JP4318563B2 - Coating apparatus and coating method - Google Patents
Coating apparatus and coating method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4318563B2 JP4318563B2 JP2004042910A JP2004042910A JP4318563B2 JP 4318563 B2 JP4318563 B2 JP 4318563B2 JP 2004042910 A JP2004042910 A JP 2004042910A JP 2004042910 A JP2004042910 A JP 2004042910A JP 4318563 B2 JP4318563 B2 JP 4318563B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- coating
- nozzle
- unit
- frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0441—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/06—Apparatus for monitoring, sorting, marking, testing or measuring
- H10P72/0604—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
本発明は、ノズルを用いて被処理基板上に液体を塗布する塗布技術に係り、特にスピンレス方式の塗布装置および塗布方法に関する。 The present invention relates to a coating technique for applying a liquid onto a substrate to be processed using a nozzle, and more particularly to a spinless coating apparatus and a coating method.
最近、フラットパネルディスプレイ(FPD)の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、被処理基板(たとえばガラス基板)の大型化に有利なレジスト塗布法として、基板に対してレジストノズルよりレジスト液を細径で連続的に吐出させながらレジストノズルを相対的に移動つまり走査させることにより、回転運動を要することなく基板上に所望の膜厚でレジスト液を塗布するようにしたスピンレス方式が普及している。 Recently, in a photolithography process in a flat panel display (FPD) manufacturing process, as a resist coating method that is advantageous for increasing the size of a substrate to be processed (for example, a glass substrate), a resist solution is continuously applied to the substrate with a small diameter from a resist nozzle. A spinless system in which a resist solution is applied to a substrate with a desired film thickness without requiring a rotational movement by relatively moving, that is, scanning a resist nozzle while discharging the ink is widely used.
スピンレス方式のレジスト塗布装置では、たとえば特許文献1に記載されるように、載置台またはステージ上に水平に載置される基板とレジストノズルの吐出口との間に数百μm以下の微小ギャップを設定し、基板上方でレジストノズルを走査方向(一般にノズル長手方向と直交する水平方向)に移動させながら基板上にレジスト液を吐出させるようにしている。この種のレジストノズルは、口径の非常に小さい(たとえば100μm程度の)吐出口を有し、相当高い圧力でレジスト液を吐出するように構成されており、塗布効率を高めるために、ノズル本体を横長または長尺状に形成して、その長手方向に微細径の吐出口を一定ピッチの多孔構造で配列し、または連続的なスリット構造に形成している。
上記のようなスピンレス方式のレジスト塗布装置において、基板上にレジスト液が均一な膜厚で塗布されるためには、レジストノズルと基板との間で微小ギャップが一定に保たれるとともに、走査の速度も一定に維持されなければならない。しかしながら、実際には、装置外部から床等を介して伝わる機械振動や装置内部の各種アクチエータ、ポンプ等の発する機械振動によって、塗布処理中に上記の微小ギャップや走査速度が変動し、基板上でレジスト液膜の膜厚異変または塗布ムラが発生することがある。 In the spinless type resist coating apparatus as described above, in order to apply the resist solution on the substrate with a uniform film thickness, a fine gap is kept constant between the resist nozzle and the substrate, and scanning is performed. The speed must also be kept constant. However, in reality, the above-mentioned minute gap and scanning speed fluctuate during the coating process due to mechanical vibration transmitted from the outside of the apparatus through the floor and the like, and mechanical vibrations generated by various actuators, pumps, etc. inside the apparatus. In some cases, the film thickness change of the resist liquid film or coating unevenness may occur.
そのような塗布ムラはフォトリソグラフィーの精度ないし信頼性を低下させる。このため、レジスト塗布の後に塗布ムラの有無を目視等で検査し、基準値以上の塗布ムラが有る基板についてはこれを不良品と認定する処置がとられている。しかしながら、最近のレジスト塗布装置は露光装置や現像装置等と一緒にインラインのシステムに組み込まれており、上記のような塗布ムラ検査はシステムの最終段工程で行われるため、塗布ムラが発覚するまで当該基板に対して露光処理や現像処理等が無駄に実施されることとなり、大きな損害を来している。 Such coating unevenness reduces the accuracy or reliability of photolithography. For this reason, after resist application, the presence or absence of application unevenness is visually inspected, and a substrate having application unevenness that exceeds a reference value is recognized as a defective product. However, recent resist coating equipment is built in an in-line system together with an exposure device, a developing device, etc., and the coating unevenness inspection as described above is performed at the final stage of the system, so that coating unevenness is detected. Exposure processing, development processing, and the like are performed wastefully on the substrate, causing great damage.
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、横長の長尺型ノズルと被処理基板との間のギャップや走査速度等の変動を適確にモニタリングして塗布処理の良否判定を早期かつ適確に行うようにした塗布装置および塗布方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such problems of the prior art, and it is possible to properly monitor the fluctuations in the gap, scanning speed, etc. between the horizontally long long nozzle and the substrate to be processed. It is an object of the present invention to provide a coating apparatus and a coating method capable of making an early and accurate determination.
上記の目的を達成するために、本発明の第1の観点における塗布装置は、被処理基板を支持する基板支持部と、前記基板に向けて塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルと、前記ノズルを前記基板に対して塗布走査の方向で相対的に移動させる塗布走査部と、塗布処理中の前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出するぶれ検出部と、前記ぶれ検出部より得られる前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める周波数解析部と、前記周波数解析部より得られる周波数スペクトルに基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う判定部とを有する。
また、本発明の第1の観点における塗布方法は、被処理基板を基板支持部上に支持し、前記基板に向けて塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルを前記基板に対して塗布走査の方向で相対的に移動させて前記基板に前記塗布液を塗布する塗布方法において、塗布処理中の前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出する工程と、前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める工程と、前記周波数解析部より得られる周波数スペクトルに基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う工程とを有する。
上記第1の観点における塗布装置または塗布方法では、基板支持部上に支持される基板に対して塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルを塗布走査の方向に相対的に移動させて塗布処理を実行し、塗布処理中にノズルおよび基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出し、ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める。周波数解析には高速フーリエ変換(FFT)を用いることができる。このように、ぶれを表す時間信号の中にどのような周波数成分がどれだけの量で含まれているかを周波数スペクトルに置き換えて評価し、基板上に形成される塗布膜の膜厚に関して所定の判定手法により塗布処理の良否判定を行う。塗布処理の途中または終了直後にインラインで良否判定の結果を出せるので、不良と判定した基板については後続の処理を全てキャンセルし、損害を最小限に食い止めることができる。
In order to achieve the above object, a coating apparatus according to a first aspect of the present invention includes a substrate support unit that supports a substrate to be processed, a horizontally long long nozzle that discharges a coating liquid toward the substrate, An application scanning unit that moves the nozzle relative to the substrate in the direction of application scanning, a shake detection unit that detects a shake of at least one of the nozzle and the substrate support unit during the coating process, and the shake detection A frequency analysis unit that obtains a frequency spectrum by frequency-analyzing the time signal representing the blur obtained from the unit, and a film thickness of the coating film formed on the substrate based on the frequency spectrum obtained from the frequency analysis unit A determination unit that determines whether the application process is good or bad.
Also, the coating method according to the first aspect of the present invention is a method in which a substrate is supported on a substrate support portion and a horizontally long long nozzle that discharges a coating liquid toward the substrate is coated and scanned with respect to the substrate. In the coating method in which the coating liquid is applied to the substrate while being relatively moved in the direction of, a step of detecting a blur of at least one of the nozzle and the substrate support part during the coating process, and a time signal representing the blur Analyzing the frequency of the coating film, and determining the quality of the coating process with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate, based on the frequency spectrum obtained from the frequency analysis unit.
In the coating apparatus or the coating method according to the first aspect, a coating process is performed by moving a horizontally long long nozzle that discharges a coating solution relative to the substrate supported on the substrate support portion in the coating scanning direction. , And at least one of the nozzles and the substrate support is detected during the coating process, and a frequency spectrum is obtained by frequency analysis of the time signal representing the shake. Fast Fourier transform (FFT) can be used for frequency analysis. In this way, the frequency signal indicates how much of the frequency component is included in the time signal representing the shake, and is evaluated by replacing the frequency spectrum with a predetermined thickness film thickness of the coating film formed on the substrate. The quality of the coating process is determined by the determination method. Since the result of pass / fail determination can be obtained in-line during or immediately after the coating process, all subsequent processes can be canceled for the substrate determined to be defective, and damage can be minimized.
本発明の第2の観点における塗布装置は、被処理基板を支持する基板支持部と、前記基板に向けて塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルと、前記ノズルを前記基板に対して塗布走査の方向で相対的に移動させる塗布走査部と、塗布処理中に前記ノズルの吐出口と前記基板とが向き合う方向および前記塗布走査の方向で前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出するぶれ検出部と、前記ぶれ検出部より得られる前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める周波数解析部と、前記周波数解析部より得られる周波数スペクトルに基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う判定部とを有する。A coating apparatus according to a second aspect of the present invention includes a substrate support unit that supports a substrate to be processed, a horizontally long long nozzle that discharges a coating liquid toward the substrate, and the nozzle that is applied to the substrate. A coating scanning unit that relatively moves in a scanning direction; a direction in which the discharge port of the nozzle faces the substrate during coating processing; and a blurring of at least one of the nozzle and the substrate support unit in the coating scanning direction. On the substrate, based on the vibration detection unit to detect, a frequency analysis unit that obtains a frequency spectrum by frequency analysis of the time signal representing the blur obtained from the shake detection unit, and a frequency spectrum obtained from the frequency analysis unit And a determination unit for determining whether the coating process is good or not with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate.
また、本発明の第2の観点における塗布方法は、被処理基板を基板支持部上に支持し、前記基板に向けて塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルを前記基板に対して塗布走査の方向で相対的に移動させて前記基板に前記塗布液を塗布する塗布方法において、塗布処理中に前記ノズルの吐出口と前記基板とが向き合う方向および前記塗布走査の方向で前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出する工程と、前記ぶれ検出部より得られる前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める工程と、前記周波数解析部より得られる周波数スペクトルに基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う工程とを有する。The coating method according to the second aspect of the present invention is a method in which a substrate is supported on a substrate support portion and a horizontally long long nozzle that discharges a coating liquid toward the substrate is coated and scanned with respect to the substrate. In the coating method in which the coating liquid is applied to the substrate while being relatively moved in the direction of the nozzle, the nozzle and the substrate in the direction in which the discharge port of the nozzle faces the substrate and the direction of the coating scanning during the coating process Based on the step of detecting at least one shake of the support unit, the step of obtaining a frequency spectrum by frequency analysis of the time signal representing the shake obtained from the shake detection unit, and the frequency spectrum obtained from the frequency analysis unit And a step of determining whether the coating process is good or not with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate.
上記第2の観点における塗布装置または塗布方法では、基板支持部上に支持される基板に対して塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルを塗布走査の方向に相対的に移動させて塗布処理を実行し、塗布処理中にノズルの吐出口と基板とが向き合う方向および塗布走査の方向でノズルおよび基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出し、ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める。周波数解析には高速フーリエ変換(FFT)を用いることができる。このように、ノズルの吐出口と基板とが向き合う方向および塗布走査方向のぶれを表す時間信号の中にどのような周波数成分がどれだけの量で含まれているかを周波数スペクトルに置き換えて評価し、基板上の塗布膜の膜厚に関して所定の判定手法により塗布処理の良否を判定する。塗布処理の途中または終了直後にインラインで良否判定の結果を出せるので、不良と判定した基板については後続の処理を全てキャンセルし、損害を最小限に食い止めることができる。In the coating apparatus or the coating method according to the second aspect, a coating process is performed by moving a horizontally long long nozzle that discharges the coating solution relative to the substrate supported on the substrate support portion in the coating scanning direction. Is detected, and at least one of the nozzle and substrate support is detected in the direction in which the nozzle outlet faces the substrate and in the direction of application scanning during the coating process, and the frequency spectrum is analyzed by frequency analysis of the time signal representing the blur. Ask for. Fast Fourier transform (FFT) can be used for frequency analysis. In this way, evaluation is performed by substituting the frequency spectrum with what frequency component and how much frequency signal is included in the time signal that represents the fluctuation in the direction in which the nozzle outlet faces the substrate and in the coating scanning direction. The quality of the coating process is determined by a predetermined determination method regarding the thickness of the coating film on the substrate. Since the result of pass / fail determination can be obtained in-line during or immediately after the coating process, all subsequent processes can be canceled for the substrate determined to be defective, and damage can be minimized.
本発明の第3の観点における塗布方法は、被処理基板を基板支持部上に支持し、前記基板に向けて塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルを前記基板に対して塗布走査の方向で相対的に移動させて前記基板に前記塗布液を塗布する塗布方法において、塗布処理中の前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出する工程と、検出された前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める工程と、前記周波数スペクトルの全周波数領域に対し、1つ以上の所定の周波数を境にして複数の周波数領域を設定すると共に、前記複数の周波数領域ごとに監視値を設定する工程と、前記複数の周波数領域ごとの各監視値と、前記複数の周波数領域ごとの前記周波数スペクトルとをそれぞれ比較する工程と、前記それぞれの比較の結果に基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う工程とを有する。In the coating method according to the third aspect of the present invention, a horizontally long nozzle that supports a substrate to be processed on a substrate support and discharges a coating liquid toward the substrate is applied to the substrate in the direction of coating scanning. In the coating method in which the coating liquid is coated relative to the substrate, the step of detecting the blur of at least one of the nozzle and the substrate support part during the coating process, and the time representing the detected blur Analyzing the frequency of the signal to obtain a frequency spectrum, and setting a plurality of frequency regions with one or more predetermined frequencies as a boundary for all frequency regions of the frequency spectrum, and for each of the plurality of frequency regions A step of setting a monitoring value, a step of comparing each monitoring value for each of the plurality of frequency regions, and the frequency spectrum for each of the plurality of frequency regions, and Based on the results of the comparison, and a step of performing quality determination of the coating with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate.
上記第3の観点における塗布方法では、基板支持部上に支持される基板に対して塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルを塗布走査の方向に相対的に移動させて塗布処理を実行し、塗布処理中のノズルおよび基板支持部の少なくとも一方のぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求め、周波数スペクトルの全周波数領域の中の複数の周波数領域ごとに監視値と周波数スペクトルとをそれぞれ比較し、基板上の塗布膜の膜厚に関してそれらの比較結果を基に塗布処理の良否を判定する。各監視値は、たとえば統計学的なデータに基づいて設定されてよい。このように複数の周波数領域ごとに個別の監視値を用いて周波数スペクトルを評価することにより、塗布ムラと周波数スペクトルとの相関関係を利用して塗布処理良否判定の精度を高めることができる。In the coating method according to the third aspect, a coating process is performed by moving a horizontally long long nozzle that discharges the coating solution relative to the substrate supported on the substrate support portion in the coating scanning direction. The frequency signal is obtained by frequency analysis of a time signal representing at least one of the nozzle and the substrate support during the coating process, and a monitoring value and a frequency spectrum are obtained for each of a plurality of frequency regions in the entire frequency region of the frequency spectrum. And the quality of the coating process is determined based on the comparison result regarding the film thickness of the coating film on the substrate. Each monitoring value may be set based on, for example, statistical data. Thus, by evaluating the frequency spectrum using individual monitoring values for each of a plurality of frequency regions, it is possible to improve the accuracy of the coating process quality determination using the correlation between the coating unevenness and the frequency spectrum.
本発明の第4の観点における塗布方法は、被処理基板を基板支持部上に支持し、前記基板に向けて塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルを前記基板に対して塗布走査の方向で相対的に移動させて前記基板に前記塗布液を塗布する塗布方法において、塗布処理中の前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出する工程と、検出された前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める工程と、前記周波数スペクトルに対して、周波数に応じた波形として監視値を設定する工程と、前記波形の監視値と前記周波数スペクトルとを比較する工程と、前記比較の結果に基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う工程とを有する。In the coating method according to the fourth aspect of the present invention, a horizontally long nozzle for supporting a substrate to be processed on a substrate support and discharging a coating liquid toward the substrate is applied to the substrate in the direction of coating scanning. In the coating method in which the coating liquid is coated relative to the substrate, the step of detecting the blur of at least one of the nozzle and the substrate support part during the coating process, and the time representing the detected blur Analyzing the frequency of the signal to obtain a frequency spectrum; setting a monitoring value as a waveform corresponding to the frequency for the frequency spectrum; comparing the monitoring value of the waveform and the frequency spectrum; And a step of determining whether the coating process is good or not with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate based on the result of the comparison.
上記第4の観点における塗布方法では、基板支持部上に支持される基板に対して塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルを塗布走査の方向に相対的に移動させて塗布処理を実行し、塗布処理中のノズルおよび基板支持部の少なくとも一方のぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求め、周波数に応じた波形の監視値と周波数スペクトルとを比較し、その比較の結果を基に基板上の塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否を判定する。このように各周波数ごとに波形の監視値を用いて周波数スペクトルを評価することにより、塗布ムラと周波数スペクトルとの相関関係を適確に利用して塗布処理良否判定の精度を高めることができる。In the coating method according to the fourth aspect, the coating process is performed by moving a horizontally long long nozzle that discharges the coating liquid relative to the substrate supported on the substrate support portion in the direction of coating scanning. The frequency signal is obtained by analyzing the frequency of the time signal representing at least one of the nozzle and the substrate support during the coating process, the monitored value of the waveform corresponding to the frequency is compared with the frequency spectrum, and the comparison result is obtained. Based on the film thickness of the coating film on the substrate, the quality of the coating process is determined. As described above, by evaluating the frequency spectrum using the waveform monitoring value for each frequency, the accuracy of the coating process pass / fail judgment can be improved by appropriately using the correlation between the coating unevenness and the frequency spectrum.
好ましい一態様によれば、ぶれ検出部が、ノズルまたは基板支持部のぶれを振動、加速度、変位または速度リップルとして検出する。塗布処理の良否判定は、ノズルのぶれに対応する周波数スペクトルのみに基づいて、あるいは基板支持部のぶれに対応する周波数スペクトルのみに基づいて行ってもよく、あるいは両方の周波数スペクトルに基づいて行っても良い。 According to a preferred aspect, the shake detection unit detects the shake of the nozzle or the substrate support unit as vibration, acceleration, displacement, or velocity ripple. The quality determination of the coating process may be performed based on only the frequency spectrum corresponding to the shaking of the nozzle, or based only on the frequency spectrum corresponding to the shaking of the substrate support portion, or based on both frequency spectra. Also good.
本発明の塗布装置または塗布方法によれば、上記のような構成および作用により、ノズルと被処理基板との間のギャップや走査速度等の変動を適確にモニタリングして塗布処理の良否判定を早期かつ適確に行うことができる。これによって、ぶれが原因で塗布処理が不良となった基板については後工程の処理を一切省くことが可能であり、損害を最小限に抑えられる。 According to the coating apparatus or the coating method of the present invention, with the configuration and operation as described above, it is possible to accurately monitor the gap between the nozzle and the substrate to be processed, the variation in the scanning speed, and the like to determine whether the coating process is good or bad. It can be done quickly and accurately. As a result, it is possible to omit any subsequent processing for the substrate in which the coating process has become defective due to shaking, and damage can be minimized.
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1に、本発明の塗布装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム10は、クリーンルーム内に設置され、たとえばLCD基板を被処理基板とし、LCD製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、この処理システムに隣接して設置される外部の露光装置12で行われる。
FIG. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example to which the coating apparatus of the present invention can be applied. This coating /
この塗布現像処理システム10は、中心部に横長のプロセスステーション16を配置し、その長手方向(X方向)両端部にカセットステーション14とインタフェースステーション18とを配置している。
In the coating and developing
カセットステーション14は、システム10のカセット搬入出ポートであり、角型のガラス基板Gを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットCを水平方向たとえばY方向に4個まで並べて載置可能なカセットステージ20と、このステージ20上のカセットCに対して基板Gの出し入れを行う搬送機構22とを備えている。搬送機構22は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アーム22aを有し、X,Y,Z,θの4軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション16側と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
The
プロセスステーション16は、システム長手方向(X方向)に設定したプロセスラインに沿って各処理部を概ねプロセスフローまたは処理工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション14側からインタフェースステーション18側へ向う上流部または往路のプロセスラインには、洗浄プロセス部24と、縦型熱的処理部(TB)26,28と、塗布プロセス部30と、縦型熱的処理部(TB)32,34とを配置している。一方、インタフェースステーション18側からカセットステーション14側へ向う下流部または復路のプロセスラインには、上記縦型熱的処理部(TB)32,34と、現像ユニット(DEV)36と、脱色処理ユニット(i−UV)38と、縦型熱的処理部(TB)40,42とを配置している。
In the
往路のプロセスラインにおいて、洗浄プロセス部24は、平流し方式のスクラバ洗浄ユニット(SCR)46を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット(SCR)46内のカセットステーション14と隣接する場所にエキシマUV照射ユニット(e−UV)44を配置している。スクラバ洗浄ユニット(SCR)46内では、図2に示すように、コロ搬送路45上で基板Gをプロセスラインの下流側に搬送しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。なお、コロ搬送路45はエキシマUV照射ユニット(e−UV)44を起点としており、起点付近にはカセットステーション14の搬送機構22から基板Gを受け取って搬送路45上に移載するための昇降可能なリフトピン47が設けられている。
In the forward process line, the
スクラバ洗浄ユニット(SCR)46の下流側端部に隣接する縦型熱的処理部(TB)26,28は、それぞれ複数の枚葉式オーブンユニットを多段に積層配置してなるオーブンタワーとして構成されている。たとえば、図2に示すように、縦型熱的処理部(TB)26は、下から順に基板搬入用のパスユニット(PASS)、脱水ベーク用の加熱ユニット(DHP)および疎水化用のアドヒージョンユニット(AD)を多段に積み重ねている。ここで、パスユニット(PASS)には、スクラバ洗浄ユニット(SCR)46からのコロ搬送路45が引き込まれており、搬送路45の終点位置で基板Gを搬送路45の上方に水平姿勢で持ち上げるための昇降可能なリフトピン48が設けられている。また、縦型熱的処理部(TB)28は、下から順に基板温度調整用の冷却ユニット(COL)およびアドヒージョンユニット(AD)を多段に積み重ねている。ここで、縦型熱的処理部(TB)28は、スクラバ洗浄ユニット(SCR)46の延長上にではなくシステム中心線上にオフセットして配置され、縦型の搬送装置(S/A)50を介して縦型熱的処理部(TB)26と往路のプロセスライン上で接続されている。
The vertical thermal processing units (TB) 26 and 28 adjacent to the downstream end of the scrubber cleaning unit (SCR) 46 are each configured as an oven tower formed by stacking a plurality of single-wafer type oven units in multiple stages. ing. For example, as shown in FIG. 2, the vertical thermal processing unit (TB) 26 includes, in order from the bottom, a substrate carrying pass unit (PASS), a dehydrating baking heating unit (DHP), and a hydrophobizing adhesive. John units (AD) are stacked in multiple stages. Here, the
縦型熱的処理部(TB)28の反対側で搬送装置(S/A)50と隣接する位置には、塗布プロセス部30の多段ユニット部(EXT/VD)52が配置されている。図2に示すように、多段ユニット部(EXT/VD)52は、下から順に減圧乾燥用の減圧乾燥ユニット(VD)51および基板受け渡し用のエクステンションユニット(EXT)53を多段に積み重ねている。
A multi-stage unit section (EXT / VD) 52 of the
搬送装置(S/A)50は、昇降可能および旋回可能な搬送本体に水平方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセットを搭載した搬送ロボットとして構成されており、これと隣接する縦型熱的処理部(TB)26,28および多段ユニット部(EX/VD)52内の任意のユニットにアクセスして基板の搬入出を行えるようになっている。 The transport device (S / A) 50 is configured as a transport robot having a transport arm or tweezers that can move back and forth in a horizontal direction on a transport main body that can be moved up and down and swiveled, and is adjacent to the vertical thermal unit. Access to arbitrary units in the processing units (TB) 26 and 28 and the multi-stage unit unit (EX / VD) 52 enables loading and unloading of substrates.
塗布プロセス部30は、インタフェースステーション18に向かって多段ユニット部(EXT/VD)52、縦型の搬送装置(S/A)54および多段ユニット部(EXT/VD)56を一列に配置するとともに、搬送装置(S/A)54の傍らにレジスト塗布ユニット(CT)58を配置している。多段ユニット部(EXT/VD)56も、図2に示すように、下から順に減圧乾燥ユニット(VD)55およびエクステンションユニット(EXT)57を多段に積み重ねている。搬送装置(S/A)54は、昇降可能および旋回可能な搬送本体に水平方向に進退または伸縮可能な搬送アームを搭載した搬送ロボットであり、塗布プロセス部30内の各ユニットにアクセスして基板の搬入出を行うことができるとともに、隣接する復路側の現像ユニット(DEV)36の基板搬入部に基板Gを搬入できるようになっている。塗布プロセス部30内の詳細な構成および作用は後に説明する。
The
塗布プロセス部30の多段ユニット部(EXT/VD)56とインタフェースステーション18との間には縦型の搬送装置(S/A)60が配置され、この搬送装置(S/A)60のY方向両側に縦型熱的処理部(TB)32,34が配置されている。縦型熱的処理部(TB)32は、図2に示すように、下から順に基板保管用のバッファユニット(buf)およびプリベーク用の加熱ユニット(PREBAKE)を多段に積み重ねている。縦型熱的処理部(TB)34は、図3に示すように、下から順にバッファユニット(buf)、冷却ユニット(COL)および加熱ユニット(PREBAKE)を多段に積み重ねている。搬送装置(S/A)60も昇降可能および旋回可能な搬送本体に水平方向に進退または伸縮可能な搬送アームを搭載した搬送ロボットであり、縦型熱的処理部(TB)32,34内の任意のユニットにアクセスして基板Gの搬入出を行えるとともに、塗布プロセス部30やインタフェースステーション18とも基板Gを1枚単位で受け渡しできるようになっている。
A vertical transfer device (S / A) 60 is disposed between the multi-stage unit portion (EXT / VD) 56 of the
プロセスステーション16の復路のプロセスラインにおいて、現像ユニット(DEV)36は、図3に示すように、コロ搬送路35上で基板Gをプロセスラインの下流側方向に搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像装置として構成されている。コロ搬送路35の起点付近には、搬送装置(S/A)54から基板Gを受け取ってコロ搬送路35上に移載するための昇降可能なリフトピン37が設けられている。脱色処理ユニット(i−UV)38にも現像ユニット(DEV)36からのコロ搬送路35が敷設されており、脱色処理ユニット(i−UV)を通過する基板Gの被処理面にi線(波長365nm)が照射されるようになっている。
In the return process line of the
脱色処理ユニット(i−UV)38の下流側に隣接する縦型熱的処理部(TB)40は、図3に示すように、下から順にパスユニット(PASS)、冷却ユニット(COL)およびポストベーキング用の加熱ユニット(POBAKE)を多段に積み重ねている。ここで、パスユニット(PASS)には、脱色処理ユニット(i−UV)38からのコロ搬送路35が引き込まれている。また、コロ搬送路35の終点で基板Gを水平姿勢で持ち上げるための昇降可能なリフトピン62も設けられている。
As shown in FIG. 3, the vertical thermal processing unit (TB) 40 adjacent to the downstream side of the decoloring processing unit (i-UV) 38 includes a pass unit (PASS), a cooling unit (COL), and a post in order from the bottom. Baking heating units (POBAKE) are stacked in multiple stages. Here, the
縦型熱的処理部(TB)42は、図3に示すように、下から順に基板搬出用のパスユニット(PASS)、冷却ユニット(COL)および加熱ユニット(POBAKE)を多段に積み重ねている。ここで、パスユニット(PASS)は、カセットステーション14の搬送機構22からもアクセス可能な載置型の基板受け渡しユニットとして構成されている。両縦型熱的処理部(TB)40,42の間に配置される縦型の搬送装置(S/A)64は、やはり昇降可能および旋回可能な搬送本体に水平方向に進退または伸縮可能な搬送アームを搭載した搬送ロボットとして構成され、縦型熱的処理部(TB)40,42内の任意のユニットにアクセスして基板Gの搬入出を行えるようになっている。
As shown in FIG. 3, the vertical thermal processing unit (TB) 42 includes a substrate carrying pass unit (PASS), a cooling unit (COL), and a heating unit (POBAKE) stacked in multiple stages in order from the bottom. Here, the pass unit (PASS) is configured as a placement-type substrate transfer unit that can also be accessed from the
インタフェースステーション18は、隣接する露光装置12と基板Gのやりとりを行うための搬送装置(I/F)70を有し、その周囲にバッファ・ステージ(BUF)72、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)74および周辺装置76を配置している。バッファ・ステージ(BUF)72には定置型のバッファカセットが置かれる。エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)74は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション16側と基板Gをやりとりする際に用いられる。周辺装置76は、たとえばタイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置(I/F)70は、基板Gを保持できる手段たとえば搬送アームを有し、隣接する露光装置12やインタフェースステーション18内の各ユニット(BUF)72、(EXT・COL)74、(TITLER/EE)76と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。
The
図4に、この塗布現像処理システム10における処理の手順を示す。先ず、カセットステーション14において、搬送機構22が、ステージ20上のいずれかのカセットCの中から1つの基板Gを取り出し、プロセスステーション16の洗浄プロセス部24のエキシマUV照射ユニット(e−UV)44に搬入する(ステップS1)。
FIG. 4 shows a processing procedure in the coating and developing
エキシマUV照射ユニット(e−UV)44内で基板Gは紫外線照射による乾式洗浄を施される(ステップS2)。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Gは、コロ搬送によってスクラバ洗浄ユニット(SCR)46へ移される。 Excimer UV irradiation unit (e-UV) substrate G in the 44 is subjected to dry cleaning by UV irradiation (step S 2). This UV cleaning mainly removes organic substances on the substrate surface. After completion of the ultraviolet cleaning, the substrate G is transferred to a scrubber cleaning unit (SCR) 46 by roller conveyance.
スクラバ洗浄ユニット(SCR)46では、基板Gをコロ搬送路45上でプロセスラインの下流側へ平流しで搬送しながら基板Gの上面(被処理面)にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する(ステップS3)。そして、洗浄後も基板Gを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Gを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット(SCR)46内で洗浄処理の済んだ基板Gは、縦型熱的処理部(TB)26内のパスユニット(PASS)にコロ搬送で搬入される。直後に、搬送装置(S/A)50が該パスユニット(PASS)から基板Gを搬出する。
The scrubber cleaning unit (SCR) 46 performs brushing cleaning and blow cleaning on the upper surface (surface to be processed) of the substrate G while transporting the substrate G on the
縦型熱的処理部(TB)26,28において、基板Gは搬送装置(S/A)50により所定のシーケンスで所定のオーブンユニットに順次移送される。たとえば、基板Gは、最初に加熱ユニット(DHP)のいずれか1つに移され、そこで脱水ベークの加熱処理を受ける(ステップS4)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)のいずれか1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS5)。しかる後、基板Gはアドヒージョンユニット(AD)のいずれか1つに移され、そこでレジスト膜と基板Gとの密着性を向上させるための疎水化処理を受ける(ステップS6)。この疎水化処理の終了後に、基板Gは冷却ユニット(COL)のいずれか1つで一定の基板温度まで冷却される(ステップS7)。上記のような一連の熱処理を受けた基板Gは、搬送装置(S/A)50により多段ユニット部(EXT/VD)52内のエクステンションユニット(EXT)53に受け渡される。 In the vertical thermal processing units (TB) 26 and 28, the substrate G is sequentially transferred to a predetermined oven unit by a transfer device (S / A) 50 in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first transferred to any one of the heating units (DHP), where it is subjected to heat treatment for dehydration baking (step S 4 ). Next, the substrate G is transferred to any one of the cooling units (COL), where it is cooled to a constant substrate temperature (step S 5 ). Thereafter, the substrate G is transferred to any one of the adhesion units (AD), where it is subjected to a hydrophobic treatment for improving the adhesion between the resist film and the substrate G (step S 6 ). After completion of the hydrophobic treatment, the substrate G is cooled to a constant substrate temperature by any one of the cooling units (COL) (step S 7 ). The substrate G that has been subjected to the series of heat treatments as described above is transferred to the extension unit (EXT) 53 in the multistage unit section (EXT / VD) 52 by the transfer device (S / A) 50.
塗布プロセス部30において、基板Gは、搬送装置(S/A)54によりエクステンションユニット(EXT)53からレジスト塗布ユニット(CT)58へ移される。レジスト塗布ユニット(CT)82において、基板Gは、後述するように微細径吐出型のレジストノズルを用いるスピンレス法により基板上面(被処理面)にレジスト液を塗布される。次いで、基板Gは、搬送装置(S/A)54により減圧乾燥ユニット(VD)51,55のいずれか一つに移され、そこで減圧による乾燥処理を受ける(ステップS8)。
In the
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Gは、エクステンションユニット(EXT)57を経由して搬送装置(S/A)60により縦型熱的処理部(TB)32,34に送られる。 The substrate G subjected to the resist coating process as described above is sent to the vertical thermal processing units (TB) 32 and 34 by the transfer device (S / A) 60 via the extension unit (EXT) 57.
縦型熱的処理部(TB)32,34において、基板Gは、搬送装置60により所定のシーケンスで所定のユニットに順次移送される。たとえば、基板Gは、最初に加熱ユニット(PREBAKE)のいずれか1つに移され、そこでプリベーキングの加熱処理を受ける(ステップS9)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)のいずれか1つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される(ステップS10)。このような一連の熱処理を受けた後、基板Gはインタフェースステーション18側のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)74へ受け渡される。
In the vertical thermal processing units (TB) 32 and 34, the substrate G is sequentially transferred to a predetermined unit by the
インタフェースステーション18において、基板Gは、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)74から周辺装置76の周辺露光装置(EE)に搬入され、そこで基板Gの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置12へ送られる(ステップS11)。
In the
露光装置12では基板G上のレジストに所定の回路パターンが露光される。パターン露光を終えた基板Gは、露光装置12からインタフェースステーション18に戻されると(ステップS11)、先ず周辺装置76のタイトラー(TITLER)に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される(ステップS12)。しかる後、基板Gはエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)74に戻される。インタフェースステーション18における基板Gの搬送および露光装置12との基板Gのやりとりは搬送装置(I/F)70によって行われる。
In the
プロセスステーション16では、搬送装置(S/A)60がエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)74より露光済の基板Gを受け取り、多段ユニット部(EXT/VD)56のエクステンションユニット(EXT)57に搬入する。直後に、搬送装置(S/A)54が、エクステンションユニット(EXT)57から基板Gを取り出して、現像ユニット(DEV)36へ搬入する。
In the
現像ユニット(DEV)36において基板Gはコロ搬送路35上でプロセスラインの下流に向って平流しで搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる(ステップS13)。
In the development unit (DEV) 36, the substrate G is transported in a flat flow on the
現像ユニット(DEV)36で現像処理を受けた基板Gは下流側隣の脱色ユニット(i−UV)38へ平流しで搬入され、そこでi線照射による脱色処理を受ける(ステップS14)。脱色処理の済んだ基板Gは、縦型熱的処理部(TB)40のパスユニット(PASS)に搬入される。直後に、搬送装置(S/A)64がパスユニット(PASS)から基板Gを搬出する。 The substrate G that has undergone the development process in the development unit (DEV) 36 is carried into the decoloring unit (i-UV) 38 adjacent to the downstream side in a flat flow, where it undergoes a decoloring process by i-line irradiation (step S 14 ). The substrate G that has been subjected to the decoloring process is carried into the pass unit (PASS) of the vertical thermal processing unit (TB) 40. Immediately after that, the transfer device (S / A) 64 carries the substrate G out of the pass unit (PASS).
縦型熱的処理部(TB)40,42において、基板Gは最初に加熱ユニット(POBAKE)のいずれか1つに移され、そこでポストベーキングの加熱処理を受ける(ステップS15)。次に、基板Gは、冷却ユニット(COL)の1つに移され、そこで所定の基板温度に冷却される(ステップS16)。 In the vertical thermal processing unit (TB) 40, 42, the substrate G is transferred to one of the first heating unit (POBAKE), where it undergoes a heat treatment of the post-baking (Step S 15). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COL), where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S 16 ).
カセットステーション14側では、搬送機構22が、縦型熱的処理部(TB)42のパスユニット(PASS)から塗布現像処理の全工程を終えた基板Gを受け取り、受け取った基板Gをステージ20上のいずれかのカセットCに収容する(ステップS1)。
On the
この塗布現像処理システム10はレイアウト上の特徴を有している。1つは、図1に示すように、往路のプロセスラインにおいて平流し方式のスクラバ洗浄ユニット(SCR)46よりも下流側の処理部を全てスクラバ洗浄ユニット(SCR)46の延長上に一列に揃えるのではなく、システム中心部のエリアを有効利用して2列に配置している点である。つまり、縦型熱的処理部(TB)26、レジスト塗布ユニット(CT)58および縦型熱的処理部(TB)32をスクラバ洗浄ユニット(SCR)46と同一直線上に配置し、縦型熱的処理部(TB)28、多段ユニット部(EXT/VD)52,56をスクラバ洗浄ユニット(SCR)46よりも内側にオフセットしたシステム中心線上に配置している。このような2列配置により、システム幅方向のサイズを増やすことなく長手方向のサイズを短くし、ひいてはフットプリントの縮小化を図っている。
This coating and developing
また、スクラバ洗浄ユニット(SCR)46と同一直線上でレジスト塗布ユニット(CT)58と両隣の縦型熱的処理部(TB)26,32との間に多段ユニット部(EXT/VD)がほぼすっぽり入る大きさの空きスペースを設けている。この空きスペースによって、縦型熱的処理部(TB)26,32からの放熱がレジスト塗布ユニット(CT)58に及ぶのを防止し、レジスト塗布処理の温度条件ないし環境を安定に管理することができる。さらに、後述するようにレジスト塗布ユニット(CT)58を独立した基台上に配置することにより、周囲の機械振動から影響を受けることなくスピンレス方式のレジスト塗布処理を行えるようになっている。 In addition, the multi-stage unit (EXT / VD) is substantially between the resist coating unit (CT) 58 and the adjacent vertical thermal processing units (TB) 26, 32 on the same straight line as the scrubber cleaning unit (SCR) 46. There is an empty space that fits comfortably. This empty space prevents heat dissipation from the vertical thermal processing units (TB) 26 and 32 from reaching the resist coating unit (CT) 58 and stably manages the temperature condition or environment of the resist coating process. it can. Further, as will be described later, by disposing a resist coating unit (CT) 58 on an independent base, spinless resist coating processing can be performed without being affected by surrounding mechanical vibrations.
また、塗布プロセス部30では、減圧乾燥ユニット(VD)51,55を多段ユニット部(EVT/VD)52,56において他のユニットつまりエクステンション・ユニット(EXT)53,57とそれぞれ縦方向に積み重ねて配置している。このような他ユニットとの積層配置により減圧乾燥ユニット(VD)51,55に専用のスペースを充てなくて済む。また、2台の減圧乾燥ユニット(VD)51,55を並列稼動させることにより、塗布プロセス部30全体のタクトタイムを短縮できる。
Further, in the
この塗布現像処理システム10においては、塗布プロセス部30、特にレジスト塗布ユニット(CT)58に本発明を適用することができる。以下、図5〜図14を参照して本発明を塗布プロセス部30に適用した一実施形態を説明する。
In the coating and developing
図5および図6に、塗布プロセス部30の詳細なレイアウト構造を示す。搬送装置(S/A)54と多段ユニット部(EXT/VD)52、56とは、たとえばコンクリートからなる基台80の上に一列に並置される。一方、レジスト塗布ユニット(CT)58は、基台80から分離した別個の基台82の上に設置され、搬送装置(S/A)54とは所定のスペースまたは間隔hを空けている。基台82も、たとえばコンクリートで構成されてよい。このように搬送装置(S/A)54とレジスト塗布ユニット(CT)58とを別々の基台80,82上に設置するのは、搬送装置(S/A)54の発する機械振動がレジスト塗布ユニット(CT)58に伝わるのを防止するためである。したがって、搬送装置(S/A)54がレジスト塗布ユニット(CT)58への基板Gの搬入出を支障なく行える範囲内で、両者(54,58)の間隔hは大きいほど好ましく、たとえば5cm程度に設定される。
5 and 6 show a detailed layout structure of the
図7に、搬送装置(S/A)54および一方の多段ユニット部(EXT/VD)56の具体的な構成例を示す。搬送装置(S/A)54は、基台80上にたとえば脚付きの支持部81を介して設置され、鉛直方向に延在するガイドレール84に沿って昇降可能かつ旋回可能な搬送本体86と、この搬送本体86上で水平方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット88とを有している。搬送本体86を昇降駆動するための昇降駆動部が垂直ガイドレール84の基端側の駆動ボックス90内に設けられ、搬送本体86を旋回運動させるための旋回駆動部が駆動ボックス90または搬送本体86内に設けられ、搬送アーム88を進退駆動するための進退駆動部が搬送本体86内に設けられている。図示省略するが、他の縦型搬送装置(S/A)50,60,64も、この搬送装置(S/A)54と同じ構成を有するものであってよい。
FIG. 7 shows a specific configuration example of the transport device (S / A) 54 and one multi-stage unit portion (EXT / VD) 56. The transport device (S / A) 54 is installed on a
多段ユニット部(EXT/VD)56も、基台80上にたとえば脚付きの支持部91を介して設置される。上段側のエクステンションユニット(EXT)57は、搬送装置(S/A)54と隣接する側壁に基板搬入出用の開口部92を形成した筐体を有し、この筐体の中に基板Gを水平に載置するためのステージ96と、このステージ96を貫通して上下に出没可能なリフトピン98とを設けている。リフトピン98は、ユニットの下に設けられたアクチエータたとえばエアシリンダ100によって昇降駆動され、基板Gをピン先端で水平に支持してステージ94への移載またはステージ96からの持ち上げを行う。搬送装置(S/A)54の搬送アーム88は、開口部92を通ってユニット(EXT)57内に出入りし、リフトピン98と基板Gを受け渡しすることができる。エクステンションユニット(EXT)57の筐体には、搬送装置(S/A)54と反対側の側壁にも基板搬入出用の開口部102が形成されている。反対側で隣接する搬送装置(S/A)60(図1)は、この開口部102から搬送アームをユニット57内に挿入して、基板Gの搬入出を行えるようになっている。
The multistage unit portion (EXT / VD) 56 is also installed on the
下段側の減圧乾燥ユニット(VD)55は、減圧可能なチャンバとして構成された筐体を有し、このチャンバの搬送装置(S/A)54と隣接する側壁に基板搬入出用の開口部104を形成している。この開口部104にはチャンバを密閉するためのゲートバルブ106が取り付けられている。チャンバ内には、基板Gを載置するためのステージ108と、このステージ108を貫通して上下に出没可能なリフトピン110とが設けられている。リフトピン110は、ユニット下のエアシリンダ112によって昇降駆動され、基板Gをピン先端で水平に支持してステージ108への移載またはステージ108からの持ち上げを行う。ゲートバルブ106が開いた状態の下で、搬送装置(S/A)54の搬送アーム88が、開口部104を通ってユニット(VD)55内に出入りし、リフトピン110と基板Gの受け渡しを行えるようになっている。チャンバの排気口114は排気管116を介して真空ポンプ(図示せず)に通じている。
A lower-pressure drying unit (VD) 55 on the lower side has a housing configured as a chamber capable of decompression, and an
このように、減圧乾燥ユニット(VD)55は、減圧可能なチャンバの側面に基板搬入出用の開口部104を有し、この開口部104をゲートバルブ106で開閉し、チャンバ上面を天井板で閉塞している。これにより、減圧乾燥ユニット(VD)55の上にエクステンションユニット(EXT)57を容易に積層することができる。なお、減圧乾燥ユニット(VD)55は、基台80上に固定された脚付き支持部91の上に設置されてよい。
As described above, the reduced pressure drying unit (VD) 55 has the
図示省略するが、他方の多段ユニット部(EXT/VD)52も、上記多段ユニット部(EXT/VD)56と左右対称で同じ構成を有するものであってよい。 Although not shown, the other multi-stage unit (EXT / VD) 52 may be symmetrical with the multi-stage unit (EXT / VD) 56 and have the same configuration.
図8に、レジスト塗布ユニット(CT)58の構成を平面図で示す。この実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)58は、基台82(図5)上に設置された支持台120の中心部にカップ状の処理容器122を配置し、この処理容器122内に基板Gを水平に載置して保持するためのステージ124を設けている。さらに、支持台120上には、処理容器122を挟んでX方向に延びる一対のガイドレール126,126を敷設し、Y方向に延びるノズル支持体128を両Xガイドレール126,126の間に架け渡して図示しない直進駆動機構たとえばリニアモータ機構によりX方向に一定速度で移動させるようにしている。ノズル支持体128には、ステージ124上の基板Gを一端から他端までカバーする長さでY方向に延びる長尺状のレジストノズル130を昇降可能に取り付けている。また、処理容器122の外のノズル待機位置には、レジストノズル130のレジスト吐出機能を正常状態に維持またはリフレッシュするためのノズルリフレッシュ部132を設けている。
FIG. 8 is a plan view showing the configuration of the resist coating unit (CT) 58. In the resist coating unit (CT) 58 in this embodiment, a cup-shaped
図9に、レジスト塗布ユニット(CT)58における要部の構成を示す。レジストノズル130は垂直下方にテーパ状に突出するノズル部130aを有しており、このノズル部130aの下端に長手方向に延びるスリット型または多孔型の吐出口を設けている。レジストノズル130の上面にはレジスト液を導入するためのレジスト導入口130bが設けられ、このレジスト導入口130bにレジスト供給管134が接続されている。レジスト供給管134はレジスト液の供給源(図示せず)に通じている。
FIG. 9 shows a configuration of a main part in the resist coating unit (CT) 58. The resist
ノズル支持体128は、たとえばボールネジ136,136を介してレジストノズル130を昇降可能に支持している。ステージ124上の基板Gとレジストノズル130の吐出口との間には100μm程度の微小ギャップが設定される。この微小ギャップは、ノズル支持体128側のボールネジ機構を用いて設定値に調整される。
The
塗布処理中は、ステージ124上の基板Gとレジストノズル130の吐出口との間の上記微小ギャップを設定値に保ったまま、レジスト供給部よりレジストノズル130にレジスト液を所定の流量で供給し、X方向にレジストノズル130を一定の速度で移動させる。そうすると、レジストノズル130の微細径吐出口より吐出されたレジスト液が基板Gの上面(被処理面)にライン状に塗布され、基板Gの一端から他端までレジストノズル130を走査させると、基板Gの上面全域にレジスト液の塗布膜Rが形成される。ただし、この実施形態では、基板Gの周縁部にはレジスト液を塗布しないようにしている。このことによって、レジスト塗布後に基板Gの周縁部から余分のレジスト膜を除去するための工程および装置(エッジ・リムーバ)を省いている。
During the coating process, the resist solution is supplied from the resist supply unit to the resist
ところで、この塗布プロセス部30では、上記のようにレジスト塗布ユニット(CT)58の基台82を搬送装置(S/A)54側の基台80と分離し、両者の間に相当の間隔hを空けるため、搬送装置(S/A)54側の機械振動が床や空気を介してレジスト塗布ユニット(CT)58内に、特にステージ124に伝わってくるのを効果的に防止することができる。しかし、レジスト塗布ユニット(CT)58内で発生する機械振動の影響は避け難い。特に走査機構で発生するガタや揺れ等の機械振動はノズル支持体128を介してレジストノズル130に即座に伝わり、レジストノズル130が上下および/または前後にぶれたりする。そうすると、基板Gとレジストノズル130間の微小ギャップや塗布走査速度が変動し、基板G上にレジスト塗布膜Rを形成するプロセスが不安定になる。もっとも、塗布処理中にレジストノズル130がぶれれば必然的に基板G上のレジスト塗布膜Rに膜厚異変または塗布ムラが生ずるというものでもない。ぶれが非常に小さいものであれば塗布ムラも無視できるほど小さく出るのはもちろんであるが、比較的大きいぶれでも特に問題となるほどの塗布ムラは生じないことがあったり、比較的小さいぶれであっても不良品に至るような塗布ムラが生じることもある。
By the way, in the
この実施形態では、レジストノズル130のぶれを検出して解析し、解析結果に基づいて塗布処理の良否を判定するようにしている。このぶれモニタリング機能を実現するために、図8および図9に示すように、レジストノズル130に1つまたは複数のぶれセンサ140A,140Bを取り付ける。レジストノズル130の上面に取り付けられるぶれセンサ140Aは、たとえば圧電式、静電容量式またはひずみゲージ式の加速度センサまたは振動センサからなり、鉛直方向(Z方向)におけるレジストノズル130のぶれを加速度または振動として検出する。レジストノズル130の前面(または背面)に取り付けられるぶれセンサ140Bも、たとえば加速度センサまたは振動センサからなり、走査方向(X方向)におけるレジストノズル130のぶれを加速度または振動として検出する。レジストノズル130の端面に同様のぶれセンサ(図示せず)を取り付けて、ノズル長手方向(Y方向)におけるぶれを検出することも可能である。
In this embodiment, the shake of the resist
あるいは、レジストノズル130のぶれを走査速度の変動または速度リップルとして検出する方式も可能である。たとえば、図10に示すように、走査方向(X方向)においてレジストノズル130の前方位置(後方位置でもよい)に速度リップル検出用のぶれセンサとして距離センサたとえばレーザ測長器140Cを設ける。このレーザ測長器140Cは、レジストノズル130の前面(好ましくは前面下端部)に設定したモニタ点Mにレーザ光LBを照射してそのモニタ点Mからの反射光LB'を受光し、レーザ測長器140Cからレジストノズル130の現在位置までの距離Dを時々刻々とリアルタイムで計測する。こうして、レーザ測長器140Cからは距離Dの瞬時値を表す電気信号が得られる。
Alternatively, a method of detecting the fluctuation of the resist
図11に、塗布処理における時間と計測距離Dの関係を示す。図中、tSは走査開始時刻、tEは走査終了時刻、PSは走査開始位置(時刻tSのノズル位置)、PSは走査終了位置(時刻tEのノズル位置)である。図示のように、走査時間に対して計測距離Dはリニアに単調減少し、この傾きが走査速度(設定値)を表す。走査中にレジストノズル130が前後方向にぶれると、そこで計測距離Dの瞬時値に変位リップルdrが現れる。この変位リップルdrを時間軸上で微分すると走査速度のリップルが得られ、速度リップルを微分すると有意の加速度が得られる。
FIG. 11 shows the relationship between the time and the measurement distance D in the coating process. In the figure, t S is the scan start time, t E is the scan end time, P S is the scan start position (nozzle position at time t S ), and P S is the scan end position (nozzle position at time t E ). As shown in the figure, the measurement distance D linearly and monotonously decreases with respect to the scanning time, and this inclination represents the scanning speed (set value). When the resist
図12に、この実施形態におけるぶれモニタリング機能の信号処理を行う信号処理部の構成例を示す。この信号処理部は、センサ信号入力部142、周波数解析部144、判定部146および設定部148を有している。
FIG. 12 shows a configuration example of a signal processing unit that performs signal processing of the shake monitoring function in this embodiment. This signal processing unit includes a sensor
センサ信号入力部142は、各ぶれセンサ140A,140B,‥‥からのアナログの電気信号をディジタル信号に変換したうえでいったんメモリに蓄積し、必要に応じて周波数解析に先立つ信号変換処理を行う。たとえば、上記レーザ測長器140Cからのセンサ信号は距離Dの瞬時値を表すので、これを微分して速度リップルまたは加速度を表す信号に変換する。あるいは、レジストノズル130に取り付けているぶれセンサ140A,140B,‥‥からの加速度を表すセンサ信号を積分して、変位を表す信号に変換することも可能である。
The sensor
周波数解析部144は、センサ信号入力部142に取り込まれたセンサ信号(時間信号)について高速フーリエ変換(FFT)の演算処理を行って周波数スペクトルを求める。こうして、各ぶれセンサ140A,140B,‥‥の出力信号の中にどのような周波数成分がどれだけの量で含まれているかが周波数スペクトルの形態でモニタリング可能となる。図13および図14に周波数解析部144で得られる周波数スペクトルの一例を示す。
The
ここで、各ぶれセンサ140A,140B,‥‥の出力信号は塗布処理の開始から終了まで連続的に与えられるので、設定部148においてFFTの時間範囲(パラメータ)を塗布処理時間中の任意の区間(全区間または一部の区間)に設定することができる。たとえば、図11に示すように塗布処理時間の全般にわたって不定のリップルdrが発生するようであれば、塗布処理時間の全区間をFFT解析にかけてよい。また、決まって同じ区間たとえば塗布処理の開始直後でぶれが発生する場合は、その区間にFFT解析を限定または集中した方が測定精度の高い周波数スペクトルが得られる。
Here, since the output signals of the
周波数解析部144で求められた周波数スペクトルのデータは判定部146に送られる。判定部146は、周波数解析部144より受け取った周波数スペクトルを適当な判定基準またはアルゴリズムにかけて塗布処理の良否を判定する。たとえば、周波数スペクトルを設定部148より与えられる監視値ASと比較し、いずれかのスペクトルが監視値ASを超えているときは塗布ムラが発生しているものと判定し、そうでなければ塗布ムラは発生していないものと判定する。
The frequency spectrum data obtained by the
監視値ASは、全周波数について一律に同じ値に設定してもよいが、実機における塗布ムラと周波数スペクトルとの相関関係を統計学的に調べて、判定結果と実際の処理結果とがマッチングするように設定するのが好ましい。たとえば、走査速度が100mm/秒である場合、レジストノズル130が100Hzでぶれると、1mmピッチでレジスト液膜の膜厚が変動し、目視でも認識可能な塗布ムラになりやすい。しかし、1000Hzでぶれると、理論的には0.1mmピッチの膜厚変動となるが、実際にはピッチが小さすぎて塗布ムラには至らない。概して、高い周波数領域のスペクトルよりも低い周波数領域、特に100Hz以下のスペクトルの方が塗布ムラを生じやすい。したがって、周波数領域に応じて監視値ASを変えるのは好ましい手法である。
The monitoring value AS may be uniformly set to the same value for all frequencies, but the correlation between the coating unevenness and the frequency spectrum in the actual machine is statistically examined, and the determination result matches the actual processing result. It is preferable to set as follows. For example, when the scanning speed is 100 mm / second, if the resist
たとえば、図13に示すように、所定の周波数fS(たとえば100Hz)を境に、それよりも高い周波数領域には比較的高い(許容幅の大きい)監視値ASHを設定し、fSよりも低い周波数領域に比較的低い(許容幅の小さい)監視値ASLを設定してよい。3つ以上の周波数領域について個別の監視値を設定することも可能であり、所望の周波数領域(たとえば100Hz以下の領域)に限定して監視値を設定することも可能である。あるいは、図14に示すように、監視値ASを周波数に応じた波形として設定することも可能である。概して、レジストノズル130が走査中にぶれるときは、たとえば図13および図14の点線Kで示すように或る周波数付近でスペクトルが異常に突出して高くなる。これが監視値ASを超えるときは、判定部146より今回の塗布処理について「不良」の判定結果が出される。
For example, as shown in FIG. 13, with a predetermined frequency f S (for example, 100 Hz) as a boundary, a relatively high (large tolerance) monitoring value AS H is set in a higher frequency region than f S. Alternatively, a relatively low monitoring value AS L may be set in the low frequency region. It is also possible to set individual monitoring values for three or more frequency regions, and it is also possible to set monitoring values limited to a desired frequency region (for example, a region of 100 Hz or less). Or as shown in FIG. 14, it is also possible to set the monitoring value AS as a waveform according to a frequency. In general, when the resist
また、ぶれの方向によっても塗布処理の結果は大きく左右される。一般に、鉛直方向(Z方向)のぶれはレジストノズル130とステージ124上の基板Gとの間の微小ギャップを変動させ、塗布ムラを起こしやすい。この実施形態におけるレジスト塗布ユニット(CT)58では、レジストノズル130の吐出口から基板G上に溢れ出たレジスト液をノズルの下端部で平坦に延ばしてレジスト液の膜を形成する。したがって、レジストノズル130が下方に変位した場所では、微小ギャップが設定値よりも小さくなり、膜厚が小さくなる。反対に、レジストノズル130が上方に変位した場所では、微小ギャップが設定値よりも大きくなり、膜厚が大きくなる。
Further, the result of the coating process is greatly influenced by the direction of shaking. In general, shake in the vertical direction (Z direction) fluctuates a minute gap between the resist
前後方向(X方向)のぶれも、鉛直方向(Z方向)のぶれほどではないが、走査速度を変動させるため、塗布ムラを来しやすい。つまり、レジストノズル130が前方にぶれた場所では、瞬間的に走査速度が速くなり、膜厚が小さくなる。レジストノズル130が後方にぶれた場所では、瞬間的に走査速度が遅くなり、膜厚が大きくなる。
The blur in the front-rear direction (X direction) is not as great as the blur in the vertical direction (Z direction), but the scanning speed is fluctuated, so coating unevenness is likely to occur. That is, at the place where the resist
横方向(Y)方向のぶれは、通常は塗布ムラを起こし難い。しかし、ぶれの量が異常に大きければ、レジスト塗布膜の膜厚に何らかの異常が生ずる可能性はある。また、この実施形態では、レジスト塗布後のエッジリンスを不要とするために、塗布処理に際しては基板Gの周縁部をブランクにしてその内側の領域だけにレジスト液を塗布するようにしている。しかし、横方向(Y)方向のぶれが大きいと、レジスト塗布膜Rが基板周縁部にはみ出てしまう。したがって、横方向(Y)方向のぶれもそのような観点からモニタリングするのが好ましい。 The blur in the horizontal direction (Y) direction usually hardly causes uneven coating. However, if the amount of blur is abnormally large, there is a possibility that some abnormality occurs in the film thickness of the resist coating film. In this embodiment, in order to eliminate the need for edge rinsing after resist application, the periphery of the substrate G is blanked during application processing, and the resist solution is applied only to the inner region. However, if the lateral (Y) direction shake is large, the resist coating film R protrudes from the peripheral edge of the substrate. Therefore, it is preferable to monitor the blur in the lateral direction (Y) from such a viewpoint.
上記のように、ぶれと塗布処理結果との相関関係はぶれの方向によっても異なる。この実施形態では、各方向のぶれセンサ140A,140B,‥‥を用いて各方向毎にぶれを検出し、各方向毎にぶれ検出信号をFFT解析にかけて周波数スペクトルを求め、各方向毎に個別に設定した監視値ASと比較して良否判定を行うことができる。したがって、レジスト液を塗布された各基板Gについて、全ての方向(X,Y,Z)で「良」の判定結果が出たものは「良品」と認定し、いずれかの方向で「不良」の判定結果が出たものは「不良品」と認定することも可能である。
As described above, the correlation between the blur and the coating process result also varies depending on the blur direction. In this embodiment, shake is detected in each direction using
判定部146の判定結果は、この塗布プロセス部30の各部および全体の動作を管理する塗布プロセスコントローラ(図示せず)へ与えられ、さらに塗布プロセスコントローラから塗布現像処理システム10全体のプロセスまたはシーケンスを統括制御するシステムコントローラ(図示せず)へ伝えられる。
The determination result of the
塗布プロセス部30内では、搬送装置(S/A)54によりレジスト塗布ユニット(CT)58から搬出した各基板Gについて、判定部146の判定結果を基にその後のシーケンスを異にする。すなわち、「良品」と認定された基板Gについては、これを減圧乾燥ユニット(VD)51,55のいずれか1つに搬入し、減圧乾燥の処理を受けさせてから、エクステンションユニット(EXT)57へ移す。しかし、「不良品」と認定された基板Gについては、これを減圧乾燥ユニット(VD)51,55へは搬入せずに、直ちにエクステンションユニット(EXT)57へ搬送する。
In the
搬送装置60は、エクステンションユニット(EXT)57から基板Gを搬出すると、システムコントローラからの指令にしたがい、「良品」の基板Gについては上記のようなシーケンスで縦型熱的処理部(TB)32,34内の熱処理系ユニットに順次移送し、一連の熱処理を受けさせる。しかし、「不良品」の基板Gについてはいずれの熱処理系ユニットへも移送することなく最下段のバッファユニット(buf)へ搬入する。
When the
このように、レジスト塗布処理でエラー(特に塗布ムラ)の出た基板Gについては、後続の処理工程を全てキャンセルして、システム内の所定の場所つまりバッファユニット(buf)に停留ないし保管するようにしたので、無駄をなくし、塗布ムラの損害を最小限に食い止めることができる。なお、バッファユニット(buf)を塗布プロセス部30内に、たとえば多段ユニット部52,56に設けることも可能である。
As described above, with respect to the substrate G in which an error (particularly uneven coating) has occurred in the resist coating process, all subsequent processing steps are canceled and stored or stored in a predetermined place in the system, that is, the buffer unit (buf). As a result, it is possible to eliminate waste and minimize damage to coating unevenness. In addition, it is also possible to provide a buffer unit (buf) in the application |
上記した実施形態では、レジストノズル130に各方向のぶれを個別のぶれセンサ140A,140B,‥‥で検出した。しかし、2方向または3方向のぶれを1つのセンサ(たとえば3軸加速度センサ)で検出することも可能である。また、レジストノズル130は昇降軸の上端部を支点とする揺動運動で前後方向(X方向)と上下方向(Z方向)とに同時にぶれることが多い。したがって、精度は下がるが、たとえば上下方向(Z方向)のみもしくは前後方向(X方向)のみのぶれを検出するモニタリングで済ますことも可能である。また、レジストノズル130のぶれを検出するためのぶれセンサをノズル支持体128に取り付けることも可能である。
In the embodiment described above, the shake in each direction of the resist
上記実施形態ではレジストノズル130のぶれをモニタリングしたが、ステージ124のぶれをモニタリングすることも可能である。たとえば、図9に示すように、ステージ124の側面に振動センサまたは加速度センサ140Dを取り付け、このセンサ140Dの出力信号を信号処理部(図12)に与えればよい。レジストノズル130がぶれても、ステージ124が同じぶれかたをすると、両者の相対位置関係に実質的な変動はなく、塗布ムラが生じないことがある。したがって、レジストノズル130のぶれを表す周波数スペクトルとステージ124のぶれを表す周波数スペクトルの両方を同時にまたは関連付けて評価してレジスト塗布処理の良否判定を行うようにしてもよい。
In the above embodiment, the blur of the resist
また、上記実施形態ではステージ124を固定してレジストノズル130をX方向に移動させる走査方式であったが、レジストノズル側を固定してステージ(基板支持部)側を移動させる走査方式やレジストノズルとステージ(基板支持部)の双方を同時に移動させる走査方式も可能である。
In the above embodiment, the scanning method is used in which the
また、本発明は、処理液吐出ノズルを用いて被処理基板上に処理液を供給する任意のアプリケーションに適用可能であり、スピンレス方式でなくても、たとえば被処理基板を回転させて塗布膜を形成するスピン方式にも適用可能である。本発明における処理液としては、レジスト液以外にも、たとえば層間絶縁材料、誘電体材料、配線材料等の液体も可能である。本発明における被処理基板はLCD基板に限らず、半導体ウエハ、CD基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。 In addition, the present invention can be applied to any application that supplies a processing liquid onto a substrate to be processed using a processing liquid discharge nozzle. For example, a coating film can be formed by rotating a substrate to be processed without using a spinless method. It can also be applied to the spin method to be formed. In addition to the resist solution, the processing solution in the present invention may be a liquid such as an interlayer insulating material, a dielectric material, or a wiring material. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, but may be a semiconductor wafer, a CD substrate, a glass substrate, a photomask, a printed substrate, or the like.
