JP4306337B2 - Expanding method - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、粘着シートのエキスパンド方法及びエキスパンド装置に関し、特に粘着シートを介してリング状のフレームにマウントされ、個々のチップにダイシング加工された板状物に対し、ダイシング加工後に、粘着シートをエキスパンドして個々のチップ間の間隔を拡大するエキスパンド方法及びエキスパンド装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造工程等において、表面に半導体装置や電子部品等が形成された板状物であるウェーハは、プロービング工程で電気試験が行われた後、ダイシング工程で個々のチップ(ダイ、又はペレットとも言われる)に分割され、次に個々のチップはダイボンディング工程で部品基台にダイボンディングされる。ダイボンディングされた後、樹脂モールドされ、半導体装置や電子部品等の完成品となる。
【0003】
プロービング工程の後ウェーハは、図5に示すように、片面に粘着層が形成された厚さ100μm程度の粘着シート(ダイシングシート又はダイシングテープとも呼ばれる)Sに裏面を貼り付けられ、剛性のあるリング状のフレームFにマウントされる。ウェーハWはこの状態でダイシング工程内、ダイシング工程ダイボンディング工程間、及びダイボンディング工程内を搬送される。
【0004】
ダイシング工程では、ダイシングブレードと呼ばれる薄型砥石でウェーハWに研削溝を入れてウェーハをカットするダイシング装置が用いられている。ダイシングブレードは、微細なダイヤモンド砥粒をNiで電着したもので、厚さ10μm〜30μm程度の極薄のものが用いられる。
【0005】
このダイシングブレードを30,000〜60,000rpmで高速回転させてウェーハWに切込み、ウェーハWを完全切断(フルカット)する。このときウェーハWの裏面に貼られた粘着シートSは、表面から10μm程度しか切り込まれていないので、ウェーハWは個々のチップTに切断されてはいるものの、個々のチップTがバラバラにはならず、チップT同士の配列が崩れていないので全体としてウェーハ状態が保たれている。
【0006】
また、ダイシングブレードを用いずに、ウェーハWの内部に集光点を合わせたレーザー光を照射し、ウェーハ内部に多光子吸収現象による改質領域を形成させ、この改質領域を起点としてウェーハWを割断するレーザーダイシング加工が提案されている。このレーザーダイシング加工の場合も、ウェーハWは図5に示すような状態でダイシングされるので、チップT同士の配列が崩れず、全体としてウェーハ状態が保たれている。
【0007】
ここでは、このようにダイシング加工されて個々のチップTに分割された後であっても、チップT同士の配列が崩れていないこのチップTの集合体をも便宜上ウェーハWと呼ぶこととする。
【0008】
この後ウェーハWはダイボンディング工程に送られる。ダイボンディング工程ではダイボンダが用いられる。ダイボンダではウェーハWは先ずエキスパンドステージに載置され、次に粘着シートSがエキスパンドされて、チップT同士の間隔が広げられチップTをピックアップし易くしている。
【0009】
次に、下方からチップTをプッシャで突上げるとともに上方からコレットでチップTをピックアップし、基台の所定位置にチップTをボンディングする。
【0010】
このように、ダイボンダの中に粘着シートSを押し広げ、チップT同士の間隔を広げるエキスパンド装置を組込むことは、従来から行われていた。また、このエキスパンド装置の種々の改良発明も行われている(例えば、特許文献1、及び特許文献2参照。)。
【0011】
【特許文献1】
特開平7−231003号公報
【0012】
【特許文献2】
特開平7−321070号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
前述の従来技術では、粘着シートSを介してフレームFにマウントされたウェーハWは、ダイシングブレードで個々のチップTに切断された後、ダイシング装置内をそのままの状態で搬送されて洗浄等が行われ、次にダイボンダまで搬送され、ダイボンダ内もその状態のままで搬送が行われていた。
【0014】
ところが、近年IC等の半導体装置ではウェーハW1枚当たりのチップ形成数を増加させるため、ダイシング加工の為の加工領域(ストリートとも呼ばれる)の幅が極度に狭くなってきている。そのため、ダイシング工程では厚さ10μm〜15μm程度の極薄のダイシングブレードが使用されるようになってきた。
【0015】
このような極薄のダイシングブレードでダイシングされたウェーハWや、前述のレーザーダイシングされたウェーハWでは、チップT同士の間隔が極度に狭いため、従来のように粘着シートSを介してフレームFにマウントされた状態のままで搬送した場合、搬送中の振動によって隣同士のチップTのエッジとエッジとが接触し、エッジ部に欠けやマイクロクラックが生じ、良品チップTを不良にしたり、完成後の製品の信頼性を損なうという問題が生じていた。
【0016】
このため、ダイシング装置内でダイシング後直ちにエキスパンドし、チップT同士の間隔を広げて搬送することが要求されるようになってきた。ところが、従来行われていたエキスパンド方法や、前述の特許文献1、及び特許文献2に記載されたエキスパンド方法をダイシング装置内で行ったとしても、粘着シートSへの張力付与を解除するとエキスパンドされた粘着シートSが又元通りに縮んでしまうため、ウェーハWをフレームFごと搬送することができなかった。
【0017】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、ダイシング後のチップ同士の間隔が極度に狭いウェーハであっても、搬送中の振動によって隣同士のチップのエッジとエッジとが接触してエッジ部に欠けやマイクロクラック等が発生することなしに、フレームごと搬送することのできる粘着シートのエキスパンド方法、及びエキスパンド装置を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、粘着シートを介してリング状のフレームにマウントされ、個々のチップにダイシング加工された板状物に対し、ダイシング加工後に、前記粘着シートをエキスパンドして前記個々のチップ間の間隔を拡大するエキスパンド方法において、エキスパンド後に、前記板状物を前記フレームにマウントしたままの状態で前記粘着シートのエキスパンド状態を保持させ、拡大された前記チップ間の間隔を維持したまま前記板状物を前記フレーム毎搬送可能とし、前記フレームと前記板状物との間の粘着シートに凸部を形成することによって前記粘着シートをエキスパンドし、前記凸部の基部を溶着又は接着することによって前記粘着シートのエキスパンド状態を保持することを特徴としている。
【0019】
請求項1の発明によれば、ダイシングされた板状物がフレームにマウントされたままの状態で粘着シートのエキスパンド状態が保持されているので、チップ間の間隔を維持したまま板状物をフレーム毎搬送することができる。そのため、チップ同士の間隔が極度に狭い板状物であっても、搬送中の振動によって隣同士のチップのエッジとエッジとが接触してエッジ部に欠けやマイクロクラック等が発生することがない。
【0021】
請求項1の発明によれば、粘着シートに凸部を形成してエキスパンドし、凸部の基部を溶着又は接着してエキスパンド状態を保持しているので、板状物をフレーム毎取り扱うことができる。
【0022】
請求項2に記載の発明は、請求項1の発明において、前記粘着シートに形成された凸部の基部を超音波溶着することを特徴としている。請求項2の発明によれば、粘着シートに形成された凸部の基部を超音波で溶着するので、容易に局所溶着を行うことができる。
【0023】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発明において、前記粘着シートのエキスパンドは、前記ダイシング加工後、前記板状物をダイシング用のチャックステージから取り外さずに行うことを特徴としている。
【0024】
請求項3の発明によれば、ダイシング加工後板状物をチャックステージにチャックしたままエキスパンドするので、ダイシング装置内の搬送においても、搬送中の振動によって隣同士のチップのエッジとエッジとが接触してエッジ部に欠けやマイクロクラック等が発生することがない。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るエキスパンド方法及びエキスパンド装置の好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
【0030】
図1は、エキスパンド装置の構成を表わす断面図である。エキスパンド装置10は、XYθテーブル11、チャックステージ12、フレームチャック13、押圧部材14、ハウジング15、溶着工具としての超音波溶着工具16、押さえリング17等から構成されている。
【0031】
XYθテーブル11は、図示しない駆動装置によって図のXY方向に移動されるとともに、θ回転される。XYθテーブル11にはチャックステージ12とフレームチャック13が取付けられている。フレームチャック13の上面には多孔質部材13Aが埋め込まれ、電磁弁21B、レギュレータ22Bを経由して減圧ポンプ23に接続され、フレームFを吸着するようになっている。
【0032】
また、チャックステージ12の上面も図示しない多孔質部材が埋め込まれ、電磁弁21C、レギュレータ22Cを経由して減圧ポンプ23に接続され、板状物であるウェーハWを吸着するようになっている。
【0033】
粘着シートSのフレームFとウェーハWとが貼付されていない部分の上方には、環状の溝(空間部)15Aを有するリング状のハウジング15が配置されている。環状の溝15Aの内面は多孔質部材15Bで形成され、電磁弁21A、レギュレータ22Aを経由して減圧ポンプ23に接続されて、溝15Aの内部を減圧するようになっている。このハウジング15は、図示しない駆動手段によって上下に移動されるとともに、下降端でクランプされるようになっている。
【0034】
粘着シートSを挟んでハウジング15と対向してリング状の押圧部材14が設けられている。押圧部材14は図示しない駆動手段によって上下移動されるようになっており、上昇してハウジング15の溝15A内に挿入されるように位置決めされている。押圧部材14の上端縁は滑らかに面取りされている。
【0035】
ハウジング15の内側には環状の押さえリング17が設けられ、図示しない駆動手段によって上下移動され、下方に移動された時にチャックステージ12を強く押圧するようになっている。
【0036】
ハウジング15の外側には、溶着工具としての超音波溶着工具16が先端をハウジング15の溝15Aの入口に向けて斜めに配置されている。超音波溶着工具16は図示しない駆動手段によってその軸方向に移動されるようになっており、超音波を発振しながら先端で対象物を押圧する。
【0037】
次に、このように構成されたエキスパンド装置10によるエキスパンド方法について説明する。図2は本発明のエキスパンド方法の実施形態を表わすフローチャートである。粘着シートSを介してフレームFにマウントされたウェーハWはチャックステージ12とフレームチャック13に載置され、ウェーハWは粘着シートSを介してチャックステージ12に吸着され、フレームFは粘着シートSを介してフレームチャック13に吸着されている。この状態でウェーハWは個々のチップTにダイシングされている。
【0038】
粘着シートSのエキスパンドにあたっては、図2に示すように、最初にフレームFの吸着はそのままにしておき、電磁弁21Cを作動させてチャックステージ12の吸着のみを解除する(ステップS11)。
【0039】
次にハウジング15を下降させ、下端が粘着シートSと接触する位置でクランプする(ステップS13)。次に押圧部材14を上昇させて粘着シートSに当接させ、なおも上昇させることにより粘着シートSを押し上げてハウジング15の溝15A内に凸部を形成させる。これにより粘着シートSは中心部から外方にエキスパンドされ、粘着シートSに貼付されているチップT同士の間隔が拡大される(ステップS15)。
【0040】
ここで押さえリング17を下降させ、チャックステージ12の上面との間で粘着シートSを押圧してクランプする。これにより押さえリング17の内側の粘着シートSのエキスパンド状態が保持される(ステップS17)。
【0041】
図3はこの状態を表わしたもので、粘着シートSが押圧部材14で押し上げられ、ハウジング15の環状の溝内に環状の凸部SAが形成されている。これにより粘着シートSは中央部から外方向に伸ばされ、個々のチップT間の間隔が拡大され、押さえリング17でこのエキスパンド状態が保持されている。
【0042】
次に、電磁弁21Aを作動させ、ハウジング15の溝15A内の空間部を減圧ポンプで減圧し、粘着シートSの凸部SAを溝15Aの内面に吸着する。溝15Aの内面は多孔質部材15Bで形成されているので凸部SAを均一に吸着することができる(ステップS19)。
【0043】
ここで粘着シートSに凸部SAを形成させた押圧部材14を下降させる。押圧部材14が下降しても、粘着シートSの凸部SAは溝15Aの内面に吸着されているので凸部SAが元に戻ることはない(ステップS21)。
【0044】
次に、超音波溶着工具16を前進させ、先端部で粘着シートSの凸部SAの根元部分である基部を押圧し、基部同士を接触させてハウジング15の溝15Aの壁に押付ける(ステップS23)。次いで超音波溶着工具16は超音波を発振させ、先端で粘着シートSの凸部SAの基部を局所溶着するとともに、XYθテーブル11を1回転させ環状の凸部SAの基部全周にわたって溶着する(ステップS25)。
【0045】
図4はこの状態を表わしたものである。粘着シートSは、押さえリング17の内側がエキスパンドされてチップT間の間隔が拡大された状態のまま、凸部SAの基部SBが超音波溶着工具16の先端で押圧され、基部SB同士が溝15Aの壁に押付けられ、超音波振動によって局部溶着されている。
【0046】
ここで超音波溶着工具16を後退させ(ステップS27)、電磁弁21Aを作動させてハウジング15の溝15A内の減圧を解除するとともに、ハウジング15及び押さえリング17を上昇させる(ステップS29)。
【0047】
以上の工程により、粘着シートSに貼付され個々のチップTにダイシングされたウェーハWのチップT間の間隔が広げられた状態となり、この状態で粘着シートSは外周近傍に弛みが造られ弛みの根元が摘まれたような状態になり、個々のチップTの間隔が拡大したまま保持され、ダイシングされたウェーハWをフレーム毎搬送することができる。
【0048】
このエキスパンドは、ダイシング装置内で、ダイシング加工直後に行われるのが好ましい。ウェーハWはこのように、チップTの間隔が拡大された状態が保持されたままフレーム搬送されるので、搬送中の振動によって隣同士のチップのエッジとエッジとが接触して、エッジ部に欠けやマイクロクラック等が発生することが防止される。
【0049】
以上説明した実施の形態では、粘着シートSを下方から押し上げ、上方に向けて凸部SAを形成したが、本発明はこれに限らず、粘着シートSを下方に押圧し、下方に向けて凸部SAを形成するようにしてもよい。
【0050】
また、粘着シートSの凸部SAの基部SBを超音波溶着したが、超音波溶着に限らず熱圧着で局部溶着してもよく、また溶着に限らず、接着材で接着してもよい。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のエキスパンド方法及びエキスパンド装置によれば、ダイシングされた板状物がフレームにマウントされたままの状態で粘着シートのエキスパンド状態が保持されているので、チップ間の間隔を維持したまま板状物をフレーム毎搬送することができる。そのため、チップ同士の間隔が極度に狭い板状物であっても、搬送中の振動によって隣同士のチップのエッジとエッジとが接触してエッジ部に欠けやマイクロクラック等が発生することがない。
【0052】
また、ダイシング装置内でダイシング加工後板状物をチャックステージにチャックしたままエキスパンドを行うので、ダイシング直後にチップ同士の間隔を広げることができ、また板状物がフレームにマウントされたままの状態でエキスパンド状態を保持するので、ダイシング装置内の搬送においてもチップ同士の接触を完全に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るエキスパンド装置を表わす構成図
【図2】本発明の実施の形態に係るエキスパンド方法を表わすフローチャート
【図3】エキスパンド状態を表わす概念図
【図4】エキスパンド保持状態を表わす概念図
【図5】フレームにマウントされたウェーハを表わす斜視図
【符号の説明】
10…エキスパンド装置、11…XYθテーブル、12…チャックステージ、14…押圧部材、15…ハウジング、15A…溝(空間部)、16…超音波溶着工具(溶着工具)、17…押さえリング、20…減圧手段、F…フレーム、S…粘着シート、SA…凸部、SB…基部、T…チップ、W…ウェーハ(板状物)[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an adhesive sheet expanding method and an expanding apparatus, and in particular, an adhesive sheet is expanded after dicing processing on a plate-like material mounted on a ring-shaped frame via an adhesive sheet and diced into individual chips. Thus, the present invention relates to an expanding method and an expanding apparatus for expanding an interval between individual chips.
[0002]
[Prior art]
In semiconductor manufacturing processes, etc., wafers that are plate-like products with semiconductor devices or electronic parts formed on their surfaces are subjected to electrical tests in the probing process, and then in the dicing process, individual chips (also referred to as dies or pellets). The individual chips are then die bonded to the component base in a die bonding process. After die bonding, resin molding is performed to complete a finished product such as a semiconductor device or an electronic component.
[0003]
After the probing process, as shown in FIG. 5, the back surface of the wafer is attached to an adhesive sheet S (also called a dicing sheet or dicing tape) S having a thickness of about 100 μm with an adhesive layer formed on one side, and a rigid ring. Is mounted on a frame F. In this state, the wafer W is conveyed in the dicing process, between the dicing process and the die bonding process, and in the die bonding process.
[0004]
In the dicing process, a dicing apparatus that cuts the wafer by inserting grinding grooves into the wafer W with a thin grindstone called a dicing blade is used. The dicing blade is obtained by electrodepositing fine diamond abrasive grains with Ni, and an extremely thin one having a thickness of about 10 μm to 30 μm is used.
[0005]
The dicing blade is rotated at a high speed of 30,000 to 60,000 rpm and cut into the wafer W to completely cut the wafer W (full cut). At this time, since the adhesive sheet S stuck on the back surface of the wafer W is cut only about 10 μm from the front surface, the wafer W is cut into individual chips T, but the individual chips T are separated. In other words, since the arrangement of the chips T is not collapsed, the wafer state is maintained as a whole.
[0006]
Further, without using a dicing blade, a laser beam having a focused point is irradiated inside the wafer W to form a modified region due to a multiphoton absorption phenomenon inside the wafer, and the wafer W is started from this modified region. Laser dicing has been proposed to cleave. Also in this laser dicing process, the wafer W is diced as shown in FIG. 5, so that the arrangement of the chips T does not collapse and the wafer state is maintained as a whole.
[0007]
Here, even after dicing and dividing into individual chips T in this way, an assembly of the chips T in which the arrangement of the chips T is not broken is also referred to as a wafer W for convenience.
[0008]
Thereafter, the wafer W is sent to a die bonding process. A die bonder is used in the die bonding process. In the die bonder, the wafer W is first placed on the expansion stage, and then the adhesive sheet S is expanded, so that the interval between the chips T is widened so that the chips T can be easily picked up.
[0009]
Next, the chip T is pushed up with a pusher from below, and the chip T is picked up with a collet from above, and the chip T is bonded to a predetermined position of the base.
[0010]
As described above, it has been conventionally performed to incorporate an expanding apparatus that spreads the adhesive sheet S into the die bonder and widens the distance between the chips T. Various improved inventions of this expanding apparatus have also been made (see, for example,
[0011]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Laid-Open No. 7-23003
[Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 7-321070
[Problems to be solved by the invention]
In the above-described conventional technology, the wafer W mounted on the frame F through the adhesive sheet S is cut into individual chips T by a dicing blade, and then conveyed in the dicing apparatus as it is to be cleaned. Then, it was transported to the die bonder, and the inside of the die bonder was transported as it was.
[0014]
However, in recent years, in a semiconductor device such as an IC, in order to increase the number of chips formed per wafer W, the width of a processing region (also called a street) for dicing processing has become extremely narrow. Therefore, an extremely thin dicing blade having a thickness of about 10 μm to 15 μm has been used in the dicing process.
[0015]
In the wafer W diced by such an extremely thin dicing blade and the wafer W diced by the above-mentioned laser dicing, the interval between the chips T is extremely narrow. When transported in a mounted state, the edges of adjacent chips T come into contact with each other due to vibration during transportation, and the edge portion is chipped or microcracked. The problem of compromising the product's reliability occurred.
[0016]
For this reason, it has been required to expand immediately after dicing in a dicing apparatus and to convey the chips T with a wider interval. However, even when the conventional expanding method and the expanding method described in
[0017]
The present invention has been made in view of such circumstances, and even when a wafer having an extremely narrow distance between chips after dicing is used, the edges of adjacent chips are brought into contact with each other due to vibration during conveyance. An object of the present invention is to provide an adhesive sheet expanding method and an expanding device that can be transported frame by frame without occurrence of chipping, microcracks, or the like in the edge portion.
[0018]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to
[0019]
According to the first aspect of the present invention, since the expanded state of the adhesive sheet is maintained while the diced plate is mounted on the frame, the plate is removed from the frame while maintaining the distance between the chips. Can be transported every time. Therefore, even if the distance between chips is extremely narrow, the edges of adjacent chips do not come into contact with each other due to vibration during conveyance, and the edge portion will not be chipped or microcracked. .
[0021]
According to the first aspect of the present invention, a convex portion is formed on the pressure-sensitive adhesive sheet and expanded, and the base portion of the convex portion is welded or adhered to hold the expanded state, so that the plate-like object can be handled for each frame. .
[0022]
The invention according to claim 2 is characterized in that, in the invention according to
[0023]
The invention according to claim 3 is the invention according to
[0024]
According to the invention of claim 3, since the plate-like object after dicing is expanded while being chucked on the chuck stage, the edges of adjacent chips contact each other due to vibration during the conveyance even in the conveyance in the dicing apparatus. Thus, no chipping or microcracking occurs at the edge portion.
[0029]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the expanding method and the expanding apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In each figure, the same number or symbol is attached to the same member.
