JP4339819B2 - High pass filter - Google Patents
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Description
本発明は、ハイパスフィルタに係り、特に、平板状のコ字型導体からなる第1及び第2のストリップラインと多層基板に設けたスルーホール内に設けた接続導体とを用いることにより、高域カットオフ周波数近傍の信号減衰度を大幅に低減させるようにしたハイパスフィルタに関する。 The present invention relates to a high-pass filter, and in particular, by using first and second strip lines made of a flat U-shaped conductor and a connection conductor provided in a through hole provided in a multilayer substrate. The present invention relates to a high-pass filter that greatly reduces the signal attenuation in the vicinity of a cutoff frequency.
従来、1.0乃至2.0GHz近傍のUHF帯域に高域カットオフ周波数を設定しているハイパスフィルタとしては、複数個の集中定数回路素子をT字形に組み合わせ接続した構成のハイパスフィルタや、直列素子として複数個の集中定数回路素子を用い、分路素子として相互結合された一対のストリップラインを組み合わせ接続した構成のハイパスフィルタが知られている。 Conventionally, as a high-pass filter in which a high-frequency cutoff frequency is set in the UHF band near 1.0 to 2.0 GHz, a high-pass filter having a configuration in which a plurality of lumped constant circuit elements are combined and connected in a T shape, A high-pass filter having a configuration in which a plurality of lumped constant circuit elements are used as elements and a pair of mutually connected strip lines are combined and connected as shunt elements is known.
ここで、図4は、複数個の集中定数回路素子をT字形に組み合わせ接続した構成のハイパスフィルタの一例を示す回路図である。 FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of a high-pass filter having a configuration in which a plurality of lumped constant circuit elements are combined and connected in a T shape.
図4に示されるように、このハイパスフィルタは、直列素子として第1及び第2コンデンサ51、52を有し、分路素子として第1及び第2コンデンサ51、52の接続点と接地間に直列接続されたインダクタ53と第3コンデンサ54を有するもので、第1乃至第3コンデンサ51、52、54の各キャパシタンス値やインダクタ53のインダクタンス値をそれぞれ選択することにより、その高域通過特性を所望のものにすることができる。
As shown in FIG. 4, this high-pass filter has first and
また、図5は、直列素子として複数個の集中定数回路素子を用い、分路素子として相互結合された一対のストリップラインを組み合わせ接続した構成のハイパスフィルタの構成の一例を示す回路図である。 FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of a configuration of a high-pass filter having a configuration in which a plurality of lumped constant circuit elements are used as series elements and a pair of strip lines mutually coupled as shunt elements are connected in combination.
図5に示されるように、このハイパスフィルタは、直列素子として第1乃至第3コンデンサ61、62、63を有し、分路素子として第1及び第2コンデンサ61、62の接続点と接地間に接続された第1ストリップライン64と第2及び第3コンデンサ62、63の接続点と接地間に接続された第2ストリップライン65とを有し、第1及び第2ストリップライン64、65が相互結合されているもので、第1乃至第3コンデンサ61、62、63の各キャパシタンス値や第1及び第2ストリップライン64、65の各インダクタンス値それに第1及び第2ストリップライン64、65の相互結合係数をそれぞれ選択することにより、その高域通過特性を所望のものにすることができる。
As shown in FIG. 5, this high-pass filter has first to
ここで、図6は、図5に図示されたハイパスフィルタが呈するフィルタ特性の一例を示す特性図であり、1.8GHzの周波数付近に高域カットオフ特性を有するものである。 Here, FIG. 6 is a characteristic diagram showing an example of a filter characteristic exhibited by the high-pass filter shown in FIG. 5, and has a high-frequency cutoff characteristic near a frequency of 1.8 GHz.
図6に図示の特性図において、横軸はGHzで表した周波数であり、縦軸はdBで表した減衰度である。この特性図に示されるように、ハイパスフィルタは、減衰帯域では1.5GHzより若干高い周波数部分にトラップによる減衰のピークを有する特性を呈し、通過帯域では1.9GHzより高い周波数部分の減衰が殆どない特性を呈する。 In the characteristic diagram shown in FIG. 6, the horizontal axis represents the frequency expressed in GHz, and the vertical axis represents the attenuation expressed in dB. As shown in this characteristic diagram, the high-pass filter has a characteristic that has a peak of attenuation due to traps in a frequency part slightly higher than 1.5 GHz in the attenuation band, and almost all attenuation in the frequency part higher than 1.9 GHz in the pass band. Exhibits no characteristics.
ところで、図5及び図6に図示された各ハイパスフィルタは、それぞれ複数個の集中定数回路素子を用いた構成のものであり、それぞれの集中定数回路素子のリアクタンス値を任意に調整できることから、ハイパスフィルタの通過特性や遮断特性の調整を行うことが比較的安易にできるという利点を有する反面、ハイパスフィルタに用いる部品点数が増加したり、ハイパスフィルタ自体を小型化したり、このハイパスフィルタを他の回路とともに同一基板内に集積化したりすることが難しいという難点がある。 Each of the high-pass filters shown in FIGS. 5 and 6 has a configuration using a plurality of lumped constant circuit elements, and the reactance value of each lumped constant circuit element can be arbitrarily adjusted. While it has the advantage that it is relatively easy to adjust the pass and cut-off characteristics of the filter, the number of parts used in the high-pass filter increases, the high-pass filter itself can be downsized, and this high-pass filter can be used in other circuits. At the same time, it is difficult to integrate on the same substrate.
このような難点を回避するために、バンドパスフィルタではあるが、集中定数回路素子を用いずに、多層回路基板に互いに結合した2つのストリップラインを設けることによって、フィルタ回路の小型化を達成するようにした多層回路基板が特開2004−031601号公報によって提案されている。 In order to avoid such difficulties, the filter circuit can be reduced in size by providing two strip lines coupled to each other on the multilayer circuit board without using a lumped constant circuit element, although it is a band-pass filter. Such a multilayer circuit board has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-031601.
図7は、特開2004−031601号に開示された多層回路基板の構成を示すもので、一部の内部構成を透視状態で表した斜視図である。 FIG. 7 shows a configuration of a multilayer circuit board disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-031601, and is a perspective view showing a part of the internal configuration in a see-through state.
図7に示されるように、この多層回路基板は、上下方向に積層された第1乃至第3の誘電体層71、72、73と、第2及び第3誘電体層72、73間に平行状態に離間配置された第1及び第2インダクタ電極74、75と、第1及び第2誘電体層71、72間に第1及び第2インダクタ電極74、75との対向位置に離間配置された第1及び第2容量電極76、77と、第2誘電体層71に設けた第1のスルーホールを通して第1インダクタ電極74と第1容量電極76間に接続された第1貫通導体78と、第2誘電体層71に設けた第2のスルーホールを通して第2インダクタ電極75と第2容量電極77間に接続された第2貫通導体79と、第1乃至第3の誘電体層71、72、73に設けた第3のスルーホールを通して第1インダクタ電極74を最外層の接地導体に接続する第1接地用貫通導体80と、第1乃至第3の誘電体層71、72、73に設けた第4のスルーホールを通して第2インダクタ電極75を最外層の接地導体に接続する第2接地用貫通導体81と、第1インダクタ電極74から直角方向に分岐した第1入出力用線路82と、第2インダクタ電極75から直角方向に分岐した第2入出力用線路83とを備えている。
As shown in FIG. 7, the multilayer circuit board is parallel to the first to third
かかる構成を有する多層回路基板によれば、第1及び第2インダクタ電極74、75と第1及び第2容量電極76、77とは異なる層に形成され、第1インダクタ電極74と第1容量電極76間が第1貫通導体78により、第2インダクタ電極75と第2容量電極77間が第2貫通導体78により接続されているので、必要とするリアクタンス値を安定な状態で得ることができ、しかも、第1乃至第3の誘電体層71、72、73の積層ずれによるフィルタ特性への影響を抑制することができるものである。
ところで、特開2004−031601号に開示された多層回路基板により構成されたフィルタは、多層回路基板に形成された分布定数回路だけで構成され、集中定数回路素子が用いられていないので、フィルタ自体を小型化することができるものであるが、フィルタのカットオフ周波数近傍の減衰−通過特性の傾きを急峻にすることが難しく、用途によってはこの種のフィルタを使用できないことがある。 By the way, the filter constituted by the multilayer circuit board disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-031601 is constituted only by the distributed constant circuit formed on the multilayer circuit board and does not use the lumped constant circuit element. However, it is difficult to make the slope of the attenuation-pass characteristic near the cutoff frequency of the filter steep, and this type of filter may not be used depending on the application.
本発明は、このような技術的背景に鑑みてなされたもので、その目的は、ハイパスフィルタの通過帯域内のカットオフ周波数近傍に並列共振回路からなるトラップ回路を形成させ、当該カットオフ周波数近傍の減衰特性を大幅に減少させるハイパスフィルタを提供することにある。 The present invention has been made in view of such a technical background, and an object of the present invention is to form a trap circuit including a parallel resonant circuit in the vicinity of a cutoff frequency in the pass band of the high-pass filter, and in the vicinity of the cutoff frequency. It is an object of the present invention to provide a high-pass filter that greatly reduces the attenuation characteristic of the filter.
前記目的を達成するために、本発明によるハイパスフィルタは、それぞれ一方及び他方の平行部分と前記一方及び他方の平行部分の各他端部を連結する接続部分とを備えた平板状のコ字型の第1及び第2のストリップラインを、多層基板の異なる誘電体層に、前記第1及び第2のストリップラインの接続部分が互いに逆方向になるように配置し、かつ、前記第1及び第2のストリップラインの対応する前記一方及び他方の平行部分を対向配置させ、前記第1のストリップラインの一方の平行部分の一端に信号入力端を形成し、前記第2ストリップラインの一方の平行部分の一端に信号出力端を形成するとともに、
前記第1のストリップラインの一方の平行部分の他端と前記第1のストリップラインの他方の平行部分の他端とが第1の接続部分で接続され、
前記第2のストリップラインの一方の平行部分の他端と前記第2のストリップラインの他方の平行部分の他端とが第2の接続部分で接続され、
前記第1のストリップラインの一方の平行部分の一端と、前記第2のストリップラインの他方の平行部分の他端が対向し、
前記第1のストリップラインの一方の平行部分の他端と、前記第2のストリップラインの他方の平行部分の一端が対向し、
前記第1のストリップラインの他方の平行部分の一端と、前記第2のストリップラインの一方の他端が対向し、
前記第1のストリップラインの他方の平行部分の他端と、前記第2のストリップライン
の一方の一端が対向し、
前記第1のストリップラインの他方の平行部分の一端及び前記第2ストリップラインの他方の平行部分の一端を前記多層基板に設けたスルーホールを通して接地導体に導電接続し、
前記第1ストリップラインの他方の平行部分と前記接地導体間に形成される分布キャパシタ成分、及び、前記第1ストリップラインに接続される前記スルーホールにより形成されるインダクタ成分とからなる並列共振回路の共振周波数を通過帯域とし、
前記第2ストリップラインの他方の平行部分と前記接地導体間に形成される分布キャパシタ成分、及び、前記第2ストリップラインに接続される前記スルーホールにより形成されるインダクタ成分とからなる並列共振回路の共振周波数を通過帯域とする。
In order to achieve the above object, a high-pass filter according to the present invention is a flat U-shaped filter having one and other parallel portions and a connecting portion connecting the other end portions of the one and other parallel portions. The first and second strip lines are arranged on different dielectric layers of the multilayer substrate so that the connecting portions of the first and second strip lines are opposite to each other, and the first and second strip lines are arranged. The corresponding one and other parallel portions of the two strip lines are arranged opposite to each other, a signal input end is formed at one end of the one parallel portion of the first strip line, and one parallel portion of the second strip line is formed And forming a signal output end at one end of the
The other end of one parallel portion of the first strip line and the other end of the other parallel portion of the first strip line are connected by a first connection portion,
The other end of one parallel portion of the second stripline and the other end of the other parallel portion of the second stripline are connected by a second connection portion;
One end of one parallel portion of the first strip line and the other end of the other parallel portion of the second strip line are opposed to each other,
The other end of one parallel portion of the first strip line and one end of the other parallel portion of the second strip line are opposed to each other,
One end of the other parallel portion of the first strip line and one other end of the second strip line are opposed to each other,
The other end of the other parallel portion of the first stripline and one end of the second stripline are opposed to each other;
One end of the other parallel portion of the first strip line and one end of the other parallel portion of the second strip line are conductively connected to a ground conductor through a through hole provided in the multilayer substrate ;
A parallel resonant circuit comprising: a distributed capacitor component formed between the other parallel portion of the first strip line and the ground conductor; and an inductor component formed by the through hole connected to the first strip line. Let the resonant frequency be the passband,
A parallel resonant circuit comprising a distributed capacitor component formed between the other parallel portion of the second strip line and the ground conductor, and an inductor component formed by the through hole connected to the second strip line Let the resonant frequency be the passband.
