JP4318926B2

JP4318926B2 - Exposure method and exposure apparatus

Info

Publication number: JP4318926B2
Application number: JP2003017473A
Authority: JP
Inventors: 一生渡辺
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2003-01-27
Filing date: 2003-01-27
Publication date: 2009-08-26
Anticipated expiration: 2023-01-27
Also published as: JP2004226897A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光方法及び露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
カラーフィルタ等の基板とフォトマスクとをプロキシミティギャップを介して対向させて露光を行う露光方法が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】
特開２０００−３４７０２０号公報
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年、カラーフィルタの大型化に伴い、フォトマスクのサイズも大型化している。このため、プロキシミティ方式の露光において、カラーフィルタやフォトマスクの大型化の影響を考慮する必要がある。例えば、フォトマスクが大型化すると、フォトマスクの自重による撓み変形により、フォトマスクの露光面に亘ってプロキシミティギャップの均一性を確保することが困難となる。多面取りの基板を大型化した場合には、１枚の基板に対する露光回数も増加し、露光工程のタクトが低下する。基板とフォトマスクとの間隙を変化させる場合、当該間隙へ大気が流入、流出することにより、当該間隙の圧力の増減が緩和されるが、基板やフォトマスクが大型化すると、大気の流入、流出が圧力の増減の速さに追い着かず、間隙の圧力が著しく増減することがある。この場合、例えばフォトマスクがマスクホルダーから離脱したり、破損することもある。
【０００５】
そこで、本発明は、大型のフォトマスクに適した露光方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以下、本発明について説明する。なお、本発明の理解を容易にするために添付図面の参照符号を括弧書きにて付記するが、それにより本発明が図示の形態に限定されるものではない。
【０００７】
本発明の露光方法は、複数の露光領域が設けられた基板（１００）とフォトマスク（４）とを所定のプロキシミティギャップ（Ｐ）を介して対向させて前記複数の露光領域に対して順次露光を行う露光方法において、前記フォトマスクを囲むスリット状の第１ノズル（１３）を介して給排気することにより前記基板と前記フォトマスクとの間隙の加減圧を行い、前記基板と前記フォトマスクとの間隙を調整し、開口が前記基板の表面と交差する方向に向けられた第２ノズル（１６）を前記第１ノズルの外側であって前記第２ノズルの外周側の下端が前記第１ノズルの内周側の下端よりも高くなる位置に設け、前記第２ノズルから不活性ガスの噴出を行うことにより、上述した課題を解決する。
【０００８】
本発明の露光方法によれば、基板とフォトマスクとの間隙の加減圧によって、間隙の圧力によりフォトマスクが下面から受ける力を調整可能である。従って、例えば、間隙の圧力を高めて大型のフォトマスクの自重による撓みを矯正することができる。また、基板とフォトマスクとの離間や接近に伴う間隙の圧力変化を緩和し、フォトマスクの脱落等を防止することもできる。しかも、本発明の露光方法では、フォトマスクの全周から間隙の加減圧を行うから、迅速に間隙の圧力を調整可能である。従って、間隙の圧力の変化に対して間隙の気体の流入、流出が追い着かない大型のフォトマスクに対して特に有効である。
【０００９】
本発明の露光方法において、前記基板への露光開始前に前記フォトマスクの撓みが矯正されるように、前記基板と前記フォトマスクとの間隙における圧力を調整してもよい。この場合、フォトマスクの撓みが矯正されてから露光が開始されるため、フォトマスクが変形したままで露光されるという不都合を回避できる。なお、撓みが完全に矯正された後に露光が開始されてもよいし、適宜に設定したレベルまで矯正された後に露光が開始されてもよい。撓みが矯正されたことを確認後、露光を開始するようにしてもよいし、設定された露光開始時期に間に合うように撓み矯正を行ってもよい。
【００１０】
本発明の露光方法において、大気圧にフォトマスクの単位面積あたりの重さを加算した圧力となるように、前記基板と前記フォトマスクとの間隙における圧力を調整してもよい。この場合、基板とフォトマスクとの間隙の気体がフォトマスクを押し上げる力は、大気圧とフォトマスクの重さによりフォトマスクに対して下方へ働く力と同じになる。従って、フォトマスクに働く力がキャンセルされて、自重による撓み変形が適正に矯正される。なお、間隙の圧力を上述した適正な圧力に保つためには、例えば、上述した適正な圧力で間隙に気体を噴出すればよい。また、フォトマスクの単位面積あたりの重さは、例えば、フォトマスクの材質の比重（比重量）にフォトマスクの厚さを乗算して求めればよい。
【００１１】
本発明の露光方法において、前記基板と前記フォトマスクとの間隙を狭くするときには、前記フォトマスクの周囲から前記間隙の排気を行い、前記基板と前記フォトマスクとの間隙を広くするときには、前記フォトマスクの周囲から前記間隙へ給気を行うことで前記基板と前記フォトマスクとのギャップ調整を行ってもよい。
【００１２】
基板とフォトマスクとを急激に接近又は離間させると、基板とフォトマスクとの間隙の気体がフォトマスクの周囲から流出、流入する時間的余裕が無く、間隙の圧力が上昇又は低下する。そして、間隙の圧力の上昇や低下がフォトマスクの脱落等を招くこともある。しかし、基板とフォトマスクとの接近、離間に合わせて間隙の排気、給気を行うことにより、圧力の上昇、低下が緩和され、フォトマスクの脱落等も防止される。換言すれば、基板とフォトマスクとを迅速に接近又は離間させることができる。しかも、本発明の露光方法では、フォトマスクの全周から間隙の給排気を行うから、迅速に間隙の圧力を調整可能である。従って、間隙の圧力の変化に対して間隙の気体の流入、流出が追い着かない大型のフォトマスクに対して特に有効である。
【００１３】
本発明の露光装置は、複数の露光領域が設けられた基板（１００）とフォトマスク（４）とを所定のプロキシミティギャップ（Ｐ）を介して対向させて前記複数の露光領域に対して順次露光を行う露光装置（１）において、開口が前記基板と前記フォトマスクとの間隙に臨み、前記フォトマスクを囲むスリット状の第１ノズル（１３）と、前記第１ノズルを介して前記基板と前記フォトマスクとの間隙の給排気手段（６）と、前記第１ノズルの外側にスリット状に設けられ、開口が前記基板の表面と交差する方向に向けられた第２ノズルと、前記第２ノズルを介して前記基板の表面に不活性ガスを供給する気体供給手段と、を備え、前記第２ノズルは、外周側の下端が前記第１ノズルの内周側の下端よりも高い位置に設けられていることにより、上述した課題を解決する。
【００１４】
本発明の露光装置によれば、上述した本発明の露光方法を実現可能である。
【００１５】
本発明の露光装置において、前記フォトマスクは前記フォトマスクを囲むマスクホルダー（５）に保持され、前記第１ノズルは、前記フォトマスクの側壁（４ｂ）と、前記マスクホルダーの内壁（１１ｃ）との間に間隙が設けられて形成されていてもよい。この場合、第１ノズルの内周側はフォトマスクの側壁によって形成されるから、マスクホルダーの構成を簡素にすることができる。しかも、第１ノズルはフォトマスクに隣接することになるから、フォトマスクと基板との間隙の給排気が確実に行われる。
【００１６】
