JP4306328B2

JP4306328B2 - Epoxy resin composition and semiconductor device

Info

Publication number: JP4306328B2
Application number: JP2003153462A
Authority: JP
Inventors: 義雄藤枝
Original assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date: 2003-05-29
Filing date: 2003-05-29
Publication date: 2009-07-29
Anticipated expiration: 2023-05-29
Also published as: JP2004352893A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置に関するものである。例えば、タンタルコンデンサー、ダイオード、トランジスター等に好適に用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
従来、キャパシタ用の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物で封止されている。これらのエポキシ樹脂組成物中には、難燃性を付与するために、通常、ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物が配合されている。ところが、環境・衛生の点からハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を使用しないで、難燃性に優れたエポキシ樹脂組成物の開発が要求されている。
また、キャパシタの製品の中に黄色材の要求があり黄色酸化鉄を使用されている事例がある（例えば、特許文献１参照。）。しかし、昨今の半田耐熱性要求は年々厳しくなり、厳しい場合では２６０℃までに晒される。その結果黄色酸化鉄が酸化され渇色になり、外観検査で不合格になるとともにレーザー捺印性が劣る結果になる。
【０００３】
【特許文献１】
特開平７−４１６４７号公報（第２〜８頁）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を含まず、成形性、難燃性、及び半田耐熱性に優れ、かつ高温下でも変色することのない耐熱性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて半導体素子を封止してなる半導体装置を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
［１］（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノールノボラック樹脂硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）水酸化アルミニウム、（Ｆ）黄色酸化鉄を必須成分とするエポキシ樹脂組成物にあって、全エポキシ樹脂組成物に対して、上記水酸化アルミニウムを１〜２０重量％、上記黄色酸化鉄を０．１〜３重量％含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［２］（Ｃ）の硬化促進剤が２メチルイミダゾールである第［１］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］第［１］又は［２］項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明は、エポキシ樹脂、フェノールノボラック樹脂硬化剤、硬化促進剤、無機充填材からなるエポキシ樹脂組成物において、水酸化アルミニウム及び黄色酸化鉄を特定量配合することにより、ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を含まず、流動性や硬化性等の成形性、難燃性、及び半田耐熱性に優れ、かつ高温環境下においても変色することなく印字の鮮明さを損なうことのない半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
【０００７】
本発明に用いるエポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般を言い、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂（フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有する）等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。
【０００８】
本発明に用いるフェノール樹脂は、分子中にフェノール性水酸基を有するものであれば特に限定しないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、テルペン変性フェノール樹脂等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いてもよい。エポキシ樹脂組成物の硬化性のためには、水酸基当量は８０〜２５０が望ましい。
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合量としては、全エポキシ樹脂のエポキシ基数とフェノール性水酸基を有する化合物のフェノール性水酸基の総数の比が０．８〜１．３であることが好ましい。
【０００９】
本発明に用いる硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性水酸基との硬化反応を促進させるものであればよく、一般に封止材料に使用するものを使用することができる。例えば、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、トリフェニルホスフィン、２−メチルイミダゾール、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。成形温度が通常の１７０〜１８５℃に比べ低い温度である１５０〜１６５℃で、かつ３０〜４０秒という比較的短い時間でも充分な硬化性が得られることが求められる場合には、２-メチルイミダゾールを全エポキシ樹脂組成物に対して０．１〜０．５重量％添加するのが好ましい。
【００１０】
本発明に用いる無機充填材としては、特に限定するものではなく、一般に封止材料に使用されているものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素等が挙げられ、これらは単独でも混合して用いても差し支えない。特に、溶融シリカが好ましい。
無機充填材の含有量としては、全エポキシ樹脂組成物中に５０〜８５重量％が好ましく、更に好ましくは７０〜８０重量％である。下限値を下回ると、吸水率の上昇に伴い耐半田クラック性の低下を引き起こしたり、難燃性が低下したりする恐れがある。この際、難燃性を確保するために、難燃材である水酸化アルミニウムを多量に添加することが必要となり、その結果硬化性の低下により成形性の問題が発生する恐れがある。また、上限値を越えると、パッケージの未充填不良が生じる恐れがあるので好ましくない。
【００１１】
本発明に用いる水酸化アルミニウムは、難燃剤として作用するものであり、一般式（１）で示されるものである。一般式（１）で示される水酸化アルミニウムは、従来から難燃剤として用いられている結晶水が３つの水酸化アルミニウムである。
Ａｌ₂Ｏ₃（Ｈ₂Ｏ）₃ （１）
本発明に用いる水酸化アルミニウムの平均粒径は、特に限定するものではないが、０．０１〜１４μｍであることが好ましい。平均粒径が下限値を下回ると、流動性が低下し、更に硬化物の抽出時の不純物量が増加するために耐湿信頼性の低下が生じる恐れがある。平均粒径が上限値を越えると、充分な難燃性が得られない恐れがある。本発明での粒径は、レーザー回折法で測定した値を用い、平均粒径は５０重量％の累積になった時の粒径である。
水酸化アルミニウムの比表面積としては、０．１〜４０ｍ²/ｇであることが好ましい。下限値を下回ると難燃性に劣る傾向にあり、上限値を越えると硬化性が低下する恐れがあり好ましくない。比表面積は、ＢＥＴ法で窒素ガスを用いて測定したものである。また、粒子の形状は限りなく球状に近いものが流動性の向上に効果があり好ましい。
本発明に用いる水酸化アルミニウムの配合量は、全エポキシ樹脂組成物中に１〜２０重量％である必要があり、より好ましくは３〜１５重量％である。下限値を下回ると難燃性が不足し、上限値を越えると耐半田性、硬化性が低下する恐れがあり好ましくない。
【００１２】
本発明に用いる黄色酸化鉄は、主成分がα−酸化鉄（含水酸化鉄）でその含有量は９７．０重量％以上である。また、３２５メッシュ篩い残分は１重量％未満が好ましく、上限値を超えると半導体封止樹脂の流動性が低下することがある。
酸化鉄の添加量としては、全エポキシ樹脂組成物中に０．１〜３重量％である必要があり、より好ましくは０．１〜１重量％である。下限値を下回ると、硬化物の着色性が不足し、硬化物自体の色が淡い黄色になってしまう恐れがあり、また、高温下ではエポキシ樹脂の色の変化の影響が半導体封止装置表面に現れてくる恐れがあるので好ましくない。また、上限値を越えると、半導体封止材エポキシ樹脂の流動性が低下する恐れがあるので好ましくない。
また、本発明では、２２０〜２３０℃位で結晶水が脱水する吸熱反応が生じる水酸化アルミニウムを併用しているため、２６０℃のリフロー処理時等においてもパッケージ表面の温度が下がりパッケージ表面が酸化するのを抑える効果があり、このことにより、黄色酸化鉄の酸化も抑制され、高温環境下においても変色することなく印字の鮮明さを損なうことのないという優れた効果が得られる。
【００１３】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分を必須成分とするが、これ以外に必要に応じてシランカップリング剤、天然ワックス、合成ワックス等の離型剤、及びシリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤等の種々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｆ）成分、及びその他の添加剤等をミキサー等を用いて充分に均一に混合した後、更に熱ロール又はニーダー等で溶融混練し、冷却後粉砕して得られる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子等の各種の電子部品を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
【００１４】
【実施例】
以下、本発明を実施例で具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は重量部とする。

をミキサーで常温混合し、８０〜１００℃の加熱ロールで溶融混練し、冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００１５】
評価方法
スパイラルフロー：ＥＭＭＩ−１−６６に準じた金型を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰa、保圧時間１２０秒で測定した。単位はｃｍ。スパイラルフロー判定の基準は、３０ｃｍ未満を不合格、３０ｃｍ以上を合格とした。
外観：低圧トランスファー成形機を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰa、硬化時間７０秒で、８０ｐＱＦＰ（１４×２０×２．０ｍｍ厚）を成形し、１２個のパッケージを得た。成形後の硬化物の色調を目視で観察した。また、高温下での変色の影響は、１７５℃で７時間のポストモールドキュア（以下、ＰＭＣという）を行った後、炭酸ガスレーザーで捺印を行ったものを、８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間加湿処理し、さらに２６０℃のＩＲリフロー（予熱条件：１２５℃、１２０ｓｅｃ、２６０℃保持時間１０秒）に３回通した後、捺印された印字（赤褐色）とのコントラストを目視で観察した。
パッケージ充填性：外観と同様に成形して得たパッケージにおいて、成形品のダム部分の充填有無からパッケージ充填性を確認した。
キュラストトルク比：キュラストメータ（（株）オリエンテック・製、ＪＳＲキュラストメータＩＶＰＳ型）を用いて、ダイスの直径３５ｍｍ、振幅角１°、金型温度１７５℃及び１６５℃、加熱開始６０秒後、３００秒後のトルクを求め、トルク比：（６０秒後のトルク）／（３００秒後のトルク）を計算した。キュラストメータにおけるトルク比は硬化性のパラメータであり、トルク比の大きい方が硬化性が良好である。
難燃性：低圧トランスファー成形機を用いて、成形温度１７５℃、圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒で試験片（縦１２７ｍｍ、横１２．７ｍｍで厚みが３．２ｍｍ）を成形し、アフターベークとして１７５℃、８時間加熱処理した後、ＵＬ−９４垂直法に準じてΣＦ、Ｆmaxを測定し、難燃性の判定をした。
【００１６】
実施例２〜９、比較例１〜４
実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同様にして評価した。結果を表１、表２に示す。
実施例１以外で用いた成分について、以下に示す。
水酸化アルミニウムＢ：住友化学製、Ｃ−３００５、平均粒径０．５μｍ、比表面積７．９ｍ²／ｇ
水酸化アルミニウムＣ：住友化学製、ＣＬ−３１０、平均粒径１４μｍ、比表面積０．９ｍ²／ｇ
トリフェニルホスフィン
【００１７】
【表１】

【００１８】
【表２】

【００１９】
【発明の効果】
本発明に従うと、ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を含まず、流動性や硬化性等の成形性に優れ、また、高温環境下においても変色することなく印字の鮮明さを損なうことのない半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られ、これを用いた半導体装置は難燃性、成形性に優れる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and a semiconductor device. For example, it is suitably used for tantalum capacitors, diodes, transistors, and the like.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, electronic components for capacitors are mainly sealed with an epoxy resin composition. These epoxy resin compositions usually contain a halogen-based flame retardant and an antimony compound in order to impart flame retardancy. However, development of an epoxy resin composition excellent in flame retardancy is required without using halogen-based flame retardants and antimony compounds from the viewpoint of environment and hygiene.
In addition, there is a case where yellow iron oxide is used in a capacitor product (see, for example, Patent Document 1). However, the recent requirement for soldering heat resistance becomes severe year by year, and in severe cases, it is exposed to 260 ° C. As a result, the yellow iron oxide is oxidized and becomes dull, resulting in a failure in visual inspection and poor laser sealability.
[0003]
[Patent Document 1]
JP 7-41647 A (pages 2 to 8)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention does not contain a halogen-based flame retardant and an antimony compound, is excellent in moldability, flame retardancy, and solder heat resistance, and has a heat resistance that does not change color even at high temperatures. And a semiconductor device in which a semiconductor element is sealed using the same.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The present invention
[1] (A) epoxy resin, (B) phenol novolak resin curing agent, (C) curing accelerator, (D) inorganic filler, (E) aluminum hydroxide, (F) yellow iron oxide as essential components An epoxy resin composition comprising 1 to 20% by weight of the aluminum hydroxide and 0.1 to 3% by weight of the yellow iron oxide based on the total epoxy resin composition Epoxy resin composition for
[2] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to item [1], wherein the curing accelerator of (C) is 2-methylimidazole,
[3] A semiconductor device comprising a semiconductor element sealed using the epoxy resin composition for semiconductor sealing according to [1] or [2],
It is.
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention relates to an epoxy resin composition comprising an epoxy resin, a phenol novolak resin curing agent, a curing accelerator, and an inorganic filler, and by blending specific amounts of aluminum hydroxide and yellow iron oxide, a halogen-based flame retardant and antimony Epoxy for semiconductor encapsulation that does not contain compounds, has excellent moldability such as fluidity and curability, flame retardancy, and solder heat resistance, and does not change color even under high-temperature environments without impairing the sharpness of printing. A resin composition is obtained.
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[0007]
The epoxy resin used in the present invention refers to monomers, oligomers, and polymers in general having two or more epoxy groups in one molecule, and the molecular weight and molecular structure thereof are not particularly limited. For example, biphenyl type epoxy resins, Bisphenol type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, triphenolmethane type epoxy resin, alkyl-modified triphenolmethane type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, triazine nucleus-containing epoxy resin, di Examples thereof include a cyclopentadiene-modified phenol type epoxy resin, a phenol aralkyl type epoxy resin (having a phenylene skeleton, a biphenylene skeleton, etc.), and these may be used alone or in combination.
[0008]
The phenol resin used in the present invention is not particularly limited as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule, and examples thereof include a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a triphenolmethane type resin, a terpene-modified phenol resin, and the like. These may be used alone or in combination. For the curability of the epoxy resin composition, the hydroxyl equivalent is preferably 80 to 250.
As a compounding quantity of an epoxy resin and a phenol resin, it is preferable that ratio of the total number of the phenolic hydroxyl groups of the epoxy group number of all the epoxy resins and the compound which has a phenolic hydroxyl group is 0.8-1.3.
[0009]
As a hardening accelerator used for this invention, what is necessary is just to accelerate | stimulate the hardening reaction of an epoxy group and a phenolic hydroxyl group, and what is generally used for a sealing material can be used. Examples thereof include 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7, triphenylphosphine, 2-methylimidazole, tetraphenylphosphonium / tetraphenylborate and the like, and these may be used alone or in combination. Absent. When the molding temperature is 150 to 165 ° C., which is lower than the usual 170 to 185 ° C., and it is required that sufficient curability can be obtained even in a relatively short time of 30 to 40 seconds, 2-methyl It is preferable to add imidazole in an amount of 0.1 to 0.5% by weight based on the total epoxy resin composition.
[0010]
The inorganic filler used in the present invention is not particularly limited, and those generally used for sealing materials can be used. Examples thereof include fused silica, crystalline silica, talc, alumina, silicon nitride and the like, and these may be used alone or in combination. In particular, fused silica is preferable.
As content of an inorganic filler, 50 to 85 weight% is preferable in all the epoxy resin compositions, More preferably, it is 70 to 80 weight%. If the lower limit is not reached, there is a risk that solder crack resistance will be lowered or the flame retardancy will be lowered with an increase in water absorption. At this time, in order to ensure flame retardancy, it is necessary to add a large amount of aluminum hydroxide, which is a flame retardant, and as a result, there may be a problem of moldability due to a decrease in curability. On the other hand, if the upper limit is exceeded, there is a risk that unfilled defects of the package may occur.
[0011]
Aluminum hydroxide used in the present invention acts as a flame retardant and is represented by the general formula (1). In the aluminum hydroxide represented by the general formula (1), the crystal water conventionally used as a flame retardant is three aluminum hydroxides.
Al ₂ O ₃ (H ₂ O) ₃ (1)
Although the average particle diameter of the aluminum hydroxide used for this invention is not specifically limited, It is preferable that it is 0.01-14 micrometers. When the average particle size is below the lower limit, the fluidity is lowered, and further, the amount of impurities during the extraction of the cured product is increased, so that the moisture resistance reliability may be lowered. If the average particle size exceeds the upper limit, sufficient flame retardancy may not be obtained. The particle size in the present invention is a value measured by a laser diffraction method, and the average particle size is the particle size when 50% by weight is accumulated.
The specific surface area of aluminum hydroxide is preferably 0.1 to 40 m ² / g. If the lower limit is not reached, the flame retardancy tends to be inferior. If the upper limit is exceeded, the curability may be lowered, which is not preferable. The specific surface area is measured using nitrogen gas by the BET method. Further, the shape of the particles is not limited to a spherical shape because it is effective for improving fluidity and is preferable.
The compounding quantity of the aluminum hydroxide used for this invention needs to be 1-20 weight% in all the epoxy resin compositions, More preferably, it is 3-15 weight%. If the lower limit is not reached, the flame retardancy is insufficient, and if the upper limit is exceeded, the solder resistance and curability may be lowered, which is not preferable.
[0012]
The main component of yellow iron oxide used in the present invention is α-iron oxide (hydrous iron oxide), and the content thereof is 97.0% by weight or more. Further, the 325 mesh sieve residue is preferably less than 1% by weight, and if the upper limit is exceeded, the fluidity of the semiconductor sealing resin may be lowered.
The addition amount of iron oxide needs to be 0.1 to 3% by weight in the total epoxy resin composition, and more preferably 0.1 to 1% by weight. Below the lower limit, the color of the cured product will be insufficient, and the color of the cured product itself may become pale yellow. It is not preferable because it may appear in On the other hand, if the upper limit is exceeded, the fluidity of the epoxy resin for semiconductor encapsulant may be lowered, which is not preferable.
Further, in the present invention, since aluminum hydroxide that generates an endothermic reaction in which water of crystallization is dehydrated at about 220 to 230 ° C. is used in combination, the temperature of the package surface decreases during the reflow treatment at 260 ° C. and the package surface is oxidized. Therefore, the oxidation of yellow iron oxide is also suppressed, and an excellent effect is obtained that the clearness of printing is not impaired without discoloration even in a high temperature environment.
[0013]
The epoxy resin composition of the present invention has components (A) to (F) as essential components, but in addition to these, a release agent such as a silane coupling agent, natural wax, synthetic wax, and silicone oil Various additives such as low-stress additives such as rubber may be appropriately blended.
In addition, the epoxy resin composition of the present invention, after sufficiently uniformly mixing the components (A) to (F) and other additives using a mixer or the like, is further melt-kneaded with a hot roll or a kneader. It is obtained by pulverizing after cooling.
The epoxy resin composition of the present invention is used to encapsulate various electronic components such as semiconductor elements, and to manufacture semiconductor devices by conventional molding methods such as transfer molding, compression molding, and injection molding. do it.
[0014]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, this invention is not limited to these. The blending ratio is parts by weight.

Were mixed at room temperature with a mixer, melt-kneaded with a heating roll of 80 to 100 ° C., cooled and pulverized to obtain an epoxy resin composition. The obtained epoxy resin composition was evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.
[0015]
Evaluation Method Spiral Flow: Using a mold according to EMMI-1-66, measurement was performed at a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 6.9 MPa, and a pressure holding time of 120 seconds. The unit is cm. The criteria for determining spiral flow were less than 30 cm and less than 30 cm.
Appearance: Using a low-pressure transfer molding machine, 80 pQFP (14 × 20 × 2.0 mm thickness) was molded at a mold temperature of 175 ° C., an injection pressure of 6.9 MPa, and a curing time of 70 seconds to obtain 12 packages. . The color tone of the cured product after molding was visually observed. Further, the effect of discoloration at high temperature is that after performing post-mold curing (hereinafter referred to as PMC) at 175 ° C. for 7 hours, printing with a carbon dioxide laser is performed at 85 ° C. and relative humidity of 85%. Humidification is performed for 168 hours in the environment, and after passing through IR reflow at 260 ° C (preheating conditions: 125 ° C, 120 sec, 260 ° C holding time 10 seconds) three times, the contrast with the printed mark (reddish brown) is visually observed. Observed at.
Package fillability: In a package obtained by molding in the same manner as the appearance, the package fillability was confirmed based on whether or not the dam portion of the molded product was filled.
Curast torque ratio: Using a curast meter (manufactured by Orientec Co., Ltd., JSR curast meter IVPS type), die diameter 35 mm, amplitude angle 1 °, mold temperature 175 ° C. and 165 ° C., heating start 60 After 300 seconds, the torque after 300 seconds was obtained, and the torque ratio: (torque after 60 seconds) / (torque after 300 seconds) was calculated. The torque ratio in the curast meter is a parameter of curability, and the larger the torque ratio, the better the curability.
Flame retardancy: Using a low-pressure transfer molding machine, a test piece (length 127 mm, width 12.7 mm, thickness 3.2 mm) was molded after molding at a molding temperature of 175 ° C., a pressure of 6.9 MPa, and a curing time of 120 seconds. As above, after heat treatment at 175 ° C. for 8 hours, ΣF and Fmax were measured according to the UL-94 vertical method to determine flame retardancy.
[0016]
Examples 2-9, Comparative Examples 1-4
An epoxy resin composition was produced in the same manner as in Example 1 and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Tables 1 and 2.
The components used in other than Example 1 are shown below.
Aluminum hydroxide B: manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., C-3005, average particle size 0.5 μm, specific surface area 7.9 m ² / g
Aluminum hydroxide C: manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., CL-310, average particle size 14 μm, specific surface area 0.9 m ² / g
Triphenylphosphine [0017]
[Table 1]

[0018]
[Table 2]

[0019]
【The invention's effect】
According to the present invention, a semiconductor that does not contain a halogen-based flame retardant and an antimony compound, has excellent moldability such as fluidity and curability, and does not deteriorate the clearness of printing without being discolored even in a high-temperature environment. An epoxy resin composition for sealing is obtained, and a semiconductor device using the composition is excellent in flame retardancy and moldability.

Claims

(A) Epoxy resin, (B) Phenolic novolak resin curing agent, (C) Curing accelerator, (D) Inorganic filler, (E) Aluminum hydroxide, (F) Epoxy resin composition containing yellow iron oxide as essential components 1 to 20% by weight of the above aluminum hydroxide and 0.1 to 3% by weight of the above yellow iron oxide based on the total epoxy resin composition. Composition.

The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the curing accelerator (C) is 2-methylimidazole.

A semiconductor device comprising a semiconductor element sealed using the epoxy resin composition for sealing a semiconductor according to claim 1.