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JP4338666B2 - 電子部品搭載用パッケージ及びパッケージ集合基板 - Google Patents
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Description

本発明は、複数のセラミック層の積層構造を有する電子部品搭載用パッケージとその製造方法、並びにその中間製品であるパッケージ集合基板に関するものである。
従来、図１５及び図１６に示す如く、複数のセラミック層を積層してなる電子部品搭載用パッケージ(４)が知られている(特許文献１参照)。
パッケージ(４)の中央部には、ＬＥＤ等の発光素子を収容するためのキャビティ(43)が凹設され、キャビティ(43)の深さ方向と平行な裏面に、マザーボード上に実装する際の接合面となる実装面(44)が形成されている。又、パッケージ(４)の実装面(44)と該実装面(44)に対して垂直な側面とが交叉する角部には、キャビティ(43)の深さ方向全長に亘って一対の凹部が形成され、各凹部の表面に導電性材料を成膜して、一対の外部電極(40)(40)が形成されている。
ここで、パッケージ(４)を構成する複数のセラミック層は、キャビティ(43)の深さ方向に積層されており、前記一対の外部電極(40)(40)は、全てのセラミック層を貫通するスルーホールを開設した後、該スルーホールの内面に銀等の導電性材料を成膜して形成される。
上記パッケージ(４)は、図１７乃至図１９に示す如く、パッケージ(４)の実装面(44)をマザーボード(30)の表面に対向させた姿勢、即ちパッケージ(４)のキャビティ(43)の開口方向がマザーボード(30)の表面と平行になる姿勢で、一対の外部電極(40)(40)がマザーボード(30)の表面に半田付けされる。
図１８及び図１９に示す如く、パッケージ(４)の各外部電極(40)とマザーボード(30)の表面との間には、半田部(31)が形成され、該半田部(31)は、マザーボード(30)の表面と実装面(44)に露出する外部電極(40)の表面との間のベース部(32)と、マザーボード(30)の表面から実装面(44)に対して垂直な側面に露出する外部電極(40)の表面に向かって伸びるフィレット部(33)とから構成される。
しかしながら、パッケージ(４)の実装構造においては、実装面(44)に露出する外部電極(40)の面積が極めて小さいため、半田部(31)のベース部(32)の接合面積、即ち実装面積を充分に確保することが出来ず、これによって、パッケージ(４)とマザーボード(30)との接合強度が充分に得られない問題があった。
そこで、この問題を解決すべく、図２０及び図２１に示すパッケージ(５)が提案されている。該パッケージ(５)の中央部には、キャビティ(53)が凹設され、キャビティ(53)の深さ方向と平行な裏面に、マザーボード上に実装する際の接合面となる実装面(54)が形成されている。又、パッケージ(５)の実装面(54)と該実装面(54)に対して垂直な側面とが交叉する角部には、キャビティ(43)の深さ方向の途中位置まで伸びる一対の凹部が形成され、各凹部に導体ペーストを充填することにより、実装面(54)及び該実装面(54)に対して垂直な側面に露出する一対の外部電極(50)(50)が形成されている。
該一対の外部電極(50)(50)は、パッケージ(５)を構成する複数のセラミック層の内、実装面(54)を構成するセラミック層から積層方向の途中位置のセラミック層までの、互いに接触する複数のセラミック層にスルーホールを開設した後、該スルーホールの内部に銀ペーストを充填して形成される。
上記パッケージ(５)は、図２２に示す如く、１つのパッケージ(５)となる直方体状のパッケージ部がマトリクス状に配列された集合構造を有する集合基板(６)を、互いに直交する所定の切断線に沿って切断することにより作製される。図２２中、ダイシングブレードによって切断される切断領域をハッチングで示す。
集合基板(６)を構成する複数枚のグリーンシートの内、前記一対の外部電極(50)(50)を構成すべきグリーンシートには、互いに直交する２本の切断線の交叉位置を中心として矩形状のスルーホール(61)が開設されると共に該スルーホール(61)に銀ペーストを充填して、導体充填部(62)が形成されている。
集合基板(６)を切断する際には、先ず、図２３及び図２４に示す如く、ダイシングブレード(３)により、集合基板(６)の表面側から積層方向の途中位置まで切り込みを入れる。この状態で、各パッケージ部は集合基板(６)の裏面側で互いに繋がっているため、集合基板(６)の状態が維持されると共に、導体充填部(62)は完全に切断され、その切断面に、図２１に示す外部電極(50)の表面が露出することになる。そして、半田に対する濡れ性を向上させるべく、露出した外部電極(50)の表面に鍍金を施す。
次に、図２５及び図２６に示す如く、ダイシングブレード(３)により、集合基板(６)の裏面側から切り込みを入れることによって、集合基板(６)を完全に切断し、複数のパッケージ(５)を得る(特許文献２参照)。
上記パッケージ(５)は、図２７乃至図２９に示す如く、パッケージ(５)の実装面(54)をマザーボード(30)の表面に対向させた姿勢、即ちパッケージ(５)のキャビティ(53)の開口方向がマザーボード(30)の表面と平行になる姿勢で、一対の外部電極(50)(50)がマザーボード(30)の表面に半田付けされる。
図２８に示す如く、パッケージ(５)の各外部電極(50)の表面とマザーボード(30)の表面との間には、半田部(31)が形成され、該半田部(31)は、マザーボード(30)の表面と実装面(54)に露出する外部電極(50)の表面との間のベース部(32)と、マザーボード(30)の表面から実装面(44)に対して垂直な側面に露出する外部電極(50)の表面に向かって伸びるフィレット部(33)とから構成される。
パッケージ(５)の実装構造においては、実装面(54)に露出する外部電極(50)の面積が、図１８及び図１９に示すパッケージ(４)の実装面(44)に露出する外部電極(40)の面積に比べて広いため、該実装面(44)に露出する外部電極(40)とマザーボード(30)の表面との間で、半田部(31)のベース部(32)の接合面積、即ち実装面積を充分に確保することが出来る。これによって、パッケージ(５)とマザーボード(30)との接合強度は、パッケージ(４)とマザーボード(30)との接合強度に比べて増大する。
特開２００２−２３２０１７号公報 特開平６−９６９９２号公報
しかしながら、上記パッケージ(５)による実装構造を用いたとしても、図２９に示す如く、パッケージ(５)の外部電極(50)が形成されていない領域においては、パッケージ(５)をマザーボード(30)の表面に接合することが出来ず、パッケージ(５)がマザーボード(30)の表面から浮いた状態となるため、パッケージ(５)とマザーボード(30)との接合強度は、充分なものではなかった。
そこで、マザーボード(30)との接合強度の増大を図る方法として、パッケージ(５)を構成する全てのセラミック層を貫通するスルーホールを開設した後、該スルーホールの内部に銀ペーストを充填することにより、パッケージ(５)の実装面(54)の両端部全面に亘って、一対の外部電極(50)(50)を形成する方法が考えられる。
しかしながら、外部電極(50)に鍍金を施す際には、外部電極(50)の表面全体を露出させる必要があり、上記方法によれば、集合基板(６)を切断して個片の状態とした後でないと、外部電極(50)の表面に鍍金を施すことが出来ないことになる。これによって、集合基板(６)の状態で外部電極(50)に鍍金を施すことが出来る従来の方法に比べて、鍍金工程の煩雑化を招くことになるため、上記方法を採用することは出来なかった。従って、パッケージ(５)とマザーボード(30)との接合強度は、依然として充分なものではなかった。
そこで、本発明の目的は、製造工程の煩雑化を招くことなく、マザーボードとの接合強度の増大を図ることが出来る電子部品搭載用パッケージ及びその製造方法、並びにその中間製品であるパッケージ集合基板を提供することである。
本発明に係る電子部品搭載用パッケージ(１)は、複数のセラミック層の積層構造を有し、基板上に実装する際の接合面となる実装面(14)が積層方向と平行に形成されている。
前記複数のセラミック層の内、少なくとも１つのセラミック層には、前記実装面(14)と該実装面(14)に対して垂直な２つの側面とが交叉して形成される２つの角部にそれぞれ凹部が形成されると共に、各凹部に導体ペーストを充填して、実装面(14)及び該実装面(14)に対して垂直な側面に露出する一対の充填電極部(11)(11)が形成され、該充填電極部(11)(11)が形成されたセラミック層を除く他のセラミック層の内、少なくとも１つのセラミック層には、前記実装面(14)と該実装面(14)に対して垂直な２つの側面とが交叉して形成される２つの角部にそれぞれ凹部が形成されると共に、各凹部の表面に導電性材料を成膜して、一対の被覆電極部(12)(12)が形成され、実装時には、前記充填電極部(11)(11)及び被覆電極部(12)(12)が前記基板の表面に半田付けされる。
上記本発明の電子部品搭載用パッケージ(１)は、実装面(14)をマザーボードの表面に対向させた姿勢で、マザーボード上に実装される。
この状態で、充填電極部(11)が形成された領域においては、実装面(14)に露出する充填電極部(11)の表面とこれに対向するマザーボードの表面との間に、広い実装面積を確保することが出来、これによって、パッケージ(１)をマザーボードに対して強固に接合することが出来る。
又、実装面(14)に露出する被覆電極部(12)の面積、即ち実装面積は小さいものの、パッケージ(１)の被覆電極部(12)が形成された領域においても、パッケージ(１)をマザーボードに接合することが出来る。
ここで、実装面の両端部全面に亘ってスルーホールを開設し、該スルーホールの表面に外部電極を形成した従来のパッケージにおいては、実装面に露出する外部電極の面積、即ち実装面積が極めて小さいため、パッケージとマザーボードとの接合強度が充分に得られない問題があった。
これに対し、本発明のパッケージ(１)によれば、充填電極部(11)が形成された領域において広い実装面積を確保することが出来るので、前記従来のパッケージに比べてマザーボードとの接合強度が増大する。
又、マザーボードとの接合強度を増大させるべく、実装面に露出する表面を有する外部電極を実装面の両端部の一部に形成した従来のパッケージにおいては、外部電極が形成されていない領域でパッケージがマザーボードの表面から浮いた状態となるため、パッケージとマザーボードとの接合強度が充分に得られない問題があった。
これに対し、本発明のパッケージ(１)の実装構造によれば、前記従来のパッケージにおいて外部電極が形成されていない領域に、被覆電極部(12)を形成し、該被覆電極部(12)が形成された領域においても、パッケージ(１)をマザーボードに対して接合することが出来るので、前記従来のパッケージに比べてマザーボードとの接合強度が増大する。
従って、上記本発明のパッケージ(１)によれば、上記従来の何れのパッケージよりも、マザーボードとの接合強度が増大する。
又、本発明に係る電子部品搭載用パッケージの製造方法は、
前記複数のセラミック層となる複数枚のグリーンシートを積層して、１つの電子部品搭載用パッケージ(１)となる直方体状のパッケージ部がマトリクス状に配列された集合構造を有するパッケージ集合基板(２)を作製する集合基板作製工程と、
集合基板作製工程を経て得られたパッケージ集合基板(２)をパッケージ部毎に所定の切断線に沿って切断する切断工程
とを有し、
前記集合基板作製工程では、複数枚のグリーンシートを積層して第１積層体(21)及び第２積層体(22)を作製すると共に、第１積層体(21)と第２積層体(22)と積み重ねてパッケージ集合基板(２)を作製し、前記第１積層体(21)を作製する工程では、該第１積層体(21)を構成する複数枚のグリーンシートの内、少なくとも１枚のグリーンシートに、互いに直交する２本の切断線の交叉位置を中心として第１貫通孔を穿設すると共に該第１貫通孔の内部に導体ペーストを充填して、導体充填部(26)を形成し、前記第２積層体(22)を作製する工程では、該第２積層体(22)を構成する複数枚のグリーンシートの内、少なくとも１枚のグリーンシートに、前記交叉位置を中心として第２貫通孔を穿設すると共に該第２貫通孔の内面に導電性材料を成膜して、導電膜(27)を形成する。
又、前記切断工程は、
前記パッケージ集合基板(２)の第１積層体(21)側の表面から前記所定の切断線に沿って切り込みを入れることにより、該パッケージ集合基板(２)の第２積層体(22)側に少なくとも１枚のグリーンシートを残して、導体充填部(26)が形成された全てのグリーンシートを切断する第１切断工程と、
該第１切断工程の後に、切断面に露出した導体充填部(26)の表面及び導電膜(27)の表面に対して鍍金を施す鍍金工程と、
前記所定の切断線に沿ってパッケージ集合基板(２)に切り込みを入れることにより、前記第１切断工程にて切り残した全てのグリーンシートを切断する第２切断工程
