JP4421701B2

JP4421701B2 - Aluminum foil for electrolytic capacitor electrode

Info

Publication number: JP4421701B2
Application number: JP19297599A
Authority: JP
Inventors: 明橋本; 智明山ノ井; 広一置田; 忠雄藤平
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 1999-07-07
Filing date: 1999-07-07
Publication date: 2010-02-24
Anticipated expiration: 2019-07-07
Also published as: JP2001023870A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電解コンデンサ電極用アルミニウム箔およびその製造方法に関する。
【０００２】
なお、この明細書において、「アルミニウム」の語はアルミニウムおよびその合金の両者を含む意味で用いられる。
【０００３】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に伴い、電子機器に組み込まれる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔についても静電容量の向上が要望されている。
【０００４】
通常、電極箔に使用されるアルミニウム材は、拡面率を高めて静電容量を向上させるためにエッチング処理がなされる。そして、エッチング処理により形成されるエッチングピットの深さが深いほど拡面率が高くなるため、エッチング適性を改善すべくエッチング処理の前工程としてアルミニウム材に様々な処理が施されている。例えば、（１００）結晶方位の調整、アルミニウム材への、Ｐｂ、Ｂｉ等の微量不純物の添加による組成の調整、最終焼鈍前の脱脂洗浄、最終焼鈍前の水和処理と最終焼鈍での結晶性酸化膜の形成処理、最終焼鈍前の酸化処理等である（特公昭５８−３４９２５号，特開平３−１２２２６０号他）。
【０００５】
しかしながら、単にエッチングピットの深さを深くするだけでは電極箔の拡面率の向上が十分ではなく、さらに拡面率を向上させるためには局部エッチング、未エッチング、表面溶解を少なくして、エッチングピットをエッチング面で均一に、かつ高密度に発生させる必要がある。ところが、前述されたような種々の方法では、均一なエッチングピットを発生させるという点で十分ではない。このため、本出願人は、特開平６−１４５９２２号において、電極箔に使用するアルミニウム基材の表面に円柱状あるいは角柱状突起を特定間隔で形成するように制御することにより、拡面率を増大させることを提案した。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特開平６−１４５９２２号に記載されているアルミニウム箔はエッチングによる拡面率の向上を図りうるものであり、その粗面化の方法も種々開示されているものの、種々の方法の中でも効果的に粗面化する方法あるいはその条件については十分に検討されていなかった。
【０００７】
そこで、より効果的な粗面化の方法、条件および粗面化の形態について鋭意検討した結果、それらが明らかとなった。
【０００８】
この発明は、このような技術背景に鑑み、エッチング特性の向上という観点から箔を最も効果的にエッチングピットの発生核を形成させて静電容量を増大しうる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔およびその製造方法の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔は、表面に微細な皮膜欠陥が多数形成されたアルミニウム箔であって、前記皮膜欠陥は、ＪＩＳＨ８６８４皮膜欠陥評価試験において試験液への浸漬時間を３０秒とする以外は該試験による銅析出物として、円相当直径：０．５〜１０μｍ、析出物数：２５０〜１３００個／mm²であることを要旨とする。
【００１０】
また、この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔の製造方法は、アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間圧延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたのち、このアルミニウム箔に少なくとも１回の交流電解エッチングを施し、さらに少なくとも１回のケミカルエッチングを施し、その後に最終焼鈍することを基本要旨とする。
【００１１】
また、前記交流電解エッチングは、交流波形：正弦波、方形波または三角波、周波数：２０〜１０００Ｈｚ、電流密度：０．３５〜４Ａ／ｃｍ²、エッチング電気量：０．２〜１０Ｃ／ｃｍ²の条件で行うことが好ましい。
【００１２】
この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔は、表面に微細な皮膜欠陥が多数形成されており、この微細な皮膜欠陥をエッチングピットの発生核として利用する。ピットの発生核が均一かつ高密度に形成されたアルミニウム箔では、該アルミニウム箔に対するエッチングによる拡面率の向上を確実なものとして静電容量の増大を図ることができる。
【００１３】
このような効果を得るための微細な皮膜欠陥は、ＪＩＳＨ８６８４皮膜欠陥評価試験による銅析出物として、円相当直径：０．５〜１０μｍ、析出物数：２５０〜１３００個／mm²であることを要する。ＪＩＳＨ８６８４皮膜欠陥評価試験とは、アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の変形による耐ひび割れ性試験方法に記載されている皮膜欠陥部の検出方法であり、銅イオンを含む水溶液中にアルミニウム材を浸漬すると皮膜欠陥部（アルミニウム素地露出部）に銅イオンが析出する電気化反応を利用した評価法である。本発明では、ケミカルエッチング後に行い、最終焼鈍後のアルミニウム箔の酸化皮膜の欠陥や薄い部分を検出評価する方法としてこの方法を採用するものである。ただし、ＪＩＳに記載された方法は膜厚数μｍから数十μｍの陽極酸化皮膜の欠陥の評価法であり、試験液への浸漬を５分で行っているが、本発明では、評価する皮膜が薄いので浸漬時間を３０秒として評価している。前記試験により形成される銅析出物の円相当直径が０．５μｍ未満では、皮膜欠陥が多数存在してもピットの発生核としての効果が少なく、１０μｍを超えると局部エッチング性が強くなってピットが均一に分布しなくなる。銅析出物の円相当直径の好ましい下限値は１μｍであり、好ましい上限値は３μｍである。また、析出物数は、２５０個／mm²未満ではピットの発生核としての効果は少なく、１３００個／mm²を超えるとピットの結合が生じて却ってピット数が減少する。析出物数の好ましい下限値は５００個／mm²であり、好ましい上限値は９００個／mm²である。
【００１４】
また、前記電解コンデンサ電極用アルミニウム箔はこの発明の方法により製造される。即ち、最終焼鈍前に交流電解エッチングを行うことによって、箔の表面に微細皮膜欠陥を均一かつ高密度に付与し、さらにケミカルエッチングにより皮膜欠陥を拡大させる。
【００１５】
前記交流電解エッチングは、交流波形：正弦波、方形波または三角波、周波数：２０〜１０００Ｈｚ、電流密度：０．３５〜４Ａ／ｃｍ²、エッチング電気量：０．２〜１０Ｃ／ｃｍ²の条件で行うことが好ましい。
【００１６】
交流電解エッチングを採用するのは、次の理由による。即ち、塩化物を含む水溶液において交流エッチングを行うと、多数の微細な立方体状のエッチセルの連なりからなるポーラスなエッチ層が生じる。このエッチセルの内面は、カソード半サイクルの領域で生じる水酸化物およびアノード半サイクルの領域で生成するアノード皮膜に覆われている。これらの生成物や皮膜はアルミニウムの溶解に対して保護膜として作用するが、その一部が破壊してアルミニウムが溶出し、次の欠陥を有するセルが生成する。この皮膜欠陥を有する微細な凹凸を利用して、最終焼鈍後の直流電解エッチングでのエッチングピットを均一、高密度に形成させることができる。このような作用を有するエッチ層を生成させることから、微細な皮膜欠陥を形成する手段として交流電解エッチングを採用する。
【００１７】
また、交流波形を正弦波、方形波または三角波とするのは、前述の欠陥を有する凹凸を生成させるためのアノードとカソードの交番電流を用いるためである。また、周波数は、２０Ｈｚ未満では形成される皮膜欠陥が少ないために静電容量の増大を見込めず、１０００Ｈｚを超えると皮膜欠陥が粗大となって不均一に形成されてしまい、やはり静電容量の増大を見込めない。従って、周波数は２０〜１０００Ｈｚとする必要があり、好ましい下限値は３０Ｈｚ、好ましい上限値は８００Ｈｚである。電流密度は、０．３５Ａ／ｃｍ²未満ではエッチングピットを均一に生じさせるには形成される皮膜欠陥が少なく、４Ａ／ｃｍ²を超えると、皮膜欠陥が粗大となり不均一に形成されるため、皮膜欠陥を均一に生じさせる効果に乏しい。従って、電流密度は、０．３５〜４Ａ／ｃｍ²とする必要があり、好ましい下限値は０．４Ａ／ｃｍ²である。エッチング電気量は、０．２Ｃ／ｃｍ²未満ではやはり皮膜欠陥を均一に生じさせる効果に乏しく、１０Ｃ／ｃｍ²を超えると皮膜欠陥が粗大で不均一に形成されて、最終焼鈍後のエッチング処理においてエッチング面に垂直方向へのピットの成長を妨げ、全面溶解や不均一溶解につながる。従って、エッチング電気量は、０．２〜１０Ｃ／ｃｍ²とする必要があり、好ましい下限値は０．３Ｃ／ｃｍ²、好ましい上限値は３Ｃ／ｃｍ²である。
【００１８】
なお、交流電解エッチング浴の液組成は限定されないが、塩酸、あるいは塩酸に硫酸、しゅう酸、りん酸、ほう酸を加えた混合酸を推奨でき、浴温として２０〜８０℃を推奨できる。また、交流電解エッチングの回数は、１回行えば良いが、エッチングピットの発生核の形成状態をより良好にするために２回以上行っても良い。また、必要に応じて電解エッチングの前に、箔表面の酸化膜や残存する圧延油を除去するための前処理を行っても良い。
【００１９】
また、交流電解エッチングにより形成された微細皮膜欠陥を拡大させるケミカルエッチングの条件は特に限定されない。交流電解エッチングを行った後、引き続き同じ浴中で処理しても良く、また他の浴で行っても良い。欠陥を拡大させることが目的であるから、浴組成：硫酸０．５wt％＋塩酸１０wt％、浴温：５０℃、エッチング時間：２０〜６０秒を推奨できる。
【００２０】
また、均熱処理、熱間圧延、冷間圧延、最終焼鈍の処理条件も限定されず、常法に従えば良い。また、箔の化学組成も限定されず、通常箔材料として用いられる高純度アルミニウムが好ましく、特に純度９９．９９wt％以上のものが好ましい。
【００２１】
【実施例】
次に、本発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔およびそのの製造方法の具体的実施例について詳述する。
【００２２】
まず、純度９９．９９wt％のアルミニウムスラブに対し、常法により、面削、熱間圧延、冷間圧延を順次施して厚さ１００μｍの箔とした。この箔について、実施例では、浴組成：１０％塩酸＋０．５％硫酸、浴温：５０℃の電解浴中で、表１に示す条件で交流電解エッチングおよび同一浴中でケミカルエッチングを順次行った後、不活性ガス中５００℃×５時間の最終焼鈍を行って電解コンデンサ電極用アルミニウム箔を作製した。また、比較例では、同じ浴中で表２に示す条件でエッチングを行い、あるいはエッチングを行わなかった。
【００２３】
これらのアルミニウム箔について、下記条件でＪＩＳＨ８６８４に基づく皮膜欠陥評価試験を行った。
【００２４】

