JP4401620B2 - レーザープラズマ極紫外放射線源のためのノズル及び極紫外放射線の発生方法 - Google Patents
レーザープラズマ極紫外放射線源のためのノズル及び極紫外放射線の発生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4401620B2 JP4401620B2 JP2002130462A JP2002130462A JP4401620B2 JP 4401620 B2 JP4401620 B2 JP 4401620B2 JP 2002130462 A JP2002130462 A JP 2002130462A JP 2002130462 A JP2002130462 A JP 2002130462A JP 4401620 B2 JP4401620 B2 JP 4401620B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- nozzle
- source
- outlet end
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/002—Supply of the plasma generating material
- H05G2/0023—Constructional details of the ejection system
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の分野】
本発明は一般に極紫外(EUV)リソグラフィー源のためのノズルに関し、特に、標的材料をプラズマにより発生する熱から隔離するためにノズル内で標的送給チューブを使用するEUV源のためのノズルに関する。
【0002】
【従来の技術】
マイクロ電子集積回路は典型的には、当業界で周知のフォトリソグラフィー処理により基体上でパターン化され、この場合、回路素子がマスクを通って伝播する光ビームにより画定される。フォトリソグラフィー処理及び集積回路構造の技術の状態が一層発展するにつれて、回路素子は一層小さくなり、それらの間隔は一層狭くなった。回路素子が一層小さくなると、一層短い波長及び一層高い周波数を有する光ビームを発生させるフォトリソグラフィー光源を使用する必要がある。換言すれば、光源の波長が減少するにつれて、フォトリソグラフィー処理の解像度が増大し、一層小さな集積回路素子を画定できる。フォトリソグラフィー光源の現在の技術状態は極紫外(EUV)又は軟X線波長(13.4nm)での光を発生させる。
【0003】
EUV放射線を発生させる異なる装置が当業界で知られている。最も普通のEUV放射線源の1つはガス(典型的にはキセノン)をレーザープラズマ標的材料として使用するレーザープラズマガス凝縮源である。クリプトンの如き他のガス及びガスの組合わせ体もまたレーザー標的材料として知られている。ガスはノズルを通して押し出され、ガスが膨張すると、ガスは凝縮し、液体スプレーに変わる。液体スプレーは、典型的にはEUV放射線を放射する高温プラズマを生じさせるように液滴を加熱するNd:YAGレーザーからの高パワーレーザービームにより照射される。米国特許第5,577,092号明細書はこの型式のEUV放射線源を開示している。
【0004】
図1はノズル12及びレーザービーム源14を有する既知のEUV放射線源10の平面図である。ガス16はガス源(図示せず)からノズル12の首部分18を通って流れる。ガス16は狭いのど部を通って加速され、ノズル12の出口コリメータを通って液滴のジェットスプレー26として排出される。源14からのレーザービーム30は合焦光学素子32により液滴上に合焦される。レーザービーム30のエネルギはEUV放射線36を放射するプラズマ34を発生させる。ノズル12は、プラズマ発生工程の熱及び厳しさに耐えるように設計される。EUV放射線36は収集光学素子38により収集され、パターン化されている回路(図示せず)へ導かれる。収集光学素子38は放射線36を収集し、導く目的の任意の適当な形状を有することができる。この設計においては、レーザービーム30は収集光学素子38の開口40を通って伝播する。
【0005】
EUV放射線へのレーザー放射線の変換の所望の効率を達成するのに十分な大きさの液滴を含むスプレーを発生させることが困難であることが判明している。液滴が小さ過ぎる直径を有し、従って十分な質量を有しないので、液滴がEUV放射線36を発生させるのに十分な温度まで加熱される前に、レーザービーム30は液滴の一部を破壊してしまう。ガス凝縮EUV源により発生される液滴の最大直径は0.33ミクロン程度である。しかし、約1ミクロンの直径の液滴寸法がEUV放射線の発生にとって望ましい。更に、凝縮工程を最大化するのに必要な大きな膨張度合いは液体の拡散ジェットを生じさせ、小さなプラズマ寸法の光学的要求と矛盾する。
【0006】
プラズマ標的として十分に大きな液滴を提供する問題を克服するため、2000年8月23日に出願された「レーザープラズマ極紫外光源のための標的としての液体スプレー」という名称の本出願人に係る米国特許出願明細書はレーザープラズマを発生させるための標的材料として液体スプレーを使用するフォトリソグラフィー装置のためのレーザープラズマ極紫外光源を開示している。この設計においては、EUV源は、ノズルを通してガスを押し出す代わりに、ノズルを通して液体(好ましくはキセノン)を押し出す。ノズルの幾何学形状及びノズルを通って伝播する液体の圧力は液体を霧状にし、液滴の濃いスプレーを形成する。液滴が液体から形成されるので、液滴は寸法が大きく、EUV放射線の発生に対して一層伝導性となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
レーザーにより付勢される前に液体標的材料の一部を蒸発させる既知のEUV源には別の問題も存在する。プラズマ発生領域は典型的にはノズル出口から約2mm離れており、約200,000゜Kの熱を発生させている。EUV放射線源のノズルはプラズマ発生領域の近傍に位置するので、プラズマからの熱がノズル、従ってその中の標的材料を加熱してしまう。ノズルは典型的には10kW/cm2 までの熱入力を受ける。ノズルの膨張開口で標的材料を暖めると、標的の生産が減少し、EUV吸収蒸気が形成されてしまう。特に、ノズルをこのような高温に加熱すると、液体標的材料の一部が蒸発し、標的の液体濃度を減少させてしまう。更に、プラズマ発生工程からの粒子はノズル上にスパッタリング効果を生じさせ、EUVの発生に悪影響を与える。スパッタリング効果を減少させるためにノズルをグラファイト(黒鉛)で作ることは当業界で既知であるが、良好な腐食抵抗のために他の材料を使用することができる。しかし、グラファイトはノズル内の冷えた標的材料の加熱を向上させる良好な熱伝導体である。
【0008】
EUV放射線発生を向上させるためにノズル本体とそこを通って進行する標的材料との間の熱隔離を提供する、レーザープラズマEUV放射線源のためのノズルの要求がある。それ故、本発明の目的はこのようなEUV放射線源のノズルを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の教示によれば、ノズル本体とそこを通って流れる標的材料との間の熱隔離を提供する、レーザープラズマEUV放射線源のためのノズルが開示される。別個の標的材料送給チューブはノズル本体を通って突出し、熱隔離を提供している間に適正なチューブ/ノズル整合が達成されるように、チューブ/ノズルの表面接触を制限する。1つの実施の形態においては、送給チューブはステンレス鋼の如き低熱伝導率を有する材料で作られ、プラズマからのノズル本体の加熱が送給チューブを通して送給されている液体標的材料を加熱しないようにする。送給チューブはノズル本体の出口コリメータの背後に位置する膨張開口を有する。膨張開口は、プラズマ発生領域へ一層少ない材料を送給するために、既知の出口コリメータよりも小さな直径を有する。
【0010】
【実施の形態】
EUV放射線源のためのノズルに関する好ましい実施の形態の以下の説明は本質的に単なる例示であって、本発明又はその応用又は使用を制限する意図のものではない。
【0011】
図2は本発明に係る、EUV源のためのノズル46の断面図であり、このノズルは上述した既知のノズル12に代えて適用できる。ノズル46はここで説明する目的にとって適した寸法及び形状を有するグラファイトの本体部分48を含む。ノズル46は円筒状の出口コリメータ50を有し、これを通って、液体標的材料が適当な圧力下でノズル46から出る。コリメータ50は、液体スプレーがプラズマ発生領域の方へ導かれるように、液体スプレーをコリメートする。熱交換器54は本体部分48のネジ開口56内に螺入される。熱交換器54はベース部分58と、ネジ開口56内に螺入されたステム部分60とを有する。熱交換器54は本体部分48のための冷却を提供し、ノズル46のための支持体を更に提供する。ボア(穴)62は熱交換器54を通って延び、本体部分48内の狭いボア64に連通する。ボア64は出口コリメータ50と流体連通し、その間に肩部70を形成する。
【0012】
EUV源のための既知のノズルにおいては、標的材料はボア62、64を通って流れ、コリメータ50を通ってノズル46から出る。しかし、プラズマ発生領域からのグラファイト本体部分48の加熱が本体部分48内の液体標的に影響を及ぼし、ある蒸発及び標的損失を生じさせてしまう。本発明によれば、細長い標的材料送給チューブ72が、図示のように、ボア62、64を通って延び、肩部70に当接する。チューブ72は幅広い部分74と、狭い端部分76とを有する。チューブ72は送給チューブ72と熱交換器54との間にギャップを提供し、送給チューブ72とボア64内の本体部分48の内壁との間にギャップを提供するように、位置決めされる。送給チューブ72は狭い部分76の端部において膨張オリフィス80又はオリフィスの列を有し、オリフィス80が肩部70の近傍に位置するようにする。
【0013】
液体標的材料は適当な標的源(図示せず)から送給チューブ72を通って送給され、加圧下で出口コリメータ50へ入る。送給チューブ72は、プラズマ発生中に、加熱されたグラファイト本体部分48からの熱隔離を提供する。更に、送給チューブ72と本体部分48との間のギャップは、工程が真空圧力下で行われるため、低圧となり、加熱された本体部分48から送給チューブ72内の冷えた標的材料を更に隔離するのに役立つ。冷えた液体標的材料は所望の作動圧力及び温度でコリメータ50へ送給され、コリメータを横切って、材料は超音波膨張を受け、固体又は液体の標的材料の粒子を生じさせる。1つの実施の形態においては、オリフィス80の直径は、所望の寸法の液滴を提供するように、約50ミクロンとすることができる。更に、送給チューブ72は、本体部分48の寸法を最小にできるように、ノズル46に対する構造上の一体性を提供する。
【0014】
1つの実施の形態においては、送給チューブ72は適当なステンレス鋼で作られる。しかし、これは、非限定的な例であり、ニッケル及びセラミックの如き他の材料、好ましくは非熱伝導性材料を使用することができる。送給チューブ72を非熱伝導性材料で作るのが好ましいが、ギャップのため、チューブ72と本体部分48との間の接触面積は最小となり、そのため、熱伝導性の送給チューブでさえ、冷えた標的材料の減少した加熱を提供する。
【0015】
以上は本発明の単なる例示的な実施の形態を説明したものである。当業者なら、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更、修正及び変形を行うことができることを容易に認識できよう。
【図面の簡単な説明】
【図1】既知のレーザープラズマガス凝縮極紫外光源の平面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係る、標的材料送給チューブを使用するレーザープラズマ極紫外放射線源のためのノズルの断面図である。
【符号の説明】
46 ノズル
48 本体部分
50 出口コリメータ
54 熱交換器
62 ボア
64 狭いボア
70 肩部
72 標的材料送給チューブ
74 幅広い部分
76 狭い部分
80 オリフィス(膨張開口)
Claims (13)
- レーザープラズマ極紫外(EUV)放射線源のためのノズルにおいて、
標的材料を受け取る源端部と、上記標的材料のスプレーを放出する出口端部とを有するノズル本体、及び
上記源端部と上記出口端部との間を通って延びる標的材料送給チューブであって、上記ノズルの上記源端部の近くに位置する第1の端部と、当該ノズルの上記出口端部の近くに位置する第2の端部とを有し、上記第2の端部が膨張開口を有し、上記第1の端部が上記標的材料を受け取り、当該第2の端部が当該標的材料を上記膨張開口を通して該ノズルの当該出口端部内へ放出するような標的材料送給チューブ、を有し、
上記ノズル本体の内表面が、ギャップを形成するように上記標的材料送給チューブの外表面から離れていることを特徴とするノズル。 - レーザープラズマ極紫外(EUV)放射線源のためのノズルにおいて、
標的材料を受け取る源端部と、上記標的材料が上記ノズルから出るときに同標的材料をコリメートするコリメータ部分を有し、上記標的材料のスプレーを放出する出口端部とを有するノズル本体、及び
上記源端部と上記出口端部との間を通って延びる標的材料送給チューブであって、上記ノズルの上記源端部の近くに位置する第1の端部と、当該ノズルの上記出口端部の近くに位置する第2の端部とを有し、上記第2の端部が膨張開口を有し、上記第1の端部が上記標的材料を受け取り、当該第2の端部が当該標的材料を上記膨張開口を通して該ノズルの当該出口端部内へ放出するような標的材料送給チューブ、を有し、
上記ノズル本体の内表面が、ギャップを形成するように上記標的材料送給チューブの外表面から離れていることを特徴とするノズル。 - 上記膨張開口が上記コリメータ部分よりも狭い直径を有することを特徴とする請求項2に記載のノズル。
- レーザープラズマ極紫外(EUV)放射線源のためのノズルにおいて、
標的材料を受け取る源端部と、上記標的材料のスプレーを放出する出口端部と、上記源端部と上記出口端部の間を延びるボアとを有するノズル本体であって、上記出口端部は、上記標的材料が上記ノズルから出るときに同標的材料をコリメートするコリメータ部分を有し、上記コリメータ部分が上記ボアと流体連通し、上記コリメータ部分が上記ボアの直径より小さい直径を有して上記コリメータ部分と上記ボアとの間で肩部を形成する、ノズル本体、及び
上記源端部と上記出口端部との間を通って延びる標的材料送給チューブであって、上記ノズルの上記源端部の近くに位置する第1の端部と、当該ノズルの上記出口端部の近くに位置し、上記肩部に当接する第2の端部とを有し、上記第2の端部が膨張開口を有し、上記第1の端部が上記標的材料を受け取り、当該第2の端部が当該標的材料を上記膨張開口を通して該ノズルの当該出口端部内へ放出するような標的材料送給チューブ、を有し、
上記ノズル本体の内表面が、ギャップを形成するように上記標的材料送給チューブの外表面から離れていることを特徴とするノズル。 - レーザープラズマ極紫外(EUV)放射線源のためのノズルにおいて、
標的材料を受け取る源端部と、上記標的材料のスプレーを放出する出口端部とを有するノズル本体、及び
上記源端部と上記出口端部との間を通って延び、低熱伝導材料、グラファイト及び耐火材料からなるグループから選択された材料で作られる標的材料送給チューブ、を有し、
上記ノズル本体の内表面が、ギャップを形成するように上記標的材料送給チューブの外表面から離れていることを特徴とするノズル。 - 上記送給チューブがステンレス鋼で作られることを特徴とする請求項5に記載のノズル。
- レーザープラズマ極紫外(EUV)放射線源のためのノズルにおいて、
液体標的材料を受け取る源端部と、固体粒子標的材料のスプレーを放出する出口端部とを有するノズル本体、及び
上記源端部と上記出口端部との間を通って延びる標的材料送給チューブであって、上記ノズルの上記源端部の近くに位置する第1の端部と、当該ノズルの上記出口端部の近くに位置する第2の端部とを有し、上記第2の端部が膨張開口を有し、上記第1の端部が上記標的材料を受け取り、当該第2の端部が当該標的材料を上記膨張開口を通して該ノズルの当該出口端部内へ放出するような標的材料送給チューブ、を有し、
上記ノズル本体の内表面が、ギャップを形成するように上記標的材料送給チューブの外表面から離れていることを特徴とするノズル。 - レーザープラズマ極紫外(EUV)放射線源のためのノズルにおいて、
液体標的材料を受け取る源端部と、液滴標的材料のスプレーを放出する出口端部とを有するノズル本体、及び
上記源端部と上記出口端部との間を通って延びる標的材料送給チューブであって、上記ノズルの上記源端部の近くに位置する第1の端部と、当該ノズルの上記出口端部の近くに位置する第2の端部とを有し、上記第2の端部が膨張開口を有し、上記第1の端部が上記標的材料を受け取り、当該第2の端部が当該標的材料を上記膨張開口を通して該ノズルの当該出口端部内へ放出するような標的材料送給チューブ、を有し、
上記ノズル本体の内表面が、ギャップを形成するように上記標的材料送給チューブの外表面から離れていることを特徴とするノズル。 - レーザープラズマ極紫外(EUV)放射線源のためのノズルにおいて、
液体標的材料を受け取る源端部と、コリメータ部分を有し、液滴のスプレーとして液体標的材料のスプレーを放出する出口端部と、これらの間を延びるボアとを有するノズル本体、及び
標的材料送給チューブであって、上記ボア内の上記ノズル本体の内表面と上記送給チューブ外表面との間にギャップを形成するように当該ボアを通って延び、上記ノズルの上記源端部の近くに位置する第1の端部と、上記コリメータ部分の近くに位置する第2の端部とを有し、上記第2の端部が当該コリメータ部分の直径よりも小さな直径の膨張開口を有し、上記第1の端部が上記液体標的材料を受け取り、上記膨張開口が当該標的材料を該コリメータ部分内へ放出するような標的材料送給チューブ、を有することを特徴とするノズル。 - レーザープラズマ極紫外(EUV)放射線源のためのノズルにおいて、
液体標的材料を受け取る源端部と、コリメータ部分を有し、液滴のスプレーとして液体標的材料のスプレーを放出する出口端部と、これらの間を延びるボアとを有するノズル本体、及び
標的材料送給チューブであって、上記ボアの内表面と上記送給チューブ外表面との間にギャップを形成するように当該ボアを通って延び、低熱伝導材料、ステンレス鋼、グラファイト及び耐火材料からなるグループから選択された材料で作られ、上記ノズルの上記源端部の近くに位置する第1の端部と、上記コリメータ部分の近くに位置する第2の端部とを有し、上記第2の端部が当該コリメータ部分の直径よりも小さな直径の膨張開口を有し、上記第1の端部が上記液体標的材料を受け取り、上記膨張開口が当該標的材料を該コリメータ部分内へ放出するような標的材料送給チューブ、を有することを特徴とするノズル。 - 上記コリメータ部分が上記ボアの直径より小さい直径を有して上記コリメータ部分と上記ボアとの間で肩部を形成し、上記送給チューブの上記第2の端部が上記肩部に当接することを特徴とする請求項10に記載のノズル。
- 極紫外(EUV)放射線を発生させる方法において、
源端部と、コリメータ部分を有する出口端部とを有するノズル本体を提供する工程、
上記源端部と上記出口端部との間において標的送給チューブを位置決めする工程であって、上記ノズル本体の内表面がギャップを形成するために上記標的送給チューブの外表面から離れるように上記標的送給チューブを位置決めする工程、
加圧標的材料を上記標的送給チューブの第1の端部に適用する工程、及び
上記標的送給チューブの第2の端部から上記コリメータ部分内へ、上記出口端部を通してノズルから放出されるべき上記標的材料を液体スプレーとして放出する放出工程、を有することを特徴とする方法。 - 上記放出工程は、上記標的送給チューブが上記第2の端部において膨張開口を有しており、上記コリメータ部分よりも小さな直径を有する上記膨張開口を通して上記標的材料を放出する工程を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/848677 | 2001-05-03 | ||
| US09/848,677 US6657213B2 (en) | 2001-05-03 | 2001-05-03 | High temperature EUV source nozzle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003043199A JP2003043199A (ja) | 2003-02-13 |
| JP4401620B2 true JP4401620B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=25303982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002130462A Expired - Fee Related JP4401620B2 (ja) | 2001-05-03 | 2002-05-02 | レーザープラズマ極紫外放射線源のためのノズル及び極紫外放射線の発生方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6657213B2 (ja) |
| EP (1) | EP1255426B1 (ja) |
| JP (1) | JP4401620B2 (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7294366B2 (en) | 1998-09-30 | 2007-11-13 | Optomec Design Company | Laser processing for heat-sensitive mesoscale deposition |
| US7108894B2 (en) | 1998-09-30 | 2006-09-19 | Optomec Design Company | Direct Write™ System |
| US8110247B2 (en) | 1998-09-30 | 2012-02-07 | Optomec Design Company | Laser processing for heat-sensitive mesoscale deposition of oxygen-sensitive materials |
| US20050156991A1 (en) * | 1998-09-30 | 2005-07-21 | Optomec Design Company | Maskless direct write of copper using an annular aerosol jet |
| US7938079B2 (en) | 1998-09-30 | 2011-05-10 | Optomec Design Company | Annular aerosol jet deposition using an extended nozzle |
| US7045015B2 (en) | 1998-09-30 | 2006-05-16 | Optomec Design Company | Apparatuses and method for maskless mesoscale material deposition |
| US20040197493A1 (en) * | 1998-09-30 | 2004-10-07 | Optomec Design Company | Apparatus, methods and precision spray processes for direct write and maskless mesoscale material deposition |
| FR2823949A1 (fr) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
| US7141138B2 (en) * | 2002-09-13 | 2006-11-28 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery system for semiconductor processing |
| US6835944B2 (en) * | 2002-10-11 | 2004-12-28 | University Of Central Florida Research Foundation | Low vapor pressure, low debris solid target for EUV production |
| US6864497B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-03-08 | University Of Central Florida Research Foundation | Droplet and filament target stabilizer for EUV source nozzles |
| DE10306668B4 (de) * | 2003-02-13 | 2009-12-10 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von intensiver kurzwelliger Strahlung auf Basis eines Plasmas |
| US20060280866A1 (en) * | 2004-10-13 | 2006-12-14 | Optomec Design Company | Method and apparatus for mesoscale deposition of biological materials and biomaterials |
| US7674671B2 (en) | 2004-12-13 | 2010-03-09 | Optomec Design Company | Aerodynamic jetting of aerosolized fluids for fabrication of passive structures |
| US7938341B2 (en) | 2004-12-13 | 2011-05-10 | Optomec Design Company | Miniature aerosol jet and aerosol jet array |
| JP5076087B2 (ja) | 2006-10-19 | 2012-11-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置及びノズル保護装置 |
| TWI482662B (zh) | 2007-08-30 | 2015-05-01 | 阿普托麥克股份有限公司 | 機械上一體式及緊密式耦合之列印頭以及噴霧源 |
| TWI538737B (zh) | 2007-08-31 | 2016-06-21 | 阿普托麥克股份有限公司 | 材料沉積總成 |
| US8887658B2 (en) | 2007-10-09 | 2014-11-18 | Optomec, Inc. | Multiple sheath multiple capillary aerosol jet |
| JP5511705B2 (ja) * | 2011-02-10 | 2014-06-04 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
| JP5789443B2 (ja) * | 2011-08-03 | 2015-10-07 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置、そのノズルのクリーニング機構、および、そのノズルのクリーニング方法 |
| KR20140036538A (ko) * | 2012-09-17 | 2014-03-26 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 생성 장치, 이를 포함하는 노광 장치 및 이러한 노광 장치를 사용해서 제조된 전자 디바이스 |
| EP2951643B1 (en) * | 2013-01-30 | 2019-12-25 | Kla-Tencor Corporation | Euv light source using cryogenic droplet targets in mask inspection |
| KR102115543B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2020-05-26 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 광원 장치 |
| KR102444204B1 (ko) | 2015-02-10 | 2022-09-19 | 옵토멕 인코포레이티드 | 에어로졸의 비행 중 경화에 의해 3차원 구조를 제조하는 방법 |
| TWI767087B (zh) | 2017-11-13 | 2022-06-11 | 美商阿普托麥克股份有限公司 | 用於控制氣溶膠噴注列印系統的列印頭中之氣溶膠的流之方法以及用於沉積氣溶膠之裝備 |
| US10631392B2 (en) * | 2018-04-30 | 2020-04-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV collector contamination prevention |
| CN110858058B (zh) * | 2018-08-24 | 2022-01-25 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光刻设备以及光刻方法 |
| KR102759000B1 (ko) | 2018-09-18 | 2025-01-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 고압 연결 장치 |
| TW202247905A (zh) | 2021-04-29 | 2022-12-16 | 美商阿普托麥克股份有限公司 | 用於氣溶膠噴射裝置之高可靠性鞘護輸送路徑 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364608A (en) * | 1993-07-30 | 1994-11-15 | Eaton Corporation | Method of converting a silicon nitride from alpha-phase to beta-phase, apparatus used therefor, and silicon nitride material made therefrom |
| US5577092A (en) | 1995-01-25 | 1996-11-19 | Kublak; Glenn D. | Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources |
| US6007963A (en) | 1995-09-21 | 1999-12-28 | Sandia Corporation | Method for extreme ultraviolet lithography |
| US6065203A (en) * | 1998-04-03 | 2000-05-23 | Advanced Energy Systems, Inc. | Method of manufacturing very small diameter deep passages |
| US6190835B1 (en) * | 1999-05-06 | 2001-02-20 | Advanced Energy Systems, Inc. | System and method for providing a lithographic light source for a semiconductor manufacturing process |
-
2001
- 2001-05-03 US US09/848,677 patent/US6657213B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-26 EP EP02009576A patent/EP1255426B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-05-02 JP JP2002130462A patent/JP4401620B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1255426A1 (en) | 2002-11-06 |
| EP1255426B1 (en) | 2011-11-30 |
| US6657213B2 (en) | 2003-12-02 |
| US20020162974A1 (en) | 2002-11-07 |
| JP2003043199A (ja) | 2003-02-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4401620B2 (ja) | レーザープラズマ極紫外放射線源のためのノズル及び極紫外放射線の発生方法 | |
| JP3720284B2 (ja) | レーザプラズマ極紫外光源及びレーザプラズマ極紫外光線の発生方法 | |
| JP4874409B2 (ja) | レーザープラズマ極紫外放射線源 | |
| JP4712308B2 (ja) | 先行パルスにより強化されたレーザ生成プラズマeuv光源 | |
| TW503130B (en) | Process and device for generating a dense spray of micrometric and submicrometric droplets, application to extreme ultra violet light generation, particularly for lithography, and semiconductor substrate lithography device | |
| KR20030090745A (ko) | 극자외선광 특히 리소그라피 공정용 극자외선광을발생시키는 방법 및 장치 | |
| US7075713B2 (en) | High efficiency collector for laser plasma EUV source | |
| JP4995379B2 (ja) | 光源装置及びそれを用いた露光装置 | |
| JP4409862B2 (ja) | 極紫外(euv)線を発生するeuv線源 | |
| JP2003043196A (ja) | レーザープラズマ極紫外放射線源及び極紫外放射線の発生方法 | |
| JP4403216B2 (ja) | 極紫外(euv)線を発生するeuv線源 | |
| JP4629990B2 (ja) | プラズマが隔離されたレーザ生成プラズマeuv光源 | |
| US6744851B2 (en) | Linear filament array sheet for EUV production | |
| TWI345931B (en) | Laser produced plasma euv light source with pre-pulse | |
| US6864497B2 (en) | Droplet and filament target stabilizer for EUV source nozzles | |
| JP4773690B2 (ja) | Euv放射線源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050428 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050727 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20050727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080515 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080815 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080820 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090512 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090811 |
|
| RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20090812 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090814 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090819 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090812 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090929 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091028 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121106 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |