JP4362582B2 - 金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法 - Google Patents
金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4362582B2 JP4362582B2 JP2003325413A JP2003325413A JP4362582B2 JP 4362582 B2 JP4362582 B2 JP 4362582B2 JP 2003325413 A JP2003325413 A JP 2003325413A JP 2003325413 A JP2003325413 A JP 2003325413A JP 4362582 B2 JP4362582 B2 JP 4362582B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintering
- silicon carbide
- titanium silicon
- sintered
- titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
本発明は金属とセラッミク材料の両方の特性を合わせ持つ金属性セラッミク材料チタンシリコンカーバイド(Ti3SiC2)を、チタン(Ti)、炭化珪素(SiC)、グラファイト(C)の粉末を原料として、これらを混合し、通常の粉末冶金手法で、冷間圧粉成形、真空または不活性ガス中で加熱焼結する金属性セラミック材料であるチタンシリコンカーバイド焼結体及びその製造方法に関するものである。
現在、航空宇宙分野や高効率ガスタービン・エンジンなどにおいては超合金や、グラファト、炭化珪素、窒化珪素、サイアロンなどのセラミックスが用いられているが、超合金では耐熱性が劣り、セラミックスの場合は加工性が悪いことが実用上の問題となっている。
また、1987年に後藤らによって、SiCl4、TiCl2、H2ガスを使ったCVDで厚膜状のチタンシリコンカーバイドが合成された(例えば、非特許文献2参照)。
前者は高温による合成が必要であり、後者は高純度の材料が得られるがバルク状の材料が得られないという問題がある。
W. Jeitschko and H. Nowotny, Monath, Chem., 1967, vol. 98, pp. 329-337. T. Goto and T. Hirai, Mater. Res. Bull., 1987, vol. 22, pp. 1195-1201.
(1)ホットプレスによる焼結方法
(2)熱間等静圧圧縮成形(HIP)による焼結方法
(3)パルス通電加圧焼結法による焼結合成方法
上記反応(1)および(2)は多数の研究者によって試みられたものであるが、長時間、高温プロセスが必要となる。
上記(3)のプロセスでは比較的に低い温度で、短時間(15分間)での焼結で、単相且つ緻密なチタンシリコンカーバイド(Ti3SiC2)の合成に成功した。
しかしながら、(1)〜(3)のいずれの場合も、焼結の際に機械的に圧力を加えることによって緻密化することが特徴である。これによって、焼結合成の生産性が悪く、形状の複雑な部品を焼結するのが困難であるという問題があった。
1)チタン(Ti)、炭化珪素(SiC)、グラファイト(C)の原料粉末を混合し、かつ圧粉体とした後、この圧粉体を、機械的圧力を加えずに、焼結温度1200〜1500°C、焼結時間30分〜360分で、固相反応により焼結し、97%以上の相対密度を備えた焼結体とすることを特徴とする金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法、2)真空加熱焼結することを特徴とする上記1)記載の金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法、3)不活性ガス中で加熱焼結することを特徴とする上記1)記載の金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法、を提供するものである。
これによって得られたチタンシリコンカーバイド焼結体の組織には、表面層の炭化チタン(TiC)含有量が1wt%以下であり、内部の(TiC)含有量が10wt%以下であり、また相対密度が97%であるという優れた特性を有するチタンシリコンカーバイド焼結体が得られる。
これらの粉末は、目的とするチタンシリコンカーバイド(Ti3SiC2)の単一相になるように配合する。
この混合粉末を、超硬金属のダイスに装入して、例えば容量9トンのハンドプレスによって冷間圧粉成形する。
圧力が低いと、圧粉体の相対密度が低く、製品の最終密度に影響する。可能な限り高い圧力を加え、相対密度の高い圧粉体が望ましい。
焼結温度が1200°C未満では焼結が十分でなく、未反応の炭化チタン(TiC)が多量に存在する一方、緻密化しないので好ましくない。
また、焼結温度が1500°Cを超えると結晶粒が粗大化し、エネルギーの消費量も増すので無駄である。より好ましい焼結温度は、焼結温度1400〜1500°Cである。
焼結の際、圧粉体の試料をフリー状態に炉の中に置かれて、加熱される。
まず原料として用いられるチタン(Ti)粉末73.4wt%、炭化珪素(SiC)粉末20.5wt%及びグラファイト(C)粉末6.1wt%を、アルゴン雰囲気の容器で24時間を混合した。
これらの粉末は、目的とするチタンシリコンカーバイド(Ti3SiC2)の単一相になるように配合したものである。
この混合粉末を超硬合金ダイスに装入して、最大出力9トンのハンドプレスで冷間加圧成形した。加圧の圧力は約500MPaである。
また、同様の混合粉末について、焼結温度1500°Cに設定し、アルゴン雰囲気において焼結時間2時間、6時間の2段階に分けて焼結を実施した。
さらに、同様の混合粉末について、焼結温度1500°Cに設定し、真空中において焼結時間2時間で焼結を実施した。
いずれの焼結体も表面に単相なTi3SiC2化合物が得られた。
また、焼結時間を6時間で焼結した試料の密度と2時間焼結時間とでは変化が見られなかった。一方、アルゴン雰囲気に比べ、真空中で同じ条件で焼結した試料の密度は低くなることが分かった。
図1は焼結温度1500°C、アルゴン雰囲気中で2時間焼結した金属性セラミック材料チタンシリコンカーバイド焼結体表面のX線回折パターンを示す。焼結体の表面にほぼ単一な金属性セラッミク材料であるチタンシリコンカーバイド(Ti3SiC2)相になっていることが分かる。
回折角度2θが41.8度にあるTiCのメインピークが殆ど示されていない。これらの結果は走査型電子顕微鏡の観察とEDS分析結果と一致している。
比較のために、Ti粉、Si粉及びTiC粉を用い、実施例1と同様に混合した。
この混合粉末を超硬合金ダイスに装入して、最大出力9トンのハンドプレスで冷間加圧成形した。
さらに、この圧粉体をアルゴン中で1500°C2時間加熱焼結により焼結体を作製した。このように作成した試料は焼結中、殆ど収縮が見られず、焼結後の相対密度が約60%であり、焼結する前の圧粉体の相対密度と同様である。
したがって、この方法によっては十分な焼結ができないことがわかる。
したがって、この方法により緻密な金属性セラミック材料チタンシリコンカーバイド焼結体を得ることができ、高い熱・電気伝導率、耐熱衝撃性、易加工性と、セラミックスの特徴である優れた耐熱・耐酸化性材料として使用できる。
Claims (3)
- チタン(Ti)、炭化珪素(SiC)、グラファイト(C)の原料粉末をアルゴン雰囲気の容器内で混合し、かつ圧粉体とした後、この圧粉体を、機械的圧力を加えずに、焼結温度1200〜1500°C、焼結時間30分〜360分で、固相反応により焼結することにより、表面が単相のTi 3 SiC 2 化合物で、97%以上の相対密度を備えた焼結体とすることを特徴とする金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法。
- 真空加熱焼結することを特徴とする請求項1記載の金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法。
- 不活性ガス中で加熱焼結することを特徴とする請求項1記載の金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003325413A JP4362582B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | 金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003325413A JP4362582B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | 金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005089252A JP2005089252A (ja) | 2005-04-07 |
| JP4362582B2 true JP4362582B2 (ja) | 2009-11-11 |
Family
ID=34455860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003325413A Expired - Lifetime JP4362582B2 (ja) | 2003-09-18 | 2003-09-18 | 金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4362582B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8877099B2 (en) | 2011-01-26 | 2014-11-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Ti3SiC2 based material, electrode, spark plug and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4836263B2 (ja) * | 2007-01-04 | 2011-12-14 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 高強度チタンシリコンカーバイド基複合材料及びその製造方法 |
| JP5356991B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-12-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | チタンシリコンカーバイドセラミックスの製造方法 |
| JP5308296B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-10-09 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | チタンシリコンカーバイドセラミックスの製造方法 |
| JP5252595B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2013-07-31 | 国立大学法人信州大学 | チタンシリコンカーバイドの製造方法 |
| JP5999492B2 (ja) * | 2012-09-11 | 2016-09-28 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | Ti3SiC2常圧焼結体及びその製造方法 |
| JP6257967B2 (ja) * | 2013-09-06 | 2018-01-10 | 日本碍子株式会社 | 多孔質材料、ハニカム構造体及びハニカムフィルタ |
| DE102017110362A1 (de) * | 2017-05-12 | 2018-11-15 | Psc Technologies Gmbh | Verfahren zur Herstellung von siliciumcarbidhaltigen dreidimensionalen Objekten |
-
2003
- 2003-09-18 JP JP2003325413A patent/JP4362582B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8877099B2 (en) | 2011-01-26 | 2014-11-04 | Ngk Insulators, Ltd. | Ti3SiC2 based material, electrode, spark plug and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005089252A (ja) | 2005-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5882561A (en) | Process for making a dense ceramic workpiece | |
| US5942455A (en) | Synthesis of 312 phases and composites thereof | |
| CN100506692C (zh) | 一种高纯Ti2AlC粉体材料的制备方法 | |
| WO1997018162A9 (en) | Synthesis of 312 phases and composites thereof | |
| Shon et al. | Simultaneous synthesis and densification of Ti5Si3 and Ti5Si3–20 vol% ZrO2 composites by field-activated and pressure-assisted combustion | |
| Zhou et al. | Synthesis of high-purity Ti3SiC2 and Ti3AlC2 by spark plasma sintering (SPS) technique | |
| Zhang et al. | Fabrication and microstructure characterization of Ti3SiC2 synthesized from Ti/Si/2TiC powders using the pulse discharge sintering (PDS) technique | |
| JP4362582B2 (ja) | 金属性セラミック焼結体チタンシリコンカーバイドの製造方法 | |
| JP3906361B2 (ja) | 金属性セラミック粉末の製造法 | |
| JP2967094B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体、及び窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JP5308296B2 (ja) | チタンシリコンカーバイドセラミックスの製造方法 | |
| CN1273410C (zh) | 原位热压合成致密Ti3SiC2-Al2O3复合块体材料的方法 | |
| Sun et al. | Synthesis and consolidation of ternary compound Ti3SiC2 from green compact of mixed powders | |
| CN1120817C (zh) | 一种原位热压固-液相反应制备钛碳化硅体材料的方法 | |
| JP3951643B2 (ja) | チタンシリコンカーバイド焼結体の製造方法 | |
| CN1179916C (zh) | 以Al为助剂原位热压反应制备单相致密碳化硅钛块体材料的方法 | |
| CN101152979A (zh) | 一种原位热压/固液相反应制备Ti2AlN块体材料的方法 | |
| CN1179918C (zh) | 以Si为助剂热压制备单相致密碳化铝钛块体材料的方法 | |
| Koizumi et al. | RECENT PROGRESS IN COMBUSTION SYNTHESIS OF HIGH PERFORMANCE MATERIALS IN JAPAN | |
| JP4451873B2 (ja) | チタンシリコンカーバイド焼結体の製造方法 | |
| CN1637159A (zh) | 原位热压工艺合成致密钛硅化碳-二硼化钛复合块体材料 | |
| CN108341670A (zh) | 单相Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法 | |
| CN1179917C (zh) | 以Si为助剂放电等离子烧结单相致密碳化铝钛块体材料的方法 | |
| CN117843369B (zh) | 一种高纯度Ti3SiC2块体陶瓷及其制备方法 | |
| JP4662897B2 (ja) | 金属性セラミック粉末の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050315 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070912 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071203 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080226 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080328 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080826 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080908 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090120 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090227 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090721 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4362582 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |