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JP4376679B2 - Planar actuator manufacturing method - Google Patents
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Description

本発明は、光ビームを偏向するプレーナ型アクチュエータの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a planar actuator that deflects a light beam.

従来の光ビームを偏向するプレーナ型アクチュエータには、一方の主面に光を反射させるミラー面を形成した可動部を固定部に梁部で回動可能に軸支し、可動部の周縁部に沿って敷設したコイルと、梁部の軸線に平行な対辺の側方に可動部を間にして対向させて配置した永久磁石とで駆動手段を構成し、上記コイルに通電してローレンツ力を発生させて可動部を回動し、ミラー面で光ビームを反射して偏向するようにしたものがある。   In a conventional planar type actuator that deflects a light beam, a movable part formed with a mirror surface that reflects light on one main surface is pivotally supported on a fixed part so as to be rotatable by a beam part. A drive means is composed of a coil laid along and a permanent magnet placed facing the opposite side parallel to the axis of the beam with a movable part in between, and the coil is energized to generate Lorentz force In some cases, the movable part is rotated to reflect and deflect the light beam on the mirror surface.

図24は従来のプレーナ型アクチュエータの構成を示す図で、(a)は正面断面図、(b)は上面図、(c)は下面図である。シリコン基板101には平板状の可動板102と該可動板102をシリコン基板101に対して基板上下方向に回動可能に軸支するトーションバー103、104とが一体成形されている。前記可動板102の一方の面に通電により磁界を発生する平面コイル105を敷設し、もう一方の面にはその全面にミラー106が設けてある。107はベース基板で、前記したシリコン基板101が可動板102に設けられたミラー106側を下側(ベース基板側)に向けて直接実装されている。107aはベース基板107に設けられたミラー106に対応する穴である。108はワイヤーで、シリコン基板101に設けられたワイヤー接続パッド109とベース基板107に設けられたパターン107bとをワイヤーボンディングにより接続し、シリコン基板101とベース基板107の電気的接続を成すものである。   24A and 24B are diagrams showing the configuration of a conventional planar actuator, where FIG. 24A is a front sectional view, FIG. 24B is a top view, and FIG. 24C is a bottom view. The silicon substrate 101 is integrally formed with a flat movable plate 102 and torsion bars 103 and 104 that pivotally support the movable plate 102 with respect to the silicon substrate 101 so as to be rotatable in the vertical direction of the substrate. A planar coil 105 that generates a magnetic field when energized is laid on one surface of the movable plate 102, and a mirror 106 is provided on the other surface. Reference numeral 107 denotes a base substrate, and the silicon substrate 101 is directly mounted with the mirror 106 side provided on the movable plate 102 facing downward (base substrate side). Reference numeral 107 a denotes a hole corresponding to the mirror 106 provided on the base substrate 107. Reference numeral 108 denotes a wire, which connects the wire connection pad 109 provided on the silicon substrate 101 and the pattern 107b provided on the base substrate 107 by wire bonding to form an electrical connection between the silicon substrate 101 and the base substrate 107. .

前記ベース基板107には前記トーションバー103、104の軸方向と平行な位置に、可動板102の対辺に磁界を作用させるための対をなす永久磁石110,111が固定され、さらにベース基板107の周縁部にヨーク112が載置され、プレーナ型アクチュエータが構成されている。   A pair of permanent magnets 110 and 111 for applying a magnetic field to opposite sides of the movable plate 102 are fixed to the base substrate 107 at positions parallel to the axial direction of the torsion bars 103 and 104. A yoke 112 is placed on the peripheral edge portion to constitute a planar actuator.

可動板102に形成された平面コイル105に通電すると、可動板102はトーションバー103、104を回転中心として回転する。   When the planar coil 105 formed on the movable plate 102 is energized, the movable plate 102 rotates around the torsion bars 103 and 104 as rotation centers.

次に前記プレーナ型アクチュエータのシリコン基板101(以下、プレーナ型アクチュエータチップとする)について説明する。図25はプレーナ型アクチュエータチップ101を示す図で、(a)は上面図、(b)は下面図、(c)はA−A’断面図である。図26はプレーナ型アクチュエータチップ101の製造工程を示す図である。プレーナ型アクチュエータチップ101の製造は工程a〜工程iにより行われる。以下、各工程を説明する。なお、コイル118は説明のために簡略化して配置してある。   Next, the silicon substrate 101 of the planar actuator (hereinafter referred to as a planar actuator chip) will be described. 25A and 25B are views showing the planar actuator chip 101, where FIG. 25A is a top view, FIG. 25B is a bottom view, and FIG. 25C is a cross-sectional view taken along line A-A ′. FIG. 26 is a diagram illustrating a manufacturing process of the planar actuator chip 101. FIG. The planar actuator chip 101 is manufactured through steps a to i. Hereinafter, each process will be described. The coil 118 is simplified for the sake of explanation.

工程a(酸化膜形成工程):厚さ500μmのシリコン貼り合わせ基板113(通称SOI基板といい、例えば活性層114(100μm)、シリコン酸化膜から成る中間層115(1μm)、支持基板116(400μm))の上下面を熱酸化してシリコン酸化膜(1μm)117を形成する。
工程b(コイルパターン形成工程):基板上面側にフォトリソグラフィとエッチングによりコイル118、絶縁膜119、保護膜120の各パターンを順次積層する。
工程c(酸化膜除去工程1):基板上面の、枠部形成部とトーションバー103、104形成部、可動板102形成部を除いて、露出しているシリコン酸化膜117をエッチングにより除去する。
工程d(活性層除去工程):工程cのエッチングにより露出された活性層シリコン114をエッチングにより除去する。
工程e(中間層除去工程1):工程dのエッチングにより露出された中間層シリコン酸化膜115をエッチングにより除去する。
工程f(酸化膜除去工程2):シリコン酸化膜117の支持基板シリコン116端部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程g(支持基板除去工程):工程fのエッチングにより露出された支持基板シリコン116をエッチングにより除去する。異方性エッチングはシリコンとシリコン酸化膜とでエッチングレートに選択性を持たせてあるため、エッチングが可動板102下面の中間層シリコン酸化膜115に到達すると見かけ上終了し、この時点で基板の貫通部分が完全に抜ける。
工程h(中間層除去工程2):工程gのエッチングにより露出した中間層シリコン酸化膜115をドライエッチングにより除去する。
工程i(ミラー形成工程):工程hのエッチングにより露出された活性層シリコン114下面に蒸着またはスパッタにより全反射ミラー121を形成する。このような工程でプレーナ型アクチュエータチップ101は製造されるが、通常は半導体素子と同様大きなウエハに同時に多数個のプレーナ型アクチュエータチップ101を形成し、完成後に個々に分割される。
Step a (oxide film forming step): a silicon bonded substrate 113 having a thickness of 500 μm (commonly called an SOI substrate, for example, an active layer 114 (100 μm), an intermediate layer 115 (1 μm) made of a silicon oxide film, and a support substrate 116 (400 μm). )) Is thermally oxidized to form a silicon oxide film (1 μm) 117.
Step b (coil pattern forming step): Each pattern of the coil 118, the insulating film 119, and the protective film 120 is sequentially laminated on the upper surface side of the substrate by photolithography and etching.
Step c (oxide film removing step 1): Except for the frame portion forming portion, the torsion bars 103 and 104 forming portion, and the movable plate 102 forming portion on the upper surface of the substrate, the exposed silicon oxide film 117 is removed by etching.
Step d (active layer removal step): The active layer silicon 114 exposed by the etching in the step c is removed by etching.
Step e (Intermediate Layer Removal Step 1): The intermediate layer silicon oxide film 115 exposed by the etching in the step d is removed by etching.
Step f (oxide film removal step 2): A portion of the silicon oxide film 117 excluding the end of the support substrate silicon 116 is removed by etching.
Step g (supporting substrate removing step): The supporting substrate silicon 116 exposed by the etching in the step f is removed by etching. In the anisotropic etching, the etching rate is selected between silicon and the silicon oxide film. Therefore, when the etching reaches the intermediate silicon oxide film 115 on the lower surface of the movable plate 102, the etching is apparently terminated. The penetration part is completely removed.
Step h (intermediate layer removal step 2): The intermediate layer silicon oxide film 115 exposed by the etching in the step g is removed by dry etching.
Step i (mirror formation step): A total reflection mirror 121 is formed on the lower surface of the active layer silicon 114 exposed by the etching in step h by vapor deposition or sputtering. The planar type actuator chip 101 is manufactured by such a process. Usually, a large number of planar type actuator chips 101 are simultaneously formed on a large wafer like a semiconductor element, and are divided individually after completion.

次に、プレーナ型アクチュエータの可動板の共振周波数(以下、単に周波数とする)について説明する。可動板の周波数は、トーションバーと可動板形状により決定される。トーションバーの特性は断面の縦横比・断面積・長さ・材質で決まる。特に断面の縦横比・断面積は重要である。にもかかわらず最も加工条件に左右されやすいため精度が出にくい部位である。可動板形状はトーションバーより影響度は低いが精度的にはトーションバーと同等で加工される。これらはラップ研磨を用いる機械的周波数調整方法で精度を上げようとすると割れや欠けを生じる可能性が非常に高く信頼性が著しく低下する。ここで、上記したような問題点に対して、予め周波数を測定したプレーナ型アクチュエータの、可動板及びトーションバーを加工することにより周波数を調整する製造方法が開示されている(例えば、特許文献1参照)。   Next, the resonance frequency (hereinafter simply referred to as frequency) of the movable plate of the planar actuator will be described. The frequency of the movable plate is determined by the torsion bar and the movable plate shape. The characteristics of the torsion bar are determined by the cross-sectional aspect ratio, cross-sectional area, length, and material. In particular, the aspect ratio and cross-sectional area of the cross section are important. Nonetheless, it is a part that is most susceptible to processing conditions, so it is difficult to achieve accuracy. The shape of the movable plate is less affected than the torsion bar, but it is processed with the same precision as the torsion bar. These are very likely to cause cracking and chipping when the accuracy is increased by a mechanical frequency adjusting method using lapping, and the reliability is remarkably lowered. Here, with respect to the problems as described above, there is disclosed a manufacturing method for adjusting a frequency by processing a movable plate and a torsion bar of a planar actuator whose frequency is measured in advance (for example, Patent Document 1). reference).

特許文献1では、可動板の周波数を減少させるため、図26のh工程において可動板及びトーションバー上の活性層114をエッチングしている。通常、トーションバーをエッチングし厚みを減ずると周波数は減少方向に変化する。対して、可動板をエッチングし厚みを減ずると、可動板に対する負荷質量が減少し、周波数は増加方向に変化する。しかし、この場合は前者の効果が支配的であり、総体的に周波数は減少方向に変化することとなる。ここで、可動板及びトーションバーに対するエッチング量と周波数減少量は比例関係にある。また、特許文献1では可動板の周波数を増加させるため図26のi工程において、可動板及びトーションバー上に金属ミラーを形成(金属成膜)している。ここでも前記周波数を減少させる場合と同様に、可動板への加工とトーションバーへの加工とでは周波数変化方向が逆となるが、可動板への金属膜形成による負荷質量増加による周波数減少の効果よりも、トーションバーが成膜により厚くなることによる周波数増加の効果の方が支配的であるため、総体的に周波数は増加する。ここで、可動板及びトーションバーに対する金属成膜量と周波数増加量は比例関係にある。   In Patent Document 1, in order to reduce the frequency of the movable plate, the active layer 114 on the movable plate and the torsion bar is etched in step h in FIG. Usually, when the torsion bar is etched to reduce the thickness, the frequency changes in a decreasing direction. On the other hand, when the movable plate is etched to reduce the thickness, the load mass on the movable plate is reduced and the frequency is changed in the increasing direction. However, in this case, the former effect is dominant, and the frequency generally changes in a decreasing direction. Here, the etching amount and the frequency reduction amount with respect to the movable plate and the torsion bar are in a proportional relationship. In Patent Document 1, in order to increase the frequency of the movable plate, a metal mirror is formed on the movable plate and the torsion bar (metal film formation) in step i in FIG. Again, as in the case of reducing the frequency, the direction of frequency change is reversed between the processing to the movable plate and the processing to the torsion bar, but the effect of frequency reduction due to the increased load mass due to the formation of the metal film on the movable plate. Rather, the effect of increasing the frequency due to the torsion bar becoming thicker due to the film formation is more dominant, so the frequency generally increases. Here, the metal film formation amount and the frequency increase amount with respect to the movable plate and the torsion bar are in a proportional relationship.

従来は上記のように、プレーナ型アクチュエータチップ製造工程の中間層除去工程及びミラー形成工程において、プレーナ型アクチュエータチップの初期周波数が設定周波数から外れた場合にプレーナ型アクチュエータチップの周波数ズレ量を補正する適切な量のエッチング及び金属成膜を施すことにより、設定周波数に合わせ込むものである。
特開2002−228965号公報
Conventionally, as described above, in the intermediate layer removing process and the mirror forming process in the planar actuator chip manufacturing process, when the initial frequency of the planar actuator chip deviates from the set frequency, the frequency deviation amount of the planar actuator chip is corrected. An appropriate amount of etching and metal film formation are performed to match the set frequency.
JP 2002-228965 A

従来のプレーナ型アクチュエータの製造方法は、可動板(ミラー面側)及びトーションバーに対して、所望の周波数に変化するまでエッチングもしくは金属成膜を行うが、この方法には次の問題点があった。上記した通り、可動板とトーションバーに同一加工を施した場合、周波数の変化量は可動板とトーションバーでそれぞれ逆方向の変化を示す。これは、可動板とトーションバーそれぞれの周波数変化が互いに相殺する方向に働くことを意味し、それぞれの部位を単独で加工した場合に比べ調整効率が悪い。このため、調整量を大きく取りたい場合は、多量のエッチングもしくは金属成膜を行う必要がある。しかし、可動板(ミラー面側)に対して過度にエッチングを行った場合、可動板のシリコン表面が荒れる。同様に、過度に成膜を行うと、膜粒子が凝集して膜表面に微細な凹凸が形成される。この状態で次工程の反射ミラー形成を行うと、下地の荒れや凹凸が反射ミラー面に反映され、反射率等の光学特性に悪影響を与える。また、トーションバーに対して過度にエッチングを行った場合は、シリコン表面が荒れ、駆動時にトーションバー折れの原因となる。また、トーションバーに対して過度に成膜を行うと、シリコンと金属薄膜の熱膨張率の差に起因するバイメタル効果により、トーションバー表面に堆積した薄膜の剥離や、駆動特性の低下を引き起こす。   In the conventional planar actuator manufacturing method, etching or metal film formation is performed on the movable plate (mirror surface side) and the torsion bar until the frequency is changed to a desired frequency. However, this method has the following problems. It was. As described above, when the same processing is applied to the movable plate and the torsion bar, the amount of change in frequency indicates a change in the opposite direction between the movable plate and the torsion bar. This means that the frequency changes of the movable plate and the torsion bar cancel each other, and the adjustment efficiency is lower than when each portion is processed independently. For this reason, when a large adjustment amount is desired, it is necessary to perform a large amount of etching or metal film formation. However, if the movable plate (mirror surface side) is excessively etched, the silicon surface of the movable plate becomes rough. Similarly, when the film is excessively formed, the film particles are aggregated to form fine irregularities on the film surface. When the reflection mirror is formed in the next step in this state, the roughness or irregularity of the base is reflected on the reflection mirror surface, which adversely affects optical characteristics such as reflectance. Further, when the etching is excessively performed on the torsion bar, the silicon surface becomes rough, which causes the torsion bar to break during driving. Further, when the film is excessively formed on the torsion bar, the thin film deposited on the surface of the torsion bar is peeled off and the driving characteristics are lowered due to the bimetallic effect caused by the difference in thermal expansion coefficient between the silicon and the metal thin film.

また、従来のプレーナ型アクチュエータの製造方法は、基板に、可動板と可動板を基板に対し揺動可能に軸支するトーションバーを一体に形成し、前記可動板を揺動する1次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータに対しては、可動板の周波数を増加、及び減少方向へ変化させて所望の値に調整することが可能であるが、可動板が、第1のトーションバーで半導体基板に軸支される枠状の外側可動板と、前記第1トーションバーと軸方向が直交する第2のトーションバーで外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板、外側可動板を揺動する2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータに対して前記調整手段を用いた場合は、内側可動板及び外側可動板の周波数は同方向へ一定の割合で変化する。それゆえ、内側可動板と外側可動板を任意の周波数比率で調整することはできない。さらに、内側可動板と外側可動板とで周波数を反対方向に調整することもできない。   In addition, a conventional planar actuator manufacturing method includes a one-dimensional drive system in which a movable plate and a torsion bar that pivotally supports the movable plate with respect to the substrate are integrally formed on the substrate, and the movable plate is swung. For the planar type actuator, it is possible to adjust the frequency of the movable plate to a desired value by increasing and decreasing the frequency of the movable plate, but the movable plate is pivoted to the semiconductor substrate by the first torsion bar. A frame-shaped outer movable plate that is supported, and an inner movable plate that is pivotally supported on the inner side of the outer movable plate by a second torsion bar that is orthogonal to the first torsion bar, the inner movable plate, When the adjusting means is used for a planar actuator of a two-dimensional drive system that swings the outer movable plate, the frequencies of the inner movable plate and the outer movable plate change at a constant rate in the same direction. Therefore, the inner movable plate and the outer movable plate cannot be adjusted at an arbitrary frequency ratio. Furthermore, the frequency cannot be adjusted in the opposite direction between the inner movable plate and the outer movable plate.

本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、前工程で可動板及びトーションバー形状が寸法公差外になり、周波数が狙い値より外れても、効率良く、しかも可動板及びトーションバーの品質への影響が少なく、1次元、及び2次元駆動方式のどちらにも対応可能な周波数調整手段を有するプレーナ型アクチュエータの製造方法を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of the above problems, and the shape of the movable plate and the torsion bar is out of the dimensional tolerance in the previous process, and even if the frequency deviates from the target value, the movable plate and the torsion bar can be efficiently used. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a planar actuator having a frequency adjusting means that has little influence on quality and is compatible with both one-dimensional and two-dimensional drive systems.

基板に、可動板と当該可動板を基板に対し回動可能に軸支するトーションバーを一体に形成し、前記可動板を回動するプレーナ型アクチュエータの製造方法において、前記可動板の共振周波数を測定した後、測定周波数が所望の共振周波数と異なるときに、前記可動板及び前記トーションバーのどちらか一方を成膜により加工を行い、他方をエッチングにより加工を行うことにより、可動板の共振周波数が前記所望の共振周波数になるよう調整することを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法とする。 Substrate, the movable plate and the movable plate formed integrally with the torsion bar to be rotatably supported to the substrate, in the manufacturing method of turning to pulp Lena actuator the movable plate, the resonance of the movable plate After measuring the frequency, when the measurement frequency is different from the desired resonance frequency, either one of the movable plate or the torsion bar is processed by film formation, and the other is processed by etching. The planar actuator manufacturing method is characterized in that the resonance frequency is adjusted to the desired resonance frequency .

前記可動板の一方の面にミラーを形成するとき、可動板の前記ミラー形成面と反対側の他方の面に、周波数調整のための周波数調整部位を設け、該周波数調整部位に前記成膜加工又は前記エッチング加工を行うとよい。When a mirror is formed on one surface of the movable plate, a frequency adjustment portion for frequency adjustment is provided on the other surface of the movable plate opposite to the mirror formation surface, and the film forming process is performed on the frequency adjustment portion. Alternatively, the etching process may be performed.

可動板が、第1のトーションバーで半導体基板に軸支される枠状の外側可動板と、前記第1トーションバーと軸方向が直交する第2のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板、外側可動板を回動する2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータの製造方法において、前記内側可動板及び前記第2トーションバーの少なくとも一方を加工することにより内側可動板の共振周波数を調整した後、前記外側可動板及び前記第1トーションバーの少なくとも一方を加工することにより外側可動板の共振周波数を調整し、前記内側可動板の共振周波数の調整のための加工は、前記内側可動板及び前記第2トーションバーのどちらか一方を成膜又はエッチングすること、又は、前記内側可動板及び前記第2トーションバーのどちらか一方を成膜し且つ他方をエッチングすることであり、前記外側可動板の共振周波数の調整のための加工は、前記外側可動板及び前記第1トーションバーのどちらか一方を成膜又はエッチングすること、又は、前記外側可動板及び前記第1トーションバーのどちらか一方を成膜し且つ他方をエッチングすることであることを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法とする。 The movable plate is a frame-shaped outer movable plate that is pivotally supported on the semiconductor substrate by a first torsion bar, and a second torsion bar whose axial direction is orthogonal to the first torsion bar. In a manufacturing method of a planar actuator of a two-dimensional drive system, comprising a supported inner movable plate and rotating the inner movable plate and the outer movable plate , at least one of the inner movable plate and the second torsion bar is processed. after adjusting the resonant frequency of the inner movable plate by, by processing at least one of said outer movable plate and the first torsion bar to adjust the resonant frequency of the outer movable plate, the resonance frequency of the inner movable plate The processing for adjustment includes forming or etching one of the inner movable plate and the second torsion bar, or processing the inner movable plate and the second torsion bar. One of the two torsion bars is formed and the other is etched, and the processing for adjusting the resonance frequency of the outer movable plate is performed by either one of the outer movable plate or the first torsion bar. A planar actuator manufacturing method is characterized by forming or etching, or forming one of the outer movable plate and the first torsion bar and etching the other .

前記内側可動板の一方の面にミラーを形成するとき、内側可動板の前記ミラー形成面と反対側の他方の面に、周波数調整のための周波数調整部位を設け、該周波数調整部位に前記成膜加工又は前記エッチング加工を行うとよい。When forming a mirror on one surface of the inner movable plate, a frequency adjustment part for frequency adjustment is provided on the other surface of the inner movable plate opposite to the mirror forming surface, and the component is formed on the frequency adjustment part. Film processing or the etching processing may be performed.

プレーナ型アクチュエータチップ形成後に周波数調整を行うため、パターン精度やエッチング分布が悪く、周波数が公差から外れたチップも良品化が可能となり、歩留まりの向上が見込める。   Since the frequency adjustment is performed after the planar type actuator chip is formed, the pattern accuracy and etching distribution are poor, and a chip whose frequency is out of the tolerance can be improved, so that the yield can be improved.

レーナ型アクチュエータにおいて、トーションバーと可動板に対しそれぞれ周波数が同方向に変化する加工を行うことで、少ない加工量で効率よく周波数を調整することができ、エッチングまたは成膜によるトーションバー及び可動板への負担が低減され、品質への影響を最小限に抑えることが可能となる。 In flop Leena actuator, that each frequency to the torsion bar and movable plate for machining which varies in the same direction, can be adjusted efficiently frequency with a small processing amount, the torsion bar and movable by etching or deposition The burden on the board is reduced, and the influence on the quality can be minimized.

レーナ型アクチュエータにおいて、可動板の、ミラー面と反対面に加工部位を設けて、この加工部位をエッチング又は成膜して可動板の周波数調整を行うことにより、ミラー面の品質を下げることなく調整が可能となる。 In flop Leena actuator, the movable plate, provided with a machined portion on the opposite side a mirror surface, by performing the frequency adjustment of the movable plate The machined portion by etching or deposition, without lowering the quality of the mirror surface Adjustment is possible.

2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、第2トーションバー及び/又は内側可動板の加工を行い、次いで、第1トーションバー及び/又は外側可動板の加工を行うことにより、内側可動板と外側可動板の周波数を個別に調整することができる。また、少ない加工量で効率よく周波数を調整することができるため、エッチングまたは成膜によるトーションバー及び可動板への負担が低減され、品質への影響を最小限に抑えることが可能となる。   In a two-dimensional drive type planar actuator, the second torsion bar and / or the inner movable plate are processed, and then the first torsion bar and / or the outer movable plate are processed to move the inner movable plate and the outer movable plate. The frequency of the plate can be adjusted individually. Further, since the frequency can be adjusted efficiently with a small amount of processing, the burden on the torsion bar and the movable plate due to etching or film formation is reduced, and the influence on the quality can be minimized.

2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の、ミラー面と反対面に加工部位を設けて、この加工部位をエッチング又は成膜して内側可動板の周波数調整を行うことで、ミラー面の品質を下げることなく調整が可能となる。   In a planar actuator of a two-dimensional drive system, a mirror surface is provided by adjusting a frequency of the inner movable plate by providing a processing portion on the opposite surface of the inner movable plate to the mirror surface and etching or depositing the processed portion. Adjustment is possible without degrading the quality.

プレーナ型アクチュエータの製造方法において、可動板の共振周波数を測定した後、測定周波数が所望の周波数と異なるときに、可動板及びトーションバーのどちらか一方を成膜により加工を行い、他方をエッチングにより加工を行うことにより、可動板の周波数が所望の周波数になるよう調整することを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法とする。また、2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータの製造方法において、内側可動板及び第2トーションバーの少なくとも一方を加工することにより内側可動板の周波数を調整した後、外側可動板及び第1トーションバーの少なくとも一方を加工することにより外側可動板の周波数を調整し、内側可動板の周波数の調整のための加工は、内側可動板及び第2トーションバーのどちらか一方を成膜又はエッチングすること、又は、内側可動板及び第2トーションバーのどちらか一方を成膜し且つ他方をエッチングすることであり、外側可動板の周波数の調整のための加工は、外側可動板及び第1トーションバーのどちらか一方を成膜又はエッチングすること、又は、外側可動板及び第1トーションバーのどちらか一方を成膜し且つ他方をエッチングすることであることを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法とする。 In the planar actuator manufacturing method, after measuring the resonance frequency of the movable plate, when the measurement frequency is different from the desired frequency, either the movable plate or the torsion bar is processed by film formation, and the other is etched. The planar actuator manufacturing method is characterized in that the frequency of the movable plate is adjusted to a desired frequency by processing . In the two-dimensional driving type planar actuator manufacturing method, after adjusting the frequency of the inner movable plate by processing at least one of the inner movable plate and the second torsion bar , the outer movable plate and the first torsion bar are adjusted . The frequency of the outer movable plate is adjusted by processing at least one, and the process for adjusting the frequency of the inner movable plate is to form or etch either the inner movable plate or the second torsion bar, or , One of the inner movable plate and the second torsion bar is formed and the other is etched, and the processing for adjusting the frequency of the outer movable plate is either the outer movable plate or the first torsion bar. Either deposit or etch one, or deposit either the outer movable plate or the first torsion bar and etch the other A method of manufacturing a planar type actuator, characterized in that is to grayed.

以下、図を参照して本発明の第一実施形態である1次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータの製造方法を説明する。本実施例の1次元駆動方式プレーナ型アクチュエータの構成は、図24に示すプレーナ型アクチュエータの構成とほぼ同様であるため、ここでは基本的な構成の説明は省略する。従来技術と本実施例のプレーナ型アクチュエータの構成の違いとしては、従来が可動板上に敷設するコイルを可動板片面(以下、可動板のコイル形成面を可動板主面、その反対面を可動板裏面とする)の全面に設けているのに対し、本実施例は可動板上の可動板周縁部のみにコイルを設けた点である。 Hereinafter, a method for manufacturing a planar actuator of a one-dimensional drive system according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Since the configuration of the one-dimensional driving type planar actuator of this embodiment is substantially the same as the configuration of the planar actuator shown in FIG. 24 , the description of the basic configuration is omitted here. The difference between the configuration of the conventional actuator and the planar actuator of the present embodiment is that the coil laid on the movable plate in the prior art is a movable plate single side (hereinafter, the coil forming surface of the movable plate is the movable plate main surface and the opposite surface is movable). In this embodiment, the coil is provided only at the peripheral edge of the movable plate.

図1は本発明のプレーナ型アクチュエータチップの製造工程を示す断面図である。図1の断面図は、図25で示すプレーナ型アクチュエータチップのA−A’断面において、可動板上のコイルを、上述したように可動板周縁部のみに形成した場合のものである。図2、図3は、可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図である。図4、図5は、可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる工程を示す図である。プレーナ型アクチュエータチップの製造は図1に示す工程a〜工程i及び図2〜図5に示す周波数調整工程のいずれか一つを用いることにより行われる。以下、各工程を説明する。   FIG. 1 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the planar actuator chip of the present invention. The cross-sectional view of FIG. 1 is the case where the coil on the movable plate is formed only on the peripheral edge of the movable plate in the A-A ′ cross section of the planar actuator chip shown in FIG. 2 and 3 are diagrams illustrating a process of decreasing the frequency when the frequency of the movable plate is higher than the setting. 4 and 5 are diagrams illustrating a process of increasing the frequency when the frequency of the movable plate is lower than the setting. The planar actuator chip is manufactured by using any one of steps a to i shown in FIG. 1 and a frequency adjusting step shown in FIGS. Hereinafter, each process will be described.

工程a(酸化膜形成工程):厚さ500μmのシリコン貼り合わせ基板113(例えば、活性層114(100μm)、シリコン酸化膜から成る中間層115(1μm)、支持基板116(400μm))の上下面を熱酸化してシリコン酸化膜(1μm)117を形成する。
工程b(コイルパターン形成工程):基板上面側にフォトリソグラフィとエッチングによりコイル118、絶縁膜119、保護膜120の各パターンを順次積層する。ここで、コイル118は可動板102周縁部となる部分にのみ形成する。コイル118を形成しない可動板102中央部となる部分は、後の周波数調整工程において加工を行う周波数調整部位123(図3、図5参照)とする。
工程c(酸化膜除去工程1):基板上面の、枠部形成部とトーションバー103、104形成部、可動板102周縁部形成部を除いて、露出しているシリコン酸化膜117をエッチングにより除去する。
工程d(活性層除去工程):工程cのエッチングにより露出された活性層シリコン114のうち、可動板102中央部形成部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程e(中間層除去工程1):工程dのエッチングにより露出された中間層シリコン酸化膜115をエッチングにより除去する。
工程f(酸化膜除去工程2):シリコン酸化膜117の支持基板シリコン116端部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程g(支持基板除去工程):工程fのエッチングにより露出された支持基板シリコン116をエッチングにより除去する。異方性エッチングはシリコンとシリコン酸化膜とでエッチングレートに選択性を持たせてあるため、エッチングが可動板下面の中間層115に到達すると見かけ上終了し、この時点で基板の貫通部分が完全に抜ける。
工程h(中間層除去工程2):工程gのエッチングにより露出した中間層115をドライエッチングにより除去する。
Step a (oxide film forming step): upper and lower surfaces of a silicon bonded substrate 113 having a thickness of 500 μm (for example, an active layer 114 (100 μm), an intermediate layer 115 (1 μm) made of a silicon oxide film, a support substrate 116 (400 μm)) Is thermally oxidized to form a silicon oxide film (1 μm) 117.
Step b (coil pattern forming step): Each pattern of the coil 118, the insulating film 119, and the protective film 120 is sequentially laminated on the upper surface side of the substrate by photolithography and etching. Here, the coil 118 is formed only in a portion that becomes the peripheral portion of the movable plate 102. The central portion of the movable plate 102 where the coil 118 is not formed is a frequency adjustment portion 123 (see FIGS. 3 and 5) that is processed in a subsequent frequency adjustment step.
Step c (oxide film removal step 1): Except for the frame portion forming portion, the torsion bars 103 and 104 forming portion, and the movable plate 102 peripheral portion forming portion on the upper surface of the substrate, the exposed silicon oxide film 117 is removed by etching. To do.
Step d (active layer removing step): Of the active layer silicon 114 exposed by the etching in step c, the portion excluding the central portion forming portion of the movable plate 102 is removed by etching.
Step e (Intermediate Layer Removal Step 1): The intermediate layer silicon oxide film 115 exposed by the etching in the step d is removed by etching.
Step f (oxide film removal step 2): The portion of the silicon oxide film 117 excluding the end portion of the support substrate silicon 116 is removed by etching.
Step g (supporting substrate removing step): The supporting substrate silicon 116 exposed by the etching in the step f is removed by etching. Since anisotropic etching has selectivity between silicon and silicon oxide film, the etching is apparently terminated when the etching reaches the intermediate layer 115 on the lower surface of the movable plate. Exit.
Step h (intermediate layer removal step 2): The intermediate layer 115 exposed by the etching in step g is removed by dry etching.

この工程hまで行った時点でプレーナ型アクチュエータチップの周波数測定を行い、測定周波数と設定周波数の違いに応じて、図2〜図5に示す周波数調整工程のいずれか一つを実施する。可動板の周波数を減少させるための調整方法としては、図2に示すように、トーションバーをエッチングして薄くし、且つ可動板裏面に金属膜122の成膜を行い可動板を厚くする。あるいは、図3に示すように、トーションバーをエッチングして薄くし、且つ可動板主面に設けた周波数調整部位123に金属膜122の成膜を行い可動板を厚くする。また、可動板の周波数を増加させるための調整方法としては、図4に示すように、トーションバーに金属膜122を成膜して厚くし、且つ可動板裏面をエッチングして薄くする。あるいは図5に示すように、トーションバーに金属膜122を成膜して厚くし、且つ可動板主面に設けた周波数調整部位123にエッチングを行い、可動板を薄くする。このように、可動板とトーションバーの加工を、周波数の変化方向が同一となるような、それぞれ異なる加工方法を用いて行うことにより効率良く周波数の調整が行える。   When the process up to step h is performed, the frequency of the planar actuator chip is measured, and one of the frequency adjustment steps shown in FIGS. 2 to 5 is performed according to the difference between the measurement frequency and the set frequency. As an adjustment method for reducing the frequency of the movable plate, as shown in FIG. 2, the torsion bar is etched and thinned, and a metal film 122 is formed on the back surface of the movable plate to thicken the movable plate. Alternatively, as shown in FIG. 3, the torsion bar is etched and thinned, and a metal film 122 is formed on the frequency adjustment portion 123 provided on the main surface of the movable plate to thicken the movable plate. As an adjustment method for increasing the frequency of the movable plate, as shown in FIG. 4, a metal film 122 is formed on the torsion bar to increase the thickness, and the back surface of the movable plate is etched to decrease the thickness. Alternatively, as shown in FIG. 5, a metal film 122 is formed on the torsion bar to increase the thickness, and the frequency adjusting portion 123 provided on the main surface of the movable plate is etched to thin the movable plate. In this way, the frequency can be adjusted efficiently by processing the movable plate and the torsion bar using different processing methods such that the frequency change directions are the same.

ところで、ここでは可動板とトーションバーを厚くする手段として金属膜122の成膜を例に挙げているが、これは金属による成膜に限定されるものではなく、樹脂等の成膜でも良い。以下、可動板あるいはトーションバーへの金属膜122の成膜はこの通りである。   By the way, although the film formation of the metal film 122 is taken as an example as a means for thickening the movable plate and the torsion bar, this is not limited to the film formation by metal, and the film formation of resin or the like may be used. Hereinafter, the metal film 122 is formed on the movable plate or the torsion bar as described above.

また、トーションバーまたは可動板のみを選択的に加工する際は、ステンシルマスクを用いて非加工部位をマスキングして行うか、レーザー等を使用して直接加工することで、構造体上にフォトリソグラフィを行う等の、難易度が高く、工数がかかるマスキング工程を使用せずに高精度に加工できる。加工の方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンエッチング、レーザーアブレーションやレーザーCVD等があるが、調整箇所を均等に加工できる手段であれば、これに限定されるものではない。   Also, when selectively processing only the torsion bar or the movable plate, the non-processed portion is masked using a stencil mask or directly processed using a laser or the like, so that photolithography is performed on the structure. It can be processed with high accuracy without using a masking process that is difficult and requires a lot of man-hours. Examples of the processing method include vapor deposition, sputtering, ion etching, laser ablation, and laser CVD. However, the processing method is not limited to this as long as it is a means that can uniformly process the adjusted portion.

上記の周波数調整工程の後、工程iとして、蒸着またはスパッタにより全反射ミラー121を可動板裏面に形成し、プレーナ型アクチュエータチップの完成となる。ここでは可動板裏面に全反射ミラー121を形成しているが、全反射ミラー121は可動板主面の周波数調整部位123、あるいは可動板裏面および可動板主面の周波数調整部位123両面に形成してもよい。   After the frequency adjustment step, as a step i, the total reflection mirror 121 is formed on the back surface of the movable plate by vapor deposition or sputtering to complete a planar actuator chip. Here, the total reflection mirror 121 is formed on the back surface of the movable plate, but the total reflection mirror 121 is formed on both sides of the frequency adjustment portion 123 of the movable plate main surface or the frequency adjustment portion 123 of the movable plate back surface and the movable plate main surface. May be.

図6は2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータチップの上面図である。シリコン基板124には、第1のトーションバー125でシリコン基板に軸支される枠状の外側可動板126と、前記第1トーションバー125と軸方向が直交する第2のトーションバー127で前記外側可動板126の内側に軸支される内側可動板128とからなり、前記内側可動板128、外側可動板126の一方の面に通電により磁界を発生する平面コイル129を敷設し、もう一方の面にはその全面にミラー(不図示)が設けてある。内側可動板128上の平面コイル129の内側には周波数調整部位130が設けられる。シリコン基板124の枠部131にはワイヤー接続パッド132が設けられ、平面コイル129とワイヤー接続パッド132とは引出線133により接続される。なお、平面コイル129は、説明のために簡略化して配置してある。   FIG. 6 is a top view of a planar actuator chip of a two-dimensional drive system. The silicon substrate 124 includes a frame-shaped outer movable plate 126 that is pivotally supported on the silicon substrate by a first torsion bar 125, and a second torsion bar 127 that is orthogonal to the first torsion bar 125 in the axial direction. An inner movable plate 128 that is pivotally supported on the inner side of the movable plate 126. A planar coil 129 that generates a magnetic field by energization is laid on one surface of the inner movable plate 128 and the outer movable plate 126, and the other surface. Is provided with a mirror (not shown) on its entire surface. A frequency adjustment portion 130 is provided inside the planar coil 129 on the inner movable plate 128. A wire connection pad 132 is provided on the frame portion 131 of the silicon substrate 124, and the planar coil 129 and the wire connection pad 132 are connected by a lead wire 133. The planar coil 129 is arranged in a simplified manner for explanation.

2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータは、一対の永久磁石が上記構成で形成されたプレーナ型アクチュエータチップの第1トーションバー125と平行に外側可動板126を間にして配設され、さらに、一対の永久磁石が第2トーションバー127と平行に内側可動板を間に配設されて構成される。そして、内側可動板128、外側可動板126の平面コイル129を通電することで、永久磁石の静磁界との相互作用により、内側可動板128及び外側可動板126が第2トーションバー127、第1トーションバー125を回転軸とし回動する。   The planar actuator of the two-dimensional drive system is provided with a pair of permanent magnets arranged in parallel with the first torsion bar 125 of the planar actuator chip formed as described above, with the outer movable plate 126 interposed therebetween, and a pair of permanent magnets. A permanent magnet is arranged in parallel with the second torsion bar 127 with an inner movable plate interposed therebetween. Then, by energizing the planar coil 129 of the inner movable plate 128 and the outer movable plate 126, the inner movable plate 128 and the outer movable plate 126 are connected to the second torsion bar 127, the first by the interaction with the static magnetic field of the permanent magnet. It rotates with the torsion bar 125 as a rotation axis.

2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータチップの製造方法について説明する。図7は2次元駆動方式プレーナ型アクチュエータチップの製造工程を示す図である。図7は、図6で示す2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータチップのA−A’断面により製造工程を説明するものである。図8〜図12は2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図である。図13〜図17は、2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる調整工程を示す図である。図18〜図20は、2次元駆動方式のプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、外側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図である。図21〜図23は、2次元駆動方式のプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、外側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる工程を示す図である。以下、図を参照して本発明の第二実施形態を説明する。   A method for manufacturing a planar actuator chip of a two-dimensional drive method will be described. FIG. 7 is a diagram showing a manufacturing process of a two-dimensional drive type planar actuator chip. FIG. 7 explains the manufacturing process by the A-A ′ cross section of the planar actuator chip of the two-dimensional drive system shown in FIG. 6. FIGS. 8 to 12 are diagrams illustrating a process of decreasing the frequency when the frequency of the inner movable plate is higher than the setting in the planar actuator of the two-dimensional drive method. FIGS. 13 to 17 are diagrams illustrating an adjustment process for increasing the frequency when the frequency of the inner movable plate is lower than the setting in the planar actuator of the two-dimensional drive method. 18 to 20 are diagrams illustrating a process of reducing the frequency when the frequency of the outer movable plate is higher than the setting in the planar electromagnetic actuator of the two-dimensional drive method. FIGS. 21 to 23 are diagrams illustrating a process of increasing the frequency when the frequency of the outer movable plate is lower than the setting in the planar electromagnetic actuator of the two-dimensional drive method. Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

工程a:厚さ500μmのシリコン貼り合わせ基板113(例えば、活性層114(100μm)、シリコン酸化膜から成る中間層115(1μm)、支持基板116(400μm))の上下面を熱酸化してシリコン酸化膜(1μm)117を形成する。
工程b(コイルパターン形成工程):基板上面側にフォトリソグラフィとエッチングによりコイル129、絶縁膜134、引出線133、保護膜135の各パターンを順次積層する。
工程c(酸化膜除去工程1):基板上面の、枠部形成部、第1トーションバー125形成部、第2トーションバー127形成部、外側可動板126形成部、内側可動板128周縁部形成部を除いて、露出しているシリコン酸化膜117をエッチングにより除去する。
工程d(活性層除去工程):工程cのエッチングにより露出された活性層シリコン114のうち、内側可動板128中央部形成部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程e(中間層除去工程1):工程dのエッチングにより露出された中間層シリコン酸化膜115をエッチングにより除去する。
工程f(酸化膜除去工程2):シリコン酸化膜117の支持基板シリコン116端部を除いた部分をエッチングにより除去する。
工程g(支持基板除去工程):工程fのエッチングにより露出された支持基板シリコン116をエッチングにより除去する。異方性エッチングはシリコンとシリコン酸化膜とでエッチングレートに選択性を持たせてあるため、エッチングが可動板下面の中間層115に到達すると見かけ上終了し、この時点で基板の貫通部分が完全に抜ける。
工程h(中間層除去工程2):工程gのエッチングにより露出した中間層115をドライエッチングにより除去する。
Step a: A silicon bonded substrate 113 having a thickness of 500 μm (for example, active layer 114 (100 μm), intermediate layer 115 (1 μm) made of silicon oxide film, support substrate 116 (400 μm)) is thermally oxidized to form silicon. An oxide film (1 μm) 117 is formed.
Step b (coil pattern forming step): Each pattern of the coil 129, the insulating film 134, the lead wire 133, and the protective film 135 is sequentially laminated on the upper surface side of the substrate by photolithography and etching.
Step c (oxide film removal step 1): frame portion forming portion, first torsion bar 125 forming portion, second torsion bar 127 forming portion, outer movable plate 126 forming portion, inner movable plate 128 peripheral portion forming portion on the upper surface of the substrate Except for, the exposed silicon oxide film 117 is removed by etching.
Step d (active layer removal step): Of the active layer silicon 114 exposed by the etching in step c, the portion excluding the central portion forming the inner movable plate 128 is removed by etching.
Step e (Intermediate Layer Removal Step 1): The intermediate layer silicon oxide film 115 exposed by the etching in the step d is removed by etching.
Step f (oxide film removal step 2): A portion of the silicon oxide film 117 excluding the end of the support substrate silicon 116 is removed by etching.
Step g (supporting substrate removing step): The supporting substrate silicon 116 exposed by the etching in the step f is removed by etching. Since anisotropic etching has selectivity between silicon and silicon oxide film, when etching reaches the intermediate layer 115 on the lower surface of the movable plate, the etching is apparently terminated. Exit.
Step h (intermediate layer removing step 2): The intermediate layer 115 exposed by the etching in the step g is removed by dry etching.

この工程hまで行った時点でプレーナ型アクチュエータチップの周波数測定を行い、測定周波数と設定周波数の違いに応じて、図8〜図23に示す周波数調整工程のいずれか一つ、あるいは二つ以上を逐次選択し実施する。   When the process up to step h is performed, the frequency of the planar actuator chip is measured. Depending on the difference between the measurement frequency and the set frequency, one or more of the frequency adjustment steps shown in FIGS. Select and implement sequentially.

内側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させるためには、図8〜図12のいずれか一つの工程を行う。図8に示す工程は、エッチングによって第2トーションバーを薄くする。図9に示す工程は、内側可動板裏面に金属膜122を成膜し、内側可動板を厚くする。図10に示す工程は、可動板主面に設けた周波数調整部位130に金属膜122を成膜し、可動板を厚くする。図11、図12に示す工程は、第2トーションバーへのエッチングと、内側可動板裏面に金属膜122を成膜(図11)、または周波数調整部位130に金属膜122の成膜(図12)をそれぞれ行い、第2トーションバーを薄く、且つ内側可動板を厚くする。   In order to decrease the frequency when the frequency of the inner movable plate is higher than the setting, any one of the steps of FIGS. 8 to 12 is performed. In the step shown in FIG. 8, the second torsion bar is thinned by etching. In the step shown in FIG. 9, a metal film 122 is formed on the back surface of the inner movable plate, and the inner movable plate is thickened. In the process shown in FIG. 10, the metal film 122 is formed on the frequency adjustment portion 130 provided on the main surface of the movable plate, and the movable plate is thickened. 11 and 12, the etching to the second torsion bar and the metal film 122 are formed on the back surface of the inner movable plate (FIG. 11), or the metal film 122 is formed on the frequency adjustment portion 130 (FIG. 12). ), The second torsion bar is made thinner and the inner movable plate is made thicker.

内側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させるためには図13〜図17のいずれか一つの工程を行う。図13に示す工程は、第2トーションバーに金属膜122を成膜して、第2トーションバーを厚くする。図14に示す工程は、内側可動板裏面をエッチングし、内側可動板を薄くする。図15に示す工程は、周波数調整部位130をエッチングし、内側可動板を薄くする。図16、図17で示す工程は、第2トーションバーへの金属膜122の成膜と、内側可動板裏面のエッチング(図16)、あるいは周波数調整部位130のエッチング(図17)を行い、第2トーションバーを厚く、且つ内側可動板を薄くする。   In order to increase the frequency when the frequency of the inner movable plate is lower than the setting, any one of the steps of FIGS. 13 to 17 is performed. In the step shown in FIG. 13, a metal film 122 is formed on the second torsion bar, and the second torsion bar is thickened. In the step shown in FIG. 14, the back surface of the inner movable plate is etched to thin the inner movable plate. In the step shown in FIG. 15, the frequency adjustment portion 130 is etched and the inner movable plate is thinned. 16 and 17, the metal film 122 is formed on the second torsion bar and the back surface of the inner movable plate is etched (FIG. 16) or the frequency adjusting portion 130 is etched (FIG. 17). 2 Thicken the torsion bar and thin the inner movable plate.

外側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させるためには、図18〜図20の工程を行う。図18に示す工程は、第1トーションバーをエッチングし薄くする。図19に示す工程は、外側可動板(可動板裏面側)に金属膜122の成膜を行い、外側可動板を厚くする。図20に示す工程は、第1トーションバーのエッチングと、外側可動板へ金属膜成膜工程をそれぞれ行い、第1トーションバーを薄く、且つ外側可動板を厚くする。   In order to decrease the frequency when the frequency of the outer movable plate is higher than the setting, the steps of FIGS. 18 to 20 are performed. In the step shown in FIG. 18, the first torsion bar is etched and thinned. In the process shown in FIG. 19, the metal film 122 is formed on the outer movable plate (movable plate rear surface side) to thicken the outer movable plate. In the step shown in FIG. 20, the etching of the first torsion bar and the metal film forming step on the outer movable plate are performed, respectively, to make the first torsion bar thinner and the outer movable plate thicker.

外側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させるためには、図21〜図23の工程を行う。図21に示す工程は、金属膜122を第1トーションバーに成膜し厚くする。図22に示す工程は、外側可動板(可動板裏面側)をエッチングし、外側可動板を薄くする。図23に示す工程は、第1トーションバーへの金属膜122の成膜と、外側可動板のエッチングをそれぞれ行い、第1トーションバーを厚く、且つ外側可動板を薄くする。   In order to increase the frequency when the frequency of the outer movable plate is lower than the setting, the steps of FIGS. 21 to 23 are performed. In the step shown in FIG. 21, the metal film 122 is formed on the first torsion bar to be thick. In the step shown in FIG. 22, the outer movable plate (movable plate rear surface side) is etched to make the outer movable plate thinner. In the step shown in FIG. 23, the metal film 122 is formed on the first torsion bar and the outer movable plate is etched to thicken the first torsion bar and thin the outer movable plate.

2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータの場合は、まず内側可動板の周波数に対して所望の周波数変化量、変化方向に応じた調整を行い、次いで外側可動板の周波数に対して同様に調整を行う。これは、始めに外側可動板の周波数調整を行った後に内側可動板の周波数調整を行うと、内側可動板の周波数調整により、第1トーションバーが支持する内側可動板、第2トーションバー、及び外側可動板の総質量が変化し、この変化に伴なって一度調整した外側可動板の周波数が変化してしまうからである。   In the case of a planar actuator of a two-dimensional drive system, first, the frequency of the inner movable plate is adjusted according to the desired frequency change amount and direction, and then the same adjustment is made to the frequency of the outer movable plate. . When the frequency of the inner movable plate is adjusted after the frequency of the outer movable plate is adjusted first, the inner movable plate supported by the first torsion bar, the second torsion bar, and the frequency adjustment of the inner movable plate, This is because the total mass of the outer movable plate changes, and the frequency of the outer movable plate once adjusted changes with this change.

上記のように、内側可動板と第2トーションバー、外側可動板と第1トーションバーの加工を、周波数の変化方向が同一となるような、それぞれ異なる加工方法を用いて行うことにより効率良く周波数の調整が行える。   As described above, the inner movable plate and the second torsion bar, and the outer movable plate and the first torsion bar are processed by using different processing methods such that the frequency change directions are the same, thereby effectively increasing the frequency. Can be adjusted.

また、トーションバーまたは可動板のみを選択的に加工する際は、実施例1で説明したように、ステンシルマスクを用いて非加工部位をマスキングして行うか、レーザー等を使用して直接加工することで、高精度に加工できる。加工の方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンエッチング、レーザーアブレーションやレーザーCVD等があるが、調整箇所を均等に加工できる手段であれば、これに限定されるものではない。   When only the torsion bar or the movable plate is selectively processed, as described in the first embodiment, the non-processed portion is masked using a stencil mask or directly processed using a laser or the like. Therefore, it can process with high precision. Examples of the processing method include vapor deposition, sputtering, ion etching, laser ablation, and laser CVD. However, the processing method is not limited to this as long as it is a means that can uniformly process the adjusted portion.

上記の周波数調整工程の後、工程iとして、蒸着またはスパッタにより全反射ミラー136を形成し、プレーナ型アクチュエータチップの完成となる。ここでは可動板裏面に全反射ミラー136を形成しているが、全反射ミラー136は可動板主面の周波数調整部位130、あるいは可動板裏面および可動板主面の周波数調整部位130両面に形成してもよい。   After the frequency adjusting step, as a step i, a total reflection mirror 136 is formed by vapor deposition or sputtering to complete a planar actuator chip. Here, the total reflection mirror 136 is formed on the back surface of the movable plate. However, the total reflection mirror 136 is formed on both sides of the frequency adjustment portion 130 of the movable plate main surface or the frequency adjustment portion 130 of the movable plate back surface and the movable plate main surface. May be.

ところで、実施例1及び実施例2では電磁駆動方式のプレーナ型アクチュエータを説明したがこれに限定されるわけではなく、例えばトーションバーの対辺近傍に設けた上部電極と、該上部電極に対向して可動部の下方部位に配設した下部電極とで構成され、両電極間に静電引力を発生させるようにした静電駆動方式であってもよい。さらに、可動板の主面に設けた薄膜永久磁石と、可動板の下方部位に配設したコイルとで構成し、コイルによる上下方向の電磁界と薄膜永久磁石の静磁界との相互作用により可動板を回動させるようにした薄膜磁石方式であってもよい。   In the meantime, in the first and second embodiments, the electromagnetic drive type planar actuator has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, an upper electrode provided near the opposite side of the torsion bar and the upper electrode are opposed to each other. An electrostatic drive system may be used which is composed of a lower electrode disposed in a lower part of the movable part and which generates an electrostatic attractive force between both electrodes. Furthermore, it is composed of a thin film permanent magnet provided on the main surface of the movable plate and a coil disposed at a lower part of the movable plate, and is movable by the interaction between the vertical electromagnetic field by the coil and the static magnetic field of the thin film permanent magnet. A thin film magnet system in which the plate is rotated may be used.

本発明のプレーナ型アクチュエータチップの製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of the planar type actuator chip of this invention. 可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of decreasing a frequency, when the frequency of a movable plate is higher than setting. 可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of decreasing a frequency, when the frequency of a movable plate is higher than setting. 可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる工程を示す図。The figure which shows the process of increasing a frequency, when the frequency of a movable plate is lower than setting. 可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる工程を示す図。The figure which shows the process of increasing a frequency, when the frequency of a movable plate is lower than setting. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータチップの上面図。The top view of a planar type actuator chip of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式プレーナ型アクチュエータチップの製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of a two-dimensional drive system planar type actuator chip. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of reducing a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is higher than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of reducing a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is higher than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of reducing a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is higher than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of reducing a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is higher than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of reducing a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is higher than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる調整工程を示す図。The figure which shows the adjustment process which increases a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is lower than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる調整工程を示す図。The figure which shows the adjustment process which increases a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is lower than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる調整工程を示す図。The figure which shows the adjustment process which increases a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is lower than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる調整工程を示す図。The figure which shows the adjustment process which increases a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is lower than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータにおいて、内側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる調整工程を示す図。The figure which shows the adjustment process which increases a frequency, when the frequency of an inner side movable plate is lower than setting in the planar actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、外側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of decreasing a frequency, when the frequency of an outer movable plate is higher than setting in the planar electromagnetic actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、外側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of decreasing a frequency, when the frequency of an outer movable plate is higher than setting in the planar electromagnetic actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、外側可動板の周波数が設定より高い場合に、周波数を減少させる工程を示す図。The figure which shows the process of decreasing a frequency, when the frequency of an outer movable plate is higher than setting in the planar electromagnetic actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、外側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる工程を示す図。The figure which shows the process of increasing a frequency, when the frequency of an outer movable board is lower than setting in the planar type electromagnetic actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、外側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる工程を示す図。The figure which shows the process of increasing a frequency, when the frequency of an outer movable board is lower than setting in the planar type electromagnetic actuator of a two-dimensional drive system. 2次元駆動方式のプレーナ型電磁アクチュエータにおいて、外側可動板の周波数が設定より低い場合に、周波数を増加させる工程を示す図。The figure which shows the process of increasing a frequency, when the frequency of an outer movable board is lower than setting in the planar type electromagnetic actuator of a two-dimensional drive system. 従来のプレーナ型アクチュエータの構成を示す図で、(a)は正面断面図、(b)は上面図、(c)下面図。It is a figure which shows the structure of the conventional planar type | mold actuator, (a) is front sectional drawing, (b) is a top view, (c) A bottom view. プレーナ型アクチュエータチップを示す図で、(a)は上面図、(b)は下面図、(c)はA−A’断面図2A and 2B are views showing a planar actuator chip, where FIG. 1A is a top view, FIG. 1B is a bottom view, and FIG. プレーナ型アクチュエータチップの製造工程を示す図。The figure which shows the manufacturing process of a planar type actuator chip.

符号の説明Explanation of symbols

101 シリコン基板
102 可動板
103 トーションバー
104 トーションバー
105 平面コイル
106 ミラー
107 ベース基板
107a 穴
107b パターン
108 ワイヤー
109 ワイヤー接続パッド
110 永久磁石
111 永久磁石
112 ヨーク
113 SOI基板
114 活性層シリコン
115 中間層シリコン酸化膜
116 支持基板シリコン
117 シリコン酸化膜
118 コイル
119 絶縁膜
120 保護膜
121 全反射ミラー
122 金属膜
123 周波数調整部位
124 シリコン基板
125 第1トーションバー
126 外側可動板
127 第2トーションバー
128 内側可動板
129 コイル
130 周波数調整部位
131 枠部
132 ワイヤー接続パッド
133 引出線
134 絶縁膜
135 保護膜
136 全反射ミラー
101 silicon substrate 102 movable plate 103 torsion bar 104 torsion bar 105 planar coil 106 mirror 107 base substrate 107a hole 107b pattern 108 wire 109 wire connection pad 110 permanent magnet 111 permanent magnet 112 yoke 113 SOI substrate 114 active layer silicon 115 intermediate layer silicon oxide Film 116 Support substrate silicon 117 Silicon oxide film 118 Coil 119 Insulating film 120 Protective film 121 Total reflection mirror 122 Metal film 123 Frequency adjustment portion 124 Silicon substrate 125 First torsion bar 126 Outer movable plate 127 Second torsion bar 128 Inner movable plate 129 Coil 130 Frequency adjustment portion 131 Frame portion 132 Wire connection pad 133 Lead wire 134 Insulating film 135 Protective film 136 Total reflection mirror

Claims (4)

基板に、可動板と当該可動板を基板に対し回動可能に軸支するトーションバーを一体に形成し、前記可動板を回動するプレーナ型アクチュエータの製造方法において、
前記可動板の共振周波数を測定した後、測定周波数が所望の共振周波数と異なるときに、前記可動板及び前記トーションバーのどちらか一方を成膜により加工を行い、他方をエッチングにより加工を行うことにより、可動板の共振周波数が前記所望の共振周波数になるよう調整することを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法。
A substrate, a movable plate and the movable plate formed integrally with the torsion bar to be rotatably supported to the substrate, in the manufacturing method of the movable plate rotates to Help Leena actuator,
After measuring the resonance frequency of the movable plate, when the measurement frequency is different from the desired resonance frequency, either the movable plate or the torsion bar is processed by film formation, and the other is processed by etching. Thus , the planar type actuator manufacturing method is characterized in that the resonance frequency of the movable plate is adjusted to the desired resonance frequency .
前記可動板の一方の面にミラーを形成するとき、可動板の前記ミラー形成面と反対側の他方の面に、周波数調整のための周波数調整部位を設け、該周波数調整部位に前記成膜加工又は前記エッチング加工を行うことを特徴とする請求項1に記載のプレーナ型アクチュエータの製造方法。 When a mirror is formed on one surface of the movable plate, a frequency adjustment portion for frequency adjustment is provided on the other surface of the movable plate opposite to the mirror formation surface, and the film forming process is performed on the frequency adjustment portion. The method for manufacturing a planar actuator according to claim 1, wherein the etching process is performed . 可動板が、第1のトーションバーで半導体基板に軸支される枠状の外側可動板と、前記第1トーションバーと軸方向が直交する第2のトーションバーで前記外側可動板の内側に軸支される内側可動板とからなり、前記内側可動板、外側可動板を回動する2次元駆動方式のプレーナ型アクチュエータの製造方法において、
前記内側可動板及び前記第2トーションバーの少なくとも一方を加工することにより内側可動板の共振周波数を調整した後、前記外側可動板及び前記第1トーションバーの少なくとも一方を加工することにより外側可動板の共振周波数を調整し、
前記内側可動板の共振周波数の調整のための加工は、前記内側可動板及び前記第2トーションバーのどちらか一方を成膜又はエッチングすること、又は、前記内側可動板及び前記第2トーションバーのどちらか一方を成膜し且つ他方をエッチングすることであり、
前記外側可動板の共振周波数の調整のための加工は、前記外側可動板及び前記第1トーションバーのどちらか一方を成膜又はエッチングすること、又は、前記外側可動板及び前記第1トーションバーのどちらか一方を成膜し且つ他方をエッチングすることであることを特徴とするプレーナ型アクチュエータの製造方法。
The movable plate is a frame-shaped outer movable plate that is pivotally supported on the semiconductor substrate by a first torsion bar, and a second torsion bar whose axial direction is orthogonal to the first torsion bar. In a manufacturing method of a planar actuator of a two-dimensional drive method, comprising a supported inner movable plate and rotating the inner movable plate and the outer movable plate,
After adjusting the resonance frequency of the inner movable plate by processing at least one of the inner movable plate and the second torsion bar , the outer movable plate is processed by processing at least one of the outer movable plate and the first torsion bar. to adjust the resonance frequency,
The processing for adjusting the resonance frequency of the inner movable plate includes forming or etching one of the inner movable plate and the second torsion bar, or forming the inner movable plate and the second torsion bar. Depositing either one and etching the other,
The processing for adjusting the resonance frequency of the outer movable plate is to form or etch one of the outer movable plate and the first torsion bar, or the outer movable plate and the first torsion bar. A method of manufacturing a planar actuator, wherein one of the films is formed and the other is etched .
前記内側可動板の一方の面にミラーを形成するとき、内側可動板の前記ミラー形成面と反対側の他方の面に、周波数調整のための周波数調整部位を設け、該周波数調整部位に前記成膜加工又は前記エッチング加工を行うことを特徴とする請求項に記載のプレーナ型アクチュエータの製造方法。 When forming a mirror on one surface of the inner movable plate, a frequency adjustment part for frequency adjustment is provided on the other surface of the inner movable plate opposite to the mirror forming surface, and the component is formed on the frequency adjustment part. The method for manufacturing a planar actuator according to claim 3 , wherein film processing or etching processing is performed .
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