JP4394095B2 - 基板処理システム - Google Patents

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、「基板」と称する）に形成されたレジスト膜に所定のパターンを形成する基板処理システムに関する。

従来より、基板上に所定のパターンを形成するため、基板にレジストを塗布し、そのレジスト膜にパターンを露光した後、現像を行うという一連の処理を行う基板処理システムが用いられている。

このような基板処理システムにおいては、基板にレジスト塗布処理を行う塗布モジュールと現像処理を行う現像モジュールが露光装置の一方側に並置され、塗布モジュールおよび現像モジュールと露光装置との間に１台の搬送ロボットを設けたインターフェイスユニットが設けられていた。

そして、塗布モジュールおよび現像モジュールのそれぞれと露光装置との間の基板の受け渡しは、いずれも共通のインターフェイスユニットにおける搬送ロボットが行っていた。

しかしながら、かかる従来技術によって、レジスト塗布から露光、現像といった一連の基板処理を行う場合には以下のような問題点があった。

すなわち、このような基板処理システムにおいて、塗布モジュールおよび現像モジュールのそれぞれと露光装置との間での基板の受け渡しの際に、インターフェイスユニットの搬送ロボットは、塗布モジュールと露光装置との間において露光前の基板の露光装置への搬入を行うとともに、現像モジュールと露光装置との間において露光後の基板の露光装置からの搬出を行っている。

そのため、複数枚の基板を連続的に処理する場合、インターフェイスユニットの搬送ロボットの動作が煩雑となり、基板処理のスループットが上がらないという問題が生じていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、スループットの良好な基板処理システムを提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理システムに、基板上に形成されたレジスト膜に所定のパターンを露光する第１露光装置と、前記第１露光装置の一方側に配置され、基板にレジストを塗布する塗布ユニットとレジスト塗布処理に付随する熱処理を行う熱処理ユニットとを含んで露光前に行うべき処理を基板に対して行う露光前処理装置と、前記露光前処理装置とともに前記第１露光装置を挟み込むように前記第１露光装置の他方側に配置され、パターンが露光されたレジストに現像液を供給して現像処理を行う現像処理ユニットと現像後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと含んで露光後に行うべき処理を基板に対して行う露光後処理装置と、未処理の基板を収納する第１インデクサと、処理後の基板を収納する第２インデクサと、前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第１搬送ユニットと、前記第１インデクサから取り出した未処理の基板を前記露光前処理装置に渡すとともに、露光前処理のなされた基板を前記第１搬送ユニットに渡す移載機構を備えた第１インターフェイスユニットと、前記第１搬送ユニットから渡された露光後の基板を前記露光後処理装置に渡すとともに、露光後処理のなされた基板を前記第２インデクサに収納する移載機構を備えた第２インターフェイスユニットと、を備えることを特徴としている。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理システムにおいて、前記露光前処理装置および前記露光後処理装置のうちの少なくとも一方を基準として前記第１露光装置のほぼ反対側に配置された前記第１露光装置とは異なる第２露光装置と、前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行うとともに、前記第１インターフェイスユニットの移載機構または前記第２インターフェイスユニットの移載機構との間で基板の受け渡しを行う第２搬送ユニットと、をさらに備えることを特徴としている。

また、請求項３の発明は、基板処理システムに、基板上に形成されたレジスト膜に所定のパターンを露光する第１および第２露光装置と、前記第１および第２露光装置の間に挟み込まれるようにして設けられるとともに、露光後に行うべき処理を基板に対して行う露光後処理装置と、露光前に行うべき処理を基板に対して行う第１および第２露光前処理装置と、前記第１および第２露光装置のそれぞれに付設され、第１および第２露光装置のそれぞれに対して基板の受け渡しを行う搬送ユニットと、前記露光後処理装置並びに前記第１および第２露光前処理装置のそれぞれに付設され、前記露光後処理装置並びに前記第１および第２露光前処理装置のそれぞれに基板の受け渡しを行う移載機構を備えるインターフェイスユニットと、前記第１露光装置を基準として前記露光後処理装置とほぼ反対側に前記第１露光前処理装置を配置するとともに、前記第２露光装置を基準として前記露光後処理装置とほぼ反対側に前記第２露光前処理装置を配置し、各装置間の基板の受け渡しは前記搬送ユニットおよび前記インターフェイスユニットを介して行うことを特徴としている。