30 塗布プロセス部
58 レジスト塗布ユニット(CT)
124 ステージ
128 ノズル支持体
130 レジストノズル
140A,140B,140C,140D ぶれセンサ
142 センサ信号入力部
144 周波数解析部
146 判定部
148 設定部
30
124
Claims (24)
前記基板に向けて塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルと、
前記ノズルを前記基板に対して塗布走査の方向で相対的に移動させる塗布走査部と、
塗布処理中の前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出するぶれ検出部と、
前記ぶれ検出部より得られる前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める周波数解析部と、
前記周波数解析部より得られる周波数スペクトルに基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う判定部と
を有する塗布装置。 A substrate support for supporting the substrate to be processed;
A horizontally long nozzle that discharges the coating liquid toward the substrate;
An application scanning unit that moves the nozzle relative to the substrate in the direction of application scanning;
A shake detection unit that detects a shake of at least one of the nozzle and the substrate support unit during the coating process;
A frequency analysis unit that obtains a frequency spectrum by performing frequency analysis on a time signal representing the shake obtained from the shake detection unit;
An applicator comprising: a determination unit configured to determine whether the coating process is good or not with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate based on a frequency spectrum obtained from the frequency analysis unit.
前記基板に向けて塗布液を吐出する横長の長尺型ノズルと、A horizontally long nozzle that discharges the coating liquid toward the substrate;
前記ノズルを前記基板に対して塗布走査の方向で相対的に移動させる塗布走査部と、An application scanning unit that moves the nozzle relative to the substrate in the direction of application scanning;
塗布処理中に前記ノズルの吐出口と前記基板とが向き合う方向および前記塗布走査の方向で前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出するぶれ検出部と、A shake detection unit that detects a shake of at least one of the nozzle and the substrate support unit in a direction in which the discharge port of the nozzle and the substrate face each other during the coating process and in a direction of the coating scan;
前記ぶれ検出部より得られる前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める周波数解析部と、A frequency analysis unit that obtains a frequency spectrum by performing frequency analysis on a time signal representing the shake obtained from the shake detection unit;
前記周波数解析部より得られる周波数スペクトルに基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う判定部とA determination unit configured to determine whether the coating process is good or not with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate based on the frequency spectrum obtained from the frequency analysis unit;
を有する塗布装置。A coating apparatus.
塗布処理中の前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出する工程と、
前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める工程と、
前記周波数スペクトルに基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して前記塗布処理の良否判定を行う工程と
を有する塗布方法。 The substrate is supported on the substrate support portion, and a horizontally long long nozzle that discharges the coating liquid toward the substrate is moved relative to the substrate in the direction of coating scanning to apply the coating to the substrate. In the application method of applying the liquid,
Detecting a blur of at least one of the nozzle and the substrate support during the coating process;
Obtaining a frequency spectrum by frequency-analyzing the time signal representing the blur;
And a step of determining whether the coating process is good or not with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate based on the frequency spectrum.
塗布処理中に前記ノズルの吐出口と前記基板とが向き合う方向および前記塗布走査の方向で前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出する工程と、Detecting a shake of at least one of the nozzle and the substrate support portion in a direction in which the discharge port of the nozzle and the substrate face each other during a coating process and in a direction of the coating scanning;
前記ぶれ検出部より得られる前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める工程と、Obtaining a frequency spectrum by performing frequency analysis on a time signal representing the shake obtained from the shake detection unit;
前記周波数スペクトルに基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う工程とA step of performing pass / fail judgment of the coating process with respect to the film thickness of the coating film formed on the substrate based on the frequency spectrum;
を有する塗布方法。A coating method comprising:
塗布処理中の前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出する工程と、
検出された前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める工程と、
前記周波数スペクトルの全周波数領域に対し、1つ以上の所定の周波数を境にして複数の周波数領域を設定すると共に、前記複数の周波数領域ごとに監視値を設定する工程と、
前記複数の周波数領域ごとの各監視値と、前記複数の周波数領域ごとの前記周波数スペクトルとをそれぞれ比較する工程と、
前記それぞれの比較の結果に基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う工程と
を有する塗布方法。 The substrate is supported on the substrate support portion, and a horizontally long long nozzle that discharges the coating liquid toward the substrate is moved relative to the substrate in the direction of coating scanning to apply the coating to the substrate. In the application method of applying the liquid,
Detecting a blur of at least one of the nozzle and the substrate support during the coating process;
Analyzing a frequency signal of a time signal representing the detected blur to obtain a frequency spectrum;
Setting a plurality of frequency regions with one or more predetermined frequencies as a boundary for all frequency regions of the frequency spectrum, and setting a monitoring value for each of the plurality of frequency regions;
Comparing each monitored value for each of the plurality of frequency regions with the frequency spectrum for each of the plurality of frequency regions;
And a step of determining whether the coating process is good or not with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate based on the results of the respective comparisons .
塗布処理中の前記ノズルおよび前記基板支持部の少なくとも一方のぶれを検出する工程と、Detecting a blur of at least one of the nozzle and the substrate support during the coating process;
検出された前記ぶれを表す時間信号を周波数解析して周波数スペクトルを求める工程と、Analyzing a frequency signal of a time signal representing the detected blur to obtain a frequency spectrum;
前記周波数スペクトルに対して、周波数に応じた波形として監視値を設定する工程と、For the frequency spectrum, setting a monitoring value as a waveform according to the frequency,
前記波形の監視値と前記周波数スペクトルとを比較する工程と、Comparing the monitored value of the waveform with the frequency spectrum;
前記比較の結果に基づいて、前記基板上に形成された塗布膜の膜厚に関して塗布処理の良否判定を行う工程とA step of determining whether the coating process is good or not with respect to the thickness of the coating film formed on the substrate based on the result of the comparison;
を有する塗布方法。A coating method comprising:
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004042910A JP4318563B2 (en) | 2004-02-19 | 2004-02-19 | Coating apparatus and coating method |
| KR1020050013481A KR101117380B1 (en) | 2004-02-19 | 2005-02-18 | Coating apparatus and coating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004042910A JP4318563B2 (en) | 2004-02-19 | 2004-02-19 | Coating apparatus and coating method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005236009A JP2005236009A (en) | 2005-09-02 |
| JP4318563B2 true JP4318563B2 (en) | 2009-08-26 |
Family
ID=35018647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004042910A Expired - Fee Related JP4318563B2 (en) | 2004-02-19 | 2004-02-19 | Coating apparatus and coating method |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4318563B2 (en) |
| KR (1) | KR101117380B1 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007245057A (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Toppan Printing Co Ltd | Data collection system and data collection method for die coater |
| JP2008238144A (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Toray Eng Co Ltd | Coating apparatus and coating method |
| KR101915479B1 (en) * | 2016-12-28 | 2018-11-07 | 세메스 주식회사 | Substrate treating apparatus and substrate treating method |
| KR102619967B1 (en) * | 2020-05-22 | 2024-01-03 | 세메스 주식회사 | Apparatus for treating substrate and unit for supplying liquid |
| CN112691852A (en) * | 2021-01-14 | 2021-04-23 | 珠海市运泰利自动化设备有限公司 | Automatic dispensing control system |
| JP7840004B2 (en) * | 2022-03-11 | 2026-04-03 | 株式会社竹中工務店 | Display system |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63167222A (en) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Abnormality diagnosing device for rotary machine |
| JP3653688B2 (en) | 1998-07-10 | 2005-06-02 | 平田機工株式会社 | Slit coat type coating device and slit coat type coating method |
| JP3806661B2 (en) * | 2002-03-14 | 2006-08-09 | 株式会社 日立インダストリイズ | Paste application method and paste applicator |
-
2004
- 2004-02-19 JP JP2004042910A patent/JP4318563B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-18 KR KR1020050013481A patent/KR101117380B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101117380B1 (en) | 2012-03-07 |
| JP2005236009A (en) | 2005-09-02 |
| KR20060042973A (en) | 2006-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101057527B1 (en) | Coating method and coating device | |
| KR101276444B1 (en) | Coating apparatus and coating method | |
| US7908995B2 (en) | Stage apparatus and application processing apparatus | |
| US7874261B2 (en) | Stage apparatus and coating treatment device | |
| JP4318714B2 (en) | Coating device | |
| JP5008147B2 (en) | Vacuum dryer | |
| JP2009302122A (en) | Coating device, and coating method | |
| JP4429943B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP4578381B2 (en) | Coating method and coating apparatus | |
| JP4318563B2 (en) | Coating apparatus and coating method | |
| KR101052977B1 (en) | Processing system | |
| KR20050017588A (en) | Coating nozzle and coating apparatus | |
| JP2006165305A (en) | Processing apparatus, processing liquid supply method, and processing liquid supply program | |
| JP4809699B2 (en) | Coating method and coating apparatus | |
| JP7565184B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, STATE DETERMINATION METHOD, AND COMPUTER STORAGE MEDIUM | |
| JP4508436B2 (en) | Coating method and coating apparatus | |
| KR20100061425A (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR20090008114A (en) | Inspection device and substrate processing system | |
| JP4554303B2 (en) | Coating apparatus and coating method | |
| JP2008200674A (en) | Coating method and coating apparatus | |
| JP2004130309A (en) | Coating method and coating device | |
| JP2005270932A (en) | Coating film forming device | |
| KR102624575B1 (en) | Apparatus for treating substrate and method for measuring pressure using the same | |
| JP4498862B2 (en) | Coating method and coating apparatus | |
| JP2007048836A (en) | Coating film unevenness detection method, coating processing apparatus, and coating film unevenness detection program |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051014 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070404 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080507 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20080507 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080507 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080507 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081125 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090120 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090519 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090526 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130605 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |