JP4388397B2 - MODULE TEMPLATE DATA STRUCTURE AND MULTI-CHIP INTEGRATED DEVICE DESIGN SYSTEM AND DESIGN METHOD - Google Patents
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Description
本発明は、マルチ・チップ集積化装置の設計技術に関するものであり、特に、回路設計と実装設計との整合性のとれた設計を行うことが可能なマルチ・チップ集積化装置の設計技術に関する。 The present invention relates to a design technique for a multi-chip integrated device, and more particularly, to a design technique for a multi-chip integrated device capable of performing a design in which circuit design and mounting design are consistent.
近年、既存のLSIチップ類を有効活用して新規に開発する部分を最低限に抑えることができるSiP(System in Package)技術が、SoC(System on Chip)技術を補完する形で急速に発展してきている。 In recent years, SiP (System in Package) technology, which can minimize the newly developed parts by effectively utilizing existing LSI chips, has been rapidly developed to complement SoC (System on Chip) technology. ing.
更に、現在のSiP技術の延長として、異種の材料やデバイスを1つのパッケージ内に集積して、より高性能化・高機能化を目指す研究・開発が進展している。現在大勢を占めているシリコン半導体よりも速度性能に秀でたSiGe(シリコン・ゲルマニウム)、InP(インジウム・リン)、GaAs(ガリウム・ヒ素)や、耐圧性能に秀でたGaN(窒化ガリウム)等の化合物系半導体集積チップの集積化を行うことにより、シリコン半導体では実現できない超高速性能や超高耐圧性能を実現することができる。そして、集積回路の応用範囲が一層広がるものと期待されている。さらには、SiP技術によって、現在進展の著しい光・バイオ・ケミカルセンサ等も、材料や論理の縛りを超えて集積化が可能となる。これらの技術開発により、SiPの応用範囲は一気に拡大することが期待されている。 Further, as an extension of the current SiP technology, research and development aiming at higher performance and higher functionality by integrating dissimilar materials and devices in one package is progressing. SiGe (silicon germanium), InP (indium phosphorus), GaAs (gallium arsenic), which has better speed performance than the silicon semiconductors that currently occupy the majority, GaN (gallium nitride), etc., which has superior pressure resistance By integrating the compound semiconductor integrated chip, it is possible to realize ultrahigh speed performance and ultrahigh withstand voltage performance that cannot be realized with a silicon semiconductor. And the application range of integrated circuits is expected to further expand. Furthermore, the SiP technology enables the integration of light, bio, chemical sensors, etc., which are currently making remarkable progress, beyond the bounds of materials and logic. With these technological developments, the application range of SiP is expected to expand at a stretch.
以下、本明細書において、上記SiPに代表されるような、2以上の集積論理回路チップが接続媒体を介して集積されたデバイスのことを「マルチ・チップ集積化装置」という。 Hereinafter, in the present specification, a device in which two or more integrated logic circuit chips, such as the above-mentioned SiP, are integrated via a connection medium is referred to as a “multi-chip integrated device”.
マルチ・チップ集積化装置においては、複数のチップを1つのパッケージ内に配置して、接続媒体により接続を行う。従って、それぞれのチップを組み合わせて一つの回路を設計する回路設計と、回路構成に必要なチップをパッケージ内に配置し接続する実装設計との整合性をとることが重要となる。 In a multi-chip integrated device, a plurality of chips are arranged in one package and connected by a connection medium. Therefore, it is important to achieve consistency between a circuit design in which each chip is combined to design one circuit and a mounting design in which chips necessary for the circuit configuration are arranged and connected in the package.
回路設計と実装設計との設計データの統一化を図ることにより、回路設計と実装設計の統合化を図った設計方法としては、特許文献1,非特許文献1〜3に記載のものが公知である。
As a design method for integrating circuit design and mounting design by unifying design data between circuit design and mounting design, those described in
図16は特許文献1に記載の設計装置の構成を表すブロック図である。この設計装置は、部品データベース101、回路設計CAD(Computer Aided Design:コンピュータ支援設計)装置102、実装設計CAD装置103、パターン設計CAD装置104、及び設計データ105を備えている。部品データベース101には、設計に使用する各部品の論理機能データ及び物理形状データが格納されている。
FIG. 16 is a block diagram showing the configuration of the design apparatus described in
回路設計CAD装置102では、部品データベース101に格納された各部品の論理機能データを用いて回路設計を行う。設計により構築される回路設計パラメータは、設計データ105として実装設計CAD装置103に渡される。実装設計CAD装置103では、部品データベース101に格納された各部品の物理形状データを用いて実装設計を行う。この際、実装設計パラメータは、設計データ105に付加的に構築される。実装設計パラメータが付加された設計データ105は、パターン設計CAD装置104に渡される。パターン設計CAD装置104では、部品データベース101に格納された各部品及び基板の物理形状データと設計データ105を用いて実装設計を行う。
The circuit
このように、回路設計CAD装置102、実装設計CAD装置103、パターン設計CAD装置104の間で部品データベース101と設計データ105とを共通化することによって、回路設計と実装設計の整合が図られている。
ところで、マルチ・チップ集積化装置においては、実装されたチップの配置や結線が電気的特性に及ぼす影響が問題となる。特に、高周波で動作するマルチ・チップ集積化装置では、高周波化に伴う信号劣化をもたらす寄生効果が大きくなる。すなわち、高周波領域では、回路パラメータの周波数特性、各伝送線間のクロストーク(カップリング)、電源インピーダンスがもたらす信号の回り込みノイズ等が顕在化してくる。 By the way, in the multi-chip integrated device, the effect of the arrangement and connection of the mounted chips on the electrical characteristics becomes a problem. In particular, in a multi-chip integrated device that operates at a high frequency, a parasitic effect that causes signal degradation associated with the increase in the frequency increases. That is, in the high frequency region, frequency characteristics of circuit parameters, crosstalk (coupling) between transmission lines, signal wraparound noise caused by power supply impedance, and the like become obvious.
しかしながら、上記従来の設計システムにおいては、チップの実装設計において回路設計パラメータは参照できるが、上記寄生効果の大きさについては評価することができない。また、これらの寄生効果が回路の電気的特性に及ぼす影響については、多くの場合は回路の物理形状に基づく電磁界シミュレーション等を行うことにより明らかになるものであり、設計中に物理形状データを見ただけでは容易に導出することはできない。 However, in the conventional design system, the circuit design parameters can be referred to in the chip mounting design, but the magnitude of the parasitic effect cannot be evaluated. In addition, the effects of these parasitic effects on the electrical characteristics of a circuit are often clarified by performing electromagnetic simulation based on the physical shape of the circuit. It cannot be easily derived by just looking.
逆に、チップの回路設計において、チップの高周波における電気的特性仕様を与えた設計を行い、実装設計段階での設計データとして与えたとしても、実装設計において、その与えられた設計データを見て、その仕様を満たす物理的設計パラメータを容易に導出することはできない。特に、チップ間の配線が複雑になると、事実上、与えられた高周波の電気的特性仕様を十分に考慮した実装設計を行うことは困難である。 On the other hand, even if the circuit design of the chip is designed with the electrical characteristic specifications at the high frequency of the chip and given as design data at the packaging design stage, the given design data is seen in the packaging design. Therefore, it is not possible to easily derive physical design parameters that satisfy the specifications. In particular, when the wiring between chips becomes complicated, it is practically difficult to perform a mounting design that fully considers a given high-frequency electrical characteristic specification.
そのため、従来、マルチ・チップ集積化装置の回路設計においては、回路設計パラメータと実装設計パラメータは、それぞれ、回路設計CAD装置、実装設計CAD装置で独立に行われていた。従って、実装時の物理的形状が電気的特性に及ぼす影響が十分に実装設計に反映されず、また、実装設計における設計ルールが回路設計に反映されていないという問題があった。 Therefore, conventionally, in the circuit design of the multi-chip integrated device, the circuit design parameter and the mounting design parameter are independently performed by the circuit design CAD device and the mounting design CAD device, respectively. Accordingly, there is a problem that the influence of the physical shape at the time of mounting on the electrical characteristics is not sufficiently reflected in the mounting design, and the design rule in the mounting design is not reflected in the circuit design.
従って、高周波で動作するマルチ・チップ集積化装置を設計する場合、実装設計後又は試作後に寄生効果の影響が判明し、回路設計又は実装設計の変更が要求される場合が多くなり、開発TAT(Turn Around Time)の長期化を招くことになる。 Therefore, when designing a multi-chip integrated device that operates at a high frequency, the influence of the parasitic effect is found after the packaging design or after the trial production, and a change in the circuit design or the packaging design is often required. (Turn Around Time).
逆に、開発TATを短縮するためには、実装設計後に問題となるかもしれない寄生効果の影響を見込んだ上で、回路設計において余分に設計マージンを持った設計を行う必要がある。これは、回路設計上の制約を大きくし、所望の回路を実現するための設計労力の増加を招く。 On the other hand, in order to shorten the development TAT, it is necessary to design with an extra design margin in the circuit design in consideration of the influence of a parasitic effect that may become a problem after mounting design. This increases the restrictions on circuit design and causes an increase in design effort for realizing a desired circuit.
このように、従来の設計方法では、高周波で動作するマルチ・チップ集積化装置を設計する場合の設計効率が悪いという欠点がある。 As described above, the conventional design method has a drawback that the design efficiency in designing a multi-chip integrated device operating at a high frequency is poor.
ところで、異種の材料を用いて製造された複数のチップや異種論理を使用してマルチ・チップ集積回路を設計する場合には、一般に、各チップの回路で使用される電源電圧や論理レベルが相違する。そのため、電源電圧や論理レベルの相違を吸収すべく、論理レベル・トランスフォーマが使用される。「論理レベル・トランスフォーマ(Logic-level transforma:論理レベル変換回路)」とは、2以上の論理レベルを有する回路の間で相互に論理レベルの変換を行う回路をいう。 By the way, when designing a multi-chip integrated circuit using a plurality of chips manufactured using different kinds of materials or different kinds of logic, generally, the power supply voltage and logic level used in each chip circuit are different. To do. Therefore, a logic level transformer is used to absorb the difference between the power supply voltage and the logic level. “Logic level transformer (Logic level transform circuit)” refers to a circuit that performs logic level conversion between circuits having two or more logic levels.
例えば、上述のSiGe、InP、GaAs、GaN等を用いて製造された化合物半導体デバイスは、それぞれ材料固有の電気的特性がSiデバイスとは異なる。従って、これら各種の化合物半導体デバイスをSiデバイスと組み合わせて集積論理回路を構成する場合には、各チップ間で適切な電源電圧や論理インターフェイスが異なる。 For example, compound semiconductor devices manufactured using the above-described SiGe, InP, GaAs, GaN, and the like are different from Si devices in terms of electrical characteristics unique to each material. Therefore, when these various compound semiconductor devices are combined with Si devices to form an integrated logic circuit, appropriate power supply voltages and logic interfaces differ among the chips.
具体的には、例えば、SiGe化合物半導体デバイスでは、Siに比べバンドギャップ・エネルギーの小さいGeをベース材料として使用している。そのため、SiGe化合物で作られるバイポーラ・トランジスタは、Siデバイスのものに比べて耐圧が低い。従って、Siデバイスよりも電源電圧を低くする必要があるほか、論理動作においても、Siデバイスに比べてより低い論理振幅動作が必要となる。 Specifically, for example, SiGe compound semiconductor devices use Ge as a base material, which has a lower band gap energy than Si. Therefore, a bipolar transistor made of a SiGe compound has a lower breakdown voltage than that of a Si device. Therefore, the power supply voltage needs to be lower than that of the Si device, and the logic operation requires a lower logic amplitude operation than that of the Si device.
すなわち、Siデバイスでは、一般的なCMOS論理、低電圧CMOS(LVCMOS:Low Voltage Complementally MOS)論理、高速低振幅(LVDS:Low Voltage Deferential Signal)論理など、振幅3V〜350mVまでの広い範囲の論理レベルが使用されている。また、これらは何れも正の電源電圧で動作し、論理レベル・インターフェイスも0Vよりも高位のレベルで動作する正論理インターフェイスが採用されている。それに対して、SiGeデバイスでは、一般に約250mV〜400mVの振幅のECL(Emitter-Coupled Logic: エミッタ結合論理)系の論理レベル・インターフェイスが採用されている。また、ECLは、通常は負の電源電圧で動作し、論理レベル・インターフェイスも0Vより低いレベルで動作する負論理インターフェイスが採用されている。 That is, in Si devices, a wide range of logic levels ranging from 3 V to 350 mV, such as general CMOS logic, low voltage complementary logic (LVCMOS) logic, and low voltage deferential signal (LVDS) logic. Is used. In addition, a positive logic interface that operates at a positive power supply voltage and a logic level interface that operates at a level higher than 0 V is employed. In contrast, SiGe devices generally employ an ECL (Emitter-Coupled Logic) type logic level interface having an amplitude of about 250 mV to 400 mV. In addition, the ECL normally employs a negative logic interface that operates with a negative power supply voltage and the logic level interface also operates at a level lower than 0V.
また、他のInPやGaAsにおいても、高速性を活かした用途に用いられる場合には、大半が高速動作に適したECL系、SCFL(Source Coupled FET Logic: ソース結合FET論理)等の負論理インターフェイスが採用される。 Also, in other InP and GaAs, when used for applications that take advantage of high speed, most of them are ECL systems suitable for high speed operation, negative logic interfaces such as SCFL (Source Coupled FET Logic), etc. Is adopted.
このように、異種のデバイスや論理回路を用いてマルチ・チップ集積回路を構成する場合には、ECL等の負論理チップとCMOS/LVDS等の正論理チップとを接続するため、論理レベル・トランスフォーマが必要とされる。 In this way, when a multi-chip integrated circuit is configured using different types of devices and logic circuits, a logic level transformer is connected to connect a negative logic chip such as ECL and a positive logic chip such as CMOS / LVDS. Is needed.
マルチ・チップ集積回路の設計においては、上述のような、ECLからCMOS、ECLからLVDSといった各種の論理レベル・トランスフォーマを、標準化セルやIP(Intellectual Property)としてあらかじめ部品データベースに多数登録しておいて、設計に使用するチップに合わせて選択して用いられる。マルチ・チップ集積回路に実装する場合、チップと論理レベル・トランスフォーマとの間の接続媒体は、通常、半田バンプとインターポーザと呼ばれる接続基板に形成された金属配線の組み合わせが用いられる。すなわち、半田バンプを介して第一の集積論理回路の信号パッドが接続基板上の信号パッドと電気的に接続され、接続基板上の金属配線を経て遠端の信号パッドから更には半田バンプを介して第二の集積論理回路の信号パッドへと接続される。 In designing a multi-chip integrated circuit, various logic level transformers such as ECL to CMOS and ECL to LVDS as described above are registered in the component database in advance as standardized cells and IP (Intellectual Property). It is selected and used according to the chip used for the design. When mounted on a multi-chip integrated circuit, the connection medium between the chip and the logic level transformer is usually a combination of solder bumps and metal wiring formed on a connection substrate called an interposer. That is, the signal pad of the first integrated logic circuit is electrically connected to the signal pad on the connection board via the solder bump, and further from the far-end signal pad via the solder bump via the metal wiring on the connection board. To the signal pad of the second integrated logic circuit.
このような、マルチ・チップ集積回路では、論理レベル・トランスフォーマを用いて論理レベル・インターフェイスの異なるチップを接続・実装する際に、各チップと論理レベル・トランスフォーマとの間のインピーダンスの整合性が問題となる。 In such a multi-chip integrated circuit, impedance matching between each chip and the logic level transformer is a problem when connecting and mounting chips having different logic level interfaces using the logic level transformer. It becomes.
上述のように、従来のマルチ・チップ集積回路の設計方法では、実装基板を含む実装配線部分の実装パラメータの設計は、チップの回路パラメータの設計とは独立に行われる。従って、チップの回路設計側で、実装配線部分の電気的特性をチップ内の集積回路に合わせて最適に定めることができない。すなわち、論理レベル・トランスフォーマとその入力側・出力側に接続される集積論理回路とにふさわしい特性インピーダンス、終端条件、電流負荷駆動力といった電気的接続条件を最適な条件に定めることができない。そのため、実装部分で想定されるこれら電気的接続条件の変動幅に充分な設計マージンを持って、論理レベル・トランスフォーマの設計を行う必要がある。 As described above, in the conventional multi-chip integrated circuit design method, the design of the mounting parameters of the mounting wiring portion including the mounting substrate is performed independently of the design of the circuit parameters of the chip. Therefore, on the circuit design side of the chip, the electrical characteristics of the mounting wiring portion cannot be optimally determined according to the integrated circuit in the chip. In other words, the electrical connection conditions such as characteristic impedance, termination condition, and current load driving force suitable for the logic level transformer and the integrated logic circuit connected to the input side / output side cannot be determined as optimum conditions. For this reason, it is necessary to design a logic level transformer with a sufficient design margin in the fluctuation range of these electrical connection conditions assumed in the mounting portion.
例えば、実装部分の信号配線長が伸張すると、それとともに信号出力段の回路には大きい電流負荷駆動力が必要になる。従って、消費電流の大きいトランジスタで回路を構成する必要が生じる。信号配線長が更に伸張して、信号に含まれる最大周波数成分の波長の10分の1程度に到達する場合(例えば周波数が10GHzで比誘電率が6の実装基板の表面を走る信号配線においては12mm程度の長さ)には、信号配線は伝送線路としてみなされる。従って、その特性インピーダンスが負荷インピーダンスとなる。そのため、論理レベル・トランスフォーマの信号出力回路には、負荷インピーダンスを駆動できるだけの電流駆動力が求められる。また、接続される次段の集積論理回路の入力インピーダンスと線路の特性インピーダンスが整合していなければ、信号反射が生じる。そのため、もしも信号出力回路の出力インピーダンスが線路の特性インピーダンスと整合していなければ、信号反射が入力端で更に多重反射して次段の回路へ誤動作等の悪影響を及ぼす。このような問題を回避するために、論理レベル・トランスフォーマの信号出力回路にインピーダンス整合機能を付加した上で、信号配線の特性インピーダンスを規定するか、或いは、信号配線の特性インピーダンスと次段の回路を接続する場合のインピーダンス整合条件を規定するか、いずれかの回路仕様上の規定が必要である。このように、従来の設計方法においては、高周波性能に影響を及ぼす信号配線環境を特定できないことにより、回路の動作速度性能や動作周波数帯域性能を制限することとなっていた。 For example, when the signal wiring length of the mounting portion is extended, a large current load driving force is required for the signal output stage circuit. Therefore, it is necessary to form a circuit with transistors with large current consumption. When the signal wiring length further expands and reaches about one-tenth of the wavelength of the maximum frequency component included in the signal (for example, in the signal wiring running on the surface of the mounting substrate having a frequency of 10 GHz and a relative dielectric constant of 6) For a length of about 12 mm), the signal wiring is regarded as a transmission line. Therefore, the characteristic impedance becomes the load impedance. Therefore, the signal output circuit of the logic level transformer is required to have a current driving capability that can drive the load impedance. Further, if the input impedance of the next-stage integrated logic circuit to be connected does not match the characteristic impedance of the line, signal reflection occurs. For this reason, if the output impedance of the signal output circuit does not match the characteristic impedance of the line, the signal reflection further multi-reflects at the input end and adversely affects the next stage circuit such as malfunction. In order to avoid such problems, the impedance matching function is added to the signal output circuit of the logic level transformer, and then the characteristic impedance of the signal wiring is specified, or the characteristic impedance of the signal wiring and the next stage circuit are specified. It is necessary to define the impedance matching condition when connecting the or the circuit specifications. Thus, in the conventional design method, since the signal wiring environment that affects the high frequency performance cannot be specified, the operation speed performance and the operation frequency band performance of the circuit are limited.
また、論理レベル・インターフェイスの組み合わせごとに個別に論理レベル・トランスフォーマを標準セル或いはコアIPとして用意しなければならず、異種材料・異種デバイス・異種論理インターフェイスの集積回路が集積化されるマルチ・チップ集積化装置においては、標準セル数或いはコアIP数が極めて多くなる。その結果、マルチ・チップ集積化装置の開発コストと設計時間が増大するという問題もある。 In addition, a multi-chip in which integrated logic circuits, heterogeneous devices, and heterogeneous logic interfaces are integrated, and logic level transformers must be prepared as standard cells or core IPs for each logic level interface combination. In an integrated device, the number of standard cells or the number of core IPs is extremely large. As a result, there is a problem that the development cost and design time of the multi-chip integrated device increase.
そこで、本発明の目的は、各チップの回路設計における電気的特性とチップを実装する際の実装設計パラメータとの間の相関関係を考慮した設計を容易に行うことを可能とし、設計効率を向上させるとともに、動作速度性能や動作周波数帯域性能の高い回路を設計することが可能なマルチ・チップ集積化装置の設計技術を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to facilitate design in consideration of the correlation between the electrical characteristics in circuit design of each chip and the mounting design parameters when mounting the chip, thereby improving the design efficiency. Another object of the present invention is to provide a design technology for a multi-chip integrated device capable of designing a circuit having high operation speed performance and high operation frequency band performance.
また、本発明のもう一つの目的は、多くの異種材料・異種デバイス・異種論理インターフェイスの集積回路が集積化されるマルチ・チップ集積化装置の設計においても、各半導体素子の性能を最大限に発揮させ、高性能化、設計容易化、開発コストの低減を同時に実現することができる論理レベル・トランスフォーマの設計技術を提供することにある。 Another object of the present invention is to maximize the performance of each semiconductor element even in the design of a multi-chip integrated device in which integrated circuits of many different materials, different devices, and different logic interfaces are integrated. The object is to provide a logic level transformer design technique that can be realized and achieve high performance, ease of design, and reduction of development cost at the same time.
本発明に係るモジュール・テンプレートのデータ構造は、以下の各種テーブルを含むことを特徴とする。
(1)モジュールの回路特性に関するパラメータ(以下、「回路設計パラメータ」という。)が含まれる回路設計パラメータ情報;
(2)モジュールの回路の実装上のパラメータ(以下、「実装設計パラメータ」という。)が含まれる実装設計パラメータ情報;
(3)及び、前記各回路設計パラメータと、前記各実装設計パラメータとの間において一方から他方を導出する相互導出関数に関する情報が含まれる変換情報。
The data structure of the module template according to the present invention includes the following various tables.
(1) Circuit design parameter information including parameters related to circuit characteristics of the module (hereinafter referred to as “circuit design parameters”);
(2) Mounting design parameter information including parameters for mounting the circuit of the module (hereinafter referred to as “mounting design parameters”);
(3) and conversion information including information on a mutual derivation function for deriving one from the other between each circuit design parameter and each mounting design parameter.
このようなデータ構造のモジュール・テンプレートを使用することにより、マルチ・チップ集積化装置の設計において、回路設計及び実装設計における設計情報を共通化する。そうすると、回路設計時において、設計者が使用するモジュールの回路設計パラメータを決定する際、設計者は、相関テーブルに定義された相互導出関数を用いて、決定しようとする回路設計パラメータに対する実装上のパラメータを求めることができる。従って、設計者は、マルチ・チップ集積化装置の回路設計時に、デザイン・ルール等による実装上の制約との適合性を検証しながら回路設計を進めることが容易となる。 By using a module template having such a data structure, design information in circuit design and packaging design is shared in designing a multi-chip integrated device. Then, when determining the circuit design parameters of the module used by the designer at the time of circuit design, the designer uses the mutual derivation function defined in the correlation table to implement the circuit design parameters to be determined. Parameters can be determined. Therefore, it becomes easy for the designer to proceed with the circuit design while verifying the conformity with the mounting restrictions based on the design rules when designing the circuit of the multi-chip integrated device.
また、実装設計時において、設計者が各モジュールの実装設計パラメータを決定する際、相関テーブルに定義された相互導出関数を用いて、決定しようとする実装設計パラメータに対する回路パラメータを求めることができる。従って、設計者は、マルチ・チップ集積化装置の実装設計時に、全体回路の中でそのモジュールに許容される回路設計パラメータの範囲との適合性を検証しながら実装設計を進めることが容易となる。 Further, when the designer determines the mounting design parameters of each module during mounting design, the circuit parameters for the mounting design parameters to be determined can be obtained using the mutual derivation function defined in the correlation table. Therefore, it becomes easy for the designer to proceed with the mounting design while verifying the compatibility with the range of circuit design parameters allowed for the module in the entire circuit during the mounting design of the multi-chip integrated device. .
従って、マルチ・チップ集積化装置の設計システムにおいて用いるモジュール・テンプレートを、上述のようなモジュール・テンプレートのデータ構造とすることにより、マルチ・チップ集積化装置の回路設計と実装設計とで設計情報を共通化し、かつ両設計間で設計パラメータの整合性をとることが容易となる。 Accordingly, the module template used in the design system of the multi-chip integrated device has the data structure of the module template as described above, so that the design information can be obtained by the circuit design and the mounting design of the multi-chip integrated device. It becomes easy to make the design parameters consistent between the two designs.
ここで、「モジュール」とは、物理的に分離可能な規格化された回路の構成単位をいう。ここでいう「モジュール」には、各種のIP(intellectual property)コアや配線ネットワークが含まれる。 Here, the “module” refers to a unit of a standardized circuit that can be physically separated. The “module” mentioned here includes various IP (intellectual property) cores and wiring networks.
「回路設計パラメータ」とは、モジュールの入出力インピーダンス、モジュール内部の各構成素子の回路パラメータ(抵抗、インダクタンス、キャパシタンス等)などをいう。また、「実装設計パラメータ」とは、寸法等のモジュールの実装上のパラメータ、モジュールに使用される材料の電気的特性等の物性的なパラメータ等のことをいう。 “Circuit design parameters” refer to input / output impedance of the module, circuit parameters (resistance, inductance, capacitance, etc.) of each component in the module, and the like. The “mounting design parameter” refers to a parameter for mounting a module such as a dimension, a physical parameter such as an electrical characteristic of a material used for the module, and the like.
また、本発明において、前記モジュールは、チップ間を接続する配線ネットワークであり、前記回路設計パラメータ情報には、回路設計パラメータとして、伝送路の特性インピーダンスと整合終端回路を表すパラメータ群が含まれている構成とすることができる。 In the present invention, the module is a wiring network that connects chips, and the circuit design parameter information includes a parameter group that represents a characteristic impedance of a transmission line and a matching termination circuit as circuit design parameters. It can be set as a structure.
このようなデータ構造のモジュール・テンプレートを使用することにより、マルチ・チップ集積化装置の設計において、回路設計及び実装設計における設計情報を共通化する。そうすると、回路設計時において、実装時にチップ間の接続配線部分の実装上の制約を考慮しながら、電気的特性を指定して設計を行うことができる。一方、実装設計時においては、チップ間の接続配線部分の電気的特性が指定されているので、回路設計パラメータから相互導出関数により実装設計パラメータを導出することができる。そして、この与えられた実装設計パラメータの範囲内で実装設計を行えば、接続配線においても回路設計と整合性のとれた実装設計を行うことが可能となる。 By using a module template having such a data structure, design information in circuit design and packaging design is shared in designing a multi-chip integrated device. Then, at the time of circuit design, it is possible to design by designating electrical characteristics while taking into account the mounting restrictions of the connection wiring portion between the chips at the time of mounting. On the other hand, at the time of mounting design, since the electrical characteristics of the connection wiring portion between the chips are specified, the mounting design parameters can be derived from the circuit design parameters by the mutual derivation function. If mounting design is performed within the range of the given mounting design parameters, it is possible to perform mounting design that is consistent with circuit design even in connection wiring.
本発明に係るマルチ・チップ集積化装置の設計システムの第1の構成は、以下の構成を備えたことを特徴とする。
(1)a.モジュールの回路特性に関するパラメータ(以下、「回路設計パラメータ」という。)が含まれる回路設計パラメータ情報、b.モジュールの回路の実装上のパラメータ(以下、「実装設計パラメータ」という。)が含まれる実装設計パラメータ情報、c.及び、前記各回路設計パラメータと、前記各実装設計パラメータとの間において一方から他方を導出する相互導出関数に関する情報が含まれる変換情報、を有するモジュール・テンプレートが記憶されたモジュール・ライブラリ;
(2)前記モジュール・ライブラリから選択されたモジュールに対して、回路設計パラメータ又は実装設計パラメータのうちの何れか一方のパラメータが入力された場合、前記変換情報を参照してもう一方のパラメータを算出するパラメータ導出手段。
A first configuration of a design system for a multi-chip integrated device according to the present invention includes the following configuration.
(1) a. Circuit design parameter information including parameters relating to the circuit characteristics of the module (hereinafter referred to as “circuit design parameters”); b. Mounting design parameter information including parameters for mounting the circuit of the module (hereinafter referred to as “mounting design parameters”); c. And a module library storing a module template having conversion information including information on a mutual derivation function for deriving one from the other between each circuit design parameter and each mounting design parameter;
(2) When one of the circuit design parameters and the mounting design parameters is input to the module selected from the module library, the other parameter is calculated by referring to the conversion information. The parameter derivation means.
このような設計システムを使用して、マルチ・チップ集積化装置の回路設計を行う場合、設計者が設計に使用する各モジュールの回路設計パラメータを決定する際に、パラメータ導出手段により各回路設計パラメータに対する実装設計パラメータを導出し、それを参照することができる。従って、デザイン・ルール等による実装上の制約との適合性を検証しながら回路設計を進めることが可能となる。 When designing a circuit of a multi-chip integrated device using such a design system, when the designer determines the circuit design parameters of each module used for the design, each circuit design parameter is determined by the parameter deriving means. Implementation design parameters for can be derived and referenced. Therefore, it is possible to proceed with the circuit design while verifying the compatibility with the constraints on the mounting by the design rule or the like.
一方、実装設計時においては、設計者が各モジュールの実装設計パラメータを決定する際、パラメータ導出手段により、それぞれの実装設計パラメータに対する回路パラメータを求めることができる。従って、実装設計時に、回路設計において指定された各モジュールに許容される回路設計パラメータの範囲に適合しているか否かを検証しながら実装設計を進めることが容易となる。 On the other hand, at the time of mounting design, when the designer determines the mounting design parameters of each module, the circuit parameter for each mounting design parameter can be obtained by the parameter deriving means. Therefore, it is easy to proceed with the mounting design while verifying whether or not the circuit design parameter range allowed for each module specified in the circuit design is satisfied during the mounting design.
従って、回路設計と実装設計との間で、設計パラメータの整合性を取りながらマルチ・チップ集積化装置の設計を行うことが容易となる。 Therefore, it becomes easy to design a multi-chip integrated device while maintaining consistency of design parameters between circuit design and mounting design.
本発明に係るマルチ・チップ集積化装置の設計システムの第2の構成は、前記第1の構成において、前記モジュール・ライブラリには、チップ間を接続する配線ネットワークのモジュール・テンプレートが含まれることを特徴とする。 According to a second configuration of the design system of the multi-chip integrated device according to the present invention, in the first configuration, the module library includes a module template of a wiring network that connects chips. Features.
このように、モジュール・ライブラリに、チップ間を接続する配線ネットワークのモジュール・テンプレートを登録しておくことにより、回路設計時に各チップ間の接続配線の回路設計パラメータを指定してマルチ・チップ集積化装置の設計を行うことができる。そして、回路設計で指定された各チップ間の接続配線の回路設計パラメータからパラメータ導出手段により実装設計パラメータを導出することができる。実装設計においては、上記実装設計パラメータを用いて、チップ間を接続する配線ネットワークの実装設計を行うことができる。これにより、各チップ間の電気的接続条件についても容易に設計することが可能となる。 In this way, by registering the module template of the wiring network that connects the chips to the module library, multi-chip integration is possible by specifying the circuit design parameters for the connection wiring between the chips during circuit design. The device can be designed. Then, the mounting design parameter can be derived by the parameter deriving means from the circuit design parameter of the connection wiring between the chips specified in the circuit design. In the mounting design, the mounting design of the wiring network for connecting the chips can be performed using the mounting design parameters. This makes it possible to easily design the electrical connection conditions between the chips.
本発明に係るマルチ・チップ集積化装置の設計システムの第3の構成は、前記第2の構成において、前記配線ネットワークのモジュール・テンプレートにおける前記回路設計パラメータ情報には、回路設計パラメータとして、伝送路の特性インピーダンスと整合終端回路を表すパラメータ群が含まれていることを特徴とする。 According to a third configuration of the design system of the multi-chip integrated device according to the present invention, in the second configuration, the circuit design parameter information in the module template of the wiring network includes a transmission path as a circuit design parameter. A parameter group representing the characteristic impedance and matching termination circuit is included.
これにより、回路設計において伝送路の特性インピーダンスと整合終端回路を表すパラメータ群を決定し、電気的な伝送特性の設計を行うことが可能となる。また、回路設計においてこれらのパラメータ群を決定することにより、実装設計において、伝送路の各実装設計パラメータの選択の範囲に制限を課すことが可能となる。そして、実装設計においては、実装設計パラメータを選択する際に、パラメータ導出手段により、選択しようとする実装設計パラメータから回路設計パラメータを導出し、先に回路設計において決定された回路設計との適合性を検証することにより、回路設計において決定された配線ネットワークの伝送特性を実現する実装設計を行うことができる。 As a result, it is possible to determine the parameter group representing the characteristic impedance of the transmission line and the matching termination circuit in the circuit design, and to design the electric transmission characteristic. In addition, by determining these parameter groups in circuit design, it is possible to impose restrictions on the range of selection of each mounting design parameter of the transmission path in mounting design. In mounting design, when selecting a mounting design parameter, the parameter deriving means derives the circuit design parameter from the mounting design parameter to be selected, and is compatible with the circuit design previously determined in the circuit design. By verifying the above, it is possible to perform mounting design that realizes the transmission characteristics of the wiring network determined in the circuit design.
本発明に係るマルチ・チップ集積化装置の設計システムの第4の構成は、前記第2又は3の構成において、前記モジュール・ライブラリには、入力信号の論理レベル(以下、「入力論理レベル」という。)を検出し、入力論理レベルとは異なる論理レベルに変換して出力する論理レベル変換コアのモジュール・テンプレートが含まれていることを特徴とする。 The fourth configuration of the multi-chip integrated device design system according to the present invention is that in the second or third configuration, the module library has a logic level of an input signal (hereinafter referred to as “input logic level”). )), And a module template of a logic level conversion core that converts the output logic level to a logic level different from the input logic level and outputs the converted logic level is included.
このように、論理レベル変換コアと配線ネットワークとを別々のモジュール・テンプレートとしてモジュール・ライブラリに用意しておくことにより、これらを組み合わせて、各種の入出力インピーダンスを持つ論理レベル・トランスフォーマを設計することが可能となる。 In this way, a logic level transformer with various input / output impedances can be designed by combining the logic level conversion core and the wiring network in the module library as separate module templates. Is possible.
すなわち、一つの論理レベル変換コアに対して、種々の入出力インピーダンスの配線ネットワークを組み合わせれば、一つの論理レベル変換コアを使用して、各種の入出力インピーダンスを有する論理レベル・トランスフォーマを構成することができる。従って、多種多様な入出力インピーダンスを有する論理レベル・トランスフォーマのモジュール・テンプレートを用意する必要はなく、少数の論理レベル変換コアを用意し、目的に応じて配線ネットワークを組み合わせることによって、目的の入出力インピーダンスを有する論理レベル・トランスフォーマを設計すればよい。 That is, when a wiring network having various input / output impedances is combined with one logic level conversion core, a logic level transformer having various input / output impedances is configured using one logic level conversion core. be able to. Therefore, it is not necessary to prepare a logic level transformer module template having a wide variety of input / output impedances. By preparing a small number of logic level conversion cores and combining wiring networks according to the purpose, the desired input / output can be obtained. A logic level transformer having impedance may be designed.
従って、設計資源の有効活用が図られるとともに、論理レベル・トランスフォーマの設計自由度も向上する。 Accordingly, the design resources can be effectively utilized and the design freedom of the logic level transformer is improved.
本発明に係るマルチ・チップ集積化装置の設計システムの第5の構成は、前記第1乃至4の何れか一の構成において、
前記モジュール・ライブラリを参照し、前記モジュール・テンプレートを使用して、マルチ・チップ集積化装置の回路設計を行うための回路設計CAD装置;
回路設計CAD装置により設計されるマルチ・チップ集積化装置の実装設計を行うための実装設計CAD装置;
マルチ・チップ集積化装置の設計情報が記憶される設計情報記憶手段;
を備え、前記回路設計CAD装置及び前記実装設計CAD装置は、前記設計情報記憶手段に記憶される共通の設計情報を構築するものであり、前記パラメータ導出手段は、前記設計情報において回路設計パラメータ又は実装設計パラメータのうちの何れか一方のパラメータが入力された場合、前記変換情報を参照してもう一方のパラメータを算出し、設計情報記憶手段に格納された設計情報に追加するものであることを特徴とする。
A fifth configuration of the design system for a multi-chip integrated device according to the present invention is any one of the first to fourth configurations,
A circuit design CAD device for referring to the module library and using the module template to design a circuit of a multi-chip integrated device;
A mounting design CAD device for mounting design of a multi-chip integrated device designed by a circuit design CAD device;
Design information storage means for storing design information of the multi-chip integrated device;
The circuit design CAD device and the mounting design CAD device construct common design information stored in the design information storage means, and the parameter derivation means includes circuit design parameters or When any one of the mounting design parameters is input, the other parameter is calculated with reference to the conversion information and added to the design information stored in the design information storage means. Features.
この構成によれば、回路設計CAD装置においてマルチ・チップ集積化装置の回路設計パラメータを入力した場合には、パラメータ導出手段は変換情報を参照して実装設計パラメータを算出し、設計情報記憶手段に格納された設計情報に追加する。そして、実装設計CAD装置でマルチ・チップ集積化装置の実装設計を行う場合には、設計情報記憶手段に格納された設計情報に含まれる実装設計パラメータを参照して、回路設計パラメータの設計マージンに適合した実装設計を行うことができる。このように、回路設計CAD装置と実装設計CAD装置との間で設計情報を共有化することで、回路設計と実装設計との間で設計パラメータの整合を図ることが極めて容易となる。 According to this configuration, when the circuit design parameter of the multi-chip integrated device is input to the circuit design CAD device, the parameter deriving unit refers to the conversion information to calculate the mounting design parameter and stores it in the design information storage unit. Add to the stored design information. When mounting design of a multi-chip integrated device is performed by the mounting design CAD device, the mounting design parameters included in the design information stored in the design information storage means are referred to and the design margin of the circuit design parameters is set. Applicable mounting design can be performed. Thus, by sharing the design information between the circuit design CAD device and the mounting design CAD device, it becomes extremely easy to match the design parameters between the circuit design and the mounting design.
本発明に係るマルチ・チップ集積化装置の設計方法は、a.モジュールの回路特性に関するパラメータ(以下、「回路設計パラメータ」という。)が含まれる回路設計パラメータ情報、b.モジュールの回路の実装上のパラメータ(以下、「実装設計パラメータ」という。)が含まれる実装設計パラメータ情報、及び、c.前記回路設計パラメータ情報に含まれる各パラメータと、前記実装設計パラメータ情報に含まれる各パラメータとの間において一方から他方を導出する相互導出関数に関する情報が含まれる変換情報、を有するモジュール・テンプレートが記憶されたモジュール・ライブラリ;
前記モジュール・ライブラリを参照し、前記モジュール・テンプレートを使用して、マルチ・チップ集積化装置の回路設計を行うための回路設計CAD装置;
回路設計CAD装置により設計されるマルチ・チップ集積化装置の実装設計を行うための実装設計CAD装置;
並びに、マルチ・チップ集積化装置の設計情報が記憶される設計情報記憶手段;
を備えたシステムによりマルチ・チップ集積化装置の設計を行う設計方法であって、前記回路設計CAD装置と前記実装設計CAD装置とは、前記設計情報記憶手段に記憶される共通の設計情報を構築するとともに、前記設計情報において回路設計パラメータ又は実装設計パラメータのうちの何れか一方のパラメータが入力された場合、前記変換情報を参照してもう一方のパラメータを算出し、設計情報記憶手段に格納された設計情報を更新することを特徴とする。
A method for designing a multi-chip integrated device according to the present invention comprises: a. Circuit design parameter information including parameters relating to the circuit characteristics of the module (hereinafter referred to as “circuit design parameters”); b. Mounting design parameter information including parameters for mounting the circuit of the module (hereinafter referred to as “mounting design parameters”), and c. A module template having conversion information including information on a mutual derivation function for deriving one from the other between each parameter included in the circuit design parameter information and each parameter included in the mounting design parameter information is stored. Module library;
A circuit design CAD device for referring to the module library and using the module template to design a circuit of a multi-chip integrated device;
A mounting design CAD device for mounting design of a multi-chip integrated device designed by a circuit design CAD device;
And design information storage means for storing design information of the multi-chip integrated device;
A design method for designing a multi-chip integrated device using a system comprising: the circuit design CAD device and the mounting design CAD device construct common design information stored in the design information storage means In addition, when one of the circuit design parameters and the mounting design parameters is input in the design information, the other parameter is calculated with reference to the conversion information and stored in the design information storage means. The design information is updated.
また、本発明に係るマルチ・チップ集積化装置の設計方法において、前記モジュール・ライブラリには、
入力信号の論理レベル(以下、「入力論理レベル」という。)を検出し、入力論理レベルとは異なる論理レベルに変換して出力する論理レベル変換コアのモジュール・テンプレート;
及び、チップ間を接続する配線ネットワークのモジュール・テンプレート;
が含まれており、論理レベル変換コアのモジュール・テンプレートと配線ネットワークのモジュール・テンプレートとを組み合わせることにより、チップ間を接続する論理レベル・トランスフォーマの設計情報を構築するようにすることもできる。
In the method for designing a multi-chip integrated device according to the present invention, the module library includes
A module template of a logic level conversion core that detects a logic level of an input signal (hereinafter referred to as “input logic level”), converts the logic level to a logic level different from the input logic level, and outputs the logic level;
And module templates for wiring networks that connect chips;
By combining the module template of the logic level conversion core and the module template of the wiring network, design information of the logic level transformer that connects the chips can be constructed.
以上のように、本発明に係るモジュール・テンプレートのデータ構造によれば、回路設計パラメータ情報、実装設計パラメータ情報、及び相関テーブルの3つを含むデータ構造とすることにより、マルチ・チップ集積化装置の設計時において、回路設計と実装設計とで設計情報を共通化し、かつ両設計間で設計パラメータの整合性をとることが容易となる。 As described above, according to the data structure of the module template according to the present invention, a multi-chip integrated device is obtained by adopting a data structure including three of circuit design parameter information, mounting design parameter information, and a correlation table. At the time of designing, it becomes easy to share design information between circuit design and mounting design, and to ensure consistency of design parameters between the two designs.
また、本発明に係るマルチ・チップ集積化装置の設計システムによれば、回路設計と実装設計との間で、設計パラメータの整合性を取りながらマルチ・チップ集積化装置の設計を行うことが容易となる。従って、実装設計で生じるモジュール間の電気的特性の不整合を生じないように配慮しながら回路設計を行うことができる。そのため、過剰な回路設計パラメータの設計マージン幅が不要となる。また、回路設計の過程と実装設計の過程で設計パラメータの整合性の検証を行いながらマルチ・チップ集積化装置の設計を行うことで、両者間の設計不整合による設計修正作業をなくし開発TATを短縮させることができる。 In addition, according to the design system for a multi-chip integrated device according to the present invention, it is easy to design a multi-chip integrated device while maintaining consistency of design parameters between circuit design and mounting design. It becomes. Therefore, the circuit design can be performed while taking into consideration that the mismatch of the electrical characteristics between the modules occurring in the mounting design does not occur. This eliminates the need for an excessive circuit design parameter design margin width. In addition, by designing the multi-chip integrated device while verifying the consistency of design parameters in the circuit design process and the mounting design process, the design correction work due to design mismatch between the two is eliminated, and the development TAT is reduced. It can be shortened.
また、モジュール・ライブラリに、チップ間を接続する配線ネットワークのモジュール・テンプレートを用意することで、各チップ間の電気的接続条件についても容易に設計することが可能となる。従って、マルチ・チップ集積化装置の設計精度を向上させることが可能となる。また、特に高周波回路を設計する際には、消費電力、動作速度、動作周波数等について所望の性能を設計することが容易となる。 In addition, by preparing a module template of a wiring network for connecting chips in the module library, it is possible to easily design electrical connection conditions between chips. Therefore, the design accuracy of the multi-chip integrated device can be improved. In particular, when designing a high-frequency circuit, it becomes easy to design desired performance with respect to power consumption, operating speed, operating frequency, and the like.
さらに、回路設計CAD装置と実装設計CAD装置との間で設計情報を共有化することで、回路設計と実装設計との間で設計パラメータの整合を図ることが極めて容易となる。従って、マルチ・チップ集積化装置の設計効率を更に向上させることができる。 Furthermore, by sharing the design information between the circuit design CAD device and the mounting design CAD device, it becomes extremely easy to match the design parameters between the circuit design and the mounting design. Therefore, the design efficiency of the multi-chip integrated device can be further improved.
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は本発明の実施例1に係るマルチ・チップ集積化装置の設計システムの構成を表す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a design system for a multi-chip integrated device according to
マルチ・チップ集積化装置の設計システムは、複数のモジュール・テンプレート2が記憶されたモジュール・ライブラリ1を複数台備えている。各モジュール・テンプレート2は、回路設計パラメータを含む回路設計パラメータ情報、実装設計パラメータを含む実装設計パラメータ情報、及び相互導出関数に関する情報を含む変換情報を有している。
The multi-chip integrated device design system includes a plurality of
なお、モジュール・テンプレート2としては、各種のコアIP、論理レベル変換コア、入出力配線ネットワークのモジュール・テンプレートが記憶されているものとする。
As the
これらのモジュール・ライブラリ1は、ネットワーク3を介して、回路設計CAD装置4及び実装設計CAD装置5に接続されている。回路設計CAD装置4は、モジュール・ライブラリ1を参照し、各モジュール・テンプレート2を使用して、マルチ・チップ集積化装置の回路設計を行うCAD装置である。また、実装設計CAD装置5は、モジュール・ライブラリ1を参照し、各モジュール・テンプレート2を使用して、マルチ・チップ集積化装置の実装設計を行うCAD装置である。
These
これらの回路設計CAD装置4と実装設計CAD装置5から出力される設計情報は、共通の設計情報記憶手段6に保存される。回路設計CAD装置4及び実装設計CAD装置5は、設計情報記憶手段6から、共通の設計情報を参照・編集することができる。
The design information output from the circuit
更に、設計情報記憶手段6には、パラメータ導出手段7が接続されている。パラメータ導出手段7は、設計情報記憶手段6に記憶された設計情報の中の各モジュールにおいて、回路設計パラメータ又は実装設計パラメータの何れか一方のパラメータが入力された場合、そのモジュールの変換情報を参照して、もう一方のパラメータを導出し、設計情報記憶手段6の設計情報に保存する。 Furthermore, parameter deriving means 7 is connected to the design information storage means 6. The parameter deriving means 7 refers to the conversion information of the module when either the circuit design parameter or the mounting design parameter is input in each module in the design information stored in the design information storage means 6. Then, the other parameter is derived and stored in the design information of the design information storage means 6.
なお、上記回路設計CAD装置4、実装設計CAD装置5、設計情報記憶手段6、及びパラメータ導出手段7は、プログラムにより構成されており、このプログラムをコンピュータに読み込んで実行することにより実現される。
The circuit
図2は本発明の実施例1に係るモジュール・テンプレート2のデータ構造を表す図である。モジュール・テンプレート2は、属性情報2a、回路設計テーブル2b、実装設計テーブル2c、及び変換テーブル2dにより構成されている。
FIG. 2 is a diagram illustrating a data structure of the
属性情報2aには、モジュールの属性に関する情報が記録されている。回路設計テーブル2b、実装設計テーブル2c、及び変換テーブル2dには、ぞれぞれ、回路設計情報、実装設計情報、及び変換情報が記録されている。
In the
図3にモジュール・テンプレート2の具体例を示す。図3のモジュール・テンプレートは、配線ネットワークのモジュール・テンプレートの例である。
FIG. 3 shows a specific example of the
属性情報には、セル名称、機能分類、及び属性分類に関する情報が記録されている。「セル名称」とは、このモジュールを特定するための名称である。「機能分類」とは、モジュールの機能に関する分類である。例えば、「論理レベル変換用入力配線ネットワーク」等である。「属性分類」には、伝送路の特性インピーダンスと整合終端を表すパラメータ群が記録されている。整合終端を表すパラメータ群は、具体的には、(表1)のようなものである。 In the attribute information, information related to the cell name, the function classification, and the attribute classification is recorded. The “cell name” is a name for specifying this module. The “function classification” is a classification related to the function of the module. For example, “input wiring network for logic level conversion”. In the “attribute classification”, a parameter group indicating the characteristic impedance of the transmission line and the matching termination is recorded. Specifically, the parameter group indicating the matching end is as shown in (Table 1).
回路設計テーブルには、回路設計CAD装置4で決定される回路設計情報が記録されている。これは、個々のモジュールにより個別具体的に決められるものである。例えば、配線ネットワークのモジュール・テンプレートの場合には、図3の「LCRK決定パラメータ」や「LCRK決定パラメータ値」の欄に記載されたようなパラメータなどが記録される。
Circuit design information determined by the circuit
実装設計テーブルには、実装設計CAD装置5で決定される実装設計情報が記録されている。これも、個々のモジュールにより個別具体的に決められるものである。例えば、配線ネットワークのモジュール・テンプレートの場合には、図3の「構造パラメータ」や「材料パラメータ」の欄に記載されたようなパラメータなどが記録される。
In the mounting design table, mounting design information determined by the mounting
変換テーブルには、回路設計パラメータと実装設計パラメータとの間の相互導出関数に関する情報が記録されている。例えば、配線ネットワークのモジュール・テンプレートの場合には、「構造パラメータ」や「材料パラメータ」の値から伝送路の抵抗R,インダクタンスL,キャパシタンスC,相互インダクタンスKを求める式や特性インピーダンスZを求める式が記録されている。これらの式は、個々のモジュールの固有の形状に基づき、理論式やシミュレーションにより得られる数値表(ルックアップ・テーブル)の形式で与えられる。 In the conversion table, information on a mutual derivation function between the circuit design parameter and the mounting design parameter is recorded. For example, in the case of a wiring network module template, formulas for determining the resistance R, inductance L, capacitance C, and mutual inductance K of the transmission path from the values of “structural parameters” and “material parameters” and formulas for determining the characteristic impedance Z Is recorded. These formulas are given in the form of a numerical table (lookup table) obtained by a theoretical formula or simulation based on the unique shape of each module.
以上のように構成された本実施例に係るマルチ・チップ集積化装置の設計システムを用いた設計方法について以下説明する。 A design method using the multi-chip integrated device design system according to the present embodiment configured as described above will be described below.
図4はマルチ・チップ集積化装置の設計全体の流れを表すフローチャートである。まず、設計要求を受け付けると(S1)、設計者は、コンピュータに対して、チップ設計を行うかSiP設計を行うかの仕事選択の指示を与える(S2)。コンピュータは、チップ設計の指示が入力された場合、回路設計CAD装置4を起動して、チップ設計支援動作を実行する(S3)。チップ設計に関しては、本発明には直接関係がないため、詳細な説明は省略する。
FIG. 4 is a flowchart showing the overall design flow of the multi-chip integrated device. First, when a design request is received (S1), the designer gives an instruction for selecting a job to perform chip design or SiP design to the computer (S2). When a chip design instruction is input, the computer activates the circuit
一方、SiP設計の指示が入力された場合、コンピュータは、まず回路設計CAD装置4を起動して、SiP設計を開始する(S4)。まず、設計者は、これから設計を行うマルチ・チップ集積化装置の仕様を回路設計CAD装置4に入力する。回路設計CAD装置4は、マルチ・チップ集積化装置の仕様が入力されると、設計情報記憶手段6内に新たに設計情報ファイルを作成し、そのファイル内にマルチ・チップ集積化装置の仕様を保存する(S5)。
On the other hand, when an instruction for SiP design is input, the computer first activates the circuit
次に、設計者は回路設計CAD装置4に対して、設計に使用するモジュール選択の指示を入力する。回路設計CAD装置4は、モジュール選択の指示が入力されると、先に設計情報ファイルに保存したマルチ・チップ集積化装置の仕様を参照し、回路設計に使用するモジュール・テンプレート2を、モジュール・ライブラリ1の中から検索し抽出する。抽出したモジュール・テンプレート2は、設計情報ファイルに保存される(S6)。
Next, the designer inputs an instruction for selecting a module to be used for design to the circuit
図5はモジュール選択動作を表すフローチャートである。最初に、回路設計CAD装置4は、マルチ・チップ集積化装置の仕様から、設計に使用されるモジュール(コアIP)を抽出する。そして、このコアIPのモジュール・テンプレート2をモジュール・ライブラリ1から検索・抽出し、設計情報記憶手段6に保存する(S11)。
FIG. 5 is a flowchart showing the module selection operation. First, the circuit
次に、回路設計CAD装置4は、マルチ・チップ集積化装置の仕様から、各コアIPの結合関係を抽出する。そして、互いに接続されるコアIPのモジュール・テンプレート2を参照し、両コアIPの電源電圧、論理レベル等を検査する。そして、必要に応じて各コアIP間で必要とされる論理レベル変換コアのモジュール・テンプレート2を検索・抽出し、設計情報ファイルに保存する(S12)。
Next, the circuit
次に、回路設計CAD装置4は、モジュール・テンプレート2を参照し、互いに接続されるコアIP又は論理レベル変換コアの入出力インピーダンス、整合終端回路、出力回路の情報を抽出する。そして、必要に応じて各コアIP又は論理レベル変換コア間で必要とされる入出力配線ネットワークのモジュール・テンプレート2を検索・抽出し、設計情報ファイルに保存する(S13,S14)。以上により、モジュール選択動作が終了する。
Next, the circuit
図4に戻って、次に、設計者は、回路設計CAD装置4を用いて回路設計を行い(S7)、次いで実装設計CAD装置5を用いて実装設計を行う(S8)。 Returning to FIG. 4, next, the designer performs circuit design using the circuit design CAD device 4 (S7), and then performs mounting design using the mounting design CAD device 5 (S8).
図6は回路設計の流れを表すフローチャートである。まず、設計者は、各コアIP又は論理レベル変換コア(以下、特に断らないかぎり、これらをまとめて「コアIP」という。)について、その前段チップのモジュール・テンプレート2を参照する(S21)。そして、前段チップについての出力回路を記述し、設計情報記憶手段6に保存する(S22)。
FIG. 6 is a flowchart showing the flow of circuit design. First, the designer refers to the
次に、前段チップとコアIPとの間の入力配線ネットワークのモジュール・テンプレート2を参照する(S23)。そして、この入力配線ネットワークのモジュール・テンプレート2の各回路設計パラメータの設計を行い、設計情報記憶手段6に保存する(S24)。
Next, the
次に、コアIPのモジュール・テンプレート2を参照する(S25)。そして、このコアIPのモジュール・テンプレート2の各回路設計パラメータの設計を行い、設計情報記憶手段6に保存する(S26)。
Next, the
次に、後段チップとコアIPとの間の出力配線ネットワークのモジュール・テンプレート2を参照する(S27)。そして、この出力配線ネットワークのモジュール・テンプレート2の各回路設計パラメータの設計を行い、設計情報記憶手段6に保存する(S28)。
Next, the
最後に、設計者は、各コアIPの後段チップのモジュール・テンプレート2を参照する(S29)。そして、後段チップについての入力回路を記述し、設計情報記憶手段6に保存する(S30)。
Finally, the designer refers to the
以上のステップS21〜S30の設計をマルチ・チップ集積化装置の回路全体について実行し、全体の回路を合成する(S31)。そして、全体の回路合成が終了すると、設計者は回路設計CAD装置4に対し、回路シミュレーションの指示を入力する。これにより、回路設計CAD装置4は、所定のテスト・パターンにより、全体回路のシミュレーションを行う(S32)。そして、設計者は、回路シミュレーションの結果から、設計された回路の性能を判定する(S33)。もし、所望の性能が得られていない場合には、その原因を分析し、修正指針を策定し(S34)、回路の再設計を行う。
The design in steps S21 to S30 is executed for the entire circuit of the multi-chip integrated device, and the entire circuit is synthesized (S31). When the entire circuit synthesis is completed, the designer inputs a circuit simulation instruction to the circuit
回路シミュレーションの結果、所望の性能が得られた場合、次の実装設計に移行する(S8)。 If a desired performance is obtained as a result of the circuit simulation, the process proceeds to the next mounting design (S8).
図7は実装設計の流れを表すフローチャートである。まず、設計者は、各コアIPについて、その前段チップのモジュール・テンプレート2を参照する(S41)。そして、前段チップについての出力回路の実装パラメータを記述し、設計情報記憶手段6に保存する(S42)。
FIG. 7 is a flowchart showing the flow of mounting design. First, the designer refers to the
このとき、実装パラメータが入力されると、パラメータ導出手段7は、モジュール・テンプレート2の変換テーブルを参照し、その実装パラメータに対する回路パラメータを導出する。算出された回路設計パラメータの値は、回路設計テーブルに記録された設計値とともに表示画面に表示される。設計者は、両者の設計値が整合するように、実装パラメータを調整する。
At this time, when a mounting parameter is input, the parameter deriving means 7 refers to the conversion table of the
次に、前段チップとコアIPとの間の入力配線ネットワークのモジュール・テンプレート2を参照する(S43)。そして、この入力配線ネットワークのモジュール・テンプレート2の各実装設計パラメータの設計を行い、設計情報記憶手段6に保存する(S44)。
Next, the
このとき、実装パラメータが入力されると、パラメータ導出手段7は、モジュール・テンプレート2の変換テーブルを参照し、その実装パラメータに対する回路パラメータを導出する。例えば、図3の例の場合、実装設計テーブルにおける構造パラメータと材料パラメータが設計値として入力される。そうすると、パラメータ導出手段7は、変換テーブルのLCRKパラメータの導出式及び特性インピーダンスの導出式に基づき、これらの構造パラメータと材料パラメータに対するLCRKパラメータ値及び特性インピーダンス値を算出する。算出されたLCRKパラメータ値及び特性インピーダンス値は、属性情報と回路設計テーブルの該当箇所に代入されるとともに、各パラメータ値が実装設計CAD装置の表示画面に表示される。このとき、回路設計テーブルに保存されている回路設計パラメータも併せて表示される。設計者はこの計算値を見て、設計した実装設計パラメータが、与えられた回路設計パラメータの範囲内にあるか否かを確認する。与えられた回路設計パラメータの範囲内にない場合は、実装設計パラメータの修正を行う。与えられた回路設計パラメータの範囲内にある場合は、その実装設計パラメータにより設計値を確定する。このようにして、実装設計パラメータと回路設計パラメータとの設計値の整合をとることができる。
At this time, when a mounting parameter is input, the parameter deriving means 7 refers to the conversion table of the
次に、コアIPのモジュール・テンプレート2を参照する(S45)。そして、このコアIPのモジュール・テンプレート2の各実装設計パラメータの設計を行い、設計情報記憶手段6に保存する(S46)。この場合も、同様に、実装設計パラメータの設計時に回路設計パラメータの整合をとりながら、設計が行われる。
Next, the
次に、後段チップとコアIPとの間の出力配線ネットワークのモジュール・テンプレート2を参照する(S47)。そして、この出力配線ネットワークのモジュール・テンプレート2の各実装設計パラメータの設計を行い、設計情報記憶手段6に保存する(S48)。この場合も、同様に、実装設計パラメータの設計時に回路設計パラメータの整合をとりながら、設計が行われる。
Next, the
最後に、設計者は、各コアIPの後段チップのモジュール・テンプレート2を参照する(S49)。そして、後段チップについての入力回路の実装設計パラメータを記述し、設計情報記憶手段6に保存する(S50)。この場合も、同様に、実装設計パラメータの設計時に回路設計パラメータの整合をとりながら、設計が行われる。
Finally, the designer refers to the
以上のステップS41〜S50の設計をマルチ・チップ集積化装置の回路全体について実行する。そして、回路全体のレイアウト合成を行う(S51)。 The design in steps S41 to S50 is executed for the entire circuit of the multi-chip integrated device. Then, layout synthesis of the entire circuit is performed (S51).
次に、実装設計CAD装置5は、設計情報記憶手段6に保存された設計情報に基づいて、各配線の接続検証を行う(S52)。そして、実装設計CAD装置5は、各モジュールの実装設計パラメータに対して、変換テーブルに格納された相互導出関数により算出される回路の寄生成分を等価回路化して回路に取り込む(S53)。
Next, the mounting
以上の実装設計が終了すると、設計者は回路設計CAD装置4に対し、回路シミュレーションの指示を入力する。これにより、回路設計CAD装置4は、所定のテスト・パターンにより、全体回路のシミュレーションを行う(S54)。そして、設計者は、回路シミュレーションの結果から、設計された回路の性能を判定する(S55)。もし、所望の性能が得られていない場合には、その原因を分析し、修正指針を策定し(S56)、実装の再設計を行う。
When the above mounting design is completed, the designer inputs a circuit simulation instruction to the circuit
回路シミュレーションの結果、所望の性能が得られた場合、設計を終了する。以上により、マルチ・チップ集積化装置の設計が終了する。 When the desired performance is obtained as a result of the circuit simulation, the design is terminated. This completes the design of the multi-chip integrated device.
このように、本発明によれば、回路設計と実装設計との間で、設計パラメータの整合性を取りながらマルチ・チップ集積化装置の設計を行うことができる。従って、回路設計の過程と実装設計の過程で設計パラメータの整合性の検証を行いながらマルチ・チップ集積化装置の設計を行うことで、両者間の設計不整合による設計修正作業をなくし開発TATを短縮させることができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to design a multi-chip integrated device while maintaining consistency of design parameters between circuit design and mounting design. Therefore, by designing the multi-chip integrated device while verifying the consistency of the design parameters in the circuit design process and the mounting design process, the design correction work due to the design mismatch between the two is eliminated, and the development TAT is reduced. It can be shortened.
〔設計例〕
次に、具体的にこの設計システムを使用した論理レベル・トランスフォーマの設計例について述べる。
[Design example]
Next, a design example of a logic level transformer using this design system will be specifically described.
まず、設計を行う論理レベル・トランスフォーマの構成と、その構成部品である論理レベル変換コア、及び入力配線ネットワークの構成について説明する。 First, the configuration of the logic level transformer to be designed, and the configuration of the logic level conversion core and the input wiring network which are its components will be described.
図8は論理レベル・トランスフォーマの構成を表すブロック構成図である。第一の集積論理回路チップ11の論理出力信号端子aからはある論理レベル・インターフェイスの信号が出力される。この論理出力信号は入力配線ネットワーク12の入力信号端子bへ導かれる。そして、入力配線ネットワーク12内に形成された伝送線路13を経て出力信号端子cへ導かれる。更に、論理レベル変換コア14の入力信号端子dへ導かれる。論理レベル変換コア14は、入力信号検出ブロック15と論理レベル変換出力ブロック16の縦続接続によって構成されている。入力信号検出ブロック15は、少なくとも2つ以上の論理レベル・インターフェイスに適合する入力信号レベルを検出する。論理レベル変換出力ブロック16は、該入力信号レベルとは異なる少なくとも2つ以上の論理レベル・インターフェイスに適合する信号レベルの1つに選択的に変換して出力する。論理レベル変換コア14の出力信号端子eからは所望の論理レベル・インターフェイスに変換された信号が出力される。該論理出力信号は出力配線ネットワーク17の入力信号端子fへ導かれる。そして、出力配線ネットワーク17内に形成された伝送線路18を経て出力信号端子gへ導かれる。更に第二の集積論理回路チップ19の論理入力信号端子hへ導かれる。この入力配線ネットワーク12と論理レベル変換コア14と出力配線ネットワーク17を一体として論理レベル・トランスフォーマ20が構成される。
FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the logic level transformer. A logic level interface signal is output from the logic output signal terminal a of the first integrated
図9は論理レベル・トランスフォーマの実装断面図である。図9において、第一の集積論理回路チップ11、伝送線路13、論理レベル変換コア14、伝送線路18、及び第二の集積論理回路チップ19は図8と同様のものである。
FIG. 9 is a mounting cross-sectional view of the logic level transformer. In FIG. 9, the first integrated
実装基板21の表面には、金属の伝送線路13,18が形成されている。そして、伝送線路13の一端には、半田バンプ22を介して第一の集積論理回路チップ11が接続されている。伝送線路13の他端と伝送線路18の一端には、半田バンプ23,24を介して論理レベル変換コア14が接続されている。伝送線路18の他端には、半田バンプ25を介して第二の集積論理回路チップ19が接続されている。
論理出力信号端子aから入力信号端子dに至る入力配線ネットワーク12は、半田バンプ22及び伝送線路13を経て半田バンプ23に至る線路で実現されている。また、出力信号端子eから論理入力信号端子hに至る出力配線ネットワーク17は、半田バンプ24から伝送線路18を経て半田バンプ25に至る線路で実現されている。
The
図10は論理レベル変換コアの一構成例を表す回路図である。トランジスタQ1,Q2,Q3によって入力段の差動対回路が構成されている。差動対Q1,Q2のコレクタ端子には帰還抵抗R1,R2を介してトランジスタQ4,Q5が接続されている。差動対Q1,Q2のコレクタ端子は同時にトランジスタQ6,Q7,Q8で構成される出力段の差動対回路の入力端子に接続されている。出力段差動対Q6,Q7のコレクタ端子は負荷抵抗R3,R4を介してプルアップ電源電圧Vccに接続されている。 FIG. 10 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the logic level conversion core. Transistors Q1, Q2, and Q3 constitute an input-stage differential pair circuit. Transistors Q4 and Q5 are connected to collector terminals of the differential pair Q1 and Q2 via feedback resistors R1 and R2. The collector terminals of the differential pair Q1, Q2 are simultaneously connected to the input terminals of the differential pair circuit in the output stage composed of the transistors Q6, Q7, Q8. The collector terminals of the output stage differential pair Q6, Q7 are connected to the pull-up power supply voltage Vcc via load resistors R3, R4.
出力段差動対Q6,Q7のコレクタ端子は並列帰還を司るトランジスタQ4,Q5のベース入力端子を経て、相補出力端子V3,V4となる。トランジスタQ3,Q8はそれぞれ入力段差動対、出力段差動対の定電流源トランジスタである。電流制御電圧V5,V6が、それぞれ、トランジスタQ3,Q8のベース端子に印加される。トランジスタQ3,Q8のエミッタ端子は、負帰還抵抗R5,R6を介してプルダウン電源電圧Veeに接続されている。 The collector terminals of the output stage differential pair Q6 and Q7 become complementary output terminals V 3 and V 4 through the base input terminals of the transistors Q4 and Q5 which perform parallel feedback. Transistors Q3 and Q8 are constant current source transistors of an input stage differential pair and an output stage differential pair, respectively. Current control voltages V 5 and V 6 are applied to the base terminals of the transistors Q3 and Q8, respectively. The emitter terminals of the transistors Q3 and Q8 are connected to the pull-down power supply voltage Vee via negative feedback resistors R5 and R6.
入力信号V1のレベルがQ2のベース端子V2の電圧と比較されて論理ローレベル/ハイレベルとして検出される。例えば、プルアップ電圧を3.3V、プルダウン電圧を−3V程度に設定してトランジスタQ1〜Q8をシリコンバイポーラトランジスタで構成すれば、入力レベル0V〜−0.8Vのエミッタ結合論理回路(ECL)、ソース結合FET論理回路(SCFL)、入力レベル0V〜−0.4VのローレベルECL(LECL)やローレベルSCFL(LSCFL)の複数の論理インターフェイスの入力信号レベルを検出することができる。 Input signal V 1 of the level is compared with the voltage of the base terminal V 2 of Q2 is detected as a logic low level / high level. For example, if the pull-up voltage is set to 3.3V and the pull-down voltage is set to about -3V and the transistors Q1 to Q8 are formed of silicon bipolar transistors, an emitter coupled logic circuit (ECL) having an input level of 0V to -0.8V, It is possible to detect the input signal levels of the source coupled FET logic circuit (SCFL), the low level ECL (LECL) of the input level 0V to -0.4V, and the plurality of logic interfaces of the low level SCFL (LSFFL).
出力信号端子V3,V4の出力信号レベルは、電流制御電圧V5,V6を調整することによって、0V〜+5VのCMOS、0V〜+3.3V、0V〜+2.6V、0V〜+1.5V、0V〜1.0Vの低電圧CMOS論理(LVCMOS)や+1.0V〜+1.35Vの低電圧差動信号論理(LVDS)のいずれかの論理インターフェイスの信号レベルを出力することができる。 The output signal levels of the output signal terminals V 3 and V 4 are adjusted by adjusting the current control voltages V 5 and V 6 to 0V to + 5V CMOS, 0V to + 3.3V, 0V to + 2.6V, 0V to +1. The signal level of any one of 5V, low voltage CMOS logic (LVCMOS) of 0V to 1.0V and low voltage differential signal logic (LVDS) of + 1.0V to + 1.35V can be output.
図11は論理レベル・トランスフォーマの構成要素である入力配線ネットワークの構成の一例を示す図である。本図では図10に示す論理レベル変換コアの入力論理レベル・インターフェイスに適合する入力配線ネットワークの一構成例の電気的等価回路を示している。 FIG. 11 is a diagram showing an example of the configuration of an input wiring network that is a component of a logic level transformer. This figure shows an electrical equivalent circuit of a configuration example of an input wiring network that conforms to the input logic level interface of the logic level conversion core shown in FIG.
第一の集積論理回路チップ11に想定されるECL,SCFL,LECL,LSCFL等の論理レベル・インターフェイスの一つの出力回路形態としてエミッタ・フォロワもしくはソース・フォロワ形式の出力段回路がある。その論理出力信号端子aに,エミッタ・フォロワもしくはソース・フォロワの(一般的には50Ωよりも低い)出力インピーダンスZoutに整合させた特性インピーダンスを有する伝送線路13の一端を接続し,該伝送線路13を介して論理レベル変換コア14の入力信号端子dと接続した汎用的な構成である。この例では、伝送線路の特性インピーダンスが第一の集積論理回路チップ11の論理出力信号端子aの出力インピーダンスに整合する。この結果、伝送線路の長さが通過信号の上限周波数の波長と同程度に長大化しても、波形歪のない高品質な信号伝送・接続が果たせる。
As an output circuit form of a logic level interface such as ECL, SCFL, LECL, LSCFL assumed in the first integrated
図12は論理レベル・トランスフォーマの構成要素である入力配線ネットワークの構成の他の一例を示す図である。この入力配線ネットワークは、論理レベル変換コア14の入力論理レベル・インターフェイスに適合する。第一の集積論理回路チップ11において、ECL,SCFL,LECL,LSCFLの出力回路形態として、オープンコレクタ形式が想定される。そこで、図12の入力配線ネットワークにおいては、論理出力信号端子aに,特性インピーダンス50Ωの伝送線路13の一端を接続する。また、この伝送線路13の他端に論理レベル変換コア14の入力信号端子dを接続する。そして、論理レベル変換コア14の入力信号端子d直近に50Ωの終端抵抗R7を負荷として接続している。
FIG. 12 is a diagram showing another example of the configuration of the input wiring network that is a component of the logic level transformer. This input wiring network is compatible with the input logic level interface of the logic
この場合、50Ωの終端抵抗R7によって、論理レベル変換コア14の入力信号端子dの入力インピーダンスは、ほぼ50Ωとなる。従って、伝送線路の特性インピーダンスは、論理レベル変換コア14の入力信号端子dの入力インピーダンスに整合する必要がある。その結果、伝送線路の長さが通過信号の上限周波数の波長と同程度に長大化しても、波形歪のない高品質な信号伝送・接続が果たせる。
In this case, the input impedance of the input signal terminal d of the logic
図13は論理レベル・トランスフォーマの構成要素である出力配線ネットワークの構成の一例を示す図である。この入力配線ネットワークは、論理レベル変換コア14の出力論理レベル・インターフェイスがCMOS又はLVCMOSの場合に適合するものである。
FIG. 13 is a diagram showing an example of the configuration of the output wiring network that is a component of the logic level transformer. This input wiring network is suitable when the output logic level interface of the logic
この出力配線ネットワークは、論理レベル変換コア14の出力回路形式として、コレクタ負荷抵抗を有するオープンコレクタ形式を想定している。論理レベル変換コア14の出力信号端子eの出力インピーダンスはおよそ図10に記載のコレクタ負荷抵抗R3の抵抗値:Zout(一般的には100Ωのオーダ)として近似できる。そこで、論理レベル変換コア14の出力信号端子eに,当該出力インピーダンス:Zoutに整合させた特性インピーダンスを有する伝送線路18の一端を接続する。そして、他端を伝送線路18を介して第二の集積論理回路チップ19の論理入力信号端子hと接続している。
This output wiring network assumes an open collector form having a collector load resistance as an output circuit form of the logic
この出力配線ネットワークでは、伝送線路の特性インピーダンスを論理レベル変換コア14の出力信号端子eの出力インピーダンスに整合する必要がある。この整合により、伝送線路の長さが通過信号の上限周波数の波長と同程度に長大化しても、波形歪のない高品質な信号伝送・接続が果たせる。
In this output wiring network, it is necessary to match the characteristic impedance of the transmission line to the output impedance of the output signal terminal e of the logic
図14は論理レベル・トランスフォーマの構成要素である出力配線ネットワークの構成の他の一例を示す図である。この出力配線ネットワークは、論理レベル変換コア14の出力論理レベル・インターフェイスがLVDSである場合を想定して設計されている。この例ではLVDSの規格に習い、補出力信号端子ea,ebに接続した相補信号伝送線路18a,18bの遠端を100Ωの抵抗R1でシャント接続し、各々第二の集積論理回路チップ19の相補論理信号入力端子ha,hbに接続している。
FIG. 14 is a diagram showing another example of the configuration of the output wiring network that is a component of the logic level transformer. This output wiring network is designed on the assumption that the output logic level interface of the logic
この場合、相補信号伝送線路の各々にとっては,遠端(入力端子cおよびd)の入力インピーダンスはほぼ50Ωに見える。従って、それらの相補信号伝送線路の各々の特性インピーダンスが50Ωとなるように構成する必要がある。この例では,伝送線路18a,18bの特性インピーダンスが第二の集積論理回路チップ19の論理信号入力端子ha,hbの入力インピーダンスに整合するように設計する。この結果、伝送線路の長さが通過信号の上限周波数の波長と同程度に長大化しても、波形歪のない高品質な信号伝送・接続が果たせる。
In this case, for each of the complementary signal transmission lines, the input impedance at the far end (input terminals c and d) looks almost 50Ω. Therefore, it is necessary to configure each of the complementary signal transmission lines to have a characteristic impedance of 50Ω. In this example, the characteristic impedances of the
以上のような論理レベル・トランスフォーマを本実施例の設計システムにより設計する例について、以下に説明する。 An example in which the logic level transformer as described above is designed by the design system of this embodiment will be described below.
図15は論理レベル・トランスフォーマの設計過程を表す図である。モジュール・ライブラリ1には、論理レベル変換コア14のモジュール・テンプレート(図示せず)と、上に説明したような各種の入力配線ネットワーク12及び出力配線ネットワーク17のモジュール・テンプレートa1〜an、b1〜bmが用意されている。
FIG. 15 is a diagram showing the design process of the logic level transformer. The
最初に第一の集積論理回路チップ11、第二の集積論理回路チップ19のテンプレートが選択される。そして、これらの論理レベルや出力回路に適応した論理レベル変換コア14のテンプレートが選択される。
First, templates of the first integrated
ここで、論理レベル・トランスフォーマの構成要素であって、ある複数の論理レベル・インターフェイスの変換・接続機能を果たす1つの論理レベル変換コア14に対し、他の構成要素である入力配線ネットワーク12と出力配線ネットワーク17には,それぞれ,接続する対象の集積論理回路チップの論理レベル・インターフェイスに応じて多数の形態が想定される。そこで、モジュール・ライブラリ1には、予め想定される論理レベル・インターフェイス毎に、その論理レベル・インターフェイスとの接続に適合する伝送線路の特性インピーダンスと終端回路情報とを含む固有のテンプレートを作成している。
Here, with respect to one logic
図15では、入力配線ネットワーク12のモジュール・テンプレートとしてa1,a2,a3,…,anが、出力配線ネットワーク17のテンプレートとしてb1,b2,b3,…,bmが予め用意されている。
15, a1, a2, a3,..., An are prepared in advance as module templates of the
例えば、第一の集積論理回路チップ11の論理レベル・インターフェイスがSCFLのオープンコレクタ形式であったとする。これに適合するテンプレートとしてa3が選択される。テンプレートa3に規定された伝送線路の特性インピーダンス、並びに終端回路情報に基づいて、実際の入力配線ネットワーク12の実装設計パラメータが設計される。
For example, assume that the logic level interface of the first integrated
同様に、第二の集積論理回路チップ19の論理レベル・インターフェイスがLVDSであったとする。これに適合するテンプレートとしてb3が選択される。テンプレートb3に規定された伝送線路の特性インピーダンス、並びに終端回路情報に基づいて、実際の出力配線ネットワーク17の実装パラメータが設計される。そして、最終的に、入力配線ネットワーク12、論理レベル変換コア14、出力配線ネットワーク17を一体化して論理レベル・トランスフォーマ20が構成される。
Similarly, it is assumed that the logic level interface of the second integrated
このように、論理レベル・トランスフォーマ20の設計者は、要求される論理レベル・インターフェイスの接続・変換仕様に応じて、論理レベル変換コア14に組み合わせるべき適切な入出力配線ネットワーク12,17をモジュール・テンプレートによって迅速かつ的確に得ることができる。また、モジュール・テンプレートの援用により、迅速に回路設計を行うことができる。
(設計例終わり)
In this way, the designer of the
(End of design example)
1 モジュール・ライブラリ
2 モジュール・テンプレート
2a 属性情報
2b 回路設計テーブル
2c 実装設計テーブル
2d 変換テーブル
3 ネットワーク
4 回路設計CAD装置
5 実装設計CAD装置
6 設計情報記憶手段
7 パラメータ導出手段
11 第一の集積論理回路チップ
12 入力配線ネットワーク
13,18,18a,18b 伝送線路
14 論理レベル変換コア
15 入力信号検出ブロック
16 論理レベル変換出力ブロック
17 出力配線ネットワーク
19 第二の集積論理回路チップ
20 論理レベル・トランスフォーマ
21 実装基板
22,23,24,25 半田バンプ
DESCRIPTION OF
Claims (3)
モジュールの回路特性に関するパラメータ(以下、「回路設計パラメータ」という。)が含まれる回路設計パラメータ情報、
モジュールの回路の実装上のパラメータ(以下、「実装設計パラメータ」という。)が含まれる実装設計パラメータ情報、
及び、前記各回路設計パラメータと、前記各実装設計パラメータとの間において一方から他方を導出する相互導出関数を表すルックアップテーブルに関する情報が含まれる変換情報、
を有するモジュール・テンプレートが記憶されたモジュール・ライブラリを備え、
前記モジュール・ライブラリは、マルチ・チップ集積化装置の設計に使用される各種のコアIP、前記コアIP間の論理レベルを変換する論理レベル変換コア、及び前記コアIP又は前記論理レベル変換コア間を接続する入出力配線ネットワークの前記モジュール・テンプレートを複数記憶するものであり、
設計するマルチ・チップ集積化装置の回路設計に使用されるコアIPに関する情報を含むマルチ・チップ集積化装置の仕様のデータと、選択される前記モジュール・テンプレートのデータとを記憶する設計情報記憶手段と、
(a)前記マルチ・チップ集積化装置の仕様が入力されると当該マルチ・チップ集積化装置の仕様を前記設計情報記憶手段に保存し、(b)モジュール選択指示が入力されると、当該マルチ・チップ集積化装置の仕様に含まれる前記コアIPの前記モジュール・テンプレートを前記モジュール・ライブラリから抽出して前記設計情報記憶手段に保存し、抽出された前記各コアIPの前記モジュール・テンプレートを参照して、互いに接続される前記コアIP間に必要な論理レベル変換コアの前記モジュール・テンプレートを前記モジュール・ライブラリから抽出して前記設計情報記憶手段に保存し、抽出された前記各コアIP及び論理レベル変換コアの前記モジュール・テンプレートを参照して、互いに接続される前記コアIP又は前記論理レベル変換コア間に必要な入出力配線ネットワークの前記モジュール・テンプレートを前記モジュール・ライブラリから抽出して前記設計情報記憶手段に保存し、(c)回路設計パラメータの変更指示が入力されると、前記設計情報記憶手段に保存された各モジュール・テンプレートの前記回路設計パラメータの値を変更し更新を行う回路設計CAD装置と、
実装設計パラメータの変更指示が入力されると、前記設計情報記憶手段に保存された各モジュール・テンプレートの前記実装設計パラメータの値を変更し更新を行う実装設計CAD装置と、
前記設計情報記憶手段に保存された前記モジュール・テンプレートに対して、回路設計パラメータ又は実装設計パラメータのうちの何れか一方のパラメータが更新された場合、当該モジュール・テンプレートの前記変換情報を参照して前記相互導出関数によりもう一方のパラメータを算出し、前記設計情報記憶手段に保存された当該モジュール・テンプレートの前記回路設計パラメータ又は前記実装設計パラメータを更新するパラメータ導出手段と、
を備えたことを特徴とするマルチ・チップ集積化装置の設計システム。 A multi-chip integrated device design system for designing a desired multi-chip integrated device by combining a plurality of modules ,
Circuit design parameter information including parameters related to the circuit characteristics of the module (hereinafter referred to as “circuit design parameters”);
Implementation design parameter information including parameters on the module circuit implementation (hereinafter referred to as “implementation design parameters”),
Conversion information including information on a lookup table representing a mutual derivation function for deriving one from the other between each circuit design parameter and each mounting design parameter;
Comprises a module library module template is stored with,
The module library includes various core IPs used for designing a multi-chip integrated device, a logic level conversion core for converting a logic level between the core IPs, and between the core IP or the logic level conversion cores. Storing a plurality of the module templates of the input / output wiring network to be connected;
Design information storage means for storing data on specifications of the multi-chip integrated device including information on the core IP used for circuit design of the multi-chip integrated device to be designed, and data of the selected module template When,
(A) When the specifications of the multi-chip integrated device are input, the specifications of the multi-chip integrated device are stored in the design information storage means, and (b) when the module selection instruction is input, the multi-chip integrated device The module template of the core IP included in the specifications of the chip integrated device is extracted from the module library and stored in the design information storage unit, and the extracted module template of each core IP is referred to Then, the module template of the logic level conversion core necessary between the core IPs connected to each other is extracted from the module library and stored in the design information storage means, and the extracted core IP and logic The core IP or the logic connected to each other with reference to the module template of the level conversion core The module template of the input / output wiring network necessary between the bell conversion cores is extracted from the module library and stored in the design information storage means. (C) When a circuit design parameter change instruction is input, A circuit design CAD device that changes and updates the value of the circuit design parameter of each module template stored in the design information storage means;
When a mounting design parameter change instruction is input, a mounting design CAD device that changes and updates the value of the mounting design parameter of each module template stored in the design information storage unit;
To the module templates stored in the design information storage unit, if one of the parameters of the circuit design parameters or implementation design parameters have been updated, by referring to the conversion information of the Module Template a parameter deriving means other parameters calculated, updating the circuit design parameters or the mounting design parameters of the module templates stored in the design information storage unit by the mutual derivation function,
A design system for a multi-chip integrated device.
前記回路設計CAD装置は、前記モジュール選択指示が入力された場合において、抽出された前記各コアIP及び論理レベル変換コアの前記モジュール・テンプレートの前記回路設計パラメータ情報から、互いに接続される前記各コアIP及び論理レベル変換コアの伝送路の特性インピーダンス及び整合終端回路を表すパラメータ群を抽出し、抽出されたそれらのパラメータ群に基づいて、互いに接続される前記コアIP又は前記論理レベル変換コア間に必要な入出力配線ネットワークの前記モジュール・テンプレートを前記モジュール・ライブラリから抽出することを特徴とする請求項1記載のマルチ・チップ集積化装置の設計システム。 The circuit design parameter information in the module template of the wiring network includes a parameter group representing the characteristic impedance of the transmission line and the matching termination circuit as a circuit design parameter ,
When the module selection instruction is input, the circuit design CAD device is configured to connect the cores connected to each other based on the extracted circuit design parameter information of the module template of the core IP and logic level conversion core. A parameter group representing the characteristic impedance of the transmission path of the IP and logic level conversion core and the matching termination circuit is extracted, and between the core IP or the logic level conversion cores connected to each other based on the extracted parameter group design system multichip integrated device according to claim 1, wherein the extracting said module template of the required input and output wiring network from the module library.
モジュールの回路の実装上のパラメータ(以下、「実装設計パラメータ」という。)が含まれる実装設計パラメータ情報、
及び、前記回路設計パラメータ情報に含まれる各パラメータと、前記実装設計パラメータ情報に含まれる各パラメータとの間において一方から他方を導出する相互導出関数を表すルックアップテーブルに関する情報が含まれる変換情報、
を有するモジュール・テンプレートが記憶されたモジュール・ライブラリを備え、
前記モジュール・ライブラリは、マルチ・チップ集積化装置の設計に使用される各種のコアIP、前記コアIP間の論理レベルを変換する論理レベル変換コア、及び前記コアIP又は前記論理レベル変換コア間を接続する入出力配線ネットワークの前記モジュール・テンプレートを複数記憶するものであり、
設計するマルチ・チップ集積化装置の回路設計に使用されるコアIPに関する情報を含むマルチ・チップ集積化装置の仕様のデータと、選択される前記モジュール・テンプレートのデータとを記憶する設計情報記憶手段と、
前記モジュール・ライブラリを参照し、前記モジュール・テンプレートを使用して、マルチ・チップ集積化装置の回路設計を行うための回路設計CAD装置と、
回路設計CAD装置により設計されるマルチ・チップ集積化装置の実装設計を行うための実装設計CAD装置と、
パラメータ導出手段と、
を備えたシステムによりマルチ・チップ集積化装置の設計を行う設計方法であって、
前記回路設計CAD装置に、前記マルチ・チップ集積化装置の仕様が入力されると当該マルチ・チップ集積化装置の仕様を前記設計情報記憶手段に保存するステップと、
前記回路設計CAD装置に、モジュール選択指示が入力されると、当該マルチ・チップ集積化装置の仕様に含まれる前記コアIPの前記モジュール・テンプレートを前記モジュール・ライブラリから抽出して前記設計情報記憶手段に保存し、抽出された前記各コアIPの前記モジュール・テンプレートを参照して、互いに接続される前記コアIP間に必要な論理レベル変換コアの前記モジュール・テンプレートを前記モジュール・ライブラリから抽出して前記設計情報記憶手段に保存し、抽出された前記各コアIP及び論理レベル変換コアの前記モジュール・テンプレートを参照して、互いに接続される前記コアIP又は前記論理レベル変換コア間に必要な入出力配線ネットワークの前記モジュール・テンプレートを前記モジュール・ライブラリから抽出して前記設計情報記憶手段に保存するステップと、
前記回路設計CAD装置又は前記実装設計CAD装置に前記回路設計パラメータ又は前記実装設計パラメータの変更指示が入力されるのに伴って、前記設計情報記憶手段に記憶される前記各モジュール・テンプレートのパラメータを更新することにより共通の設計情報を構築するステップと、
を有し、
前記共通の設計情報を構築するステップにおいては、
前記回路設計CAD装置により、前記設計情報記憶手段に保存された前記各モジュール・テンプレートの前記回路設計パラメータの値の更新がされた場合、前記パラメータ導出手段が、当該モジュール・テンプレートの前記変換情報を参照して前記相互導出関数により前記実装設計パラメータを算出し、設計情報記憶手段に格納された当該モジュール・テンプレートの前記実装設計パラメータを更新するステップと、
前記実装設計CAD装置により、前記設計情報記憶手段に保存された前記各モジュール・テンプレートの前記実装設計パラメータの値の更新がされた場合、前記パラメータ導出手段が、当該モジュール・テンプレートの前記変換情報を参照して前記相互導出関数により前記回路設計パラメータを算出し、設計情報記憶手段に格納された当該モジュール・テンプレートの前記回路設計パラメータを更新するステップと、
を繰り返すことにより共通の設計情報を構築すること
を特徴とするマルチ・チップ集積化装置の設計方法。 Circuit design parameter information including parameters related to the circuit characteristics of the module (hereinafter referred to as “circuit design parameters”);
Implementation design parameter information including parameters on the module circuit implementation (hereinafter referred to as “implementation design parameters”),
And conversion information including information on a lookup table representing a mutual derivation function for deriving one from the other between each parameter included in the circuit design parameter information and each parameter included in the mounting design parameter information,
Comprises a module library module template is stored with,
The module library includes various core IPs used for designing a multi-chip integrated device, a logic level conversion core for converting a logic level between the core IPs, and between the core IP or the logic level conversion cores. Storing a plurality of the module templates of the input / output wiring network to be connected;
Design information storage means for storing data on specifications of the multi-chip integrated device including information on the core IP used for circuit design of the multi-chip integrated device to be designed, and data of the selected module template When,
A circuit design CAD device for referring to the module library and using the module template to design a circuit of a multi-chip integrated device ;
A mounting design CAD device for performing mounting design of a multi-chip integrated device designed by a circuit design CAD device ;
Parameter derivation means;
A design method for designing a multi-chip integrated device by a system comprising:
Storing the specifications of the multi-chip integrated device in the design information storage means when the specifications of the multi-chip integrated device are input to the circuit design CAD device;
When a module selection instruction is input to the circuit design CAD device, the module template of the core IP included in the specifications of the multi-chip integrated device is extracted from the module library and the design information storage means The module template of the logic level conversion core required between the core IPs connected to each other is extracted from the module library with reference to the module template of each core IP stored and extracted. Input / output necessary between the core IP or the logic level conversion cores connected to each other with reference to the module template of each of the core IPs and the logic level conversion cores stored and extracted in the design information storage unit The module template of the wiring network is used as the module live. And storing the design information storage means extracts from Li,
The parameter of each module template stored in the design information storage means when the circuit design parameter or the change instruction of the mounting design parameter is input to the circuit design CAD device or the mounting design CAD device. Building common design information by updating ; and
Have
In the step of constructing the common design information,
When the value of the circuit design parameter of each module template stored in the design information storage unit is updated by the circuit design CAD device, the parameter derivation unit stores the conversion information of the module template. Referring to the mutual derivation function to calculate the mounting design parameters and updating the mounting design parameters of the module template stored in the design information storage means;
When the mounting design CAD device updates the mounting design parameter value of each module template stored in the design information storage unit, the parameter deriving unit stores the conversion information of the module template. Calculating the circuit design parameters by the mutual derivation function with reference and updating the circuit design parameters of the module template stored in the design information storage means;
A design method for a multi-chip integrated device, characterized in that common design information is constructed by repeating .
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