本発明の露光装置において、前記マスクホルダーの下端部（１５）と前記基板とのギャップは、前記フォトマスクと前記基板とのギャップの５倍以下であってもよい。フォトマスクと基板との間隙の圧力は、第１ノズルからの給排気量、ギャップ、スリットの長さ等によって決定される。ここで、マスクホルダーの下端部が下方に突出するほど、フォトマスクと基板との間隙を正圧に保つ観点では望ましいが、その一方で、マスクホルダーの下端部が基板に接触するおそれも生じる。しかし、マスクホルダーの下端部と基板とのギャップがフォトマスクと基板とのギャップの５倍以下であれば、フォトマスクと基板との間隙の圧力を正圧に保つことが可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明を適用した露光装置１の構成を示す側面図である。露光装置１は、カラーフィルタ用の基板１００に対して露光を行う装置として構成されている。
【００１８】
基板１００は、例えばガラス基板で構成され、ガラス基板の表面には顔料やレジストが薄膜状に成膜されている。基板１００は、例えば厚さ１ｍｍ、面積４ｍ^２に形成されている。１枚の基板１００からは、６枚のカラーフィルターが取り出される。このため、図５にも示すように、基板１００上の６つの露光領域１００ａ…１００ａに対して露光装置１により露光が行われる。
【００１９】
図１の露光装置１は、基板１００を載置するステージ２と、ステージ２をＸ軸方向、Ｙ軸方向（図５参照）及び上下方向に駆動する駆動装置３と、ステージ２の上方に配置されたフォトマスク４と、フォトマスク４を保持するマスクホルダー５と、マスクホルダー５に給気を行うとともに、マスクホルダー５から排気を行う給排気装置６と、マスクホルダー５に窒素を供給する窒素供給装置７と、フォトマスク４の上方に配置された光源８と、制御装置９とを備えている。
【００２０】
駆動装置３は例えば電動モータとして構成されている。給排気装置６は加圧、減圧ラインと圧力調整弁などで構成され、不図示の窒素タンクから所望の圧力で窒素を送り出すことが可能である。窒素供給装置７は例えば圧力調整弁を含んで構成され、不図示の加圧窒素タンクから所望の圧力で窒素を送り出すことが可能である。制御装置９は、自己の記憶領域に保持しているプログラム等に従って、駆動装置３、給排気装置６、窒素供給装置７及び光源８の動作を制御する。
【００２１】
フォトマスク４は、図５に示すように、一つの露光領域１００ａを覆う大きさを有しており、露光領域１００ａと同じ面積の露光面４ａにマスクパターンが形成されている。
【００２２】
図２（ａ）はマスクホルダー５を示す断面図、図２（ｂ）はマスクホルダー５を下方からみた平面図である。マスクホルダー５は、下段部１１と、上段部１２とを備えている。
【００２３】
下段部１１は断面形状を逆Ｌ字型に形成され、フォトマスク４を囲むように設けられている。下段部１１は、フォトマスク４を保持するために吸着溝３を備えている。吸着溝３は下段部１１の水平部１１ａの下面内側に設けられている。吸着溝３を介して不図示の真空ポンプによりフォトマスク４と水平部１１ａの下面との間のエア抜きを行うことにより、フォトマスク４は下段部１１に吸着固定される。
【００２４】
下段部１１は、下方に開口するノズル１３と、ノズル１３に開口する気体流路１４とを備えている。ノズル１３は、下段部１１の内壁１１ｃとフォトマスク４の側壁４ｂとの間に間隙が設けられることにより形成され、フォトマスク４を囲むスリット状のノズルとなっている。気体流路１４はノズル１３の外周に沿って設けられている。気体流路１４は全周に亘って連続してノズル１３に開口していてもよいし、間欠的にノズル１３に開口していてもよい。気体流路１４は給排気装置６と接続されている。また、ノズル１３の外周側（内壁１１ｃ）には下方に突出するエアダム１５が設けられている。エアダム１５はフォトマスク４の下面４ｄに比較して数十μｍ下方まで突出している。
【００２５】
上段部１２は断面形状を逆Ｌ字型に形成され、下段部１１を囲むように設けられている。上段部１２は、下方に開口するノズル１６と、ノズル１６に開口する気体流路１７とを備えている。ノズル１６は、上段部１２の内壁１２ａと下段部１１の外壁１１ｄとの間に間隙が設けられることにより形成され、下段部１１を囲むスリット状のノズルとなっている。ノズル１６の外周側（内壁１２ａ）の下端は、内周側（外壁１１ｄ）の下端よりも高くなっている。気体流路１７はノズル１６の外周に沿って設けられている。気体流路１７は全周に亘って連続してノズル１６に開口していてもよいし、間欠的にノズル１６に開口していてもよい。気体流路１７は窒素供給装置７と接続されている。
【００２６】
以上の構成を有する露光装置１の動作状態を説明する。図３は、制御装置９が実行する露光処理の手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば基板１００がステージ２に載置されたときに開始される。
【００２７】
まず、制御装置９は、フォトマスク４の下方に露光領域１００ａ…１００ａのいずれか一つ（例えば図５の（１）の露光領域１００ａ）が位置するように、駆動装置３の動作を制御してステージ２をＸＹ平面上で移動させる（ステップＳ１）。このときのフォトマスク４と基板１００との間隙は、例えば３００μｍである。ステップＳ２では、ステージ２を上昇させて、フォトマスク４と基板１００との間隙がプロキシミティギャップＰ（図１参照）になるように調整する。プロキシミティギャップは例えば１００μｍであり、フォトマスク４と基板１００との間隙は１秒程度で３００μｍから１００μｍまで狭められる。ステップＳ３では、光源８を駆動してフォトマスク４を介した露光を行う。ステップＳ４では、フォトマスク４と基板１００との間隙がステップＳ１における間隙（３００μｍ）になるまでステージを下降させる。このとき、フォトマスク４と基板１００との間隙は１秒程度で１００μｍから３００μｍまで広げられる。ステップＳ５では、全ての露光領域１００ａ…１００ａに対して露光が終了したか否か判定し、終了していないと判定したときは、ステップＳ１〜Ｓ４までを繰り返し、（２）から（６）までの露光領域１００ａに対する露光を順次実行する。
【００２８】
基板１００がフォトマスク４下にある間、制御装置９は給排気装置６を駆動して気体流路１４を介した給排気を行うことにより、フォトマスク４と基板１００との間隙の圧力を適宜な圧力に調整する。また、窒素供給装置７を駆動して、適宜な圧力で連続して気体流路１７に窒素を送り込む。特に、ステージの上昇時（図３のステップＳ２）及び下降時（図３のステップＳ４）では、以下のように給排気装置６を駆動する。
【００２９】
図４は、制御装置９が実行する圧力調整処理の手順を示すフローチャートである。この処理は、例えば、基板１００がステージ２に載置されたときに開始され、図３の露光処理と並行して実行される。また、この処理は、例えば、開始されてから図３の露光処理が終了するまでの間、０．１秒間隔で繰り返し実行される。
【００３０】
制御装置９は、ステージ上昇中（図３のステップＳ２参照）であるか否かを判定する（ステップＳ１１）。ステージ上昇中と判定した場合は、給排気装置６を駆動して、気体流路１４から気体を排気する（ステップＳ１２）。このときの排気量は、例えば、フォトマスク４と基板１００との間隙の圧力がフォトマスク４の撓み変形を矯正可能な正圧になるように設定する。ステージ上昇中でないと判定した場合は、ステージ下降中（図３のステップＳ４参照）であるか否かを判定する（ステップＳ１３）。ステージ下降中と判定した場合は、給排気装置６を駆動して、気体流路１４へ窒素を送り込む（ステップＳ１４）。
【００３１】
以上のように、露光装置１では、光源８を駆動して露光する前に、フォトマスク４と基板１００との間隙の圧力がフォトマスク４の撓み変形を矯正可能な静圧に調整される。従って、フォトマスク４の露光面４ａに亘ってフォトマスク４と基板１００とのプロキシミティギャップを均一にした状態で露光を行うことができる。
【００３２】
しかも、露光装置１では、フォトマスク４の外周四辺から窒素を送り込むため、大型のフォトマスク４に対しても迅速に給気可能である。さらに、フォトマスク４と基板１００との間隙の上部はエアダム１５に囲まれているから、間隙に気体が保持されやすい。従って、間隙の圧力を一定に保つことが容易である。
【００３３】
フォトマスク４と基板１００との間隙の圧力は、フォトマスク４の撓み変形を矯正可能な静圧であればよいが、より好ましくは、以下の式に示す圧力になるように調整してもよい。
【数１】