以上のように、本発明によるハイパスフィルタによれば、多層基板に設けたスルーホールを通して接地導体に導電接続されている部分に形成されるインダクタンス成分と、対向配置された第1及び第2のストリップラインの他方の平行部分間に形成されるキャパシタンス成分とにより並列共振回路が形成され、その共振回路がハイパスフィルタの通過帯域内のカットオフ周波数近傍においてトラップ回路を形成するように構成しているので、このトラップ回路によりハイパスフィルタの通過帯域内のカットオフ周波数近傍の減衰特性を大幅に減少させることができるという効果がある。 As described above, according to the high-pass filter of the present invention, the inductance component formed in the portion conductively connected to the ground conductor through the through hole provided in the multilayer substrate, and the first and second strips arranged to face each other. A parallel resonant circuit is formed by the capacitance component formed between the other parallel parts of the line, and the resonant circuit is configured to form a trap circuit in the vicinity of the cutoff frequency in the pass band of the high-pass filter. This trap circuit has the effect that the attenuation characteristic in the vicinity of the cutoff frequency within the pass band of the high-pass filter can be greatly reduced.
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明によるハイパスフィルタの一つの実施の形態に係わるもので、全体構成の一部の内部構成を透視状態で表した斜視図であって、その高域カットオフ周波数を1.8GHz近傍の周波数に選択している例を示すものである。 FIG. 1 relates to an embodiment of a high-pass filter according to the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing a part of the overall configuration in a transparent state, with a high-frequency cutoff frequency of 1.8 GHz. An example of selecting a nearby frequency is shown.
図1に示されるように、この実施の形態によるハイパスフィルタは、上下方向に積層された第1乃至第3の誘電体層1、2、3と、第1及び第2誘電体層1、2間に配置され、第1及び第2平行部分4(1)、4(2)と第1及び第2平行部分4(1)、4(2)の他端間を連結する接続部分4(3)とを有する平板状のコ字型の第1ストリップライン4と、第2及び第3誘電体層2、3間に配置され、第1及び第2平行部分5(1)、5(2)と第1及び第2平行部分5(1)、5(2)の他端間を連結する接続部分5(3)とを有する平板状のコ字型の第2ストリップライン5と、第1誘電体層1の上面に形成された第1接地導体6と、第3誘電体層3の下面に形成された第2接地導体7とを備えている。
As shown in FIG. 1, the high-pass filter according to this embodiment includes first to third
また、この実施の形態によるハイパスフィルタは、第1誘電体層1に設けた第1のスルーホール8を通して第1ストリップライン4の第2平行部分4(2)の一端と第1接地導体6との間に接続された第1接続導体9と、第3誘電体層3に設けた第2のスルーホール10を通して第2ストリップライン5の第2平行部分5(2)の一端と第2接地導体7との間に接続された第2接続導体11と、第1ストリップライン4の第1平行部分4(1)の一端に接続された信号入力端12と、第2ストリップライン5の第1平行部分5(1)の一端に接続された信号出力端13と、第1乃至第3誘電体層1、2、3の4隅部分にそれぞれ設けた第3乃至第6のスルーホール14、15、16、17を通して第1接続導体9と第2接続導体10間に接続された第3乃至第6接続導体18、19、20、21とを備えている。
In addition, the high-pass filter according to this embodiment has one end of the second parallel portion 4 (2) of the
この場合、第1乃至第3誘電体層1、2、3内に配置された平板状のコ字型の第1ストリップライン4と平板状のコ字型の第2ストリップライン5の配置形態は、第1ストリップライン4の第1平行部分4(1)と第2ストリップライン5の第2平行部分5(2)とが対向配置され、第1ストリップライン4の第2平行部分4(2)と第2ストリップライン5の第1平行部分5(1)とが対向配置されており、第1ストリップライン4の接続部分4(3)と第2ストリップライン5の接続部分5(3)とは、コ字型の第1ストリップライン4とコ字型の第2ストリップライン5における互いに逆方向に配置されている。
In this case, the arrangement form of the flat U-shaped
さらに、第1接地導体6と第2接地導体7の4隅部分には、第1誘電体層1、第2誘電体層、第3誘電体層3を貫通するように設けた第3のスルーホール14、第4のスルーホール15、第5のスルーホール16、第6のスルーホール17がそれぞれ形成され、第3のスルーホール14内には第1接地導体6と第2接地導体7を導電接続する第3接続導体18が、第4のスルーホール15内には第1接地導体6と第2接地導体7を導電接続する第4接続導体19が、第5のスルーホール16内には第1接地導体6と第2接地導体7を導電接続する第5接続導体20が、第6のスルーホール17内には第1接地導体6と第2接地導体7を導電接続する第6接続導体21がそれぞれ形成され、これらの構成により第1接地導体6と第2接地導体7とが同じ接地電位になるように設定されている。
Further, a third through provided in the four corners of the
また、図2は、図1に図示されたハイパスフィルタの構成を等価回路によって表した回路構成図であり、図3は、図1に図示されたハイパスフィルタが呈するフィルタ特性の一例を示す特性図であって、既に述べた図6に図示された特性図に対応するものである。なお、図2においては、図1に示された構成要素と同じ構成要素については同じ符号を付けている。また、図3において、横軸はGHzで表した周波数であり、縦軸はdBで表した減衰度である。 2 is a circuit configuration diagram illustrating the configuration of the high-pass filter illustrated in FIG. 1 with an equivalent circuit, and FIG. 3 is a characteristic diagram illustrating an example of filter characteristics exhibited by the high-pass filter illustrated in FIG. Thus, this corresponds to the characteristic diagram shown in FIG. In FIG. 2, the same constituent elements as those shown in FIG. In FIG. 3, the horizontal axis represents the frequency expressed in GHz, and the vertical axis represents the attenuation expressed in dB.
図2に示されるように、このハイパスフィルタは、第1ストリップライン4の第1平行部分4(1)と第2ストリップライン5の第2平行部分5(2)とが相互結合され、第1平行部分4(1)の一端が信号入力端12に接続され、第2平行部分5(2)の一端が第2接続導体11を通して接地接続される。また、第1ストリップライン4の第2平行部分4(2)と第2ストリップライン5の第1平行部分5(1)とが相互結合され、第2平行部分4(2)の一端が第1接続導体9を通して接地接続され、第1平行部分5(1)の一端が信号出力端13に接続される。この他に、第1平行部分4(1)と第2平行部分4(2)の各他端が第1の接続部分4(3)によって互いに接続され、第2平行部分5(2)と第1平行部分5(1)とが第2の接続部分5(3)によって互いに接続されている。
As shown in FIG. 2, the high-pass filter includes a first parallel portion 4 (1) of the
前記構成によるこのハイパスフィルタは、次のように動作する。 The high-pass filter having the above-described configuration operates as follows.
第1ストリップライン4の第1平行部分4(1)の一端側の信号入力端12にUHF信号が供給されると、そのUHF信号は、相互結合された第1ストリップライン4の第1平行部分4(1)と第2ストリップライン5の第2平行部分5(2)とを介して第1平行部分4(1)から第2平行部分5(2)に伝送結合される。そして、UHF信号は、第1ストリップライン4の第1平行部分4(1)の他端側から接続部分4(3)を通して第1ストリップライン4の第2平行部分4(2)の他端側に伝送され、同時に、第2ストリップライン5の第2平行部分5(2)の他端側から第2ストリップライン5の第1平行部分5(1)の他端側に伝送され、これらのUHF信号が相互結合された第1ストリップライン4の第2平行部分4(2)と第2ストリップライン5の第1平行部分5(1)の第2平行部分4(2)に供給される。この後、第2平行部分4(2)に伝送されたUHF信号は、第2平行部分4(2)から第2平行部分5(2)に伝送結合されるUHF信号に加算され、加算されたUHF信号が第1平行部分5(1)の一端側の信号出力端13から次続回路に出力される。
When the UHF signal is supplied to the
このとき、第1ストリップライン4の第2平行部分4(2)と第1接地導体6間に形成される分布キャパシタ成分と第2平行部分4(2)の一端側と接地点間に接続されているスルーホール8内の第1接続導体9により形成されるインダクタ成分との並列回路が高域カットオフ周波数近傍の第1周波数、例えば、図3に図示されている周波数f1で共振する第1トラップ回路を構成し、また、第2ストリップライン5の第2平行部分5(2)と第2接地導体7間に形成される分布キャパシタ成分と第2平行部分5(2)の一端側と接地点間に接続されているスルーホール10内の第2接続導体11により形成されるインダクタ成分との並列回路が高域カットオフ周波数近傍の第2周波数、例えば、図3に図示されている周波数f2で共振する第2トラップ回路を構成するようにしたので、図3に図示の特性図及び図6に図示の特性図の比較から明らかなように、第1及び第2トラップ回路によりハイパスフィルタの通過帯域内の高域カットオフ周波数近傍の減衰特性が大幅に減少し、高域カットオフ周波数近傍の立上り特性を改善することができるものである。
At this time, the distributed capacitor component formed between the second parallel portion 4 (2) of the
1 第1誘電体層
2 第2誘電体層
3 第3誘電体層
4 平板状のコ字型の第1ストリップライン
4(1) 第1平行部分
4(2) 第2平行部分
4(3) 接続部分
5 平板状のコ字型の第2ストリップライン
5(1) 第1平行部分
5(2) 第2平行部分
5(3) 接続部分
6 第1接地導体
7 第2接地導体
8 第1のスルーホール
9 第1接続導体
10 第2のスルーホール
11 第2接続導体
12 信号入力端
13 信号出力端
14 第3のスルーホール
15 第4のスルーホール
16 第5のスルーホール
17 第6のスルーホール
18 第3接続導体
19 第4接続導体
20 第5接続導体
21 第6接続導体
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記第1のストリップラインの一方の平行部分の他端と前記第1のストリップラインの他方の平行部分の他端とが第1の接続部分で接続され、
前記第2のストリップラインの一方の平行部分の他端と前記第2のストリップラインの他方の平行部分の他端とが第2の接続部分で接続され、
前記第1のストリップラインの一方の平行部分の一端と、前記第2のストリップラインの他方の平行部分の他端が対向し、
前記第1のストリップラインの一方の平行部分の他端と、前記第2のストリップラインの他方の平行部分の一端が対向し、
前記第1のストリップラインの他方の平行部分の一端と、前記第2のストリップラインの一方の他端が対向し、
前記第1のストリップラインの他方の平行部分の他端と、前記第2のストリップライン
の一方の一端が対向し、
前記第1のストリップラインの他方の平行部分の一端及び前記第2ストリップラインの他方の平行部分の一端を前記多層基板に設けたスルーホールを通して接地導体に導電接続し、
前記第1ストリップラインの他方の平行部分と前記接地導体間に形成される分布キャパシタ成分、及び、前記第1ストリップラインに接続される前記スルーホールにより形成されるインダクタ成分とからなる並列共振回路の共振周波数を通過帯域とし、
前記第2ストリップラインの他方の平行部分と前記接地導体間に形成される分布キャパシタ成分、及び、前記第2ストリップラインに接続される前記スルーホールにより形成されるインダクタ成分とからなる並列共振回路の共振周波数を通過帯域とすることを特徴とするハイパスフィルタ。 A flat U-shaped first and second strip line each having one and the other parallel portion and a connecting portion connecting each other end of the one and the other parallel portion are different from each other in the multilayer substrate. In the dielectric layer, the connecting portions of the first and second strip lines are disposed in opposite directions, and the corresponding one and other parallel portions of the first and second strip lines are disposed on the dielectric layer. A signal input end is formed at one end of one parallel portion of the first strip line, a signal output end is formed at one end of the one parallel portion of the second strip line,
The other end of one parallel portion of the first strip line and the other end of the other parallel portion of the first strip line are connected by a first connection portion,
The other end of one parallel portion of the second stripline and the other end of the other parallel portion of the second stripline are connected by a second connection portion;
One end of one parallel portion of the first strip line and the other end of the other parallel portion of the second strip line are opposed to each other,
The other end of one parallel portion of the first strip line and one end of the other parallel portion of the second strip line are opposed to each other,
One end of the other parallel portion of the first strip line and one other end of the second strip line are opposed to each other,
The other end of the other parallel portion of the first strip line and one end of the second strip line are opposed to each other;
One end of the other parallel portion of the first strip line and one end of the other parallel portion of the second strip line are conductively connected to a ground conductor through a through hole provided in the multilayer substrate ;
A parallel resonant circuit comprising: a distributed capacitor component formed between the other parallel portion of the first strip line and the ground conductor; and an inductor component formed by the through hole connected to the first strip line. Let the resonant frequency be the passband,
A parallel resonant circuit comprising a distributed capacitor component formed between the other parallel portion of the second strip line and the ground conductor, and an inductor component formed by the through hole connected to the second strip line high pass filter characterized by a passband and to Rukoto the resonant frequency.
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