JP4439755B2 - 研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、メモリーハードディスク、すなわちコンピューターなどの記憶装置に用いられる磁気ディスク用基盤の製造において、その表面を研磨するのに好適な研磨用組成物に関するものである。さらに詳しくは、本発明は、Ｎｉ−Ｐディスク、Ｎｉ−Ｆｅディスク、ボロンカーバイドディスク、およびカーボンディスクなどに代表されるメモリーハードディスクの製造に用いられる研磨用組成物に関するものであり、特に、優れた仕上げ加工表面を得るための製造技術に適用可能な研磨用組成物に関するものである。また、本発明は、前記の研磨用組成物を用いることにより、高記録密度を有する高容量磁気ディスク装置に有用なメモリーハードディスクの製造方法にも関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
【０００３】
近年、コンピューターの小型化および高性能化が進むにつれて、その記憶装置である磁気ディスク装置およびそれに用いられるメモリーハードディスクにも小型化および高容量化が求められ、メモリーハードディスクの面記録密度は年に数十％の割合で向上している。
【０００４】
従って、所定量の記録情報が占めるメモリーハードディスク上のスペースは、ますます狭くなり、記録に必要な磁力は弱くなってきている。このため、最近の磁気ディスク装置では、情報の読み書きを行う磁気ヘッドとメモリーハードディスクの隙間であるヘッド浮上高を小さくする必要があり、現在ヘッド浮上高は１０マイクロインチ（約０．０２５μｍ）以下にまで及んでいる。
【０００５】
非常に大きな速度で回転するメモリーハードディスク表面に一定の大きさを越えるような突起物やうねりが存在すると、いわゆる「ヘッドクラッシュ」が発生し、メモリーハードディスク表面の磁性媒体や磁気ヘッドを損傷させてしまうことがあるため、メモリーハードディスク表面に一定の大きさを越えるような突起物やうねりを発生させないことが必要である。
【０００６】
一方、現在最も広く用いられているメモリーハードディスク用の基盤（以下、「サプストレート」という）は、ブランク材に無電解Ｎｉ−Ｐメッキを成膜したものである。ブランク材とは、平坦度を持たせる目的で、ダイヤターンによる旋盤加工、ＳｉＣ研磨材を固めて作成されたＰＶＡ砥石を用いてラッピング加工もしくは他の方法により、アルミニウムおよびその他の材質からなるサブストレートを整形することによって得られるものである。
【０００７】
一般に、磁気ヘッドがメモリーハードディスクへ吸着すること、およびサブストレート表面に、研磨によるメモリーハードディスクの回転方向とは異なる一定方向の筋目がつくことにより、メモリーハードディスク上の磁界が不均一になることを防止する目的で、研磨後のサブストレートに同心円状の筋目をつける、いわゆるテクスチャー加工が行われることがある。近年では、ヘッド浮上高をさらに低くするため、サブストレート上に施す筋目をより薄くしたライトテクスチャー加工が行われたり、あるいは、テクスチャー加工を施さず筋目を付けないノンテクスチャーのサブストレートも用いられるようになっている。
【０００８】
メモリーハードディスク表面に一定の深さや長さを越えるような傷くスクラッチ）やピットと呼ばれるようなへこみが存在すると、その部分だけ情報が完全に書き込まれず、いわゆる「ビット落ち」と呼ばれる情報欠落や情報の読み取り不良が起こって、磁気ディスク装置のエラーを発生させる原因となることもある。ここでスクラッチやピット等の表面欠陥の程度については、前記したノンテクスチャーのサブストレートを使用しメモリーハードディスクを製造する場合はごく浅いものさえ問題になるが、テクスチャー加工やライトテクスチャー加工が施されたサブストレートを使用する場合でも、それらの加工で除去しきれないようなものがあると、上述のような問題が発生することがある。
【０００９】
従って、研磨工程、すなわち磁性媒体を形成する前工程において、サブストレート表面の粗さを最小限に抑えることにより高い平坦性と平滑性を達成し、スクラッチ、ピット、微小突起およびその他の表面欠陥の発生を抑えることが極めて重要である。
【００１０】
従来、サブストレートの研磨は、酸化アルミニウムもしくは他の各種研磨材、水および各種の研磨促進剤を含む研磨用組成物（以下、その性状から「スラリー」という）を用いて、１回の研磨工程によって仕上げられることが一般的であった。しかし、１回の研磨工程では、サブストレート表面の比較的大きな突起やピットなどの表面欠陥およびうねりを除去し、かつ一定時間内に表面粗さを最小にすることのすべてを満足することは困難であった。従って、２段階以上におよぶ研磨プロセスが検討されるようになった。
【００１１】
研磨工程が２段階である場合、１段目の研磨の主な目的は、サブストレート表面の比較的大きな突起やピットなどの表面欠陥およびうねりを除去すること、すなわち平坦性を高めることである。従って、表面粗さを小さくすることよりは、むしろ、２段目の仕上げ研磨で除去できないような深いスクラッチを発生させずに、前記の表面欠陥やうねりに対して加工修正能力の大きな研磨用組成物が要求される。
【００１２】
２段目の研磨、すなわち仕上げ研磨の目的は、サブストレートの表面粗さを最小にすることである。従って、その研磨用新成物は、１段目の研磨で要求されるような大きな表面欠陥やうねりに対して加工修正能力が大きいことよりも、むしろ、表面粗さを小さくし平滑性を高めることが可能で、微細なスクラッチやピット、微小な突起あるいは他の表面欠陥の発生を防止できることが重要である。さらには、生産性の観点から、研磨速度が大きいことも重要である。なお、表面粗さの程度は、サブストレートの製造工程、メモリーハードディスクとしての最終的な記録容量およびその他の条件に応じて決定される。従って、求められる表面粗さの程度に応じて、２段階以上の研磨工程が採用されることもある。
【００１３】
また近年では、加エコスト削減のため、ＰＶＡ砥石によるブランク材の加工においていろいろな改良がなされてきた。これらの改良により、プランク材の表面粗さを小さくし、研磨前のメッキ基板の表面粗さやうねり等の品質を、従来における１段目の研磨後のレベルにすることが考えられている。そのような加工が行われれば、１段目の加工は不要となり、いわゆる仕上げ研磨のみの加工を行うことも可能になる。
【００１４】
前記の目的のため、特に仕上げ研磨において、酸化アルミニウム、または他の研磨材を徹底的に粉砕して適切な粒子径に整え、これに水を加えたものに、硝酸アルミニウムや各種の有機酸およびその他の研磨促進剤を加えて調製された研磨用組成物、あるいはコロイダルシリカおよび水を含有する研磨用組成物を用いてサブストレートの研磨が行われてきた。
【００１５】
しかし、前者の研磨用組成物を使用した場合、微小突起や微細なピットの発生の面で改良の余地があった。また、後者の研磨用組成物を使用した場合には、研磨速度、サブストレート端面のダレの指標であるロールオフやダブオフなど、さらには研磨後の洗浄の点で改良の余地があった。
【００１６】
前記の問題を解決すべく、特開平１−２４６０６８号公報には、有機酸によりｐＨを８以下に調整したコロイダルシリカ溶液を研磨剤として用い、アルミニウム合金基板の片面或いは両面を同時に研磨することを特徴とするアルミニウム合金基板の鏡面仕上げ方法が、また特開平２−１８５３６５号公報には、ＭｇおよびＭｎを含み、残部がＡｌ及び不可避的不純物からなるアルミニウム合金円板につき、有機酸によりｐＨを８以下に調整したコロイダルシリカ溶液を用いて研磨する研磨方法が開示されている。
【００１７】
さらに、特開平１０−２０４４１６号公報には、研磨材、水を含んでなるメモリーハードディスクの研磨用組成物であって、さらにこの組成物中に溶存している鉄化合物を含んでなることを特徴とする、メモリーハードディスクの研磨用組成物が開示されている。この研磨用組成物を用いては、研磨速度が大きく、表面粗さが小さいサブストレートを得ることができる。
【００１８】
また、特開平１１−１６７７１１号公報には、０．０１ｍｏｌ／ｌ以上の三価の鉄イオンを塩として含有しかつ粒径０．５μｍ以下のシリカ粒子を含有したコロイド状研磨剤を用いて研磨することを特徴とする磁気ディスク基板の製造方法が開示されている。
【００１９】
さらに、特開２０００−４２９０４号公報には、液層と、研磨剤と、該表面内に含まれる元素のリガンドを含む種とを含み、該リガンドは、諸元素のイオンまたは原子と結合しており、該結合は、該表面から、諸元素の吸着されたイオンまたは原子を除去するのに、十分強力であることを特徴とする、表面研磨用のスラリーが開示されている。
【００２０】
しかし、本発明者による検討の結果、十分な研磨速度、スクラッチの抑制、研磨機の腐食および損傷の防止、研磨面の十分な品質のすべてを同時に満たすことは困難であった。
【００２１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記の諸問題を解決すること、すなわち従来の研磨用組成物に求められていたような、研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制することが可能で、表面粗さを小さくすることができる研磨用組成物を提供することである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するためのメモリーハードディスクの研磨用組成物であって、水、二酸化ケイ素、酸化剤、ならびにリンゴ酸、マレイン酸、乳酸、酢酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、グリコール酸、アジピン酸、アスコルビン酸、イタコン酸、イミノジ酢酸、グリオキシル酸、ギ酸、アクリル酸、クロトン酸、ニコチン酸、シトラコン酸および酒石酸からなる群より選ばれる少なくとも１種類の有機酸を含んでなり、組成物のｐＨが１以上７未満であり、かつ組成物が実質的に金属イオンを含有しないことを特徴とするものである。
【００２３】
また、本発明のメモリーハードディスク製造方法は、表面粗さがＲａ＝３０Å以下であるＮｉ−Ｐディスクを、前記研磨用組成物を用いて研磨することを特徴とするものである。
【００２４】
さらに、本発明のメモリーハードディスク製造方法は、あらかじめ少なくとも一度、予備研磨工程が行われ、表面粗さがＲａ＝１５Å以下であるメモリーハードディスク用のサプストレートを、前記研磨用組成物を用いて仕上げ研磨を行うことを特徴とするものである。
【００２５】
そして、本発明のメモリーハードディスクの研磨用組成物は、研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制することが可能で、表面粗さを小さくすることができる。
【００２６】
また、本発明のメモリーハードディスク製造方法によれば、研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制することが可能で、表面粗さが小さいメモリーハードディスクを得ることができる。
【００２７】
【発明の具体的説明】
水
本発明による研磨用組成物には、実質的に金属イオンを含有していないものであれば、工水、市水、イオン交換水および蒸留水のいずれの水も使用可能であるが、金属イオンを実質的に含有しないイオン交換水を漏過し、異物を除去したものを使用することが好ましい。本発明による研磨用組成物には、金属イオンを含む水を使用することも可能であるが、その場合には最終的な研磨用組成物から適当な手段、例えばイオン交換、によって金属イオンを除去することが必要である。
【００２８】
なお、本発明において、「金属」とはＩＡ族、ＩＩＡ族、ＩＢ〜ＶＩＩＢ族、およびＶＩＩＩ族の元素をいう。
【００２９】
研磨材
本発明による研磨用組成物は、研磨材として二酸化ケイ素を含むことを特徴とする。二酸化ケイ素には、コロイダルシリカ、フユームドシリカ、およびその他の製造法や性状の異なるものが多種存在するが、コロイダルシリカであることが好ましい。
【００３０】
コロイダルシリカを製造する方法としては、例えばケイ酸ナトリウムまたはケイ酸カリウムをイオン交換した超微粒子コロイダルシリカを粒子成長させる方法、アルコキシシランを酸またはアルカリで加水分解する方法、あるいは有機ケイ素化合物を湿式にて加熱分解する方法がある。
【００３１】
また、市販されているコロイダルシリカを酸および／またはアルカリの添加、もしくはイオン交換によってｐＨを調整し、コロイダルシリカが高濃度でもコロイド状態を維持できるようにすることが可能である。さらに、市販されているコロイダルシリカには、単分散のもの、いくつかの粒子が結合し会合比を有するものがあり、また金属不純物等の含有量を低減させた高純度のものがあるが、本発明による研磨用組成物には、上記のいずれのコロイダルシリカも使用することができる。
【００３２】
二酸化ケイ素の粒径は、研磨速度や研磨面の品質に影響する。十分な研磨速度を維持し、研磨面の表面粗さを十分に小さくし、スクラッチの発生を最小限に抑えるという観点から、二酸化ケイ素の粒径はＢＥＴ法により測定した比表面積から求められる平均粒子径で、一般に０．００５〜０．２μｍ、好ましくは０．０１〜０．１μｍ、である。
【００３３】
二酸化ケイ素の含有量は、用いられる二酸化ケイ素の種類によっても異なる。ただし、十分な研磨速度を維持し、かつ組成物の均一分散性と適度な粘度を維持するという観点から、二酸化ケイ素の含有量は、研磨用組成物の全重量に対して一般に１〜４０％、好ましくは１〜２０％である。
【００３４】
研磨促進剤
また、本発明による研磨用組成物は酸化剤を含むことを特徴とする。この酸化剤は、上述の有機酸と合わせて使用することにより研磨促進剤として作用するものである。本発明において、酸化剤は金属イオンを含有しないものであることが好ましい。このような酸化剤としては、塩素酸、過塩素酸、硫酸、過硫酸、硝酸、過硝酸、過酸化水素、ヨウ素酸および過ヨウ素酸から選ばれる少なくとも１種類であることが好ましく、特に過酸化水素であることが好ましい。酸化剤が金属イオンを含有していてもよいが、この場合には最終的な研磨用組成物から適当な手段、例えばイオン交換、によって金属イオンを除去することが必要である。
【００３５】
本発明による研磨用組成物中における酸化剤の含有量は、その種類により異なる。ただし、酸化剤のケミカルな効果を十分発現させて十分な研磨速度を維持し、かつスクラッチの発生を防止するという観点から、酸化剤の含有量は研磨用組成物の全重量に対して、一般的に０．１％以上である。一方、ある一定の含有量を超えると、酸化剤の増加に伴う研磨速度改良が得られなくなるという経済性の観点、および過剰な酸化剤の分解によって発生する酸素に起因する、貯蔵容器の変形もしくは破裂を防止するという観点から、酸化剤の含有量は研磨用組成物の全重量に対して、５％以下、好ましくは３％以下、である。
【００３６】
また、本発明による研磨用組成物は、リンゴ酸、マレイン酸、乳酸、酢酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、グリコール酸、アジピン酸、アスコルピン酸、イタコン酸、イミノジ酢酸、グリオキシル酸、ギ酸、アクリル酸、クロトン酸、ニコチン酸、シトラコン酸および酒石酸からなる群より選ばれる少なくとも１種類の有機酸を含むことを特徴とする。これらの有機酸は、前述の酸化剤と合わせて使用することにより研磨促進剤として作用するものであり、特にリンゴ酸、マレイン酸、乳酸、イタコン酸および酢酸からなる群より選ばれる少なくとも１種類であることが好ましい。なお、金属イオンを含有する有機酸塩は、研磨材である二酸化ケイ素を凝集させ、その凝集粒子がスクラッチ発生の原因となることがある。
【００３７】
なお、本発明による研磨用組成物中における有機酸の含有量は、その種類により異なる。ただし、有機酸のケミカルな効果を十分に発現させ、十分な研磨速度を維持し、スクラッチの発生を抑制するという観点、および経済性の観点から、有機酸の含有量は研磨用組成物の全重量に対して、一般的には０．０１〜１０％、好ましくは０．１〜５％である。
【００３８】
また、上記の研磨用組成物を調製する際、製品の品質保持や安定化を図る目的、被加工物の種類、加工条件およびその他の研磨加工上の必要性に応じて、各種の公知の添加剤をさらに加えてもよい。
【００３９】
研磨用組成物
本発明による研磨用組成物は、一般に、水に、二酸化ケイ素、酸化剤および有機酸を混合し、分散させ、さらに必要に応じてその他の添加剤を溶解させることにより調製する。これら成分を水に分散または溶解させる方法は任意であり、例えば、翼式撹拌機で撹拌したり、超音波分散により分散させる。また、これら成分の添加順序は任意であり、いずれを先に分散、溶解しても良く、また同時に行っても良い。
【００４０】
本発明による研磨用組成物は、各種の補助添加剤の添加により研磨用組成物のｐＨは変動するが、本発明の効果を発現させるためには、ｐＨを１以上７未満とする必要がある。さらには、ｐＨを２以上４未満とすることがより好ましい。組成物のｐＨをこの範囲とすることで、十分な研磨速度と研磨機等の腐食防止の効果を得ることができる。従って、研磨用組成物のｐＨが１を下回る場合、または７以上である場合は、アルカリや酸の添加によりｐＨを調整する必要がある。この場合においても、金属イオンを含まないアルカリや酸を使用して、最終的な研磨用組成物の金属イオンを実質的に含まないものとすることが好ましい。もし、原材料に金属イオンが含まれていた場合、研磨用組成物から適当な手段によって、金属イオンを除去することが必要である。
【００４１】
本発明による研磨用組成物は、実質的に金属イオンを含有しない。実質的に金属イオンを含有しないとは、本願発明の効果を損なわない量の金属イオンが存在することは許容されることを意味している。具体的には、本発明による研磨用組成物の金属イオンの含有量は、一般に５００ｐｐｍ以下、好ましくは５０ｐｐｍ以下、である。
【００４２】
また、本発明による研磨用組成物の貯蔵に際し、酸化剤が分解するのを防ぐために、研磨用組成物を二つもしくはそれ以上の組成物に分けた状態で保管してもよい。一例として、研磨材、有機酸および水を含むスラリーを高濃度の原液として調製、保存しておき、研磨直前またはその原液を希釈する際に酸化剤を溶解させて所定の組成の研磨用組成物を得る方法が考えられるが、このような方法を用いれば、比較的高濃度で、長期間の保存が可能となる。
【００４３】
本発明による研磨用組成物は、比較的高濃度の原液として調製、貯蔵あるいは輸送をし、実際の研磨加工時に希釈して使用することもできる。前述の各種成分の好ましい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものとして記載したものであり、このような使用方法をとる場合、貯蔵または輸送されている状態においてはより高濃度の溶液となることは言うまでもない。さらには、取り扱いやすさの観点から、研磨用組成物がそのような濃縮された形態で製造されることが好ましい。
【００４４】
なお、本発明による研磨用組成物が、サブストレートの研磨において、表面粗さが小さく、研磨速度が大きいと同時にスクラッチの発生を抑制することができる理由についての詳細な機構は明確に理解されていないが、Ｎｉ−Ｐメッキしたサブストレートを例に挙げると以下のように推察される。
【００４５】
まず、表面粗さが小さく研磨速度が大きい理由については、Ｎｉ−Ｐメッキ表面が有機酸のケミカルな作用によってエッチングされるとともに、酸化剤のケミカルな作用によって酸化され脆くなったところに、微細な二酸化ケイ素粒子による機械的作用が働き、小さな単位で、Ｎｉ−Ｐ表面が容易に除去されるためと考えられる。
【００４６】
また、スクラッチの発生を抑制することができる理由については、本発明による研磨用組成物が金属イオンを含まないため、研磨材である二酸化ケイ素の凝集を促進しないためと考えられる。
【００４７】
メモリーハードディスクの製造法
本発明によるメモリーハードディスク製造方法は、前記した研磨用組成物を用いて、メモリーハードディスクを研磨することを含むものである。
【００４８】
研磨対象となるメモリーハードディスクのサブストレートには、例えばＮｉ−Ｐディスク、Ｎｉ−Ｆｅディスク、ボロンカーバイドディスク、カーボンディスク等がある。これらのうち、Ｎｉ−Ｐディスクに特に好適である。
【００４９】
本発明のメモリーハードディスクの製造方法は、前記した研磨用組成物を用いられる限り、従来のいかなるメモリーハードディスクの研磨方法や研磨条件と組み合わせることもできる。
【００５０】
例えば、研磨機として、片面研磨機、両面研磨機、および他を使用することができる。また、研磨パッドは、スウェードタイプ、不織布タイプ、植毛布タイプ、起毛タイプ等を用いることができる。
【００５１】
また、本発明による研磨用組成物は、表面粗さが小さく、研磨速度が大きいと同時にスクラッチの発生を抑制することができることから、表面粗さがＲａ＝３０Å以下に調整されたサブストレートに対して、１段階で研磨を行うこともできるが、研磨工程を条件の異なった２段階以上で行うことも可能である。研磨工程が２段階以上で行われる場合、前記した研磨用組成物を用いた研磨工程を最終の研磨工程とすること、すなわち予備研磨されたサブストレートに対して、本発明による研磨用組成物を用いて研磨することが好ましい。さらには、本発明による研磨用組成物による研磨をより効率的に行うためには、予備研磨されたサブストレートの表面粗さは、光学式表面粗さ計を用いた測定方法において、Ｒａ＝１５Å以下に調整されていることがより好ましい。
【００５２】
以下は、本発明による研磨用組成物およびメモリーハードディスクの製造方法について例を用いて具体的に説明するものである。なお、本発明は、その要旨を超えない限り、以下に説明する諸例の構成に限定されるものではない。
【００５３】
研磨用組成物の調製
まず、イオン交換水に、コロイダルシリカ（１次粒子径：０．０３５μｍ）、酸化剤および有機酸を、それぞれ表１に記載されたとおり添加、混合して、実施例１〜３２および比較例１〜１３の試料を調製した。過酸化水素は３１％濃度の過酸化水素水を使用したが、表１に記載した含有量は、過酸化水素としての値である。なお、各々の試料のｐＨは表１に示す通りであった。
【００５４】
研磨試験用サブストレートの作成
前記の試料を用いて２段研磨による評価を行うために、サブストレートを作成した。研磨条件は以下の通りであった。
【００５５】
研磨条件（１段目）

【００５６】
研磨試験
次に、上記実施例１〜３２および比較例１〜１３の試料と、１段目研磨済のサブストレートを用いて研磨試験を行った。研磨条件は以下の通りであった。なお、サブストレートの表面粗さ（Ｒａ）は、光学式表面粗さ計ＭｉｃｒｏＸａｍ〔Ｘ５０〕（米国Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ社製）を用いて測定した値を記載した。
【００５７】
研磨条件

【００５８】
研磨後、サブストレートを順次洗浄、乾燥した後、研磨によるサブストレートの重量減を測定した。測定は、研磨された２０枚全てについて行い、その平均から研磨速度を求めた。評価基準は以下の通りである。
◎：０．１μｍ／ｍｉｎ以上
○：０．０５μｍ／ｍｉｎ以上０．０１μｍ／ｍｉｎ未満
Ｘ：０．０５μｍ／ｍｉｎ未満
【００５９】
次に、暗室内にてスポットライト（山田光学工業株式会社製、５０万ルクス）下で目視にて、研磨後の全サブストレートの表裏面を観察、スクラッチ数をカウントし、その平均から面当たりのスクラッチ数を求めた。評価基準は以下の通り
◎：１０本／面未満
○：１０本／面以上２０本／面未満
Ｘ：２０本／面以上
研磨速度およびスクラッチの発生状況に関する評価結果は、表１に示すとおりであった。
【００６０】
【表１】

【００６１】
【表２】

【００６２】
表１の実施例１〜３２の結果より、本発明による研磨用組成物は、大きな研磨速度が得られることが分かる。また、実施例１〜３２と比較例１〜４の結果より、本発明による研磨用組成物は、高い研磨性能を発揮することが可能であることがわかった。
【００６３】
さらに、実施例１〜３２と比較例５、１２および１３の結果より、リンゴ酸、マレイン酸、乳酸、酢酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、グリコール酸、アジピン酸、アスコルピン酸、イタコン酸、イミノジ酢酸、グリオキシル酸、ギ酸、アクリル酸、クロトン酸およびニコチン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種類の有機酸を含む本発明による研磨用組成物は、これら以外の有機酸であるグルタミン酸および有機酸の鉄塩であるクエン酸鉄アンモニウム（III）を含む組成物と比較して、スクラッチの発生を防止できることが分かる。
【００６４】
また、実施例４と比較例６および７の結果より、本発明による研磨用組成物は、金属イオンを含む酸化剤である塩素酸カリウムや過硫酸カリウムを含む組成物と比較して、研磨速度が大きくスクラッチの発生を防止できることが分かる。
【００６５】
さらに、実施例１〜９と比較例８および９の結果より、有機酸を含む本発明による研磨用組成物は、有機酸塩を含む組成物と比較して、研磨速度が大きくスクラッチの発生を防止できることが分かる。
【００６６】
そして、実施例１〜２６と比較例１０〜１３の結果より、本発明による研磨用組成物は、従来の鉄化合物を含む組成物およびさらに酸化剤を含む組成物と比較して、スクラッチの発生を防止できることが分かる。
【００６７】
なお、実施例１〜３２および比較例１〜１３のいずれの試料で研磨したサブストレートも、表面粗さは小さく問題となるレベルではなかった。
【００６８】
前述のように、本発明による研磨用組成物は、研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制することが可能で、表面粗さを小さくすることができ、また大きな研磨速度をもたらされることがわかった。
【００６９】
【発明の効果】
以上より、本発明による研磨用組成物は、研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制することができ、表面粗さを小さくすることが可能になるとともに、大きな研磨速度をもたらすことができる。
【００７０】
また、本発明による研磨用組成物を用いることにより、研磨速度が大きくスクラッチの発生を抑制することができ、表面粗さを小さくすることが可能であり、優れた加工表面を有するメモリーハードディスク用のサブストレートを効率的に製造することができる。
【００７１】
さらに、あらかじめ少なくとも一度、予備研磨工程が行われ、仕上げ研磨前の表面粗さがＲａ＝３０Å以下であるメモリーハードディスク用のサブストレートを、本発明による研磨用組成物を用いて仕上げ研磨を行うことにより、優れた仕上げ加表面を有するメモリーハードディスク用のサブストレートを製造することができる。

Claims (5)

1. メモリーハードディスクの研磨用組成物であって、
   水、
   組成物全体の重量を基準として１〜２０重量％の、平均粒子径が０．００５〜０．２μである二酸化ケイ素、
   組成物全体の重量を基準として０．１〜５重量％の、過酸化水素、ならびに
   組成物全体の重量に対して０．１〜５重量％の、リンゴ酸、マレイン酸、乳酸、酢酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、グリコール酸、アジピン酸、アスコルビン酸、イタコン酸、グリオキシル酸、ギ酸、アクリル酸、クロトン酸、およびニコチン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種類の有機酸
   を含んでなり、組成物のｐＨが２以上４未満であり、かつ組成物の金属イオンの含有量が５０ｐｐｍ以下である、ことを特徴とするメモリーハードディスクの研磨用組成物。
2. 二酸化ケイ素がコロイダルシリカである、請求項１に記載のメモリーハードディスクの研磨用組成物。
3. 有機酸が、リンゴ酸、マレイン酸、乳酸、イタコン酸および酢酸からなる群より選ばれる少なくとも１種類である、請求項１または２に記載のメモリーハードディスクの研磨用組成物。
4. 表面粗さがＲａ＝３０Å以下であるＮｉ−Ｐディスクを、請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて研磨することを特徴とする、メモリーハードディスク製造方法。
5. あらかじめ少なくとも一度予備研磨工程が行われ、表面粗さがＲａ＝１５Å以下であるメモリーハードディスク用のサブストレートを、請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて仕上げ研磨を行うことを特徴とする、メモリーハードディスクの製造方法。