また、請求項４の発明は、基板処理システムに、基板上に形成されたレジスト膜に所定のパターンを露光する第１および第２露光装置と、前記第１および第２露光装置の間に挟み込まれるようにして設けられるとともに、露光前に行うべき処理を基板に対して行う露光前処理装置と、露光後に行うべき処理を基板に対して行う第１および第２露光後処理装置と、前記第１および第２露光装置のそれぞれに付設され、第１および第２露光装置のそれぞれに対して基板の受け渡しを行う搬送ユニットと、前記露光前処理装置並びに前記第１および第２露光後処理装置のそれぞれに付設され、前記露光前処理装置並びに前記第１および第２露光後処理装置のそれぞれに基板の受け渡しを行う移載機構を備えるインターフェイスユニットと、前記第１露光装置を基準として前記露光前処理装置とほぼ反対側に前記第１露光後処理装置を配置するとともに、前記第２露光装置を基準として前記露光前処理装置とほぼ反対側に前記第２露光後処理装置を配置し、各装置間の基板の受け渡しは前記搬送ユニットおよび前記インターフェイスユニットを介して行うことを特徴としている。

また、請求項５の発明は、請求項３または請求項４の発明に係る基板処理システムにおいて、前記露光前処理装置は、基板にレジストを塗布する塗布ユニットとレジスト塗布処理に付随する熱処理を行う熱処理ユニットとを含むことを特徴としている。

また、請求項６の発明は、請求項３から請求項５のいずれかの発明に係る基板処理システムにおいて、前記露光後処理装置は、パターンが露光されたレジストに現像液を供給して現像処理を行う現像処理ユニットと現像後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを含むことを特徴としている。

請求項１の発明によれば、露光前処理装置が第１露光装置の一方側に、露光後処理装置が露光前処理装置とともに第１露光装置を挟み込むように第１露光装置の他方側に、それぞれ配置されるため、基板の搬送方向が一方向になるとともに露光前処理装置と第１露光装置との間の基板の搬送と第１露光装置と露光後処理装置との間の基板の搬送とが干渉することがなく、搬送動作が簡略化できるので、スループットが向上する。また、露光前処理装置と、露光後処理装置との間に、第１露光装置が設けられているため、露光前と露光後とで雰囲気を分離することができ、ＣＤ変動を抑制することができる。

また、請求項２の発明によれば、露光前処理装置および露光後処理装置のうちの少なくとも一方を基準として第１露光装置のほぼ反対側に、第１露光装置とは異なる第２露光装置を、さらに備えるため、請求項１の発明と同様の効果を奏するとともに、第１露光装置と第２露光装置との間で、露光前処理装置および露光後処理装置のうちの少なくとも一方を共用できるため、装置構成を簡略化でき、安価な装置とすることができる。

また、請求項３の発明によれば、露光後処理装置が、第１および第２露光装置の間に挟み込まれるようにして設けられるため、第１露光装置と第２露光装置との間で露光後処理装置を共用することができ、装置構成を簡略化でき、安価な装置とすることができる。また、第１露光装置を基準として露光後処理装置とほぼ反対側に第１露光前処理装置を配置するとともに、第２露光装置を基準として露光後処理装置とほぼ反対側に第２露光前処理装置を配置するため、露光前処理装置と、露光後処理装置との間に、露光装置が設けられているため、露光前と露光後とで雰囲気を分離することができ、ＣＤ変動を抑制することができる。

また、請求項４の発明によれば、露光前処理装置が、第１および第２露光装置の間に挟み込まれるようにして設けられるため、第１露光装置と第２露光装置との間で露光前処理装置を共用することができ、装置構成を簡略化でき、安価な装置とすることができる。また、第１露光装置を基準として露光前処理装置とほぼ反対側に第１露光後処理装置を配置するとともに、第２露光装置を基準として露光前処理装置とほぼ反対側に第２露光後処理装置を配置するため、露光前処理装置と、露光後処理装置との間に、露光装置が設けられているため、露光前と露光後とで雰囲気を分離することができ、ＣＤ変動を抑制することができる。

また、請求項５の発明によれば、露光前処理装置は、基板にレジストを塗布する塗布ユニットとレジスト塗布処理に付随する熱処理を行う熱処理ユニットとを含むため、いわゆるフォトリソグラフィーのスループットを向上することができる。

また、請求項６の発明によれば、露光後処理装置は、パターンが露光されたレジストに現像液を供給して現像処理を行う現像処理ユニットと現像後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを含むため、いわゆるフォトリソグラフィーのスループットを向上することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１.第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理システム１を模式的に示す概要図である。

図１に示すように、この基板処理システム１は、塗布モジュール１０、露光装置２０、現像モジュール３０、インデクサ４０ａ，４０ｂ、インターフェイスユニット５０ａ，５０ｂ、搬送ユニット６０を備えている。なお、これら基板処理システム１を構成する各装置、各ユニット、各モジュールの詳細は図示を省略する。