とを有している。
上記本発明のパッケージ(１)の製造方法によれば、前記第１切断工程後には、パッケージ(１)の充填電極部(11)及び被覆電極部(12)の表面が集合基板(２)の切断面に露出し、露出した充填電極部(11)及び被覆電極部(12)に対して、集合基板(２)の状態で鍍金を施すことが出来る。従って、パッケージ(１)の製造工程の煩雑化を招くことはない。
本発明に係るパッケージ集合基板(２)は、複数のセラミック層の積層構造を有すると共に、１つの電子部品搭載用パッケージとなる直方体状のパッケージ部がマトリクス状に配列された集合構造を有し、互いに隣接する２つのパッケージ部の間を伸びる所定の切断線に沿って切断することにより、複数の電子部品搭載用パッケージ(１)が切り出される。
互いに直交する２本の切断線の交叉位置を中心として集合する４つのパッケージ部を構成する複数のセラミック層の内、少なくとも１枚のセラミック層には、前記交叉位置を中心として第１貫通孔が開設されると共に該第１貫通孔に導体ペーストを充填して、導体充填部(26)が形成されており、該導体充填部(26)が形成されたセラミック層を除く他のセラミック層の内、少なくとも１枚のセラミック層には、前記交叉位置を中心として第２貫通孔が開設されると共に該第２貫通孔の内面に導電性材料を成膜して、導電膜(27)が形成されている。
上記本発明のパッケージ集合基板(２)によれば、互いに直交する２本の切断線に沿って、パッケージ集合基板(２)を切断することにより、導体充填部(26)及び導電膜(27)が４分割され、これによって、前記２本の切断線の交叉位置を中心として集合する４つのパッケージ部の充填電極部(11)及び充填電極部(12)が形成されることになる。
本発明の電子部品搭載用パッケージ及びその製造方法、並びにその中間製品であるパッケージ集合基板によれば、製造工程の煩雑化を招くことなく、マザーボードとの接合強度の増大を図ることが出来る。
以下、本発明を発光素子用パッケージに実施した形態につき、図面に沿って具体的に説明する。
図１及び図２に示す如く、本発明に係る発光素子用パッケージ(１)は、中央部にＬＥＤ等の発光素子を収容するためのキャビティ(13)を具え、キャビティ(13)の深さ方向と平行な側面に、マザーボード上に実装する際の接合面となる実装面(14)が形成されている。パッケージ(１)を構成する複数のセラミック層は、キャビティ(13)の深さ方向に積層されており、パッケージ(１)の実装面(14)と該実装面(14)に対して垂直な２つの側面とが交叉して形成される２つの角部には、充填電極部(11)と被覆電極部(12)とからなる一対の外部電極(10)(10)が、積層方向の全長に亘って形成されている。
前記２つの角部には、実装面(14)側の端部から積層方向の途中位置まで伸びる一対の第１凹部と、該途中位置から実装面(14)とは反対側の端部まで伸びる一対の第２凹部とが形成されており、一対の充填電極部(11)(11)は、前記第１凹部に銀ペーストを充填することにより形成され、その表面がパッケージ(１)の実装面(14)及び該実装面(14)に対して垂直な側面に露出している。
又、一対の被覆電極部(12)(12)は、前記第２凹部の表面に導電材料を成膜することにより形成されている。
以下、パッケージ(１)の作製方法について説明する。
上記パッケージ(１)は、図３に示す如く、１つのパッケージ(１)となる直方体状のパッケージ部がマトリクス状に配列された集合構造を有する集合基板(２)を、図３中破線で示す互いに直交する所定の切断線に沿って切断することにより作製される。
集合基板(２)は、前記充填電極部(11)を構成すべき複数のセラミック層からなる第１積層体(21)と、前記被覆電極部(12)を構成すべき複数のセラミック層からなる第２積層体(22)とを積み重ねて構成される。
第１積層体(21)には、互いに直交する２本の切断線の交叉位置を中心として複数の矩形状の第１貫通孔(24)〜(24)が開設され、各第１貫通孔(24)に銀ペーストを充填することにより、導体充填部(26)が形成されている。
第２積層体(21)には、前記２本の切断線の交叉位置を中心として、前記第１貫通孔(24)よりも僅かに大きな開口面積を有する複数の矩形状の第２貫通孔(25)〜(25)が開設され、各第２貫通孔(25)の内面に導電材料を成膜することにより、導電膜(27)が形成されている。
上記パッケージ(１)は、図４に示す如く、集合基板(２)の前記第１積層体(21)側の表面(以下、集合基板(２)の表面という)側から、導体充填部(26)を完全に切断可能な集合基板(２)の積層方向の途中位置まで、集合基板(２)に切り込みを入れる第１切断工程と、該第１切断工程の後、図５に示す如く、集合基板(２)の前記第２積層体(22)側の表面(以下、集合基板(２)の裏面という)側から、集合基板(２)に切り込みを入れて、集合基板(２)を完全に切断する第２切断工程を経て作製される。
前記第１及び第２切断工程では、集合基板(２)をダイシングブレードにより切断する。図６中、ダイシングブレードの切断領域をハッチングで示す。
前記第１切断工程では、図７及び図８に示す如く、ダイシングブレード(３)により、集合基板(２)の表面側から積層方向の途中位置まで切り込みを入れることにより、導体充填部(26)を完全に切断する。
図９は、第１切断工程後の集合基板(２)の状態を示しており、この状態で、各パッケージ部は、集合基板(２)の裏面側で互いに繋がっているため、集合基板(２)の状態が維持されると共に、集合基板(２)の切断面には、パッケージ(１)の充填電極部(11)及び被覆電極部(12)の表面が露出することになる。そして、集合基板(２)に焼成を施した後、半田に対する濡れ性を向上させるべく、露出した充填電極部(11)及び被覆電極部(12)の表面に対して鍍金を施す。
この後、図１０及び図１１に示す如く、第２切断工程にて、ダイシングブレード(３)により、集合基板(２)の裏面側から切り込みを入れることによって、集合基板(２)を完全に切断し、図１及び図２に示すパッケージ(１)を完成する。
尚、本実施例では第１切断工程と鍍金工程の間に焼成を行なったが、これに限らず、例えば積層工程と第１切断工程の間に焼成を行なってもよい。
上記パッケージ(１)は、図１２乃至図１４に示す如く、パッケージ(１)の実装面(14)をマザーボード(30)の表面に対向させた姿勢、即ちパッケージ(５)のキャビティ(13)の開口方向がマザーボード(30)の表面と平行になる姿勢で、一対の外部電極(10)(10)がマザーボード(30)の表面に半田付けされる。
パッケージ(１)の充填電極部(11)が形成された領域においては、図１３に示す如く、パッケージ(１)の各充填電極部(11)の表面とマザーボード(30)の表面との間には、半田部(31)が形成され、該半田部(31)は、マザーボード(30)の表面と実装面(14)に露出する充填電極部(11)の表面との間のベース部(32)と、マザーボード(30)の表面から実装面(14)に対して垂直な側面に露出する充填電極部(11)の表面に向かって伸びるフィレット部(33)とから構成される。
充填電極部(11)が形成された領域においては、実装面(14)に露出する充填電極部(11)の表面とマザーボード(30)の表面との間で、半田部(31)のベース部(32)の接合面積、即ち実装面積を充分に確保することが出来るので、パッケージ(１)をマザーボード(30)に対して強固に接合することが出来る。
又、パッケージ(１)の被覆電極部(12)が形成された領域においては、図１４に示す如く、パッケージ(１)の各被覆電極部(12)の表面とマザーボード(30)の表面との間には、半田部(31)が形成され、該半田部(31)は、マザーボード(30)の表面と実装面(14)に僅かに露出する被覆電極部(12)の端面との間のベース部(32)と、マザーボード(30)の表面から実装面(14)に対して垂直な側面に露出する被覆電極部(12)の表面に向かって伸びるフィレット部(33)とから構成される。
被覆電極部(12)が形成された領域においては、実装面(14)に露出する被覆電極部(12)の面積が極めて小さいため、該被覆電極部(12)の実装面(14)側の露出面とマザーボード(30)の表面との間で、半田部(31)のベース部(32)の接合面積、即ち実装面積を充分に確保することは出来ないものの、半田部(31)のベース部(32)及びフィレット部(33)にて、パッケージ(１)をマザーボード(30)に接合することが出来る。
ここで、図１５及び図１６に示す従来のパッケージ(４)においては、図１８及び図１９に示す如く、実装面(44)に露出する外部電極(40)の面積、即ち実装面積が極めて小さいため、パッケージ(４)とマザーボード(30)との接合強度が充分に得られない問題があった。
これに対し、本発明のパッケージ(１)によれば、充填電極部(11)が形成された領域において広い実装面積を確保することが出来るので、従来のパッケージ(４)に比べてマザーボード(30)との接合強度が増大する。
又、図２０及び図２１に示す従来のパッケージ(５)においては、外部電極(50)が実装面(54)に露出しているため、該外部電極(50)が形成された領域においては、図２８に示す様に広い実装面積を確保することが出来るものの、外部電極(50)が形成されていない領域においては、図２９に示す如く、パッケージ(５)が浮いた状態となり、パッケージ(５)とマザーボード(30)との接合強度が充分でない問題があった。
これに対し、本発明のパッケージ(１)によれば、従来のパッケージ(５)において外部電極(50)が形成されていない領域に、被覆電極部(12)を形成し、該被覆電極部(12)が形成された領域においても、パッケージ(１)をマザーボード(30)に対して接合することが出来るので、従来のパッケージ(５)に比べてマザーボード(30)との接合強度が増大する。
然も、本発明のパッケージ(１)の製造方法によれば、図９に示す如く、前記第１切断工程後には、パッケージ(１)の充填電極部(11)及び被覆電極部(12)の表面が集合基板(２)の切断面に露出し、露出した充填電極部(11)及び被覆電極部(12)の表面に対して、集合基板(２)の状態で鍍金を施すことができるので、パッケージ(１)の製造工程の煩雑化を招くことはない。
尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例えば、本実施例においては、パッケージ(１)を構成する全てのセラミック層に、充填電極部(11)及び被覆電極部(12)の内、何れか一方を形成したが、これに限らず、例えば、パッケージ(１)を構成する複数のセラミック層の内、一部のセラミック層に充填電極部(11)を形成すると共に、該充填電極部(11)を形成したセラミック層を除いた他のセラミック層の内、一部のセラミック層に被覆電極部(12)を形成した構成を採用することも可能である。
本発明に係る発光素子用パッケージの実装姿勢を示す斜視図である。 該パッケージの積層姿勢を示す斜視図である。 該パッケージの中間製品である集合基板の分解斜視図である。 該集合基板の第１切断工程を説明する斜視図である。 該集合基板の第２切断工程を説明する斜視図である。 該集合基板の切断位置を示す平面図である。 第１切断工程時における図６のＡ−Ａ断面図である。 第１切断工程時における図６のＢ−Ｂ断面図である。 第１切断工程後の集合基板の状態を示す斜視図である。 第２切断工程時における図６のＡ−Ａ断面図である。 第２切断工程時における図６のＢ−Ｂ断面図である。 パッケージの実装姿勢を示す側面図である。 パッケージの実装状態をキャビティの開口方向から見た正面図である。 パッケージの実装状態をキャビティの開口方向とは反対側から見た裏面図である。 従来の発光素子用パッケージの構成を示す斜視図である。 該パッケージの積層姿勢を示す斜視図である。 該パッケージの実装姿勢を示す側面図である。 該パッケージの実装状態をキャビティの開口方向から見た正面図である。 該パッケージの実装状態をキャビティの開口方向とは反対側から見た裏面図である。 従来の発光素子用パッケージの他の構成を示す斜視図である。 該パッケージの積層姿勢を示す斜視図である。 該パッケージの中間製品である集合基板の切断位置を示す平面図である。 第１切断工程時における図２２のＣ−Ｃ断面図である。 第１切断工程時における図２２のＤ−Ｄ断面図である。 第２切断工程時における図２２のＣ−Ｃ断面図である。 第２切断工程時における図２２のＤ−Ｄ断面図である。 該パッケージの実装姿勢を示す側面図である。 該パッケージの実装状態をキャビティの開口方向から見た正面図である。 該パッケージの実装状態をキャビティの開口方向とは反対側から見た裏面図である。
符号の説明
(１) 発光素子用パッケージ
(10) 外部電極
(11) 充填電極部
(12) 被覆電極部
(13) キャビティ
(14) 実装面
(２) 集合基板
(21) 第１積層体
(22) 第２積層体
(24) 第１貫通孔
(25) 第２貫通孔
(26) 導体充填部
(27) 導電膜
(３) ダイシングブレード
(30) マザーボード
(31) 半田部
(32) ベース部
(33) フィレット部

Claims (3)

  1. 複数のセラミック層の積層構造を有し、基板上に実装する際の接合面となる実装面(14)が積層方向と平行に形成されている電子部品搭載用パッケージにおいて、前記複数のセラミック層の内、少なくとも１つのセラミック層には、前記実装面(14)と該実装面(14)に対して垂直な２つの側面とが交叉して形成される２つの角部にそれぞれ凹部が形成されると共に、各凹部に導体ペーストを充填して、実装面(14)及び該実装面(14)に対して垂直な側面に露出する一対の充填電極部(11)(11)が形成され、該充填電極部(11)(11)が形成されたセラミック層を除く他のセラミック層の内、少なくとも１つのセラミック層には、前記実装面(14)と該実装面(14)に対して垂直な２つの側面とが交叉して形成される２つの角部にそれぞれ凹部が形成されると共に、各凹部の表面に導電性材料を成膜して、一対の被覆電極部(12)(12)が形成され、実装時には、前記充填電極部(11)(11)及び被覆電極部(12)(12)が前記基板の表面に半田付けされることを特徴とする電子部品搭載用パッケージ。
  2. 複数のセラミック層の積層構造を有し、基板上に実装する際の接合面となる実装面(14)が積層方向と平行に形成されている電子部品搭載用パッケージの製造方法において、
    前記複数のセラミック層となる複数枚のグリーンシートを積層して、１つの電子部品搭載用パッケージ(１)となる直方体状のパッケージ部がマトリクス状に配列された集合構造を有するパッケージ集合基板(２)を作製する集合基板作製工程と、
    集合基板作製工程を経て得られたパッケージ集合基板(２)をパッケージ部毎に所定の切断線に沿って切断する切断工程
    とを有し、
    前記集合基板作製工程では、複数枚のグリーンシートを積層して第１積層体(21)及び第２積層体(22)を作製すると共に、第１積層体(21)と第２積層体(22)と積み重ねてパッケージ集合基板(２)を作製し、前記第１積層体(21)を作製する工程では、該第１積層体(21)を構成する複数枚のグリーンシートの内、少なくとも１枚のグリーンシートに、互いに直交する２本の切断線の交叉位置を中心として第１貫通孔を穿設すると共に該第１貫通孔の内部に導体ペーストを充填して、導体充填部(26)を形成し、前記第２積層体(22)を作製する工程では、該第２積層体(22)を構成する複数枚のグリーンシートの内、少なくとも１枚のグリーンシートに、前記交叉位置を中心として第２貫通孔を穿設すると共に該第２貫通孔の内面に導電性材料を成膜して、導電膜(27)を形成し、前記切断工程は、
    前記パッケージ集合基板(２)の第１積層体(21)側の表面から前記所定の切断線に沿って切り込みを入れることにより、該パッケージ集合基板(２)の第２積層体(22)側に少なくとも１枚のグリーンシートを残して、導体充填部(26)が形成された全てのグリーンシートを切断する第１切断工程と、
    該第１切断工程の後に、切断面に露出した導体充填部(26)の表面及び導電膜(27)の表面に対して鍍金を施す鍍金工程と、
    前記所定の切断線に沿ってパッケージ集合基板(２)に切り込みを入れることにより、前記第１切断工程にて切り残した全てのグリーンシートを切断する第２切断工程
    とを有していることを特徴とする電子部品搭載用パッケージの製造方法。
  3. 複数のセラミック層の積層構造を有すると共に、１つの電子部品搭載用パッケージとなる直方体状のパッケージ部がマトリクス状に配列された集合構造を有し、互いに隣接する２つのパッケージ部の間を伸びる所定の切断線に沿って切断することにより、複数の電子部品搭載用パッケージ(１)が切り出されることとなるパッケージ集合基板において、
    互いに直交する２本の切断線の交叉位置を中心として集合する４つのパッケージ部を構成する複数のセラミック層の内、少なくとも１枚のセラミック層には、前記交叉位置を中心として第１貫通孔が開設されると共に該第１貫通孔に導体ペーストを充填して、導体充填部(26)が形成されており、該導体充填部(26)が形成されたセラミック層を除く他のセラミック層の内、少なくとも１枚のセラミック層には、前記交叉位置を中心として第２貫通孔が開設されると共に該第２貫通孔の内面に導電性材料を成膜して、導電膜(27)が形成されていることを特徴とするパッケージ集合基板。
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