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JP4367769B2 - Adhesive sheet for holding and protecting semiconductor wafer and method for grinding back surface of semiconductor wafer - Google Patents
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JP4367769B2 - Adhesive sheet for holding and protecting semiconductor wafer and method for grinding back surface of semiconductor wafer - Google Patents

Adhesive sheet for holding and protecting semiconductor wafer and method for grinding back surface of semiconductor wafer Download PDF

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Description

本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートは、例えばシリコンやガリウム−ヒ素などの半導体ウエハの加工時に使用される半導体ウエハ保持保護用粘着シートに関する。より詳細には、半導体ウエハの回路パターン形成面(以下、単に「パターン面」と称する場合がある)の裏面を研磨研削するバックグラインド工程において、パターン面に貼り付けてパターン面を保護し、同時に研磨研削により薄肉化した半導体ウエハを保持するための半導体ウエハ裏面研削用粘着シートとして用いられる。また本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートは、ウエハを1つ1つのパターン毎に切断し、半導体素子として分割するダイシング工程においてウエハを保持保護するために用いるダイシング用粘着シートとして用いられる。本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートは、半導体ウエハ裏面研削用粘着シートとして、特に有用である。   The pressure-sensitive adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to the present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer used when processing a semiconductor wafer such as silicon or gallium arsenide. More specifically, in the back grinding process of polishing and grinding the back surface of the circuit pattern forming surface (hereinafter sometimes referred to simply as “pattern surface”) of the semiconductor wafer, the pattern surface is protected by being attached to the pattern surface. It is used as an adhesive sheet for grinding a semiconductor wafer back surface for holding a semiconductor wafer thinned by polishing grinding. The adhesive wafer for holding and protecting a semiconductor wafer according to the present invention is used as an adhesive sheet for dicing used for holding and protecting a wafer in a dicing process in which the wafer is cut into individual patterns and divided as semiconductor elements. The adhesive sheet for protecting and holding a semiconductor wafer of the present invention is particularly useful as an adhesive sheet for grinding a semiconductor wafer back surface.

半導体ウエハの回路パターン形成面の反対側の面に研磨研削加工を施すバックグラインド工程、またウエハを個々のチップに切断するダイシング工程では、パターン面が損傷したり研削くずや研削水などにより汚染されるのを防止するため、パターン面を保護しておく必要がある。また、半導体ウエハ自体が肉薄で脆いのに加え、半導体ウエハのパターン表面が凹凸状であるため、わずかな外力によっても破損しやすいという問題がある。   In the back grinding process in which the surface opposite to the circuit pattern forming surface of the semiconductor wafer is ground and ground, and in the dicing process in which the wafer is cut into individual chips, the pattern surface is damaged or contaminated by grinding scraps or grinding water. Therefore, it is necessary to protect the pattern surface. In addition, the semiconductor wafer itself is thin and fragile, and the pattern surface of the semiconductor wafer is uneven, so that there is a problem that it is easily damaged by a slight external force.

このような半導体ウエハの加工時におけるパターン面の保護と半導体ウエハの破損防止を図るため、バックグラインド工程では、半導体ウエハのパターン面にバックグラインドテープなどの粘着シートを貼着する方法が知られている。また、ダイシング工程においてはダイシングテープが用いられる。前記粘着シートとしては、例えば、ショアーD型硬度が40以下である基材シートの表面に粘着層を設けたシリコンウエハ加工用フィルムが提案されている(特許文献1参照)。また、ショアーD型硬度が40以下である基材フィルムの片側表面上にショアーD型硬度が40よりも大きい補助フィルムが積層され、基材フィルムの他方の表面上に粘着層が配設されたウエハ加工用フィルムが提案されている(特許文献2参照)。   In order to protect the pattern surface during semiconductor wafer processing and prevent damage to the semiconductor wafer, in the back grinding process, a method of attaching an adhesive sheet such as a back grind tape to the pattern surface of the semiconductor wafer is known. Yes. A dicing tape is used in the dicing process. As said adhesive sheet, the silicon wafer processing film which provided the adhesive layer on the surface of the base material sheet whose Shore D type hardness is 40 or less is proposed, for example (refer patent document 1). Further, an auxiliary film having a Shore D hardness of greater than 40 was laminated on one surface of the base film having a Shore D hardness of 40 or less, and an adhesive layer was disposed on the other surface of the base film. A wafer processing film has been proposed (see Patent Document 2).

しかし、近年、半導体ウエハのパターン表面の凹凸の差が大きくなってきている。例えば、ポリイミド膜付きのウエハでは、前記凹凸の差が1〜20μm程度である。また、不良半導体チップを認識するための不良マーク(バッドマーク)は高低差10〜70μm程度の凹凸を有している。さらに、パターン状の電極に形成されるバンプの高さは20〜200μm程度である。そのため、従来公知の粘着シートを用いる方法では、これらの凹凸に対してシートが追従できず、粘着剤とウエハ表面との間の接着が不十分となる。その結果、ウエハ加工時において、シートの剥離、パターン面への研削水や異物の浸入、加工ミス、ディンプルの発生、チップ飛びなどが起きたり、さらにはウエハが破損する場合もある。   However, in recent years, the difference in the unevenness of the pattern surface of the semiconductor wafer has increased. For example, in a wafer with a polyimide film, the unevenness difference is about 1 to 20 μm. Further, a defect mark (bad mark) for recognizing a defective semiconductor chip has irregularities with a height difference of about 10 to 70 μm. Furthermore, the height of the bump formed on the patterned electrode is about 20 to 200 μm. Therefore, in the method using a conventionally known pressure-sensitive adhesive sheet, the sheet cannot follow these irregularities, and the adhesion between the pressure-sensitive adhesive and the wafer surface becomes insufficient. As a result, at the time of wafer processing, peeling of the sheet, intrusion of grinding water or foreign matter into the pattern surface, processing errors, occurrence of dimples, chip jumping, etc. may occur, and the wafer may be damaged.

また、半導体ウエハを加工する際に使用するバックグラインドテープやダイシングテープは、加工後の剥離を容易にするため放射線硬化型の保持保護用粘着シートを用いる場合が多くなってきている。しかし、特に取り扱いが容易な紫外線効果型の場合、パターン表面の凹凸が埋まらず隙間が残ると、酸素による硬化不良が発生し糊残りする場合があった。   In addition, back-grind tapes and dicing tapes used when processing semiconductor wafers often use radiation-curing type holding and protecting adhesive sheets in order to facilitate peeling after processing. However, particularly in the case of the UV effect type that is easy to handle, if the irregularities on the pattern surface are not filled and a gap remains, curing failure due to oxygen may occur and adhesive may remain.

上記問題に対処するために、基材層と粘着剤層の間に、弾性率が30〜1000kPaでありかつゲル分が20%以下の中間層を設けた半導体ウエハ保持保護用粘着シートが提案されている(特許文献3)。特許文献3に記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シートは、ウエハ表面の凹凸の差がある程度大きくても追従性がよく、パターン面への研削水や異物の浸入でき、また研削後のウエハ割れを防止することができる。しかし、特許文献3に記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シートでは、研削機の圧力によって中間層がウエハ側面にはみ出してウエハ汚染が生じる場合がある。またウエハ汚染により、研削時の割れや研削不良を生じやすくなるため好ましくない。
特開昭61−10242号公報 特開昭61−260629号公報 特開2001−203255号公報
In order to cope with the above problem, an adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer is proposed in which an intermediate layer having an elastic modulus of 30 to 1000 kPa and a gel content of 20% or less is provided between a base material layer and an adhesive layer. (Patent Document 3). The pressure-sensitive adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer described in Patent Document 3 has good followability even if the unevenness of the wafer surface is large to a certain extent, and can infiltrate the grinding water and foreign matter into the pattern surface. Can be prevented. However, in the semiconductor wafer holding / protecting adhesive sheet described in Patent Document 3, the intermediate layer may protrude from the side surface of the wafer due to the pressure of the grinding machine, which may cause wafer contamination. Further, it is not preferable because the wafer contamination tends to cause cracking or grinding failure during grinding.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-10242 Japanese Patent Laid-Open No. 61-260629 JP 2001-203255 A

本発明は、ウエハ表面の凹凸の差が大きくてもその凹凸に追従でき、かつウエハ汚染やウエハ割れを防止できる半導体ウエハ保持保護用粘着シートを提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer that can follow the unevenness even when the unevenness of the wafer surface is large and can prevent wafer contamination and wafer cracking.

さらには本発明は、前記半導体ウエハ保持保護用粘着シートを用いた、半導体ウエハの裏面研削方法を提供することを目的とする。   Furthermore, this invention aims at providing the back surface grinding method of a semiconductor wafer using the said adhesive sheet for semiconductor wafer holding | maintenance protection.

本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討した結果、以下に示す半導体ウエハ保持保護用粘着シートを見出し、本発明を完成した。すなわち本発明は以下に示す通りである。   As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found the following adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer and completed the present invention. That is, the present invention is as follows.

1.半導体ウエハ加工時において、半導体ウエハ表面に貼り付けて半導体ウエハを保持保護するための粘着シートであって、
基材層(3)の片面に、25℃における弾性率が10〜1000kPaでありかつゲル分が26〜45%の中間層(1)が設けられ、該中間層(1)の表面に粘着剤層(2)が形成されていることを特徴とする半導体ウエハ保持保護用粘着シート。
1. At the time of semiconductor wafer processing, an adhesive sheet for holding and protecting the semiconductor wafer by sticking to the surface of the semiconductor wafer,
An intermediate layer (1) having an elastic modulus at 25 ° C. of 10 to 1000 kPa and a gel content of 26 to 45% is provided on one surface of the base material layer (3), and an adhesive is provided on the surface of the intermediate layer (1). A pressure-sensitive adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer, wherein a layer (2) is formed.

2.中間層(1)の厚さt1 が20〜500μmであり、粘着剤層(2)の厚さt2 が1〜100μmであって、その比が、t2 /t1 =0.01〜0.5であることを特徴とする上記1記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。 2. The thickness t 1 of the intermediate layer (1) is 20 to 500 μm, the thickness t 2 of the pressure-sensitive adhesive layer (2) is 1 to 100 μm, and the ratio is t 2 / t 1 = 0.01 to 2. The pressure-sensitive adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to 1 above, which is 0.5.

3.中間層(1)が、アクリル系ポリマーを構成材料として含有することを特徴とする上記1または2記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   3. 3. The adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to 1 or 2 above, wherein the intermediate layer (1) contains an acrylic polymer as a constituent material.

4.中間層(1)が、さらに放射線硬化型オリゴマーを含有することを特徴とする上記3記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   4). 4. The adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer as described in 3 above, wherein the intermediate layer (1) further contains a radiation curable oligomer.

5.粘着剤層(2)が、アクリル系ポリマーを構成材料として含有することを特徴とする上記1〜4のいずれかに記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   5). The adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to any one of the above 1 to 4, wherein the adhesive layer (2) contains an acrylic polymer as a constituent material.

6.粘着剤層(2)が、分子内に炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型のアクリル系ポリマーを含有する放射線硬化型粘着剤層であることを特徴とする上記5記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   6). 6. The semiconductor wafer holding protection according to 5 above, wherein the pressure-sensitive adhesive layer (2) is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer containing a radiation-curable acrylic polymer having a carbon-carbon double bond in the molecule. Adhesive sheet.

7.放射線硬化型粘着剤層(2)は、放射線硬化前において、25℃における弾性率が10〜500kPaでありかつゲル分が18〜30%であることを特徴とする上記6記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   7. 7. The semiconductor wafer holding protection according to 6 above, wherein the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (2) has an elastic modulus at 25 ° C. of 10 to 500 kPa and a gel content of 18 to 30% before radiation curing. Adhesive sheet.

上記1〜7のいずれかに記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シートの粘着剤層(2)を、回路パターンが組み込まれた側の半導体ウエハの表面に貼り合わせた状態で、半導体ウエハの裏面を研削加工することを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。   In the state which bonded the adhesive layer (2) of the adhesive sheet for semiconductor wafer holding | maintenance protection in any one of said 1-7 to the surface of the semiconductor wafer by which the circuit pattern was integrated, the back surface of a semiconductor wafer was attached. A method for grinding a back surface of a semiconductor wafer, comprising grinding.

上記本発明の半導体ウエハ保持保護用シートは、基材層(3)と粘着剤層(2)との間に、特定の高い弾性率を有しかつ所定のゲル分を有する中間層(1)を有しているため、当該粘着シートを、ウエハ表面に貼り付ける際には、中間層(1)と粘着剤層(2)の適度な変形により、半導体ウエハ表面の高低差の大きい凹凸にも良く追従することができる。そのため、ウエハと保持保護シートが良く接着され、ウエハ裏面の研削加工時における、ウエハパターン面への研削水や異物の浸入、加工ミス、ディンプルの発生、ウエハ割れなどを大きく減少できる。特に、半導体ウエハのパターン面の高低差の大きい凹凸を有する場合に研削したウエハの厚み精度の点で有効であり、凹凸高低差が10μm以上、さらには15μm以上の場合に好適である。特に25〜250μmのときに有効である。   The sheet for holding and protecting a semiconductor wafer of the present invention has an intermediate layer (1) having a specific high elastic modulus and a predetermined gel content between the base material layer (3) and the pressure-sensitive adhesive layer (2). Therefore, when the pressure-sensitive adhesive sheet is attached to the wafer surface, the intermediate layer (1) and the pressure-sensitive adhesive layer (2) are appropriately deformed to cause unevenness on the surface of the semiconductor wafer. It can follow well. Therefore, the wafer and the holding protective sheet are well bonded, and grinding water and foreign matter intrusion into the wafer pattern surface, processing errors, occurrence of dimples, wafer cracking, and the like can be greatly reduced during grinding of the back surface of the wafer. In particular, it is effective in terms of the thickness accuracy of the ground wafer when the pattern surface of the semiconductor wafer has large unevenness, and is suitable when the unevenness height difference is 10 μm or more, further 15 μm or more. This is particularly effective when the thickness is 25 to 250 μm.

また、中間層(1)が特定の高い弾性率を有していることから、研削機の圧力によって中間層(1)がウエハ側面にはみ出してウエハ汚染が生じること抑えることができ、研削時の割れや研削不良が生じことをより効果的に抑えることもできる。   Further, since the intermediate layer (1) has a specific high elastic modulus, it can be suppressed that the intermediate layer (1) protrudes to the side surface of the wafer due to the pressure of the grinding machine and the wafer is contaminated. It is also possible to more effectively suppress the occurrence of cracks and poor grinding.

また本発明の半導体ウエハ保持保護用シートは、粘着剤層(2)を放射線硬化型の粘着剤により形成することで、ウエハ表面からの剥離性に優れ、しかもウエハに対する保持性及び補強性の高いを提供することができる。   In addition, the semiconductor wafer holding / protecting sheet of the present invention is excellent in releasability from the wafer surface by forming the pressure-sensitive adhesive layer (2) with a radiation-curing pressure-sensitive adhesive, and also has high retention and reinforcement to the wafer. Can be provided.

かかる本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートは、特許文献3に記載の粘着シートのように、中間層の弾性率が本発明よりも低いものに比べて、前記の効果、すなわち、ウエハ表面の凹凸への追従性、ウエハ汚染、ウエハ割れ等に対する効果に優れる。   Such an adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to the present invention, like the adhesive sheet described in Patent Document 3, has the above-mentioned effect, that is, the surface of the wafer, as compared with the intermediate layer whose elastic modulus is lower than that of the present invention. Excellent effect on unevenness, wafer contamination, wafer cracking, etc.

ウエハの薄型化にも好適である。ウエハの厚みを300μm以下、好ましくは250〜30μm程度に裏面研削する場合に有効である。   It is also suitable for making the wafer thinner. This is effective when the back surface is ground to a wafer thickness of 300 μm or less, preferably about 250 to 30 μm.

以下、本発明の実例を図面にもとづいて説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。図1は、本発明の半導体保持保護用粘着シートを模式的に示す断面図である。   Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to these examples. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an adhesive sheet for protecting and holding a semiconductor according to the present invention.

図1において、1は中間層を示し、中間層(1)の弾性率は10〜1000kPa、好ましくは10〜700kPaである。中間層(1)の弾性率が10kPa未満であると、中間層が柔らかくなるため、シート又はテープ形状安定性が低下し、例えば長期保存や荷重がかかった場合シートが変形する可能性が高い。またシートへかかる圧力により、中間層がはみ出し、半導体ウエハを汚染する問題がある。また中間層(1)の弾性率が1000kPaを超える場合には、本発明が求める半導体ウエハ表面の凹凸への追従性が劣るため、ウエハの研削加工時に隙間から水の浸入や割れ、ディンプルの発生などが生じやすくなる。   In FIG. 1, 1 shows an intermediate | middle layer and the elasticity modulus of an intermediate | middle layer (1) is 10-1000 kPa, Preferably it is 10-700 kPa. When the elastic modulus of the intermediate layer (1) is less than 10 kPa, the intermediate layer becomes soft, so that the sheet or tape shape stability is lowered. For example, when the sheet is subjected to long-term storage or a load, the sheet is highly likely to be deformed. Further, the intermediate layer protrudes due to the pressure applied to the sheet, and there is a problem of contaminating the semiconductor wafer. In addition, when the elastic modulus of the intermediate layer (1) exceeds 1000 kPa, the followability to the irregularities on the surface of the semiconductor wafer required by the present invention is inferior. Etc. are likely to occur.

なお、「弾性率」とは、中間層を、動的粘弾性測定装置『レオメトリックスARES』(レオメトリック社製)で測定(周波数:1Hz,プレート径:7.9mmφ,歪み:1%(25℃),サンプル厚3mm)した25℃での弾性率G' である。   The “elastic modulus” means that the intermediate layer was measured with a dynamic viscoelasticity measuring device “Rheometrics ARES” (manufactured by Rheometric Co., Ltd.) (frequency: 1 Hz, plate diameter: 7.9 mmφ, strain: 1% (25 ° C), the sample thickness 3 mm), and the elastic modulus G ′ at 25 ° C.

また中間層(1)のゲル分は、26〜45%である。好ましくは30〜45%である。中間層(1)のゲル分が45%を超えると、適用時のポリマーの動きが悪くなり、凹凸面への追従性が劣るため、ウエハの研削加工時に割れやディンプルの発生などが生じやすくなる。この場合、たとえ弾性率が上記範囲内であっても、ゲル分が高いと追従性が劣り、好ましくない。一方、ゲル分が26%より低い場合には、裏面研削時に上はに作用する研削機の圧力によって中間層がウエハ側面にはみ出し、これが研削時の割れや研削不良を生じ易くなるため好ましくない。   Moreover, the gel content of the intermediate layer (1) is 26 to 45%. Preferably it is 30 to 45%. When the gel content of the intermediate layer (1) exceeds 45%, the movement of the polymer at the time of application becomes poor and the followability to the uneven surface is inferior, so that cracks and dimples are likely to occur during wafer grinding. . In this case, even if the elastic modulus is within the above range, if the gel content is high, the followability is inferior, which is not preferable. On the other hand, if the gel content is lower than 26%, the intermediate layer protrudes from the side surface of the wafer due to the pressure of the grinding machine that acts on the upper surface during back surface grinding, which is not preferable because it tends to cause cracks and poor grinding during grinding.

なお、「ゲル分」とは、重量が約0.8g(W1)の中間層をトルエンと酢酸エチルの混合溶剤(1:1)100gに中に25℃で7日間浸漬させた後、乾燥した後の重量:W2(g)を求め、{(W1−W2)/W1}×100(%)、により求められた値である。   The “gel content” means that an intermediate layer having a weight of about 0.8 g (W1) was immersed in 100 g of a mixed solvent of toluene and ethyl acetate (1: 1) at 25 ° C. for 7 days and then dried. Weight after: W2 (g) is obtained, and is a value obtained by {(W1-W2) / W1} × 100 (%).

中間層(1)の厚さは、ウエハ表面の凹凸の高さや、ウエハの保持性、保護性を損なわない範囲で適宜選択できるが、好ましくは20〜500μm、さらに好ましくは30〜200μm程度である。中間層(1)の厚さが20μm未満では、ウエハパターン面の凹凸への追従性が発揮されにくくなり、ウエハの研削加工時に割れやディンプルの発生が生じやすくなる。また中間層(1)の厚さが500μmを超えると、中間層のはみ出しや、シートの貼り付けに時間がかかり作業効率が低下したり、研削加工機器に入らなかったりする問題がある。またシートをウエハから剥離する際、シートの曲げ応力により、研削加工後の薄肉のウエハが破損する恐れが生じる。   The thickness of the intermediate layer (1) can be appropriately selected within a range that does not impair the height of the irregularities on the wafer surface, the retainability and protection of the wafer, but is preferably about 20 to 500 μm, more preferably about 30 to 200 μm. . When the thickness of the intermediate layer (1) is less than 20 μm, it is difficult to follow the unevenness of the wafer pattern surface, and cracks and dimples are likely to occur during grinding of the wafer. On the other hand, if the thickness of the intermediate layer (1) exceeds 500 μm, it takes time for the intermediate layer to stick out and affix the sheet, so that there is a problem that the working efficiency is lowered and the apparatus does not enter the grinding machine. Further, when the sheet is peeled from the wafer, the thin wafer after grinding may be damaged by the bending stress of the sheet.

中間層(1)の材料としては、上記範囲の特性を有するものであれば特に限定されないが、粘着剤層(2)との接着性(投錨性)が良好であり、また弾性率の調整の容易さなどの点からアクリル系ポリマーが好ましい。アクリル系ポリマーを構成する主モノマーとしては、具体的には(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸ラウリルなどのアルキル基の炭素数が4〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。なお、(メタ)アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび/またはメタクリル酸エステルをいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味である。これらの(メタ)アクリル酸エステルの中から、1種または2種以上が用いられる。   The material for the intermediate layer (1) is not particularly limited as long as it has the characteristics in the above range, but has good adhesiveness (anchoring property) with the pressure-sensitive adhesive layer (2), and can adjust the elastic modulus. Acrylic polymers are preferred from the standpoint of ease. Specific examples of the main monomer constituting the acrylic polymer include butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. (Meth) acrylic acid alkyl ester having 4 to 12 carbon atoms in the alkyl group such as lauryl. In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning. Among these (meth) acrylic acid esters, one or more are used.

前記アクリル系ポリマーには、上記主モノマーの他に弾性率およびゲル分の調整のため、およびその他要求される特性に応じて共重合可能な他のモノマーを併用してもよい。この他のモノマーは、全モノマーの30重量%未満の範囲で、各モノマーの種類に応じて適宜その使用量を選択できる。   In addition to the main monomer, other monomers that can be copolymerized may be used in combination with the acrylic polymer in order to adjust the elastic modulus and gel content and according to other required properties. The amount of other monomers can be appropriately selected according to the type of each monomer within a range of less than 30% by weight of the total monomers.

他のモノマーとしては、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸イソプロピルなどのアルキル基の炭素数が1〜3の(メタ)アクリル酸アルキルエステル;(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸ステアリルなどのアルキル基の炭素数が13〜18の(メタ)アクリル酸アルキルエステル;アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸などのカルボキシ基含有モノマー;(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル、グリセリンジメタクリレート、(メタ)アクリル酸グリシジル、メタクリル酸メチルグリシジル、(メタ)アクリル酸アミノエチル、2メタクリロイルオキシエチルイソシアネートなどの他の官能性モノマー;トリエチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレートなどの多官能性モノマー;酢酸ビニル、スチレン、(メタ)アクリロニトリル、N−ビニルピロリドン、(メタ)アクリロイルモルホリン、シクロヘキシルマレイミド、イソプロピルマレイミド、(メタ)アクリルアミドなどが挙げられる。   Other monomers include (meth) acrylic acid alkyl esters having 1 to 3 carbon atoms in the alkyl group, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate; (meth) acrylic (Meth) acrylic acid alkyl ester having 13 to 18 carbon atoms such as tridecyl acid and stearyl (meth) acrylate; acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, maleic anhydride, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid Other functionalities such as carboxy group-containing monomers such as hydroxyalkyl (meth) acrylate, glycerin dimethacrylate, glycidyl (meth) acrylate, methyl glycidyl methacrylate, aminoethyl (meth) acrylate, 2methacryloyloxyethyl isocyanate Monomer; Triethylene glycol Polyfunctional monomers such as vinyl diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate; vinyl acetate, styrene, (meth) acrylonitrile, N-vinylpyrrolidone, (meth) acryloylmorpholine, cyclohexylmaleimide, isopropylmaleimide , (Meth) acrylamide and the like.

上記アクリル系ポリマーは、上記単量体またはその混合物を、溶液重合法、塊状重合法、乳化重合法、懸濁重合法等の方法で共重合させて得られる。   The acrylic polymer can be obtained by copolymerizing the monomer or a mixture thereof by a method such as a solution polymerization method, a bulk polymerization method, an emulsion polymerization method, or a suspension polymerization method.

中間層(1)に用いるポリマーの数平均分子量は、上記範囲の特性を保てば限定はされないが、好ましくは1万〜200万の範囲が望ましい。1万未満では高温化で容易に流れてしまい、シート形状保持が難しく、また200万を超えると、貼付け時の凹凸追従性に劣る場合がある。   The number average molecular weight of the polymer used for the intermediate layer (1) is not limited as long as the characteristics within the above range are maintained, but preferably in the range of 10,000 to 2,000,000. If it is less than 10,000, it will flow easily at high temperatures, and it will be difficult to maintain the sheet shape, and if it exceeds 2 million, it may be inferior in unevenness followability at the time of pasting.

中間層(1)に用いるポリマーには、上述の範囲でゲル分を含ませることができ、このために架橋剤として、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、メラミン系架橋剤等、周知のものを添加することができる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマー100重量部に対して、0.005〜4重量部程度配合するのが好ましい。   The polymer used for the intermediate layer (1) can contain a gel component within the above-mentioned range. For this purpose, as a crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, an isocyanate crosslinking agent, a melamine crosslinking agent, or the like is known. Can be added. When using a cross-linking agent, it is preferable that the amount used is about 0.005 to 4 parts by weight per 100 parts by weight of the base polymer to be cross-linked.

中間層(1)は、上記特性を損なわない範囲で他の成分(添加剤)を含んでいてもよい。このような成分としては、例えば、粘着付与剤、可塑剤、柔軟剤、充填剤、酸化防止剤などが挙げられる。また中間層(1)は、放射線硬化型オリゴマー(紫外線硬化型オリゴマー等)を含有できる。放射線硬化型オリゴマーを添加しておくと、剥離時に放射線を照射する際にわずかに中間層(1)を硬化させることができる。放射線硬化型オリゴマーは、ベースポリマー100重量部に対して、35重量部以下、好ましくは0.5〜35重量部程度配合するのが好ましい。   The intermediate layer (1) may contain other components (additives) as long as the above characteristics are not impaired. Examples of such components include tackifiers, plasticizers, softeners, fillers, antioxidants, and the like. The intermediate layer (1) can contain a radiation curable oligomer (such as an ultraviolet curable oligomer). When a radiation curable oligomer is added, the intermediate layer (1) can be slightly cured when irradiated with radiation during peeling. The radiation curable oligomer is preferably blended in an amount of 35 parts by weight or less, preferably about 0.5 to 35 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

前記中間層(1)は、一層で構成されていてもよいが、同種または異種の複数の層からなる多層構造を有していてもよい。   Although the said intermediate | middle layer (1) may be comprised by one layer, it may have the multilayered structure which consists of several layers of the same kind or a different kind.

粘着剤層(2)を構成する粘着剤としては、慣用の粘着剤、例えば、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ゴム系粘着剤などが挙げられ、特に接着力の調整の容易さ、分子設計の容易さの点でアクリル系粘着剤が好ましい。粘着剤は1種を単独で、又は2種以上を混合して使用することもできる。   Examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (2) include conventional pressure-sensitive adhesives such as acrylic pressure-sensitive adhesives, silicone pressure-sensitive adhesives, and rubber-based pressure-sensitive adhesives. An acrylic pressure-sensitive adhesive is preferred from the viewpoint of ease of design. An adhesive can also be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

アクリル系接着剤のベースポリマーであるアクリル系ポリマーとしては、例えば、メチル基やエチル基、プルピル基やイソプルピル基、n−ブチル基やt−ブチル基、イソブチル基やアミル基、イソアミル基やへキシル基、へプチル基やシクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基やオクチル基、イソオクチル基やノニル基、イソノニル基やデシル基、イソデシル基やウンデシル基、ラウリル基やトリデシル基、テトラデシル基やステアリル基、オクタデシル基やドデシル基の如き炭素数30以下、特に4〜18の直鎖又は分岐のアルキル基を有する(メタ)アクリル酸アルキルエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体などがあげられる。   Examples of the acrylic polymer that is the base polymer of the acrylic adhesive include, for example, methyl group, ethyl group, purpyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, and hexyl group. Group, heptyl group, cyclohexyl group, 2-ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, Examples thereof include polymers containing as a component one or more of (meth) acrylic acid alkyl esters having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms such as dodecyl group.

上記アクリル系ポリマーの調製にあたっては、上記(メタ)アクリル酸アルキルエステルと共重合可能な他のモノマーを添加し、官能基や極性基の導入による接着性の改良、または共重合体のガラス転移温度をコントロールして凝集力や耐熱性を改善、改質しても良い。この目的で用いられる共重合可能な他のモノマーとしては、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸やマレイン酸、フマル酸やクロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチルや(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチルや(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチルや(メタ)アクリル酸l0−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリルや(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルアクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートの如き燐酸基含有モノマーなどがあげられる。   In the preparation of the acrylic polymer, other monomers copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester are added to improve adhesion by introducing functional groups or polar groups, or the glass transition temperature of the copolymer. May be controlled to improve or modify the cohesive strength and heat resistance. Examples of other copolymerizable monomers used for this purpose include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, carboxyl group-containing monomers such as itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as acid and itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate and 6-hydroxy (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as hexyl, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate and (4-hydroxymethylcyclohexyl) -methyl acrylate; Sulfonic acid groups such as lensulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Containing monomer: Phosphoric acid group-containing monomer such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate.

主成分である(メタ)アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他のモノマーとは、前者が70〜100重量%、好ましくは85〜95重量%、後者が30〜0重量%、好ましくは15〜5重量%となるようにするのがよく、この範囲で使用することにより接着性、凝集力などのバランスをうまくとることができる。   The main component (meth) acrylic acid alkyl ester and other monomers copolymerizable therewith are the former 70 to 100% by weight, preferably 85 to 95% by weight, and the latter 30 to 0% by weight, preferably It is preferable that the amount is 15 to 5% by weight. By using the amount within this range, it is possible to achieve a good balance of adhesiveness and cohesive force.

加えてアクリル系ポリマーの架橋処理等を目的に多官能モノマーなども必要に応じて共重合用のモノマー成分として用いうる。かかるモノマーの例としては、ヘキサンジオ一ルジ(メタ)アクリレートや(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレートやネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレートやトリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレートやジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシアクリレートやポリエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどがあげられる。多官能モノマーもl種又は2種以上を用いることができ、その使用量は、粘着特性等の点より全モノマーの30重量%以下が好ましい。   In addition, a polyfunctional monomer or the like may be used as a monomer component for copolymerization, if necessary, for the purpose of crosslinking the acrylic polymer. Examples of such monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol di ( Examples include meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy acrylate, polyester acrylate, and urethane acrylate. As the polyfunctional monomer, one type or two or more types can be used, and the use amount thereof is preferably 30% by weight or less of the total monomers from the viewpoint of adhesive properties and the like.

このようなアクリル系ポリマーの調製は、例えばl種又は2種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。   Such an acrylic polymer is prepared by applying an appropriate method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method or a suspension polymerization method to a mixture of one or two or more component monomers, for example. Can do.

本発明において、上記アクリルポリマーの数平均分子量は、例えば20万〜300万程度、好ましくは25万〜150万程度である。   In the present invention, the acrylic polymer has a number average molecular weight of, for example, about 200,000 to 3,000,000, preferably about 250,000 to 1,500,000.

粘着剤を構成するポリマーは架橋構造を有していてもよい。このような粘着剤は、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基などの官能基を有するモノマー(例えばアクリル系モノマー)を含むモノマー混合物から得られたポリマーに、架橋剤を配合することにより得られる。架橋構造を有するポリマーを含む粘着剤層(2)を備えたシートでは、自己保持性が向上するので、シートの変形を防止でき、シートの平板状態を維持できる。そのため、半導体ウエハに正確に且つ自動貼り付け装置などを用いて簡易に貼り付けることができる。   The polymer constituting the pressure-sensitive adhesive may have a crosslinked structure. Such a pressure-sensitive adhesive is obtained by blending a crosslinking agent with a polymer obtained from a monomer mixture containing a monomer having a functional group such as a carboxyl group, a hydroxyl group, an epoxy group, or an amino group (for example, an acrylic monomer). It is done. In the sheet provided with the pressure-sensitive adhesive layer (2) containing a polymer having a crosslinked structure, the self-holding property is improved, so that the deformation of the sheet can be prevented and the flat state of the sheet can be maintained. Therefore, it can be simply and accurately attached to a semiconductor wafer using an automatic attaching apparatus or the like.

放射線硬化型粘着剤に、公知慣用の架橋剤、例えば、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、ポリイソシアネート等のイソシアネート系架橋剤などを使用できる。架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマー100重量部に対して、0.005〜4重量部程度配合するのが好ましい。   As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, a known and commonly used crosslinking agent, for example, an epoxy crosslinking agent, an aziridine crosslinking agent, an isocyanate crosslinking agent such as polyisocyanate, and the like can be used. When using a crosslinking agent, it is preferable to use about 0.005 to 4 parts by weight of the crosslinking agent based on 100 parts by weight of the base polymer to be crosslinked.

また、本発明においては、粘着剤層(2)として放射線硬化型の粘着剤を用いることが好ましい。粘着剤層(2)を放射線硬化型粘着剤で構成すると、シートの貼り付け時には、前記オリゴマー成分により粘着剤に塑性流動性が付与されるため、貼り付けが容易になるとともに、シート剥離時には、放射線の照射により低接着性物質が生成するため、ウエハから容易に剥離できる。   Moreover, in this invention, it is preferable to use a radiation-curing-type adhesive as an adhesive layer (2). When the pressure-sensitive adhesive layer (2) is composed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, the plastic fluidity is imparted to the pressure-sensitive adhesive by the oligomer component when the sheet is attached, so that the attachment becomes easy, and at the time of sheet peeling, Since a low-adhesion substance is generated by irradiation with radiation, it can be easily peeled from the wafer.

放射線硬化型粘着剤としては、例えば、粘着性物質に、放射線照射により硬化して低接着性物質を形成するオリゴマー成分を配合することにより得られる。なお、粘着剤層(2)の形成に、放射線硬化型のオリゴマーを添加された放射線硬化型粘着剤を用いた場合には、粘着テープの保管により、オリゴマーの移動が発生し、テープの保管による変化が現れ易い。また、上記放射線硬化型粘着剤としては、分子内に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーがあげられる。かかる放射線硬化型粘着剤には、オリゴマーの移動による変化はなく好ましい。放射線硬化型粘着剤は、これら2種のタイプのものを併用することもできる。   The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can be obtained, for example, by blending an adhesive substance with an oligomer component that is cured by radiation irradiation to form a low-adhesion substance. In the case of using a radiation curable pressure-sensitive adhesive to which a radiation-curable oligomer has been added to form the pressure-sensitive adhesive layer (2), the movement of the oligomer occurs due to the storage of the pressure-sensitive adhesive tape. Changes are likely to appear. Examples of the radiation curable pressure-sensitive adhesive include acrylic polymers having a carbon-carbon double bond in the molecule. Such a radiation curable pressure-sensitive adhesive is preferable because it does not change due to migration of the oligomer. These two types of radiation curable adhesives can be used in combination.

なお、本発明において放射線としては、ポリマー硬化可能なものであれば特に限定されず、例えばX線、電子線、紫外線などが挙げられるが、取り扱いの容易さから紫外線が好ましい。   In the present invention, the radiation is not particularly limited as long as it can be polymer-cured, and examples thereof include X-rays, electron beams, and ultraviolet rays. Ultraviolet rays are preferable because of easy handling.

分子内に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーについて説明する。アクリル系ポリマーの分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入するには、既知の様々な方法があるが、分子設計の容易さから、あらかじめポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と付加反応し得るようなもう一方の官能基とかつ炭素−炭素二重結合を有するモノマーを、炭素−炭素二重結合を維持したまま縮合あるいは付加反応させる方法が好ましい。   The acrylic polymer having a carbon-carbon double bond in the molecule will be described. There are various known methods for introducing a carbon-carbon double bond into the inner molecular chain of an acrylic polymer. For ease of molecular design, after copolymerizing a monomer having a functional group in advance, A method is preferred in which a monomer having another functional group capable of addition reaction with this functional group and a carbon-carbon double bond is condensed or added while maintaining the carbon-carbon double bond.

これら官能基の組合せの例としては、たとえば、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられ、これらで反応後上記ポリマーを生成するような組合せであればどのような組合せであってもかまわないが、特に反応追跡の容易さからヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適に用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include, for example, carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups, and any combination that produces the above polymer after the reaction. Any combination may be used, but a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferably used because of the ease of reaction tracking.

例えば炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物の例として、メタクリロイルイソシアネートや2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α, α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。   For example, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate and the like.

