JP4452646B2 - Manufacturing method and initialization apparatus for optical information recording medium - Google Patents
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Description
本発明は、生産性の高い光学的情報記録用媒体の製造方法及び高速初期化が可能な初期化装置に関するものである。 The present invention relates to an optical information recording medium manufacturing method with high productivity and an initialization apparatus capable of high-speed initialization.
現在、書換が可能な相変化型の記録層を有する平面円環形状の光学的情報記録用媒体(例えば、CD−RWやリライタブルDVD、本明細書では、光学的情報記録用媒体を単に光ディスク、ディスク、相変化型ディスク等の呼び方で呼ぶ場合がある。)が実用化されている。このような光学的情報記録用媒体は、結晶状態と非晶質状態との間で記録層を可逆的に相変化させることによって情報の書き換えを行っている。具体的には、記録層の結晶状態を未記録又は消去状態とし、この記録層に非晶質の記録マークを形成して情報を記録する方法が一般的に用いられる。非晶質の記録マークは、該非晶質マークが完全に再結晶化されることにより消去される。このため、上記非晶質の記録マークが完全に再結晶化するために必要な時間の長さにより、消去可能な線速度の上限、ひいては書き換え可能な記録線速度の上限が決まる。 Currently, a planar annular optical information recording medium having a rewritable phase change recording layer (for example, a CD-RW or a rewritable DVD, in this specification, the optical information recording medium is simply an optical disk, In some cases, it is called as a disk, a phase change type disk, etc.). In such an optical information recording medium, information is rewritten by reversibly changing the phase of the recording layer between a crystalline state and an amorphous state. Specifically, a method is generally used in which information is recorded by forming a recording layer in an unrecorded or erased state and forming an amorphous recording mark on the recording layer. The amorphous recording mark is erased by completely recrystallizing the amorphous mark. For this reason, the upper limit of the erasable linear velocity and hence the rewritable recording linear velocity are determined by the length of time required for the amorphous recording mark to be completely recrystallized.
近年、記録線速度向上の要求に伴い、この消去可能な線速度上限を高めた記録媒体が開発されている。具体的には、CD−RWでは、24〜32倍速の線速度において書き換え可能な光学的情報記録用媒体が実現又は開発中である。また、リライタブルDVDでは、4倍速以上の線速度において書き換え可能な光学的情報記録用媒体が実現又は開発中である。 In recent years, recording media with an increased upper limit of the erasable linear velocity have been developed in response to a demand for improving the recording linear velocity. Specifically, in CD-RW, an optical information recording medium that can be rewritten at a linear velocity of 24 to 32 times speed is being realized or developed. In addition, in the rewritable DVD, an optical information recording medium that can be rewritten at a linear velocity of 4 times or higher is being realized or developed.
このような光学的情報記録用媒体の製造工程には、記録層を成膜して得られた記録媒体(本発明においては、基板上に記録層を成膜した状態の媒体を記録媒体と呼ぶ。そして、この記録媒体に対し、後述の初期化工程を得た媒体を光学的情報記録用媒体と呼ぶ。)に対し、初期化(未記録状態)する初期化工程を行なうことが通常必要である。具体的には、成膜後の記録層は通常非晶質の状態にあるため、初期化工程において記録層を結晶状態とする必要がある(このような初期化を初期結晶化という場合がある)。 In the manufacturing process of such an optical information recording medium, a recording medium obtained by forming a recording layer (in the present invention, a medium having a recording layer formed on a substrate is called a recording medium). For this recording medium, it is usually necessary to carry out an initialization process (initialized (unrecorded state)) with respect to this recording medium, which is referred to as an optical information recording medium. is there. Specifically, since the recording layer after film formation is usually in an amorphous state, the recording layer needs to be in a crystalline state in the initialization step (such initialization may be referred to as initial crystallization). ).
初期結晶化は、記録媒体を確実に結晶化するために、記録媒体の全ての半径位置における線速度が一定になるようにして初期結晶化が行なわれている(特許文献1、2)。具体的には、全ての半径位置において線速度を一定とするように記録媒体を回転させた状態(Constant Linear Velocity;CLV方式)で初期結晶化用のレーザ光を記録媒体に照射する。そして、このレーザ光によって記録媒体上に形成される光スポットを記録媒体の径方向に相対的に移動させて、記録層が結晶化される。
しかしながら、上記従来の初期結晶化方法においては、初期化装置の高速回転速度制御とそれにともなうフォーカスサーボ制御が困難で、装置に多大な負担がかかる場合がある。
すなわち、上記従来の初期化結晶化方法は、平面円環形状の記録媒体の記録層における最内周から最外周までを一定の線速度(CLV方式)で回転させることが必要となる。このために、初期化領域の最内周での最大回転数によって定まる線速度が、その装置の初期化条件の最大線速度となっていた。しかしながら、本発明者等の検討によれば、高速の記録線速度で書き換えを行なう光学的情報記録用媒体においては、さらなる高線速(具体的にはおよそ25m/s以上)による初期化条件を用いることにより、媒体性能を向上させることが可能な場合があることが判明した。
However, in the above-described conventional initial crystallization method, it is difficult to perform high-speed rotation speed control of the initialization device and the accompanying focus servo control, which may impose a great burden on the device.
That is, the above-described conventional initialization crystallization method needs to rotate from the innermost circumference to the outermost circumference in the recording layer of the planar annular recording medium at a constant linear velocity (CLV method). For this reason, the linear velocity determined by the maximum rotational speed at the innermost circumference of the initialization region is the maximum linear velocity of the initialization condition of the apparatus. However, according to the study by the present inventors, in an optical information recording medium in which rewriting is performed at a high recording linear velocity, initialization conditions at a higher linear velocity (specifically, about 25 m / s or more) are set. It has been found that the media performance may be improved by using it.
上記初期結晶化条件は、光学的情報記録用媒体の消去可能な線速度よりも高い線速度で初期化する場合があることを意味する。そして、このような初期結晶化条件を用いて良い記録特性を得ようとすると、初期化装置に多大な負担等がかかる場合がある。なぜなら、そのような場合において従来通りのCLV方式で線速度の向上をはかろうとすると、ディスクの機械的耐久性が不十分となる、初期化装置が大型化する、及び初期化装置のコストが上昇する、等の問題が発生するからである。 The initial crystallization condition means that initialization may be performed at a higher linear velocity than the erasable linear velocity of the optical information recording medium. If an attempt is made to obtain good recording characteristics using such initial crystallization conditions, the initialization apparatus may be subjected to a heavy burden. This is because in such a case, if the conventional CLV method tries to improve the linear velocity, the mechanical durability of the disk becomes insufficient, the initialization device becomes large, and the cost of the initialization device increases. This is because a problem such as an increase occurs.
すなわち、ディスクの機械的耐久性の点からは以下の問題が発生する。例えば、CDやDVDでは、基板にポリカーネート樹脂が用いられるのが一般的である。そして、このポリカーボネート樹脂基板の機械的強度の限界から、CDやDVDにおける記録時の回転速度の上限は、通常、10000rpm程度(ディスクの記録領域最内周の線速度は20−25m/s)となる。つまり、ポリカーボネート樹脂基板の機械的強度の限界から、25m/s以上の高線速度でディスク全面を初期化することが困難となる。 That is, the following problems occur from the viewpoint of the mechanical durability of the disc. For example, in a CD or DVD, a polycarbonate resin is generally used for the substrate. From the limit of the mechanical strength of the polycarbonate resin substrate, the upper limit of the rotational speed during recording on a CD or DVD is usually about 10000 rpm (the linear velocity at the innermost circumference of the recording area of the disk is 20-25 m / s). Become. That is, it becomes difficult to initialize the entire disk surface at a high linear velocity of 25 m / s or more because of the limit of the mechanical strength of the polycarbonate resin substrate.
一方、光学的情報記録用媒体の記録・消去・再生を行なう記録装置(例えば、CD−RWやDVD用のドライブ)側では、いわゆるP−CAV(Partial Angular velocity)、ZCLV(Zoned CLV)といった手法により、外周部ほど、高線速度で書き換えを行なうようになっている。そのような手法の採用は、光学的情報記録媒体の半径位置における記録(消去)線速度の変化を意味する。このため、本来であれば、半径方向の異なる記録(消去)線速度に対して最適な記録特性が得られるように光学的情報記録用媒体を設計してもよい。しかし、実際の光学的情報記録用媒体においては、このような径方向の媒体特性を意図的に変化させるような設計は行わず、最外周部の最も速い書き換え線速度(実際上、20−25m/s以上)に対して、記録領域全面が書き換え可能(非晶質マークの消去が可能)なように設計される。従って、このような光学的情報記録用媒体の製造工程において記録媒体を初期結晶化する場合には、高線速度でレーザ光を照射しながら記録媒体を全面的に初期化する必要がある。 On the other hand, on the recording device (for example, CD-RW or DVD drive) side for recording / erasing / reproducing an optical information recording medium, a so-called P-CAV (Partial Angular velocity), ZCLV (Zoned CLV) method is used. Thus, rewriting is performed at a higher linear velocity toward the outer peripheral portion. The adoption of such a method means a change in recording (erasing) linear velocity at the radial position of the optical information recording medium. For this reason, the optical information recording medium may be designed so that optimum recording characteristics can be obtained for recording (erasing) linear velocities in different radial directions. However, in an actual optical information recording medium, such a design that intentionally changes the medium characteristics in the radial direction is not performed, and the fastest rewriting linear velocity at the outermost peripheral portion (in practice, 20-25 m). / S), the entire recording area is designed to be rewritable (amorphous marks can be erased). Therefore, when the recording medium is initially crystallized in the manufacturing process of such an optical information recording medium, it is necessary to initialize the entire recording medium while irradiating the laser beam at a high linear velocity.
このため、初期化装置の回転数の限界等から発生するCLV方式での初期化線速度の上限の問題を回避できる初期化方法、ひいては光学的情報記録用媒体の製造方法、及び初期化装置が求められている。 Therefore, an initialization method capable of avoiding the problem of the upper limit of the initialization linear velocity in the CLV method, which occurs due to the limit of the number of revolutions of the initialization device, and the manufacturing method of the optical information recording medium, and the initialization device are provided. It has been demanded.
上記実情に鑑み、本発明者等は、従来の線速度一定の初期化方法ではなく、初期化用レーザ光スポットと記録媒体との相対的な線速度を外周部ほど高くする初期化方法を見出した。より具体的には、本発明者等は、記録領域全面に渡って回転速度一定とするCAV方式(Constant Angular Velocity)、P−CAV方式(Partial CAV方式)を用いて、記録媒体の外周部ほど線速度を高くする初期化方法を見出した。また、本発明者等は、記録媒体を複数のゾーンに分けて各ゾーンの最内周部分においては回転数一定としつつも、各ゾーン内においては線速度を一定とするZCLV方式(Zoned CLV方式)を用いて、記録媒体の外周部ほど線速度を高くする初期化方法を見出した。
そして、これらの初期化方法を用いることによって、初期化装置への負担や複雑な制御が不要となることを見出した。
In view of the above situation, the present inventors have found an initialization method for increasing the relative linear velocity between the laser beam for initialization and the recording medium toward the outer peripheral portion, rather than the conventional initialization method with a constant linear velocity. It was. More specifically, the present inventors use a CAV method (Constant Angular Velocity) and a P-CAV method (Partial CAV method) in which the rotation speed is constant over the entire recording area. An initialization method for increasing the linear velocity was found. Further, the present inventors have divided the recording medium into a plurality of zones and made the ZCLV method (Zoned CLV) in which the rotational speed is constant in the innermost peripheral portion of each zone and the linear velocity is constant in each zone. The initialization method was found to increase the linear velocity toward the outer periphery of the recording medium.
Then, it has been found that the use of these initialization methods eliminates the burden on the initialization apparatus and complicated control.
すなわち、本発明の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する光学的情報記録用媒体の製造方法であって、前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化する場合において、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数R0を一定にし、前記回転数R0を下記の条件を満たすように設定することを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法に存する。
(i)記録媒体を複数用意し、そのうちの1つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも前記記録媒体の記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
(ii)前記最内周トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)別の記録媒体に対し、前記(i)の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記(ii)〜(iv)を行なう。
(vi)記録媒体を変えて(v)の操作を繰り返す。
(Vii)それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、R0を、J2/J10を1.6以下とするような回転数に設定する。
また、本発明の別の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する光学的情報記録用媒体の製造方法であって、前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくして初期結晶化領域の全面を初期結晶化する場合において、前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域を複数のゾーンに分け、前記各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、前記記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げることを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法に存する。
また、本発明の別の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する光学的情報記録用媒体の製造方法であって、前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化する場合において、前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域を複数のゾーンに分け、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで前記走査線速度を一定とすることを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法に存する。
また、本発明の別の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する光学的情報記録用媒体の製造方法であって、前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化する場合において、前記記録媒体の前記初期結晶化領域の最内周の位置から前記記録媒体の外周側へ向かって所定の径方向位置に達するまでは、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数R0を一定とし、前記所定の径方向位置から前記初期結晶化領域の最外周の位置までは前記走査線速度を一定とし、前記所定の径方向位置における線速度を最大線速度Vmaxとし、前記最大線速度Vmaxを、下記の条件を満たすように設定することを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法。
(i)記録媒体を複数枚用意し、その内の1つの記録媒体に対し、前記初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
(ii)前記トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)記録媒体を変えて、線速度を変化させて前記(i)〜(iv)を繰り返す。
(vi)それぞれの線速度で得られたジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10を1.6以下にするような線速度を最大線速度Vmaxとする。
That is, the gist of the present invention is a method for producing an optical information recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate, and a step of obtaining a recording medium on which the recording layer is formed, and focusing An initial crystallization step of initial crystallization of the recording layer by scanning a light spot formed by irradiating the recording layer with light in a circumferential direction of the recording medium, in the initial crystallization step, The scanning linear velocity when scanning the light spot in the circumferential direction is increased toward the outer periphery of the recording medium, and the intensity of the focused light is increased as the scanning linear velocity is increased so that the entire surface of the initial crystallization region is initialized. in the case of reduction, the rotation speed R0 per unit time of the recording medium constant, the manufacturing method of the optical information recording medium and setting the rotation speed R0 so as to satisfy the following conditions To.
(I) A plurality of recording media are prepared, and one of the recording media is rotated at an arbitrary number of revolutions, and at least the recording layer formed on the innermost track of the recording area of the recording medium is initially crystallized. Turn into.
(Ii) Recording is performed twice on the innermost track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) After initial crystallization is performed on another recording medium at a rotational speed different from the rotational speed of (i), the above (ii) to (iv) are performed.
(Vi) The operation of (v) is repeated while changing the recording medium.
(Vii) The relationship between J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained with the recording medium initially crystallized at each rotational speed and the rotational speed at the time of initial crystallization is obtained. And R0 is set to the rotation speed which makes J2 / J10 1.6 or less.
Another gist of the present invention is a method for producing an optical information recording medium having a phase change type recording layer on a disk-shaped substrate, the step of obtaining a recording medium having the recording layer formed thereon, An initial crystallization step of initial crystallization of the recording layer by scanning a light spot formed by irradiating the recording layer with focused light in a circumferential direction of the recording medium, and in the initial crystallization step In the case of initial crystallization of the entire surface of the initial crystallization region by increasing the scanning linear velocity at the time of scanning the light spot in the circumferential direction as the outer peripheral portion of the recording medium, the radial direction of the recording medium For optical information recording, wherein the initial crystallization region is divided into a plurality of zones, the intensity of the focused light irradiated in each zone is constant, and the intensity of the focused light is increased toward the outer peripheral side of the recording medium. Medium It resides in the production method.
Another gist of the present invention is a method for producing an optical information recording medium having a phase change type recording layer on a disk-shaped substrate, the step of obtaining a recording medium having the recording layer formed thereon, An initial crystallization step of initial crystallization of the recording layer by scanning a light spot formed by irradiating the recording layer with focused light in a circumferential direction of the recording medium, and in the initial crystallization step The scanning linear velocity when scanning the light spot in the circumferential direction is increased toward the outer periphery of the recording medium, and the intensity of the focused light is increased as the scanning linear velocity is increased to cover the entire surface of the initial crystallization region. In the case of initial crystallization, the initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, the number of rotations at the innermost circumferential position in each zone is constant, There are existing in the production method of the optical information recording medium characterized by a constant the scanning linear velocity from the innermost to the outermost.
Another gist of the present invention is a method for producing an optical information recording medium having a phase change type recording layer on a disk-shaped substrate, the step of obtaining a recording medium having the recording layer formed thereon, An initial crystallization step of initial crystallization of the recording layer by scanning a light spot formed by irradiating the recording layer with focused light in a circumferential direction of the recording medium, and in the initial crystallization step The scanning linear velocity when scanning the light spot in the circumferential direction is increased toward the outer periphery of the recording medium, and the intensity of the focused light is increased as the scanning linear velocity is increased to cover the entire surface of the initial crystallization region. In the case of initial crystallization, the unit per unit time of the recording medium until reaching a predetermined radial position from the innermost peripheral position of the initial crystallization region of the recording medium toward the outer peripheral side of the recording medium.
(I) A plurality of recording media are prepared, and the recording layer formed on an arbitrary track in the initial crystallization region is initially crystallized at an arbitrary linear velocity with respect to one of the recording media. .
(Ii) Recording is performed twice on the track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) Repeat (i) to (iv) by changing the recording medium and changing the linear velocity.
(Vi) The linear velocity that makes J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained at the respective linear velocities 1.6 or less is the maximum linear velocity Vmax.
また、本発明の別の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する記録媒体の前記記録層を初期結晶化する初期化装置であって、前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されており、前記制御部が、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数R0を一定にするように構成され、下記の条件を満たすように設定された回転数R0に基づいて前記記録媒体を回転させるように構成されることを特徴とする初期化装置に存する。
(i)記録媒体を複数用意し、そのうちの1つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも前記記録媒体の記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
(ii)前記最内周トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)別の記録媒体に対し、前記(i)の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記(ii)〜(iv)を行なう。
(vi)記録媒体を変えて(v)の操作を繰り返す。
(Vii)それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、R0を、J2/J10を1.6以下とするような回転数に設定する。
また、本発明の別の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する記録媒体の前記記録層を初期結晶化する初期化装置であって、前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくして初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されており、前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、前記制御部が、前記各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、前記記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げるように構成されることを特徴とする初期化装置に存する。
また、本発明の別の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する記録媒体の前記記録層を初期結晶化する初期化装置であって、前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されており、前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、前記制御部が、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで前記走査線速度が一定となるように構成されることを特徴とする初期化装置に存する。
また、本発明の別の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する記録媒体の前記記録層を初期結晶化する初期化装置であって、前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されており、前記制御部が、前記記録媒体の前記初期結晶化領域の最内周の位置から前記記録媒体の外周側へ向かって所定の径方向位置に達するまでは、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数R0を一定とし、前記所定の径方向位置から前記初期結晶化領域の最外周の位置までは前記走査線速度を一定とし、前記所定の径方向位置における最大線速度Vmaxを、下記の条件を満たすように設定することを特徴とする初期化装置。
(i)記録媒体を複数枚用意し、その内の1つの記録媒体に対し、前記初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
(ii)前記トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)記録媒体を変えて、線速度を変化させて前記(i)〜(iv)を繰り返す。
(vi)それぞれの線速度で得られたジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10を1.6以下にするような線速度を最大線速度Vmaxとする。
Another gist of the present invention is an initialization apparatus for initial crystallization of a recording layer of a recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate, wherein focused light is focused on the recording layer. A control unit that scans the light spot formed by irradiation in the circumferential direction of the recording medium, and the control unit increases the linear velocity when scanning the light spot in the circumferential direction as the outer peripheral part of the recording medium; It is configured to increase the intensity of the focused light as the scanning line speed increases and to initially crystallize the entire surface of the initial crystallization region, and the control unit rotates the recording medium per unit time. is configured to R0 to constant consists in initializing apparatus according to claim Rukoto is configured to rotate the recording medium based on the rotation speed R0 which is set so as to satisfy the following conditions.
(I) A plurality of recording media are prepared, and one of the recording media is rotated at an arbitrary number of revolutions, and at least the recording layer formed on the innermost track of the recording area of the recording medium is initially crystallized. Turn into.
(Ii) Recording is performed twice on the innermost track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) After initial crystallization is performed on another recording medium at a rotational speed different from the rotational speed of (i), the above (ii) to (iv) are performed.
(Vi) The operation of (v) is repeated while changing the recording medium.
(Vii) The relationship between J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained with the recording medium initially crystallized at each rotational speed and the rotational speed at the time of initial crystallization is obtained. And R0 is set to the rotation speed which makes J2 / J10 1.6 or less.
Another gist of the present invention is an initialization apparatus for initial crystallization of a recording layer of a recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate, wherein focused light is focused on the recording layer. A control unit that scans the light spot formed by irradiation in the circumferential direction of the recording medium, and the control unit increases the linear velocity when scanning the light spot in the circumferential direction as the outer peripheral part of the recording medium. The entire surface of the initial crystallization region is configured to perform initial crystallization, the initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, and the control unit performs irradiation in each zone. The initialization apparatus is characterized in that the intensity of the focused light is constant and the intensity of the focused light is increased in the outer peripheral zone of the recording medium.
Another gist of the present invention is an initialization apparatus for initial crystallization of a recording layer of a recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate, wherein focused light is focused on the recording layer. A control unit that scans the light spot formed by irradiation in the circumferential direction of the recording medium, and the control unit increases the linear velocity when scanning the light spot in the circumferential direction as the outer peripheral part of the recording medium; As the scanning linear velocity increases, the intensity of the focused light is increased so that the entire surface of the initial crystallization region is initially crystallized, and the initial crystallization region extends along the radial direction of the recording medium. It is divided into a plurality of zones, and the control unit is configured so that the number of rotations at the innermost circumference position in each zone is constant, and the scanning linear velocity is constant from the innermost circumference to the outermost circumference in each zone. Be done It consists in initializing apparatus according to claim.
Another gist of the present invention is an initialization apparatus for initial crystallization of a recording layer of a recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate, wherein focused light is focused on the recording layer. A control unit that scans the light spot formed by irradiation in the circumferential direction of the recording medium, and the control unit increases the linear velocity when scanning the light spot in the circumferential direction as the outer peripheral part of the recording medium; As the scanning linear velocity increases, the intensity of the focused light is increased so that the entire surface of the initial crystallization region is initially crystallized, and the control unit controls the initial crystallization region of the recording medium. The rotational speed R0 per unit time of the recording medium is constant until reaching a predetermined radial position from the innermost position toward the outer peripheral side of the recording medium, and the initial crystal is determined from the predetermined radial position. Up to the outermost position of the The scanning linear velocity is constant, the maximum linear velocity Vmax in the predetermined radial position, the initialization unit and setting so as to satisfy the conditions below.
(I) A plurality of recording media are prepared, and the recording layer formed on an arbitrary track in the initial crystallization region is initially crystallized at an arbitrary linear velocity with respect to one of the recording media. .
(Ii) Recording is performed twice on the track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) Repeat (i) to (iv) by changing the recording medium and changing the linear velocity.
(Vi) The linear velocity that makes J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained at the respective linear velocities 1.6 or less is the maximum linear velocity Vmax.
本発明は、特に高速記録用の相変化型の記録材料を有する光学的情報記録用媒体(例えば、24倍速以上の線速度で記録を行なうCD−RWや、6〜8倍速以上の線速度で記録を行なうリライタブルDVD)に適用すると、良好な初期化状態を有する光学的情報記録用媒体を得ることができる。 The present invention particularly relates to an optical information recording medium having a phase change type recording material for high-speed recording (for example, a CD-RW for recording at a linear velocity of 24 times or higher, or a linear velocity of 6 to 8 times or higher). When applied to a rewritable DVD for recording, an optical information recording medium having a good initialization state can be obtained.
本発明によれば、従来とは異なる初期結晶化方法により良好な初期結晶化状態を有する光学的情報記録用媒体を得ることができるという利点がある。つまり、高線速度(例えば、およそ25m/s以上のような、光学的情報記録用媒体の消去可能な線速度よりも高い線速度)で、初期結晶化を行なえるようになる。これにより、良好な記録特性が得られるようになり、媒体性能を向上させることが可能となる。さらに、初期結晶化時間を大幅に短縮することができるようになり、光学的情報記録用媒体の生産性を向上させることが可能となる。 According to the present invention, there is an advantage that an optical information recording medium having a good initial crystallization state can be obtained by an initial crystallization method different from the conventional one. That is, initial crystallization can be performed at a high linear velocity (for example, a linear velocity higher than the erasable linear velocity of the optical information recording medium such as about 25 m / s or more). As a result, good recording characteristics can be obtained, and the medium performance can be improved. Furthermore, the initial crystallization time can be greatly shortened, and the productivity of the optical information recording medium can be improved.
特に、高い記録線速度で書き換えを行なう光学的情報記録用媒体を初期結晶化する場合に、良好な記録特性が得られるようになる。この場合、ディスクの機械的耐久性が不十分となったり、初期化装置が大型化したり、初期化装置のコストが上昇したりする等の問題が発生することもない。 In particular, when an optical information recording medium that is rewritten at a high recording linear velocity is initially crystallized, good recording characteristics can be obtained. In this case, problems such as insufficient mechanical durability of the disk, an increase in the size of the initialization device, and an increase in the cost of the initialization device do not occur.
以下、図面により、本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
[1]光学的情報記録用媒体の構成及びその製造方法(記録層を成膜した記録媒体を得る工程)
相変化型の記録層を有する記録媒体の具体例としては、ディスク状の基板上に、第一保護層(下部保護層)、記録層(相変化型記録層)、第二保護層(上部保護層)、反射層、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、基板を通してレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行なう記録媒体(初期化後、基板面入射型の光学的情報記録用媒体として用いられる)を挙げることができる。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention.
[1] Configuration of optical information recording medium and manufacturing method thereof (step of obtaining a recording medium having a recording layer formed thereon)
Specific examples of a recording medium having a phase change recording layer include a first protective layer (lower protective layer), a recording layer (phase change recording layer), and a second protective layer (upper protection) on a disk-shaped substrate. Layer), a reflective layer, and a protective coating layer in this order, and a recording medium that records and reproduces signals by irradiating laser light through the substrate (after initialization, optical information recording of the substrate surface incidence type) Used as a medium for use).
また、相変化型の記録層を有する光学的情報記録用媒体の他の具体例としては、ディスク状の基板上に、反射層、第二保護層(下部保護層)、記録層(相変化型記録層)、第一保護層(上部保護層)、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、上部保護層を通じてレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行なう記録媒体(初期化後、膜面入射型の光学的情報記録用媒体として用いられる。)を挙げることができる。この膜面入射型の光学的情報記録用媒体では、基板を通さずに上部保護層側からレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行なう。このため、記録層と光ヘッドの距離を数百ミクロン以下に接近させることが可能となる。そして、開口数が0.7以上の対物レンズを使用することで、媒体の記録密度を向上させることが出来る。 Other specific examples of the optical information recording medium having a phase change type recording layer include a reflective layer, a second protective layer (lower protective layer), a recording layer (phase change type) on a disk-shaped substrate. A recording medium having a recording layer), a first protective layer (upper protective layer), and a protective coating layer in this order, and recording and reproducing signals by irradiating laser light through the upper protective layer (after initialization) Used as a film surface incident type optical information recording medium). In this film surface incidence type optical information recording medium, signals are recorded and reproduced by irradiating a laser beam from the upper protective layer side without passing through the substrate. For this reason, the distance between the recording layer and the optical head can be made to approach several hundred microns or less. The recording density of the medium can be improved by using an objective lens having a numerical aperture of 0.7 or more.
尚、上記基板面入射型の光学的情報記録用媒体及び膜面入射型の光学的情報記録用媒体それぞれの層構成は例示である。例えば、基板面入射型の光学的情報記録用媒体及び膜面入射型の光学的情報記録用媒体のいずれにおいても、保護層と反射層との間に界面層を設けることができる。膜面入射型の光学的情報記録用媒体において、基板と反射層との間に下地層を設けてもよい。 The layer structures of the substrate surface incidence type optical information recording medium and the film surface incidence type optical information recording medium are shown as examples. For example, an interface layer can be provided between the protective layer and the reflective layer in both the substrate surface incident optical information recording medium and the film surface incident optical information recording medium. In the film surface incidence type optical information recording medium, an underlayer may be provided between the substrate and the reflective layer.
本発明において好ましいのは、高データ転送レートを可能とする、結晶化速度の速い記録材料を記録層に用いた記録媒体を用いることである。
以下、基板、記録層、その他の層(保護層、反射層、保護コート層)の各層について説明する。
(1)基板
基板には、例えば、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの樹脂、あるいはガラスを用いることができる。なかでもポリカーボネート樹脂は、CD−ROM等において最も広く用いられている実績もあり、かつ、安価でもあるので、最も好ましい。基板の厚さは、通常0.1mm以上、好ましくは0.3mm以上であり、一方、通常20mm以下、好ましくは15mm以下である。一般的には0.6mm〜1.2mm程度とされる。基板面入射型の光学的情報記録用媒体においては、基板はレーザ光を透過する必要があるため、レーザ光に対して透明である必要がある。一方、膜面入射型の光学的情報記録用媒体においては、基板は必ずしも透明である必要はない。
In the present invention, it is preferable to use a recording medium in which a recording material having a high crystallization speed and capable of a high data transfer rate is used for the recording layer.
Hereinafter, each layer of the substrate, the recording layer, and other layers (protective layer, reflective layer, protective coat layer) will be described.
(1) Substrate For the substrate, for example, a resin such as polycarbonate, acrylic, polyolefin, or glass can be used. Of these, polycarbonate resin is most preferable because it has a track record of being most widely used in CD-ROMs and the like and is inexpensive. The thickness of the substrate is usually 0.1 mm or more, preferably 0.3 mm or more, while it is usually 20 mm or less, preferably 15 mm or less. Generally, it is set to about 0.6 mm to 1.2 mm. In a substrate surface incident type optical information recording medium, the substrate needs to be transparent to the laser beam because the substrate needs to transmit the laser beam. On the other hand, in a film surface incident type optical information recording medium, the substrate is not necessarily transparent.
基板には、通常、同心円状又はスパイラル状のトラック(グルーブ)が形成されている。また、基板の形状はディスク状とするが、ここで、「ディスク状」とは、回転可能な形状をいい、通常は平面円盤形状をいうが、平面円盤形状に限られるものではない。例えば、光学的情報記録用媒体の意匠を魅力的にするために、平面楕円形状や平面四角形状としてもよいことはいうまでもない。
(2)記録層
記録層としては、例えば、GeSbTe、InSbTe、AgSbTe、及びAgInSbTeといった系列の化合物が繰り返し記録可能な材料として選ばれる。これらの中で、Sb2Te3とGeTeの疑似2元合金を主成分とする組成、より具体的には、{(Sb2Te3)1-α(GeTe)α}1-βSbβ組成(ただし、0.2≦α≦0.9、0≦β≦0.1)、あるいは、Sbを主成分とする組成のいずれかであることが多い。
A concentric or spiral track (groove) is usually formed on the substrate. In addition, the shape of the substrate is a disk shape, but the “disk shape” here refers to a rotatable shape, usually a planar disk shape, but is not limited to a planar disk shape. For example, in order to make the design of the optical information recording medium attractive, it is needless to say that a planar elliptical shape or a planar rectangular shape may be used.
(2) Recording layer For the recording layer, for example, a series of compounds such as GeSbTe, InSbTe, AgSbTe, and AgInSbTe is selected as a material capable of repeated recording. Among these, a composition mainly composed of a pseudo binary alloy of Sb 2 Te 3 and GeTe, more specifically, {(Sb 2 Te 3 ) 1-α (GeTe) α } 1-β Sb β composition (However, 0.2 ≦ α ≦ 0.9, 0 ≦ β ≦ 0.1) or a composition mainly containing Sb.
本発明に用いる初期化方法(初期化用の光スポットが記録媒体の外周に向かうに連れて、走査線速度を大きくする初期化方法)は、結晶化速度の速い材料を記録層に用いた記録媒体に適用することが好ましい。結晶化速度を高めるために、前記記録層にSbを主成分とする組成を用いることがより好ましい。なお、本発明において、「Sbを主成分とする」とは、記録層全体のうち、Sbの含有量が50原子%以上であることを意味する。Sbを主成分とする理由は、Sbの非晶質は、非常に高速で結晶化できるため、非晶質マークを短時間で結晶化することが可能となる。このため、非晶質状態の記録マークの消去が容易となる。この点から、Sbの含有量は60原子%以上であることが好ましく、70原子%以上であることがより好ましい。しかし、一方で、非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるための添加元素をSbと共に併用することが好ましい。記録層の非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるためには、上記添加元素の含有量は、通常1原子%以上、好ましくは5原子%以上、より好ましくは10原子%以上とし、一方、通常30原子%以下とする。 The initialization method used in the present invention (an initialization method in which the scanning linear velocity is increased as the initialization light spot moves toward the outer periphery of the recording medium) is a recording using a material having a high crystallization speed for the recording layer. It is preferable to apply to a medium. In order to increase the crystallization speed, it is more preferable to use a composition containing Sb as a main component in the recording layer. In the present invention, “having Sb as a main component” means that the content of Sb in the entire recording layer is 50 atomic% or more. The reason why Sb is the main component is that the amorphous Sb can be crystallized at a very high speed, so that the amorphous mark can be crystallized in a short time. For this reason, it is easy to erase the recording marks in the amorphous state. In this respect, the Sb content is preferably 60 atomic% or more, and more preferably 70 atomic% or more. However, on the other hand, it is preferable to use an additive element together with Sb in order to promote the formation of the amorphous phase and increase the temporal stability of the amorphous state. In order to promote the amorphous formation of the recording layer and increase the temporal stability of the amorphous state, the content of the additive element is usually 1 atomic% or more, preferably 5 atomic% or more, more preferably 10 atomic% or more, and usually 30 atomic% or less.
非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高める上記添加元素は、結晶化温度を高める効果もある。このような添加元素としては、Ge、Te、In、Ga、Sn、Pb、Si、Ag、Cu、Au、希土類元素、Ta、Nb、V、Hf、Zr、W、Mo、Cu、Cr、Co、窒素、酸素、及びSe等を用いることができる。これら添加元素のうち、非晶質形成の促進、非晶質状態の経時安定性の向上、及び結晶化温度を高める観点から、好ましいのはGe、Te、In、Ga、及びSnからなる群から選ばれる少なくとも1つとすることである。特に好ましいのは、Ge及び/又はTeを用いるか、In、Ga、及びSnの少なくとも1つを用いることである。 The additive element that promotes amorphous formation and improves the temporal stability of the amorphous state also has the effect of increasing the crystallization temperature. Examples of such additive elements include Ge, Te, In, Ga, Sn, Pb, Si, Ag, Cu, Au, rare earth elements, Ta, Nb, V, Hf, Zr, W, Mo, Cu, Cr, and Co. Nitrogen, oxygen, Se, or the like can be used. Among these additive elements, from the viewpoint of promoting amorphous formation, improving the temporal stability of the amorphous state, and increasing the crystallization temperature, it is preferable to use Ge, Te, In, Ga, and Sn. At least one selected. Particular preference is given to using Ge and / or Te or using at least one of In, Ga and Sn.
上述の通り、初期化方法に用いる記録媒体の記録層においては、高速での結晶化や非晶質の形成及び非晶質状態の経時安定性向上のために、記録層の材料として、SbとGe及び/又はTeとを併用することが特に好ましい。Ge及び/又はTeをSbに添加する際に、記録層中におけるGe又はTeそれぞれの含有量を、1原子%以上30原子%以下とすることが好ましい。つまり、Ge及びTeは、それぞれ単独で1原子%以上30原子%以下ずつ含有されていることが好ましい。但し、記録層の主成分をSbとした場合にSbの含有量は50原子%以上となるため、Sbと共にGe及びTeを記録層に含有させる場合、Ge及びTeの合計量は50原子%よりは少なくなる。 As described above, in the recording layer of the recording medium used in the initialization method, Sb and Sb are used as the recording layer material for high-speed crystallization, formation of an amorphous state, and improvement of the temporal stability of the amorphous state. It is particularly preferable to use Ge and / or Te together. When Ge and / or Te are added to Sb, the content of Ge or Te in the recording layer is preferably set to 1 atom% or more and 30 atom% or less. That is, it is preferable that Ge and Te are contained individually by 1 atomic% or more and 30 atomic% or less. However, when the main component of the recording layer is Sb, the Sb content is 50 atomic% or more. Therefore, when Ge and Te are contained in the recording layer together with Sb, the total amount of Ge and Te is more than 50 atomic%. Will be less.
記録層中におけるGe又はTeのそれぞれの含有量は、より好ましくは3原子%以上、さらに好ましくは5原子%以上とする。この範囲とすれば、非晶質マークを安定化する効果が十分に発揮されるようになる。一方、記録層中におけるGe又はTeのそれぞれの含有量は、より好ましくは20原子%以下、さらに好ましくは15原子%以下とする。この範囲とすれば、非晶質が安定になりすぎて逆に結晶化が遅くなるという傾向を抑制できる。また、上記範囲とすれば、結晶粒界での光散乱によるノイズを抑制することができるようになる。 Each content of Ge or Te in the recording layer is more preferably 3 atomic% or more, and further preferably 5 atomic% or more. If it is within this range, the effect of stabilizing the amorphous mark is sufficiently exhibited. On the other hand, the content of Ge or Te in the recording layer is more preferably 20 atomic% or less, and further preferably 15 atomic% or less. Within this range, it is possible to suppress the tendency of the amorphous material to become too stable and conversely slow crystallization. Moreover, if it is the said range, the noise by the light scattering in a crystal grain boundary can be suppressed now.
上記Sbを主成分とする組成は、記録層中に含有されるTeの量によって、2種類に分類することができる。一つは、Teを10原子%以上含有する組成であり、もう一つはTeを10原子%未満含有する組成(Teを含有しない場合を含む)である。
そのひとつは、記録層材料を、Teを概ね10原子%以上含みつつ、Sb70Te30共晶組成よりも過剰のSbを含有する合金を主成分とすることである。この記録層材料を、以下において、SbTe共晶系と呼ぶ。ここで、Sb/Teは3以上とすることが好ましく、4以上とすることがより好ましい。
The composition containing Sb as a main component can be classified into two types depending on the amount of Te contained in the recording layer. One is a composition containing 10 atomic percent or more of Te, and the other is a composition containing less than 10 atomic percent of Te (including a case where Te is not contained).
One of them is that the recording layer material contains, as a main component, an alloy containing approximately 10 atomic% or more of Te and containing Sb in excess of the Sb 70 Te 30 eutectic composition. Hereinafter, this recording layer material is referred to as an SbTe eutectic system. Here, Sb / Te is preferably 3 or more, and more preferably 4 or more.
記録層中に含有されるTeの量によって分類することができる、上記Sbを主成分とするもう一つの組成としては以下のものをあげることができる。すなわち、記録層の組成を、Sbを主成分としつつ、Teを10原子%未満とし、さらにGeを必須成分として含有するようにするのである。上記記録層の組成の具体例としては、Sb90Ge10近傍組成の共晶合金を主成分とし、Teを10原子%未満含有する合金(本明細書においては、この合金をSbGe共晶系と呼ぶ。)を好ましく挙げることができる。 As another composition containing Sb as a main component, which can be classified according to the amount of Te contained in the recording layer, the following can be mentioned. That is, the composition of the recording layer is such that Te is the main component, Te is less than 10 atomic%, and Ge is contained as an essential component. As a specific example of the composition of the recording layer, an alloy containing an eutectic alloy having a composition near Sb 90 Ge 10 as a main component and containing less than 10 atomic% of Te (in this specification, this alloy is referred to as an SbGe eutectic system). Can be preferably mentioned.
Te添加量が10原子%未満の組成は、SbTe共晶系ではなく、SbGe共晶系としての性質を有するようになる。このSbGe共晶系の合金は、Ge含有量が10原子%程度と高くても、初期結晶化後の多結晶状態の結晶粒径は比較的微細なために結晶状態が単一相となりやすく、ノイズが低い。SbGe共晶系の合金においては、Teは、付加的に添加されるにすぎず必須元素とはならない。 A composition in which the amount of Te added is less than 10 atomic% has properties as an SbGe eutectic system, not an SbTe eutectic system. Even if this SbGe eutectic alloy has a high Ge content of about 10 atomic%, the crystal state of the polycrystalline state after the initial crystallization is relatively fine, so the crystalline state tends to be a single phase, Noise is low. In an SbGe eutectic alloy, Te is only added and does not become an essential element.
SbGe共晶系合金では、Sb/Ge比を相対的に高くすることで、結晶化速度を速めることができ、再結晶化による非晶質マークの再結晶化が可能である。
記録層にSbを主成分とする組成を用い、結晶状態を未記録・消去状態とし、非晶質マークを形成して記録を行なう場合、冷却効率を良くすることが非常に重要となる。これは以下の理由による。
In the SbGe eutectic alloy, by increasing the Sb / Ge ratio relatively, the crystallization speed can be increased, and the amorphous mark can be recrystallized by recrystallization.
In the case where the recording layer is made of a composition containing Sb as a main component, the crystal state is set to an unrecorded / erased state, and an amorphous mark is formed to perform recording, it is very important to improve the cooling efficiency. This is due to the following reason.
すなわち、上記SbTe共晶系又はSbGe共晶系等のSbを主成分とする記録層は、高速記録に対応するために、Sb70Te30共晶点あるいはSb90Ge10共晶点近傍よりもさらにSbを過剰に添加して、結晶核生成速度ではなく結晶成長速度を高めることにより結晶化速度を高めている。このため、これら記録層においては、記録層の冷却速度を速くして、再結晶化による非晶質マークの変化(非晶質マークが所望のサイズよりも小さくなること)を抑制することが好ましい。従って、記録層を溶融した後に非晶質マークを確実に形成するために記録層を急冷することが重要となり、記録層の冷却効率を良くすることが非常に重要となるのである。そのため、上記記録層組成においては、反射層に放熱性の高いAg又はAg合金を用いることが特に好ましい。そして、このような記録時の冷却効率を上げる必要がある記録層を有する記録媒体に対して、本発明の初期化方法を用いる意義が大きい。 That is, the SbTe eutectic-based or SbGe eutectic-based recording layer containing Sb as a main component is more suitable than high-speed recording than the vicinity of the Sb 70 Te 30 eutectic point or the Sb 90 Ge 10 eutectic point. Furthermore, Sb is added excessively to increase the crystal growth rate, not the crystal nucleation rate, thereby increasing the crystallization rate. For this reason, in these recording layers, it is preferable to increase the cooling rate of the recording layer to suppress changes in the amorphous mark due to recrystallization (the amorphous mark becomes smaller than a desired size). . Therefore, it is important to rapidly cool the recording layer in order to reliably form the amorphous mark after melting the recording layer, and it is very important to improve the cooling efficiency of the recording layer. Therefore, in the recording layer composition, it is particularly preferable to use Ag or an Ag alloy having high heat dissipation for the reflective layer. The use of the initialization method of the present invention is significant for a recording medium having a recording layer that needs to increase the cooling efficiency during recording.
上記、SbTe共晶系又はSbGe共晶系等のSbを主成分とする組成を用いる記録層において、さらに、In、Ga、及びSnの少なくとも1つを含有し、前記記録層中におけるIn、Ga、及びSnのそれぞれの含有量が1原子%以上30原子%以下であることが特に好ましい。
以下、Sbを主成分とする組成の具体例についてさらに説明する。
In the recording layer using a composition containing Sb as a main component, such as SbTe eutectic or SbGe eutectic, the recording layer further contains at least one of In, Ga, and Sn. It is particularly preferable that the respective contents of Sn and Sn are 1 atomic% or more and 30 atomic% or less.
Hereinafter, specific examples of the composition containing Sb as a main component will be further described.
Sbを主成分とする組成としては、まず、(SbxTe1-x)1-yMy(ただし、0.6≦x≦0.9、0≦y≦0.3、MはGe、Ag、In、Ga、Zn、Sn、Si、Cu、Au、Pd、Pt、Pb、Cr、Co、O、S、Se、V、Nb、及びTaより選ばれる少なくとも1種)合金を主成分とするSbTe共晶系の組成を好ましく挙げることができる。なお、上記組成式は、原子数比で組成を表している。従って、例えばx=0.6は、60原子%を意味する。 As a composition containing Sb as a main component, first, (Sb x Te 1-x ) 1- y My (where 0.6 ≦ x ≦ 0.9, 0 ≦ y ≦ 0.3, M is Ge, Ag, In, Ga, Zn, Sn, Si, Cu, Au, Pd, Pt, Pb, Cr, Co, O, S, Se, V, Nb, and Ta)) an alloy as a main component Preferred examples include SbTe eutectic compositions. In addition, the said composition formula represents a composition by atomic ratio. Therefore, for example, x = 0.6 means 60 atomic%.
上記(SbxTe1-x)1-yMy組成においては、Mとしては、Ge、Ga、Ag又はInを単独又は併用して用いることが、オーバーライト特性等の記録特性の観点から特に好ましい。
上記(SbxTe1-x)1-yMy組成においては、xは、通常0.6以上、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.75以上であり、一方、通常0.9以下とする。また、yは、通常0以上、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.03以上であり、一方、通常0.3以下、好ましくは0.2以下、より好ましくは0.1以下である。x、yを上記範囲とすれば、高速記録に対応可能な記録層を得ることができるようになる。
In the above (Sb x Te 1-x) 1-y M y composition, as the M, Ge, Ga, be used Ag or In alone or in combination, particularly in view of recording characteristics such as overwriting characteristics preferable.
In the above (Sb x Te 1-x) 1-y M y composition, x is usually 0.6 or more, preferably 0.7 or more, more preferably 0.75 or more, whereas, typically 0.9 The following. In addition, y is usually 0 or more, preferably 0.01 or more, more preferably 0.03 or more, and usually 0.3 or less, preferably 0.2 or less, more preferably 0.1 or less. . When x and y are within the above ranges, a recording layer that can support high-speed recording can be obtained.
上記(SbxTe1-x)1-yMy組成においてMとしてGeを用いる組成について更に説明する。この組成としては、Sb70Te30共晶点組成を基本として大幅に過剰のSbを含むSb70Te30合金を母体とし、さらにGeを含む、Gey(SbxTe1-x)1-y(ただし、0.01≦y≦0.06、0.7≦x≦0.9)であらわされる組成を用いることが好ましい。Ge量は、Gey(SbxTe1-x)1-yにおけるyの値として0.01以上、特に、0.02以上であることが好ましい。一方、このようにSb含有量が多いSbTe共晶組成では、Ge量が多すぎると、GeTeやGeSbTe系の金属間化合物が析出するとともに、SbGe合金も析出しうるために、記録層中に光学定数の異なる結晶粒が混在すると推定される。そして、この結晶粒の混在により、記録層のノイズが上昇しジッタが増加することがある。また、Geをあまりに多く添加しても非晶質マークの経時安定性の効果が飽和する。このため、通常Geの含有量は、Gey(SbxTe1-x)1-yにおけるyの値として、0.06以下、好ましくは0.05以下、より好ましくは0.04以下である。 Further described composition using the Ge as M in the above (Sb x Te 1-x) 1-y M y composition. As this composition, Ge y (Sb x Te 1-x ) 1-y based on an Sb 70 Te 30 alloy containing a large excess of Sb based on the Sb 70 Te 30 eutectic point composition and further containing Ge. (However, it is preferable to use a composition represented by 0.01 ≦ y ≦ 0.06, 0.7 ≦ x ≦ 0.9). The Ge amount is preferably 0.01 or more, particularly preferably 0.02 or more, as the value of y in Ge y (Sb x Te 1-x ) 1-y . On the other hand, in the SbTe eutectic composition having a large Sb content, when the Ge amount is too large, GeTe and GeSbTe-based intermetallic compounds are precipitated, and an SbGe alloy can be precipitated. It is estimated that crystal grains with different constants coexist. The mixing of crystal grains may increase the noise of the recording layer and increase the jitter. Even if Ge is added too much, the effect of the stability of amorphous marks over time is saturated. For this reason, the content of Ge is usually 0.06 or less, preferably 0.05 or less, more preferably 0.04 or less as the value of y in Ge y (Sb x Te 1-x ) 1 -y . .
上記GeSbTe共晶系の組成においては、さらにIn、Ga、Snを含有させることが特に好ましい。すなわち、M1zGey(SbxTe1-x)1-y-z(0.01≦z≦0.4、0.01≦y≦0.06、0.7≦x≦0.9であり、M1は、In、Ga及びSnからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。)で表される組成を用いることが特に好ましい。上記M1をIn、Ga及びSnで示される一群の元素のうちの少なくとも1種とすることにより、さらに特性が改善される。In、Ga、Snの元素は、結晶状態と非晶質状態の光学的コントラストを大きくでき、ジッタを低減する効果もある。M1の含有量を示すzは、通常0.01以上、好ましくは0.02以上、より好ましくは0.05以上、一方、通常0.15以下、好ましくは0.1以下とする。この範囲とすれば、上記特性改善の効果が良好に発揮されるようになる。 In the GeSbTe eutectic composition, it is particularly preferable to further contain In, Ga, and Sn. That is, M1 z Ge y (Sb x Te 1-x ) 1-yz (0.01 ≦ z ≦ 0.4, 0.01 ≦ y ≦ 0.06, 0.7 ≦ x ≦ 0.9, It is particularly preferable to use a composition represented by the following formula: M1 represents at least one element selected from the group consisting of In, Ga, and Sn. When M1 is at least one of a group of elements represented by In, Ga, and Sn, the characteristics are further improved. In, Ga, and Sn elements can increase the optical contrast between the crystalline state and the amorphous state, and also have the effect of reducing jitter. Z indicating the content of M1 is usually 0.01 or more, preferably 0.02 or more, more preferably 0.05 or more, and usually 0.15 or less, preferably 0.1 or less. If it is in this range, the effect of improving the characteristics will be exhibited well.
上記、In,Snを含むGeSbTe合金において、好ましい別の組成範囲として、Gex(InwSn1-w)yTezSb1-x-y-zを挙げることができる。ここで、Sbの含有量は、Geの含有量、Inの含有量、Snの含有量、及びTeの含有量のいずれよりも多く、原子数比を表すx、y、z、及びwは下記(i)から(vi)を満たすようにする。
(i)0≦x≦0.3
(ii)0.07≦y−z
(iii)w×y−z≦0.1
(iv)0<z
(v)(1−w)×y≦0.35
(vi)0.35≦1−x−y−z
上記記録層組成では、20m/s以上の線速度で良好にオーバーライトを行うことが可能になる。以下、上記記録層組成における、各元素含有量と特性との関係を詳細に説明する。
(Sb、式(vi))
Sbの含有量は、Geの含有量、Inの含有量、Snの含有量、及びTeの含有量のいずれよりも多い。すなわち、本発明の記録材料はSbを主体とする。具体的には、Sb含有量は35原子%以上であり他の含有元素のどれよりも含有量が多い。本発明の効果を十分に得るためには、Sb含有量は、40原子%以上であることが好ましく、45原子%以上であることがより好ましい。
(Sn、式(ii)、(v))
Sn含有量が結晶状態の反射率や結晶と非晶質の反射率差(信号振幅)に与える影響と、In含有量が結晶状態の反射率や結晶と非晶質の反射率差(信号振幅)に与える影響とはほぼ同等である。このため、上記記録層組成にはSn又はInの一方を含有させる。そして、Sn含有量とIn含有量との合計を、Te量より一定量の範囲内で多くすることにより結晶の反射率や信号振幅を大きくできる。一方、Te含有量が多くなると結晶の反射率や信号振幅が低下する。したがって、所望する結晶状態の反射率及び信号振幅を得るためには、Sn及び/又はInの含有量とTeの含有量との関係を制御することが重要となる。
Above, In, in a GeSbTe alloy containing Sn, as another preferred composition range may include Ge x (In w Sn 1- w) y Te z Sb 1-xyz. Here, the Sb content is higher than any of the Ge content, the In content, the Sn content, and the Te content. Satisfy (i) to (vi).
(I) 0 ≦ x ≦ 0.3
(Ii) 0.07 ≦ yz
(Iii) w × y−z ≦ 0.1
(Iv) 0 <z
(V) (1-w) × y ≦ 0.35
(Vi) 0.35 ≦ 1-xyz
With the above recording layer composition, it is possible to satisfactorily overwrite at a linear velocity of 20 m / s or more. Hereinafter, the relationship between the content of each element and the characteristics in the recording layer composition will be described in detail.
(Sb, formula (vi))
The Sb content is higher than any of the Ge content, the In content, the Sn content, and the Te content. That is, the recording material of the present invention is mainly composed of Sb. Specifically, the Sb content is 35 atomic% or more, which is higher than any of the other contained elements. In order to sufficiently obtain the effects of the present invention, the Sb content is preferably 40 atomic% or more, and more preferably 45 atomic% or more.
(Sn, formula (ii), (v))
The influence of Sn content on the reflectivity in the crystalline state and the difference in reflectance between the crystal and the amorphous phase (signal amplitude), and the In content on the reflectance in the crystalline state and the difference in reflectance between the crystalline and amorphous phase (signal amplitude) ) Has almost the same effect. For this reason, the recording layer composition contains either Sn or In. And the reflectance of a crystal | crystallization and a signal amplitude can be enlarged by making the sum total of Sn content and In content within the range of fixed amount from Te amount. On the other hand, when the Te content increases, the reflectance and signal amplitude of the crystal decrease. Therefore, in order to obtain a desired crystal state reflectance and signal amplitude, it is important to control the relationship between the Sn and / or In content and the Te content.
このため、上記一般式における(y−z)の値は0.07以上とし、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.13以上、特に好ましくは0.15以上とする。yの値が大きくなると最適パワーが小さくなり好ましい。
また、Snが多すぎる場合にはジッタ特性が悪化する傾向にあるため、上記一般式における(1−w)×yの値は、0.35以下とし、好ましくは0.3以下とする。したがって、Teを多く含有させる場合、信号振幅を制御する観点からIn含有量とSn含有量との合計を多くする必要がある。一方、ジッタ特性を考慮するとSnはあまり多くすることができないため、Teの含有量を多くするときは、Snに加えInも含むようにすることが好ましくなる。具体的には、Snを35原子%を超えて含有させないとTeによる結晶の反射率や信号振幅の低下を抑えきれないほどTe含有量を多くするような場合は、Inを含有させればよい。
(In、式(iii))
Inを用いることにより、結晶状態の反射率や結晶と非晶質との反射率差(信号振幅)を大きくすることができる。このため、記録層に含有させる元素としてInを用いることが好ましい。
For this reason, the value of (yz) in the above general formula is 0.07 or more, preferably 0.1 or more, more preferably 0.13 or more, and particularly preferably 0.15 or more. A larger value of y is preferable because the optimum power decreases.
Further, since jitter characteristics tend to deteriorate when Sn is too much, the value of (1-w) × y in the above general formula is 0.35 or less, preferably 0.3 or less. Therefore, when a large amount of Te is contained, it is necessary to increase the sum of the In content and the Sn content from the viewpoint of controlling the signal amplitude. On the other hand, considering the jitter characteristics, Sn cannot be increased so much, and when increasing the Te content, it is preferable to include In in addition to Sn. Specifically, in the case where the Te content is increased so that the decrease in reflectance and signal amplitude due to Te cannot be suppressed unless Sn is contained in excess of 35 atomic%, In may be included. .
(In, formula (iii))
By using In, the reflectance in the crystalline state and the difference in reflectance (signal amplitude) between the crystal and the amorphous can be increased. For this reason, it is preferable to use In as an element to be contained in the recording layer.
Inを用いることにより、結晶状態の反射率や結晶と非晶質の反射率差(信号振幅)を大きくすることができる上、Snに比べてジッタ特性への影響を少なくできるという利点がある。Sn,Teよりは、結晶粒界ノイズを低下させる機能があるものと推定される。一方で、Inは準安定結晶状態に由来すると思われる、長期保存による反射率の低下を引き起こす。これに対し、Teは長期保存による反射率低下を抑える傾向にある。したがって、長期保存における光学的情報記録用媒体の反射率の低下を抑制する観点から、In含有量とTe含有量とを所定の関係とすることが重要となる。すなわち、上記一般式において、(In含有量−Te含有量)の値を所定の範囲内とすることで、長期保存による反射率の低下を抑制できるようになる。具体的には、上記一般式におけるw×y−zの値が小さいと長期保存による反射率の低下率が小さくなるので、w×y−zの値は0.1以下が好ましく、0.05以下がより好ましく、0以下とすることがさらに好ましい。ここで、w×y−z=0はIn含有量とTe含有量とが同一となることを意味する。したがって、In含有量がTe含有量と同一か、又はIn含有量がTe含有量よりも少ないことが本発明では更に好ましいのである。 By using In, it is possible to increase the reflectance in the crystalline state and the difference in reflectance between the crystal and the amorphous state (signal amplitude) and to reduce the influence on the jitter characteristics compared to Sn. From Sn and Te, it is presumed that there is a function to reduce crystal grain boundary noise. On the other hand, In causes a decrease in reflectance due to long-term storage, which seems to be derived from a metastable crystalline state. In contrast, Te tends to suppress a decrease in reflectance due to long-term storage. Therefore, it is important that the In content and the Te content have a predetermined relationship from the viewpoint of suppressing a decrease in reflectance of the optical information recording medium during long-term storage. That is, in the above general formula, by setting the value of (In content−Te content) within a predetermined range, it is possible to suppress a decrease in reflectance due to long-term storage. Specifically, if the value of w × yz in the above general formula is small, the rate of decrease in reflectance due to long-term storage is small, so the value of w × yz is preferably 0.1 or less, 0.05 The following is more preferable, and it is more preferable to set it to 0 or less. Here, w × yz = 0 means that the In content and the Te content are the same. Therefore, it is more preferable in the present invention that the In content is the same as the Te content or the In content is smaller than the Te content.
このように長期保存による反射率低下をなるべく小さくしようとすると、InをTeに対して過度に多く含有させることができないので、前述の関係式0.07≦y−zを満たすためには、上記記録層組成において、Inに加えSnも含むようにすることが好ましい。具体的には、w×y−z<0.07となった場合には、Inに加えSnも含有させないと0.07≦y−zを満たすことができなくなる。また、Snを含有させずにInとTeの含有量を多くすると高速記録に適した結晶化速度を得にくくなるという点でもInとSnの両方を含有することが好ましくなる。すなわち、0<w<1とするのが好ましい。 Thus, if it is attempted to reduce the reflectivity decrease due to long-term storage as much as possible, In cannot be contained excessively with respect to Te. Therefore, in order to satisfy the above-described relational expression 0.07 ≦ yz, The recording layer composition preferably contains Sn in addition to In. Specifically, when w × yz <0.07, 0.07 ≦ y−z cannot be satisfied unless Sn is contained in addition to In. In addition, it is preferable to contain both In and Sn from the viewpoint that increasing the contents of In and Te without containing Sn makes it difficult to obtain a crystallization speed suitable for high-speed recording. That is, 0 <w <1 is preferable.
なお、Inが過度に多いと、光学的情報記録用媒体の長期保存における信号品質が劣化する傾向にある。また、Snを含まずInを多くするとIn−Sb系で見られる低反射率の安定結晶層が出現する場合がある。このため、In含有量すなわちw×yの値は、0.35以下とすることが好ましい。
(Te、式(iv))
上記記録層組成においてはTeを含有させる。Teは繰り返し記録耐久性を向上させることができる。このためTe含有量はある程度多くすることが好ましいが、上述のとおり、In及び/又はSnとTeとの関係、及びInとTeとの関係を所定の範囲内に制御する必要がある。具体的には、上記一般式におけるTeの含有量を示すzを、0<zとするが、好ましくは0.01≦z、より好ましくは0.05≦z、さらに好ましくは0.08≦z、特に好ましくは0.1≦z、最も好ましくは0.1<zとする。
When In is excessively large, the signal quality in the long-term storage of the optical information recording medium tends to deteriorate. Further, when In is increased without containing Sn, a stable crystal layer with a low reflectance, which is seen in the In—Sb system, may appear. For this reason, the In content, that is, the value of w × y is preferably set to 0.35 or less.
(Te, formula (iv))
Te is contained in the recording layer composition. Te can improve the durability of repeated recording. For this reason, the Te content is preferably increased to some extent, but as described above, the relationship between In and / or Sn and Te and the relationship between In and Te must be controlled within a predetermined range. Specifically, z indicating the content of Te in the above general formula is 0 <z, preferably 0.01 ≦ z, more preferably 0.05 ≦ z, and still more preferably 0.08 ≦ z. Particularly preferably, 0.1 ≦ z, and most preferably 0.1 <z.
Te含有量を表わすzは通常0.29未満となるが、これは上記一般式に規定された他の関係式により必然的に決まる値である。上述のようにIn、Teはある程度含有量を多くすることが好ましいが、特にTeは結晶化速度を遅くするはたらきがある。このため、高速記録に適した結晶化速度を得るためにはTe含有量を表わすzは、0.25以下とすることが好ましく、0.20以下とすることがより好ましい。
(Ge、式(i))
結晶化速度を調整するため、Geを用いることができる。すなわち、Geは、反射率、信号振幅(結晶と非晶質との反射率差)、媒体の長期保存による反射率低下等の特性には大きくは関係しない。このため、Geは、使用したい記録条件に適した結晶化速度を得るために用いることができる。Geが多くなると結晶化速度は遅くなるため、例えばより高速記録用の光学的情報記録用媒体ではGe含有量を少なくし、結晶化速度を調整することもできる。ただし、結晶化速度は他の元素含有量にも関係し、Snが多くなると結晶化速度は速くなり、In、Teが多くなると結晶化速度は遅くなる。したがって、前述の諸特性を考慮してGe以外の元素の含有量比を決めた後、Geの含有量を調整することにより記録条件に応じた結晶化速度の調整を行うことが好ましい。Ge含有量が多すぎると結晶化速度は遅くなりすぎるので、上記一般式におけるxは0.3以下とし、好ましくは0.25以下とし、より好ましくは0.2以下とする。なお、含有量が結晶化速度に与える影響は、GeとTeが特に大きい。
Although z representing Te content is usually less than 0.29, this is a value inevitably determined by other relational expressions defined in the above general formula. As described above, it is preferable to increase the content of In and Te to some extent, but Te in particular serves to slow the crystallization rate. Therefore, in order to obtain a crystallization speed suitable for high-speed recording, z representing Te content is preferably 0.25 or less, and more preferably 0.20 or less.
(Ge, formula (i))
Ge can be used to adjust the crystallization rate. That is, Ge is not greatly related to characteristics such as reflectivity, signal amplitude (reflectance difference between crystal and amorphous), and reflectivity decrease due to long-term storage of the medium. For this reason, Ge can be used to obtain a crystallization rate suitable for the recording conditions to be used. Since the crystallization speed decreases as the Ge content increases, the crystallization speed can be adjusted by reducing the Ge content in an optical information recording medium for higher speed recording, for example. However, the crystallization speed is related to the content of other elements, and the crystallization speed increases as Sn increases, and the crystallization speed decreases as In and Te increase. Therefore, it is preferable to adjust the crystallization speed according to the recording conditions by adjusting the Ge content after determining the content ratio of elements other than Ge in consideration of the above-mentioned characteristics. If the Ge content is too high, the crystallization rate becomes too slow, so x in the above general formula is 0.3 or less, preferably 0.25 or less, more preferably 0.2 or less. The influence of the content on the crystallization rate is particularly large for Ge and Te.
また、Ge含有量が多いと、記録された非晶質マークを長期保存した場合に、保存前における記録直後よりも非晶質マークを結晶化しにくくなる傾向にある。この現象が顕著になると、記録された光学的情報記録用媒体を長期保存した後にオーバーライトを行う場合に、重ね書きした記録信号の信号品質が不十分となってしまう。つまり、長期保存後の古いマークが十分に消えないため新しい記録マークの信号品質を悪化させるのである。この結晶化がしにくくなる現象は、長期保存後の第一回目の記録においてのみ問題となり、長期保存後に新たに記録される非晶質マークは正常な結晶化速度をもつようになる。いずれにせよ、Ge含有量を少なくすることによりこの現象は軽減される。この意味において、Ge含有量は少ない方が好ましく、上記一般式におけるxの値を0.1以下とすることが特に好ましく、0.07以下とすることが最も好ましい。 Further, when the Ge content is high, when the recorded amorphous mark is stored for a long period of time, the amorphous mark tends to be harder to crystallize than immediately after recording before storage. When this phenomenon becomes significant, the signal quality of the overwritten recording signal becomes insufficient when overwriting is performed after the recorded optical information recording medium is stored for a long period of time. That is, the old mark after long-term storage does not disappear sufficiently, so that the signal quality of the new recording mark is deteriorated. This phenomenon of difficulty in crystallization becomes a problem only in the first recording after long-term storage, and an amorphous mark newly recorded after long-term storage has a normal crystallization speed. In any case, this phenomenon is alleviated by reducing the Ge content. In this sense, the Ge content is preferably small, and the value of x in the above general formula is particularly preferably 0.1 or less, and most preferably 0.07 or less.
上述のように、TeやInは結晶化速度を遅くする効果があるので、結晶化速度を遅くする場合に同一の結晶化速度を得るにはTe、Inの含有量が多い方がGe含有量を少なくできる。この意味においてTe含有量、すなわちzの値は、0.05以上であることが好ましく、0.08以上がより好ましく、0.1以上であることが最も好ましい。さらにこのとき、In含有量、すなわちw×yの値は、0.05以上が好ましく0.08以上がより好ましい。また、前記のようにTe含有量が多い場合はInとSnの両方を含むことが好ましくなる。すなわち、最も好ましい組成ではGe、In、Sb、Sn、Teすべてを含有することとなる。 As described above, Te and In have the effect of slowing down the crystallization speed. Therefore, in order to obtain the same crystallization speed when the crystallization speed is slowed down, the content of Te and In is higher when the content of Te and In is higher. Can be reduced. In this sense, the Te content, that is, the value of z is preferably 0.05 or more, more preferably 0.08 or more, and most preferably 0.1 or more. Further, at this time, the In content, that is, the value of w × y is preferably 0.05 or more, and more preferably 0.08 or more. Moreover, when there is much Te content as mentioned above, it becomes preferable to contain both In and Sn. That is, the most preferable composition contains all of Ge, In, Sb, Sn, and Te.
一方、Ge含有量が少なすぎると、非晶質マークの保存安定性が悪化し長期保存により結晶化する傾向にある。非晶質マークの保存安定性はInを多くすることによっても改善される傾向にあるが、Geの影響の方が強い傾向にある。一方、他の元素の影響により、Ge含有量がゼロであっても非晶質マークの保存安定性が比較的良い場合もある。したがって、上記一般式におけるxの値は0以上とするが、0より大きいことが好ましく、0.01以上がより好ましく、0.02以上がさらに好ましい。 On the other hand, if the Ge content is too small, the storage stability of the amorphous mark is deteriorated and tends to crystallize by long-term storage. The storage stability of the amorphous mark tends to be improved by increasing In, but the influence of Ge tends to be stronger. On the other hand, due to the influence of other elements, the storage stability of amorphous marks may be relatively good even when the Ge content is zero. Therefore, the value of x in the above general formula is 0 or more, but is preferably larger than 0, more preferably 0.01 or more, and further preferably 0.02 or more.
上記GeSbTe共晶系の組成においてIn、Ga、Sn以外に含みうる元素としては、窒素、酸素及び硫黄を挙げることができる。これら元素は、繰返しオーバーライトにおける偏析の防止や光学特性の微調整ができるという効果がある。窒素、酸素及び硫黄の含有量は、Sb、Te及びGeの合計量に対して5原子%以下であることがより好ましい。
また、Cu、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Coを上記GeSbTe共晶系の組成に含有させることもできる。これらの元素は、ごく微量の添加により、結晶成長速度を低下させることなく、結晶化温度を上昇させ、さらなる経時安定性の改善に効果がある。ただし、これら元素の量が多すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライトによる偏析が起こりやすくなるため、添加量は5原子%以下、特に3原子%以下とするのが好ましい。偏析が生じると、記録層が初期に有する非晶質の安定性や再結晶化速度等が変化して、オーバーライト特性が悪化することがある。
In the GeSbTe eutectic composition, elements other than In, Ga, and Sn can include nitrogen, oxygen, and sulfur. These elements are effective in preventing segregation in repeated overwriting and fine adjustment of optical characteristics. The content of nitrogen, oxygen and sulfur is more preferably 5 atomic% or less with respect to the total amount of Sb, Te and Ge.
Further, Cu, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, and Co can be contained in the GeSbTe eutectic composition. These elements, when added in a very small amount, are effective in raising the crystallization temperature without lowering the crystal growth rate and further improving the stability over time. However, if the amount of these elements is too large, segregation of a specific substance over time or segregation due to repeated overwriting tends to occur, so the addition amount is preferably 5 atomic% or less, particularly preferably 3 atomic% or less. When segregation occurs, the amorphous characteristics of the recording layer, the recrystallization speed, and the like may change, and the overwrite characteristics may deteriorate.
一方、Sbを主成分とする組成であるSbGe共晶系組成としては、SbGe共晶系にTeを添加するTeGeSb系を主成分とする組成、SbGe共晶系にIn、Ga又はSnを添加した、InGeSb系、GaGeSb系、又はSnGeSb系3元合金を主成分とする組成を挙げることができる。SbGe共晶系の合金に、Te、In、Ga、又はSnを添加することにより、結晶状態と非晶質状態の光学的特性差を大きくする効果を顕著とすることができるが、特にSnを添加することが好ましい。 On the other hand, as the SbGe eutectic composition, which is a composition containing Sb as a main component, a composition containing TeGeSb as a main component, in which Te is added to the SbGe eutectic system, and In, Ga, or Sn is added to the SbGe eutectic system. , InGeSb-based, GaGeSb-based, or SnGeSb-based ternary alloys. By adding Te, In, Ga, or Sn to an SbGe eutectic alloy, the effect of increasing the optical characteristic difference between the crystalline state and the amorphous state can be made remarkable. It is preferable to add.
このようなSbGe共晶系合金の好ましい組成としては、TeγM2δ(GeεSb1-ε)1-δ-γ(ただし、0.01≦ε≦0.3、0≦δ≦0.3、0≦γ<0.1、2≦δ/γ、0<δ+γ≦0.4であり、M2はIn、Ga、及びSnからなる群から選ばれる一つである。)を挙げることができる。SbGe共晶系合金に、In、Ga、又はSnを添加することにより、結晶状態と非晶質状態との光学的特性差を大きくできる効果を顕著とすることができる。 Preferred compositions of such SbGe eutectic alloy, TeγM2δ (GeεSb 1- ε) 1- δ - γ ( although, 0.01 ≦ ε ≦ 0.3,0 ≦ δ ≦ 0.3,0 ≦ γ <0.1, 2 ≦ δ / γ, 0 <δ + γ ≦ 0.4, and M2 is one selected from the group consisting of In, Ga, and Sn. By adding In, Ga, or Sn to the SbGe eutectic alloy, the effect of increasing the optical characteristic difference between the crystalline state and the amorphous state can be made remarkable.
元素M2としてIn、Gaを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラストも大きくすることができるようになる。このため、In及び/又はGaの含有量を示すδは、通常0以上、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.05以上とする。ただし、In又はGaが過度に多いと、消去状態として使用する結晶相とは別に、非常に低反射率のIn−Sb系、又はGa−Sb系の他の結晶相が形成される場合がある。従って、δは、通常0.3以下、好ましくは、0.2以下とする。尚、InとGaとを比較すると、Inの方がより低ジッタを実現できるため、上記M2はInとすることが好ましい。 By using In and Ga as the element M2, jitter in ultrahigh-speed recording can be improved and the optical contrast can be increased. For this reason, δ indicating the content of In and / or Ga is usually 0 or more, preferably 0.01 or more, more preferably 0.05 or more. However, if In or Ga is excessively large, in addition to the crystal phase used as the erased state, an extremely low reflectance In—Sb-based or other crystal phase of Ga-Sb may be formed. . Therefore, δ is usually 0.3 or less, preferably 0.2 or less. Note that when In and Ga are compared, In can achieve lower jitter, and therefore M2 is preferably In.
一方、元素M2としてSnを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラスト(結晶状態と非晶質状態の反射率差)が大きくとれるようになる。このため、Snの含有量を示すδは、通常0以上、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.05以上とする。ただし、Snが過度に多いと、記録直後の非晶質相が、低反射率の他の非晶質相に変化する場合がある。特に、長時間保存した場合に、この安定化非晶質相が析出して消去性能が低下する傾向がある。従って、δは、通常0.3以下、好ましくは0.2以下とする。 On the other hand, by using Sn as the element M2, jitter in ultrahigh-speed recording is improved, and optical contrast (difference in reflectance between the crystalline state and the amorphous state) can be increased. For this reason, δ indicating the Sn content is usually 0 or more, preferably 0.01 or more, more preferably 0.05 or more. However, if Sn is excessively large, the amorphous phase immediately after recording may change to another amorphous phase with low reflectivity. In particular, when stored for a long time, this stabilized amorphous phase tends to precipitate and the erasing performance tends to deteriorate. Therefore, δ is usually 0.3 or less, preferably 0.2 or less.
元素M2として、In、Ga、及びSnのうち複数の元素を用いることもできるが、特に、In及びSnを含有させることが好ましい。In及びSnを含有させる場合、これら元素の合計含有量は、通常1原子%以上、好ましくは5原子%以上とし、通常40原子%以下、好ましくは30原子%以下、より好ましくは25原子%以下とする。
上記TeM2GeSb系の組成においては、Teを含有することで超高速記録における消去比の経時的変化を改善することができるようになる。このため、Teの含有量を示すγは、通常0以上とするが、好ましくは0.01以上、特に好ましくは0.05以上とする。ただし、Teが過度に多いと、ノイズが高くなる場合があるため、γは、通常0.1より小とする。
A plurality of elements of In, Ga, and Sn can be used as the element M2, but it is particularly preferable to contain In and Sn. When In and Sn are contained, the total content of these elements is usually 1 atomic% or more, preferably 5 atomic% or more, and usually 40 atomic% or less, preferably 30 atomic% or less, more preferably 25 atomic% or less. And
In the TeM2GeSb-based composition, it is possible to improve the change over time in the erase ratio in the ultra-high speed recording by containing Te. For this reason, γ indicating the Te content is usually 0 or more, preferably 0.01 or more, and particularly preferably 0.05 or more. However, if Te is excessively large, noise may increase, so γ is usually smaller than 0.1.
尚、上記TeM2GeSb系の組成において、Teと元素M2とを含有させる場合は、これらの合計含有量を制御することが有効である。従って、Te及び元素M2の含有量を示すδ+γは、通常0より大きくするが、好ましくは0.01以上、より好ましくは0.05以上とすることである。δ+γを上記範囲とすることで、Te及び元素M2を同時に含有させる効果が良好に発揮されるようになる。一方、GeSb系共晶合金を主成分とする効果を良好に発揮されるために、δ+γは、通常0.4以下、好ましくは0.35以下、より好ましくは0.3以下とする。一方、元素M2とTeとの原子数比を表すδ/γは2以上とするのが好ましい。Teを含有させることによって光学的コントラストが低下する傾向にあるため、Teを含有させた場合には、元素M2の含有量を若干多くする(δを若干大きくする)ことが好ましい。 When the TeM2GeSb composition contains Te and the element M2, it is effective to control the total content thereof. Accordingly, δ + γ indicating the content of Te and the element M2 is usually larger than 0, but is preferably 0.01 or more, more preferably 0.05 or more. By making δ + γ within the above range, the effect of simultaneously containing Te and the element M2 can be satisfactorily exhibited. On the other hand, δ + γ is usually 0.4 or less, preferably 0.35 or less, and more preferably 0.3 or less, in order to satisfactorily exhibit the effect of using a GeSb-based eutectic alloy as a main component. On the other hand, δ / γ representing the atomic ratio between the elements M2 and Te is preferably 2 or more. Since the optical contrast tends to be reduced by containing Te, when Te is contained, it is preferable to slightly increase the content of element M2 (slightly increase δ).
上記TeM2GeSb系の組成に添加しうる元素としては、Au、Ag、Pd、Pt、Si、Pb、Bi、Ta、Nb、V、Mo、希土類元素、N、O等があり、光学特性や結晶化速度の微調整等に使われるが、その添加量は、最大で10原子%程度である。
以上において最も好ましい組成の一つは、InpSnqTerGesSbt(0≦p≦0.3、0≦q≦0.3、0<p+q≦0.3、0≦r<0.1、0<s≦0.2、0.5≦t≦0.9、p+q+r+s+t=1)なる合金系を主成分とする組成である。TeとIn及び/又はSnとを併用する場合は、(p+q)/r≧2とするのが好ましい。
Elements that can be added to the TeM2GeSb composition include Au, Ag, Pd, Pt, Si, Pb, Bi, Ta, Nb, V, Mo, rare earth elements, N, O, and the like. It is used for fine adjustment of speed, etc., but the addition amount is about 10 atom% at maximum.
One of the most preferred composition above is based, In p Sn q Te r Ge s Sb t (0 ≦ p ≦ 0.3,0 ≦ q ≦ 0.3,0 <p + q ≦ 0.3,0 ≦ r <0 0.1, 0 <s ≦ 0.2, 0.5 ≦ t ≦ 0.9, p + q + r + s + t = 1). When Te and In and / or Sn are used in combination, it is preferable that (p + q) / r ≧ 2.
記録層の膜厚は、十分な光学的コントラストを得、また結晶化速度を速くし短時間での記録消去を達成するためには5nm以上あるのが好ましい。また反射率を十分に高くするために、より好ましくは10nm以上とする。
一方、クラックを生じにくく、かつ十分な光学的コントラストを得るためには、記録層膜厚は100nm以下とするのが好ましいが、より好ましくは50nm以下とする。これは、熱容量を小さくし記録感度を上げるためである。また、上記範囲とすれば相変化に伴う体積変化を小さくできる。このため、上下の保護層に対する、繰り返しオーバーライトによる繰り返し体積変化の影響を小さくすることもできる。ひいては、不可逆な微視的変形の蓄積が抑えられノイズが低減され、繰り返しオーバーライト耐久性が向上する。
The thickness of the recording layer is preferably 5 nm or more in order to obtain a sufficient optical contrast, increase the crystallization speed, and achieve recording erasure in a short time. Further, in order to sufficiently increase the reflectance, the thickness is more preferably 10 nm or more.
On the other hand, the thickness of the recording layer is preferably 100 nm or less, more preferably 50 nm or less, in order to prevent cracking and to obtain a sufficient optical contrast. This is to reduce the heat capacity and increase the recording sensitivity. Moreover, if it is set as the said range, the volume change accompanying a phase change can be made small. For this reason, it is possible to reduce the influence of repeated volume changes due to repeated overwriting on the upper and lower protective layers. As a result, accumulation of irreversible microscopic deformation is suppressed, noise is reduced, and repeated overwrite durability is improved.
書き換え可能型DVDのような高密度記録用媒体では、ノイズに対する要求が一層厳しいため、より好ましくは記録層膜厚を30nm以下とする。
上記記録層は、通常、所定の合金ターゲットを不活性ガス、特にArガス中でDCまたはRFスパッタリングして得ることができる。
また、記録層の密度は、バルク密度の通常80%以上、好ましくは90%以上とする。ここでいうバルク密度ρとは、通常下記(1)式による近似値を用いるが、記録層を構成する合金組成の塊を作成して実測することもできる。
In a high-density recording medium such as a rewritable DVD, since the requirements for noise are more severe, the recording layer thickness is more preferably 30 nm or less.
The recording layer can usually be obtained by DC or RF sputtering of a predetermined alloy target in an inert gas, particularly Ar gas.
The density of the recording layer is usually 80% or more, preferably 90% or more of the bulk density. As the bulk density ρ herein, an approximate value according to the following equation (1) is usually used, but it can also be measured by creating a lump of alloy composition constituting the recording layer.
ρ=Σmiρi・・・(1)
(ここで、miは各元素iのモル濃度であり、miρiは元素iの原子量である。)
スパッタ成膜法においては、成膜時のスパッタガス(通常、Ar等の希ガス。以下、Arの場合を例に説明する。)の圧力を低くしたり、ターゲット正面に近接して基板を配置するなどして、記録層に照射される高エネルギーAr量を多くすることによって、記録層の密度を上げることができる。高エネルギーArは、通常スパッタのためにターゲットに照射されるArイオンが一部跳ね返されて基板側に到達するものか、プラズマ中のArイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものかのいずれかである。
ρ = Σm i ρ i (1)
(Here, m i is the molar concentration of each element i, and m i ρ i is the atomic weight of element i.)
In the sputtering film forming method, the pressure of the sputtering gas during film formation (usually a rare gas such as Ar, which will be described below using Ar as an example) is reduced, or the substrate is placed close to the front of the target. For example, the density of the recording layer can be increased by increasing the amount of high energy Ar irradiated to the recording layer. The high energy Ar is usually one in which Ar ions irradiated to the target for sputtering are partially rebounded and reach the substrate side, or Ar ions in the plasma are accelerated by the sheath voltage across the substrate and reach the substrate. Either.
このような高エネルギーの希ガスの照射効果をAtomic peening効果というが、一般的に使用されるArガスでのスパッタではAtomic peening効果により、Arがスパッタ膜に混入される。膜中のAr量により、Atomic peening効果を見積もることができる。すなわち、Ar量が少なければ、高エネルギーAr照射効果が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成されやすい。 The irradiation effect of such a high energy rare gas is referred to as an atomic peening effect. In the sputtering using Ar gas that is generally used, Ar is mixed into the sputtered film due to the atomic peening effect. The atomic peening effect can be estimated by the amount of Ar in the film. That is, if the amount of Ar is small, it means that the effect of high energy Ar irradiation is small, and a film with a low density is likely to be formed.
一方、Ar量が多ければ、高エネルギーArの照射が激しくなり、膜の密度は高くなるものの、膜中に取り込まれたArが繰り返しオーバーライト時にvoidとなって析出し、繰り返しの耐久性を劣化させやすい。従って、適度な圧力、通常は10-2〜10-1Paのオーダーの範囲で放電を行なう。
(3)その他の層
(保護層)
記録層の相変化に伴う蒸発・変形を防止し、その際の熱拡散を制御するため、通常記録層の上下一方または両方、好ましくは両方に保護層が形成される。保護層の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やCa、Mg、Li等のフッ化物等の誘電体を用いることができる。
On the other hand, if the amount of Ar is large, the irradiation of high energy Ar becomes intense and the density of the film increases, but Ar taken in the film precipitates as void during repeated overwriting and deteriorates the durability of repeated. Easy to make. Therefore, the discharge is performed at an appropriate pressure, usually in the order of 10 −2 to 10 −1 Pa.
(3) Other layers (protective layer)
In order to prevent evaporation / deformation accompanying the phase change of the recording layer and to control thermal diffusion at that time, a protective layer is usually formed on one or both of the recording layer, preferably both. The material of the protective layer is determined in consideration of the refractive index, thermal conductivity, chemical stability, mechanical strength, adhesion, and the like. In general, a metal having high transparency and a high melting point, or a dielectric such as oxide, sulfide, nitride, carbide, fluoride of Ca, Mg, Li or the like can be used.
この場合、これらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。繰り返し記録特性を考慮すると誘電体の混合物が好ましい。より具体的には、ZnSや希土類硫化物等のカルコゲン化合物と酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物等の耐熱化合物の混合物が挙げられる。例えば、ZnSを主成分とする耐熱化合物の混合物や、希土類の硫酸化物、特にY2O2Sを主成分とする耐熱化合物の混合物は好ましい保護層組成の一例である。 In this case, these oxides, sulfides, nitrides, carbides, and fluorides do not necessarily have to have a stoichiometric composition, and the composition may be controlled or mixed for controlling the refractive index and the like. Is also effective. In consideration of repetitive recording characteristics, a mixture of dielectrics is preferable. More specifically, a mixture of a chalcogen compound such as ZnS or rare earth sulfide and a heat-resistant compound such as oxide, nitride, carbide, or fluoride can be used. For example, a mixture of a heat-resistant compound mainly composed of ZnS and a mixture of a heat-resistant compound mainly composed of a rare earth sulfate, particularly Y 2 O 2 S, are examples of a preferable protective layer composition.
保護層の材料としては、通常、誘電体材料を挙げることができる。誘電体材料としては、例えば、Sc、Y、Ce、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Zn、Al、Cr、In、Si、Ge、Sn、Sb、及びTe等の酸化物、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb、及びPb等の窒化物、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、B、Al、Ga、In、及びSi等の炭化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。また、誘電体材料としては、Zn、Y、Cd、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb、Sb、及びBi等の硫化物、セレン化物もしくはテルル化物、Mg、Ca、Li等のフッ化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。 As a material for the protective layer, a dielectric material can be generally used. Examples of the dielectric material include oxides such as Sc, Y, Ce, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Zn, Al, Cr, In, Si, Ge, Sn, Sb, and Te. , Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Zn, B, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, Sb and nitrides such as Pb, Ti, Zr, Hf, Examples thereof include carbides such as V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Zn, B, Al, Ga, In, and Si, or a mixture thereof. Further, as dielectric materials, sulfides such as Zn, Y, Cd, Ga, In, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, and Bi, selenides or tellurides, fluorides such as Mg, Ca, and Li Or mixtures thereof.
さらに誘電体材料の具体例としては、ZnS−SiO2、SiN、SiO2、TiO2、CrN、TaS2、Y2O2S等を挙げることができる。これら材料の中でも、ZnS−SiO2は、成膜速度の速さ、膜応力の小ささ、温度変化による体積変化率の小ささ、及び優れた耐候性から広く利用される。ZnS−SiO2を用いる場合、ZnSとSiO2との組成比ZnS:SiO2は、通常0:1〜1:0、好ましくは0.5:0.5〜0.95:0.05、より好ましくは0.7:0.3〜0.9:0.1とする。最も好ましいのはZnS:SiO2を0.8:0.2とすることである。 Furthermore, specific examples of the dielectric material include ZnS—SiO 2 , SiN, SiO 2 , TiO 2 , CrN, TaS 2 , Y 2 O 2 S and the like. Among these materials, ZnS—SiO 2 is widely used because of its high film formation rate, low film stress, low volume change rate due to temperature change, and excellent weather resistance. When using a ZnS-SiO 2, ZnS and the composition ratio of SiO 2 ZnS: SiO 2 is generally 0: 1 to 1: 0, preferably from 0.5: 0.5 to 0.95: 0.05, more Preferably, the ratio is 0.7: 0.3 to 0.9: 0.1. Most preferably, ZnS: SiO 2 is set to 0.8: 0.2.
より具体的には、La,Ce,Nd,Y等の希土類の硫化物、硫酸化物を50mol%以上90mol%以下含む複合誘電体や、ZnS,TaS2を70mol%以上90mol%以下含有する複合誘電体が望ましい。
繰り返し記録特性を考慮すると、保護層の膜密度はバルク状態の80%以上であることが機械的強度の面から望ましい。誘電体の混合物を用いる場合には、バルク密度として上述の一般式(1)の理論密度を用いる。
More specifically, a composite dielectric containing 50 to 90 mol% of rare earth sulfides and sulfates such as La, Ce, Nd, and Y, and a composite dielectric containing 70 to 90 mol% of ZnS and TaS 2. The body is desirable.
Considering repeated recording characteristics, it is desirable from the viewpoint of mechanical strength that the film density of the protective layer is 80% or more of the bulk state. When a dielectric mixture is used, the theoretical density of the above general formula (1) is used as the bulk density.
保護層の厚さは、一般的に通常1nm以上500nm以下である。1nm以上とすることで、基板や記録層の変形防止効果を十分確保することができ、保護層としての役目を十分果たすことができる。また、500nm以下とすれば、保護層としての役目を十分果たしつつ、保護層自体の内部応力や基板との弾性特性の差等が顕著になって、クラックが発生するということを防止することができる。 The thickness of the protective layer is generally 1 nm or more and 500 nm or less. By setting the thickness to 1 nm or more, the effect of preventing deformation of the substrate and the recording layer can be sufficiently secured, and the role as a protective layer can be sufficiently achieved. In addition, if the thickness is 500 nm or less, it can prevent the occurrence of cracks due to the significant internal stress of the protective layer itself and the difference in elastic properties from the substrate, while sufficiently serving as the protective layer. it can.
特に、記録層からみて光の入射側に位置する第一保護層を設ける場合、第一保護層は、熱による基板変形を抑制する必要があるため、その厚さは通常1nm以上、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、さらに好ましくは20nm以上、特に好ましくは40nm以上である。このようにすれば、繰り返し記録中の微視的な基板変形の蓄積が抑制され、再生光が散乱されてノイズ上昇が著しくなるということがなくなる。 In particular, when the first protective layer positioned on the light incident side as viewed from the recording layer is provided, the first protective layer is required to suppress substrate deformation due to heat, and thus the thickness is usually 1 nm or more, preferably 5 nm. Above, more preferably 10 nm or more, further preferably 20 nm or more, particularly preferably 40 nm or more. In this way, accumulation of microscopic substrate deformation during repetitive recording is suppressed, and reproduction noise is not scattered and noise rises significantly.
一方、第一保護層の厚みは、成膜に要する時間の関係から、通常400nm以下、好ましくは300nm以下、より好ましくは200nm以下、さらに好ましくは150nm以下、特に好ましくは100nm以下である。このようにすれば、記録層平面で見た基板の溝形状が変わるということがなくなる。すなわち、溝の深さや幅が、基板表面で意図した形状より小さくなったりする現象が起こりにくくなる。 On the other hand, the thickness of the first protective layer is usually 400 nm or less, preferably 300 nm or less, more preferably 200 nm or less, still more preferably 150 nm or less, and particularly preferably 100 nm or less because of the time required for film formation. In this way, the groove shape of the substrate as viewed in the plane of the recording layer is not changed. That is, the phenomenon that the depth and width of the groove become smaller than the intended shape on the substrate surface is less likely to occur.
一方、記録層からみて光に入射側と反対側に位置する第二保護層を設ける場合、第二保護層は、記録層の変形抑制のために、通常その厚さは1nm以上、好ましくは5nm以上、より好ましくは10nm以上、さらに好ましくは15nm以上である。また、繰り返し記録に伴って発生する上部保護層内部の微視的な塑性変形の蓄積を防止し、再生光の散乱によるノイズ上昇を抑制するため、第二保護層の膜厚は、好ましくは200nm以下、より好ましくは150nm以下、より好ましくは100nm以下、さらに好ましくは60nm以下、特に好ましくは50nm以下、最も好ましくは30nm以下である。 On the other hand, when a second protective layer located on the side opposite to the light incident side as viewed from the recording layer is provided, the thickness of the second protective layer is usually 1 nm or more, preferably 5 nm, in order to suppress deformation of the recording layer. Above, more preferably 10 nm or more, still more preferably 15 nm or more. Further, in order to prevent microscopic plastic deformation accumulation inside the upper protective layer, which occurs with repeated recording, and to suppress noise increase due to scattering of reproduction light, the thickness of the second protective layer is preferably 200 nm. In the following, it is more preferably 150 nm or less, more preferably 100 nm or less, further preferably 60 nm or less, particularly preferably 50 nm or less, and most preferably 30 nm or less.
なお、記録層及び保護層の厚みは、機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、多層構成に伴う干渉効果も考慮して、レーザ光の吸収効率がよく、記録信号の振幅が大きくなるように選ばれる(すなわち記録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように選ばれる)。
保護層は通常スパッタ法で形成されるが、ターゲットそのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を2原子%未満とするのが好ましい。このために保護層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は1×10-3Pa未満とすることが望ましい。
(反射層)
光学的情報記録用媒体においては、さらに反射層を設けることができる。反射層の設けられる位置は、通常再生光の入射方向に依存し、入射側に対して記録層の反対側に設けられる。すなわち、基板側から再生光を入射する場合は、基板に対して記録層の反対側に反射層を設けるのが通常であり、記録層側から再生光を入射する場合は記録層と基板との間に反射層を設けるのが通常である。
Note that the thickness of the recording layer and the protective layer is not limited from the viewpoint of mechanical strength and reliability, but also takes into account the interference effect associated with the multilayer structure, so that the absorption efficiency of the laser beam is good and the amplitude of the recording signal is high. It is selected so as to increase (that is, it is selected so that the contrast between the recorded state and the unrecorded state is increased).
The protective layer is usually formed by a sputtering method, but it is preferable that the total impurity amount is less than 2 atomic% including the impurity amount of the target itself and the amount of moisture and oxygen mixed during film formation. Therefore, when the protective layer is formed by sputtering, it is desirable that the ultimate vacuum in the process chamber is less than 1 × 10 −3 Pa.
(Reflective layer)
In the optical information recording medium, a reflective layer can be further provided. The position where the reflective layer is provided usually depends on the incident direction of the reproduction light, and is provided on the opposite side of the recording layer with respect to the incident side. That is, when reproducing light is incident from the substrate side, it is usual to provide a reflective layer on the opposite side of the recording layer with respect to the substrate. When reproducing light is incident from the recording layer side, the recording layer and the substrate It is usual to provide a reflective layer between them.
反射層に使用する材料は、反射率の大きい物質が好ましく、特に放熱効果も期待できるAu、AgまたはAl等の金属が好ましい。その放熱性は膜厚と熱伝導率で決まるが、熱伝導率は、これら金属ではほぼ体積抵抗率に比例するため、放熱性能を面積抵抗率で表すことができる。面積抵抗率は、通常0.05Ω/□以上、好ましくは0.1Ω/□以上、一方、通常0.6Ω/□以下、好ましくは0.5Ω/□以下とする。 The material used for the reflective layer is preferably a substance having a high reflectance, and in particular, a metal such as Au, Ag, or Al, which can be expected to have a heat dissipation effect. Although the heat dissipation is determined by the film thickness and the thermal conductivity, the thermal conductivity of these metals is almost proportional to the volume resistivity, so that the heat dissipation performance can be expressed by the area resistivity. The sheet resistivity is usually 0.05Ω / □ or more, preferably 0.1Ω / □ or more, and usually 0.6Ω / □ or less, preferably 0.5Ω / □ or less.
これは、特に放熱性が高いことを保証するものであり、上記記録層に用いる組成のように、非晶質マーク形成において非晶質化と再結晶化の競合が顕著である場合に、再結晶化をある程度抑制するために必要なことである。反射層自体の熱伝導度制御や耐腐蝕性の改善のために、上記の金属にTa、Ti、Cr、Mo、Mg、V、Nb、Zr、Si等を少量加えてもよい。添加量は通常0.01原子%以上20原子%以下である。 This guarantees that the heat dissipation is particularly high, and when the competition between amorphization and recrystallization is significant in the formation of an amorphous mark, as in the composition used for the recording layer, re-generation is possible. This is necessary for suppressing crystallization to some extent. A small amount of Ta, Ti, Cr, Mo, Mg, V, Nb, Zr, Si, or the like may be added to the above metal in order to control the thermal conductivity of the reflective layer itself or improve the corrosion resistance. The addition amount is usually 0.01 atomic percent or more and 20 atomic percent or less.
本発明に適した反射層の材料をより具体的に述べると、AlにTa,Ti,Co,Cr,Si,Sc,Hf,Pd,Pt,Mg,Zr,Mo及びMnからなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含むAl合金を挙げることができる。これらの合金は、耐ヒロック性が改善されるため、耐久性,体積抵抗率,成膜速度等を考慮して用いることができる。上記元素の含有量は、通常0.1原子%以上、好ましくは0.2原子%以上、一方、通常2原子%以下、好ましくは1原子%以下である。Al合金に関しては、添加不純物量が少なすぎると、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また、添加不純物量が多すぎると十分な放熱効果が得られにくい。 More specifically, the reflective layer material suitable for the present invention is selected from the group consisting of Ta, Ti, Co, Cr, Si, Sc, Hf, Pd, Pt, Mg, Zr, Mo and Mn. In addition, an Al alloy containing at least one element can be given. Since these alloys have improved hillock resistance, they can be used in consideration of durability, volume resistivity, film formation rate, and the like. The content of the above elements is usually 0.1 atomic% or more, preferably 0.2 atomic% or more, and usually 2 atomic% or less, preferably 1 atomic% or less. Regarding the Al alloy, if the amount of added impurities is too small, the hillock resistance is often insufficient, although it depends on the film forming conditions. Further, if the amount of added impurities is too large, it is difficult to obtain a sufficient heat dissipation effect.
アルミニウム合金の具体例としては、Ta及びTiの少なくとも一方を15原子%以下含有するアルミニウム合金は、耐腐蝕性に優れている。このため、このAl合金は、光学的情報記録用媒体の信頼性を向上させる上で特に好ましい反射層材料である。
反射層材料の好ましい例としては、純AgまたはAgにTi,V,Ta,Nb,W,Co,Cr,Si,Ge,Sn,Sc,Hf,Pd,Rh,Au,Pt,Mg,Zr,Mo、Cu、Zn、Mn、及び希土類元素からなる群から選ばれた少なくとも1種の元素を含むAg合金を挙げることができる。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはTi,Mg又はPdが好ましい。上記元素の含有量は、通常0.01原子%以上、好ましくは0.2原子%以上、一方、通常10原子%以下、好ましくは5原子%以下である。
As a specific example of the aluminum alloy, an aluminum alloy containing at least one of Ta and Ti at 15 atomic% or less is excellent in corrosion resistance. For this reason, this Al alloy is a particularly preferable reflective layer material for improving the reliability of the optical information recording medium.
Preferred examples of the reflective layer material include pure Ag or Ag, Ti, V, Ta, Nb, W, Co, Cr, Si, Ge, Sn, Sc, Hf, Pd, Rh, Au, Pt, Mg, Zr, An Ag alloy containing at least one element selected from the group consisting of Mo, Cu, Zn, Mn, and rare earth elements can be given. When importance is attached to stability over time, the additive component is preferably Ti, Mg, or Pd. The content of the above elements is usually 0.01 atomic% or more, preferably 0.2 atomic% or more, and usually 10 atomic% or less, preferably 5 atomic% or less.
特に、AgにMg、Ti、Au、Cu、Pd、Pt、Zn、Cr、Si、Ge、希土類元素のいずれか一種を0.01原子%以上10原子%以下含むAg合金は、反射率、熱伝導率が高く、耐熱性も優れていて好ましい。
なお、上部保護層の膜厚を40nm以上50nm以下とする場合には特に、反射層を高熱伝導率にするため、含まれる添加元素を2原子%以下とするのが好ましい。
In particular, an Ag alloy containing any one of Mg, Ti, Au, Cu, Pd, Pt, Zn, Cr, Si, Ge, and rare earth elements in an amount of 0.01 atomic% to 10 atomic% in Ag has a reflectance, heat, It is preferable because of its high conductivity and excellent heat resistance.
In particular, when the film thickness of the upper protective layer is 40 nm or more and 50 nm or less, it is preferable that the contained additive element is 2 atomic% or less in order to make the reflective layer have high thermal conductivity.
反射層の材料として特に好ましいのは、Agを主成分とすることであり、最も好ましいのは純Agとすることである。Agを主成分とすることが好ましい理由は以下のとおりである。すなわち、長期保存した記録マークを再度記録すると、保存直後の第一回目の記録だけ、相変化記録層の再結晶化速度が速くなる現象が発生する場合がある。このような現象が発生する理由は不明であるが、この保存直後における記録層の再結晶化速度の増加により、保存直後の第一回目の記録で形成した非晶質マークの大きさが所望するマークの大きさよりも小さくなるのではないかと推測される。したがって、このような現象が発生する場合には、反射層に放熱性が非常に高いAgを用いて記録層の冷却速度を上げることにより、保存直後における第一回目の記録時の記録層の再結晶化を抑制して非晶質マークの大きさを所望の大きさに保つことができるようになる。 Particularly preferred as the material of the reflective layer is that Ag is the main component, and most preferred is pure Ag. The reason why Ag is the main component is as follows. That is, when the recording mark stored for a long time is recorded again, there may be a phenomenon that the recrystallization speed of the phase change recording layer is increased only for the first recording immediately after the storage. The reason why such a phenomenon occurs is unknown, but due to the increase in the recrystallization speed of the recording layer immediately after the storage, the size of the amorphous mark formed in the first recording immediately after the storage is desired. It is presumed that it will be smaller than the size of the mark. Therefore, when such a phenomenon occurs, the recording layer is re-recorded during the first recording immediately after storage by increasing the cooling rate of the recording layer using Ag having a very high heat dissipation property for the reflective layer. Crystallization is suppressed, and the size of the amorphous mark can be maintained at a desired size.
反射層の膜厚は、透過光がなく完全に入射光を反射させるために、通常10nm以上とするが、20nm以上とすることが好ましく、40nm以上とすることがより好ましく、50nm以上とすることがさらに好ましい。また、あまりに厚すぎても、放熱効果に変化はなくいたずらに生産性を悪くし、また、クラックが発生しやすくなるので、反射層の膜厚は、通常は500nm以下とするが、400nm以下とすることが好ましく、300nm以下とすることがより好ましく、200nm以下とすることがさらに好ましい。 The thickness of the reflective layer is usually 10 nm or more in order to completely reflect incident light without transmitted light, but is preferably 20 nm or more, more preferably 40 nm or more, and more preferably 50 nm or more. Is more preferable. Moreover, even if it is too thick, there is no change in the heat dissipation effect and the productivity is deteriorated unnecessarily, and cracks are likely to occur. Therefore, the thickness of the reflective layer is usually 500 nm or less, but 400 nm or less. It is preferable to set it to 300 nm or less, more preferably 200 nm or less.
なお、反射層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成される。反射層は、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を2原子%未満とするのが好ましい。このために反射層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は1×103Pa未満とすることが望ましい。
また、104Paより悪い到達真空度で成膜するなら、成膜レートを1nm/秒以上、好ましくは10nm/秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。あるいは、意図的な添加元素を1原子%より多く含む場合は、成膜レートを10nm/秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。
The reflective layer is usually formed by sputtering or vacuum deposition. The reflective layer preferably has a total impurity amount of less than 2 atomic%, including the amount of impurities in the target and the evaporation material itself, and the amount of moisture and oxygen mixed during film formation. For this reason, when the reflective layer is formed by sputtering, the ultimate vacuum in the process chamber is preferably less than 1 × 10 3 Pa.
Further, if the film is formed at an ultimate vacuum lower than 10 4 Pa, it is desirable to prevent the incorporation of impurities by setting the film formation rate to 1 nm / second or more, preferably 10 nm / second or more. Alternatively, when the intentional additive element is included in an amount of more than 1 atomic%, it is desirable to prevent the addition of additional impurities as much as possible by setting the film formation rate to 10 nm / second or more.
さらなる高熱伝導と高信頼性を得るために反射層を多層化することも有効である。この場合、少なくとも1層は全反射層膜厚の50%以上の膜厚を有する上記の材料とするのが好ましい。この層は実質的に放熱効果を司り、他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロック性の改善に寄与するように構成される。特に、純AgまたはAgを主成分とする反射層を、硫黄を含むZnS等を含む保護層と接して設ける場合には、Agの硫黄との反応による腐食を防ぐために、通常、硫黄を含まない界面層を設ける。この場合、界面層が、反射層として機能するような金属であることが好ましい。界面層の材料としては、Ta、Nbを挙げることができる。 In order to obtain higher heat conduction and higher reliability, it is also effective to make the reflective layer multilayer. In this case, at least one layer is preferably made of the above material having a thickness of 50% or more of the total reflection layer thickness. This layer substantially controls the heat dissipation effect, and the other layers are configured to contribute to the improvement of corrosion resistance, adhesion to the protective layer, and hillock resistance. In particular, when a reflective layer containing pure Ag or Ag as a main component is provided in contact with a protective layer containing ZnS or the like containing sulfur, it usually does not contain sulfur in order to prevent corrosion due to reaction of Ag with sulfur. An interface layer is provided. In this case, the interface layer is preferably a metal that functions as a reflective layer. Examples of the material for the interface layer include Ta and Nb.
各層の成膜は、記録層用ターゲット、保護層用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置で行なうことが、各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からも優れている。
(保護コート層)
光学的情報記録用媒体の最表面側には、空気との直接接触を防いだり、異物との接触による傷を防ぐため、紫外線硬化樹脂や熱硬化型樹脂からなる保護コート層を設けるのが好ましい。保護コート層は通常1μmから数百μmの厚さである。また、硬度の高い誘電体保護層をさらに設けたり、その上にさらに樹脂層を設けることもできる。
(その他)
なお、ここでは、CD−RWのような1層構造のものを例に説明したが、これに限られるものではなく、他の構造のもの(例えば2層構造のものやそれ以上の多層構造のもの、2層構造で片面入射型のものや両面入射型のものなど)にも本発明を適用することができる。
Each layer is formed with an in-line device in which the target for the recording layer, the target for the protective layer, and, if necessary, the target for the reflective layer material are installed in the same vacuum chamber, to prevent oxidation and contamination between the layers. Is desirable. It is also excellent in terms of productivity.
(Protective coat layer)
On the outermost surface side of the optical information recording medium, it is preferable to provide a protective coating layer made of an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin in order to prevent direct contact with air or damage due to contact with foreign matter. . The protective coat layer is usually 1 μm to several hundred μm thick. Further, a dielectric protective layer having high hardness can be further provided, and a resin layer can be further provided thereon.
(Other)
In this example, a single-layer structure such as a CD-RW has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and other structures (for example, a two-layer structure or a multilayer structure with more layers) The present invention can also be applied to a single-sided incident type or a double-sided incident type having a two-layer structure.
また、一般的には、記録媒体には、実際にデータの記録再生が行われる記録領域があり、該記録領域に、記録再生用光ビームを案内するための凹凸が設けられ、該凹凸がトラックとして機能する。たとえば、CD/DVDでは、内側の半径23mm程度から、外周部の半径58mm程度までが、記録領域である。記録媒体においては、該記録領域全面とその外側に若干はみ出した領域(これを成膜領域という場合がある。)に上記層構成の薄膜を形成する。 In general, a recording medium has a recording area where data is actually recorded / reproduced, and the recording area is provided with irregularities for guiding a recording / reproducing light beam. Function as. For example, in a CD / DVD, the recording area is from the inner radius of about 23 mm to the outer radius of about 58 mm. In the recording medium, a thin film having the above-described layer structure is formed on the entire recording area and an area slightly outside the recording area (this may be referred to as a film forming area).
初期化は、通常、成膜領域の全面もしくは、その端を除く全面に対して行われる。初期化操作が行われる領域を初期結晶化領域(初期化領域)と呼ぶことにすると、通常、成膜領域≧初期結晶化領域≧記録領域、という関係になる。
[2]光学的情報記録用媒体の製造方法における初期結晶化工程
[A]初期結晶化工程の意義
記録層は通常スパッタリング法等の真空中の物理蒸着法で成膜される。成膜直後の状態(as−deposited状態)では、記録層は通常非晶質である。このため、記録層を結晶化させて未記録消去状態とする必要がある。この工程を初期化工程(または初期結晶化工程、初期結晶化操作)と称する。
Initialization is usually performed on the entire surface of the film formation region or on the entire surface excluding the edge thereof. If the area where the initialization operation is performed is referred to as an initial crystallization area (initialization area), there is usually a relationship of film formation area ≧ initial crystallization area ≧ recording area.
[2] Initial crystallization step in manufacturing method of optical information recording medium [A] Significance of initial crystallization step The recording layer is usually formed by physical vapor deposition in vacuum such as sputtering. In the state immediately after film formation (as-deposited state), the recording layer is usually amorphous. For this reason, the recording layer needs to be crystallized to be in an unrecorded erased state. This process is called an initialization process (or initial crystallization process, initial crystallization operation).
初期結晶化操作は、結晶化温度(通常150〜300℃)以上で集束エネルギービーム(特に光エネルギー)を局所的に極短時間照射して、記録層をその層構成が物理的に破壊されないような非常に短い時間昇温することによって達成される(以下この初期化方法を「バルクイレーズ」と称することがある)。
特に、結晶核生成の少ない相変化記録材料を記録層に用いた記録媒体の場合には、上記初期結晶化操作のうち、短時間に記録層の融点以上に昇温する溶融初期化を用いることが特に好ましい。これは、上記結晶核生成の少ない相変化記録材料においては、固相での結晶化に長時間を有して製造効率が悪いことと、長時間の昇温で成膜領域に熱ダメージを与える場合があること、が理由である。
In the initial crystallization operation, a focused energy beam (especially light energy) is locally irradiated for a very short time at a temperature higher than the crystallization temperature (usually 150 to 300 ° C.) so that the recording layer is not physically destroyed. This is achieved by raising the temperature for a very short time (hereinafter, this initialization method may be referred to as “bulk erase”).
In particular, in the case of a recording medium using a phase change recording material with little crystal nucleation for the recording layer, use of melt initialization that raises the temperature above the melting point of the recording layer in a short time in the above initial crystallization operation. Is particularly preferred. This is because the phase change recording material with little crystal nucleation has a long time for crystallization in the solid phase, resulting in poor production efficiency, and thermal damage to the film formation region due to a long temperature increase. The reason is that there are cases.
溶融初期化においては、結晶化の速度が遅すぎると熱平衡を達成するための時間的余裕があるために他の結晶相が形成されることがある。このため、ある程度冷却速度を速めるのが好ましい。また、溶融状態で長時間保持されると、記録層が流動したり、保護層等の薄膜が応力で剥離したり、樹脂基板等が変形するなどして、記録媒体の破壊につながるので好ましくない。 In the melt initialization, if the rate of crystallization is too slow, another crystal phase may be formed because there is a time margin for achieving thermal equilibrium. For this reason, it is preferable to increase the cooling rate to some extent. Also, it is not preferable to hold in a molten state for a long time because the recording layer may flow, the thin film such as the protective layer may be peeled off by stress, or the resin substrate may be deformed, leading to destruction of the recording medium. .
例えば、融点以上に保持する時間は、通常10μs以下、好ましくは1μs以下とすることが好ましい。
集束光のエネルギービーム光源としては、短時間のパルス照射動作と高エネルギー密度が同時に得られる点で、レーザ光が好ましい。レーザ光源としては、半導体レーザ、ガスレーザ等各種のものが使用できる。レーザ光のパワーは通常100mWから10W程度である。なお、同等のパワー密度と集束光形状が得られるならば、他の集光光源を使用してもかまわない。具体的にはXeランプ光等が挙げられる。記録層面上に集光された集束光の該集束面上での形状を、スポット、光スポット、スポット形状、又は光スポット形状と称する。
For example, the time for maintaining the melting point or more is usually 10 μs or less, preferably 1 μs or less.
As the energy beam light source of the focused light, a laser beam is preferable because a short-time pulse irradiation operation and a high energy density can be obtained simultaneously. Various laser light sources such as a semiconductor laser and a gas laser can be used. The power of the laser beam is usually about 100 mW to 10 W. It should be noted that other condensing light sources may be used as long as the same power density and focused light shape can be obtained. Specific examples include Xe lamp light. The shape of the focused light focused on the recording layer surface on the focused surface is referred to as a spot, a light spot, a spot shape, or a light spot shape.
集束光の光スポット形状としては、特に、走査方向にほぼ平行に短軸を有する楕円形状が好ましい。以下楕円形状の光スポットを形成するような集束光を単に楕円ビームと呼ぶ場合がある。この場合、長軸の長さは、通常10〜1000μmであり、短軸の長さは、通常0.1〜5μmである。
なお、ここでいうビームの長軸及び短軸の長さは、ビーム内の光エネルギー強度分布を測定した場合の半値幅から定義される。このビーム形状も短軸方向における局所加熱、急速冷却を実現しやすくするため、短軸長を5μm以下、さらには2μm以下、より好ましくは1.5μm以下とする。短軸長は、焦点深度をある程度維持するために0.1μm以上、さらには、0.5μm以上とすることが好ましい。
The light spot shape of the focused light is particularly preferably an elliptical shape having a minor axis substantially parallel to the scanning direction. Hereinafter, focused light that forms an elliptical light spot may be simply referred to as an elliptical beam. In this case, the length of the major axis is usually 10 to 1000 μm, and the length of the minor axis is usually 0.1 to 5 μm.
Here, the lengths of the major axis and the minor axis of the beam are defined from the half width when the light energy intensity distribution in the beam is measured. This beam shape also makes the
バルクイレーズによる初期化において、例えば円盤状(平面円環形状)の記録媒体を使用する場合、楕円ビームの短軸方向をほぼ円周方向と一致させ、円盤を回転させて短軸を円盤の周方向に走査するとともに、1周(1回転)ごとに長軸を径(半径)方向に移動させて、全面の初期化を行なうことができる。こうすることで、周方向のトラックに沿って走査される記録再生用集束光の光スポットに対して、特定方向に配向した多結晶構造を実現できる(このような装置としては例えば特開2002−208143号公報の図2参照)。なお、径方向の移動は一回転中に連続的に行っても良い。また、径方向の移動は、1回転もしくは、周方向の一定の走査距離ごとに行っても良い。 In initialization by bulk erase, for example, when using a disk-shaped (planar ring shape) recording medium, the minor axis direction of the elliptical beam is made to substantially coincide with the circumferential direction, and the minor axis is rotated around the circumference of the disk. The entire surface can be initialized by scanning in the direction and moving the major axis in the diameter (radius) direction every round (one rotation). In this way, a polycrystalline structure oriented in a specific direction can be realized with respect to the light spot of the recording / reproducing focused light scanned along the track in the circumferential direction. FIG. 2 of 208143). The radial movement may be continuously performed during one rotation. Further, the movement in the radial direction may be performed once per rotation or every constant scanning distance in the circumferential direction.
楕円形状の光スポットの生成は、例えば特開2002−208143号公報[特に、図1(光スポット生成装置の概念図)及びそれに関する記載を参照]に開示されているような、半導体レーザとシリンドリカルレンズを用いることができる。
半導体レーザは、通常、端面出射タイプであり、超楕円形状にレーザ光を出射する。集光された光スポット内の光強度分布は、図1に示すように、短軸方向では概ねガウシアン分布となり、長軸方向では台形状分布となる。この長軸方向の光スポットのレーザ光強度は、通常、半導体レーザの性質上不可避の強度分布が存在する。この不可避の強度分布を示す図1において、最大値IPmax、最小値IPminとすると、IPmaxとIPminとの関係は、(IPmax−IPimn)/(IPmax+IPmin)≦0.2であることが好ましく、(IPmax−IPimn)/(IPmax+IPmin)≦0.1であることがより好ましい。(IPmax−IPimn)/(IPmax+IPmin)は、理想的にはゼロである。
The generation of an elliptical light spot is, for example, disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-208143 [see particularly FIG. 1 (conceptual diagram of a light spot generating device) and the description related thereto] and a semiconductor laser and a cylindrical beam. A lens can be used.
The semiconductor laser is usually an end face emission type, and emits laser light in a super-elliptical shape. As shown in FIG. 1, the light intensity distribution in the condensed light spot is approximately Gaussian in the minor axis direction and trapezoidal in the major axis direction. The laser beam intensity of the light spot in the major axis direction usually has an inevitable intensity distribution due to the nature of the semiconductor laser. In FIG. 1 showing this inevitable intensity distribution, when the maximum value IPmax and the minimum value IPmin are assumed, the relationship between IPmax and IPmin is preferably (IPmax−IPimn) / (IPmax + IPmin) ≦ 0.2, and (IPmax More preferably, −IPimn) / (IPmax + IPmin) ≦ 0.1. (IPmax−IPimn) / (IPmax + IPmin) is ideally zero.
1回転あたりの径方向の光スポット移動距離は、光スポット長軸より短くしてオーバーラップさせ、同一半径が複数回レーザ光ビームで照射されるようにするのが好ましい。なお、楕円ビームの光軸が径方向に対して、0〜45度程度傾いていてもよい。この場合には、長軸の径方向における記録媒体上に射影された長さを長軸(径方向)の長さとする。そして、前述の通り、1回転ごとの径方向移動量を径方向の射影された光スポットの長軸の長さ以下とすることにより、前の周回とその次の周回とでスポットの軌跡に重なりができ、隙間による未初期化を防いで確実な初期化が可能となる。さらに、長軸方向のエネルギー分布(通常10〜20%)に由来する初期化状態の不均一を回避することができる。一方、1回転ごとの光スポットの径方向の移動量が小さすぎると、同じ個所を数十回も繰り返し光スポットにより照射することになる。この場合、かえって前記他の好ましくない結晶相が形成されやすい場合がある。このため、通常、周回ごとの半径方向の光スポットの移動量は、通常、光スポットの長軸の1/2程度、又は、光スポットの長軸の1/2以上とするのが好ましい。光スポットの径方向の移動量は、光スポットの長軸の1/2程度とすることにより、記録媒体上の同一個所が平均して2回光ビームで照射されることになる。このため、初期化後の結晶状態のむらを抑制できる上、記録媒体上の同一箇所を2回以上照射することによって記録媒体に熱ダメージを与える可能性を少なくすることができる。 It is preferable that the light spot moving distance in the radial direction per one rotation is shorter than the light spot long axis so as to be overlapped so that the same radius is irradiated with the laser light beam a plurality of times. Note that the optical axis of the elliptical beam may be inclined by about 0 to 45 degrees with respect to the radial direction. In this case, the length projected on the recording medium in the radial direction of the major axis is taken as the length of the major axis (radial direction). Then, as described above, the amount of movement in the radial direction for each rotation is made equal to or less than the length of the major axis of the projected light spot in the radial direction, thereby overlapping the locus of the spot in the previous round and the next round. Thus, uninitialization due to the gap is prevented, and reliable initialization is possible. Furthermore, non-uniformity of the initialization state derived from the energy distribution in the major axis direction (usually 10 to 20%) can be avoided. On the other hand, if the moving amount of the light spot in the radial direction for each rotation is too small, the same part is repeatedly irradiated with the light spot several tens of times. In this case, the other unfavorable crystal phase may be easily formed. For this reason, it is usually preferable that the amount of movement of the light spot in the radial direction for each turn is usually about ½ of the major axis of the light spot or ½ or more of the major axis of the light spot. The amount of movement of the light spot in the radial direction is about ½ of the major axis of the light spot, so that the same spot on the recording medium is irradiated with the light beam twice on average. For this reason, unevenness of the crystal state after initialization can be suppressed, and the possibility of causing thermal damage to the recording medium by irradiating the same portion on the recording medium twice or more can be reduced.
また、光スポットの記録媒体に対する相対的な走査線速度(本発明において、初期結晶化における走査線速度(単に線速度という場合もある)とは、周方向の線速度を意味する)は、光学的情報記録用媒体の記録領域の半径位置によって異なるようにする。
つまり、初期結晶化工程において、光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、初期結晶化工程において、走査線速度が速くなるにしたがって、集束光の強度を上げる。そして、初期結晶化領域の全面を初期化する。換言すれば、光スポットの径方向移動に伴い、記録媒体に対する光スポットの周方向の相対的な走査線速度を記録媒体の外周部ほど大きくする。「外周部ほど大きくする」とは、ある区間はほぼ一定であっても良いが、少なくとも初期結晶化を行なう記録層上の領域の最内周と初期結晶化を行なう記録層上の領域の最外周とを見ると、外周部の走査線速度が大きくなっていることをいう。なお、最外周における走査線速度としては、20m/s以上が好ましく、25m/s以上がより好ましい。
Further, the relative scanning linear velocity of the light spot with respect to the recording medium (in the present invention, the scanning linear velocity in initial crystallization (sometimes simply referred to as linear velocity) means the linear velocity in the circumferential direction) is optical. It is made different depending on the radial position of the recording area of the target information recording medium.
That is, in the initial crystallization process, the scanning linear velocity when scanning the light spot in the circumferential direction is increased toward the outer periphery of the recording medium, and the intensity of the focused light increases as the scanning linear velocity increases in the initial crystallization process. Raise. Then, the entire surface of the initial crystallization region is initialized. In other words, along with the radial movement of the light spot, the relative scanning linear velocity in the circumferential direction of the light spot with respect to the recording medium is increased toward the outer peripheral portion of the recording medium. “Increase the outer periphery” may be substantially constant in a certain section, but at least the innermost periphery of the region on the recording layer where the initial crystallization is performed and the innermost region of the region where the initial crystallization is performed. Looking at the outer periphery, it means that the scanning linear velocity at the outer periphery is increased. The scanning linear velocity at the outermost periphery is preferably 20 m / s or more, and more preferably 25 m / s or more.
走査線速度は、ディスク初期化領域の全面において、15m/s以上が好ましく、20m/s以上がより好ましく、25m/s以上がさらに好ましい。特に最外周部においては、走査線速度は、20m/s以上が好ましく、25m/s以上がより好ましい。
従来の初期化装置では、CLV方式を用いていたため、ディスクの回転数の限界(10000rpm程度)から線速度が決まってしまっていたが、本発明によれば、初期結晶化領域最内周の線速度はディスクの回転数の限界によって決まってしまうものの、初期結晶化領域最外周の線速度はより高速にすることができるようになる。この初期結晶化領域最外周の線速度の上限は記録媒体の設計(特に記録層の組成)によって決まることになる。
The scanning linear velocity is preferably 15 m / s or more, more preferably 20 m / s or more, and further preferably 25 m / s or more over the entire surface of the disk initialization area. Particularly in the outermost peripheral portion, the scanning linear velocity is preferably 20 m / s or more, and more preferably 25 m / s or more.
In the conventional initialization apparatus, since the CLV method is used, the linear velocity is determined from the limit of the rotational speed of the disk (about 10000 rpm). Although the speed is determined by the limit of the rotational speed of the disk, the linear velocity at the outermost periphery of the initial crystallization region can be made higher. The upper limit of the linear velocity at the outermost periphery of the initial crystallization region is determined by the recording medium design (particularly the composition of the recording layer).
記録媒体の半径位置と走査線速度との関係を示す具体例として、図2を挙げることができる。図2(a)は、CAV方式、図2(b)及び(c)は、P−CAV方式、図2(d)は、ZCLV方式、図2(e)は、P−CAV方式/ZCLV方式の混合を示す。
より詳細には、図2(a)は、CAV方式の具体例であり、初期化領域全面にわたって、円盤状記録媒体の単位時間当たりの回転数をR0で一定とした場合である。
FIG. 2 can be given as a specific example showing the relationship between the radial position of the recording medium and the scanning linear velocity. 2A shows the CAV method, FIGS. 2B and 2C show the P-CAV method, FIG. 2D shows the ZCLV method, and FIG. 2E shows the P-CAV method / ZCLV method. The mixing of is shown.
More specifically, FIG. 2 (a) is a specific example of the CAV method, in which the rotation speed per unit time of the disk-shaped recording medium is constant at R0 over the entire initialization region.
図2(b)は、P−CAV方式の具体例であり、同図(a)と同様に走査線速度が半径位置に比例して増加しているものの、その増加率が回転数一定の場合とは異なる場合である。このようなP−CAV方式は、例えば、同図の拡大図に示されるような方法によって実現される。つまり、記録媒体を半径方向に複数の領域に分ける。そして、一つの領域内においては回転数をほぼ一定としつつ外周方向に位置する次の領域に移るときに回転数(走査線速度)を落とす(図2(b)拡大1参照)。また、このようなP−CAV方式は、例えば、同図の拡大図に示されるような方法によって実現される。つまり、記録媒体を半径方向に複数の領域に分ける。そして、一つの領域内においては走査線速度を外周に向かうにつれて若干下げて、外周方向に位置する次の領域に移るときに走査線速度を上昇させる(図2(b)拡大2参照)。同図(b)拡大2におけるP−CAV方式は、Z−CLV方式と考えることもできる。
FIG. 2B is a specific example of the P-CAV system, and the scanning linear velocity increases in proportion to the radial position as in FIG. 2A, but the rate of increase is constant. This is different from the case. Such a P-CAV system is realized by a method as shown in the enlarged view of FIG. That is, the recording medium is divided into a plurality of regions in the radial direction. Then, the rotational speed (scanning linear velocity) is decreased when moving to the next region located in the outer circumferential direction while keeping the rotational speed substantially constant in one region (see
図2(c)は、P−CAV方式の他の具体例であり、内周部領域では、回転数を一定のCAV方式とし、外周部領域ではある走査線速度で一定のCLV方式としている。
図2(d)は、Z−CLV方式の具体例である。Z−CLV方式は、以下の操作を繰り返すことによって実現される。つまり、記録媒体を半径方向に複数の領域に分け、一つの領域内においては走査線速度をほぼ一定とする。そして、外周方向に位置する次の領域に移るときに走査線速度を上昇させて、走査線速度を一定値とする操作を繰り返す。
FIG. 2C shows another specific example of the P-CAV system, in which the CAV system has a constant rotation speed in the inner peripheral area, and the CLV system has a constant scanning line speed in the outer peripheral area.
FIG. 2D is a specific example of the Z-CLV method. The Z-CLV method is realized by repeating the following operations. That is, the recording medium is divided into a plurality of areas in the radial direction, and the scanning linear velocity is made substantially constant in one area. Then, when moving to the next region located in the outer peripheral direction, the scanning line speed is increased and the operation for setting the scanning line speed to a constant value is repeated.
図2(e)は特殊な例であるが、概ね外周ほど走査線速度が大きくなるという趣旨をより具体的に説明するための一例である。すなわち、本発明における趣旨に反しない限りにおいて、記録媒体の半径方向における所定の範囲内(例えば数mmの範囲)で、走査線速度を若干(例えば、2−3m/s)減少させることは許容される。
光スポットの記録媒体の半径方向における移動は、初期結晶化を行なう記録層上の領域の内周から外周に向かって一方向に移動させるか、又は、初期結晶化を行なう記録層上の領域の外周から内周に向かって一方向に移動させることが、機械的制御を簡便にできる点で好ましい。但し、光スポットの移動において、若干の逆行は当然ながら許容される。例えば、図2(c)のケースにおいて、以下のような方法を行うことができる。つまり、内周部のCAV領域を内周から外周へ一方向に移動させた後、再度内周に戻って同一の操作を行う。その後、外周部のCLV領域を、内周から外周に2回操作する。このような2回(あるいは複数回の)操作は、初期化後の結晶状態をより均一にしたい場合に行われる。このような光スポット及びその径方向移動方法が確定されれば、初期化条件は、光スポットの周方向の走査速度と集束光のパワーによって決まる。
FIG. 2 (e) is a special example, but is an example for more specifically explaining the gist that the scanning linear velocity generally increases toward the outer periphery. In other words, it is permissible to slightly reduce the scanning linear velocity (for example, 2-3 m / s) within a predetermined range (for example, a range of several mm) in the radial direction of the recording medium, unless it is contrary to the spirit of the present invention. Is done.
The movement of the light spot in the radial direction of the recording medium is caused to move in one direction from the inner periphery to the outer periphery of the region on the recording layer on which initial crystallization is performed, or on the region on the recording layer on which initial crystallization is performed. Moving in one direction from the outer periphery toward the inner periphery is preferable because mechanical control can be simplified. However, in the movement of the light spot, a slight retrograde is naturally allowed. For example, in the case of FIG. 2C, the following method can be performed. That is, after moving the CAV area of the inner peripheral portion in one direction from the inner periphery to the outer periphery, the same operation is performed by returning to the inner periphery again. Thereafter, the CLV region at the outer periphery is operated twice from the inner periphery to the outer periphery. Such an operation twice (or a plurality of times) is performed when it is desired to make the crystal state after initialization more uniform. If such a light spot and its radial movement method are determined, the initialization condition is determined by the scanning speed in the circumferential direction of the light spot and the power of the focused light.
本発明においては、光スポットの径方向移動に伴って走査線速度が速くなるに従って、集束光の強度(集束光パワー)を増加させる。
走査線速度が決まると、初期化すべき記録媒体に対して、最適な集束光の強度(本明細書では、集束光の強度を初期化パワーと呼ぶ場合がある)Poが決まる。Poの下限Pominは、少なくとも、記録層を結晶化するために記録層を結晶化温度以上、又は、溶融初期化における融点以上に昇温するために必要なパワーである。一方、Poの上限Pomaxは、当該記録媒体に過剰な熱ダメージを与えないようなパワーである。Pomax/Pominは、通常、1以上、1.5以下とし、好ましくは、1.2以下とする。このようにして決まる最適初期化パワーPoは、走査線速度にほぼ比例すると考えられる。
In the present invention, the intensity of focused light (focused light power) is increased as the scanning linear velocity increases with the radial movement of the light spot.
When the scanning linear velocity is determined, the optimum focused light intensity Po (in this specification, the focused light intensity may be referred to as initialization power) Po is determined for the recording medium to be initialized. The lower limit Pomin of Po is a power required to raise the temperature of the recording layer to at least the crystallization temperature in order to crystallize the recording layer or to the melting point in the melt initialization. On the other hand, the upper limit Pomax of Po is a power that does not cause excessive thermal damage to the recording medium. Pomax / Pomin is usually 1 or more and 1.5 or less, and preferably 1.2 or less. The optimum initialization power Po determined in this way is considered to be substantially proportional to the scanning linear velocity.
Poは、詳細にはPomin以上Pomaxの範囲内において、初期結晶化後の光学的記録用媒体の記録特性を考慮して決められる。Poを定める際に考慮される光学的情報記録用媒体の記録特性としては、例えば下記(1)〜(3)を挙げることができる。
(1)初期結晶化後における光学的情報記録用媒体の未記録状態の反射率と、数回繰り返し書き換え記録した後における消去部の反射率と、の差ができるだけ小さくするように、Poが決定される。反射率は、再生用集束光を光学的情報記録用媒体に照射したときに反射して再生光学系に戻ってくる光強度で測定される。反射率は、実際上は、光検出器の電圧出力の大きさにほぼ比例した量となる。また、局所的にも未初期化による反射率の変動がないように、Poを決めることが好ましい。
(2)初期化後における光学的情報記録用媒体の未記録状態の反射光を上記光検出器で検出する。そして、スペクトラムアナライザ等で測定したノイズができるだけ低くなるようにPoが決定される。
(3)2回目の記録(2回目の記録は、1度記録を行った光学的情報記録用媒体に対するオーバーライトとなる)におけるジッタ値を所定の範囲内に制御するように、Poが決定される。
In detail, Po is determined in consideration of the recording characteristics of the optical recording medium after the initial crystallization within the range of Pomin to Pomax. Examples of the recording characteristics of the optical information recording medium considered when determining Po include the following (1) to (3).
(1) Po is determined so that the difference between the reflectance of the optical information recording medium after initial crystallization and the reflectance of the erased portion after repeated rewriting and recording several times is as small as possible. Is done. The reflectance is measured by the light intensity that is reflected back to the reproducing optical system when the reproducing focused light is irradiated onto the optical information recording medium. In practice, the reflectance is an amount approximately proportional to the magnitude of the voltage output of the photodetector. In addition, it is preferable to determine Po so that the reflectance does not fluctuate due to uninitialization even locally.
(2) The reflected light in the unrecorded state of the optical information recording medium after initialization is detected by the photodetector. Then, Po is determined so that the noise measured with a spectrum analyzer or the like is as low as possible.
(3) Po is determined so that the jitter value in the second recording (the second recording is an overwrite on the optical information recording medium on which the recording has been performed once) is controlled within a predetermined range. The
ここで、ジッタ値とは、いわゆるマーク位置記録におけるマーク位置やマーク長(変調)記録におけるマーク端位置の検出タイミングの時間的ゆらぎである。ジッタ値は、通常は検出タイミングの平均値を中心とする時間的ばらつきの標準偏差σで表される。本発明においては、ジッタ値は、参考書「光ディスク技術」(ラジオ技術社、第1章、1.7節ジッタ)に説明される一般的概念に該当するものである。ジッタ値の測定は、CD,CD−R,CD−RW規格書であるオレンジブックや、DVD,DVD−R,DVD−RW規格書に開示された標準的な定義と手法に準じて行う。
Here, the jitter value is a temporal fluctuation in detection timing of a mark position in so-called mark position recording and a mark end position in mark length (modulation) recording. The jitter value is usually represented by a standard deviation σ of temporal variation centering on the average value of detection timing. In the present invention, the jitter value corresponds to the general concept described in the reference book “Optical Disc Technology” (Radio Technology,
Poの範囲を制約する条件は、(1)、(2)、(3)の順に厳しくなる。さらに(3)の測定を具体的に実施するにあたっては、CDやDVDなどより特定の記録フォーマットに依存した決定方法と仕様が用いられる。上記(1)〜(3)によって決まるPoの範囲は、通常、前述の物理的制約から決まるPomin〜Pomaxより狭い範囲となる。ここで、上記(1)〜(3)によって決まるPoの下限値をPimin+、Poの上限値をPimax+と表記することとする。また、ある走査線速度における、Pimin+とPimax+との差で決まる初期化パワー範囲を初期化パワーマージンと称し、δPiで表記する。 Conditions for restricting the range of Po become stricter in the order of (1), (2), and (3). Further, in carrying out the measurement of (3) specifically, a determination method and specifications depending on a specific recording format are used, such as CD and DVD. The range of Po determined by the above (1) to (3) is usually a range narrower than Pomin to Pomax determined from the above physical constraints. Here, the lower limit value of Po determined by the above (1) to (3) is expressed as Pimin +, and the upper limit value of Po is expressed as Pimax +. In addition, an initialization power range determined by a difference between Pimin + and Pimax + at a certain scanning line speed is referred to as an initialization power margin and is represented by δPi.
本発明においては、走査線速度及び集束光の強度を実質的に連続的に変化させることが好ましい。ここで、「走査線速度及び集束光の強度を実質的に連続的に変化させる」とは、走査線速度切り替え前後の走査線速度をそれぞれ、Vib、Viaとすると、Via=Vib+ΔViであって、通常、ΔVi/Via≦0.2の範囲においては、集束光の強度を一定にすることをいう。ここで、ΔVi/Viaは、好ましくは0.1以下とする。走査線速度を上記のように細かい範囲で変化させることにより、記録媒体の結晶化を均一に行なうことができるようになる。一方、ΔVi/Viaは、通常0.001以上となる。 In the present invention, it is preferable to change the scanning linear velocity and the intensity of the focused light substantially continuously. Here, “substantially continuously changing the scanning line speed and the intensity of the focused light” means that if the scanning line speeds before and after switching the scanning line speed are Vib and Via, respectively, Via = Vib + ΔVi, Usually, in the range of ΔVi / Via ≦ 0.2, the intensity of the focused light is made constant. Here, ΔVi / Via is preferably 0.1 or less. By changing the scanning linear velocity in a fine range as described above, the recording medium can be uniformly crystallized. On the other hand, ΔVi / Via is usually 0.001 or more.
記録媒体上に未初期化部分が残らないように、光スポットの径方向の移動量を光スポットの半径方向における長軸の長さ未満として光スポットの軌跡をオーバーラップさせながら移動させる場合、光スポットの軌跡の重なりは数十μm〜数百μmオーダーとなる。そして、このような数十μm〜数百μmオーダーの微小な領域内において初期化条件が大きく変化すると、記録トラックの途中で初期化状態が大きく異なり、記録品質がトラックの途中で異なる可能性が大きくなる。1回転内の記録トラックにこのような急激な変化があると、記録再生装置(ドライブ)が誤動作(ひいては誤記録)する可能性が大きくなる。このため、上記のように走査線速度を細かい範囲で変化させることが好ましい。 When moving the light spot while overlapping the light spot trajectory by setting the amount of movement in the radial direction of the light spot to be less than the length of the long axis in the radial direction of the light spot so that no uninitialized part remains on the recording medium, The overlap of the spot trajectories is on the order of several tens of micrometers to several hundreds of micrometers. If the initialization conditions change greatly in such a small region of the order of several tens of μm to several hundreds of μm, the initialization state may vary greatly in the middle of the recording track, and the recording quality may vary in the middle of the track. growing. If there is such a sudden change in the recording track within one rotation, the possibility that the recording / reproducing apparatus (drive) malfunctions (and thus erroneous recording) increases. For this reason, it is preferable to change the scanning linear velocity in a fine range as described above.
図2(d)のZCLV法を用いるとしても、走査線速度の切り替え時には、ΔViが上記条件を満たすように小刻みに変化させることが望ましい。
図3に、走査線速度と初期化パワーとの関係を概念的に示した。同図において、δPiで決まる帯状の範囲内において、走査線速度Viと初期化パワーPiを変化させることが好ましい。理想的には、各ViにおいてPo線形に変化させることが好ましい(経路1、同図(a))。また、例えば、経路2(同図(b))で示したように、Viの変化ΔViに対して、Piを一定とすることも可能であるし、経路3(同図(c))で示したように、ΔViに応じてΔPiだけPiを変化させても良い。このような経路が同図帯状のδPiの範囲に入る限り、経路を自由に選びうるので、経路4(同図(d))のように、Viに応じてPiを変化させることも可能である。
Even if the ZCLV method of FIG. 2D is used, it is desirable to change ΔVi in small increments so that the above condition is satisfied when the scanning linear velocity is switched.
FIG. 3 conceptually shows the relationship between the scanning linear velocity and the initialization power. In the figure, it is preferable to change the scanning line speed Vi and the initialization power Pi within a band-shaped range determined by δPi. Ideally, it is preferable to change to Po linear in each Vi (
図2と図3とを組み合わせると、記録媒体の半径方向における光スポットの移動に伴う、光スポットの位置、走査線速度、初期化パワーの設定方法(関係)が定まる。例えば、図2(c)のようなP−CAV方式で記録媒体の半径位置における走査線速度を定め[図4(a)参照]、図3(b)に示すように走査線速度に対して初期化パワーを変化させた場合[図4(b)参照]においては、記録媒体の半径位置における初期化パワーは、図4(c)に示すようになる。 When FIG. 2 and FIG. 3 are combined, the setting method (relationship) of the position of the light spot, the scanning linear velocity, and the initialization power associated with the movement of the light spot in the radial direction of the recording medium is determined. For example, the scanning linear velocity at the radial position of the recording medium is determined by the P-CAV method as shown in FIG. 2C [see FIG. 4A], and as shown in FIG. When the initialization power is changed [see FIG. 4 (b)], the initialization power at the radial position of the recording medium is as shown in FIG. 4 (c).
以下において、より具体的な初期化工程の方法について説明する。
[B]CAV方式の場合の初期結晶化の具体的な方法
本発明においては、初期化工程において前記記録媒体の単位時間当たりの回転数(回転速度)R0を一定にすることが好ましい。
R0は、初期化工程を経て得られる光学的情報記録用媒体の記録特性が所定の性能を有するような回転数であれば特に制限はされない。R0は、好ましくは下記の条件を満たすように設定される最大回転数Rmaxとする。
(最大回転数Rmaxの満たすべき条件・設定方法)
(i)記録媒体を複数用意する。そのうちの1つの記録媒体に対し、記録媒体の記録領域の最内周において、任意の回転数で記録媒体を回転させて初期化を行なう。つまり、記録媒体を複数用意し、そのうちの一つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
(ii)そして、上記初期結晶化された最内周のトラックに2回記録を行なう。ここで、2回目の記録は、1度記録を行った光学的情報記録用媒体に対するオーバーライトとなる。
(iii)2回目記録後における、最内周のトラックに形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)次いで、さらに8回記録(先に行った2回と合計してのべ10回記録)を行った後における、最内周のトラックに形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)別の記録媒体に対し、前記(i)の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記(ii)〜(iv)を行なう。
(vi)記録媒体を変えて(v)の操作を繰り返す。
(Vii)それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、R0を、J2/J10を1.6以下とするような回転数に設定する。
Hereinafter, a more specific method of the initialization process will be described.
[B] Specific Method of Initial Crystallization in CAV Method In the present invention, it is preferable that the rotation speed (rotational speed) R0 per unit time of the recording medium is made constant in the initialization step.
R0 is not particularly limited as long as the rotational speed is such that the recording characteristics of the optical information recording medium obtained through the initialization step have a predetermined performance. R0 is preferably a maximum rotational speed Rmax set to satisfy the following condition.
(Conditions and setting method that must satisfy the maximum rotation speed Rmax)
(I) A plurality of recording media are prepared. One of the recording media is initialized by rotating the recording medium at an arbitrary number of revolutions in the innermost circumference of the recording area of the recording medium. That is, a plurality of recording media are prepared, and one of the recording media is rotated at an arbitrary rotation number, and at least the recording layer formed on the innermost track of the recording area is initially crystallized.
(Ii) Then, recording is performed twice on the innermost track that has been initially crystallized. Here, the second recording is an overwrite on the optical information recording medium on which the recording has been performed once.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed on the innermost track after the second recording is measured.
(Iv) Next, the jitter value J10 of the recording mark formed on the innermost track after 8 times of recording (10 times in total with the previous 2 times) is measured. .
(V) After initial crystallization is performed on another recording medium at a rotational speed different from the rotational speed of (i), the above (ii) to (iv) are performed.
(Vi) The operation of (v) is repeated while changing the recording medium.
(Vii) The relationship between J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained from the recording medium initially crystallized at each rotational speed and the rotational speed at the time of initial crystallization is obtained. And R0 is set to the rotation speed which makes J2 / J10 1.6 or less.
J2/J10を1.6以下にするような回転数R0の範囲から、後述のRmaxを選ぶことができる。
上記方法において、記録領域の最内周のトラックにおいてジッタ値の評価を行なうのは、以下の理由による。すなわち、通常、CAV方式の初期化においては記録領域の最内周における走査線速度が最も小さくなり、良好な初期結晶化が行われにくくなっている。このため、上記最内周のトラックにおいて初期化後の記録品質が十分であれば、それよりも外周に位置する記録領域(より速い走査線速度で初期化が行われる領域)における記録品質も良好にしやすい。
Rmax, which will be described later, can be selected from the range of the rotational speed R0 that makes J2 / J10 1.6 or less.
In the above method, the jitter value is evaluated in the innermost track of the recording area for the following reason. That is, normally, in the initialization of the CAV method, the scanning linear velocity at the innermost circumference of the recording area is the smallest, and it is difficult to perform good initial crystallization. For this reason, if the recording quality after initialization is sufficient in the innermost track, the recording quality in the recording area located on the outer circumference (area where initialization is performed at a higher scanning linear velocity) is also good. Easy to do.
最内周のトラックの具体例としては、図5(a)のA−A'断面に示すような、初期結晶化が行われる領域における記録領域の最内周のトラックを挙げることができる。なお、図5(b)のA−A'断面においては最内周のトラック位置をわかりやすくするために、基板の断面のみを示している。
また、上記最内周トラックにおける2回記録後のジッタ値J2と、10回記録後のジッタ値J10との比率(J2/J10)を評価の指標として用いるのは、以下の理由による。つまり、通常の光学的情報記録用媒体においては、2回目の記録後のジッタ値が高くなる現象が観察される。そして、さらに記録(オーバーライト)の回数を増やしていくにつれてジッタ値が徐々に小さくなり、10回程度記録を繰り返すとジッタ値が一定値に下がり安定する現象が観察される。このため、実使用上の観点からは、この2回目の記録後において高くなるジッタ値を所定の範囲(具体的にはジッタ値が下がって一旦安定したときの値に対して過度に大きくならないような範囲)内に制御できれば、良好な初期化が行われたと判断することができる。本発明においては、J2/J10が通常1.6以下、好ましくは1.3以下を満たすような回転数R0の範囲から、初期結晶化工程に用いる最適な回転数Rmaxが選ばれる。なお、J2/J10は理想的には1になるのが好ましい。
As a specific example of the innermost track, the innermost track of the recording area in the area where the initial crystallization is performed as shown in the AA ′ cross section of FIG. Note that in the AA ′ cross section of FIG. 5B, only the cross section of the substrate is shown for easy understanding of the innermost track position.
Further, the ratio (J2 / J10) of the jitter value J2 after the second recording and the jitter value J10 after the tenth recording in the innermost track is used as an evaluation index for the following reason. That is, in a normal optical information recording medium, a phenomenon in which the jitter value after the second recording increases is observed. Further, as the number of recording (overwrite) is further increased, the jitter value gradually decreases, and when recording is repeated about 10 times, the jitter value decreases to a constant value and is stabilized. For this reason, from the viewpoint of practical use, the jitter value that increases after the second recording is set to a predetermined range (specifically, the jitter value does not become excessively larger than the value when the jitter value is once stabilized). If it can be controlled within a range, it can be determined that a good initialization has been performed. In the present invention, the optimum rotational speed Rmax used in the initial crystallization step is selected from the range of the rotational speed R0 such that J2 / J10 is usually 1.6 or less, preferably 1.3 or less. J2 / J10 is ideally preferably 1.
回転数R0を変化させて得られる、J2/J10の変化の概念図を図6に示す。図6に示すようにJ2/J10が1.6以下となるようなR0の範囲からRmaxを任意にとることができる。最も好ましいのは、図6において、J2/J10が最小値となるようなR0をRmaxとすることである。
[C]ZCAV方式の場合の初期結晶化の具体的な方法
ZCAV方式で記録媒体の初期化を行なう場合の具体例として、記録媒体の初期結晶化領域の最内周から前記初期結晶化領域の最外周までの領域[図7(b)参照]を記録媒体の径方向に沿って複数のゾーンに分けて、それぞれのゾーンにおいて照射する前記集束光の強度を一定とする。そして、最外周のゾーンに向かうに連れ、集束光の強度を徐々に上昇させる(記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げる)方法を挙げることができる。つまり、最外周に向かうに連れて走査線速度が徐々に速くなるため、記録層を確実に初期結晶化するために照射する集束光の強度を上昇させることが好ましいのである。
FIG. 6 shows a conceptual diagram of the change of J2 / J10 obtained by changing the rotation speed R0. As shown in FIG. 6, Rmax can be arbitrarily set within the range of R0 such that J2 / J10 is 1.6 or less. Most preferably, in FIG. 6, R0 is set to Rmax such that J2 / J10 is the minimum value.
[C] Specific Method of Initial Crystallization in ZCAV System As a specific example of initializing the recording medium in the ZCAV system, the initial crystallization area is changed from the innermost periphery of the initial crystallization area of the recording medium. The region up to the outermost periphery [see FIG. 7B] is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, and the intensity of the focused light irradiated in each zone is constant. Then, there is a method of gradually increasing the intensity of the focused light toward the outermost zone (increasing the intensity of the focused light in the zone on the outer peripheral side of the recording medium). That is, since the scanning linear velocity gradually increases toward the outermost periphery, it is preferable to increase the intensity of the focused light to be irradiated in order to surely crystallize the recording layer.
最外周のゾーンに向かうに連れ、前記レーザ光の強度を徐々に上昇させる方法として、例えば以下の方法を挙げることができる。すなわち、分割されたそれぞれゾーン内で初期化レーザ強度を変化させて初期化を行なう。そして、初期化後のジッタ値や反射率値等を測定することにより、初期化レーザ光の強度と記録品質との関係を確認できる。この結果、各ゾーンの最適初期化レーザ強度と、初期化レーザ強度の上下限値(記録特性を所定の範囲内に制御するための許容幅)が求まる。そして、各ゾーンの最適初期化レーザ強度とその上下限値とから、それぞれのゾーンでの初期化レーザ強度を設定する。各ゾーンの初期化レーザ強度の設定例としては、図7(a)を示すことができる。 As a method for gradually increasing the intensity of the laser beam toward the outermost zone, for example, the following method can be cited. That is, initialization is performed by changing the initialization laser intensity in each of the divided zones. Then, the relationship between the intensity of the initialization laser beam and the recording quality can be confirmed by measuring the jitter value, reflectance value, etc. after initialization. As a result, the optimum initialization laser intensity of each zone and the upper and lower limit values (allowable width for controlling the recording characteristics within a predetermined range) are obtained. Then, the initialization laser intensity in each zone is set from the optimum initialization laser intensity in each zone and its upper and lower limit values. As an example of setting the initialization laser intensity in each zone, FIG.
本発明においては、上記ZCAV方式を用いた初期結晶化を行なうにあたって、前記初期結晶化後に各ゾーン内におけるジッタ値が、下記条件を満たすように、各ゾーンでの集束光の強度を設定することが好ましい。
(ジッタ値の満たすべき条件)
(i)初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体において、記録領域内の任意のゾーンを選び出す。そして、前記ゾーンにおける、最内周付近の1トラック、中央部付近の1トラック、及び最外周付近の1トラック、にそれぞれ記録を2回行い、前記最内周付近の1トラックにおける2回記録後のジッタ値J2inzcav、前記最外周付近の1トラックにおける2回記録後のジッタ値J2outzcav、前記中央付近の1トラックにおける2回記録後のジッタ値J2midzcavをそれぞれ測定する。
(ii)2回の記録を行った前記中央部付近の1トラックに対してさらに8回の記録(先に行った2回と合計してのべ10回記録)を行い、前記中央付近の1トラックにおける10回記録後のジッタ値J10midzcavを測定する。
(iii)上記(i),(ii)で測定されたJ2inzcav,J2outzcav,J2midzcav及びJ10midzcavが、
J2inzcav/J10midzcav≦1.6
J2midzcav/J10midzcav≦1.6
J2outzcav/J10midzcav≦1.6
を満たすようにする。
In the present invention, when performing the initial crystallization using the ZCAV method, the intensity of the focused light in each zone is set so that the jitter value in each zone satisfies the following condition after the initial crystallization. Is preferred.
(Conditions to satisfy the jitter value)
(I) In the optical information recording medium obtained through the initial crystallization, an arbitrary zone in the recording area is selected. In the zone, recording is performed twice on one track near the innermost periphery, one track near the center, and one track near the outermost periphery, and after recording twice on one track near the innermost periphery. Jitter value J2inzcav, jitter value J2outzcav after two recordings in one track near the outermost circumference, and jitter value J2midzcav after two recordings in one track near the center are measured.
(Ii) Recording is further performed 8 times (recorded 10 times in total with the previous 2 recordings) on one track near the center where recording was performed twice, and 1 track near the center is recorded. The jitter value J10midzcav after 10 times recording in the track is measured.
(Iii) J2inzcav, J2outzcav, J2midzcav and J10midzcav measured in (i) and (ii) above are
J2inzcav / J10midzcav ≦ 1.6
J2midzcav / J10midzcav ≦ 1.6
J2outzcav / J10midzcav ≦ 1.6
To satisfy.
上記のように1つのゾーン内の全体に渡って、2回記録後のジッタ値が10回記録後のジッタ値に対して所定範囲となっていれば、そのゾーン内においては均一な初期化が行なわれていることがわかる。そして、記録領域内に存在するそれぞれのゾーンにおいて上記3つの式が満たされていれば、記録領域内全面に渡って均一な初期化が行われていることがわかる。 As described above, if the jitter value after the second recording is within a predetermined range with respect to the jitter value after the tenth recording over the entire zone, uniform initialization can be performed in that zone. You can see what is happening. If the above three expressions are satisfied in each zone existing in the recording area, it can be understood that uniform initialization is performed over the entire area in the recording area.
ゾーンの決め方の一例としては、図8(a)及び(b)に示すゾーン1〜ゾーンnを挙げることができる。そして、例えばゾーンkの最外周付近の1トラック、中央付近の1トラック、及び最内周付近の1トラックにおいて所定の記録を行いジッタ値を測定する(図9参照)。
そして、上記ゾーンkでの集束光の強度の決め方の一例として以下の方法を挙げることができる。つまり、複数の記録媒体を用意し、Rmaxの回転数のもとで、集束光強度を変化させてそれぞれの記録媒体の初期結晶化を行なう。得られた複数の光学的情報記録用媒体のゾーンkにおける、J2inzcav、J2outzcav、J2midzcav、及びJ10midzcavをそれぞれ測定し、
J2inzcav/J10midzcav
J2outzcav/J10midzcav
J2midzcav/J10midzcav
を算出する(上記3つの式から算出される値をジッタ特性と呼ぶ場合がある。)。以上の測定から、ゾーンkにおける、集束光の強度(初期化パワー)とジッタ特性との関係を得ることができる。この結果から、
J2inzcav/J10midzcav≦1.6
J2outzcav/J10midzcav≦1.6
J2midzcav/J10midzcav≦1.6
とするような集束光の強度の範囲で、ゾーンkの初期結晶化工程を行えばよい。
As an example of how to determine the zone, the
The following method can be given as an example of how to determine the intensity of the focused light in the zone k. That is, a plurality of recording media are prepared, and the initial crystallization of each recording medium is performed by changing the focused light intensity under the rotation speed of Rmax. Measure J2inzcav, J2outzcav, J2midzcav, and J10midzcav in zone k of the obtained plurality of optical information recording media,
J2inzcav / J10midzcav
J2outzcav / J10midzcav
J2midzcav / J10midzcav
(A value calculated from the above three expressions may be referred to as jitter characteristics). From the above measurement, the relationship between the intensity (initialization power) of the focused light and the jitter characteristics in the zone k can be obtained. from this result,
J2inzcav / J10midzcav ≦ 1.6
J2outzcav / J10midzcav ≦ 1.6
J2midzcav / J10midzcav ≦ 1.6
The initial crystallization process of the zone k may be performed within the range of the intensity of the focused light.
本発明においては、上記ZCAV方式を用いた初期結晶化を行なうにあたって、前記初期結晶化後に各ゾーン内における反射率値が下記条件を満たすように、各ゾーンでの集束光の強度を設定することも好ましい。
(反射率値の満たすべき条件)
(i)初期結晶化を経て得られた前記光学的情報記録用媒体の記録領域における任意のゾーンを選びだし、前記ゾーンにおける、最内周付近の1トラック、中央部付近の1トラック、及び最外周付近の1トラック、にそれぞれ1回記録を行なう。そして、前記1回記録後における、前記最内周付近の1トラックの反射率値Ref1inzcav、前記中央部付近の1トラックの反射率値Ref1midzcav、及び前記最外周付近の1トラックの反射率値Ref1outzcavをそれぞれ測定する。
(ii)前記1回記録したそれぞれのトラックにさらに9回の記録(先に行った1回と合計してのべ10回記録)を行なう。そして、前記10回記録後における、前記最内周付近の1トラックの反射率値Ref10inzcav、前記中央部付近の1トラックの反射率値Ref10midzcav、及び前記最外周付近の1トラックの反射率値Ref10outzcavをそれぞれ測定する。
(iii)上記(i),(ii)で測定されたRef1inzcav、Ref1midzcav、Ref1outzcav、Ref10inzcav、Ref10midzcav、及びRef10outzcavが
|Ref1inzcav−Ref1outzcav|/Ref1midzcav≦0.05
|Ref10inzcav−Ref1inzcav|/Ref10inzcav≦0.05
|Ref10midzcav−Ref1midzcav|/Ref10midzcav≦0.05
|Ref10outzcav−Ref1outzcav|/Ref10outzcav≦0.05
を満たす。
In the present invention, when performing the initial crystallization using the ZCAV method, the intensity of the focused light in each zone is set so that the reflectance value in each zone satisfies the following condition after the initial crystallization. Is also preferable.
(Conditions to satisfy the reflectance value)
(I) An arbitrary zone in the recording area of the optical information recording medium obtained through the initial crystallization is selected, and in the zone, one track near the innermost periphery, one track near the center, Recording is performed once on each track near the outer periphery. Then, after the first recording, the reflectance value Ref1inzcav of one track near the innermost periphery, the reflectance value Ref1midzcav of one track near the central portion, and the reflectance value Ref1outzcav of one track near the outermost periphery are obtained. Measure each.
(Ii) Nine times of recording is performed on each of the tracks recorded once (a total of 10 times is recorded in addition to the previously performed one time). Then, after the ten times recording, the reflectance value Ref10inzcav of one track near the innermost periphery, the reflectance value Ref10midzcav of one track near the central portion, and the reflectance value Ref10outzcav of one track near the outermost periphery are obtained. Measure each.
(Iii) The Ref1inzcav, Ref1midzcav, Ref1outzcav, Ref10inzcav, Ref10midzcav, and Ref10outzcav measured in (i) and (ii) above are | Ref1inzcav−Ref1outzcav | /Ref1midzcav≦0.05
| Ref10inzcav−Ref1inzcav | /Ref10inzcav≦0.05
| Ref10midzcav−Ref1midzcav | /Ref10midzcav≦0.05
| Ref10outzcav−Ref1outzcav | /Ref10outzcav≦0.05
Meet.
上記のように、1回記録後の反射率値が1つのゾーン内全体で比較的近い値をとり、かつ、1回記録後の反射率値と10回記録後の反射率値とがゾーン全体で比較的近い値をとるようになっていれば、そのゾーン内においては均一な初期化が行われていることがわかる。そして、記録領域内に存在するそれぞれのゾーンにおいて上記4つの式が満たされていれば、記録領域内全面に渡って均一な初期化が行われていることがわかる。 As described above, the reflectance value after one-time recording takes a relatively close value within the entire zone, and the reflectance value after one-time recording and the reflectance value after ten-time recording are the entire zone. If the values are relatively close to each other, it can be seen that uniform initialization is performed within the zone. If the above four expressions are satisfied in each zone existing in the recording area, it is understood that uniform initialization is performed over the entire area in the recording area.
ゾーンの決め方の一例としては、図8(a)及び(b)に示すゾーン1〜ゾーンnを挙げることができる。そして、例えばゾーンkの最外周付近の1トラック、中央付近の1トラック、及び最内周付近の1トラックにおいて所定の記録を行い反射率値を測定する(図9参照)。
そして、上記ゾーンkでの集束光の強度の決め方の一例として以下の方法を挙げることができる。つまり、複数の記録媒体を用意し、Rmaxの回転数のもとで、集束光強度を変化させてそれぞれの記録媒体の初期結晶化を行なう。得られた複数の光学的情報記録用媒体のゾーンkにおける、Ref1inzcav、Ref1midzcav、Ref1outzcav、Ref10inzcav、Ref10midzcav、及びRef10outzcavをそれぞれ測定し、
|Ref1inzcav−Ref1outzcav|/Ref1midzcav
|Ref10inzcav−Ref1inzcav|/Ref10inzcav
|Ref10midzcav−Ref1midzcav|/Ref10midzcav
|Ref10outzcav−Ref1outzcav|/Ref10outzcav
を算出する(上記4つの式から算出される値を反射率特性と呼ぶ場合がある。)。以上の測定から、ゾーンkにおける、集束光の強度(初期化パワー)と反射率特性との関係を得ることができる。この結果から、
|Ref1inzcav−Ref1outzcav|/Ref1midzcav≦0.05
|Ref10inzcav−Ref1inzcav|/Ref10inzcav≦0.05
|Ref10midzcav−Ref1midzcav|/Ref10midzcav≦0.05
|Ref10outzcav−Ref1outzcav|/Ref10outzcav≦0.05
とするような集束光の強度の範囲で、ゾーンkの初期結晶化工程を行えばよい。
As an example of how to determine the zone, the
The following method can be given as an example of how to determine the intensity of the focused light in the zone k. That is, a plurality of recording media are prepared, and the initial crystallization of each recording medium is performed by changing the focused light intensity under the rotation speed of Rmax. Measure Ref1inzcav, Ref1midzcav, Ref1outzcav, Ref10inzcav, Ref10midzcav, and Ref10outzcav in zone k of the obtained plurality of optical information recording media,
| Ref1inzcav−Ref1outzcav | / Ref1midzcav
| Ref10inzcav−Ref1inzcav | / Ref10inzcav
| Ref10midzcav−Ref1midzcav | / Ref10midzcav
| Ref10outzcav−Ref1outzcav | / Ref10outzcav
(A value calculated from the above four formulas may be referred to as a reflectance characteristic). From the above measurement, the relationship between the intensity (initialization power) of the focused light and the reflectance characteristics in the zone k can be obtained. from this result,
| Ref1inzcav−Ref1outzcav | /Ref1midzcav≦0.05
| Ref10inzcav−Ref1inzcav | /Ref10inzcav≦0.05
| Ref10midzcav−Ref1midzcav | /Ref10midzcav≦0.05
| Ref10outzcav−Ref1outzcav | /Ref10outzcav≦0.05
The initial crystallization process of the zone k may be performed within the range of the intensity of the focused light.
なお、ジッタ値による設定と反射率値による設定との双方から決まる初期化条件の重なり部分を使用するのが望ましいが、いずれか一方から決まる初期化条件を用いるようにしても良い。
[D]ZCAV方式による初期結晶化におけるゾーン間のレーザ光の変化
上記ZCAV方式の初期化においては、外周のゾーンに向かうに連れて初期化レーザ強度を上昇させることが好ましい。このレーザ強度の上昇は、光スポットが外周方向に向かうに連れて連続的に変化させてもよい(例えば、図3(a)参照)。また、このレーザ強度の上昇は、各ゾーンごとで一定の値を取りつつ、外側のゾーンに向かうに連れて徐々に大きくするようにしてもよい(例えば図3(b))。また、各ゾーン間では初期化レーザ強度を所定量上げつつも、各ゾーン内においても連続的にレーザ強度を上げる方法を用いてもよい(例えば図3(c))。そして、各ゾーン間でレーザ強度が変化する場合(例えば図3(b)、(c)の場合)は、下記のように初期化レーザ強度を制御することが好ましい。
Although it is desirable to use an overlapping portion of initialization conditions determined from both the setting based on the jitter value and the setting based on the reflectance value, an initialization condition determined from either one may be used.
[D] Change of laser light between zones in initial crystallization by ZCAV method In the initialization of the ZCAV method, it is preferable to increase the initialization laser intensity toward the outer zone. This increase in laser intensity may be continuously changed as the light spot moves in the outer circumferential direction (for example, see FIG. 3A). Further, the increase in the laser intensity may take a constant value for each zone and gradually increase as it goes to the outer zone (for example, FIG. 3B). Further, a method may be used in which the laser intensity is continuously increased within each zone while the initialization laser intensity is increased by a predetermined amount between the zones (for example, FIG. 3C). When the laser intensity changes between the zones (for example, in the case of FIGS. 3B and 3C), it is preferable to control the initialization laser intensity as follows.
具体的には、例えば、下記2つの方法を挙げることができる。
第1の方法は、記録領域内における隣接する2つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンA、外周側に位置するゾーンをゾーンBとする。上記ゾーンAの初期化レーザ強度をPin、上記ゾーンBの初期化レーザ強度をPoutとする。そして、初期結晶化を行なうにあたり、上記Pin及び上記Poutと、下記方法で測定される最小初期化レーザ強度PJmin及び最大初期化レーザ強度PJmaxと、が
PJmin≦Pin≦Pout≦PJmax
を満たすようにする。
Specifically, for example, the following two methods can be mentioned.
In the first method, of two adjacent zones in the recording area, a zone located on the inner circumference side is designated as zone A, and a zone located on the outer circumference side is designated as zone B. The initialization laser intensity of the zone A is Pin, and the initialization laser intensity of the zone B is Pout. In performing the initial crystallization, the above-mentioned Pin and Pout, and the minimum initialization laser intensity PJmin and the maximum initialization laser intensity PJmax measured by the following method are PJmin ≦ Pin ≦ Pout ≦ PJmax.
To satisfy.
ここで、PJmin、PJmaxは、下記方法で設定されることが好ましい。
(最大初期化レーザ強度PJmax、最小初期化レーザ強度PJminの設定方法)
前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンA内の最外周付近の1トラックに2回記録を行った時のジッタ値をJ2zoneAout、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンA内の中央部付近の1トラックに10回記録を行った時のジッタ値をJ10zoneAmid、及び、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンB内の最内周付近の1トラックに2回記録を行ったときのジッタ値をJ2zoneBinとしたときに、
前記J2zoneAout、前記J2zoneBin、及び前記J10zoneAmidが、
J2zoneAout/J10zoneAmid≦1.6
J2zoneBin/J10zoneAmid≦1.6
を満たすようなレーザ強度の最小値をPJmin、レーザ強度の最大値をPJmaxとする。
Here, PJmin and PJmax are preferably set by the following method.
(Setting method of maximum initialization laser intensity PJmax and minimum initialization laser intensity PJmin)
J2zoneAout is a jitter value when recording is performed twice on one track in the vicinity of the outermost periphery in the zone A in the optical information recording medium, and the vicinity of the central portion in the zone A in the optical information recording medium. J10 zoneAmid is the jitter value when recording is performed 10 times on one track, and the jitter value when recording is performed twice on one track near the innermost circumference in the zone B of the optical information recording medium. When J2zoneBin
The J2zoneAout, the J2zoneBin, and the J10zoneAmid are
J2zoneAout / J10zoneAmid ≦ 1.6
J2zoneBin / J10zoneAmid ≦ 1.6
The minimum value of the laser intensity that satisfies the above is PJmin, and the maximum value of the laser intensity is PJmax.
上記のように、2回記録後のジッタ値が2つのゾーンの境界領域において比較的近い値をとるようになっていれば、両方のゾーン間においてほぼ同一の初期化を行なうことができたと判断することができる。
ゾーンA、ゾーンB、ゾーンAの最外周付近のトラック、ゾーンAの中央部付近のトラック、及びゾーンBの最内周付近のトラックの具体例として図10を挙げることができる。上記PJminとPJmaxの設定方法の具体的な方法として、以下の方法をあげることができる。例えば、同一層構成の記録媒体を複数用意し、そのうちの一つの記録媒体におけるゾーンA、Bを同一の初期化レーザ強度で初期化を行い、光学的情報記録用媒体の「J2zoneAout/J10zoneAmid」、「J2zoneBin/J10zoneAmid」をそれぞれ求める。次に、別の記録媒体に対して、先程の記録媒体とは異なる初期化レーザ強度でゾーンA、Bの初期化を行い、光学的情報記録用媒体の「J2zoneAout/J10zoneAmid」、「J2zoneBin/J10zoneAmid」をそれぞれ求める。上記作業を繰り返し、それぞれの光学的情報記録用媒体の「J2zoneAout/J10zoneAmid」、「J2zoneBin/J10zoneAmid」を求める作業を行う。そして、初期化レーザ強度と、「J2zoneAout/J10zoneAmid」及び「J2zoneBin/J10zoneAmid」と、の関係をプロットする。そしてこの結果から、「J2zoneAout/J10zoneAmid」及び「J2zoneBin/J10zoneAmid」をともに1.6以下とするような初期化レーザ強度の最小値をPJmin、最大値をPJmaxとして、Pin、Poutは、Pin≦Poutの関係を保持しつつ、上記PJmin〜PJmaxの範囲で変化させればよい(図11(a)参照)。
As described above, if the jitter value after recording twice takes a relatively close value in the boundary region between the two zones, it is determined that the same initialization can be performed between both zones. can do.
Specific examples of the zone A, the zone B, the track near the outermost periphery of the zone A, the track near the center of the zone A, and the track near the innermost periphery of the zone B can be shown in FIG. The following methods can be given as specific methods for setting the PJmin and PJmax. For example, a plurality of recording media having the same layer configuration are prepared, and zones A and B of one of the recording media are initialized with the same initialization laser intensity, and the optical information recording medium “J2zoneAout / J10zoneAmid”, Obtain "J2zoneBin / J10zoneAmid" respectively. Next, zones A and B are initialized with different initialization laser intensities for the other recording media, and the optical information recording media “J2zoneAout / J10zoneAmid” and “J2zoneBin / J10zoneAmid” are used. ”Respectively. The above work is repeated, and the work for obtaining “J2zoneAout / J10zoneAmid” and “J2zoneBin / J10zoneAmid” of each optical information recording medium is performed. Then, the relationship between the initialization laser intensity and “J2zoneAout / J10zoneAmid” and “J2zoneBin / J10zoneAmid” is plotted. From this result, Pin J and Pout are Pin ≦ Pout where PJmin is the minimum value of the initialization laser intensity and “JJzoneAin / J10zoneAmid” and “J2zoneBin / J10zoneAmid” are both 1.6 or less, and the maximum value is PJmax. While maintaining this relationship, it may be changed within the range of PJmin to PJmax (see FIG. 11A).
第2の方法は、記録領域内における隣接する2つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンA、外周側に位置するゾーンをゾーンBとする。上記ゾーンAの初期化レーザ強度をPin、上記ゾーンBの初期化レーザ強度をPoutとする。そして、初期結晶化を行なうにあたり、上記Pin及び上記Poutと、下記方法で測定される最小初期化レーザ強度PRmin及び最大初期化レーザ強度PRmaxと、が
PRmin≦Pin≦Pout≦PRmax
を満たすようにする。
In the second method, of two adjacent zones in the recording area, a zone located on the inner circumferential side is designated as zone A, and a zone located on the outer circumferential side is designated as zone B. The initialization laser intensity of the zone A is Pin, and the initialization laser intensity of the zone B is Pout. When performing the initial crystallization, the above-mentioned Pin and Pout, and the minimum initialization laser intensity PRmin and the maximum initialization laser intensity PRmax measured by the following method are: PRmin ≦ Pin ≦ Pout ≦ PRmax
To satisfy.
ここで、PRmin、PRmaxは、下記の条件を満たすように設定されることが好ましい。
(最大初期化レーザ強度PRmax、最小初期化レーザ強度PRminの満たすべき条件(設定方法))
前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンAの最外周付近の1トラックに1回記録を行った時の反射率値をRefzoneAout、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンAの中央部付近の1トラックに1回記録を行った時の反射率をRefzoneAmid、及び、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンBの最内周付近の1トラックに1回記録を行ったときの反射率値をRefzoneBinとしたときに、
|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid≦0.05
を満たすようなレーザ強度の最小値をPRmin、レーザ強度の最大値をPRmaxとする。
Here, it is preferable that PRmin and PRmax are set so as to satisfy the following conditions.
(Conditions for satisfying the maximum initialization laser intensity PRmax and the minimum initialization laser intensity PRmin (setting method))
The reflectance value when recording is performed once on one track near the outermost periphery of the zone A in the optical information recording medium is RefzoneAout, and the reflectance value is 1 near the center of the zone A in the optical information recording medium. The reflectance when recording is performed once on the track is RefzoneAmid, and the reflectance value when recording is performed once on one track near the innermost circumference of the zone B in the optical information recording medium is RefzoneBin. And when
| RefzoneAout−RefzoneBin | /RefzoneAmid≦0.05
The minimum value of the laser intensity that satisfies the above is PRmin, and the maximum value of the laser intensity is PRmax.
上記のように、1回記録後の反射率値が2つのゾーンの境界領域において比較的近い値をとるようになっていれば、両方のゾーン間においてほぼ同一の初期化を行なうことができたと判断することができる。
ゾーンA、ゾーンB、ゾーンAの最外周付近のトラック、ゾーンAの中央部付近のトラック、及びゾーンBの最内周付近のトラック、の具体例として図10を上げることができる。上記PRminとPRmaxの設定方法の具体的な方法として、以下の方法をあげることができる。例えば、同一層構成の記録媒体を複数用意し、そのうちの一つの記録媒体におけるゾーンA、Bを同一の初期化レーザ強度で初期化を行い、光学的情報記録用媒体の「|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid」を求める。次に、別の記録媒体に対して、先程の記録媒体とは異なる初期化レーザ強度でゾーンA、Bの初期化を行い、光学的情報記録用媒体の「|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid」を求める。上記作業を繰り返し、それぞれの光学的情報記録用媒体の「|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid」を求める作業を行う。そして、初期化レーザ強度と、「|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid」と、の関係をプロットする。そしてこの結果から、「|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid」を0.05以下とするような初期化レーザ強度の最小値をPRmin、最大値をPRmaxとして、Pin、Poutは、Pin≦Poutの関係を保持しつつ、上記PRmin〜PRmaxの範囲で変化させればよい(図11(b)参照)。
As described above, if the reflectance value after one recording is relatively close to the boundary area between the two zones, it is possible to perform substantially the same initialization between both zones. Judgment can be made.
As specific examples of zone A, zone B, a track near the outermost periphery of zone A, a track near the center of zone A, and a track near the innermost periphery of zone B, FIG. The following methods can be given as specific methods for setting the PRmin and PRmax. For example, a plurality of recording media having the same layer structure are prepared, and zones A and B of one of the recording media are initialized with the same initialization laser intensity, and the optical information recording medium “| RefzoneAout−RefzoneBin | / RefzoneAmid ". Next, the zones A and B are initialized with a different initialization laser intensity from the previous recording medium for another recording medium, and the optical information recording medium “| RefzoneAout−RefzoneBin | / RefzoneAmid” is set. Ask. The above operation is repeated, and the operation of obtaining “| RefzoneAout−RefzoneBin | / RefzoneAmid” of each optical information recording medium is performed. Then, the relationship between the initialization laser intensity and “| RefzoneAout−RefzoneBin | / RefzoneAmid” is plotted. From this result, Pin and Pout have a relationship of Pin ≦ Pout, where PRmin is the minimum value of the initialization laser intensity so that “| RefzoneAout−RefzoneBin | / RefzoneAmid” is 0.05 or less, and PRmax is the maximum value. What is necessary is just to change in the range of said PRmin-PRmax, hold | maintaining (refer FIG.11 (b)).
なお、上述の通り、初期化レーザは、通常楕円形状で、長軸が半径方向と平行になるように設定され、長軸の長さは複数のトラックをカバーするようになっている。そして、通常、レーザの一回転ごとの半径方向の移動距離は、レーザの長軸の長さよりも短くして、記録媒体の同一の箇所が初期化レーザの照射を複数回受けるようになっている。ここで、記録媒体のトラック位置と初期化レーザの位置制御とが必ずしも同期していない場合がある。このため、レーザ強度をPinからPoutに切り換えるタイミングによっては、外側のゾーンBにおけるゾーンAとの境界付近領域がゾーンAの初期化レーザ強度で初期化されたり、逆に内側のゾーンAにおけるゾーンBとの境界付近領域がゾーンBの初期化レーザ強度で初期化されたりする場合がある。さらに、レーザ強度をPinからPoutに切り換えるタイミングによっては、ゾーンA、Bの境界領域は、両ゾーンの初期化レーザ強度で初期化される場合がある(図10参照)。
[E]ZCLV方式における初期結晶化方式、ゾーン内における初期化レーザ強度の決め方
ZCLV方式で初期化を行なう場合には、記録媒体における初期結晶化領域の最内周から初期結晶化領域の最外周までの領域[図12(b)参照]を複数のゾーンに分けて、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定となるようにすることが好ましい。つまり、この初期化方法においては、例えば、図12(a)に示すように、記録媒体の径方向に複数のゾーン[図12(a)では、ゾーン1〜ゾーンn]を設け、各ゾーンの最内周においては、回転数がR0で一定になるように設定している。さらに、それぞれのゾーン内の最内周から最外周までは線速度一定となるように初期結晶化を行なう[図12(a)参照]。
As described above, the initialization laser is usually elliptical and has a long axis set parallel to the radial direction, and the length of the long axis covers a plurality of tracks. Usually, the moving distance in the radial direction for each rotation of the laser is made shorter than the length of the long axis of the laser, and the same portion of the recording medium is irradiated with the initialization laser a plurality of times. . Here, the track position of the recording medium and the position control of the initialization laser may not always be synchronized. For this reason, depending on the timing at which the laser intensity is switched from Pin to Pout, the region near the boundary with the zone A in the outer zone B is initialized with the initialization laser intensity of the zone A, or conversely the zone B in the inner zone A. In some cases, the region near the boundary is initialized with the initialization laser intensity of zone B. Furthermore, depending on the timing at which the laser intensity is switched from Pin to Pout, the boundary region between zones A and B may be initialized with the initialization laser intensity of both zones (see FIG. 10).
[E] Initial crystallization method in ZCLV method, determination method of initialization laser intensity in zone When initialization is performed in ZCLV method, from the innermost periphery of the initial crystallization region to the outermost periphery of the initial crystallization region in the recording medium It is preferable to divide the region up to [see FIG. 12B] into a plurality of zones so that the rotational speed at the innermost circumferential position in each zone is constant. That is, in this initialization method, for example, as shown in FIG. 12A, a plurality of zones [
そして、この初期化方法においては、初期結晶化された光学的情報記録媒体における各ゾーン内におけるジッタ値が下記条件を満たすように各ゾーンでのレーザ光強度を設定することが好ましい。
(ジッタ値の満たすべき条件)
(i)前記光学的情報記録用媒体において、前記記録領域内の任意のゾーンを選び出す。そして、前記ゾーンにおける中央部付近の1トラックに記録を2回行い、2回記録後のジッタ値J2midzclvを測定する。
(ii)前記中央部付近の1トラックにさらに8回の記録(先に行った2回と合計してのべ10回記録)を行い、10回記録後のジッタ値J10midzclvを測定する。
(iii)上記(i)、(ii)で測定された、J2midzclv及びJ10midzclvが
J2midzclv/J10midzclv≦1.6
を満たす。
In this initialization method, it is preferable to set the laser light intensity in each zone so that the jitter value in each zone in the optical information recording medium that has been crystallized initially satisfies the following conditions.
(Conditions to satisfy the jitter value)
(I) In the optical information recording medium, an arbitrary zone in the recording area is selected. Then, recording is performed twice on one track near the center of the zone, and the jitter value J2midzclv after recording twice is measured.
(Ii) Further, 8 recordings are performed on one track in the vicinity of the central portion (a total of 10 recordings with the previous two recordings), and the jitter value J10midzclv after 10 recordings is measured.
(Iii) J2midzclv and J10midzclv measured in (i) and (ii) above are
J2midzclv / J10midzclv ≦ 1.6
Meet.
ZCLV方式においては、各ゾーン内は一定の線速度で初期化が行われるため、ゾーン内の初期化の均一性を確保しやすい利点がある。このため、各ゾーンの中央部付近のトラックにおいて、2回記録後のジッタ値が10回記録後のジッタ値に対して所定範囲となっていれば、そのゾーン内においては均一な初期化が行われていると考えることができる。そして、記録領域内のそれぞれのゾーンにおいて上記式が満たされていれば、記録領域内全面に渡って均一な初期化が行われていることがわかる。 In the ZCLV system, initialization is performed at a constant linear velocity in each zone, and thus there is an advantage that it is easy to ensure uniformity of initialization in the zone. Therefore, if the jitter value after the second recording is within a predetermined range with respect to the jitter value after the tenth recording in the track near the center of each zone, uniform initialization is performed in that zone. It can be considered that If the above formula is satisfied in each zone in the recording area, it can be seen that uniform initialization is performed over the entire area in the recording area.
さらに、本発明においては、初期結晶化後の各ゾーン内における反射率値が下記条件を満たすように、各ゾーンでのレーザ光の強度を設定することも好ましい。
(反射率値の満たすべき条件)
(i)前記光学的情報記録用媒体の記録領域における任意のゾーンを選びだす。そして、前記ゾーンにおける、中央部付近の1トラック1回記録を行い、前記中央部付近の1トラックの反射率値Ref1midzclvを測定する。
(ii)前記中央付近の1トラックにさらに9回の記録(先に行った1回と合計してのべ10回記録)を行い、10回記録後における、前記中央部付近の1トラックの反射率値Ref10midzclv測定する。
(iii)上記(i)、(ii)で測定された、Ref1midzclv及びRef10midzclvが
|Ref10midzclv−Ref1midzclv|/Ref10midzclv≦0.05
を満たす。
Furthermore, in the present invention, it is also preferable to set the intensity of the laser beam in each zone so that the reflectance value in each zone after the initial crystallization satisfies the following conditions.
(Conditions to satisfy the reflectance value)
(I) An arbitrary zone in the recording area of the optical information recording medium is selected. Then, recording is performed once per track near the center in the zone, and the reflectance value Ref1midzclv of one track near the center is measured.
(Ii) Nine times of recording is performed on one track near the center (recording a total of 10 times in total with the previous one), and the reflection of one track near the center after 10 times recording. Measure the rate value Ref10midzclv.
(Iii) Ref1midzclv and Ref10midzclv measured in (i) and (ii) above are | Ref10midzclv−Ref1midzclv | /Ref10midzclv≦0.05
Meet.
前述の通り、ZCLV方式においては、各ゾーン内は一定の線速度で初期化が行われるため、ゾーン内の初期化の均一性を確保しやすい利点がある。このため、1回記録後の反射率値と10回記録後の反射率値とがゾーン中央部で比較的近い値をとるようになっていれば、そのゾーン内においては均一な初期化が行われていると考えることができる。そして、記録領域内に存在するそれぞれのゾーンにおいて上記式が満たされていれば、記録領域内全面に渡って均一な初期化が行われていることがわかる。 As described above, in the ZCLV method, initialization is performed at a constant linear velocity in each zone, and thus there is an advantage that it is easy to ensure uniformity of initialization in the zone. For this reason, if the reflectance value after one-time recording and the reflectance value after ten-time recording are relatively close to each other in the center of the zone, uniform initialization is performed in that zone. It can be considered that If the above expression is satisfied in each zone existing in the recording area, it can be seen that uniform initialization is performed over the entire surface of the recording area.
なお、ジッタ値による設定と反射率値による設定との双方から決まる初期化条件の重なり部分を使用するのが望ましいが、いずれか一方から決まる初期化条件を用いるようにしても良い。
[F]レーザ光の変化方法の具体例1
上記ZCLV方式の初期化においては、外周のゾーンに向かうに連れて初期化レーザ強度を上昇させることが好ましい。このレーザ強度の上昇は、光スポットが外周方向に向かうに連れて連続的に変化させてもよい(例えば、図3(a)参照)。また、このレーザ強度の上昇は、各ゾーンごとで一定の値を取りつつ、外側のゾーンに向かうに連れて徐々に大きくするようにしてもよい(例えば図3(b))。また、各ゾーン間では初期化レーザ強度を所定量上げつつも、各ゾーン内においても連続的にレーザ強度を上げる方法を用いてもよい(例えば図3(c))。そして、各ゾーン間でレーザ強度が変化する場合(例えば図3(b)の場合)は、下記のように初期化レーザ強度を制御することが好ましい。
Although it is desirable to use an overlapping portion of initialization conditions determined from both the setting based on the jitter value and the setting based on the reflectance value, an initialization condition determined from either one may be used.
[F] Specific example 1 of laser beam changing method
In the initialization of the ZCLV method, it is preferable to increase the initialization laser intensity toward the outer zone. This increase in laser intensity may be continuously changed as the light spot moves in the outer circumferential direction (for example, see FIG. 3A). Further, the increase in the laser intensity may take a constant value for each zone and gradually increase as it goes to the outer zone (for example, FIG. 3B). Further, a method may be used in which the laser intensity is continuously increased within each zone while the initialization laser intensity is increased by a predetermined amount between the zones (for example, FIG. 3C). When the laser intensity changes between the zones (for example, in the case of FIG. 3B), it is preferable to control the initialization laser intensity as follows.
以下、まず図3(b)の場合における各ゾーン間での初期化レーザ強度の変化量を設定する方法の具体例を2つ説明する。
第1の方法は、記録領域内における隣接する2つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンA、外周側に位置するゾーンをゾーンBとする。上記ゾーンAの初期化レーザ強度をPin、上記ゾーンBの初期化レーザ強度をPoutとする。そして、初期結晶化を行なうにあたり、上記Pinと上記Poutとが、下記条件を満たすようにすることが好ましい。
(Pin、Poutの満たすべき条件)
(i)前記記録媒体を2つ用意し、
(ii)前記2つの記録媒体のうちの、1つの記録媒体において、前記ゾーンAを初期化レーザ強度Pinで初期結晶化し、前記ゾーンBを初期化レーザ強度Poutで初期結晶化する。そして、前記ゾーンAの中央部付近の1トラックを10回記録した後のジッタ値J10zoneAPin、及び前記ゾーンBの中央部付近の1トラックを10回記録した後のジッタ値J10zoneBPoutを測定する。
(iii)前記2つの記録媒体のうちの、もう1つの記録媒体において、前記ゾーンAを初期化レーザ強度Poutで初期結晶化し、前記ゾーンBを初期化レーザ強度Pinで初期結晶化する。そして、前記ゾーンAの中央部付近の1トラックを2回記録した後のジッタ値J2zoneAPout、及び前記ゾーンBの中央部付近の1トラックを2回記録した後のジッタ値J2zoneBPinを測定する。
(iv)上記(ii),(iii)で測定された、J10zoneAPinとJ2zoneAPoutとが、
J2zoneAPout/J10zoneAPin≦1.6
の関係を満たし、
上記(ii),(iii)で測定された、J10zoneBPoutとJ2zoneBPinとが、
J2zoneBPin/J10zoneBPout≦1.6
の関係を満たす。
Hereinafter, two specific examples of the method for setting the change amount of the initialization laser intensity between the zones in the case of FIG. 3B will be described first.
In the first method, of two adjacent zones in the recording area, a zone located on the inner circumference side is designated as zone A, and a zone located on the outer circumference side is designated as zone B. The initialization laser intensity of the zone A is Pin, and the initialization laser intensity of the zone B is Pout. In performing the initial crystallization, it is preferable that the Pin and the Pout satisfy the following conditions.
(Conditions to be satisfied by Pin and Pout)
(I) Prepare two recording media,
(Ii) In one of the two recording media, the zone A is initially crystallized with an initialization laser intensity Pin, and the zone B is initially crystallized with an initialization laser intensity Pout. Then, the jitter value J10zoneAPin after recording one track near the center of the
(Iii) In another recording medium of the two recording media, the zone A is initially crystallized with an initialization laser intensity Pout, and the zone B is initially crystallized with an initialization laser intensity Pin. Then, the jitter value J2zoneAPout after recording one track near the center of the zone A twice and the jitter value J2zoneBPin after recording one track near the center of the zone B twice are measured.
(Iv) J10zoneAPin and J2zoneAPout measured in (ii) and (iii) above are:
J2zoneAPout / J10zoneAPin ≦ 1.6
Satisfy the relationship
J10zoneBPout and J2zoneBPin measured in the above (ii) and (iii)
J2zoneBPin / J10zoneBPout ≦ 1.6
Satisfy the relationship.
上記のように、レーザ強度をPinからPoutに切り換えるタイミングによっては、外側のゾーンBにおけるゾーンAとの境界付近領域がゾーンAの初期化レーザ強度で初期化されたり、逆に内側のゾーンAにおけるゾーンBとの境界付近領域がゾーンBの初期化レーザ強度で初期化されたりする場合がある。さらに、レーザ強度をPinからPoutに切り換えるタイミングによっては、ゾーンA、Bの境界領域は、両ゾーンの初期化レーザ強度で初期化される場合がある。 As described above, depending on the timing at which the laser intensity is switched from Pin to Pout, the region near the boundary with the zone A in the outer zone B is initialized with the initialization laser intensity of the zone A, or conversely in the inner zone A. A region near the boundary with zone B may be initialized with the initialization laser intensity of zone B. Furthermore, depending on the timing at which the laser intensity is switched from Pin to Pout, the boundary region between zones A and B may be initialized with the initialization laser intensity of both zones.
このため、ゾーンAとゾーンBとの境界付近におけるゾーンA及びゾーンBの2回記録後のジッタ値(初期化後の1回目の記録に対して上昇する傾向にある)は、ゾーンAをPinのみで初期化した場合のゾーンAとゾーンBとの境界付近におけるゾーンAの2回記録後のジッタ値(所望するゾーンAの2回記録後のジッタ値)や、ゾーンBをPoutのみで初期化した場合のゾーンAとゾーンBとの境界付近におけるゾーンBの2回記録後のジッタ値(所望するゾーンBの2回記録後のジッタ値)と比較して、大きくなる可能性がある。 Therefore, the jitter value after the second recording in the zone A and the zone B in the vicinity of the boundary between the zone A and the zone B (which tends to increase with respect to the first recording after the initialization) The jitter value after the second recording of zone A in the vicinity of the boundary between zone A and zone B (the jitter value after the second recording of desired zone A) or the zone B is initialized only by Pout. There is a possibility that it becomes larger than the jitter value after the second recording of the zone B in the vicinity of the boundary between the zone A and the zone B (the jitter value after the second recording of the desired zone B).
従って、ゾーンAをPinで初期化したときのゾーンAの中央部付近の10回記録後のジッタ値(ジッタ値が下がって一旦安定した状態)に対して、ゾーンAをPoutで初期化したときのゾーンAの中央部付近の2回記録後のジッタ値を所定の範囲内になるようにする。そして、ゾーンBをPoutで初期化したときのゾーンBの中央部付近の10回記録後のジッタ値(ジッタ値が下がって一旦安定した状態)に対して、ゾーンBをPinで初期化したときのゾーンBの中央部付近の2回記録後のジッタ値を所定の範囲内になるようにする。このようにすれば、ゾーンA、Bの両方においてほぼ同一の状態の初期化ができたと判断することができる。 Therefore, when the zone A is initialized with Pout with respect to the jitter value after 10 recordings in the vicinity of the central portion of the zone A when the zone A is initialized with Pin (the state where the jitter value is lowered and once stabilized). The jitter value after recording twice in the vicinity of the center of the zone A is set within a predetermined range. Then, when zone B is initialized with Pin for the jitter value after 10 recordings in the vicinity of the center of zone B when zone B is initialized with Pout (the state where the jitter value is lowered and once stabilized) The jitter value after recording twice in the vicinity of the central portion of the zone B is set within a predetermined range. In this way, it can be determined that initialization of substantially the same state has been completed in both zones A and B.
ゾーンA、ゾーンB、ゾーンAの中央部付近のトラック、及びゾーンBの中央部付近のトラックの具体例として図13を挙げることができる。上記PinとPoutの設定方法の具体的な方法として、以下の方法をあげることができる。
まず、上記「[E]ZCLV方式における初期結晶化方式、ゾーン内における初期化レーザ強度の決め方」より、各ゾーンそれぞれにおいて、満たすべき初期化レーザ強度の範囲が求められる。このため、ゾーンA、Bに対しても所望の初期化レーザ強度Pin、Poutがそれぞれ一応存在する。ゾーンAを初期化する一応の(仮の)PinをPin’、ゾーンBを初期化する一応の(仮の)PoutをPout’とする。1つの記録媒体のゾーンA、BをこのPin’、Pout’の初期化レーザ強度でそれぞれ初期化し、J10zoneAPinとJ10zoneBPoutの値を定める。
Specific examples of zone A, zone B, a track near the center of zone A, and a track near the center of zone B can be shown in FIG. The following methods can be given as specific methods for setting the Pin and Pout.
First, the range of initialization laser intensity to be satisfied in each zone is obtained from the above-mentioned “Initial crystallization method in [E] ZCLV method, determination method of initialization laser intensity in zone”. For this reason, desired initialization laser intensities Pin and Pout exist for zones A and B, respectively. The temporary (temporary) Pin that initializes the zone A is Pin ′, and the temporary (temporary) Pin that initializes the zone B is Pout ′. Zones A and B of one recording medium are initialized with the initialization laser intensities of Pin ′ and Pout ′, respectively, and the values of J10zoneAPin and J10zoneBPout are determined.
次に、上記記録媒体と同一層構成の記録媒体を複数用意する。そして、それぞれの記録媒体におけるゾーンA、Bを同一の初期化レーザ強度で初期化を行った(各々の記録媒体における初期化レーザ強度は異なるようにする)後、ゾーンA、Bの中央部付近での2回記録後のジッタ値(2回記録後のジッタ値)を測定する。そして、初期化レーザ強度に対する、「2回記録後のジッタ値/J10zoneAPin」、「2回記録後のジッタ値/J10zoneBPout」の値をプロットする(図14参照)。図14は、初期化レーザ強度と、「2回記録後のジッタ値/J10zoneAPin」及び「2回記録後のジッタ値/J10zoneBPout」との関係を示す概念図である。ゾーンAだけを考慮すれば、同図中のβの範囲に初期化レーザ強度を設定することができる。一方、ゾーンBだけを考慮すれば、同図中のγの範囲に初期化レーザ強度を設定することができる。そして、ゾーンA、Bをともに良好に初期化することを考慮すれば、同図中のαの範囲内にPin、Poutを設定する必要がでてくるのである(αはPin、Poutが満たすべき範囲を示している)。したがって、上記Pin’、Pout’が同図中のαから外れている場合は、αの範囲内に設定してもよい。 Next, a plurality of recording media having the same layer structure as the recording medium are prepared. Then, after the zones A and B in each recording medium are initialized with the same initialization laser intensity (the initialization laser intensity in each recording medium is different), the vicinity of the central part of the zones A and B The jitter value after recording twice (jitter value after twice recording) is measured. Then, the values of “jitter value after twice recording / J10zoneAPin” and “jitter value after twice recording / J10zoneBPout” are plotted against the initialization laser intensity (see FIG. 14). FIG. 14 is a conceptual diagram showing the relationship between the initialization laser intensity and “jitter value after twice recording / J10zoneAPin” and “jitter value after twice recording / J10zoneBPout”. If only zone A is considered, the initialization laser intensity can be set in the range of β in FIG. On the other hand, considering only the zone B, the initialization laser intensity can be set in the range of γ in FIG. Then, considering that both zones A and B are initialized well, it is necessary to set Pin and Pout within the range of α in the figure (α should satisfy Pin and Pout). Range). Therefore, when the above Pin ′ and Pout ′ are out of α in the figure, they may be set within the range of α.
第2の方法は、記録領域内における隣接する2つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンA、外周側に位置するゾーンをゾーンBとする。上記ゾーンAの初期化レーザ強度をPin、前記ゾーンBの初期化レーザ強度をPoutとする。そして、初期結晶化を行なうにあたり、前記Pin及び前記Poutが下記条件を満たすようにすることが好ましい。
(Pin、Poutの満たすべき条件)
(i)前記記録媒体を2つ用意し、
(ii)前記2つの記録媒体のうちの、1つの記録媒体において、前記ゾーンA、Bに対して、初期化レーザ強度Pinで初期結晶化する。そして、前記ゾーンAの中央部付近の1トラックを1回記録した後の反射率Ref1zoneAPin、及び前記ゾーンBの中央部付近の1トラックを1回記録した後の反射率Ref1zoneBPin、を測定する。
(iii)前記2つの記録媒体のうちの、もう1つの記録媒体において、前記ゾーンAを初期化レーザ強度Poutで初期結晶化する。そして、前記ゾーンAの中央部付近の1トラックを1回記録した後の反射率Ref1zoneAPoutを測定する。
(iv)上記(ii)、(iii)で測定された、Ref1zoneAPin、Ref1zoneBPinとRef1zoneAPoutとが、
|Ref1zoneAPout―Ref1zoneBPin|/Ref1zoneAPin≦0.05
の関係を満たす。
In the second method, of two adjacent zones in the recording area, a zone located on the inner circumferential side is designated as zone A, and a zone located on the outer circumferential side is designated as zone B. The initialization laser intensity of the zone A is Pin, and the initialization laser intensity of the zone B is Pout. In performing the initial crystallization, it is preferable that the Pin and the Pout satisfy the following conditions.
(Conditions to be satisfied by Pin and Pout)
(I) Prepare two recording media,
(Ii) In one of the two recording media, initial crystallization is performed with respect to the zones A and B at an initialization laser intensity Pin. Then, the reflectance Ref1zoneAPin after recording one track near the center of the zone A once and the reflectance Ref1zoneBPin after recording one track near the center of the zone B once are measured.
(Iii) In the other recording medium of the two recording media, the zone A is initially crystallized with the initializing laser intensity Pout. Then, the reflectance Ref1zoneAPout after recording one track near the center of the zone A once is measured.
(Iv) Ref1zoneAPin, Ref1zoneBPin, and Ref1zoneAPout measured in (ii) and (iii) above are
| Ref1zoneAPout-Ref1zoneBPin | /Ref1zoneAPin≦0.05
Satisfy the relationship.
上記のように、レーザ強度をPinからPoutに切り換えるタイミングによっては、外側のゾーンBにおけるゾーンAとの境界付近領域がゾーンAの初期化レーザ強度で初期化されたり、逆に内側のゾーンAにおけるゾーンBとの境界付近領域がゾーンBの初期化レーザ強度で初期化されたりする場合がある。さらに、レーザ強度をPinからPoutに切り換えるタイミングによっては、ゾーンA、Bの境界領域は、両ゾーンの初期化レーザ強度で初期化される場合がある。 As described above, depending on the timing at which the laser intensity is switched from Pin to Pout, the region near the boundary with the zone A in the outer zone B is initialized with the initialization laser intensity of the zone A, or conversely in the inner zone A. A region near the boundary with zone B may be initialized with the initialization laser intensity of zone B. Furthermore, depending on the timing at which the laser intensity is switched from Pin to Pout, the boundary region between zones A and B may be initialized with the initialization laser intensity of both zones.
このため、ゾーンAとゾーンBとの境界付近におけるゾーンA及びゾーンBの反射率は、ゾーンAをPinのみで初期化した場合のゾーンAとゾーンBとの境界付近におけるゾーンAの反射率や、ゾーンBをPoutのみで初期化した場合のゾーンAとゾーンBとの境界付近におけるゾーンBの反射率と比較して、大きくなったり又は小さくなったりする可能性がある。 For this reason, the reflectivity of zone A and zone B near the boundary between zone A and zone B is the reflectivity of zone A near the boundary between zone A and zone B when zone A is initialized with only Pin. There is a possibility that the zone B may be larger or smaller than the reflectance of the zone B near the boundary between the zone A and the zone B when the zone B is initialized only by Pout.
従って、ゾーンAをPoutで初期化した場合の反射率とゾーンBをPinで初期化した場合の反射率とを、ゾーンAをPinで初期化した場合の反射率に対して所定の範囲内になるようにすれば、ゾーンAとゾーンBとの境界付近における初期化レーザの強度の変化に伴いゾーンA、ゾーンBの反射率が変動したとしても、ゾーンA、Bの両方においてほぼ同一の状態の初期化ができたと判断することができる。 Therefore, the reflectance when the zone A is initialized with Pout and the reflectance when the zone B is initialized with Pin are within a predetermined range with respect to the reflectance when the zone A is initialized with Pin. As a result, even if the reflectivity of the zone A and the zone B fluctuates due to the change in the intensity of the initialization laser near the boundary between the zone A and the zone B, the state is almost the same in both the zones A and B. It can be determined that initialization has been completed.
ゾーンA、ゾーンB、ゾーンAの中央部付近のトラック、及びゾーンBの中央部付近のトラック、の具体例として図13を挙げることができる。上記PinとPoutの設定方法の具体的な方法として、以下の方法をあげることができる。
まず、上記「[E]ZCLV方式における初期結晶化方式、ゾーン内における初期化レーザ強度の決め方」において各ゾーンそれぞれにおいて、満たすべき初期化レーザ強度の範囲が求められる。このため、ゾーンAに対しても所定の初期化レーザ強度Pinが一応存在する。ゾーンAを初期化する一応の(仮の)PinをPin’とする。1つの記録媒体のゾーンAをこのPin’の初期化レーザ強度で初期化し、ゾーンAの中央部付近のトラックにおける1回記録後の反射率Ref1zoneAPinを測定する。
Specific examples of zone A, zone B, a track near the center of zone A, and a track near the center of zone B can be shown in FIG. The following methods can be given as specific methods for setting the Pin and Pout.
First, in the above-mentioned “[E] Initial crystallization method in the ZCLV method, how to determine the initialization laser intensity in the zone”, the range of the initialization laser intensity to be satisfied is obtained for each zone. For this reason, a predetermined initialization laser intensity Pin also exists for the zone A. A temporary (temporary) Pin that initializes Zone A is Pin ′. The zone A of one recording medium is initialized with the initialization laser intensity of Pin ′, and the reflectance Ref1zoneAPin after one recording in the track near the center of the zone A is measured.
次に、上記記録媒体と同一層構成の記録媒体を複数用意する。そして、それぞれの記録媒体に対し、それぞれ異なる初期化レーザ強度で初期化を行う。その後、ゾーンA、Bの1回記録後の反射率値を、それぞれのゾーンの中央部で測定する。そして、ゾーンAの初期化レーザ強度に対する、「|(ゾーンAの1回記録後の反射率)−(ゾーンBの1回記録後の反射率)|/Ref1zoneAPin」の値をプロットする(図15参照)。図15は、初期化レーザ強度と、「|(ゾーンAの1回記録後の反射率)−(ゾーンBの1回記録後の反射率)|/Ref1zoneAPin」との関係を示す概念図である。Poutは、同図中のαの範囲内で設定する必要がある(αは仮のPinであるPin’に対してPoutが満たすべき範囲を示している)。 Next, a plurality of recording media having the same layer structure as the recording medium are prepared. Then, each recording medium is initialized with different initialization laser intensities. Thereafter, the reflectance value after recording once in zones A and B is measured at the center of each zone. Then, the value of “| (reflectance after one recording in zone A) − (reflectance after one recording in zone B) | / Ref1zoneAPin” is plotted against the initialization laser intensity in zone A (FIG. 15). reference). FIG. 15 is a conceptual diagram showing the relationship between the initialization laser intensity and “| (reflectance after one recording in zone A) − (reflectance after one recording in zone B) | / Ref1zoneAPin”. . Pout needs to be set within the range of α in the figure (α indicates a range that Pout should satisfy with respect to Pin ′, which is a temporary Pin).
なお、上述の通り、初期化レーザは、通常楕円形状で、長軸が半径方向と平行になるように設定される。そして、長軸の長さは複数のトラックをカバーするようになっている。そして、レーザの一回転ごとの半径方向の移動距離は、レーザの長軸の長さよりも短くして記録媒体の同一の箇所が複数回初期化レーザの照射を受けるようになっている。ここで、記録媒体のトラック位置と初期化レーザの位置制御とが必ずしも同期していない場合がある。このため、レーザ強度をPinからPoutに切り換えるタイミングによっては、外側のゾーンBにおけるゾーンAとの境界付近領域がゾーンAの初期化レーザ強度で初期化されたり、逆に内側のゾーンAにおけるゾーンBとの境界付近領域がゾーンBの初期化レーザ強度で初期化されたりする場合がある。さらに、レーザ強度をPinからPoutに切り換えるタイミングによっては、ゾーンA、Bの境界領域は、両ゾーンの初期化レーザ強度で初期化される場合がある(図10参照)。これはZCAV方式の初期化と同様である。
[G]レーザ光の変化方法の具体例2
次に、図3(c)の場合における各ゾーン間での初期化レーザ強度の変化量を設定する方法の具体例を2つ説明する。なお、記録層の記録領域内における隣接する2つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンA、外周側に位置するゾーンをゾーンBとし、ゾーンAの集束光(初期化レーザ)強度をPin、ゾーンBの集束光(初期化レーザ)強度をPoutとする。
As described above, the initialization laser is usually elliptical and is set so that the major axis is parallel to the radial direction. The length of the long axis covers a plurality of tracks. The moving distance in the radial direction for each rotation of the laser is made shorter than the length of the long axis of the laser so that the same portion of the recording medium is irradiated with the initialization laser a plurality of times. Here, the track position of the recording medium and the position control of the initialization laser may not always be synchronized. For this reason, depending on the timing at which the laser intensity is switched from Pin to Pout, the region near the boundary with the zone A in the outer zone B is initialized with the initialization laser intensity of the zone A, or conversely the zone B in the inner zone A. In some cases, the region near the boundary is initialized with the initialization laser intensity of zone B. Furthermore, depending on the timing at which the laser intensity is switched from Pin to Pout, the boundary region between zones A and B may be initialized with the initialization laser intensity of both zones (see FIG. 10). This is the same as the initialization of the ZCAV method.
[G] Specific example 2 of laser beam changing method
Next, two specific examples of the method for setting the change amount of the initialization laser intensity between the zones in the case of FIG. 3C will be described. Of the two adjacent zones in the recording area of the recording layer, the zone located on the inner circumferential side is zone A, the zone located on the outer circumferential side is zone B, and the focused light (initializing laser) intensity in zone A Is Pin, and the focused light (initializing laser) intensity in Zone B is Pout.
第1の方法として、Pinの取りうる最小値をPinmin、最大値をPinmaxとし、Poutの取りうる最小値をPoutmin、最大値をPoutmaxとする。そして、初期化工程において初期化レーザがゾーンA中で外周方向にむかうにつれて、Pinを上記Pinminから上記Pinmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンAの最外周におけるPinの値をPinzoneAoutとする。一方、初期化レーザが前記ゾーンB中で外周方向に向かうにつれて、Poutを上記Poutminから上記Poutmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンBの最内周におけるPoutの値をPoutzoneBinとする。 As a first method, the minimum value that Pin can take is Pinmin, the maximum value is Pinmax, the minimum value Pout can take is Poutmin, and the maximum value is Poutmax. Then, in the initialization process, as the initialization laser goes in the outer circumferential direction in the zone A, Pin is gradually increased within the range from the above Pinmin to the above Pinmax. Then, the Pin value at the outermost periphery of the zone A is PinzoneAout. On the other hand, as the initialization laser moves in the outer peripheral direction in the zone B, Pout is gradually increased within a range from the Poutmin to the Poutmax. The value of Pout in the innermost circumference of zone B is PoutzoneBin.
そして、前記PoutzoneBinと、前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin=PinzoneAout
となるようにすることが好ましい。この制御方法は、各ゾーン間での初期化レーザ強度の変化がなくなるため、各ゾーンの境界領域付近の初期化を均一に行いやすいという利点がある。上記制御の特に好ましい方法としては、図3(a)に示すように、走査線速度が上昇するに連れて初期化レーザ強度も連続的(直線的)に変化していく方法を挙げることができる。但し、「PoutzoneBin=PinzoneAout」とはいっても、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの間に、±10%程度の誤差は許容される。
And the relationship between the PinoutBin and the PinzoneAout is
PoutzoneBin = PinzoneAout
It is preferable that This control method has an advantage that initialization in the vicinity of the boundary region of each zone can be easily performed uniformly because there is no change in the initialization laser intensity between the zones. As a particularly preferable method of the above control, as shown in FIG. 3A, there can be mentioned a method in which the initialization laser intensity changes continuously (linearly) as the scanning linear velocity increases. . However, even if “PoutzoneBin = PinzoneAout”, an error of about ± 10% is allowed between PoutzoneBin and PinzoneAout.
上記PoutzoneBinと上記PinzoneAoutとを同一の強度にしない場合においても、PoutzoneBin>PinzoneAoutとし、上記PoutzoneBinと上記PinzoneAoutとの差を最小にすることが好ましい。このようにPoutzoneBinとPinzoneAoutとの差を最小にすれば、ゾーンA、B間の境界領域の初期化も均一にし易い。
[H]P−CAV方式における初期結晶化
前述の通り、本発明の初期化方法はP−CAV方式とすることもできる(図2(b)、(c)、図4参照)。P−CAV方式の具体的な方法としては、例えば、記録媒体の記録層における初期結晶化領域の最内周の位置から外周方向に向かって記録媒体の所定の径方向位置に達するまでは回転数R0で一定とし、前記所定の径方向位置から記録層の前記初期結晶化領域の最外周の位置までは走査線速度を一定する初期化方法を挙げることができる(図2(c)、図4参照)。
Even when the PoutzoneBin and the PinzoneAout are not set to the same intensity, it is preferable to satisfy PoutzoneBin> PinzoneAout and minimize the difference between the PoutzoneBin and the PinzoneAout. Thus, if the difference between PinoutBin and PinzoneAout is minimized, the initialization of the boundary region between zones A and B can be made uniform easily.
[H] Initial Crystallization in P-CAV Method As described above, the initialization method of the present invention can be a P-CAV method (see FIGS. 2B, 2C, and 4). As a specific method of the P-CAV method, for example, the number of rotations until the predetermined radial position of the recording medium is reached from the innermost peripheral position of the initial crystallization region in the recording layer of the recording medium toward the outer peripheral direction. An initialization method in which the scanning linear velocity is constant between R0 and the predetermined radial direction position to the outermost peripheral position of the initial crystallization region of the recording layer can be exemplified (FIG. 2 (c), FIG. 4). reference).
そして、上記所定の径方向位置における上記光スポットの光学的情報記録用媒体上の線速度V1が、下記条件を満たすように規定される最大線速度Vmaxであることが好ましい。
(最大線速度の満たすべき条件)
(i)初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
(ii)前記トラックに2回記録を行なう。ここで、2回目の記録は、1度記録を行った光学的情報記録用媒体に対するオーバーライトとなる。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録(先に行った2回と合計してのべ10回記録)を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)線速度を変化させて前記(i)〜(iv)を繰り返す。
(vi)それぞれの線速度で得られたジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10を1.6以下にするような線速度を最大線速度Vmaxとする。
The linear velocity V1 of the light spot on the optical information recording medium at the predetermined radial position is preferably a maximum linear velocity Vmax defined so as to satisfy the following condition.
(Conditions that the maximum linear velocity must satisfy)
(I) The recording layer formed on an arbitrary track in the initial crystallization region is initially crystallized at an arbitrary linear velocity.
(Ii) Recording is performed twice on the track. Here, the second recording is an overwrite on the optical information recording medium on which the recording has been performed once.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Further, recording is performed 8 times (a total of 10 times is recorded with the previous 2 times), and the jitter value J10 of the recording mark formed after the 8th recording is measured.
(V) The above (i) to (iv) are repeated while changing the linear velocity.
(Vi) The linear velocity that makes J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained at the respective linear velocities 1.6 or less is the maximum linear velocity Vmax.
なお、Vmaxの設定方法は、上記最大回転数Rmaxの設定方法に倣って設定することができる。Vmaxは、J2/J10≦1.6の範囲で、J2/J10が極小となる値に設定することが好ましい。
なお、上記P−CAV方式の具体例として、以下の方法を挙げることができる。すなわち、最内周では初期化装置の最大回転数とし、この回転数をある領域で一定に保つことで、外周に向かって線速度を上昇させていく。ディスクの半径内でJ2/J10を最小にする線速度に到達する場合、その半径位置以後はCLVとして、J2/J10の最小値が保たれるようにする。
[I]光学的情報記録媒体の消去線速度上限を超える速度での初期結晶化
本発明においては、初期結晶化工程において、記録層を初期結晶化する際に用いる最大線速度を、光学的情報記録用媒体に形成される非晶質状態の記録マークの消去が可能な最大線速度以上とすることが好ましい。つまり、記録媒体を初期結晶化する最大線速度を、その媒体の非晶質マークの消去が可能な最大線速度以上とすることが好ましい。
The method for setting Vmax can be set following the method for setting the maximum rotational speed Rmax. Vmax is preferably set to a value at which J2 / J10 is minimized within a range of J2 / J10 ≦ 1.6.
In addition, the following method can be mentioned as a specific example of the said P-CAV system. That is, the maximum rotation speed of the initialization device is set at the innermost circumference, and the rotation speed is kept constant in a certain region, thereby increasing the linear velocity toward the outer circumference. When reaching a linear velocity that minimizes J2 / J10 within the radius of the disk, the minimum value of J2 / J10 is maintained as CLV after the radial position.
[I] Initial crystallization at a speed exceeding the upper limit of the erasing linear velocity of the optical information recording medium In the present invention, in the initial crystallization step, the maximum linear velocity used for initial crystallization of the recording layer is determined as the optical information. It is preferable that the amorphous linear mark formed on the recording medium has a maximum linear velocity that can be erased. That is, it is preferable that the maximum linear velocity at which the recording medium is initially crystallized is equal to or higher than the maximum linear velocity at which the amorphous mark on the medium can be erased.
初期結晶化時の走査線速度の設定にあたっては、従来、初期化した後の光学的情報記録用媒体の非晶質マークを消去可能な最大線速度LVmaxに対して、初期化結晶化時の走査線速度をLVmaxと同じかそれよりも若干低い値とすることが一般的であった。
ここで、LVmaxとは、光学的情報記録用媒体に非晶質マークを記録し、その後、線速度を変化させて消去パワーに設定した記録用集束光ビームを直流的に照射した場合に、消去比が20dBを超える最大の線速度とする。LVmaxより高い記録線速度でオーバーライトを行うと、消え残りが発生して記録品質が著しく低下することとなる。このため、LVmaxは、オーバーライト可能な最高線速度であるといえる。
In setting the scanning linear velocity at the time of initial crystallization, the scanning at the time of initializing crystallization is conventionally performed with respect to the maximum linear velocity LVmax that can erase the amorphous mark of the optical information recording medium after initialization. In general, the linear velocity is set to a value equal to or slightly lower than LVmax.
Here, LVmax means that when an amorphous mark is recorded on an optical information recording medium, and then the recording focused light beam set to the erasing power is changed by changing the linear velocity and irradiating with a direct current, it is erased. The maximum linear velocity is over 20 dB. When overwriting is performed at a recording linear velocity higher than LVmax, unerased portions are generated and the recording quality is remarkably deteriorated. For this reason, it can be said that LVmax is the highest linear velocity that can be overwritten.
なお、消え残りとは、非晶質マークが再結晶化しきれずに残る現象、及び消去パワーにより記録層が溶融してしまうために、再結晶化しきれずに非晶質領域が再度形成されてしまう現象、の2つをいう。特に、後者の現象を再非晶質化と呼ぶ。これは、再結晶化による消去を目的とする消去パワーでの記録用集束ビームの照射によって、再結晶化ではなく非晶質が形成されてしまう現象である。 Note that the remaining unerased is a phenomenon that the amorphous mark remains without being recrystallized and the recording layer is melted by the erasing power, so that the amorphous region is formed again without being recrystallized. It means two phenomena. In particular, the latter phenomenon is called re-amorphization. This is a phenomenon in which an amorphous state is formed instead of recrystallization by irradiation of a recording focused beam with an erasing power intended for erasing by recrystallization.
従来、ディスク状の記録媒体の初期化においては、ディスク全面に渡って、初期結晶化時の走査線速度をLVmax以下とするのが通常であった。溶融初期化においても、この条件を満足している限り、再非晶質化はおきず、すべて再結晶化して良好な初期結晶状態が得られていた。一方、初期結晶化時の走査線速度をLVmaxより大きくすると、再非晶質化が起きやすい傾向にあった。 Conventionally, in initialization of a disk-shaped recording medium, it has been usual to set the scanning linear velocity at the time of initial crystallization to LVmax or less over the entire surface of the disk. Even in the melt initialization, as long as this condition was satisfied, re-amorphization did not occur, and all the crystals were recrystallized to obtain a good initial crystal state. On the other hand, when the scanning linear velocity at the time of initial crystallization is higher than LVmax, re-amorphization tends to occur.
これに対し、本発明記録方法においては、特に、LVmaxが概ね20m/sとなるような光学的情報記録用媒体において、初期結晶化時の走査線速度をLVmax以上としても再非晶質化がおきず、より良好な初期結晶状態が得られることがわかった。
上記LVmaxが概ね20m/sとなるような光学的情報記録用媒体の具体例としては、記録層の組成を、上述のGex(InwSn1-w)yTezSb1-x-y-zとする例を挙げることができる。ここで、Sbの含有量は、Geの含有量、Inの含有量、Snの含有量、及びTeの含有量のいずれよりも多く、原子数比を表すx、y、z、及びwは下記(i)から(vi)を満たすようにする。
(i)0≦x≦0.3
(ii)0.07≦y−z
(iii)w×y−z≦0.1
(iv)0<z
(v)(1−w)×y≦0.35
(vi)0.35≦1−x−y−z
[J]ゾーンの数と幅
以上説明した、CAV、ZCAV、ZCLV方式等においてゾーンを用いて初期化を行なう場合、ゾーンの設定は以下のようにして行なう。
In contrast, in the recording method of the present invention, in particular, in an optical information recording medium having an LVmax of approximately 20 m / s, re-amorphization can be achieved even if the scanning linear velocity at the time of initial crystallization is set to LVmax or more. As a result, it was found that a better initial crystal state was obtained.
Specific examples of the optical information recording medium as described above LVmax is approximately 20 m / s, the composition of the recording layer, the above-mentioned Ge x (In w Sn 1- w) y Te z Sb 1-xyz An example can be given. Here, the Sb content is higher than any of the Ge content, the In content, the Sn content, and the Te content, and x, y, z, and w representing the atomic ratio are as follows: Satisfy (i) to (vi).
(I) 0 ≦ x ≦ 0.3
(Ii) 0.07 ≦ yz
(Iii) w × y−z ≦ 0.1
(Iv) 0 <z
(V) (1-w) × y ≦ 0.35
(Vi) 0.35 ≦ 1-xyz
[J] Number and Width of Zones When initialization is performed using zones in the CAV, ZCAV, ZCLV method, etc. described above, the zones are set as follows.
つまり、ゾーンの数は、通常2以上、好ましくは3以上とする。一方、ゾーンの数は、通常50以下、好ましくは30以下、より好ましくは10以下とする。上記範囲内とすれば、複雑な制御を行なうことなく、初期化を行なうことができる。
また、一つのゾーンの幅は、記録媒体の大きさにもよるが、通常1mm以上、好ましくは2mm以上とする、一方、一つのゾーンの幅は、通常20mm以下、好ましくは10mm以下とする。上記範囲内とすれば、複雑な制御を行なうことなく、初期化を行なうことができる。
That is, the number of zones is usually 2 or more, preferably 3 or more. On the other hand, the number of zones is usually 50 or less, preferably 30 or less, more preferably 10 or less. Within the above range, initialization can be performed without performing complicated control.
Further, although the width of one zone depends on the size of the recording medium, it is usually 1 mm or more, preferably 2 mm or more, while the width of one zone is usually 20 mm or less, preferably 10 mm or less. Within the above range, initialization can be performed without performing complicated control.
但し、P−CAV方式の場合は、線速度を一定にする領域が存在するため、ゾーンの設定は以下のようにして行なう。
つまり、ゾーンの数は、通常2以上、好ましくは3以上とする。一方、ゾーンの数は、通常50以下、好ましくは30以下、より好ましくは10以下とする。上記範囲内とすれば、複雑な制御を行なうことなく、初期化を行なうことができる。
However, in the case of the P-CAV system, since there is a region where the linear velocity is constant, the zone is set as follows.
That is, the number of zones is usually 2 or more, preferably 3 or more. On the other hand, the number of zones is usually 50 or less, preferably 30 or less, more preferably 10 or less. Within the above range, initialization can be performed without performing complicated control.
また、一つのゾーンの幅は、記録媒体の大きさにもよるが、通常1mm以上、好ましくは2mm以上とする、一方、一つのゾーンの幅は、通常35mm以下とする。上記範囲内とすれば、複雑な制御を行なうことなく、初期化を行なうことができる。
(3)初期化装置
[A]以下、本発明の初期化装置について、図16を参照しながら説明する。
Further, although the width of one zone depends on the size of the recording medium, it is usually 1 mm or more, preferably 2 mm or more, while the width of one zone is usually 35 mm or less. Within the above range, initialization can be performed without performing complicated control.
(3) Initialization apparatus [A] The initialization apparatus of the present invention will be described below with reference to FIG.
図16に示すように、本初期化装置1は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する記録媒体2の記録層を初期結晶化するための装置であって、記録媒体2を回転駆動するスピンドルモータ3と、スピンドルモータ3を駆動するモータドライバ4と、初期化ヘッド(レーザヘッド)5と、初期化ヘッド5を駆動する初期化ヘッド用ドライバ6と、各デバイスに対する制御を行なう制御部(例えばCPUやメモリを備える)7とを備えて構成される。
As shown in FIG. 16, the
ここで、初期化ヘッド5は、例えばレーザダイオード,フォーカスやトラッキングを行なうために用いられるアクチュエータ等を備えるものとして構成される。また、初期化ヘッド用ドライバ6は、レーザダイオードを駆動するレーザドライバ(レーザダイオードドライバ)と、アクチュエータを駆動するドライバとを含むものとして構成される。
そして、制御部7によって、上述の初期結晶化工程における走査線速度の速度制御、集束光(レーザ光)の強度制御、スピンドルモータの回転数制御などが実行されることになる。
[B]具体的には、制御部7が、スピンドルモータ3や初期化ヘッド5を制御して、記録層上にレーザ光(集束光)を照射させて形成される光スポットを記録媒体の周方向に走査させるようになっている。特に、本発明では、制御部7が、光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を記録媒体2の外周部ほど大きくするようになっている。
Here, the
Then, the control unit 7 executes speed control of the scanning linear velocity, intensity control of focused light (laser light), spindle motor rotation speed control, and the like in the above-described initial crystallization process.
[B] Specifically, the control unit 7 controls the
ここで、制御部7を、走査線速度が速くなるにしたがって、集束光の強度を上げるように構成する。そして初期結晶化領域の全面を初期化する。
さらに、制御部7を、記録媒体の単位時間当たりの回転数R0を一定にするように構成するもの好ましい。R0の満たすべき条件については、上述した通りである。
[C]また、制御部7を、下記の条件を満たすように設定された回転数R0に基づいて記録媒体を回転させるように構成するのも好ましい。
(i)記録媒体を複数用意し、そのうちの1つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも前記記録媒体の記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
(ii)前記最内周トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)別の記録媒体に対し、前記(i)の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記(ii)〜(iv)を行なう。
(vi)記録媒体を変えて(v)の操作を繰り返す。
(Vii)それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、R0を、J2/J10を1.6以下とするような回転数に設定する。
[D]また、記録媒体の径方向に沿って初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、制御部7が、各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げるように構成されることが好ましい。そして、記録層の初期結晶化を行なう場合に、下記の条件を満たすように設定された各ゾーンの集束光の強度に基づいて各ゾーンにおける集束光の強度を制御するように構成するのも好ましい。
(i)初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体の記録領域内の各ゾーンにおいて、最内周付近の1トラック、中央部付近の1トラック、及び最外周付近の1トラックにそれぞれ2回の記録を行ない、最内周付近の1トラックにおける2回記録後のジッタ値J2inzcav、最外周付近の1トラックにおける2回記録後のジッタ値J2outzcav、前記中央付近の1トラックにおける2回記録後のジッタ値J2midzcavをそれぞれ測定する。
(ii)中央部付近の1トラックに対してさらに8回の記録を行ない、10回記録後のジッタ値J10midzcavを測定する。
(iii)前記(i),(ii)で測定されたJ2inzcav,J2outzcav,J2midzcav及びJ10midzcavが、下記の条件を満たすようにする。
Here, the control unit 7 is configured to increase the intensity of the focused light as the scanning linear velocity increases. Then, the entire surface of the initial crystallization region is initialized.
Further, it is preferable that the control unit 7 is configured so as to make the rotation speed R0 per unit time of the recording medium constant. The conditions to be satisfied by R0 are as described above.
[C] It is also preferable that the control unit 7 is configured to rotate the recording medium based on the rotation speed R0 set so as to satisfy the following conditions.
(I) A plurality of recording media are prepared, and one of the recording media is rotated at an arbitrary number of revolutions, and at least the recording layer formed on the innermost track of the recording area of the recording medium is initially crystallized. Turn into.
(Ii) Recording is performed twice on the innermost track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) After initial crystallization is performed on another recording medium at a rotational speed different from the rotational speed of (i), the above (ii) to (iv) are performed.
(Vi) The operation of (v) is repeated while changing the recording medium.
(Vii) The relationship between J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained from the recording medium initially crystallized at each rotational speed and the rotational speed at the time of initial crystallization is obtained. And R0 is set to the rotation speed which makes J2 / J10 1.6 or less.
[D] Further, the initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, and the control unit 7 makes the intensity of the focused light irradiated in each zone constant, and the zone on the outer peripheral side of the recording medium. It is preferable to be configured to increase the intensity of the focused light. Further, when performing the initial crystallization of the recording layer, it is also preferable that the intensity of the focused light in each zone is controlled based on the intensity of the focused light in each zone set so as to satisfy the following conditions. .
(I) In each zone in the recording area of the optical information recording medium obtained through the initial crystallization, one track near the innermost periphery, one track near the central portion, and one track near the outermost periphery, respectively. 2 times recording, jitter value J2inzcav after 2 times recording in 1 track near innermost circumference, jitter value J2outzcav after 2 times recording in 1 track near outermost circumference, 2 times recording in 1 track near the center The subsequent jitter value J2midzcav is measured.
(Ii) Recording is further performed 8 times for one track near the center, and the jitter value J10midzcav after 10 times of recording is measured.
(Iii) J2inzcav, J2outzcav, J2midzcav and J10midzcav measured in (i) and (ii) are set so as to satisfy the following conditions.
J2inzcav/J10midzcav≦1.6
J2midzcav/J10midzcav≦1.6
J2outzcav/J10midzcav≦1.6
[E]また、記録媒体の径方向に沿って初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、制御部7を、各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げるように構成することが好ましい。ここで、下記の条件を満たすように設定された各ゾーンの集束光の強度に基づいて各ゾーンにおける集束光の強度を制御することが好ましい。
(i)初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体の記録領域内の各ゾーンにおいて、最内周付近の1トラック、中央部付近の1トラック、及び最外周付近の1トラックにそれぞれ1回の記録を行ない、1回記録後の前記最内周付近の1トラックの反射率値Ref1inzcav、中央部付近の1トラックの反射率値Ref1midzcav、及び最外周付近の1トラックの反射率値Ref1outzcavをそれぞれ測定する。
(ii)それぞれのトラックにさらに9回の記録を行ない、10回記録後の最内周付近の1トラックの反射率値Ref10inzcav、中央部付近の1トラックの反射率値Ref10midzcav及び最外周付近の1トラックの反射率値Ref10outzcavをそれぞれ測定する。
(iii)上記(i),(ii)で測定されたRef1inzcav,Ref1midzcav,Ref1outzcav,Ref10inzcav,Ref10midzcav及びRef10outzcavが、下記の条件を満たすようにする。
J2inzcav / J10midzcav ≦ 1.6
J2midzcav / J10midzcav ≦ 1.6
J2outzcav / J10midzcav ≦ 1.6
[E] Further, the initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, and the control unit 7 makes the intensity of the focused light irradiated in each zone constant, and the zone on the outer peripheral side of the recording medium. It is preferable to increase the intensity of the focused light. Here, it is preferable to control the intensity of the focused light in each zone based on the intensity of the focused light in each zone set to satisfy the following conditions.
(I) In each zone in the recording area of the optical information recording medium obtained through the initial crystallization, one track near the innermost periphery, one track near the central portion, and one track near the outermost periphery, respectively. After recording once, reflectivity value Ref1inzcav of one track near the innermost track after one recording, reflectivity value Ref1midzcav of one track near the center, and reflectivity value Ref1outzcav of one track near the outermost track Measure each.
(Ii) Recording is further performed 9 times on each track, and after 10 recordings, the reflectance value Ref10inzcav of one track near the innermost periphery, the reflectance value Ref10midzcav of one track near the center, and 1 near the outermost periphery. The reflectance value Ref10outzcav of the track is measured.
(Iii) Ref1inzcav, Ref1midzcav, Ref1outzcav, Ref10inzcav, Ref10midzcav and Ref10outzcav measured in the above (i) and (ii) should satisfy the following conditions.
|Ref1inzcav−Ref1outzcav|/Ref1midzcav≦0.05
|Ref10inzcav−Ref1inzcav|/Ref10inzcav≦0.05
|Ref10midzcav−Ref1midzcav|/Ref10midzcav≦0.05
|Ref10outzcav−Ref1outzcav|/Ref10outzcav≦0.05
[F]また、隣接する2つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンA、外周側に位置するゾーンをゾーンBとする。また、ゾーンAの初期化集束光強度をPin、ゾーンBの初期化集束光強度をPoutとする。さらに、上記Pin及び上記Poutと、下記方法で測定される最小初期化レーザ強度PJmin及び最大初期化レーザ強度PJmaxと、が
PJmin≦Pin≦Pout≦PJmax、
を満たすように集束光の強度を設定する。そして、上記設定に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部7を構成するのも好ましい。
(最大初期化レーザ強度PJmax、最小初期化レーザ強度PJminの満たすべき条件)
前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンA内の最外周付近の1トラックに2回記録を行った時のジッタ値をJ2zoneAout、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンA内の中央部付近の1トラックに10回記録を行った時のジッタ値をJ10zoneAmid、及び、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンB内の最内周付近の1トラックに2回記録を行ったときのジッタ値をJ2zoneBinとしたときに、
前記J2zoneAout、前記J2zoneBin、及び前記J10zoneAmidが、
J2zoneAout/J10zoneAmid≦1.6
J2zoneBin/J10zoneAmid≦1.6
を満たすようなレーザ強度の最小値をPJmin、レーザ強度の最大値をPJmaxとする。
[G]また、隣接する2つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンA、外周側に位置するゾーンをゾーンBとする。また、ゾーンAの初期化集束光強度をPin、ゾーンBの初期化集束光強度をPoutとする。さらに、上記Pin及び上記Poutと、下記方法で測定される最小初期化レーザ強度PRmin及び最大初期化レーザ強度PRmaxと、が
PRmin≦Pin≦Pout≦PRmax
を満たすように集束光の強度を設定する。そして、上記設定に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部7を構成するのも好ましい。
(最大初期化レーザ強度PRmax、最小初期化レーザ強度PRminが満たすべき条件)
前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンAの最外周付近の1トラックに1回記録を行った時の反射率値をRefzoneAout、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンAの中央部付近の1トラックに1回記録を行った時の反射率をRefzoneAmid、及び、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンBの最内周付近の1トラックに1回記録を行ったときの反射率値をRefzoneBinとしたときに、
|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid≦0.05
を満たすようなレーザ強度の最小値をPRmin、レーザ強度の最大値をPRmaxとする。
[H]また、記録媒体の径方向に沿って初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで走査線速度を一定にするように、制御部7が構成されることが好ましい。そして、制御部7が、記録層の初期結晶化を行なう場合に、下記の条件を満たすように設定された各ゾーンの集束光の強度に基づいて各ゾーンの集束光の強度を制御するように構成するのも好ましい。
(i)初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体の記録領域内の各ゾーンにおいて、中央部付近の1トラックに2回の記録を行ない、2回記録後のジッタ値J2midzclvを測定する。
(ii)中央部付近の1トラックに対してさらに8回の記録を行ない、10回記録後のジッタ値J10midzclvを測定する。
(iii)上記(i),(ii)で測定されたJ2midzclv及びJ10midzclvが、下記の条件を満たすように各ゾーンでの集束光の強度を設定する。
| Ref1inzcav−Ref1outzcav | /Ref1midzcav≦0.05
| Ref10inzcav−Ref1inzcav | /Ref10inzcav≦0.05
| Ref10midzcav−Ref1midzcav | /Ref10midzcav≦0.05
| Ref10outzcav−Ref1outzcav | /Ref10outzcav≦0.05
[F] Of the two adjacent zones, the zone located on the inner circumference side is designated as zone A, and the zone located on the outer circumference side is designated as zone B. Further, the initialization focused light intensity in zone A is Pin, and the initialization focused light intensity in zone B is Pout. Further, the above-mentioned Pin and Pout, and the minimum initialization laser intensity PJmin and the maximum initialization laser intensity PJmax measured by the following method are PJmin ≦ Pin ≦ Pout ≦ PJmax,
The intensity of the focused light is set so as to satisfy And it is also preferable to comprise the control part 7 so that the intensity | strength of focused light may be controlled based on the said setting.
(Conditions to be satisfied by maximum initialization laser intensity PJmax and minimum initialization laser intensity PJmin)
J2zoneAout is a jitter value when recording is performed twice on one track in the vicinity of the outermost periphery in the zone A in the optical information recording medium, and the vicinity of the central portion in the zone A in the optical information recording medium. J10 zoneAmid is the jitter value when recording is performed 10 times on one track, and the jitter value when recording is performed twice on one track near the innermost circumference in the zone B of the optical information recording medium. When J2zoneBin
The J2zoneAout, the J2zoneBin, and the J10zoneAmid are
J2zoneAout / J10zoneAmid ≦ 1.6
J2zoneBin / J10zoneAmid ≦ 1.6
The minimum value of the laser intensity that satisfies the above is PJmin, and the maximum value of the laser intensity is PJmax.
[G] Further, of two adjacent zones, a zone located on the inner peripheral side is referred to as zone A, and a zone located on the outer peripheral side is referred to as zone B. Further, the initialization focused light intensity in zone A is Pin, and the initialization focused light intensity in zone B is Pout. Further, the above-mentioned Pin and Pout, and the minimum initialization laser intensity PRmin and the maximum initialization laser intensity PRmax measured by the following method are: PRmin ≦ Pin ≦ Pout ≦ PRmax
The intensity of the focused light is set so as to satisfy And it is also preferable to comprise the control part 7 so that the intensity | strength of focused light may be controlled based on the said setting.
(Conditions that the maximum initialization laser intensity PRmax and the minimum initialization laser intensity PRmin should satisfy)
The reflectance value when recording is performed once on one track near the outermost periphery of the zone A in the optical information recording medium is RefzoneAout, and the reflectance value is 1 near the center of the zone A in the optical information recording medium. The reflectance when recording is performed once on the track is RefzoneAmid, and the reflectance value when recording is performed once on one track near the innermost circumference of the zone B in the optical information recording medium is RefzoneBin. And when
| RefzoneAout−RefzoneBin | /RefzoneAmid≦0.05
The minimum value of the laser intensity that satisfies the above is PRmin, and the maximum value of the laser intensity is PRmax.
[H] In addition, the initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, and the rotational speed at the innermost circumferential position in each zone is constant. The control unit 7 is preferably configured so that the scanning linear velocity is constant up to the outer periphery. When the control unit 7 performs initial crystallization of the recording layer, the control unit 7 controls the intensity of the focused light in each zone based on the intensity of the focused light in each zone set so as to satisfy the following conditions. It is also preferable to configure.
(I) In each zone in the recording area of the optical information recording medium obtained through the initial crystallization, recording is performed twice on one track near the center, and the jitter value J2midzclv after the second recording is measured. To do.
(Ii) Recording is further performed 8 times for one track near the center, and the jitter value J10midzclv after 10 times of recording is measured.
(Iii) The intensity of the focused light in each zone is set so that J2midzclv and J10midzclv measured in (i) and (ii) above satisfy the following conditions.
J2midzclv/J10midzclv≦1.6
[I]また、記録媒体の径方向に沿って初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、制御部7が、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで走査線速度を一定となる様に構成されることが好ましい。ここで、下記の条件を満たすように設定された各ゾーンの集束光の強度に基づいて各ゾーンの集束光の強度を制御することが好ましい。
(i)初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体の記録領域内の各ゾーンにおいて、中央部付近の1トラック1回の記録を行ない、反射率値Ref1midzclvを測定する。
(ii)中央部付近の1トラックに対してさらに9回の記録を行ない、10回記録後の反射率値Ref10midzclvを測定する。
(iii)上記(i),(ii)で測定されたRef1midzclv及びRef10midzclvが、下記の条件を満たすようにする。
J2midzclv / J10midzclv ≦ 1.6
[I] Further, the initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, and the control unit 7 keeps the rotation speed at the innermost circumferential position in each zone constant. It is preferable that the scanning linear velocity is constant from the innermost circumference to the outermost circumference. Here, it is preferable to control the intensity of the focused light in each zone based on the intensity of the focused light in each zone set so as to satisfy the following conditions.
(I) In each zone in the recording area of the optical information recording medium obtained through the initial crystallization, recording is performed once per track near the center, and the reflectance value Ref1midzclv is measured.
(Ii) Recording is further performed 9 times on one track near the center, and the reflectance value Ref10midzclv after 10 recordings is measured.
(Iii) Ref1midzclv and Ref10midzclv measured in the above (i) and (ii) satisfy the following conditions.
|Ref10midzclv−Ref1midzclv|/Ref10midzclv≦0.05
[J]また、前記複数のゾーンのうち隣接する2つのゾーンにおける内周側に位置するゾーンをゾーンA、外周側に位置するゾーンをゾーンBとする。また、ゾーンAの初期化集束光強度をPin、ゾーンBの初期化集束光強度をPoutとする。そして、下記の条件を満たすように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部7を構成することも好ましい。
(i)記録媒体を2つ用意する。一方の記録媒体において、ゾーンAを初期化集束光強度Pinで初期結晶化し、ゾーンBを初期化集束光強度Poutで初期結晶化して光学的情報記録用媒体を得る。そして、前記光学的情報記録用媒体のゾーンAの中央部付近の1トラックに10回の記録を行ない、10回記録後のジッタ値J10zoneAPinを測定するとともに、ゾーンBの中央部付近の1トラックに10回の記録を行ない、10回記録後のジッタ値J10zoneBPoutを測定する。
(ii)他方の記録媒体において、ゾーンAを初期化集束光強度Poutで初期結晶化し、ゾーンBを初期化集束光強度Pinで初期結晶化して光学的情報記録用媒体を得る。そして、前記光学的情報記録用媒体のゾーンAの中央部付近の1トラックに2回の記録を行ない、2回記録後のジッタ値J2zoneAPoutを測定するとともに、ゾーンBの中央部付近の1トラックに2回の記録を行ない、2回記録後のジッタ値J2zoneBPinを測定する。
(iii)上記(i),(ii)で測定されたJ10zoneAPinとJ2zoneAPoutとが、
J2zoneAPout/J10zoneAPin≦1.6
の条件を満たし、
上記(i),(ii)で測定されたJ10zoneBPoutとJ2zoneBPinとが、
J2zoneBPin/J10zoneBPout≦1.6
の条件を満たすようにする。
[K]また、前記複数のゾーンのうち隣接する2つのゾーンにおける、内周側に位置するゾーンをゾーンA、外周側に位置するゾーンをゾーンBとする。また、ゾーンAの初期化集束光強度をPin、ゾーンBの初期化集束光強度をPoutとする。そして、下記の条件を満たすように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部7を構成するのも好ましい。
(i)記録媒体を2つ用意し、一方の記録媒体において、ゾーンA,Bを初期化集束光強度Pinで初期結晶化して光学的情報記録用媒体を得る。そして、前記光学的情報記録用媒体のゾーンAの中央部付近の1トラックに1回の記録を行ない、1回記録後の反射率Ref1zoneAPinを測定するとともに、ゾーンBの中央部付近の1トラックに1回の記録を行ない、1回記録後の反射率Ref1zoneBPinを測定する。
(ii)他方の記録媒体において、ゾーンAを初期化集束光強度Poutで初期結晶化して光学的情報記録用媒体を得る。そして、前記光学的情報記録用媒体のゾーンAの中央部付近の1トラックに1回の記録を行ない、1回記録後の反射率Ref1zoneAPoutを測定する。
(iii)上記(i),(ii)で測定されたRef1zoneAPin,Ref1zoneBPin,Ref1zoneAPoutが、
|Ref1zoneAPout−Ref1zoneBPin|/Ref1zoneAPin≦0.05
の関係を満たすようにする。
[L]ここで、制御部7を以下のように構成することも好ましい。つまり、ゾーンAの集束光強度Pinの取りうる最小値をPinmin、最大値をPinmaxとし、ゾーンBの集束光強度Poutの取りうる最小値をPoutmin、最大値をPoutmaxとする。さらに、ゾーンAで外周側へ向かうにつれて集束光強度PinをPinminからPinmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンAの最外周における集束光強度Pinの値をPinzoneAoutとする。同様に、ゾーンBで外周側へ向かうにつれて集束光強度PoutをPoutminからPoutmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンBの最内周における集束光強度Poutの値をPoutzoneBinとする。ここで、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin=PinzoneAout
となるように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部7を構成するのも好ましい。但し、「PoutzoneBin=PinzoneAout」とはいっても、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの間に、±10%程度の誤差は許容される。
[M]また、制御部7を以下のように構成することも好ましい。つまり、ゾーンAの集束光強度Pinの取りうる最小値をPinmin、最大値をPinmaxとし、ゾーンBの集束光強度Poutの取りうる最小値をPoutmin、最大値をPoutmaxとする。さらに、ゾーンAで外周側へ向かうにつれて集束光強度PinをPinminからPinmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンAの最外周における集束光強度Pinの値をPinzoneAoutとする。同様に、ゾーンBで外周側へ向かうにつれて集束光強度PoutをPoutminからPoutmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンBの最内周における集束光強度Poutの値をPoutzoneBinとする。ここで、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin>PinzoneAout
となるようにし、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの差が最小になるように設定する。上記設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部7を構成しても良い。
[N]また、制御部7を、初期結晶化領域の最内周の位置から記録媒体の外周側へ向かって所定の径方向位置に達するまでは、単位時間当たりの回転数R0を一定とし、所定の径方向位置から記録層の初期結晶化領域の最外周の位置までは走査線速度を一定するように構成するのも好ましい。R0の満たすべき条件については、上述した通りである。
[O]ここで、上記所定の径方向位置における最大線速度Vmaxを、以下の条件を満たすように設定することが好ましい。
(i)初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
(ii)トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)線速度を変化させて前記(i)〜(iv)を繰り返す。
(vi)それぞれの線速度で得られたジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10を1.6以下にするような線速度を最大線速度Vmaxとする。
[P]また、記録層を初期結晶化する際に用いる最大線速度を、光学的情報記録用媒体の非晶質マークの消去が可能な最大線速度以上とするのも好ましい。
[Q]なお、本発明の初期化装置においては、集束光がレーザ光であることが好ましい。
[R]その他
上記[C]〜[M],[O]の回転数の設定、集束光の強度の設定、所定径方向位置における線速度の設定は、初期結晶化工程の前に予め行なっておき、その結果を制御部7のメモリに記憶させておいて、初期結晶化工程において、これらをメモリから読み出して、スピンドルモータの回転数制御、集束光(好ましくはレーザ光)の強度制御、走査線の速度制御を行なうようにすれば良い。
| Ref10midzclv−Ref1midzclv | /Ref10midzclv≦0.05
[J] Further, a zone located on the inner peripheral side of two adjacent zones among the plurality of zones is referred to as zone A, and a zone located on the outer peripheral side is referred to as zone B. Further, the initialization focused light intensity in zone A is Pin, and the initialization focused light intensity in zone B is Pout. And it is also preferable to comprise the control part 7 so that the intensity | strength of focused light may be controlled based on the intensity | strength of focused light set so that the following conditions may be satisfy | filled.
(I) Two recording media are prepared. On one recording medium, zone A is initially crystallized with an initial focused light intensity Pin, and zone B is initially crystallized with an initial focused light intensity Pout to obtain an optical information recording medium. Then, recording is performed 10 times on one track near the center of the zone A of the optical information recording medium, and the jitter value J10zoneAPin after 10 times recording is measured, and on one track near the center of the zone B. The recording is performed 10 times, and the jitter value J10zoneBPout after the 10th recording is measured.
(Ii) In the other recording medium, the zone A is initially crystallized with the initialized focused light intensity Pout, and the zone B is initially crystallized with the initialized focused light intensity Pin to obtain an optical information recording medium. Then, recording is performed twice on one track near the center of zone A of the optical information recording medium, the jitter value J2zoneAPout after the second recording is measured, and on one track near the center of zone B. Perform recording twice and measure the jitter value J2zoneBPin after the second recording.
(Iii) J10zoneAPin and J2zoneAPout measured in (i) and (ii) above are
J2zoneAPout / J10zoneAPin ≦ 1.6
Meet the requirements of
J10zoneBPout and J2zoneBPin measured in (i) and (ii) above are
J2zoneBPin / J10zoneBPout ≦ 1.6
Meet the requirements of
[K] Further, in two adjacent zones among the plurality of zones, a zone located on the inner circumference side is designated as zone A, and a zone located on the outer circumference side is designated as zone B. Further, the initialization focused light intensity in zone A is Pin, and the initialization focused light intensity in zone B is Pout. And it is also preferable to comprise the control part 7 so that the intensity | strength of focused light may be controlled based on the intensity | strength of focused light set so that the following conditions may be satisfy | filled.
(I) Two recording media are prepared, and in one of the recording media, zones A and B are initially crystallized with the initializing focused light intensity Pin to obtain an optical information recording medium. Then, recording is performed once on one track near the center of zone A of the optical information recording medium, and the reflectance Ref1zoneAPin after one recording is measured, and on one track near the center of zone B. Record once and measure the reflectance Ref1zoneBPin after the first recording.
(Ii) In the other recording medium, the zone A is initially crystallized with the initializing focused light intensity Pout to obtain an optical information recording medium. Then, one recording is performed on one track near the center of the zone A of the optical information recording medium, and the reflectance Ref1zoneAPout after one recording is measured.
(Iii) Ref1zoneAPin, Ref1zoneBPin, and Ref1zoneAPout measured in (i) and (ii) above are
| Ref1zoneAPout−Ref1zoneBPin | /Ref1zoneAPin≦0.05
To satisfy the relationship.
[L] Here, it is also preferable to configure the control unit 7 as follows. That is, the minimum value that can be taken by the focused light intensity Pin of the zone A is Pinmin, the maximum value is Pinmax, the minimum value that can be taken by the focused light intensity Pout of the zone B is Poutmin, and the maximum value is Poutmax. Furthermore, as it goes to the outer peripheral side in the zone A, the focused light intensity Pin is gradually increased within a range from Pinmin to Pinmax. The value of the focused light intensity Pin at the outermost periphery of the zone A is PinzoneAout. Similarly, the focused light intensity Pout is gradually increased in the range from Poutmin to Poutmax as it goes to the outer peripheral side in the zone B. The value of the focused light intensity Pout at the innermost circumference of the zone B is PoutzoneBin. Here, the relationship between PinoutBin and PinzoneAout is
PoutzoneBin = PinzoneAout
It is also preferable to configure the control unit 7 so as to control the intensity of the focused light based on the intensity of the focused light set to be However, even if “PoutzoneBin = PinzoneAout”, an error of about ± 10% is allowed between PoutzoneBin and PinzoneAout.
[M] It is also preferable to configure the control unit 7 as follows. That is, the minimum value that can be taken by the focused light intensity Pin of the zone A is Pinmin, the maximum value is Pinmax, the minimum value that can be taken by the focused light intensity Pout of the zone B is Poutmin, and the maximum value is Poutmax. Furthermore, as it goes to the outer peripheral side in the zone A, the focused light intensity Pin is gradually increased within a range from Pinmin to Pinmax. The value of the focused light intensity Pin at the outermost periphery of the zone A is PinzoneAout. Similarly, the focused light intensity Pout is gradually increased in the range from Poutmin to Poutmax as it goes to the outer peripheral side in the zone B. The value of the focused light intensity Pout in the innermost circumference of the zone B is PoutzoneBin. Here, the relationship between PinoutBin and PinzoneAout is
PoutzoneBin> PinzoneAout
And set so that the difference between PinoutBin and PinzoneAout is minimized. The control unit 7 may be configured to control the intensity of the focused light based on the set intensity of the focused light.
[N] Further, the controller 7 sets the rotational speed R0 per unit time to be constant until it reaches a predetermined radial position from the innermost peripheral position of the initial crystallization region toward the outer peripheral side of the recording medium, It is also preferable that the scanning linear velocity is constant from the predetermined radial position to the outermost peripheral position of the initial crystallization region of the recording layer. The conditions to be satisfied by R0 are as described above.
[O] Here, it is preferable to set the maximum linear velocity Vmax at the predetermined radial position so as to satisfy the following condition.
(I) The recording layer formed on an arbitrary track in the initial crystallization region is initially crystallized at an arbitrary linear velocity.
(Ii) Recording is performed twice on the track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) The above (i) to (iv) are repeated while changing the linear velocity.
(Vi) The linear velocity that makes J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained at the respective linear velocities 1.6 or less is the maximum linear velocity Vmax.
[P] It is also preferable that the maximum linear velocity used for initial crystallization of the recording layer is equal to or higher than the maximum linear velocity capable of erasing the amorphous mark on the optical information recording medium.
[Q] In the initialization apparatus of the present invention, the focused light is preferably laser light.
[R] Others The rotational speeds of the above [C] to [M] and [O], the intensity of the focused light, and the linear velocity at a predetermined radial position are set in advance before the initial crystallization step. The results are stored in the memory of the control unit 7 and read out from the memory in the initial crystallization process to control the rotational speed of the spindle motor, control the intensity of the focused light (preferably laser light), and scan. The speed of the line may be controlled.
なお、初期結晶化工程において、上記[C]〜[M],[O],[P]の回転数の設定、集束光の強度の設定、所定径方向位置における線速度の設定は、例えば、以下の方法で行われる。つまり、上記回転数等の設定を評価装置などの他の装置で行ない、この結果を初期化装置に入力する。そして、これに基づいて、制御部7が、スピンドルモータの回転数制御、集束光(レーザ光)の強度制御、走査線の速度制御を行なうようにしても良い。また、他の方法として、例えば、以下の方法も挙げることができる。つまり、評価装置などの他の装置で設定された上記[C]〜[M],[O]の回転数、集束光の強度、所定径方向位置における線速度が、初期化装置へ送られるように構成する。そして、これに基づいて、制御部7が、スピンドルモータの回転数制御、集束光(レーザ光)の強度制御、走査線の速度制御を行なうようにすることもできる。この場合、評価装置などの他の装置と初期化装置とを連携させることで、自動的に、初期結晶化工程が行なわれることになる。 In the initial crystallization step, the setting of the rotational speeds of [C] to [M], [O], and [P], the setting of the intensity of the focused light, and the setting of the linear velocity at a predetermined radial position are, for example, The following method is used. That is, the setting of the rotational speed and the like is performed by another device such as an evaluation device, and the result is input to the initialization device. Based on this, the control unit 7 may perform the rotation speed control of the spindle motor, the intensity control of the focused light (laser light), and the speed control of the scanning line. Moreover, as another method, the following method can also be mentioned, for example. That is, the rotation speeds of the above [C] to [M] and [O], the intensity of the focused light, and the linear velocity at the predetermined radial position set by other apparatuses such as an evaluation apparatus are sent to the initialization apparatus. Configure. And based on this, the control part 7 can also be made to perform rotation speed control of a spindle motor, intensity | strength control of focused light (laser light), and speed control of a scanning line. In this case, the initial crystallization process is automatically performed by linking the initialization apparatus with another apparatus such as an evaluation apparatus.
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
(実施例1)
(A)記録媒体を得る工程
基板としては、下記形状の円盤状のポリカーボネート基板を用いた。
Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to the following examples.
Example 1
(A) Step of obtaining recording medium As the substrate, a disc-shaped polycarbonate substrate having the following shape was used.
トラックピッチ:0.74μm
溝幅:0.32μm
溝深さ:32nm、
トラック形状:スパイラル状
厚み:0.6mm
この基板上に、Arガスを用いたスパッタリング法により、60nmの(ZnS)80(SiO2)20保護層、2nmのY2O2S層、12nmのGe4.7In10.1Sb50.1Sn21.2Te13.9記録層、14nmのY2O2S層、2nmのTa界面層、200nmのAg反射層、約4μmの紫外線硬化樹脂層をこの順に形成した。Ta層はAg反射層中へのSの拡散を防ぐための界面層である。
Track pitch: 0.74 μm
Groove width: 0.32 μm
Groove depth: 32 nm
Track shape: Spiral thickness: 0.6mm
On this substrate, a 60 nm (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 protective layer, 2 nm Y 2 O 2 S layer, 12 nm Ge 4.7 In 10.1 Sb 50.1 Sn 21.2 Te 13.9 recording by sputtering using Ar gas. A 14 nm Y 2 O 2 S layer, a 2 nm Ta interface layer, a 200 nm Ag reflecting layer, and an about 4 μm UV-curing resin layer were formed in this order. The Ta layer is an interface layer for preventing diffusion of S into the Ag reflection layer.
各層の成膜は上記基板上に、真空を解除することなく、順にスパッタリング法によって積層した。ただし、紫外線硬化樹脂層はスピンコート法によって塗布した。その後に、未成膜の同様の0.6mm厚基板を、接着剤を介して上記記録層面が内側になるように貼り合せて1.2mm厚のディスク(記録媒体)とした。
この記録媒体は、初期結晶化工程後に書き換え型DVDとした場合において、DVDの基準線速度3.49m/s(1倍速)の約8〜10倍速までオーバーライト可能となるように、組成及び層構成が選ばれている。つまり、消去パワーを直流的に照射した場合の消去比が20dB以上となる線速度の上限が8〜10倍速になっている。
Each layer was laminated on the substrate by sputtering in order without releasing the vacuum. However, the ultraviolet curable resin layer was applied by spin coating. Thereafter, a similar 0.6 mm thick substrate, which was not formed, was bonded with an adhesive so that the recording layer surface was on the inside to form a 1.2 mm thick disc (recording medium).
This recording medium has a composition and a layer so that overwriting can be performed up to about 8 to 10 times the standard linear velocity of 3.49 m / s (1 × speed) when the rewritable DVD is used after the initial crystallization process. The configuration is chosen. That is, the upper limit of the linear velocity at which the erasing ratio is 20 dB or more when the erasing power is applied in a direct current is 8 to 10 times faster.
本実施例では、このような記録媒体を複数用意して様々な初期化条件で初期化を行い、得られた光学的情報記録用媒体の性能を評価した。
(B)初期化工程
以下の初期化条件、初期化方法を用いた。
<初期化条件>
波長が810nm、長軸約75μm、短軸約1μmの楕円形状のレーザ光を集束光に用いた。初期工程時のレーザ光強度は、1000〜4000mWの範囲内で変化させた。なお、用いた初期化装置の最大回転数は8200rpmであった。
<初期化方法>
CAV初期化
半径方向に複数のゾーンに分割した記録媒体に対して、内周から外周まで回転数を一定(R0)として、それぞれのゾーンに対してレーザヘッドのディスク1回転あたりの送り量を50μmとして、レーザ強度を1200〜3600mWの間で変えて初期化を行った。
In this example, a plurality of such recording media were prepared and initialized under various initialization conditions, and the performance of the obtained optical information recording medium was evaluated.
(B) Initialization process The following initialization conditions and initialization methods were used.
<Initialization conditions>
An elliptical laser beam having a wavelength of 810 nm, a major axis of about 75 μm, and a minor axis of about 1 μm was used as the focused light. The laser beam intensity at the initial step was changed within a range of 1000 to 4000 mW. The maximum rotation speed of the initialization device used was 8200 rpm.
<Initialization method>
CAV initialization For a recording medium divided into a plurality of zones in the radial direction, the rotational speed is constant (R0) from the inner periphery to the outer periphery, and the feed amount per rotation of the disk of the laser head is 50 μm for each zone. As a result, initialization was performed by changing the laser intensity between 1200 and 3600 mW.
ZCLV初期化
半径方向に複数のゾーンに分割した記録媒体に対して、それぞれのゾーンにおける最内周の回転数がR0で一定となるようにした。そして、それぞれのゾーン内での線速は一定とした。それぞれのゾーンに対してレーザヘッドのディスク1回転あたりの送り量を50μmとして、レーザ強度を1200〜3600mWの間で変えて初期化を行った。
ZCLV initialization For the recording medium divided into a plurality of zones in the radial direction, the rotational speed of the innermost circumference in each zone was made constant at R0. The linear velocity in each zone was constant. Initialization was performed by changing the laser intensity between 1200 to 3600 mW with a feed amount per one rotation of the laser head of 50 μm for each zone.
なお、初期化時の走査線速度V(m/s)は、ディスク回転数をR0(rpm)、初期化する半径位置をr(mm)とすると、
V(m/s)=(R0/60)×2×3.14×(r/1000)
で計算できる。
具体例として以下の実施例にあげる条件では、
5000rpm、23mmでは、12.3m/s
8200rpm、23mmでは、19.7m/s
8200rpm、35mmでは、15.0m/s
8200rpm、40mmでは、34.3m/s
8200rpm、43mmでは、36.9m/s
8200rpm、48mmでは、41.2m/s
8200rpm、50mmでは、42.9m/s
8200rpm、58mmでは、49.8m/s
となる。8200rpmの場合、半径約40mmより外側では、DVDの基準線速度のほぼ10倍速以上となる。そして、本記録媒体は、後述のように、DVDの10倍速以上の線速度で初期化すれば、良好な記録特性が得られている。
(C)光学的情報記録用媒体の評価方法
<評価装置>
装置名:ODU1000(パルステック社製)
集束光:波長が650nmで、NA=0.65のレーザ光
<評価方法>
基準線速度をDVDの基準線速度である3.49m/sとし、基準クロック周波数を26.2MHz(クロック周期Ts=38.2ns)とし、EFM+変調信号を8倍速で記録した後、基準線速度に於いてクロックジッターを測定した。
Note that the scanning linear velocity V (m / s) at the time of initialization is R0 (rpm) as the disk rotation speed and r (mm) as the radial position to be initialized.
V (m / s) = (R0 / 60) × 2 × 3.14 × (r / 1000)
It can be calculated with
As a specific example, in the conditions given in the following examples,
At 5000 rpm and 23 mm, 12.3 m / s
At 8200 rpm and 23 mm, 19.7 m / s
15.0 m / s at 8200 rpm and 35 mm
At 8200 rpm and 40 mm, 34.3 m / s
At 8200 rpm and 43 mm, 36.9 m / s
41.2 m / s at 8200 rpm and 48 mm
At 8200 rpm and 50 mm, 42.9 m / s
At 8200 rpm and 58 mm, 49.8 m / s
It becomes. In the case of 8200 rpm, outside the radius of about 40 mm, the speed is almost 10 times the DVD standard linear velocity or more. As will be described later, when the present recording medium is initialized at a linear velocity of 10 times or higher than that of DVD, good recording characteristics can be obtained.
(C) Evaluation method of optical information recording medium <Evaluation apparatus>
Device name: ODU1000 (Pulstec)
Focused light: Laser light having a wavelength of 650 nm and NA = 0.65 <Evaluation method>
The reference linear velocity is set to 3.49 m / s which is the reference linear velocity of DVD, the reference clock frequency is set to 26.2 MHz (clock cycle T s = 38.2 ns), and the EFM + modulated signal is recorded at 8 × speed. Clock jitter was measured at speed.
ここで、クロックジッターとは、以下のようにして求められる値である。つまり、再生信号をイコライザとLPFを通過させた後に、スライサにより2値化信号とする。そして、該2値化信号のリーディングエッジとトレーリングエッジのPLLクロックに対する時間のずれの標準偏差(ジッター)を求める。さらに、この標準偏差をクロック周期:Tで規格化したものをクロックジッターとする。 Here, the clock jitter is a value obtained as follows. That is, the reproduction signal is passed through the equalizer and the LPF, and then converted into a binary signal by the slicer. Then, a standard deviation (jitter) of a time lag with respect to the PLL clock of the leading edge and trailing edge of the binarized signal is obtained. Further, the standard deviation obtained by normalizing with the clock period: T is defined as clock jitter.
反射率値は以下のようにして求めた。つまり、前記方法によって記録した記録波形をオシロスコープに出力する。そして、基準線速度に於いて、14T信号振幅の最大値の平均的値をオシロスコープから直接読み取って、反射率値を求めた。
(D)最大回転数(Rmax、R0)の決定
初期化装置の回転数R0を5000rpmとして、記録媒体に対して、CAV初期化を実施した。そして、得られた光学的情報記録媒体の半径23mmのトラック(記録媒体の初期結晶化を行なう初期結晶化領域内にある記録領域の最内周のトラック)における2回記録後のジッタ値(J2)、10回記録後のジッタ値(J10)を測定した。
The reflectance value was determined as follows. That is, the recording waveform recorded by the above method is output to an oscilloscope. Then, at the reference linear velocity, the average value of the maximum value of the 14T signal amplitude was directly read from the oscilloscope to obtain the reflectance value.
(D) Determination of maximum rotation speed (Rmax, R0) The rotation speed R0 of the initialization apparatus was set to 5000 rpm, and CAV initialization was performed on the recording medium. Then, the jitter value (J2) after the second recording in the track having a radius of 23 mm of the obtained optical information recording medium (the innermost track of the recording area in the initial crystallization area where the initial crystallization of the recording medium is performed). ) The jitter value (J10) after 10 recordings was measured.
J2=Dow1jitter=15.19%
J10=Dow10jitter=8.26%
J2/J10=1.84
次に、別の記録媒体を用意しこの記録媒体に対して、初期化装置の回転数R0を8200rpm(初期化装置の最大回転数)として、CAV初期化を実施した。そして、得られた光学的情報記録媒体の半径23mmのトラック(記録媒体の初期結晶化を行なう初期結晶化領域内にある記録領域の最内周のトラック)における2回記録後のジッタ値(J2)、10回記録後のジッタ値(J10)を測定した。
J2 = Dow1jitter = 15.19%
J10 = Dow10jitter = 8.26%
J2 / J10 = 1.84
Next, another recording medium was prepared, and CAV initialization was performed on this recording medium with the rotation speed R0 of the initialization apparatus set to 8200 rpm (maximum rotation speed of the initialization apparatus). Then, the jitter value (J2) after the second recording in the track having a radius of 23 mm of the obtained optical information recording medium (the innermost track of the recording area in the initial crystallization area where the initial crystallization of the recording medium is performed). ) The jitter value (J10) after 10 recordings was measured.
J2=Dow1jitter=11.07%
J10=Dow10jitter=8.22%
J2/J10=1.35
本実施例で用いた初期化装置においては、回転数を8200rpmよりも速くすることができなかったが、回転数を8200rpmよりも速い回転数の下でCAV初期化を行えば、さらにJ2/J10の値が小さくなる(光学的情報記録用媒体の記録特性が良好になる)可能性がある。但し、実使用上の記録品質を考慮した場合、J2/J10が1.6以下となれば十分であるため、本発明では、8200rpmを最大回転数Rmax(R0)とした。
(E)ZCAVゾーン内の初期化レーザ強度の設定(ジッタ値による設定)
9枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数R0:8200rpmの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でCAV初期化を行った。ここで、初期化レーザ強度は、1200〜3600mWで変化させた。
J2 = Dow1jitter = 11.07%
J10 = Dow10jitter = 8.22%
J2 / J10 = 1.35
In the initialization apparatus used in this example, the rotational speed could not be made faster than 8200 rpm. However, if CAV initialization is performed at a rotational speed faster than 8200 rpm, J2 / J10 May be small (the recording characteristics of the optical information recording medium will be good). However, considering the recording quality in actual use, it is sufficient that J2 / J10 is 1.6 or less. Therefore, in the present invention, 8200 rpm is set as the maximum rotational speed Rmax (R0).
(E) Setting of initialization laser intensity in ZCAV zone (setting by jitter value)
Nine recording media were prepared, and CAV initialization was performed with different initialization laser intensities for the respective recording media under the condition of the rotational speed R0 of the initialization device: 8200 rpm. Here, the initialization laser intensity was changed at 1200 to 3600 mW.
得られた9枚の光学的情報記録用媒体(初期化レーザ強度がそれぞれ異なる初期化条件で初期化された記録媒体)における半径40〜50mmの位置を1つのゾーンとした。そして、このゾーン内の、
最内周付近の1トラックにおける2回記録後のジッタ値J2inzcav
最外周付近の1トラックにおける2回記録後のジッタ値J2outzcav
中央付近の1トラックにおける2回記録後のジッタ値J2midzcav
を測定した。
A position having a radius of 40 to 50 mm in the obtained nine optical information recording media (recording media initialized under different initialization conditions with different initialization laser intensities) was defined as one zone. And in this zone,
Jitter value J2inzcav after two recordings on one track near the innermost circumference
Jitter value J2outzcav after recording twice in one track near the outermost circumference
Jitter value after recording twice in one track near the center J2midzcav
Was measured.
また、上記中央部付近の1トラックにさらに8回の記録(のべ10回の記録)を行い、10回記録後のジッタ値J10midzcavを測定した。
そして、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
J2inzcav/J10midzcav
J2midzcav/J10midzcav
J2outzcav/J10midzcav
を算出した。
Further, 8 times of recording (total of 10 times of recording) was performed on one track near the center portion, and the jitter value J10midzcav after 10 times of recording was measured.
And in each optical information recording medium,
J2inzcav / J10midzcav
J2midzcav / J10midzcav
J2outzcav / J10midzcav
Was calculated.
このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図17に示す。同図において、「inner」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2inzcav/J10midzcav」の変化を示す。また、同図において「middle」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2midzcav/J10midzcav」の変化を示す。同様に、同図において「outer」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2outzcav/J10midzcav」の変化を示している。 The relationship between the calculation result thus obtained and the initialization laser intensity is shown in FIG. In the figure, the experimental result indicated by “inner” indicates a change of “J2inzcav / J10midzcav” with respect to the initialization laser intensity. In addition, the experimental result indicated by “middle” in the figure shows the change of “J2midzcav / J10midzcav” with respect to the initialization laser intensity. Similarly, the experimental result indicated by “outer” in the same figure shows the change of “J2outzcav / J10midzcav” with respect to the initialization laser intensity.
同図の結果から、初期化レーザ強度を1500〜3000mWに設定すれば、
J2inzcav/J10midzcav≦1.6
J2midzcav/J10midzcav≦1.6
J2outzcav/J10midzcav≦1.6
が確実に満たされることがわかる。さらに、初期化レーザ強度1800〜2400mWに設定すれば、
J2inzcav/J10midzcav≦1.3
J2midzcav/J10midzcav≦1.3
J2outzcav/J10midzcav≦1.3
が確実に満たされることがわかる。
(F)ZCAVゾーン内の初期化レーザ強度の設定(反射率値による設定)
9枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数R0:8200rpmの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でCAV初期化を行った。ここで、初期化レーザ強度は、1200〜3600mWで変化させた。
From the results in the figure, if the initialization laser intensity is set to 1500 to 3000 mW,
J2inzcav / J10midzcav ≦ 1.6
J2midzcav / J10midzcav ≦ 1.6
J2outzcav / J10midzcav ≦ 1.6
It can be seen that is surely satisfied. Furthermore, if the initialization laser intensity is set to 1800-2400 mW,
J2inzcav / J10midzcav ≦ 1.3
J2midzcav / J10midzcav ≦ 1.3
J2outzcav / J10midzcav ≦ 1.3
It can be seen that is surely satisfied.
(F) Setting of initialization laser intensity in ZCAV zone (setting by reflectance value)
Nine recording media were prepared, and CAV initialization was performed with different initialization laser intensities for the respective recording media under the condition of the rotational speed R0 of the initialization device: 8200 rpm. Here, the initialization laser intensity was changed at 1200 to 3600 mW.
得られた9枚の光学的情報記録用媒体(初期化レーザ強度がそれぞれ異なる初期化条件で初期化された記録媒体)における半径40〜50mmの位置を1つのゾーンとした。そして、このゾーン内の、
1回記録後における、最内周付近の1トラックの反射率値Ref1inzcav
中央部付近の1トラックの反射率値Ref1midzcav
最外周付近の1トラックの反射率値Ref1outzcav
を測定した後、それぞれのトラックにさらに9回記録(のべ10回記録)を行った後の、
最内周付近の1トラックの反射率値Ref10inzcav
中央部付近の1トラックの反射率値Ref10midzcav
最外周付近の1トラックの反射率値Ref10outzcav
をそれぞれ測定した。
A position having a radius of 40 to 50 mm in the obtained nine optical information recording media (recording media initialized under different initialization conditions with different initialization laser intensities) was defined as one zone. And in this zone,
Reflection value Ref1inzcav of one track near the innermost track after one recording
Reflectance value Ref1midzcav of one track near the center
Reflectance value Ref1outzcav of one track near the outermost circumference
After measuring 9 times (recording 10 times in total) on each track,
Reflectance value of one track near the innermost circumference Ref10inzcav
Reflectance value of one track near the center Ref10midzcav
Reflectivity value of one track near the outermost circumference Ref10outzcav
Was measured respectively.
そして、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
|Ref1inzcav−Ref1outzcav|/Ref1midzcav
を算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図18に示す。
同図の結果から、初期化レーザ強度を1800〜3300mWに設定すれば、
|Ref1inzcav−Ref1outzcav|/Ref1midzcav≦0.05
が確実に満たされることがわかる。さらに、初期化レーザ強度1800〜2400mWに設定すれば、
|Ref1inzcav−Ref1outzcav|/Ref1midzcav≦0.03
が確実に満たされることがわかる。
And in each optical information recording medium,
| Ref1inzcav−Ref1outzcav | / Ref1midzcav
Was calculated. The relationship between the calculation result thus obtained and the initialization laser intensity is shown in FIG.
From the results in the figure, if the initialization laser intensity is set to 1800-3300 mW,
| Ref1inzcav−Ref1outzcav | /Ref1midzcav≦0.05
It can be seen that is surely satisfied. Furthermore, if the initialization laser intensity is set to 1800-2400 mW,
| Ref1inzcav−Ref1outzcav | /Ref1midzcav≦0.03
It can be seen that is surely satisfied.
さらに、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
|Ref10inzcav−Ref1inzcav|/Ref10inzcav
|Ref10midzcav−Ref1midzcav|/Ref10midzcav
|Ref10outzcav−Ref1outzcav|/Ref10outzcav
を算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図19に示す。同図において、「inner」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「|Ref10inzcav−Ref1inzcav|/Ref10inzcav」の変化を示す。また、同図において「middle」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「|Ref10midzcav−Ref1midzcav|/Ref10midzcav」の変化を示す。同様に、同図において「outer」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「|Ref10outzcav−Ref1outzcav|/Ref10outzcav」の変化を示している。
Furthermore, in each optical information recording medium,
| Ref10inzcav−Ref1inzcav | / Ref10inzcav
| Ref10midzcav−Ref1midzcav | / Ref10midzcav
| Ref10outzcav−Ref1outzcav | / Ref10outzcav
Was calculated. FIG. 19 shows the relationship between the calculation result thus obtained and the initialization laser intensity. In the figure, the experimental result indicated by “inner” indicates the change of “| Ref10inzcav−Ref1inzcav | / Ref10inzcav” with respect to the initialization laser intensity. In addition, the experimental result indicated by “middle” in the figure shows a change of “| Ref10midzcav−Ref1midzcav | / Ref10midzcav” with respect to the initialization laser intensity. Similarly, the experimental result indicated by “outer” in the same figure shows the change of “| Ref10outzcav−Ref1outzcav | / Ref10outzcav” with respect to the initialization laser intensity.
同図の結果から、初期化レーザ強度を2100〜3600mWに設定すれば、
|Ref10inzcav−Ref1inzcav|/Ref10inzcav≦0.05
|Ref10midzcav−Ref1midzcav|/Ref10midzcav≦0.05
|Ref10outzcav−Ref1outzcav|/Ref10outzcav≦0.05
が確実に満たされることがわかる。
(G)ZCAVにおいてゾーン間の初期化レーザ強度の設定(ジッタ値、反射率値による設定)
(G−1)ジッタ値による設定
9枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数R0:8200rpmの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でCAV初期化を行った。初期化の際、記録媒体の半径40〜50mmの位置をゾーンAとし、半径50〜58mm位置をゾーンBとした。そして、ゾーンAでの初期化レーザ強度Pin及びゾーンBでの初期化レーザ強度Poutを、1200〜3600mWの間で記録媒体ごとに異なるように変化させた。
From the results shown in the figure, if the initialization laser intensity is set to 2100-3600 mW,
| Ref10inzcav−Ref1inzcav | /Ref10inzcav≦0.05
| Ref10midzcav−Ref1midzcav | /Ref10midzcav≦0.05
| Ref10outzcav−Ref1outzcav | /Ref10outzcav≦0.05
It can be seen that is surely satisfied.
(G) Setting of initialization laser intensity between zones in ZCAV (setting by jitter value and reflectance value)
(G-1) Setting by Jitter Value Nine recording media are prepared, and CAV initialization is performed with different initialization laser intensities for the respective recording media under the condition of the rotation speed of the initialization device R0: 8200 rpm. It was. At the time of initialization, the position of
得られた9枚の光学的情報記録用媒体のそれぞれにおいて、
ゾーンA内の最外周付近の1トラックに2回記録を行った時のジッタ値J2zoneAout、
ゾーンA内の中央部付近の1トラックに10回記録を行った時のジッタ値J10zoneAmid、
ゾーンB内の最内周付近の1トラックに2回記録を行ったときのジッタ値J2zoneBin、
をそれぞれ測定した。
In each of the nine obtained optical information recording media,
Jitter value J2zoneAout when recording twice on one track near the outermost circumference in zone A
Jitter value J10zoneAmid when recording 10 times on one track near the center in Zone A,
Jitter value J2zoneBin when recording twice on one track near the innermost circumference in zone B,
Was measured respectively.
そして、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
J2zoneAout/J10zoneAmid
J2zoneBin/J10zoneAmid
を算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図20に示す。
And in each optical information recording medium,
J2zoneAout / J10zoneAmid
J2zoneBin / J10zoneAmid
Was calculated. The relationship between the calculation result thus obtained and the initialization laser intensity is shown in FIG.
同図において「z−aout」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2zoneAout/J10zoneAmid」の変化を示している。同様に、同図において「z−bin」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2zoneBin/J10zoneAmid」の変化を示している。
同図の結果から、
J2zoneAout/J10zoneAmid≦1.6
J2zoneBin/J10zoneAmid≦1.6
を確実に満たすようなPJminは1500mWであることがわかる。そして、上記条件を確実に満たすようなPJmaxは3600mWであることがわかる。
The experimental result indicated by “z-aout” in the same figure shows the change of “J2zoneAout / J10zoneAmid” with respect to the initialization laser intensity. Similarly, the experimental result indicated by “z-bin” in the figure shows the change of “J2zoneBin / J10zoneAmid” with respect to the initialization laser intensity.
From the results in the figure,
J2zoneAout / J10zoneAmid ≦ 1.6
J2zoneBin / J10zoneAmid ≦ 1.6
It can be seen that PJmin that satisfies the above is 1500 mW. And it turns out that PJmax which satisfy | fills the said conditions reliably is 3600 mW.
さらに同図の結果から、
J2zoneAout/J10zoneAmid≦1.3
J2zoneBin/J10zoneAmid≦1.3
を確実に満たすようなPJminは1800mWであることがわかる。そして、上記条件を確実に満たすようなPJmaxは2700mWであることがわかる。
Furthermore, from the results in the figure,
J2zoneAout / J10zoneAmid ≦ 1.3
J2zoneBin / J10zoneAmid ≦ 1.3
It can be seen that PJmin that satisfies the above is 1800 mW. And it turns out that PJmax which satisfy | fills the said conditions reliably is 2700 mW.
以上の結果から、ゾーンAの初期化レーザ強度Pin及びゾーンBの初期化レーザ強度Poutを、PJmin(1500mW、好ましくは1800mW)とPJmax(3600mW、好ましくは2700mW)との間で、Pin≦Poutとなるように設定すれば、ゾーンA、ゾーンBの境界付近における光学的情報記録媒体の記録品質が良好となることがわかる。
(G−2)反射率値による設定
9枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数R0:8200rpmの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でCAV初期化を行った。初期化の際、記録媒体の半径40〜50mmの位置をゾーンAとした。そして、半径50〜58mm位置をゾーンBとし、ゾーンAでの初期化レーザ強度Pin及びゾーンBでの初期化レーザ強度Poutを、1200〜3600mWの間で記録媒体ごとに異なるように変化させた。
From the above results, the initialization laser intensity Pin of the zone A and the initialization laser intensity Pout of the zone B are expressed as Pin ≦ Pout between PJmin (1500 mW, preferably 1800 mW) and PJmax (3600 mW, preferably 2700 mW). It can be seen that the recording quality of the optical information recording medium in the vicinity of the boundary between zone A and zone B is good.
(G-2) Setting by reflectance value Nine recording media are prepared, and CAV initialization is performed with different initialization laser intensities for each recording medium under the condition of the rotation speed of the initialization device R0: 8200 rpm. went. At the time of initialization, the position of
得られた9枚の光学的情報記録用媒体のそれぞれにおいて、
ゾーンA内の最外周付近の1トラックに1回記録を行った時の反射率値RefzoneAout、
ゾーンA内の中央部付近の1トラックに1回記録を行った時の反射率値RefzoneAmid、
ゾーンB内の最内周付近の1トラックに1回記録を行った時の反射率値RefzoneBin、
をそれぞれ測定した。
In each of the nine obtained optical information recording media,
Reflectance value RefzoneAout when recording is performed once on one track near the outermost periphery in zone A,
Reflectance value RefzoneAmid when recording is performed once on one track near the center in Zone A,
Reflectance value RefzoneBin when recording is performed once on one track near the innermost circumference in Zone B,
Was measured respectively.
そして、それぞれの光学的情報記録用媒体におけるPin≦Poutでの、
|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid
を算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図25に示す。
同図において「Pin=Pout」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度がそれぞれのゾーンで等しい場合の「|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid」の変化を示すものである。同様に、同図において、例えば、「Pin<Pout3.6」で示されている実験結果は、ゾーンBの初期化レーザ強度が3600mWに対してPinがそれ以下の初期化レーザ強度となる場合の「|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid」の変化を示すものである。
And in each optical information recording medium, Pin ≦ Pout,
| RefzoneAout−RefzoneBin | / RefzoneAmid
Was calculated. The relationship between the calculation result thus obtained and the initialization laser intensity is shown in FIG.
The experimental result indicated by “Pin = Pout” in the same figure shows the change of “| RefzoneAout−RefzoneBin | / RefzoneAmid” when the initialization laser intensity is equal in each zone. Similarly, in the same figure, for example, the experimental result indicated by “Pin <Pout 3.6” indicates that the initialization laser intensity in zone B is 3600 mW, and the initialization laser intensity is less than Pin. It shows the change of “| RefzoneAout−RefzoneBin | / RefzoneAmid”.
同図の結果から、Pin=Poutとした場合においては、1200〜3600mWの全ての初期化レーザ強度において
|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid≦0.05
が確実に満たされることがわかる。
またPin<Poutの場合、
|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid≦0.05
を確実に満たすようなPRminは2100mW以上となることがわかる。
From the results in the figure, when Pin = Pout, all initialization laser intensities of 1200 to 3600 mW are obtained.
| RefzoneAout−RefzoneBin | /RefzoneAmid≦0.05
It can be seen that is surely satisfied.
If Pin <Pout,
| RefzoneAout−RefzoneBin | /RefzoneAmid≦0.05
It can be seen that PRmin satisfying the above is 2100 mW or more.
さらに同図の結果から、
|RefzoneAout−RefzoneBin|/RefzoneAmid≦0.03
を確実に満たすようなPRminは3000mW以上となることがわかる。
なお、同図の結果からは、PRmaxは、3600mW以上に存在するように考えられる。但し、ここでは、一応PRmaxを3600mWとして考える。
Furthermore, from the results in the figure,
| RefzoneAout−RefzoneBin | /RefzoneAmid≦0.03
It can be seen that PRmin satisfying the above is 3000 mW or more.
In addition, from the result of the figure, it is considered that PRmax exists at 3600 mW or more. However, here, it is assumed that PRmax is 3600 mW.
以上の結果から、ゾーンAの初期化レーザ強度Pin及びゾーンBの初期化レーザ強度Poutを、Pin=Poutとするか、又はPRmin(2100mW、好ましくは3000mW)及びPRmax(一応3600mWとする。)に対して、PRmin≦Pin≦Pout≦PRmaxとなるように設定すれば、ゾーンA、ゾーンBの境界付近における光学的情報記録媒体の記録品質が良好となることがわかる。
(H)ZCLV、ゾーン内の初期化レーザ強度の設定(ジッタ値,反射率値による設定)
9枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数R0:8200rpmの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でZCLV初期化を行った。具体的な初期化条件は以下の通りである。
From the above results, the initialization laser intensity Pin of the zone A and the initialization laser intensity Pout of the zone B are set to Pin = Pout, or PRmin (2100 mW, preferably 3000 mW) and PRmax (3600 mW). On the other hand, it can be seen that when PRmin ≦ Pin ≦ Pout ≦ PRmax, the recording quality of the optical information recording medium in the vicinity of the boundary between zone A and zone B is improved.
(H) ZCLV, setting of initialization laser intensity in zone (setting by jitter value and reflectance value)
Nine recording media were prepared, and ZCLV initialization was performed with different initialization laser intensities for the respective recording media under the condition of the rotation speed of the initialization device R0: 8200 rpm. Specific initialization conditions are as follows.
記録媒体の半径35〜43mmをゾーンA、半径43〜48mmをゾーンBとした。そして、ゾーンAを初期化する際の走査線速度を30m/s、ゾーンBを初期化する際の走査線速度を37m/sとした。この走査線速度に設定することにより、ゾーンAの最内周での回転数は8200rpm、ゾーンBの最内周での回転数も8200rpmとなり、各ゾーンの最内周位置での回転数は一定となる。 A radius of 35 to 43 mm of the recording medium was set as zone A, and a radius of 43 to 48 mm was set as zone B. The scanning line speed when initializing the zone A was 30 m / s, and the scanning line speed when initializing the zone B was 37 m / s. By setting this scanning line speed, the rotational speed at the innermost circumference of zone A is 8200 rpm, the rotational speed at the innermost circumference of zone B is also 8200 rpm, and the rotational speed at the innermost circumferential position of each zone is constant. It becomes.
用意した9枚の記録媒体のゾーンA、Bにおける走査線速度を上記のように設定した状態において、それぞれの記録媒体の初期化が、1200〜3600mWの間における異なる初期化レーザ強度で行われるようにした。
このようにして得たそれぞれの光学的情報記録用媒体における
各ゾーンの中央部付近での
1回記録後の反射率(Ref1midzclv)、
2回記録後のジッタ値(J2midzclv)、
10回記録後のジッタ値(J10midzclv)、
10回記録後の反射率(Ref10midzclv)、
をそれぞれ測定した。
In the state where the scanning linear velocities in the zones A and B of the nine recording media prepared are set as described above, the initialization of the respective recording media is performed at different initialization laser intensities between 1200 to 3600 mW. I made it.
In each optical information recording medium obtained in this way, the reflectivity (Ref1midzclv) after one recording near the center of each zone,
Jitter value after recording twice (J2midzclv),
Jitter value after 10 recordings (J10midzclv)
Reflectance after 10 recordings (Ref10midzclv)
Was measured respectively.
そして、得られたデータのうち、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
J2midzclv/J10midzclv
|Ref10midzclv−Ref1midzclv|/Ref10midzclv
をそれぞれ算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図21、図22に示す。
And among the obtained data, in each optical information recording medium,
J2midzclv / J10midzclv
| Ref10midzclv−Ref1midzclv | / Ref10midzclv
Was calculated respectively. The relationship between the calculation result thus obtained and the initialization laser intensity is shown in FIGS.
図21の結果から、
J2midzclv/J10midzclv≦1.6
を確実にみたすような初期化レーザ強度が、ゾーンAでは1200〜3300mWの範囲となること、ゾーンBでは1500〜3600mWの範囲となることがわかる。さらに、
J2midzclv/J10midzclv≦1.3
を確実にみたすような初期化レーザ強度は、ゾーンAでは1200〜2100mWの範囲となること、ゾーンBでは1500〜2400mWの範囲となることがわかる。
From the results of FIG.
J2midzclv / J10midzclv ≦ 1.6
It can be seen that the initialization laser intensity that reliably satisfies the above conditions is in the range of 1200 to 3300 mW in zone A, and in the range of 1500 to 3600 mW in zone B. further,
J2midzclv / J10midzclv ≦ 1.3
It can be seen that the initialization laser intensity that reliably satisfies the above conditions is in the range of 1200 to 2100 mW in the zone A and in the range of 1500 to 2400 mW in the zone B.
また図22の結果から、
|Ref10midzclv−Ref1midzclv|/Ref10midzclv≦0.05
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、ゾーンAでは1500〜3600mWの範囲となること、ゾーンBでは1800〜3600mWの範囲となることがわかる。さらに、
|Ref10midzclv−Ref1midzclv|/Ref10midzclv≦0.03
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、ゾーンAでは1500〜3000mWの範囲となること、ゾーンBでは2100〜3600mWの範囲となることがわかる。
Moreover, from the result of FIG.
| Ref10midzclv−Ref1midzclv | /Ref10midzclv≦0.05
It can be seen that the initialization laser intensity that reliably satisfies the above condition is in the range of 1500 to 3600 mW in zone A and 1800 to 3600 mW in zone B. further,
| Ref10midzclv−Ref1midzclv | /Ref10midzclv≦0.03
It can be seen that the initialization laser intensity that reliably satisfies the above condition is in the range of 1500 to 3000 mW in the zone A and 2100 to 3600 mW in the zone B.
図21、22の結果から、ゾーンAの最適な初期化レーザ強度(ジッタの比率を小さくしつつ、反射率比率も小さくできる値)は1500mWと見積もることができる。同様に、ゾーンBの最適な初期化レーザ強度(ジッタの比率を小さくしつつ、反射率比率も小さくできる値)は、2100mWと見積もることができる。
(I)ZCLV、ゾーン間の初期化レーザ強度の設定(ジッタ値による設定)
つぎに、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
レーザ強度を変化させたときのゾーンAの中央部付近の2回記録後のジッタ値(以下、J2zoneAという)/J10zoneAPin、
レーザ強度を変化させたときのゾーンBの中央部付近の2回記録後のジッタ値(以下、J2zoneBという)/J10zoneBPout
を算出した。ここで、J10zoneAPinは、ゾーンAを初期化レーザ強度1500mW(1500mWを仮のPinであるPin’とする。)で初期化を行った場合の10回記録後のジッタ値を用いた。また、J10zoneBPoutは、ゾーンBを初期化レーザ強度2100mW(2100mWを仮のPoutであるPout’とする。)で初期化を行った場合の10回記録後のジッタ値を用いた。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図23に示す。
From the results shown in FIGS. 21 and 22, the optimum initialization laser intensity in zone A (a value that can reduce the reflectance ratio while reducing the jitter ratio) can be estimated to be 1500 mW. Similarly, the optimum initialization laser intensity in zone B (a value that can reduce the reflectance ratio while reducing the jitter ratio) can be estimated to be 2100 mW.
(I) ZCLV, setting of initialization laser intensity between zones (setting by jitter value)
Next, in each optical information recording medium,
Jitter value after two recordings near the center of zone A when the laser intensity is changed (hereinafter referred to as J2zoneA) / J10zoneAPin,
Jitter value after two recordings near the center of Zone B when the laser intensity is changed (hereinafter referred to as J2zoneB) / J10zoneBPout
Was calculated. Here, J10zoneAPin used the jitter value after 10 times of recording when zone A is initialized with an initialization laser intensity of 1500 mW (1500 mW is assumed to be Pin ′, which is a temporary Pin). J10zoneBPout used a jitter value after 10 times of recording when zone B was initialized with an initialization laser intensity of 2100 mW (2100 mW is assumed to be Pout ′, which is a temporary Pout). FIG. 23 shows the relationship between the calculation result thus obtained and the initialization laser intensity.
同図中の「zoneA」は、「J2zoneA/J10zoneAPin」の値を、「zoneB」は、「J2zoneB/J10zoneBPout」を示す。
同図の結果から、
J2zoneA/J10zoneAPin≦1.6
J2zoneB/J10zoneBPout≦1.6
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、1500〜2400mWの範囲であることがわかる。つまり、ゾーンAをPout’(2100mW)で初期化しても、ゾーンBをPin’(1500mW)で初期化しても、J2zoneA/J10zoneAPin≦1.6、J2zoneB/J10zoneBPout≦1.6を達成することができる。
In the figure, “zoneA” indicates the value of “J2zoneA / J10zoneAPin”, and “zoneB” indicates “J2zoneB / J10zoneBPout”.
From the results in the figure,
J2zoneA / J10zoneAPin ≦ 1.6
J2zoneB / J10zoneBPout ≦ 1.6
It can be seen that the initialization laser intensity that satisfies the above is in the range of 1500 to 2400 mW. That is, even if zone A is initialized with Pout ′ (2100 mW) or zone B is initialized with Pin ′ (1500 mW), J2zoneA / J10zoneAPin ≦ 1.6 and J2zoneB / J10zoneBPout ≦ 1.6 can be achieved. it can.
なお、同図の結果から、
J2zoneA/J10zoneAPin≦1.3
J2zoneB/J10zoneBPout≦1.3
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、1500〜1800mWの範囲であることがわかる。この場合、Pout’(2100mW)は1800mWよりも大きい値となっている。したがって、Poutを1800mWと設定したほうが、ゾーンA、Bの初期化後の特性のバランスが取りやすいと考えることもできる。
(J)ZCLV、ゾーン間の初期化レーザ強度の設定(反射率値による設定)
さらに、それぞれの光学的情報記録用媒体における、 レーザ強度を変化させたときのゾーンAの中央部付近の1回記録後の反射率値(ここでは、Ref1zoneAと呼ぶ。)、及びレーザ強度を変化させたときのゾーンBの中央部付近の1回記録後の反射率値(ここでは、Ref1zoneBと呼ぶ。)を測定した。そして、|Ref1zoneA−Ref1zoneB|/Ref1zoneAPinを算出した。
From the results in the figure,
J2zoneA / J10zoneAPin ≦ 1.3
J2zoneB / J10zoneBPout ≦ 1.3
It can be seen that the initialization laser intensity that satisfies the above is in the range of 1500 to 1800 mW. In this case, Pout ′ (2100 mW) is a value larger than 1800 mW. Therefore, it can be considered that setting Pout to 1800 mW makes it easier to balance the characteristics after initialization of zones A and B.
(J) ZCLV, setting of initialization laser intensity between zones (setting by reflectivity value)
Further, in each optical information recording medium, the reflectivity value after one recording near the center of zone A when the laser intensity is changed (referred to herein as Ref1zoneA) and the laser intensity are changed. The reflectivity value after recording once in the vicinity of the center of zone B (referred to herein as Ref1zoneB) was measured. Then, | Ref1zoneA−Ref1zoneB | / Ref1zoneAPin was calculated.
ここで、上記で求められた1500mWおよび1800mWをそれぞれPin’としてゾーンAを初期化した場合における、1回記録後の反射率をRef1zoneAPinとした。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図24に示す。同図において、「Pin1500」は、Pin’=1500mWにおけるRef1zoneAPinを用いた場合の|Ref1zoneA−Ref1zoneB|/Ref1zoneAPinを示す。同様に、同図において、「Pin1800」は、Pin’=1800mWにおけるRef1zoneAPinを用いた場合の|Ref1zoneA−Ref1zoneB|/Ref1zoneAPinを示す。なお、同図における、「|1回記録後のzoneA反射率−1回記録後のzoneB反射率|」は、|Ref1zoneA−Ref1zoneB|を示す。 Here, when the zone A was initialized with 1500 mW and 1800 mW obtained above as Pin ′, the reflectance after one-time recording was defined as Ref1zoneAPin. The relationship between the calculation result thus obtained and the initialization laser intensity is shown in FIG. In the figure, “Pin 1500” indicates | Ref1zoneA−Ref1zoneB | / Ref1zoneAPin when Ref1zoneAPin at Pin ′ = 1500 mW is used. Similarly, in the figure, “Pin 1800” indicates | Ref1zoneA−Ref1zoneB | / Ref1zoneAPin when Ref1zoneAPin at Pin ′ = 1800 mW is used. In the figure, “| zone A reflectivity after one recording—zone B reflectivity after one recording” represents | Ref1zoneA−Ref1zoneB |.
同図の結果から、Pin’を1500mWとした場合に、
|Ref1zoneA−Ref1zoneB|/Ref1zoneAPin≦0.05
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、1200〜1500mWの範囲であることがわかる。つまり、ゾーンAのレーザ強度を1500mWとした場合、ゾーンBは1200〜1500mWの範囲内で初期化すればよいことがわかる。
From the results shown in the figure, when Pin ′ is 1500 mW,
| Ref1zoneA−Ref1zoneB | /Ref1zoneAPin≦0.05
It can be seen that the initialization laser intensity that satisfies the above condition is in the range of 1200 to 1500 mW. That is, when the laser intensity of the zone A is 1500 mW, it can be understood that the zone B may be initialized within the range of 1200 to 1500 mW.
一方、Pin’を1800mWとした場合に、
|Ref1zoneA−Ref1zoneB|/Ref1zoneAPin≦0.05
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、1500〜2400mWの範囲であることがわかる。つまり、ゾーンAのレーザ強度を1800mWとした場合、ゾーンBは1500〜2400mWの範囲で初期化すればよいことがわかる。
On the other hand, when Pin ′ is 1800 mW,
| Ref1zoneA−Ref1zoneB | /Ref1zoneAPin≦0.05
It can be seen that the initialization laser intensity that satisfies the above is in the range of 1500 to 2400 mW. That is, when the laser intensity of the zone A is 1800 mW, it can be understood that the zone B may be initialized in the range of 1500 to 2400 mW.
さらに、同図の結果から、Pin’を1500mWとした場合に、
|Ref1zoneA−Ref1zoneB|/Ref1zoneAPin≦0.03
を確実に満たすような初期化レーザ強度は1200mWであることがわかる。つまりゾーンAのレーザ強度を1500mWとした場合、ゾーンBは1200mWで初期化すればよいことがわかる。
Furthermore, from the results shown in the figure, when Pin ′ is 1500 mW,
| Ref1zoneA−Ref1zoneB | /Ref1zoneAPin≦0.03
It can be seen that the initialization laser intensity that satisfies the above is 1200 mW. That is, when the laser intensity in zone A is 1500 mW, it can be seen that zone B may be initialized at 1200 mW.
一方、Pin’を1800mWとした場合に、
|Ref1zoneA−Ref1zoneB|/Ref1zoneAPin≦0.03
を確実に満たすような初期化レーザ強度は1500〜2100mWの範囲であることがわかる。つまり、ゾーンAのレーザ強度を1800mWとした場合、ゾーンBは1500〜2100mWの範囲で初期化すればよい。
On the other hand, when Pin ′ is 1800 mW,
| Ref1zoneA−Ref1zoneB | /Ref1zoneAPin≦0.03
It can be seen that the initialization laser intensity that satisfies the above condition is in the range of 1500 to 2100 mW. That is, when the laser intensity in zone A is 1800 mW, zone B may be initialized in the range of 1500 to 2100 mW.
ここで、ゾーンAのレーザ強度を1500mWとした場合にゾーンA>ゾーンBとなる。このため、ゾーンAのレーザ強度を1800mWとして、ゾーンBのレーザ強度を1800〜2100mWで設定するほうが好ましいと推測される。
(実施例2)
(A)記録媒体を得る工程
基板としては、下記形状の円盤状のポリカーボネート基板を用いた。
Here, when the laser intensity in zone A is 1500 mW, zone A> zone B. For this reason, it is presumed that it is preferable to set the laser intensity of zone A to 1800 mW and the laser intensity of zone B to 1800 to 2100 mW.
(Example 2)
(A) Step of obtaining recording medium As the substrate, a disc-shaped polycarbonate substrate having the following shape was used.
トラックピッチ:0.74μm
溝幅:0.32μm
溝深さ:32nm、
トラック形状:スパイラル状
厚み:0.6mm
この基板上に、Arガスを用いたスパッタリング法により、60nmの(ZnS)80(SiO2)20保護層、2nmのY2O2S層、12nmのGe4.7In10.1Sb50.1Sn21.2Te13.9記録層、14nmのY2O2S層、2nmのTa界面層、200nmのAg反射層、約4μmの紫外線硬化樹脂層をこの順に形成した。Ta層はAg反射層中へのSの拡散を防ぐための界面層である。
Track pitch: 0.74 μm
Groove width: 0.32 μm
Groove depth: 32 nm
Track shape: Spiral thickness: 0.6mm
On this substrate, a 60 nm (ZnS) 80 (SiO 2 ) 20 protective layer, 2 nm Y 2 O 2 S layer, 12 nm Ge 4.7 In 10.1 Sb 50.1 Sn 21.2 Te 13.9 recording by sputtering using Ar gas. A 14 nm Y 2 O 2 S layer, a 2 nm Ta interface layer, a 200 nm Ag reflection layer, and a UV curable resin layer of about 4 μm were formed in this order. The Ta layer is an interface layer for preventing diffusion of S into the Ag reflection layer.
各層の成膜は上記基板上に、真空を解除することなく、順にスパッタリング法によって積層した。ただし、紫外線硬化樹脂層はスピンコート法によって塗布した。その後に、未成膜の同様の0.6mm厚基板を、接着剤を介して上記記録層面が内側になるように貼り合せて1.2mm厚のディスク(記録媒体)とした。
この記録媒体は、初期結晶化工程後に書き換え型DVDとした場合において、DVDの基準線速度3.49m/s(1倍速)の約8〜10倍速までオーバーライト可能となるように、組成及び層構成が選ばれている。つまり、消去パワーを直流的に照射した場合の消去比が20dB以上となる線速度の上限が8〜10倍速になっている。
Each layer was laminated on the substrate by sputtering in order without releasing the vacuum. However, the ultraviolet curable resin layer was applied by spin coating. Thereafter, a similar 0.6 mm thick substrate, which was not formed, was bonded with an adhesive so that the recording layer surface was on the inside to form a 1.2 mm thick disc (recording medium).
This recording medium has a composition and a layer so that overwriting can be performed up to about 8 to 10 times the standard linear velocity of 3.49 m / s (1 × speed) when the rewritable DVD is used after the initial crystallization process. The configuration is chosen. That is, the upper limit of the linear velocity at which the erasing ratio is 20 dB or more when the erasing power is applied in a direct current is 8 to 10 times faster.
本実施例では、このような記録媒体を複数用意して様々な初期化条件で初期化を行い、得られた光学的情報記録用媒体の性能を評価した。
(B)初期化工程
以下の初期化条件、初期化方法を用いた。
<初期化条件>
波長が810nm、長軸約75μm、短軸約1μmの楕円形状のレーザ光を集束光に用いた。初期工程時のレーザ光強度は、1000〜4000mWの範囲内で変化させた。なお、用いた初期化装置の最大回転数は8200rpmであった。
<初期化方法>
P―CAV初期化
最内周より始まる内周側のゾーンを回転数一定(R0=8200rpm)として、線速度が30m/sに達した半径より外周側のゾーンを線速度一定として初期化を実施した。
In this example, a plurality of such recording media were prepared and initialized under various initialization conditions, and the performance of the obtained optical information recording medium was evaluated.
(B) Initialization process The following initialization conditions and initialization methods were used.
<Initialization conditions>
An elliptical laser beam having a wavelength of 810 nm, a major axis of about 75 μm, and a minor axis of about 1 μm was used as the focused light. The laser beam intensity at the initial step was changed within a range of 1000 to 4000 mW. The maximum rotation speed of the initialization device used was 8200 rpm.
<Initialization method>
P-CAV initialization The zone on the inner circumference side starting from the innermost circumference is set to a constant rotation speed (R0 = 8200 rpm), and the zone on the outer circumference side from the radius at which the linear velocity reaches 30 m / s is initialized to the constant linear velocity. Carried out.
なお、初期化時の走査線速度V(m/s)は、ディスク回転数をR0(rpm)、初期化する半径位置をr(mm)とすると、
V(m/s)=(R0/60)×2×3.14×(r/1000)
で計算できる。
このP−CAV初期化の各半径における具体的な初期化線速度は、
23mm 8200rpm 19.7m/s
30mm 8200rpm 25.7m/s
35mm 8200rpm 30.0m/s
40mm 7166rpm 30.0m/s
50mm 5732rpm 30.0m/s
58mm 4942rpm 30.0m/s
となる。
Note that the scanning linear velocity V (m / s) at the time of initialization is R0 (rpm) as the disk rotation speed and r (mm) as the radial position to be initialized.
V (m / s) = (R0 / 60) × 2 × 3.14 × (r / 1000)
It can be calculated with
The specific initialization linear velocity at each radius of this P-CAV initialization is:
23mm 8200rpm 19.7m / s
30mm 8200rpm 25.7m / s
35mm 8200rpm 30.0m / s
40mm 7166rpm 30.0m / s
50mm 5732rpm 30.0m / s
58mm 4942rpm 30.0m / s
It becomes.
ここで、各半径位置と初期化線速度との関係を図26に示す。図26において、「CLV」は各半径位置における線速度を、「CAV」は各半径位置における単位時間当たりの回転数を示す。
(C)光学的情報記録用媒体の評価方法
<評価装置>
装置名:ODU1000(パルステック社製)
集束光:波長が650nmで、NA=0.65のレーザ光
<評価方法>
基準線速度をDVDの基準線速度である3.49m/sとし、基準クロック周波数を26.2MHz(クロック周期Ts=38.2ns)とし、EFM+変調信号を6倍速および8倍速線速度で記録した後、基準線速度に於いてクロックジッターを測定した。
Here, the relationship between each radial position and the initialization linear velocity is shown in FIG. In FIG. 26, “CLV” indicates the linear velocity at each radial position, and “CAV” indicates the number of rotations per unit time at each radial position.
(C) Evaluation method of optical information recording medium <Evaluation apparatus>
Device name: ODU1000 (Pulstec)
Focused light: Laser light having a wavelength of 650 nm and NA = 0.65 <Evaluation method>
The reference linear velocity is 3.49 m / s, which is the reference linear velocity of DVD, the reference clock frequency is 26.2 MHz (clock cycle T s = 38.2 ns), and EFM + modulated signals are recorded at 6 × and 8 × linear speeds. After that, the clock jitter was measured at the reference linear velocity.
ここで、クロックジッターとは、以下のようにして求められる値である。つまり、再生信号をイコライザとLPFを通過させた後に、スライサにより2値化信号とする。そして、該2値化信号のリーディングエッジとトレーリングエッジのPLLクロックに対する時間のずれの標準偏差(ジッター)を求める。さらに、この標準偏差をクロック周期:Tで規格化したものをクロックジッターとする。 Here, the clock jitter is a value obtained as follows. That is, the reproduction signal is passed through the equalizer and the LPF, and then converted into a binary signal by the slicer. Then, a standard deviation (jitter) of a time lag with respect to the PLL clock of the leading edge and trailing edge of the binarized signal is obtained. Further, the standard deviation obtained by normalizing with the clock period: T is defined as clock jitter.
反射率値は、以下のようにして求めた。つまり、前記方法によって記録した記録波形をオシロスコープに出力する。そして、基準線速度に於いて、14T信号振幅の最大値の平均的値をオシロスコープから直接読み取って反射率を求めた。
(D)初期化条件の決定
実施例1と同様の方法を用いて初期化条件を以下のように決定した。
The reflectance value was determined as follows. That is, the recording waveform recorded by the above method is output to an oscilloscope. Then, at the reference linear velocity, the average value of the maximum value of the 14T signal amplitude was directly read from the oscilloscope to obtain the reflectance.
(D) Determination of Initialization Conditions Initialization conditions were determined as follows using the same method as in Example 1.
最大回転数 R0=8200rpm
初期化パワー CAV area 1300−1900mW
CLV area 1900mW
なお、CAV領域においては、初期化パワーは、初期化線速度に対して、1300mWから1900mWの間でほぼ比例するように変化させた。
(E)P−CAV初期化のジッタ値の測定
前記初期化条件にて記録媒体を初期化後、前記半径位置の23mmから58mmの各半径位置で8倍速にて、2回記録および10回記録のジッタ値を測定した。そして、J2/J10を求めた。
Maximum speed R0 = 8200rpm
Initialization power CAV area 1300-1900mW
CLV area 1900mW
In the CAV region, the initialization power was changed to be approximately proportional to the initialization linear velocity between 1300 mW and 1900 mW.
(E) Measurement of jitter value for P-CAV initialization After the recording medium is initialized under the initialization conditions, recording is performed twice and ten times at 8 times speed at each radial position from 23 mm to 58 mm of the radial position. The jitter value was measured. And J2 / J10 was calculated | required.
また、実際のコマーシャルドライブ(実際に市場で販売されているドライブ)では、回転数の制限から8倍速記録を記録媒体の最内周から実施することは出来ない。このため、前記各半径のうち23,30,35mmの位置では6倍速にて、2回記録および10回記録のジッタ値を測定した。そして、J2/J10を求めた。
ここで、半径位置とJ2/J10との関係を図27に示す。同図の結果から、本設定のP−CAV初期化条件にてすべての半径領域の8倍速記録時、および23,30,35mmでの6倍速記録時のJ2/J10は、J2/J10≦1.3という条件を満たしていることがわかる。
Further, in an actual commercial drive (drive that is actually sold in the market), it is not possible to carry out 8 × speed recording from the innermost circumference of the recording medium due to the limitation of the rotational speed. For this reason, the jitter values of the two-time recording and the ten-time recording were measured at a speed of 6 times at the positions of 23, 30, and 35 mm among the radii. And J2 / J10 was calculated | required.
Here, the relationship between the radial position and J2 / J10 is shown in FIG. From the results shown in FIG. 6, J2 / J10 at the time of 8 × speed recording in all the radial regions under the P-CAV initialization condition of this setting and at the time of 6 × speed recording at 23, 30 and 35 mm is J2 / J10 ≦ 1. .3 is satisfied.
1 初期化装置
2 記録媒体
3 スピンドルモータ
4 モータドライバ
5 初期化ヘッド(レーザヘッド)
6 初期化ヘッド用ドライバ
7 制御部
DESCRIPTION OF
6 Initialization head driver 7 Control unit
Claims (19)
前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、
集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、
前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化する場合において、
前記記録媒体の単位時間当たりの回転数R0を一定にし、
前記回転数R0を下記の条件を満たすように設定することを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法。
(i)記録媒体を複数用意し、そのうちの1つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも前記記録媒体の記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
(ii)前記最内周トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)別の記録媒体に対し、前記(i)の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記(ii)〜(iv)を行なう。
(vi)記録媒体を変えて(v)の操作を繰り返す。
(Vii)それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、R0を、J2/J10を1.6以下とするような回転数に設定する。 A method of manufacturing an optical information recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate,
Obtaining a recording medium on which the recording layer is formed;
An initial crystallization step of initial crystallization of the recording layer by scanning a light spot formed by irradiating the recording layer with focused light in a circumferential direction of the recording medium,
In the initial crystallization step, the scanning line speed when the light spot is scanned in the circumferential direction is increased toward the outer peripheral portion of the recording medium, and the intensity of the focused light is increased as the scanning line speed increases. In the case of initial crystallization of the entire crystallization region ,
The rotational speed R0 per unit time of the recording medium is made constant ,
The method of manufacturing an optical information recording medium, wherein the rotational speed R0 is set so as to satisfy the following condition.
(I) A plurality of recording media are prepared, and one of the recording media is rotated at an arbitrary number of revolutions, and at least the recording layer formed on the innermost track of the recording area of the recording medium is initially crystallized. Turn into.
(Ii) Recording is performed twice on the innermost track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) After initial crystallization is performed on another recording medium at a rotational speed different from the rotational speed of (i), the above (ii) to (iv) are performed.
(Vi) The operation of (v) is repeated while changing the recording medium.
(Vii) The relationship between J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained from the recording medium initially crystallized at each rotational speed and the rotational speed at the time of initial crystallization is obtained. And R0 is set to the rotation speed which makes J2 / J10 1.6 or less.
前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、
集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、
前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくして初期結晶化領域の全面を初期結晶化する場合において、
前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域を複数のゾーンに分け、前記各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、前記記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げることを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法。 A method of manufacturing an optical information recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate,
Obtaining a recording medium on which the recording layer is formed;
An initial crystallization step of initial crystallization of the recording layer by scanning a light spot formed by irradiating the recording layer with focused light in a circumferential direction of the recording medium,
In the initial crystallization step, in the case of initial crystallization of the entire surface of the initial crystallized region and greater as the outer peripheral portion of the recording medium scanning linear velocity at the time of scanning the light spot in the circumferential direction,
The initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, the intensity of the focused light irradiated in each zone is made constant, and the intensity of the focused light is increased in the zone on the outer peripheral side of the recording medium. A method of manufacturing an optical information recording medium.
前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、
集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、
前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化する場合において、
前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域を複数のゾーンに分け、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで前記走査線速度を一定とすることを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法。 A method of manufacturing an optical information recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate,
Obtaining a recording medium on which the recording layer is formed;
An initial crystallization step of initial crystallization of the recording layer by scanning a light spot formed by irradiating the recording layer with focused light in a circumferential direction of the recording medium,
In the initial crystallization step, the scanning line speed when the light spot is scanned in the circumferential direction is increased toward the outer peripheral portion of the recording medium, and the intensity of the focused light is increased as the scanning line speed increases. In the case of initial crystallization of the entire crystallization region ,
The initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, and the number of revolutions at the innermost circumference position in each zone is constant, and the scanning is performed from the innermost circumference to the outermost circumference in each zone. A method for producing an optical information recording medium, characterized in that the linear velocity is constant.
前記ゾーンAの集束光強度Pinの取りうる最小値をPinmin、最大値をPinmaxとし、前記ゾーンBの集束光強度Poutの取りうる最小値をPoutmin、最大値をPoutmaxとし、
前記ゾーンAで外周側へ向かうにつれて集束光強度Pinを前記Pinminから前記Pinmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンAの最外周における集束光強度Pinの値をPinzoneAoutとし、
前記ゾーンBで外周側へ向かうにつれて集束光強度Poutを前記Poutminから前記Poutmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンBの最内周における集束光強度Poutの値をPoutzoneBinとした場合に、
前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin=PinzoneAout
となるようにすることを特徴とする請求項4記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。 Of the two adjacent zones of the plurality of zones, the zone located on the inner circumference side is Zone A, the zone located on the outer circumference side is Zone B, the focused light intensity of Zone A is Pin, and the focus of Zone B is The light intensity is Pout,
The minimum value that can be taken by the focused light intensity Pin of the zone A is Pinmin, the maximum value is Pinmax, the minimum value that can be taken by the focused light intensity Pout of the zone B is Poutmin, and the maximum value is Poutmax,
In the zone A, the focused light intensity Pin is gradually increased in the range from the Pinmin to the Pinmax as going to the outer peripheral side, and the value of the focused light intensity Pin at the outermost periphery of the zone A is PinzoneAout,
When the focused light intensity Pout gradually increases in the range from the Poutmin to the Poutmax as it goes to the outer peripheral side in the zone B, and the value of the focused light intensity Pout in the innermost periphery of the zone B is PoutzoneBin In addition,
The relationship between the PinoutBin and the PinzoneAout is
PoutzoneBin = PinzoneAout
The method for producing an optical information recording medium according to claim 4, wherein:
前記ゾーンAの集束光強度Pinの取りうる最小値をPinmin、最大値をPinmaxとし、前記ゾーンBの集束光強度Poutの取りうる最小値をPoutmin、最大値をPoutmaxとし、
前記ゾーンAで外周側へ向かうにつれて集束光強度Pinを前記Pinminから前記Pinmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンAの最外周における集束光強度Pinの値をPinzoneAoutとし、
前記ゾーンBで外周側へ向かうにつれて集束光強度Poutを前記Poutminから前記Poutmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンBの最内周における集束光強度Poutの値をPoutzoneBinとした場合に、
前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin>PinzoneAout
となるようにし、前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの差が最小になるようにすることを特徴とする請求項4記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。 Of the two adjacent zones of the plurality of zones, the zone located on the inner circumference side is Zone A, the zone located on the outer circumference side is Zone B, the focused light intensity of Zone A is Pin, and the focus of Zone B is The light intensity is Pout,
The minimum value that can be taken by the focused light intensity Pin of the zone A is Pinmin, the maximum value is Pinmax, the minimum value that can be taken by the focused light intensity Pout of the zone B is Poutmin, and the maximum value is Poutmax,
In the zone A, the focused light intensity Pin is gradually increased in the range from the Pinmin to the Pinmax as going to the outer peripheral side, and the value of the focused light intensity Pin at the outermost periphery of the zone A is PinzoneAout,
When the focused light intensity Pout gradually increases in the range from the Poutmin to the Poutmax as it goes to the outer peripheral side in the zone B, and the value of the focused light intensity Pout in the innermost periphery of the zone B is PoutzoneBin In addition,
The relationship between the PinoutBin and the PinzoneAout is
PoutzoneBin> PinzoneAout
5. The method of manufacturing an optical information recording medium according to claim 4, wherein the difference between the PoutzoneBin and the PinzoneAout is minimized.
前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、
集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、
前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化する場合において、
前記記録媒体の前記初期結晶化領域の最内周の位置から前記記録媒体の外周側へ向かって所定の径方向位置に達するまでは、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数R0を一定とし、前記所定の径方向位置から前記初期結晶化領域の最外周の位置までは前記走査線速度を一定とし、
前記所定の径方向位置における線速度を最大線速度Vmaxとし、前記最大線速度Vmaxを、下記の条件を満たすように設定することを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法。
(i)記録媒体を複数枚用意し、その内の1つの記録媒体に対し、前記初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
(ii)前記トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)記録媒体を変えて、線速度を変化させて前記(i)〜(iv)を繰り返す。
(vi)それぞれの線速度で得られたジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10を1.6以下にするような線速度を最大線速度Vmaxとする。 A method of manufacturing an optical information recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate,
Obtaining a recording medium on which the recording layer is formed;
An initial crystallization step of initial crystallization of the recording layer by scanning a light spot formed by irradiating the recording layer with focused light in a circumferential direction of the recording medium,
In the initial crystallization step, the scanning line speed when the light spot is scanned in the circumferential direction is increased toward the outer peripheral portion of the recording medium, and the intensity of the focused light is increased as the scanning line speed increases. In the case of initial crystallization of the entire crystallization region ,
The rotational speed R0 per unit time of the recording medium is constant until it reaches a predetermined radial position from the innermost peripheral position of the initial crystallization region of the recording medium toward the outer peripheral side of the recording medium, From the predetermined radial position to the position of the outermost periphery of the initial crystallization region, the scanning line speed is constant ,
A method of manufacturing an optical information recording medium, wherein a linear velocity at the predetermined radial position is a maximum linear velocity Vmax, and the maximum linear velocity Vmax is set so as to satisfy the following condition.
(I) A plurality of recording media are prepared, and the recording layer formed on an arbitrary track in the initial crystallization region is initially crystallized at an arbitrary linear velocity with respect to one of the recording media. .
(Ii) Recording is performed twice on the track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) Repeat (i) to (iv) by changing the recording medium and changing the linear velocity.
(Vi) The linear velocity that makes J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained at the respective linear velocities 1.6 or less is the maximum linear velocity Vmax.
前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、
前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されており、
前記制御部が、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数R0を一定にするように構成され、下記の条件を満たすように設定された回転数R0に基づいて前記記録媒体を回転させるように構成されることを特徴とする初期化装置。
(i)記録媒体を複数用意し、そのうちの1つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも前記記録媒体の記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
(ii)前記最内周トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)別の記録媒体に対し、前記(i)の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記(ii)〜(iv)を行なう。
(vi)記録媒体を変えて(v)の操作を繰り返す。
(Vii)それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、R0を、J2/J10を1.6以下とするような回転数に設定する。 An initialization device for initial crystallization of the recording layer of a recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate,
A controller that scans a light spot formed by irradiating focused light on the recording layer in a circumferential direction of the recording medium;
The control unit increases the linear velocity at the time of scanning the light spot in the circumferential direction toward the outer periphery of the recording medium, and increases the intensity of the focused light as the scanning linear velocity increases, so that the entire surface of the initial crystallization region Is configured to initially crystallize ,
Wherein the control unit, the rotation speed R0 per unit of the recording medium time adapted to a constant, configured to rotate the recording medium based on the rotation speed R0 which is set so as to satisfy the following conditions An initialization device characterized in that:
(I) A plurality of recording media are prepared, and one of the recording media is rotated at an arbitrary number of revolutions, and at least the recording layer formed on the innermost track of the recording area of the recording medium is initially crystallized. Turn into.
(Ii) Recording is performed twice on the innermost track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) After initial crystallization is performed on another recording medium at a rotational speed different from the rotational speed of (i), the above (ii) to (iv) are performed.
(Vi) The operation of (v) is repeated while changing the recording medium.
(Vii) The relationship between J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained from the recording medium initially crystallized at each rotational speed and the rotational speed at the time of initial crystallization is obtained. And R0 is set to the rotation speed which makes J2 / J10 1.6 or less.
前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、
前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくして初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されており、
前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、前記制御部が、前記各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、前記記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げるように構成されることを特徴とする初期化装置。 An initialization apparatus for initial crystallization of a recording layer of a recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate,
A controller that scans a light spot formed by irradiating focused light on the recording layer in a circumferential direction of the recording medium;
The control section is configured entirely of initial crystallized region to initial crystallization by increasing the linear velocity at the time of scanning the light spot in the circumferential direction as the outer peripheral portion of the recording medium,
The initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, and the control unit makes the intensity of the focused light irradiated in each zone constant, and the zone on the outer peripheral side of the recording medium An initialization device configured to increase the intensity of focused light.
前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、
前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されており、
前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、前記制御部が、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで前記走査線速度が一定となるように構成されることを特徴とする初期化装置。 An initialization apparatus for initial crystallization of a recording layer of a recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate,
A controller that scans a light spot formed by irradiating focused light on the recording layer in a circumferential direction of the recording medium;
The control unit increases the linear velocity at the time of scanning the light spot in the circumferential direction as the outer peripheral portion of the recording medium, and increases the intensity of the focused light as the scanning linear velocity increases, so that the entire surface of the initial crystallization region Is configured to initially crystallize ,
The initial crystallization region is divided into a plurality of zones along the radial direction of the recording medium, and the control unit keeps the rotational speed at the innermost circumferential position in each zone constant, and the innermost circumferential in each zone. An initialization apparatus characterized in that the scanning linear velocity is constant from the outermost circumference to the outermost circumference.
前記ゾーンAの集束光強度Pinの取りうる最小値をPinmin、最大値をPinmaxとし、前記ゾーンBの集束光強度Poutの取りうる最小値をPoutmin、最大値をPoutmaxとし、
前記ゾーンAで外周側へ向かうにつれて集束光強度Pinを前記Pinminから前記Pinmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンAの最外周における集束光強度Pinの値をPinzoneAoutとし、
前記ゾーンBで外周側へ向かうにつれて集束光強度Poutを前記Poutminから前記Poutmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンBの最内周における集束光強度Poutの値をPoutzoneBinとした場合に、
前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin=PinzoneAout
となるように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、前記制御部が構成されることを特徴とする請求項14記載の初期化装置。 Of the two adjacent zones of the plurality of zones, the zone located on the inner circumference side is Zone A, the zone located on the outer circumference side is Zone B, the focused light intensity of Zone A is Pin, and the focus of Zone B is The light intensity is Pout,
The minimum value that can be taken by the focused light intensity Pin of the zone A is Pinmin, the maximum value is Pinmax, the minimum value that can be taken by the focused light intensity Pout of the zone B is Poutmin, and the maximum value is Poutmax,
In the zone A, the focused light intensity Pin is gradually increased in the range from the Pinmin to the Pinmax as going to the outer peripheral side, and the value of the focused light intensity Pin at the outermost periphery of the zone A is PinzoneAout,
When the focused light intensity Pout gradually increases in the range from the Poutmin to the Poutmax as it goes to the outer peripheral side in the zone B, and the value of the focused light intensity Pout in the innermost periphery of the zone B is PoutzoneBin In addition,
The relationship between the PinoutBin and the PinzoneAout is
PoutzoneBin = PinzoneAout
15. The initialization apparatus according to claim 14 , wherein the control unit is configured to control the intensity of the focused light based on the intensity of the focused light set to be.
前記ゾーンAの集束光強度Pinの取りうる最小値をPinmin、最大値をPinmaxとし、前記ゾーンBの集束光強度Poutの取りうる最小値をPoutmin、最大値をPoutmaxとし、
前記ゾーンAで外周側へ向かうにつれて集束光強度Pinを前記Pinminから前記Pinmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンAの最外周における集束光強度Pinの値をPinzoneAoutとし、
前記ゾーンBで外周側へ向かうにつれて集束光強度Poutを前記Poutminから前記Poutmaxまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンBの最内周における集束光強度Poutの値をPoutzoneBinとした場合に、
前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin>PinzoneAout
となるようにし、前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの差が最小になるように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、前記制御部が構成されることを特徴とする請求項14記載の初期化装置。 Of the two adjacent zones of the plurality of zones, the zone located on the inner circumference side is Zone A, the zone located on the outer circumference side is Zone B, the focused light intensity of Zone A is Pin, and the focus of Zone B is The light intensity is Pout,
The minimum value that can be taken by the focused light intensity Pin of the zone A is Pinmin, the maximum value is Pinmax, the minimum value that can be taken by the focused light intensity Pout of the zone B is Poutmin, and the maximum value is Poutmax,
In the zone A, the focused light intensity Pin is gradually increased in the range from the Pinmin to the Pinmax as going to the outer peripheral side, and the value of the focused light intensity Pin at the outermost periphery of the zone A is PinzoneAout,
When the focused light intensity Pout gradually increases in the range from the Poutmin to the Poutmax as it goes to the outer peripheral side in the zone B, and the value of the focused light intensity Pout in the innermost periphery of the zone B is PoutzoneBin In addition,
The relationship between the PinoutBin and the PinzoneAout is
PoutzoneBin> PinzoneAout
The control unit is configured to control the intensity of the focused light based on the intensity of the focused light set so that the difference between the PoutzoneBin and the PinzoneAout is minimized. The initialization apparatus according to claim 14 .
前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、
前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されており、
前記制御部が、
前記記録媒体の前記初期結晶化領域の最内周の位置から前記記録媒体の外周側へ向かって所定の径方向位置に達するまでは、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数R0を一定とし、前記所定の径方向位置から前記初期結晶化領域の最外周の位置までは前記走査線速度を一定とし、
前記所定の径方向位置における最大線速度Vmaxを、下記の条件を満たすように設定することを特徴とする初期化装置。
(i)記録媒体を複数枚用意し、その内の1つの記録媒体に対し、前記初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
(ii)前記トラックに2回記録を行なう。
(iii)2回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J2を測定する。
(iv)さらに8回記録を行ない、8回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値J10を測定する。
(v)記録媒体を変えて、線速度を変化させて前記(i)〜(iv)を繰り返す。
(vi)それぞれの線速度で得られたジッタ値J2,J10から求められるJ2/J10を1.6以下にするような線速度を最大線速度Vmaxとする。 An initialization apparatus for initial crystallization of a recording layer of a recording medium having a phase change recording layer on a disk-shaped substrate,
A controller that scans a light spot formed by irradiating focused light on the recording layer in a circumferential direction of the recording medium;
The control unit increases the linear velocity at the time of scanning the light spot in the circumferential direction as the outer peripheral portion of the recording medium, and increases the intensity of the focused light as the scanning linear velocity increases, so that the entire surface of the initial crystallization region Is configured to initially crystallize ,
The control unit is
The rotational speed R0 per unit time of the recording medium is constant until it reaches a predetermined radial position from the innermost peripheral position of the initial crystallization region of the recording medium toward the outer peripheral side of the recording medium, From the predetermined radial position to the position of the outermost periphery of the initial crystallization region, the scanning line speed is constant ,
An initialization apparatus, wherein the maximum linear velocity Vmax at the predetermined radial position is set so as to satisfy the following condition.
(I) A plurality of recording media are prepared, and the recording layer formed on an arbitrary track in the initial crystallization region is initially crystallized at an arbitrary linear velocity with respect to one of the recording media. .
(Ii) Recording is performed twice on the track.
(Iii) The jitter value J2 of the recording mark formed after the second recording is measured.
(Iv) Recording is further performed eight times, and the jitter value J10 of the recording mark formed after the eighth recording is measured.
(V) Repeat (i) to (iv) by changing the recording medium and changing the linear velocity.
(Vi) The linear velocity that makes J2 / J10 obtained from the jitter values J2 and J10 obtained at the respective linear velocities 1.6 or less is the maximum linear velocity Vmax.
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