【００３４】
上式では、フォトマスクの材質比重（比重量）ρにフォトマスクの厚さｔを乗算してフォトマスクの単位面積あたりの重さを求め、そのフォトマスクの単位面積あたりの重さと大気圧とを足し合わせた圧力を間隙の圧力の適正値としている。適正値において、間隙の気体がフォトマスク４を押し上げる力は、大気圧とフォトマスク４の重さによりフォトマスク４に対して下方へ働く力と同じになる。従って、フォトマスク４に働く力がキャンセルされて、自重による撓み変形が適切に矯正される。なお、間隙の圧力が上式の適正値以下であると、フォトマスク４の変形を十分に矯正することができず、以上となると、間隙の圧力が増大しすぎてマスクが凸状に変形する。また、フォトマスク４の平坦度が重力ベンドを矯正しても凸又は凹である事が判れば間隙の圧力を更に補正して精度を向上できる。
【００３５】
基板１００とフォトマスク４との間隙の圧力を上式の圧力に保つには、種々の方法を利用してよい。例えば上式の圧力でノズル１３から窒素を送り込むように給排気装置６の動作を制御してもよい。間隙の圧力をモニタするとともに、そのモニタ結果に基づいて給排気装置６に対してフィードバック制御を行うことにより、間隙の圧力を上式の圧力に保ってもよい。間隙の圧力が上式の圧力に迅速に収束する給排気装置６の動作のパターンを実験等により予め求めておき、その動作を行うように給排気装置６を制御してもよい。
【００３６】
また、露光装置１では、ステージを上昇させている間は駆動装置６を駆動してフォトマスク４と基板１００との間隙から気体を排気し（ステップＳ１２）、ステージを下降させている間は駆動装置６を駆動して間隙に窒素を供給している（ステップＳ１４）。従って、ステージの上昇及び下降を短時間で実行することができる。
【００３７】
具体的には、例えばフォトマスク４、基板１００が大型化された場合（例えば基板サイズ１８００×１５００ｍｍ以上、マスクサイズ１１００×１０００ｍｍ以上）、ステップＳ２で基板１００とフォトマスク４との間隙を１秒間で３００μｍから１００μｍまで狭めようとすると、間隙の気体がフォトマスク４の周囲から抜ける時間的余裕が無く、間隙の圧力が上昇してしまう。このとき、間隙の容積は１／３となるため、間隙の圧力は部分的には大気圧の３倍になり得る。このため、フォトマスク４に加わる力がマスクホルダー５のフォトマスク４を吸着固定する能力を超えてしまい、フォトマスク４の固定位置にずれが生じてしまう。ずれが生じると露光領域１００ａ…１００ａの位置がずれてしまい、基板１００をＴＦＴ基板と貼り合わせたときに、露光領域１００ａ…１００ａとＴＦＴ基板に配置されたＴＦＴ回路との位置がずれてしまう。
【００３８】
また、ステップＳ４で基板１００とフォトマスク４との間隙を１秒間で１００μｍから３００μｍまで広げようとすると、間隙は負圧となるため、フォトマスク４がマスクホルダー５から脱落してしまい、フォトマスク４が破損してしまう。
【００３９】
このような事態を防ぐために、ステップＳ２及びＳ４における間隙の変化を時間をかけて（例えば３秒）行ったとすれば、基板の露光作業に長時間を要することになる。特に、基板１００では６つの露光領域に対して露光を行うから、ステップＳ２及びＳ４は１枚の基板１００に対して１２回行われ、作業時間の増加が累積される。このことは、１枚の基板１００から複数枚のカラーフィルタを取り出すことにより、カラーフィルタ１枚に対する平均作業時間を短縮可能とする多面取りのメリットを減殺することにもなる。
【００４０】
しかし、露光装置１では、ステップＳ２のステージ上昇時には間隙の気体を排気し、ステップＳ４のステージ下降時には間隙に気体を送り込むから、間隙の圧力変化の速さが緩和され、基板１００とフォトマスク４との間隙を変化させる時間を短くできる。
【００４１】
なお、ステージ上昇、ステージ下降における給排気においても、露光装置１はフォトマスク４の外周四辺から窒素を送り込むため、大型のフォトマスク４に対しても迅速に給排気可能である。
【００４２】
ステージ上昇、ステージ下降におけるノズル１３の給排気の量は、基板１００とフォトマスク４との間隙の変化の速さや、フォトマスクの大きさ等の種々の条件を考慮して適宜に設定してよい。また、ステージ上昇中又はステージ下降中に連続して給排気を行わなくともよく、例えば、間隙の圧力が負圧となるときに給気を行い、間隙の圧力が正圧となるときに排気を行ってもよい。
【００４３】
露光装置１では、基板１００がフォトマスク４下にある間、ノズル１３、１６から窒素が噴出される。従って、ステージ２をＸＹ軸方向に移動させたときに、フォトマスク４の上流側のノズル１６から噴出された窒素が基板１００とフォトマスク４との間隙に流入し、間隙は窒素で満たされる。さらに、露光時にはノズル１３から間隙へ窒素が送り込まれる。このため、レジストの酸素阻害による感度低下が生じず、露光時間を短縮することができる。
【００４４】
ノズル１６からの噴出圧力は、フォトマスク４の変形を矯正するための間隙の圧力に影響を及ぼさない圧力にすることが望ましい。
【００４５】
ノズル１６の外周側（内壁１２ａ）の下端は、内周側（外壁１１ｄ）の下端に比較して、基板１００との間隔が大きい。従って、ノズル１６の噴出圧力が何らかの原因により適正値より高くなっても、ノズル１６から噴出された窒素は外周側に逃げるため、基板１００とフォトマスク４との間隙の圧力に及ぼす影響は小さい。
【００４６】
本発明は以上の実施形態に限定されず、本発明の技術的思想と実質的に同一である限り、種々の形態で実施してよい。
【００４７】
給排気装置６によって気体流路１４に送り込まれる気体は窒素でなくともよい。また、ステップＳ１におけるステージ２の移動の際にもノズル１３から窒素を送り込むようにしてもよい。
【００４８】
基板１００とフォトマスク４との間隙の圧力の調整は、数式１に示した圧力のように予め実験等により求められた適正圧力まで調整するものに限定されない。例えば、図３の露光処理の実行中にフォトマスク４の撓み変形をモニタし、その撓み変形を矯正するようにフィードバック制御等により間隙の圧力を調整してもよい。
【００４９】
基板１００がフォトマスク４下に入る時から露光時のギャップになるように制御しステップ移動時もこのギャップを維持する様制御すれば露光毎のギャップ調整動作が不要になるだけでなく矯正精度も向上し能率が向上する。
【００５０】
マスクホルダーの下端部に突起部（エアダム１５）を設けなくともよい。また、マスクホルダーの下端部はフォトマスク４の下面４ｄよりも下方に突出していなくともよい。マスクホルダーの下端部と基板とのギャップがフォトマスクと基板とのギャップの５倍以下であれば、フォトマスクと基板との間隙の圧力を正圧に保つことが可能である。例えば、プロキシミティギャップが１００μｍである場合、マスクホルダーの下端部と基板とのギャップは５００μｍ以下であればよい。
【００５１】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、基板とフォトマスクとの間隙の加減圧によって、間隙の圧力によりフォトマスクが下面から受ける力を調整可能である。従って、例えば、間隙の圧力を高めて大型のフォトマスクの自重による撓みを矯正することができる。また、基板とフォトマスクとの離間や接近に伴う間隙の圧力変化を緩和し、フォトマスクの脱落等を防止することもできる。しかも、本発明の露光方法では、フォトマスクの全周から間隙の加減圧を行うから、迅速に間隙の圧力を調整可能である。従って、間隙の圧力の変化に対して間隙の気体の流入、流出が追い着かない大型のフォトマスクに対して特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の露光装置の構成を示す側面図。
【図２】図１の露光装置のマスクホルダーの構成を示す図。
【図３】図１の露光装置の制御装置が実行する露光処理の手順を示すフローチャート。
【図４】図１の露光装置の制御装置が実行する圧力調整処理の手順を示すフローチャート。
【図５】図１の露光装置のステージ上の様子を示す平面図。
【符号の説明】
１露光装置
２ステージ
４フォトマスク
５マスクホルダー
６給排気装置
９制御装置
１３ノズル
４ｂ側壁
１１ｃ内壁
１００基板
Ｐプロキシミティギャップ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an exposure method and an exposure apparatus.
[0002]
[Prior art]
An exposure method is known in which exposure is performed with a substrate such as a color filter and a photomask facing each other through a proximity gap (see Patent Document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2000-347020 A
[Problems to be solved by the invention]
In recent years, with the increase in size of color filters, the size of photomasks has also increased. For this reason, it is necessary to consider the influence of enlargement of the color filter and the photomask in the proximity type exposure. For example, when the photomask is increased in size, it becomes difficult to ensure the uniformity of the proximity gap across the exposure surface of the photomask due to bending deformation due to the weight of the photomask. When a multi-sided substrate is increased in size, the number of times of exposure for one substrate also increases, and the tact time of the exposure process decreases. When changing the gap between the substrate and the photomask, the increase or decrease in the pressure in the gap is mitigated by the inflow and outflow of air into the gap. However, when the size of the substrate or photomask is increased, the inflow or outflow of air is increased. May not catch up with the rate of pressure increase or decrease, and the pressure in the gap may increase or decrease significantly. In this case, for example, the photomask may be detached from the mask holder or damaged.
[0005]
Therefore, an object of the present invention is to provide an exposure method suitable for a large photomask.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention will be described below. In order to facilitate understanding of the present invention, reference numerals in the accompanying drawings are appended in parentheses, but the present invention is not limited to the illustrated embodiment.
[0007]
In the exposure method of the present invention, a substrate (100) provided with a plurality of exposure regions and a photomask (4) are opposed to each other with a predetermined proximity gap (P), and the plurality of exposure regions are sequentially arranged. In the exposure method for performing exposure, the gap between the substrate and the photomask is increased / decreased by supplying and exhausting air through a slit-shaped first nozzle (13) surrounding the photomask, and the substrate and the photomask. The second nozzle (16) whose opening is directed in a direction intersecting the surface of the substrate is outside the first nozzle, and the lower end on the outer peripheral side of the second nozzle is the first nozzle. The above-described problem is solved by providing the nozzle at a position higher than the lower end on the inner peripheral side of the nozzle and ejecting the inert gas from the second nozzle.
[0008]
According to the exposure method of the present invention, the force applied to the photomask from the lower surface by the pressure of the gap can be adjusted by the pressure increase / decrease of the gap between the substrate and the photomask. Therefore, for example, it is possible to correct the deflection due to the weight of the large photomask by increasing the pressure of the gap. In addition, it is possible to reduce a change in the pressure of the gap caused by the separation and approach between the substrate and the photomask, and to prevent the photomask from dropping off. Moreover, in the exposure method of the present invention, the pressure in the gap is increased and decreased from the entire circumference of the photomask, so that the pressure in the gap can be adjusted quickly. Therefore, it is particularly effective for a large photomask in which inflow and outflow of gas in the gap cannot catch up with changes in the pressure in the gap.
[0009]
In the exposure method of the present invention, the pressure in the gap between the substrate and the photomask may be adjusted so that the deflection of the photomask is corrected before the exposure to the substrate is started. In this case, since the exposure is started after the deflection of the photomask is corrected, it is possible to avoid the inconvenience that the photomask is exposed while being deformed. Note that the exposure may be started after the deflection has been completely corrected, or the exposure may be started after being corrected to an appropriately set level. After confirming that the deflection has been corrected, the exposure may be started, or the deflection may be corrected in time for the set exposure start time.
[0010]
In the exposure method of the present invention, the pressure in the gap between the substrate and the photomask may be adjusted so as to be a pressure obtained by adding the weight per unit area of the photomask to the atmospheric pressure. In this case, the force with which the gas in the gap between the substrate and the photomask pushes up the photomask is the same as the force acting downward on the photomask due to the atmospheric pressure and the weight of the photomask. Therefore, the force acting on the photomask is canceled and the bending deformation due to its own weight is corrected appropriately. In order to keep the pressure of the gap at the appropriate pressure described above, for example, gas may be ejected into the gap at the appropriate pressure described above. Further, the weight per unit area of the photomask may be obtained, for example, by multiplying the specific gravity (specific weight) of the photomask material by the thickness of the photomask.
[0011]
In the exposure method of the present invention, when the gap between the substrate and the photomask is narrowed, the gap is evacuated from around the photomask, and when the gap between the substrate and the photomask is widened, the photomask is exhausted. may it line gap adjustment between the substrate and the photomask by performing air supply from the ambient of the mask to the gap.
[0012]
When the substrate and the photomask are abruptly approached or separated, there is no time for the gas in the gap between the substrate and the photomask to flow out and inflow from the periphery of the photomask, and the gap pressure increases or decreases. The increase or decrease in the gap pressure may cause the photomask to fall off. However, when the gap is exhausted and supplied in accordance with the approach and separation between the substrate and the photomask, the increase and decrease in pressure are alleviated and the photomask is prevented from falling off. In other words, the substrate and the photomask can be quickly approached or separated. Moreover, in the exposure method of the present invention, the gap pressure is supplied and exhausted from the entire circumference of the photomask, so that the gap pressure can be adjusted quickly. Therefore, it is particularly effective for a large photomask in which inflow and outflow of gas in the gap cannot catch up with changes in the pressure in the gap.
[0013]
In the exposure apparatus of the present invention, a substrate (100) provided with a plurality of exposure regions and a photomask (4) are opposed to each other through a predetermined proximity gap (P), and sequentially with respect to the plurality of exposure regions. In an exposure apparatus (1) that performs exposure, an opening faces a gap between the substrate and the photomask, and a slit-shaped first nozzle (13) that surrounds the photomask, and the substrate through the first nozzle A supply / exhaust means (6) for a gap with the photomask, a second nozzle provided in a slit shape outside the first nozzle, and an opening directed in a direction intersecting the surface of the substrate, and the second Gas supply means for supplying an inert gas to the surface of the substrate through the nozzle, and the second nozzle is provided at a position where the lower end on the outer peripheral side is higher than the lower end on the inner peripheral side of the first nozzle. to Rukoto have been , To solve the problems described above.