そして、皮膜欠陥の評価として、日本電子（株）製走査型電子顕微鏡Ｔ２２０Ａにて箔表面を２０００倍に拡大し、４視野０．０６mm²について、日本アビオニクス（株）製画像解析計測ソフト（ｓｐｉｃｃａ II）により、銅析出物の円相当直径および個数を計測した。計測結果を表１および表２に示す。
【００２５】
また、前記各アルミニウム箔を、浴温７５℃、５％塩酸＋１０％硫酸の混合酸浴中で、電流密度０．２Ａ／ｃｍ²、１００秒間の条件で直流電解エッチングを行い、さらに同液で１０分間ケミカルエッチングを行った。次いで、ほう酸浴中で３５０Ｖで化成処理を行い、静電容量を測定した。静電容量は、比較例１を１００％として相対的に評価した。これらの結果を表１および表２に示す。
【００２６】
【表１】

【００２７】
【表２】

【００２８】
表１および表２の結果から、箔表面に所定の皮膜欠陥が形成されているアルミニウム箔では、エッチングにより静電容量を増大しうることを確認した。また、このようなアルミニウム箔は最終焼鈍前に交流電解エッチングを行い、さらにケミカルエッチングを行なうことにより製造できることを確認した。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明の電解コンデンサ電極用アルミニウム箔は、表面に微細な皮膜欠陥が多数形成されたアルミニウム箔であって、前記皮膜欠陥はＪＩＳＨ８６８４皮膜欠陥評価試験において試験液への浸漬時間を３０秒とする以外は該試験による銅析出物として、円相当直径：０．５〜１０μｍ、析出物数：２５０〜１３００個／mm²であるから、箔表面にエッチングピットの発生核が均一かつ高密度に形成された状態であり、最終焼鈍後のエッチングによって確実に拡面率が向上し、静電容量の増大を図ることができる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes and a method for producing the same.
[0002]
In this specification, the term “aluminum” is used to include both aluminum and its alloys.
[0003]
[Prior art]
In recent years, with the miniaturization of electronic devices, there has been a demand for improvement in electrostatic capacity of aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes incorporated in electronic devices.
[0004]
Usually, an aluminum material used for an electrode foil is subjected to an etching process in order to increase the surface expansion ratio and improve the capacitance. Since the surface expansion ratio increases as the depth of the etching pit formed by the etching process increases, various processes are applied to the aluminum material as a pre-process of the etching process in order to improve the etching suitability. For example, adjustment of (100) crystal orientation, adjustment of composition by addition of trace impurities such as Pb and Bi to aluminum material, degreasing washing before final annealing, hydration treatment before final annealing and crystallinity in final annealing These include oxide film formation treatment, oxidation treatment before final annealing, etc. (Japanese Patent Publication No. 58-34925, Japanese Patent Laid-Open No. 3-122260, etc.).
[0005]
However, simply increasing the depth of the etching pits does not sufficiently improve the surface expansion ratio of the electrode foil. To further improve the surface expansion ratio, etching with less local etching, unetched, and surface dissolution is required. It is necessary to generate pits uniformly and densely on the etched surface. However, the various methods as described above are not sufficient in that uniform etching pits are generated. For this reason, in the Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-145922, the present applicant controls the surface expansion rate by controlling the surface of the aluminum base material used for the electrode foil to form columnar or prismatic projections at specific intervals. Proposed to increase.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the aluminum foil described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-145922 can improve the surface expansion ratio by etching, and various methods for roughening the surface are disclosed. The method of roughening the surface or its conditions has not been sufficiently studied.
[0007]
Therefore, as a result of intensive studies on more effective roughening methods, conditions, and forms of roughening, they became clear.
[0008]
In view of such a technical background, the present invention provides an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode that can increase the capacitance by forming an etching pit generation nucleus most effectively from the viewpoint of improving etching characteristics, and its manufacture. The purpose is to provide a method.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode according to the present invention is an aluminum foil having a large number of fine film defects formed on the surface thereof, and the film defect is a test solution in a JIS H8684 film defect evaluation test. as copper deposit by the said test except that the immersion time of 30 seconds to a circle-equivalent diameter: 0.5 to 10 [mu] m, precipitates stars and summarized in that 250-1300 pieces is / mm ^2.
[0010]
The method for producing an aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode according to the present invention comprises subjecting an aluminum slab to soaking, hot rolling and cold rolling to obtain an aluminum foil, and then performing at least one AC electrolytic etching on the aluminum foil. The basic gist is to perform chemical etching at least once, followed by final annealing.
[0011]
Further, the AC electrolytic etching has an AC waveform: sine wave, square wave or triangular wave, frequency: 20 to 1000 Hz, current density: 0.35 to 4 A / cm ² , etching electric quantity: 0.2 to 10 C / cm ² . It is preferable to carry out under conditions.
[0012]
The aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes according to the present invention has a large number of fine film defects formed on the surface, and these fine film defects are used as nuclei for generating etching pits. In an aluminum foil in which the nuclei of pits are formed uniformly and at a high density, it is possible to increase the capacitance by ensuring the improvement of the surface expansion ratio by etching the aluminum foil.
[0013]
The fine film defects for obtaining such effects are equivalent to a circle diameter of 0.5 to 10 μm and the number of precipitates: 250 to 1300 pieces / mm ² as copper precipitates according to the JIS H8864 film defect evaluation test. Cost. The JIS H8864 film defect evaluation test is a method for detecting a film defect portion described in the crack resistance test method by deformation of anodized films of aluminum and aluminum alloys, and an aluminum material is immersed in an aqueous solution containing copper ions. Then, it is an evaluation method using an electrolysis reaction in which copper ions are deposited on a film defect portion (aluminum substrate exposed portion). In the present invention, this method is employed as a method for detecting and evaluating defects and thin portions of the oxide film of the aluminum foil after the final annealing after chemical etching. However, the method described in JIS is a method for evaluating defects in an anodized film having a film thickness of several μm to several tens of μm, and immersion in a test solution is performed in 5 minutes. Therefore, the immersion time is evaluated as 30 seconds. If the equivalent circle diameter of the copper deposit formed by the above test is less than 0.5 μm, the effect as a pit generation nucleus is small even if many coating defects exist, and if it exceeds 10 μm, the local etching property becomes strong and the pit becomes stronger. Will not be evenly distributed. The preferable lower limit of the equivalent circle diameter of the copper precipitate is 1 μm, and the preferable upper limit is 3 μm. If the number of precipitates is less than 250 pieces / mm ² , the effect as a pit generation nucleus is small, and if it exceeds 1300 pieces / mm ² , pit bonding occurs and the number of pits decreases. The preferable lower limit of the number of precipitates is 500 / mm ² , and the preferable upper limit is 900 / mm ² .
[0014]
Moreover, the said aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes is manufactured by the method of this invention. That is, by performing AC electrolytic etching before the final annealing, fine film defects are uniformly and densely provided on the surface of the foil, and the film defects are further expanded by chemical etching.
[0015]
The AC electrolytic etching is performed under the conditions of AC waveform: sine wave, square wave or triangular wave, frequency: 20 to 1000 Hz, current density: 0.35 to 4 A / cm ² , etching electric quantity: 0.2 to 10 C / cm ² . Preferably it is done.
[0016]
The AC electrolytic etching is employed for the following reason. That is, when AC etching is performed in an aqueous solution containing chloride, a porous etch layer formed by a series of fine cubic etch cells is generated. The inner surface of the etch cell is covered with a hydroxide produced in the cathode half cycle region and an anode coating formed in the anode half cycle region. These products and coatings act as protective films against aluminum dissolution, but some of them break down and aluminum is eluted, producing cells having the following defects. Using the fine irregularities having the film defects, the etching pits in the direct current electrolytic etching after the final annealing can be formed uniformly and with high density. Since an etch layer having such an action is generated, AC electrolytic etching is employed as a means for forming fine film defects.
[0017]
The reason why the AC waveform is a sine wave, a square wave, or a triangular wave is that an alternating current between the anode and the cathode for generating the aforementioned irregularities having defects is used. Also, if the frequency is less than 20 Hz, the increase in capacitance cannot be expected because there are few film defects formed. If the frequency exceeds 1000 Hz, the film defects become coarse and unevenly formed. We cannot expect increase. Therefore, the frequency needs to be 20 to 1000 Hz, a preferable lower limit value is 30 Hz, and a preferable upper limit value is 800 Hz. Current density, fewer coating defects are formed in the cause etch pits uniformly is less than 0.35A / cm ^2, exceeds 4A / cm ^2, since the film defects is formed nonuniformly becomes coarse, Insufficient effect to produce film defects uniformly. Therefore, the current density needs to be 0.35 to 4 A / cm ^2, and a preferable lower limit is 0.4 A / cm ² . If the amount of electrical etching is less than 0.2 C / cm ² , the effect of uniformly producing film defects is poor, and if it exceeds 10 C / cm ² , the film defects are coarse and unevenly formed, and etching treatment after final annealing is performed. In this case, the growth of pits in the direction perpendicular to the etching surface is hindered, leading to melting of the entire surface and uneven melting. Therefore, the etching quantity of electricity, it is necessary to 0.2~10C / cm ^2, preferably lower limit is 0.3 C / cm ^2, upper limit is preferably 3C / cm ^2.
[0018]
Although the liquid composition of the AC electrolytic etching bath is not limited, hydrochloric acid or a mixed acid obtained by adding sulfuric acid, oxalic acid, phosphoric acid and boric acid to hydrochloric acid can be recommended, and a bath temperature of 20 to 80 ° C. can be recommended. Further, the AC electrolytic etching may be performed once, but may be performed twice or more in order to improve the formation state of the etching pit generation nucleus. Further, if necessary, a pretreatment for removing the oxide film on the foil surface and the remaining rolling oil may be performed before the electrolytic etching.
[0019]
Moreover, the conditions of chemical etching for enlarging fine film defects formed by AC electrolytic etching are not particularly limited. After the AC electrolytic etching, the treatment may be continued in the same bath or in another bath. Since the purpose is to enlarge the defects, it is possible to recommend a bath composition: 0.5 wt% sulfuric acid + 10 wt% hydrochloric acid, bath temperature: 50 ° C., etching time: 20 to 60 seconds.
[0020]
Moreover, the treatment conditions of soaking, hot rolling, cold rolling, and final annealing are not limited and may be according to ordinary methods. Also, the chemical composition of the foil is not limited, and high-purity aluminum that is usually used as a foil material is preferable, and one having a purity of 99.99 wt% or more is particularly preferable.
[0021]
【Example】
Next, specific examples of the aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes and the method for producing the same of the present invention will be described in detail.
[0022]
First, an aluminum slab having a purity of 99.99 wt% was successively subjected to chamfering, hot rolling, and cold rolling by a conventional method to obtain a foil having a thickness of 100 μm. In this embodiment, in this example, AC electrolytic etching and chemical etching were sequentially performed in the same bath in an electrolytic bath having a bath composition of 10% hydrochloric acid + 0.5% sulfuric acid and a bath temperature of 50 ° C. under the conditions shown in Table 1. After that, final annealing at 500 ° C. for 5 hours in an inert gas was performed to produce an aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes. In the comparative example, etching was performed under the conditions shown in Table 2 in the same bath, or etching was not performed.
[0023]
These aluminum foils were subjected to a film defect evaluation test based on JIS H8864 under the following conditions.
[0024]

Then, the evaluation of coating defects, expanding at JEOL Ltd. scanning electron microscope T220A foil surface 2000 times, 4 for viewing 0.06 mm ^2, Nippon Avionics Co., Ltd. image analysis measurement software (Spicca According to II), the equivalent circle diameter and the number of copper precipitates were measured. The measurement results are shown in Tables 1 and 2.
[0025]
Each aluminum foil was subjected to direct current electrolytic etching in a mixed acid bath of bath temperature 75 ° C., 5% hydrochloric acid + 10% sulfuric acid at a current density of 0.2 A / cm ² for 100 seconds. Chemical etching was performed for 10 minutes. Next, chemical conversion treatment was performed at 350 V in a boric acid bath, and the capacitance was measured. The capacitance was relatively evaluated with Comparative Example 1 as 100%. These results are shown in Tables 1 and 2.
[0026]
[Table 1]

[0027]
[Table 2]

[0028]
From the results of Tables 1 and 2, it was confirmed that the electrostatic capacity can be increased by etching in an aluminum foil in which a predetermined film defect is formed on the foil surface. In addition, it was confirmed that such an aluminum foil can be manufactured by performing AC electrolytic etching before final annealing and further performing chemical etching.
[0029]
【The invention's effect】
As described above, the aluminum foil for electrolytic capacitor electrodes of the present invention is an aluminum foil having a large number of fine film defects formed on the surface, and the film defects are immersed in a test solution in a JIS H8684 film defect evaluation test. Except for the time of 30 seconds, the equivalent copper diameter was 0.5 to 10 μm and the number of precipitates was 250 to 1300 / mm ² as copper precipitates by the test. It is in a state of being formed uniformly and at a high density, and the area expansion rate is reliably improved by the etching after the final annealing, and the capacitance can be increased.

Claims

An aluminum foil having a large number of fine film defects formed on the surface, the film defects being copper precipitates by the test except that the immersion time in the test solution was 30 seconds in the JIS H8864 film defect evaluation test, An aluminum foil for an electrolytic capacitor electrode, characterized in that the equivalent circle diameter is 0.5 to 10 μm and the number of precipitates is 250 to 1300 pieces / mm ² .