Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP4401060B2 - リトグラフ装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP4401060B2 - リトグラフ装置、およびデバイス製造方法 - Google Patents

リトグラフ装置、およびデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4401060B2
JP4401060B2 JP2002157048A JP2002157048A JP4401060B2 JP 4401060 B2 JP4401060 B2 JP 4401060B2 JP 2002157048 A JP2002157048 A JP 2002157048A JP 2002157048 A JP2002157048 A JP 2002157048A JP 4401060 B2 JP4401060 B2 JP 4401060B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
facet
projection beam
intensity distribution
projection
radiation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2002157048A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003022967A (ja
Inventor
メレ ムルデル ヘイネ
ベルナルド プレケルムス ファン ショート ヤン
フランシスクス アントニウス エウルリングス マルクス
ヨハンネス ヨセフュス ファン ディユッセルドンク アントニウス
ディーリクス マルセル
Original Assignee
エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. filed Critical エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
Publication of JP2003022967A publication Critical patent/JP2003022967A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4401060B2 publication Critical patent/JP4401060B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G03F7/70116Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70141Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放射光の投影ビームを形成する放射光系と、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように作用するパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板のターゲット部分にパターン化したビームを投影する投影系とを含み、
投影ビームの強度分布を定めるための照射系を放射系が含むリトグラフ投影装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
本明細書で使用する「パターン形成手段」なる用語は、基板のターゲット部分に形成されるべきパターンに対応するパターン化された横断面を有する入射放射光ビームを形成するのに使用できる手段を表すものと広く解釈しなければならない。「光バルブ」なる用語もこの関係において使用できる。一般に、前記パターンは、集積回路や他のデバイス(以下を見よ)のようなターゲット部分に形成されるデバイスにおける特定の機能層に対応する。そのようなパターン形成手段の例には、以下のものが含まれる。
マスク。マスクの概念はリトグラフにおいて周知であり、2進数、交互位相変位および減衰位相変位のようなマスク形式、ならびに各種のハイブリッド・マス形式を含む。そのようなマスクを放射光ビーム内に置くと、マスクのパターンに従って、マスクに衝突した放射光の選択的な伝達(伝達性マスクの場合)または反射(反射性マスクの場合)が生じる。マスクの場合、その支持構造は一般にマスク・テーブルとされており、マスク・テーブルは入射放射光ビーム内の所望位置にマスクを保持できること、および望むならビームに対して移動させることができることを保証する。
プログラム可能ミラー・アレー。そのようなデバイスの1例は、粘弾性制御層および反射面を有するマトリックス−アドレス指定可能面である。そのような装置の基になる基本原理は、(例えば)反射面のアドレス指定された面積部分は入射光を回折光として反射するのに対し、アドレス指定されない面積部分は入射光を非回折光として反射するということである。適当なフィルターを使用することで前記非回折光を反射ビームから除去し、回折光だけを残すことができる。このようにして、ビームはマトリックス−アドレス指定可能面のアドレス指定パターンに従ってパターン化される。プログラム可能ミラー・アレーの代替実施例は小さなミラーのマトリックス配列を使用するもので、各々のミラーは適当な局所的電界を与えるか、圧電作動手段を使用して1軸のまわりに個別に傾けることができる。再び述べるが、ミラーはマトリックス−アドレス指定可能なものであり、アドレス指定したミラーが入射する放射光ビームを異なる方向でアドレス指定されていないミラーへ向けて反射することになる。このようにして、反射ビームはマトリックス−アドレス指定可能ミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン化される。必要なマトリックスアドレス指定は適当な電子手段を使用して遂行できる。上述で説明したいずれの状況においても、パターン形成手段は1以上のプログラム可能ミラー・アレーを含むことができる。本明細書で示すミラー・アレーに関するさらなる情報は、例えば米国特許第5296891号および同第5523193号、PCT特許出願WO98/38597およびWO98/33096から入手でき、その記載内容全体が本明細書に援用される。プログラム可能ミラー・アレーの場合、前記支持構造は例えばフレームまたはテーブルとして使用され、それらは要求に応じて固定されるか、可動とされる。
プログラム可能LCDアレー。その構造の1例が米国特許第5229872号に与えられている。その記載内容全体が本明細書に援用される。上述したように、この場合の支持構造は例えばフレームまたはテーブルとして具現され、それらは要求に応じて固定されるか、可動とされる。
【0003】
簡略化のために、以下の本文は所々でマスクおよびマスク・テーブルを備えた例に特に向けられるが、しかしながらそれらの説明される一般的な原理は前述したようにパターン形成手段の広い意味での説明で理解されねばならない。
【0004】
リトグラフ投影装置は、例えば集積回路(IC)の製造に使用できる。その場合、パターン形成手段はICの個別な層に対応した回路パターンを形成する。また、このパターンは放射光感応物質(レジスト)の層を被覆した基板(シリコン・ウェーハ)上のターゲット部分(例えば1以上のダイを含む)に結像できる。一般に、1つのウェーハは1度に1つずつ投影系を経て次々に照射される隣接ターゲット部分の全ネットワークを包含する。マスク・テーブル上のマスクによるパターン化を採用した現在の装置では、機械の2つの異なる形式の間で差異が生じ得る。1つの形式のリトグラフ投影装置では、1回の作動でターゲット部分にマスク・パターン全体を露光することにより、各ターゲット部分は照射される。代替装置、一般にステップ・アンド・スキャン装置と称される装置では、投影ビームの下、与えられた基準方向(「走査」方向)にマスク・パターンを逐次に走査して各ターゲット部分が照射され、この間同期してその方向と平行または非平行に基板が走査される。一般に投影系は倍率M(一般に<1)を有しているので、基板テーブルが走査される速度Vはマスク・テーブルが走査される速度のM倍となる。本明細書に記載するリトグラフ装置に関するさらなる情報は、例えば米国特許第6046792号から入手でき、その記載内容全体が本明細書に援用される。
【0005】
リトグラフ投影装置を使用する周知の製造工程では、パターン(例えばマスクで与えられる)は少なくとも部分的に放射光感応物質(レジスト)の層を被覆した基板上に結像される。この結像段階の前に、基板は下処理(プライミング)、レジスト被覆および軽焼成(ソフト・ベイク)のような各種の処理を行われる。露光後、基板は露光後焼成(PEB)、現像、重焼成および結像形状の測定/検査のような他の処理を行われる。これらの工程のこの配列は、例えばICのようなデバイスの個々の層をパターン形成するための基本として使用される。このようなパターン化された層は、その後にエッチング、イオン・インプランテーション(ドーピング)、金属化、酸化、化学−機械研磨などのような各種の処理を受けることになり、それらの全ては個々の層を完成させるように意図される。幾つかの層が必要とされるならば、全ての工程またはその変種工程は新たな層の各々に対して繰り返さなければならない。最終的に、デバイスのアレーが基板(ウェーハ)上に与えられることになる。それらのデバイスはその後にダイシングや鋸引きのような技術によって分離され、そこから個々のデバイスはピン等に連結されているキャリヤに取り付けることができる。このような処理に関するさらなる情報は、例えば書物「マイクロチップの製造:半導体の処理に関する実用的な手引き」、第3版、ピーター・ファン・ツァント著、マグロウ・ヒル出版カンパニ、1997年、ISBN 0−07−067250−4から得ることができ、その記載内容全体は本明細書に援用される。
【0006】
簡略化のために、この投影系は以下に「レンズ」と称するが、この用語は各種形式の投影系を包含するものと広く解釈されねばならず、例えば屈折光学系、反射光学系および反射屈折光学系が含まれる。放射光系も、放射光ビームの方向決め、形状決めまたは制御のために、それらの何れかの設計形式に従って作動する要素を含み、それらの要素も以下に集合的に、または一例として「レンズ」と称される。さらに、リトグラフ装置は2以上の基板テーブル(および(または)2以上のマスク・テーブル)を有する形式のものとすることができる。そのような「複数ステージ」の装置では、悪化されるテーブルは平行に使用されるか、または1以上のテーブルが露光に使用されている間に他の1以上のテーブルに対して準備段階が行われることができる。例えば、米国特許第5969441号およびWO98/40791には2ステージのリトグラフ装置が記載されており、その記載内容全体を本明細書に援用する。
【0007】
リトグラフに使用されるような投影装置は、以下に単純に照射装置と称する照射系を一般に含む。照射装置はレーザーのような光源からの放射光を受け入れ、パターン形成手段(例えばマスク・テーブル上のマスク)のような対象物を照射する照射ビームを形成する。典型的な照射装置では、ヒトミ面(pupil plane) にてビームが所望の空間強度分布を有するように、ビームは成形および制御される。ヒトミ面でのこの空間強度分布は、照射ビームを形成するための仮想放射光源として効果的に作用する。ヒトミ面に続いて、放射光は以下に「連結レンズ」と称するレンズ群によって実質的に収束される。連結レンズは実質的に収束した放射光を石英ロッドのような積分器に接続する。積分器の機能は、照射ビームの空間強度分布および(または)角強度分布の均一性を向上させることである。ヒトミ面は連結光学系の焦点面と実質的に一致するから、ヒトミ面における空間強度分布は連結光学系によって照射される物体における角強度分布に変換される。ヒトミ面における空間強度分布の制御は、照射された物体の像が基板に投影されるときの処理寛容度を向上させるために行える。特に、二極、環帯または四極の軸外の照射輪郭を有する空間強度分布は、解像度および、例えば投影レンズの収差に対する感応性、露光寛容度、焦点深度のような他の投影パラメータを向上させるために提案されている。
【0008】
周知の照射装置は、以下に「ズーム・アクシコン(zoom-axicon) 」と称する光学システムを含む。ズーム・アクシコンはヒトミ面における強度分布を調整する手段である。光源からの放射光は第1の光学要素を通り、その光学要素が角強度分布を形成する。次に、放射光ビームはズーム・レンズを横断する。ズーム・レンズの後方焦点面に、ヒトミ面で第2の光源として作用するのが一般に適当な空間強度分布が形成される。したがってズーム・レンズの後方焦点面はヒトミ面(すなわち連結光学系の前方焦点面)と典型的に実質的に一致する。ヒトミ面における空間強度分布の外側半径方向範囲は、ズーム・レンズの焦点距離の変化によって変化させることができる。しかしながら、ズーム・レンズは2自由度を有していなければならず、その第1はズーム・レンズの焦点距離を変化させるため、第2は焦点距離が変化するときに後方焦点面が照射装置のヒトミ面に位置されて保持されるように基準面の位置を変化させるためである。この機能性により、ズーム・レンズは典型的に幾つか(例えば、少なくとも3つ)の直列に配列された別々のレンズにより、その幾つかを移動可能にして構成される。上述したように、ズーム・レンズの焦点距離を調整することにより、ディスク形状で均一であることが好ましいヒトミ面における強度分布の半径方向範囲がセットできる。以下に、ヒトミ面における何れかの予備選択された好ましい空間強度分布を「照射状態(illumination setting)」と称する。
【0009】
ヒトミ面の近くに位置するアクシコンは、補完的な円錐面を有する2つの部材で一般に構成される。アクシコンは、環帯の空間強度分布、または中心のまわりに実質的に強度を有さない、すなわち軸上照射のない他の空間強度分布を形成することに使用される。アクシコンの2つの円錐面の間隔距離を調整することにより、環帯の状態が調整できる。アクシコンが閉じられると、すなわち円錐面間の間隙がゼロとなると、通常の(すなわちディスク状の)照射状態が形成される。円錐面間に間隙を形成することで環状の強度分布が生じ、環帯の内側の半径方向範囲は2つの円錐面の間隔距離で定められる。一方、ズーム・レンズが外側の半径方向範囲を定め、したがって環帯の幅を定める。強度分布の予備選択された内側および外側の半径方向範囲はしばしばσ状態、特にそれぞれσ内側状態およびσ外側状態と称される。本明細書では、σ内側状態およびσ外側状態はヒトミ面の最大半径に対する当該半径の比率の測定値である。
【0010】
本明細書で使用する「ズーム−アクシコン」なる用語は、ズーム・レンズおよびアクシコンを含むモジュールを表すと解釈すべきである。
【0011】
多極照射状態は、周知の照射装置の各種手段によって、例えばズーム・レンズの前方の第1の光学要素を修正して角強度分布を適当に成形するか、または例えばヒトミ面の近くで窓板またはブレードをビーム路に挿入するなどにより形成できる。周知のズーム−アクシコン・モジュールおよび多極モード形成に関するさらなる情報は、(例えば)1999年4月6日付けで出願された米国特許出願第09/287014号(EP−A−0950924)に与えられており、本明細書にその記載内容全体を援用する。
【0012】
上述した周知の照射装置において、照射状態の望まれる範囲を形成するためにズーム−アクシコン・モジュールは一般に幾つか(例えば5以上)の光学要素を有し、特に幾つかの要素は独立して移動できなければならないことが事実であるならば、製造費用が高価となることは明白である。他の問題は、アクシコンのズーム・レンズおよび2つの円錐要素を含むレンズはかなりの厚さのレンズ材料と非常に多数の表面インターフェースとを示すことである。このことは、吸収、反射、効率の悪い被覆、劣化作用および汚れによって伝達効率が悪化することを意味する。この問題は、193,157,126nmのような短い波長の放射光および極紫外線(EUV)(例えば5〜20nm)の使用を必要とするような高密度の小さい造作の結像が要求されることによって一層悪化する。例えばCaF2および石英のような適当な伝達物質の効率は、吸収が増大するために短い波長において低下し、EUV放射光にとって十分な伝達性を有する周知の材料はない。要素の光学被覆の効率も短い波長で典型的に低下し、また劣化作用は一般に悪化する。したがって、全体として、伝達性が低下したことで通過量にかなりの減少が生じる。他の問題は、周知の照明装置がリトグラフ装置内で比較的大きな体積を占めることである。これはさらに機械を過剰に嵩張らせ、また製造費用を増大させる(特に、CaF2 のような材料を使用するときに)。
【0013】
上述したように、二極、環帯または四極の軸外照射輪郭を有する空間強度分布は投影特性を向上させることができる。輪郭の選択はとりわけリトグラフ処理のそれぞれの応用例に応じて決まる。与えられた応用例に所望される標準のものでない照射モードを形成するためには、かなりの苦労と高い費用により特別に設計いなければならない光学装置が必要となる。
【0014】
EP0744641Aはマスク照射の均一性を向上させるための、変形可能なミラーを使用したリトグラフ装置に使用するための照射系を記載している。
【0015】
EP0486316Aは二極および四極の照射状態を形成するために様々に異なる構造を含む様々に異なるリトグラフ装置を記載している。それらのリトグラフ装置は極位置を定めるために出口点が移動可能な繊維束を使用した構造を含む。他の構造は、露光時またはマルチショット露光のショット間に、2つの位置の間を変位可能なミラーを使用する。
【0016】
【発明が解決しようとする課題および課題を解決するための手段】
本発明の目的は、上述の問題を避け、または解消する照射装置を備えた改良されたリトグラフ装置を提供することである。他の目的は、投影ビームの望まれる何れかの強度分布をほぼ形成するために使用できる手段を提供することである。
【0017】
本発明の1つの概念によれば、所望された投影ビームの角強度分布を与えるために投影ビームの異なる部分を異なる方向へ個別に操向する操向手段を照射系が含み、前記操向手段はそれぞれが投影ビームの一部を操向する複数の離散反射器(discrete mirrors)を含み、それぞれ対応する投影ビームの一部を所望の方向へ向けるために反射器の配向が個別に制御できることを特徴とする冒頭の項で明記したようなリトグラフ装置が提供される。
【0018】
本発明の基本思想は、複数の離散反射器を制御する概念にある。離散反射器は、投影ビームのそれぞれ対応する部分を(実質的に)何れかの所望された方向へ方向決めするように制御できることが好ましい。形成された角強度分布はその後に、例えば収束レンズによって空間強度分布へ変換できる。方向決め部材の例は、入射放射光を1つの方向または複数の方向範囲へ反射する反射要素、および入射放射光を回折して散開させる回折要素である。放射光を特定の方向または複数の方向範囲へ、または複数の方向へ方向決めでき、その1つの方向または複数の方向が制御できるならば、他のいずれの形式の手段も方向決め部材として使用できる。この制御は、例えば方向決め部材を機械的に配向する、および(または)方向特性および(または)方向決め部材の配向を直接または間接的に電気的に変化させる何れかの適当な手段によって遂行できる。方向決め部材に影響を与え、これにより1つまたは複数の方向を設定するための他の方法、例えば電磁放射または電磁場を使用する方法も可能である。
【0019】
近年、マイクロ電気機械システムおよびマイクロ光電子機械システム(MEMSおよびMOEMS)が光データ伝送用デバイスの光スイッチとして使用するために開発された。これらのMEMSの幾つかは1000個を超える極小ミラーを備えたアレーを含み、ミラーの各々は互いに直交する2つの異なる平面内で傾斜できる。したがって、そのようなデバイスに入射する放射光は(実質的に)半球の何れかの望まれる方向へ反射されることができる。反射部材のこのようなアレーは複数の離散ミラーとして使用でき、また投影ビームを予め定められた異なる方向へ反射させるように個々に配向される。
【0020】
本発明の重要な利点は、所望の強度分布を形成するために極紫外線(EUV)に対して適用できるという事実にある。極紫外線(EUV)放射光で機能するズーム−アクシコンまたは四極装置を備えることはこれまで不可能であった。
【0021】
本発明の特に有利な実施例において、操向手段は第1のファセット・ミラーを含み、離散ミラーの各々は第1のファセット・ミラーのファセットであり、また離散ミラーの各々はそれらの配向を制御することで放射光源の像を第2のファセット・ミラーの選ばれたファセットへ投影するように作用する。この構造において、第1のファセット・ミラーはフィールド・ミラーおよび蝿眼(fly's-eye) 反射器として作用し、多数の仮想光源を第2のファセット・ミラー上に形成し、その後それらはマスクに重なるように再び方向決めされ、望まれた照射光の均一性を形成する。第2のファセット・ミラーは投影系のヒトミ面に位置し、第2のファセット・ミラーの照射がマスクの照射モードを決定することが好ましい。したがってこの照射モードは、第2のファセット・ミラーのファセットの選ばれた1つを照射するように第1のファセット・ミラーのファセットの配向を制御することで制御できる。これは、ヒトミ面内に選択的にマスキングすることにより照射モードが形成された場合に生じるビーム強度の損失を回避する。
【0022】
本発明は、放射光系が放射光の1つの投影ビームを形成する場合に限定されることはない。むしろ、異なる副次ビームまたは副次ビーム束が異なる箇所で形成され、所望の角強度分布を形成するように操向手段により操向されることができる。さらに、方向決め部材に達するまで、投影ビーム、または少なくとも1つの投影ビームは別個の副次ビームを形成するまで分けることができる。これは、方向決め部材に達する前に投影ビーム(1つまたは複数)が形成されるか操作されることで角強度分布は多少ながら影響を受けるが、方向決め部材の制御によって広い可能分布範囲から選ぶことで使用者が所望の角強度分布を形成できるようにされたことを意味する。特に、方向決め部材は投影放射光の各々の入射部分を半球の(実質的に)あらゆる方向へ向けるように制御され得ることが好ましい。
【0023】
上述したように、望まれた空間強度分布は或る場合に形成されねばならない。それらの場合、対応する角強度分布を形成し、操向された投影ビームの少なくとも一部分を再び方向決めするために再方向決め手段を使用して、投影ビームの横断面、特に焦点面に、所望の空間強度分布を形成することが好ましい。特に、凸レンズのような収束光学手段が使用されるならば、(形成された角強度分布の)異なる放射光伝播方向の各々は、空間強度分布の1つの特定の面積部分、特に焦点面における1つの特殊な局部点に対応している。
【0024】
環帯、四極、二極および(ソフトな)多極のような空間強度分布の異なる形状および(または)輪郭が提供された。本発明は、リトグラフ装置の使用者が例えば任意に定めることのできる形状をした何れかの望まれる空間強度分布を形成できるようにする。
【0025】
本発明の好ましい概念によれば、空間強度分布の定められた横断面における放射光のスポットまたはダッシュ(dashes)に対応するように、少なくとも幾つかの副次ビームが操向され、再び方向を定められる。したがって空間強度分布は個々に文字を付けた輪郭を有する。スポットおよび(または)ダッシュのサイズによって、したがって操向手段により1つの副次ビームが操向される方向範囲のサイズによって、空間強度分布は強度がゼロまたはほぼゼロの領域(照射されないまたは暗い領域)を含むことができる。
【0026】
好ましい実施例では、1つのビームが伝播する方向範囲は、十分に連続した強度分布が存在するように影響される。方向決め部材にビームが達する前および(または)その後に、それぞれの副次ビーム(1つまたは複数)は影響され易い。1つの特定の実施例では、副次ビームは基本的にそれぞれ1点へ伝播するように操向される。これらの点は異なる副次ビームに関して同じまたは別の点とすることができる。この実施例の1つの利点は、副次ビームが正しい位置の方向決め部材に入射するように容易に調整できることである。さらに、方向決め部材の境界面に入射する放射光による望ましくない境界作用は、減少されるか回避される。例えば、方向決め部材が与えられたサイズの反射面積部分を有する反射部材であるならば、この構造は副次ビームがその反射面積部分の中央領域の反射部材に入射するように容易に調整することができる。
【0027】
操向された副次ビームの伝播方向範囲を拡大するために、散乱プレートのような散乱手段が使用できる。しかしながら、これは副次ビームの偏光にも影響を与え、引き続くステージまたは段階での偏光の活用を困難または不可能にすることになりかねない。
【0028】
他の実施例では、それ故に副次ビーム(1つまたは複数)は方向決め部材(1つまたは複数)に達する前に操作される。特に、それぞれの副次ビームは、操向された副次ビームが伝播方向の定められた範囲へ伝播するように操作される。例えば、これは副次ビームを方向決め部材へ向けて収束させる収束手段を使用することでなし得る。この収束は副次ビームが正しい位置、例えば反射面部の中央領域の方向決め部材に入射するという利点も有する。
【0029】
前述した実施例に加えて、またはそれに代えて、副次ビーム(1つまたは複数)の伝播方向範囲は方向決め部材(1つまたは複数)を使用して拡大できる。特に、反射部材の反射面積部分は、例えば凸形を有するように相応に成形できる。
【0030】
本明細書で使用する「副次ビーム」なる用語は、方向決め部材に達する前の投影ビーム(1つまたは複数)の強度分布の点で限定的に解釈するべきでない。むしろ、それぞれの投影ビームは連続した強度分布を有する1つのビームとされることができ、しかし同時に副次ビームの束と考えることができる。少なくとも幾つかの副次ビームは個別のビームとされ、操向手段で操向された後に投影ビームの他の部分から引き離される。いずれの場合においても、各々の操向された副次ビームは最初に形成された投影ビーム(1つまたは複数)の関連部分に対応する。
【0031】
本発明の主な利点は、各々の特定の照射状態に関して対応する光学構造を特に設計することを必要とせず、および(または)金属の光学構造の少なくとも部分を交換することを必要とせずに、投影ビームの様々な強度分布が形成できることである。特に、これまで理論的にしか存在しなかった強度分布を形成することができる。
【0032】
本発明の他の概念によれば、放射光感応物質を含む基板を形成すること、
少なくとも1つの放射光の投影ビームを形成すること、
投影ビームの強度分布を変更すること、
横断面のパターンを変更した投影ビームを得るためにパターン形成手段を使用すること、
放射光感応物質の少なくとも一部分を含むターゲット上に、パターン化した放射光ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、
投影ビームの強度分布の変更は放射光の伝播方向の制御を含み、投影ビームは複数の副次ビームを含み、副次ビームの少なくとも幾つかは複数の離散反射器を使用して異なる方向へ操向され、また離散反射器は対応する副次ビームを所望の方向へ向けるために個別に制御されることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
【0033】
本発明のさらに他の概念によれば、リトグラフに使用するために放射光の投影ビームの強度分布を制御する制御システムであって、
投影ビームの与えられた強度分布に基づいて所望の強度分布を形成するために、与えられた分布に対して行うべき必要な変更を計算する計算ユニットと、
所望の強度分布に関する情報を入力するための入力手段と、
投影ビームの複数部分を再方向決めすることができる複数の方向決め部材に対して複数の制御信号を出力する出力手段とを含み、
放射光ビームの与えられた強度分布を所望の強度分布に対応した角強度分布に変更するために方向決め部材を制御することができるように、計算ユニットは制御信号を計算するように適用された制御システムが提供される。
【0034】
計算ユニットは与えられた強度分布に基づいて制御信号を計算する。特に、与えられた強度分布は1以上の基板のそれぞれの放射光感応面積部分に同じパターンを投影するために繰り返して使用される放射光の投影ビームに適用される。1つのシナリオでは、与えられた強度分布は各投影時に対して同じとされ、レジストが照射されない時間によって中断される。しかしながら、同じ複数の方向決め部材を使用することで、順次に異なる強度分布を使用することも可能である。この場合、制御システムは異なる制御信号組を複数の方向決め部材へ出力し、2つの投影時の間の角強度分布を変化させる。
【0035】
特に、方向決め部材が電気制御される場合には、照射状態を非常に迅速に変化できる。これは1つの個別に制御される方向決め手段の質量および慣性が、多くのマイクロレンズを備えた回折光学部材組のような光学手段の組全体の質量および慣性に比べて小さいからである。したがって、許容時間内で2回のフラッシュ照射間の照射状態を変化させること、および基板に対して異なる強度分布を交互に使用することが可能になる。
【0036】
本発明の他の概念によれば、リトグラフに使用するために放射光の投影ビームの強度分布を制御する制御システムであって、
投影ビームの与えられた強度分布に基づいて所望の強度分布を形成するために、与えられた分布に対して行うべき必要な変更を計算する計算ユニットと、
所望の強度分布に関する情報を入力するための入力手段と、
投影ビームの複数部分を再方向決めすることができる複数の離散反射器に対して複数の制御信号を出力する出力手段とを含み、
放射光ビームの与えられた強度分布を所望の強度分布に対応した角強度分布に変更するために離散反射器の配向を制御することができるように、計算ユニットは制御信号を計算するように適用された制御システムが提供される。
【0037】
この制御システムは、ミラー位置および(または)ヒトミ分布(pupil distribution)の閉ループ制御を行うために、実際に得たミラー位置および(または)ヒトミ分布を受け入れる入力手段も備えている。ヒトミ分布はヨーロッパ特許出願第00307558.7号に記載されたように測定されるのであり、本明細書にその記載内容全体を援用する。
【0038】
本発明のさらに他の概念によれば、リトグラフに使用するために放射光の投影ビームの望ましい空間強度分布を形成するコンピュータ・プログラムであって、投影ビームの放射光伝播の角強度分布が投影ビームの横断面における空間強度分布に対応し、
投影ビームの複数部分を再方向決めすることにより、何れかの所望される空間強度分布に関する角強度分布を形成するために操向手段は制御されることができ、
操向手段の必要とされる状態、および(または)所望の空間強度分布に対応する角強度分布を形成するための操向手段の制御に関する制御信号を計算するように適用されたコード手段を含むコンピュータ・プログラムが提供される。
【0039】
好ましい実施例では、投影ビームの横断面に任意な空間強度分布が形成され、コード手段は操向手段の必要な状態および(または)対応する角強度分布を形成するための制御信号を計算するために適用されている。
【0040】
一般に、あらゆる理論的に可能な角強度分布を形成することはできない。特に操向手段が上述したような操向部材を含むならば、各々の方向決め部材が投影ビームの対応する部分を限られた方向範囲にしか向けられないという事実のために(前述を参照)、幾つかの強度分布の個別の特徴が生じることになる。方向決め部材の個数に応じて、それらの特性により、また他の要因により、強度分布の個々の特徴は多少ながら強調される。コンピュータ・プログラムのコード手段はそれらの個々の特徴を考慮し、また操向手段の必要状態および(または)制御信号を計算することが好ましい。これらは望まれる空間強度分布と同等の角強度分布に最も近い近似値を生む。
【0041】
角強度分布を対応する空間強度分布へ変換することで形成できる空間強度分布の個数を増大するために、角強度分布を空間強度分布へ変換する光学手段(例えばズーム・レンズ)は変更および(または)交換できる。この場合、コンピュータ・プログラムは補正された変換作用にアクセスしなければならない。好ましい実施例では、コード手段は異なる変換構造および(または)変換構造の特性の間で選ぶように適用され、また操向手段の状態、および(または)操向手段を制御する制御信号を計算するように適用されるのみならず、望まれる空間強度分布を形成する対応した変換構造を計算するためにも適用される。例えば、変換手段はズーム・レンズを含み、その後コード手段はズーム・レンズの焦点距離の適当値の選定または計算に適用される。
【0042】
これに代えて、または加えられる特徴として、コード手段は投影ビームが操向手段に達する前にそのビームに影響を与えるための異なる構造の間の選定を行うことができる。
【0043】
本明細書ではICの製造における本発明の装置の使用を特に参照したが、この装置は他に多くの可能とされる適用例があることを十分に理解しなければならない。例えば、一体化された光学システム、磁気領域メモリの指示および検出パターン、液晶表示パネル、薄膜磁気ヘッドなどの製造に使用できる。当業者はこのような代替応用例に関して本明細書中の「焦点板」、「ウェーハ」または「ダイ」などの用語の使用は、より一般的な「マスク」、「基板」および「ターゲット部分」などの用語でそれぞれ置き換えられることを考慮しなければならない。
【0044】
本明細書では、「放射光」および「ビーム」などの用語は、紫外放射線(例えば365,248,193,157または126nmの波長)、および極紫外線(EUV)(例えば5〜20nmの波長を有する)、ならびにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めて、あらゆる種類の電磁放射線を包含するために使用されている。
【0045】
本発明の実施例が例を挙げて、添付の概略図を参照して以下に説明される。
【0046】
【発明の実施の形態】
【例1】
図1は本発明の特定の実施例によるリトグラフ投影装置を概略的に示す。この装置は以下の要素を含む。すなわち、
放射光(例えば紫外線)の投影ビームPBを供給する放射光系Ex ,IL。この特定の例では、放射光系は放射光源LAも含む;
マスクMA(例えば焦点板)を保持するマスク・ホルダを備え、物品PLに対してマスクを正確に位置決めするために第1の位置決め手段に連結された第1の物体テーブル(マスク・テーブル)MT;
基板W(例えばレジストを被覆したシリコン・ウェーハ)を保持する基板・ホルダを備え、物品PLに対して基板を正確に位置決めするために第2の位置決め手段に連結された第2の物体テーブル(基板テーブル)WT;
基板Wのターゲット部分C(例えば1以上のダイを含む)にマスクMAの照射部分の像を形成するための投影系(「レンズ」)PL。
【0047】
本明細書に示すように、この装置は伝達式(すなわち伝達マスクを有する)のものである。しかしながら、一般に、例えば反射式のもの(反射マスクを備えた)とすることもできる。これに代えて、この装置は他の形式のパターン形成手段、例えば順次で引用した形式のプログラム可能ミラー・アレーを使用することができる。
【0048】
放射光源LA(例えばレーザー)が放射光ビームを発生する。このビームは直接に、または例えばビーム拡大器Ex のような調整手段を通した後に照射系IL(照射装置)に送られる。照射装置ILはビームの強度分布を変更する手段AMを含む。さらに、一般に他の各種の要素、例えば積分器INおよびコンデンサCOを含む。このようにマスクMAに衝突する投影ビームPBは望ましい均一性と、横断面に強度分布を有する。
【0049】
図1および図2に関して、放射光源LAはリトグラフ投影装置のハウジング内に位置しているが(放射光源LAが例えば水銀ランプの場合にしばしば見られる)、リトグラフ都ターゲット部分Cから離すこともでき、発生する放射光ビームは装置へ導かれる(例えば適当な方向決めミラーにより)。後者のシナリオは放射光源LAが励起レーザーの場合にしばしば見られる。本発明および特許請求の範囲の欄はこれらの両方のシナリオを包含する。
【0050】
投影ビームPBはその後に、マスク・テーブルMTに保持されたマスクMAで遮断される。マスクMAを横断すると、投影ビームPBはレンズPLを通過し、このレンズが投影ビームPBの像を基板Wのターゲット部分Cに結ぶ。第2の位置決め手段(および干渉測定手段IF)により、基板テーブルWTは正確に移動でき、例えば投影ビームPBの経路内に異なるターゲット部分Cを位置決めすることができる。同様に、第1の位置決め手段は、例えばマスク保管庫からマスクMAを機械的に取り出した後に投影ビームPBの経路に対してマスクMAを正確に位置決めすることができる。一般に物体テーブルMT,WTの移動は長ストローク・モジュール(粗い位置決め)および短ストローク・モジュール(微細な位置決め)により実現され、これらのモジュールは図1に明確には示されていない。しかしながらウェーハ・ステッパの場合(ステップ−アンド−スキャン装置とは逆に)、マスク・テーブルMTは短ストローク・アクチュエータに連結するか、固定することができる。
【0051】
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは基本的に静止状態に保持され、全マスク像が1回の動作(すなわち1回の「フラッシュ」)でターゲット部分Cに投影される。その後基板テーブルWTがxおよび(または)y方向へ変位されて異なるターゲット部分Cが投影ビームPBで照射できるようにされる。
2.スキャン・モードでは、与えられたターゲット部分Cが1回の「フラッシュ」では露光されないことを除いて、基本的に同じシナリオが適用される。この代わりに、マスク・テーブルMTが与えられた方向(いわゆる「スキャン方向」、例えばy方向)へ速度vで移動可能とされ、投影ビームPBがマスク像のスキャンを始め、同時に基板テーブルWTは同じまたは反対の方向へ速度V=Mvで移動される。ここで、MはレンズPLの倍率(典型的にM=1/4または1/5)である。これにより解像度で妥協することなく比較的大きなターゲット部分Cが露光できる。
【0052】
図2は、投影ビームPBの対応する角強度分布および空間強度分布の原理を示す。従来技術の構造によれば、外側の半径範囲および(または)内側半径範囲(一般にσ外側およびσ内側とそれぞれ称される)を設定する手段は、マイクロレンズ4を備えた回折光学要素(「DOE」)3を含む。マイクロレンズ4の各々は光線の散開部(ペンシル)5を形成する。光線の各々の散開部5は回折光学要素3に入射する投影ビームの副次ビームの一部分に対応する。散開部5は収束レンズ6に入射する。収束レンズ6の後方焦点面8にて散開部5は照射された面積部分に対応する。この面積部分のサイズは散開部5の光線が伝播する方向の範囲によって決まる。この方向範囲が小さいと、後方焦点面8における照射面積部分のサイズも小さくなる。さらに、散開部5の全ての同じ方向、すなわち互いに平行な全ての光線は後方焦点面8の1つの同じ特定点に対応する。
【0053】
投影ビームPBの横断面積部分、特にヒトミ面に環状(図4および図5に2つの同心円で示される)の空間強度分布を形成することは知られている。強度ゼロまたはほぼゼロの中央の面積部分に対応する内側半径範囲は適当な回折光学要素3を選んで設定できる。例えば、光線の散開部5は中央面積部分に入射せず、環状面積部分だけに入射するように(勿論、実際には散乱などの作用によって中央面積部分はゼロより大きい強度となる。)、マイクロレンズ4を配向することができる。マイクロレンズ4を異なる方向へ配向することで他の空間強度分布が二極または四極照射のように形成できる。しかしながら、可能な強度分布の個数は制限されており、照射状態の変更は時間のかかるマイクロレンズの交換および(または)再配向を必要とする。
【0054】
図3は本発明の第1の実施例による放射光系の構造を示す。レーザー31は比較的細いコリメータ・ビームを出力し、このビームはシャッター11,12,13を通過する。その後ビームはビーム拡大光学装置32を通過し、ビーム拡大光学装置32はビームを反射部材33a,33b,33c,33d,33eのアレー33のサイズと同じサイズに拡大する。理想的には、ビーム拡大光学装置32はコリメータ・ビームを出力すべきである。しかしながら、ビームの端部には散開差が生じる。拡大されたビームのサイズは全ての反射部材33a〜33eに入射するサイズで十分に好ましい。図3に例として拡大されたビームの副次ビームが示される。このビーム拡大光学装置はこれに代えて後方焦点面よりも後方に配置される正のレンズまたはレンズ・アレーを含むことができる。
【0055】
第1のビームは反射部材33bに入射する。アレー33の他の反射部材33a,33c〜33eと同様に、反射部材33bは副次ビームが望まれる所定の方向へ反射されるように配向を調整されるように制御される。収束レンズを含む再方向決めの光学装置16によって副次ビームは、その横断面18の所望点すなわち小さな面積部分に入射するように再方向決めされる。横断面18は仮想放射光源(上述したように)として作用するヒトミ面と一致される。図3に示された他の副次ビームは反射部材33c,33dにより反射され、再方向決めの光学装置16によって再方向決めされ、横断面18の他の点に入射する。反射部材33a,333eの配向を制御することで、ほとんど全ての空間強度分布が横断面18に形成できる。
【0056】
例えば、アレー33は1152個(例えば32×36)のミラーを含み、各ミラーの配向は別々に調整できる。
【0057】
図4および図5は、本発明による照明システムで、例えば図3、図6および(または)図7に関連して説明される照射系で形成される異なる空間強度分布を示す。図4および図5は、複数の副次ビームを使用して空間強度分布を形成する基本を示す概略図と理解すべきである。図4および図5の画面は投影ビームの横断面、例えば図3の横断面18と一致する。図4および図5は15個の小さな円形面積部分23または23aを示しており、それらの面積部分は閾値よりも大きい照射強度の面積部分を表す。図4で、円形面積部分23は小さなサイズを有し、円形面積部分23の間に特定の閾値よりも小さい強度の面積部分が存在する。この照射輪郭の特徴は個別であり、照射不十分となり得る。円形面積部分の副次ビームが伝播する方向範囲を、例えば上述したまたは図6に関して以下に説明する光学装置を使用して増大することで、円形面積部分23aは互いに重なり合うように拡大される。この結果、図5に示す強度分布はほぼ平行四辺形の形状を有する。投影ビームの副次ビームは横断面積部分のいずれの望まれる箇所へ向けることができるので、ほとんど全ての強度輪郭が形成できる。しかしながら、標準的な強度分布、例えば環状形の強度分布を形成することもできる。図4および図5の内円および外円の間の面積部分21は円形面積部分23または23aで満たすことができる。いわゆるσ内側およびσ外側は対応する内円および対応する外円の間の対応箇所に副次ビームを向けることで調整できる。
【0058】
【例2】
図6は、以下に説明されることを除いて第1の実施例と同じである本発明の第2の実施例を示す。
【0059】
投影ビームPBは図3のビーム拡大光学装置32と同じ収束光学装置41に入射する。収束光学装置41は2つの機能を果たす。第1に、投影ビームPBの副次ビームが互いに分離される。第2に、副次ビームがアレー33の反射部材に収束される。特に、この収束および分離は、収束光学装置41の放物面または双極面の形状をした反射面積部分で行われる。投影ビームの異なる部分を異なる方向決め部材(例えばアレー33の反射部材)へ収束させる表面積部分は、間隙を残さないように互いに並んで配列されることが好ましい。これは、連続した強度分布を有する強度形状が、強度のかなりの損失を生じることなく別々の副次ビームへ分けることができることを意味する。
【0060】
収束光学装置41は複数の収束部材(図6に示されていない)を含み、それらの部材は投影ビームPBの伝播経路に沿って異なる位置に配列される。例えば、第1の収束部材は、放射光を伝播方向に直角な第1の方向へ収束させ、連続した収束放射光の線または帯を形成する。この実施例では、第2の収束部材はその先または帯を第1の方向に直角で放射光の伝播方向に直角な方向へ収束させる。この実施例の1つの利点は、収束部材の製造が、特に収束反射面が間隙を残すことなく並んで配列されるときに容易となることである。
【0061】
投影ビームPBの部分の収束は、定められた方向範囲に伝播する副次ビームを形成することに対応する。図6に示された実施例では、副次ビームは再方向決め光学装置16a,16bに入射するようにアレー33の反射部材で反射される。下流では、投影ビームPB(図6に示されるように、強度がゼロとなる光軸によって表されている。)はミラー43で反射され、その後連結光学装置45により積分器47、例えば石英ロッドに継がれる。
【0062】
【例3】
図7は、以下に説明されることを除いて第1の実施例と同じである本発明の第3の実施例を示す。偏光されて入力される投影ビームPBは偏光依存ミラー(polarization dependent mirror) 53に入射する。投影ビームPBの偏光は、ビームR1が反射される(図7で下方へ)ように選ばれる。ビームR1の偏光方向は1/4λプレート51を通して伝達されるときに回転する。ビームR1(偏光方向が回転した)アレー33に入射する。対応する副次ビーム(図7に示されていない)は異なる方向へ反射される。これらの反射された副次ビームはビームR2を形成し、このビームR2は1/4λプレート51を通して伝達され、これにより偏光方向が再び回転される。偏光方向の回転により、ビームR2は偏光感応ミラー53で反射されず、それを通して伝達される。この実施例は方向決め部材のアレー直角な照射を可能にする。さらに、アレー全体がビーム成形光学装置の残された物体面に位置する。
【0063】
図8は反射部材の例を示す。特に、図3、図6および図7のアレー33は複数の、例えば1000以上のそのような反射部材を含み、それらは投影ビームPBの横断面に互いに並んで整列されることができる。反射部材は四角形の反射面積部分を備えた反射部材61を含む。一般に、反射部材は望まれるいずれの形状、例えば円形または六角形の形状を有することができる。反射部材61はアクチュエータ65a,65b、例えば電気機械アクチュエータによって第1の軸線Xのまわりに回転される。望まれるならば1軸当たり多数のアクチュエータを備えることができる。アクチュエータ65a,65bは同じ支持部材63に固定される。支持部材63はアクチュエータ67a,67b、例えば電気機械アクチュエータによって第2の軸線Yのまわりに回転される。再び述べるが、望まれるならば1軸当たり多数のアクチュエータを備えることができる。ミラー位置のフィードバック制御を行うためにセンサーを備えることができる。したがって、反射部材61の配向は半球の望まれるあらゆる方向へ向けて入射ビームを反射するように調整することができる。さらに図8に示された形式および他の形式の反射部材に関する詳細は、例えば米国特許第6031946号(ルーセント・テクノロジー・インコーポレーテッド社)に開示されており、本明細書にその記載内容全体を援用する。
【0064】
【例4】
以下に説明されることを除いて第1の実施例と同じである本発明の第4の実施例は、蝿眼式の積分器として作用するファセット・ミラーを使用しており、図9〜図15に示されている。
【0065】
図9は第4の実施例の全体的な配置を示しており、この実施例は第1の実施例と同じで且つ反射マスクMAのまわりに配置された部材を基本的に含む。この装置は投影ビームの放射光として極紫外線(EUV)を使用する。放射光系および照射系は反射光学装置を使用する。
【0066】
図10に示された照射系100はフィールド・ファセット・ミラー110を含み、このミラーは複数のフィールド・ファセット111を有し、各々のフィールド・ファセットは照射フィールドの形状(照射系のどこにでも付加できる湾曲は除く)を有しており、ヒトミ・ファセット・ミラー120に放射光源LAの像を形成する。像は良好な品質を有するべきものでもなく、ヒトミ・ファセット・ミラーに正確に位置されるものでもないことが留意される。ヒトミ・ファセット・ミラー120のヒトミ・ファセット121は、マスク140のフィールド・ファセットに結像する収束ミラー130(ミラー・システムとされ得る)によってマスク140上の照射フィールドを適当に満たすように光を向ける。ヒトミ・ファセット・ミラーは投影系PLのヒトミの共役面に位置しているので、ヒトミ・ファセットが照射される照射状態は決定される。これは、フィールド・ファセット111の配向を個々に制御することで制御される。各ファセットはRx(x軸のまわりの回転)、Ry(y軸のまわりの回転)において十分に移動でき、またx方向に移動できる。(x,y,zは直交座標系の方向を示し、z方向がミラノ軸線である。)フィールド・ファセットよりもヒトミ・ファセットの方が多いことが好ましい。
【0067】
図10は、各フィールド・ファセット111が対応して位置されたヒトミ・ファセット120の1つに光を向ける中立位置でフィールド・ファセット111を示している。したがって、図10では、A,B,Cと符号を付したフィールド・ファセット111はそれぞれ光を、ヒトミ・ファセット・ミラー120の中央のA,B,Cと符号を付したヒトミ・ファセット121へ向ける。光線は明瞭に示されていないが、他の3つのフィールド・ファセットは点(ドット)を付したヒトミ・ファセットへ光を向ける。
【0068】
環状の照射モードを形成するために、フィールド・ファセット111はフィールド・ファセット・ミラー110の中心から等しい角度で離れる方向へ傾斜され、次のヒトミ・ファセットを「中立位置」から照射する。したがって、図11に示されるように、A,B,Cと符号を付したフィールド・ファセットはヒトミ・ファセットB,C,Dへ光を向ける。ここで、DはファセットCよりも外側のヒトミ・ファセットである。図10におけるように、3つの符号の賦されていないフィールド・ファセット・ミラーは印を付したヒトミ・ファセットへ光を向けるが、明瞭化のために対応する光線は示されていない。ヒトミ・ファセット・ミラー120の中央ではないファセットAは照射されない。ヒトミ・ファセット121B,C,Dもまた傾斜され、傾いたフィールド・ファセットからの放射光の入射角の僅かな変化を許容できるようにするが、照射フィールドへ放射光を正しく分布させる。
【0069】
狭い環帯の環状照射モードは、図12に示されるように、放射光をヒトミ121Cへ向けるようにフィールド・ファセット111Cを傾斜させ、同時にフィールド・ファセット111Bも同じくヒトミ121Cへ向けることで形成できる。フィールド・ファセット111Aは放射光をヒトミ・ファセット121Bへ向ける。2つの異なる入射角から照射フィールドへ光を向けるために、ヒトミ・ファセット121Cは完全に配向することはできないことが認識されるであろう。したがって、或る僅かな強度の損失は生じるが、ビームが選択的に不明瞭となることで異なる照射モードが実行されるよりは損失が格段に小さい。同様に、照射スリットの強度形状に僅かな変化が生じ得る。ヒトミ・ファセット121の各々で形成されたフィールドがマスクの照射フィールドよりも小さいならば、これは個々のヒトミ・ファセット121により多数の重なったフィールドが形成されて生じるが、ヒトミ・ファセット121Cを放射光の損失のない位置に位置決めすることができる。
【0070】
実際に、フィールドおよびヒトミ・ファセット・ミラーには図10〜図12に示したよりも非常に多数のファセットが存在し、したがって上述した原理を適用することで照射状態の非常に大きな範囲を得ることができることは認識されるであろう。また、光を接線方向ならびに半径方向へ再方向決めして、四極または二極の照射モード、または特定のマスク・パターンに最適化されたそれ以上に複雑な照射モードを形成するように、フィールド・ファセットは傾斜されることができる。傾斜可能なファセットの反応時間が十分速ければ、例えばパルス放射光源を使用して、複数ショット露光における露光時または露光間にて照射モードを変更できる。
【0071】
第4の実施例の変形例による放射光系が図13に示されている。この変形例では、ヒトミ・ファセット151はフィールド・ファセットよりも小さく形成され、またフィールド・ファセットの少なくとも2倍の量が備えられる。フィールド・ファセットで投影された光源の像も同様に小さく形成される。この変形例では、照射モードは小さいステップ・サイズに変更でき、また照射モードは各ヒトミ・ファセット151が1つのフィールド・ファセット111の放射光だけを受け取るように構成し、ヒトミ・ファセットが1以上の入射角度からの放射光を受けたとき、および光学的な位置決めができないときに生じる問題を回避するようにできる。この変形例のヒトミ・ファセットは2つで、またはそれ以上で、異なる入射角から放射光を受け取るために配向されたグループの異なる部材とグループ化され、これによりフィールド・ファセットの傾斜が変化したときに、ヒトミ・ファセットを変位する必要がないようにできる。
【0072】
図14Aおよび図14Bに示された第4の実施例の更なる変形例では、フィールド・ファセット・ミラー170は、ファセット172の幾つか、この例では4つのアレー171A〜171Dを含む。各々のフィールド・ファセット172A,B,Cなどは放射光を、ヒトミ・ファセット・ミラー180の対応するアレー181Aの対応するヒトミ・ファセット12A,B,Cへ向ける。異なる照射モードはアレー171A〜171Dを全体として傾斜させ、これに対応してヒトミ・ファセット・アレー181A〜Dを半径方向または他の方向へ変位および傾斜させることで設定される。この構造では、4つのアレーが使用されるので、従来の照射モードから、四環や四極の照射モードまで得ることができる。多数のアレーは付随的なモードを可能にする。
【0073】
フィールド・ファセットのアレーが全体として傾斜されることで、図15に示されるように食い違い状の組み合い形(interlaced meander)のアレーを使用して照射モードを連続的に形成することができる。2つのアレー191A,191Bは可動部193A,193Bの重なり範囲を有するヒトミ・ファセット・ミラー192A,192Bのグループに放射光を向ける。2方向の組み合い形も可能である。ヒトミまたはファセット・ミラーの両者をグループ化する必要はなく、また両者をグループ化するとしても、一のグループにグループ化する必要はないことに留意する。
【0074】
上述の実施例および変形例で使用できる傾斜可能なファセット・ミラー160が図16に横断面で示されている。基板上に調整された複数層のスタックを含むファセット・ミラー161はフレーム162に取り付けられ、このフレームは円錐形の中央凹部および下側リムのまわりの鉄リング163を有する。磁気フレーム164はピン166を担持し、ピン166は先端にボール167を取り付けられ、その上からフレーム162の円錐凹部が係止されて位置安定性の高い連結部が形成される。ファセットは磁気フレームのまわりに間隔を隔てられた複数、少なくとも3つのコイル165で作動され、これは鉄リング163に力を作用させてフレーム162、したがってファセット・ミラー161を形動させる。
【0075】
傾斜可能なファセット・ミラー200の代替形態が図17および図18に示されており、その図17はファセット・ミラー200の脚部を通る横断面図で、図18は側面図である。再び述べるが基板上の調整した複層スタックとされるミラー205は脚201により電気ヒンジ206を経て支持される。脚201は圧電材料で形成され、3つの等しいセクタ202,203,204に分かれており、これらのセクタは別々に作動されて脚201を選ばれた方向へ曲げて、ミラー205を傾斜させる。
【0076】
本発明の特定の実施例が上述で説明されたが、本発明は記載した以外の方法で実現できることは認識されるであろう。この記載は本発明を制限することを意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例によるリトグラフ投影装置を示す。
【図2】従来の構造で、角強度分布を空間強度分布へ変換する様子を概略的に示す。
【図3】本発明の第1の実施例の放射光系を詳細に示す。
【図4】空間強度分布を示す。
【図5】図4に類似の空間強度分布を示す。
【図6】本発明の第2の実施例によるリトグラフ装置の放射光系を示す。
【図7】本発明の第3の実施例によるリトグラフ装置の放射光系を示す。
【図8】本発明の第1〜第3の実施例に使用できる反射部材を示す。
【図9】本発明の第4の実施例によるリトグラフ投影装置を示す。
【図10】本発明の第4の実施例によるリトグラフ装置の放射光系を示す。
【図11】本発明の第4の実施例によるリトグラフ装置の、図10と異なる状態での放射光系を示す。
【図12】本発明の第4の実施例によるリトグラフ装置の、図10および図11と異なる状態での放射光系を示す。
【図13】第4の実施例変形例によるリトグラフ装置の放射光系を示す。
【図14】図14Aおよび図14Bは本発明の第4の実施例のフィールドおよびヒトミ・ファセット・ミラーを示す。
【図15】第4の実施例の変形例によるグループ化されたファセットを示す。
【図16】本発明の第4の実施例に使用できる制御可能なファセットを示す。
【図17】本発明の第4の実施例に使用できる制御可能なファセットの代替形状を示す。
【図18】本発明の第4の実施例に使用できる制御可能なファセットの代替形状を示す。
【符号の説明】
IL 放射光系すなわち照射装置
Ex ビーム拡大器
LA 放射光源
PB 投影ビーム
MT マスク・テーブル
MA マスク
PL 投影系すなわちレンズ
WT 基板テーブル
W 基板
C ターゲット部分
AM 手段
3 回折光学要素
4 マイクロレンズ
5 散開部
6 収束レンズ
8 後方焦点面
11,12,13 シャッター
16 再方向決めの光学装置
18 横断面
21 面積部分
23,23a 円形面積部分
31 レーザー
32 ビーム拡大光学装置
33 アレー
33a,33b,33c,33d,33e 反射部材
41 収束光学装置
43 ミラー
45 連結光学装置
47 積分器
51 1/4λプレート
53 偏光感応ミラー
61 反射部材
63 支持部材
65a,65b アクチュエータ
67a,67b アクチュエータ
100 照射系
110 フィールド・ファセット・ミラー
111 フィールド・ファセット
120 ヒトミ・ファセット・ミラー
121 ヒトミ・ファセット
130 収束ミラー
140 マスク
151 ヒトミ・ファセット
160 ファセット・ミラー
161 ファセット・ミラー
162 フレーム
163 鉄リング
164 磁気フレーム
165 コイル
166 ピン
167 ボール
170 フィールド・ファセット・ミラー
171A〜171D アレー
172 ファセット
180 ヒトミ・ファセット・ミラー
181A〜181D アレー
182A,182B,182C ヒトミ・ファセット
191A,191B アレー
192A,192B ヒトミ・ファセット・ミラー
193A,193B 可動部
200 ファセット・ミラー
201 脚
202,203,204 セクタ
205 ミラー
206 電気ヒンジ

Claims (13)

  1. 放射光の投影ビームを形成する放射光系と、
    所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するように作用するパターン形成手段を支持するための支持構造と、
    基板を保持する基板テーブルと、
    基板のターゲット部分にパターン化したビームを投影する投影系とを含み、
    投影ビームの強度分布を定めるための照射系を放射系が含むリトグラフ投影装置であって、
    パターン形成手段にて所望の投影ビームの角強度分布を与えるために投影ビームの異なる部分を異なる方向へ個別に操向する操向手段を照射系が含んでおり、それぞれが投影ビームの一部を操向する複数の離散反射器を前記操向手段が含み、それぞれ対応する投影ビームの一部を所望の方向へ向けるために反射器の配向が個別に制御でき
    操向された投影ビームの少なくとも一部を再び方向決めするために、また投影ビームの横断面、特にヒトミ面に前記角強度分に対応した空間強度分布を形成するために、照射系が再方向決め手段と、
    操向された投影ビームが伝播する方向の範囲を拡張するために、照射系が拡張手段とをさらに備えることを特徴とするリトグラフ装置。
  2. 拡張手段が散乱手段、特に散乱プレートを含む請求項に記載された装置。
  3. 離散反射器が投影ビームの横断面積部分内に互いに並べて配列された請求項1または2に記載された装置。
  4. 放物線または双曲線の横断面形状を有する反射面を、または双曲面または放物面である反射面のアレーを収束手段が含む請求項に記載された装置。
  5. 前記操向手段が第1のファセット反射器を含み、離散反射器の各々は第1のファセット反射器のファセットであり、また離散反射器の各々はそれらの配向を制御することで放射光源の像を第2のファセット反射器の選ばれたファセットへ投影するように作用する請求項1に記載された装置。
  6. 前記離散反射器の光軸に対して実質的に直角な、好ましくは互いに直交する2軸のまわりに回転させて離散反射器の配向を変化させるための各離散反射器用の作動手段をさらに含む請求項に記載された装置。
  7. 前記第2のファセット反射器の各々のファセットも配向が制御可能である請求項または請求項に記載された装置。
  8. 前記操向手段が第1のファセット反射器を含み、離散反射器の各々が第1のファセット反射器のファセットのアレーであり、第1のファセット反射器の各々のファセットは放射光源の像を第2のファセット反射器のファセットへ投影するように作用する請求項1に記載された装置。
  9. 前記第2のファセット反射器が前記第1のファセット反射器よりも多数のファセットを有する請求項から請求項までのいずれか一項に記載された装置。
  10. 前記第2のファセット反射器が前記投影システムのひとみの共役面内に実質的に位置された請求項から請求項までのいずれか一項に記載された装置。
  11. 放射光感応物質を含む基板を形成すること、
    少なくとも1つの放射光の投影ビームを形成すること、
    投影ビームの強度分布を変更すること、
    横断面のパターンを変更した投影ビームを得るためにパターン形成手段を使用すること、
    放射光感応物質の少なくとも一部分を含むターゲット上に、パターン化した放射光ビームを投影することを含むデバイス製造方法であって、
    投影ビームの強度分布の変更は放射光の伝播方向の制御を含み、投影ビームは複数の副次ビームを含み、副次ビームの少なくとも幾つかは複数の離散反射器を使用して異なる方向へ操向され、また離散反射器は対応する副次ビームを所望の方向へ向けるために個別に制御され
    照射系の再方向決め手段によって、操向された投影ビームの少なくとも一部を再び方向決めするために、また投影ビームの横断面、特にヒトミ面に前記角強度分に対応した空間強度分布が形成され、
    照射系の拡張手段によって、操向された投影ビームが伝播する方向の範囲が拡張されることを特徴とするデバイス製造方法。
  12. 操向された副次ビームが、それぞれ1つの方向に向かって伝播する請求項11に記載された方法。
  13. 個々の副次ビームが拡大された前記空間強度分布の面積部分に対応するように、少なくとも1つの操向された副次ビームの伝播方向の範囲が拡大される請求項11または12に記載された方法。
JP2002157048A 2001-06-01 2002-05-30 リトグラフ装置、およびデバイス製造方法 Expired - Lifetime JP4401060B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP01304850.9 2001-06-01
EP01304850 2001-06-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003022967A JP2003022967A (ja) 2003-01-24
JP4401060B2 true JP4401060B2 (ja) 2010-01-20

Family

ID=8182007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002157048A Expired - Lifetime JP4401060B2 (ja) 2001-06-01 2002-05-30 リトグラフ装置、およびデバイス製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6737662B2 (ja)
EP (1) EP1262836B1 (ja)
JP (1) JP4401060B2 (ja)
KR (1) KR100576746B1 (ja)

Families Citing this family (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7053988B2 (en) * 2001-05-22 2006-05-30 Carl Zeiss Smt Ag. Optically polarizing retardation arrangement, and microlithography projection exposure machine
US7170587B2 (en) 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1870772B1 (en) * 2002-03-18 2013-10-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10220324A1 (de) 2002-04-29 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Projektionsverfahren mit Pupillenfilterung und Projektionsobjektiv hierfür
WO2004031854A2 (de) * 2002-09-30 2004-04-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine wellenlänge ≤ 193 nm mit sensoren zur bestimmung der ausleuchtung
US7471375B2 (en) * 2003-02-11 2008-12-30 Asml Netherlands B.V. Correction of optical proximity effects by intensity modulation of an illumination arrangement
US7180576B2 (en) * 2003-02-11 2007-02-20 Asml Netherlands B.V. Exposure with intensity balancing to mimic complex illuminator shape
KR20170018113A (ko) 2003-04-09 2017-02-15 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
DE10317667A1 (de) * 2003-04-17 2004-11-18 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element für ein Beleuchtungssystem
EP1480084A1 (en) * 2003-04-17 2004-11-24 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1469347A1 (en) * 2003-04-17 2004-10-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR100598095B1 (ko) * 2003-07-10 2006-07-07 삼성전자주식회사 노광 장치
US7714983B2 (en) * 2003-09-12 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for a microlithography projection exposure installation
DE10343333A1 (de) * 2003-09-12 2005-04-14 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
SG110196A1 (en) * 2003-09-22 2005-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TW201834020A (zh) 2003-10-28 2018-09-16 日商尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
DE10352040A1 (de) * 2003-11-07 2005-07-21 Carl Zeiss Sms Gmbh In Lage, Form und/oder den optischen Eigenschaften veränderbare Blenden-und/oder Filteranordnung für optische Geräte, insbesondere Mikroskope
TW201809801A (zh) * 2003-11-20 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 光學照明裝置、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
US8270077B2 (en) * 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
CN101793993B (zh) 2004-01-16 2013-04-03 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学元件、光学布置及系统
US20070019179A1 (en) * 2004-01-16 2007-01-25 Damian Fiolka Polarization-modulating optical element
TWI395068B (zh) 2004-01-27 2013-05-01 尼康股份有限公司 光學系統、曝光裝置以及曝光方法
TWI389174B (zh) 2004-02-06 2013-03-11 尼康股份有限公司 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法
US7312850B2 (en) * 2004-04-02 2007-12-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, illumination system, and optical element for rotating an intensity distribution
DE102004019346A1 (de) * 2004-04-21 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Blende, Belichtungsapparat und Verfahren zum Steuern der Blende in dem Belichtungsapparat
US7324280B2 (en) * 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
US7283209B2 (en) 2004-07-09 2007-10-16 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for microlithography
JP4639120B2 (ja) * 2004-07-13 2011-02-23 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. マスク・パターンの光転送を最適化するための方法、リソグラフィ投影装置、および機械可読媒体
US7304718B2 (en) * 2004-08-17 2007-12-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7142353B2 (en) 2004-10-26 2006-11-28 Asml Holding N.V. System and method utilizing an electrooptic modulator
US7876420B2 (en) 2004-12-07 2011-01-25 Asml Holding N.V. System and method utilizing an electrooptic modulator
US20060138349A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI453796B (zh) * 2005-01-21 2014-09-21 尼康股份有限公司 偏光變更單元以及元件製造方法
EP1866700A1 (en) 2005-03-15 2007-12-19 Carl Zeiss SMT AG Projection exposure method and projection exposure system therefor
US7317506B2 (en) * 2005-03-29 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Variable illumination source
US7548302B2 (en) * 2005-03-29 2009-06-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7525642B2 (en) * 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI467255B (zh) * 2006-03-27 2015-01-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置以及元件製造方法
DE102006017336B4 (de) * 2006-04-11 2011-07-28 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Beleuchtungssystem mit Zoomobjektiv
DE102006020734A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem
US8052289B2 (en) * 2006-06-07 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Mirror array for lithography
WO2008095695A2 (de) 2007-02-06 2008-08-14 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und vorrichtung zur überwachung von mehrfachspiegelanordnungen in einem beleuchtungssystem einer mikrolithographischen projektionsbelichtungsanlage
DE102007005875A1 (de) 2007-02-06 2008-08-14 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Ausrichtung von Oberflächen von optischen Elementen
US8937706B2 (en) 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US9250536B2 (en) 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2008131928A1 (en) 2007-04-25 2008-11-06 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus
US20080278698A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8237913B2 (en) * 2007-05-08 2012-08-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
CN101325376B (zh) * 2007-06-15 2012-05-02 力博特公司 开关器件的驱动电路
DE102008040742A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung
CN101796460B (zh) 2007-08-30 2013-05-01 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5267029B2 (ja) * 2007-10-12 2013-08-21 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法
CN101681123B (zh) 2007-10-16 2013-06-12 株式会社尼康 照明光学系统、曝光装置以及元件制造方法
SG185313A1 (en) 2007-10-16 2012-11-29 Nikon Corp Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5262063B2 (ja) * 2007-10-23 2013-08-14 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2010004008A (ja) * 2007-10-31 2010-01-07 Nikon Corp 光学ユニット、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
JP5582287B2 (ja) * 2007-11-06 2014-09-03 株式会社ニコン 照明光学装置及び露光装置
WO2009060745A1 (ja) 2007-11-06 2009-05-14 Nikon Corporation 制御装置、露光方法、及び露光装置
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5326259B2 (ja) * 2007-11-08 2013-10-30 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
TWI418850B (zh) * 2007-11-09 2013-12-11 尼康股份有限公司 微致動器、光學設備、顯示裝置、曝光裝置及設備製造方法
TW200929333A (en) * 2007-12-17 2009-07-01 Nikon Corp Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009078223A1 (ja) 2007-12-17 2009-06-25 Nikon Corporation 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
EP2388649B1 (en) 2007-12-21 2013-06-19 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus
NL1036313A1 (nl) * 2007-12-27 2009-06-30 Asml Netherlands Bv Device manufacturing method and lithographic apparatus.
US8908151B2 (en) 2008-02-14 2014-12-09 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, compensation filter, and exposure optical system
EP2243047B1 (en) * 2008-02-15 2021-03-31 Carl Zeiss SMT GmbH Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography
DE102008009600A1 (de) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
DE102008009601A1 (de) * 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie mikrolithographisches Belichtungsverfahren
DE102008000788A1 (de) * 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
DE102008000967B4 (de) * 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
WO2009125511A1 (ja) 2008-04-11 2009-10-15 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
EP2282188B1 (en) 2008-05-28 2015-03-11 Nikon Corporation Illumination optical system and exposure apparatus
DE102008002749A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie
EP2326990B1 (en) 2008-07-11 2013-03-13 ASML Netherlands BV Spectral purity filter, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method
EP2146248B1 (en) * 2008-07-16 2012-08-29 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2010016288A1 (ja) * 2008-08-08 2010-02-11 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2010024106A1 (ja) * 2008-08-28 2010-03-04 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2010041522A1 (ja) * 2008-10-08 2010-04-15 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
WO2010044307A1 (ja) * 2008-10-15 2010-04-22 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
EP2202580B1 (en) 2008-12-23 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2010073795A1 (ja) 2008-12-24 2010-07-01 株式会社 ニコン 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
JP5365641B2 (ja) 2008-12-24 2013-12-11 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
DE102009006685A1 (de) 2009-01-29 2010-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die Mikro-Lithographie
NL2004303A (en) 2009-03-04 2010-09-06 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and method of forming an illumination mode.
CN102349026B (zh) 2009-03-13 2015-07-29 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备
KR101646814B1 (ko) * 2009-03-19 2016-08-08 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
KR20120031050A (ko) * 2009-06-17 2012-03-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 방법
DE102009030502A1 (de) 2009-06-24 2010-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie
US8164046B2 (en) 2009-07-16 2012-04-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic projection exposure apparatus
EP2454636B1 (en) 2009-07-17 2013-06-05 Carl Zeiss SMT GmbH Microlithographic projection exposure apparatus and method of measuring a parameter related to an optical surface contained therein
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
NL2004429A (en) * 2009-08-25 2011-02-28 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and method of adjusting an illumination mode.
DE102009045694B4 (de) * 2009-10-14 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
JP2011108851A (ja) * 2009-11-17 2011-06-02 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
JP5809637B2 (ja) * 2009-11-18 2015-11-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
DE102009054540B4 (de) * 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie
JP5598733B2 (ja) * 2009-12-23 2014-10-01 株式会社ニコン 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
NL2005724A (en) 2009-12-23 2011-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2354853B1 (en) 2010-02-09 2013-01-02 Carl Zeiss SMT GmbH Optical raster element, optical integrator and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2369413B1 (en) * 2010-03-22 2021-04-07 ASML Netherlands BV Illumination system and lithographic apparatus
JP2013527988A (ja) 2010-05-06 2013-07-04 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
DE102010030089A1 (de) 2010-06-15 2011-12-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102010025222A1 (de) 2010-06-23 2011-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuerbare Spiegelanordnung, optisches System mit einer steuerbaren Spiegelanordnung und Verfahren zur Ansteuerung einer steuerbaren Spiegelanordnung
DE102010026213A1 (de) 2010-07-06 2012-01-12 Carl Zeiss Ag Verfahren und Anordnung zur Beleuchtung eines zu beobachtenden Objektfeldes
KR101470769B1 (ko) 2010-08-30 2014-12-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
WO2012034571A1 (en) 2010-09-14 2012-03-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
NL2007306A (en) 2010-09-23 2012-03-26 Asml Netherlands Bv Source polarization optimization.
JP5611443B2 (ja) 2010-12-28 2014-10-22 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
WO2012100791A1 (en) 2011-01-29 2012-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
NL2008009A (en) 2011-02-02 2012-08-06 Asml Netherlands Bv Illumination system, lithographic apparatus and method.
JP5787382B2 (ja) 2011-02-28 2015-09-30 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
DE102011005840A1 (de) 2011-03-21 2012-09-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Steuerbare Mehrfachspiegelanordnung, optisches System mit einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung sowie Verfahren zum Betreiben einer steuerbaren Mehrfachspiegelanordnung
CN102692820B (zh) * 2011-03-21 2014-12-17 上海微电子装备有限公司 一种测量投影物镜畸变的装置及方法
JP5742388B2 (ja) * 2011-03-31 2015-07-01 大日本印刷株式会社 マスクパターン描画方法
US8947527B1 (en) * 2011-04-01 2015-02-03 Valdis Postovalov Zoom illumination system
WO2012152294A1 (en) 2011-05-06 2012-11-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
DE102011076436B4 (de) 2011-05-25 2015-08-13 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
US10120283B2 (en) 2011-06-06 2018-11-06 Nikon Corporation Illumination method, illumination optical device, and exposure device
WO2013013947A2 (en) * 2011-07-26 2013-01-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic exposure method
JP5918858B2 (ja) 2011-11-15 2016-05-18 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の光変調器及び照明系
CN108107685B (zh) * 2012-05-02 2021-01-15 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法、器件制造方法及评价方法
DE102012212664A1 (de) * 2012-07-19 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings
KR101591155B1 (ko) 2012-10-08 2016-02-02 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
JP6137762B2 (ja) 2012-10-08 2017-05-31 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ装置を作動させる方法
KR101712299B1 (ko) 2012-10-27 2017-03-13 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
DE102012220596A1 (de) * 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
WO2014111098A1 (en) 2013-01-17 2014-07-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of lithographically transferring a pattern on a light sensitive surface and illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
JP5682799B2 (ja) * 2013-07-18 2015-03-11 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
DE102013218749A1 (de) * 2013-09-18 2015-03-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
EP2876499B1 (en) 2013-11-22 2017-05-24 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9528906B1 (en) * 2013-12-19 2016-12-27 Apple Inc. Monitoring DOE performance using total internal reflection
DE102014203040A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
DE102014203041A1 (de) 2014-02-19 2015-08-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen
DE102014203348A1 (de) 2014-02-25 2015-08-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Bündelverteilungsoptik, Beleuchtungsoptik mit einer derartigen Bündelverteilungsoptik, optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System
DE102014203347B4 (de) 2014-02-25 2017-09-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikro-Lithografie sowie Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
WO2015130920A1 (en) * 2014-02-26 2015-09-03 Bien Chann Systems and methods for multiple-beam laser arrangements with variable beam parameter product
JP5860494B2 (ja) * 2014-03-05 2016-02-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム
TWI730945B (zh) 2014-07-08 2021-06-21 美商康寧公司 用於雷射處理材料的方法與設備
KR20170028943A (ko) * 2014-07-14 2017-03-14 코닝 인코포레이티드 조정가능한 레이저 빔 촛점 라인을 사용하여 투명한 재료를 처리하는 방법 및 시스템
NL2015073A (en) * 2014-07-15 2016-04-12 Asml Netherlands Bv Lithography apparatus and method of manufacturing devices.
CN111151749A (zh) 2014-11-14 2020-05-15 株式会社尼康 造形装置及造形方法
JP6804298B2 (ja) 2014-11-14 2020-12-23 株式会社ニコン 造形装置
US11773004B2 (en) 2015-03-24 2023-10-03 Corning Incorporated Laser cutting and processing of display glass compositions
CN107592919B (zh) 2015-05-13 2019-12-24 卡尔蔡司Smt有限责任公司 微光刻投射曝光设备的照明系统
WO2017050360A1 (en) 2015-09-23 2017-03-30 Carl Zeiss Smt Gmbh Method of operating a microlithographic projection apparatus and illuminations system of such an apparatus
JP6193963B2 (ja) * 2015-12-18 2017-09-06 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明システム
JP6895459B2 (ja) * 2016-06-09 2021-06-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
US10730783B2 (en) 2016-09-30 2020-08-04 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing transparent workpieces using non-axisymmetric beam spots
KR102428350B1 (ko) 2016-10-24 2022-08-02 코닝 인코포레이티드 시트형 유리 기판의 레이저 기반 기계 가공을 위한 기판 프로세싱 스테이션
WO2018113918A1 (de) * 2016-12-20 2018-06-28 Ev Group E. Thallner Gmbh Vorrichtung und verfahren zur belichtung einer lichtempfindlichen schicht
US10451890B2 (en) 2017-01-16 2019-10-22 Cymer, Llc Reducing speckle in an excimer light source
JP7014226B2 (ja) 2017-05-01 2022-02-01 株式会社ニコン 加工装置
DE102017210162A1 (de) 2017-06-19 2017-08-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
US12506321B2 (en) 2021-06-16 2025-12-23 Western Digital Technologies, Inc. Vertical cavity surface emitting laser and head gimbal assembly
DE102023202360A1 (de) 2023-03-15 2023-06-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69132120T2 (de) 1990-11-15 2000-09-21 Nikon Corp., Tokio/Tokyo Verfahren und Vorrichtung zur Projektionsbelichtung
JPH0777191B2 (ja) 1993-04-06 1995-08-16 日本電気株式会社 露光光投射装置
JPH08313842A (ja) * 1995-05-15 1996-11-29 Nikon Corp 照明光学系および該光学系を備えた露光装置
US5684566A (en) 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
JPH09298154A (ja) 1996-05-07 1997-11-18 Nikon Corp 照明装置
JPH113849A (ja) 1997-06-12 1999-01-06 Sony Corp 可変変形照明フィルタ及び半導体露光装置
US6193393B1 (en) 1998-09-10 2001-02-27 International Business Machines Corporation Apparatus and method for intensifying illumination brightness by time-superposing multiple pulsed light sources
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US6195201B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
TW554257B (en) * 2000-07-10 2003-09-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR100576746B1 (ko) 2006-05-03
EP1262836A1 (en) 2002-12-04
KR20020092207A (ko) 2002-12-11
JP2003022967A (ja) 2003-01-24
US20030038225A1 (en) 2003-02-27
US6737662B2 (en) 2004-05-18
EP1262836B1 (en) 2018-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4401060B2 (ja) リトグラフ装置、およびデバイス製造方法
US7015491B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby, control system
JP5871216B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
KR101470769B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
KR101922314B1 (ko) 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 조명 시스템
JP4099423B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造法
JP3970106B2 (ja) 実質的に透過性のプロセス層に整列マークを備える基板、上記マークを露出するためのマスク、およびデバイス製造方法
CN101796460B (zh) 微光刻投射曝光设备中用于照明掩模的照明系统
KR101813307B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템
JP4198528B2 (ja) 光学エレメントを組み立てる部品のキット、光学エレメントを組み立てる方法、光学エレメント、リソグラフィ装置、およびデバイス製造法
JP5599606B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明システム
JP5390691B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
TW201128322A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5868492B2 (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
CN102859440A (zh) 微光刻投射曝光设备的照明系统
TW546550B (en) An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
TW201040445A (en) Illumination system, lithographic apparatus and method of forming an illumination mode
TW201702756A (zh) 微影投射設備的操作方法
JP3905081B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI308771B (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, and computer program product
KR101591155B1 (ko) 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치의 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060801

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20060904

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061031

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20061106

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20070703

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090312

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090610

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20091008

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20091027

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4401060

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131106

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term