塗布モジュール１０（露光前処理装置に相当）は、露光前処理であるレジスト塗布処理を主に行うモジュールである。具体的には、塗布モジュール１０は、未処理の基板を水平に保持、回転させつつ、基板上にレジスト液を吐出させて、基板にレジストを塗布する塗布ユニットや、レジスト塗布処理に付随する各種熱処理（密着強化処理や露光前のプリベーク）を行う熱処理ユニットを含んでいる。

露光装置２０は、所定の光源（線源）を備え、基板上に形成されたレジスト膜に所定のパターンを露光する。

現像モジュール３０（露光後処理装置に相当）は、露光後処理である現像処理を主に行うモジュールである。具体的には、現像モジュール３０は、基板を水平に保持、回転させつつパターンが露光されたレジストに現像液を供給することによって現像を行う現像処理ユニットや、現像後の基板に対して熱処理（ＰＥＢ（Post Exposure Bake））を行う熱処理ユニットが含まれている。

インデクサ４０ａ，４０ｂは、複数枚の基板を収容可能なカセットの載置台を備えたユニットであり、未処理の基板を収納したカセットが載置されたり、処理後の基板を収納すべき空のカセットが載置されたりする。

インターフェイスユニット５０ａ，５０ｂは、基板の移載を行う移載機構を備えたユニットである。このうち、インターフェイスユニット５０ａはインデクサ４０ａに載置されたカセット、塗布モジュール１０、搬送ユニット６０の搬送ロボット（後述）のそれぞれとの間で基板を受け渡す。インターフェイスユニット５０ｂはインデクサ４０ｂに載置されたカセット、現像モジュール３０、搬送ユニット６０の搬送ロボットのそれぞれとの間で基板を受け渡す。

搬送ユニット６０は、基板を搬送する搬送ロボットを備える。搬送ロボットは回転動作と鉛直方向の昇降動作および並進動作が可能に構成され、基板を保持して移動したり、隣接するインターフェイスユニット５０ａ，５０ｂおよび露光装置２０それぞれと基板の受け渡しを行う。

そして、この基板処理システム１では、インデクサ４０ａに搬入された未処理の基板を複数枚収容したカセットからインターフェイスユニット５０ａにより１枚ずつ未処理基板が取り出され、塗布モジュール１０に渡され、そこでレジストが塗布される。その後、再びインターフェイスユニット５０ａを介して搬送ユニット６０の搬送ロボットにレジスト膜が形成された基板が渡され、さらに露光装置２０において所定のパターンが露光される。そして、露光後の基板は搬送ユニット６０の搬送ロボットによって取り出され、インターフェイスユニット５０ｂを介して現像モジュール３０に渡される。そこで現像処理が施された後、インターフェイスユニット５０ｂを介してインデクサ４０ｂに取り付けられたカセットに処理後の基板が収納される。この基板処理システム１は、こういった一連の基板処理が複数枚の基板それぞれに対して順次行われる枚葉式の基板処理システムである。

ところで、この基板処理システム１には、図１に示すように、塗布モジュール１０、露光装置２０、現像モジュール３０が順に並んで配置されている。すなわち、露光前処理装置である塗布モジュール１０が露光装置２０の一方側に隣接して配置されるとともに、露光後処理装置である現像モジュール３０が、塗布モジュール１０とともに露光装置２０を挟み込むように露光装置２０の反対側に隣接して配置された構造となっている。

このような構造により、前述のように一連の基板処理を行う際の基板の搬送が一方向（塗布モジュール１０から露光装置２０を経て現像モジュール３０の方向）となっている。すなわち、塗布モジュール１０と露光装置２０の間の基板の搬送と、露光装置２０と現像モジュール３０の間の基板の搬送とが干渉することがなく、スループットが向上する。

また、各搬送ロボットの動作が簡略化できることから、装置の製造も容易になるとともに、スループットも一層向上する。

さらに、露光前処理装置である塗布モジュール１０と、露光後処理装置である現像モジュール３０との間に、露光装置２０が設けられているため、露光前と露光後とで雰囲気を分離することができ、現像後のパターン寸法の変動であるＣＤ変動を抑制することができる。特に、塗布モジュール１０において密着強化処理に使用されるＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）が現像モジュール３０に混入することが防止される。ＨＭＤＳはアルカリ雰囲気であって、化学増幅型レジストの酸反応を阻害するものであるため、その現像モジュール３０への混入を防止することができれば、ＣＤ変動の抑制効果がより顕著となる。

また、この基板処理システム１では露光装置２０を含めたタクト（TACT）管理を行っている。これにより、基板間の履歴差を排除することができ、ＣＤ変動を一層抑制することができる。

＜２.第２実施形態＞
図２は、本発明の第２実施形態に係る基板処理システム２を模式的に示す概要図である。

図２に示すように、この基板処理システム２は、塗布モジュール１０ａ，１０ｂ、露光装置２０ａ，２０ｂ、現像モジュール３０、インデクサ４０ａ，４０ｂ，４０ｃ、インターフェイスユニット５０ａ，５０ｂ，５０ｃ、搬送ユニット６０ａ，６０ｂを備えている。なお、これら基板処理システム２を構成する各装置、各ユニット、各モジュールの詳細は図示を省略するが、第１実施形態におけるそれらとほぼ同様の構造を有している。

ただし、露光装置２０ａ，２０ｂはそれぞれ異なる光源（線源）を備えている。例えばｉ線の光源とKrFの光源や、ArFの光源とＥＢ（電子ビーム）の線源といった具合である。

この基板処理システム２では、図２に示すように、塗布モジュール１０ａ、露光装置２０ａ、現像モジュール３０、露光装置２０ｂ、塗布モジュール１０ｂが順に並んで配置されている。

すなわち、露光前処理装置である塗布モジュール１０ａが露光装置２０ａの一方側に隣接して配置されるとともに、露光後処理装置である現像モジュール３０が塗布モジュール１０ａとともに露光装置２０ａを挟み込むように露光装置２０ａの他方側に隣接して配置されており、さらに、現像モジュール３０を基準として露光装置２０ａの反対側に、露光装置２０ａとは異なる露光装置２０ｂが配置されている。

また、露光装置２０ｂを基準として現像モジュール３０と反対側に塗布モジュール１０ｂが配置された構造となっている。

換言すると、露光装置２０ａ（第１露光装置に相当）および露光装置２０ｂ（第２露光装置に相当）の間に挟み込まれるように現像モジュール３０が設けられ、さらに、露光装置２０ａを基準として現像モジュール３０と反対側に塗布モジュール１０ａが配置されるとともに、露光装置２０ｂを基準として現像モジュール３０と反対側に塗布モジュール１０ｂが配置された構造となっている。

このように基板処理システム２では、露光後処理装置である現像モジュールの台数が、露光前処理装置である塗布モジュールや、露光装置の台数より少なくなっている。

そして、この基板処理システム２では、露光装置２０ａで露光された基板と、露光装置２０ｂで露光された基板のいずれも現像モジュール３０において現像が行われる。すなわち、現像モジュール３０を露光装置２０ａ，２０ｂで露光したそれぞれの基板で共通に使用する。

このように現像モジュールを共用できるのは、複数種の光源による露光を行う場合、光源によりレジスト種が異なっても、現像液として共通のものを使用できるためである。

具体的な基板処理の流れは以下の通りである。インデクサ４０ａに搬入された未処理の基板はインターフェイスユニット５０ａを介して塗布モジュール１０ａに渡され、そこでレジストが塗布される。その後、再びインターフェイスユニット５０ａ、搬送ユニット６０ａを介して、露光装置２０ａに基板が渡され、そこで露光が行われる。さらに、露光後の基板は搬送ユニット６０ａ、インターフェイスユニット５０ｂを介して現像モジュール３０に渡され、そこで現像処理が施された後、インターフェイスユニット５０ｂを介してインデクサ４０ｂに払い出される。

これに対し、インデクサ４０ｃに搬入された未処理の基板はインターフェイスユニット５０ｃを介して塗布モジュール１０ｂに渡され、そこでレジストが塗布される。その後、再びインターフェイスユニット５０ｃ、搬送ユニット６０ｂを介して、露光装置２０ｂに基板が渡され、そこで露光が行われる。さらに、露光後の基板は搬送ユニット６０ｂ、インターフェイスユニット５０ｂを介して現像モジュール３０に渡され、そこで現像処理が施された後、インターフェイスユニット５０ｂを介してインデクサ４０ｂに払い出される。

この基板処理システム２は、こういった一連の基板処理が複数枚の基板それぞれに対して順次行われる枚葉式の基板処理システムである。

このように一連の基板処理を行う際の基板の搬送が一方向（塗布モジュール１０ａから露光装置２０ａを経て現像モジュール３０の方向、塗布モジュール１０ｂから露光装置２０ｂを経て現像モジュール３０の方向）となっている。すなわち、塗布モジュール１０ａと露光装置２０ａの間の基板の搬送と、露光装置２０ａと現像モジュール３０の間の基板の搬送とが干渉することがなく、同様に、塗布モジュール１０ｂと露光装置２０ｂの間の基板の搬送と、露光装置２０ｂと現像モジュール３０の間の基板の搬送とが干渉することがないため、スループットが向上する。

