JP4451779B2 - エレクトロルミネセントディスプレイ装置 - Google Patents

Description

本発明は、エレクトロルミネセントディスプレイ装置に関し、特に、各ピクセルと関連した薄膜スイッチングトランジスタを有するアクティブマトリクスディスプレイ装置に関する。

エレクトロルミネセント発光ディスプレイ素子を使用するマトリクスディスプレイ装置はよく知られている。これらのディスプレイ素子は、例えばポリマー材料を用いる有機薄膜エレクトロルミネセント素子を有してもよく、さもなければ、従来のＩＩＩ−Ｖ半導体化合物を用いる発光ダイオード（ＬＥＤ）を有してもよい。有機エレクトロルミネセント材料、特にポリマー材料の最近の発達は、それらがビデオディスプレイ装置のために実用的に用いられることができることを示した。これらの材料は、一般的に、一対の電極間に挟まれた半伝導性共役ポリマーの１つ又は複数の層を有し、前記電極の一方は透明であって、他方はポリマー層にホール又は電子を注入するのに適切な材料からなる。ポリマー材料は、ＣＶＤプロセスを用いて製造されることができ、又は、単に、可溶性共役ポリマーの溶液を用いてスピンコーティング技術によって製造されることができる。インクジェットプリンティングが用いられてもよい。有機エレクトロルミネセント材料は、ダイオードに似たＩ−Ｖ特性を呈するので、表示機能及びスイッチング機能の両方を提供することが可能であり、従って、パッシブタイプディスプレイにおいて使用されることができる。代わりに、これらの材料は、アクティブマトリクスディスプレイ装置用に用いられることができ、ここで、各ピクセルは、ディスプレイ素子と、該ディスプレイ素子を通じる電流を制御するためのスイッチング装置とを有する。

この種類のディスプレイ装置は、電流によりアドレスされるディスプレイ素子を持ち、このため、従来型のアナログ駆動方式は、制御可能な電流をディスプレイ素子に供給することを伴う。電流源トランジスタを、当該電流源トランジスタに供給されるゲート電圧がディスプレイ素子を通じる電流を決定するようなピクセル構成の一部として設けることが知られている。蓄積キャパシタが、アドレスフェーズの後にゲート電圧を保持する。

図１は、アクティブマトリクスによりアドレスされるエレクトロルミネセントディスプレイ装置のための既知のピクセル回路を示す。ディスプレイ装置は、ブロック１で示され、エレクトロルミネセントディスプレイ素子２と、行（選択）及び列（データ）アドレス導体４及び６の交差組間の交点に位置する関連するスイッチング手段とを有する、規則的な間隔のピクセルの行列マトリクスアレイを持つパネルを有する。簡単のため、図にはほんの小数のピクセルしか示さない。実際には数百のピクセルの行列があってもよい。ピクセル１は、導体のそれぞれの組の端に接続された、行のスキャン用ドライバ回路８と、列のデータ用ドライバ回路９とを有する周囲の駆動回路によって、行列アドレス導体の組を介してアドレスされる。

エレクトロルミネセントディスプレイ素子２は、有機発光ダイオードを有し、これはここではダイオード素子（ＬＥＤ）として表され、電極対を有し、この電極対の間には有機エレクトロルミネセント材料の１つ又は複数のアクティブ層が挟まれる。アレイのディスプレイ素子は、絶縁支持体の一方の側に、関連したアクティブマトリクス回路と共に保持される。ディスプレイ素子のカソード又はアノードは、透明伝導材料により形成される。下方に発光する構成においては、エレクトロルミネセント層によって生成される光が支持体の反対側のビューアに見えるようにこれらの電極及び支持体を透過するように、支持体はガラス等の透明材料からなり、基板に最も近いディスプレイ素子２の電極は、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されてもよい。一般的に、有機エレクトロルミネセント材料層の厚さは、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。素子２用に用いられることができる適切な有機エレクトロルミネセント材料の典型例は、ヨーロッパ特許公開公報第０７１７４４６号から知られ説明されている。国際特許公開公報第９６／３６９５９号において説明されたような共役ポリマー材料も用いられることができる。

上方に発光する構成においては、基板は不透明であるか又は着色していることができる。

図２は、電圧によってアドレスされる動作を提供するための既知のピクセル及び駆動回路装置を簡略図で示す。各ピクセル１は、ＥＬディスプレイ素子２及び関連したドライバ回路を有する。ドライバ回路は、行導体４への行アドレスパルスによってオンにされるアドレストランジスタ１６を有する。アドレストランジスタ１６がオンにされると、列導体６上の電圧はピクセルの残りに移ることができる。特に、アドレストランジスタ１６は、ドライブトランジスタ２２及び蓄積キャパシタ２４を有する電流源２０に列導体電圧を供給する。列電圧は、ドライブトランジスタ２２のゲートに供給され、ゲートは行アドレスパルスが終了した後でさえ蓄積キャパシタ２４によってこの電圧で保持される。ドライブトランジスタ２２は、電源線２６から電流を引き出す。

この回路のドライブトランジスタ２２はＰＭＯＳ ＴＦＴとして実現されるので、蓄積キャパシタ２４が、ゲート−ソース電圧を固定する。これは、トランジスタを通じる固定されたソース−ドレイン電流を生じ、これは、従って、ピクセルの所望の電流源動作を提供する。

上記の基本的なピクセル回路は電圧によりアドレスされるピクセルである。駆動電流をサンプリングする、電流によりアドレスされるピクセルもある。しかし、全てのピクセル構成は、電流が各ピクセルに供給されることを必要とする。

従来のピクセル構成において、電源線２６は、行導体であって、一般的に長くて細い。ディスプレイは、一般的に、アクティブマトリクス回路を持つ基板を通過して後方に発光する。これは、好適な構成である。なぜなら、ＥＬディスプレイ素子の所望のカソード材料は不透明であるので、発光はＥＬダイオードのアノード側から起こるからである。この所望のカソード材料は、低い印加電圧で電子を注入する能力のため、低仕事関数金属（例えばカルシウム又はバリウム）である。これらの低仕事関数金属は反応性でもあるので、これらの金属をアクティブマトリクス回路に接して配置することは望ましくない。なぜならこうすると必要なパターニングが困難になるからである。

金属行導体が形成され、これら金属行導体は不透明であるので、後方発光ディスプレイのためには、これら金属行導体は、ディスプレイ領域間の空間を占めることを必要とする。例えば、携帯型製品に適した１２．５ｃｍ（直径）ディスプレイでは、行導体は長さ約１１ｃｍ、幅約２０μｍであってよい。０．２Ω／□という典型的な金属シート抵抗においては、これは、金属行導体の線抵抗１．１ｋΩを与える。明るいピクセルは約８μＡを引き出すことができ、引き出される電流は行に沿って分散される。１９２０ピクセル（６４０ｘ３色）の行は、約９ボルトの電圧降下を経験しうる。この電圧降下は、行の両方の端から電流を引き出すことによって４分の１に減らすことができ、ＥＬ材料の効率の改善によって、更に低減されることができる。それでもなお、大幅な電圧降下が依然としてある。合計線抵抗が同一に維持されることができる場合であっても、この問題は、より大きいディスプレイについては悪化する。これは、解像度が同じであるならば、行ごとにより多くのピクセルがあり、又は、より大きいピクセルがあるからである。電源線に沿った電圧変化はドライブトランジスタ上のゲート−ソース電圧を変化させ、これによりディスプレイの輝度に影響を及ぼす。そして特に、ディスプレイの中央にディミングを生じさせる（行が両端から電流供給されていると仮定して）。更に、行の中のピクセルによって引き出される電流は画像に依存するので、データ修正技術によってピクセル駆動レベルを修正することは困難である。

ＩＴＯが、従来型のディスプレイのコモン電極を形成するために用いられ、２０Ω／□の典型的なシート抵抗を有する。この上昇したシート抵抗は、ＩＴＯを行導体にとって不適当にする。

本発明によれば、ディスプレイピクセルのアレイを有するアクティブマトリクスエレクトロルミネセントディスプレイ装置において、前記ピクセルのそれぞれは、エレクトロルミネセントディスプレイ素子と、前記ディスプレイ素子に電流を通じさせるためのドライブトランジスタを含むアクティブマトリクス回路とを有し、前記ドライブトランジスタ及び前記ディスプレイ素子は、制御可能な電流を前記ディスプレイ素子へ供給するか又は前記ディスプレイ素子から引き出すための電力線と、共通電位線との間に直列に接続され、前記電力線及び前記共通電位線は、それぞれ、前記アレイの全てのピクセル間で共有されるシート電極を有する、装置が提供される。

この構成では、シート電極は、ＥＬディスプレイ素子への電流供給及び電流シンクの両方のために用いられる。このように電源線は、従来型の行電極の代わりに共有されるシート電極である。このことは、線抵抗を相当に低下させる。例えば、シート電極電力線のアスペクト比が１：１（正方形）であれば、線抵抗は単に材料の抵抗／□に等しい（例えば金属について典型的には０．２Ω）。シートが周囲全体に接続されていれば、線抵抗はより低い。

装置は基板を有し、前記基板の上にアクティブマトリクス回路が配置され、前記アクティブマトリクス回路の上にエレクトロルミネセント層が配置されてもよい。

ディスプレイは基板を通過して後方に発光してもよいので、従来の材料が装置の製造において用いられてよい。このとき電力線は、基板とアクティブマトリクス回路との間の実質的に透明な導電シート（例えばＩＴＯ）を有してもよい。これは透明層を提供し、厚さは所望の抵抗を与えるように選択されることができる。

本実施例において、前記実質的に透明な導電シートと前記アクティブマトリクス回路との間に絶縁層が設けられ、前記絶縁層を通じて（貫通して）接触部分が設けられる。これは、電力線（シート）から各ピクセルへの接触を提供する。

代わりに、ディスプレイは基板から離れる方向に上方に発光してもよい。また、アノードから光は基板から離れる方向に出力され、ＥＬディスプレイ素子カソードがアクティブマトリクス回路の上に配置されることを可能にする材料が開発されている。この場合、電力線は、基板とアクティブマトリクス回路との間の金属シートを有する。

この場合、共通電位線は、透明であることを必要とし、従って、ＥＬディスプレイ素子のアノードを形成するとともにエレクトロルミネセント層の上に配置されるＩＴＯ層を有してもよい。

他の例では、代わりにディスプレイは、基板から離れる方向に上方に発光し、カソードを通じる発光を有してもよい。必要とされる電気特性を適切な光透過性と組み合わせるカソードデザインが実現されている。この場合、カソードは共通電位線を形成することができる。

例えば、カソードは第１の厚さの実質的に光学的に透明な導電層と、低仕事関数金属を有する第２のより小さい厚さの第２の層とを有してもよい。

これらの例において、共通電位線及び電源線のうちの１つは（これらはＥＬ材料層について反対側にあるので）、透明である必要があり、これは、通常、ＩＴＯの使用を結果として生じる。これは高い抵抗を有し、両方の電流伝送線のために金属的電極を提供することが好ましい。

従って、他の例では、基板とアクティブマトリクス層との間に、第１の金属層から絶縁された第２の金属層が設けられ、第２の金属層は共通電位線に接続される。このようにして、共通電位線及び電源線は、金属シート層に接続されている。

共通電位線は、ＥＬディスプレイ素子のアノード又はカソードを形成する（後者の場合、低仕事関数金属がＩＴＯ層と組み合わせられる）とともにエレクトロルミネセント層の上に配置される実質的に透明な導電性層（例えばＩＴＯ）を有してもよく、第２の金属層は、アクティブマトリクス回路を通じて延在する接触部分で共通電位線と接触する。これらの接触部分は、金属シートの開口部も通じて延在する。

本発明は、ここで例として添付の図面を参照して説明される。

これらの図が概略であり、比率どおりに描かれていないことに注意されたい。これらの図の部分の相対寸法及び比率は、図面の明快さ及び便宜のために、大きさを誇張して又は減少して示されている。

本発明は、導電材料の実質的に連続なシートを用いて電流が供給及びドレインされるディスプレイを提供する。図３において模式的に示すように、電源線２６はシート電極であり、これは、ディスプレイの全てのピクセル間で共有される。当然、導体は長方形のシートであるが、用語「線」は用いられ続ける。この電源線には、典型的に、固定電圧（例えば８ボルト）が供給される。

本発明は、電圧によりアドレスされる図３の基本的なピクセル構成だけではなく、あらゆるピクセルデザインに適用されることができる。確かに、電力線から電流を引き出すいかなるピクセルも、本発明を利用するように修正されることができる。例えばエージング補償のための又は閾値電圧補償のための追加の回路素子を含む多くの他の種類のピクセル構成があり、また、電流によりアドレスされる多数のピクセルデザインがある。これらは全て、電流がピクセルのディスプレイ素子に供給されることを必要とするので、本発明の恩恵を受けることができる。これらのピクセルは、ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ又はＣＭＯＳ技術を用いてもよい。

図４は、本発明によるディスプレイ装置の第１の例を示す。

装置は、基板３０、アクティブマトリクス回路３２及び該アクティブマトリクス回路３２の上のエレクトロルミネセント（ＥＬ）層３４を有する。基板は、一般的にガラスである。アクティブマトリクス回路は、上記のように種々の形状を取ってもよいので、図式的に示される。ディスプレイは、矢印３６で示すように基板を通過して後方に発光し、共通電位線（図３の接地）は、ＥＬ層３４の上に配置される金属カソード層３８により提供される。個々のピクセルのアノードは、実際上はアクティブマトリクス回路３２の一部を形成するＩＴＯピクセル電極４０によって規定される。

電源線２６は、アクティブマトリクス回路３２の下の、特に基板３０とアクティブマトリクス回路３２との間のＩＴＯシート４２として実現される。これは透明層を提供し、厚さは、所望の抵抗を与えるように選択されることができる。更に、抵抗を更に低下させるために、追加の金属導体部分が、ピクセル領域の外に設けられてもよい。

絶縁層４４が、ＩＴＯシート４２とアクティブマトリクス回路との間に設けられ、該絶縁層４４を通じて接触部分４６が設けられる。これは、ＩＴＯ電力線から各ピクセルへの接触を提供する。絶縁層は、いかなる適切な透明材料であってもよいが、好適には、酸化シリコン又は窒化シリコンである。接触部分４６は、一般的に金属接触である。

代わりに、ディスプレイは、基板から離れる方向に上方に発光してもよい。ＥＬディスプレイ素子カソードが、該カソード層内の低仕事関数金属にもかかわらずアクティブマトリクス回路の上に配置されることを可能にする材料が開発されている。この場合、アノードからの光出力は、基板から離れる方向である。上方に発光する構成は、より高いアパーチャを伴って作られることができ、また、支持基板を通じて伝送損を被らない。図５は、上方発光ディスプレイのための本発明の実施例を示す。同じ要素については図４と同じ参照番号が用いられる。

この場合、共通電位線３８は、透明ＩＴＯ層であって、ＥＬディスプレイ素子のアノードを形成する。この場合、ピクセル電極４０は、金属性であることができる。この場合、電源線は、金属性シート導体４２として実現され、再び、絶縁層４４を通じる接触部分４６が、アクティブマトリクス回路３２の個々のピクセル回路と接触しているる。

これらの２つの例において、共通電位線３８及び電源線４２のうちの１つは、これらがＥＬ蛍光体層３４について反対側にあるので、透明であることを必要とする。ＩＴＯの使用は、ピクセル領域の外に金属性のオーバーレイを設けることによって抵抗が低減される場合であっても、依然として高い抵抗を結果として生じる。シート導体（電源線及び共通電位線の両方）は、ピクセルの行のみからではなく、全ピクセルから電流を伝送しなければならない。抵抗の低減の利点は、Ｗが行の線の幅であり、Ｓが行間隔であるとして、Ｗ／Ｓであると考えられることができる。換言すれば、各行について、行導体の幅は、実質的に、以前の行幅から、隣接した行の間の完全な間隔に増加される。この比率は、典型的には約０．２であってよい。従って、共有される導体のために必要とされる材料が、金属行導体用に以前に用いられていた金属抵抗の５倍よりも悪くない抵抗を有するときにのみ利益が得られる。

実際上は、ＩＴＯの使用は、図４及び５の例の利益を制限する。

図６は図５の例に対する修正を示し、再び、同じ参照番号が同じ要素のために用いられる。第２の金属層５０が基板３０とアクティブマトリクス層３２との間に設けられ、これは、第１の金属層４２（電源線である）から絶縁されている。第２の金属層５０は、ＥＬ材料層３４の上に配置されるＩＴＯ共通電位線３８に接続されている。このようにして、ＩＴＯ共通電位線は、各ピクセル位置において（又は少なくとも一定間隔で）、金属シート層に接続されている。電源線は、図５の例におけるように、金属導体４２によっても形成される。

第２の金属層５０は基板３０の上に設けられ、第１の絶縁層５２は第２の金属層５０の上に配置される。電源線２６の金属シート４２は、第１の絶縁層５２の上に配置される。第２の絶縁層４４（図５の絶縁層４４に対応する）が、金属シート４２とアクティブマトリクス回路３２との間に設けられ、前記第２の絶縁層４４を通じる接触部分４６が設けられる。

第２の金属層５０とＩＴＯ共通電位線３８との間の接続は、金属シート４２の開口６２を通じるとともにアクティブマトリクス回路３２を通じて延在する接触６０を有する。２つの金属シート４２、５０は、できる限り厚くできる限り低い抵抗率の金属であるべきである。誘電体スペーサ（絶縁層）は、高品質な（high integrity）材料である。接触６０は、ＩＴＯ層３８の下に又は上にパターン形成された接触パッドを有する金属であってもよい。なぜならこれらの接触をＩＴＯからではなく金属からパターニングする方が簡単だからである。

上記の例において、発光ディスプレイ素子は不透明なカソードを有し、発光は、ディスプレイ素子のアノード側からである。

透明（又は少なくとも半透明）なカソードが形成されることを可能にするピクセルデザインもある。このときこれは、カソードのパターニングを依然として回避しつつ、上方に発光する構造が形成されることを可能にする。図７は、この種のピクセルデザインに対する本発明の１つの適用を示す。

図７において、図５におけるのと同じ要素を示すために同じ参照番号が用いられる。アノードは、アクティブマトリクス基板の上に配置され、再びＩＴＯピクセル電極７０から形成される。アノードが透明である必要がない場合であっても、依然としてＩＴＯがアノード材料として用いられる。なぜなら、ＩＴＯは、必要とされる電子的特性（特に正孔の注入のための）及び堆積特性を有するからである。金属ピクセル電極７２は、ＩＴＯ層７０の下に位置し、リフレクタとして動作するので、（実質的に）全ての発光が上方に、基板から離れる方向に進む。

カソードは、ＩＴＯ支持体７４から形成され、この支持体の下に、所望のカソード材料の薄い層７６が形成される。また、このカソード材料は、カルシウム又はバリウム等の低仕事関数金属を含む。しかし、厚さは、カソードが少なくとも部分的に透明（例えば５０％透明）なレベルに低減される。カソード材料のパターニングは、依然として回避される。

透明頂部電極の抵抗が低減される図６の例も、図８に示されるように、透明カソードのバリエーションを用いるように修正されることができる。

図８において、図６及び７におけるのと同じ要素を示すために同じ参照番号が用いられる。

アノードは、再び、アクティブマトリクス基板の上に配置され、再び、ＩＴＯ部分７０及び金属部分７２を有する。カソードは、再び、ＩＴＯ支持体７４から形成され、所望のカソード材料の薄い層７６が形成される。

本発明を実現するために用いられる導電層のための多くの可能な材料がある。透明であることが必要とされる場合には、ＩＴＯは明らかな候補である。しかし、他の透明伝導層も提案された。層は、不透明であってよい場合には、いかなる適切な金属層であってもよく、これは、フォイルとして形成されてもよく、又は、より従来型の技術によって堆積されてもよい。

本発明の実施は当業者にとってはルーチンであるので、装置構造内で用いられる材料の特定の選択は、本出願においては詳述しなかった。実際、ＥＬディスプレイ装置の製造において従来から用いられている層が使用されることができ、本発明は、本質的には、行導体が連続層（場合によってはバイアを有する）によって置換され、個々のピクセルに相互接続が設けられることを必要とする。従って、詳細な処理ステップは詳細に議論されない。

図６のＩＴＯ層３８を、深い接触バイアを通じて、下にある金属にステッピングするときに困難が生じるかもしれない。この例では、ストラップ接触、即ち、バイアを通過して下にある金属電極に達するＩＴＯの上の追加の金属層が、用いられてもよい。ストラップ金属は、ＩＴＯと接触してもよく、又は、絶縁体によってＩＴＯから分離されてもよい。

図５〜８の上方に発光する例において、基板３０は、金属基板であってもよい。このときこれは、シート金属接触のうちの１つとして加えて機能することができる（例えば追加の層が接触４２又は５０を規定する必要を回避して）。

他の種々の修正は、当業者にとって明らかである。

既知のＥＬディスプレイ装置を示す。 ＥＬディスプレイピクセルを電流によりアドレスするための既知のピクセル回路の概略図である。 本発明のピクセル回路の簡略図を示す。 本発明によるディスプレイ装置の第１の例を示す。 本発明によるディスプレイ装置の第２の例を示す。 本発明によるディスプレイ装置の第３の例を示す。 本発明によるディスプレイ装置の第４の例を示す。 本発明によるディスプレイ装置の第５の例を示す。

Claims (19)

1. ディスプレイピクセルのアレイを有するアクティブマトリクスエレクトロルミネセントディスプレイ装置において、前記ピクセルのそれぞれは、
   エレクトロルミネセントディスプレイ素子と、
   前記ディスプレイ素子に電流を通じさせるためのドライブトランジスタを含むアクティブマトリクス回路と、
   基板とを有し、
   前記基板の上に前記アクティブマトリクス回路が配置され、前記アクティブマトリクス回路の上にエレクトロルミネセント層が配置され、
   前記ドライブトランジスタ及び前記ディスプレイ素子は、制御可能な電流を前記ディスプレイ素子に供給するか又は前記ディスプレイ素子から引き出すための電源線と、共通電位線との間に直列に接続され、
   前記電源線及び前記共通電位線は、それぞれ、前記アレイの全てのピクセル間で共有されるシート電極を有し、
   前記電源線は、前記基板と前記アクティブマトリクス回路との間に導電性シートを有する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
2. 請求項１に記載の装置において、前記ディスプレイは、前記基板を通過して後方に発光し、前記導電性シートが透明である、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
3. 請求項２に記載の装置において、前記透明な導電性シートと前記アクティブマトリクス回路との間に絶縁層が設けられ、前記絶縁層を通じて接触部分が設けられる、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
4. 請求項１に記載の装置において、前記ディスプレイは、前記基板から離れる方向に上方に発光する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
5. 請求項４に記載の装置において、前記導電性シートが金属シートである、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
6. 請求項５に記載の装置において、更に、前記基板と前記アクティブマトリクス層との間に、前記第１の金属層から絶縁された第２の金属層を有し、前記第２の金属層は、前記共通電位線に接続される、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
7. 請求項６に記載の装置において、前記共通電位線は、前記エレクトロルミネセントディスプレイ素子のアノードを形成するとともに前記エレクトロルミネセント層の上に配置される透明な導電層を有し、前記第２の金属層は、前記アクティブマトリクス回路を通じて延在する接触部分によって前記共通電位線と接触する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
8. 請求項６に記載の装置において、前記共通電位線は、前記エレクトロルミネセントディスプレイ素子のカソードを形成するとともに前記エレクトロルミネセント層の上に配置される、透明な導電層及び金属層を有し、前記第２の金属層は、前記アクティブマトリクス回路を通じて延在する接触部分によって前記共通電位線と接触する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
9. 請求項７又は８に記載の装置において、前記基板の上に前記第２の金属層が配置され、前記第２の金属層の上に第１の絶縁層が配置され、前記第１の絶縁層の上に前記金属シートが配置される、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
10. 請求項９に記載の装置において、前記金属シートと前記アクティブマトリクス回路との間に第２の絶縁層が設けられ、前記第２の絶縁層を通じて接触部分が設けられる、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
11. 請求項９又は１０に記載の装置において、前記第２の金属層を前記共通電位線と接続する接触部分が、前記金属シートの開口を通じて延在する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
12. 請求項５に記載の装置において、前記共通電位線は、前記エレクトロルミネセントディスプレイ素子のアノードを形成するとともに前記エレクトロルミネセント層の上に配置されるＩＴＯ層を有する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
13. 請求項１２に記載の装置において、前記金属シートと前記アクティブマトリクス回路との間に絶縁層が設けられ、前記絶縁層を通じて接触部分が設けられる、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
14. 請求項４に記載の装置において、前記基板は、前記電源線を形成する金属シートを有する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
15. 請求項４、５、６又は８に記載の装置において、前記エレクトロルミネセントディスプレイ素子のアノードは前記基板に隣接し、前記発光は前記エレクトロルミネセントディスプレイ素子のカソードを通過する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
16. 請求項１５に記載の装置において、前記カソードは前記共通電位線を形成する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
17. 請求項１５又は１６に記載の装置において、前記カソードは、第１の厚さの光学的に透明な導電層と、低仕事関数金属を有する第２のより小さい厚さの第２の層とを有する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
18. 請求項１乃至１７の何れか１項に記載の装置において、前記アクティブマトリクス回路は、更に、前記ピクセルのそれぞれについて、データ信号線と前記ピクセルへの入力との間に接続されたアドレストランジスタを有する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。
19. 請求項１８に記載の装置において、前記アクティブマトリクス回路は、更に、前記ピクセルのそれぞれについて、前記電源線と前記ドライブトランジスタのゲートとの間に接続された蓄積キャパシタを有する、エレクトロルミネセントディスプレイ装置。

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