JP4404347B2

JP4404347B2 - Manufacturing method of semiconductor element storage package

Info

Publication number: JP4404347B2
Application number: JP2004020663A
Authority: JP
Inventors: 明義小阪田
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 2004-01-29
Filing date: 2004-01-29
Publication date: 2010-01-27
Anticipated expiration: 2024-01-29
Also published as: JP2005217086A

Description

本発明は、高周波用半導体素子からの高発熱をヒートシンク板を介して更に基台から放熱させるために、基台にねじ止めされるヒートシンク板、リング状のセラミック枠体、及び外部接続端子の接合体からなる半導体素子収納用パッケージの製造方法に関する。 The present invention provides a heat sink plate screwed to a base, a ring-shaped ceramic frame, and an external connection terminal in order to dissipate high heat from the high-frequency semiconductor element from the base further through the heat sink plate. The present invention relates to a method of manufacturing a package for housing a semiconductor element .

従来から、例えば、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のシリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子は、作動時の発熱が大きいので、発生する熱を大気中に良好に放散させなければ、装置を正常に作動させることができなくなる恐れがある。そこで、高周波用半導体素子を実装するための半導体素子収納用パッケージは、半導体素子を搭載する部分のキャビティ部が、半導体素子の高周波の領域での電気特性を悪化させないために、略長方形状をした高放熱特性を有する金属板からなるヒートシンク板上に形成された半導体素子実装領域をセラミック製のリング状枠体で囲繞するように接合して形成されている。そして、半導体素子収納用パッケージは、半導体素子が実装された後、蓋体でキャビティ部を気密に封止するようになっている。また、高周波信号は、セラミック製のリング状枠体の一方の主面である上面に接合された外部接続端子を介して入出力されるようになっている。そして、半導体素子が封止された半導体素子収納用パッケージは、ヒートシンク板に放熱された熱を更に外部に放熱させるための基台に、ヒートシンク板の略長方形状の長手方向の両端部に形成されている切り欠き部や、貫通孔にねじが取り付けられてねじ止めして固定される。 Conventionally, for example, silicon for RF (Radio Frequency) base stations and high-frequency, high-power semiconductor elements such as gallium arsenide field-effect transistors generate large amounts of heat during operation, so the generated heat is good in the atmosphere. Otherwise, the device may not be able to operate normally. Therefore, a package for housing a semiconductor element for mounting a high-frequency semiconductor element has a substantially rectangular shape so that the cavity portion of the part on which the semiconductor element is mounted does not deteriorate the electrical characteristics in the high-frequency region of the semiconductor element. A semiconductor element mounting region formed on a heat sink plate made of a metal plate having high heat dissipation characteristics is joined and surrounded by a ceramic ring-shaped frame. The semiconductor device package for housing, after the semiconductor element is mounted, so as to seal the cavity hermetically by the lid. The high-frequency signal is input / output via an external connection terminal joined to the upper surface which is one main surface of the ceramic ring-shaped frame. The semiconductor element storage package in which the semiconductor elements are sealed is formed on both ends of the substantially rectangular shape of the heat sink plate on the base for further radiating the heat radiated to the heat sink plate to the outside. Screws are attached to the cutouts and through-holes, and fixed by screwing.

図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来の半導体素子収納用パッケージ５０は、セラミックと熱膨張係数が近似し、しかも熱伝導率の高い、例えば、銅タングステン（Ｃｕ−Ｗ）系の複合金属板からなるヒートシンク板５１と、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等からなるセラミック製のリング状枠体５２を用い、ヒートシンク板５１の一方の主面の中央部に、リング状枠体５２をその一方の主面側に形成されたメタライズパターン上にＡｇ−Ｃｕろう５３を介して載置し、加熱炉で加熱するろう付け接合で形成している。また、このろう付け接合に併せて、リング状枠体５２には、外部と接続するための金属部材からなる外部接続端子５４をリング状枠体５２の他方の主面側に形成されたメタライズパターン上にＡｇ−Ｃｕろう５３を介して載置し、加熱炉で加熱するろう付け接合で形成している。更に、ヒートシンク板５１とリング状枠体５２及び外部接続端子５４の金属表面には、Ｎｉめっき及びＡｕめっきを施している。また、ヒートシンク板５１の長手方向の両端部には、ヒートシンク板５１からの熱を更に外部に放熱させるための基台５５に取り付けてねじ５６でねじ止めして固定するための切り欠きや、貫通孔等からなる取付部５７を設けている。 As shown in FIGS. 4A and 4B, the conventional semiconductor element housing package 50 has a thermal expansion coefficient similar to that of ceramic and has a high thermal conductivity, for example, a copper tungsten (Cu-W) system. A heat sink plate 51 made of a composite metal plate and a ceramic ring frame 52 made of alumina (Al ₂ O ₃ ) or the like, and a ring frame 52 in the center of one main surface of the heat sink plate 51. Is formed on the metallized pattern formed on the one main surface side through an Ag—Cu brazing 53, and is formed by brazing joining heated in a heating furnace. In addition to this brazing, the ring-shaped frame 52 has a metallized pattern in which an external connection terminal 54 made of a metal member for connection to the outside is formed on the other main surface side of the ring-shaped frame 52. It is placed by Ag-Cu brazing 53 on the top and formed by brazing joining that is heated in a heating furnace. Further, Ni plating and Au plating are applied to the metal surfaces of the heat sink plate 51, the ring-shaped frame 52 and the external connection terminal 54. Further, at both ends in the longitudinal direction of the heat sink plate 51, a notch for attaching to a base 55 for further dissipating the heat from the heat sink plate 51 to the outside and fixing with a screw 56 is fixed. A mounting portion 57 made of a hole or the like is provided.

電子部品用パッケージには、ヒートシンク板の長手方向の両端部に突起を設け、この突起を支点にし突起部から若干内側の両端部をねじで締め付けて、ヒートシンク板の長手方向の中央部を基台に密接させるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、半導体パッケージ装置には、ヒートシンク板と基台の間の放熱特性や、電気的特性を向上させることを目的に、ヒートシンク板と基台の間にインジウムシートを挟んでねじで締め付けているものが提案されている（例えば、特許文献２参照）。セラミック基板に放熱用のヒートシンク板を接合する回路基板には、本質的に反りのないセラミック基板を一方向に撓ませながら凸面側にヒートシンク板、凹面側に金属回路又は回路用金属板を接合する回路基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
特開平４−２３３７５２号公報特開２００１−２３０３４９号公報特開平１０−２４７７６３号公報 The electronic component package has projections at both ends in the longitudinal direction of the heat sink plate, with the projections as fulcrums and tightening both ends slightly inside from the projection with screws, and the center in the longitudinal direction of the heat sink plate is the base Have been proposed (see, for example, Patent Document 1). Also, in semiconductor package devices , an indium sheet is sandwiched between the heat sink plate and the base and tightened with screws for the purpose of improving heat dissipation characteristics and electrical characteristics between the heat sink plate and the base. Has been proposed (see, for example, Patent Document 2). A circuit board that bonds a heat sink plate for heat dissipation to a ceramic substrate is bonded to a heat sink plate on the convex side and a metal circuit or circuit metal plate to the concave side while bending the ceramic substrate that is essentially free of warping in one direction. A method of manufacturing a circuit board has been proposed (see, for example, Patent Document 3).
Japanese Patent Laid-Open No. 4-237552 JP 2001-230349 A Japanese Patent Laid-Open No. 10-247763

しかしながら、前述したような従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、次のような問題がある。
（１）金属製のヒートシンク板や、外部接続端子の熱膨張係数は、セラミック製のリング状枠体の熱膨張係数に近似させてはいるが、完全に一致させることが難しいので、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材でろう付け接合を行うときに接合部に応力が発生し、接合して形成した接合体に反りが発生するのを防止することができない。また、半導体素子の高周波化によって、半導体素子の高発熱化が進み、ヒートシンク板には、更なる高熱伝率を有する材料が要求されているが高熱伝率になればなるほど熱膨張係数が上昇するので、接合体の反りが大きくなる問題が発生している。そこで、決められた許容範囲を超える反りが発生した接合体は、反りの選別検査を行い許容範囲内のみを検出して半導体素子収納用パッケージとしている。特に、ヒートシンク板の基台との接合面である底面の反りの形態が凹形状となる場合には、基台に取り付けた時に基台との間に空間が発生し、半導体素子の放熱特性や、電気的特性が低下するので、凸形状のもののみを検出せざるを得ない。従って、従来の半導体素子収納用パッケージの製造方法では、選別工程が必要となると同時に歩留まりの低下をきたし、半導体素子収納用パッケージのコスト高となっている。
（２）ヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設け、基台にねじ止めする場合には、ヒートシンク板の長手方向の端部に突起を設ける程のエリアが殆どなく、ヒートシンク板を基台に密接させる効果を引き出すことが難しい。
（３）ヒートシンク板と基台の間にインジウムシートを挟み込んでねじ止めする場合には、インジウムシートが高価であり、半導体素子収納用パッケージのコスト高となっている。また、インジウムシートのような介在物を組み立て段階で使用することは、シートの取り扱いが容易でなく、組み立て工程の時間が長くなり、半導体素子収納用パッケージのコスト高となっている。
（４）本質的に反りのないセラミック基板を一方向に撓ませながら凸面側にヒートシンク板を接合する方法は、セラミック基板が平板からなる場合には可能であるが、セラミック製のリング状枠体の場合には作製するのが難しい。また、接合後には、セラミック基板に機械的な応力が残存し、そこにセラミックとヒートシンク板の熱膨張係数の差からくる熱応力が更に加わった時にセラミックの破壊が発生しやすくなる。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、放熱特性や、電気的特性に優れた熱応力によるセラミックの破壊の発生のない安価な半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供することを目的とする。 However, the conventional method for manufacturing a semiconductor element storage package as described above has the following problems.
(1) Although the thermal expansion coefficient of the metal heat sink plate and the external connection terminal is approximated to the thermal expansion coefficient of the ceramic ring-shaped frame, it is difficult to make it completely coincide with each other. When brazing and joining is performed with a high-temperature brazing material such as brazing, it is impossible to prevent stress from being generated in the joint portion and warping of the joined body formed by joining. In addition, due to the higher frequency of semiconductor elements, higher heat generation of semiconductor elements has progressed, and materials having higher heat conductivity are required for heat sink plates. However, the higher the heat conductivity, the higher the coefficient of thermal expansion. Therefore, there is a problem that the warpage of the joined body increases. Therefore, it conjugates warpage exceeding the permissible range determined occurs is a package for housing semiconductor chip to detect only within the allowable range perform screening inspection warpage. In particular, when the shape of the warp of the bottom surface, which is the joint surface with the base of the heat sink plate, is concave, a space is generated between the base and the base when attached to the base, Since the electrical characteristics are deteriorated, only the convex shape must be detected. Therefore, in the conventional method for manufacturing a semiconductor device housing package, a sorting step is required, and at the same time, the yield is lowered, and the cost of the semiconductor device housing package is increased.
(2) When a projection is provided at the end of the heat sink plate in the longitudinal direction and screwed to the base, there is almost no area to provide a projection at the end of the heat sink plate in the longitudinal direction. It is difficult to bring out the effect of close contact.
(3) When an indium sheet is sandwiched between the heat sink plate and the base and screwed, the indium sheet is expensive, which increases the cost of the package for housing a semiconductor element . Further, using an inclusion such as an indium sheet in the assembly stage makes it difficult to handle the sheet, lengthens the assembly process, and increases the cost of the package for housing a semiconductor element .
(4) The method of joining the heat sink plate to the convex surface side while bending the ceramic substrate having essentially no warp in one direction is possible when the ceramic substrate is made of a flat plate. In this case, it is difficult to produce. Further, after the joining, mechanical stress remains on the ceramic substrate, and when the thermal stress resulting from the difference in thermal expansion coefficient between the ceramic and the heat sink plate is further applied, the ceramic is liable to break down.
The present invention has been made in view of such circumstances, and provides an inexpensive method for manufacturing a package for housing a semiconductor element without causing ceramic destruction due to thermal stress excellent in heat dissipation characteristics and electrical characteristics. With the goal.

前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージの製造方法は、長方形状の金属製のヒートシンク板の一方の主面にセラミック製のリング状枠体の一方の主面を接合し、リング状枠体の他方の主面に外部接続端子を接合してなる接合体のリング状枠体の開口部のヒートシンク板上に半導体素子を実装するためのキャビティ部を有しヒートシンク板の他方の主面を放熱用の基台に当接する半導体素子収納用パッケージの製造方法において、接合体を載置するための平面状の治具板上に熱可塑性樹脂を載置すると共に、熱可塑性樹脂が載置された治具板と、ヒートシンク板の長手方向両端部のキャビティ部側表面の間にそれぞれスペーサーを介して接合体をブリッジ状に載置する工程と、ヒートシンク板の他方の主面の長手方向中央部から押圧しスペーサーを支点として接合体を撓めると共に、熱可塑性樹脂を加熱して接合体と治具板間の隙間に熱可塑性樹脂を充填した後、常温に戻して接合体を治具板上に接合する工程と、治具板上に接合された接合体のヒートシンク板の他方の主面を平面状に研削する工程と、基台に当接させるためのヒートシンク板の他方の主面を長手方向両端部から中心線部にかけて突出し中心線部で最大突出部となる曲面凸形状とするために、熱可塑性樹脂を加熱して接合体を治具板から取り外して接合体の撓みを解放すると共に、熱可塑性樹脂を剥離、除去する工程を有する。 The method of manufacturing a semiconductor element storage package according to the present invention along the aim is to join the one main surface of the ceramic ring frame on one main surface of the metal heat sink plate of rectangular shape, a ring A cavity part for mounting a semiconductor element on the heat sink plate of the opening of the ring-shaped frame body of the joined body formed by joining the external connection terminals to the other main surface of the shaped frame body. In the method for manufacturing a package for housing a semiconductor element in which the surface abuts against a base for heat dissipation, a thermoplastic resin is placed on a flat jig plate for placing a joined body, and the thermoplastic resin is placed on the flat jig plate. A step of placing the joined body in a bridge shape between the placed jig plate and the cavity side surfaces of both ends in the longitudinal direction of the heat sink plate, and the longitudinal direction of the other main surface of the heat sink plate Central part Press and bend the joined body using the spacer as a fulcrum, heat the thermoplastic resin to fill the gap between the joined body and the jig plate with the thermoplastic resin, return to room temperature, and place the joined body on the jig plate A step of grinding the other main surface of the heat sink plate of the joined body bonded onto the jig plate into a planar shape, and the other main surface of the heat sink plate for contacting the base In order to have a curved convex shape that protrudes from both ends in the direction to the center line and becomes the maximum protrusion at the center line, the bonded body is removed from the jig plate by heating the thermoplastic resin and releasing the bending of the bonded body And a step of peeling and removing the thermoplastic resin.

請求項１記載の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、接合体を載置するための平面状の治具板上に熱可塑性樹脂を載置すると共に、熱可塑性樹脂が載置された治具板と、ヒートシンク板の長手方向両端部のキャビティ部側表面の間にそれぞれスペーサーを介して接合体をブリッジ状に載置する工程と、ヒートシンク板の他方の主面の長手方向中央部から押圧しスペーサーを支点として接合体を撓めると共に、熱可塑性樹脂を加熱して接合体と治具板間の隙間に熱可塑性樹脂を充填した後、常温に戻して接合体を治具板上に接合する工程と、治具板上に接合された接合体のヒートシンク板の他方の主面を平面状に研削する工程と、熱可塑性樹脂を加熱して接合体を治具板から取り外して接合体の撓みを解放すると共に、熱可塑性樹脂を剥離、除去する工程を有するので、セラミックに機械的な応力を残すことなく基台に当接させるためのヒートシンク板の他方の主面を長手方向両端部から中心線部にかけて突出し中心線部で最大突出部となる曲面凸形状として基台に密着させることができ、容易に安定して半導体素子の放熱特性や、電気的特性を向上させることができる半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供できる。また、ヒートシンク板の他方の主面が凸形状となるものを得るための選別工程の必要がなく、歩留まりの低下も発生しないので、安価な半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供できる。更に、ヒートシンク板に突起を設けたり、ヒートシンク板と基台との間にインジウムシートを必要としないので、半導体素子収納用パッケージを安価にすることができる半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供できる。 The manufacturing method of a package for housing a semiconductor element according to claim 1, wherein a thermoplastic resin is placed on a flat jig plate for placing a joined body, and a jig on which the thermoplastic resin is placed. A step of placing the joined body in a bridge shape between the plate and the cavity side surface at both ends in the longitudinal direction of the heat sink plate, and pressing from the longitudinal central portion of the other main surface of the heat sink plate The joined body is bent using the spacer as a fulcrum, and the thermoplastic resin is heated to fill the gap between the joined body and the jig plate with the thermoplastic resin, and then returned to room temperature to join the joined body onto the jig plate. A step of grinding the other main surface of the heat sink plate of the joined body joined on the jig plate into a flat shape, and removing the joined body from the jig plate by heating the thermoplastic resin. Release the deflection and remove the thermoplastic resin. , The other main surface of the heat sink plate for contacting the base without leaving mechanical stress on the ceramic protrudes from both longitudinal ends to the center line portion, and protrudes at the center line portion to the maximum It is possible to provide a manufacturing method of a package for housing a semiconductor element, which can be brought into close contact with a base as a curved convex shape to be a part, and can easily and stably improve heat dissipation characteristics and electrical characteristics of a semiconductor element . In addition, since there is no need for a sorting step for obtaining a convex shape on the other main surface of the heat sink plate, and no yield reduction occurs, an inexpensive method for manufacturing a package for housing semiconductor elements can be provided. Additionally, or provided with projections to the heat sink plate, does not require the indium sheet between the heat sink plate and the base, can provide a method of manufacturing a semiconductor device package for housing can be inexpensive semiconductor device package for housing .

続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの製造方法で作製される半導体素子収納用パッケージの平面図、正面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法で作製される半導体素子収納用パッケージに半導体素子が実装されて基台に取り付けられる説明図、図３（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法の一部の説明図である。 Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings to provide an understanding of the present invention.
Here, FIG. 1 (A), (B) is a plan view of the semiconductor device housing package prepared by the method of manufacturing a semiconductor device package for housing according to an embodiment of the present invention, respectively, a front view, FIG. 2 ( a), (B) description is being respectively the semiconductor element to the semiconductor element accommodating package prepared by the manufacturing method of the semiconductor device housing package implements attached to the base, and FIG. 3 (a) ~ (D) is part of the illustration of the manufacturing method of each the semiconductor device package for housing.

図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの製造方法で作製される半導体素子収納用パッケージ１０は、実装される高周波用の半導体素子から発生する高温、且つ大量の熱を放熱するための高放熱特性を有し、セラミックと熱膨張係数が近似する略長方形板状の金属板からなるヒートシンク板１１の一方の主面に、セラミック製のリング状枠体１２の一方の主面を、高温ろう材１３でろう付け接合して有している。また、半導体素子収納用パッケージ１０は、リング状枠体１２の他方の主面である上面に、半導体素子１９（図２（Ａ）参照）をリング状枠体１２の開口部の壁面とヒートシンク板１１の一方の主面とで形成されるキャビティ部１４に搭載して電気的に接続し、外部との電気的導通を行うための金属板からなるリードフレーム形状の外部接続端子１５を高温ろう材１３でろう付け接合して有している。更に、ヒートシンク板１１の長手方向の両端部には、基台２０（図２（Ｂ）参照）にねじ２１（図２（Ａ）、（Ｂ）参照）でねじ止めして取り付けるための切り欠きや、貫通孔等からなる取付部１６を有している。そして、このヒートシンク板１１と、リング状枠体１２、及び外部接続端子１５とで、接合体１７を形成している。 Figs. 1 (A), (B), the semiconductor element storage package 10 is manufactured by the manufacturing method of the semiconductor element storage package according to an embodiment of the present invention, a semiconductor high-frequency implemented On one main surface of the heat sink plate 11 made of a substantially rectangular plate-like metal plate having a high heat dissipation characteristic for radiating a high temperature and a large amount of heat generated from the element and having a thermal expansion coefficient similar to that of the ceramic, One main surface of the ring-shaped frame body 12 is made by brazing with a high-temperature brazing material 13. Further, the semiconductor element storage package 10 has the semiconductor element 19 (see FIG. 2A) on the upper surface which is the other main surface of the ring-shaped frame 12, and the wall surface of the opening of the ring-shaped frame 12 and the heat sink plate. The lead frame-shaped external connection terminal 15 made of a metal plate for mounting and electrically connecting to a cavity portion 14 formed with one main surface 11 and electrically connecting to the outside is used as a high-temperature brazing material. 13 is brazed and joined. Further, at both ends in the longitudinal direction of the heat sink plate 11, notches for screwing the base 20 (see FIG. 2B) with screws 21 (see FIGS. 2A and 2B) and attaching them. In addition, the mounting portion 16 is formed of a through hole or the like. The heat sink plate 11, the ring-shaped frame body 12, and the external connection terminal 15 form a joined body 17.

この接合体１７からなる半導体素子収納用パッケージ１０の底面側であるヒートシンク板１１の他方の主面は、長手方向の両端部から中心線部にかけて表面側に突出し、中心線部で最大突出部となる曲面凸形状１８を有している。そして、半導体素子収納用パッケージ１０は、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、キャビティ部１４に半導体素子１９がダイボンドされ、半導体素子１９と外部接続端子１５とがボンディングワイヤ２２で接続された後、樹脂や、セラミックや、金属等からなる蓋体２３を樹脂や、ガラス等の接着材２４で接着してキャビティ部１４内が気密に封止されて、高周波用モジュール基板２５を形成している。この高周波用モジュール基板２５は、半導体素子１９からの発熱をヒートシンク板１１に放熱し、更に、外部に放熱させるための基台２０に、ヒートシンク板１１に設けられている取付部１６にねじ２１を挿通させてねじ止めして固定される。このねじ止めを行った時に、半導体素子収納用パッケージ１０のヒートシンク板１１の他方の主面は、少なくとも、キャビティ部１４内に実装された半導体素子１９の実装エリア部に相当する部分が基台２０に密接することができる曲面凸形状１８を有している。 The other main surface of the heat sink plate 11, which is the bottom surface side of the semiconductor element housing package 10 composed of the joined body 17, projects to the surface side from both longitudinal end portions to the center line portion, and the center line portion has a maximum projecting portion. And has a curved convex shape 18. As shown in FIGS. 2A and 2B, the semiconductor element storage package 10 is die-bonded to the cavity portion 14 so that the semiconductor element 19 and the external connection terminal 15 are connected by the bonding wire 22. After that, the lid 23 made of resin, ceramic, metal, or the like is bonded with an adhesive 24 such as resin or glass, and the cavity portion 14 is hermetically sealed to form the high frequency module substrate 25. is doing. The high frequency module substrate 25 radiates heat generated from the semiconductor element 19 to the heat sink plate 11, and further attaches screws 21 to the mounting portion 16 provided on the heat sink plate 11 on the base 20 for radiating heat to the outside. It is inserted and fixed with screws. When this screwing is performed, the other main surface of the heat sink plate 11 of the semiconductor element storage package 10 has at least a portion corresponding to the mounting area portion of the semiconductor element 19 mounted in the cavity portion 14 as the base 20. It has a curved convex shape 18 that can be in close contact with.

次いで、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ１０の製造方法を説明する。
先ず、半導体素子収納用パッケージ１０を形成する接合体１７に用いられる各部材について、説明する。接合体１７を形成するためのヒートシンク板１１は、熱膨張係数をセラミックの熱膨張係数と近似させ、熱伝導率の高い高放熱特性を有する、例えば、ポーラス状のタングステン（Ｗ）に銅（Ｃｕ）を含浸させたりして作製されるＣｕ−Ｗ系の複合金属板や、Ｃｕとモリブデン（Ｍｏ）からなるＣｕ−Ｍｏ系の合金金属板や、Ｃｕ−Ｍｏ系複合金属板の両面にＣｕ板をクラッドしたＣｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕの接合板等から形成されている。ヒートシンク板１１の選定には、放熱特性を向上させるために、熱伝導性のよいＣｕの比率を高めたものを用いることが有効であるが、Ｃｕは熱膨張係数が高いので、セラミックとの熱膨張係数の整合性を図るためのＣｕ以外の材料選定や、Ｃｕと他の金属との板材としての構造が重要となる。そして、ヒートシンク板１１は、切削加工や、粉末冶金等の手法を用いて基台２０にねじ止め固定するための取付部１６を設けて、実質的に長方形状に形成されている。なお、因みに、ヒートシンク板１１がＣｕ−Ｗの場合は、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、熱膨張係数が７．８×１０^−６／Ｋ（３０〜８００℃）程度であり、Ｃｕ／Ｃｕ−Ｍｏ／Ｃｕ（厚さ比率＝２：３：２）の場合は、熱伝導率が２６０Ｗ／ｍ・Ｋ程度、熱膨張係数が９．２×１０^−６／Ｋ（３０〜８００℃）程度であるので、接合体１７の許容反りと許容放熱特性に合わせて材料の選定がなされている。 Next, a method for manufacturing the semiconductor element storage package 10 according to an embodiment of the present invention will be described.
First, each member used for the joined body 17 forming the semiconductor element housing package 10 will be described. The heat sink plate 11 for forming the joined body 17 has a thermal expansion coefficient approximate to that of ceramic and has high heat dissipation characteristics with high thermal conductivity, for example, porous tungsten (W) and copper (Cu Cu-W-based composite metal plates prepared by impregnating a Cu-Mo-based composite metal plate, Cu-Mo-based alloy metal plates made of Cu and molybdenum (Mo), and Cu plates on both sides of the Cu-Mo-based composite metal plate. Is formed from a Cu / Cu—Mo / Cu bonding plate or the like clad. In selecting the heat sink plate 11, it is effective to use a material having a high ratio of Cu having good thermal conductivity in order to improve heat dissipation characteristics. However, since Cu has a high thermal expansion coefficient, Material selection other than Cu for achieving consistency of expansion coefficients, and a structure as a plate material of Cu and another metal are important. The heat sink plate 11 is formed in a substantially rectangular shape by providing a mounting portion 16 for screwing and fixing to the base 20 using a technique such as cutting or powder metallurgy. Incidentally, when the heat sink plate 11 is Cu—W, the thermal conductivity is about 220 W / m · K, the thermal expansion coefficient is about 7.8 × 10 ⁻⁶ / K (30 to 800 ° C.), and Cu / Cu—Mo / Cu (thickness ratio = 2: 3: 2), the thermal conductivity is about 260 W / m · K, and the thermal expansion coefficient is 9.2 × 10 ⁻⁶ / K (30 to 800 ° C. Therefore, the material is selected in accordance with the allowable warpage and allowable heat dissipation characteristics of the joined body 17.

次に、接合体１７を形成するためのリング状枠体１２は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や、低温焼成セラミック等からなるセラミックから形成されている。リング状枠体１２がセラミックの一例であるＡｌ_２Ｏ_３からなる場合には、先ず、Ａｌ_２Ｏ_３粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製している。次いで、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み０．２５ｍｍのロール状のシートを形成し、適当なサイズの矩形状に切断したセラミックグリーンシートを作製する。 Next, the ring-shaped frame 12 for forming the joined body 17 is made of ceramic made of alumina (Al ₂ O ₃ ), aluminum nitride (AlN), low-temperature fired ceramic, or the like. When the ring-shaped frame 12 is made of Al ₂ O ₃ which is an example of ceramic, first, dioctyl phthalate is added to a powder obtained by adding an appropriate amount of a sintering aid such as magnesia, silica, calcia to Al ₂ O ₃ powder. A plasticizer such as acrylic resin, a binder such as acrylic resin, and a solvent such as toluene, xylene, and alcohols are added, kneaded sufficiently, and defoamed to prepare a slurry having a viscosity of 2000 to 40000 cps. Next, for example, a roll-shaped sheet having a thickness of 0.25 mm is formed by a doctor blade method or the like, and a ceramic green sheet cut into a rectangular shape having an appropriate size is produced.

１又は複数枚のセラミックグリーンシートには、窓枠形状のリング状になるように中空部を打ち抜き加工すると共に、タングステンや、モリブデン等の高融点金属からなる金属導体ペーストを用いて、リング状枠体１２の下面側が一方の主面、上面側が他方の主面となるようにスクリーン印刷してそれぞれ金属導体パターンを形成する。また、セラミックグリーンシートが複数枚の場合には、積層して積層体の一方の主面、及び他方の主面が金属導体パターンとなるようにスクリーン印刷して形成する。そして、高融点金属とセラミックグリーンシートを還元雰囲気中で同時焼成して両表面に金属導体パターンを有するリング状枠体１２を作製する。なお、一方の表面の金属導体パターンは、ヒートシンク板１１とリング状の全周にわたってろう付け接合するためにリング状枠体１２の下面全周面に形成されている。また、因みに、Ａｌ_２Ｏ_３の熱膨張係数は、６．７×１０^−６／Ｋ程度であり、ヒートシンク板１１と近似はしているが一致させることは難しいので、基本的に接合後の反りの発生を防止することが難しい。 In one or more ceramic green sheets, a hollow portion is punched into a ring shape of a window frame shape, and a metal conductor paste made of a refractory metal such as tungsten or molybdenum is used to form a ring frame. The metal conductor pattern is formed by screen printing so that the lower surface side of the body 12 is one main surface and the upper surface side is the other main surface. Further, when there are a plurality of ceramic green sheets, they are laminated and screen-printed so that one main surface and the other main surface of the laminate are metal conductor patterns. Then, a refractory metal and a ceramic green sheet are simultaneously fired in a reducing atmosphere to produce a ring-shaped frame 12 having metal conductor patterns on both surfaces. The metal conductor pattern on one surface is formed on the entire peripheral surface of the lower surface of the ring-shaped frame 12 so as to be brazed and joined to the heat sink plate 11 over the entire ring-shaped periphery. In addition, the thermal expansion coefficient of Al ₂ O ₃ is about 6.7 × 10 ⁻⁶ / K, and although it is approximate to the heat sink plate 11 but is difficult to match, basically, after joining, It is difficult to prevent warping.

次に、接合体１７を形成するための外部接続端子１５は、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等のセラミックと熱膨張係数が近似する金属部材からなり、切削加工や、エッチング加工や、打ち抜き加工等で１つの半導体素子収納用パッケージ１０に備える複数の外部接続端子１５をタイバー部で支え持つようにしたリードフレーム形状に形成されている。なお、因みに、ＫＶの熱膨張係数は、５．３×１０^−６／Ｋ程度であり、セラミックの熱膨張係数に近似させている。 Next, the external connection terminals 15 for forming the joined body 17 are ceramics such as KV (Fe—Ni—Co alloy, trade name “Kovar”) and 42 alloy (Fe—Ni alloy). Lead having a tie bar portion supporting a plurality of external connection terminals 15 provided in one semiconductor element housing package 10 by cutting, etching, punching, or the like. It is formed in a frame shape. Incidentally, the thermal expansion coefficient of KV is about 5.3 × 10 ⁻⁶ / K, which is approximated to the thermal expansion coefficient of ceramic.

次いで、ヒートシンク板１１と、リング状枠体１２、及び外部接続端子１５を接合して形成する接合体１７の作製方法を説明する。先ず、ヒートシンク板１１の全表面、リング状枠体１２の両面の金属導体パターンの表面、及び外部接続端子１５の全表面には、それぞれＮｉや、Ｎｉ合金等からなる第１のＮｉめっきを施す。次に、ヒートシンク板１１の平面形状からなる一方の主面の中央部に、例えば、ＢＡｇ−８（Ａｇが７２％と、残部がＣｕからなる共晶合金）等のＡｇ−Ｃｕろうからなるリング状枠体１２の形状に合わせたリング状の高温ろう材１３を介してリング状枠体１２の下面側である一方の主面を当接させて載置し、約７８０〜９００℃で加熱してろう付け接合している。次に、リング状枠体１２の上面側である他方の主面に、例えば、ＢＡｇ−８等のＡｇ−Ｃｕろうからなる高温ろう材１３を介して外部接続端子１５の先端部の下面側を当接させて載置し、約７８０〜９００℃で加熱してろう付け接合している。このヒートシンク板１１と、リング状枠体１２の接合、及びリング状枠体１２と外部接続端子１５の接合によって、接合体１７を形成している。なお、接合体１７の形成は、ヒートシンク板１１と、リング状枠体１２の接合、及びリング状枠体１２と外部接続端子１５の接合を同時に行って形成することもできる。次に、接合体１７の外表面に露出する全金属表面上には、第２のＮｉめっきが施され、更に、Ｎｉめっき上にＡｕめっきが施される。上記のようにして形成された接合体１７は、高周波用の半導体素子１９を実装するために、リング状枠体１２の開口部とヒートシンク板１１の一方の主面とで形成されているキャビティ部１４を有し、ヒートシンク板１１の他方の主面が放熱用の基台２０に当接できる半導体素子収納用パッケージ１０として形成されている。 Next, a method for producing the joined body 17 formed by joining the heat sink plate 11, the ring-shaped frame body 12, and the external connection terminal 15 will be described. First, the first Ni plating made of Ni, Ni alloy, or the like is applied to the entire surface of the heat sink plate 11, the surfaces of the metal conductor patterns on both surfaces of the ring-shaped frame 12, and the entire surface of the external connection terminal 15. . Next, a ring made of an Ag—Cu brazing material such as BAg-8 (eutectic alloy containing 72% Ag and the balance Cu) is provided at the center of one main surface having a planar shape of the heat sink plate 11. The main surface on the lower surface side of the ring-shaped frame 12 is placed in contact with the ring-shaped high-temperature brazing material 13 in accordance with the shape of the frame-shaped frame 12, and heated at about 780 to 900 ° C. Brazed and joined. Next, on the other main surface which is the upper surface side of the ring-shaped frame body 12, the lower surface side of the tip end portion of the external connection terminal 15 is interposed via a high temperature brazing material 13 made of Ag—Cu brazing such as BAg-8. They are placed in contact with each other and heated at about 780 to 900 ° C. for brazing. A joined body 17 is formed by joining the heat sink plate 11 and the ring-shaped frame 12 and joining the ring-shaped frame 12 and the external connection terminal 15. The bonded body 17 can be formed by simultaneously bonding the heat sink plate 11 and the ring-shaped frame body 12 and bonding the ring-shaped frame body 12 and the external connection terminal 15. Next, the second Ni plating is performed on the entire metal surface exposed on the outer surface of the joined body 17, and the Au plating is further performed on the Ni plating. The bonded body 17 formed as described above is a cavity formed by the opening of the ring-shaped frame 12 and one main surface of the heat sink plate 11 for mounting the high-frequency semiconductor element 19. 14, and the other main surface of the heat sink plate 11 is formed as a semiconductor element housing package 10 that can abut against the heat radiating base 20.

次いで、図３（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら、接合体１７のヒートシンク板１１の他方の主面を基台２０に安定して当接させるための作製方法を説明する。
図３（Ａ）に示すように、ヒートシンク板１１、リング状枠体１２、及び外部接続端子１５からなる接合体１７が載置される平面状の治具板２６上には、先ず、熱可塑性樹脂２７を載置する。この熱可塑性樹脂２７は、加熱することで軟化が進み流動性を向上させることができる。そして、この熱可塑性樹脂２７が載置された治具板２６上には、接合体１７のキャビティ部１４側のヒートシンク板１１の長手方向両端部のそれぞれの表面との間に樹脂製や、金属製からなる枕木状の実質的に同じ高さを有するスペーサー２８を介して、接合体１７をブリッジ状に載置する。なお、治具板２６上にスペーサー２８を介して載置される接合体１７のリング状枠体１２と外部接続端子１５からなる厚さは、スペーサー２８の高さより厚いものであってはならない。 Next, a manufacturing method for stably bringing the other main surface of the heat sink plate 11 of the joined body 17 into contact with the base 20 will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 3A, on the flat jig plate 26 on which the joined body 17 composed of the heat sink plate 11, the ring frame 12 and the external connection terminal 15 is placed, first, thermoplastic Resin 27 is placed. This thermoplastic resin 27 can be softened and heated to improve the fluidity. Then, on the jig plate 26 on which the thermoplastic resin 27 is placed, a resin or metal is formed between the surfaces of the heat sink plate 11 on both sides in the longitudinal direction of the heat sink plate 11 on the cavity portion 14 side of the joined body 17. The joined body 17 is placed in a bridge shape through a spacer 28 having a substantially the same height as a sleeper made of a product. It should be noted that the thickness formed by the ring-shaped frame body 12 and the external connection terminal 15 of the joined body 17 placed on the jig plate 26 via the spacer 28 should not be thicker than the height of the spacer 28.

次に、図３（Ｂ）に示すように、治具板２６上にスペーサー２８を介してブリッジ状に載置された接合体１７は、ヒートシンク板１１の他方の主面の長手方向中央部から、加圧機等を用いて押圧し、スペーサー２８を支点として接合体１７を撓めると共に、熱可塑性樹脂２７を治具板２６に予め設けられているヒーターで、あるいは熱可塑性樹脂２７を周囲全体から加熱して接合体１７と治具板２６間の隙間に熱可塑性樹脂２７を充填する。この熱可塑性樹脂２７は、加熱することで軟化し、流動性が向上するので、接合体１７と治具板２６間の隙間を充填すると共に、接合体１７やスペーサー２８の周囲を覆うことができる。この押圧と加熱によって、ヒートシンク板１１の他方の主面は、長手方向両端部から中心線部にかけて凹み、中心線部で最大凹み部となる曲面凹形状となって、接合体１７と治具板２６間の隙間に熱可塑性樹脂２７が充填される。そして、この後、押圧状態のままで熱可塑性樹脂２７を常温に戻すことで、治具板２６上には、ヒートシンク板１１の他方の主面が曲面凹形状として接合される。なお、治具板２６の上面は、定盤（図示せず）上に載置した時に定盤面に対して実質的に平行になるように作製することで、接合体１７をヒートシンク板１１の他方の主面から押圧を開始した時には、スペーサー２８の底面が熱可塑性樹脂２７を周囲に押しやるようにして治具板２６に密接すると共に、ヒートシンク板１１の他方の主面を定盤面に対して実質的に平行にすることができる。 Next, as shown in FIG. 3B, the joined body 17 placed in a bridge shape on the jig plate 26 via the spacer 28 is formed from the longitudinal center of the other main surface of the heat sink plate 11. The bonded body 17 is bent by using a pressure machine or the like and the spacer 28 is used as a fulcrum, and the thermoplastic resin 27 is preliminarily provided on the jig plate 26 or the entire circumference of the thermoplastic resin 27 is removed. And the thermoplastic resin 27 is filled in the gap between the joined body 17 and the jig plate 26. Since the thermoplastic resin 27 is softened by heating and has improved fluidity, the gap between the joined body 17 and the jig plate 26 can be filled and the periphery of the joined body 17 and the spacer 28 can be covered. . By this pressing and heating, the other main surface of the heat sink plate 11 is recessed from both ends in the longitudinal direction to the center line portion, and becomes a curved concave shape that becomes the maximum recess portion at the center line portion, and the joined body 17 and the jig plate A thermoplastic resin 27 is filled in a gap between the 26. Then, the other main surface of the heat sink plate 11 is joined as a curved concave shape on the jig plate 26 by returning the thermoplastic resin 27 to room temperature in the pressed state. The upper surface of the jig plate 26 is fabricated so as to be substantially parallel to the surface plate surface when placed on a surface plate (not shown), so that the joined body 17 is connected to the other side of the heat sink plate 11. When pressing is started from the main surface, the bottom surface of the spacer 28 is in close contact with the jig plate 26 so as to push the thermoplastic resin 27 around, and the other main surface of the heat sink plate 11 is substantially against the surface plate surface. Can be parallel.

次に、図３（Ｃ）に示すように、ヒートシンク板１１の他方の主面が長手方向両端部から中心部にかけて凹み、中心部線部で最大凹み部となる曲面凹形状の状態で治具板２６上に熱可塑性樹脂２７で接合された接合体１７は、定盤と、ダイヤモンド砥粒付き等のグラインダーからなる研削機２９等の定盤（図示せず）上に治具板２６の下面を当接させて載置し、固定される。そして、定盤面上に固定されている接合体１７のヒートシンク板１１の他方の主面は、研削機２９のグラインダーを定盤面に対して高速回転させながら水平移動させる、あるいは、高速回転しているグラインダーに対して定盤面を水平移動させることで、平面状に研削される。なお、この研削は、定盤と、グラインダーからなる研削機２９による方法に限定されるものではなく、例えば、切削盤やフライス盤等を用いる機械加工や、砥粒を用いたラッピングや、研磨等による方法であってもよい。 Next, as shown in FIG. 3 (C), the other main surface of the heat sink plate 11 is recessed from both ends in the longitudinal direction to the central portion, and the jig is in a curved concave shape that becomes the maximum recessed portion at the central portion line portion. The joined body 17 joined on the plate 26 with the thermoplastic resin 27 is provided on the lower surface of the jig plate 26 on a surface plate (not shown) such as a grinding machine 29 composed of a surface plate and a grinder with diamond abrasive grains. Are placed in contact with each other and fixed. The other main surface of the heat sink plate 11 of the joined body 17 fixed on the surface plate surface is horizontally moved while rotating the grinder of the grinding machine 29 at a high speed with respect to the surface plate surface, or is rotated at a high speed. The surface plate surface is moved horizontally with respect to the grinder to be ground flat. The grinding is not limited to a method using a grinding machine 29 composed of a surface plate and a grinder. For example, the grinding is performed by machining using a cutting machine or a milling machine, lapping using abrasive grains, polishing, or the like. It may be a method.

次に、図３（Ｄ）に示すように、治具板２６上に熱可塑性樹脂２７で接合している研削後の接合体１７は、熱可塑性樹脂２７を加熱して取り外している。ヒートシンク板１１の他方の主面からの押圧によって発生した撓みを内在していた接合体１７は、治具板２６から取り外されることで撓みが解放されるので、ヒートシンク板１１の他方の主面が長手方向両端部から中心部にかけて突出し、中心部線部で最大突出部となる曲面凸形状１８の状態となる。接合体１７、治具板２６、及びスペーサー２８に付着している熱可塑性樹脂２７は、溶剤や、剥離液等を用いて剥離、除去している。熱可塑性樹脂２７は、剥離性が優れているので、それぞれから容易には剥離、除去することができる。上記のようにして作製された半導体素子収納用パッケージ１０は、ヒートシンク板１１の他方の主面を長手方向両端部から中心部にかけて突出し、中心部線部で最大突出部となる曲面凸形状１８を有しているので、基台２０密接して当接させることができ、容易に安定して半導体素子の放熱特性や、電気的特性を向上させることができる。 Next, as shown in FIG. 3D, the ground bonded body 17 bonded to the jig plate 26 with the thermoplastic resin 27 is removed by heating the thermoplastic resin 27. Since the joined body 17 having inherent bending caused by pressing from the other main surface of the heat sink plate 11 is released from being removed from the jig plate 26, the other main surface of the heat sink plate 11 is It protrudes from the longitudinal direction both ends to the center, and is in a state of a curved convex shape 18 that becomes the maximum protrusion at the center line portion. The thermoplastic resin 27 adhering to the joined body 17, the jig plate 26, and the spacer 28 is peeled off and removed using a solvent, a stripping solution, or the like. Since the thermoplastic resin 27 has excellent peelability, it can be easily peeled and removed from each. The package 10 for housing a semiconductor element manufactured as described above projects the other main surface of the heat sink plate 11 from both ends in the longitudinal direction to the center, and has a curved convex shape 18 that becomes the maximum protrusion at the center line portion. Therefore, the base 20 can be brought into close contact with each other, and the heat dissipation characteristics and electrical characteristics of the semiconductor element can be improved easily and stably.

本発明の半導体素子収納用パッケージは、シリコンや、ガリウム砒素電界効果トランジスタ等の高周波、高出力の半導体素子を実装し、例えば、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）基地局用等のために用いることができる。 The package for housing a semiconductor element of the present invention mounts a high-frequency, high-power semiconductor element such as silicon or a gallium arsenide field effect transistor, and can be used, for example, for an RF (Radio Frequency) base station.

（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの製造方法で作製される半導体素子収納用パッケージの平面図、正面図である。(A), (B) is a plan view of the semiconductor device housing package prepared by the method of manufacturing a semiconductor device package for housing according to an embodiment of the present invention, respectively, a front view. （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法で作製される半導体素子収納用パッケージに半導体素子が実装されて基台に取り付けられる説明図である。(A), (B) is explanatory drawing with which a semiconductor element is mounted in the semiconductor element accommodation package produced with the manufacturing method of the semiconductor element accommodation package, respectively, and is attached to a base. （Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法の一部の説明図である。(A)-(D) are some explanatory drawings of the manufacturing method of the package for the said semiconductor element accommodation, respectively. （Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の半導体素子収納用パッケージの説明図である。(A), (B) is explanatory drawing of the package for the conventional semiconductor element accommodation, respectively.

１０：半導体素子収納用パッケージ、１１：ヒートシンク板、１２：リング状枠体、１３：高温ろう材、１４：キャビティ部、１５：外部接続端子、１６：取付部、１７：接合体、１８：曲面凸形状、１９：半導体素子、２０：基台、２１：ねじ、２２：ボンディングワイヤ、２３：蓋体、２４：接着材、２５：高周波用モジュール基板、２６：治具板、２７：熱可塑性樹脂、２８：スペーサー、２９：研削機 10: package for housing semiconductor elements , 11: heat sink plate, 12: ring-shaped frame, 13: high-temperature brazing material, 14: cavity portion, 15: external connection terminal, 16: mounting portion, 17: joined body, 18: curved surface Convex shape, 19: semiconductor element, 20: base, 21: screw, 22: bonding wire, 23: lid, 24: adhesive, 25: high frequency module substrate, 26: jig plate, 27: thermoplastic resin , 28: spacer, 29: grinding machine

Claims

Joining by joining one main surface of a ceramic ring-shaped frame to one main surface of a rectangular metal heat sink plate and bonding an external connection terminal to the other main surface of the ring-shaped frame A package for housing a semiconductor element having a cavity for mounting a semiconductor element on the heat sink plate in the opening of the ring-shaped frame of the body, and abutting the other main surface of the heat sink plate on a base for heat dissipation In the manufacturing method of
A thermoplastic resin is placed on a flat jig plate for placing the joined body, and the jig plate on which the thermoplastic resin is placed and both ends of the heat sink plate in the longitudinal direction. A step of placing the joined body in a bridge shape via a spacer between the cavity part side surfaces;
Pressing from the center part in the longitudinal direction of the other main surface of the heat sink plate and bending the joined body using the spacer as a fulcrum, and heating the thermoplastic resin in the gap between the joined body and the jig plate After filling the thermoplastic resin, returning to room temperature and joining the joined body on the jig plate,
Grinding the other main surface of the heat sink plate of the joined body joined on the jig plate into a planar shape;
In order to make the other main surface of the heat sink plate for contacting the base stand from the both ends in the longitudinal direction to the center line portion and to have a curved convex shape that becomes the maximum protrusion at the center line portion, the thermoplastic resin with releasing the deflection of the assembly to remove the conjugate by heating from the jig plate, peeling the thermoplastic resin, a method of manufacturing a semiconductor device package for housing and having a step of removing .