このようなイソシアネート化合物と反応するヒドロキシル基含有化合物の例としては、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシルなどの、その分子内にエステル結合を有するものや、2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルなどの、その分子内にエーテル結合を有する化合物が好適に用いられる。しかしながらいずれも反応後、上記ポリマー構造を生成し得るような化合物であればこれらに限定されない。   Examples of hydroxyl group-containing compounds that react with such isocyanate compounds include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, (meth) Compounds having an ester bond in its molecule, such as 6-hydroxyhexyl acrylate, and compounds having an ether bond in its molecule, such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, etc. Preferably used. However, any compound can be used as long as it is a compound capable of generating the polymer structure after the reaction.

また、放射線硬化型粘着剤に配合される放射線硬化性オリゴマーとしては、ウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーの選択、組み合わせが可能である。これら放射線硬化性オリゴマーは、特性を悪化させない程度の放射線硬化性オリゴマーを加えることが好ましい。放射線硬化性オリゴマーは、通常ポリマー100重量部に対して30重量部以下の範囲内であり、好ましくは0〜10重量部の範囲である。   Moreover, as a radiation curable oligomer mix | blended with a radiation curable adhesive, various oligomers, such as a urethane type, polyether type, polyester type, a polycarbonate type, a polybutadiene type, can be selected and combined. These radiation curable oligomers are preferably added to such a degree that does not deteriorate the properties. The radiation curable oligomer is usually in the range of 30 parts by weight or less, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer.

放射線硬化型粘着剤は、通常、重合開始剤を含む。重合開始剤としては、従来より知られた物を適宜使用でき、例えば、紫外線による硬化方式を採る場合に配合されることのある光重合開始剤の例としては、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、α―ヒドロキシーα、α´―ジメチルアセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール化合物;メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1などのアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物;2−ナフタレンスルフォニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物;1−フェノンー1,1−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシムなどの光学活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3´−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4−ジクロロチオキサンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナートなどが挙げられる。これらの重合開始剤の使用量は、例えば、上記放射線硬化性ポリマー(またはオリゴマー)100重量部に対して、1〜10重量部程度である。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive usually contains a polymerization initiator. As the polymerization initiator, conventionally known products can be used as appropriate. For example, 4- (2-hydroxyethoxy) is an example of a photopolymerization initiator that may be blended when a curing method using ultraviolet rays is employed. Α-ketol compounds such as phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropiophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, Acetophenone compounds such as 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ethyl ether , Benzoin isopropyl ether, anisoin methyl ether Benzoin ether compounds such as ter; ketal compounds such as benzyl dimethyl ketal; aromatic sulfonyl chloride compounds such as 2-naphthalenesulfonyl chloride; 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime Optically active oxime compounds such as benzophenone, benzoylbenzoic acid, benzophenone compounds such as 3,3′-dimethyl-4-methoxybenzophenone, thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4- Thioxanthone compounds such as dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated Ton; acyl phosphino sulfoxide; an acyl phosphonium diisocyanate and the like. The amount of these polymerization initiators used is, for example, about 1 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the radiation curable polymer (or oligomer).

さらに、粘着剤層(2)には、加熱により発泡又は膨張する成分を含有させてもよい。熱発泡性又は膨張性成分としては、例えば、イソブタン、プロパン等の加熱により容易にガス化する物質を弾性を有する殻内に内包させた熱膨張性微小球[例えば、商品名:マイクロスフィア、松本油脂製薬(株)製など]などが例示できる。粘着剤層(2)にこのような熱発泡性又は熱膨張性成分を含有させると、ウエハ研削加工後、加熱処理により粘着剤層(2)が膨張して、粘着剤層(2)とウエハとの接着面積が著しく減少するため、ウエハから容易にシートを剥離できる。   Furthermore, you may make the adhesive layer (2) contain the component which foams or expands by heating. Thermally expandable or expandable components include, for example, thermally expandable microspheres in which a substance that is easily gasified by heating, such as isobutane and propane, is encapsulated in an elastic shell [for example, trade names: Microsphere, Matsumoto And the like. When such a thermally foamable or thermally expandable component is contained in the pressure-sensitive adhesive layer (2), the pressure-sensitive adhesive layer (2) expands by heat treatment after the wafer grinding process, and the pressure-sensitive adhesive layer (2) and the wafer Therefore, the sheet can be easily peeled from the wafer.

粘着剤層(2)の弾性率はウエハに対する接着性や保持性を損なわない範囲で適宜設定できるが、好ましくは10〜500kPaである。10kPa未満では、粘着剤が柔らかくなるためウエハの保持性や保護性が低下する恐れがあり、また500kPaを超えると初期の接着力が得られない場合がある。   Although the elasticity modulus of an adhesive layer (2) can be suitably set in the range which does not impair the adhesiveness and retention property with respect to a wafer, Preferably it is 10-500 kPa. If the pressure is less than 10 kPa, the pressure-sensitive adhesive becomes soft, so that the wafer retainability and protection may be lowered. If the pressure exceeds 500 kPa, the initial adhesive force may not be obtained.

放射線硬化型粘着剤層の場合には、放射線硬化前において、弾性率が30〜500kPaでありかつゲル分が18〜30%であることが、凹凸吸収性、圧力下におけるウエハ汚れ(はみ出し)、剥離性の点から好ましい。   In the case of the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer, before the radiation curing, the elastic modulus is 30 to 500 kPa and the gel content is 18 to 30%, the uneven absorbency, wafer dirt under pressure (excess), It is preferable from the point of peelability.

粘着剤層(2)の厚さは、ウエハの保持性や保護性を損なわない範囲で適宜設定できるが、好ましくは1〜100μm、さらに好ましくは2〜60μm程度である。粘着剤層(2)の厚さが1μm未満では粘着剤層(2)の破壊による中間層(1)の析出の恐れがあり、また100μmを超えると、本シートをウエハに貼付する際、ウエハ表面の凹凸に追従しにくくなり、何れも好ましくない。   Although the thickness of an adhesive layer (2) can be suitably set in the range which does not impair the retainability and protection of a wafer, Preferably it is about 1-100 micrometers, More preferably, it is about 2-60 micrometers. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (2) is less than 1 μm, the intermediate layer (1) may be deposited due to the destruction of the pressure-sensitive adhesive layer (2). If the thickness exceeds 100 μm, It becomes difficult to follow the unevenness on the surface, which is not preferable.

粘着剤層(2)の厚さt2 と中間層(1)の厚さt1 との比は、t2 /t1 =0.01〜0.5、好ましくは0.02〜0.3程度である。t2 /t1 が0.01未満では、放射線照射後に接着力が十分低下せず剥離が困難となる恐れがあり、またt2 /t1 が0.5を超えると中間層の効果が発揮されずウエハパターン面の凹凸への追従性が発揮されにくくなり、ウエハの研削加工時に割れやディンプルの発生が生じやすくなる。 The ratio of the thickness t 1 of the thickness t 2 and an intermediate layer of the pressure-sensitive adhesive layer (2) (1), t 2 / t 1 = 0.01 to 0.5, preferably 0.02 to 0.3 Degree. If t 2 / t 1 is less than 0.01, the adhesive strength may not be sufficiently reduced after irradiation, and peeling may be difficult. If t 2 / t 1 exceeds 0.5, the effect of the intermediate layer is exhibited. Accordingly, it becomes difficult to follow the unevenness of the wafer pattern surface, and cracks and dimples are likely to occur during grinding of the wafer.

基材層(3)は特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)などのポリエステル;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)などのポリオレフィン系樹脂;ポリイミド(PI);ポリエーテルエーテルケトン(PEEK);ポリ塩化ビニル(PVC)などのポリ塩化ビニル系樹脂;ポリ塩化ビニリデン系樹脂;ポリアミド系樹脂;ポリウレタン;ポリスチレン系樹脂;アクリル系樹脂;フッ素樹脂;セルロース系樹脂;ポリカーボネート系樹脂などの熱可塑性樹脂のほか、熱硬化性樹脂、金属箔、紙などが例示できる。なお、基材層(3)は、同種の、または異種の材料からなる複数の層により多層構造としてもよい。   The substrate layer (3) is not particularly limited. For example, polyester such as polyethylene terephthalate (PET); polyolefin resin such as polyethylene (PE) and polypropylene (PP); polyimide (PI); polyetheretherketone (PEEK) A polyvinyl chloride resin such as polyvinyl chloride (PVC); a polyvinylidene chloride resin; a polyamide resin; a polyurethane; a polystyrene resin; an acrylic resin; a fluororesin; a cellulose resin; and a thermoplastic resin such as a polycarbonate resin. In addition, thermosetting resin, metal foil, paper, etc. can be illustrated. In addition, the base material layer (3) may have a multilayer structure with a plurality of layers made of the same or different materials.

本発明の半導体ウエハ保持保護用シートは、図1に示すように上記の中間層(1)、粘着剤層(2)、及び基材層(3)を積層したシート状物であって、基材層(3)の片面に中間層(1)を設け、中間層(1)の表面に粘着剤層(2)を形成したことを特徴とするものである。   The semiconductor wafer holding and protecting sheet of the present invention is a sheet-like product in which the intermediate layer (1), the pressure-sensitive adhesive layer (2), and the base material layer (3) are laminated as shown in FIG. The intermediate layer (1) is provided on one side of the material layer (3), and the adhesive layer (2) is formed on the surface of the intermediate layer (1).

また、本発明の半導体ウエハ保持保護用シートは、図2に示す様にこれを巻回してテープ状としてもよい。この場合、粘着剤層(2)の保護のため、その上に剥離フィルム層(4)を積層してもよい。剥離フィルム層(4)は、従来より公知のシリコーン処理やフッ素処理されたプラスチックフィルム(ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレンなど)、紙、非極性材料(ポリエチレン、ポリプロピレンなど)などが挙げられる。   The semiconductor wafer holding and protecting sheet of the present invention may be wound into a tape shape as shown in FIG. In this case, in order to protect the pressure-sensitive adhesive layer (2), a release film layer (4) may be laminated thereon. Examples of the release film layer (4) include conventionally known silicone-treated and fluorine-treated plastic films (polyethylene terephthalate, polypropylene, etc.), paper, and nonpolar materials (polyethylene, polypropylene, etc.).

また、本発明の半導体ウエハ保持保護用シートをテープ状に巻回する場合、図3に示すように剥離フィルム層(4)を用いず、基材の反対面(すなわち巻回した場合に粘着剤層(2)と接触する面)に剥離処理層(5)を設けることで巻き戻ししやすくすることもできる。   In addition, when the semiconductor wafer holding protection sheet of the present invention is wound in a tape shape, as shown in FIG. 3, the release film layer (4) is not used, and the opposite surface of the substrate (that is, the pressure sensitive adhesive when wound). By providing the release treatment layer (5) on the surface in contact with the layer (2), rewinding can be facilitated.

剥離処理層(5)は、従来より公知の剥離剤を用いて処理を行えば良く、例えばシリコーン処理、フッ素処理、長鎖アルキル基含有ポリマー処理などが挙げられる。   The release treatment layer (5) may be treated using a conventionally known release agent, and examples thereof include silicone treatment, fluorine treatment, and long-chain alkyl group-containing polymer treatment.

本発明の半導体ウエハ保持保護用シートの製造方法は特に限定されず、基材層(3)上に、中間層(1)および粘着剤層(2)を形成することで本発明の半導体ウエハ保持保護用シートを得ることができる。中間層組成物および粘着剤組成物を塗布するには、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などの塗工方式を用いて行えばよく、これらは直接基材上に形成しても良いし、表面に剥離処理を行った剥離紙等に形成後、基材に転写しても良い。   The method for producing the semiconductor wafer holding / protecting sheet of the present invention is not particularly limited, and the intermediate wafer (1) and the pressure-sensitive adhesive layer (2) are formed on the base material layer (3) to hold the semiconductor wafer of the present invention. A protective sheet can be obtained. In order to apply the intermediate layer composition and the pressure-sensitive adhesive composition, a coating method such as roll coating, screen coating, and gravure coating may be used, and these may be directly formed on the substrate. And after forming on the release paper etc. which performed the peeling process on the surface, you may transfer to a base material.

本発明の半導体保持保護用シートは、半導体ウエハ表面(回路パターン形成面)に、粘着剤層(2)の面が前記ウエハ側となるように重ね合わせ、押圧しながら貼り付けることができる。   The sheet for protecting and holding a semiconductor according to the present invention can be applied to a semiconductor wafer surface (circuit pattern forming surface) so that the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (2) is on the wafer side and pressed.

より具体的には、例えば(i)テーブル上にウエハを載置し、その上に本発明の粘着シートを粘着剤層(2)がウエハ側になるように重ね、圧着ロールなどの押圧手段により、押圧しながら貼り付ける。また、(ii)加圧可能な容器(たとえばオートクレーブなど)中で、ウエハと本シートを上記のように重ね、容器内を加圧することでウエハに貼り付けることもできる。この際、押圧手段により押圧しながら貼り付けてもよい。さらに、(iii )真空チャンバー内で、上記と同様に貼り付けることもできる。またこれらの方法で貼り付ける際に、30〜150℃程度の加熱を行ってもよい。貼り付け方法はこれらに限定されるものではない。   More specifically, for example, (i) a wafer is placed on a table, and the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is stacked thereon so that the pressure-sensitive adhesive layer (2) is on the wafer side. Paste while pressing. (Ii) In a pressurizable container (for example, an autoclave), the wafer and the sheet can be stacked as described above, and the inside of the container can be pressed to be attached to the wafer. At this time, it may be attached while being pressed by the pressing means. Further, (iii) it can be applied in the same manner as described above in a vacuum chamber. Moreover, when pasting by these methods, you may heat about 30-150 degreeC. The attaching method is not limited to these.

貼り付けられたシートは、半導体ウエハの研削加工後、人力又は機械により剥離される。この際、粘着剤に放射線硬化型粘着剤を用いた場合は、剥離前に適当な放射線を照射することで、粘着剤層の接着力が低下し、容易に剥離することが出きるので好ましい。   The affixed sheet is peeled off manually or by machine after the semiconductor wafer is ground. At this time, when a radiation curable pressure sensitive adhesive is used as the pressure sensitive adhesive, it is preferable to irradiate with appropriate radiation before peeling, because the adhesive strength of the pressure sensitive adhesive layer is lowered and the film can be easily peeled off.

以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。また、以下において部とあるのは、重量部を意味するものとする。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited by these Examples. In the following description, “parts” means parts by weight.

下記条件で作製された粘着シートを、半導体ウエハに貼り付け、研削し、粘着シートの剥離を行い、「水浸入」、「研削後ウエハ割れ」および「ウエハ汚染」の評価を行った。結果を表1に示す。   The pressure-sensitive adhesive sheet produced under the following conditions was affixed to a semiconductor wafer, ground, peeled off the pressure-sensitive adhesive sheet, and evaluated for “water intrusion”, “wafer crack after grinding”, and “wafer contamination”. The results are shown in Table 1.

(貼り合わせ)
下記条件で粘着シートを作製し、高さ80μm、150μm、250μmのバンプの形成された厚さ625μm(バンプ含まず)の6インチウエハ25枚に該粘着シートを日東精機(株)製DR−8500IIを用いて貼り合わせた。これは、上述(i)の方法(テーブル上にウエハを載置し、その上に本発明のシートを粘着剤層(2)がウエハ側になるように重ね、圧着ロールなどの押圧手段により、押圧しながら貼り付ける)に相当する。
(Lamination)
An adhesive sheet was prepared under the following conditions, and the adhesive sheet was applied to 25 6-inch wafers having a thickness of 625 μm (not including bumps) on which bumps having a height of 80 μm, 150 μm, and 250 μm were formed, and DR-8500II manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd. Were bonded together. This is because the method of (i) above (a wafer is placed on a table, the sheet of the present invention is stacked thereon so that the adhesive layer (2) is on the wafer side, and pressing means such as a pressure roll, Equivalent to sticking while pressing).

(研削)
上記方法により粘着シートを貼り合わせたウエハを、ディスコ(株)製シリコンウエハ研削機により厚さ280μmまで研削を行った。
(grinding)
The wafer to which the adhesive sheet was bonded by the above method was ground to a thickness of 280 μm using a silicon wafer grinding machine manufactured by DISCO Corporation.

(剥離)
上記方法により研削を行ったウエハを、日東精機(株)製DR−8500IIを用いて粘着シートの剥離を行った。なお、粘着剤に感圧接着剤を用いた場合は、研削後粘着シート背面に剥離用テープを貼り付けて、該テープとともに粘着シートを剥離した。また、粘着剤にUV粘着剤を用いた場合は、ウエハを研削後、粘着シートに400mJ/cm2 の紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、同様に剥離用テープを貼り付けて、該テープとともに粘着シートを剥離した。
(Peeling)
The adhesive sheet was peeled off from the wafer ground by the above method using DR-8500II manufactured by Nitto Seiki Co., Ltd. When a pressure sensitive adhesive was used as the pressure sensitive adhesive, a peeling tape was attached to the back of the pressure sensitive adhesive sheet after grinding, and the pressure sensitive adhesive sheet was peeled off together with the tape. Further, when UV adhesive is used as the adhesive, after grinding the wafer, the adhesive sheet is irradiated with ultraviolet rays of 400 mJ / cm 2 to cure the adhesive layer, and a release tape is applied in the same manner. The adhesive sheet was peeled off with the tape.

[評価項目]
(水浸入)
研削中にウエハと粘着シートとの間に研削水が染み込む現象をいい、これによりウエハが汚染される。粘着シートを剥離後、光学顕微鏡観察(200倍)により、25枚中1枚でもウエハ上に水が確認されたウエハは、水浸入ありとした。
[Evaluation item]
(Water intrusion)
This refers to a phenomenon in which grinding water penetrates between the wafer and the adhesive sheet during grinding, thereby contaminating the wafer. After peeling the adhesive sheet, the wafer in which water was confirmed on at least one of the 25 wafers by optical microscope observation (200 times) was assumed to have water intrusion.

(ウエハ割れ)
研削中にバンプの凹凸が粘着シートで吸収されず発生する。研削中に25枚中1枚でもウエハの割れが発生されたウエハは、割れありとした。
(Wafer cracking)
Unevenness of bumps is not absorbed by the adhesive sheet during grinding. A wafer in which even one out of 25 wafers was cracked during grinding was considered to be cracked.

(ウエハ汚染:はみ出し)
研削後、粘着シートを剥離し、ウエハの外周を光学顕微鏡観察(200倍)し、20μm以上の大きさの粘着剤成分が1ケ所でも見られた場合にはウエハ汚染ありとした。
(Wafer contamination: protruding)
After grinding, the pressure-sensitive adhesive sheet was peeled off, and the outer periphery of the wafer was observed with an optical microscope (200 times). If a pressure-sensitive adhesive component having a size of 20 μm or more was found even at one location, the wafer was contaminated.

粘着剤として、以下の感圧粘着剤とUV(紫外線)硬化型粘着剤を調製した。   As pressure-sensitive adhesives, the following pressure-sensitive pressure-sensitive adhesives and UV (ultraviolet) curable pressure-sensitive adhesives were prepared.

[感圧粘着剤]
アクリル酸2−エチルヘキシル82部、アクリル酸3部およびアクリルアミド15部からなる配合混合物を酢酸エチル100部中で溶液重合して数平均分子量700,000のアクリル系共重合体ポリマーを得た。続いてこの得られたポリマー100部に、エステル系可塑剤(大日本インキ化学工業社製,ジオクチルフタレート)20部、メラミン系架橋剤(大日本インキ化学工業社製,J−820−60N)0.1部およびイソシアネート架橋剤(日本ポリウレタン工業社製,コロネートHL)3部を添加して離型処理されたフィルム上に塗布することで粘着剤層を調製した。
[Pressure sensitive adhesive]
A blended mixture consisting of 82 parts of 2-ethylhexyl acrylate, 3 parts of acrylic acid and 15 parts of acrylamide was solution polymerized in 100 parts of ethyl acetate to obtain an acrylic copolymer having a number average molecular weight of 700,000. Subsequently, 20 parts of an ester plasticizer (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., dioctyl phthalate) and melamine crosslinking agent (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, J-820-60N) 0 are added to 100 parts of the obtained polymer. The pressure-sensitive adhesive layer was prepared by adding 1 part and 3 parts of an isocyanate crosslinking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., Coronate HL) on the film which had been subjected to a release treatment.

[UV硬化型粘着剤]
アクリル酸エチル70部、アクリル酸ブチル70部およびアクリル酸2−ヒドロキシエチル40部からなる配合混合物をトルエン溶液中で共重合させ、数平均分子量300,000のアクリル系共重合体ポリマーを得た。続いてこの共重合ポリマーに対し、43部の2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。このポリマー100部に対して、さらにイソシアネート系架橋剤(日本ポリウレタン工業社製,コロネートL)0. 1部およびアセトフェノン系光重合開始剤(チバ・スペシャルティケミカルズ社製,イルガキュア651)0. 3部を混合し、離型処理されたフィルム上に塗布することで粘着剤層を調製した。なお、粘着剤層形成後(放射線照射前)の弾性率は20kPa、ゲル分は25%であった。
[UV curable adhesive]
A blended mixture comprising 70 parts of ethyl acrylate, 70 parts of butyl acrylate and 40 parts of 2-hydroxyethyl acrylate was copolymerized in a toluene solution to obtain an acrylic copolymer having a number average molecular weight of 300,000. Subsequently, 43 parts of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was subjected to an addition reaction to the copolymer, and a carbon-carbon double bond was introduced into the polymer molecule inner chain. To 100 parts of this polymer, 0.1 part of an isocyanate-based crosslinking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., Coronate L) and 0.3 part of an acetophenone-based photopolymerization initiator (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Irgacure 651) The pressure-sensitive adhesive layer was prepared by mixing and coating on the release-treated film. The elastic modulus after forming the pressure-sensitive adhesive layer (before irradiation) was 20 kPa, and the gel content was 25%.

中間層を形成する材料(組成物)として、以下のポリマーA乃至Fを調製した。   The following polymers A to F were prepared as materials (compositions) for forming the intermediate layer.

[ポリマーA]
アクリル酸ブチル50部、アクリル酸7部およびアクリル酸エチル50部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。このポリマー100部に対してイソシアネート系架橋剤(日本ポリウレタン工業社製,コロネートL)0.05部、紫外線硬化型オリゴマー(日本合成化学社製,UV−1700B)15部およびアセトフェノン系光重合開始剤(チバ・スペシャルティケミカルズ社製,イルガキュア651)2部を添加し、ポリマーAとした。なお、中間層形成後のポリマーAの弾性率は10kPa、ゲル分は30%であった。
[Polymer A]
50 parts of butyl acrylate, 7 parts of acrylic acid and 50 parts of ethyl acrylate were copolymerized in toluene by a solution polymerization method to obtain a polymer. With respect to 100 parts of this polymer, 0.05 part of an isocyanate-based cross-linking agent (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., Coronate L), 15 parts of an ultraviolet curable oligomer (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Co., Ltd., UV-1700B) and an acetophenone-based photopolymerization initiator 2 parts (Irgacure 651, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) were added to obtain Polymer A. In addition, the elastic modulus of the polymer A after forming the intermediate layer was 10 kPa, and the gel content was 30%.

[ポリマーB]
アクリル酸2−エチルヘキシル50部、メタクリル酸10部およびアクリル酸エチル30部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。このポリマー100部に対してエポキシ系架橋剤(三菱瓦斯化学社製,テトラッドC)0.5部、紫外線硬化型オリゴマー(東亞合成社製,アロニックスM270)8部およびアセトフェノン系光重合開始剤(チバ・スペシャルティケミカルズ社製,イルガキュア651)1.5部を添加し、ポリマーBとした。なお、中間層形成後のポリマーBの弾性率は700kPa、ゲル分は30%であった。
[Polymer B]
50 parts of 2-ethylhexyl acrylate, 10 parts of methacrylic acid and 30 parts of ethyl acrylate were copolymerized in toluene by a solution polymerization method to obtain a polymer. To 100 parts of this polymer, 0.5 part of an epoxy-based crosslinking agent (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Tetrad C), 8 parts of an ultraviolet curable oligomer (manufactured by Toagosei Co., Ltd., Aronix M270) and an acetophenone-based photopolymerization initiator (Ciba -Specialty Chemicals company make, Irgacure 651) 1.5 parts was added, and it was set as the polymer B. In addition, the elastic modulus of the polymer B after forming the intermediate layer was 700 kPa, and the gel content was 30%.

[ポリマーC]
アクリル酸ブチル30部、アクリル酸2部およびアクリル酸エチル30部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。このポリマー100部に対してエポキシ系架橋剤(三菱瓦斯化学社製,テトラッドC)2.4部を添加し、ポリマーCとした。なお、中間層形成後のポリマーCの弾性率は1000kPa、ゲル分は45%であった。
[Polymer C]
30 parts of butyl acrylate, 2 parts of acrylic acid and 30 parts of ethyl acrylate were copolymerized in toluene by a solution polymerization method to obtain a polymer. 2.4 parts of an epoxy crosslinking agent (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Tetrad C) was added to 100 parts of this polymer to obtain polymer C. In addition, the elasticity modulus of the polymer C after intermediate | middle layer formation was 1000 kPa, and the gel part was 45%.

[ポリマーD]
アクリル酸ブチル95部、アクリル酸5部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。このポリマー100部に対してメラミン系架橋剤(大日本インキ化学工業社製,SJ−820−60N)5部を添加し、ポリマーDとした。なお、中間層形成後のポリマーDの弾性率は2000kPa、ゲル分は65%であった。
[Polymer D]
95 parts of butyl acrylate and 5 parts of acrylic acid were copolymerized in toluene by a solution polymerization method to obtain a polymer. To 100 parts of this polymer, 5 parts of a melamine-based cross-linking agent (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, SJ-820-60N) was added to obtain polymer D. The elastic modulus of the polymer D after forming the intermediate layer was 2000 kPa, and the gel content was 65%.

[ポリマーE]
アクリル酸ブチル80部、アクリル酸エチル20部およびアクリル酸5部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。このポリマー100部に対してエポキシ系架橋剤(三菱瓦斯化学社製,テトラッドC)0.02部を添加し、ポリマーEとした。なお、中間層形成後のポリマーEの弾性率は5kPa、ゲル分は25%であった。
[Polymer E]
80 parts of butyl acrylate, 20 parts of ethyl acrylate and 5 parts of acrylic acid were copolymerized in toluene by a solution polymerization method to obtain a polymer. 0.02 part of an epoxy-based crosslinking agent (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., Tetrad C) was added to 100 parts of this polymer to obtain polymer E. In addition, the elastic modulus of the polymer E after forming the intermediate layer was 5 kPa, and the gel content was 25%.

[ポリマーF]
アクリル酸2−エチルヘキシル75部、アクリルアミド20部およびアクリル酸5部をトルエン中で溶液重合法により共重合し、ポリマーを得た。このポリマー100部に対してエポキシ系架橋剤(三菱瓦斯化学社製,テトラッドC)0.05部を添加し、ポリマーFとした。なお、中間層形成後のポリマーFの弾性率は500kPa、ゲル分は1%であった。
[Polymer F]
75 parts of 2-ethylhexyl acrylate, 20 parts of acrylamide and 5 parts of acrylic acid were copolymerized in toluene by a solution polymerization method to obtain a polymer. To 100 parts of this polymer, 0.05 part of an epoxy-based crosslinking agent (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Tetrad C) was added to obtain polymer F. The elastic modulus of the polymer F after forming the intermediate layer was 500 kPa, and the gel content was 1%.

実施例1
基材層(3)として厚さ140μmのエチレン−酢酸ビニル共重合物(EVA)フィルムを用い、その上にポリマーAを厚さ100μmで設け、中間層(1)を形成した。さらに中間層の上にUV硬化型粘着剤を厚さ5μmとなるよう設け、粘着剤層(2)を形成した。このシートを高さ80μmのバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。その結果「水浸入」、「ウエハ割れ」および「ウエハ汚染」なく作業できた。
Example 1
An ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) film having a thickness of 140 μm was used as the base material layer (3), and polymer A was provided thereon with a thickness of 100 μm to form an intermediate layer (1). Further, a UV curable pressure-sensitive adhesive was provided on the intermediate layer so as to have a thickness of 5 μm, thereby forming a pressure-sensitive adhesive layer (2). This sheet was affixed to a wafer with bumps having a height of 80 μm, ground, and peeled. As a result, it was possible to work without “water intrusion”, “wafer cracking” and “wafer contamination”.

実施例2
基材層(3)として厚さ200μmのポリエチレン(PE)フィルムを用い、その上にポリマーBを厚さ140μmで設け、中間層(1)を形成した。さらに中間層(1)の上にUV硬化型粘着剤を厚さ20μmとなるよう設け、粘着剤層(2)を形成した。このシートを高さ150μmのバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。その結果「水浸入」、「ウエハ割れ」および「ウエハ汚染」なく作業できた。
Example 2
A 200 μm-thick polyethylene (PE) film was used as the base material layer (3), and the polymer B was provided thereon with a thickness of 140 μm to form the intermediate layer (1). Further, a UV curable adhesive was provided on the intermediate layer (1) so as to have a thickness of 20 μm to form an adhesive layer (2). This sheet was affixed to a 150 μm-high wafer with bumps, ground, and peeled. As a result, it was possible to work without “water intrusion”, “wafer cracking” and “wafer contamination”.

実施例3
基材層(3)として厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用い、その上にポリマーCを厚さ200μmで設け、中間層(1)を形成した。さらに中間層の上にUV硬化型粘着剤を厚さ40μmとなるよう設け、粘着剤層(2)を形成した。このシートを高さ250μmのバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。その結果「水浸入」、「ウエハ割れ」および「ウエハ汚染」なく作業できた。
Example 3
A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm was used as the base material layer (3), and the polymer C was provided thereon with a thickness of 200 μm to form the intermediate layer (1). Further, a UV curable pressure-sensitive adhesive was provided on the intermediate layer so as to have a thickness of 40 μm, thereby forming a pressure-sensitive adhesive layer (2). This sheet was attached to a bumped wafer having a height of 250 μm, and was ground and peeled off. As a result, it was possible to work without “water intrusion”, “wafer cracking” and “wafer contamination”.

比較例1
基材層(3)として厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用い、その上にポリマーDを厚さ100μmで設け、中間層(1)を形成した。さらに中間層の上に感圧粘着剤を厚さ20μmとなるよう設け、粘着剤層(2)を形成した。このシートを高さ80μmのバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。その結果、中間層の弾性率が高く固すぎたため、バンプを埋めることができず「水浸入」が発生した。また「ウエハ割れ」も発生した。「ウエハ汚染」は発生しなかった。
Comparative Example 1
A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm was used as the base material layer (3), and the polymer D was provided thereon with a thickness of 100 μm to form the intermediate layer (1). Further, a pressure-sensitive adhesive was provided on the intermediate layer so as to have a thickness of 20 μm, thereby forming an adhesive layer (2). This sheet was affixed to a wafer with bumps having a height of 80 μm, ground, and peeled. As a result, since the elastic modulus of the intermediate layer was too high and hard, the bumps could not be filled and “water intrusion” occurred. “Wafer cracking” also occurred. “Wafer contamination” did not occur.

比較例2
基材層(3)として厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用い、その上にポリマーEを厚さ200μmで設け、中間層(1)を形成した。さらに中間層(1)の上にUV硬化型粘着剤を厚さ40μmとなるよう設け、粘着剤層(2)を形成した。このシートを高さ150μmのバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。その結果、中間層のゲル分率が低く、研削中のウエハ保持性が劣るため、研削時に「ウエハ割れ」が生じた。また剥離が困難となり、「ウエハ汚染」を生じた。
Comparative Example 2
A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm was used as the base material layer (3), and the polymer E was provided thereon with a thickness of 200 μm to form the intermediate layer (1). Further, a UV curable adhesive was provided on the intermediate layer (1) so as to have a thickness of 40 μm to form an adhesive layer (2). This sheet was affixed to a 150 μm-high wafer with bumps, ground, and peeled. As a result, the gel fraction of the intermediate layer was low and the wafer retention during grinding was poor, so that “wafer cracking” occurred during grinding. Further, peeling became difficult, resulting in “wafer contamination”.

比較例3
基材層(3)として厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用い、その上にポリマーFを厚さ200μmで設け、中間層(1)を形成した。さらに中間層(1)の上にUV硬化型粘着剤を厚さ40μmとなるよう設け、粘着剤層(2)を形成した。このシートを高さ150μmのバンプ付きウエハに貼り付け、研削、剥離を行った。その結果、「水浸入」、「ウエハ割れ」および「ウエハ汚染」なく作業できた。その結果「水浸入」、「ウエハ割れ」は発生しなかったが、研削時の圧力により、粘着剤残渣が残り「ウエハ汚染」が発生した。
Comparative Example 3
A polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm was used as the base material layer (3), and the polymer F was provided thereon with a thickness of 200 μm to form the intermediate layer (1). Further, a UV curable adhesive was provided on the intermediate layer (1) so as to have a thickness of 40 μm to form an adhesive layer (2). This sheet was affixed to a 150 μm-high wafer with bumps, ground, and peeled. As a result, it was possible to work without “water intrusion”, “wafer cracking” and “wafer contamination”. As a result, “water intrusion” and “wafer cracking” did not occur, but due to the pressure during grinding, adhesive residue remained and “wafer contamination” occurred.

Figure 0004367769
Figure 0004367769

本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートの断面図の一例である。It is an example of sectional drawing of the adhesive sheet for semiconductor wafer holding | maintenance protection of this invention. 本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートをテープ状に巻回した場合の断面図の一例である。It is an example of sectional drawing at the time of winding the pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer maintenance protection of the present invention in the shape of a tape. 本発明の半導体ウエハ保持保護用粘着シートをテープ状に巻回した場合の断面図の他の一例である。It is another example of sectional drawing at the time of winding the adhesive sheet for semiconductor wafer holding | maintenance protection of this invention in tape shape.

符号の説明Explanation of symbols

1 中間層
2 粘着剤層
3 基材層
4 剥離フィルム層
5 剥離処理層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Intermediate | middle layer 2 Adhesive layer 3 Base material layer 4 Peeling film layer 5 Peeling process layer

Claims (8)

半導体ウエハ加工時において、半導体ウエハ表面に貼り付けて半導体ウエハを保持保護するための粘着シートであって、
基材層(3)の片面に、25℃における弾性率が10〜1000kPaでありかつゲル分が26〜45%の中間層(1)が設けられ、該中間層(1)の表面に粘着剤層(2)が形成されていることを特徴とする半導体ウエハ保持保護用粘着シート。
At the time of semiconductor wafer processing, an adhesive sheet for holding and protecting the semiconductor wafer by sticking to the surface of the semiconductor wafer,
An intermediate layer (1) having an elastic modulus at 25 ° C. of 10 to 1000 kPa and a gel content of 26 to 45% is provided on one surface of the base material layer (3), and an adhesive is provided on the surface of the intermediate layer (1). A pressure-sensitive adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer, wherein a layer (2) is formed.
中間層(1)の厚さt1 が20〜500μmであり、粘着剤層(2)の厚さt2 が1〜100μmであって、その比が、t2 /t1 =0.01〜0.5であることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。 The thickness t 1 of the intermediate layer (1) is 20 to 500 μm, the thickness t 2 of the pressure-sensitive adhesive layer (2) is 1 to 100 μm, and the ratio is t 2 / t 1 = 0.01 to The pressure-sensitive adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive sheet is 0.5. 中間層(1)が、アクリル系ポリマーを構成材料として含有することを特徴とする請求項1または2記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   The adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to claim 1 or 2, wherein the intermediate layer (1) contains an acrylic polymer as a constituent material. 中間層(1)が、さらに放射線硬化型オリゴマーを含有することを特徴とする請求項3記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   4. The adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to claim 3, wherein the intermediate layer (1) further contains a radiation curable oligomer. 粘着剤層(2)が、アクリル系ポリマーを構成材料として含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   The adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 4, wherein the adhesive layer (2) contains an acrylic polymer as a constituent material. 粘着剤層(2)が、分子内に炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型のアクリル系ポリマーを含有する放射線硬化型粘着剤層であることを特徴とする請求項5記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   6. The semiconductor wafer holding according to claim 5, wherein the pressure-sensitive adhesive layer (2) is a radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer containing a radiation-curable acrylic polymer having a carbon-carbon double bond in the molecule. Protective adhesive sheet. 放射線硬化型粘着剤層(2)は、放射線硬化前において、25℃における弾性率が10〜500kPaでありかつゲル分が18〜30%であることを特徴とする請求項6記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シート。   The semiconductor wafer holding according to claim 6, wherein the radiation curable pressure-sensitive adhesive layer (2) has an elastic modulus at 25 ° C of 10 to 500 kPa and a gel content of 18 to 30% before radiation curing. Protective adhesive sheet. 請求項1〜7のいずれかに記載の半導体ウエハ保持保護用粘着シートの粘着剤層(2)を、回路パターンが組み込まれた側の半導体ウエハの表面に貼り合わせた状態で、半導体ウエハの裏面を研削加工することを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。


A back surface of a semiconductor wafer in a state where the adhesive layer (2) of the adhesive sheet for holding and protecting a semiconductor wafer according to any one of claims 1 to 7 is bonded to the surface of the semiconductor wafer on the side where the circuit pattern is incorporated. A method for grinding a back surface of a semiconductor wafer, characterized in that:


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