JP4448834B2 - 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置では、例えば、一対の基板が所定の隙間を介してシール領域においてシール材によって貼り合わされ、これらの基板間に液晶等の電気光学物質が封入される。一対の基板のうち素子基板上の表示領域に、画素電極、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）が層間絶縁膜を介して積層構造として作り込まれ、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、素子基板上の表示領域の周囲の周辺領域（シール領域を含む）には、画像信号を供給するための画像信号線等が積層構造として作り込まれる。

また、電気光学物質の配向状態に乱れが生じてしまう可能性を低減するために、上述した積層構造に起因して素子基板の表面に生じる凹凸に対し、化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）等の平坦化処理が施される。

一方、この種の電気光学装置では、Ｎ本のデータ線に供給すべき画像信号を時分割で入力すると共に、時分割でＮ本のデータ線を複数本ずつ選択して供給する駆動方式（即ち、ハイブリッド方式或いはデマルチプレクサ方式）が採用されることがある（例えば特許文献１参照）。

特開２００５−４３４１７号公報

しかしながら、上述した電気光学装置では、表示領域に積層される配線等の数と比較して、シール領域に積層される配線の数が少ないため、素子基板の表面に生じる凹凸に対し平坦化処理を施したとしても、素子基板の表面を均一に平坦化することは困難であるという技術的問題点がある。更に、上述したハイブリッド方式が採用された電気光学装置では、Ｎ本のデータ線毎に１本の画像信号線が対応することとなるため、表示領域とシール領域との配線の数の差が大きくなり、素子基板の表面を均一に平坦化することが、より一層、困難になってしまうという問題点もある。加えて、画像信号線は、シール領域における素子基板の一辺に沿った領域にのみ配線されることが多く、シール領域内において偏った凹凸の分布が生じてしまい、シール材によって素子基板と対向基板とを所定の間隔で保持することが困難になってしまうという技術的問題点もある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、基板表面の平坦性を高めることができ、高品位な画像表示の可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、第１基板と、該第１基板上に所定画素ピッチで配列された複数の画素電極と、該複数の画素電極が配列された画素領域に、前記画素電極よりも層間絶縁膜を介して下層側に配置されると共に前記画素電極と電気的に接続された電子素子と、前記第１基板と対向して配置された第２基板と、前記画素領域の周囲に沿ったシール領域において、前記第１及び第２基板を相互に貼り合わせるシール材と、前記第１基板上の前記画素領域に、前記画素電極よりも下層側に配置されると共に前記電子素子に電気的に接続された複数の走査線と、該複数の走査線と互いに交差するように、前記画素電極よりも下層側に配置されると共に、Ｎ（但し、Ｎは２以上の整数）本毎にブロック化された複数のデータ線と、前記第１基板上に、前記第１基板の一辺に沿って設けられ、外部回路からの画像信号が供給される複数の画像信号端子と、該複数の画像信号端子に夫々電気的に接続されると共に、前記シール領域のうち前記一辺に沿った領域において前記一辺に交わる方向に沿って配置された配線部分を有する複数の画像信号線と、前記第１基板上に、前記複数のデータ線に夫々対応する複数のスイッチを含み、前記ブロック毎に１本のデータ線を選択して、前記複数の画像信号線のうち前記選択したデータ線が属するブロックに対応する画像信号線から供給される前記画像信号を、前記選択したデータ線に出力する選択回路と、前記第１基板上における前記複数の画像信号線のうち互いに隣り合う画像信号線の前記配線部分間に設けられると共に前記複数のデータ線、前記複数の走査線及び前記電子素子を構成する導電膜のうち少なくとも一の導電膜と同一膜からなる複数のダミー配線とを備え、前記複数のダミー配線は前記画素領域と前記画像信号端子との間に、前記シール領域に重なるように配置され、且つ前記シール領域の外側に沿って配置された定電位線に電気的に接続されると共に、該定電位線から前記シール領域側へ夫々突出するように且つ前記定電位線から前記画像信号端子側へ夫々突出しないように配置されている。

