JP4332068B2 - Lead frame manufacturing method - Google Patents
Lead frame manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4332068B2 JP4332068B2 JP2004156684A JP2004156684A JP4332068B2 JP 4332068 B2 JP4332068 B2 JP 4332068B2 JP 2004156684 A JP2004156684 A JP 2004156684A JP 2004156684 A JP2004156684 A JP 2004156684A JP 4332068 B2 JP4332068 B2 JP 4332068B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- sealing resin
- adhesion
- layer
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明はリードフレームの製造方法に関するものであり、特にリードフレームと封止樹脂との気密性の改良に関する。
The present invention relates to a method of manufacturing a lead frame, more particularly air-tightness improved between the lead frame and the sealing resin.
従来のリードフレームとその製造方法としては、慣用技術であるエッチング技術により、リードフレームの断面形状を丸みを帯びた形状とし、封止樹脂との密着性の改善、応力の均等化を図っているものがあった（例えば、特許文献１参照）。さらに、粗面化めっき技術により、リードフレーム表面を粗面化して封止樹脂とのアンカー効果（機械的結合）により密着性を改善しているものがあった（例えば、特許文献２参照）。 As a conventional lead frame and its manufacturing method, the cross-sectional shape of the lead frame is rounded by an etching technique which is a conventional technique to improve the adhesion with the sealing resin and equalize the stress. There was a thing (for example, refer to patent documents 1). Furthermore, there has been a technique in which the surface of the lead frame is roughened by a roughening plating technique and the adhesion is improved by an anchor effect (mechanical coupling) with a sealing resin (for example, see Patent Document 2).
図３は、特許文献１に記載された従来のリードフレームを示す断面図である。図３において、１０１はリードフレームであり、１０２は半導体素子などを搭載するダイパッド部であり、１０３は外部回路などとの接続に用いられるリードである。ダイパッド部１０２とリード１０３とは枠材（図示せず）で連結しリードフレーム１０１を構成する。ダイパッド部１０２とリード１０３の断面形状を丸みを帯びた形状とすることでダイパッド部１０２とリード１０３に加わる応力を低減することで封止樹脂（図示せず）とリードフレーム１０１との密着性を改善し耐湿性、密着性などの信頼性の向上を図っていた。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a conventional lead frame described in Patent Document 1. As shown in FIG. In FIG. 3, 101 is a lead frame, 102 is a die pad portion on which a semiconductor element or the like is mounted, and 103 is a lead used for connection with an external circuit or the like. The
図４Ａは、特許文献２に記載された従来のリードフレームを示す断面図である。図４Ｂは図４ＡのＺ部分の拡大断面図である。図３と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。１０４はリードフレーム１０１表面を粗面化することを目的とした部分電解めっき技術を用い選択的に形成された粗面化めっき層である。これは少なくとも封止樹脂（図示せず）と接する表面に凹凸の激しい粗面化めっき層１０４を形成し、ワイヤーボンディングなどに必要な部分に接続用めっき１０５を形成することで封止樹脂（図示せず）とリードフレーム１０１との密着性を改善し耐湿性、密着性などの信頼性の向上を図っていた。
しかし、前記従来の構成では、いずれもリードフレーム１０１と封止樹脂（図示せず）との密着性を改善し耐湿性、密着性などの信頼性の向上に一定の効果を有していたが、鉄や銅などの金属からなるリードフレーム１０１と封止樹脂（図示せず）と熱膨張率が異なり、リードフレーム１０１と封止樹脂（図示せず）との間に微少な隙間が発生し、耐湿性に劣るという問題を有していた。
However, each of the conventional configurations has improved the adhesion between the
本発明は、前記従来の問題を解決するもので、リードフレームと封止樹脂とを強固に密着させ、リードフレームと封止樹脂との間に隙間が生じないようにしたリードフレームの製造方法を提供する。
The present invention is the one that solves the conventional problems, it is strongly adhered to the lead frame and the sealing resin, the manufacturing method of leadframe which was not allowed to create a gap between the lead frame and the sealing resin I will provide a.
本発明のリードフレームの製造方法は、ダイパッド部とリードとを備えたリードフレームの製造方法において、前記リードフレームの平坦面から端面にかけて連続した面を形成すると同時に前記リードフレーム表面を算術平均粗さＲａで３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に平滑処理する連続面形成平滑処理工程と、前記リードフレーム表面に表面改質層を形成する表面改質層形成工程とを含むことを特徴とする。
The lead frame manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing a lead frame including a die pad portion and leads, and at the same time forming a continuous surface from a flat surface to an end surface of the lead frame, the surface of the lead frame is arithmetic mean roughness It includes a continuous surface forming smoothing process for smoothing in a range of 30 nm to 80 nm with Ra, and a surface modifying layer forming process for forming a surface modifying layer on the surface of the lead frame.
本発明のリードフレームの製造方法によれば、リードフレームと封止樹脂との界面が強固な化学結合により、耐湿性、密着性及び気密性を向上できる。さらに、その製造方法によれば、レジスト塗布やレジスト剥離などレジストを用いて選択的にエッチングを行う際の煩雑な工程を採用することなくリードフレームに発生した、ダレ、剪断面、破断面、バリの除去と同時に平坦部から端面にかけて連続した面を構成するとともにリードフレームの表面粗さをＲａ３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下に備えたリードフレームを形成することができる。 According to the lead frame manufacturing method of the present invention, moisture resistance, adhesion, and airtightness can be improved by a chemical bond with a strong interface between the lead frame and the sealing resin. Further, according to the manufacturing method, sagging, shearing surface, fracture surface, burrs, and the like generated in the lead frame without adopting complicated steps for selective etching using resist such as resist coating and resist peeling. A lead frame having a continuous surface from the flat part to the end face and a surface roughness of the lead frame of Ra 30 nm or more and 80 nm or less can be formed at the same time as the removal.
本発明のリードフレーム表面は算術平均粗さＲａで３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲の平滑面に形成され、かつ前記リードフレーム表面の平滑面に表面改質層が形成されている。前記の平滑面と表面改質層との相乗作用により、前記リードフレーム表面と封止樹脂との界面を強固な化学結合により、耐湿性、密着性及び気密性を向上できる。算術平均粗さＲａで３０ｎｍ未満では、耐湿性、密着性及び気密性は低下する傾向となる。またＲａが８０ｎｍを超えると、耐湿性、密着性及び気密性は低下する傾向となる。 The lead frame surface of the present invention is formed on a smooth surface with an arithmetic average roughness Ra in the range of 30 nm to 80 nm, and a surface modification layer is formed on the smooth surface of the lead frame surface. Due to the synergistic action of the smooth surface and the surface modification layer, moisture resistance, adhesion and airtightness can be improved by a strong chemical bond at the interface between the lead frame surface and the sealing resin. When the arithmetic average roughness Ra is less than 30 nm, the moisture resistance, adhesion and airtightness tend to decrease. On the other hand, when Ra exceeds 80 nm, the moisture resistance, adhesion and airtightness tend to decrease.
前記リードフレーム表面の平滑面の上に形成された表面改質層が、有機被膜層でシランカップリング剤層であることが好ましい。 The surface modification layer formed on the smooth surface of the lead frame surface is preferably an organic coating layer and a silane coupling agent layer.
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
（実施の形態１）
図１Ａは、本発明の実施の形態１におけるリードフレームの断面図である。図１Ｂは図１ＡのＸ部分の拡大断面図である。図１において、リードフレーム１は銅や銅合金からなる薄板材をプレス加工又はエッチング加工したリードフレームであり、半導体素子（図示せず）を搭載するダイパッド部２と、半導体素子（図示せず）と外部回路（図示せず）とを導通接続するリード３とを備えている。リードフレーム１表面の少なくとも封止樹脂（図示せず）と接する部分に有機被膜層としてシリコンを含有した有機化合物のシランカップリング剤を含有する表面改質剤の表面改質層６を構成している。シランカップリング剤はアミノ官能性シランであり（構造式Ｘ−Ｓｉ（ＯＲ）3）、用いる溶剤はエタノール、イソプロピルアルコールなどで、その被膜厚さ平均で５０ｎｍ以下である。
(Embodiment 1)
FIG. 1A is a cross-sectional view of the lead frame according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view of a portion X in FIG. 1A. In FIG. 1, a lead frame 1 is a lead frame obtained by pressing or etching a thin plate material made of copper or a copper alloy, a die pad portion 2 on which a semiconductor element (not shown) is mounted, and a semiconductor element (not shown). And an external circuit (not shown). A surface modifying layer 6 of a surface modifying agent containing a silane coupling agent of an organic compound containing silicon is formed as an organic coating layer on at least a portion of the surface of the lead frame 1 in contact with a sealing resin (not shown). Yes. The silane coupling agent is an amino-functional silane (structural formula X-Si (OR) 3 ), and the solvent used is ethanol, isopropyl alcohol or the like, and the average film thickness is 50 nm or less.
リードフレーム１は平坦面７から端面８にかけて連続した面で構成されており、その表面の表面粗さがＲａ（算術平均粗さ）３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下に形成されている。例えば、シラン化合物を含有する表面改質剤を吹き付け法や浸漬法などにより表面改質層６を形成した場合、リードフレーム１表面の銅金属と表面改質剤成分との化学結合により気密性が著しく向上する。例えば、（表１）に従来技術を用いたリードフレームとしてＲａ（算術平均粗さ）１００ｎｍと２００ｎｍと本実施形態によるリードフレームとしてＲａ（算術平均粗さ）３０ｎｍと８０ｎｍとの試験結果（各１００個）を示す。試験方法はＰＣＴ（飽和加圧蒸気試験）試験試験条件：１２１℃、２ａｔｍ、１〜２４時間飽和水蒸気での高温条件下に曝した後、ＭＩＬ−ＳＴＤ−２０２Ｅ ＭＥＴＨＯＤ１１２Ｂ ＳＥＡＬ 試験条件Ｄに準じた気密性確認試験である。（表１）の通り、従来技術によるリードフレームに比べ、本実施形態によるリードフレームは、平滑面であるにもかかわらず、耐湿性、密着性及び気密性が顕著に向上することが確認できた。 The lead frame 1 is composed of a continuous surface from the flat surface 7 to the end surface 8, and has a surface roughness Ra (arithmetic mean roughness) of 30 nm or more and 80 nm or less. For example, when the surface modifying layer 6 is formed by spraying or dipping a surface modifying agent containing a silane compound, airtightness is achieved by the chemical bond between the copper metal on the surface of the lead frame 1 and the surface modifying component. Remarkably improved. For example, in Table 1, Ra (arithmetic mean roughness) 100 nm and 200 nm as the lead frame using the conventional technique, and Ra (arithmetic mean roughness) 30 nm and 80 nm as the lead frame according to the present embodiment (each 100 Number). The test method is PCT (saturated pressurized steam test) test test condition: 121 ° C., 2 atm, 1-24 hours after being exposed to high temperature conditions with saturated steam, and airtight according to MIL-STD-202E METHOD112B SEAL test condition D This is a sex confirmation test. As shown in Table 1, it was confirmed that the lead frame according to the present embodiment significantly improved in moisture resistance, adhesion, and airtightness in spite of the smooth surface as compared with the lead frame according to the prior art. .
本実施形態によれば、リードフレーム１の平坦面７から端面８にかけて連続した面で構成することにより、リードフレーム１に加わる応力を低減することで封止樹脂（図示せず）との密着性を改善し耐湿性、密着性などの信頼性の向上することができる。さらに、表面改質層６を形成する前処理でリードフレーム１の表面粗さＲａを３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下に形成することにより、表面改質剤が均一に被膜され、リードフレーム１と封止樹脂（図示せず。）との密着性を強くすることができる。 According to the present embodiment, it is constituted by a continuous surface from the flat surface 7 to the end surface 8 of the lead frame 1, thereby reducing the stress applied to the lead frame 1, thereby improving the adhesion with the sealing resin (not shown). It is possible to improve the reliability such as moisture resistance and adhesion. Further, by forming the surface roughness Ra of the lead frame 1 to 30 nm or more and 80 nm or less in the pretreatment for forming the surface modification layer 6, the surface modifier is uniformly coated, and the lead frame 1 and the sealing resin ( It is possible to strengthen the adhesiveness to the not shown.
（実施の形態２）
図２Ａ−Ｃは、本発明の実施の形態２のリードフレームの製造方法の工程フローに沿った断面図である。図２Ｄは図２ＣのＹ部分の拡大断面図である。図２において、図１と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。
(Embodiment 2)
2A to 2C are cross-sectional views along the process flow of the lead frame manufacturing method according to the second embodiment of the present invention. 2D is an enlarged cross-sectional view of a Y portion in FIG. 2C. In FIG. 2, the same components as those in FIG.
図２において、薄板材をプレス加工によりリードフレーム１を形成する（図２Ａ）。プレス加工されたリードフレーム１には、ダレ、剪断面、破断面、バリが発生しており平滑な表面状態とは言い難い。 In FIG. 2, a lead frame 1 is formed by pressing a thin plate material (FIG. 2A). The pressed lead frame 1 has a sag, a sheared surface, a fracture surface, and burrs, and it is difficult to say that the surface is smooth.
リードフレーム１を水酸化ナトリウムを１０質量％〜２０質量％含んだ脱脂液に常温で３０秒〜６０秒間浸漬し、リードフレーム１に付着した余分な油成分を除去した後、硝酸１０質量％〜３０質量％からなる研磨液に浸漬する。（図２Ｂ）。このとき、リードフレーム１に発生した、ダレ、剪断面、破断面、バリの除去と同時に平坦部７から端面８にかけて連続した面を構成するとともにリードフレーム１の表面粗さをＲａ３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下に形成する。これによれば、レジスト塗布やレジスト剥離などレジストを用いて選択的にエッチングを行う際の煩雑な工程を省略することができる。 The lead frame 1 is immersed in a degreasing solution containing 10% by mass to 20% by mass of sodium hydroxide at room temperature for 30 to 60 seconds to remove excess oil components adhering to the lead frame 1, and then nitric acid 10% by mass to It is immersed in a polishing liquid consisting of 30% by mass. (FIG. 2B). At this time, a continuous surface from the flat portion 7 to the end surface 8 is formed simultaneously with the removal of the sag, shear surface, fracture surface, and burr generated in the lead frame 1, and the surface roughness of the lead frame 1 is set to Ra 30 nm to 80 nm. Form. According to this, it is possible to omit complicated steps when performing selective etching using a resist, such as resist coating and resist peeling.
リードフレーム１の表面に表面改質層６として実施の形態１と同一のシランカップリング剤の表面改質剤からなる表面改質層６を形成する（図２Ｃ）。これによれば、後工程（説明省略）で行われる樹脂封止工程での封止樹脂（図示せず）とリードフレーム１との密着性を改善することができる。これは、従来行われていた機械的結合とは異なり、リードフレーム１と表面改質層６及び表面改質層６と封止樹脂（図示せず）との間に化学結合を形成することで、リードフレーム１と封止樹脂（図示せず）との密着性と気密性を大きく向上することができる。 The surface modification layer 6 made of the same surface modification agent of the silane coupling agent as that of Embodiment 1 is formed on the surface of the lead frame 1 as the surface modification layer 6 (FIG. 2C). According to this, it is possible to improve the adhesion between the sealing resin (not shown) and the lead frame 1 in the resin sealing process performed in a subsequent process (not shown). This is different from mechanical bonding conventionally performed by forming chemical bonds between the lead frame 1 and the surface modification layer 6 and between the surface modification layer 6 and the sealing resin (not shown). The adhesion and airtightness between the lead frame 1 and the sealing resin (not shown) can be greatly improved.
図３Ｄは、リードフレーム１の平坦部７から端面８にかけての連続した面と、表面改質層６を途切れることなく均一に形成した状態を示す。これは、リードフレーム１表面の表面粗さをＲａ３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下に平滑に形成したことで表面改質層６を均一且つ平滑に形成することを可能とするものであり、表面改質層６表面を平滑にすることで封止樹脂（図示せず）とのリードフレーム１表面における化学結合を強固なものとすることができる。 FIG. 3D shows a state in which the continuous surface from the flat portion 7 to the end surface 8 of the lead frame 1 and the surface modification layer 6 are uniformly formed without interruption. This is because the surface modification layer 6 can be formed uniformly and smoothly by forming the surface roughness of the surface of the lead frame 1 smoothly to Ra 30 nm or more and 80 nm or less. By smoothing, the chemical bond on the surface of the lead frame 1 with the sealing resin (not shown) can be strengthened.
なお、本実施の形態では、銅又は銅合金のリードフレームを用いて説明したが、これに限ることは無い。 In this embodiment, the description has been given using the lead frame of copper or copper alloy, but the present invention is not limited to this.
本発明は、リードフレームと封止樹脂との密着性及び気密性を必要とするリードフレームに適用したが、その他にも、銅やアルミニウムなどの金属と樹脂との密着性改善の用途に適用できる。 The present invention is applied to a lead frame that requires adhesion and airtightness between the lead frame and the sealing resin, but can also be applied to applications for improving adhesion between a metal such as copper or aluminum and a resin. .
１，１０１ リードフレーム
２，１０２ ダイパッド部
３，１０３ リード
６ 表面改質層
７ 平坦面
８ 端面
１０４ 粗面化めっき層
１０５ 接続用めっき
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101 Lead frame 2,102 Die pad part 3,103 Lead 6 Surface modification layer 7 Flat surface 8
Claims (3)
前記リードフレームの平坦面から端面にかけて連続した面を形成すると同時に前記リードフレーム表面を算術平均粗さＲａで３０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に平滑処理する連続面形成平滑処理工程と、
前記リードフレーム表面に表面改質層を形成する表面改質層形成工程とを含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。 In a method for manufacturing a lead frame including a die pad portion and leads,
Forming a continuous surface from the flat surface to the end surface of the lead frame, and at the same time smoothing the surface of the lead frame with an arithmetic average roughness Ra in a range of 30 nm to 80 nm,
And a surface modified layer forming step of forming a surface modified layer on the surface of the lead frame.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004156684A JP4332068B2 (en) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | Lead frame manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004156684A JP4332068B2 (en) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | Lead frame manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005340474A JP2005340474A (en) | 2005-12-08 |
| JP4332068B2 true JP4332068B2 (en) | 2009-09-16 |
Family
ID=35493693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004156684A Expired - Fee Related JP4332068B2 (en) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | Lead frame manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4332068B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105684142A (en) * | 2014-09-29 | 2016-06-15 | 新电元工业株式会社 | Method for manufacturing target material for cylindrical sputtering target and cylindrical sputtering target |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4608025B1 (en) * | 2010-06-03 | 2011-01-05 | 三菱伸銅株式会社 | Copper alloy strip for electronic equipment with excellent heat dissipation and resin adhesion |
| KR101802850B1 (en) * | 2011-01-11 | 2017-11-29 | 해성디에스 주식회사 | Semiconductor package |
| JP6855804B2 (en) * | 2017-01-17 | 2021-04-07 | 富士電機株式会社 | Semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices |
-
2004
- 2004-05-26 JP JP2004156684A patent/JP4332068B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105684142A (en) * | 2014-09-29 | 2016-06-15 | 新电元工业株式会社 | Method for manufacturing target material for cylindrical sputtering target and cylindrical sputtering target |
| CN105684142B (en) * | 2014-09-29 | 2018-05-08 | 新电元工业株式会社 | The manufacture method and semiconductor package part of semiconductor package part |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005340474A (en) | 2005-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7080881B2 (en) | Ceramic circuit board and modules using it | |
| EP3321957B1 (en) | Ceramic metal circuit board and semiconductor device using same | |
| CN1159756C (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| JP6742073B2 (en) | Ceramics circuit board | |
| CN110998839B (en) | Power module | |
| TW201325330A (en) | Wiring substrate, manufacturing method thereof, and semiconductor device | |
| JP2005064168A (en) | Metal base circuit board and manufacturing method thereof | |
| JP5691831B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP4332068B2 (en) | Lead frame manufacturing method | |
| JP2015149370A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP6904094B2 (en) | Manufacturing method of insulated circuit board | |
| JP2013175525A (en) | Method of manufacturing ceramic circuit board, and circuit board | |
| JP6780398B2 (en) | Manufacturing method of resin-sealed power module | |
| JP6031784B2 (en) | Power module substrate and manufacturing method thereof | |
| CN116830813A (en) | Ceramic circuit substrate and semiconductor device using same | |
| JP2025083497A (en) | Manufacturing method of ceramic circuit board and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2009099871A (en) | Lead frame, manufacturing method thereof, resin-encapsulated semiconductor device, and manufacturing method thereof | |
| JP2017065935A (en) | Ceramic circuit board | |
| JP5050440B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP2006108279A (en) | Lead frame and manufacturing method thereof | |
| JP5643959B2 (en) | Method for manufacturing metal-ceramic bonding circuit board | |
| JPH11322455A (en) | Ceramic / metal joint and method of manufacturing the same | |
| JP4543943B2 (en) | Manufacturing method of lead frame for semiconductor device | |
| JP4376106B2 (en) | Ceramic double-layer circuit board | |
| CN100466245C (en) | A packaging method that effectively improves the delamination of components in semiconductor plastic packages |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061005 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090310 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090507 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090528 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090619 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |