JP4386789B2

JP4386789B2 - 発光ダイオード素子の製造方法

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Publication number: JP4386789B2
Application number: JP2004142256A
Authority: JP
Inventors: 登美男井上
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2004-05-12
Filing date: 2004-05-12
Publication date: 2009-12-16
Anticipated expiration: 2024-05-12
Also published as: JP2005327786A

Description

本発明は、発光ダイオードチップを使用した発光ダイオード素子のうち、前記発光ダイオードチップを螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂にて被覆して成る発光ダイオード素子を製造する方法に関するものである。

最近、例えば、ＧａＮ系で青色を発光する発光ダイオードチップが開発され、この青色発光の発光ダイオードチップは、高い輝度を呈することが良く知られている。

また、最近においては、前記青色発光の発光ダイオードチップが高い輝度を有することを利用して、この発光ダイオードチップの表面を、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂にて被覆し、前記青色発光の波長を前記被膜中の螢光物質にて一部黄色に変換し、これらの混色によって、高い輝度で白色に発光させることが行われている。

ところで、青色発光の発光ダイオードチップを、これを螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂にて被覆することで白色発光に波長変換する場合、前記光透過性合成樹脂における膜厚さが、例えば、厚いときには、黄緑色に波長変換される率が高くなって、黄緑色の強い色調になり、また、薄いときには、青色が波長変換される率は低くなって、青色の強い色調になるというように、前記光透過性合成樹脂における膜厚さが波長変換に及ぼす影響は大きいから、前記光透過性合成樹脂における膜厚さは、前記発光ダイオードチップの多数個の各々について、略等しくするように揃えるとともに、前記光透過性合成樹脂の表面は平滑な平面にすることが必要である。

先行技術としての特許文献１は、前記青色発光の発光ダイオードチップを螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂にて被覆することに関して、以下に述べるような方法を提案している。

すなわち、発光ダイオードチップとして、透明基板の片面に、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層をその間に発光層を挟んで積層形成するとともに、前記ｎ型半導体層に繋がるｎ電極及び前記ｐ型半導体層に繋がるｐ電極を形成して成る形式、所謂、フリップチップ構造の発光ダイオードチップを使用して、この発光ダイオードチップの多数個を、当該発光ダイオードチップの各々におけるサブマウント基板を構成する素材基板の上面に、各発光ダイオードチップにおけるｎ電極及びｐ電極が素材基板の各サブマウント基板における配線パターンに電気的に接続するようにマウントし、次いで、前記素材基板の上面に、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂を、マスクを使用したスクリーン印刷にて、前記各発光ダイオードチップの全体を被覆するように塗布したのち硬化し、次いで、前記素材基板を、ダイシングカッターにて前記各発光ダイオードチップごとのサブマウント基板にダイシング分割するという方法である。
特開２００１−１５８１７号公報

しかし、前記先行技術における方法は、発光ダイオードチップを、そのサブマウント基板にマウントした状態で、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂にて被覆するという方法であり、サブマウント基板を必要とすることにより、これだけコストの大幅なアップを招来するという問題があるばかりか、サブマウント基板にマウントしない発光ダイオードチップに対しては適用することができないという問題がある。

しかも、前記先行技術における方法では、前記発光ダイオードチップに対してスクリーン印刷にて塗布した光透過性合成樹脂が、これが硬化するまでの間において型崩れすることにより、発光ダイオードチップとの間における膜厚さに厚い薄いのバラ付きが発生し易いばかりか、前記光透過性合成樹脂の表面には凹凸ができて平滑な平面にすることができないから、光の色調に斑ができるという問題もあった。

本発明は、サブマウント基板に関係なく発光ダイオードチップを、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂にて確実に被覆することができる方法を提供することを技術的課題とするものである。

この技術的課題を達成するため本発明の請求項１は、
「透明基板の片面にｎ型半導体層及びｐ型半導体層をその間に発光層を挟んで積層形成するとともに前記ｎ型半導体層に繋がるｎ電極及び前記ｐ型半導体層に繋がるｐ電極を形成して成るフリップチップ構造の発光ダイオードチップを、シートの上面に対して、当該発光ダイオードチップにおけるｎ電極及びｐ電極が密着するように多数個縦横方向に並べて剥離可能に接着する工程と、
次いで、前記シートを前記各発光ダイオードチップの下側にして、このシートの上面に、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂の液体を、前記各発光ダイオードチップの全体が当該光透過性合成樹脂の液体中に埋没する厚さにして充填する工程と、
次いで、前記光透過性合成樹脂の液体を硬化することにより、樹脂板を、当該樹脂板が前記シートの上面に密接した状態にして形成する工程と、
次いで、前記樹脂板のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅でダイシングする工程から成る。」
ことを特徴としている。

本発明の請求項２は、
「前記請求項１の記載において、前記光透過性合成樹脂を液体の状態で充填する工程と、これを硬化処理する工程との間に、前記螢光物質の粉末を沈殿する工程を備えている。」ことを特徴としている。
本発明の請求項３は、
「前記請求項１又は２の記載において、前記樹脂板をダイシングする工程を、前記樹脂板を前記シートからエキスパンションシートに張り替えた状態で行い、次いで、前記エキスパンションシートを縦横方向に延伸する。」
ことを特徴としている。

前記請求項１に記載した構成によると、フリップチップ構造の発光ダイオードチップのうちシートに接着するｎ電極及びｐ電極等の表面を除く全体を、前記先行技術のようにサブマウント基板に対してマウントしない状態のもとで、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂にて、確実に被覆することができるから、光透過性合成樹脂にて被覆することに要するコストの大幅なアップを解消できるとともに、前記サブマウント基板を使用しない場合においても確実に適用できる。

しかも、前記発光ダイオードチップにおけるｎ電極及びｐ電極の両方における表面に対して、当該発光ダイオードチップを被覆する光透過性合成樹脂が付着することを前記シートにて確実に回避できるから、前記ｎ電極及びｐ電極の表面に対する電気的接続の確実性を確保できる。

その上、硬化した樹脂板のダイシングであることにより、前記発光ダイオードチップを被覆する光透過性合成樹脂における膜厚さを略一定に揃えるようにその膜厚さのバラ付きを小さくできるとともに、前記発光ダイオードチップを被覆する光透過性合成樹脂における表面を凹凸の少ない平滑な平面にできるから、光の色調に斑ができることを確実に回避できる。

この請求項１の発明においては、請求項２に記載したように、螢光物質の粉末を沈殿する工程を設けることにより、光透過性合成樹脂に混ぜた螢光物質の粉末は、発光ダイオードチップに向かって沈殿して、発光ダイオードチップの周辺における螢光物質の密度が高くなるから、前記螢光物質による色調変換の効果を、当該螢光物質の使用量が少なくした状態で確実に達成することができ、螢光物質の使用量が少なくできるとともに、前記光透過性合成樹脂を透過して出射される光の輝度を、螢光物質が光透過性合成樹脂の厚さ方向の全体にわたって分散している場合によりも向上できる利点がある。

また、前記請求項１の発明においては、請求項３に記載したようにすることにより、製造した発光ダイオード素子を、バラバラにすることなく、前記エキスパンションシートに、当該エキスパンションシートから一つずつ確実にピックアップすることができるような間隔で接着した状態にして、所定の使用箇所に供給できる利点がある。

また、この請求項３の発明においては、請求項４に記載したようにすることにより、製造した発光ダイオード素子を、バラバラにすることなく、前記エキスパンションシートに、当該エキスパンションシートから一つずつ確実にピックアップすることができるような間隔で接着した状態にして、所定の使用箇所に供給できる利点がある。

以下、本発明の実施の形態を図面について説明する。

図１〜図１２は、本発明における実施の形態を示す。

これら各図のうち図１及び図２は、この実施の形態に使用する発光ダイオードチップ１を示す。

この発光ダイオードチップ１は、サファイア等の透明基板２の片面に、ｎ型半導体層３及びｐ型半導体層４をその間に青色発光の発光層５を挟んで積層形成するとともに、前記ｎ型半導体層３に繋がるｎ電極６及び前記ｐ型半導体層４に繋がるｐ電極７を形成して成るフリップチップ構造である。

そして、前記フリップチップ構造の発光ダイオードチップ１の多数個を、図３に示すように、ポリエステル又はポリイミド等の耐熱性を有する合成樹脂によるシート８の上面に、縦横方向のマトリック状に並べて、当該発光ダイオードチップ１におけるｎ電極６及びｐ電極７がシート８に対して密着するようにして、剥離可能に接着する。

次いで、図４に示すように、前記シート８を各発光ダイオードチップ１の下側にして、このシート８の上面に、前記発光ダイオードチップ１の多数個の全体を囲うように構成した枠体９を固定する。

次いで、前記枠体９内に、図５に示すように、青色発光を白色発光に色調変換する螢光物質の粉末を予め混合してなる光透過性合成樹脂の液体を、前記各発光ダイオードチップ１の全体が埋没する厚さ、つまり、前記各発光ダイオードチップ１の上面１ｂから合成樹脂が所定厚さＴ１だけ盛り上がる状態になるまで注入する。
次いで、加熱炉に入れて加熱するか或いは紫外線を照射するというような硬化処理の工程を行うことにより、樹脂板１０を、当該樹脂板１０が前記シート８の上面に密接した状態にして形成する。

なお、前記合成樹脂を液体の状態で注入する工程においては、これを真空中で行うことにより、前記樹脂板１０の内部に気泡が入らないようにする。

また、前記樹脂板１０に形成する光透過性合成樹脂がエポキシ樹脂又は硬質のシリコン樹脂である場合には、前記発光ダイオードチップ１のシート８に対する接着にシリコン系の接着剤を使用することにより、前記各発光ダイオードチップ１をシート８に対して剥離可能に構成している。

次いで、図６に示すように、前記シート８から枠体９を撤去し、更に、図７に示すように、前記樹脂板１０から前記シート８を剥離除去する。

次いで、前記樹脂板１０を、図８に示すように、当該樹脂板１０のうち前記各発光ダイオードチップ１間の部分を前記各発光ダイオードチップ１における側面１ａ間の間隔寸法Ｌよりも狭い切削幅Ｓのダイシングカッター１１にてダイシングすることにより、各発光ダイオードチップ１ごとに分割する。

これら一連の工程を経ることにより、図９及び図１０に示すように、各発光ダイオードチップ１の上面１ｂには、膜厚さＴ１の光透過性合成樹脂が存在する一方、各発光ダイオードチップ１の側面には、膜厚さＴ２の光透過性合成樹脂が残ることになるから、前記フリップチップ構造の各発光ダイオードチップ１を、当該発光ダイオードチップ１におけるｎ電極６及びｐ電極７のうち表面の部分を除いて、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂１２にて被覆することができて、換言すると、発光ダイオードチップ１をそのｎ電極６及びｐ電極７のうち表面の部分を除いて螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂１２にて被覆して成る発光ダイオード素子１３を製造することができる。

ところで、前記樹脂板１０を、各発光ダイオードチップ１ごとに分割するに際しては、前記シート８を剥離した前記樹脂板１０に、図１１に示すように、エキスパンションシート１４を貼り付け、換言すると、前記樹脂板１０を前記シート８からエキスパンションシート１４に張り替えし、この状態で、図１２に示すように、前記樹脂板１０のうち前記各発光ダイオードチップ１間の部分を前記各発光ダイオードチップ１における側面１ａ間の間隔寸法Ｌよりも狭い切削幅Ｓのダイシングカッター１１にてダイシングすることにより、各発光ダイオードチップ１ごとに分割し、次いで、前記エキスパンションシート１４を縦及び横方向、つまり、図１２において矢印Ａで示す方向と、図１２の紙面と直角の方向とに延伸することにより、前記各発光ダイオードチップ１の相互間に間隔寸法を広げるようにする。

このような製造工程にすることにより、製造した発光ダイオード素子１３を、バラバラにすることなく、前記エキスパンションシート１４に、当該エキスパンションシート１４から一つずつ確実にピックアップすることができるような間隔で接着した状態にして、所定の使用箇所に供給できる利点がある。

また、前記光透過性合成樹脂を液体の状態で注入する工程と、これを硬化処理する工程との間に、適宜時間だけの放置することで前記光透過性合成樹脂に混ぜた螢光物質の粉末を沈殿するという工程を付加する。

この沈殿工程を設けたことで、光透過性合成樹脂に混ぜた螢光物質の粉末は、発光ダイオードチップ１に向かって沈殿して、発光ダイオードチップ１の周辺における螢光物質の密度が高くなるから、前記螢光物質による色調変換の効果を、当該螢光物質の使用量を少なくした状態で確実に達成することができるとともに、前記光透過性合成樹脂１２を透過して出射される光の輝度を、螢光物質が光透過性合成樹脂の厚さ方向の全体にわたって分散している場合によりも向上できる。

次に、図１４〜図２５は、別の実施の形態を示す。

これら各図のうち図１３〜図１５は、別の実施の形態に使用する発光ダイオードチップ２１を示す。

この発光ダイオードチップ２１は、ｎ型ＳｉＣ結晶基板等の透明な厚さの厚いｎ型半導体層２２の下面に、ｐ型半導体層２３をその間に青色発光の発光層２４を挟んで積層形成し、前記ｎ型半導体層２２の上面にｎ電極２５を、前記ｐ型半導体層２３の下面にｐ電極２６を各々形成して成る構造、つまり、ｎ型半導体層２２とｐ型半導体層２３とをその間に発光層２４を挟んで積層しこの積層方向の一端面に前記ｎ型半導体層２２に繋がるｎ電極２５を前記積層方向の他端面に前記ｐ型半導体層２３に繋がるｐ電極２６を各々形成した構造である。

また、この発光ダイオードチップ２１の周囲における側面２１ａの一部には、その上部における横幅寸法Ｗ１を下部における横幅寸法Ｗ２よりも小さくするようにした傾斜面２１ｂに形成されており、且つ、その下面には、前記発光層２４、ｐ型半導体層２３及びｐ電極２６の周囲を密封する絶縁膜２７が形成されている。

更にまた、前記発光ダイオードチップ２１の上面におけるｎ電極２５を、金属線をワイヤボンディングするための円形のボンディング部２５ａと、このボンディング部２５ａから四隅に向かって放射状に延びる延長部２５ｂとで構成して、前記発光ダイオードチップ２１の上面に前記ｎ電極２５が形成されていない部分、つまり、前記ｎ型ＳｉＣ結晶基板等の透明なｎ型半導体層２２が直接露出する部分を設けることにより、この部分から光が上向きに出射されるように構成している。

そして、前記構造の発光ダイオードチップ２１の多数個を、図１６に示すように、ポリエステル又はポリイミド等の耐熱性を有する合成樹脂による第１シート２８の上面に、縦及び横方向のマトリックス状に並べて、当該発光ダイオードチップ２１におけるｐ電極２６が第１シート２８に対して密着するように剥離可能に接着し、更に、これら各発光ダイオードチップ２１の上面に、同じくポリエステル又はポリイミド等の耐熱性を有する合成樹脂による第２シート２９を、当該第２シート２９が前記各発光ダイオードチップ２１におけるｎ電極２５に密接するように剥離可能に接着する。

つまり、前記構造の発光ダイオードチップ２１を、第１シート２８の上面と第２シート２９の下面とに対して、当該発光ダイオードチップ２１におけるｐ電極２６が第１シート２８に、ｎ電極２５が第２シート２９に各々密接するように多数個縦横方向に並べて剥離可能に接着する。

この場合において、前記発光ダイオードチップ２１を上下逆向きにして、発光ダイオードチップ２１におけるｎ電極２５が第１シート２８に、ｐ電極２６が第２シート２９に各々密接するようにしても良い。

次で、前記第１シート２８の上面に、図１７に示すように、前記発光ダイオードチップ２１の多数個の全体を囲うように構成した枠体３０を固定する。

次いで、前記枠体３０内に、図１８に示すように、青色発光を白色発光に色調変換する螢光物質の粉末を予め混合してなる光透過性合成樹脂を、液体の状態で注入することにより、前記第１シート２８と第２シート２９との間に合成樹脂を充填し、次いで、加熱炉に入れて加熱するか或いは紫外線を照射するというような適宜の硬化処理の工程を行うことにより、樹脂板３１に形成する。

なお、前記合成樹脂を液体の状態で注入する工程においては、これを真空中で行うことにより、両シート２８，２９間への完全な充填ができるようにするとともに、前記樹脂板３１の内部に気泡が入らないようにする。

また、前記樹脂板３１に形成する光透過性合成樹脂がエポキシ樹脂又は硬質のシリコン樹脂である場合には、前記発光ダイオードチップ２１の両シート２８，２９に対する接着にシリコン系の接着剤を使用することにより、前記各発光ダイオードチップ２１を両シート２８，２９に対して剥離可能に構成している。

次いで、図１９に示すように、前記第１シート２８から枠体３０を撤去し、更に、図２０に示すように、前記樹脂板３１から前記両シート２８，２９を剥離除去する。

次いで、前記樹脂板３１を、図２１に示すように、当該樹脂板３１のうち前記各発光ダイオードチップ２１間の部分を前記各発光ダイオードチップ２１における側面２１ａ間の間隔寸法Ｌよりも狭い切削幅Ｓのダイシングカッター３２にてダイシングすることにより、各発光ダイオードチップ２１ごとに分割する。

これら一連の工程を経ることにより、図２２及び図２３に示すように、各発光ダイオードチップ１の側面には、光透過性合成樹脂が、前記間隔Ｌから前記切削幅Ｓを差し引いた値の半分の膜厚さだけ残ることになるから、一端面にｎ電極２５を他端面にｐ電極２６を有する構造の発光ダイオードチップ２１を、当該発光ダイオードチップ２１における前記ｎ電極２５及びｐ電極２６の部分を除いて、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂３３にて被覆することができで、換言すると、発光ダイオードチップ２１をそのｎ電極２５及びｐ電極２６の部分を除いて螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂３３にて被覆して成る発光ダイオード素子３４を製造することができる。

この別の実施の形態においても、前記樹脂板３１を、各発光ダイオードチップ２１ごとに分割するに際しては、前記両シート２８，２９を剥離した前記樹脂板３１に、図２４に示すように、エキスパンションシート３５を貼り付け、換言すると、前記樹脂板３１を前記両シート２８，２９からエキスパンションシート３５に張り替えし、この状態で、図２５に示すように、前記樹脂板３１のうち前記各発光ダイオードチップ２１間の部分を前記各発光ダイオードチップ２１における側面２１ａ間の間隔寸法Ｌよりも狭い切削幅Ｓのダイシングカッター３２にてダイシングすることにより、各発光ダイオードチップ２１ごとに分割し、次いで、前記エキスパンションシート３５を縦及び横方向、つまり、図２５において矢印Ａで示す方向と、図２５の紙面と直角の方向とに延伸することにより、前記各発光ダイオードチップ２１の相互間に間隔寸法を広げるようにする。

このような製造工程にすることにより、製造した発光ダイオード素子３４を、バラバラにすることなく、前記エキスパンションシート３５に、当該エキスパンションシート３５から一つずつ確実にピックアップすることができるような間隔で接着した状態にして、所定の使用箇所に供給できる利点がある。

また、前記光透過性合成樹脂を液体の状態で注入・充填する工程と、これを硬化処理する工程との間に、適宜時間だけの放置することで前記光透過性合成樹脂に混ぜた螢光物質の粉末を沈殿するという工程を付加する。

この沈殿工程を設けたことで、光透過性合成樹脂に混ぜた螢光物質の粉末は、発光ダイオードチップ２１の外周の傾斜面２１ｂに向かって沈殿して、発光ダイオードチップ２１の周辺における螢光物質の密度が高くなるから、前記螢光物質による波長変換の効果を、当該螢光物質の使用量が少なくした状態で確実に達成することができる。

ところで、前記図１３〜図１５に示す構造の発光ダイオードチップ２１においては、その下面における絶縁膜２７の外側の部分に、ｎ型半導体層２２が露出していることにより、前記絶縁膜２７が周囲が囲まれたｐ電極２６を、リードフレーム等に対して電気的に接合する場合に、銀ペースト等の導電性ペースト又は半田を使用すると、この導電性ペースト又は半田が絶縁膜２７の外側にはみ出して、リードフレーム等とｎ型半導体層２２との間に電気的に短絡が発生するから、前記の接合には導電性ペースト又は半田を使用することができないという問題がある。

これに対して、前記第２の実施の形態は、前記発光ダイオードチップ２１の他端面におけるｐ電極２６を、第１シート２８又は第２シート２９に密接した状態で、この発光ダイオードチップ２１を光透過性合成樹脂３３にて被覆するものであることにより、図２２に示すように、前記光透過性合成樹脂３３を、前記ｐ電極２９の周囲を囲う絶縁膜２７の外側の部分にまで延長することができ、換言すると、前記ｐ電極２９の周囲を囲う絶縁膜２７の外側の部分にまでも、前記光透過性合成樹脂３３にて被覆することができる。

従って、本発明によると、前記発光ダイオードチップ２１の他端面におけるｐ電極２６を、リードフレーム等に対して接合する場合に、銀ペースト等の導電性ペースト又は半田を使用することができる利点がある。

本発明の実施の形態に使用する発光ダイオードチップの側面図である。図１の平面図である。本発明の実施の形態における第１の工程を示す図である。本発明の実施の形態における第２の工程を示す図である。本発明の実施の形態における第３の工程を示す図である。本発明の実施の形態における第４の工程を示す図である。本発明の実施の形態における第５の工程を示す図である。本発明の実施の形態における第６の工程を示す図である。本発明の実施の形態による発光ダイオード素子を示す縦断正面図である。図９の平面図である。本発明の実施の形態における別の工程を示す図である。前記図１１に示す工程の次の工程を示す図である。別の実施の形態に使用する発光ダイオードチップの一部切欠側面図である。図１３の平面図である。図１３の底面図である。別の実施の形態における第１の工程を示す図である。別の実施の形態における第２の工程を示す図である。別の実施の形態における第３の工程を示す図である。別の実施の形態における第４の工程を示す図である。別の実施の形態における第５の工程を示す図である。別の実施の形態における第６の工程を示す図である。別の実施の形態による発光ダイオード素子を示す縦断正面図である。図２２の平面図である。別の実施の形態における別の工程を示す図である。前記図２４に示す工程の次の工程を示す図である。

符号の説明

１，２１発光ダイオードチップ
６，２５発光ダイオードチップにおけるｎ電極
７，２６発光ダイオードチップにおけるｐ電極
８シート
２８第１シート
２９第２シート
１０，３１樹脂板１１，３２ダイシングカッター
１２，３３螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂
１４，３５エキスパンションシート
１３，３４発光ダイオード素子

Claims

透明基板の片面にｎ型半導体層及びｐ型半導体層をその間に発光層を挟んで積層形成するとともに前記ｎ型半導体層に繋がるｎ電極及び前記ｐ型半導体層に繋がるｐ電極を形成して成るフリップチップ構造の発光ダイオードチップを、シートの上面に対して、当該発光ダイオードチップにおけるｎ電極及びｐ電極が密着するように多数個縦横方向に並べて剥離可能に接着する工程と、
次いで、前記シートを前記各発光ダイオードチップの下側にして、このシートの上面に、螢光物質の粉末を含む光透過性合成樹脂の液体を、前記各発光ダイオードチップの全体が当該光透過性合成樹脂の液体中に埋没する厚さにして充填する工程と、
次いで、前記光透過性合成樹脂の液体を硬化することにより、樹脂板を、当該樹脂板が前記シートの上面に密接した状態にして形成する工程と、
次いで、前記樹脂板のうち前記各発光ダイオードチップの間の部分を前記各発光ダイオードチップにおける側面間の間隔寸法よりも狭い切削幅でダイシングする工程から成ることを特徴とする発光ダイオード素子の製造方法。
前記請求項１の記載において、前記光透過性合成樹脂を液体の状態で充填する工程と、これを硬化処理する工程との間に、前記螢光物質の粉末を沈殿する工程を備えていることを特徴とする発光ダイオード素子の製造方法。
前記請求項１又は２の記載において、前記樹脂板をダイシングする工程を、前記樹脂板を前記シートからエキスパンションシートに張り替えた状態で行い、次いで、前記エキスパンションシートを縦横方向に延伸することを特徴とする発光ダイオード素子の製造方法。