[0014]
According to the exposure apparatus of the present invention, the above-described exposure method of the present invention can be realized.
[0015]
In the exposure apparatus of the present invention, the photomask is held by a mask holder (5) surrounding the photomask, and the first nozzle includes a side wall (4b) of the photomask and an inner wall (11c) of the mask holder. A gap may be provided between them. In this case, since the inner peripheral side of the first nozzle is formed by the side wall of the photomask, the configuration of the mask holder can be simplified. In addition, since the first nozzle is adjacent to the photomask, the supply / exhaust of the gap between the photomask and the substrate is reliably performed.
[0016]
In the exposure apparatus of the present invention, the gap between the lower end portion (15) of the mask holder and the substrate may be not more than 5 times the gap between the photomask and the substrate. The pressure in the gap between the photomask and the substrate is determined by the supply / exhaust amount from the first nozzle, the gap, the length of the slit, and the like. Here, as the lower end portion of the mask holder protrudes downward, it is desirable from the viewpoint of keeping the gap between the photomask and the substrate at a positive pressure, but on the other hand, the lower end portion of the mask holder may come into contact with the substrate. However, if the gap between the lower end of the mask holder and the substrate is not more than 5 times the gap between the photomask and the substrate, the pressure in the gap between the photomask and the substrate can be kept positive.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a side view showing a configuration of an exposure apparatus 1 to which the present invention is applied. The exposure apparatus 1 is configured as an apparatus that performs exposure on the color filter substrate 100.
[0018]
The substrate 100 is made of, for example, a glass substrate, and a pigment or a resist is formed into a thin film on the surface of the glass substrate. The substrate 100 is formed with a thickness of 1 mm and an area of 4 m ² , for example. Six color filters are taken out from one substrate 100. Therefore, as shown in FIG. 5, the exposure apparatus 1 exposes the six exposure regions 100a... 100a on the substrate 100.
[0019]
An exposure apparatus 1 in FIG. 1 is arranged above a stage 2 on which a stage 2 on which a substrate 100 is placed, a driving apparatus 3 that drives the stage 2 in the X-axis direction, the Y-axis direction (see FIG. 5), and the vertical direction. Photomask 4, mask holder 5 that holds the photomask 4, air supply / exhaust device 6 that supplies air to the mask holder 5 and exhausts air from the mask holder 5, and nitrogen that supplies nitrogen to the mask holder 5 A supply device 7, a light source 8 disposed above the photomask 4, and a control device 9 are provided.
[0020]
The drive device 3 is configured as an electric motor, for example. The air supply / exhaust device 6 includes a pressurization / decompression line and a pressure control valve, and can send out nitrogen at a desired pressure from a nitrogen tank (not shown). The nitrogen supply device 7 includes, for example, a pressure adjustment valve, and can send out nitrogen at a desired pressure from a pressurized nitrogen tank (not shown). The control device 9 controls operations of the drive device 3, the air supply / exhaust device 6, the nitrogen supply device 7, and the light source 8 according to a program or the like held in its own storage area.
[0021]
As shown in FIG. 5, the photomask 4 has a size that covers one exposure region 100a, and a mask pattern is formed on the exposure surface 4a having the same area as the exposure region 100a.
[0022]
2A is a cross-sectional view showing the mask holder 5, and FIG. 2B is a plan view of the mask holder 5 seen from below. The mask holder 5 includes a lower step portion 11 and an upper step portion 12.
[0023]
The lower step portion 11 is formed in an inverted L-shaped cross section and is provided so as to surround the photomask 4. The lower part 11 includes a suction groove 3 for holding the photomask 4. The suction groove 3 is provided inside the lower surface of the horizontal portion 11 a of the lower step portion 11. The photomask 4 is sucked and fixed to the lower stage portion 11 by performing air bleeding between the photomask 4 and the lower surface of the horizontal portion 11a through the suction groove 3 by a vacuum pump (not shown).
[0024]
The lower portion 11 includes a nozzle 13 that opens downward, and a gas flow path 14 that opens to the nozzle 13. The nozzle 13 is formed by providing a gap between the inner wall 11 c of the lower step portion 11 and the side wall 4 b of the photomask 4, and is a slit-like nozzle surrounding the photomask 4. The gas flow path 14 is provided along the outer periphery of the nozzle 13. The gas flow path 14 may continuously open to the nozzle 13 over the entire circumference, or may intermittently open to the nozzle 13. The gas flow path 14 is connected to the air supply / exhaust device 6. Further, an air dam 15 protruding downward is provided on the outer peripheral side (inner wall 11 c) of the nozzle 13. The air dam 15 protrudes several tens of μm below the lower surface 4 d of the photomask 4.
