JP4358075B2

JP4358075B2 - Polishing pad

Info

Publication number: JP4358075B2
Application number: JP2004264483A
Authority: JP
Inventors: 英郎鈴木
Original assignee: Inoac Corp
Current assignee: Inoac Corp
Priority date: 2004-09-10
Filing date: 2004-09-10
Publication date: 2009-11-04
Anticipated expiration: 2024-09-10
Also published as: JP2006075959A

Description

本発明は、半導体ウェハ等の被研磨体を機械研磨又は化学機械研磨するために用いられる研磨パッドに関する。 The present invention relates to a polishing pad used for mechanically polishing or chemical mechanically polishing an object to be polished such as a semiconductor wafer.

この種の研磨パッドは、一般的に、研磨面を有するパッド本体と、このパッド本体の下面に貼り付け固定される緩衝体とによって構成されている。ところが、このような研磨パッドは、プラテン上に緩衝体を両面テープで貼り付け、この緩衝体の上にパッド本体を両面テープで貼り付ける必要があるため、プラテンへの貼付工数が多く手間がかかる。また、プラテンとパッド本体との間に２層の両面テープと緩衝体とが介在されるため、パッド本体の研磨面の高さ精度が出にくい。 This type of polishing pad is generally composed of a pad main body having a polishing surface and a buffer bonded and fixed to the lower surface of the pad main body. However, this type of polishing pad requires a lot of time and effort to apply to the platen because it is necessary to apply a cushion on the platen with a double-sided tape and then paste the pad body onto the buffer with a double-sided tape. . In addition, since the double-sided double-sided tape and the buffer are interposed between the platen and the pad main body, it is difficult to obtain the height accuracy of the polishing surface of the pad main body.

例えば特許文献１に開示される研磨パッドは、ポリウレタン系発泡体からなるパッド本体における研磨面側と反対側に、前記緩衝体に代わる応力緩和領域が一体に形成されている。この応力緩和領域は、パッド本体の下面に形成された逃げ部と、この逃げ部によって形成された多数の応力調整部によって構成されている。各応力調節部は、プラテンの上面に当接し、パッド本体に作用する応力をその弾性変形によって緩和する。この研磨パッドは、パッド本体単体によって構成されるので、１枚の両面テープのみでプラテンに貼り付ることができ、プラテンへの貼付工数が少なくなる。同じ理由により、研磨パッドをプラテンに貼り付けたときに、研磨面の高さ精度が出やすい。また、特許文献１と同様な研磨パッドが、特許文献２にも開示されている。
特開２００４−４２１８９号公報米国特許第６２１７４２６号明細書 For example, in the polishing pad disclosed in Patent Document 1, a stress relaxation area instead of the buffer body is integrally formed on the side opposite to the polishing surface side of the pad main body made of polyurethane foam. This stress relaxation region is constituted by a relief portion formed on the lower surface of the pad main body and a number of stress adjusting portions formed by the relief portion. Each stress adjuster abuts on the upper surface of the platen, and relieves stress acting on the pad main body by its elastic deformation. Since this polishing pad is composed of a single pad main body, it can be attached to the platen with only one double-sided tape, and the number of steps for attaching to the platen is reduced. For the same reason, when the polishing pad is attached to the platen, the height accuracy of the polishing surface is easily obtained. A polishing pad similar to that of Patent Document 1 is also disclosed in Patent Document 2.
JP 2004-42189 A US Pat. No. 6,217,426

しかしながら、上記特許文献１，２のような研磨パッドでは、パッド本体の下面が逃げ部の分だけ開口しているので、両面テープを介したプラテンへの接着強度が不足することがあった。このため、研磨中の研磨パッドが、まだ寿命があるにも拘らずプラテン上面から剥がれてしまうことがあった。 However, in the polishing pads as described in Patent Documents 1 and 2, since the lower surface of the pad body is opened by the escape portion, the adhesive strength to the platen via the double-sided tape may be insufficient. For this reason, the polishing pad being polished may be peeled off from the upper surface of the platen despite having a lifetime.

本発明は、このような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものである。その目的とするところは、プラテンへの貼付工数が少ない上、研磨面の高さ精度が出しやすく、しかも、研磨パッドの使用可能時間を延ばすことができる研磨パッドを提供することにある。 The present invention has been made paying attention to such problems existing in the prior art. An object of the invention is to provide a polishing pad that requires a small number of steps for sticking to the platen, can easily obtain the height accuracy of the polishing surface, and can extend the usable time of the polishing pad.

上記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、パッド基材の上面が研磨面とされ、同パッド基材の下面側がプラテン固定部とされ、同プラテン固定部は、同パッド基材の下面に形成された凹状逃げ部と、この凹状逃げ部によって形成された凸状部とによって構成されている研磨パッドにおいて、前記凹状逃げ部は、前記パッド基材の下面における開口率が１１．４〜５７．９％の範囲となるように形成されており、前記凹状逃げ部は、前記パッド基材の中心軸を中心とする同心円状の環状逃げ溝であり、前記凸状部は、前記環状逃げ溝間に形成される環状突条部であり、前記研磨面には、前記パッド基材の中心軸を中心とする同心円状の複数の環状溝が設けられ、同環状溝と前記環状逃げ溝とは、前記パッド基材の表裏において同パッド基材の径方向に互いにずれた位置に設けられており、前記環状溝の研磨面における開口率と、前記環状逃げ溝のパッド基材の下面における開口率との比率は１．０：１．０〜５．１の範囲内であり、同環状溝の深さと、同環状逃げ溝の深さとの比率は１．０：１．０〜２．２の範囲内であることを特徴とする。 In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, the upper surface of the pad base material is a polishing surface, the lower surface side of the pad base material is a platen fixing portion, and the platen fixing portion is In a polishing pad constituted by a concave relief portion formed on the lower surface of the material and a convex portion formed by the concave relief portion, the concave relief portion has an opening ratio of 11 on the lower surface of the pad base material. .4 to 57.9% of range , the concave relief portion is a concentric annular relief groove centered on the central axis of the pad base material, and the convex portion is An annular ridge formed between the annular relief grooves, and the polishing surface is provided with a plurality of concentric annular grooves centered on a central axis of the pad base material, the annular groove and the annular The escape groove is the same on the front and back of the pad base material. The ratio of the opening ratio of the annular groove on the polishing surface to the opening ratio of the annular relief groove on the lower surface of the pad substrate is 1.0: 1. 0.0 to 5.1, and the ratio of the depth of the annular groove to the depth of the annular relief groove is in the range of 1.0: 1.0 to 2.2. .

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記環状逃げ溝の幅は０．２〜１．０ｍｍの範囲内であり、ピッチは０．５〜１．５ｍｍの範囲内であることを特徴とする。 The invention according to claim 2 is the invention according to claim 1 , wherein the width of the annular relief groove is in the range of 0.2 to 1.0 mm, and the pitch is in the range of 0.5 to 1.5 mm. It is characterized by being.

請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記環状逃げ溝の深さは、０．６〜１．３ｍｍの範囲内であることを特徴とする。 The invention according to claim 3 is the invention according to claim 1 or 2 , wherein the depth of the annular relief groove is in the range of 0.6 to 1.3 mm .

請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記パッド基材は、合成樹脂の発泡体からなることを特徴とする。 The invention according to claim 4 is the invention according to any one of claims 1 to 3 , wherein the pad base material is made of a synthetic resin foam.

本発明によれば、単体のパッド基材の下面側を応力緩和のためのプラテン固定部としたので、プラテンへの貼付工数が少ない上、研磨面の高さ精度が出しやすい。しかも、プラテン固定部の下面における凹状逃げ部の開口率を適正な範囲に設定したので、プラテン固定部の両面テープからの剥がれを防止し、研磨パッドの使用可能時間を延ばすことができる。 According to the present invention, since the lower surface side of the single pad base material is used as a platen fixing portion for stress relaxation, the number of steps for attaching to the platen is small, and the height accuracy of the polished surface is easily obtained. Moreover, since the opening ratio of the concave relief portion on the lower surface of the platen fixing portion is set within an appropriate range, the platen fixing portion can be prevented from peeling off from the double-sided tape, and the usable time of the polishing pad can be extended.

次に、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図３に従って説明する。
図１（ａ），（ｂ），（ｃ）及び図２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、研磨パッド１０は、ＲＩＭ（Reaction Injection Molding）成形されたポリウレタン系発泡体からなるパッド基材１１を備えている。パッド基材１１の上面側は研磨面１１ａとなっており、下面側がプラテン固定部１２とされている。パッド基材１１の研磨面１１ａには、パッド基材１１の中心軸を中心とする同心円状の複数の環状溝１３が形成されている。各環状溝１３は、研磨時に研磨パッド１０の研磨面１１ａ上に供給されるスラリーを保持するために設けられている。研磨パッド１０は、例えば直径５０８ｍｍ、厚さ２．５４ｍｍに形成され、環状溝１３は、例えば幅０．２ｍｍ、深さ０．６ｍｍ、ピッチ１．５ｍｍで、研磨面１１ａにおける開口率（研磨面１１ａ全体の面積に対して全環状溝１３が占める面積の割合）が１１．４％となるように形成されている。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 1 (a), (b), (c) and FIGS. 2 (a), (b), (c), the polishing pad 10 is a polyurethane foam molded by RIM (Reaction Injection Molding). The pad base material 11 which consists of is provided. The upper surface side of the pad base material 11 is a polishing surface 11 a and the lower surface side is a platen fixing portion 12. On the polishing surface 11 a of the pad base material 11, a plurality of concentric annular grooves 13 centering on the central axis of the pad base material 11 are formed. Each annular groove 13 is provided to hold slurry supplied onto the polishing surface 11a of the polishing pad 10 during polishing. The polishing pad 10 is formed to have a diameter of 508 mm and a thickness of 2.54 mm, for example, and the annular groove 13 has a width of 0.2 mm, a depth of 0.6 mm, and a pitch of 1.5 mm, for example, and an aperture ratio (polishing surface) on the polishing surface 11a. The ratio of the area occupied by all the annular grooves 13 to the entire area of 11a) is 11.4%.

前記プラテン固定部１２は、パッド基材１１の下面においてパッド基材１１の中心軸を中心とする同心円状に形成された複数の環状逃げ溝（凹状逃げ部）１４と、この環状逃げ溝１４間に形成された複数の環状突条部（凸状部）１５によって構成されている。各環状突条部１５は、後述するプラテン２０の上面に当接可能となっている。そして、プラテン固定部１２は、研磨時にパッド基材１１に対して加えられる荷重に対して各環状突条部１５が弾性変形することで、パッド基材１１に作用する応力を緩和するようになっている。 The platen fixing portion 12 includes a plurality of annular relief grooves (concave relief portions) 14 formed concentrically around the central axis of the pad base material 11 on the lower surface of the pad base material 11, and between the annular relief grooves 14. It is comprised by the some cyclic | annular protrusion part (convex part) 15 formed in this. Each annular ridge 15 can be in contact with the upper surface of a platen 20 described later. And the platen fixing | fixed part 12 comes to relieve | moderate the stress which acts on the pad base material 11 because each cyclic | annular protrusion 15 elastically deforms with respect to the load applied with respect to the pad base material 11 at the time of grinding | polishing. ing.

前記環状逃げ溝１４は、パッド基材１１の下面における環状逃げ溝１４の開口率が１１．４〜５７．９％の範囲内となるように形成されている。すなわち、環状逃げ溝１４は、幅が０．２〜１．０ｍｍの範囲内、ピッチが０．５〜１．５ｍｍの範囲内で形成されている。また、環状逃げ溝１４の深さは０．６〜１．３ｍｍの範囲内とされている。さらに、前記環状溝１３と環状逃げ溝１４とは、パッド基材１１の表裏においてパッド基材１１の径方向に互いにずれた位置に設けられている。また、前記環状溝１３の研磨面１１ａにおける開口率と、環状逃げ溝１４のパッド基材１１の下面における開口率との比率は１．０：１．０〜５．１の範囲内となっている。また、環状溝１３の深さと、環状逃げ溝１４の深さとの比率は１．０：１．０〜２．２の範囲内となっている。 The annular relief groove 14 is formed so that the opening ratio of the annular relief groove 14 on the lower surface of the pad base material 11 is in the range of 11.4 to 57.9%. That is, the annular relief groove 14 is formed with a width within a range of 0.2 to 1.0 mm and a pitch within a range of 0.5 to 1.5 mm. The depth of the annular relief groove 14 is in the range of 0.6 to 1.3 mm. Further, the annular groove 13 and the annular relief groove 14 are provided at positions shifted from each other in the radial direction of the pad base material 11 on the front and back sides of the pad base material 11. The ratio of the opening ratio of the annular groove 13 on the polishing surface 11a to the opening ratio of the annular relief groove 14 on the lower surface of the pad base 11 is in the range of 1.0: 1.0 to 5.1. Yes. The ratio between the depth of the annular groove 13 and the depth of the annular escape groove 14 is in the range of 1.0: 1.0 to 2.2.

以上のように構成された研磨パッド１０は、図３に示すように、プラテン（研磨定盤）２０の上面に対し両面テープ２１によって貼り付けられる。すなわち、研磨パッド１０は、プラテン２０上面と各環状突条部１５との間に介在する両面テープ２１によってプラテン２０上面に貼着される。プラテン２０の上方には、研磨パッド１０の研磨面１１ａに対向するように加圧ヘッド２２が設置され、この加圧ヘッド２２の下面に半導体ウェハ２３が保持されている。そして、プラテン２０及び加圧ヘッド２２はそれぞれ回転駆動され、加圧ヘッド２２により研磨パッド１０の研磨面１１ａに対しウェハ２３が所定の荷重で押し付けられる。研磨パッド１０の研磨面１１ａ上には、スラリー供給装置２４からスラリーが供給される。なお、スラリーは、分散液中に砥粒が分散されたものである。そして、研磨パッド１０の研磨面１１ａとウェハ２３の下面との間に介在するスラリー中の砥粒により、ウェハ２３の下面（被研磨面）が研磨される。 The polishing pad 10 configured as described above is attached to the upper surface of a platen (polishing surface plate) 20 with a double-sided tape 21 as shown in FIG. That is, the polishing pad 10 is adhered to the upper surface of the platen 20 by the double-sided tape 21 interposed between the upper surface of the platen 20 and each annular protrusion 15. A pressure head 22 is installed above the platen 20 so as to face the polishing surface 11 a of the polishing pad 10, and a semiconductor wafer 23 is held on the lower surface of the pressure head 22. The platen 20 and the pressure head 22 are rotationally driven, and the pressure head 22 presses the wafer 23 against the polishing surface 11a of the polishing pad 10 with a predetermined load. Slurry is supplied from the slurry supply device 24 onto the polishing surface 11 a of the polishing pad 10. The slurry is a slurry in which abrasive grains are dispersed in a dispersion. Then, the lower surface (surface to be polished) of the wafer 23 is polished by the abrasive grains in the slurry interposed between the polishing surface 11 a of the polishing pad 10 and the lower surface of the wafer 23.

本実施形態によれば、単一部材からなるパッド基材１１の下面側をプラテン固定部１２としたので、プラテン２０への貼付工数が少ない上、研磨面１１ａの高さ精度が出やすい。しかも、パッド基材１１の下面における環状逃げ溝１４の開口率を適正な範囲に設定したので、研磨中における両面テープ２１からのプラテン固定部１２の剥がれを防止し、研磨パッド１０の使用可能時間を延ばすことができる。 According to this embodiment, since the lower surface side of the pad base material 11 made of a single member is used as the platen fixing portion 12, the number of steps for applying to the platen 20 is small, and the height accuracy of the polishing surface 11a is easily obtained. Moreover, since the opening ratio of the annular relief groove 14 on the lower surface of the pad base material 11 is set to an appropriate range, the peeling of the platen fixing portion 12 from the double-sided tape 21 during polishing is prevented, and the usable time of the polishing pad 10 Can be extended.

次に、以上のように構成された研磨パッド１０を用いて半導体ウェハ２３の研磨を行った実施例について説明する。
試験条件
ａ．研磨機：ラップマスター社製片面ラッピング試験機ＬＭ−１５
ｂ．ドレス条件：ダイヤモンドドレッサーリング♯１００（自重４ｋｇ）
研磨パッド回転数４５ｒｐｍ
純水流量４０ｍｌ／ｍｉｎ
ドレス時間３０分
研磨条件：研磨パッド回転数４５ｒｐｍ
スラリー流量４０ｍｌ／ｍｉｎ
研磨時間２分間。 Next, an example in which the semiconductor wafer 23 is polished using the polishing pad 10 configured as described above will be described.
Test conditions a. Polishing machine: Single-sided lapping tester LM-15 manufactured by Lapmaster
b. Dress conditions: Diamond dresser ring # 100 (self weight 4kg)
Polishing pad rotation speed 45rpm
Pure water flow rate 40ml / min
Dressing time 30 minutes Polishing conditions: Polishing pad rotation speed 45rpm
Slurry flow rate 40ml / min
Polishing time 2 minutes.

ｃ．ウェハ２３：直径３ｉｎｃｈ熱酸化膜ウェハ
ｄ．ウェハ加圧荷重：１２０ｇ／ｃｍ²
ｅ．試験形態：この試験では上記のような加圧ヘッド２２を用いない。代わりに、プラテン２０に貼り付けた研磨パッド１０の研磨面１１ａ上における所定位置にリテーナリングを保持し、バッキングクロスを介してウェハ２３を保持させたウェイトをリテーナリング内に載置する。そして、このリテーナリングを外部から回転駆動することによってウェイトを回転させるとともに、プラテン２０の回転によってもウェイトを回転させる。なお、リテーナリングは、回転数４８ｒｐｍで回転駆動される。 c. Wafer 23: diameter 3 inch thermal oxide film d. Wafer pressure load: 120 g / cm ²
e. Test form: In this test, the pressure head 22 as described above is not used. Instead, the retainer ring is held at a predetermined position on the polishing surface 11a of the polishing pad 10 affixed to the platen 20, and the weight holding the wafer 23 is placed in the retainer ring via the backing cloth. The weight is rotated by rotating the retainer ring from the outside, and the weight is also rotated by the rotation of the platen 20. The retainer ring is rotationally driven at a rotation speed of 48 rpm.

ｆ．研磨パッド１０の仕様：
直径：３８１ｍｍ
厚さ：２．５４ｍｍ
環状溝１３ピッチ：１．５ｍｍ
幅：０．２ｍｍ
深さ：０．６ｍｍ
開口率：１１．４％
材質・製法：ポリウレタン系樹脂をＲＩＭ成形した発泡体に、カッターで
環状溝１３及び環状逃げ溝１４を切削形成する。 f. Specification of polishing pad 10:
Diameter: 381mm
Thickness: 2.54mm
Annular groove 13 Pitch: 1.5mm
Width: 0.2mm
Depth: 0.6mm
Opening ratio: 11.4%
Material / Manufacturing method: Polyurethane resin RIM molded foam with a cutter
The annular groove 13 and the annular relief groove 14 are formed by cutting.

機械特性密度：７４８ｋｇ／ｍ³ ＪＩＳＫ７１１２
引張強度：１８．１ＭＰａＪＩＳＫ７１１３
伸び：１５０％ＪＩＳＫ７１１３
曲げ強度：１３．１ＭＰａＪＩＳＫ７２０３
Ｄ硬度：４９° ＡＳＴＭＤ２２４０
ｇ．評価項目：
環状逃げ溝１４のピッチ（Pitch）、幅（Width）、深さ（Depth）を変えたときの下記特性を評価した。 Mechanical properties Density: 748kg / m ³ JIS K 7112
Tensile strength: 18.1 MPa JIS K 7113
Elongation: 150% JIS K 7113
Bending strength: 13.1 MPa JIS K 7203
D hardness: 49 ° ASTM D 2240
g. Evaluation item :
The following characteristics were evaluated when the pitch, width (width) and depth (depth) of the annular relief groove 14 were changed.

１．ウェハ２３の被研磨面における面内均一性（平坦度）（％）※
※ （ウェハ膜厚最大値−ウェハ膜厚最小値）／（２×ウェハ膜厚平均値）×１００
ＳＥＮＴＥＣＨ社製膜厚計ＦＴ−５００使用
２．両面テープ２１と研磨パッド１０と間の接着力
測定方法は、ＪＩＳ（日本工業規格）Ｚ１５４１に準拠し、９０度引き剥がし接着力を測定する。なお、Ｚ１５４１における試験板として研磨パッド１０を用い、研磨パッド１０のプラテン固定部１２に対する両面テープの接着力を測定する。
ｈ．試験結果 1. In-plane uniformity (flatness) (%) on the polished surface of the wafer 23 *
* (Maximum wafer thickness-Minimum wafer thickness) / (2 x Average wafer thickness) x 100
Film thickness meter FT-500 made by SENTTECH
2. Adhesive force between double-sided tape 21 and polishing pad 10
The measuring method is based on JIS (Japanese Industrial Standards) Z1541 and measures 90 degree peeling adhesive strength. In addition, the polishing pad 10 is used as a test plate in Z1541, and the adhesive force of the double-sided tape to the platen fixing portion 12 of the polishing pad 10 is measured.
h. Test results

上記表１に示す試験結果から、次のような結論が得られる。

From the test results shown in Table 1, the following conclusions can be obtained.

ウェハ２３の面内均一性の最大許容値は６．５％である。これは、ウェハ２３に対する要求値である。また、研磨パッド１０の最小許容接着力は６．０Ｎ／１０ｍｍである。これは、研磨中に研磨パッド１０がプラテン２０から剥がれないための要求値である。このような結果が得られた実施例１〜８における環状逃げ溝１４の開口率は、１１．４〜５７．９％の範囲内であった。このときの環状逃げ溝１４の幅は０．２〜１．０ｍｍの範囲内、ピッチは０．５〜１．５ｍｍの範囲内であった。また、環状逃げ溝１４の深さは０．６〜１．３ｍｍの範囲内であった。さらに、環状溝１３の研磨面１１ａにおける開口率と、環状逃げ溝１４のパッド基材１１の下面における開口率との比率は１．０：１．０〜５．１の範囲内であった。また、環状溝１３の深さと、環状逃げ溝１４の深さとの比率は１．０：１．０〜２．２の範囲内であった。これに対し、環状逃げ溝１４の幅を１．０ｍｍより大きくして、環状逃げ溝１４の開口率を５７．９％より大きくした比較例１，２の場合には、研磨パッド１０と両面テープとの接着力が６．０Ｎ／１０ｍｍ未満となった。これは、環状突条部１５の開口率が大きくなり、両面テープ２１に対する接着面積が小さくなったため、研磨パッド１０と両面テープ２１との接着力が小さくなったためである。 The maximum allowable value of the in-plane uniformity of the wafer 23 is 6.5%. This is a required value for the wafer 23. The minimum allowable adhesive force of the polishing pad 10 is 6.0 N / 10 mm. This is a required value for preventing the polishing pad 10 from peeling off from the platen 20 during polishing. The aperture ratio of the annular relief groove 14 in Examples 1 to 8 in which such a result was obtained was in the range of 11.4 to 57.9%. At this time, the width of the annular relief groove 14 was in the range of 0.2 to 1.0 mm, and the pitch was in the range of 0.5 to 1.5 mm. The depth of the annular relief groove 14 was in the range of 0.6 to 1.3 mm. Furthermore, the ratio between the opening ratio of the annular groove 13 on the polishing surface 11a and the opening ratio of the annular relief groove 14 on the lower surface of the pad base material 11 was in the range of 1.0: 1.0 to 5.1. The ratio between the depth of the annular groove 13 and the depth of the annular escape groove 14 was in the range of 1.0: 1.0 to 2.2. On the other hand, in the case of Comparative Examples 1 and 2 in which the width of the annular relief groove 14 is larger than 1.0 mm and the opening ratio of the annular relief groove 14 is larger than 57.9%, the polishing pad 10 and the double-sided tape are used. The adhesive force was less than 6.0 N / 10 mm. This is because the adhesive force between the polishing pad 10 and the double-sided tape 21 is reduced because the opening ratio of the annular protrusion 15 is increased and the adhesive area to the double-sided tape 21 is reduced.

従って、プラテン固定部１２における環状逃げ溝１４の開口率、幅、ピッチ及び深さを適正な範囲内に設定することにより、研磨中における研磨パッド１０の両面テープ２１からの剥がれが防止され、しかも、ウェハ２３の面内均一性が良好な範囲となる。この結果、研磨パッド１０の使用可能時間を延ばすことができる。 Therefore, by setting the aperture ratio, width, pitch, and depth of the annular relief groove 14 in the platen fixing portion 12 within an appropriate range, peeling of the polishing pad 10 from the double-sided tape 21 during polishing can be prevented. The in-plane uniformity of the wafer 23 is in a favorable range. As a result, the usable time of the polishing pad 10 can be extended.

（変形例）
なお、本実施形態は、次のように変更して具体化することもできる。
・パッド基材１１を、ポリウレア樹脂、ナイロン樹脂、シクロペンタジエン樹脂、エポキシ樹脂等を用いてＲＩＭ成形する。 (Modification)
In addition, this embodiment can also be changed and embodied as follows.
The pad base material 11 is RIM-molded using polyurea resin, nylon resin, cyclopentadiene resin, epoxy resin, or the like.

・パッド基材１１の研磨面１１ａに、環状溝１３に代えて、碁盤格子状の溝、放射状の溝、螺旋状の溝等を設けた構成とする。 The polishing surface 11a of the pad base material 11 has a configuration in which a grid lattice-like groove, a radial groove, a spiral groove, and the like are provided in place of the annular groove 13.

（ａ）は一実施形態の研磨パッドを示す平面図、（ｂ）は同じく側面図、（ｃ）は同じく底面図。(A) is a top view which shows the polishing pad of one Embodiment, (b) is a side view similarly, (c) is a bottom view similarly. （ａ）は研磨パッドの研磨面を示す拡大図、（ｂ）は縦断面図、（ｃ）はプラテン固定部及び突条部を示す研磨パッドの底面図。(A) is an enlarged view which shows the polishing surface of a polishing pad, (b) is a longitudinal cross-sectional view, (c) is a bottom view of the polishing pad which shows a platen fixing | fixed part and a protrusion part. 研磨パッドを装着した研磨機を示す斜視図。The perspective view which shows the polisher equipped with the polishing pad.

Explanation of symbols

１０…研磨パッド、１１…パッド基材、１１ａ…研磨面、１２…プラテン固定部、１３…環状溝、１４…凹状逃げ部としての環状逃げ溝、１５…凸状部としての環状突条部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Polishing pad, 11 ... Pad base material, 11a ... Polishing surface, 12 ... Platen fixing part, 13 ... Annular groove, 14 ... Annular relief groove as a concave relief part, 15 ... Annular ridge part as a convex part.

Claims

The upper surface of the pad base material is a polishing surface, and the lower surface side of the pad base material is a platen fixing portion. The platen fixing portion is formed by a concave relief portion formed on the lower surface of the pad base material, and the concave relief portion. In the polishing pad constituted by the formed convex portion,
The concave relief portion is formed such that the opening ratio on the lower surface of the pad base material is in the range of 11.4 to 57.9% ,
The concave relief portion is a concentric annular relief groove centered on the central axis of the pad base material, and the convex portion is an annular ridge formed between the annular relief grooves,
The polishing surface is provided with a plurality of concentric annular grooves centering on the center axis of the pad base material, and the annular groove and the annular relief groove are the same on the front and back sides of the pad base material. Are provided at positions shifted from each other in the radial direction of
The ratio between the opening ratio of the annular groove on the polishing surface and the opening ratio of the annular relief groove on the lower surface of the pad base material is in the range of 1.0: 1.0 to 5.1, and the depth of the annular groove is And a ratio of the depth of the annular relief groove within a range of 1.0: 1.0 to 2.2 .

2. The polishing pad according to claim 1, wherein a width of the annular relief groove is in a range of 0.2 to 1.0 mm, and a pitch is in a range of 0.5 to 1.5 mm .

The polishing pad according to claim 1 or 2, wherein a depth of the annular relief groove is in a range of 0.6 to 1.3 mm .

It said pad substrate is a polishing pad according to any one of claims 1 to 3, characterized by comprising a foam of synthetic resin.