JP4347449B2 - 光電池のバッチ製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の光電池の製造方法に関し、より詳しくは、そのような複数の光電池のバッチ製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光電池は、より一般には太陽電池と呼ばれ、光エネルギーを電気エネルギーに変換する接合型半導体デバイスである。光電池の典型的な構造は、本質的に５つの層、すなわち第１及び第２の電極、及びこれらの２つの電極に挟まれていてｎ−ｉ−ｐジャンクションあるいはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する互いに重ねられた３つの層を含む半導体の複合本体部よりなる。２つの電極の一方は光透過性を有する。光が光起電力性半導体の本体部を形成する層に達すると、このデバイスは電極間に光強度の増加に伴って増加する電圧を発生する。
【０００３】
これらの太陽電池は、腕時計や電卓のような一般消費者向け製品、さらには太陽エネルギーから発電するための工業用製品で広範に使用されている。
【０００４】
この種の太陽電池の工業規模でのバッチ製造は、比較的最近のことであり、適当な光電池製造技術がないために長い間制限されてきた。しかしながら、最近、信頼性の高い光電池を工業規模で安価に製造するための技術が開発された。
【０００５】
米国特許第４，４８５，１２５号には、半導体の細長いウェブに複数の太陽電池を連続的に製造するための安価な工業規模の製造方法が開示されている。この方法によれば、巻出しリールと巻取りリールとの間に延びるフレキシブル基板上に非常に高品質の少なくとも１つのｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する半導体層が連続的にプラズマ蒸着される。このような方法によって得られる製品は、通常、基板及び下部電極を形成する導体のウェブまたはストリップが必要で、このストリップには、順にそれぞれｎ−ｉ−ｐの３つの半導体層と上部電極を形成する透明導体層が堆積される。このストリップは、例えば数１０センチメートルの幅と数１０メートルの長さを有して、非常に大きな寸法の単一の光電池と見なすことができる。それゆえ、このストリップは、最終用途に適合させるためにより小さい寸法のデバイスに分割しなければならない。
【０００６】
米国特許第５，４５７，９５７号には、上記米国特許第４，４８５，１２５号に開示された方法によって得られるようなストリップから光電池を製造するための方法が開示されている。この後者の方法においては、ストリップはまず剪断または鋸切断によって個々の光電池に分断され、次いでそれらの光電池がコネクティングテープによっていくつかの光電池を含むモジュールの形に接続される。しかしながら、ストリップを個々の光電池に分断するステップは、必然的に光電池の切断縁部付近に非常に多くの短絡欠陥が伴い、特に上部電極と下部電極との偶発的な接触による欠陥が生じやすい。このように、この方法は、切断後の光電池をチェックし、試験するための余分なステップが必要となる。従って、このような方法では切断ステップのすぐ後に光電池を使用することはできず、その結果この方法による製造効率は低くなる。
【０００７】
この欠点を克服するために、米国特許５，４５７，０５７号では、切断ステップで生じた欠陥をその後に続く２つのステップ内で取り除くことが提案されている。その第１のステップは、切断された光電池に対して、切断ステップで生じた上記の欠陥を含む周囲領域を中心部の活性領域に対して絶縁することである。このためには、上部電極を形成する材料及びｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成している半導体の層を光電池の輪郭線沿いに除去して基板を露出させることが提案されている。これらの層の除去は、スクライビング法、化学エッチング法、あるいはレーザビームを用いることによって行うことができる。第２のステップでは、基板の上記の層を除去した部分を光電池の裏側から切断することよって、切断欠陥のある周囲領域を中心部領域から切り離す。この方法の別の態様においては、周囲領域は残され、光電池の接続手段として用いられる。
【０００８】
ジャンクションを形成する半導体層の除去は、非常に侵食性の強い化学薬品による処理か、あるいはやはり短絡を引き起こし得るレーザまたはスクライビング法により上記の層を融除するという困難な方法の実施が必要なため、特に困難である。
【０００９】
さらに、周囲領域を残すことは、結果的に各光電池におけるその必要スペースが所与の活性領域に対してより大きくなることになる。このように余分のスペースが必要になることは、腕時計等のような寸法の小さい物に組み込まなければならない一部の用途における光電池の利用にとって大きな制約になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は上記のような従来技術の欠点を解消するためになされたもので、その主たる目的は、複数の光電池が一バッチとして製造され、次いでそのバッチを個々の光電池に容易に分割することができ、その際それらの光電池に損傷を及ぼす危険がなく、かつ各光電池を形成する種々の層間に短絡を生じさせる危険がない光電池のバッチ製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的達成のため、本発明は、その第１の態様として、
各光電池が、
第１の電極となる導体基板と、
透明または半透明の第２の電極と、
ｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する互いに重ねられた３つの層を含みかつ第１と第２の電極との間に位置するジャンクションを形成する光起電力性半導体の本体部と、
を有する光電池のバッチ製造方法であって、
（ａ）少なくとも１本の導体ストリップを用意するステップと、
（ｂ）ストリップ中で、第１の電極としての下部電極を形成する基板を所望の光電池の形状及び寸法を画定する切断線に沿って順次パンチングするステップと、
（ｃ）切られた基板をそれが切られたストリップの元の場所に戻すステップと、
（ｄ）ストリップの片面にｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する互いに重ねられた３つの層を堆積させて本体部を形成するステップと、
（ｅ）本体部の上面に透明または半透明の導体層を堆積させて第２の電極としての上部電極を形成するステップと、
（ｆ）本体部及び上部電極が堆積された基板をストリップから取り外して光電池を形成するステップと、
を少なくとも具備したことを特徴とする。
【００１２】
このように導体ストリップ中で所望の光電池の寸法を有する基板をパンチングして切り、次にそれらの切られた基板を正にそれらの基板が切られたストリップ中の元の場所に戻すことよりなるこの技術を用いることは、簡単で、信頼性が高く、迅速に行うことができる結果、特に経済性に優れた切断技術である。
【００１３】
さらに、取り外すステップの前に、この方法では、複数の完成状態の光電池を形成するためにストリップ上で一連のステップを実行することが可能であり、これには、特に光電池が計時器等用の文字盤を形成するために使用される場合においては光電池上に文字盤の刻目を転写するステップや、必要に応じて、完成状態の光電池の接続を容易にするために接点パッドを堆積させるステップ等を入れることができる。
【００１４】
この方法は、導体ストリップからの基板または光電池の取り外しが単にそれらの光電池に圧力を加えるだけで行われ、従って複雑で実施が高価につくレーザあるいはウォータージェット切断装置を使用する必要がないという点で、従来技術の方法と比較してとりわけ有利である。さらに、ストリップからの取り外し後は、各光電池は、必要に応じて行われる試験ステップを除き、それ以上何らかの処理ステップを課す必要がない。このように、本発明の方法によれば、すぐに使用可能な状態の光電池が得られる。
【００１５】
本発明は、その第２の態様として、
各光電池が、
第１の電極となる導体基板と、
透明または半透明の第２の電極及び第１と第２の電極との間に配置された光起電力性半導体の本体部と、
を有する複数の光電池のバッチ製造方法において、
（ａ）少なくとも１本の導体ストリップを用意するステップと、
（ｂ）ストリップ中で、各光電池の第１の電極としての下部電極を形成しかつ所望の光電池の寸法を有する基板を、基板の各々が少なくとも１つの材料ブリッジによってストリップの他の部分につながれるようにして切るステップと、
（ｃ）ストリップの片面に少なくとも１つのｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する半導体を堆積させるステップと、
（ｄ）半導体の上面に材料ブリッジの上方を除いて透明または半透明の導体層を堆積して第２の電極としての上部電極を形成するステップと、
（ｅ）ストリップから、材料ブリッジを透明または半透明材料で被覆されていない部分で切断することにより、半導体及び上部電極が堆積された基板を取り外して光電池を形成するステップと、
を少なくとも具備したことを特徴とする
【００１６】
これらの特徴の結果として、切断されることになる材料ブリッジの上部の導体は取り除かれているので、仕上がった光電池の切り出し時に上部電極の塑性流れから起こり得る短絡の問題は全て解消される。
【００１７】
一つの効果的な形として、本発明の方法によれば、上記材料ブリッジによって導電体ストリップに保持される光電池は互いに電気的に絶縁されるということは理解されよう。このため、光電池をストリップ上にあるままの状態で試験することが可能であり、欠陥のある光電池に印をつけることができる。このように印を付けられた欠陥光電池は、特にそれらの光電池が計時器等の文字盤を形成するために使用する場合、文字盤の刻目あるいは装飾デザイン転写ステップのような後に続く製造ステップで無視することができる。
【００１８】
本発明の上記の両方の態様に共通した効果的な特徴として、ストリップは、上記の半導体及び透明または半透明材料の層を堆積させるステップを実行する前に、各々所定数の光電池を含むストリップ断片に切断される。
【００１９】
本発明の上記の両方の態様に共通したもう一つの効果的特徴として、半導体層はプラズマ蒸着されるのに対し、上部電極を形成する透明または半透明層は通常の蒸着法によって堆積される。この後者の方法は方向性があり、基板の面に対して直角な側面は被覆されないか、またはほんの僅かしか被覆されない。
【００２０】
この特徴は本発明の第２の態様との関連で特に効果的である。実際、半導体層は、プラズマ蒸着すると、下部電極を形成する各基板の外縁部及び外側面を被覆するので、ジャンクションを形成する半導体層の抵抗率が大きければ、その後堆積される透明または半透明層に対して基板が電気的に完全に絶縁される。このようにして各光電池の周囲における余分なスペースの配置を避けることができ、そのために各光電池の活性表面を大きくすることができる。このことによっても光電池の外観がさらに改善されることになり、このような光電池を計時器の文字盤として使用する場合に重要な効果となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明のその他の特徴及び長所は、本発明に対して限定的な意味を有しない例を用いて図面を参照しつつ行う以下の本発明による方法の実施形態の説明より明らかとなろう。
【００２２】
以下、本発明を腕時計のような計時器用の文字盤を形成する円形光電池の製造への応用という範囲内で説明する。しかしながら、本発明は決してこのような用途に限定されるものではなく、他の任意の形状の光電池の製造という分野で使用することが可能であり、かつあらゆる形態の電気器械、特に低電力消費機器に応用することができるということは言うまでもない。
【００２３】
まず図１乃至５を参照して、本発明の方法の第１の実施形態を説明する。
【００２４】
図１には、光電池のジャンクションを形成する半導体層を含む複数の光電池の下部電極を形成する基板４となる導体のストリップ２が示されている。ストリップ２は通常ステンレススティール製である。もちろん、堆積させた状態でジャンクションを形成する半導体層の性質と適合する他の金属材料を使用することも可能である。
【００２５】
別の態様として、ストリップ２は、絶縁体製とし、その片面に導体層をコーティングしたものを用いることもできる。従って、以下の説明において、「導体ストリップ」という用語は、金属材料製のストリップまたは絶縁体に導体層をコーティングして形成されたストリップを意味するものとする。
【００２６】
図１に示す例において、ストリップ２は巻出しリール１からパンチングステーション（図示省略）へ供給される。このパンチングステーションで、適切なパンチとダイを用いて所望の光電池の最終形状及び寸法を画定する切断線６沿いにストリップ２から基板４が順次押し抜かれる。
【００２７】
図から明らかなように、この特定の場合においては、パンチとダイは、光電池の輪郭を切ると同時に、後工程で光起電力性ダイアルが取り付けられる時計の針を固定する軸を通すことができるように、各基板４のほぼ中心に穴８を形成するようになっている。また、ストリップ２には、仕上がり後の光電池へのデザイン転写のような後工程においてストリップ断片の正確な位置決めを可能にするための割出し／駆動穴１０も設けられている。
【００２８】
パンチングステップのすぐ後、切られた基板４は、周知の技術によってそれが切られたストリップ２中の元の場所へ戻される。この切られた部分は、そのパンチングされた部分をストリップ中の元の位置に戻す時に自然に生じるミクロ溶接部によってストリップ中に保持されるということは理解されよう。
【００２９】
基板４をストリップ２に戻すステップの後、ストリップ２は各々所定数（従来は約１０個）の基板４を含むストリップ断片１２に切断される。ストリップ２をその断片１２に切断する切断線１４は、図１には破線で表されている。このストリップ２を断片１２に切断するステップは、通常打ち抜き、剪断、鋸切断、あるいはその他当業者に周知の任意の手段によって行われる。このストリップ２を断片１２に切断することの利点は、これらの断片１２は、平坦な姿勢で保持し易く、かつストリップ２を切断せず、長いままの場合に、その断片１２に相当する部分が過度に曲がって基板４が抜け落ちたり、切られた後にストリップに戻された基板とストリップとの接続が壊れるほどの応力が生じたりする危険性なしに扱うことができるということである。
【００３０】
ストリップの断片１２は、次いで、収納カセットに入れられた後、逐次設けられた異なるチャンバに導入されて、基板４の前面４ａに少なくとも１つのｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する半導体１６が堆積され、その後半導体１６上に透明または半透明な導体層１８が堆積されて（図２及び３）、光電池の構造をなすアセンブリが形成される。
【００３１】
半導体１６は、例えばミラー（Ｍｉｌｌｅｒ）及びマリン（Ｍｕｌｌｉｎ）編、プレナム・プレス（Ｐｌｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓ）社刊（ニューヨーク、１９９１年）の「電子材料（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」の「アモルファスシリコン」の章（１４３ページ及び次ページ）に記載されている通常のＰＥＣＶＤ（プラズマ増速ＣＶＤ）法によって堆積される。
【００３２】
図２及びで明らかなように、光電池の構造は、基板４と光電池の上部電極を形成する層１８との間にサンドウィッチ状に挟まれたそれぞれｐ−ｉ−ｎまたはｎ−ｉ−ｐ層をなす３つの薄層２０ａ、２０ｂ及び２０ｃを有する。
【００３３】
通常、ｐ−ｉ−ｎジャンクションの場合は、層２０ａはｐ形導電性を得るためにホウ素をドーピングした水素含有アモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ：Ｈ）であり、層２０ｂは真性層、層２０ｃはｎ形導電性を得るためにリンをドーピングした水素含有アモルファスシリコン層である。
【００３４】
透明または半透明層１８は、通常のごとく蒸着法によって堆積される。透明層の場合、層１８は通常インジウムと酸化スズの混合物ＩＴＯで形成される。半透明層の場合、層１８は通常例えばアルミニウム、銀、プラチナ、パラジウム、ニッケル、チタン、ロジウムあるいは金のような金属層である。
【００３５】
添付図面はこれらの種々の層の正確な寸法を反映したものではなく、寸法は図示及びその明瞭さを確保するために大きく拡大されているということは理解されよう。概要的に言うと、ストリップ２の厚さは通常０．５ミリメートルのオーダーであり、層２０ａ及び２０ｃの厚さは通常１０乃至３０ナノメートルのオーダー、層１８の厚さは、透明層の場合は５０乃至２００ナノメートルのオーダー、半透明層の場合で２０乃至５０ナノメートルのオーダーである。
【００３６】
層２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び１８の堆積後、前工程で切断され、堆積層によってコーティングされた基板４は、ストリップ２の各断片１２から取り外され、すぐにも使用可能な光電池２２が得られる。これを行うためには、図３に示すように、各光電池２２の電極１８の側に垂直方向に圧力が加えられる。このステップは、例えば光電池２２を下方に押し下げる簡単なプランジャを用いて自動的に行うことができる。この取り外し時には、層２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び１８が破断され、下方の取り外し運動がこれらの層アセンブリ全体を持ち上げるように作用するということは理解されよう。この取り外し方法は、上部電極１８がこれと短絡を起こし易い下部電極４（基板）から離れる方向に移動するので特に好都合である。
【００３７】
この方法の別の態様（図４）によれば、光電池２２を互いに電気的に絶縁するために、取り外しステップに先立って各光電池２２の周囲領域２４で層１８の材料が取り除かれる。このように互いに絶縁すると、光電池２２はストリップ断片１２に固着された状態のまま電気的に試験することができるという利点がある。周囲領域２４における層１８の材料の除去は、例えば、層１８の上面に感光性樹脂マスクを堆積し、層１８の保護したい部分を紫外光で露光した後、露光されなかった樹脂部分を溶解させることにより、通常の方法で行うことができる。それらの層１８の露出部分の除去は、通常化学エッチングにより、例えば層１８の材料がアルミニウムの場合、リン酸４容量部、酢酸４容量部及び硝酸１容量部と水１容量部を含有するエッチング剤を用いて行うことができる。その後、ストリップ断片１２の表面から保護マスクが取り除かれる。これに関して、周囲領域２４は各光電池２２の表面に部分的に広がっているということは理解されよう。
【００３８】
もちろん、この方法の別の態様では、層１８の堆積前に周囲領域２４に保護ラッカーを堆積し、層１６と周囲領域２４を覆うラッカーマスクとに層１８を堆積させた後、ラッカーマスク及び層１８の材料を溶解させて、周囲領域２４を露出させるやり方も可能である。
【００３９】
本発明のこの実施形態の方法では、上記取り外しステップの前に、各光電池２２の上部電極の上面に少なくとも１つの接点パッド２６を形成するステップを設けることもできる。接点パッド２６は、例えば金属ペースト、導電性ラッカー等のような良導体を堆積させることによって形成することができる。接点パッド２６は、直列抵抗をできるだけ小さくするために、光電池２２の周部上に、切断線６の上は除いて、連続的に形成することが望ましいということは理解されよう。
【００４０】
本発明の方法は、さらに、各光電池２２毎に時間円２８（図５）のようなデザイン及び／またはマークを上部電極１８の表面に転写するステップを備えてもよい。このステップは、上記取り外しステップの前、そして必要ならば光電池の電気試験ステップの前に行って、転写ステップが動作可能と判定された光電池２２についてのみ行われるようにすることが望ましい。
【００４１】
このように出来上がった光電池２２は、以後の取り扱いが容易になるよう適切な仕方でパッケージ状に封入することができる。
【００４２】
次に、図６乃至１０を参照して本発明の方法の第２の実施形態を説明する。これらの図中、図１乃至５との関連で説明したものと同じ構成要素には同じ参照符号が付してある。
【００４３】
図１乃至５に示した実施形態と異なり、基板４は、それらの各基板が少なくとも１つの材料ブリッジ３０によってストリップ２の切断部分以外の部分につながれたまま残るようにしてストリップ２から切断される。迅速性及び簡単さという目的のためには、この切断ステップは、パンチと所望の光電池２２の輪郭に対応した適切な形状を有するダイを用いて行うことが望ましい。前の実施形態と同じように、基板４の輪郭のパンチングと同時に穴８が形成される。他の切断手段を用いることが可能なことは言うまでもない。この点では、例えばレーザビームや高圧ウォータージェット切断を用いることができる。
【００４４】
各基板４をストリップ２の他の部分につなぐブリッジの数は基板４の形状の関数として変化する。これらのブリッジの３０数は、円形基板の場合３つで、基板４の周沿いに一定間隔で設けられる。矩形基板の場合はこれらのブリッジ３０は４つ、すなわち例えば基板４の各角隅に１つずつ設けることができる。
【００４５】
パンチング工程を経たストリップ２は次にストリップ断片１２に切断され、それらの断片は、本発明の第１の実施形態で説明したようにして、次のｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する半導体１６の堆積に備えてボックスまたはカセット中に平坦姿勢で配置される。
【００４６】
このプラズマ蒸着ステップは、基板４の前面４ａだけでなく、縁部３２及び外側面３４にも堆積が行われるということは理解されよう。ただし、これらの縁部や外側面の堆積層は前面よりも薄い。
【００４７】
次のステップは、半導体１６の上面に透明または半透明層１８を堆積させることである。
【００４８】
この実施形態においては、次のストリップ断片１２から光電池２２を取り外すステップで上部電極１８と基板４との間に切断部ブリッジ３０によって何らかの短絡障害が発生するのを避けるために、これらのブリッジ３０は上部電極１８を形成する材料で形成してはならない。
【００４９】
このために、ブリッジ３０は、第１の実施形態と関連して前に説明したのと同様に行われる層１８を堆積させるステップを行う前に、ラッカーまたは保護樹脂のような保護材料３６を用いて被覆保護される。通常、保護材料３６は合成樹脂で、供給機構によって液滴の形で自動的に被覆され、また層１８の堆積後に例えば樹脂を溶解させることによって取り除かれ、これと同時にブリッジ３０の上にある層１８の材料も取り除かれる。
【００５０】
別の態様によれば、層１８の堆積前に保護材料を被覆させるのではなく、ブリッジ３０の上にこの層を形成する材料を後で例えば適切な形状の保護マスクを用いた選択的化学エッチング法によって取り除くようにすることももちろん可能である。
【００５１】
次に、光電池２２は、切断によりストリップ断片１２から取り外されて、すぐに使用可能な個別の光電池２２となる。好ましくは、この切断は図１０に一部図示されたパンチ３８を用いたパンチングにより行われる。もちろん、レーザビームやウォータージェットを用いた切断方法も可能である。
【００５２】
さらに、第１の実施形態の方法と同様に、上記の取り外しステップの前に、接点パッド２６を形成するステップ、光電池２２の電気試験ステップ、及びデザイン及び／または刻目転写ステップを具備することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態により光電池の基板及び下部電極を形成する部材がストリップから押し抜かれ、次いでストリップに戻される状態を示すストリップの概略斜視図である。
【図２】 図１の線II‐IIで切断したストリップの部分断面図で、各光電池を取り外す前にストリップ半導体の光起電力性ｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する半導体及び上部電極を堆積させた状態を示す。
【図３】 各光電池を切るステップ後における図２と同様の部分断面図である。
【図４】 本発明の方法のもう一つの実施形態の図２と同様の部分断面図である。
【図５】 図４に示す光電池のストリップ断片から外された後における上面図である。
【図６】 本発明の方法の第２の実施形態により光電池の下部電極を形成する基板が切り出される状態を示す断片に切断された後のストリップの概略斜視図である。
【図７】 上部電極を形成するための材料を堆積させるステップの前のストリップ断片の部分斜視図である。
【図８】 図７の線VIII‐VIIIで切断した断面図である。
【図９】 上部電極を堆積したステップの後における図７の線IX‐IXで切断した断面図である。
【図１０】 各光電池を外すステップ中における図９と同様の断面図である。
【符号の説明】
２ ストリップ、４ 基板、６ 切断線、８ 穴、１２ 断片、１６ 半導体層、
１８ 透明電極層。

Claims (12)

1. 各光電池（２２）が、
   第１の電極（４）となる導体基板（４）と、
   透明または半透明の第２の電極（１８）と、
   ｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する互いに重ねられた３つの層を含みかつ第１と第２の電極（４、１８）との間に位置するジャンクションを形成する光起電力性半導体の本体部（１６）と、
   を有する光電池（２２）のバッチ製造方法において、
   （ａ）少なくとも１本の導体ストリップ（２）を用意するステップと、
   （ｂ）ストリップ（２）中で、第１の電極としての下部電極（４）となる基板（４）を所望の光電池（２２）の形状及び寸法を画定する切断線（６）に沿って順次パンチングするステップと、
   （ｃ）切られた基板（４）をそれが切られたストリップ（２）の元の場所に戻すステップと、
   （ｄ）ストリップ（２）の片面（４ａ）にｎ−ｉ−ｐまたはｐ−ｉ−ｎジャンクションを形成する互いに重ねられた３つの層を堆積させて本体部（１６）を形成するステップと、
   （ｅ）本体部（１６）の上面に透明または半透明の導体層を堆積させて第２の電極としての上部電極（１８）を形成するステップと、
   （ｆ）本体部（１６）及び上部電極（１８）が堆積された基板（４）をストリップ（２）から取り外して光電池（２２）を形成するステップと、
   を少なくとも具備したことを特徴とする方法。
2. 上記半導体（１６）及び上記透明または半透明の導体層を堆積させるステップを実行する前に、上記ストリップ（２）を所定数の上記基板（４）を含むストリップ断片（１２）に切断することを特徴とする請求項１記載の記載の方法。
3. さらに、各光電池（２２）毎に上記上部電極（１８）用の接点パッド（２６）を形成するステップを有することを特徴とする請求項１又は２記載のいずれか１項に記載の方法。
4. 上記光電池（２２）の周辺部に上記切断線（６）の上方にわたらないようにして上記接点パッド（２６）を配置することを特徴とする請求項３記載の方法。
5. 上記接点パッド（２６）が連続しており、上記光電池（２２）の全周にわたって延びていることを特徴とする請求項３または４のいずれか１項に記載の方法。
6. さらに、上記各光電池（２２）の上部電極（１８）の表面上に時間円（２８）のようなデザインを転写するステップを有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
7. 上記半導体（１６）及び透明または半透明な導体層を堆積させるステップを実行する前に、各光電池（２２）の中心位置に穴を貫通形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
8. 上記半導体（１６）の層がプラズマ蒸着によって形成される一方、上記上部電極（１８）を形成する透明または半透明な導体層が通常の蒸着法によって形成されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
9. 上記基板（４）をストリップ（２）から取り外す上記ステップが光電池（２２）の上部電極（１８）の側に圧力を加えることよりなることを特徴とする上記請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
10. 上記基板（４）をストリップ（２）から取り外す上記ステップの実行前に、さらに、
    上記上部電極（１８）を形成する層の上面に保護材料層（３６）を被覆するステップと、
    上記各光電池（２２）の周囲領域の保護材料層（３６）を取り除いて、周囲領域の透明または半透明な導体層を露出させるステップと、
    周辺領域から透明または半透明な導体層を取り除くステップと、
    残留する保護材料層（３６）を取り除くステップと、
    を有することを特徴とする請求項９記載の方法。
11. 上記基板（４）をストリップ（２）から取り外す上記ステップの前に、上記光電池を電気的に試験するステップをさらに有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
12. 上記ストリップ（２）がステンレススティール製であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。

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