[0025]
The upper step portion 12 is formed in an inverted L shape in cross section and is provided so as to surround the lower step portion 11. The upper stage portion 12 includes a nozzle 16 that opens downward, and a gas flow path 17 that opens to the nozzle 16. The nozzle 16 is formed by providing a gap between the inner wall 12 a of the upper step portion 12 and the outer wall 11 d of the lower step portion 11, and is a slit-like nozzle surrounding the lower step portion 11. The lower end of the outer peripheral side (inner wall 12a) of the nozzle 16 is higher than the lower end of the inner peripheral side (outer wall 11d). The gas flow path 17 is provided along the outer periphery of the nozzle 16. The gas channel 17 may continuously open to the nozzle 16 over the entire circumference, or may intermittently open to the nozzle 16. The gas flow path 17 is connected to the nitrogen supply device 7.
[0026]
An operation state of the exposure apparatus 1 having the above configuration will be described. FIG. 3 is a flowchart showing the procedure of exposure processing executed by the control device 9. This process is started, for example, when the substrate 100 is placed on the stage 2.
[0027]
First, the control device 9 controls the operation of the driving device 3 so that any one of the exposure regions 100a... 100a (for example, the exposure region 100a of (1) in FIG. 5) is positioned below the photomask 4. Then, the stage 2 is moved on the XY plane (step S1). At this time, the gap between the photomask 4 and the substrate 100 is, for example, 300 μm. In step S2, the stage 2 is raised and adjusted so that the gap between the photomask 4 and the substrate 100 becomes the proximity gap P (see FIG. 1). The proximity gap is, for example, 100 μm, and the gap between the photomask 4 and the substrate 100 is narrowed from 300 μm to 100 μm in about 1 second. In step S3, the light source 8 is driven to perform exposure through the photomask 4. In step S4, the stage is lowered until the gap between the photomask 4 and the substrate 100 becomes the gap (300 μm) in step S1. At this time, the gap between the photomask 4 and the substrate 100 is expanded from 100 μm to 300 μm in about 1 second. In step S5, it is determined whether or not the exposure has been completed for all the exposure regions 100a... 100a. If it is determined that the exposure has not been completed, steps S1 to S4 are repeated, from (2) to (6). The exposure to the exposure area 100a is sequentially executed.
[0028]
While the substrate 100 is under the photomask 4, the control device 9 drives the air supply / exhaust device 6 to perform air supply / exhaust through the gas flow path 14, thereby appropriately adjusting the pressure in the gap between the photomask 4 and the substrate 100. Adjust to the correct pressure. Further, the nitrogen supply device 7 is driven, and nitrogen is continuously fed into the gas flow path 17 at an appropriate pressure. In particular, when the stage is raised (step S2 in FIG. 3) and lowered (step S4 in FIG. 3), the air supply / exhaust device 6 is driven as follows.
[0029]
FIG. 4 is a flowchart showing a procedure of pressure adjustment processing executed by the control device 9. This process is started, for example, when the substrate 100 is placed on the stage 2, and is executed in parallel with the exposure process of FIG. Further, this process is repeatedly executed at an interval of 0.1 seconds from the start to the end of the exposure process in FIG.
[0030]
The control device 9 determines whether or not the stage is being raised (see step S2 in FIG. 3) (step S11). If it is determined that the stage is rising, the air supply / exhaust device 6 is driven to exhaust the gas from the gas flow path 14 (step S12). The exhaust amount at this time is set so that, for example, the pressure in the gap between the photomask 4 and the substrate 100 becomes a positive pressure that can correct the deformation of the photomask 4. If it is determined that the stage is not being raised, it is determined whether or not the stage is being lowered (see step S4 in FIG. 3) (step S13). When it is determined that the stage is being lowered, the air supply / exhaust device 6 is driven to send nitrogen into the gas flow path 14 (step S14).
[0031]
As described above, in the exposure apparatus 1, the pressure in the gap between the photomask 4 and the substrate 100 is adjusted to a static pressure that can correct the bending deformation of the photomask 4 before the light source 8 is driven to perform exposure. Therefore, the exposure can be performed in a state where the proximity gap between the photomask 4 and the substrate 100 is uniform over the exposure surface 4a of the photomask 4.
[0032]
In addition, since the exposure apparatus 1 feeds nitrogen from the four sides of the outer periphery of the photomask 4, the large-scale photomask 4 can be quickly supplied with air. Furthermore, since the upper part of the gap between the photomask 4 and the substrate 100 is surrounded by the air dam 15, gas is easily held in the gap. Therefore, it is easy to keep the gap pressure constant.
[0033]
The pressure in the gap between the photomask 4 and the substrate 100 may be a static pressure that can correct the bending deformation of the photomask 4, but more preferably, the pressure may be adjusted to the pressure represented by the following formula. .
[Expression 1]

[0034]
In the above equation, the weight per unit area of the photomask is obtained by multiplying the specific gravity (specific weight) ρ of the photomask by the thickness t of the photomask, and the weight per unit area of the photomask and the atmospheric pressure Is the appropriate value for the gap pressure. At an appropriate value, the force with which the gas in the gap pushes up the photomask 4 is the same as the force acting downward on the photomask 4 due to the atmospheric pressure and the weight of the photomask 4. Accordingly, the force acting on the photomask 4 is canceled and the bending deformation due to its own weight is appropriately corrected. If the gap pressure is less than or equal to the appropriate value of the above equation, the deformation of the photomask 4 cannot be sufficiently corrected. If the gap pressure exceeds the above value, the gap pressure increases excessively and the mask deforms into a convex shape. . Further, if the flatness of the photomask 4 is found to be convex or concave even when the gravity bend is corrected, the accuracy of the gap can be further corrected by improving the gap pressure.
[0035]
Various methods may be used to keep the pressure in the gap between the substrate 100 and the photomask 4 at the above pressure. For example, the operation of the air supply / exhaust device 6 may be controlled so that nitrogen is fed from the nozzle 13 at the above pressure. The pressure in the gap may be maintained at the above-mentioned pressure by monitoring the pressure in the gap and performing feedback control on the air supply / exhaust device 6 based on the monitoring result. An operation pattern of the air supply / exhaust device 6 in which the pressure of the gap quickly converges to the above-described pressure may be obtained in advance by experiments or the like, and the air supply / exhaust device 6 may be controlled to perform the operation.
[0036]
In the exposure apparatus 1, the driving device 6 is driven while the stage is raised to exhaust gas from the gap between the photomask 4 and the substrate 100 (step S12), and is driven while the stage is lowered. The apparatus 6 is driven to supply nitrogen to the gap (step S14). Accordingly, the raising and lowering of the stage can be executed in a short time.
[0037]
Specifically, for example, when the photomask 4 and the substrate 100 are enlarged (for example, a substrate size of 1800 × 1500 mm or more, a mask size of 1100 × 1000 mm or more), the gap between the substrate 100 and the photomask 4 is set to 1 second in step S2. If it is attempted to reduce the gap from 300 μm to 100 μm, there is no time for the gap gas to escape from the periphery of the photomask 4, and the gap pressure will increase. At this time, since the volume of the gap is 1/3, the pressure in the gap can be partially three times the atmospheric pressure. For this reason, the force applied to the photomask 4 exceeds the ability of the mask holder 5 to suck and fix the photomask 4, and the fixing position of the photomask 4 is shifted. When the displacement occurs, the position of the exposure regions 100a... 100a is displaced, and when the substrate 100 is bonded to the TFT substrate, the positions of the exposure regions 100a... 100a and the TFT circuit disposed on the TFT substrate are displaced.
[0038]
In step S4, if the gap between the substrate 100 and the photomask 4 is increased from 100 μm to 300 μm in one second, the gap becomes negative pressure, so that the photomask 4 falls off from the mask holder 5, and the photomask 4 will be damaged.
[0039]
In order to prevent such a situation, if the change of the gap in steps S2 and S4 is performed over time (for example, 3 seconds), it takes a long time for the substrate exposure operation. In particular, since exposure is performed on six exposure areas on the substrate 100, steps S2 and S4 are performed 12 times on one substrate 100, and an increase in work time is accumulated. This also reduces the merit of multi-planarization that can reduce the average working time for one color filter by taking out a plurality of color filters from one substrate 100.
[0040]
However, since the exposure apparatus 1 exhausts the gas in the gap when the stage is raised in step S2 and sends the gas into the gap when the stage is lowered in step S4, the speed of pressure change in the gap is reduced, and the substrate 100 and the photomask 4 are reduced. It is possible to shorten the time for changing the gap.
[0041]
In addition, since the exposure apparatus 1 sends nitrogen from the four sides of the outer periphery of the photomask 4 even when the stage is raised and lowered, the large-scale photomask 4 can be quickly supplied and exhausted.
[0042]
The amount of air supply / exhaust from the nozzle 13 when the stage is raised and lowered may be appropriately set in consideration of various conditions such as the speed of change in the gap between the substrate 100 and the photomask 4 and the size of the photomask. . Further, it is not necessary to continuously supply and exhaust air while the stage is rising or descending.For example, air supply is performed when the gap pressure is negative, and exhaust is performed when the gap pressure is positive. You may go.
[0043]
In the exposure apparatus 1, nitrogen is ejected from the

