JP4404668B2 - Method for stirring fine particles and surface modification method for abrasive grains using the same - Google Patents
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Description
本発明は、微粒子の撹拌方法およびこれを利用した砥粒の表面改質方法に関する。ここで、本明細書でいう微粒子とは、容器内で粒子を撹拌したときに粒子どうしが凝集して二次粒子を形成するような粒径の小さい粒子をいう。以下、このような微粒子の例として精密研削用の電鋳工具あるいは電着工具に用いられる微粒砥粒を取りあげて説明する。 The present invention relates to a method for stirring fine particles and a surface modification method for abrasive grains using the same. Here, the fine particles referred to in the present specification are particles having a small particle diameter such that when the particles are stirred in a container, the particles aggregate to form secondary particles. Hereinafter, as an example of such fine particles, fine abrasive grains used for electroforming tools or electrodeposition tools for precision grinding will be described.
ダイヤモンド砥粒、cBN砥粒などを用いた電鋳工具あるいは電着工具において、母材または基板に形成される砥粒層は、砥粒が所定の密度で均一に配設されていることが重要であり、このための方策が種々提案されている。一般に電鋳工具あるいは電着工具は、メッキ液中に砥粒を撹拌分散させ母材または基板上に砥粒を沈降させるとともに通電メッキをすることにより母材上に砥粒層を密着形成させるか、または基板上に析出した砥粒層を剥離させることによりシート状の砥粒層を得る方法により製造される。この製造工程において、ダイヤモンド砥粒、cBN砥粒などの砥粒とメッキ液として通常用いられるNiメッキ液やNi−Pメッキ液とはpH領域が近似しているため、メッキ液中での砥粒の凝集が発生しやすく、母材または基板上に析出する砥粒層の砥粒分布は不均質になりやすい。 In electroforming tools or electrodeposition tools using diamond abrasive grains, cBN abrasive grains, etc., it is important that the abrasive grains formed on the base material or the substrate are uniformly arranged with a predetermined density. Various measures for this have been proposed. In general, an electroforming tool or an electrodeposition tool is used to form an abrasive layer on a base material by stirring and dispersing the abrasive grains in a plating solution to allow the abrasive grains to settle on the base material or the substrate and by performing electroplating. Alternatively, it is produced by a method of obtaining a sheet-like abrasive layer by peeling off the abrasive layer deposited on the substrate. In this manufacturing process, diamond grains, cBN abrasive grains, etc., and Ni plating liquid or Ni-P plating liquid, which are usually used as plating liquids, are close in pH range. Agglomeration tends to occur, and the abrasive grain distribution of the abrasive grain layer deposited on the base material or the substrate tends to be inhomogeneous.
そこで、砥粒に特定の表面改質処理を施すことによって砥粒表面の等電点を変化させ、これによってメッキ液のpHと砥粒表面の等電点に差をつけ、微粒砥粒をメッキ液中に均一に分散させる方法が提案されている(特許文献1参照)。この特許文献1においては、砥粒の表面改質処理としてAl2O3などの金属酸化物を被覆する方法が提案されている。 Therefore, by applying a specific surface modification treatment to the abrasive grains, the isoelectric point of the abrasive grain surface is changed, thereby making a difference between the pH of the plating solution and the isoelectric point of the abrasive grain surface and plating the fine abrasive grains. A method for uniformly dispersing in a liquid has been proposed (see Patent Document 1). In Patent Document 1, a method of coating a metal oxide such as Al 2 O 3 is proposed as a surface modification treatment of abrasive grains.
図4は特許文献1に記載の、ダイヤモンド砥粒にAl2O3を高周波スパッタリング法により被覆する装置の構成を示す図である。この装置においては、プロセスガスとしてアルゴンガスを用い、アシストガスとして酸素ガスを用いて、Al2O3をターゲット51から砥粒52の上に被覆する。ターゲット51には導電性がないので、ターゲット51を高周波電源53に接続し、ターゲット51の表面に並行なトンネル状磁界によりイオン化効率をあげるようになっている。さらに、陰極コイル54によって発生する渦巻き状の磁界によりプラズマイオンを加速して被覆率があがるのを加速するようになっている。ステッピングモータ56により円筒状の容器55を回転させ、容器55の中に広がった砥粒52をステンレス鋼ワイヤ57で撹拌する。容器55はステンレス鋼製であり、バイアス電位58を印加してアルゴン衝撃により砥粒52の表面を活性化させるようになっている。
ところで、特許文献1に記載の砥粒表面改質のためのスパッタリング装置は、砥粒を収容する円筒状容器を傾斜させた状態で設置した構造となっている。このため、装置の大型化が困難であり、多量の砥粒に対する表面改質処理には不適当である。また、傾斜した容器の上部側と下部側とではターゲットとの間の距離が変わるために、成膜のレートが異なり、一定の膜厚を維持して表面改質を行うことが難しい。 By the way, the sputtering apparatus for the abrasive grain surface modification described in Patent Document 1 has a structure in which a cylindrical container that contains abrasive grains is installed in an inclined state. For this reason, it is difficult to increase the size of the apparatus, and it is not suitable for surface modification treatment for a large amount of abrasive grains. In addition, since the distance between the target is changed between the upper side and the lower side of the inclined container, the film formation rate is different, and it is difficult to perform surface modification while maintaining a constant film thickness.
また、砥粒は粒径が50μm程度以下の微粒子であるので、回転する容器内で砥粒が撹拌されるときに、砥粒どうしが凝集して二次粒子が形成され、この二次粒子はさらに成長して粒径が大きくなる。二次粒子が混在する砥粒は、その後の電鋳工程あるいは電着工程においてメッキ液中での分散と沈降が不均一となり、母材または基板上に析出する砥粒層の砥粒分布が不均質になる。なお、このような撹拌時における微粒子の凝集と二次粒子の成長は、砥粒の場合に限らず他の微粒子全般に共通する問題である。 Further, since the abrasive grains are fine particles having a particle diameter of about 50 μm or less, when the abrasive grains are stirred in a rotating container, the abrasive grains aggregate to form secondary particles. Growing further increases the particle size. Abrasive grains mixed with secondary particles are non-uniformly dispersed and settled in the plating solution in the subsequent electroforming process or electrodeposition process, and the abrasive distribution of the abrasive layer deposited on the base material or substrate is not uniform. Become homogeneous. It should be noted that such agglomeration of fine particles and growth of secondary particles at the time of stirring are not limited to the case of abrasive grains, but are problems common to other fine particles in general.
本発明の目的は、回転する容器内で微粒子を撹拌するときに、微粒子の撹拌効率を高めるとともに二次粒子の成長を抑制する撹拌方法を提供すること、およびこの撹拌方法をスパッタリング法による砥粒の被覆形成工程に利用して砥粒の二次粒子の成長を抑制するとともに、砥粒の被覆形成の効率をより高める方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a stirring method that increases the stirring efficiency of fine particles and suppresses the growth of secondary particles when stirring the fine particles in a rotating container, and this stirring method is an abrasive by sputtering. The present invention provides a method for suppressing the growth of secondary particles of abrasive grains and further increasing the efficiency of coating formation of abrasive grains.
本発明の微粒子の撹拌方法は、回転する容器に収容した微粒子を撹拌する方法であって、容器の回転軸心を垂直方向にするとともに回転方向を正逆方向に繰り返し複数回切り換えて容器を回転させ、容器内の微粒子層に対して上下動可能な撹拌板を進入させて微粒子を撹拌し、前記撹拌板の少なくとも微粒子層進入部分を容器の回転方向に対して傾斜した形状となし、前記回転方向の切り換えに対応して、前記撹拌板の傾斜部分により微粒子を掬い上げて撹拌する作用と撹拌時に形成された微粒子の二次粒子を破砕する作用とを切り換えることを特徴とする。 The fine particle agitation method of the present invention is a method for agitating fine particles contained in a rotating container, wherein the rotation axis of the container is set to the vertical direction and the rotation direction is repeatedly switched between forward and reverse directions to rotate the container. And stirring the fine particles by entering a stirring plate that can move up and down with respect to the fine particle layer in the container, and at least the fine particle layer entering portion of the stirring plate is inclined with respect to the rotation direction of the container, and the rotation in response to the direction of switching, and wherein the Rukoto switching a function of crushing the secondary particles of the fine particles formed during agitation and effect of stirring fine particles scooped by the inclination portion of the stirring plate.
本発明の微粒子の撹拌方法では、容器の回転方向を正逆方向に切り換えて回転させ、容器内の微粒子層に対して撹拌板を進入させて微粒子を撹拌することにより、微粒子の撹拌効率を高めることができる。さらに、容器の回転方向の切り換えに対応して、撹拌板の傾斜部分により微粒子を掬い上げて撹拌する作用と撹拌時に形成された微粒子の二次粒子を破砕する作用とを切り換える撹拌方法とすることにより、撹拌時に生じる二次粒子の成長を抑制することができる。 In the fine particle agitation method of the present invention, the rotation direction of the container is switched between forward and reverse directions, and the agitation plate is introduced into the fine particle layer in the container to agitate the fine particles, thereby increasing the agitation efficiency of the fine particles. be able to. Furthermore, in accordance with the switching of the rotation direction of the container, a stirring method that switches between the action of scooping up the fine particles by the inclined portion of the stirring plate and the action of crushing the secondary particles of the fine particles formed during the stirring. Therefore, it is possible to suppress the growth of secondary particles generated during stirring.
また本発明の砥粒の表面改質方法では、回転軸心が垂直方向となるように設置した容器の回転を停止した状態での成膜工程と、容器の回転方向を正逆方向に切り換えて回転させ、容器内の砥粒層に対して撹拌板を進入させて砥粒を撹拌する撹拌工程と、容器の回転を停止した状態で容器内の砥粒の露出表面をクリーニングするクリーニング工程とをこの順序で繰り返し複数回実施することにより、砥粒の撹拌効率を高めるとともに、被膜形成による砥粒の表面改質を完全に行うことができる。さらに、容器の回転方向の切り換えに対応して、撹拌板の傾斜部分により砥粒を掬い上げて撹拌する作用と撹拌時に形成された砥粒の二次粒子を破砕する作用とを切り換える撹拌方法とすることにより、撹拌時に生じる二次粒子の成長を抑制することができ、後工程である電鋳工程あるいは電着工程でのメッキ液中の砥粒の分散を均一にすることができる。 In the abrasive grain surface modification method of the present invention, the film forming process in a state where the rotation of the container installed so that the rotation axis is in the vertical direction is stopped, and the rotation direction of the container is switched between the forward and reverse directions. A stirring process of rotating and rotating the abrasive plate in the container to stir the abrasive grains, and a cleaning process of cleaning the exposed surface of the abrasive grains in the container with the rotation of the container stopped By repeating this sequence a plurality of times, it is possible to improve the stirring efficiency of the abrasive grains and completely modify the surface of the abrasive grains by forming a film. Furthermore, in response to switching of the rotation direction of the container, an agitation method for switching between the action of scooping up the abrasive grains by the inclined portion of the agitation plate and the action of crushing the secondary particles of the abrasive grains formed during the agitation By doing so, the growth of secondary particles generated during stirring can be suppressed, and the dispersion of the abrasive grains in the plating solution in the subsequent electroforming process or electrodeposition process can be made uniform.
本発明でいう微粒子とは、容器内で粒子を撹拌したときに粒子どうしが凝集して二次粒子を形成するような粒径の小さい粒子を指す。このような微粒子としては穀物粉、粉末樹脂、鉱物粉、金属粉など各種のものがあるが、ここでは精密研削用の電鋳工具あるいは電着工具に用いられる微粒(粒径50μm程度以下)の砥粒を例として取りあげ、この砥粒の撹拌方法およびこの撹拌方法を利用した砥粒の表面改質方法についての実施形態を説明する。 The fine particles referred to in the present invention refer to particles having a small particle diameter such that when the particles are stirred in a container, the particles aggregate to form secondary particles. Such fine particles include various types such as grain powder, powder resin, mineral powder, metal powder, etc. Here, fine particles (particle size of about 50 μm or less) used for electroforming tools for precision grinding or electrodeposition tools. Taking abrasive grains as an example, an embodiment of a method for stirring the abrasive grains and a method for modifying the surface of the abrasive grains using the stirring method will be described.
スパッタリング法により砥粒の表面に金属または金属酸化物の薄膜を被覆する表面改質においては、砥粒の撹拌が必須である。砥粒の撹拌は、容器に砥粒を収容し、この容器を回転することにより容器内の砥粒を撹拌するのが一般的な方法であるが、従来の撹拌方法では、撹拌時に微粒の砥粒どうしが凝集して二次粒子が形成され、この二次粒子がさらに成長して粒径が大きくなる。二次粒子が混在する砥粒は、その後の電鋳工程あるいは電着工程においてメッキ液中での分散と沈降が不均一となり、母材または基板上に析出する砥粒層の砥粒分布が不均質になる。 In surface modification in which a metal or metal oxide thin film is coated on the surface of the abrasive grains by a sputtering method, stirring of the abrasive grains is essential. The stirring of the abrasive grains is generally carried out by storing the abrasive grains in a container and stirring the abrasive grains in the container by rotating the container. The particles are aggregated to form secondary particles, and the secondary particles further grow to increase the particle size. Abrasive grains mixed with secondary particles are non-uniformly dispersed and settled in the plating solution in the subsequent electroforming process or electrodeposition process, and the abrasive distribution of the abrasive layer deposited on the base material or substrate is not uniform. Become homogeneous.
そこで本発明においては、回転軸心が垂直方向となるように設置した容器に砥粒を収容し、この容器の回転方向を正逆方向に切り換えて回転させ、容器内の砥粒層に対して撹拌板を進入させて砥粒を撹拌する。これにより、砥粒の撹拌効率を高めることができる。さらに望ましくは、撹拌板の少なくとも砥粒層進入部分を容器の回転方向に対して傾斜した形状となし、容器の回転方向の切り換えに対応して、撹拌板の傾斜部分により砥粒を掬い上げて撹拌する作用と撹拌時に形成された砥粒の二次粒子を破砕する作用とを切り換える撹拌方法とする。このような撹拌方法により、撹拌時に生じる二次粒子の成長を抑制して、大きな粒径の二次粒子が混在することがなくなり、後工程でのメッキ液中での分散と沈降が均一になる。 Therefore, in the present invention, the abrasive grains are accommodated in a container installed so that the rotation axis is in the vertical direction, and the rotational direction of the container is switched between the forward and reverse directions to rotate, and the abrasive grains in the container are rotated. The stirring plate is entered to stir the abrasive grains. Thereby, the stirring efficiency of an abrasive grain can be improved. More preferably, at least the abrasive layer entry portion of the stirring plate is inclined with respect to the rotation direction of the container, and the abrasive particles are scooped up by the inclined portion of the stirring plate in response to switching of the rotation direction of the container. The stirring method switches between the stirring action and the action of crushing the secondary particles of the abrasive grains formed during stirring. By such a stirring method, the growth of secondary particles generated during stirring is suppressed, so that secondary particles having a large particle size are not mixed, and dispersion and sedimentation in the plating solution in the subsequent process become uniform. .
さて、スパッタリング法による砥粒の表面改質に上記のような撹拌方法を取り入れたとしても、従来のように容器内の砥粒を撹拌しながら連続的にスパッタリングによる被膜形成を続行する方法では、個々の砥粒によっては被膜が形成されないかまたは不完全な被膜しか形成されないことがある。 Now, even if the above stirring method is incorporated into the surface modification of the abrasive grains by the sputtering method, the method of continuously forming the film by sputtering while stirring the abrasive grains in the container as in the past, Depending on the individual abrasive grains, a film may not be formed or only an incomplete film may be formed.
そこで本発明においては、容器の回転を停止した状態での成膜工程と、容器の回転方向を正逆方向に切り換えて回転させながら砥粒を撹拌する撹拌工程と、容器の回転を停止した状態で容器内の砥粒の露出表面をクリーニングするクリーニング工程とをこの順序で繰り返し複数回実施することにする。このような工程とすることにより、容器内のすべての砥粒に対して完全な被膜を形成させることができ、後工程でのメッキ液中での分散と沈降の均一化が一層向上する。ここで、容器の回転速度は正転時、逆転時とも2〜6min-1程度で、正逆回転の繰り返し回数は2回程度が好適であり、一連の工程の繰り返し回数は300回程度以上とするのが望ましい。 Therefore, in the present invention, the film forming process in a state where the rotation of the container is stopped, the stirring process for stirring the abrasive grains while rotating the container by rotating the rotation direction of the container to the normal direction, and the state where the rotation of the container is stopped The cleaning process for cleaning the exposed surface of the abrasive grains in the container is repeated a plurality of times in this order. By setting it as such a process, a perfect film can be formed with respect to all the abrasive grains in a container, and the dispersion | distribution in a plating liquid and the uniformity of sedimentation in a post process are improved further. Here, the rotation speed of the container is about 2 to 6 min −1 during forward rotation and reverse rotation, and the number of repetitions of forward / reverse rotation is preferably about 2 times, and the number of repetitions of a series of steps is about 300 times or more. It is desirable to do.
図1は、本発明の実施例における高周波マグネトロンスパッタリング装置の構成を示す図である。本実施例装置は、砥粒の表面に金属または金属酸化物の被膜を形成して砥粒の表面改質を行うための装置である。この装置においては、アルゴンガスをプロセスガスとし、ターゲットとして金属酸化物を使用する場合には酸素ガスをアシストガスとして用いる。ターゲット1は高周波電源3に接続され、ターゲット1に平行なトンネル磁界によりイオン化効率をあげる。さらに陰極コイル4によって発生する渦巻き状の磁界がプラズマイオンを加速し、被覆効率を向上させる。これにより、砥粒2の表面上に金属または金属酸化物の薄膜を被覆することができる。
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a high-frequency magnetron sputtering apparatus in an embodiment of the present invention. The apparatus of the present embodiment is an apparatus for forming a metal or metal oxide film on the surface of the abrasive grains to modify the surface of the abrasive grains. In this apparatus, argon gas is used as a process gas, and oxygen gas is used as an assist gas when a metal oxide is used as a target. The target 1 is connected to a high
砥粒2を収容した円筒状の容器5は、回転軸心が垂直方向となるように減圧雰囲気内に設置され、モータ6により回転方向を正逆方向に切り換えて回転される。容器5の回転中はモータ7も回転し、回転軸に設けた偏心カム8および押しばね9の作用によりシャフト10を上下動させ、シャフト10に取り付けられた撹拌板11を上下動させる。これにより撹拌板11は、容器5の回転により移動してくる砥粒層に対して進入させたときに砥粒2を撹拌することになる。容器5をはじめ、偏心カム8、押しばね9、シャフト10、撹拌板11その他の機構部品はすべてステンレス鋼製であり、摺動部材の表面には二硫化モリブデンの皮膜が被覆されている。また、偏心カム8と接触するシャフト10の上部は耐摩耗性の優れた強化材入り樹脂製としている。
The
図2は、撹拌板11の側面からみた形状と砥粒撹拌時の態様を模式的に示す図である。撹拌板11は、側面からみた断面形状が、撹拌板11の下部の砥粒層進入部分が容器5の回転方向に対して傾斜した形状となっている。図2の(a)に示すように、容器5の回転方向が正転方向(右向きの矢印Daで示す)のときは、撹拌板11の傾斜部分11aが容器5内の砥粒2を掬い上げながら砥粒2の撹拌が進行する。砥粒2は撹拌板11の傾斜部分11aの上面に一時的に堆積するが、傾斜部分11aに押し戻され、再度傾斜部分11aの前面に転がり凝集することで二次粒子2aが形成される。しかしこの二次粒子2aは、容器5を逆転させたときに後の電着工程で支障のない程度に小さく破砕される。すなわち同図の(b)に示すように、容器5の回転方向が逆転方向(左向きの矢印Dbで示す)のときは、撹拌板11の傾斜部分11aの下面により二次粒子2aが押し潰され細かく剪断されて破砕され、二次粒子2aはほぼ消滅する。このようにして容器5の正転と逆転を繰り返すことにより、二次粒子2aが残留し成長することを抑制しながら砥粒2の十分な撹拌を行うことができる。
FIG. 2 is a diagram schematically showing the shape seen from the side of the stirring
このような撹拌機構を備えたスパッタリング装置で、砥粒2の表面改質を行う。表面改質の一連の作業は、容器5の回転を停止した状態で砥粒2に被膜を形成する成膜工程と、容器5の正転と逆転を繰り返しながら砥粒2を撹拌する撹拌工程と、容器5の回転を停止した状態で容器5内の砥粒2の露出表面をクリーニングするクリーニング工程の各工程を、この順序で繰り返し複数回実施することである。成膜工程では、砥粒2を収容した容器5の回転を停止した状態でスパッタリング法により砥粒2の表面に被膜を形成する。撹拌工程では、容器5の回転方向を正逆方向に繰り返し複数回切り換えて容器5を回転させ、容器5内の砥粒層に対して撹拌板11を進入させ、砥粒2の二次粒子2aの成長を抑制しながら砥粒2を撹拌する。クリーニング工程では、容器5の回転を停止した状態でバイアス電位12を容器5に印加して、アルゴンガス衝撃により容器5内の砥粒2の露出表面をクリーニングし活性化する。これら一連の工程を多数回繰り返し実施することにより、砥粒2の表面改質が完全に行われる。
The surface modification of the
図3は、上記の方法により表面改質を行った砥粒を使用して、電鋳工程あるいは電着工程におけるメッキ液中の砥粒の分散状態を評価した実験結果を示す図である。実験方法は、アクリル製の円筒容器内にNi−Pメッキ液(pH1.2)を満たし、メッキ液中の砥粒濃度が2.5%となるように表面改質した砥粒を投入し撹拌した後、経時により砥粒が沈降し自然に堆積する厚さを測定した。メッキ液中での砥粒の分散が均一であれば沈降速度が遅く、分散が不均一であれば沈降速度が速いことがわかっているので、経時的な堆積厚さの変化により分散の均一さの程度を判断することができる。ここで、分散の均一化の効果は、上記の表面改質作業の成膜工程と撹拌工程とクリーニング工程の一連の工程の繰り返し回数に影響されることが推測されたので、繰り返し回数を100回単位で増加させて表面改質を行った。実験に用いた砥粒は平均粒径5μmのダイヤモンド砥粒であり、砥粒を収容した容器の回転速度は3min-1、正逆転は2回繰り返し、1回の成膜工程での平均膜厚は約20nmである。 FIG. 3 is a diagram showing an experimental result of evaluating the dispersion state of the abrasive grains in the plating solution in the electroforming process or the electrodeposition process using the abrasive grains whose surface has been modified by the above method. In the experiment method, an acrylic cylindrical container is filled with Ni-P plating solution (pH 1.2), and the abrasive grains whose surface is modified so that the abrasive concentration in the plating solution is 2.5% are added and stirred. Then, the thickness at which the abrasive grains settle and spontaneously accumulate over time was measured. It is known that if the dispersion of the abrasive grains in the plating solution is uniform, the sedimentation rate is slow, and if the dispersion is not uniform, the sedimentation rate is fast. Can be judged. Here, it was estimated that the effect of uniform dispersion was influenced by the number of repetitions of a series of steps of the film-forming step, the stirring step, and the cleaning step of the surface modification operation. Surface modification was performed in increments of units. The abrasive grains used in the experiment were diamond abrasive grains having an average grain size of 5 μm, the rotation speed of the container containing the abrasive grains was 3 min −1 , and the forward / reverse rotation was repeated twice, and the average film thickness in one film forming step. Is about 20 nm.
図3において曲線(イ)は表面改質なしの場合、曲線(ロ)は表面改質工程300回繰り返しの場合、曲線(ハ)は表面改質工程400回繰り返しの場合、曲線(ニ)は表面改質工程500回繰り返しの場合、曲線(ホ)は表面改質工程600回繰り返しの場合の堆積厚さを示す。同図からわかるように、表面改質なしの場合は初期に急激な堆積が生じているのに対し、表面改質した砥粒では繰り返し数300回で沈降速度の低下が確認された。この傾向は表面改質工程の繰り返し回数を増すごとに大きくなり、表面改質の効果が顕著に表れている。このことは、表面改質工程の繰り返し回数を増減することにより、砥粒の表面改質の程度を制御できるということを示している。
In FIG. 3, the curve (A) is when there is no surface modification, the curve (B) is when the surface modification process is repeated 300 times, the curve (C) is when the surface modification process is repeated 400 times, and the curve (D) is In the case of repeating the surface modification process 500 times, the curve (e) shows the deposition thickness in the case of repeating the
以上、砥粒の表面改質を例にとって本発明を説明したが、この撹拌方法は砥粒以外の各種の微粒子の撹拌に適用できるものである。また、この撹拌方法の応用技術としてスパッタリング法による砥粒の表面改質を取りあげたが、砥粒以外の微粒子にも、またスパッタリング法以外の表面改質にも応用することができる。 The present invention has been described above by taking the surface modification of abrasive grains as an example, but this stirring method can be applied to the stirring of various fine particles other than abrasive grains. Further, the surface modification of the abrasive grains by the sputtering method has been taken up as an application technique of this stirring method, but it can also be applied to fine particles other than the abrasive grains and surface modification other than the sputtering method.
1 ターゲット
2 砥粒
2a 二次粒子
3 高周波電源
4 陰極コイル
5 容器
6,7 モータ
8 偏心カム
9 押しばね
10 シャフト
11 撹拌板
11a 傾斜部分
12 バイアス電位
Da,Db 回転方向
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