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JP4452216B2 - Ceramic package for light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents
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JP4452216B2 - Ceramic package for light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents

Ceramic package for light emitting device and method for manufacturing the same Download PDF

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Description

本発明は、発光素子用セラミックパッケージ及びその製造方法に係り、特にはセラミック基板に形成されたキャビティ内に発光素子を搭載したときにその発光素子の発光光束を所定の方向に反射しうる構造を有したセラミックパッケージ及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a ceramic package for a light emitting device and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a structure capable of reflecting a luminous flux of a light emitting device in a predetermined direction when the light emitting device is mounted in a cavity formed in a ceramic substrate. The present invention relates to a ceramic package and a manufacturing method thereof.

発光素子の一種として、発光ダイオード(Light emission diode:以下LED素子とも記す)がよく知られている。近年においては、高輝度青色発光ダイオードが実用化された結果、赤色、緑色及び青色のLED素子を組み合わせて高輝度の白色光が得られるようになった。そのため、これら3色のLED素子を電球や自動車のヘッドライトとして使用するための開発が進められている。LED素子は電力消費量が少ないという利点を有するため、ヘッドライトにLED素子を使用すればバッテリーの負荷を減らすことが可能である。そのほか、LED素子は長寿命という利点も有するため、蛍光灯や電球などといった室内照明への適用も検討されている。上記のような用途でLED素子を使用する場合、LED素子の利点を最大限引き出すためには、LED素子を搭載するためのパッケージ自体の性能がよいことも重要なファクターとなる。その点、セラミックパッケージは、例えばオーガニックパッケージと比較して耐久性、耐熱性、耐食性、放熱性に優れることから、LED素子の実装に好適であると考えられている。   As a kind of light emitting element, a light emitting diode (hereinafter also referred to as an LED element) is well known. In recent years, as a result of putting high-luminance blue light-emitting diodes into practical use, high-luminance white light can be obtained by combining red, green, and blue LED elements. Therefore, development for using these three-color LED elements as a light bulb or a headlight of an automobile is underway. Since the LED element has an advantage of low power consumption, if the LED element is used for the headlight, the load on the battery can be reduced. In addition, since the LED element also has an advantage of a long life, application to indoor lighting such as a fluorescent lamp and a light bulb is also being studied. When the LED element is used in the above-described application, in order to maximize the advantages of the LED element, it is an important factor that the performance of the package itself for mounting the LED element is good. In this regard, the ceramic package is considered to be suitable for mounting an LED element because it is superior in durability, heat resistance, corrosion resistance, and heat dissipation compared to, for example, an organic package.

従来のLED素子用セラミックパッケージは、LED素子を収容可能なキャビティをセラミック基板の上面中央部に有している(例えば特許文献1参照)。キャビティの底面の略中央部にはLED素子の搭載部である導体層がメタライズによって形成され、その導体層上にはLED素子が接合されている。キャビティの側面上にはメタライズ層が形成され、その上には第1ニッケル層、第2ニッケル層及び銀めっき層が順次積層形成されている。その結果、最表層の銀めっき層の表面が光反射面として機能し、LED素子の発光光束をセラミック基板の厚さ方向に反射するようになっている。   A conventional ceramic package for an LED element has a cavity capable of accommodating the LED element at the center of the upper surface of the ceramic substrate (see, for example, Patent Document 1). A conductor layer which is a mounting portion of the LED element is formed by metallization at a substantially central portion of the bottom surface of the cavity, and the LED element is bonded onto the conductor layer. A metallized layer is formed on the side surface of the cavity, and a first nickel layer, a second nickel layer, and a silver plating layer are sequentially stacked thereon. As a result, the surface of the outermost silver plating layer functions as a light reflecting surface, and reflects the luminous flux of the LED element in the thickness direction of the ceramic substrate.

このような構造を有するパッケージは、セラミックグリーンシート積層法により、以下のような手順を経て製造可能である。まず、キャビティを有するグリーンシートを用意するとともに、そのキャビティの内面にメタライズ層形成用の導体ペーストをスクリーン印刷法等で塗布する。次に、ペースト印刷後のグリーンシートを焼成し、メタライズ層を有するセラミック焼結体とする。その後、第1ニッケルめっき、第2ニッケルめっき及び銀めっきを順次行い、パッケージを完成させる。この場合、通常よく使用される一般的な無光沢ニッケルめっき浴を用いて、第1ニッケルめっき層及び第2ニッケルめっき層の両方が形成される。
特開2004−228549号公報
A package having such a structure can be manufactured by the ceramic green sheet lamination method through the following procedure. First, a green sheet having a cavity is prepared, and a conductive paste for forming a metallized layer is applied to the inner surface of the cavity by a screen printing method or the like. Next, the green sheet after paste printing is fired to obtain a ceramic sintered body having a metallized layer. Thereafter, the first nickel plating, the second nickel plating, and the silver plating are sequentially performed to complete the package. In this case, both the first nickel plating layer and the second nickel plating layer are formed using a general matte nickel plating bath that is usually used.
JP 2004-228549 A

ところで、特許文献1に記載の従来技術においては、メタライズ層との間に好適な密着性を確保するために、コバルトを含有する第1ニッケルめっき層の形成を行っている。また、表層にある銀めっき層との間に好適な密着性を確保するために、コバルトを含有する第2ニッケルめっき層の形成を行っている。
しかしながら、第2ニッケルめっき層の形成を一般的な無光沢ニッケルめっき浴を用いて行うと、第2ニッケルめっき層の結晶粒が粗くなり、その表面に微小な凹凸が生じやすい。よって、このような第2ニッケルめっき層の上に銀めっき層を形成した場合、前記微小な凹凸の影響が銀めっき層にも波及し、銀めっき層の表面(即ち光反射面)が粗くなってしまう。ゆえに、光沢度が低下してLED素子の光を効率よく反射することができなくなる。
By the way, in the prior art described in Patent Document 1, the first nickel plating layer containing cobalt is formed in order to ensure suitable adhesion with the metallized layer. Moreover, in order to ensure suitable adhesiveness with the silver plating layer in a surface layer, the 2nd nickel plating layer containing cobalt is formed.
However, when the second nickel plating layer is formed using a general matte nickel plating bath, the crystal grains of the second nickel plating layer become rough, and minute irregularities are likely to occur on the surface. Therefore, when a silver plating layer is formed on such a second nickel plating layer, the influence of the minute unevenness also affects the silver plating layer, and the surface of the silver plating layer (that is, the light reflecting surface) becomes rough. End up. Therefore, the glossiness decreases and the light from the LED element cannot be efficiently reflected.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、メタライズ層とニッケル層との密着性に優れるとともに、発光素子からの発光光束を効率よく反射しうる良質な光反射面を備えた発光素子用セラミックパッケージを提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記の優れたセラミックパッケージの製造に好適な方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a high-quality light reflecting surface that is excellent in adhesion between the metallized layer and the nickel layer and can efficiently reflect the luminous flux from the light emitting element. An object of the present invention is to provide a ceramic package for a light emitting device. Another object of the present invention is to provide a method suitable for manufacturing the above-described excellent ceramic package.

上記課題を解決するための手段(手段1)としては、基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層よりも表層側に位置する第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層と、前記第2ニッケル層と前記反射金属層との間に介在するストライクめっき層とを備え、前記第2ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第1ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であり、前記第1ニッケル層の厚さが0.5μm以上2μm以下であり、前記第2ニッケル層の厚さが2μm以上10μm以下であり、前記ストライクめっき層の厚さが0.03μm以上0.2μm以下であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージをその要旨とする。 As means (means 1) for solving the above problems, a ceramic having a substrate main surface and a cavity opened in the substrate main surface, and a mounting portion capable of mounting a light emitting element on the inner surface of the cavity is provided. A substrate, a metallized layer formed on the inner surface of the cavity, a first nickel layer formed on the metallized layer, a second nickel layer located on the surface layer side of the first nickel layer, and the first Between the second nickel layer and the reflective metal layer, which is located on the surface layer side of the 2 nickel layer and whose surface can function as a light reflecting surface that reflects the luminous flux from the light emitting element, and between the second nickel layer and the reflective metal layer and a strike plating layer interposed, the second nickel layer is a nickel plating layer containing a brightening agent, the first layer of nickel Ri nickel plating layer der substantially free of brightener The thickness of the first nickel layer is 0.5 μm to 2 μm, the thickness of the second nickel layer is 2 μm to 10 μm, and the thickness of the strike plating layer is 0.03 μm to 0.2 μm. as its gist the ceramic package for a light emitting element, characterized in that it.

従って、手段1のパッケージによると、光沢剤を含有するニッケルめっき層は、一般的に細かい結晶粒を有しており、表面の平滑性も高い。よって、このようなニッケルめっき層を下地層としてその上に形成された反射金属層についても、表面の平滑性が高くなり、発光素子からの発光光束を効率よく反射可能となる。また、メタライズ層上に形成される第1ニッケル層は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であるため、光沢剤を含有する同様のニッケルめっき層に比べて、メタライズ層に対する密着性が高い。よって、メタライズ層との接続信頼性に優れたパッケージが実現可能となる。   Therefore, according to the package of means 1, the nickel plating layer containing the brightener generally has fine crystal grains and has a high surface smoothness. Therefore, the surface smoothness of the reflective metal layer formed thereon with such a nickel plating layer as a base layer is also high, and the luminous flux from the light emitting element can be efficiently reflected. Moreover, since the 1st nickel layer formed on a metallization layer is a nickel plating layer which does not contain a brightener substantially, compared with the same nickel plating layer containing a brightener, the adhesiveness with respect to a metallization layer is high. Therefore, a package having excellent connection reliability with the metallized layer can be realized.

上記セラミックパッケージを構成するセラミック基板は、基板主面を有する板状部材であって、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ほう素、ベリリア、ムライトなどのセラミック絶縁材料を主体として構成されている。セラミック基板は発光素子に電力を供給するための導体層を有していることがよく、特にはこのような導体層を2層以上に有するセラミック多層基板を用いることが好ましい。   The ceramic substrate constituting the ceramic package is a plate-like member having a substrate main surface, and is mainly composed of a ceramic insulating material such as alumina, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, beryllia, or mullite. The ceramic substrate preferably has a conductor layer for supplying electric power to the light emitting element, and it is particularly preferable to use a ceramic multilayer substrate having two or more such conductor layers.

セラミック基板は、基板主面にて開口するキャビティを1つまたは2つ以上有している。このキャビティの底面の略中央部には、発光素子を搭載するための搭載部が設けられている。その具体例を挙げると、メタライズ等の手法によって形成された実装用パッドなどがある。   The ceramic substrate has one or more cavities that open at the main surface of the substrate. A mounting portion for mounting the light emitting element is provided at a substantially central portion of the bottom surface of the cavity. Specific examples include a mounting pad formed by a technique such as metallization.

搭載部に搭載されるべき発光素子の好適例としてはLED素子が挙げられるが、これ以外のもの、例えば半導体レーザ素子(LD素子)やVCSELなどを用いてもよい。1つのキャビティ内に搭載される発光素子は1つであっても、複数であってもよい。例えば、赤色、緑色及び青色のLED素子を1つのキャビティ内に実装することで、白色光を得るように構成してもよい。   Although a LED element is mentioned as a suitable example of the light emitting element which should be mounted in a mounting part, things other than this, for example, a semiconductor laser element (LD element), VCSEL, etc. may be used. There may be one light emitting element or a plurality of light emitting elements mounted in one cavity. For example, you may comprise so that white light may be obtained by mounting red, green, and blue LED elements in one cavity.

キャビティの側面は例えばキャビティの底面に対して20°以上80°未満の角度、特には30°以上70°未満の角度をもって傾斜し、キャビティは底面から基板主面に向かうに従って広がっていることがよい。この構成であると、発光素子の発光光束をセラミック基板の厚さ方向に反射させやすくなる。なお、キャビティの側面はキャビティの底面に対して90°の角度をなす垂直面であってもよい。   The side surface of the cavity may be inclined with respect to the bottom surface of the cavity, for example, at an angle of 20 ° or more and less than 80 °, particularly 30 ° or more and less than 70 °, and the cavity may be expanded from the bottom surface toward the substrate main surface. . With this configuration, the emitted light flux of the light emitting element is easily reflected in the thickness direction of the ceramic substrate. The side surface of the cavity may be a vertical surface that forms an angle of 90 ° with respect to the bottom surface of the cavity.

上記セラミックパッケージを構成するメタライズ層は、キャビティの内面上に形成される。メタライズ層は、金属粉末を含む導体ペーストを従来周知の手法、例えばメタライズ印刷法で塗布した後に焼成することにより、形成される。同時焼成法によってメタライズ層とセラミック基板とを形成する場合、メタライズ層中の金属粉末は、そのセラミック基板の焼成温度よりも高融点である必要がある。例えば、セラミック基板がいわゆる高温焼成セラミック(例えばアルミナ等)からなる場合には、メタライズ層中の金属粉末として、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)等が選択可能である。セラミック基板がいわゆる低温焼成セラミック(例えばガラスセラミック等)からなる場合には、メタライズ層中の金属粉末として、タングステンやモリブデンに加えて、銅(Cu)、銀( Ag)等が選択可能である。   The metallized layer constituting the ceramic package is formed on the inner surface of the cavity. The metallized layer is formed by applying a conductive paste containing a metal powder by a conventionally well-known method, for example, a metallized printing method, followed by baking. When the metallized layer and the ceramic substrate are formed by the simultaneous firing method, the metal powder in the metallized layer needs to have a melting point higher than the firing temperature of the ceramic substrate. For example, when the ceramic substrate is made of a so-called high-temperature fired ceramic (for example, alumina or the like), tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), or the like can be selected as the metal powder in the metallized layer. When the ceramic substrate is made of a so-called low-temperature fired ceramic (for example, glass ceramic), copper (Cu), silver (Ag), or the like can be selected as the metal powder in the metallized layer in addition to tungsten and molybdenum.

上記セラミックパッケージを構成する第1ニッケル層は、メタライズ層上に形成されている。また、第2ニッケル層は、第1ニッケル層よりも表層側に位置している。これらの層はいずれも反射金属層の下地層としての役割を果たしている。第2ニッケル層は、第1ニッケル層上に直接的に形成されていてもよく、あるいはニッケル以外の金属からなる1層または2層以上の金属層を介して間接的に形成されていてもよい。後者の具体例としては、例えば、第1ニッケル層上にロウ材層を形成し、その上に第2ニッケル層を形成した構造などを挙げることができる。ロウ材層としては銅系ロウ材や銀系ロウ材等が好適である。なお、ロウ材層は、均一な厚さで平坦状に形成されてもよいが、意図的にフィレット状に形成されてもよい。ロウ材層をフィレット状に形成するメリットとしては、キャビティの側面を比較的容易に傾斜面にすることができる点である。   The first nickel layer constituting the ceramic package is formed on the metallized layer. Further, the second nickel layer is located on the surface layer side of the first nickel layer. All of these layers serve as an underlayer for the reflective metal layer. The second nickel layer may be directly formed on the first nickel layer, or may be indirectly formed through one or more metal layers made of a metal other than nickel. . Specific examples of the latter include a structure in which a brazing material layer is formed on a first nickel layer and a second nickel layer is formed thereon. As the brazing material layer, copper-based brazing material, silver-based brazing material and the like are suitable. The brazing material layer may be formed in a flat shape with a uniform thickness, but may be intentionally formed in a fillet shape. An advantage of forming the brazing material layer in a fillet shape is that the side surface of the cavity can be inclined with relative ease.

第2ニッケル層は、光沢剤を含有するニッケルめっき層(即ち光沢ニッケルめっき層)となっている。光沢ニッケルめっき層は表面の平滑性が高いため、その上に反射金属層を形成した場合にその反射金属層についても表面の平滑性が高くなるからである。なお、第2ニッケル層は、通常の光沢めっき層よりも光沢剤の含有量が少ない、いわゆる半光沢ニッケルめっき層であってもよい。   The second nickel layer is a nickel plating layer containing a brightener (that is, a bright nickel plating layer). This is because the bright nickel plating layer has high surface smoothness, and thus when the reflective metal layer is formed thereon, the surface smoothness of the reflective metal layer also becomes high. The second nickel layer may be a so-called semi-bright nickel plating layer having a brightener content less than that of a normal bright plating layer.

一方、第1ニッケル層は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層(無光沢ニッケルめっき層)となっている。メタライズ層上に形成される第1ニッケル層は、光沢剤を含有するニッケルめっき層に比べて、メタライズ層に対する密着性が高いからである。「光沢剤を実質的に含有しない」とは、光沢剤を全く含有しない場合をいうほか、光沢剤を含有しているものの他の成分と比較してその量が極めて少なく光沢剤添加の影響が殆ど認められないような場合も含む。   On the other hand, the first nickel layer is a nickel plating layer (matte nickel plating layer) that does not substantially contain a brightener. This is because the first nickel layer formed on the metallized layer has higher adhesion to the metallized layer than the nickel plated layer containing the brightener. “Substantially no brightener” means not containing any brightener, and the amount of the brightener is very small compared to other ingredients containing the brightener. Including cases that are hardly recognized.

ここで光沢剤には一次光沢剤と二次光沢剤とがある。一次光沢剤とは、めっきの結晶を微細化して光沢を付与する機能を持つ添加剤のことをいい、その具体例としては、ベンゼンスルホン酸、サッカリン、1,3,6ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホンアミドなどがある。二次光沢剤とは、めっき表面を平滑化する機能を持つ添加剤のことをいい、その具体例としては、ホルムアルデヒド、クマリン、2ブチン−1,4ジオール、チオ尿素、ピリジンなどがある。この種の光沢剤としては、有機系のものばかりでなく無機系のものも使用可能である。   Here, the brightener includes a primary brightener and a secondary brightener. The primary brightener refers to an additive having a function of imparting luster by refining the crystal of plating. Specific examples thereof include benzenesulfonic acid, saccharin, sodium 1,3,6 naphthalene trisulfonate, Paratoluenesulfonamide and the like. The secondary brightener refers to an additive having a function of smoothing the plating surface, and specific examples thereof include formaldehyde, coumarin, 2 butyne-1,4 diol, thiourea, pyridine and the like. As this type of brightener, not only organic type but also inorganic type can be used.

第2ニッケル層の光沢度は、第1ニッケル層の光沢度よりも大きいことが好ましい。より具体的な例を挙げると、測定対象物の被測定面に対して45°の角度をなす2箇所から光を入射させ、その入射光の反射光を前記被測定面に対して90°の位置で受光し、入射光強度に対する反射光強度の対数を2から減じた値を、光沢度(BLK値)として規定した場合、前記第2ニッケル層の光沢度(BLK値)が1.0以上2.5以下であり、前記第1ニッケル層の光沢度(BLK値)が0.1以上0.8以下であることが好ましい。より好ましくは、0.2以上0.4以下である。なお、この方法による光沢度(BLK値)の測定は、通常、完成品についてではなく工程途中品(即ち被測定層が表面に露出している中間製品)について実施される。   The glossiness of the second nickel layer is preferably greater than the glossiness of the first nickel layer. To give a more specific example, light is incident from two locations that form an angle of 45 ° with respect to the measurement target surface of the measurement object, and the reflected light of the incident light is 90 ° with respect to the measurement target surface. When the value obtained by subtracting the logarithm of the reflected light intensity with respect to the incident light intensity from 2 is defined as the glossiness (BLK value), the glossiness (BLK value) of the second nickel layer is 1.0 or more. It is preferably 2.5 or less, and the glossiness (BLK value) of the first nickel layer is preferably 0.1 or more and 0.8 or less. More preferably, it is 0.2 or more and 0.4 or less. The measurement of glossiness (BLK value) by this method is usually carried out not on the finished product but on the in-process product (that is, the intermediate product with the measured layer exposed on the surface).

第1ニッケル層はコバルトを含有していても、していなくてもどちらでも良い。ただし、前記第1ニッケル層と前記第2ニッケル層との間にロウ材層がある場合には、第1ニッケル層はロウ材の濡れ性の観点から、コバルトを含有していないほうが好ましい。   The first nickel layer may or may not contain cobalt. However, when there is a brazing material layer between the first nickel layer and the second nickel layer, it is preferable that the first nickel layer does not contain cobalt from the viewpoint of wettability of the brazing material.

一方、第2ニッケル層はコバルトを実質的に含有しないことが好ましい。その理由は、第2ニッケル層はメタライズ層と接していないため、密着性向上のための熱処理に耐えうる耐熱性を備えている必要がないからである。また、コバルトを実質的に含有しないニッケル層のほうが、コバルトを含有するニッケル層に比べて表面の平滑性が高くなりやすく、従って光沢度も高くなりやすいからである。「コバルトを実質的に含有しない」とは、コバルトを全く含有しない場合をいうほか、コバルトを含有しているものの他の成分と比較してその量が極めて少なく添加の影響が殆ど認められないような場合も含む。例えば、第2ニッケル層のコバルト含有量は、完成品において0.1重量%以下であることがよく、特には0重量%以上0.001重量%以下であることがよい(検出レベル以下)。ここで、コバルト含有量の測定方法としては、例えば、ニッケル層を切断してその断面をEDSで定量分析する手法などが挙げられる。なお、この方法によるコバルト含有量の測定は、完成品及び工程途中品を問わず実施される。   On the other hand, it is preferable that the second nickel layer does not substantially contain cobalt. The reason is that since the second nickel layer is not in contact with the metallized layer, it is not necessary to have heat resistance that can withstand heat treatment for improving adhesion. Further, the nickel layer substantially not containing cobalt is likely to have higher surface smoothness and therefore higher glossiness than the nickel layer containing cobalt. “Substantially free of cobalt” means that it contains no cobalt at all, and its amount is very small compared to other components containing cobalt, so that the effect of addition is hardly recognized. Including cases. For example, the cobalt content of the second nickel layer is preferably 0.1% by weight or less in the finished product, and particularly preferably 0% by weight or more and 0.001% by weight or less (detection level or less). Here, as a measuring method of cobalt content, the method etc. which cut | disconnect a nickel layer and quantitatively analyze the cross section by EDS etc. are mentioned, for example. In addition, the measurement of cobalt content by this method is implemented regardless of a finished product and an intermediate product.

前記第2ニッケル層を構成するニッケル結晶粒は、前記第1ニッケル層を構成するニッケル結晶粒よりも細かいことが好ましい。より具体的にいうと、前記第2ニッケル層を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は1.0μm未満がよく、より好ましくは0.1μm未満である。前記第1ニッケル層を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は1.0μm以上10.0μm以下であることが好ましい。第2ニッケル層が1.0μm以下であると、光沢度の向上にとって好都合だからである。   The nickel crystal grains constituting the second nickel layer are preferably finer than the nickel crystal grains constituting the first nickel layer. More specifically, the average grain size of the nickel crystal grains constituting the second nickel layer is preferably less than 1.0 μm, more preferably less than 0.1 μm. The average grain size of the nickel crystal grains constituting the first nickel layer is preferably 1.0 μm or more and 10.0 μm or less. It is because it is convenient for improvement of glossiness that the 2nd nickel layer is 1.0 micrometer or less.

前記第1ニッケル層の表面粗さRaは前記メタライズ層の表面粗さRaよりも小さいことが好ましく、前記第2ニッケル層の表面粗さRaは前記第1ニッケル層の表面粗さRaよりも小さいことが好ましい。より具体的には、メタライズ層の表面粗さRaが1.0μm以上、第1ニッケル層の表面粗さRaが0.4μm以上1.0μm未満、第2ニッケル層の表面粗さRaが0.1μm以上0.4μm未満であることがよい。つまり、メタライズ層→第1ニッケル層→第2ニッケル層というように、表層側へ行くに従って表面粗さRaが小さくなっていることがよい。そしてこの構成によれば、表面の平坦性の高い反射金属層を形成しやすくなる。ここで、表面粗さRaの測定方法としては、触針法、光切断法、光反射法などといった従来周知の手法がある。これらの方法による表面粗さRaの測定は、通常、完成品についてではなく工程途中品について実施される。なお、触針法とは、被測定物の面上を針ですり動かし、面の凹凸に従って針が上下する運動を機械的、電気的または光学的に拡大して測定する手法のことをいう。光切断法とは、被測定物の1つの断面内のプロフィルを光学的に直接観察しようとするもので、細いスリットから平行光線を面に向けて照射し、その面を顕微鏡で測定する手法のことをいう。光反射法とは、平行光線を被測定物の表面に照射し、その反射光線の強弱により平均粗さを求める手法のことをいう。   The surface roughness Ra of the first nickel layer is preferably smaller than the surface roughness Ra of the metallized layer, and the surface roughness Ra of the second nickel layer is smaller than the surface roughness Ra of the first nickel layer. It is preferable. More specifically, the surface roughness Ra of the metallized layer is 1.0 μm or more, the surface roughness Ra of the first nickel layer is 0.4 μm or more and less than 1.0 μm, and the surface roughness Ra of the second nickel layer is 0.00. It is good that they are 1 micrometer or more and less than 0.4 micrometer. That is, it is preferable that the surface roughness Ra decreases as it goes to the surface layer side, such as metallized layer → first nickel layer → second nickel layer. And according to this structure, it becomes easy to form a reflective metal layer with high surface flatness. Here, as a method for measuring the surface roughness Ra, there are conventionally known methods such as a stylus method, a light cutting method, a light reflection method, and the like. The measurement of the surface roughness Ra by these methods is usually performed not on the finished product but on the in-process product. The stylus method refers to a method of measuring by moving mechanically, electrically, or optically the movement of the needle up and down according to the unevenness of the surface by moving the object on the surface of the object to be measured. The light cutting method is a method for optically observing the profile in one cross section of the object to be measured directly, irradiating parallel light from a thin slit toward the surface, and measuring the surface with a microscope. That means. The light reflection method refers to a method of irradiating the surface of an object to be measured with a parallel light beam and obtaining an average roughness based on the intensity of the reflected light beam.

第2ニッケル層の厚さは1μm以上であることがよく、好ましくは1μm以上15μm以下、特に好ましくは2μm以上10μm以下である。即ち、1μm未満の厚さであると、表面の平滑性が確保しにくくなり、十分高い光沢度を有する第2ニッケル層にならない可能性があるからである。その点、2μm以上10μm以下の範囲内であれば、層の形成のためのコストをある程度抑えつつ、十分高い光沢度を有する第2ニッケル層を確実に得ることができる。   The thickness of the second nickel layer is preferably 1 μm or more, preferably 1 μm or more and 15 μm or less, and particularly preferably 2 μm or more and 10 μm or less. That is, when the thickness is less than 1 μm, it is difficult to ensure the smoothness of the surface, and there is a possibility that the second nickel layer having a sufficiently high glossiness may not be obtained. In that respect, if it is in the range of 2 micrometers or more and 10 micrometers or less, the 2nd nickel layer which has sufficiently high glossiness can be obtained reliably, suppressing the cost for formation of a layer to some extent.

第1ニッケル層の厚さは0.5μm以上であることがよく、好ましくは0.5μm以上2μm以下である。0.5μm未満の厚さであると、メタライズ層に対する好適な密着性が得られないおそれがあるからである。また、メタライズ層における凹凸の影響が第1ニッケル層の表面に波及しやすくなるからである。その点、0.5μm以上2μm以下の範囲内であれば、層の形成のためのコストをある程度抑えつつ、十分高い密着性を有しかつ表面の凹凸が少ない第1ニッケル層を確実に得ることができる。   The thickness of the first nickel layer is preferably 0.5 μm or more, and preferably 0.5 μm or more and 2 μm or less. It is because there exists a possibility that suitable adhesiveness with respect to a metallization layer may not be obtained as it is thickness of less than 0.5 micrometer. Moreover, it is because the influence of the unevenness | corrugation in a metallization layer will spread easily on the surface of a 1st nickel layer. In that respect, if it is in the range of 0.5 μm or more and 2 μm or less, the first nickel layer having sufficiently high adhesion and few surface irregularities can be reliably obtained while suppressing the cost for forming the layer to some extent. Can do.

また、第1ニッケル層及び第2ニッケル層のトータル厚みは、特に限定されないが、1.5μm以上17μm以上であることがよく、特には2.5μm以上12μm以上であることがよい。   The total thickness of the first nickel layer and the second nickel layer is not particularly limited, but is preferably 1.5 μm or more and 17 μm or more, and particularly preferably 2.5 μm or more and 12 μm or more.

上記セラミックパッケージを構成する反射金属層は、第2ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうるものとなっている。好適な反射金属層の例としては、例えば、銀、金などの貴金属層や、白金、パラジウム、ロジウムなどの白金族層が挙げられ、これらの中でもとりわけ光沢度の高い銀層を選択することが望ましい。反射金属層は、第2ニッケル層上に直接的に形成されていてもよく、あるいはニッケル以外の金属からなる1層または2層以上の金属層を介して間接的に形成されていてもよい。後者の具体例としては、例えば、第2ニッケル層上に薄い金層を形成し、その上に反射金属層である銀層を形成した構造などを挙げることができる。   The reflective metal layer constituting the ceramic package is located on the surface layer side of the second nickel layer, and the surface thereof can function as a light reflecting surface for reflecting the luminous flux from the light emitting element. Examples of suitable reflective metal layers include noble metal layers such as silver and gold, and platinum group layers such as platinum, palladium and rhodium. Among these, a silver layer having particularly high glossiness can be selected. desirable. The reflective metal layer may be formed directly on the second nickel layer, or may be indirectly formed through one or more metal layers made of a metal other than nickel. As a specific example of the latter, for example, a structure in which a thin gold layer is formed on the second nickel layer and a silver layer as a reflective metal layer is formed thereon can be exemplified.

上記セラミックパッケージは、さらに、前記搭載部上に搭載された発光素子と、前記発光素子を覆うべく前記キャビティ内に充填された透明樹脂とを備えていてもよい。この構成であると、搭載部に搭載された発光素子が透明樹脂により封止されることで保護される。また、光を透過可能な透明樹脂であれば、発光素子からの発光光束を遮らずにキャビティ外に放射させることができる。   The ceramic package may further include a light emitting element mounted on the mounting portion, and a transparent resin filled in the cavity to cover the light emitting element. With this configuration, the light-emitting element mounted on the mounting portion is protected by being sealed with a transparent resin. Further, a transparent resin that can transmit light can be emitted outside the cavity without blocking the luminous flux from the light emitting element.

上記課題を解決するための別の手段(手段2)としては、基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層よりも表層側に位置する第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第2ニッケル層がコバルトを実質的に含有しないことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージがある。   As another means (means 2) for solving the above-mentioned problem, there is provided a substrate main surface and a cavity that opens on the substrate main surface, and a mounting portion on which the light emitting element can be mounted is provided on the inner surface of the cavity. A ceramic substrate, a metallized layer formed on the inner surface of the cavity, a first nickel layer formed on the metallized layer, a second nickel layer located on the surface layer side of the first nickel layer, A reflective metal layer that is located on the surface layer side of the second nickel layer and whose surface functions as a light reflecting surface that reflects the luminous flux from the light emitting element, and the second nickel layer substantially contains cobalt. There is a ceramic package for a light-emitting element, which is not contained in any of the above.

従って、手段2のパッケージによると、コバルトを実質的に含有しない表層側のニッケルめっき層は、下地側のニッケル層に比べて表面の平滑性が高い。よって、このようなニッケル層を下地層としてその上に形成された反射金属層についても、表面の平滑性が高くなり、発光素子からの発光光束を効率よく反射可能となる。   Therefore, according to the package of means 2, the surface nickel plating layer substantially free of cobalt has higher surface smoothness than the base nickel layer. Therefore, the surface smoothness of the reflective metal layer formed on such a nickel layer as a base layer is also high, and the luminous flux from the light emitting element can be efficiently reflected.

さらに、手段1または手段2の発光素子用セラミックパッケージを製造するのに好適な方法(手段3)としては、キャビティの内面上にメタライズ層が形成されたセラミック基板を準備する準備工程と、無光沢ニッケルめっきを行って前記メタライズ層上に第1ニッケル層を形成する第1めっき工程と、前記メタライズ層及び前記第1ニッケル層を加熱する熱処理工程と、前記熱処理工程の後に光沢ニッケルめっきを行って第2ニッケル層を形成する第2めっき工程と、前記第2めっき工程の後に反射金属層を形成する反射金属層形成工程とを含むことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージの製造方法がある。   Further, as a method (means 3) suitable for manufacturing the ceramic package for the light-emitting element of means 1 or means 2, a preparation step of preparing a ceramic substrate having a metallized layer formed on the inner surface of the cavity, matte Performing a nickel plating to form a first nickel layer on the metallized layer, a heat treatment step for heating the metallization layer and the first nickel layer, and performing a bright nickel plating after the heat treatment step There is a method for manufacturing a ceramic package for a light emitting device, comprising: a second plating step for forming a second nickel layer; and a reflective metal layer forming step for forming a reflective metal layer after the second plating step.

従って、この手段3の製造方法によると、第1めっき工程後に熱処理工程を行うことにより、メタライズ層に対して第1ニッケル層を密着させることができる。また、第2ニッケル層の形成を熱処理工程後に行うことにより、光沢剤の熱分解等が回避される結果、表面が平滑で光沢度の高い第2ニッケル層を確実に得ることができる。それゆえ、第2めっき工程後に反射金属層形成工程を行えば、表面が平滑で光沢度の高い反射金属層を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。しかも、第1ニッケル層及び第2ニッケル層の形成を廉価な手法であるめっき法により行っているため、製造コスト高を防止することができる。   Therefore, according to the manufacturing method of the means 3, the first nickel layer can be adhered to the metallized layer by performing the heat treatment step after the first plating step. Further, by forming the second nickel layer after the heat treatment step, the thermal decomposition of the brightener is avoided, so that the second nickel layer having a smooth surface and high glossiness can be obtained with certainty. Therefore, if the reflective metal layer forming step is performed after the second plating step, a reflective metal layer having a smooth surface and a high glossiness can be formed relatively easily and reliably. In addition, since the formation of the first nickel layer and the second nickel layer is performed by a plating method that is an inexpensive method, an increase in manufacturing cost can be prevented.

以下、手段3の製造方法について説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the means 3 will be described.

準備工程では、キャビティの内面上にメタライズ層が形成されたセラミック基板を準備する。   In the preparation step, a ceramic substrate having a metallized layer formed on the inner surface of the cavity is prepared.

上記のセラミック基板は、例えば、キャビティとなるべき部分があらかじめ形成されたセラミックグリーンシートを作製する工程と、前記キャビティの内面となるべき部分の上にメタライズ層形成用材料を配置する工程と、前記セラミックグリーンシート及び前記メタライズ層形成用材料を同時焼成する工程と、を経て作製することができる。   The ceramic substrate includes, for example, a step of producing a ceramic green sheet in which a portion to be a cavity is formed in advance, a step of disposing a metallized layer forming material on a portion to be an inner surface of the cavity, The ceramic green sheet and the metallized layer forming material can be simultaneously fired.

あるいは、上記のセラミック基板は、キャビティとなるべき部分があらかじめ形成されたセラミックグリーンシートを作製する工程と、前記セラミックグリーンシートを焼成して焼結体とする工程と、前記焼結体における前記キャビティの内面上にメタライズ層形成用材料を配置する工程と、前記メタライズ層形成用材料を焼結させる工程と、を経て作製することができる。   Alternatively, the ceramic substrate includes a step of producing a ceramic green sheet in which a portion to be a cavity is formed in advance, a step of firing the ceramic green sheet to form a sintered body, and the cavity in the sintered body The metallized layer forming material can be manufactured through a step of disposing a metallized layer forming material on the inner surface of the metallized material and a step of sintering the metallized layer forming material.

この場合、セラミックグリーンシートは、セラミック原料粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合して得たスラリーをシート状に成形することにより作製される。キャビティとなるべき部分(具体的には貫通穴)の形成は、例えば、従来周知の打ち抜き加工によって行われる。好適な方法の一例を挙げると、まず、第1セラミックグリーンシートと、後にキャビティの一部となるべき貫通穴が打ち抜き加工により形成された第2セラミックグリーンシートとをそれぞれ作製する。次に、第2セラミックグリーンシートの有する貫通穴の内周面に、メタライズ層形成用材料を配置する。この場合に好適なメタライズ層形成用材料としては高融点金属粉末からなる導体ペーストがあり、その導体ペーストは従来周知の手法により前記貫通穴の内周面に塗布される。メタライズ配線層やビア導体などを形成する必要がある場合には、第1セラミックグリーンシートに導体ペーストを塗布してもよい。次に、第1セラミックグリーンシートと第2セラミックグリーンシートとを積層、圧着して積層体を得た後、その積層体をセラミックの焼成温度に加熱する。その結果、キャビティを有するセラミック基板が得られるとともに、メタライズ層形成用材料の焼結によってメタライズ層が形成される。   In this case, the ceramic green sheet is produced by forming a slurry obtained by mixing ceramic raw material powder, an organic binder, a solvent, a plasticizer, and the like into a sheet shape. The part to be the cavity (specifically, the through hole) is formed by, for example, a conventionally known punching process. As an example of a suitable method, first, a first ceramic green sheet and a second ceramic green sheet in which a through hole to be a part of a cavity later is formed by punching are prepared. Next, a metallized layer forming material is disposed on the inner peripheral surface of the through hole of the second ceramic green sheet. In this case, a suitable metallized layer forming material is a conductor paste made of a refractory metal powder, and the conductor paste is applied to the inner peripheral surface of the through hole by a conventionally known method. When it is necessary to form a metallized wiring layer or a via conductor, a conductor paste may be applied to the first ceramic green sheet. Next, after the first ceramic green sheet and the second ceramic green sheet are laminated and pressure-bonded to obtain a laminated body, the laminated body is heated to a firing temperature of the ceramic. As a result, a ceramic substrate having a cavity is obtained, and a metallized layer is formed by sintering the metallized layer forming material.

続く第1めっき工程では、無光沢ニッケルめっきを行って前記メタライズ層上に第1ニッケル層を形成する。この場合における無光沢ニッケルめっきとしては、例えば、スルファミン酸浴に代表されるニッケルめっき浴を用いた電解ニッケルめっきなどが好適である。なお、ニッケル−ホウ素浴に代表される無電解ニッケルめっき浴を用いた無電解ニッケルめっきを選択することも可能である。なお、第1めっき工程にて用いるめっき浴中には、光沢剤が実質的に含有されていないことが好ましい。その理由は前述したとおりである。   In the subsequent first plating step, matte nickel plating is performed to form a first nickel layer on the metallized layer. As the matte nickel plating in this case, for example, electrolytic nickel plating using a nickel plating bath typified by a sulfamic acid bath is suitable. It is also possible to select electroless nickel plating using an electroless nickel plating bath typified by a nickel-boron bath. In addition, it is preferable that the brightener is not contained substantially in the plating bath used at a 1st plating process. The reason is as described above.

続く熱処理工程では、前記メタライズ層及び前記第1ニッケル層を例えば700℃以上900℃以下の温度に加熱し、第1ニッケル層をメタライズ層に対して密着させる。特に、コバルトを含有するニッケルめっき浴を用いて形成された第1ニッケルめっき層は、上記加熱温度に耐えうる耐熱性を有しているため、密着性向上を図るうえで好ましい。   In the subsequent heat treatment step, the metallized layer and the first nickel layer are heated to a temperature of, for example, 700 ° C. or higher and 900 ° C. or lower, and the first nickel layer is adhered to the metallized layer. In particular, the first nickel plating layer formed using a nickel plating bath containing cobalt has heat resistance that can withstand the heating temperature, and thus is preferable in terms of improving adhesion.

次に、必要に応じてロウ材層形成工程を行うことで、第1ニッケル層上にロウ材層を形成してもよい。この工程においては、第1ニッケル層上にロウ材を配置した状態で700℃〜900℃程度の温度に加熱し、そのロウ材を溶融させてロウ材層とする。この場合の加熱温度は、第1ニッケル層の耐熱温度よりも低い温度に設定されることがよい。   Next, a brazing material layer forming step may be performed as necessary to form a brazing material layer on the first nickel layer. In this step, a brazing material is placed on the first nickel layer and heated to a temperature of about 700 ° C. to 900 ° C. to melt the brazing material to form a brazing material layer. The heating temperature in this case is preferably set to a temperature lower than the heat resistance temperature of the first nickel layer.

第2めっき工程では、前記熱処理工程の後(またはロウ材層形成工程の後)に光沢ニッケルめっきを行って第2ニッケル層を形成する。この場合における光沢ニッケルめっきとしては、例えば、ワット浴ベースの光沢ニッケルめっき浴を用いた電解ニッケルめっきなどが好適である。ワット浴とは、実用性の高いニッケルめっき浴として従来知られているものであって、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を主成分とする浴のことをいう。なお、第2めっき工程にて用いるめっき浴中には、所定量の光沢剤が含有されていることが好ましい一方で、コバルトが実質的に含有されていないことが好ましい。その理由は前述したとおりである。   In the second plating step, the second nickel layer is formed by performing bright nickel plating after the heat treatment step (or after the brazing material layer forming step). As the bright nickel plating in this case, for example, electrolytic nickel plating using a Watt bath-based bright nickel plating bath is suitable. The Watt bath is conventionally known as a highly practical nickel plating bath, and refers to a bath mainly composed of nickel sulfate, nickel chloride and boric acid. In addition, while it is preferable that the predetermined amount of brightener is contained in the plating bath used at a 2nd plating process, it is preferable that cobalt is not contained substantially. The reason is as described above.

続く反射金属層形成工程では、前記第2めっき工程の後に反射金属層を形成する。反射金属層の形成方法は特に限定されず、従来周知の金属薄膜形成方法が採用可能である。その具体例としては、めっき法、スパッタ法、CVDなどがあるが、なかでもめっき法がコスト等の観点から好ましい。   In the subsequent reflective metal layer forming step, the reflective metal layer is formed after the second plating step. The method for forming the reflective metal layer is not particularly limited, and a conventionally known method for forming a metal thin film can be employed. Specific examples thereof include a plating method, a sputtering method, and a CVD method. Among them, the plating method is preferable from the viewpoint of cost and the like.

反射金属層形成工程の後、前記搭載部上に発光素子を搭載する素子搭載工程をさらに実施してもよい。また、素子搭載工程の後、前記キャビティ内に透明樹脂を充填し、その透明樹脂で前記発光素子を覆うようにする充填工程をさらに実施してもよい。   After the reflective metal layer forming step, an element mounting step for mounting a light emitting element on the mounting portion may be further performed. Further, after the element mounting process, a filling process may be further performed in which the cavity is filled with a transparent resin and the light emitting element is covered with the transparent resin.

[第1の実施形態] [First Embodiment]

以下、本発明を具体化した実施形態の発光素子用セラミックパッケージ10及びその製造方法を図1〜図13に基づき説明する。   Hereinafter, a ceramic package 10 for a light emitting device and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

図1に示されるように、本実施形態の発光素子用セラミックパッケージ10は、発光素子であるLED素子21を搭載するための装置である。このセラミックパッケージ10を構成するセラミック基板11は、図2に示されるように、上面12(基板主面)及び下面13を有する矩形平板状の部材である。このセラミック基板11は、上側セラミック焼結層14と下側セラミック焼結層15とからなる2層構造を有している。本実施形態において、上側セラミック焼結層14及び下側セラミック焼結層15は、いずれもアルミナ焼結体からなる。   As shown in FIG. 1, the ceramic package 10 for light emitting element of the present embodiment is a device for mounting an LED element 21 that is a light emitting element. The ceramic substrate 11 constituting the ceramic package 10 is a rectangular flat plate member having an upper surface 12 (substrate main surface) and a lower surface 13 as shown in FIG. The ceramic substrate 11 has a two-layer structure including an upper ceramic sintered layer 14 and a lower ceramic sintered layer 15. In the present embodiment, the upper ceramic sintered layer 14 and the lower ceramic sintered layer 15 are both made of an alumina sintered body.

セラミック基板11の上面12の中央部には、LED素子21が収容可能な大きさを有する有底のキャビティ31が形成されている。このキャビティ31は平面視で円形状を呈しており、その深さは上側セラミック焼結層14の厚さ分に相当する。キャビティ31の底面33の中央部には、LED素子21の搭載部である導体層34が、タングステンのメタライズ上にニッケル−銀めっき層によって矩形状に形成されている。その導体層34上には、例えば熱硬化性接着剤等を用いてLED素子21が接合されている。なお、このような導体層34は必須ではないため、LED素子21をキャビティ31の底面33の中央部に直接接合してもよい。キャビティ31内にはエポキシ等の熱硬化性樹脂からなる透明樹脂25が充填され、その透明樹脂によりLED素子21が全体的に覆われている。   A bottomed cavity 31 having a size that can accommodate the LED element 21 is formed at the center of the upper surface 12 of the ceramic substrate 11. The cavity 31 has a circular shape in plan view, and the depth corresponds to the thickness of the upper ceramic sintered layer 14. In the central portion of the bottom surface 33 of the cavity 31, a conductor layer 34 as a mounting portion of the LED element 21 is formed in a rectangular shape by a nickel-silver plating layer on tungsten metallization. On the conductor layer 34, the LED element 21 is bonded using, for example, a thermosetting adhesive. In addition, since such a conductor layer 34 is not essential, you may join the LED element 21 directly to the center part of the bottom face 33 of the cavity 31. FIG. The cavity 31 is filled with a transparent resin 25 made of a thermosetting resin such as epoxy, and the LED element 21 is entirely covered with the transparent resin.

図1,図2に示されるように、底面33において導体層34の周囲には、ボンディングパッド35が一対形成されている。本実施形態においてボンディングパッド35は、タングステンを主体とするメタライズ層38上にニッケル−金めっき層39を形成した構造を有している。ニッケル−金めっき層39上にさらに銀めっき層を形成してもよい。それらボンディングパッド35上には、LED素子21側の導体とセラミック基板11側の導体とを電気的に接続するボンディングワイヤ22が接合されている。下側セラミック焼結層15においてボンディングパッド35に対応した箇所にはそれぞれビア穴16が形成され、これらのビア穴16内にはタングステンを主体とするビア導体36が設けられている。セラミック基板11の下面13にはタングステンを主体とするメタライズ配線層37がパターン形成されていて、それらメタライズ配線層37はビア導体36の下端に対してそれぞれ電気的に接続されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, a pair of bonding pads 35 are formed around the conductor layer 34 on the bottom surface 33. In the present embodiment, the bonding pad 35 has a structure in which a nickel-gold plating layer 39 is formed on a metallized layer 38 mainly composed of tungsten. A silver plating layer may be further formed on the nickel-gold plating layer 39. Bonding wires 22 that electrically connect the conductor on the LED element 21 side and the conductor on the ceramic substrate 11 side are joined on the bonding pads 35. Via holes 16 are formed at locations corresponding to the bonding pads 35 in the lower ceramic sintered layer 15, and via conductors 36 mainly composed of tungsten are provided in these via holes 16. A metallized wiring layer 37 mainly composed of tungsten is patterned on the lower surface 13 of the ceramic substrate 11, and the metallized wiring layer 37 is electrically connected to the lower end of the via conductor 36.

図1に示されるように、キャビティ31の側面32は、底面33を基準として約45°の傾斜角θを有する面となっている。このため、キャビティ31は底面33から上面12に向かうに従って径が徐々に広がったテーパ形状となっている。キャビティ31の側面32上には、タングステンを主体とする厚さ10μm〜30μm程度のメタライズ層42が形成されている。図3にて詳細に示されるように、このメタライズ層42上には第1ニッケル層43が形成され、さらにその上には第2ニッケル層44が形成され、さらにその上には銀めっき層45が形成されている。即ち本実施形態では、タングステンを主体とするメタライズ層42、第1ニッケル層43、第2ニッケル層44及び銀めっき層45によって光反射部41が構成され、最表層に位置する銀めっき層45の表面が光反射面として機能するようになっている。   As shown in FIG. 1, the side surface 32 of the cavity 31 is a surface having an inclination angle θ of about 45 ° with respect to the bottom surface 33. For this reason, the cavity 31 has a tapered shape whose diameter gradually increases from the bottom surface 33 toward the top surface 12. On the side surface 32 of the cavity 31, a metallized layer 42 having a thickness of about 10 μm to 30 μm mainly composed of tungsten is formed. As shown in detail in FIG. 3, a first nickel layer 43 is formed on the metallized layer 42, a second nickel layer 44 is further formed thereon, and a silver plating layer 45 is further formed thereon. Is formed. That is, in the present embodiment, the light reflecting portion 41 is configured by the metallized layer 42 mainly composed of tungsten, the first nickel layer 43, the second nickel layer 44, and the silver plating layer 45, and the silver plating layer 45 located at the outermost layer is formed. The surface functions as a light reflecting surface.

本実施形態の場合、第1ニッケル層43は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であって、その厚さは約1.0μmに設定されている。一方、第2ニッケル層44は、光沢剤またはその分解物を含有するニッケルめっき層であって、その厚さは第1ニッケル層43よりも厚く約3μmに設定されている。ここで、第1ニッケル層43及び第2ニッケル層44におけるコバルト含有量は極めて低く、検出限界以下(ここでは0.001重量%以下)となっている。   In the present embodiment, the first nickel layer 43 is a nickel plating layer that does not substantially contain a brightener, and the thickness thereof is set to about 1.0 μm. On the other hand, the second nickel layer 44 is a nickel plating layer containing a brightener or a decomposition product thereof, and the thickness thereof is set to about 3 μm thicker than the first nickel layer 43. Here, the cobalt content in the 1st nickel layer 43 and the 2nd nickel layer 44 is very low, and has become below a detection limit (here 0.001 weight% or less).

そして、このようなセラミックパッケージ10では、銀めっき層45の表面において、LED素子21の発光光束がセラミック基板11の厚さ方向(図1の上方)に反射されるようになっている。   In such a ceramic package 10, the luminous flux of the LED element 21 is reflected on the surface of the silver plating layer 45 in the thickness direction of the ceramic substrate 11 (upward in FIG. 1).

次に、上記構造のセラミックパッケージ10を製造する方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the ceramic package 10 having the above structure will be described.

まず、アルミナ粉末、有機バインダ、溶剤、可塑剤等を混合してスラリーを作製する。そしてこのスラリーを従来周知の手法(例えばドクターブレード法やカレンダーロール法)によりシート状に成形して、セラミックグリーンシートを2枚作製する。次に、これらセラミックグリーンシートに対する穴明けを下記のように行う。図4に示されるように、2枚のうちの一方のもの(上側セラミックグリーンシート64)に対しては、図示しない従来周知の打ち抜き金型を用いて打ち抜き加工を行い、貫通穴66を形成する。この貫通穴66は後にキャビティ31の一部となるため、テーパ状をなすように形成される。一方、2枚のうちの他方のもの(下側セラミックグリーンシート65)に対しては、従来周知のパンチング(打ち抜き)加工によって、シート表裏面を貫通するビア穴16を形成する。なお、レーザ加工やドリル加工などの手法によって、ビア穴16を形成することも可能である。   First, a slurry is prepared by mixing alumina powder, an organic binder, a solvent, a plasticizer and the like. And this slurry is shape | molded by the conventionally well-known method (For example, a doctor blade method or a calender roll method), and two ceramic green sheets are produced. Next, drilling of these ceramic green sheets is performed as follows. As shown in FIG. 4, one of the two sheets (upper ceramic green sheet 64) is punched using a conventionally known punching die (not shown) to form a through hole 66. . Since this through hole 66 will later become a part of the cavity 31, it is formed in a tapered shape. On the other hand, the via hole 16 penetrating the front and back surfaces of the sheet is formed on the other of the two sheets (the lower ceramic green sheet 65) by a conventionally known punching process. The via hole 16 can also be formed by a technique such as laser processing or drilling.

次に、従来周知のペースト印刷装置を用いて、上側セラミックグリーンシート64の有する貫通穴66の内周面に、メタライズ層形成用材料であるタングステンペースト71を塗布する。また、同じ装置を用いて、タングステンペースト71を下側セラミックグリーンシート65の表裏面の所定箇所に塗布するとともに、ビア穴16内に充填する(図5参照)。   Next, a tungsten paste 71, which is a metallized layer forming material, is applied to the inner peripheral surface of the through hole 66 of the upper ceramic green sheet 64 using a conventionally known paste printing apparatus. Further, using the same apparatus, the tungsten paste 71 is applied to predetermined locations on the front and back surfaces of the lower ceramic green sheet 65 and filled into the via holes 16 (see FIG. 5).

次に、下側セラミックグリーンシート65の上に上側セラミックグリーンシート64を積層し、従来周知のラミネート装置を用いて厚さ方向に所定の荷重を加えることにより、これらを圧着、一体化して積層体を形成する(図6参照)。その後、この積層体をアルミナが焼結しうる所定の温度(例えば1500℃〜1700℃程度の温度)に加熱する焼成工程を行う。この焼成を経ると、図7に示されるように、下側セラミックグリーンシート65及び上側セラミックグリーンシート64が焼結して、キャビティ31を有するセラミック基板11が得られる。また、タングステンペースト71の焼結によって、光反射部41の一部をなすメタライズ層42がキャビティ31の側面32に形成される。セラミック基板11の所定箇所には、ビア導体36と、メタライズ配線層37と、ボンディングパッド35の一部をなすメタライズ層38とがそれぞれ形成される。   Next, the upper ceramic green sheet 64 is laminated on the lower ceramic green sheet 65, and a predetermined load is applied in the thickness direction using a conventionally known laminating apparatus, so that these are bonded and integrated to form a laminated body. (See FIG. 6). Then, the baking process which heats this laminated body to the predetermined | prescribed temperature (for example, temperature of about 1500 degreeC-1700 degreeC) which an alumina can sinter is performed. When this firing is performed, as shown in FIG. 7, the lower ceramic green sheet 65 and the upper ceramic green sheet 64 are sintered, and the ceramic substrate 11 having the cavity 31 is obtained. Further, by sintering the tungsten paste 71, a metallized layer 42 that forms a part of the light reflecting portion 41 is formed on the side surface 32 of the cavity 31. Via conductors 36, metallized wiring layers 37, and metallized layers 38 that form part of the bonding pads 35 are respectively formed at predetermined locations on the ceramic substrate 11.

次に、第1めっき工程において無光沢ニッケルめっきを行い、メタライズ層38上に第1ニッケル層43を形成する(図8参照)。本実施形態では、ニッケルめっき浴として従来周知のスルファミン酸浴を選択し、これを用いて従来周知の条件により電解ニッケルめっきを行っている。なお、このスルファミン酸浴中には、光沢剤が含有されていない。第1めっき工程を経て形成された第1ニッケル層43は、触針法により測定した表面粗さRaが0.5μm弱であって、ニッケル結晶粒の平均粒径が約3.0μmとなっている。つまり、第1ニッケル層43の表面粗さ(Ra=0.475μm:触針法による測定値)は、メタライズ層42の表面粗さ(Ra=1.120μm:触針法による測定値)ほど粗くない(図12の表1参照)。しかし、第1ニッケル層43の光沢度(BLK値)は0.266であることから、それほど高い光沢を有するものではないといえる(図13の表2参照)。   Next, matte nickel plating is performed in the first plating step to form the first nickel layer 43 on the metallized layer 38 (see FIG. 8). In this embodiment, a conventionally well-known sulfamic acid bath is selected as the nickel plating bath, and electrolytic nickel plating is performed using the well-known conditions. The sulfamic acid bath does not contain a brightener. The first nickel layer 43 formed through the first plating step has a surface roughness Ra measured by a stylus method of less than 0.5 μm, and the average grain size of nickel crystal grains is about 3.0 μm. Yes. That is, the surface roughness (Ra = 0.475 μm: measured value by the stylus method) of the first nickel layer 43 is as rough as the surface roughness (Ra = 1.120 μm: measured value by the stylus method) of the metallized layer 42. None (see Table 1 in FIG. 12). However, since the gloss level (BLK value) of the first nickel layer 43 is 0.266, it can be said that the first nickel layer 43 does not have such a high gloss level (see Table 2 in FIG. 13).

光沢度(BLK値)の測定は、図11に示す測定装置を用いて行った。この測定装置は、測定対象物93の被測定面に対して45°の角度をなす2箇所(図11では測定対象物93の斜め上の2箇所)に、光源91を備えている。各々の光源91の先端は測定対象物93の被測定面を狙っている。一方、この測定装置は、測定対象物93の被測定面に対して90°の位置(図11では測定対象物93の真上の位置)に、受光手段92を備えている。受光手段92の受光部は測定対象物93の被測定面に対向して配置されている。この測定装置を用いた測定では、まず、2つの光源9を所定強度で発光させて測定対象物93の被測定面に対して光を入射させた。そして、その入射光の反射光を受光手段92で受光するとともに、その反射光の強度を求めた。次に、入射光強度に対する反射光強度の対数を2から減じた値を算出し、この算出値を光沢度(BLK値)とした。 The measurement of glossiness (BLK value) was performed using a measuring apparatus shown in FIG. This measuring apparatus includes light sources 91 at two locations (two locations obliquely above the measurement target 93 in FIG. 11) that form an angle of 45 ° with the measurement target surface of the measurement target 93. The tip of each light source 91 is aimed at the surface to be measured of the measuring object 93. On the other hand, this measuring apparatus includes a light receiving means 92 at a position of 90 ° with respect to the measurement target surface of the measuring object 93 (a position directly above the measuring object 93 in FIG. 11). The light receiving portion of the light receiving means 92 is disposed to face the surface to be measured of the measurement object 93. In the measurement using the measuring apparatus, first, the two light sources 9 1 applying light to the measurement surface of the measurement object 93 to emit light at a predetermined intensity. Then, the reflected light of the incident light was received by the light receiving means 92 and the intensity of the reflected light was obtained. Next, a value obtained by subtracting the logarithm of the reflected light intensity with respect to the incident light intensity from 2 was calculated, and this calculated value was defined as the glossiness (BLK value).

続く熱処理工程では、メタライズ層42上に第1ニッケル層43が形成された状態のセラミック基板11を、従来周知の加熱装置を用いて還元性雰囲気下で約850℃の温度に加熱する。そしてこの加熱により、第1ニッケル層43をメタライズ層42に対して確実に密着させた。   In the subsequent heat treatment step, the ceramic substrate 11 in which the first nickel layer 43 is formed on the metallized layer 42 is heated to a temperature of about 850 ° C. in a reducing atmosphere using a conventionally known heating device. Then, the first nickel layer 43 was securely adhered to the metallized layer 42 by this heating.

続く第2めっき工程では、光沢ニッケルめっきを行って第1ニッケル層43上に第2ニッケル層44を形成する(図9参照)。この場合における光沢ニッケルめっきでは、硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸を主成分とするワット浴をベースとし、これに所定の光沢剤を添加した光沢ニッケルめっき浴を用いて、電解ニッケルめっきを行った。なお、表1,表2に示した「光沢ニッケルめっき浴 A」及び「光沢ニッケルめっき浴 B」とは、両者が異なる製品であることを意味している。これらのめっき浴中には、少なくとも0.1重量%以上の光沢剤が含有されている反面、コバルトが実質的に含有されていない。   In the subsequent second plating step, bright nickel plating is performed to form the second nickel layer 44 on the first nickel layer 43 (see FIG. 9). In the bright nickel plating in this case, electrolytic nickel plating was performed using a bright nickel plating bath based on a watt bath mainly composed of nickel sulfate, nickel chloride and boric acid, and a predetermined brightener added thereto. . The “bright nickel plating bath A” and “bright nickel plating bath B” shown in Tables 1 and 2 mean that they are different products. These plating baths contain at least 0.1% by weight or more of brightener, but are substantially free of cobalt.

第2めっき工程を経て形成された第2ニッケル層44を触針法により測定したところ、「光沢ニッケルめっき A」により形成されたものでは表面粗さRaが0.193μm、「光沢ニッケルめっき B」により形成されたものでは表面粗さRaが0.322μmであった(図12の表1参照)。また、第2ニッケル層44を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は、第1ニッケル層43を構成するニッケル結晶粒の平均粒径よりも小さく、約0.3μmであった。ちなみに、無光沢ニッケルめっきにより形成された第2ニッケル層では、表面粗さRaが0.472μmとなっていた。   When the second nickel layer 44 formed through the second plating step was measured by the stylus method, the surface roughness Ra was 0.193 μm for the one formed by “bright nickel plating A” and “bright nickel plating B”. The surface roughness Ra was 0.322 μm (see Table 1 in FIG. 12). The average grain size of the nickel crystal grains constituting the second nickel layer 44 was smaller than the average grain size of the nickel crystal grains constituting the first nickel layer 43, and was about 0.3 μm. Incidentally, in the second nickel layer formed by matte nickel plating, the surface roughness Ra was 0.472 μm.

また、第2ニッケル層44を図11の測定装置で測定したところ、「光沢ニッケルめっき A」により形成されたものでは光沢度(BLK値)が2.336、「光沢ニッケルめっき B」により形成されたものでは光沢度(BLK値)が1.921であった(図13の表2参照)。ちなみに、無光沢ニッケルめっきにより形成された第2ニッケル層では、光沢度(BLK値)が0.303であり、上記のものと比較して光沢度が劣っていた。   Further, when the second nickel layer 44 was measured by the measuring device of FIG. 11, the glossiness (BLK value) formed by “bright nickel plating A” was 2.336, and “bright nickel plating B” was formed. The glossiness (BLK value) was 1.921 (see Table 2 in FIG. 13). Incidentally, the second nickel layer formed by matte nickel plating had a glossiness (BLK value) of 0.303, which was inferior to the above.

続く反射金属層形成工程では、電解銀めっきを行って反射金属層である銀めっき層45を形成し、光反射部41を完成させる(図10参照)。   In the subsequent reflective metal layer forming step, electrolytic silver plating is performed to form a silver plating layer 45 that is a reflective metal layer, thereby completing the light reflecting portion 41 (see FIG. 10).

なお、ボンディングパッド35の一部をなすメタライズ層38上のニッケル−金めっき層39については、第1めっき工程及び第2めっき工程の実施後に電解ニッケルめっき及び電解金めっきを行うことで形成することが可能である。あるいは、第1めっき工程及び第2めっき工程によりメタライズ層38上にニッケル層を形成し、そのニッケル層上に電解金めっきを行って金めっき層を形成することも可能である。   The nickel-gold plating layer 39 on the metallized layer 38 forming a part of the bonding pad 35 is formed by performing electrolytic nickel plating and electrolytic gold plating after the first plating step and the second plating step. Is possible. Alternatively, the gold plating layer can be formed by forming a nickel layer on the metallized layer 38 by the first plating step and the second plating step and performing electrolytic gold plating on the nickel layer.

以上のようにして得られた発光素子用セラミックパッケージ10については、この後さらに素子搭載工程を行って、LED素子21の実装及びワイヤボンディングを実施する。次に充填工程を行って、キャビティ31内に透明樹脂25を充填して熱硬化させることにより、発光素子付きのセラミックパッケージを完成させる。   About the ceramic package 10 for light emitting elements obtained as mentioned above, an element mounting process is further performed after this, and mounting of LED element 21 and wire bonding are implemented. Next, a ceramic package with a light emitting element is completed by performing a filling process, filling the cavity 31 with the transparent resin 25 and thermally curing the resin.

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
(1)この発光素子用セラミックパッケージ10の場合、メタライズ層42上に第1ニッケル層43が形成され、第1ニッケル層43上に第2ニッケル層44が形成されている。そして、第1ニッケル層43は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層となっている。第2ニッケル層44は、光沢剤を含有するニッケルめっき層である一方で、コバルトを含有しないものとなっている。
Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) In the case of the ceramic package for light emitting element 10, the first nickel layer 43 is formed on the metallized layer 42, and the second nickel layer 44 is formed on the first nickel layer 43. And the 1st nickel layer 43 is a nickel plating layer which does not contain a brightener substantially. The second nickel layer 44 is a nickel plating layer containing a brightener, but does not contain cobalt.

第1ニッケル層43は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であるため、光沢剤を含有する同様のニッケルめっき層に比べて、メタライズ層42に対する密着性がそもそも高い。また、光沢剤を含有するニッケルめっき層(第2ニッケル層44)は、細かい結晶粒を有しており、表面の平滑性も高い。よって、このような第2ニッケル層44を下地層としてその上に形成された銀めっき層45についても、表面の平滑性が高くなる。ゆえに、LED素子21からの発光光束を効率よく反射できる光反射面を得ることができる。   Since the 1st nickel layer 43 is a nickel plating layer which does not contain a brightener substantially, the adhesiveness with respect to the metallizing layer 42 is originally high compared with the same nickel plating layer containing a brightener. In addition, the nickel plating layer (second nickel layer 44) containing the brightener has fine crystal grains and has high surface smoothness. Therefore, the surface smoothness of the silver plating layer 45 formed on the second nickel layer 44 as a base layer is also increased. Therefore, it is possible to obtain a light reflecting surface that can efficiently reflect the luminous flux from the LED element 21.

以上のことから、LED素子21からの発光光束を効率よく反射しうる良質な光反射面を備えた発光素子用セラミックパッケージ10を実現することができる。   From the above, it is possible to realize the light emitting element ceramic package 10 provided with a high-quality light reflecting surface that can efficiently reflect the luminous flux from the LED element 21.

(2)本実施形態の発光素子用セラミックパッケージ10の場合、メタライズ層42と第1ニッケル層43との密着性のみならず、第1ニッケル層43と第2ニッケル層44との密着性、第2ニッケル層44と銀めっき層45との密着性も同様に優れている。従って、透明樹脂25でキャビティ31を封止する構造を採用したとしても、充填工程時に光反射部41内にて「ハガレ」が生じるようなことも防止できる。よって、信頼性に優れた発光素子用セラミックパッケージ10を実現することができる。   (2) In the case of the light emitting element ceramic package 10 of the present embodiment, not only the adhesion between the metallized layer 42 and the first nickel layer 43 but also the adhesion between the first nickel layer 43 and the second nickel layer 44, the first The adhesion between the 2 nickel layer 44 and the silver plating layer 45 is also excellent. Therefore, even if a structure in which the cavity 31 is sealed with the transparent resin 25 is employed, it is possible to prevent “breaking” in the light reflecting portion 41 during the filling process. Therefore, the ceramic package 10 for light emitting elements excellent in reliability can be realized.

(3)本実施形態の製造方法では、無光沢ニッケルめっきを行って第1ニッケル層43を形成する第1めっき工程、熱処理工程、光沢ニッケルめっきを行って第2ニッケル層44を形成する第2めっき工程、銀めっき層45を形成する反射金属層形成工程をこの順序で行っている。そして、第1めっき工程後に熱処理工程を行うことにより、メタライズ層42に対して第1ニッケル層43を密着させることができる。また、第2ニッケル層44の形成を熱処理工程後に行うことにより、光沢剤の熱分解等が回避される結果、表面が平滑で光沢度の高い第2ニッケル層44を確実に得ることができる。それゆえ、第2めっき工程後に反射金属層形成工程を行えば、表面が平滑で光沢度の高い銀めっき層45(反射金属層)を比較的簡単にかつ確実に形成することができる。しかも、第1ニッケル層43及び第2ニッケル層44の形成を廉価な手法であるめっき法により行っているため、製造コスト高を防止することができる。
[第2の実施形態]
(3) In the manufacturing method of the present embodiment, the first plating step for forming the first nickel layer 43 by performing matte nickel plating, the heat treatment step, and the second for forming the second nickel layer 44 by performing bright nickel plating. The plating process and the reflective metal layer forming process for forming the silver plating layer 45 are performed in this order. Then, the first nickel layer 43 can be adhered to the metallized layer 42 by performing a heat treatment step after the first plating step. Further, by forming the second nickel layer 44 after the heat treatment step, it is possible to reliably obtain the second nickel layer 44 having a smooth surface and high gloss as a result of avoiding thermal decomposition of the brightener. Therefore, if the reflective metal layer forming step is performed after the second plating step, the silver plating layer 45 (reflective metal layer) having a smooth surface and high gloss can be formed relatively easily and reliably. In addition, since the first nickel layer 43 and the second nickel layer 44 are formed by a plating method which is an inexpensive method, an increase in manufacturing cost can be prevented.
[Second Embodiment]

以下、本発明を具体化した別の実施形態の発光素子用セラミックパッケージ110を図14に基づき説明する。ここでは第1実施形態との相違点について述べ、共通点については説明を省略する。   Hereinafter, another embodiment of the ceramic package 110 for a light emitting device embodying the present invention will be described with reference to FIG. Here, differences from the first embodiment will be described, and description of common points will be omitted.

図14に示されるように、本実施形態では光反射部41の構造が第1実施形態のものと若干相違していて、第2ニッケル層44と銀めっき層45との間に金めっき層46が介在されている。このめっき層46は、いわゆる電解ストライクめっきにより形成された薄いめっき層である。なお、めっき層46の厚さは任意であるが、例えば0.2μmを超えるようになると金めっきの析出粒が発生しやすくなり、その表面が粗くなるおそれがある。従って、金めっき層46の厚さは0.2μm以下であることが好ましく、さらには0.03μm以上0.2μm以下であることが好ましい。なお、ストライクめっきの他に、ストライクめっき、ストライクパラジウムめっきを用いてもよい。 As shown in FIG. 14, in this embodiment, the structure of the light reflecting portion 41 is slightly different from that of the first embodiment, and the gold plating layer 46 is interposed between the second nickel layer 44 and the silver plating layer 45. Is intervened. The gold plating layer 46 is a thin plating layer formed by so-called electrolytic strike gold plating. The thickness of the gold plating layer 46 is arbitrary, but if it exceeds 0.2 μm, for example, gold plating precipitates are likely to be generated, and the surface may become rough. Therefore, the thickness of the gold plating layer 46 is preferably 0.2 μm or less, and more preferably 0.03 μm or more and 0.2 μm or less. In addition to strike gold plating, strike silver plating or strike palladium plating may be used.

そして、このような構造の本実施形態によれば、第1実施形態と同様に、メタライズ層42と第1ニッケル層43との密着性に優れるとともに、LED素子21からの発光光束を効率よく反射しうる良質な光反射面を備えた発光素子用セラミックパッケージ110を実現することができる。また、第2ニッケル層44と銀めっき層45との間に、電解ストライクめっきによるめっき層46を介在させたことにより、両層の密着性をいっそう向上することができる。
[第3の実施形態]
According to this embodiment having such a structure, as in the first embodiment, the adhesion between the metallized layer 42 and the first nickel layer 43 is excellent, and the luminous flux from the LED element 21 is efficiently reflected. A ceramic package 110 for a light emitting element having a good light reflecting surface can be realized. Further, by interposing the gold plating layer 46 by electrolytic strike gold plating between the second nickel layer 44 and the silver plating layer 45, the adhesion between both layers can be further improved.
[Third Embodiment]

以下、本発明を具体化した実施形態の発光素子用セラミックパッケージ210を図15に基づき説明する。ここでは第1実施形態との相違点について述べ、共通点については説明を省略する。   Hereinafter, a ceramic package 210 for a light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, differences from the first embodiment will be described, and description of common points will be omitted.

図15に示されるように、本実施形態ではキャビティ31の断面形状が第1実施形態のものと異なっている。即ち、ここではキャビティ31の側面32が、キャビティ31の底面33に対して90°の角度をなす垂直面となっている。そして、この側面32及び底面33の外周部にはメタライズ層42が形成され、その上に第1ニッケル層43が形成されている。第1ニッケル層43の上には、ロウ材層としての銀ロウ層47が形成されている。この銀ロウ層47はいわゆるフィレット状を呈していて、その表面は底面33に対して40°〜50°の角度を有する傾斜面となっている。そして、この銀ロウ層47の傾斜面上には第2ニッケル層44が形成され、その上には薄い金めっき層46が形成され、さらにその上には銀めっき層45が形成されている。   As shown in FIG. 15, in this embodiment, the cross-sectional shape of the cavity 31 is different from that of the first embodiment. That is, here, the side surface 32 of the cavity 31 is a vertical surface that forms an angle of 90 ° with respect to the bottom surface 33 of the cavity 31. A metallized layer 42 is formed on the outer peripheral portions of the side surface 32 and the bottom surface 33, and a first nickel layer 43 is formed thereon. On the first nickel layer 43, a silver brazing layer 47 as a brazing material layer is formed. The silver brazing layer 47 has a so-called fillet shape, and the surface thereof is an inclined surface having an angle of 40 ° to 50 ° with respect to the bottom surface 33. A second nickel layer 44 is formed on the inclined surface of the silver brazing layer 47, a thin gold plating layer 46 is formed thereon, and a silver plating layer 45 is further formed thereon.

そして、このような構造の本実施形態によれば、第1実施形態と同様に、メタライズ層42と第1ニッケル層43との密着性に優れるとともに、LED素子21からの発光光束を効率よく反射しうる良質な光反射面を備えた発光素子用セラミックパッケージ210を実現することができる。また、第2ニッケル層44と銀めっき層45との間に、電解ストライクめっきによるめっき層46を介在させたことにより、両層の密着性をいっそう向上することができる。さらに、フィレット状の銀ロウ層47を形成して傾斜面を得ているため、上側セラミックグリーンシート64の打ち抜き加工が容易になるため、製造しやすい発光素子用セラミックパッケージ210とすることができる。加えて、コバルトを実質的に含まない第1ニッケル層43は、銀ロウに対する濡れ性がよいため、銀ロウ層47との間に高い密着性を確保することができる。 And according to this embodiment of such a structure, it is excellent in the adhesiveness of the metallization layer 42 and the 1st nickel layer 43 similarly to 1st Embodiment, and reflects the emitted light beam from LED element 21 efficiently. A ceramic package 210 for a light emitting element having a good light reflecting surface can be realized. Further, by interposing the gold plating layer 46 by electrolytic strike plating between the second nickel layer 44 and the silver plating layer 45, the adhesion between both layers can be further improved. Furthermore, since the fillet-like silver brazing layer 47 is formed to obtain the inclined surface, the upper ceramic green sheet 64 can be easily punched, and the ceramic package 210 for a light emitting element that can be easily manufactured can be obtained. In addition, since the first nickel layer 43 substantially free of cobalt has good wettability with respect to silver brazing, high adhesion can be ensured with the silver brazing layer 47.

なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。例えば、上記実施形態ではキャビティ31内にLED素子21を1つ実装した構造を例示したが、その数は2つ以上であっても構わない。具体例を挙げると、平面視で長円形状のキャビティ31を形成し、そのキャビティ31の底面33の略中央部に導体層34を3つ形成する。そしてこれら3つの導体層34上に、赤色、緑色及び青色のLED素子21をそれぞれ実装する。このように構成すると、高輝度の白色光が得られる装置を実現することができる。   In addition, you may change embodiment of this invention as follows. For example, in the above embodiment, the structure in which one LED element 21 is mounted in the cavity 31 is illustrated, but the number may be two or more. As a specific example, an elliptical cavity 31 is formed in plan view, and three conductor layers 34 are formed at a substantially central portion of the bottom surface 33 of the cavity 31. The red, green, and blue LED elements 21 are mounted on the three conductor layers 34, respectively. If comprised in this way, the apparatus which can obtain high-intensity white light is realizable.

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.

(1)基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層よりも表層側に位置する第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第2ニッケル層が光沢ニッケルめっき層であり、前記第1ニッケル層が無光沢ニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (1) A ceramic substrate having a substrate main surface and a cavity that opens at the substrate main surface, and a mounting portion capable of mounting a light emitting element on the inner surface of the cavity, and the inner surface of the cavity. A metallized layer, a first nickel layer formed on the metallized layer, a second nickel layer located on the surface layer side of the first nickel layer, and located on the surface layer side of the second nickel layer, A reflective metal layer capable of functioning as a light reflecting surface for reflecting the luminous flux from the light emitting element, the second nickel layer is a bright nickel plating layer, and the first nickel layer is a matte nickel plating layer A ceramic package for a light-emitting element, characterized in that

(2)基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層上に形成された第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層上に形成され、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第2ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第1ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (2) A ceramic substrate having a substrate main surface and a cavity that opens at the substrate main surface, and a mounting portion capable of mounting a light emitting element on the inner surface of the cavity, and the inner surface of the cavity. A metallized layer, a first nickel layer formed on the metallized layer, a second nickel layer formed on the first nickel layer, and a surface of the light emitting element formed on the second nickel layer A reflective metal layer that can function as a light reflecting surface that reflects the luminous flux from the first nickel layer, the second nickel layer is a nickel plating layer containing a brightener, and the first nickel layer substantially contains the brightener. A ceramic package for a light-emitting element, characterized by being a nickel plating layer that does not contain.

(3)基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層上に形成された第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層上に形成された金層と、前記金層上に形成され、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層としての銀層とを備え、前記第2ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第1ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (3) A ceramic substrate having a substrate main surface and a cavity that opens at the substrate main surface, and a mounting portion capable of mounting a light emitting element on the inner surface of the cavity, and the inner surface of the cavity. A metallized layer; a first nickel layer formed on the metallized layer; a second nickel layer formed on the first nickel layer; a gold layer formed on the second nickel layer; and the gold A nickel layer having a silver layer as a reflective metal layer, the surface of which is formed on a layer and whose surface functions as a light reflecting surface that reflects the luminous flux from the light emitting element, and wherein the second nickel layer contains a brightener A ceramic package for a light emitting device, wherein the first nickel layer is a nickel plating layer that does not substantially contain a brightener.

(4)基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの側面及び底面外周部の上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層上に形成されたフィレット状のロウ材層と、前記ロウ材層上に形成された第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層上に形成され、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第2ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第1ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (4) A ceramic substrate having a substrate main surface and a cavity that opens at the substrate main surface, and a mounting portion capable of mounting a light emitting element on the inner surface of the cavity; A metallized layer formed thereon, a first nickel layer formed on the metallized layer, a fillet-like brazing material layer formed on the first nickel layer, and formed on the brazing material layer A second nickel layer, and a reflective metal layer formed on the second nickel layer, the surface of which can function as a light reflecting surface that reflects the luminous flux from the light emitting element, and the second nickel layer is glossy A ceramic package for a light-emitting element, wherein the first nickel layer is a nickel plating layer containing substantially no brightener.

(5)基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層よりも表層側に位置する第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第2ニッケル層が光沢剤を含有する一方でコバルトを実質的に含有しないニッケルめっき層であり、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (5) A ceramic substrate having a substrate main surface and a cavity that opens at the substrate main surface, and a mounting portion capable of mounting a light emitting element on the inner surface of the cavity, and the inner surface of the cavity. A metallized layer, a first nickel layer formed on the metallized layer, a second nickel layer located on the surface layer side of the first nickel layer, and located on the surface layer side of the second nickel layer, A reflective metal layer having a surface that can function as a light reflecting surface that reflects the luminous flux emitted from the light emitting element, and the second nickel layer contains a brightener and a nickel plating layer substantially free of cobalt. A ceramic package for a light emitting device, wherein the ceramic package is a nickel plating layer substantially free of a brightener.

(6)基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層よりも表層側に位置する第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第2ニッケル層の光沢度が前記第1ニッケル層の光沢度よりも大きいことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (6) A ceramic substrate having a substrate main surface and a cavity that opens at the substrate main surface, and provided with a mounting portion capable of mounting a light emitting element on the inner surface of the cavity, and formed on the inner surface of the cavity A metallized layer, a first nickel layer formed on the metallized layer, a second nickel layer located on the surface layer side of the first nickel layer, and located on the surface layer side of the second nickel layer, A reflective metal layer whose surface can function as a light reflecting surface for reflecting the luminous flux from the light emitting element, wherein the glossiness of the second nickel layer is greater than the glossiness of the first nickel layer Ceramic package for light emitting devices.

(7)基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層よりも表層側に位置する第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第2ニッケル層を構成するニッケル結晶粒が、前記第1ニッケル層を構成するニッケル結晶粒よりも細かいことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (7) A ceramic substrate having a substrate main surface and a cavity that opens at the substrate main surface, and a mounting portion capable of mounting a light emitting element on the inner surface of the cavity, and the inner surface of the cavity. A metallized layer, a first nickel layer formed on the metallized layer, a second nickel layer located on the surface layer side of the first nickel layer, and located on the surface layer side of the second nickel layer, A nickel metal grain constituting the first nickel layer, wherein the nickel crystal grains constituting the second nickel layer comprise a reflective metal layer capable of functioning as a light reflecting surface for reflecting the luminous flux from the light emitting element. A ceramic package for light-emitting elements characterized by being finer.

(8)基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、前記第1ニッケル層よりも表層側に位置する第2ニッケル層と、前記第2ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層とを備え、前記第1ニッケル層の表面粗さRaが前記メタライズ層の表面粗さRaよりも小さく、前記第2ニッケル層の表面粗さRaが前記第1ニッケル層の表面粗さRaよりも小さいことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (8) A ceramic substrate having a substrate main surface and a cavity that opens at the substrate main surface, and a mounting portion on which the light emitting element can be mounted on the inner surface of the cavity, and the inner surface of the cavity. A metallized layer, a first nickel layer formed on the metallized layer, a second nickel layer located on the surface layer side of the first nickel layer, and located on the surface layer side of the second nickel layer, A reflective metal layer whose surface can function as a light reflecting surface for reflecting the luminous flux from the light emitting element, the surface roughness Ra of the first nickel layer is smaller than the surface roughness Ra of the metallized layer, 2. A ceramic package for a light emitting device, wherein the surface roughness Ra of the second nickel layer is smaller than the surface roughness Ra of the first nickel layer.

(9)上記(1)乃至(8)のいずれか1項において、前記第2ニッケル層を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は1.0μm以下であり、前記第1ニッケル層を構成するニッケル結晶粒の平均粒径は1.0μmよりも大きく3.0μm以下であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (9) In any one of the above (1) to (8), the nickel crystal grains constituting the second nickel layer have an average grain size of 1.0 μm or less, and the nickel constituting the first nickel layer A ceramic package for a light-emitting element, wherein an average grain size of crystal grains is larger than 1.0 μm and not larger than 3.0 μm.

(10)上記(1)乃至(8)のいずれか1項において、前記メタライズ層の表面粗さRaが1.0μm以上であり、前記第1ニッケル層の表面粗さRaが0.4μm以上0.6μm未満であり、前記第2ニッケル層の表面粗さRaが0.1μm以上0.4μm未満であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (10) In any one of the above (1) to (8), the metallized layer has a surface roughness Ra of 1.0 μm or more, and the first nickel layer has a surface roughness Ra of 0.4 μm or more. A ceramic package for a light emitting device, wherein the second nickel layer has a surface roughness Ra of not less than 0.1 μm and less than 0.4 μm.

(11)上記(1)乃至(8)のいずれか1項において、前記反射金属層は、銀めっき層であることを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (11) The ceramic package for a light emitting element according to any one of (1) to (8), wherein the reflective metal layer is a silver plating layer.

(12)上記(1)乃至(8)のいずれか1項において、前記搭載部上に搭載された発光素子と、前記発光素子を覆うべく前記キャビティ内に充填された透明樹脂とを備えたことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。   (12) In any one of the above items (1) to (8), the light emitting device mounted on the mounting portion and the transparent resin filled in the cavity to cover the light emitting device are provided. A ceramic package for light emitting devices.

本発明を具体化した第1実施形態の発光素子用セラミックパッケージを示す概略断面図。1 is a schematic sectional view showing a ceramic package for a light emitting device according to a first embodiment embodying the present invention. 同セラミックパッケージを示す概略平面図。The schematic plan view which shows the same ceramic package. 同セラミックパッケージの要部を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the principal part of the ceramic package. 同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。Process drawing for demonstrating the manufacturing method of the ceramic package. 同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。Process drawing for demonstrating the manufacturing method of the ceramic package. 同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。Process drawing for demonstrating the manufacturing method of the ceramic package. 同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。Process drawing for demonstrating the manufacturing method of the ceramic package. 同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。Process drawing for demonstrating the manufacturing method of the ceramic package. 同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。Process drawing for demonstrating the manufacturing method of the ceramic package. 同セラミックパッケージの製造方法を説明するための工程図。Process drawing for demonstrating the manufacturing method of the ceramic package. 光沢度の測定方法を説明するための概略図。Schematic for demonstrating the measuring method of glossiness. 表面粗さRaの比較結果を示す表。The table | surface which shows the comparison result of surface roughness Ra. 光沢度の比較結果を示す表。The table | surface which shows the comparison result of glossiness. 第2実施形態のセラミックパッケージの要部を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the principal part of the ceramic package of 2nd Embodiment. 第3実施形態のセラミックパッケージの要部を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the principal part of the ceramic package of 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10,110,210…発光素子用セラミックパッケージ
11…セラミック基板
12…基板主面としての上面
21…発光素子としてのLED素子
31…キャビティ
34…搭載部としての導体層
41…光反射部
42…メタライズ層
43…第1ニッケル層
44…第2ニッケル層
45…反射金属層としての銀めっき層
46…めっき層
47…ロウ材層としての銀ロウ層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,110,210 ... Ceramic package for light emitting elements 11 ... Ceramic substrate 12 ... Upper surface as substrate main surface 21 ... LED element as light emitting element 31 ... Cavity 34 ... Conductor layer as mounting part 41 ... Light reflecting part 42 ... Metallization Layer 43 ... 1st nickel layer 44 ... 2nd nickel layer 45 ... Silver plating layer as reflective metal layer 46 ... Gold plating layer 47 ... Silver brazing layer as brazing material layer

Claims (7)

基板主面及び前記基板主面にて開口するキャビティを有し、前記キャビティの内面に発光素子を搭載可能な搭載部が設けられたセラミック基板と、
前記キャビティの内面上に形成されたメタライズ層と、
前記メタライズ層上に形成された第1ニッケル層と、
前記第1ニッケル層よりも表層側に位置する第2ニッケル層と、
前記第2ニッケル層よりも表層側に位置し、その表面が前記発光素子からの発光光束を反射する光反射面として機能しうる反射金属層と
前記第2ニッケル層と前記反射金属層との間に介在するストライクめっき層と
を備え、
前記第2ニッケル層が光沢剤を含有するニッケルめっき層であり、前記第1ニッケル層が光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であり、
前記第1ニッケル層の厚さが0.5μm以上2μm以下であり、前記第2ニッケル層の厚さが2μm以上10μm以下であり、前記ストライクめっき層の厚さが0.03μm以上0.2μm以下である
ことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージ。
A ceramic substrate having a substrate main surface and a cavity opened at the substrate main surface, and a mounting portion capable of mounting a light emitting element on the inner surface of the cavity;
A metallization layer formed on the inner surface of the cavity;
A first nickel layer formed on the metallized layer;
A second nickel layer located on the surface side of the first nickel layer;
A reflective metal layer located on the surface layer side of the second nickel layer, the surface of which can function as a light reflecting surface that reflects the luminous flux from the light emitting element ;
A strike plating layer interposed between the second nickel layer and the reflective metal layer ;
The second nickel layer is a nickel plating layer containing a brightening agent, the first layer of nickel Ri nickel plating layer der substantially free of brightener,
The thickness of the first nickel layer is 0.5 μm to 2 μm, the thickness of the second nickel layer is 2 μm to 10 μm, and the thickness of the strike plating layer is 0.03 μm to 0.2 μm. ceramic package for a light emitting element characterized <br/> that is.
前記第2ニッケル層の光沢度が前記第1ニッケル層の光沢度よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の発光素子用セラミックパッケージ。   2. The ceramic package for a light emitting device according to claim 1, wherein the glossiness of the second nickel layer is greater than the glossiness of the first nickel layer. 測定対象物の被測定面に対して45°の角度をなす2箇所から光を入射させ、その入射光の反射光を前記被測定面に対して90°の位置で受光し、入射光強度に対する反射光強度の対数を2から減じた値を、光沢度として規定した場合、前記第2ニッケル層の光沢度が1.0以上2.5以下であり、前記第1ニッケル層の光沢度が0.1以上0.8以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子用セラミックパッケージ。   Light is incident from two locations that form an angle of 45 ° with respect to the surface to be measured of the measurement object, and reflected light of the incident light is received at a position of 90 ° with respect to the surface to be measured. When the value obtained by subtracting the logarithm of the reflected light intensity from 2 is defined as the glossiness, the glossiness of the second nickel layer is 1.0 or more and 2.5 or less, and the glossiness of the first nickel layer is 0. The ceramic package for a light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the ceramic package is 1 or more and 0.8 or less. 前記第2ニッケル層はコバルトを実質的に含有しないことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の発光素子用セラミックパッケージ。   4. The ceramic package for a light emitting device according to claim 1, wherein the second nickel layer does not substantially contain cobalt. 5. 前記第1ニッケル層と前記第2ニッケル層との間にロウ材層を有していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光素子用セラミックパッケージ。   5. The ceramic package for a light-emitting element according to claim 1, further comprising a brazing material layer between the first nickel layer and the second nickel layer. 前記第2ニッケル層を構成するニッケル結晶粒が、前記第1ニッケル層を構成するニッケル結晶粒よりも細かいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の発光素子用セラミックパッケージ。6. The ceramic package for a light emitting device according to claim 1, wherein nickel crystal grains constituting the second nickel layer are finer than nickel crystal grains constituting the first nickel layer. . 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の発光素子用セラミックパッケージの製造方法であって、
キャビティの内面上にメタライズ層が形成されたセラミック基板を準備する準備工程と、
無光沢ニッケルめっきを行って前記メタライズ層上に第1ニッケル層を形成する第1めっき工程と、
前記メタライズ層及び前記第1ニッケル層を加熱する熱処理工程と、
前記熱処理工程の後に光沢ニッケルめっきを行って第2ニッケル層を形成する第2めっき工程と、
前記第2めっき工程の後に反射金属層を形成する反射金属層形成工程と
を含むことを特徴とする発光素子用セラミックパッケージの製造方法。
It is a manufacturing method of the ceramic package for light emitting elements of any one of Claims 1 thru | or 6, Comprising:
Preparing a ceramic substrate having a metallized layer formed on the inner surface of the cavity;
Performing a matte nickel plating to form a first nickel layer on the metallized layer;
A heat treatment step for heating the metallized layer and the first nickel layer;
A second plating step of forming a second nickel layer by performing bright nickel plating after the heat treatment step;
A method of manufacturing a ceramic package for a light emitting device, comprising: a reflective metal layer forming step of forming a reflective metal layer after the second plating step.
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