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JP4377631B2 - Transflective liquid crystal display device and electronic apparatus including the same - Google Patents
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JP4377631B2 - Transflective liquid crystal display device and electronic apparatus including the same - Google Patents

Transflective liquid crystal display device and electronic apparatus including the same Download PDF

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Description

本発明は、外光反射を利用しての反射表示とバックライトを利用しての透過表示の両方を行うことができる半透過型液晶表示装置に係わり、詳しくは反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプの半透過型液晶表示装置とそれを備えた電子機器に用いて好適な構造に関する。   The present invention relates to a transflective liquid crystal display device capable of performing both reflective display using external light reflection and transmissive display using a backlight, and more specifically, on a reflective part and a transmissive part. The present invention relates to a structure suitable for use in a dual gap type transflective liquid crystal display device in which the thickness of the liquid crystal layer is different and an electronic apparatus including the same.

表示デバイスの分野では、高表示品質の得られるアクティブマトリクス型の表示装置が広く用いられている。この表示装置では、多数の画素電極の一つ一つにスイッチング素子が設けられており、画素電極毎の確実なスイッチングにより大型化、高精細化等の特性を容易に得ることができるようになっている。   In the field of display devices, active matrix display devices that can obtain high display quality are widely used. In this display device, a switching element is provided for each of a large number of pixel electrodes, and characteristics such as enlargement and high definition can be easily obtained by reliable switching for each pixel electrode. ing.

近年、消費電力の低減が強く要求されており、画素の領域をできるだけ大きくして表示の明るさを向上することが求められている。このため、アクティブマトリクス基板全面に厚膜の絶縁膜を形成し、この絶縁膜の上に反射型の画素電極を形成したものが実用化されている。このように絶縁膜上に画素電極を上置きする構造のものでは、絶縁膜下層に配された走査線や信号線等と上層に配された画素電極との間で電気的な短絡を生じない構成を採用できるため、これら配線上にオーバーラップさせるように広い面積で画素電極を形成することが可能となる。これにより、薄膜トランジスタ(Thin Film Trangistor : 以下にTFTと略記する)等のスイッチング素子や走査線,信号線の形成された領域を含めてほとんど全てを表示に寄与する画素領域とすることができ、開口率を高めて明るい表示を得ることができる。
また、反射型の画素電極を用いた液晶表示形態のみでは暗所での使用ができないため、液晶表示装置にバックライトを併設し、反射型液晶表示装置を部分的に透過表示可能な構成とした半透過型の液晶表示装置も広く使用されている。(特許文献1、2参照)
特願2000−171794号公報 特許第3235102号公報
In recent years, reduction of power consumption has been strongly demanded, and it has been demanded to increase the brightness of display by making the pixel area as large as possible. For this reason, a structure in which a thick insulating film is formed on the entire surface of the active matrix substrate and a reflective pixel electrode is formed on the insulating film has been put into practical use. In such a structure in which the pixel electrode is placed on the insulating film, an electrical short circuit does not occur between the scanning line, the signal line, and the like arranged on the lower layer of the insulating film and the pixel electrode arranged on the upper layer. Since the configuration can be adopted, the pixel electrode can be formed in a wide area so as to overlap with these wirings. As a result, almost all pixel regions including switching elements such as thin film transistors (hereinafter abbreviated as TFTs), regions where scanning lines and signal lines are formed can be used as pixel regions. A bright display can be obtained by increasing the rate.
In addition, since the liquid crystal display mode using the reflective pixel electrode alone cannot be used in a dark place, the liquid crystal display device is provided with a backlight so that the reflective liquid crystal display device can be partially transmissively displayed. Transflective liquid crystal display devices are also widely used. (See Patent Documents 1 and 2)
Japanese Patent Application No. 2000-171794 Japanese Patent No. 3235102

図14は、この種の半透過型の液晶表示装置の一従来例を示す(特許文献1参照)ものであり、この例の液晶表示装置においては、透明の基板110上の表示領域に薄膜トランジスタ111が多数整列形成され、これらの薄膜トランジスタ111が絶縁膜112で覆われ、絶縁膜112上の各画素形成位置にアルミニウム電極膜からなる光反射性の画素電極113が形成され、この画素電極113の凹凸面形成部分が反射部とされている。また、これらの画素電極113の下側の絶縁膜112に凹部116が形成されるとともに、これら凹部116の底部に下側から順に位置するように透明なゲート絶縁膜118と透明なドレイン電極119とを延出形成した構成とされ、凹部116内のドレイン電極119の形成部分を透過部aとされている。更に、絶縁膜112及び画素電極113と凹部116を覆うように配向膜122が形成されている。
一方、先の基板110に対する側には基板120が設けられ、これらの基板110、120間には液晶層109が挟持されている。基板120の液晶層109側には透明な対向電極(共通電極)121と配向膜123が形成されている。
更に、図14では基板110の裏面側に設けられるバックライトについては記載を略している。
FIG. 14 shows a conventional example of this type of transflective liquid crystal display device (see Patent Document 1). In the liquid crystal display device of this example, a thin film transistor 111 is formed in a display region on a transparent substrate 110. Are aligned, and the thin film transistor 111 is covered with an insulating film 112, and a light-reflective pixel electrode 113 made of an aluminum electrode film is formed at each pixel formation position on the insulating film 112. The surface forming portion is a reflecting portion. In addition, a recess 116 is formed in the insulating film 112 below the pixel electrodes 113, and a transparent gate insulating film 118, a transparent drain electrode 119, and so on are located at the bottom of the recess 116 in order from the lower side. The portion where the drain electrode 119 is formed in the recess 116 is a transmission portion a. Further, an alignment film 122 is formed so as to cover the insulating film 112, the pixel electrode 113, and the recess 116.
On the other hand, a substrate 120 is provided on the side opposite to the substrate 110, and a liquid crystal layer 109 is sandwiched between these substrates 110 and 120. A transparent counter electrode (common electrode) 121 and an alignment film 123 are formed on the liquid crystal layer 109 side of the substrate 120.
Further, in FIG. 14, the description of the backlight provided on the back side of the substrate 110 is omitted.

図14に示す構造の半透過型液晶表示装置にあっては、基板間に存在する液晶層109に対して光反射性の画素電極113とソース電極119から電界を印加して液晶の配向制御を行って表示を行うようになっている。詳しくは、薄膜トランジスタ111が光反射性の画素電極113に通電することで液晶の配向制御を行い、液晶の透過率を制御し、画素電極113の凹凸面形成領域は基板120側からの入射光を反射して反射表示を行う反射表示領域として作用するようになっている。また、薄膜トランジスタ111は画素電極113に加えて透明のソース電極119にも電圧を印加するが、凹部116内のソース電極119の形成領域は、バックライトの光を透過させて透過表示を行う透過表示領域として作用するようになっている。即ち、図18に示すこれらによって先の光反射性の画素電極113による反射表示形態と、バックライト及び透明電極119を用いた透過表示形態の両方を実現できる半透過型の液晶表示装置が実現される。   In the transflective liquid crystal display device having the structure shown in FIG. 14, an electric field is applied from the light-reflective pixel electrode 113 and the source electrode 119 to the liquid crystal layer 109 existing between the substrates to control the alignment of the liquid crystal. Go to display. Specifically, the thin film transistor 111 controls the alignment of the liquid crystal by supplying current to the light-reflective pixel electrode 113, thereby controlling the transmittance of the liquid crystal. The uneven surface forming region of the pixel electrode 113 receives incident light from the substrate 120 side. It acts as a reflective display area that reflects and performs reflective display. In addition, the thin film transistor 111 applies a voltage to the transparent source electrode 119 in addition to the pixel electrode 113, but the formation region of the source electrode 119 in the recess 116 transmits the backlight light and performs transmissive display. Acts as a region. That is, the transflective liquid crystal display device capable of realizing both the reflective display mode using the light-reflective pixel electrode 113 and the transmissive display mode using the backlight and the transparent electrode 119 is realized as shown in FIG. The

また、半透過液晶表示装置では液晶表示装置に対する入射光が反射光となって観察者に到達するまでの間に、反射表示形態では光が2回液晶層を通過するのに比べて透過表示形態では1回のみ液晶層を通過するので、表示形態によっては表示に余計な色が付く、あるいは表示の色味が異なるなどの問題が生じるため、この点に対し図14に示す構造においては、反射部上では液晶層の厚さdを薄くし、絶縁膜112に形成した凹部116の部分の深さを利用して透過部a上の液晶層の厚さdを増加した構造(反射表示領域と透過表示領域とでセルギャップが異なるデュアルギャップ構造)とし、反射表示形態で光が液晶層を2回通過する際の液晶層の厚さ(光路)と、透過表示形態で光が1回液晶層を通過する際の液晶層の厚さ(光路)を均一化することで両表示形態での光路差に起因する表示の色付きや色味のバラツキを防止するようにしている。 Further, in the transflective liquid crystal display device, in the reflective display mode, the light is transmitted through the liquid crystal layer twice before the incident light to the liquid crystal display device becomes reflected light and reaches the observer. In this case, since the liquid crystal layer passes only once, depending on the display form, an extra color is added to the display or the display color is different. For this reason, the structure shown in FIG. in the part to reduce the thickness d 1 of the liquid crystal layer, increased structure (reflection display the thickness d 2 of the liquid crystal layer on using the depth transmissive portion a portion of the recess 116 formed in the insulating film 112 Dual gap structure in which the cell gap is different between the region and the transmissive display region), the thickness (optical path) of the liquid crystal layer when light passes through the liquid crystal layer twice in the reflective display mode, and the light once in the transmissive display mode. The thickness of the liquid crystal layer when passing through the liquid crystal layer (optical path So as to prevent variations in the colored and color of the display caused by the optical path difference in both the display mode by equalizing the.

しかしながら図14に示す構成の半透過型液晶表示装置では、上記のように透過部a上の液晶層(透過表示領域の液晶層ということもある)の厚さdは反射部上の液晶層(反射表示領域の液晶層ということもある)の厚さdの2倍の大きさとされているために両表示領域での液晶層の厚みの差が大きいため、透過表示領域の液晶層や反射表示領域の液晶層では駆動電圧印加時の閾値や飽和電圧等が大きく異なってしまい、同一画素において透過表示形態と反射表示形態とで大幅に見栄えが変わるという問題があった。
また、図14に示す構成の半透過型液晶表示装置では、両表示領域での液晶層の厚みの差が大きいために、特許文献2に記載されているように半透過型液晶表示装置の上下に設ける偏光板等の光学基板の光学条件を種々設計しても、透過表示領域と反射表示領域の電圧に対する変化を補償することは困難で、即ち、非電圧印加時の光学条件を例え合わせ込んでも、駆動電圧印加時の閾値や飽和電圧等が違いすぎる為、反射表示形態と透過表示形態のときでコントラストが異なってしまう。
なお、半透過型液晶表示装置では透過表示形態と反射表示形態のいずれの場合も基板間に同じ大きさの駆動電圧を印加するのが一般的である。
However, in the transflective liquid crystal display device having the configuration shown in FIG. 14, the thickness d 2 of the liquid crystal layer (also referred to as a liquid crystal layer in the transmissive display region) on the transmissive portion a is as described above. because the difference in thickness of the liquid crystal layer in both the display area because they are (sometimes referred to as a liquid crystal layer in the reflective display region) is the thickness twice as large as d 1 is larger, the liquid crystal layer in the transmissive display region Ya In the liquid crystal layer in the reflective display area, the threshold voltage and saturation voltage at the time of applying the driving voltage are greatly different, and there is a problem that the appearance changes greatly between the transmissive display mode and the reflective display mode in the same pixel.
Further, in the transflective liquid crystal display device having the configuration shown in FIG. 14, the difference in thickness of the liquid crystal layer in both display regions is large, so that the upper and lower sides of the transflective liquid crystal display device are disclosed in Patent Document 2. Even if the optical conditions of the optical substrate such as a polarizing plate provided on the substrate are designed in various ways, it is difficult to compensate for changes in the voltage of the transmissive display area and the reflective display area. That is, the optical conditions when no voltage is applied are compared. However, since the threshold value and saturation voltage at the time of driving voltage application are too different, the contrast differs between the reflective display mode and the transmissive display mode.
In a transflective liquid crystal display device, it is common to apply the same driving voltage between the substrates in both the transmissive display mode and the reflective display mode.

本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプ(マルチギャップタイプ)の半透過型液晶表示装置において、駆動電圧印加時の透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の電圧依存性を揃えることにより、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善し、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られる半透過型液晶表置を提供することを目的とする。   The present invention has been devised in view of the above-described problems. In a dual gap type (multi-gap type) transflective liquid crystal display device in which the thickness of the liquid crystal layer is different between the reflective portion and the transmissive portion, a driving voltage is applied. By aligning the voltage dependency of the liquid crystal layer on the transmissive part and the liquid crystal layer on the reflective part at the time, it improves the visibility of the display between the transmissive display form and the reflective display form, and is good in any display state An object of the present invention is to provide a transflective liquid crystal display capable of obtaining a good display quality.

第1の発明の半透過型液晶表示装置は、対向配置された基板間に液晶が封入され、上記一方の基板の液晶層側の面に共通電極が形成され、さらに該共通電極上に配向膜が形成され、上記他方の基板の液晶層側に複数のスイッチング素子が形成され、これらのスイッチング素子が絶縁膜に覆われ、該絶縁膜上に上記スイッチング素子と電気的に接続された光反射性の画素電極が複数形成される一方、上記画素電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する上記絶縁膜に窪部が形成され、該窪部の底部側に少なくとも位置するとともに上記スイッチング素子に電気的に接続された透明電極が、上記基板上に直接位置するように形成され、上記窪部内に上記基板間に存在する液晶が導入され、上記窪部形成部分が上記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、上記画素電極の非透孔部が上記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、上記透過部上の液晶層厚と上記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、上記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更されてなり、前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、前記透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜が形成されてなることを特徴とする。 In the transflective liquid crystal display device according to the first aspect of the present invention, liquid crystal is sealed between opposed substrates, a common electrode is formed on the surface of the one substrate on the liquid crystal layer side, and an alignment film is formed on the common electrode. A plurality of switching elements are formed on the liquid crystal layer side of the other substrate, the switching elements are covered with an insulating film, and the light reflective property is electrically connected to the switching elements on the insulating film. A plurality of pixel electrodes are formed, a through hole is formed in at least a part of the pixel electrode, and a recess is formed in the insulating film located under the through hole, and at least on the bottom side of the recess A transparent electrode that is positioned and electrically connected to the switching element is formed so as to be directly positioned on the substrate, and a liquid crystal existing between the substrates is introduced into the recess, and the recess forming portion is The other substrate side And the non-perforated portion of the pixel electrode is a reflective portion that reflects incident light from the one substrate side, and the thickness of the liquid crystal layer on the transmissive portion and the reflective portion The upper liquid crystal layer has a different thickness, an alignment film is formed on the liquid crystal layer side surface of the reflection part and the transmission part, and the alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the reflection part and the transmission part The alignment film formed on the surface on the liquid crystal layer side has a pretilt angle changed according to the thickness of the liquid crystal layer, and the liquid crystal layer thickness on the transmission part is larger than the liquid crystal layer thickness on the reflection part. An alignment film having a large pretilt angle is formed on the liquid crystal layer side surface of the transmission part, and an alignment film having a small pretilt angle is formed on the liquid crystal layer side surface of the reflection part .

反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプ(マルチギャップタイプ)のアクティブマトリックス方式の半透過型液晶表示装置において、液晶層の厚さ(セルギャップ)に応じて上記反射部の液晶層側の面に形成する配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成する配向膜のプレティルト角変更することで、透過表示形態と反射表示形態のいずれの表示状態においても基板間に同じ大きさの駆動電圧を印加した場合、同一画素領域内で透過部上の液晶層(透過表示領域の液晶層)と反射部上の液晶層(反射表示領域の液晶層)の駆動電圧印加時の電圧依存性(光学的閾値、飽和電圧、急峻性等)を略同じに揃えることができ、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善し、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られる。
透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜を形成し、前記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜を形成してなる構成とすることで、セルギャップが異なる上記透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の電圧印加時の電気光学的閾値を略同じにすることができる。
In a dual gap type (multi-gap type) active matrix type transflective liquid crystal display device in which the thickness of the liquid crystal layer is different between the reflective portion and the transmissive portion, the reflection is performed according to the thickness (cell gap) of the liquid crystal layer. By changing the pretilt angle of the alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the part and the alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the transmissive part, in either the transmissive display mode or the reflective display mode When the same driving voltage is applied between the substrates, the liquid crystal layer on the transmissive part (liquid crystal layer in the transmissive display area) and the liquid crystal layer on the reflective part (liquid crystal layer in the reflective display area) are driven in the same pixel area. The voltage dependency (optical threshold, saturation voltage, steepness, etc.) at the time of voltage application can be made substantially the same, improving the difference in display visibility between the transmissive display mode and the reflective display mode. In the display state Good display quality can be obtained.
The cell gap is different by forming an alignment film having a large pretilt angle on the liquid crystal layer side surface of the transmission portion and forming an alignment film having a small pretilt angle on the liquid crystal layer side surface of the reflection portion. The electro-optic threshold value at the time of voltage application of the liquid crystal layer on the transmissive part and the liquid crystal layer on the reflective part can be made substantially the same.

また、第2の発明の半透過型液晶表示装置は、対向配置された基板間に液晶が封入され、上記一方の基板の液晶層側の面に複数の透明電極が形成され、これら透明電極の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記他方の基板の液晶層側に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に光反射性の電極が複数形成され、上記光反射性の電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する上記絶縁膜に窪部が形成され、上記窪部内に上記基板間に存在する液晶が導入され、上記窪部形成部分が上記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、上記光透過性の電極の非透孔部が上記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、上記透過部上の液晶層厚と上記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、上記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更されてなり、前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、前記透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜が形成されてなることを特徴とする。 In the transflective liquid crystal display device according to the second aspect of the invention, liquid crystal is sealed between the opposed substrates, and a plurality of transparent electrodes are formed on the surface of the one substrate on the liquid crystal layer side. An alignment film is formed on the surface on the liquid crystal layer side, an insulating film is formed on the liquid crystal layer side of the other substrate, a plurality of light reflective electrodes are formed on the insulating film, and at least one of the light reflective electrodes A through hole is formed in a part, a recess is formed in the insulating film located under the through hole, a liquid crystal existing between the substrates is introduced into the recess, and the recess forming part is the other side A transparent portion that transmits incident light from the substrate side, and a non-perforated portion of the light-transmitting electrode is a reflective portion that reflects incident light from the one substrate side, and the liquid crystal on the transparent portion The thickness of the liquid crystal layer on the reflective portion is different from the thickness of the reflective portion, and the liquid crystal layer side of the reflective portion and the transmissive portion is The alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the reflective portion and the alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the transmission portion have a pretilt angle according to the thickness of the liquid crystal layer. The thickness of the liquid crystal layer on the transmissive part is larger than the thickness of the liquid crystal layer on the reflective part, and an alignment film having a large pretilt angle is formed on the surface of the transmissive part on the liquid crystal layer side. An alignment film having a small pretilt angle is formed on the surface of the portion on the liquid crystal layer side .

単純マトリクス方式の液晶表示装置ではマルチプレクス駆動される為、駆動電圧を印加したときの上記透過部上の液晶層と上記反射部上の液晶層の閾値の差がより鋭敏に表示特性に表れ易いため、単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置においても液晶層の厚さ(セルギャップ)に応じて上記反射部の液晶層側の面に形成する配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成する配向膜のプレティルト角変更することで、本発明の効果が大きい。更に、前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、前記透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜が形成されてなり、前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、前記透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜が形成されてなる。 Since the simple matrix type liquid crystal display device is multiplex driven, the difference in threshold between the liquid crystal layer on the transmissive part and the liquid crystal layer on the reflective part when a driving voltage is applied tends to appear more sharply in the display characteristics. Therefore, even in a simple matrix transflective liquid crystal display device, an alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the reflective portion and a surface of the transmissive portion on the liquid crystal layer side according to the thickness (cell gap) of the liquid crystal layer The effect of the present invention is great by changing the pretilt angle of the alignment film to be formed. Further, the liquid crystal layer thickness on the transmissive part is larger than the liquid crystal layer thickness on the reflective part, an alignment film having a large pretilt angle is formed on the liquid crystal layer side surface of the transmissive part, and the liquid crystal of the reflective part An alignment film having a small pretilt angle is formed on the layer-side surface, and the thickness of the liquid crystal layer on the transmissive portion is larger than the thickness of the liquid crystal layer on the reflective portion. An alignment film having a large pretilt angle is formed, and an alignment film having a small pretilt angle is formed on the surface of the reflective portion on the liquid crystal layer side.

本発明は上記第1又は第2の発明において、上記透過部上の液晶層厚は上記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、上記透過部の液晶層側の面に液晶との相互作用が弱い配向膜が形成され、上記反射部の液晶層側の面に液晶との相互作用が強い配向膜が形成されていることを特徴とする。
このような構成とすることで、セルギャップが異なる上記透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の電圧印加時の電気光学的閾値を略同じにすることができる。
In the first or second aspect of the present invention, the thickness of the liquid crystal layer on the transmissive part is larger than the thickness of the liquid crystal layer on the reflective part, and the liquid crystal layer side surface of the transmissive part is connected to the liquid crystal layer. An alignment film having a weak action is formed, and an alignment film having a strong interaction with liquid crystal is formed on the liquid crystal layer side surface of the reflection portion.
With such a configuration, it is possible to make the electro-optical thresholds at the time of voltage application between the liquid crystal layer on the transmissive portion and the liquid crystal layer on the reflective portion having different cell gaps substantially equal.

本発明は上記第1又は第2の発明において、上記透過部上の液晶層厚は上記反射部上の液晶層厚の2倍の値とされていることを特徴とする。
このような構成とすることで、反射表示形態で光が液晶層を2回通過する際の光路と、透過表示形態で光が1回液晶層を通過する際の光路を均一化することで両表示形態での光路差に起因する表示の色付きやコントラスト、色味のバラツキを防止できる。
The present invention is characterized in that, in the first or second invention, the thickness of the liquid crystal layer on the transmissive part is twice the value of the thickness of the liquid crystal layer on the reflective part.
By adopting such a configuration, both the optical path when the light passes through the liquid crystal layer twice in the reflective display mode and the optical path when the light passes once through the liquid crystal layer in the transmissive display mode are made uniform. It is possible to prevent display coloration, contrast, and color variation due to the optical path difference in the display mode.

第3の発明の電子機器は、上記のいずれかの構成の本発明の半透過型液晶表示装置を表示部に備えたことを特徴とする。
かかる構成の電子機器であるならば、透過表示状態での優れた表示と反射表示状態での優れた表示の両方を兼ね備えることができ、外光を利用した反射表示形態の場合とバックライトを点灯した透過表示形態の両方において、いずれも優れた表示状態を得ることができる。
According to a third aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus including the transflective liquid crystal display device according to the present invention having any one of the above configurations in a display unit.
If the electronic device has such a configuration, it can have both an excellent display in the transmissive display state and an excellent display in the reflective display state, and the backlight is turned on in the case of the reflective display form using external light. In both of the transmissive display modes, an excellent display state can be obtained.

以上、詳述したように本発明によれば、透反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプの半透過型液晶表示装置において、透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜を形成し、前記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜を形成し、駆動電圧印加時の透過部上の液晶層と反射部上の液晶層の電圧依存性を揃えることにより、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善でき、いずれの表示状態でも良好な表示品質が得られるアクティブマトリクス方式あるいは単純マトリクス方式の半透過型液晶表置を提供できる。

As described above, according to the present invention, in the dual gap type transflective liquid crystal display device in which the thickness of the liquid crystal layer is different between the translucent part and the transmissive part, the surface on the liquid crystal layer side of the transmissive part is provided. An alignment film having a large pretilt angle is formed, an alignment film having a small pretilt angle is formed on the liquid crystal layer side surface of the reflective portion, and the voltage of the liquid crystal layer on the transmissive portion and the liquid crystal layer on the reflective portion when a driving voltage is applied By making the dependency uniform, it is possible to improve the difference in display visibility between the transmissive display mode and the reflective display mode, and an active matrix type or simple matrix type transflective type that can provide good display quality in any display state A liquid crystal display can be provided.

以下、図面により本発明の一実施形態としての半透過型液晶表示装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせて示してある。
図1乃至図9は本発明に係る半透過型液晶表示装置の第1の実施形態を示すもので、この第1実施形態の半透過型液晶表示装置Aは、図2に示すように、本体である液晶パネル1と、この液晶パネル1の背面側に配されたバックライト4とを備えて構成されている。
液晶パネル1は、図2に示すように、スイッチング素子が形成された側のアクティブマトリクス基板(他方の基板)2と、それに対向して設けられた対向基板(一方の基板)3と、基板2、3の間に保持されている光変調層としての液晶層5とを備えて構成されている。
Hereinafter, a transflective liquid crystal display device as an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings below, the film thicknesses and dimensional ratios of the respective components are appropriately changed for easy understanding of the drawings.
1 to 9 show a first embodiment of a transflective liquid crystal display device according to the present invention. The transflective liquid crystal display device A according to the first embodiment has a main body as shown in FIG. And a backlight 4 disposed on the back side of the liquid crystal panel 1.
As shown in FIG. 2, the liquid crystal panel 1 includes an active matrix substrate (the other substrate) 2 on the side where the switching elements are formed, a counter substrate (one substrate) 3 provided opposite thereto, and a substrate 2. 3 and a liquid crystal layer 5 as a light modulation layer held between 3.

アクティブマトリクス基板2は、図1、図3または図4に示すように、ガラスやプラスチック等からなる透明の基板本体6上に、それぞれ行方向(図3、図4のx方向)と列方向(図3、図4のy方向)に複数の走査線7と信号線8が電気的に絶縁されて形成され、各走査線7、信号線8の交差部の近傍にTFT(スイッチング素子)10が形成されている。
上記基板本体6上において、画素電極11が形成される領域、TFT10が形成される領域、走査線7及び信号8が形成される領域を、それぞれ画素領域、素子領域、配線領域と呼称することができる。
As shown in FIG. 1, FIG. 3, or FIG. 4, the active matrix substrate 2 is placed on a transparent substrate body 6 made of glass, plastic, or the like in the row direction (x direction in FIGS. 3 and 4) and the column direction ( A plurality of scanning lines 7 and signal lines 8 are electrically insulated in the y direction in FIGS. 3 and 4, and a TFT (switching element) 10 is provided in the vicinity of the intersection of each scanning line 7 and signal line 8. Is formed.
On the substrate body 6, a region where the pixel electrode 11 is formed, a region where the TFT 10 is formed, a region where the scanning line 7 and the signal 8 are formed are referred to as a pixel region, an element region, and a wiring region, respectively. it can.

本実施形態のTFT10は逆スタガ型の構造を有し、本体となる基板本体6の最下層部から順にゲート電極13、ゲート絶縁膜15、i型半導体層14、ソース電極17及びドレイン電極18が形成され、i型半導体層14の上であってソース電極17とドレイン電極18との間にはエッチングストッパ層9が形成されている。
即ち、走査線7の一部が延出されてゲート電極13が形成され、これを覆ったゲート絶縁膜15上にゲート電極13を平面視で跨るようにアイランド状の半導体層14が形成され、このi型半導体層14の両端側の一方にn型半導体層16を介してソース電極17、他方にn型半導体層16を介してドレイン電極18がそれぞれ形成されている。
The TFT 10 of this embodiment has an inverted staggered structure, and a gate electrode 13, a gate insulating film 15, an i-type semiconductor layer 14, a source electrode 17 and a drain electrode 18 are arranged in order from the bottom layer portion of the substrate body 6 as a main body. An etching stopper layer 9 is formed on the i-type semiconductor layer 14 and between the source electrode 17 and the drain electrode 18.
That is, a part of the scanning line 7 is extended to form the gate electrode 13, and the island-like semiconductor layer 14 is formed on the gate insulating film 15 covering the gate line 13 so as to straddle the gate electrode 13 in plan view. A source electrode 17 is formed on one side of both ends of the i-type semiconductor layer 14 via an n-type semiconductor layer 16, and a drain electrode 18 is formed on the other side via an n-type semiconductor layer 16.

また、走査線7と信号線8とが囲む矩形状の各領域の中央部側にITOなどの透明電極材料からなる透明電極19が、基板本体6上に直接位置するように形成されている。従ってこれらの透明電極19は先のゲート電極13と同一面位置に形成されている。これらの透明電極19はその一端19aに乗り上がる形で接続された先のソース電極17の一端の接続部17aに直に接続されるとともに平面視短冊状に形成されている。この透明電極19は、図3に示すように走査線7と信号線8とが囲む矩形状の領域の縦幅より若干短く、先の矩形状の領域の横幅の数分の1程度の大きさに形成されている。   A transparent electrode 19 made of a transparent electrode material such as ITO is formed directly on the substrate body 6 on the central side of each rectangular region surrounded by the scanning line 7 and the signal line 8. Therefore, these transparent electrodes 19 are formed in the same plane position as the previous gate electrode 13. These transparent electrodes 19 are directly connected to the connecting portion 17a at one end of the source electrode 17 connected so as to ride on the one end 19a, and are formed in a strip shape in plan view. As shown in FIG. 3, the transparent electrode 19 is slightly shorter than the vertical width of the rectangular area surrounded by the scanning line 7 and the signal line 8, and is about a fraction of the horizontal width of the previous rectangular area. Is formed.

基板本体6はガラスの他、合成樹脂等の絶縁性透明基板からなる。ゲート電極13は導電性の金属材料からなり、図3に示すように行方向に配設される走査線7と一体に形成されている。ゲート絶縁膜15は酸化シリコン(SiOx)や窒化シリコン(SiNy)等のシリコン系の絶縁膜からなり、走査線7及びゲート電極13を覆うように、かつ、先の透明電極19を覆わないようにして基板上に形成されている。なおここで、ゲート絶縁膜15を形成する位置は、少なくとも透明電極19とソース電極17の接続部分を除く位置とする必要があるので、この実施形態では透明電極19上にゲート絶縁膜15を形成していないが、透明電極19においてソース電極17との接続部分のみを除くように透明電極19上にゲート絶縁層15を形成しても差し支えない。
半導体層14は、アモルファスシリコン(a−Si)等からなり、ゲート絶縁膜15を介してゲート電極13と対向する領域がチャネル領域として構成される。ソース電17及びドレイン電極18は導電材料からなり、半導体層14上に、チャネル領域を挟むように対向して形成されている。また、ドレイン電極18は列方向に配設される信号線8から個々に延出されて形成されている。
The substrate body 6 is made of an insulating transparent substrate such as synthetic resin in addition to glass. The gate electrode 13 is made of a conductive metal material, and is integrally formed with the scanning lines 7 arranged in the row direction as shown in FIG. The gate insulating film 15 is made of a silicon-based insulating film such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNy), and covers the scanning line 7 and the gate electrode 13 but does not cover the transparent electrode 19. Formed on the substrate. Here, since the position where the gate insulating film 15 is formed needs to be at least a position excluding the connection portion between the transparent electrode 19 and the source electrode 17, the gate insulating film 15 is formed on the transparent electrode 19 in this embodiment. However, the gate insulating layer 15 may be formed on the transparent electrode 19 so as to exclude only the connection portion with the source electrode 17 in the transparent electrode 19.
The semiconductor layer 14 is made of amorphous silicon (a-Si) or the like, and a region facing the gate electrode 13 through the gate insulating film 15 is configured as a channel region. The source electrode 17 and the drain electrode 18 are made of a conductive material, and are formed on the semiconductor layer 14 so as to face each other with a channel region interposed therebetween. The drain electrodes 18 are individually extended from the signal lines 8 arranged in the column direction.

なお、i型半導体層14とソース電極17及びドレイン電極18との間で良好なオーミック接触を得るために、半導体層14と各電極17、18との間には、リン(P)等のV族元素を高濃度にドープしたn型半導体層(オーミックコンタクト層)16が設けられている。
また、基板本体6上には有機材料からなる絶縁膜20が積層され、この絶縁膜20上にAlやAg等の高反射率の金属材料からなる光拡散反射性画素電極(光反射性の画素電極)11が形成されている。
画素電極11は、先の走査線7と信号線8とが囲む矩形状の領域よりも若干小さくなるような平面視矩形状になるように絶縁膜20上に形成され、図4に示すように平面視した場合に上下左右に並ぶ画素電極11どうしが短絡しないように所定の間隔をあけてマトリクス状に配置されている。即ち、これらの画素電極11は、それらの端辺がそれらの下に位置する走査線7及び信号線8に沿うように配置されており、走査線7と信号線8が区画する領域のほぼ全域を画素領域とするように形成されている。なお、この画素領域が液晶パネル1での表示領域に相当する。
In order to obtain a good ohmic contact between the i-type semiconductor layer 14 and the source electrode 17 and the drain electrode 18, a V (such as phosphorus (P)) is provided between the semiconductor layer 14 and the electrodes 17 and 18. An n-type semiconductor layer (ohmic contact layer) 16 doped with a group element at a high concentration is provided.
An insulating film 20 made of an organic material is laminated on the substrate body 6, and a light diffusive reflective pixel electrode (light reflective pixel) made of a highly reflective metal material such as Al or Ag is formed on the insulating film 20. Electrode) 11 is formed.
The pixel electrode 11 is formed on the insulating film 20 so as to have a rectangular shape in plan view that is slightly smaller than the rectangular region surrounded by the scanning line 7 and the signal line 8, and as shown in FIG. In a plan view, the pixel electrodes 11 arranged vertically and horizontally are arranged in a matrix with a predetermined interval so as not to short-circuit each other. That is, these pixel electrodes 11 are arranged so that their end sides are along the scanning line 7 and the signal line 8 positioned below them, and almost the entire region where the scanning line 7 and the signal line 8 are partitioned. Is a pixel region. Note that this pixel region corresponds to a display region on the liquid crystal panel 1.

絶縁膜20は、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテンポリマ(BCB)等からなる有機絶縁膜とされており、TFT10の保護機能を強化するようになっている。この絶縁膜20は基板本体6上に比較的厚く積層され、画素電極11とTFT10及び各種配線との絶縁を確実にし、画素電極11との間に大きな寄生容量が発生するのを防止するとともに、厚膜の絶縁膜20によりTFT10や各種配線によって形成された基板本体6上の段差構造が平坦化されるようになっている。   The insulating film 20 is an organic insulating film made of acrylic resin, polyimide resin, benzocyclobutene polymer (BCB) or the like, and enhances the protection function of the TFT 10. This insulating film 20 is laminated relatively thickly on the substrate body 6 to ensure insulation between the pixel electrode 11 and the TFT 10 and various wirings, and prevent a large parasitic capacitance from being generated between the pixel electrode 11 and The step structure on the substrate body 6 formed by the TFT 10 and various wirings is flattened by the thick insulating film 20.

次に、絶縁膜20において先の各ソース電極17の一端部17aに達するようにコンタクトホール21が形成されるとともに、先の各透明電極19の上に位置するように窪部22が形成され、この窪部22の位置に相当する部分の画素電極11には窪部22の開口部22aに合致するような平面形状の透孔23が形成されている。これらの窪部22は絶縁膜20をその深さ方向に大部分除去してその底部22b側に一部分のみを被覆層20aとして残すように形成されるとともに、窪部22の平面形状は先の透明電極19の平面形状に対応するように透明電極19よりも若干短い短冊状に形成されている。
各画素領域において、窪部形成部分が基板2側からの入射光(バックライト4から出射された光)を透過する透過部30とされており、画素電極11の非透孔部(透孔23が形成されていない部分)が基板3側からの入射光を反射する反射部35とされている。
Next, a contact hole 21 is formed in the insulating film 20 so as to reach one end portion 17a of each of the previous source electrodes 17, and a recess 22 is formed so as to be positioned on each of the previous transparent electrodes 19, A portion of the pixel electrode 11 corresponding to the position of the recess 22 is formed with a planar through hole 23 that matches the opening 22 a of the recess 22. These recesses 22 are formed so that most of the insulating film 20 is removed in the depth direction so that only a part of the insulating film 20 is left as a coating layer 20a on the bottom 22b side. It is formed in a strip shape slightly shorter than the transparent electrode 19 so as to correspond to the planar shape of the electrode 19.
In each pixel region, the recessed portion forming portion is a transmitting portion 30 that transmits incident light from the substrate 2 side (light emitted from the backlight 4), and the non-perforated portion (the through hole 23) of the pixel electrode 11. The portion where no is formed is a reflecting portion 35 that reflects incident light from the substrate 3 side.

また、先の画素電極11の1つが、ほぼ1つの画素領域に対応し、透孔23の面積が透過表示の際の光通過領域に対応するので、先の画素電極11の面積に占める透孔23の面積割合を20〜50%の範囲、例えば40%とすることが好ましい。更に、この実施形態では画素電極11に透孔23を1つのみ形成したが、画素電極11に複数の透孔を形成しても良い。その場合に複数の透孔を合わせた総面積を画素電極11の面積の20〜50%の範囲とする。勿論その場合に複数の透孔の形成位置に合わせて各透孔の下にそれぞれ凹部を設けることとなる。
コンタクトホール21には導電材料からなる導電部25が形成され、この導通部25を介して、先の画素電極11と、絶縁膜20の下層側に配置されたソース電極17とが電気的に接続されている。従ってソース電極17は画素電極11と透明電極19の両方に電気的に接続されている。
In addition, since one of the previous pixel electrodes 11 corresponds to approximately one pixel region, and the area of the through hole 23 corresponds to a light passage region in transmissive display, the through hole occupying the area of the previous pixel electrode 11 The area ratio of 23 is preferably set in the range of 20 to 50%, for example, 40%. Furthermore, in this embodiment, only one through hole 23 is formed in the pixel electrode 11, but a plurality of through holes may be formed in the pixel electrode 11. In this case, the total area of the plurality of through holes is set to a range of 20 to 50% of the area of the pixel electrode 11. Of course, in that case, a concave portion is provided under each through hole in accordance with the formation position of the plurality of through holes.
A conductive portion 25 made of a conductive material is formed in the contact hole 21, and the previous pixel electrode 11 and the source electrode 17 disposed on the lower layer side of the insulating film 20 are electrically connected through the conductive portion 25. Has been. Accordingly, the source electrode 17 is electrically connected to both the pixel electrode 11 and the transparent electrode 19.

ところで、絶縁膜20の表面には画素領域に対応する位置に、転写型を絶縁膜20の表面に圧着する等して形成された複数の凹部26が設けられている。この絶縁膜20の表面に形成された複数の凹部26は、図5に示すように画素電極11に所定の表面凹部形状28を付与し、画素電極11に形成された複数の凹部27によって液晶パネルに入射した光は一部散乱され、より広い観察範囲でより明るい表示が得られるような拡散反射機能が付与されている。また、図5に示すように各凹部27は左右に隣接したものが互いにそれらの開口部側の内面の一部を連続させて隣接するように密接配置されている。   By the way, a plurality of recesses 26 are formed on the surface of the insulating film 20 at positions corresponding to the pixel regions by pressing the transfer mold onto the surface of the insulating film 20. The plurality of recesses 26 formed on the surface of the insulating film 20 give a predetermined surface recess shape 28 to the pixel electrode 11 as shown in FIG. 5, and the plurality of recesses 27 formed in the pixel electrode 11 provide a liquid crystal panel. A part of the incident light is scattered, and a diffuse reflection function is provided so that a brighter display can be obtained in a wider observation range. Further, as shown in FIG. 5, the concave portions 27 are arranged closely so that adjacent ones on the left and right sides are adjacent to each other with a part of the inner surface on the opening side being continuous.

これらの凹部27の内面は、この実施形態では球面状に形成され、画素電極11に所定角度(例えば30°)で入射した光の拡散反射光の輝度分布がその正反射角度を中心として広い範囲で略対称となるようになっている。具体的には、図6に示すように凹部27の内面の傾斜角θgは、例えば−18°〜+18°の範囲に設定されている。また、隣接する凹部27のピッチはランダムとなるように配置されており、凹部27の配列に起因するモアレの発生を防止できるようになっている。
また、製造の容易性から凹部27の直径は5μm〜100μmに設定されている。さらに、凹部27の深さは0.1μm〜3μmの範囲に形成されている。
なお、図4に示す画素電極11の平面形状では図面の簡略化のために画素電極11上の凹部27を略しているが、画素電極11は通常の液晶パネルでは縦100〜200μm程度、横幅30〜90μm程度の大きさであるので、先の凹部27の画素電極11に対する相対的な大きさの一例を図4の1つの画素上に鎖線で示しておく。
The inner surfaces of these concave portions 27 are formed in a spherical shape in this embodiment, and the luminance distribution of diffusely reflected light incident on the pixel electrode 11 at a predetermined angle (for example, 30 °) has a wide range around the regular reflection angle. It is designed to be almost symmetrical. Specifically, as shown in FIG. 6, the inclination angle θg of the inner surface of the recess 27 is set, for example, in the range of −18 ° to + 18 °. Further, the pitches of the adjacent concave portions 27 are arranged to be random, and the generation of moire due to the arrangement of the concave portions 27 can be prevented.
Moreover, the diameter of the recessed part 27 is set to 5 micrometers-100 micrometers from the ease of manufacture. Furthermore, the depth of the recess 27 is formed in the range of 0.1 μm to 3 μm.
Note that, in the planar shape of the pixel electrode 11 shown in FIG. 4, the concave portion 27 on the pixel electrode 11 is omitted for simplification of the drawing, but the pixel electrode 11 is about 100 to 200 μm in length and 30 in width in a normal liquid crystal panel. Since the size is about 90 μm, an example of the relative size of the concave portion 27 with respect to the pixel electrode 11 is indicated by a chain line on one pixel in FIG.

ここで、「凹部27の深さ」とは凹部27が形成されていない部分の画素電極11の表面から凹部27の底部までの距離をいい、「隣接する凹部27のピッチ」とは平面視したときに円形形状を有する凹部27の中心間距離をいう。また、「凹部27の内面の傾斜角」とは、図6に示すように、凹部27の内面の任意の箇所において0.5μm幅の微小な範囲をとったときに、その微小範囲内における斜面の水平面(基板本体6の表面)に対する角度θgのことである。この角度θgの正負は、凹部27が形成されていない部分の画素電極11の表面に立てた法線に対し、例えば図6における右側の斜面を正、左側の斜面を負と定義する。 そして、上述のように構成された基板本体6上には、更に画素電極11及び絶縁層20と窪部22と凹部27を覆うようにラビング等の所定の配向処理が施されたポリイミド等からなる下基板側配向膜29が形成されている。この下基板側配向膜29は、透過部30上に形成する部分と、反射部35上に形成する部分とで異なる配向処理が施されたもので、透過部30の液晶層側の面に形成された透過部配向膜29aと、反射部35の液晶層側の面に形成された反射部配向膜29bとから構成されている。   Here, the “depth of the concave portion 27” means the distance from the surface of the pixel electrode 11 where the concave portion 27 is not formed to the bottom portion of the concave portion 27, and “the pitch of the adjacent concave portions 27” is a plan view. The distance between centers of the concave portions 27 having a circular shape is sometimes referred to. The “inclination angle of the inner surface of the concave portion 27” means, as shown in FIG. 6, when a small range having a width of 0.5 μm is taken at an arbitrary position on the inner surface of the concave portion 27, The angle θg with respect to the horizontal plane (the surface of the substrate body 6). For example, the right slope in FIG. 6 is defined as positive and the left slope in FIG. 6 is defined as negative with respect to the normal line standing on the surface of the pixel electrode 11 where the recess 27 is not formed. The substrate body 6 configured as described above is made of polyimide or the like that has been subjected to a predetermined alignment process such as rubbing so as to cover the pixel electrode 11, the insulating layer 20, the recess 22, and the recess 27. A lower substrate side alignment film 29 is formed. The lower substrate-side alignment film 29 is formed on the surface of the transmissive portion 30 on the liquid crystal layer side because different alignment treatments are performed on the portion formed on the transmissive portion 30 and the portion formed on the reflective portion 35. The transmissive portion alignment film 29a and the reflection portion alignment film 29b formed on the surface of the reflection portion 35 on the liquid crystal layer side.

一方、対向基板3はカラーフィルタアレイ基板として構成され、ガラスやプラスチック等からなる透光性の基板本体41の液晶層5側の面に、図1に示すようなカラーフィルタ層42が形成されている。
これら構成のカラーフィルタ層42は、図7に例示するように、それぞれ赤(R)、緑(G)、青(B)の波長の光を透過するカラーフィルタ42R、42G、42Bが周期的に配列された構成とされており、各カラーフィルタ42R、42G、42Bは各画素電極11に対向する位置に設けられている。
また、カラーフィルタ層42において、カラーフィルタ42R、42G,42Bが形成されていない領域には、ブラックマトリクス等の遮光層42S、42Tが格子状になるように形成されている。
On the other hand, the counter substrate 3 is configured as a color filter array substrate, and a color filter layer 42 as shown in FIG. 1 is formed on the surface of the translucent substrate body 41 made of glass, plastic or the like on the liquid crystal layer 5 side. Yes.
As illustrated in FIG. 7, the color filter layer 42 having these configurations includes color filters 42R, 42G, and 42B that transmit light of wavelengths of red (R), green (G), and blue (B), respectively, periodically. The color filters 42R, 42G, and 42B are provided at positions facing the pixel electrodes 11.
In the color filter layer 42, light shielding layers 42S and 42T such as a black matrix are formed in a lattice pattern in regions where the color filters 42R, 42G, and 42B are not formed.

そして、上述のカラーフィルタ層42の液晶層側には、ITO等の透明な対向電極(共通電極)43と上基板側配向膜44が形成されている。上基板側配向膜44は、ラビング等の所定の配向処理が施されたポリイミド等からなるものである。   A transparent counter electrode (common electrode) 43 such as ITO and an upper substrate side alignment film 44 are formed on the liquid crystal layer side of the color filter layer 42 described above. The upper substrate side alignment film 44 is made of polyimide or the like that has been subjected to a predetermined alignment process such as rubbing.

そして、上述のように構成された基板2、3は、スペーサ(図示略)によって互いに一定に離間された状態で保持されるとともに、図2に示すように基板周辺部に矩形枠状に塗布された熱硬化性のシール材45によって接着一体化されている。そして、基板2、3及びシール材45によって密閉された空間に液晶が封入されて光変調層としての液晶層5が形成され、液晶パネル1が構成されている。 なお、図2においては図面の簡略化のために、基板2の液晶側の種々の層と配線並びに基板3の液晶側の種々の層を略して記載し、配向膜29、44の位置関係のみを示した。
なお、基板本体41の外面側には図1に示すように偏光板H1、位相差板H2、H3が必要に応じて設けられる。
The substrates 2 and 3 configured as described above are held in a state of being spaced apart from each other by a spacer (not shown) and are applied in a rectangular frame shape around the substrate as shown in FIG. The thermosetting sealing material 45 is bonded and integrated. Then, liquid crystal is sealed in a space sealed by the substrates 2 and 3 and the sealing material 45 to form a liquid crystal layer 5 as a light modulation layer, and the liquid crystal panel 1 is configured. In FIG. 2, for simplification of the drawing, various layers and wirings on the liquid crystal side of the substrate 2 and various layers on the liquid crystal side of the substrate 3 are abbreviated and only the positional relationship between the alignment films 29 and 44 is shown. showed that.
As shown in FIG. 1, a polarizing plate H1 and retardation plates H2 and H3 are provided on the outer surface side of the substrate body 41 as necessary.

本実施形態の半透過型液晶表示装置Aでは、上記のように絶縁膜20に凹部画素電極11に形成した透孔23の下に位置する絶縁膜20に窪部22を形成し、この窪部22内にも液晶が導入されることにより、透過部30上の液晶層5(透過表示領域の液晶層と呼ぶこともある。)の厚さdは、反射部35上の液晶層5(反射表示領域の液晶層と呼ぶこともある。)の厚さdより大きい値とされており、好ましくは透過部30上の液晶層5の厚さdは、反射部35上の液晶層5の厚さdの2倍の値とされている。 In the transflective liquid crystal display device A of the present embodiment, the recess 22 is formed in the insulating film 20 located below the through hole 23 formed in the recessed pixel electrode 11 in the insulating film 20 as described above. Since the liquid crystal is also introduced into the liquid crystal layer 22, the thickness d 3 of the liquid crystal layer 5 on the transmissive portion 30 (also referred to as a liquid crystal layer in the transmissive display region) may be set to the liquid crystal layer 5 on the reflective portion 35 ( The thickness d 3 of the liquid crystal layer 5 on the transmissive part 30 is preferably larger than the thickness d 4 of the liquid crystal layer of the reflective display area. It is set to a value twice the thickness d 4 of 5.

上記のように透過部30上の液晶層5の厚さdと、反射部35上の液晶層5の厚さdは、異なる値であるので、透過部30上に形成される透過部配向膜29aと反射部35上に形成される反射部配向膜29bは液晶層5の厚さに応じてプレティルト角が変更されている。本実施形態のように透過部30上の液晶層5の厚さdは反射部35上の液晶層5の厚さdより大きい値とされている場合、透過部30上に形成される透過部配向膜29aとしては液晶との相互作用が弱い配向膜が形成され、反射部35上に形成される反射部配向膜29bとしては液晶との相互作用が強い配向膜が形成され、あるいは透過部配向膜29aとしてプレティルト角が大きい配向膜が形成され、反射部配向膜29bとしてプレティルト角が小さい配向膜が形成されていてもよい。
最も単純な構成としては、例えば、“主鎖型”の配向膜では、ラビングのかかり具合が強いと液晶プレティルト角が小さくなるものがあり、この様な配向膜を用いると実現できる。
As described above, since the thickness d 3 of the liquid crystal layer 5 on the transmissive part 30 and the thickness d 4 of the liquid crystal layer 5 on the reflective part 35 are different values, the transmissive part formed on the transmissive part 30. The pretilt angle of the alignment film 29 a formed on the alignment film 29 a and the reflection part 35 is changed according to the thickness of the liquid crystal layer 5. When the thickness d 3 of the liquid crystal layer 5 on the transmissive part 30 is larger than the thickness d 4 of the liquid crystal layer 5 on the reflective part 35 as in this embodiment, the liquid crystal layer 5 is formed on the transmissive part 30. An alignment film having a weak interaction with the liquid crystal is formed as the transmission part alignment film 29a, and an alignment film having a strong interaction with the liquid crystal is formed as the reflection part alignment film 29b formed on the reflection part 35, or the transmission film. An alignment film with a large pretilt angle may be formed as the partial alignment film 29a, and an alignment film with a small pretilt angle may be formed as the reflective alignment film 29b.
As the simplest configuration, for example, in a “main chain type” alignment film, there is a liquid crystal pretilt angle that decreases when the degree of rubbing is strong, and this alignment film can be realized.

透過部配向膜29aと反射部配向膜29bを備えた下基板側配向膜29の形成方法としては、例えば、ポリイミドや、ポリアミド等の配向膜材料からなる膜にラビング処理して配向膜とし、ついでこの配向膜に選択的に光ビームを照射すると、光ビームが照射された部分の配向力は、UV光等の光ビームが照射されない部分の配向力と異ならせることができ、光ビームが照射された部分と非照射部とでプレティルト角が異なる配向膜を形成することが可能である。
また、光ビームとしてレーザー光なども利用可能である。即ち、配向膜材料は有機化合物であり、赤外域の光の吸収を有することから、光エネルギーを制御することにより、配向膜材料からなる膜を部分的に変性することができる。
予めラビング処理された配向膜は、ラビング布パイルによる剪断力によりミクロ的にラビング方向に延伸され、ミクロな結晶領域が配向しているので、レーザービームを選択的に照射することにより、このミクロ配向領域が熱運動で部分的に緩和され照射エネルギーの量に応じて配向力が変化する。
本実施形態では、例えば、透過部30上の配向膜にエネルギーを制御したレーザービームを照射することにより、配向膜の配向規制力(又はプレティルト角)を調整している。そのレーザービームのエネルギーは、セルギャップが実質的に異なっている反射部上の液晶層(反射表示領域の上下の基板間)と透過部上の液晶層(透過表示領域の上下の基板間)とで、電気光学的しきい値等の電圧特性がが略同一になるように制御される必要がある。
As a method for forming the lower substrate side alignment film 29 including the transmission part alignment film 29a and the reflection part alignment film 29b, for example, an alignment film is formed by rubbing a film made of an alignment film material such as polyimide or polyamide. When this alignment film is selectively irradiated with a light beam, the alignment force of the portion irradiated with the light beam can be different from the alignment force of the portion not irradiated with the light beam such as UV light, and the light beam is irradiated. It is possible to form alignment films having different pretilt angles between the non-irradiated part and the non-irradiated part.
Further, a laser beam or the like can be used as the light beam. That is, since the alignment film material is an organic compound and absorbs light in the infrared region, the film made of the alignment film material can be partially modified by controlling the light energy.
The alignment film that has been rubbed in advance is stretched in the rubbing direction microscopically by the shearing force of the rubbing cloth pile, and the micro crystalline region is oriented. The region is partially relaxed by thermal motion, and the orientation force changes according to the amount of irradiation energy.
In this embodiment, for example, the alignment regulating force (or pretilt angle) of the alignment film is adjusted by irradiating the alignment film on the transmission part 30 with a laser beam with controlled energy. The energy of the laser beam is such that the liquid crystal layer on the reflective part (between the upper and lower substrates in the reflective display area) and the liquid crystal layer on the transmissive part (between the upper and lower substrates in the transmissive display area) with substantially different cell gap Therefore, it is necessary to control the voltage characteristics such as the electro-optical threshold value so as to be substantially the same.

図10は、上下の配向膜共に同様の配向処理が施され、また、下側配向膜において反射部上の部分と透過部上の部分は同じ配向処理が施されたマルチギャップタイプの液晶パネル(試験片1)のセルギャップあるいは液晶層厚dに対する電気光学的閾値(V10、V50)の変化を模式的に示したものである。例えば、ノーマリホワイトモードでは、V10は輝度が最高値から10%低下するときの電圧値、V50は輝度が最高値から50%低下するときの電圧である。
図10に示す結果からV10、V50は、セルギャップが大きくなるにつれて増加する傾向があることがわかる。
FIG. 10 shows a multi-gap type liquid crystal panel in which the upper and lower alignment films are subjected to the same alignment process, and the lower alignment film is subjected to the same alignment process on the reflection part and the transmission part. the change in the electro-optical threshold (V 10, V 50) with respect to the cell gap or liquid crystal layer thickness d of the test piece 1) illustrates schematically. For example, in the normally white mode, V 10 is the voltage value when the 10% decrease from the maximum value is brightness, V 50 is the voltage at which 50% reduction from the maximum value is the luminance.
From the results shown in FIG. 10, it can be seen that V 10 and V 50 tend to increase as the cell gap increases.

図11は、下側配向膜において反射部上の部分と透過部上の部分は異なる配向処理が施されたマルチギャップタイプの液晶パネル(試験片2)の透過表示領域の液晶層(セルギャップが大きい部分)と反射表示領域の液晶層(セルギャップが小さい部分)のそれぞれにおいてプレティルト角θpに対する電気光学的閾値(V10、V50)の変化を模式的に示したものである。
いずれのセルギャップにおいても、あるプレティルト角の範囲内では、プレティルト角がある大きさになるまでは低下する傾向がある。プレティルト角が同じ大きさの場合、電気光学的閾値はセルギャップが大きい程大きくなっている。
従って反射部35上に設ける反射部配向膜はプレティルト角θrefを小さくなるようように形成すると閾値を上げることができ、透過部30上に設ける透過部配向膜はプレティルト角θperを大きくなるように設定すると閾値を下げることができ、反射部35と透過部30とで電気光学的閾値を略同じ値に設定可能となる。
この閾値の変化と、光学的な条件設定とを併用することにより、反射表示領域と透過表示領域の電気光学的閾値を略同じにでき、反射及び透過モードでの表示視認性を向上できる。この様な効果は、駆動電圧に対する制約条件の多い単純マトリックス型の液晶表示モードでは特に有効である。
なお、上基板側配向膜44、下基板側配向膜29に用いられる材料としては、上記のような有機材料に限らず、無機配向膜であってもよく、その場合、下基板側配向膜29を構成する透過部配向膜29aと反射部配向膜29bは、液晶層5の厚さに応じてプレティルト角が変更されるか、あるいは液晶層5の厚さに応じて液晶との相互作用が異なるものが用いられる。
FIG. 11 shows a liquid crystal layer (cell gap of a transmissive display region) of a multi-gap type liquid crystal panel (test piece 2) in which a portion on the reflective portion and a portion on the transmissive portion are subjected to different alignment treatments in the lower alignment film. in which the change in the electro-optical threshold (V 10, V 50) schematically showing for pretilt angle θp in each large part) and the liquid crystal layer in the reflective display region (partial cell gap is small).
In any cell gap, there is a tendency that within a certain pretilt angle range, the pretilt angle decreases until it reaches a certain size. When the pretilt angle is the same, the electro-optic threshold value increases as the cell gap increases.
Therefore, when the reflective part alignment film provided on the reflective part 35 is formed so as to reduce the pretilt angle θref, the threshold value can be increased, and the transmissive part alignment film provided on the transmissive part 30 is set so as to increase the pretilt angle θper. Then, the threshold value can be lowered, and the electro-optic threshold value can be set to substantially the same value in the reflection part 35 and the transmission part 30.
By using this change in threshold value and optical condition setting in combination, the electro-optic threshold values of the reflective display area and the transmissive display area can be made substantially the same, and display visibility in the reflective and transmissive modes can be improved. Such an effect is particularly effective in a simple matrix type liquid crystal display mode with many constraints on the drive voltage.
The material used for the upper substrate side alignment film 44 and the lower substrate side alignment film 29 is not limited to the organic material as described above, and may be an inorganic alignment film. The transmissive portion alignment film 29a and the reflective portion alignment film 29b constituting the liquid crystal have different pretilt angles depending on the thickness of the liquid crystal layer 5, or different interactions with the liquid crystal depending on the thickness of the liquid crystal layer 5. Things are used.

この実施形態のバックライト4は、図2に示すように、液晶パネル1の背面側に設けられ、平板状の透明なアクリル樹脂などからなる透明導光板52と光源53と拡散性反射体55と保持部材58とから概略構成されている。バックライト4において、光源53は、導光板52に光を導入する端面52a側に配設されており、拡散性反射体55は導光板52の出射面(上面、一方の面)52b側と反対側の面(下面、他方の面)に空気層56を介して設けられている。
導光板52は、液晶パネル1の背面側に配置されて光源53から出射された光を液晶パネル1側に照射するものである。図2に示すように光源53から出射される光は端面52aを介して導光板52の内部に導入され、導光板52の出射面52bから液晶パネル1側に出射されるようになっている。
また、導光板52の出射面52bと反対側の面52cには段部を形成することで、光源53から離れるにしたがって漸次厚みが減少するようにされており、すなわち光源53に遠い側の方が光源53に近い側よりも薄くされている。
As shown in FIG. 2, the backlight 4 of this embodiment is provided on the back side of the liquid crystal panel 1 and includes a transparent light guide plate 52, a light source 53, and a diffusive reflector 55 made of a flat transparent acrylic resin. The holding member 58 is generally configured. In the backlight 4, the light source 53 is disposed on the end surface 52 a side that introduces light into the light guide plate 52, and the diffusive reflector 55 is opposite to the emission surface (upper surface, one surface) 52 b side of the light guide plate 52. It is provided on the side surface (lower surface, the other surface) via an air layer 56.
The light guide plate 52 is disposed on the back side of the liquid crystal panel 1 and irradiates the light emitted from the light source 53 to the liquid crystal panel 1 side. As shown in FIG. 2, the light emitted from the light source 53 is introduced into the light guide plate 52 through the end face 52a, and is emitted from the light emission surface 52b of the light guide plate 52 to the liquid crystal panel 1 side.
Further, a step portion is formed on the surface 52 c opposite to the light exit surface 52 b of the light guide plate 52, so that the thickness gradually decreases as the distance from the light source 53 increases. Is made thinner than the side closer to the light source 53.

光源53は、長尺の冷陰極管53aと、この冷陰極管53aの周囲に設けられた反射板53bから構成されている。拡散性反射体55は、例えば先の液晶パネル1において適用されていた絶縁膜20とその上に形成されていた複数の凹部27と画素電極11と同等の拡散反射構造が適用されている。
即ち、基板59の上に有機膜60が形成され、該有機膜60の表面に微小凹部が複数形成され、その上に光反射性を有するAlやAgなどの金属製の反射膜61が形成されてこの反射膜61の表面に複数の微小凹部61dが形成され、先に図5を基に説明した構造と同様に広い角度範囲で明るい拡散反射性能を発揮し得るものである。
このような構成のバックライト4であるならば、光源53からの光を導光板52によって液晶パネル1側に導いて液晶パネル1を裏面側から照明できるとともに、光の進行方向により、導光板52の背面側からの漏れた光を反射膜61で再度効率よく反射させて導光板52側に反射し、導光板52を介して液晶パネル1側に反射できるので、より明るいバックライト4を得ることができる。
The light source 53 includes a long cold cathode fluorescent lamp 53a and a reflector 53b provided around the cold cathode fluorescent lamp 53a. For the diffusive reflector 55, for example, a diffuse reflection structure equivalent to the insulating film 20 applied in the previous liquid crystal panel 1, the plurality of recesses 27 formed thereon, and the pixel electrode 11 is applied.
That is, the organic film 60 is formed on the substrate 59, a plurality of minute recesses are formed on the surface of the organic film 60, and the reflective film 61 made of metal such as Al or Ag having light reflectivity is formed thereon. A plurality of minute recesses 61d are formed on the surface of the reflecting film 61, and can exhibit a bright diffuse reflection performance in a wide angular range as in the structure described above with reference to FIG.
If it is the backlight 4 of such a structure, while the light from the light source 53 can be guide | induced to the liquid crystal panel 1 side by the light guide plate 52, the liquid crystal panel 1 can be illuminated from a back surface side, and the light guide plate 52 is based on the advancing direction of light. The light leaked from the back side of the light is efficiently reflected again by the reflection film 61 and reflected to the light guide plate 52 side, and can be reflected to the liquid crystal panel 1 side through the light guide plate 52, so that a brighter backlight 4 is obtained. Can do.

以上説明のごとく構成されたバックライト4を備えた液晶パネル1は、明るい屋外や照明が施された明るい室内において使用する場合は、反射表示形態の液晶パネルとしてバックライト4を点灯することなく利用する。ここで液晶パネル1に入射された外光は基板3側の各層を通過して液晶層5を通過し、光拡散反射性の複数の画素電極11(反射部35)により反射され、再度液晶層5を通過して基板3側の各層を通過し、観察者の目に到達する。そして、この間に各画素領域毎の画素電極11に薄膜トランジスタ10から通電して画素電極11上の液晶分子の配向制御を行い、各画素領域毎の表示状態を制御して表示を行うことができる。
また、暗い場所において透過表示形態で使用するには、バックライト4の光源53を点灯し、光源53から導光板52の内部に導かれた光を出射面52bから液晶パネル1側に出射する。ここでバックライト4から液晶パネル1側に出射された光は、窪部22(透過部30)を透過し、さらにこの窪部22に対応して設けられている透孔11aを介して透過し、液晶層5を通過し、基板3側の各層を透過して観察者に至る。これにより透過表示状態を得ることができる。
The liquid crystal panel 1 having the backlight 4 configured as described above is used without turning on the backlight 4 as a liquid crystal panel in a reflective display form when used in a bright outdoor or bright room with illumination. To do. Here, external light incident on the liquid crystal panel 1 passes through each layer on the substrate 3 side, passes through the liquid crystal layer 5, is reflected by the plurality of pixel electrodes 11 (reflecting portions 35) having light diffusivity, and is again liquid crystal layer. 5 passes through each layer on the substrate 3 side and reaches the eyes of the observer. During this period, the pixel electrode 11 in each pixel region can be energized from the thin film transistor 10 to control the orientation of the liquid crystal molecules on the pixel electrode 11, and display can be performed by controlling the display state in each pixel region.
In order to use in a transmissive display form in a dark place, the light source 53 of the backlight 4 is turned on, and the light guided from the light source 53 to the inside of the light guide plate 52 is emitted from the emission surface 52b to the liquid crystal panel 1 side. Here, the light emitted from the backlight 4 to the liquid crystal panel 1 side passes through the recess 22 (transmission portion 30), and further passes through the through hole 11a provided corresponding to the recess 22. Then, it passes through the liquid crystal layer 5 and passes through each layer on the substrate 3 side to reach the observer. Thereby, a transmissive display state can be obtained.

先の反射表示状態で使用する場合、液晶パネル1に入射されて反射される外光は2度液晶層5を通過する。ここで画素電極11が形成されている領域におけるΔn・d(リタデーション)の値は200〜250nmの範囲に設定されているので、反射表示状態として好ましい範囲である。また、先の透過表示状態で使用する場合、バックライト4から液晶パネル1に入射されて観察者に至る光は液晶層5を1度のみ通過する。ここで絶縁膜に20に窪部22を形成した領域はΔn・d(リタデーション)の値を400〜450nmの範囲に設定しているので、反射部と共通の光学条件の設定によって透過表示状態の表示も優れさせることができる。
よって本実施形態の構造を採用するならば、表示状態に応じて色みや色合いの異なる表示状態とはならず、しかも同一画素領域内で透過部30上の液晶層と反射部35上の液晶層の駆動電圧印加時の電圧依存性(光学的閾値、飽和電圧、急峻性等)を略同じに揃えることができるので、透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善できるという特徴を有する。
When used in the previous reflective display state, external light incident on and reflected by the liquid crystal panel 1 passes through the liquid crystal layer 5 twice. Here, since the value of Δn · d (retardation) in the region where the pixel electrode 11 is formed is set in the range of 200 to 250 nm, it is a preferable range for the reflective display state. Further, when used in the previous transmissive display state, light that enters the liquid crystal panel 1 from the backlight 4 and reaches the observer passes through the liquid crystal layer 5 only once. Here, in the region where the recess 22 is formed in the insulating film 20, the value of Δn · d (retardation) is set in the range of 400 to 450 nm. The display can also be improved.
Therefore, if the structure of the present embodiment is adopted, the display state with different colors and shades does not change depending on the display state, and the liquid crystal layer on the transmissive part 30 and the liquid crystal layer on the reflective part 35 within the same pixel region. Since the voltage dependency (optical threshold, saturation voltage, steepness, etc.) at the time of applying the driving voltage can be made substantially the same, it is possible to improve the difference in display visibility between the transmissive display mode and the reflective display mode. It has the characteristics.

次に、本発明に係る半透過型液晶表示装置に適用される光反射性の画素電極に形成する凹部形状の第2の例について、図8〜図9を用いて説明する。
図8はこの例に係る画素電極上の一つの凹部を示す斜視図、図9は該凹部のy方向断面図である。
本変形例に係る凹部70は、先の第1実施形態の液晶パネル1における画素電極11の凹部27の内面の球面形状を一部変形したものであり、画素電極11に所定角度(例えば30°)で入射した光の拡散反射光の輝度分布がその正反射角度を中心として非対称となるように構成されている。
具体的には、本凹部70は曲率の小さい第1曲面と曲率の大きい第2曲面とから構成され、第1曲面及び第2曲面はそれぞれ図9に示すY方向断面において凹部70の一方の周辺部S1から最深点Dに至る第1曲線A1と、第1曲線A1になだらかに連続して凹部70の最深点Dから他方の周辺部S2に至る第2曲線B1とで示される形状を有している。
Next, a second example of the concave shape formed in the light-reflective pixel electrode applied to the transflective liquid crystal display device according to the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 8 is a perspective view showing one recess on the pixel electrode according to this example, and FIG. 9 is a sectional view in the y direction of the recess.
The concave portion 70 according to this modification is a partial modification of the spherical shape of the inner surface of the concave portion 27 of the pixel electrode 11 in the liquid crystal panel 1 of the first embodiment, and the pixel electrode 11 has a predetermined angle (for example, 30 °). The luminance distribution of the diffusely reflected light of the light incident on (1) is asymmetric with respect to the regular reflection angle.
Specifically, the concave portion 70 is composed of a first curved surface having a small curvature and a second curved surface having a large curvature, and the first curved surface and the second curved surface are each one periphery of the concave portion 70 in the Y-direction cross section shown in FIG. A first curve A1 extending from the part S1 to the deepest point D, and a second curve B1 extending gently from the deepest point D of the recess 70 to the other peripheral part S2 in a continuous manner. ing.

この最深点Dは凹部70の中心Oからy方向側にずれた位置にあり、基板6の水平面に対する第1曲線A1の傾斜角及び第2曲線B1の傾斜角の絶対値の平均値はそれぞれ1°〜89°、0.5°〜88°の各範囲で不規則にばらついて設定され、第1曲線A1の傾斜角の平均値は第2曲線B1のものに比べて大きくなっている。また、最大傾斜角を示す第1曲線A1の周辺部S1における傾斜角δaは凹部70において概ね4°〜35°の範囲内で不規則にばらついている。これにより、各凹部70の深さdは0.25μm〜3μmの範囲内で不規則にばらついて構成されている。   This deepest point D is at a position shifted from the center O of the recess 70 in the y direction, and the average of the absolute values of the inclination angle of the first curve A1 and the second curve B1 with respect to the horizontal plane of the substrate 6 is 1 respectively. It is set to vary irregularly in the respective ranges of ° to 89 ° and 0.5 ° to 88 °, and the average value of the inclination angle of the first curve A1 is larger than that of the second curve B1. In addition, the inclination angle δa in the peripheral portion S1 of the first curve A1 indicating the maximum inclination angle varies irregularly within the range of approximately 4 ° to 35 ° in the recess 70. Thereby, the depth d of each recessed part 70 is comprised irregularly within the range of 0.25 micrometer-3 micrometers.

したがって、光反射性の画素電極に形成する凹部形状を図8〜図9に示した凹部70にした半透過反射型液晶表示装置においても、第1の実施形態と同様の効果が得られる他、画素電極の凹部を構成する第1曲面と第2曲面とを最深点Dに関して非対称に構成し反射光に指向性を持たせているため、特定の観察方向の表示の明るさを更に高めて反射光を有効利用することができる。   Therefore, in the transflective liquid crystal display device in which the recess shape formed in the light-reflective pixel electrode is the recess 70 shown in FIGS. 8 to 9, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Since the first curved surface and the second curved surface constituting the concave portion of the pixel electrode are asymmetric with respect to the deepest point D and the reflected light has directivity, the brightness of the display in a specific observation direction is further enhanced and reflected. Light can be used effectively.

図12は本発明に係る先の実施形態の液晶表示装置を備えた携帯電話機器(電子機器)の一例を示すもので、この例の携帯電話機器Kは偏平型のケース体90の上部正面側中央に形成した窓部91から液晶表示装置Aの液晶パネル1の表示面が露出するように液晶パネル1が設けられ、ケース体90の下部表面側に操作ボタン92が複数配列形成されている。
この構成の携帯電話機器は、明るい室内や屋外では反射表示形態で使用し、暗い室内や夜間ではバックライトを点灯して透過表示状態で使用することができる。また、先の実施形態の液晶表示装置Aを備えているので、反射表示状態と透過表示状態で色合いや色味が異なることがなく、しかも透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善でき、いずれの表示状態でも表示品質の高い液晶表示が得られる。
FIG. 12 shows an example of a mobile phone device (electronic device) provided with the liquid crystal display device of the previous embodiment according to the present invention. The mobile phone device K in this example is an upper front side of a flat type case body 90. The liquid crystal panel 1 is provided so that the display surface of the liquid crystal panel 1 of the liquid crystal display device A is exposed from the window portion 91 formed in the center, and a plurality of operation buttons 92 are arranged on the lower surface side of the case body 90.
The cellular phone device having this configuration can be used in a reflective display form in a bright room or outdoors, and can be used in a transmissive display state by turning on a backlight in a dark room or at night. In addition, since the liquid crystal display device A of the previous embodiment is provided, there is no difference in hue and color between the reflective display state and the transmissive display state, and the display visibility is different between the transmissive display mode and the reflective display mode. The difference can be improved, and a liquid crystal display with high display quality can be obtained in any display state.

図13は本発明に係る先の実施形態の液晶表示装置を備えた携帯型情報端末機器(電子機器)の一例を示すもので、この例の携帯型情報端末機器Jは偏平型のケース体95、96が折り畳み自在にヒンジ結合され、一方のケース体95に形成された窓部97から液晶表示装置Aの液晶パネル1の表示面が露出するように設けられ、他方のケース体96にキーボードスイッチ98が設けられて構成されてなる。
この構成の携帯型情報端末機器Jは、明るい室内や屋外では反射表示形態で使用し、暗い室内や夜間ではバックライトを点灯して透過表示状態で使用できる。また、先の実施形態の液晶表示装置Aを備えているので、反射表示状態と透過表示状態で色合いや色味が異なることがなく、しかも透過表示形態と反射表示形態とで表示の視認性が異なるのを改善でき、いずれの表示状態でも表示品質の高い液晶表示が得られる。
FIG. 13 shows an example of a portable information terminal device (electronic device) provided with the liquid crystal display device of the previous embodiment according to the present invention. The portable information terminal device J of this example is a flat case body 95. 96 are foldably hinged and provided so that the display surface of the liquid crystal panel 1 of the liquid crystal display device A is exposed from a window 97 formed in one case body 95, and a keyboard switch is connected to the other case body 96. 98 is provided.
The portable information terminal device J having this configuration can be used in a reflective display form in a bright room or outdoors, and can be used in a transmissive display state by turning on a backlight in a dark room or at night. In addition, since the liquid crystal display device A of the previous embodiment is provided, there is no difference in hue and color between the reflective display state and the transmissive display state, and the display visibility is different between the transmissive display mode and the reflective display mode. The difference can be improved, and a liquid crystal display with high display quality can be obtained in any display state.

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記のTFT10は逆スタガ型の構造に限定されず、正スタガ型のTFTであってもよい。また、スイッチング素子はTFTに限定されず、メタル層間に絶縁層を挟んでなるMIM(Metal Insulator Metal)構造の薄膜ダイオードであってもよい。このMIM構造の場合、対向基板側には短冊状の共通電極が複数形成されるので、共通電極は複数設けられる。
また、カラーフィルタ層42の形成される基板は対向基板3側に限定されず、基板2側にカラーフィルタ層42を設けてもよい。これに伴って、遮光層42Sは基板2と対向基板3のいずれかに形成されることになる。勿論、カラーフィルタ42R、42G、42Bと遮光層42Sとを別々の基板に設けてもよい。
さらに、上述の実施形態では遮光層42Sをストライプ状に形成しているが、カラーフィルタ42R、42G、42Bの周囲を囲むように格子状に形成しても良い。更にまた、画素電極11に形成する透孔23の形状は、長方形状に限らず円形状や楕円状あるいはその他の形状でも差し支えなく、その大きさや個数も特に制限されるものではない。
In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can implement in various deformation | transformation in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, the TFT 10 is not limited to an inverted stagger type structure, and may be a normal stagger type TFT. The switching element is not limited to a TFT, and may be a thin film diode having an MIM (Metal Insulator Metal) structure in which an insulating layer is sandwiched between metal layers. In the case of this MIM structure, since a plurality of strip-like common electrodes are formed on the counter substrate side, a plurality of common electrodes are provided.
The substrate on which the color filter layer 42 is formed is not limited to the counter substrate 3 side, and the color filter layer 42 may be provided on the substrate 2 side. Accordingly, the light shielding layer 42S is formed on either the substrate 2 or the counter substrate 3. Of course, the color filters 42R, 42G, and 42B and the light shielding layer 42S may be provided on different substrates.
Furthermore, although the light shielding layer 42S is formed in a stripe shape in the above-described embodiment, it may be formed in a lattice shape so as to surround the color filters 42R, 42G, and 42B. Furthermore, the shape of the through-hole 23 formed in the pixel electrode 11 is not limited to a rectangular shape, and may be a circular shape, an elliptical shape, or other shapes, and the size and the number thereof are not particularly limited.

上記実施形態においてはアクティブマトリクス方式の半透過型液晶表示装置において反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプの場合に本発明を適用した場合について説明したが、単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置において反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプの場合にも適用できる。
この単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置としては、対向配置された基板間に液晶が封入され、上記一方の基板の液晶層側の面に複数の透明電極が形成され、これら透明電極の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記他方の基板の液晶層側に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に光反射性の電極が複数形成され、上記光反射性の電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する上記絶縁膜に窪部が形成され、上記窪部内に上記基板間に存在する液晶が導入され、上記窪部形成部分が上記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、上記光透過性の電極の非透孔部が上記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、上記透過部上の液晶層厚と上記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、 上記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、上記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更された構成とすることができる。
In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the dual gap type in which the thickness of the liquid crystal layer is different between the reflective portion and the transmissive portion in the active matrix type transflective liquid crystal display device has been described. The present invention can also be applied to a dual gap type in which the thickness of the liquid crystal layer is different between the reflective portion and the transmissive portion in the transflective liquid crystal display device of the type.
In this simple matrix type transflective liquid crystal display device, a liquid crystal is sealed between opposing substrates, and a plurality of transparent electrodes are formed on the surface of the one substrate on the liquid crystal layer side. An alignment film is formed on the surface of the layer side, an insulating film is formed on the liquid crystal layer side of the other substrate, a plurality of light reflective electrodes are formed on the insulating film, and at least one of the light reflective electrodes is formed. A through-hole is formed in the portion, a recess is formed in the insulating film located under the through-hole, liquid crystal existing between the substrates is introduced into the recess, and the recess-forming portion is the other portion A transmission part that transmits incident light from the substrate side; a non-perforated part of the light transmissive electrode is a reflection part that reflects incident light from the one substrate side; and a liquid crystal layer on the transmission part The thickness is different from the thickness of the liquid crystal layer on the reflective part, and the reflective part and the transmissive part An alignment film is formed on the liquid crystal layer side surface of the liquid crystal layer, and the alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the reflection portion and the alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the transmission portion are the thickness of the liquid crystal layer. The pretilt angle can be changed according to the above.

単純マトリクス方式の液晶表示装置では、マルチプレクス駆動される為、駆動電圧を印加したときの透過部上の液晶層と上記反射部上の液晶層の閾値の差がより鋭敏に表示特性に表れ易いため、単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置においても液晶層の厚さ(セルギャップ)に応じて上記反射部の液晶層側の面に形成する配向膜と上記透過部の液晶層側の面に形成する配向膜のプレティルト角が変更することで、本発明の効果が大きい。   Since the simple matrix type liquid crystal display device is multiplex driven, the difference between the threshold values of the liquid crystal layer on the transmissive part and the liquid crystal layer on the reflective part when a driving voltage is applied is more sensitive to the display characteristics. Therefore, even in a simple matrix transflective liquid crystal display device, an alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the reflective portion and a surface of the transmissive portion on the liquid crystal layer side according to the thickness (cell gap) of the liquid crystal layer The effect of the present invention is great by changing the pretilt angle of the alignment film to be formed.

アクティブマトリクス方式又は単純マトリクス方式の半透過型液晶表示装置において反射部上と透過部上とで液晶層の厚みが異なるデュアルギャップタイプに適用でき、また、このようような半透過型液晶表示装置を備えた携帯電話機器や携帯型情報端末機器等の電子機器に適用できる。   The active matrix type or simple matrix type transflective liquid crystal display device can be applied to a dual gap type in which the thickness of the liquid crystal layer is different between the reflective portion and the transmissive portion, and such a transflective liquid crystal display device can be used. It can be applied to electronic devices such as mobile phone devices and portable information terminal devices.

図1は本発明に係る液晶表示装置に適用される液晶パネルの第1実施形態の要部断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part of a first embodiment of a liquid crystal panel applied to a liquid crystal display device according to the present invention. 図2は液晶パネルとバックライトを備えた本発明に係る液晶表示装置の第1実施形態の断面略図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a first embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention provided with a liquid crystal panel and a backlight. 図3は同液晶パネルの薄膜トランジスタ部分と透明電極の配置構成の一例を示す平面略図。FIG. 3 is a schematic plan view showing an example of an arrangement configuration of a thin film transistor portion and a transparent electrode of the liquid crystal panel. 図4は同液晶パネルの画素電極部分を示す平面略図である。FIG. 4 is a schematic plan view showing a pixel electrode portion of the liquid crystal panel. 図5は同液晶パネルの画素電極部分に形成されている窪部の形状を示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing the shape of a recess formed in a pixel electrode portion of the liquid crystal panel. 図6は同液晶パネルの画素電極部分に形成されている窪部の断面形状を示す説明図。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a cross-sectional shape of a recess formed in a pixel electrode portion of the liquid crystal panel. 図7は同液晶パネルに備えられるカラーフィルタの一例を示す説明図。FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating an example of a color filter provided in the liquid crystal panel. 図8は同液晶パネルの画素電極部分に形成される凹部の第2の形状例を示す斜視図。FIG. 8 is a perspective view showing a second shape example of the recess formed in the pixel electrode portion of the liquid crystal panel. 図9は図8に示す凹部の断面形状を示す説明図。FIG. 9 is an explanatory view showing a cross-sectional shape of the recess shown in FIG. 図10は、液晶パネルのセルギャップあるいは液晶層厚に対する電気光学的閾値の変化を模式的に示す図。FIG. 10 is a diagram schematically showing changes in the electro-optical threshold with respect to the cell gap or the liquid crystal layer thickness of the liquid crystal panel. 図11は、液晶パネルのセルギャップが大きい部分と小さい部分のそれぞれにおいてプレティルト角に対する電気光学的閾値の変化を模式的に示す図。FIG. 11 is a diagram schematically showing changes in the electro-optic threshold with respect to the pretilt angle in each of a portion where the cell gap of the liquid crystal panel is large and a portion where the cell gap is small. 図12は本発明に係る液晶表示装置を備えた携帯電話装置の一例を示す斜視図。FIG. 12 is a perspective view showing an example of a cellular phone device provided with the liquid crystal display device according to the present invention. 図13は本発明に係る液晶表示装置を備えた携帯型情報端末機器の他の例を示す斜視図。FIG. 13 is a perspective view showing another example of a portable information terminal device including the liquid crystal display device according to the present invention. 図14は従来の半透過型液晶表示装置の例を示す要部断面図。FIG. 14 is a cross-sectional view of an essential part showing an example of a conventional transflective liquid crystal display device.

符号の説明Explanation of symbols

A・・・半透過型液晶表示装置、1・・・液晶パネル、2、3・・・基板、4・・・バックライト、5・・・液晶層、6・・・基板本体、7・・・走査線、8・・・信号線、10・・・薄膜トランジスタ、13・・・ゲート電極、15・・・ゲート絶縁膜、16・・・半導体層、17・・・ソース電極、18・・・ドレイン電極、19・・・透明電極、20・・・絶縁膜、20a・・・被覆層、21・・・コンタクトホール、22・・・窪部、22b・・・底部、23・・・透孔、25・・・導電部、26・・・凹部、27・・・凹部、29・・・下基板側配向膜、29a・・・透過部配向膜、29b・・・反射部配向膜、30・・・透過部、35・・・反射部、41・・・対向基板、42・・・カラーフィルタ、43・・・共通電極、44・・・上基板側配向膜、45・・・シール材(封止剤)、52・・・導光板、53・・・光源、d・・・透過表示領域の液晶層の厚さ、d・・・反射表示領域の液晶層の厚さ。 A ... transflective liquid crystal display device, 1 ... liquid crystal panel, 2, 3 ... substrate, 4 ... backlight, 5 ... liquid crystal layer, 6 ... substrate body, 7 ... Scan lines, 8 ... signal lines, 10 ... thin film transistors, 13 ... gate electrodes, 15 ... gate insulating films, 16 ... semiconductor layers, 17 ... source electrodes, 18 ... Drain electrode, 19 ... Transparent electrode, 20 ... Insulating film, 20a ... Cover layer, 21 ... Contact hole, 22 ... Recess, 22b ... Bottom, 23 ... Through-hole 25 ... conductive portion, 26 ... recess, 27 ... recess, 29 ... lower substrate side alignment film, 29a ... transmission portion alignment film, 29b ... reflection portion alignment film, 30. ..Transmission part, 35... Reflection part, 41 .. counter substrate, 42... Color filter, 43. · On the substrate side alignment film, 45 ... sealing material (sealant), 52 ... light guide plate, 53 ... light source, d 3, ... transmissive display region crystal layer thickness of, d 4 ... Thickness of the liquid crystal layer in the reflective display area.

Claims (5)

対向配置された基板間に液晶が封入され、前記一方の基板の液晶層側の面に共通電極が形成され、さらに該共通電極上に配向膜が形成され、前記他方の基板の液晶層側に複数のスイッチング素子が形成され、これらのスイッチング素子が絶縁膜に覆われ、該絶縁膜上に前記スイッチング素子と電気的に接続された光反射性の画素電極が複数形成される一方、前記画素電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する前記絶縁膜に窪部が形成され、該窪部の底部側に少なくとも位置するとともに前記スイッチング素子に電気的に接続された透明電極が、前記基板上に直接位置するように形成され、前記窪部内に前記基板間に存在する液晶が導入され、前記窪部形成部分が前記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、前記画素電極の非透孔部が前記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、前記透過部上の液晶層厚と前記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、
前記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と前記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更されてなり、前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、前記透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜が形成されてなることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
Liquid crystal is sealed between the substrates arranged opposite to each other, a common electrode is formed on the surface of the one substrate on the liquid crystal layer side, an alignment film is formed on the common electrode, and the liquid crystal layer side of the other substrate is formed. A plurality of switching elements are formed, these switching elements are covered with an insulating film, and a plurality of light-reflective pixel electrodes electrically connected to the switching elements are formed on the insulating film, while the pixel electrodes A through hole is formed in at least a part of the insulating film, and a recess is formed in the insulating film located below the through hole. The recess is located at the bottom side of the recess and is electrically connected to the switching element. A transparent electrode is formed so as to be directly positioned on the substrate, liquid crystal existing between the substrates is introduced into the recess, and the recess forming portion transmits the incident light from the other substrate side. And Serial is a reflection portion non-hole portions reflect incident light from the substrate side of the one pixel electrode, the liquid crystal layer thickness on the liquid crystal layer thickness and the reflecting portion on the transmissive portion is a different value,
An alignment film is formed on the liquid crystal layer side surface of the reflective part and the transmissive part, and an alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the reflective part and an alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the transmissive part The pretilt angle is changed according to the thickness of the liquid crystal layer, and the thickness of the liquid crystal layer on the transmissive portion is larger than the thickness of the liquid crystal layer on the reflective portion. A transflective liquid crystal display device , wherein an alignment film having a large pretilt angle is formed, and an alignment film having a small pretilt angle is formed on a surface of the reflective portion on the liquid crystal layer side .
対向配置された基板間に液晶が封入され、前記一方の基板の液晶層側の面に複数の透明電極が形成され、これら透明電極の液晶層側の面に配向膜が形成され、前記他方の基板の液晶層側に絶縁膜が形成され、該絶縁膜上に光反射性の電極が複数形成され、前記光反射性の電極の少なくとも一部に透孔が形成され、該透孔の下に位置する前記絶縁膜に窪部が形成され、前記窪部内に前記基板間に存在する液晶が導入され、前記窪部形成部分が前記他方の基板側からの入射光を透過する透過部とされ、前記光透過性の電極の非透孔部が前記一方の基板側からの入射光を反射する反射部とされ、前記透過部上の液晶層厚と前記反射部上の液晶層厚が異なる値とされ、
前記反射部及び透過部の液晶層側の面に配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面に形成された配向膜と前記透過部の液晶層側の面に形成された配向膜は液晶層の厚さに応じてプレティルト角が変更されてなり、前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、前記透過部の液晶層側の面にプレティルト角が大きい配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面にプレティルト角が小さい配向膜が形成されてなることを特徴とする半透過型液晶表示装置。
Liquid crystal is sealed between the substrates arranged opposite to each other, a plurality of transparent electrodes are formed on the surface of the one substrate on the liquid crystal layer side, an alignment film is formed on the surface of the transparent electrode on the liquid crystal layer side, and the other substrate An insulating film is formed on the liquid crystal layer side of the substrate, a plurality of light-reflective electrodes are formed on the insulating film, and a through hole is formed in at least a part of the light-reflective electrode. A recess is formed in the insulating film positioned, liquid crystal existing between the substrates is introduced into the recess, and the recess formation part is a transmission part that transmits incident light from the other substrate side, The non-perforated portion of the light transmissive electrode is a reflective portion that reflects incident light from the one substrate side, and the liquid crystal layer thickness on the transmissive portion is different from the liquid crystal layer thickness on the reflective portion. And
An alignment film is formed on the liquid crystal layer side surface of the reflective part and the transmissive part, and an alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the reflective part and an alignment film formed on the liquid crystal layer side surface of the transmissive part The pretilt angle is changed according to the thickness of the liquid crystal layer, and the thickness of the liquid crystal layer on the transmissive portion is larger than the thickness of the liquid crystal layer on the reflective portion. A transflective liquid crystal display device , wherein an alignment film having a large pretilt angle is formed, and an alignment film having a small pretilt angle is formed on a surface of the reflective portion on the liquid crystal layer side .
前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚より大きい値とされ、前記透過部の液晶層側の面に液晶との相互作用が弱い配向膜が形成され、前記反射部の液晶層側の面に液晶との相互作用が強い配向膜が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半透過型液晶表示装置。   The thickness of the liquid crystal layer on the transmissive part is larger than the thickness of the liquid crystal layer on the reflective part, and an alignment film having a weak interaction with the liquid crystal is formed on the liquid crystal layer side surface of the transmissive part. 3. The transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein an alignment film having a strong interaction with the liquid crystal is formed on the surface on the liquid crystal layer side. 前記透過部上の液晶層厚は前記反射部上の液晶層厚の2倍の値とされていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置。 4. The transflective liquid crystal display device according to claim 1, wherein a thickness of the liquid crystal layer on the transmissive portion is twice as large as a thickness of the liquid crystal layer on the reflective portion. 請求項1乃至のいずれか一項に記載の半透過型液晶表示装置を表示部に備えたことを特徴とする電子機器。 An electronic apparatus characterized by comprising a display unit a transflective liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 4.
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