本発明の電気光学装置では、例えばガラス基板、石英基板等からなる第１基板上の画素領域に例えば透明導電膜からなる画素電極が所定画素ピッチで例えばマトリクス状に配列される。本発明に係る「所定画素ピッチ」とは、相隣接する画素電極における中心間の間隔或いは距離を意味し、画素電極が平面的に配列される場合において、第１基板の一辺に沿ったＸ方向及びこれに交わるＹ方向の各方向に沿った間隔が異なるときには、その各々の間隔を意味する。更に、第１基板上の画素領域には、例えば、互いに交差するように配設された複数の走査線及びデータ線等の信号線、並びに各画素電極に対応する画素スイッチング用の電子素子が、画素電極よりも層間絶縁膜を介して下層側に形成される。即ち、第１基板上には信号線及び電子素子が層間絶縁膜を介して積層され、それらの上層側に画素電極が積層される。このように画素電極等が形成された第１基板と、例えば対向電極等が形成された例えばガラス基板からなる第２基板とは、画素電極と対向電極とが対向するように、所定間隔（即ち基板間ギャップ）を介してシール領域において例えば光硬化性樹脂からなるシール材によって貼り合わされる。シール材には、第１及び第２基板間の所定間隔を規定するための例えばビーズ状やファイバー状のギャップ材が混入される。このように貼り合わされた第１及び第２基板間に液晶等の電気光学物質が封入される。電気光学装置の動作時には、例えば画像信号線から供給される画像信号等に基づいて、画素電極及び対向電極間の液晶等の電気光学物質に電圧が印加され、画素領域において画像表示が行われる。

本発明では特に、信号線及び電子素子を構成する導電膜のうち少なくとも一の導電膜と同一膜からなる複数のダミー配線が、第１基板上のシール領域の少なくとも一部に、画素領域の周囲に沿って所定画素ピッチと等しい配列ピッチで配列される。本発明に係る「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。尚、「同一膜からなる」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。また、「所定画素ピッチと等しい配列ピッチで配列」とは、複数のダミー配線が所定画素ピッチと完全に等しい配列ピッチで配列される場合の他、複数のダミー配線の配列ピッチと所定画素ピッチとの差が実践上問題とならない程度にある場合も含む趣旨である。

即ち、例えば、画素領域の周囲を囲むシール領域のうちＸ方向に沿ったシール領域において、Ｙ方向に延びるダミー配線がＸ方向の所定画素ピッチと等しい配列ピッチでＸ方向に沿って配列され、画素領域の周囲を囲むシール領域のうちＹ方向に沿ったシール領域において、Ｘ方向に延びるダミー配線がＹ方向の所定画素ピッチと等しい配列ピッチでＹ方向に沿って配列される。

よって、シール領域における第１基板の表面に生じ得る凹凸と、画素領域における第１基板の表面に生じ得る凹凸との差を小さくすることができる。即ち、シール領域内に所定画素ピッチと等しい配列ピッチで配列された複数のダミー配線によって、画素領域内における積層構造に起因する凹凸を模擬することができる。言い換えれば、複数のダミー配線によって、第１基板上のシール領域及び画素領域における表面の凹凸を殆ど或いは完全に均一に生じさせることができる。従って、第１基板の表面（或いは、第１基板上に積層された画素電極より下層側の層間絶縁膜の表面）に生じた凹凸に対し、ＣＭＰ等の平坦化処理を施すことによって凹凸を除去した後の、第１基板の表面の平坦性を高めることができる。これにより、液晶等の電気光学物質の配向状態に乱れが生じてしまう可能性を低減できる。更に第１基板上のシール領域における表面の凹凸に起因して、シール材によって（言い換えれば、シール材に含まれるギャップ材によって）第１基板と第２基板とを所定の間隔で保持することが困難になる事態を回避できる。

更に、本発明では特に、複数のダミー配線は所定画素ピッチと等しい配列ピッチで配列されているので、例えば光硬化性樹脂からなるシール材を、例えば紫外線（ＵＶ光）等の光を第１基板側から照射することにより硬化させる際に、シール材を均一に硬化させることができる。即ち、相隣接するダミー配線間に所定画素ピッチ毎に設けられた隙間を介して第１基板側から照射される光を殆ど或いは実践的に完全に均一に透過してシール材を硬化させることができる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、第１基板上のシール領域に、複数のダミー配線が所定画素ピッチと等しい配列ピッチで配列されるので、画素領域内における積層構造に起因する凹凸を模擬することができ、第１基板の表面の平坦性を高めることができる。よって、電気光学物質の配向状態に乱れが生じる可能性を低減できると共にシール材によって第１基板と第２基板とを所定の間隔で確実に保持することができる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記複数のダミー配線は、互いに隣り合う前記配線部分間において、前記所定画素ピッチと等しい配列ピッチで配列される。

この態様によれば、シール領域において、複数のダミー配線のうち少なくとも一部は、画像信号線における一辺に交わる方向（即ち、Ｙ方向）に沿った配線部分との配列ピッチが所定画素ピッチと等しくなるように配列される。即ち、複数のダミー配線の一部は、画像信号線におけるＹ方向に沿った配線部分と共に、所定画素ピッチと等しい配列ピッチで配列される。よって、画像信号線の配線部分が形成されたシール領域において、画素領域における表面の凹凸を模擬することができる。従って、第１基板の表面の平坦性を高めることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１基板上に、前記画素領域に設けられた複数の走査線と、前記複数の走査線と互いに交差するように設けられると共に、Ｎ（但し、Ｎは２以上の整数）本毎にブロック化された複数のデータ線と、前記複数のデータ線に夫々対応する複数のスイッチを含み、前記ブロック毎に１本のデータ線を選択して、前記複数の画像信号線のうち前記選択したデータ線が属するブロックに対応する画像信号線から供給される前記画像信号を、前記選択したデータ線に出力する選択回路とを備える。

この態様によれば、シール領域における、相隣接する画像信号線におけるＹ方向に沿った配線部分間の間隔は、所定画素ピッチよりも大きい。よって、相隣接する画像信号線におけるＹ方向に沿った配線部分間に、ダミー配線を配列することによって第１基板の表面の平坦性を効果的に高めることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記配線部分は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置された複数の導電膜から夫々形成され、前記複数のダミー配線は夫々、前記複数の導電膜と同一膜から形成される。

この態様によれば、ダミー配線は、画像信号線における前記配線部分を構成する複数の導電膜と同一膜から形成される。即ち、例えば、画像信号線の前記配線部分が２つの導電膜によって二重配線として形成されている場合には、ダミー配線も該２つの導電膜からなる二重配線として形成される。よって、第１基板上のシール領域における前記配線部分による凹凸とダミー配線による凹凸との差を小さくすることができ、第１基板の表面の平坦性を、より一層、高めることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数のダミー配線の配線幅は、前記複数の画像信号線の配線幅と互いに等しくなるように形成される。

この態様によれば、第１基板上のシール領域における前記配線部分による凹凸とダミー配線による凹凸との差を、より一層、小さくすることができる。これにより、第１基板の表面の平坦性を、より一層、高めることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１基板上に一定電位を供給するための定電位線を備え、前記複数のダミー配線は、前記定電位線と電気的に接続される。

この態様によれば、複数のダミー配線は、例えば接地電位等の一定電位を供給する定電位線と電気的に接続される。よって、複数のダミー配線は、相隣接する信号線間、例えば相隣接する画像信号線間の電磁的な干渉を低減させるシールド膜として機能する。従って、例えば相隣接する画像信号線が互いに電磁ノイズによる悪影響を及ぼし合うことを低減或いは防止できる。

尚、定電位線は、例えば、走査線を駆動するための走査線駆動回路に電源を供給するための電源電位線や対向電極に所定電位を供給するための対向電極電位線としてもよい。

尚、複数のダミー配線は、信号の電位が一定時間毎に所定電位へと変化する、例えば一定周期で反転するような所定電位信号を供給するための所定電位線と電気的に接続されるようにしてもよい。この場合にも、各一定時間について見れば、信号の電位は一定であるので、上記と同様の電磁的な干渉を低減する効果が相応に得られる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例であるＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図６を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０は、本発明に係る「第１基板」の一例であり、対向基板２０は、本発明に係る「第２基板」の一例である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、紫外線硬化樹脂からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域５３ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、画像信号が供給される画像信号端子を含む外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、本発明に係る「選択回路」の一例としてのデマルチプレクサ７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、デマルチプレクサ７、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。また、シール領域５２ａには、後述する複数のダミー配線が設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、デマルチプレクサ７、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。

図３において、液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、デマルチプレクサ７及び走査線駆動回路１０４を備えている。更に、ＴＦＴアレイ基板１０上には、上下導通端子１０６に対向電極電位ＬＣＣＯＭを供給するための、本発明に係る「定電位線」の一例としての対向電極電位線９１が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０上の外部回路接続端子１０２のうち画像信号端子１０２ｖに外部回路としての画像信号供給回路４００が接続されている。

ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａには、３２０行の走査線１１ａが行方向（即ち、Ｘ方向）に延在するように設けられ、また、４本毎にグループ化された４８０（＝１２０×４）列のデータ線６ａが列方向（即ち、Ｙ方向）に延在するように、且つ、各走査線１１ａと互いに電気的な絶縁を保つように、設けられている。尚、走査線１１ａ及びデータ線６ａの本数はそれぞれ３２０本及び４８０本に限定されるものではない。１グループを構成するデータ線数は、本実施形態では「４」としたが、「２」以上であればよい。

画素電極９ａは、３２０本の走査線１１ａと４８０本のデータ線６ａとの交差部に対応して、それぞれ配列されている。従って、本実施形態では、画素電極９ａは、縦３２０行×横４８０列で、所定の画素ピッチでマトリクス状に配列することになる。尚、ここでは図示しないが、各画素電極９ａとデータ線６ａとの間には、走査線１１ａを介して夫々供給される走査信号に応じて夫々の導通状態及び非導通状態が制御される画素スイッチング用ＴＦＴや、画素電極９ａに印加した電圧を長く維持する蓄積容量のための容量配線が形成されている。

ここで本実施形態では、１グループを構成する４列のデータ線６ａを区別するために、左から順にそれぞれａ、ｂ、ｃ、ｄ系列と呼ぶ場合がある。詳細には、ａ系列とは１、５、９、…、４７７列目のデータ線６ａであり、ｂ系列とは２、６、１０、…、４７８列目のデータ線６ａであり、ｃ系列とは３、７、１１、…、４７９列目のデータ線６ａであり、ｄ系列とは４、８、１２、…、４８０列目のデータ線６ａである。

図３において、走査線駆動回路１０４は、１、２、３、…、３２０行目の走査線１１ａに、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ３２０を供給する。詳細には、走査線駆動回路１０４は、１フレームの期間にわたって１、２、３、…、３２０行目の走査線１１ａを順番に選択するとともに、選択した走査線への走査信号を選択電圧に相当するＨレベルとし、それ以外の走査線への走査信号を非選択電圧に相当するＬレベルとする。本実施形態では、走査線駆動回路１０４には、外部電源から、低電源電位線９３を介して対向電極電位ＬＣＣＯＭよりも低い低電源電位ＶＳＳ（例えば０ボルト）が供給され、高電源電位線９２を介して対向電極電位ＬＣＣＯＭよりも高い高電源電位ＶＤＤ（例えば１５ボルト）が供給される。即ち、走査信号のＬレベルは低電源電位ＶＳＳであり、走査信号のＨレベルは高電源電位ＶＤＤである。尚、低電源電位線９３は、本発明に係る「定電位線」の一例である。

画像信号供給回路１４０は、ＴＦＴアレイ基板１０とは別体構成であり、表示動作の際には、画像信号端子１０２ｖを介してＴＦＴアレイ基板１０と接続される。画像信号供給回路１４０は、走査線駆動回路１０４によって選択された走査線１１ａと、各グループに属する４列のデータ線６ａのうち、デマルチプレクサ７によって選ばれるデータ線６ａとに対応する画素電極９ａに対し、当該画素電極９ａが含まれる画素の階調に応じた電圧の画像信号を出力する。

尚、本実施形態では、上述したように、データ線６ａの列数は「４８０」であり、これらが４列毎にグループ化されているので、画像信号端子１０２ｖの個数は「１２０」である。

デマルチプレクサ７は、データ線６ａ毎に設けられたＴＦＴ７１を含んで構成されている。ここで、ＴＦＴ７１はｎチャネル型であり、各ドレインはデータ線６ａの一端に接続され、同一グループに属するデータ線６ａに対応する４個のＴＦＴ７１のソースは共通接続されて、当該グループに対応する画像信号が供給される。

即ち、ｍ番目（但し、ｍは１以上１２０以下の整数）のグループは、ａ系列の（４ｍ−３）列目、ｂ系列の（４ｍ−２）列目、ｃ系列の（４ｍ−１）列目およびｄ系列の（４ｍ）列目のデータ線６ａから構成されるので、これら４列のデータ線６ａに対応するＴＦＴ７１のソースは共通接続されて、画像信号ＶＩＤ（ｍ）が供給される。（４ｍ−３）列目のデータ線６ａに対応するＴＦＴ７１のゲートには、制御信号Ｓｅｌ１が供給され、同様に（４ｍ−２）列目、（４ｍ−１）列目および（４ｍ）列目のデータ線６ａに対応するＴＦＴ７１のゲートには、制御信号Ｓｅｌ２、Ｓｅｌ３およびＳｅｌ４が供給される。尚、制御信号Ｓｅｌ１、Ｓｅｌ２、Ｓｅｌ３及びＳｅｌ４は、図示しない外部回路としてのタイミング制御回路から外部回路接続端子１０２を介して供給される。

ここで、上述のように構成された液晶装置の動作について説明する。

走査線駆動回路１０４は、ある１フレーム（ｎフレーム）の期間にわたって走査信号Ｇ１、…、Ｇ３２０を１水平期間毎に順次排他的にＨレベル（即ち、選択電圧）とする。

ここで、１水平期間では、タイミング制御回路から供給される制御信号Ｓｅｌ１、Ｓｅｌ２、Ｓｅｌ３及びＳｅｌ４は、この順番で排他的にＨレベルとなり、この供給に合わせて画像信号供給回路４００は、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、…、ＶＩＤ１２０を供給する。

詳細には、画像信号供給回路４００は、ｉ行目の走査信号ＧｉがＨレベルとなる期間において、制御信号Ｓｅｌ１がＨレベルとなったとき、ｉ行目の走査線１１ａとａ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた電圧だけ対向電極電位ＬＣＣＯＭに対して高位または低位の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、…、ＶＩＤ１２０を、１、２、３、…、１２０番目のグループに対応させて一斉に出力する。この際、制御信号Ｓｅｌ１だけがＨレベルであるので、ａ系列のデータ線６ａが選択される（即ち、ａ系列のデータ線６ａに対応するＴＦＴ７１だけがオンする）結果、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、…、ＶＩＤ１２０は、それぞれａ系列（１、５、９、…、４７７列目）のデータ線６ａに供給される。一方、走査信号ＧｉがＨレベルであると、ｉ行目に位置する画素のすべてにおいて、画素スイッチング用ＴＦＴがオン（導通）状態となるので、ａ系列のデータ線６ａに供給された画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、…、ＶＩＤ１２０は、それぞれｉ行１列、ｉ行５列、ｉ行９列、…、ｉ行４７７列の画素電極９ａに印加されることになる。

次に、画像信号供給回路４００は、制御信号Ｓｅｌ２がＨレベルとなったとき、今度はｉ行目の走査線１１ａとｂ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、…、ＶＩＤ１２０を、１、２、３、…、１２０番目のグループに対応させて一斉に出力する。この際、制御信号Ｓｅｌ２だけがＨレベルであるため、ｂ系列のデータ線６ａが選択される結果、画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、…、ＶＩＤ１２０は、それぞれｂ系列（２、６、１０、…、４７８列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行２列、ｉ行６列、ｉ行１０列、…、ｉ行４７８列の画素電極９ａに印加されることになる。

同様に、画像信号供給回路４００は、ｉ行目の走査信号ＧｉがＨレベルとなる期間において、制御信号Ｓｅｌ３がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｃ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、制御信号Ｓｅｌ４がＨレベルとなったときには、ｉ行目の走査線１１ａとｄ系列のデータ線６ａとの交差に対応する画素、の階調に応じた電圧の画像信号ＶＩＤ１、ＶＩＤ２、ＶＩＤ３、…、ＶＩＤ１２０を、それぞれ１、２、３、…、１２０番目のグループに対応させて一斉に出力し、これにより、ｃ系列（３、７、１１、…、４７９列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行３列、ｉ行７列、ｉ行１１列、…、ｉ行４７９列の画素電極９ａに印加され、引き続き、ｄ系列（４、８、１２、…、４８０列目）のデータ線６ａに供給されて、それぞれｉ行４列、ｉ行８列、ｉ行１２列、…、ｉ行４８０列の画素電極９ａに印加される。

これにより、ｉ行目の画素に対して、階調に応じた画像信号の電圧を書き込む動作が完了する。尚、画素電極９ａに印加された電圧は、走査信号ＧｉがＬレベルになっても、液晶容量によって次の（ｎ＋１）フレームの書き込みまで保持されることになる。

次に、本実施形態に係る液晶装置のダミー配線について、図３に加えて、図４から図６を参照して、詳細に説明する。ここに図４は、図１の領域Ｃ１におけるダミー配線のレイアウトを示す平面図であり、図５は、図１の領域Ｃ２におけるダミー配線のレイアウトを示す平面図である。図６は、図５のＢ−Ｂ´線での断面図である。

図３から図５に示すように、本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０上に複数のダミー配線９５、９６及び９７を備えている。複数のダミー配線９５、９６及び９７はそれぞれ、少なくとも部分的にシール領域５２ａに重なるように形成されている。

より具体的には、図３及び図４において、複数のダミー配線９６は、例えばデータ線６ａ等を構成する導電膜と同一膜から形成されている。複数のダミー配線９６は、画像表示領域１０ａを囲むシール領域５２ａのうちＹ方向に沿った領域（即ち、図１中、シール領域５２ａのうち画像表示領域１０ａの左右側に位置する領域）内において、それぞれＸ方向に延びるように形成されており、画素電極９ａがＹ方向に沿って配列される画素ピッチＬ２と等しい配列ピッチＤ２で、Ｙ方向に沿って配列されている。本実施形態では、画素ピッチＬ２及び配列ピッチＤ２並びに後述する画素ピッチＬ１及び配列ピッチＤ１はいずれも、約１０ｕｍであり、複数のダミー配線９６の配線幅Ｗ２及び後述する複数のダミー配線９７の配線幅Ｗ１はいずれも、約５ｕｍである。複数のダミー配線９６は、対向電極電位線９１と接続されており、対向電極電位ＬＣＣＯＭが供給されている。

複数のダミー配線９７は、例えばデータ線６ａ等を構成する導電膜と同一膜から形成されている。複数のダミー配線９７は、画像表示領域１０ａを囲むシール領域５２ａのうち画像表示領域１０ａに対して外部回路接続端子１０２とは反対側に位置するＸ方向に沿った領域（即ち、図１中、シール領域５２ａのうち画像表示領域１０ａの上側に位置する領域）内において、Ｙ方向に沿って延びるように形成されており、画素電極９ａがＸ方向に沿って配列される画素ピッチＬ１と等しい配列ピッチＤ１で、Ｘ方向に沿って配列されている。複数のダミー配線９７は、対向電極電位線９１と接続されており、対向電極電位ＬＣＣＯＭが供給されている。

図３及び図５において、複数のダミー配線９５は、画像信号線９９を構成する複数の導電膜と同一膜から形成されている。

詳細には、図５及び図６に示すように、画像信号線９９は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置された３つの配線層９９ａ、９９ｂ及び９９ｃとからなる。配線層９９ｃは、走査線１１ａを構成する導電膜と同一膜から構成されており、ＴＦＴアレイ基板１０上の下地絶縁膜１２上に形成されている。配線層９９ｂは、層間絶縁膜４１を介して配線層９９ｃの上層側に配置された導電膜から構成されており、配線層９９ｃと、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介して、互いに電気的に接続されている。配線層９９ａは、層間絶縁膜４２を介して配線層９９ｂの上層側に配置された導電膜から構成されており、配線層９９ｂと、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８１を介して、互いに電気的に接続されている。配線層９９ａ及び配線層９９ｂは、他の配線（例えば配線層９９ａと同一膜からなる低電源電位線９３）と電気的に絶縁状態を保ちつつ交差するために、シール領域５２ａよりも外部回路接続端子１０２（図１参照）側においては形成されていない（図５参照）。このように、画像信号線９９は、シール領域５２ａ内において、互いに電気的に接続された３つの配線層９９ａ、９９ｂ及び９９ｃからなる三重配線として形成されている。

ダミー配線９５は、シール領域５２ａ内において、画像信号線９９と同様の積層構造を有している。即ち、ダミー配線９５は、３つの配線層９５ａ、９５ｂ及び９５ｃからなる。配線層９５ｃは、配線層９９ｃと同一膜から構成されている。配線層９５ｂは、配線層９９ｂと同一膜から構成されており、配線層９５ｃと、層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８４を介して、互いに電気的に接続されている。配線層９５ａは、配線層９９ａと同一膜から構成されており、配線層９５ｂと、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８２を介して、互いに電気的に接続されている。このように、ダミー配線９５は、シール領域５２ａ内において、互いに電気的に接続された３つの配線層９５ａ、９５ｂ及び９５ｃからなる三重配線として形成されている。

図３及び図５において、複数のダミー配線９５は、画像表示領域１０ａを囲むシール領域５２ａのうち画像表示領域１０ａに対して外部回路接続端子１０２とは同じ側に位置するＸ方向に沿った領域（即ち、図１中、シール領域５２ａのうち画像表示領域１０ａの下側に位置する領域）内の相隣接する画像信号線９９間において、画素電極９ａがＸ方向に沿って配列される画素ピッチＬ１（図４参照）と等しい配列ピッチＤ３で、Ｘ方向に沿って配列されている。本実施形態では、複数のダミー配線９５の配線幅Ｗ３、及び画像信号線９９の配線幅Ｗ４は、約５ｕｍである。複数のダミー配線９５は、低電源電位線９３と接続されており、低電源電位ＶＳＳが供給されている。

即ち、本実施形態では特に、例えばデータ線６ａ等を構成する導電膜と同一膜からなる複数のダミー配線９５、９６及び９７が、シール領域５２ａ内において、画像表示領域１０ａの周囲に沿って画素ピッチＬ１（即ち、本実施形態では、これに等しい画素ピッチＬ２）と等しい配列ピッチで配列されている。よって、シール領域５２ａにおけるＴＦＴアレイ基板１０の表面に生じ得る凹凸と、画像表示領域１０ａにおけるＴＦＴアレイ基板１０の表面に生じ得る凹凸との差を小さくすることができる。即ち、シール領域５２ａ内に画素ピッチＬ１と等しい配列ピッチで配列された複数のダミー配線９５、９６及び９７によって、画像表示領域１０ａ内における積層構造に起因する凹凸を模擬することができる。言い換えれば、複数のダミー配線９５、９６及び９７によって、ＴＦＴアレイ基板１０上のシール領域５２ａ及び画像表示領域１０ａにおける表面の凹凸を殆ど或いは完全に均一に生じさせることができる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０の表面（或いは、ＴＦＴアレイ基板１０上に積層された画素電極９ａより下層側の層間絶縁膜の表面）に生じた凹凸に対し、ＣＭＰ等の平坦化処理を施すことによって凹凸を除去した後の、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の平坦性を高めることができる。これにより、液晶層５０（図２参照）の配向状態に乱れが生じてしまう可能性を低減できる。更にＴＦＴアレイ基板１０上のシール領域５２ａにおける表面の凹凸に起因して、シール材５２によって（言い換えれば、シール材５２に含まれるギャップ材によって）ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定の間隔で均一に保持できなくなってしまうことを低減或いは防止できる。

更に、本実施形態では特に、複数のダミー配線９５、９６及び９７は画素ピッチＬ１（或いは、画素ピッチＬ２）と等しい配列ピッチで配列されているので、光硬化性樹脂からなるシール材５２を、紫外線（ＵＶ光）をＴＦＴアレイ基板１０側から照射することにより硬化させる際に、シール材５２を均一に硬化させることができる。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０側から照射される光を、相隣接するダミー配線９５、９６及び９７間に画素ピッチ毎に設けられた隙間を介して、殆ど或いは実践的に完全に均一に透過してシール材５２を硬化させることができる。よって、シール材５２の密着力を高めることができる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向２０基板間をシール材５２によって強固に接着することが可能となる。これにより、装置外部から侵入する水分等の異物によって画像表示領域１０ａに形成された例えば配向膜が劣化してしまうことを低減でき、装置の信頼性を高めることができる。

加えて、図５に示すように、本実施形態では特に、複数のダミー配線９５は、シール領域５２ａ内において、相隣接する画像信号線９９間に、画像信号線９９との配列ピッチＤ４が画素ピッチＬ１と等しくなるように配列されている。即ち、複数のダミー配線９５は、画像信号線９９におけるシール領域５２ａ内のＹ方向に沿った配線部分と共に、画素ピッチＬ１と等しい配列ピッチで配列されている。よって、シール領域５２ａのうち画像信号線９９が形成された領域（即ち、シール領域５２ａのうち画像表示領域１０ａの下側に位置する領域）において、画像表示領域１０ａにおける表面の凹凸を、より一層確実に、模擬することができる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の平坦性を、より一層、高めることができる。特に、本実施形態のようにデマルチプレクサ７を用いたハイブリッド方式として液晶装置１００を構成する場合には、１つのグループを構成するＮ本（本実施形態では４本）のデータ線６ａに対して画像信号線９９が１本対応するので、シール領域５２ａ内における、相隣接する画像信号線９９のＹ方向に沿った配線部分間の間隔は、画素ピッチＬ１よりも大きくなる。よって、シール領域５２ａ内における、相隣接する画像信号線９９のＹ方向に沿った配線部分間に複数のダミー配線９５を設けることによって、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の平坦性を高めることは、本実施形態の如きハイブリッド方式の液晶装置において特に有効である。

図５及び図６を参照して上述したように、本実施形態では特に、ダミー配線９５は、シール領域５２ａ内における画像信号線９９と同様の積層構造を有している。即ち、ダミー配線９５は、シール領域５２ａ内において配線層９９ａ、９９ｂ及び９９ｃから三重配線として構成される画像信号線９９と同様に、配線層９５ａ、９５ｂ及び９５ｃから三重配線として構成されている。よって、シール領域５２ａにおける画像信号線９９による層間絶縁膜４３の表面に生じる凹凸とダミー配線９５による層間絶縁膜４３の表面に生じる凹凸との差を小さくすることができ、ＣＭＰ等の平坦化処理を施した後のＴＦＴアレイ基板１０の表面（言い換えれば、層間絶縁膜４３の表面４３ｂ）の平坦性を、より一層、高めることができる。より具体的には、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上に層間絶縁膜４３までの積層構造が形成された後、ＣＭＰ等の平坦化処理が施される。その後、層間絶縁膜４３の表面における画像表示領域１０ａに画素電極９ａが形成され、更にシール領域５２ａにシール材５２が配置されて対向基板２０と貼り合わされる。ここで、層間絶縁膜４３までの積層構造が形成された直後（即ちＣＭＰ等の平坦化処理が施される前）には、層間絶縁膜４３の表面には、層間絶縁膜４３よりも下層側に配置された画像信号線９９及びダミー配線９５に起因した凹凸４３ａが形成される。ここで本実施形態では、ダミー配線９５は、画像信号線９９と同様の積層構造を有しているので、凹凸４３ａは、画像信号線９９に起因する凹凸とダミー配線に起因する凹凸とが揃った凹凸として形成される。よって、凹凸４３ａを、ＣＭＰ等の平坦化処理によって、より一層、殆ど或いは完全に均一に除去することができ、より平坦性の高い表面４３ｂを形成することができる。

更に、図３及び図５を参照して上述したように、本実施形態では特に、複数のダミー配線９５はそれぞれ、低電源電位ＶＳＳが供給される低電源電位線９３と電気的に接続されている。よって、複数のダミー配線９５は、シール領域５２ａ内において相隣接する画像信号線９９間の電磁的な干渉を低減させるシールド膜として機能する。従って、シール領域５２ａ内において相隣接する画像信号線９９が互いに電磁ノイズによる悪影響を及ぼし合うことを低減できる。

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上のシール領域５２ａに、複数のダミー配線９５、９６及び９７が画素ピッチＬ１（或いは画素ピッチＬ２）と等しい配列ピッチで配列されるので、画像表示領域１０ａ内における積層構造に起因する凹凸を模擬することができ、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の平坦性を高めることができる。よって、液晶層５０の配向状態に乱れが生じる可能性を低減できると共にシール材５２によってＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを所定の間隔で確実に保持することができる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

先ず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図７に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。 図１の領域Ｃ１におけるダミー配線のレイアウトを示す平面図である。 図１の領域Ｃ２におけるダミー配線のレイアウトを示す平面図である。 図５のＢ−Ｂ´線断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

６ａ…データ線、７…デマルチプレクサ、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、５０…液晶層、５２…シール材、５２ａ…シール領域、５３…額縁遮光膜、５３ａ…額縁領域、９０…引回配線、９５、９６、９７…ダミー配線、９９…画像信号線、１０２…外部回路接続端子、１０２ｖ…画像信号端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、４００…画像信号供給回路、Ｌ１、Ｌ２…画素ピッチ

Claims (5)

1. 第１基板と、
   該第１基板上に所定画素ピッチで配列された複数の画素電極と、
   該複数の画素電極が配列された画素領域に、前記画素電極よりも層間絶縁膜を介して下層側に配置されると共に前記画素電極と電気的に接続された電子素子と、
   前記第１基板と対向して配置された第２基板と、
   前記画素領域の周囲に沿ったシール領域において、前記第１及び第２基板を相互に貼り合わせるシール材と、
   前記第１基板上の前記画素領域に、前記画素電極よりも下層側に配置されると共に前記電子素子に電気的に接続された複数の走査線と、
   該複数の走査線と互いに交差するように、前記画素電極よりも下層側に配置されると共に、Ｎ（但し、Ｎは２以上の整数）本毎にブロック化された複数のデータ線と、
   前記第１基板上に、前記第１基板の一辺に沿って設けられ、外部回路からの画像信号が供給される複数の画像信号端子と、
   該複数の画像信号端子に夫々電気的に接続されると共に、前記シール領域のうち前記一辺に沿った領域において前記一辺に交わる方向に沿って配置された配線部分を有する複数の画像信号線と、
   前記第１基板上に、前記複数のデータ線に夫々対応する複数のスイッチを含み、前記ブロック毎に１本のデータ線を選択して、前記複数の画像信号線のうち前記選択したデータ線が属するブロックに対応する画像信号線から供給される前記画像信号を、前記選択したデータ線に出力する選択回路と、
   前記第１基板上における前記複数の画像信号線のうち互いに隣り合う画像信号線の前記配線部分間に設けられると共に前記複数のデータ線、前記複数の走査線及び前記電子素子を構成する導電膜のうち少なくとも一の導電膜と同一膜からなる複数のダミー配線と
   を備え、
   前記複数のダミー配線は前記画素領域と前記画像信号端子との間に、前記シール領域に重なるように配置され、且つ前記シール領域の外側に沿って配置された定電位線に電気的に接続されると共に、該定電位線から前記シール領域側へ夫々突出するように且つ前記定電位線から前記画像信号端子側へ夫々突出しないように配置されている
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記複数のダミー配線は、互いに隣り合う前記配線部分間において、前記所定画素ピッチと等しい配列ピッチで配列される
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記配線部分は、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置された複数の導電膜から夫々形成され、
   前記複数のダミー配線は夫々、前記複数の導電膜と同一膜から形成される
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記複数のダミー配線の配線幅は、前記複数の画像信号線の配線幅と互いに等しくなるように形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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