nozzles

13 and 16 while the substrate 100 is under the photomask 4. Therefore, when the stage 2 is moved in the XY-axis direction, nitrogen blown from the nozzle 16 on the upstream side of the photomask 4 flows into the gap between the substrate 100 and the photomask 4, and the gap is filled with nitrogen. Furthermore, nitrogen is sent from the nozzle 13 into the gap during exposure. For this reason, the sensitivity is not lowered by oxygen inhibition of the resist, and the exposure time can be shortened.
[0044]
The ejection pressure from the nozzle 16 is preferably set to a pressure that does not affect the pressure of the gap for correcting the deformation of the photomask 4.
[0045]
The lower end of the outer peripheral side (inner wall 12a) of the nozzle 16 has a larger distance from the substrate 100 than the lower end of the inner peripheral side (outer wall 11d). Therefore, even if the jet pressure of the nozzle 16 becomes higher than an appropriate value for some reason, the nitrogen jetted from the nozzle 16 escapes to the outer peripheral side, so that the influence on the pressure in the gap between the substrate 100 and the photomask 4 is small.
[0046]
The present invention is not limited to the above embodiment, and may be implemented in various forms as long as it is substantially the same as the technical idea of the present invention.
[0047]
The gas fed into the gas flow path 14 by the air supply / exhaust device 6 may not be nitrogen. Further, nitrogen may be fed from the nozzle 13 when the stage 2 is moved in step S1.
[0048]
The adjustment of the pressure in the gap between the substrate 100 and the photomask 4 is not limited to adjusting the pressure to the appropriate pressure obtained in advance through experiments or the like, such as the pressure shown in Formula 1. For example, the bending pressure of the photomask 4 may be monitored during the exposure process of FIG. 3, and the gap pressure may be adjusted by feedback control or the like so as to correct the bending deformation.
[0049]
If the substrate 100 is controlled to be the gap at the time of exposure from the time when the substrate 100 enters under the photomask 4 and is controlled so as to maintain this gap even during the step movement, not only the gap adjustment operation for each exposure becomes unnecessary, but also the correction accuracy is improved. Improve efficiency.
[0050]
The protrusion (air dam 15) may not be provided at the lower end of the mask holder. Further, the lower end portion of the mask holder may not protrude downward from the lower surface 4 d of the photomask 4. If the gap between the lower end of the mask holder and the substrate is not more than 5 times the gap between the photomask and the substrate, the pressure in the gap between the photomask and the substrate can be kept positive. For example, when the proximity gap is 100 μm, the gap between the lower end of the mask holder and the substrate may be 500 μm or less.
[0051]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the force applied to the photomask from the lower surface by the pressure of the gap can be adjusted by the pressure increase / decrease of the gap between the substrate and the photomask. Therefore, for example, it is possible to correct the deflection due to the weight of the large photomask by increasing the pressure of the gap. In addition, it is possible to reduce a change in the pressure of the gap caused by the separation and approach between the substrate and the photomask, and to prevent the photomask from dropping off. Moreover, in the exposure method of the present invention, the pressure in the gap is increased and decreased from the entire circumference of the photomask, so that the pressure in the gap can be adjusted quickly. Therefore, it is particularly effective for a large photomask in which inflow and outflow of gas in the gap cannot catch up with changes in the pressure in the gap.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side view showing the arrangement of an exposure apparatus according to the present invention.
2 is a view showing a configuration of a mask holder of the exposure apparatus in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a flowchart showing a procedure of exposure processing executed by the control device of the exposure apparatus in FIG. 1;
4 is a flowchart showing a procedure of pressure adjustment processing executed by the control device of the exposure apparatus shown in FIG. 1;
5 is a plan view showing a state on the stage of the exposure apparatus in FIG. 1. FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Exposure apparatus 2 Stage 4 Photomask 5 Mask holder 6 Supply / exhaust apparatus 9 Control apparatus 13 Nozzle

4b Side wall

11c Inner wall 100 Substrate P Proximity gap

Claims

In an exposure method in which a substrate provided with a plurality of exposure regions and a photomask are opposed to each other with a predetermined proximity gap to sequentially expose the plurality of exposure regions.
The pressure between the substrate and the photomask is increased / decreased by supplying and exhausting air through a slit-shaped first nozzle surrounding the photomask, and the gap between the substrate and the photomask is adjusted,
The second nozzle whose opening is directed in the direction intersecting the surface of the substrate is outside the first nozzle, and the lower end on the outer peripheral side of the second nozzle is higher than the lower end on the inner peripheral side of the first nozzle. And an inert gas is ejected from the second nozzle.

2. The exposure method according to claim 1, wherein the pressure in the gap between the substrate and the photomask is adjusted so that the deflection of the photomask is corrected before the exposure of the substrate is started.

3. The exposure method according to claim 1, wherein the pressure in the gap between the substrate and the photomask is adjusted so as to be a pressure obtained by adding the weight per unit area of the photomask to the atmospheric pressure. .

When the gap between the substrate and the photomask is narrowed, the gap is evacuated from around the photomask, and when the gap between the substrate and the photomask is widened, the gap from the periphery of the photomask to the gap. The exposure method according to any one of claims 1 to 3, wherein a gap between the substrate and the photomask is adjusted by supplying air.

In an exposure apparatus that sequentially exposes the plurality of exposure regions with a substrate provided with a plurality of exposure regions and a photomask facing each other through a predetermined proximity gap,
A slit-shaped first nozzle having an opening facing a gap between the substrate and the photomask, and surrounding the photomask;
Air supply / exhaust means for supplying / exhausting the gap between the substrate and the photomask through the first nozzle;
A second nozzle provided in a slit shape outside the first nozzle, the opening being directed in a direction intersecting the surface of the substrate;
Gas supply means for supplying an inert gas to the surface of the substrate through the second nozzle,
An exposure apparatus , wherein the second nozzle is provided at a position where the lower end on the outer peripheral side is higher than the lower end on the inner peripheral side of the first nozzle .

The photomask is held in a mask holder surrounding the photomask;
6. The exposure apparatus according to claim 5, wherein the first nozzle is formed with a gap between a side wall of the photomask and an inner wall of the mask holder.

The exposure apparatus according to claim 6, wherein a gap between a lower end portion of the mask holder and the substrate is not more than five times a gap between the photomask and the substrate.