JP4435580B2 - Pressurized water jetting apparatus and substrate cleaning apparatus using the same - Google Patents
Pressurized water jetting apparatus and substrate cleaning apparatus using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP4435580B2 JP4435580B2 JP2004001942A JP2004001942A JP4435580B2 JP 4435580 B2 JP4435580 B2 JP 4435580B2 JP 2004001942 A JP2004001942 A JP 2004001942A JP 2004001942 A JP2004001942 A JP 2004001942A JP 4435580 B2 JP4435580 B2 JP 4435580B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- pressurized water
- pressurized
- cleaning
- annular electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 125
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 34
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 40
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 40
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 31
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 238000004401 flow injection analysis Methods 0.000 claims description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000008400 supply water Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板等の表面に洗浄水のジェット水流を噴射するための加圧水噴射装置及びそれを用いた基板洗浄装置に関し、特に洗浄時の静電気発生を抑制する機能を備えた装置に関する。 The present invention relates to a pressurized water injection device for injecting a jet water flow of cleaning water onto the surface of a semiconductor substrate, a glass substrate for liquid crystal display, and the like, and a substrate cleaning device using the same, and particularly has a function of suppressing the generation of static electricity during cleaning. It is related with the apparatus provided.
従来より、半導体基板、液晶表示器用ガラス基板などの表面洗浄方法の一つとして、超純水の高圧ジェット水流を基板表面に噴射しその衝撃力により洗浄する高圧水ジェット洗浄方法が知られている。この高圧水ジェット洗浄方法では、比抵抗の高い超純水が用いられるため高速のジェット水流が大気あるいは基板表面と接触する際に静電気が発生する。この発生した静電気が基板表面に蓄積された場合には、汚れ微粒子を吸着するばかりか基板表面に形成された配線パターンの溶断、MOSデバイスのゲート酸化膜の静電破壊といった問題が生じる。 Conventionally, as a surface cleaning method for semiconductor substrates, glass substrates for liquid crystal displays, etc., a high-pressure water jet cleaning method is known in which a high-pressure jet water flow of ultrapure water is sprayed onto the substrate surface and cleaned by its impact force. . In this high-pressure water jet cleaning method, ultrapure water having a high specific resistance is used, so that static electricity is generated when a high-speed jet water flow contacts the atmosphere or the substrate surface. When the generated static electricity is accumulated on the substrate surface, problems such as fouling of fine dirt particles, fusing of a wiring pattern formed on the substrate surface, and electrostatic breakdown of the gate oxide film of the MOS device occur.
このような静電気の発生を抑制する従来技術としては、超純水中にCO2ガスを溶解させて比抵抗を低下させる方法(例えば、特許文献1参照)、コロナ放電により発生させたイオン化ガスを気流によって搬送し、発生した静電気を中和する方法(例えば、特許文献2、3参照)などが知られている。
しかし、CO2ガスを溶解させる方法はランニングコストの負担が多い上、溶解したCO2ガスが純水を酸性にして被洗浄物に悪影響を及ぼす場合がある。また、コロナ放電で発生させたイオン化ガスを搬送して中和させる方法には、搬送途中でのイオンの減衰、コロナ放電用電極の磨耗により発生する粉塵の基板表面への付着といった問題の他、局所的に発生する静電気を発生直後に中和することが困難といった問題がある。
However, a method of dissolving the CO 2 gas over many load running costs, dissolved CO 2 gas may adversely affect the object to be cleaned by the pure water acidified. In addition, in the method of neutralizing the ionized gas generated by corona discharge, in addition to problems such as the attenuation of ions during the transfer, the adhesion of dust generated by the wear of the corona discharge electrode to the substrate surface, There is a problem that it is difficult to neutralize locally generated static electricity immediately after the occurrence.
本発明はかかる背景からなされたもので、その課題は、高速のジェット水流を使用して基板洗浄を行なう際の静電気発生を抑制する機能を備えた加圧水噴射装置及びそれを用いた基板洗浄装置を提供することにある。 The present invention has been made from such a background, and the subject thereof is a pressurized water jetting device having a function of suppressing generation of static electricity when performing substrate cleaning using a high-speed jet water flow, and a substrate cleaning device using the same. It is to provide.
前記課題を達成するための請求項1に記載の発明は、加圧水の供給を受けて高速のジェット水流をノズル先端より前方に噴射させる加圧水噴射装置であって、前記ノズルを金属で製作して接地すると共に、前面が該ノズル先端より前方に位置しつつ該ノズル先端部を取り巻く環状電極を設けて接地との間に直流高電圧を印加することを特徴とする。
このような加圧水噴射装置によれば、環状電極に印加する直流高電圧の極性を選択することにより、ノズル先端から噴射されるジェット水流に任意の極性の電荷を帯電させることができる。
また、電極表面が被洗浄物に近づくために被洗浄物表面近くの水流表面に環状電極の極性とは反対極性の電荷が誘起されやすくなる。従って、環状電極と同極性の静電気の発生が一層効果的に抑制される効果を奏する。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a pressurized water injection device that receives a supply of pressurized water and injects a high-speed jet water stream forward from the nozzle tip, wherein the nozzle is made of metal and grounded. while, characterized in that the front is marked pressurized high DC voltage between the ground an annular electrode surrounding the nozzle tip while located in front of the nozzle tip.
According to such a pressurized water jetting device, by selecting the polarity of the DC high voltage indicia pressure to the annular electrode can be charged any polarity charge to a jet water stream ejected from the nozzle tip.
Further, since the electrode surface approaches the object to be cleaned, an electric charge having a polarity opposite to the polarity of the annular electrode is easily induced on the surface of the water flow near the surface of the object to be cleaned. Therefore, there is an effect that generation of static electricity having the same polarity as that of the annular electrode is more effectively suppressed.
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の加圧水噴射装置において、前記環状電極に印加する直流高電圧の極性を、前記ジェット水流の噴射により水流側に発生する静電気の極性と同一の極性とすることを特徴とする。
このような構成とすれば、ノズル先端から噴射されるジェット水流は発生する静電気とは反対の極性の電荷を帯電して噴射されるため、大気等との接触により水流側に発生する静電気が中和され、静電気の発生が抑制される効果を奏する。
The invention described in
With such a configuration, since the jet water flow ejected from the nozzle tip is ejected with a charge of the opposite polarity to the generated static electricity, the static electricity generated on the water flow side due to contact with the atmosphere is moderate. This is effective to reduce the generation of static electricity.
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の加圧水噴射装置において、前記環状電極の表面を絶縁性樹脂で覆い電極表面を大気中に露出させないようにしたことを特徴とする。
このような構成としても、ノズル先端から噴射されるジェット水流には、環状電極に印加した直流高電圧の極性と反対の極性の電荷を帯電させることができる。また、環状電極表面を大気中に露出させないため金属イオンが洗浄水に溶け込む心配がなくなる。
The invention according to
With such a configuration, the jet water stream ejected from the nozzle tip, it is possible to charge the opposite polarity of the charge and polarity of the DC high voltage marked addition to the annular electrode. Moreover, since the surface of the annular electrode is not exposed to the atmosphere, there is no concern that metal ions will dissolve in the cleaning water.
また、請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3の何れかに記載の加圧水噴射装置において、前記環状電極に印加する直流高電圧を発生する高電圧発生回路を、加圧水噴射装置内の環状電極近くに内蔵させたことを特徴とする。
このような構成とすれば、数kV〜数十kVの直流高電圧を離れた場所からケーブルで給電する必要がなくなり安全性が向上する効果を奏する。
According to a fourth aspect of the present invention, in the pressurized water injection device according to any one of the first to third aspects, a high voltage generation circuit that generates a DC high voltage applied to the annular electrode is provided in the pressurized water injection device. It is characterized by being built near the annular electrode.
With such a configuration, there is no need to feed a DC high voltage of several kV to several tens of kV from a place away from the cable, and the safety is improved.
また、請求項5に記載の発明は、基板の表面に洗浄水のジェット水流を噴射して基板表面を洗浄する基板洗浄装置であって、該ジェット水流の噴射装置として請求項1乃至4の何れかに記載の加圧水噴射装置を使用することを特徴とする。
このような構成の基板洗浄装置によれば、高速のジェット水流の噴射に伴う静電気の発生が抑制された状態で基板の洗浄を行なうことかできる。
The invention according to
According to the substrate cleaning apparatus having such a configuration, the substrate can be cleaned in a state in which the generation of static electricity due to the jet of the high-speed jet water flow is suppressed.
また、請求項6に記載の発明は、請求項5に記載の基板洗浄装置において、前記洗浄水としてCO2 ガスを溶解させた純水を使用することを特徴とする。
このような純水を使用すれば、洗浄水の比抵抗が減少して導電性が高まるために静電気の発生が一層抑制される効果を奏する。
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate cleaning apparatus according to the fifth aspect of the present invention, pure water in which CO2 gas is dissolved is used as the cleaning water.
If such pure water is used, the specific resistance of the washing water is reduced and the conductivity is increased, so that an effect of further suppressing the generation of static electricity is obtained.
以下、本発明の好ましい実施形態の例を図面を参照して説明する。なお、各図中、同一または相当部分には同一符号が付してある。
(第1の実施形態)
図1は、本発明に係る加圧水噴射装置の第1の実施形態を説明する縦断面図である。本加圧水噴射装置1は、半導体基板、液晶表示器用ガラス基板などの表面に洗浄水を高速のジェット水流として噴射し、その際生じる衝撃力により表面洗浄を行なうことを主目的とする装置であって高速洗浄水噴射ガンとも呼べる装置である。
Hereinafter, an example of a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each figure, the same code | symbol is attached | subjected to the same or equivalent part.
(First embodiment)
FIG. 1 is a longitudinal sectional view for explaining a first embodiment of a pressurized water jetting apparatus according to the present invention. This pressurized water jetting device 1 is a device whose main purpose is to jet cleaning water as a high-speed jet water flow onto the surface of a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, etc., and to perform surface cleaning by the impact force generated at that time. This device can also be called a high-speed washing water spray gun.
加圧水噴射装置1は、全体が略円柱状をなしている。その胴部2は、絶縁性の樹脂で円筒状に形成されている。円筒内側の中空孔には、後端側から円柱状のノズル3が挿入、固定されている。ノズル3は、円柱状のノズル胴部4とその先端に取り付けたノズルヘッド5により構成されている。ノズル胴部4の軸芯部には、洗浄水流路6となる中空孔が前後両端面間を貫通して設けられている。
The pressurized water injection device 1 has a substantially cylindrical shape as a whole. The
ノズル胴部4の後端部には、接続用ジョイント8によって加圧洗浄水配管7が洗浄水流路6と連通して取り付けられている。図示しない加圧ポンプで加圧された洗浄水は、加圧洗浄水配管7を通りジョイント8を経て洗浄水流路6に供給される。洗浄水流路6は、前端部付近が前端側に向けてテーパー状に細く形成されており、洗浄水は流速を増してノズル胴部4の前端に取り付けられたノズルヘッド5内の流路9に供給される。ノズルヘッド5内の流路9の前端部には出口オリフィス10が形成されており、洗浄水は出口オリフィス10より、高速のジェット水流となって前方に噴射される。なお、ノズル胴部4とノズルヘッド5は共に金属製で、電気的に接地されている。
A pressure
胴部2の前端面には、ノズルヘッド5の周囲を取り囲むようにして環状電極11が前面を開放した状態で取り付けられている。環状電極11の裏側部には、ほぼ円柱状にモールド成形された高電圧発生回路12がノズル胴部4の後端面から穿設した孔に収納されている。環状電極11は、モールド成形された高電圧発生回路12の前端から突出した金属電極13に溶接等で固定されている。高電圧発生回路12の後端側にはコネクタ14が取り付けられ給電用のケーブル15がつながれている。
An
高電圧は、図2中に示した高周波電源回路16と高電圧発生回路12とにより発生される。高周波電源回路16は、加圧水噴射装置1から離れた場所に設置されている。高周波電源回路16は、商用電源から電源供給を受け、内部の高周波発生回路17にて数百Hz〜数kHzの高周波電圧を発生し、発生した電圧を出力用高周波トランス18で昇圧、絶縁して出力する。
The high voltage is generated by the high frequency
出力された高周波電圧は、ケーブル15にて高電圧発生回路12内の昇圧トランス19の一次側に供給される。昇圧トランス19で昇圧された高周波電圧は、二次側に接続された倍電圧整流回路20に供給される。倍電圧整流回路20は例えばコッククロフト−ウォルトン型倍電圧整流回路で、供給された高周波電圧を整流すると同時に昇圧して数kV〜数十kVの直流高電圧を発生させる。発生した直流高電圧は、高抵抗Rを介して接地と環状電極11間に印加される。倍電圧整流回路20を構成する昇圧トランス19、倍電圧整流回路20、高抵抗Rは、絶縁性を確保するために一体的にモールド成形されている。
The output high frequency voltage is supplied to the primary side of the step-
環状電極11に印加される直流電圧の極性は、倍電圧整流回路20内のダイオードの向きを変えることにより正または負にすることができる。実際には、環状電極11に正の高電圧が印加される加圧水噴射装置と負の高電圧が印加される加圧水噴射装置とを用意しておき、用途により使い分けを行なう。
The polarity of the DC voltage applied to the
次に、このように構成された加圧水噴射装置1の作用について説明する。洗浄水としては通常、超純水が用いられる。超純水は図示しない加圧ポンプにて加圧され、加圧洗浄水配管7、ノズル3内洗浄水流路6を通り、ノズルヘッド5前端部の出口オリフィス10から高速のジェット水流40となって前方に置かれた被洗浄物22に向かって噴射される。
Next, the operation of the pressurized water injection device 1 configured as described above will be described. Usually, ultrapure water is used as the washing water. The ultrapure water is pressurized by a pressure pump (not shown), passes through the pressurized
この超純水が高速のジェット水流40となって噴射される際には、超純水に静電気が発生する。この静電気は、高比抵抗の超純水と大気との接触、超純水と半導体ウェハ等の被洗浄物との接触、水流が分裂して飛沫となる際のレナード効果と呼ばれる噴霧帯電、超純水とノズルとの接触等が原因となって発生すると考えられる。そして、発生する静電気の極性は、被洗浄物の種類やその導電性、その他の要因で異なる。半導体ウェハの場合には、正の電荷が帯電するとの報告が多い。
When this ultrapure water is jetted as a high-speed
この発生した静電気は、「背景技術」で説明したように、例えば半導体ウェハの場合には配線パターンの溶断、MOSデバイスのゲート酸化膜の静電破壊等の問題を引き起こす。従って、静電気の発生自体を抑制したり、発生した静電気を中和させる手段が必要となる。
本実施形態の加圧水噴射装置1では、この静電気の発生を抑制するために、ノズルヘッド5の周囲を取り囲むようにして取り付けた環状電極11に直流高電圧を印加する。印加する直流高電圧の極性は、電極11に電圧を印加せずにジェット水流40のみで洗浄した場合に水流側に発生する静電気の極性と同極性とする。
As described in “Background Art”, the generated static electricity causes problems such as fusing of a wiring pattern and electrostatic breakdown of a gate oxide film of a MOS device in the case of a semiconductor wafer, for example. Therefore, a means for suppressing the generation of static electricity itself or neutralizing the generated static electricity is required.
In the pressurized water jetting apparatus 1 of the present embodiment, in order to suppress the generation of static electricity, a DC high voltage is applied to the
ここでは、環状電極11に電圧を印加せずにジェット水流40のみで洗浄した場合に発生する静電気が正であったと仮定して説明する。なお、この発生する静電気の極性や電荷量はファラデーゲージを用いて調べることができる。
この場合、環状電極11には図2に示すように正の直流高電圧を印加する。ノズルヘッド5は先に説明したように金属製で接地してある。従って、環状電極11に正の直流高電圧を印加すると、環状電極11からノズルヘッド5に向かう強力な電界が発生する。この強力な電界によりノズルヘッド5の表面には、電極11に印加した直流高電圧の極性とは反対極性の負の電荷が静電誘導により誘起される。
Here, the description will be made on the assumption that static electricity generated when washing is performed only with the
In this case, a positive DC high voltage is applied to the
このような状態でノズルヘッド5より超純水がジェット水流40となって噴射されると、噴射された超純水はノズルヘッド5より負の電荷を貰い、表面が負に帯電した状態で飛び出す。この超純水の表面に帯電した負の電荷は、ジェット水流40と大気との接触、ジェット水流40と被洗浄物22の表面との接触等によって超純水側に発生する正の電荷を中和して静電気の発生を抑制する作用をする。更に、負に帯電して噴射された超純水の一部は、負に帯電した状態で飛沫となる。この飛沫には電極11に向かう静電気力が働き一部は電極11に到達して電極11と接地間に電流を流す。しかし、大部分はジェット水流周辺に漂ってその付近の導電性を低下させるため、雰囲気の導電性が増して静電気の発生が抑制される。
When ultrapure water is jetted from the
このように本実施形態の加圧水噴射装置1では、ノズルヘッド5の周囲を取り囲むようにして取り付けた環状電極11に、超純水のジェット水流40に発生する静電気と同極性の直流高電圧を印加してノズルヘッド5表面にそれとは反対極性の電荷、即ち、発生する静電気の極性とは反対極性の電荷を誘起させる。これによりジェット水流40は、静電気とは反対極性の電荷で帯電した状態で噴射されるため、発生する静電気は中和されて静電気の発生が抑制される効果を奏する。
As described above, in the pressurized water injection device 1 of the present embodiment, a DC high voltage having the same polarity as the static electricity generated in the
(第2の実施形態)
図3は、本発明に係る加圧水噴射装置の第2の実施形態を説明する縦断面図である。本実施形態の加圧水噴射装置1aが第1の実施形態の加圧水噴射装置1と異なる点は、ノズルヘッド5の周囲を取り囲むようにして取り付けた環状電極11がノズルヘッド5よりも前方に位置するように、即ち、環状電極11の前面が被洗浄物に一層近づくように取り付けてある点である。
(Second Embodiment)
FIG. 3 is a longitudinal sectional view for explaining a second embodiment of the pressurized water jetting apparatus according to the present invention. The difference between the pressurized water injection device 1a of the present embodiment and the pressurized water injection device 1 of the first embodiment is that the
このようにすれば、被洗浄物表面近くの水流表面に環状電極11の極性とは反対極性の電荷が誘起されやすくなる。従って、環状電極11と同極性の静電気の発生がより効果的に抑制される効果を奏する。
In this way, a charge having a polarity opposite to the polarity of the
(第3の実施形態)
図4は、本発明に係る加圧水噴射装置の第3の実施形態を説明する縦断面図である。本実施形態の加圧水噴射装置1bが第1、第2の実施形態の加圧水噴射装置1、1aと異なる点は、環状電極11の前面を絶縁性樹脂21で覆い、電極11の表面が大気中に露出しないようにした点である。
(Third embodiment)
FIG. 4 is a longitudinal sectional view for explaining a third embodiment of the pressurized water jetting apparatus according to the present invention. The pressurized water injection device 1b of the present embodiment is different from the pressurized water injection devices 1 and 1a of the first and second embodiments in that the front surface of the
電界による電気力線は、誘電体である絶縁性樹脂21を通過して外部に出る。従って、電極11の表面が絶縁性樹脂21で覆われていたとしても、電極11の表面から出た電気力線はノズルヘッド5の表面、あるいは超純水のジェット水流40の表面に到達してそこに電極11への印加電圧と反対極性の電荷を静電誘導により誘起させる。それ故、本実施形態の加圧水噴射装置1bによっても、第1の実施形態の加圧水噴射装置1による場合と同様を効果を奏することができる。
The electric lines of force due to the electric field pass through the insulating
(第4の実施形態)
図5は、第1〜第3の実施形態で説明した加圧水噴射装置を使用した基板洗浄装置23の一実施形態を示す図である。被洗浄物22は、表面が水平なテーブル24上に真空吸着で取り付けられる。テーブル24は、下部に取り付けた回転用モータ25により水平回転させられる。加圧水噴射装置1は、被洗浄物22の上方のカバー26部分に下向きに取り付けられている。高周波電源回路16はカバー26の外に設置され、発生した高周波電圧はケーブルで加圧水噴射装置1に供給される。
(Fourth embodiment)
FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of the
加圧ポンプ27もカバー26の外に設置される。加圧ポンプ27は供給された超純水を加圧して加圧水噴射装置1に供給する。これにより加圧水噴射装置1の先端のノズルヘッド5から超純水が高速のジェット水流40となって被洗浄物22に向けて噴射される。被洗浄物22の表面は、噴射されたジェット水流40の衝撃力により洗浄される。
この際、加圧水噴射装置1のノズルヘッド5の周りに取り付けられた環状電極11に、発生する静電気と同極性の直流高電圧が印加される。これによりノズルヘッド5の表面にそれとは反対極性の電荷が誘起される。ジェット水流40は、誘起された反対極性の電荷で帯電した状態で噴射されるため、発生する静電気は中和されることになり静電気の発生が抑制される。
The
At this time, a DC high voltage having the same polarity as the generated static electricity is applied to the
このようにして本実施形態の基板洗浄装置23によれば、静電気発生を抑制した状態でジェット水流40による基板洗浄を行なうことができる。
なお、本実施形態では被洗浄物22の載置、移動機構として回転テーブル24を用いたが、被洗浄物22の載置、移動機構としては様々な形態が考えられ、本発明の基板洗浄装置23の当該載置、移動機構は、図4に示した機構に限られるものではない。
As described above, according to the
In the present embodiment mounted in the object to be cleaned 22, the rotary table 24 is used as a moving mechanism, placed in the object to be cleaned 22, various forms can be considered as a moving mechanism, the substrate cleaning apparatus of the
また、第1〜第3の実施形態で説明した加圧水噴射装置1、1a、1b、及び第4の実施形態で説明した基板洗浄装置23では、洗浄水として超純水を使用するとして説明してきたが、この超純水にCO2ガスを僅かに溶解させた純水を使用してもよい。CO2ガスを僅かに溶解させれば、純水の比抵抗が低下するために静電気の発生が一層効果的に抑制されることになる。本実施形態では、直流高電圧を印加して静電気の発生を抑える方式を採用しているため、溶解させたCO2ガスによってのみ静電気発生を抑制する方式の場合よりも、溶解させるCO2ガスの量は僅かでよい。
Further, in the pressurized water injection devices 1, 1a, 1b described in the first to third embodiments and the
なお、加圧水噴射装置1、1a、1bを基板の洗浄用に使用する場合には、洗浄水として比抵抗の高い純水が一般的に用いられ、この場合に供給する洗浄水は1Mpa〜50Mpaの範囲の圧力で圧縮して噴射させるのが特に有効である。
また、加圧水噴射装置1、1a、1bは、1Mpa以下の低圧シャワー(噴射)装置、それに超音波を加えた超音波洗浄装置、供給水を気体(空気、窒素)の力で微粒化する二流体洗浄装置に適用しても有効である。
In addition, when using the pressurized water injection apparatus 1, 1 a, 1 b for cleaning a substrate, pure water having a high specific resistance is generally used as the cleaning water, and the cleaning water supplied in this case is 1 MPa to 50 MPa. It is particularly effective to compress and inject at a pressure in the range.
Further, the pressurized water injection device 1, 1a, 1b is a low-pressure shower (injection) device of 1 Mpa or less, an ultrasonic cleaning device to which ultrasonic waves are added, and two fluids for atomizing supply water with the force of gas (air, nitrogen). It is also effective when applied to a cleaning device.
図面中、1、1a、1bは加圧水噴射装置、2は胴部、3はノズル、4はノズル胴部、5はノズルヘッド、6は洗浄水流路、10は出口オリフィス、11は電極(環状電極)、12は高電圧発生回路、21は絶縁性樹脂、22は被洗浄物、23は基板洗浄装置、40はジェット水流を示す。 In the drawings, 1, 1a, 1b are pressurized water injection devices, 2 is a barrel, 3 is a nozzle, 4 is a nozzle barrel, 5 is a nozzle head, 6 is a washing water flow path, 10 is an outlet orifice, 11 is an electrode (annular electrode) ), 12 is a high voltage generating circuit, 21 is an insulating resin, 22 is an object to be cleaned, 23 is a substrate cleaning device, and 40 is a jet water flow.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004001942A JP4435580B2 (en) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | Pressurized water jetting apparatus and substrate cleaning apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004001942A JP4435580B2 (en) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | Pressurized water jetting apparatus and substrate cleaning apparatus using the same |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005197444A JP2005197444A (en) | 2005-07-21 |
| JP2005197444A5 JP2005197444A5 (en) | 2006-12-07 |
| JP4435580B2 true JP4435580B2 (en) | 2010-03-17 |
Family
ID=34817311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004001942A Expired - Lifetime JP4435580B2 (en) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | Pressurized water jetting apparatus and substrate cleaning apparatus using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4435580B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101856769B1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-06-19 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for injecting clean solution |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4753757B2 (en) * | 2006-03-15 | 2011-08-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP4592643B2 (en) * | 2006-05-24 | 2010-12-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | Substrate processing equipment |
| JP2010064035A (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-25 | Asahi Sunac Corp | Electrostatic ejection apparatus |
| JP5400995B2 (en) * | 2009-09-05 | 2014-01-29 | 旭サナック株式会社 | Electrostatic painting spray gun |
| JP5894021B2 (en) * | 2012-06-26 | 2016-03-23 | 旭サナック株式会社 | Charge amount measurement method for spray droplets, charge amount measurement device, and charge amount control device for spray droplets using them |
| JP2021064729A (en) * | 2019-10-16 | 2021-04-22 | 旭サナック株式会社 | Liquid injection device and liquid injection method |
-
2004
- 2004-01-07 JP JP2004001942A patent/JP4435580B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101856769B1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-06-19 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for injecting clean solution |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005197444A (en) | 2005-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4331724B2 (en) | Spray gun for electrostatic painting | |
| JP4435580B2 (en) | Pressurized water jetting apparatus and substrate cleaning apparatus using the same | |
| US20080173327A1 (en) | Two-fluid nozzle, substrate processing apparatus, and substrate processing method | |
| KR101615576B1 (en) | Electro hydro dynamic inkjet apparatus | |
| JP5400995B2 (en) | Electrostatic painting spray gun | |
| CN104245148B (en) | The spray equipment of electrostatic spraying | |
| EP2786806A1 (en) | Electrostatic coating method | |
| KR101468577B1 (en) | Electrostatic painting method and electrostatic paint gun | |
| CN117774509B (en) | An apparatus and method for electro-inkjet printing on insulating surfaces based on real-time plasma processing | |
| JP5758590B2 (en) | Electrostatic coating equipment | |
| JP2012011298A (en) | Spray gun for electrostatic coating provided with counter electrode | |
| JP2010064035A (en) | Electrostatic ejection apparatus | |
| CN1764503A (en) | Spray gun for electrostatic spraying | |
| US20130011568A1 (en) | Apparatus and method for spraying a surface of a substrate | |
| US20070272545A1 (en) | Apparatus for processing substrate and method of processing substrate | |
| JP6952302B2 (en) | Cleaning equipment and cleaning method | |
| JP5894021B2 (en) | Charge amount measurement method for spray droplets, charge amount measurement device, and charge amount control device for spray droplets using them | |
| KR20190008494A (en) | Strip cleaning apparatus and annealing equipment having thereof | |
| KR101645393B1 (en) | Plasma cleaning apparatus | |
| US20240326101A1 (en) | Method and apparatus for cleaning carrier film | |
| JP2008049264A (en) | Spray gun for electrostatic painting | |
| JP2001155894A (en) | Ionizer | |
| JP2007317792A (en) | Substrate-treating apparatus and substrate treatment method | |
| JP5600574B2 (en) | Electrostatic coating equipment | |
| WO2006129505A1 (en) | Liquid jetting device and liquid jetting method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061019 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061019 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090414 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090605 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091201 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091224 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4435580 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140108 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |