JP4383219B2

JP4383219B2 - プリント配線板の製造方法

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Inventors: 英二平田
Original assignee: 日本シイエムケイ株式会社
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Publication date: 2009-12-16
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Description

本発明はプリント配線板の製造方法、特に高密度配線化に有利なプリント配線板の製造方法に関する。

プリント配線板の回路形成方法は、銅箔などの金属箔上にエッチングレジストパターンを形成し、当該エッチングレジストパターンから露出した金属箔をエッチング処理して配線回路を形成するサブトラクティブ法と、回路と逆パターンのめっきレジストを形成し、当該めっきレジスト開口部にめっきを析出させて配線回路を形成するアディティブ法の２つに大別される。

サブトラクティブ法はアディティブ法と比較して製造工程が容易なことから、非常に安価に製造することが可能であるが、スルーホール及びブラインドバイアホール等（以降、ビアホールと呼ぶことにする）の形成の際、絶縁基板全体に無電解めっき及び電解めっき処理を施す必要があるため、エッチングする導体厚さ（金属箔＋めっき）が非常に厚くなり、良好な配線回路形成が困難であった。特に、パターン幅／パターン間隙＝７５μｍ／７５μｍ以下の微細配線回路の形成には不向きな工法であった。

これに対してアディティブ法は、微細配線回路形成には有利であるが、絶縁層にめっきを析出して配線回路を形成するため、サブトラクティブ法のように、元から絶縁層に金属箔が積層された絶縁基板を加工するのと比較して、配線回路の密着性に劣る等の不具合を有していた。

更に、プリント配線板の設計上、配線回路は基板面内に不均一に形成されるため、アディティブ法のように、選択めっきで配線回路を形成すると、配線回路が粗な部分では必要以上に電流が集中し、配線回路の厚みばらつきが大きくなる結果、インピーダンス整合がとりにくいなどの不具合も有していた。

このような不具合を解決するものとして、図９乃至図１０に示した如き構成のプリント配線板が既に報告されている（例えば特許文献１参照）。

図９乃至図１０は、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を形成する例を示したもので、まず、図９（ａ）に示したように、内層に形成された下層配線回路４ｂの形成層上に層間絶縁層１と銅箔等の金属箔２を順次積層し（例えば、樹脂付き銅箔を積層する）、次いで、図９（ｂ）に示したように、エッチング処理によって、上層配線回路４ａを形成する。次に、ビアホール形成用の非貫通孔６を、当該上層配線回路４ａの内の孔近傍部４ｃと所定間隔をあけて穿孔する（図９（ｃ）参照）。次に、図９（ｄ）に示したように、当該非貫通孔６を含んだ上層配線層回路４ａの形成層に無電解めっき１１を形成し、次いで、図９（ｅ）に示したように、当該非貫通孔６とその周囲を露出する開口部１２ａを有するめっきレジスト１２を形成する。次に、当該電解めっき処理を行うことによって、当該開口部に電解めっき７ａを析出させた後（図９（ｆ）参照）、当該めっきレジスト１２を剥離する（図１０（ｇ）参照）。そして、最後にソフトエッチングにより、余分な無電解めっき１１を除去することによって、ビアホール９ａを備えた図１０（ｈ）に示したプリント配線板１０を得る。

このように、上層配線パターンを電解めっき処理前に形成するようにしているため、サブトラクティブ法によっても微細配線回路を容易に形成することができる。

しかし、上記のようにビアホール形成部のみにめっきを析出する方法では、以下のような不具合を有していた。

まず第一に、標準的なめっき工法であるパネルめっき法でめっき処理した場合、本来、絶縁基板全体に対してめっきを析出させるパネルめっき法では、当該絶縁基板全体の１％程度の面積率でしかないビアホール形成部のみにめっきを析出させることは、めっきコントロール上、非常に困難であった。

第二に、ビアホールはプリント配線板の設計上、基板面内に不均一に配置されており、少数あるいは単独で存在しているところでは、電流が必要以上に集中し、めっき析出形状が基板面内において非常に不安定であった。

ところで、多層プリント配線板では高密度配線化を図るために、両面コア、又は多層コアにおけるビアホール上に、上層のビアホールを配置する場合があり、この場合、コアのビアホール表面を平滑にする必要があるため、ビアホール内に絶縁樹脂や導電性樹脂を充填した後、ビアホール上に蓋めっきを形成して平坦化する、或いは、ビアホール内にめっきを充填して平坦化する方法が取られているが、近年では、高密度配線化の要求により孔径が非常に小さくなってきたため、樹脂の充填が難しくなり、その結果、めっきを充填するケースが増えてきている。

このようにビアホールにめっきを充填するものとして、図１１に示した如き構成のプリント配線板の製造方法が既に報告されている（例えば特許文献２参照）。

図１１は上記したプリント配線板の概略断面工程図であり、まず、絶縁基材１ａの上下に金属箔２ａ、２ｂが積層された絶縁基板３を用意し、上層金属箔２ａから下層金属箔２ｂに達する非貫通孔６を穿孔する（図１１（ａ）参照）。次に、当該下層金属箔２ｂを給電層として電解めっき処理を行い、当該非貫通孔６にめっき７を充填させる（図１１（ｂ）参照）。このとき、上層金属箔２ａには給電しないため、当該上層金属箔２ａが溶出し、厚みが徐々に薄くなり、また、給電層たる下層金属箔２ｂは露出しているため、めっき７が徐々に析出し、厚さを増してくる。次に、図１１（ｃ）に示したように、当該非貫通孔６内のめっき７が上層金属箔２ａに達すると、当該上層金属箔２ａにも給電され、めっき７が徐々に析出する。そして、図１１（ｄ）に示したように、適時に給電を停止することにより、上下の金属箔２ａ、２ｂの厚みを所望の厚みにするというものである。

このように、非貫通孔にめっきを充填させるとともに下層金属箔の表面（即ち、給電層）にもめっきを析出させる構成としているため（即ち、めっき面積率を高くしているため）、安定して非貫通孔にめっきを析出させることができる。
特開２００１−３０８５３０号公報特開２０００−１８８４７１号公報

しかし、上記構成では、金属箔の厚み制御として、電解めっきの給電を適時に停止するようにして制御していたため、金属箔の厚み調整が不十分であった。また、前記特許文献２の他の製造方法として、給電層である下層金属箔の表面にめっきレジストを形成し、下層金属箔表面にはめっきを析出させない構成とすることによって、下層金属箔の厚みをそのままにするという製造方法も既に報告されているが、結局、めっき面積率が極端に低くなり（ビアホール用の非貫通孔のみのめっき形成となる）、尚且つビアホールの配置の粗密により、電流が局所的に集中してしまうため、非貫通孔に均一にめっきを充填するのは非常に困難であった。

本発明は、層間接続用のビアホールを形成する際のめっきを、貫通孔、又は非貫通孔内に安定して（均一に）析出（或いは充填）することができ、且つ、金属箔（又は、配線回路）の厚みを一定に保ち、微細配線回路形成、及びインピーダンス整合を容易に行うことができるプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１に係る本発明は、層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、ビアホール形成のためのめっき処理前に、絶縁基板の外層に形成された配線回路及び／又は金属箔の露出面に、当該配線回路及び／又は金属箔が後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理によりエッチングされることを防止するために、当該後のビアホール形成の際の電解めっき及び無電解めっきとはエッチング条件の異なる金属薄膜からなるバリア金属層を設ける工程と、ビアホール形成のためのめっき処理により当該バリア金属層上にめっきを析出させる工程と、当該めっきをエッチング処理してバリア金属層を露出せしめると共に、ビアホールとそのランドを形成する工程と、当該露出したバリア金属層をエッチング処理して除去する工程とを有することを特徴とするものである。

これにより、ビアホール形成部に安定してめっきを析出（或いは充填）することができ、且つ、外層に一定の厚みの微細配線回路を容易に形成することができる。

また、請求項２に係る本発明は、前記請求項１に係る発明において、バリア金属層を設けた後、ビアホール形成のためのめっき処理を、当該ビアホール用非貫通孔の底部側に形成されたバリア金属層を給電層とする電解めっき処理で行ない、当該電解めっきを、ビアホール用の非貫通孔に充填させるとともに当該給電層の表面にも析出させることを特徴とするプリント配線板の製造方法である。

これにより、片側給電層からめっきを安定して孔内に充填することができ、尚且つ、外層に一定の厚みの微細配線回路を容易に形成することができる。

層間接続用のビアホールを有するプリント配線板を、本発明の製造方法で製造することで、当該ビアホールに安定してめっきを析出（或いは充填）することができ、且つ、金属箔（又は、配線パターン）の厚みを一定に保ち、ファインパターン形成、及びインピーダンス整合を容易に行うことができる。

本発明の第一の実施の形態を、図１乃至図２を用いて説明する。

図１乃至図２は、上記図９乃至図１０で示した例と同様に、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を形成する例（ビアホールにめっきを充填）を示したもので、まず、図１（ａ）に示したように、内層に形成された下層配線回路４ｂの形成層上に層間絶縁層１と銅箔等の金属箔２を順次積層し（例えば、樹脂付き銅箔を積層する）、次いで、図１（ｂ）に示したように、エッチング処理によって、上層配線回路４ａを形成する。次に、図１（ｃ）に示したように、上層配線回路４ａを含んだ外層全面に、後のビアホール形成の際の電解めっき７、及び図示しない無電解めっきとはエッチング条件の異なる金属薄膜からなるバリア金属層５を形成する。当該バリア金属層５としては、後のビアホール部の回路形成の際に、上層配線回路４ａがエッチングされなければいずれの金属でも良く、例えば、無電解めっき処理による、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ等が挙げられる。また、当該バリア金属層５としては、剥離性を留意して選択することが製造工程上好ましい。例えば、Ｎｉを例にとると、ＮｉやＮｉ−Ｂめっきでは剥離が容易であるが、Ｎｉ−Ｐめっきでは、リン濃度が高いと剥離が困難になるため、３％以下の低リンのものが好ましいといった具合である。次に、図１（ｄ）に示したように、レーザ照射により、下層配線回路４ｂに達する非貫通孔６を穿孔した後、当該非貫通孔６内のデスミア処理を行い、次いで、当該非貫通孔６を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を形成し、当該無電解めっきを給電層として電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行い、当該非貫通孔６にめっき７を充填するとともに、外層にもめっき７を析出させる。次に、図２（ｆ）に示したように、ビアホール９とそのランド部の回路形成を行った後、外層に露出しているバリア金属層５をエッチング除去することによって、図２（ｇ）に示したプリント配線板１０を得る。

続いて、図３乃至図４を用いて、第二の実施の形態について説明する。

図３乃至図４は、上記と同様に、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を形成する例を示したもので、まず、図３（ａ）に示したように、内層に形成された下層配線回路４ｂの形成層上に層間絶縁層１と銅箔等の金属箔２を順次積層し（例えば樹脂付き銅箔を積層する）、次いで、レーザ照射により、下層配線回路４ｂに達する非貫通孔６を穿孔する（図３（ｂ）参照）。次に、図３（ｃ）に示したように、電解めっき、或いは無電解めっき（本実施の形態では、置換めっきを用いた例を示しており、金属箔２の表側面と非貫通孔６から露出した下層配線回路４ｂの表面に、バリア金属層が形成されている。因みに、電解めっきを用いた場合には、金属箔２の表側面のみに形成される。）により、バリア金属層５を形成し、次いで、非貫通孔６を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を形成した後、電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行い、非貫通孔６にめっき７を充填するとともに外層にも当該めっき７を析出させる（図３（ｄ）参照）。次に、図３（ｅ）に示したように、ビアホール９とそのランド部の回路形成を行った後、図４（ｆ）に示したように、外層に露出しているバリア金属層５をエッチング除去し（バリア金属層５を除去する前に、ビアホール９とそのランド部に、５〜１０μｍ程度のエッチング処理を施して、当該ビアホール９とそのランド部のめっき段差を小さくすることもできる）、次いで、露出した金属箔２に回路形成を行うことによって、外層に上層配線回路４ａが形成された図４（ｇ）のプリント配線板１０を得る。

上記第一、第二の実施の形態とすることにより、ビアホールにめっきを充填する際、外層にもめっきを析出させているため、安定してビアホールにめっきを充填することができる。また、上層配線回路、及び金属箔は、バリア金属箔で保護されているため、一定の厚みを確保することができ、その結果、微細配線回路を容易に形成することができる。

また、上記第一、第二の実施の形態では、非貫通孔６のデスミア処理の際に、外層に露出する層間絶縁層１が全く存在しないこととなる。従って、図９乃至図１０に示した構成では、非貫通孔６のデスミア処理の際に、配線回路非形成部（層間絶縁層１の表面）も同時にデスミア処理されるため、デスミア処理液の汚染がひどく、ライフ期間が著しく短縮するという不具合があったが、上記第一、第二の実施の形態では、デスミア処理液の汚染を最小限（非貫通孔部のみ）に抑えることができるので、通常使用と変わらぬライフ期間とすることができるというメリットもある。

上記第一、第二の実施の形態では、ビアホール９にめっきを充填する例を示したが、通常のめっき液で電解めっき処理を行うことで、図５に示したような、スルーホール９ｂとそのランド部のみにめっき７ａが形成されたプリント配線板１０、及び図６に示したような、ブラインドバイアホール９ａとそのランド部のみにめっき７ａが形成されたプリント配線板１０とすることもできる。

続いて、図７乃至図８を用いて、第三の実施の形態について説明する。

図７乃至図８は、ビアホールの底部側に形成された金属層を給電層として電解めっき（例えば電解銅めっき）処理を行い、当該非貫通孔内にめっきを充填する例を示したもので、まず、図７（ａ）に示したように、絶縁基材１ａの上下に銅箔等の金属箔２を備えた絶縁基板３を用意し、エッチング処理により、上下の配線回路４ａ、４ｂを形成する（図７（ｂ）参照）。次に、図７（ｃ）に示したように、外層全面に後のビアホール形成の際の電解めっき８ａ、８ｂ及び図示しない無電解めっきとはエッチング条件の異なるバリア金属層５を形成し、次いで、レーザ照射により、当該下層配線回路４ｂに達する非貫通孔６を穿孔する（図７（ｄ）参照）。ここで、バリア金属層５は、プリント配線板の端面にも析出されてしまい、後の電解めっき処理の際に、上層にも給電されてしまうため、当該電解めっき処理前（例えば図７（ｃ）の工程後）に端面カット処理等を行い、端面に析出したバリア金属層５を予め除去しておく。次に、非貫通孔６のデスミア処理を行った後、当該下層配線回路４ｂ側に形成されたバリア金属層５を給電層として電解めっき（例えば電解銅めっき）処理を行い、当該非貫通孔６の途中まで第一電解めっき８ａを充填するとともに、当該給電層たるバリア金属層５の表面にも当該第一電解めっき８ａを析出させる（図７（ｅ）参照）。次に、非貫通孔６を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を形成した後、電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行い、残りの非貫通孔６内に第二電解めっき８ｂを充填するとともに、外層全面に当該第二電解めっき８ｂを析出させる（図８（ｆ）参照）。次に、図８（ｇ）に示したように、ビアホール９とそのランド部の回路形成を行うと同時に余分な第一、第二電解めっき８ａ、８ｂを除去し、次いで、外層に露出しているバリア金属層５をエッチング除去することによって、絶縁基材１ａの上下に配線回路４ａ、４ｂが形成された、図８（ｈ）のプリント配線板１０を得る。

このように、非貫通孔にめっきを充填すると同時に給電層の表面にもめっきを析出させる構成としたため（即ち、めっき面積率を広くし、均等に分布させたため）、ビアホールに安定してめっきを充填することができる。また、上下層に形成された配線回路は、バリア金属層に保護されているため、一定の厚みを確保することができ、その結果、微細配線回路を容易に形成することができる。

第三の実施の形態では、予め配線回路を形成してからバリア金属層を形成する例を説明したが、図３乃至図４に倣って、ビアホール部の回路形成が終った後に、上下層の配線回路を形成することもできる。

また、予め配線回路を形成する第一、第三の実施の形態において、パラジウム等を用いる全面の無電解めっき処理によって、配線回路の表側面を含んだ外層全体にバリア金属層を形成する例を説明したが、構成としてはこの限りでなく、置換型の無電解めっき処理によって、少なくとも配線回路の表側面のみにバリア金属層を形成する構成とすることも可能である。しかし、この構成の場合、配線回路の表側面にバリア金属層を形成した後、非貫通孔のデスミア処理の際に配線回路非形成部がデスミア処理されるのを防止するために、当該バリア金属層を含んだ外層全面に無電解めっき（例えば、無電解銅めっき）を形成する必要がある。従って、非貫通孔の孔明け、及びデスミア処理後に形成する無電解めっきと合せて、当該無電解めっき工程が２回必要となるため、第一、第三の実施の工程と比較して、製造工程が若干長くなってしまうというデメリットを有する。

また、第三の実施の形態においては、板厚が０．１mm以上で、孔径がφ１００μｍ以下の非貫通孔に対してめっきを安定して充填する例を示した。従って、電解めっき処理を２回に分けて行う工程を示したが、板厚が０．０６mm以下であれば、第一、第二の実施の形態と同様に、一度の電解めっき処理で充填することができる。

更に、第三の実施の形態においては、絶縁基材の表裏に金属箔を備えた両面プリント配線板を例にして説明したが、多層プリント配線板においても、同様の効果が得られるのはいうまでもない。

実施例１
図７乃至図８に示したプリント配線板１０をコア基板とし、当該コア基板の表裏に、図１乃至図２に示したビルドアップ配線層を積層したビルトアップ多層プリント配線板を以下の製造方法によって製造した。
まず、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した０．１mmのガラスエポキシ樹脂基板の両面に、厚さ１２μｍの銅箔が積層されたガラスエポキシ銅張り積層板（日立化成社製：ＭＣＬ−Ｅ６７９Ｆ）を用意し（図７（ａ）に相当）、２０μｍのドライフィルム（旭化成社製：ＳＰＧ２０２）を用いたサブトラクティブ法により、両面にＬ／Ｓ（配線幅／配線間隙）＝３０μｍ／３０μｍの微細配線回路を有する配線回路を形成した（図７（ｂ）に相当）。

次に、配線回路の表側面を含んだ絶縁基板全面にバリア金属層を形成した（図７（ｃ）に相当）。当該バリア金属層としては、絶縁基板全面にパラジウム触媒を付与した後、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解Ｎｉ−Ｐめっき（厚さ０．５μｍ）を形成するようにした。

次に、所望の位置に炭酸ガスレーザを照射して、トップ径φ９５μｍ、ボトム径φ６０μｍの非貫通孔を穿孔し、次いで、過マンガン酸カリウム系溶液を用いたデスミア処理により、非貫通孔内壁の粗化、及び底部の樹脂残膜の除去を行った（図７（ｄ）に相当）。
次に、端面を僅かにカットし、絶縁基板の端面に析出したバリア金属層を除去して、上下の配線回路の絶縁処理を行った。

次に、下層配線回路の表面に形成されたバリア金属層を給電層とし、また、当該バリア金属層側にのみ陽極を配置して、ハイスロー浴にて電解銅めっきを行った。この時、電解銅めっきは、非貫通孔の底部からボトムアップさせるとともに、下層配線回路上のバリア金属層の表面にも析出させるようにした（図７（ｅ）に相当）。電解銅めっきの厚さは、非貫通孔内及びバリア金属層の表面ともに６０μｍ析出させた。尚、バリア金属層表面に析出させる電解銅めっきは、非貫通孔への電流密度の集中を抑制するためのダミーめっきである。

次に、上下の配線回路を導通させるために、絶縁基板全面に厚さ０．５μｍの無電解銅めっきを施し、次いで、ビアフィリング浴にて電解銅めっき処理を行い、非貫通孔内にめっきを完全に充填させた（図８（ｆ）に相当）。尚、電解銅めっき処理は、外層に１５μｍ析出する設定とした。

次に、レーザ照射側のビアホールとそのランド形成部にエッチングレジストパターンを形成し、銅アンモニウム錯イオンを主成分とするアルカリエッチング液（メルテックス社製：エープロセス）にてエッチング処理を行い、ビアホールとそのランドを形成するとともに、ニッケルからなるバリア金属層が露出するまで余分な銅めっきを除去した。そして、当該エッチング処理を行った後、当該エッチングレジストパターンを剥離除去した（図８（ｇ）に相当）。

次に、ニッケル剥離液（メック社製：ＮＨ−１８６２）を用いて、表面に露出しているニッケル（バリア金属層）を剥離することによってコア基板を得た（図８（ｈ）に相当）。

次に、当該コア基板の両面に、５０μｍのプリプレグ（日立化成社製：ＧＥＡ−６７９Ｆ）と１２μｍの銅箔を順次積層した（図１（ａ）に相当）。

次に、上記コア基板の製造と同じように、サブトラクティブ法によって、外層（両面）にＬ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍの微細配線回路を有する配線回路を形成した（図１（ｂ）に相当）。

次に、上記コア基板の製造と同条件で無電解ニッケルめっき（図１（ｃ）に相当）、レーザ、デスミア処理を行った（図１（ｄ）に相当）。尚、非貫通孔径は、トップ径φ８０μｍ、ボトム径φ５０μｍとした。

次に、非貫通孔を含んだ外層全面に無電解銅めっき（０．５μｍ）を施し、次いで、ビアフィリング浴にて電解銅めっき処理を行った（図１（ｅ）に相当）。電解銅めっき条件はコア基板の時と同条件である。

次に、ビアホールとそのランド形成部にエッチングレジストパターンを形成し、アルカリエッチング処理にて、ビアホールとそのランドを形成するとともに、ニッケルからなるバリア金属層が露出するまで余分な銅めっきを除去した（図２（ｆ）に相当）。

そして、当該エッチング処理の後、当該エッチングレジストパターンを剥離除去し、次いで、表面に露出しているニッケルを剥離することによって、両面のコア基板の表裏にビルドアップ配線層が１層づつ積層されたビルドアップ多層プリント配線板を得た（図２（ｇ）に相当）。

実施例２
図５に示したプリント配線板１０を４層の多層構造とし、尚且つスルーホール９ｂ内に樹脂（導電性樹脂或いは絶縁樹脂）を充填し、当該スルーホールに蓋めっきを施したコア基板と、当該コア基板の表裏に図１乃至図２に示したビルドアップ配線層を積層した図１２のビルドアップ多層プリント配線板を、以下の製造方法により製造した。

まず、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した０．２mmのガラスエポキシ樹脂基板の両面に、厚さ１８μｍの銅箔が積層されたガスラエポキシ銅張り積層板（日立化成社製：ＭＣＬ−Ｅ６７）を用意し、２０μｍのドライフィルム（旭化成社製：ＳＰＧ２０２）を用いたサブトラクティブ法により、両面にＬ／Ｓ（配線幅／配線間隙）＝３０μｍ／３０μｍの微細配線回路を有する配線回路を形成した。

次に、当該配線回路が形成された上記両面基板の両面に、厚さ１００μｍのプリプレグ（日立化成社製：ＧＥＡ−６７Ｎ）と厚さ１２μｍの銅箔を順次積層した。

次に、上記積層板に０．２mmのドリル孔明けを施し、過マンガン酸カリウム系溶液を用いたデスミア処理により、貫通孔内のスミアを除去した。

次に、上記と同様にサブトラクティブ法によって、両面にＬ／Ｓ＝３０μｍ／３０μｍの微細配線回路を有する配線回路を形成し、次いで、配線回路の表側面、及び貫通孔内を含んだ積層基板全面に、０．５μｍ厚のＮｉ−Ｐめっきを形成した。

次に、厚さ２０μｍの電解銅めっきをハイスロー浴によって、上記積層基板全面に形成し、次いで、バフ研磨処理により、配線回路による電解めっきの段差分８μｍを除去し、表面をフラットな状態とした。

次に、貫通孔内に樹脂を充填し、硬化後、当該貫通孔から露出している樹脂をバフ研磨により除去し、次いで、積層基板の全面に０．５μｍの無電解めっきを施した後、厚さ１０μｍの電解銅めっきをハイスロー浴によって積層基板の全面に形成した。

次に、スルーホールとそのランド形成部にエッチングレジストパターンを形成し、アルカリエッチング処理によって、スルーホールの蓋めっきとそのランドを形成するとともに、ニッケルからなるバリア金属層が露出するまで余分な銅めっきを除去した。そして、当該エッチング処理を行った後、当該エッチングレジストパターンを剥離除去し、次いで、表面に露出しているニッケルを剥離することによって、図１２に示したコア基板を得た。
そして、実施例１に倣って、当該コア基板の両面にビルドアップ配線層を形成することによって、図１２に示したビルドアップ多層プリント配線板を得た。

本発明の第一の実施の形態における工程（ａ）〜（ｅ）を示す概略断面工程説明図。本発明の第一の実施の形態における工程（ｆ）〜（ｇ）を示す概略断面工程説明図。本発明の第二の実施の形態における工程（ａ）〜（ｅ）を示す概略断面工程説明図。本発明の第二の実施の形態における工程（ｆ）〜（ｇ）を示す概略断面工程説明図。スルーホールにめっきを充填させない本発明方法により得られたプリント配線板例を示す概略断面説明図。ブラインドバイアホールにめっきを充填させない本発明方法により得られたプリント配線板例を示す概略断面説明図。本発明の第三の実施の形態における工程（ａ）〜（ｅ）を示す概略断面工程説明図。本発明の第三の実施の形態における工程（ｆ）〜（ｈ）を示す概略断面工程説明図。従来のプリント配線板の製造方法における工程（ａ）〜（ｆ）を示す概略断面工程説明図。従来のプリント配線板の製造方法における工程（ｇ）〜（ｈ）を示す概略断面工程説明図。他の従来のプリント配線板の製造方法を示す概略断面工程説明図。本発明方法により得られたビルドアップ多層プリント配線板例を示す概略断面説明図。

符号の説明

１：層間絶縁層
１ａ：絶縁基材
２：金属箔
２ａ：上層金属箔
２ｂ：下層金属箔
３：絶縁基板
４ａ：上層配線回路
４ｂ：下層配線回路
４ｃ：孔近傍部
５：バリア金属層
６：非貫通孔
７、７ａ：電解めっき
８ａ：第一電解めっき
８ｂ：第二電解めっき
９、９ａ：ビアホール
９ｂ：スルーホール
１０：プリント配線板
１１：無電解めっき
１２：めっきレジスト
１２ａ：開口部

Claims

層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、ビアホール形成のためのめっき処理前に、絶縁基板の外層に形成された配線回路及び／又は金属箔の露出面に、当該配線回路及び／又は金属箔が後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理によりエッチングされることを防止するために、当該後のビアホール形成の際の電解めっき及び無電解めっきとはエッチング条件の異なる金属薄膜からなるバリア金属層を設ける工程と、ビアホール形成のためのめっき処理により当該バリア金属層上にめっきを析出させる工程と、当該めっきをエッチング処理してバリア金属層を露出せしめると共に、ビアホールとそのランドを形成する工程と、当該露出したバリア金属層をエッチング処理して除去する工程とを有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
バリア金属層を設けた後、ビアホール形成のためのめっき処理を、当該ビアホール用非貫通孔の底部側に形成されたバリア金属層を給電層とする電解めっき処理で行ない、当該電解めっきを、ビアホール用の非貫通孔に充填させるとともに当該給電層の表面にも析出させることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。