[0030]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of an expanding apparatus. The expanding
[0031]
The XYθ table 11 is moved in the XY direction in the figure by a driving device (not shown) and rotated by θ. A
[0032]
Further, a porous member (not shown) is also embedded in the upper surface of the
[0033]
Above the portion of the adhesive sheet S where the frame F and the wafer W are not attached, a ring-shaped
[0034]
A ring-shaped pressing
[0035]
An annular
[0036]
On the outside of the
[0037]
Next, an expanding method by the expanding
[0038]
When expanding the adhesive sheet S, as shown in FIG. 2, first, the adsorption of the frame F is left as it is, and the
[0039]
Next, the
[0040]
Here, the
[0041]
FIG. 3 shows this state. The pressure-sensitive adhesive sheet S is pushed up by the pressing
[0042]
Next, the
[0043]
Here, the pressing
[0044]
Next, the
[0045]
FIG. 4 shows this state. In the adhesive sheet S, the base SB of the convex portion SA is pressed by the tip of the
[0046]
Here, the
[0047]
Through the above steps, the space between the chips T of the wafer W adhered to the adhesive sheet S and diced into the individual chips T is widened. In this state, the adhesive sheet S is loosened near the outer periphery. The roots are in a state of being picked, and the wafers W held with the intervals between the individual chips T being enlarged can be transported frame by frame.
[0048]
This expansion is preferably performed immediately after dicing in a dicing apparatus. As described above, since the wafer W is transported in a frame while the state in which the distance between the chips T is enlarged is maintained, the edges of adjacent chips are brought into contact with each other due to vibration during transportation, and the edge portion is not chipped. And micro cracks are prevented from occurring.
[0049]
In the embodiment described above, the pressure-sensitive adhesive sheet S is pushed up from below and the convex portion SA is formed upward. However, the present invention is not limited to this, and the pressure-sensitive adhesive sheet S is pressed downward and convex downward. The part SA may be formed.
[0050]
Further, although the base portion SB of the convex portion SA of the pressure-sensitive adhesive sheet S is ultrasonically welded, it is not limited to ultrasonic welding, and may be locally welded by thermocompression bonding.
[0051]
【The invention's effect】
As described above, according to the expanding method and the expanding device of the present invention, the expanded state of the adhesive sheet is maintained while the diced plate is mounted on the frame. The plate-like object can be transported frame by frame while being maintained. Therefore, even if the distance between chips is extremely narrow, the edges of adjacent chips do not come into contact with each other due to vibration during conveyance, and the edge portion will not be chipped or microcracked. .
[0052]
In addition, since the expansion is performed with the plate-shaped object chucked on the chuck stage after dicing in the dicing machine, the distance between the chips can be increased immediately after dicing, and the plate-shaped object remains mounted on the frame. Since the expanded state is maintained, contact between the chips can be completely prevented even during conveyance in the dicing apparatus.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing an expanding device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a flowchart showing an expanding method according to an embodiment of the present invention. Fig. 5 is a conceptual diagram showing a holding state. Fig. 5 is a perspective view showing a wafer mounted on a frame.
DESCRIPTION OF
Claims (3)
エキスパンド後に、前記板状物を前記フレームにマウントしたままの状態で前記粘着シートのエキスパンド状態を保持させ、拡大された前記チップ間の間隔を維持したまま前記板状物を前記フレーム毎搬送可能とし、
前記フレームと前記板状物との間の粘着シートに凸部を形成することによって前記粘着シートをエキスパンドし、前記凸部の基部を溶着又は接着することによって前記粘着シートのエキスパンド状態を保持することを特徴とするエキスパンド方法。An expanding method for expanding a space between the individual chips by expanding the adhesive sheet after dicing the plate-like object mounted on the ring-shaped frame via the adhesive sheet and diced into individual chips. In
After expansion, the expanded state of the pressure-sensitive adhesive sheet is maintained in a state where the plate-like object is mounted on the frame, and the plate-like object can be conveyed for each frame while maintaining an enlarged interval between the chips. ,
Expanding the pressure-sensitive adhesive sheet by forming a convex portion on the pressure-sensitive adhesive sheet between the frame and the plate-like object, and maintaining the expanded state of the pressure-sensitive adhesive sheet by welding or bonding the base of the convex portion. Expanding wherein the.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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