また、この基板処理システム２では露光装置２０ａ，２０ｂを含めたタクト（TACT）管理を行っている。これにより、基板間の履歴差を排除することができ、ＣＤ変動を一層抑制することができる。

また、基板処理システム２では露光前処理装置である塗布モジュール１０ａ，１０ｂと、露光後処理装置である現像モジュール３０との間に、それぞれ露光装置２０ａ，２０ｂが設けられているため、露光前と露光後とで雰囲気を分離することができ、ＨＭＤＳ等のアルカリ雰囲気の現像モジュール３０への混入を防止して現像後のパターン寸法の変動であるＣＤ変動を抑制することができる。

以上説明したように、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。

また、従来の基板処理システムでは光源が異なる露光装置に対して、それぞれ塗布装置と現像装置を備えているのに対して、この基板処理システム２では、現像モジュール３０を共用しているので、装置構成が簡略化でき、安価なシステムとすることができる。

また、一般に露光装置は光源の種類により稼働率が大きく異なる。そのため、従来、光源が異なる２台の露光装置を備えた基板処理システムでは、露光装置ごとに露光時間が異なり、露光時間の長い露光装置に付随する現像装置は比較的稼働率が低いのに対して、露光時間の短い露光装置に付随する現像装置は比較的稼働率が高くなるといったアンバランスな状態が発生する。これにより従来の基板処理システムではシステム全体のスループットが低下していた。これに対し、第２実施形態の基板処理システム２ではこういった両現像装置を１台の現像モジュール３０で兼用しているので、現像装置の待ち時間を減らし、全体としてスループットを向上させることができる。

なお、上記基板処理システム２では、光源（線源）が異なるものとしたが、光源（線源）が同種のものであってもよい。その場合には露光装置２０ａ，２０ｂも１台のみとしてもよい。

＜３.第３実施形態＞
図３は、本発明の第３実施形態に係る基板処理システム３を模式的に示す概要図である。

図３に示すように、この基板処理システム３は、塗布モジュール１０、露光装置２０ａ，２０ｂ、現像モジュール３０ａ，３０ｂ、インデクサ４０ａ，４０ｂ，４０ｃ、インターフェイスユニット５０ａ，５０ｂ，５０ｃ、搬送ユニット６０ａ，６０ｂを備えている。なお、これら基板処理システム３を構成する各装置、各ユニット、各モジュールの詳細は図示を省略するが、第１実施形態におけるそれらとほぼ同様の構造を有している。

ただし、露光装置２０ａ，２０ｂはそれぞれ異なる光源（線源）を備えている。ただし、これらの光源（線源）は、露光に用いられるレジスト液が同種のものである必要がある。例えば、露光装置２０ａはKrFの光源を、露光装置２０ｂではＥＢ（電子ビーム）の線源を用いるといった具合である。

この基板処理システム３は、図３に示すように、現像モジュール３０ａ、露光装置２０ａ、塗布モジュール１０、露光装置２０ｂ、現像モジュール３０ｂの順に並んで配置されている。

すなわち、露光後処理装置である現像モジュール３０ａが露光装置２０ａの一方側に隣接して配置されるとともに、露光前処理装置である塗布モジュール１０が現像モジュール３０ａとともに露光装置２０ａを挟み込むように露光装置２０ａの他方側に隣接して配置されており、さらに、塗布モジュール１０を基準として露光装置２０ａの反対側に、露光装置２０ａとは異なる露光装置２０ｂが配置されている。

また、露光装置２０ｂを基準として塗布モジュール１０と反対側に現像モジュール３０ｂが配置された構造となっている。

換言すると、露光装置２０ａ（第１露光装置に相当）および露光装置２０ｂ（第２露光装置に相当）の間に挟み込まれるように塗布モジュール１０が設けられ、さらに、露光装置２０ａを基準として塗布モジュール１０と反対側に現像モジュール３０ａが配置されるとともに、露光装置２０ｂを基準として塗布モジュール１０と反対側に現像モジュール３０ｂが配置された構造となっている。

このように基板処理システム３では、露光前処理装置である塗布モジュールの台数が、露光後処理装置である現像モジュールや、露光装置の台数より少なくなっている。

そして、露光装置２０ａで露光される基板と、露光装置２０ｂで露光される基板のいずれも塗布モジュール１０においてレジストが塗布される。すなわち、塗布モジュール１０を現像モジュール３０ａ，３０ｂでそれぞれ現像される基板のそれぞれで共通に使用する。

具体的な基板処理の流れは以下の通りである。ただし、露光装置２０ａで露光されるべき基板と、露光装置２０ｂで露光されるべき基板はそれぞれ以下のように処理が行われる。

露光装置２０ａで露光されるべき基板は以下のように処理が行われる。インデクサ４０ｂに搬入された未処理の基板はインターフェイスユニット５０ｂを介して塗布モジュール１０に渡され、そこでレジストが塗布される。次に、再びインターフェイスユニット５０ｂ、搬送ユニット６０ａを介して、露光装置２０ａに基板が渡され、そこで露光が行われ、さらに、露光後の基板は搬送ユニット６０ａ、インターフェイスユニット５０ａを介して現像モジュール３０ａに渡され、そこで現像処理が施された後、インターフェイスユニット５０ａを介してインデクサ４０ａに払い出される。

また、露光装置２０ｂで露光されるべき基板は以下のように処理が行われる。インデクサ４０ｂに搬入された未処理の基板はインターフェイスユニット５０ｂを介して塗布モジュール１０に渡され、そこでレジストが塗布される。次に、再びインターフェイスユニット５０ｂ、搬送ユニット６０ｂを介して、露光装置２０ｂに基板が渡され、そこで露光が行われ、さらに、露光後の基板は搬送ユニット６０ｂ、インターフェイスユニット５０ｃを介して現像モジュール３０ｂに渡され、そこで現像処理が施された後、インターフェイスユニット５０ｃを介してインデクサ４０ａに払い出される。

この基板処理システム３は、こういった一連の基板処理が複数枚の基板それぞれに対して順次行われる枚葉式の基板処理システムである。

このように一連の基板処理を行う際の基板の搬送が一方向（塗布モジュール１０から露光装置２０ａを経て現像モジュール３０ａの方向、塗布モジュール１０から露光装置２０ｂを経て現像モジュール３０ｂの方向）となっている。すなわち、塗布モジュール１０と露光装置２０ａの間の基板の搬送と、露光装置２０ａと現像モジュール３０ａの間の基板の搬送とが干渉することがなく、同様に、塗布モジュール１０と露光装置２０ｂの間の基板の搬送と、露光装置２０ｂと現像モジュール３０ｂの間の基板の搬送とが干渉することがないため、スループットが向上する。

また、この基板処理システム３でも露光装置２０を含めたタクト（TACT）管理を行っている。これにより、基板間の履歴差を排除することができ、ＣＤ変動を一層抑制することができる。

また、基板処理システム３では露光前処理装置である塗布モジュール１０と、露光後処理装置である現像モジュール３０ａ，３０ｂとの間に、それぞれ露光装置２０ａ，２０ｂが設けられているため、露光前と露光後とで雰囲気を分離することができ、ＨＭＤＳ等のアルカリ雰囲気の現像モジュール３０ａ，３０ｂへの混入を防止して現像後のパターン寸法の変動であるＣＤ変動を抑制することができる。

以上説明したように、第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。

また、従来装置では光源が異なる露光装置に対して、それぞれ塗布装置と現像装置を備えているのに対して、この基板処理システム２では、塗布モジュール１０を共用しているので、装置構成が簡略化でき、安価なシステムとすることができる。

また、一般に露光装置は光源の種類により稼働率が大きく異なる。そのため、従来、光源が異なる２台の露光装置を備えた基板処理システムでは、露光装置ごとに露光時間が異なり、露光時間の長い露光装置に付随する塗布装置は比較的稼働率が低いのに対して、露光時間の短い露光装置に付随する塗布装置は比較的稼働率が高くなるといったアンバランスな状態が発生する。これにより従来の基板処理システムではシステム全体のスループットが低下していた。これに対し、第３実施形態の基板処理システム３ではこういった両塗布装置を１台の塗布モジュール１０で兼用しているので、塗布装置の待ち時間を減らし、全体としてスループットを向上させることができる。

ところで、上記基板処理システム３では、光源（線源）が異なるものとしたが、光源（線源）が同種のものであってもよい。その場合には露光装置２０ａ，２０ｂも１台のみとしてもよい。

＜４.第４実施形態＞
図４は、本発明の第４実施形態に係る基板処理システム４を模式的に示す概要図である。

図４に示すように、この基板処理システム４は、塗布モジュール１０ａ，１０ｂ，・・・、露光装置２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，・・・、現像モジュール３０ａ，・・・、インデクサ４０ａ，４０ｂ，４０ｃ・・・、インターフェイスユニット５０ａ，５０ｂ，５０ｃ・・・、搬送ユニット６０ａ，６０ｂ，６０ｃ・・・を備えている。なお、これら基板処理システム４を構成する各装置、各ユニット、各モジュールの詳細は図示を省略するが、第１実施形態におけるそれらとほぼ同様の構造を有している。

ただし、露光装置２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，・・・は、例えばｉ線、KrF、ArF、ＥＢ等のそれぞれ異なる種類の光源（線源）を備えるものとしたり、同種の光源（線源）を備えるものとしたり、さらには異種、同種の光源（線源）が混在するものとしてもよい。

この基板処理システム４は、図４に示すように、露光装置をＮ台（Ｎは２以上の整数）備え、それら露光装置２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，・・・の両端および各露光装置の間に露光前処理装置である塗布モジュールと露光後処理装置である現像モジュールを交互に備えた構成となっている。

そして、インデクサ４０ａに搬入された未処理の基板は塗布モジュール１０ａでレジストが塗布され、露光装置２０ａで露光が行われ、現像モジュール３０ａで処理された後、インデクサ４０ｂに払い出される。また、インデクサ４０ｃに搬入された未処理基板は、露光装置２０ｂまたは露光装置２０ｃのいずれかで露光され、露光装置２０ｂで露光された基板は現像モジュール３０ａで現像されインデクサ４０ｂに払い出され、逆に、露光装置２０ｃで露光された基板は図４中で露光装置２０ｃの右側に位置する現像モジュール（図示省略）で現像された後、その現像モジュールに対応して設けられたインデクサに払い出される。

このように、この基板処理システム４では塗布モジュール１０ａ以外の塗布モジュール１０ｂ，・・・においては、それぞれの両側に隣接する露光装置のいずれによっても露光を行うことができる。

以上説明したように、第４実施形態によれば、第１〜第３実施形態と同様の効果を奏する。

また、多数の露光装置を備えるため、様々な光源（線源）を用いた基板処理を並列して行う場合にも、基板の流れが一方向となるとともに、塗布モジュールや現像モジュールを共用することができるので、スループットが向上する。

上記、第４実施形態では、現像モジュールと塗布モジュールとの間に必ず露光装置を設けるものとしたが、現像モジュールの台数をさらに少なくしたり、光源が同じ種類の場合や光源がKrFとＥＢ光源とのような同種のレジストを用いることができる場合には、塗布モジュールの台数をさらに少なくしてもよい。

また、現像モジュールと塗布モジュールとを同数としたが、異なる台数備えるものとしてもよい。

また、本発明は以上の実施の形態に限定されるものではない。例えば、この第１〜第４実施形態では露光前処理として主にレジストの塗布処理およびそれに付随する熱処理（密着強化処理やプリベーク等）とし、露光後処理として主に現像処理およびそれに付随する熱処理（露光後ベーク処理）としたが、露光前処理装置としては露光前に行うべき何らかの処理を行うユニット（例えば、膜厚測定ユニット）を備えるものとすればよく、また露光後処理装置としては露光後に行うべき何らかの処理を行うユニット（例えば、エッジ露光ユニット）を備えるものとすればよい。

また、上記の各実施形態においては、露光前処理装置を塗布モジュール１０（１０ａ，１０ｂ）とし、露光後処理装置を現像モジュール３０（３０ａ，３０ｂ）とするとともに、塗布モジュール１０に密着強化処理や露光前のプリベークを行う熱処理ユニットを含ませ、現像モジュール３０にＰＥＢを行う熱処理ユニットを含ませるようにしていたが、これに限定されるものではなく、例えば、密着強化処理や露光前のプリベークを行う熱処理ユニットを単体で露光前処理装置としても良い。また、ＰＥＢを行う熱処理ユニットを単体で露光後処理装置としても良い。

また、第１〜第４実施形態の基板処理システムはいずれも、塗布モジュール、露光装置、現像モジュールが直線状に並んで配置されるものとしたが、若干の角度をもってそれらが並ぶ配置としたり、それらが並び方向に対して垂直方向に若干ずれて配置されてもよい。

本発明の第１実施形態に係る基板処理システムを模式的に示す概要図である。 本発明の第２実施形態に係る基板処理システムを模式的に示す概要図である。 本発明の第３実施形態に係る基板処理システムを模式的に示す概要図である。 本発明の第４実施形態に係る基板処理システムを模式的に示す概要図である。

符号の説明

１，２，３，４ 基板処理システム
１０，１０ａ，１０ｂ 塗布モジュール
２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 露光装置
３０，３０ａ，３０ｂ 現像モジュール
４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ インデクサ
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ インターフェイスユニット
６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｃ 搬送ユニット

Claims (6)

1. 基板上に形成されたレジスト膜に所定のパターンを露光する第１露光装置と、
   前記第１露光装置の一方側に配置され、基板にレジストを塗布する塗布ユニットとレジスト塗布処理に付随する熱処理を行う熱処理ユニットとを含んで露光前に行うべき処理を基板に対して行う露光前処理装置と、
   前記露光前処理装置とともに前記第１露光装置を挟み込むように前記第１露光装置の他方側に配置され、パターンが露光されたレジストに現像液を供給して現像処理を行う現像処理ユニットと現像後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと含んで露光後に行うべき処理を基板に対して行う露光後処理装置と、
   未処理の基板を収納する第１インデクサと、
   処理後の基板を収納する第２インデクサと、
   前記第１露光装置に対して基板の受け渡しを行う第１搬送ユニットと、
   前記第１インデクサから取り出した未処理の基板を前記露光前処理装置に渡すとともに、露光前処理のなされた基板を前記第１搬送ユニットに渡す移載機構を備えた第１インターフェイスユニットと、
   前記第１搬送ユニットから渡された露光後の基板を前記露光後処理装置に渡すとともに、露光後処理のなされた基板を前記第２インデクサに収納する移載機構を備えた第２インターフェイスユニットと、
   を備えることを特徴とする基板処理システム。
2. 請求項１記載の基板処理システムにおいて、
   前記露光前処理装置および前記露光後処理装置のうちの少なくとも一方を基準として前記第１露光装置のほぼ反対側に配置された前記第１露光装置とは異なる第２露光装置と、
   前記第２露光装置に対して基板の受け渡しを行うとともに、前記第１インターフェイスユニットの移載機構または前記第２インターフェイスユニットの移載機構との間で基板の受け渡しを行う第２搬送ユニットと、
   をさらに備えることを特徴とする基板処理システム。
3. 基板上に形成されたレジスト膜に所定のパターンを露光する第１および第２露光装置と、
   前記第１および第２露光装置の間に挟み込まれるようにして設けられるとともに、露光後に行うべき処理を基板に対して行う露光後処理装置と、
   露光前に行うべき処理を基板に対して行う第１および第２露光前処理装置と、
   前記第１および第２露光装置のそれぞれに付設され、第１および第２露光装置のそれぞれに対して基板の受け渡しを行う搬送ユニットと、
   前記露光後処理装置並びに前記第１および第２露光前処理装置のそれぞれに付設され、前記露光後処理装置並びに前記第１および第２露光前処理装置のそれぞれに基板の受け渡しを行う移載機構を備えるインターフェイスユニットと、
   前記第１露光装置を基準として前記露光後処理装置とほぼ反対側に前記第１露光前処理装置を配置するとともに、前記第２露光装置を基準として前記露光後処理装置とほぼ反対側に前記第２露光前処理装置を配置し、
   各装置間の基板の受け渡しは前記搬送ユニットおよび前記インターフェイスユニットを介して行うことを特徴とする基板処理システム。
4. 基板上に形成されたレジスト膜に所定のパターンを露光する第１および第２露光装置と、
   前記第１および第２露光装置の間に挟み込まれるようにして設けられるとともに、露光前に行うべき処理を基板に対して行う露光前処理装置と、
   露光後に行うべき処理を基板に対して行う第１および第２露光後処理装置と、
   前記第１および第２露光装置のそれぞれに付設され、第１および第２露光装置のそれぞれに対して基板の受け渡しを行う搬送ユニットと、
   前記露光前処理装置並びに前記第１および第２露光後処理装置のそれぞれに付設され、前記露光前処理装置並びに前記第１および第２露光後処理装置のそれぞれに基板の受け渡しを行う移載機構を備えるインターフェイスユニットと、
   前記第１露光装置を基準として前記露光前処理装置とほぼ反対側に前記第１露光後処理装置を配置するとともに、前記第２露光装置を基準として前記露光前処理装置とほぼ反対側に前記第２露光後処理装置を配置し、
   各装置間の基板の受け渡しは前記搬送ユニットおよび前記インターフェイスユニットを介して行うことを特徴とする基板処理システム。
5. 請求項３または請求項４に記載の基板処理システムにおいて、
   前記露光前処理装置は、基板にレジストを塗布する塗布ユニットとレジスト塗布処理に付随する熱処理を行う熱処理ユニットとを含むことを特徴とする基板処理システム。
6. 請求項３から請求項５のいずれかに記載の基板処理システムにおいて、
   前記露光後処理装置は、パターンが露光されたレジストに現像液を供給して現像処理を行う現像処理ユニットと現像後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットとを含むことを特徴とする基板処理システム。

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