JP4426403B2 - レーザー処理装置 - Google Patents
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Description
前記カップ内を排気するように設けられた排気ポートと、
前記基板の表面におけるレーザー光の処理位置を移動させるために前記基板保持部を水平方向に移動させるための移動機構と、
前記基板の表面に対するレーザー光による所定の処理が終了した後、基板保持部を振り切り位置に移動させ、次いで基板上の液滴を振り切るために基板保持部を回転させるように前記移動機構及び回転機構を制御する制御部と、
前記基板保持部の振り切り位置に対応して設けられ、基板保持部が振り切り位置に置かれているときに前記排気ポートに接続されてカップ内を吸引排気するための排気部と、を備えたことを特徴とする。
その後、前記基板保持部を水平方向に移動させ、前記基板の表面に液体を供給した状態でレーザー光を照射して当該表面に対して所定の処理を行う工程と、
前記基板の表面に対するレーザー光による処理が終了した後、基板保持部を、基板上の液滴を振り切るための位置に移動させる工程と、
次いで前記排気ポートに排気部を接続してカップ内を吸引排気する工程と、
基板上の液滴を振り切るために基板保持部を回転させる工程と、を備えたことを特徴とする。
そしてこのようにウエハW上に純水の液膜を形成した状態でレーザー光照射部4からレーザー光を案内部材53を通じてウエハWの表面に照射しながら、X−Yステージ6によりチック2を例えばX方向に移動させ、こうしてレーザー光によりウエハWの表面をさいの目状に走査する。この結果ウエハWの表面がレーザー光により切削され、いわばウエハWがハーフカットされてダイシングラインが形成される。なおダイシングラインが形成されたウエハWは、後工程でウエハWの裏面側からダイシングラインに沿ってカットされてチップに分断されることになる。
2 チャック
3 カップ
31 廃液ポート
32、33 排気ポート
4 レーザ光照射部
5 液膜形成部
54 液体回収部
6 X−Yステージ
61 載置台
62 Xステージ
63 Yステージ
7 廃液受け皿
8 排気部
81、82 排気管
83 昇降ブロック
84 伸縮パイプ
85 固定ブロック
Claims (9)
- カップ内に設けられ、基板を水平に保持すると共に回転機構により当該基板をほぼ鉛直な軸回りに回転させる基板保持部と、この基板保持部に保持された基板の表面に液体を供給した状態でレーザー光を照射して当該表面に対して所定の処理を行うための光照射部と、を備えたレーザー処理装置において、
前記カップ内を排気するように設けられた排気ポートと、
前記基板の表面におけるレーザー光の処理位置を移動させるために前記基板保持部を水平方向に移動させるための移動機構と、
前記基板の表面に対するレーザー光による所定の処理が終了した後、基板保持部を振り切り位置に移動させ、次いで基板上の液滴を振り切るために基板保持部を回転させるように前記移動機構及び回転機構を制御する制御部と、
前記基板保持部の振り切り位置に対応して設けられ、基板保持部が振り切り位置に置かれているときに前記排気ポートに接続されてカップ内を吸引排気するための排気部と、を備えたことを特徴とするレーザー処理装置。 - 排気部は、基板保持部が振り切り位置に置かれているときの前記排気ポートに対して着脱自在に接続される排気管と、この排気管を進退させる進退機構とを備えたことを特徴とする請求項1に記載のレーザー処理装置。
- カップ内に落ちた液体を排出するための廃液ポートを備え、
前記排気ポートは、前記液体とは分離されてカップ内を排気するように設けられていることを特徴とする請求項1または2記載のレーザー処理装置。 - 前記カップの下方側に前記廃液ポートの移動領域をカバーする廃液受け部が設けられていることを特徴とする請求項3記載のレーザー処理装置。
- 排気部は、廃液受け部の外に設けられていることを特徴とする請求項4記載のレーザー処理装置。
- 移動機構は、カップを載置してX方向に移動させると共に廃液ポート及び排気ポートが位置する開口部を備えたXステージと、このXステージをY方向に移動させるYステージとを含み、
廃液受け部はXステージの移動領域の下方側に設けられていることを特徴とする請求項4または5に記載のレーザー処理装置。 - 排気ポートを有するカップ内に設けられた基板保持部に基板を水平に保持する工程と、
その後、前記基板保持部を水平方向に移動させ、前記基板の表面に液体を供給した状態でレーザー光を照射して当該表面に対して所定の処理を行う工程と、
前記基板の表面に対するレーザー光による処理が終了した後、基板保持部を、基板上の液滴を振り切るための位置に移動させる工程と、
次いで前記排気ポートに排気部を接続してカップ内を吸引排気する工程と、
基板上の液滴を振り切るために基板保持部を回転させる工程と、を備えたことを特徴とするレーザー処理方法。 - 基板保持部が移動するときには、排気ポートとは別個にカップに設けられた廃液ポートが、廃液受け部の上方を移動することを特徴とする請求項7記載のレーザー処理方法。
- 基板保持部が液滴の振り切り位置に置かれているときには、排気ポートは廃液受け部の外側に位置していることを特徴とする請求項8記載のレーザー処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004253095A JP4426403B2 (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | レーザー処理装置 |
| US11/213,705 US7473321B2 (en) | 2004-08-31 | 2005-08-30 | Laser treatment apparatus |
| US12/247,750 US8088455B2 (en) | 2004-08-31 | 2008-10-08 | Laser treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004253095A JP4426403B2 (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | レーザー処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006073649A JP2006073649A (ja) | 2006-03-16 |
| JP4426403B2 true JP4426403B2 (ja) | 2010-03-03 |
Family
ID=36153972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004253095A Expired - Fee Related JP4426403B2 (ja) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | レーザー処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7473321B2 (ja) |
| JP (1) | JP4426403B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI236944B (en) * | 2001-12-17 | 2005-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Film removal method and apparatus, and substrate processing system |
| JP5014811B2 (ja) * | 2007-01-22 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法 |
| JP4693805B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2011-06-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置及び製造方法 |
| US20090107519A1 (en) * | 2007-10-30 | 2009-04-30 | Sokudo Co., Ltd. | Method and system for chemically enhanced laser trimming of substrate edges |
| JP4865878B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2012-02-01 | 株式会社日本製鋼所 | 雰囲気安定化方法およびレーザ処理装置 |
| JP5926086B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-05-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN102989736B (zh) * | 2012-11-26 | 2015-03-18 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 一种排风装置 |
| CN105655232B (zh) * | 2014-11-25 | 2019-08-23 | 旺宏电子股份有限公司 | 基板处理方法、基板处理装置及其应用 |
| JP6355537B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2018-07-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP7319044B2 (ja) * | 2018-12-14 | 2023-08-01 | Tdk株式会社 | 素子アレイの製造装置と特定素子の除去装置 |
| CN109897658A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-06-18 | 成都益海环保技术研究院(有限合伙) | 一种采用牛粪生产钢碳的装置 |
| US11883837B2 (en) | 2020-05-01 | 2024-01-30 | Tokyo Electron Limited | System and method for liquid dispense and coverage control |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3518948B2 (ja) * | 1995-08-24 | 2004-04-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の回転処理装置 |
| JPH09106934A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板現像装置 |
| JP3461068B2 (ja) * | 1995-10-30 | 2003-10-27 | 東京応化工業株式会社 | 回転カップ式液体供給装置 |
| US6318385B1 (en) * | 1998-03-13 | 2001-11-20 | Semitool, Inc. | Micro-environment chamber and system for rinsing and drying a semiconductor workpiece |
| KR20010062439A (ko) * | 1999-12-17 | 2001-07-07 | 히가시 데쓰로 | 도포막 형성장치 |
| US6720522B2 (en) | 2000-10-26 | 2004-04-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining |
| JP3616748B2 (ja) * | 2000-11-07 | 2005-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法,現像処理装置及び処理装置 |
| US6723168B2 (en) * | 2001-06-20 | 2004-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Spin-coater with self-cleaning cup and method of using |
| KR100488753B1 (ko) * | 2001-07-23 | 2005-05-11 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리방법 및 그 장치 |
| TWI236944B (en) | 2001-12-17 | 2005-08-01 | Tokyo Electron Ltd | Film removal method and apparatus, and substrate processing system |
| JP4199102B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2008-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法,基板処理システム及び現像液供給ノズル |
| JP4486472B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー処理装置及びその方法 |
| JP4843212B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2011-12-21 | 東京エレクトロン株式会社 | レーザー処理装置及びレーザー処理方法 |
| US20060130767A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
| US8091504B2 (en) * | 2006-09-19 | 2012-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning spin coater |
| JP5312856B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2013-10-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| US7959033B2 (en) * | 2008-09-18 | 2011-06-14 | James Francois Leggett | Drip catcher |
| JP2010103131A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
-
2004
- 2004-08-31 JP JP2004253095A patent/JP4426403B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-30 US US11/213,705 patent/US7473321B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-08 US US12/247,750 patent/US8088455B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8088455B2 (en) | 2012-01-03 |
| US20060205239A1 (en) | 2006-09-14 |
| US20090041954A1 (en) | 2009-02-12 |
| US7473321B2 (en) | 2009-01-06 |
| JP2006073649A (ja) | 2006-03-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
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