402A (ja) | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造法 |
| TW420716B (en) | 1996-12-09 | 2001-02-01 | Ibm | Polish process and slurry for planarization |
| US5876490A (en) | 1996-12-09 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporatin | Polish process and slurry for planarization |
| JP3371775B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2003-01-27 | 株式会社日立製作所 | 研磨方法 |
| JP2000109809A (ja) | 1998-10-08 | 2000-04-18 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP2000252245A (ja) | 1999-03-01 | 2000-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液 |
| EP1036836B1 (en) * | 1999-03-18 | 2004-11-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| JP3784988B2 (ja) | 1999-03-18 | 2006-06-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001007061A (ja) | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
| TW534917B (en) * | 1999-11-22 | 2003-06-01 | Jsr Corp | Method of production of composited particle, composited particle produced by this method and aqueous dispersion for chemical mechanical polishing containing this composited particle, and its method of production |
| JP2001185514A (ja) | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
| JP4123685B2 (ja) * | 2000-05-18 | 2008-07-23 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
| JP2002204353A (ja) | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Fujitsu Ltd | 画像状態推定方法、画像補正方法および補正装置 |
| US7004819B2 (en) * | 2002-01-18 | 2006-02-28 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers |
| JP2003313542A (ja) | 2002-04-22 | 2003-11-06 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
| TWI256971B (en) * | 2002-08-09 | 2006-06-21 | Hitachi Chemical Co Ltd | CMP abrasive and method for polishing substrate |
| US7005382B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-02-28 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
| EP1566420A1 (en) | 2004-01-23 | 2005-08-24 | JSR Corporation | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
| JP4292117B2 (ja) | 2004-07-15 | 2009-07-08 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 |
-
2004
- 2004-07-15 JP JP2004208609A patent/JP4292117B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-07-13 DE DE602005002409T patent/DE602005002409T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2005-07-13 EP EP05015261A patent/EP1616927B1/en not_active Ceased
- 2005-07-14 US US11/180,619 patent/US7550020B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-14 TW TW094123890A patent/TWI304090B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-07-14 KR KR1020050063511A patent/KR100737202B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2005-07-15 CN CNB200510084026XA patent/CN1324106C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI304090B (en) | 2008-12-11 |
| US20060010781A1 (en) | 2006-01-19 |
| US7550020B2 (en) | 2009-06-23 |
| EP1616927B1 (en) | 2007-09-12 |
| CN1721494A (zh) | 2006-01-18 |
| KR100737202B1 (ko) | 2007-07-10 |
| DE602005002409T2 (de) | 2008-06-12 |
| KR20060050146A (ko) | 2006-05-19 |
| EP1616927A1 (en) | 2006-01-18 |
| JP2006032611A (ja) | 2006-02-02 |
| CN1324106C (zh) | 2007-07-04 |
| TW200602473A (en) | 2006-01-16 |
| DE602005002409D1 (de) | 2007-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5182483B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット | |
| JP5177430B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体、その製造方法および化学機械研磨方法 | |
| US7837800B2 (en) | CMP polishing slurry and polishing method | |
| JP5655879B2 (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
| CN101032001A (zh) | Cmp抛光剂以及衬底的抛光方法 | |
| JP4292117B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 | |
| US8652967B2 (en) | Adjuvant for controlling polishing selectivity and chemical mechanical polishing slurry comprising the same | |
| JP2005236275A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
| JP2004128475A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の製造方法 | |
| US8147711B2 (en) | Adjuvant for controlling polishing selectivity and chemical mechanical polishing slurry | |
| JP2008147688A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体及び化学機械研磨方法 | |
| JP4784614B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体 | |
| EP1844122B1 (en) | Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry | |
| JP4811586B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法ならびに化学機械研磨方法 | |
| JP2015035514A (ja) | Cmp用研磨液 | |
| JP2015034244A (ja) | Cmp用研磨液 | |
| JP2004319715A (ja) | 研磨用スラリーおよびそれを用いる半導体ウェハの研磨方法 | |
| JP2006041033A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060303 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070809 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070821 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071019 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20071019 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071114 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080115 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080121 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080314 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090302 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090406 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4292117 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140410 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |