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JP4379902B2 - Manufacturing method of optical waveguide device - Google Patents
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JP4379902B2 JP2000208580A JP2000208580A JP4379902B2 JP 4379902 B2 JP4379902 B2 JP 4379902B2 JP 2000208580 A JP2000208580 A JP 2000208580A JP 2000208580 A JP2000208580 A JP 2000208580A JP 4379902 B2 JP4379902 B2 JP 4379902B2
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信生 宮寺
亨 高橋
正利 山口
敏裕 黒田
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路に関し、特に、無機材料基板の上に搭載された樹脂製の光導波路に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年のパソコンやインターネットの普及に伴い、情報伝送需要が急激に増大している。このため、伝送速度の速い光伝送を、パソコン等の末端の情報処理装置まで普及させることが望まれている。これを実現するには、光インターコネクション用に、高性能な光導波路を、安価かつ大量に製造する必要がある。
【0003】
光導波路の材料としては、ガラスや半導体材料等の無機材料と、樹脂が知られている。無機材料により光導波路を製造する場合には、真空蒸着装置やスパッタ装置等の成膜装置により無機材料膜を成膜し、これを所望の導波路形状にエッチングすることにより製造する方法が用いられる。しかしながら、真空蒸着装置やスパッタ装置は、真空排気設備が必要であるため、装置が大型で高価である。また、真空排気工程が必要であるため工程が複雑になる。これに対し、樹脂によって光導波路を製造する場合には、成膜工程を、塗布と加熱により大気圧中で行うことができるため、装置および工程が簡単であるという利点がある。
【0004】
また、光導波路ならびにクラッド層を構成する樹脂としては、種々のものが知られているが、ガラス転移温度(Tg)が高く、耐熱性に優れるポリイミドが特に期待されている。ポリイミドにより光導波路およびクラッド層を形成した場合、長期信頼性が期待でき、半田付けにも耐えることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
樹脂製の光導波路は、一般的には、基板上に、樹脂製の下部クラッド層、光導波路層および上部クラッド層を積層することにより構成される。このような光導波路を量産するためには、基板としてウエハ状等の大きなのものを用い、多数の光導波路を基板上に配列して一度に成膜およびパターニングした後、基板をダイシング等により切り分けることにより、個々の光導波路デバイスとする手法を用いることができる。基板は、精度良く平滑な面を有するものが入手しやすいという点で、Si基板、石英基板、ガラス基板等の無機材料基板が用いられることが多い。これらの無機材料と樹脂とが積層された構造を、量産時にダイシングにより個々の光導波路デバイスに切り分ける場合、ダイシングブレードは、無機材料と樹脂層とを両方切断しなければならない。しかしながら、ダイシングブレードとして無機材料の切削に適した目の粗いものを用いると、樹脂がダイシングブレードの砥粒と砥粒との間に詰まり、切削面が荒れてしまうという問題が生じる。また、ダイシング時に樹脂層のクラッド層や光導波路層の切削面に、応力が集中し、さらに切削時には樹脂に力が加わるため端面からこれらの層が剥がれやすくなるという問題も生じる。一方、ダイシングブレードとして、樹脂層の切削に適したものを用いると、無機材料基板の切削が遂行できないという問題が生じる。
【0006】
また、樹脂製の光導波路の端面を研磨で仕上げる場合、研磨剤や異物が樹脂層の上面に付着したり、洗浄時に樹脂層の上面に傷が付く等の問題が発生している。
【0007】
本発明では、無機材料基板上に樹脂製光導波路を搭載した光導波路デバイスの製造方法であって、量産に適した光導波路デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、以下のような光導波路デバイスの製造方法が提供される。
【0009】
すなわち、無機材料基板の上面全体に、下部クラッド層を樹脂により形成する第1の工程と、
前記下部クラッド層の上に、樹脂製の予め定めた形状の光導波路(コア)を複数個縦横に配列して形成する第2の工程と、
前記基板の上面全体を覆う上部クラッド層を樹脂により形成する第3の工程と、前記縦横に配列された光導波路ごとに前記基板を切断することにより、個々の前記光導波路を切り離す第4の工程とを有し、
前記第3の工程と第4の工程との間に、前記第4の工程で切断される位置に沿って、前記下部クラッド層および上部クラッド層を前記基板上から帯状に除去する除去工程を行うことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について説明する。
【0011】
まず、本発明の第1の実施の形態の製造方法により製造される光導波路デバイス100の構成を図3、図4を用いて説明する。光導波路デバイス100は、Si基板1の上に、光導波路積層体10を備え、光導波路積層体10が配置されていない領域に電極部7が配置された構成である。
【0012】
光導波路積層体10は、シリコン基板1の上に配置された下部クラッド層3と、その上に搭載された光導波路4と、光導波路4を埋め込む上部クラッド層5と、保護層9とを含んでいる。
【0013】
下部クラッド層3および上部クラッド層5は、いずれも、日立化成工業株式会社製OPI−N1005(商品名)を用いて形成したポリイミド膜からなる。下部クラッド層3の膜厚は、約6μm、上部クラッド層5の膜厚は、下部クラッド層表面から約12μmである。光導波路4は、日立化成工業株式会社製OPI−N3205(商品名)を用いて形成したポリイミド膜からなり、その膜厚は約6μmで、光導波路4の幅は約6μmであるある。保護層9は、日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社製PIX−6400(商品名)を用いて形成したポリイミド膜であり、その膜厚は、光導波路4から離れた端部の部分で約5μmである。
【0014】
電極部7は、シリコン基板1の上に配置されている。電極は、発光素子、発光素子の出力をモニタする受光素子、受光素子等を搭載するための電極である。
【0015】
つぎに、本実施の形態の光導波路デバイスの製造方法について、図1(a)〜(c)、図2(d)、(e)、図5、図6(a)〜(d)、図7を用いて説明する。
【0016】
ここでは、基板1として直径約12.7cmのシリコンウエハを用意し、この基板1の上に図3の構造を多数配列して形成し、後の工程でダイシングにより切り離して、多数の図3の光導波路デバイス100を一度に製造する。なお、図1(a)〜(c)および図2(d),(e)は、図示の都合上、ウエハ状の基板1のうち、一つの光導波路デバイス100となる一部分のみを切り出した状態で図示している。また、成膜やパターニング等は、ウエハ状の基板1全体で一度に行う。
【0017】
まず、ウエハ状の基板1の上面全体に、金属膜を成膜してパターニングすることにより、図1(a)のように電極7を形成する。
【0018】
つぎに、基板1の上面全体に前述のOPI−N1005をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で100℃で30分、次いで、200℃で30分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて370℃で60分加熱することにより硬化させ、厚さ6μmの下部クラッド層3を形成する(図1(b))。
【0019】
この下部クラッド層3の上に、前述のOPI−N3205をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で100℃で30分、次いで、200℃で30分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて350℃で60分加熱することにより硬化を行い、光導波路4となる厚さ6μmのポリイミド膜を形成する。つぎに、このポリイミド膜をフォトリソグラフィにより光導波路4の形状にパターニングする。具体的には、光導波路4となるポリイミド層の上にレジストをスピン塗布し、乾燥後、水銀ランプでマスク像を露光する。つぎに、レジストを現像し、レジストパターン層を形成する。このレジストパターン層は、前述のポリイミド膜を光導波路4の形状に加工するためのマスクとして用いられる。このレジストパターン層をマスクとして、前述のポリイミド層を酸素でリアクティブイオンエッチング(O2−R1E)することにより、光導波路4を基板1上に多数配列して形成することができる(図1(c))。その後、レジストパターン層を剥離する。
【0020】
つぎに、光導波路4および下部クラッド層3を覆うように、OPI−N1005をスピン塗布する。得られた材料溶液膜を、乾燥器で100℃で30分、次いで、200℃で30分加熱して材料溶液膜中の溶媒を蒸発させ、350℃で60分加熱することによりポリイミド膜の上部クラッド層5を形成する(図2(d))。
【0021】
さらに、上部クラッド層5の上面に、PIX−6400をスピン塗布し、乾燥器で100℃で30分、200℃で30分加熱して溶媒を蒸発させ、続けて、350℃で60分加熱して、上面がほぼ平坦な厚さ5μmのポリイミド膜の保護層9を得る。
【0022】
つぎに、ウエハ状の基板1に光導波路4が配列されている方向に沿って、電極部7の両脇すなわち電極部7と光導波路積層体10との境界に、ダイシングにより2本の平行な切り込みを入れ、電極部7の上部の光導波路積層体10を基板1から帯状に図5のように剥がす。このとき、ダイシングによる切り込みの深さは、光導波路積層体10は切り離されるが、基板1は切り離さない深さにする。よって、この時点では基板1は図5のようにウエハ状のままである。また、このときのダイシングは、樹脂層の光導波路積層体10を切断するのであるのから、ダイシングブレードとしては樹脂の切断に適した粗さのブレードを用いる。よって、ダイシングブレードに目詰まり等の不都合は生じない。このように帯状に光導波路積層体10を除去して電極露出ライン50を形成することにより、基板1上の電極部7の領域では、電極部7とシリコン基板1が露出される。また、光導波路積層体10は、光導波路4の端面が電極部7に向けて露出される図2(e)の形状となる。
【0023】
つぎに、露出された電極部7に、所望の形状のAu/Snはんだ層を形成する。
つぎに、ウエハ状の基板1に光導波路4が配列されている方向に沿って、隣接する光導波路4と光導波路4との境界の下部クラッド層3、上部クラッド層5および保護層9を予め定めた幅の帯状に取り除き、スクライブライン51を形成する。スクライブライン51は、先の工程で形成した電極露出ライン50に対して図5のように直交している。このスクライブライン51の形成は、スクライブライン51以外の部分をレジストや金属膜によりマスクし、酸素ガスを用いたドライエッチングまたは酸素ガスを用いたプラズマアッシングにより下部クラッド層3、上部クラッド層5および保護層9を除去することにより行う。スクライブライン51が設けられている位置は、後述する光導波路デバイス100を個片化する工程(図6(c))でダイシングにより切削される位置である。スクライブライン51の幅は、図6(c)のダイシング工程に用いるダイシングブレードの幅よりも広くなるように設定する。ここでは、図6(c)でダイシングブレードとして幅100μmのものを用いるため、スクライブライン51の幅を300μmとしている。
【0024】
つぎに、ウエハ状の基板1をダイシングにより図6(a)のように切削し、基板1を短冊状に切り出す。このときダイシングにより切削される位置は、電極露出ライン50の位置である。
【0025】
つぎに、図6(b)のように短冊状の基板1の上面にコート材を塗布し、光導波路積層体10および電極部7をコート材の膜で被覆する。このコート材の膜は、この後の側面11の研磨工程において、光導波路積層体10や電極部7に、研磨剤や異物が付着したり、洗浄時に傷が付いたりするのを防止する作用をする。ここでは、コート材として、日化精工株式会社製スカイコートNAR−3011(商品名)を用いる。図7のように光導波路積層体10および電極部7の上部にコート材をスプレーする方法や、スピンコートで光導波路積層体10および電極部7の上面全体に塗り広げる方法を用いることができる。
【0026】
つぎに、図6(b)の短冊状の基板1の側面11に研磨処理を施し、光導波路4の端面を研磨する。このとき、光導波路積層体10および電極部7の上面は、コート材により保護されているので、研磨材や異物が付着したり、傷が付いたりすることはない。
【0027】
つぎに、短冊状の基板1をスクライブライン51に沿ってダイシングにより切り出し、光導波路デバイス100を完成させる(図6(c)、(d))。このとき、スクライブライン51は、図8(a)のように上部および下部クラッド層3,5と保護層9の樹脂層は除去されているため、ダイシングブレードが切削するのはSi基板1である。よって、ダイシングブレードとしてはSi基板1の切削に適したものを用いることができる。また、スクライブライン51の幅はダイシングブレードの幅よりも広いため、ダイシングブレードは、図8(b)のように上部および下部クラッド層3,5等の樹脂層に触れないため、ダイシングブレードが樹脂によって目詰まりを起こすこともない。また、上部および下部クラッド層3,5等の端面にダイシング時に応力が加わることがないため、切削部から上部および下部クラッド層3,5が膜剥がれを起こすおそれもない。よって、効率よく、しかも、精密に基板1を切削して、光導波路デバイス100を個片化することができる。コート材は、個片化後にアルコール洗浄等で剥がす。
【0028】
比較例として、スクライブライン51を形成せずに、他の工程は本実施の形態と同様にして基板1をダイシングして個片化した。ダイシングブレードとしてはSi基板1の切削に適したものを用いた。この場合、ダイシングブレードは、図8(c)のように下部および上部クラッド層3,5等の樹脂層と基板1とを同時に切削することになるため、ダイシングブレードが樹脂によって目詰まりを起こし、切削面に荒れが生じた。また、切削時に樹脂に力が加わるため、下部および上部クラッド層3,5等の端部が剥がれやすくなる現象が生じた。
【0029】
このように、本実施の形態で製造する光導波路デバイス100は、無機材料基板1の上に、樹脂層の光導波路積層体10を搭載し、予め帯状に樹脂を除去したラインを形成した無機材料/樹脂の構造であるため、無機材料/樹脂/無機材料の構造であっても、ダイシングにより切り出す部分について、下部および上部クラッド層3,5等の樹脂層を予め帯状に取り除いておくことにより、ダイシングによる切り出しを滑らかにかつ効率よく行うことができる。よって、本実施の形態の製造方法を用いることにより、樹脂製の高精度な光導波路デバイスを効率よく量産することができる。
【0030】
また、本実施の形態では、光導波路4の端面を研磨処理する工程を含んでいるが、研磨時に光導波路積層体10の上面および電極部7の上面をコート材によりコートしておくことにより、光導波路積層体10および電極部7に異物が付着したり傷が生じたりすることがない。これらに異物が付着したり傷が生じると、光導波路の伝搬特性に影響を与えたり、傷や異物の部分から耐食性が劣化するおそれがあるが、本実施の形態では、清浄で傷のない上面となるため、性能の安定した光導波路デバイスを量産することができる。
【0031】
なお、第1の実施の形態では、電極露出ライン50をダイシングにより形成し、スクライブライン51をドライエッチングまたはアッシングにより形成したが、電極露出ライン50とスクライブライン51を、酸素ガスを用いたドライエッチングにより一度に形成することもできる。これ以外の工程は、第1の実施の形態と同じにする。このように、電極露出ライン50とスクライブライン51を同一工程で一度に形成することにより、第1の実施の形態よりも製造工程を簡略化できるという効果が得られる。
【0032】
また、スクライブライン51をダイシングにより形成することもできる。この場合、スクライブライン51の幅が広いときには、電極露出ライン50と同様にスクライブライン51の両脇に切り込みを入れ、下部および上部クラッド層3,5を剥がすことにより形成することができる。また、スクライブライン51の幅と同じ厚さのダイシングブレードにより、下部および上部クラッド層3,5を切削してスクライブライン51を形成することも可能である。
【0033】
上述してきた本実施の形態で製造される光導波路デバイス100は、下部クラッド層3から保護層9まで全ての層をポリイミドで形成しているため、Tgが高く、耐熱性にすぐれている。よって、本実施の形態の光導波路デバイスは、高温になっても伝搬特性を維持できる。また、ポリイミドは、半田付け等の高温工程にも耐えることができるため、光導波路デバイスの上にさらに別の光導波路デバイスや電気回路素子や受発光素子をはんだ付けすることも可能である。
【0034】
本実施の形態の光導波路デバイス100は、無機材料基板1上に樹脂製の光導波路積層体10を搭載した無機材料/樹脂の積層構造でありながら、ダイシング部分の樹脂層を予め取り除いておく製造方法を用いることにより、効率良くダイシングでき、しかも、ダイシング時に樹脂層に力を与えない。よって、本実施の形態の優れた光学特性を有する光導波路デバイスを低コストに量産することができる。
【0035】
【発明の効果】
上述してきたように、本発明によれば、無機材料基板上に樹脂製光導波路を搭載した光導波路デバイスの製造方法であって、量産に適した光導波路デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)〜(c)は、本発明の一実施の形態の模式化した光導波路デバイスの製造方法を示す切り欠き斜視図である。
【図2】 (d)、(e)は、本発明の一実施の形態の模式化した光導波路デバイスの製造方法を示す切り欠き斜視図である。
【図3】 本発明の一実施の形態の製造方法で製造した模式化した光導波路デバイスの構成を示す斜視図である。
【図4】 図3の光導波路デバイスのA−A’断面図である。
【図5】 本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの製造方法において電極露出ライン50とスクライブライン51を形成する工程を示す上面図である。
【図6】 (a)は、本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの製造方法においてウエハ状の基板1を短冊状に切り出すダイシング位置を示すため基板1の上面図と部分断面図であり、(b)は、短冊状の基板1の状態を示す上面図と断面図であり、(c)は、短冊状の基板1を個片にするダイシング位置を示す上面図であり、(d)は、個片にされた光導波路デバイスを示す上面図である。
【図7】 本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの製造方法において、短冊状に切り出された基板1上にコート材を塗布する工程を示す説明図である。
【図8】 (a)は、本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの製造方法においてダイシングの工程を示すB−B’断面図であり、(b)は、上面から見たダイシングブレードとスクライブライン51との位置関係を示す説明図であり、(c)は比較例のスクライブライン51がない場合のダイシングブレードと樹脂層との関係を示す説明図である。
【符号の説明】
1・・・シリコン基板
3・・・下部クラッド層
4・・・光導波路
5・・・上部クラッド層
7・・・電極部
9・・・保護層
10・・・光導波路積層体
50・・・電極露出ライン
51・・・スクライブライン
100・・・光導波路デバイス
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical waveguide, and more particularly to a resinous optical waveguide mounted on an inorganic material substrate.
[0002]
[Prior art]
With the recent spread of personal computers and the Internet, information transmission demand is rapidly increasing. For this reason, it is desired to spread optical transmission having a high transmission speed to an end information processing apparatus such as a personal computer. In order to realize this, it is necessary to manufacture a high-performance optical waveguide for optical interconnection at low cost and in large quantities.
[0003]
As materials for optical waveguides, inorganic materials such as glass and semiconductor materials, and resins are known. In the case of manufacturing an optical waveguide from an inorganic material, a method is used in which an inorganic material film is formed by a film forming apparatus such as a vacuum deposition apparatus or a sputtering apparatus, and this is etched into a desired waveguide shape. . However, the vacuum vapor deposition apparatus and the sputtering apparatus require a vacuum exhaust equipment, so that the apparatus is large and expensive. Moreover, since a vacuum exhaust process is required, the process becomes complicated. On the other hand, when an optical waveguide is manufactured from a resin, the film forming process can be performed at atmospheric pressure by application and heating, and thus there is an advantage that the apparatus and the process are simple.
[0004]
Various resins are known as the optical waveguide and the clad layer, and a polyimide having a high glass transition temperature (Tg) and excellent heat resistance is particularly expected. When the optical waveguide and the clad layer are formed of polyimide, long-term reliability can be expected, and it can withstand soldering.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
A resin-made optical waveguide is generally configured by laminating a resin-made lower clad layer, an optical waveguide layer, and an upper clad layer on a substrate. In order to mass-produce such an optical waveguide, a large substrate such as a wafer is used as a substrate, a large number of optical waveguides are arranged on the substrate, and after film formation and patterning at once, the substrate is cut by dicing or the like. Thus, it is possible to use a method of making individual optical waveguide devices. An inorganic material substrate such as a Si substrate, a quartz substrate, or a glass substrate is often used because a substrate having a smooth surface with high accuracy is easy to obtain. When a structure in which these inorganic materials and a resin are laminated is cut into individual optical waveguide devices by dicing at the time of mass production, the dicing blade must cut both the inorganic material and the resin layer. However, when a coarse dicing blade suitable for cutting an inorganic material is used as the dicing blade, there is a problem that the resin is clogged between the abrasive grains of the dicing blade and the cutting surface becomes rough. Further, there is a problem that stress is concentrated on the cutting surface of the clad layer of the resin layer and the optical waveguide layer at the time of dicing, and further, a force is applied to the resin at the time of cutting, so that these layers are easily peeled off from the end surface. On the other hand, when a dicing blade suitable for cutting the resin layer is used, there arises a problem that the inorganic material substrate cannot be cut.
[0006]
Further, when the end face of the resin optical waveguide is finished by polishing, there are problems such as abrasives and foreign matters adhering to the upper surface of the resin layer, and scratches on the upper surface of the resin layer during cleaning.
[0007]
An object of the present invention is to provide an optical waveguide device manufacturing method in which a resin optical waveguide is mounted on an inorganic material substrate, which is suitable for mass production.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, according to the present invention, the following optical waveguide device manufacturing method is provided.
[0009]
That is, a first step of forming a lower clad layer with a resin on the entire top surface of the inorganic material substrate;
A second step of forming a plurality of resin-made optical waveguides (cores) arranged vertically and horizontally on the lower cladding layer;
A third step of forming an upper clad layer covering the entire upper surface of the substrate with a resin, and a fourth step of cutting the substrate for each of the optical waveguides arranged in the vertical and horizontal directions to separate the individual optical waveguides And
A removal step of removing the lower clad layer and the upper clad layer from the substrate in a band shape is performed between the third step and the fourth step along the position cut in the fourth step. This is a method for manufacturing an optical waveguide device.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described.
[0011]
First, the configuration of the optical waveguide device 100 manufactured by the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The optical waveguide device 100 has a configuration in which an optical waveguide stack 10 is provided on a Si substrate 1 and an electrode portion 7 is disposed in a region where the optical waveguide stack 10 is not disposed.
[0012]
The optical waveguide laminate 10 includes a lower cladding layer 3 disposed on the silicon substrate 1, an optical waveguide 4 mounted thereon, an upper cladding layer 5 that embeds the optical waveguide 4, and a protective layer 9. It is out.
[0013]
The lower clad layer 3 and the upper clad layer 5 are both made of a polyimide film formed using Hitachi Chemical Co., Ltd. OPI-N1005 (trade name). The film thickness of the lower clad layer 3 is about 6 μm, and the film thickness of the upper clad layer 5 is about 12 μm from the surface of the lower clad layer. The optical waveguide 4 is made of a polyimide film formed using OPI-N3205 (trade name) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. The film thickness is about 6 μm, and the width of the optical waveguide 4 is about 6 μm. The protective layer 9 is a polyimide film formed using PIX-6400 (trade name) manufactured by Hitachi Chemical DuPont Microsystems Co., Ltd., and the film thickness is about 5 μm at the end portion away from the optical waveguide 4. .
[0014]
The electrode unit 7 is disposed on the silicon substrate 1. The electrodes are electrodes for mounting a light emitting element, a light receiving element for monitoring the output of the light emitting element, a light receiving element, and the like.
[0015]
Next, with respect to the method of manufacturing the optical waveguide device of the present embodiment, FIGS. 1 (a) to (c), FIGS. 2 (d) and (e), FIG. 5, FIGS. 6 (a) to (d), FIG. 7 for explanation.
[0016]
Here, a silicon wafer having a diameter of about 12.7 cm is prepared as the substrate 1, and a large number of the structures shown in FIG. 3 are formed on the substrate 1 and separated by dicing in a later step. The optical waveguide device 100 is manufactured at a time. 1 (a) to 1 (c) and FIGS. 2 (d) and 2 (e), for convenience of illustration, only a part of the wafer-like substrate 1 that becomes one optical waveguide device 100 is cut out. This is shown in the figure. Further, film formation, patterning, and the like are performed on the entire wafer-like substrate 1 at once.
[0017]
First, an electrode 7 is formed as shown in FIG. 1A by forming a metal film on the entire upper surface of the wafer-like substrate 1 and patterning it.
[0018]
Next, the above-mentioned OPI-N1005 is spin-coated on the entire upper surface of the substrate 1 to form a material solution film. Thereafter, the solvent is evaporated by heating at 100 ° C. for 30 minutes in a dryer and then at 200 ° C. for 30 minutes, and subsequently cured by heating at 370 ° C. for 60 minutes, whereby the lower cladding layer 3 having a thickness of 6 μm is formed. Form (FIG. 1B).
[0019]
On the lower clad layer 3, the aforementioned OPI-N3205 is spin-coated to form a material solution film. Thereafter, the solvent is evaporated by heating at 100 ° C. for 30 minutes in a dryer and then at 200 ° C. for 30 minutes, followed by curing by heating at 350 ° C. for 60 minutes, resulting in an optical waveguide 4 having a thickness of 6 μm. The polyimide film is formed. Next, this polyimide film is patterned into the shape of the optical waveguide 4 by photolithography. Specifically, a resist is spin-coated on a polyimide layer to be the optical waveguide 4, and after drying, a mask image is exposed with a mercury lamp. Next, the resist is developed to form a resist pattern layer. This resist pattern layer is used as a mask for processing the aforementioned polyimide film into the shape of the optical waveguide 4. By using this resist pattern layer as a mask, the above polyimide layer is subjected to reactive ion etching (O 2 -R1E) with oxygen, whereby a large number of optical waveguides 4 can be arranged on the substrate 1 (see FIG. 1). c)). Thereafter, the resist pattern layer is peeled off.
[0020]
Next, OPI-N1005 is spin-coated so as to cover the optical waveguide 4 and the lower cladding layer 3. The obtained material solution film was heated in a dryer at 100 ° C. for 30 minutes, and then at 200 ° C. for 30 minutes to evaporate the solvent in the material solution film, and heated at 350 ° C. for 60 minutes, thereby heating the upper part of the polyimide film. The clad layer 5 is formed (FIG. 2D).
[0021]
Further, PIX-6400 is spin-coated on the upper surface of the upper clad layer 5, the solvent is evaporated by heating at 100 ° C. for 30 minutes and 200 ° C. for 30 minutes in a dryer, and subsequently heated at 350 ° C. for 60 minutes. Thus, a protective layer 9 made of a polyimide film having a thickness of 5 μm and a substantially flat upper surface is obtained.
[0022]
Next, along the direction in which the optical waveguides 4 are arranged on the wafer-like substrate 1, two parallel parts are formed by dicing at both sides of the electrode part 7, that is, at the boundary between the electrode part 7 and the optical waveguide laminate 10. An incision is made, and the optical waveguide laminate 10 on the upper part of the electrode part 7 is peeled off from the substrate 1 in a band shape as shown in FIG. At this time, the depth of the cut by dicing is set so that the optical waveguide laminate 10 is cut off but the substrate 1 is not cut off. Therefore, at this time, the substrate 1 remains in a wafer shape as shown in FIG. Moreover, since dicing at this time cuts the optical waveguide laminate 10 of the resin layer, a blade having a roughness suitable for cutting the resin is used as the dicing blade. Therefore, inconvenience such as clogging of the dicing blade does not occur. Thus, the electrode waveguide 7 and the silicon substrate 1 are exposed in the region of the electrode section 7 on the substrate 1 by removing the optical waveguide laminate 10 in a band shape and forming the electrode exposure line 50. Further, the optical waveguide laminate 10 has a shape shown in FIG. 2E in which the end face of the optical waveguide 4 is exposed toward the electrode portion 7.
[0023]
Next, an Au / Sn solder layer having a desired shape is formed on the exposed electrode portion 7.
Next, along the direction in which the optical waveguides 4 are arranged on the wafer-like substrate 1, the lower cladding layer 3, the upper cladding layer 5, and the protective layer 9 at the boundary between the adjacent optical waveguides 4 and 4 are placed in advance. A scribe line 51 is formed by removing the strip in a predetermined width. The scribe line 51 is orthogonal to the electrode exposure line 50 formed in the previous step as shown in FIG. The scribe line 51 is formed by masking portions other than the scribe line 51 with a resist or a metal film, and performing dry etching using oxygen gas or plasma ashing using oxygen gas, and the protective cladding layer 3, the upper cladding layer 5, and the protective layer. This is done by removing layer 9. The position where the scribe line 51 is provided is a position that is cut by dicing in the step of dividing the optical waveguide device 100 described later (FIG. 6C). The width of the scribe line 51 is set to be wider than the width of the dicing blade used in the dicing process in FIG. Here, since a dicing blade having a width of 100 μm is used in FIG. 6C, the width of the scribe line 51 is set to 300 μm.
[0024]
Next, the wafer-like substrate 1 is cut by dicing as shown in FIG. 6A, and the substrate 1 is cut into a strip shape. The position cut by dicing at this time is the position of the electrode exposure line 50.
[0025]
Next, as shown in FIG. 6B, a coating material is applied to the upper surface of the strip-shaped substrate 1, and the optical waveguide laminate 10 and the electrode portion 7 are covered with a coating material film. This film of the coating material acts to prevent the abrasive and foreign matter from adhering to the optical waveguide laminate 10 and the electrode portion 7 and scratching during cleaning in the subsequent polishing process of the side surface 11. To do. Here, Skycoat NAR-3011 (trade name) manufactured by Nikka Seiko Co., Ltd. is used as the coating material. As shown in FIG. 7, it is possible to use a method of spraying a coating material on the top of the optical waveguide laminate 10 and the electrode part 7 or a method of spreading the entire upper surface of the optical waveguide laminate 10 and the electrode part 7 by spin coating.
[0026]
Next, the side surface 11 of the strip-shaped substrate 1 of FIG. 6B is subjected to a polishing process, and the end surface of the optical waveguide 4 is polished. At this time, since the top surfaces of the optical waveguide laminate 10 and the electrode portion 7 are protected by the coating material, no abrasives or foreign matters are attached or scratched.
[0027]
Next, the strip-shaped substrate 1 is cut out by dicing along the scribe line 51 to complete the optical waveguide device 100 (FIGS. 6C and 6D). At this time, since the resin layers of the upper and lower cladding layers 3 and 5 and the protective layer 9 are removed from the scribe line 51 as shown in FIG. 8A, the dicing blade cuts the Si substrate 1. . Therefore, a dicing blade suitable for cutting the Si substrate 1 can be used. Further, since the width of the scribe line 51 is wider than the width of the dicing blade, the dicing blade does not touch the resin layers such as the upper and lower cladding layers 3 and 5 as shown in FIG. Does not cause clogging. Further, since stress is not applied to the end surfaces of the upper and lower cladding layers 3 and 5 during dicing, there is no possibility that the upper and lower cladding layers 3 and 5 are peeled off from the cut portion. Therefore, the optical waveguide device 100 can be separated into pieces by cutting the substrate 1 efficiently and precisely. The coating material is peeled off by alcohol washing after separation.
[0028]
As a comparative example, the substrate 1 was diced into individual pieces in the same manner as in the present embodiment without forming the scribe line 51. A dicing blade suitable for cutting the Si substrate 1 was used. In this case, since the dicing blade cuts the resin layer such as the lower and upper cladding layers 3 and 5 and the substrate 1 simultaneously as shown in FIG. 8C, the dicing blade is clogged by the resin, The cutting surface was rough. In addition, a force is applied to the resin during cutting, so that a phenomenon that the end portions of the lower and upper clad layers 3 and 5 and the like easily peel off occurred.
[0029]
As described above, the optical waveguide device 100 manufactured in the present embodiment is an inorganic material in which the optical waveguide laminate 10 of the resin layer is mounted on the inorganic material substrate 1 and a line in which the resin is removed in advance in a band shape is formed. / Because it is a resin structure, even if it is an inorganic material / resin / inorganic material structure, by removing the resin layers such as the lower and upper clad layers 3 and 5 in advance in a band shape for the part cut out by dicing, Dicing can be performed smoothly and efficiently. Therefore, by using the manufacturing method of the present embodiment, it is possible to efficiently mass-produce resin-made high-precision optical waveguide devices.
[0030]
Further, in the present embodiment, a process of polishing the end face of the optical waveguide 4 is included, but by coating the upper surface of the optical waveguide laminate 10 and the upper surface of the electrode portion 7 with a coating material at the time of polishing, There is no possibility that foreign matter adheres to the optical waveguide laminate 10 and the electrode portion 7 or is damaged. If foreign matter adheres to or scratches on these, the propagation characteristics of the optical waveguide may be affected, or corrosion resistance may deteriorate from the scratches or foreign matter portions. In this embodiment, the top surface is clean and free from scratches. Therefore, optical waveguide devices with stable performance can be mass-produced.
[0031]
In the first embodiment, the electrode exposure line 50 is formed by dicing and the scribe line 51 is formed by dry etching or ashing. However, the electrode exposure line 50 and the scribe line 51 are dry etched using oxygen gas. Can also be formed at once. The other steps are the same as those in the first embodiment. Thus, by forming the electrode exposure line 50 and the scribe line 51 at the same time in the same process, the manufacturing process can be simplified compared to the first embodiment.
[0032]
Also, the scribe line 51 can be formed by dicing. In this case, when the width of the scribe line 51 is wide, the scribe line 51 can be formed by making cuts on both sides of the scribe line 51 and peeling off the lower and upper clad layers 3 and 5 in the same manner as the electrode exposure line 50. It is also possible to form the scribe line 51 by cutting the lower and upper clad layers 3 and 5 with a dicing blade having the same thickness as the width of the scribe line 51.
[0033]
The optical waveguide device 100 manufactured in the present embodiment described above has a high Tg and excellent heat resistance because all layers from the lower cladding layer 3 to the protective layer 9 are formed of polyimide. Therefore, the optical waveguide device of the present embodiment can maintain the propagation characteristics even when the temperature becomes high. In addition, since polyimide can withstand high temperature processes such as soldering, it is possible to solder another optical waveguide device, an electric circuit element, and a light emitting / receiving element on the optical waveguide device.
[0034]
The optical waveguide device 100 according to the present embodiment is an inorganic material / resin laminated structure in which a resinous optical waveguide laminate 10 is mounted on an inorganic material substrate 1, but the resin layer in the dicing portion is removed in advance. By using this method, dicing can be performed efficiently, and no force is applied to the resin layer during dicing. Therefore, the optical waveguide device having excellent optical characteristics of the present embodiment can be mass-produced at low cost.
[0035]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, it is possible to provide an optical waveguide device manufacturing method in which a resin optical waveguide is mounted on an inorganic material substrate, which is suitable for mass production. .
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A to 1C are cutaway perspective views showing a method of manufacturing a schematic optical waveguide device according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2D and 2E are cutaway perspective views showing a method for manufacturing a schematic optical waveguide device according to an embodiment of the present invention. FIGS.
FIG. 3 is a perspective view showing a configuration of a schematic optical waveguide device manufactured by the manufacturing method according to the embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of the optical waveguide device of FIG. 3. FIG.
FIG. 5 is a top view showing a process of forming an electrode exposure line 50 and a scribe line 51 in the method of manufacturing an optical waveguide device according to one embodiment of the present invention.
6A is a top view and a partial cross-sectional view of a substrate 1 showing a dicing position at which the wafer-like substrate 1 is cut into a strip shape in the method of manufacturing an optical waveguide device according to one embodiment of the present invention. FIG. (B) is the top view and sectional drawing which show the state of the strip-shaped board | substrate 1, (c) is a top view which shows the dicing position which makes the strip-shaped board | substrate 1 a piece, (d) FIG. 3 is a top view showing an individual optical waveguide device.
FIG. 7 is an explanatory diagram showing a step of applying a coating material onto a substrate 1 cut out in a strip shape in the method of manufacturing an optical waveguide device according to an embodiment of the present invention.
8A is a cross-sectional view taken along the line BB ′ showing a dicing step in the method of manufacturing an optical waveguide device according to the embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a dicing blade as viewed from above. It is explanatory drawing which shows the positional relationship with the scribe line 51, (c) is explanatory drawing which shows the relationship between the dicing blade in case there is no scribe line 51 of a comparative example, and a resin layer.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Silicon substrate 3 ... Lower clad layer 4 ... Optical waveguide 5 ... Upper clad layer 7 ... Electrode part 9 ... Protective layer 10 ... Optical waveguide laminated body 50 ... Electrode exposure line 51 ... scribe line 100 ... optical waveguide device

Claims (10)

無機材料基板の上に光導波路積層体を備えた光導波路デバイスの製造方法であって、
電極部を複数個縦横に形成した無機材料基板の上面全体に、下部クラッド層を樹脂により形成する第1の工程と、
前記下部クラッド層の上に、樹脂製の予め定めた形状の光導波路を前記電極部に対応して複数個縦横に配列して形成する第2の工程と、
前記基板の上面全体を覆う上部クラッド層を樹脂により形成する第3の工程と、を有し、前記第1〜第3の工程により、縦横に配列された前記電極部及び光導波路積層体が前記基板の上に形成され、
更に、前記縦横に配列された前記電極部及び光導波路積層体ごとに前記基板を切断することにより、個々の前記電極部及び前記光導波路積層体を切り離す第4の工程とを有し、
前記第3の工程と第4の工程との間に、前記基板に前記電極部及び前記光導波路が配列されている方向に沿って、前記電極部と前記光導波路積層体との境界の前記下部クラッド層および上部クラッド層をダイシングにより前記基板上から除去し、隣接する前記光導波路と前記光導波路との境界の前記下部クラッド層および上部クラッド層をドライエッチング又はアッシングにより前記基板上から帯状に除去する除去工程を行い、前記第4の工程は、前記除去工程において帯状に除去された位置で前記基板を切断する工程を有することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
A method of manufacturing an optical waveguide device comprising an optical waveguide laminate on an inorganic material substrate,
A first step of forming a lower clad layer with a resin on the entire top surface of an inorganic material substrate having a plurality of electrode portions formed vertically and horizontally ;
A second step of forming a plurality of resin-made optical waveguides on the lower cladding layer in a vertical and horizontal direction corresponding to the electrode parts ;
A third step of forming an upper clad layer covering the entire top surface of the substrate with a resin, and the electrode portions and the optical waveguide laminate arranged vertically and horizontally by the first to third steps, Formed on the substrate,
Further, by cutting the substrate for each of the electrode portions and the optical waveguide laminates are arranged in the vertical and horizontal, and a fourth step of disconnecting the individual the electrode portion and the optical waveguide laminate,
Between the third step and the fourth step, the lower portion of the boundary between the electrode portion and the optical waveguide laminate along the direction in which the electrode portion and the optical waveguide are arranged on the substrate The clad layer and the upper clad layer are removed from the substrate by dicing, and the lower clad layer and the upper clad layer at the boundary between the adjacent optical waveguides are removed from the substrate in a band shape by dry etching or ashing. An optical waveguide device manufacturing method comprising: performing a removing step, wherein the fourth step includes a step of cutting the substrate at a position removed in a strip shape in the removing step.
請求項1に記載の光導波路デバイスの製造方法において、前記第4の工程は、前記切断をダイシングブレードを用いるダイシングによって行い、前記除去工程で除去する帯状部分の幅は、前記ダイシングブレードの厚さよりも広いことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。  2. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, wherein in the fourth step, the cutting is performed by dicing using a dicing blade, and the width of the strip portion removed in the removing step is determined by the thickness of the dicing blade. A method of manufacturing an optical waveguide device characterized by being wide. 請求項2に記載の光導波路デバイスの製造方法において、前記第4の工程における前記帯状に除去された位置での切断は、前記ダイシングブレードが、前記下部および上部クラッド層に接触しないように行われることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。  3. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 2, wherein the cutting at the position removed in the strip shape in the fourth step is performed so that the dicing blade does not contact the lower and upper clad layers. An optical waveguide device manufacturing method characterized by the above. 無機材料基板の上に光導波路積層体を備えた光導波路デバイスの製造方法であって、
無機材料基板の上面全体に、下部クラッド層を樹脂により形成する第1の工程と、
前記下部クラッド層の上に、樹脂製の予め定めた形状の光導波路を複数個縦横に配列して形成する第2の工程と、
前記基板の上面全体を覆う上部クラッド層を樹脂により形成する第3の工程と、を有し、前記第1〜第3の工程により、縦横に配列された光導波路積層体が前記基板の上に形成され、
更に、前記縦横に配列された光導波路積層体ごとに前記基板を切断することにより、個々の前記光導波路積層体を切り離す第4の工程とを有し、
前記第3の工程と第4の工程との間に、前記基板に前記光導波路が配列されている方向に沿って、隣接する前記光導波路と前記光導波路との境界の前記下部クラッド層および上部クラッド層を前記基板上から帯状に除去する除去工程を行い、前記第4の工程は、前記除去工程において帯状に除去された位置で前記基板を切断する工程を有し、
前記第4の工程は、前記切断をダイシングブレードを用いるダイシングによって行い、前記除去工程で除去する帯状部分の幅は、前記ダイシングブレードの厚さよりも広く、
前記除去工程は、ダイシングブレードを用いたダイシングにより、前記除去すべき帯状部の前記下部および上部クラッド層に対して切り込みを入れた後、前記下部および上部クラッド層を前基板から剥がすことによって行われることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
A method of manufacturing an optical waveguide device comprising an optical waveguide laminate on an inorganic material substrate,
A first step of forming a lower clad layer with a resin on the entire top surface of the inorganic material substrate;
A second step of forming a plurality of resin-made optical waveguides arranged vertically and horizontally on the lower cladding layer;
A third step of forming an upper clad layer covering the entire upper surface of the substrate with a resin, and the optical waveguide laminates arranged vertically and horizontally by the first to third steps on the substrate. Formed,
And a fourth step of separating each of the optical waveguide laminates by cutting the substrate for each of the optical waveguide laminates arranged in the vertical and horizontal directions,
Between the third step and the fourth step, along the direction in which the optical waveguides are arranged on the substrate, the lower cladding layer and the upper portion at the boundary between the adjacent optical waveguides and the optical waveguides A removal step of removing the clad layer from the substrate in a strip shape is performed, and the fourth step includes a step of cutting the substrate at a position removed in the strip shape in the removal step,
In the fourth step, the cutting is performed by dicing using a dicing blade, and the width of the strip portion removed in the removing step is wider than the thickness of the dicing blade,
The removing step is performed by cutting the lower and upper clad layers of the strip-like portion to be removed by dicing using a dicing blade and then peeling the lower and upper clad layers from the front substrate. An optical waveguide device manufacturing method characterized by the above.
請求項4に記載の光導波路デバイスの製造方法において、前記除去工程で用いる前記ダイシングブレードとして樹脂切削用のブレードを用い、前記第4の工程で用いる前記ダイシングブレードとして無機材料切削用のブレードを用いることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。  5. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 4, wherein a resin cutting blade is used as the dicing blade used in the removing step, and an inorganic material cutting blade is used as the dicing blade used in the fourth step. An optical waveguide device manufacturing method characterized by the above. 請求項1または2に記載の光導波路デバイスの製造方法において、前記除去工程は、ドライエッチングまたはアッシングによって行われることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。  3. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, wherein the removing step is performed by dry etching or ashing. 請求項1〜6のいずれかに記載の光導波路デバイスの製造方法において、切断される樹脂製以外の無機材料が、シリコンまたはガラスであることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。  The method for manufacturing an optical waveguide device according to any one of claims 1 to 6, wherein the inorganic material other than resin to be cut is silicon or glass. 無機材料基板と、この無機材料基板の上に設けられた樹脂製の光導波路積層体と、を有する光導波路デバイスであって、
前記無機材料基板は、切削された長手方向の切削側面を有し、
前記光導波路積層体は、前記無機材料基板を露出させるように前記無機材料基板の前記長手方向の切削側面から帯状に引込んだ長手方向の側面を有し、
前記帯状に引っ込んだ側面は、前記光導波路積層体の下部クラッド層および上部クラッド層にダイシングブレードによって切り込みを入れて前記下部クラッドおよび上部クラッド層を前記基板から剥がすことによって形成され、前記帯状に引込んだ部分の幅は、前記ダイシングブレードの厚さよりも広い、ことを特徴とする光導波路デバイス。
An optical waveguide device having an inorganic material substrate and a resin optical waveguide laminate provided on the inorganic material substrate,
The inorganic material substrate has a cut side surface in the cut longitudinal direction,
The optical waveguide laminate possess the longitudinal direction longitudinal sides retracted to strip from the cutting side surface of the inorganic material substrate to expose the inorganic material substrate,
The side surface withdrawn into the band shape is formed by cutting the lower clad layer and the upper clad layer of the optical waveguide laminate with a dicing blade and peeling the lower clad layer and the upper clad layer from the substrate. An optical waveguide device characterized in that the width of the recessed portion is wider than the thickness of the dicing blade .
前記無機材料基板の切削側面は、無機材料切削用のブレードを用いるダイシングによって形成される、請求項8に記載の光導波路デバイス。  The optical waveguide device according to claim 8, wherein the cutting side surface of the inorganic material substrate is formed by dicing using a blade for cutting an inorganic material. 前記光導波路積層体の引込んだ側面は、樹脂切削用のブレードを用いるダイシングによって形成される、請求項8又は9に記載の光導波路デバイス。  10. The optical waveguide device according to claim 8, wherein the side surface into which the optical waveguide laminate is drawn is formed by dicing using a blade for resin cutting.
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