JP4393941B2 - Substrate processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板及びPDP(プラズマディスプレイパネル)用ガラス基板等の基板の表面に、素子形成などのための処理を施す基板処理装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor wafer, a liquid crystal display device glass substrate and PDP (plasma display panel) for the surface of the substrate such as a glass substrate, relates to a substrate processing apparatus for performing a process such as for element formation.
従来、例えば下記特許文献1に示されるように、基板の表面に素子形成等のための一連の処理を施す装置である基板処理装置において、基板に対し処理液を噴射(吐出)する行程を有するものがある。図6及び図7は、従来の基板処理装置の一部分である、基板に対し処理液を噴射する処理を行うユニット(例えばエッチングユニット)の構成及び処理液噴射動作の概略を示す側面図である。処理液を基板Wに対して、シャワーパイプ11(図に示されているのはパイプの断面)に接続されたシャワーノズル12から噴射して、基板Wにエッチングを施す。各シャワーパイプ11は、モータ(図略)の回転に従ってリンク機構42等によりその長手方向を軸として往復回動し、シャワーノズル12を揺動する。
2. Description of the Related Art Conventionally, as shown in, for example, Patent Document 1 below, a substrate processing apparatus that is a device that performs a series of processes for element formation on a surface of a substrate has a process of ejecting (discharging) a processing liquid onto the substrate. There is something. 6 and 7 are side views showing the outline of a configuration of a unit (for example, an etching unit) that performs a process of spraying a processing liquid onto a substrate and a processing liquid spraying operation, which are a part of a conventional substrate processing apparatus. The processing liquid is sprayed onto the substrate W from the
図6は、エッチングユニット1におけるシャワーノズル12の揺動の一方端(開始位置)におけるシャワーノズル12及び処理液噴射の方向を示している。図7は、シャワーノズル12の揺動の他方端におけるシャワーノズル12及び処理液噴射の方向を示している。上記の両方向の間でシャワーノズル12が揺動されながら処理液が噴射される。また、処理液を基板W上において一方向(高い方から低い方へ)に流し、エッチングむら等ができることを防止するために、基板Wは、処理液の噴射の(シャワーノズル12の)揺動方向に(基板の高い側の位置で処理液が直角に当たるように)傾斜されて載置される。シャワーノズル12はシャワーパイプ11の回転軸(長手方向)とほぼ直角を形成するよう固定されてシャワーパイプ11に取り付けられている。
しかしながら、上記従来技術の場合、吐出口と基板との間の吐出の中心方向の距離の差が、揺動角の間において大きく変化する。基板への距離の差が長くなると吐出による処理液の打力の差が大きくなり、例えば処理液の付着力等に格差ができてしまうので、吐出中の距離の差ができるだけ小さいことが望ましい。 However, in the case of the above prior art, the difference in the distance between the discharge port and the substrate in the central direction of the discharge changes greatly between the swing angles. When the difference in the distance to the substrate becomes longer, the difference in the striking force of the processing liquid due to the discharge becomes larger, for example, a difference occurs in the adhesion force of the processing liquid and so on.
本発明は、上記問題点に鑑みて成されたもので、基板上の位置による処理液の吐出距離の差が小さい液吐出機構を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a substrate processing apparatus having a liquid ejection mechanism has small difference in discharge distance of the treatment liquid by the position on the substrate.
請求項1に係る基板処理装置は、基板を水平面に対して傾斜させて支持する支持手段と、前記基板に処理液を吐出するための液吐出機構とを備え、この液吐出機構は、回動する揺動軸と、前記処理液の吐出の中心方向を示す線が、前記揺動軸の回転軸と平行な線と直交し、且つ前記揺動軸の回転軸と交わらない位置において前記揺動軸に直接又は間接的に取り付けられ、処理液を吐出する吐出口と、前記揺動軸の回揺動を、処理液の吐出の中心方向を示す線が前記基板にほぼ垂直になる回動位置と、この回動位置から、前記吐出口と前記基板の間の距離が一旦短くなる回動方向へ予め定められた角度だけ回転した回動位置との間で行うように制御する制御手段とを備え、前記支持手段に支持された基板の傾斜の上方側と下方側との間で前記吐出が揺動されるように前記液吐出機構が備えられる。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a support unit configured to support the substrate while being inclined with respect to a horizontal plane; and a liquid discharge mechanism for discharging a processing liquid onto the substrate. And the line indicating the central direction of the discharge of the processing liquid is perpendicular to a line parallel to the rotation axis of the oscillation shaft and does not intersect the rotation axis of the oscillation shaft. A discharge port that is directly or indirectly attached to the shaft and discharges the processing liquid, and a rotational position where the line indicating the central direction of the processing liquid discharge is substantially perpendicular to the substrate. And a control means for performing control between the rotation position and a rotation position rotated by a predetermined angle in a rotation direction in which a distance between the discharge port and the substrate is once shortened. wherein the between the upper side and the lower side of the tilt of the substrate supported by the supporting means ejection There the liquid discharge mechanism is provided so as to swing.
この構成によれば、処理液の吐出の中心方向を示す線が、前記揺動軸の回転軸と平行な
線と直交し、且つ前記揺動軸の回転軸と交わらないので、処理液の吐出の中心方向を示す線が基板にほぼ垂直である吐出開始状態において、処理液の吐出の中心方向の、吐出口と基板との間の距離が最短にはならず、つまりは、揺動途中において吐出口と基板との距離が最短になる状態が訪れるので、吐出距離の最短と最長との差が小さくなり、基板面の位置による処理液の打力の格差をより小さくすることができる。
According to this configuration, the line indicating the central direction of the treatment liquid discharge is orthogonal to the line parallel to the rotation axis of the swing shaft and does not intersect with the rotation axis of the swing shaft. In the discharge start state in which the line indicating the central direction of the substrate is substantially perpendicular to the substrate, the distance between the discharge port and the substrate in the central direction of the processing liquid discharge is not the shortest, that is, in the middle of swinging Since the state where the distance between the discharge port and the substrate is shortest is reached, the difference between the shortest and longest discharge distance is reduced, and the difference in the striking force of the processing liquid depending on the position of the substrate surface can be further reduced.
請求項2に係る基板処理装置は、基板を水平面に対して傾斜させて支持する支持手段と、前記基板に処理液を吐出するための液吐出機構とを備え、この液吐出機構は、回動する揺動軸と、前記基板と垂直な方向における前記吐出口から前記基板までの距離が、前記揺動軸の回転によって前記距離が最短になるときと、前記処理液の吐出の中心方向を示す線と前記基板とが垂直になるときとで、同じにならないように前記揺動軸に直接又は間接的に取り付けられて、処理液を吐出する吐出口と、前記揺動軸の回揺動を、処理液の吐出の中心方向を示す線が前記基板にほぼ垂直になる回動位置と、この回動位置から、前記吐出口と前記基板の間の距離が一旦短くなる回動方向へ予め定められた角度だけ回転した回動位置との間で行うように制御する制御手段とを備え、前記支持手段に支持された基板の傾斜の上方側と下方側との間で前記吐出が揺動されるように前記液吐出機構が備えられる。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a support unit configured to support the substrate while being inclined with respect to a horizontal plane; and a liquid discharge mechanism for discharging a processing liquid onto the substrate. And the distance from the discharge port to the substrate in the direction perpendicular to the substrate when the distance becomes the shortest by the rotation of the swing shaft, and the center direction of the discharge of the processing liquid When the line and the substrate are perpendicular to each other, they are directly or indirectly attached to the swing shaft so as not to be the same, and the discharge port for discharging the processing liquid and the swing swing of the swing shaft. The rotation position in which the line indicating the central direction of the processing liquid discharge is substantially perpendicular to the substrate, and the rotation direction from which the distance between the discharge port and the substrate is once shortened are determined in advance. Control to be performed between the rotation position rotated by a specified angle And control means, said liquid discharge mechanism is provided so that the discharge is swung between the upper side and the lower side of the tilt of the substrate supported by the supporting means.
この構成によれば、揺動途中において吐出口と基板との距離が最短になる状態が訪れるので、吐出距離の最短と最長との差が小さくなり、基板面の位置による処理液の打力の格差をより小さくすることができる。 According to this configuration, since the state where the distance between the discharge port and the substrate is shortest during the swinging, the difference between the shortest and longest discharge distance is reduced, and the striking force of the processing liquid depending on the position of the substrate surface is reduced. The disparity can be further reduced.
そして、いずれの基板処理装置においても、液吐出機構からの処理液の吐出が、基板の傾斜の上方側においては基板に対してほぼ直角に、基板の下方側においては基板の下方側に向かうように、上方側と下方側との間で揺動されるので、処理液が上方側から下方側に一方向に流れやすくなる。In any of the substrate processing apparatuses, the discharge of the processing liquid from the liquid discharge mechanism is directed substantially perpendicular to the substrate on the upper side of the substrate tilt and toward the lower side of the substrate on the lower side of the substrate. In addition, since it is swung between the upper side and the lower side, the processing liquid easily flows in one direction from the upper side to the lower side.
請求項3に係る液吐出機構は、請求項1又は2に記載の液吐出機構であって、前記揺動軸に対して揺動アームを介して前記吐出口を取り付けたものである。この構成によれば、吐出口を揺動軸から離れた位置に設けたい場合にでも、容易に吐出口を揺動軸に接続することができる。 A liquid discharge mechanism according to a third aspect is the liquid discharge mechanism according to the first or second aspect, wherein the discharge port is attached to the swing shaft via a swing arm. According to this configuration, even when it is desired to provide the discharge port at a position away from the swing shaft, the discharge port can be easily connected to the swing shaft.
請求項1又は2に記載の発明によれば、揺動途中において吐出口と基板との距離が最短になる状態が訪れるので、吐出距離の最短と最長との差が小さくなり、基板面の位置による処理液の打力の格差をより小さくすることができる。これにより、製品不良を削減できる。また、従来からの揺動機構を変えることなく、揺動軸から先を交換するだけで上記の効果を得ることができる。そして、液吐出機構からの処理液の吐出が、基板の傾斜の上方側においては基板に対してほぼ直角に、基板の下方側においては基板の下方側に向かうように、上方側と下方側との間で揺動されるので、処理液が上方側から下方側に一方向に流れやすくなる。これにより、基板への処理液の定着むら(例えばエッチングむら)ができることを防止でき、製品不良を削減できる。 According to the first or second aspect of the invention, since the state where the distance between the discharge port and the substrate is shortest during the swinging is reached, the difference between the shortest and longest discharge distance is reduced, and the position of the substrate surface is reduced. The disparity in the striking power of the treatment liquid due to can be further reduced. Thereby, product defects can be reduced. Further, the above-described effect can be obtained only by exchanging the tip of the swing shaft without changing the conventional swing mechanism. The upper and lower sides of the processing liquid are discharged from the liquid discharging mechanism so that the processing liquid is discharged at a substantially right angle with respect to the substrate on the upper side of the inclination of the substrate and on the lower side of the substrate on the lower side of the substrate. Therefore, the processing liquid easily flows in one direction from the upper side to the lower side. Thereby, it is possible to prevent the processing liquid from being fixed (for example, etching unevenness) to the substrate, and to reduce product defects.
請求項3に記載の発明によれば、吐出口を揺動軸から離れた位置に設けたい場合にでも、容易に吐出口を揺動軸に接続することができる。 According to the third aspect of the present invention, even when it is desired to provide the discharge port at a position away from the swing shaft, the discharge port can be easily connected to the swing shaft.
以下、本発明の一実施形態における基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図1は、基板処理装置のエッチングユニット1の構成の概略を示す斜面図である。基板処理装置は、基板の表面に素子形成等のための一連の処理を施す装置であり、エッチングユニット1は、基板処理装置で行う1つの処理として、基板に処理液(エッチング液)を噴射し、エッチングを行うものである。基板搬入口13aから搬入されてきた基板Wに対して処理液をシャワーパイプ11のシャワーノズル12から噴射して基板Wにエッチングを施す。各シャワーパイプ11は、モータ41の回転に従ってリンク機構42等によりその長手方向を軸として往復回動し、シャワーノズル12を揺動する。
Hereinafter, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an outline of the configuration of an etching unit 1 of a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus is an apparatus that performs a series of processes for forming elements on the surface of the substrate. The etching unit 1 injects a processing liquid (etching liquid) onto the substrate as one process performed by the substrate processing apparatus. Etching is performed. The processing liquid is sprayed from the
図2及び図3は、エッチングユニット1のX−Y面に沿った断面の概略を示す側面図である。図2は、エッチングユニット1におけるシャワーノズル12の揺動の一方端(開始位置)におけるシャワーノズル12及び処理液噴射の方向(以下、シャワーノズル12の方向と処理液噴射方向は同じものとする。)を示している。この場合の処理液噴射方向は基板Wに対してほぼ垂直である。図3は、シャワーノズル12の揺動の他方端におけるシャワーノズル12及び処理液噴射の方向を示している。この他方端は、処理液の噴射距離(処理液噴射方向におけるシャワーノズル12と基板Wとの間の距離)が最短になる揺動角度と、処理液噴射方向が基板と平行になる揺動角度(揺動開始角度から約90度)との間(両端は含まず)に設けられる。上記の揺動の一方端と他方端との間で処理液の噴射は揺動される。
2 and 3 are side views schematically showing a cross section along the XY plane of the etching unit 1. FIG. 2 shows that the
図2及び図3に示されるように、基板Wは基板支持部15によって、処理液の噴射の(シャワーノズル12の)揺動開始位置から他方端へ向かう揺動方向に(基板の高い側の位置で処理液が直角に当たるように)傾斜されて載置される。シャワーノズル12の揺動に伴う処理液噴射方向(基板の高い側ではほぼ直角に、低い側では低い側に向かって噴射される。)及び基板の傾斜が相俟って処理液は基板W上を一方向(高い方から低い方へ)に流れ、例えばエッチングむら等ができることが防止される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate W is moved by the
シャワーノズル12は、アーム13を介してシャワーパイプ11に取り付けられている。アーム13はシャワーパイプ11の回転軸(長手方向)とほぼ直角を形成するよう固定されてシャワーパイプ11に取り付けられている。また、シャワーノズル12は、アーム13の(シャワーパイプ11に接続されている側の端とは反対側の)端部に、噴射の(揺動開始位置から他方端へ向かう)揺動方向にアーム13と180度未満(好ましくは90度以上)の所定の角度θを成して固定接続されている。ただし、シャワーノズル12は、処理液の噴射方向(を示す線)がシャワーパイプ11の回転軸に垂直な平面上にあるように位置される。つまり、シャワーノズル12は、処理液の噴射方向を示す線が、シャワーパイプ11の回転軸と平行な線と直交し、且つ、シャワーパイプ11の回転軸とは交わらないようにアーム13に取り付けられる。処理液は、シャワーノズル21から円錐状に徐々に広がるように噴射される。この円錐の中心線(円錐の底面に垂直で、円錐の頂点を通る線)を吐出の中心方向を示す線とする。
The
図4は、シャワーノズル12の揺動における吐出距離の変化を(X−Y断面において)概略的に示す図である。この図においては、シャワーパイプ11及びアーム13の管の太さ、並びにシャワーノズル12の長さを0としている。線13’は、揺動開始位置(揺動
の一方端)におけるアーム13の位置で、線14’は、このときの処理液噴射方向を示す。また、線13’’は、揺動の他方端におけるアーム13の位置で、線14’’は、このときの処理液噴射方向を示す。例えば、処理液噴射方向とアーム13との間の角度θが90度、アームの長さ(線13’及び線13’’の長さ)がN/3(任意の単位)、揺動開始位置におけるシャワーノズル12と基板Wとの距離(線14’の長さ)がN(任意の単位)、揺動角度γが45度である場合には、揺動の他方端におけるシャワーノズル12と基板Wとの距離(線14’’の長さ)は、約1.08N(任意の単位)である。また、揺動途中における揺動角度γが30度の時のシャワーノズル12と基板Wとの距離は、約0.96N(任意の単位)で、Nより短くなる。
FIG. 4 is a diagram schematically showing the change in the discharge distance when the
一方、上述した従来例についての同様の計算を以下に示す。図8は、シャワーノズル12の揺動における吐出距離の変化を(X−Y断面図において)概略的に示す図である。この図においても、シャワーパイプ11の管の太さ、並びにシャワーノズル12の長さを0としている。線114’は、揺動開始位置(揺動の一方端)における処理液噴射方向、線114’’は、揺動の他方端における処理液噴射方向を示す。例えば、揺動開始位置におけるシャワーノズル12と基板Wとの距離(線114’の長さ)がN(任意の単位)、揺動角度γが45度である場合には、揺動終了位置におけるシャワーノズル12と基板Wとの距離(線114’’の長さ)は、約1.41N(任意の単位)である。従来例の方が吐出距離の差が大きい。
On the other hand, a similar calculation for the above-described conventional example is shown below. FIG. 8 is a diagram schematically showing the change in the discharge distance when the
このように本実施形態によれば、シャワーノズル12の揺動におけるシャワーノズル12から基板Wまでの距離の変化が、従来技術と比較して少ないので、シャワーノズル12から基板Wまでの距離に起因する処理液の打力の変化が少なくなり、基板W面全体に対してより均一に処理液を吹き付けることができる。
As described above, according to the present embodiment, the change in the distance from the
なお、本発明は、上記実施形態のものに限定されるものではなく、以下に述べる態様を採用することができる。本実施形態においては、アーム13と処理液噴射方向との間の角度θが(計算の単純化のために)90度の場合について吐出距離を求めたが、アーム13と処理液噴射方向との間の角度θは必ずしも90度である必要はなく、180度未満(好ましくは90度以上)であればよい。アーム13と処理液噴射方向との間の角度θが90度でない場合の例を図5(a)に示す。図5(a)に示される例においては、シャワーパイプ11aに接続されたアーム13aとシャワーノズル12a(処理液噴射方向)とがなす角度θが90度より大きい。この場合においても、シャワーノズル12aの揺動角の(両端以外の)途中において、吐出距離が最短となり(従来例の場合には、揺動角の一方端において吐出距離が最短となる。)、その結果、従来例の場合より吐出距離の変化が小さくなる。この角度θ及びアーム13aの長さは特に限定されないが、シャワーノズル12aから基板Wまでの距離の変化がより小さくなるように決定することが望ましい。
In addition, this invention is not limited to the thing of the said embodiment, The aspect described below can be employ | adopted. In the present embodiment, the discharge distance is obtained when the angle θ between the
図5(b)に示すように、アーム13を設けず、シャワーノズル12bがシャワーパイプ11bに直接接続されていてもかまわない。この場合に、シャワーパイプ11bからシャワーノズル12bまでの距離を長くしたい場合には、例えばシャワーパイプ11bの管の径を大きくすればよい。このシャワーノズル12bをシャワーパイプ11bに直接接続する場合における、シャワーパイプ11bの揺動軸とシャワーノズル12bとの位置関係は、より細いシャワーパイプ11を用いて、このシャワーパイプ11とシャワーノズル12とをアーム13を介して接続することによっても作成することもできるので、シャワーノズル12bがシャワーパイプ11bに直接接続されている場合が、シャワーノズル12がシャワーパイプ11にアーム13を介して接続されている場合と、同様の効果を奏することは明らかである。
As shown in FIG. 5B, the
本実施形態においては、処理液は、シャワーパイプ11及びアーム13の中を通ってシ
ャワーノズル12に運ばれたが、シャワーノズル12から噴射される処理液は、必ずしもシャワーパイプ11及びアーム13の中を通ってシャワーノズル12に運ばれなくてもよい。また、本実施形態においては、シャワーノズル12をアーム13の端部に接続したが、シャワーノズル12は必ずしもアーム13の端部に接続されている必要はない。
In the present embodiment, the processing liquid is conveyed to the
1 エッチングユニット(基板処理装置)
11 シャワーパイプ(揺動軸)
12 シャワーノズル12(吐出口)
13 アーム(揺動アーム)
15 基板支持部(支持手段)
2 液吐出機構
41 モータ(制御手段)
42 リンク機構(制御手段)
W 基板
1 Etching unit (substrate processing equipment)
11 Shower pipe (oscillating shaft)
12 Shower nozzle 12 (discharge port)
13 Arm (swing arm)
15 Substrate support (support means)
2
42 Link mechanism (control means)
W substrate
Claims (3)
前記基板に処理液を吐出するための液吐出機構とを備え、
この液吐出機構は、
回動する揺動軸と、
前記処理液の吐出の中心方向を示す線が、前記揺動軸の回転軸と平行な線と直交し、且つ前記揺動軸の回転軸と交わらない位置において前記揺動軸に直接又は間接的に取り付けられ、処理液を吐出する吐出口と、
前記揺動軸の回揺動を、処理液の吐出の中心方向を示す線が前記基板にほぼ垂直になる回動位置と、この回動位置から、前記吐出口と前記基板の間の距離が一旦短くなる回動方向へ予め定められた角度だけ回転した回動位置との間で行うように制御する制御手段とを備え、
前記支持手段に支持された基板の傾斜の上方側と下方側との間で前記吐出が揺動されるように前記液吐出機構が備えられた、基板処理装置。 A support means for supporting the substrate by tilting with respect to a horizontal plane;
A liquid discharge mechanism for discharging a processing liquid onto the substrate;
This liquid discharge mechanism
A pivoting pivot shaft;
A line indicating the central direction of the discharge of the processing liquid is perpendicular to the line parallel to the rotation axis of the rocking shaft and directly or indirectly to the rocking shaft at a position not intersecting with the rotation axis of the rocking shaft. And a discharge port for discharging the processing liquid,
The pivoting of the swinging shaft is performed by rotating a position where a line indicating the center direction of the processing liquid discharge is substantially perpendicular to the substrate, and a distance between the discharge port and the substrate from the rotating position. Control means for performing control between a rotational position rotated by a predetermined angle in the rotational direction once shortened , and
A substrate processing apparatus comprising the liquid discharge mechanism so that the discharge is swung between an upper side and a lower side of an inclination of a substrate supported by the support means.
前記基板に処理液を吐出するための液吐出機構とを備え、
この液吐出機構は、
回動する揺動軸と、
前記基板と垂直な方向における前記吐出口から前記基板までの距離が、前記揺動軸の回転によって前記距離が最短になるときと、前記処理液の吐出の中心方向を示す線と前記基板とが垂直になるときとで、同じにならないように前記揺動軸に直接又は間接的に取り付けられて、処理液を吐出する吐出口と、
前記揺動軸の回揺動を、処理液の吐出の中心方向を示す線が前記基板にほぼ垂直になる回動位置と、この回動位置から、前記吐出口と前記基板の間の距離が一旦短くなる回動方向へ予め定められた角度だけ回転した回動位置との間で行うように制御する制御手段とを備え、
前記支持手段に支持された基板の傾斜の上方側と下方側との間で前記吐出が揺動されるように前記液吐出機構が備えられた、基板処理装置。 A support means for supporting the substrate by tilting with respect to a horizontal plane;
A liquid discharge mechanism for discharging a processing liquid onto the substrate;
This liquid discharge mechanism
A pivoting pivot shaft;
When the distance from the discharge port to the substrate in a direction perpendicular to the substrate is the shortest due to the rotation of the swing shaft, a line indicating the center direction of discharge of the processing liquid and the substrate A discharge port that is directly or indirectly attached to the swing shaft so as not to be the same when it becomes vertical, and discharges the processing liquid;
The pivoting of the swinging shaft is performed by rotating a position where a line indicating the center direction of the processing liquid discharge is substantially perpendicular to the substrate, and a distance between the discharge port and the substrate from the rotating position. Control means for performing control between a rotational position rotated by a predetermined angle in the rotational direction once shortened , and
A substrate processing apparatus comprising the liquid discharge mechanism so that the discharge is swung between an upper side and a lower side of an inclination of a substrate supported by the support means.
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the discharge port is attached to the swing shaft via a swing arm.
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