JP4476244B2 - ホスフィン遷移金属錯体、その製造方法及び抗癌剤 - Google Patents
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Description
で表されることを特徴とするホスフィン遷移金属錯体を提供するものである。
で表されることを特徴とする前記本発明(1)のホスフィン遷移金属錯体を提供するものである。
で表されるホスフィン誘導体と、
金、銅又は銀の遷移金属塩と、
を反応させて、
下記一般式(1):
で表されるホスフィン遷移金属錯体を得ることを特徴とするホスフィン遷移金属錯体の製造方法を提供するものである。
金、銅又は銀の遷移金属塩と、
を反応させることにより製造される。
金、銅又は銀の遷移金属塩と、
を反応させて、前記一般式(1)で表されるホスフィン遷移金属錯体を得るホスフィン遷移金属錯体の製造方法である。
<tert−ブチルメチルホスフィン−ボラン(7a)の合成>
下記反応式(11)に従って、tert−ブチルメチルホスフィン−ボラン(7a)の合成を行なった。
下記反応式(12)に従って、2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン(3a)を合成した。
1H NMR(395.75MHz,CDCl3):β 1.00−1.03(m,18H)、1.42−1.44(m,6H)、7.70−7.74(m,2H)、8.08−8.12(m,2H);
13C NMR(99.45MHz,CDCl3):β 4.77(t,J=4.1Hz)、27.59(t,J=7.4Hz)、31.90(t,J=7.4Hz)、129.50,129.60,141.63,165.12(dd,J=5.7,2.4Hz);
31P NMR(202.35MHz,CDCl3):β −17.7(s);
IR(KBR)2950,1470,780cm−1;
HRMS(FAB)計算値(C18H29N2P2(M++H))335.1809、実測値335.1826
<ビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)の合成>
窒素ガスで置換した25ml二口フラスコに、前記合成例1で調製した2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン(3a)1.33g(3.98mmol)と脱気したTHFを加えた。ここにテトラブチルアンモニウム金(I)ジクロリド1.02mg(1.99mmol)を加え、室温で20時間撹拌した。沈殿をろ別し、ろ液を乾固した。得られた褐色固体を減圧下で乾燥し、1.46gの下記式(1a)で表されるビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)を得た。この時の収率は82%であった。
31P NMR(121.55MHz,CDCl3):8.8(s)
MS(ESI、POS)m/z 866 (M+−Cl−)
上記のようにして得られたビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)の腫瘍細胞に対する活性評価試験を下記のように実施した。また、比較対象としてシスプラチン(比較例1)についても同様な試験を実施した。
実施例1と同様にして得られたビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)50g、乳糖400g及びトウモロコシデンプン50gをブレンダーで混合して散剤を得た。
実施例1と同様にして得られたビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)50g、乳糖250g及び低置換度ヒドロキシプロピルセルロース50gを混合した後、10%ヒドロキシプロピルセルロース水溶液150gを加えて混練した。これを押出し造粒機を用いて造粒、乾燥して顆粒剤を得た。
実施例1と同様にして得られたビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)50g、乳糖250g、トウモロコシデンプン120g、結晶セルロース75g及びステアリン酸マグネシウム5gをブレンダーで混合した後、錠剤機で打錠して錠剤を得た。
実施例1と同様にして得られたビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)25g、乳糖300g、トウモロコシデンプン170g及びステアリン酸マグネシウム5gをV型混合機を用いて混合した後、3号カプセルに180mgずつ充填してカプセル剤を得た。
実施例1と同様にして得られたビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)100mg及びグルコース100mgを精製水2mlに溶解した後、濾過し、濾液を2mlアンプルに分注、封入した後滅菌して注射剤を得た。
実施例1と同様にして得られたビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)1g、エタノール3g、ヒドロキシエチルセルロース0.2g及びパラオキシ安息香酸メチル0.1gを精製水100mlに混合溶解してローション剤を得た。
実施例1と同様にして得られたビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)2g、流動パラフィン6g、ミツロウ2g、自己乳化型モノステアリン酸グリセリド3g及び白色ワセリン5gを加温して溶解、分散させ、軟膏剤を得た。
実施例1と同様にして得られたビス(2,3−ビス(tert−ブチルメチルホスフィノ)キノキサリン)金(I)クロリド(1a)2gを、モノステアリン酸グリセリド2g、ステアリルアルコール4g、オクチルドデカノール2g及びモノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン5gに加温しながら分散させ、これにパラオキシ安息香酸メチル0.1g、グリセリン5g及び精製水60gを加温して溶解させたものを加え、高速攪拌により乳化、冷却し、クリーム剤を得た。
Claims (5)
- 下記一般式(1):
(式中、R1及びR2は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有するシクロアルキル基、アダマンチル基、フェニル基又は置換基を有するフェニル基を示し、炭素数が1〜10であり、同一の基であっても異なる基であってもよい。R 1 及びR 2 が置換基を有するシクロアルキル基又は置換基を有するフェニル基の場合、シクロアルキル基又はフェニル基が有する置換基は、アルキル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基又はヨード基である。R3及びR4は、水素原子又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基を示し、炭素数が1〜6であり、同一の基であっても異なる基であってもよい。R3及びR4は、互いに結合して飽和又は不飽和の環を形成していてもよく、該飽和又は不飽和の環は、置換基を有していてもよい。R 3 及びR 4 が互いに結合して飽和又は不飽和の環を形成している場合、形成された環が有する置換基としては、直鎖状又は分岐鎖状であり且つ炭素数が1〜5のアルキル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基又はヨード基である。Mは、金、銅及び銀の群から選ばれる遷移金属原子を示す。X−は、アニオンを示す。)
で表されることを特徴とするホスフィン遷移金属錯体。 - 下記一般式(2):
(式中、R1及びR2は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有するシクロアルキル基、アダマンチル基、フェニル基又は置換基を有するフェニル基を示し、炭素数が1〜10であり、同一の基であっても異なる基であってもよい。R 1 及びR 2 が置換基を有するシクロアルキル基又は置換基を有するフェニル基の場合、シクロアルキル基又はフェニル基が有する置換基は、アルキル基、ニトロ基、アミノ基、ヒドロキシル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基又はヨード基である。R5は、一価の置換基を示す。nは、0〜4の整数を示す。Mは、金、銅及び銀の群から選ばれる遷移金属原子を示す。X−は、アニオンを示す。)
で表されることを特徴とする請求項1記載のホスフィン遷移金属錯体。 - R1がt−ブチル基又はアダマンチル基であり、R2がメチル基であることを特徴とする請求項1又は2いずれか1項記載のホスフィン遷移金属錯体。
- 下記一般式(3):
(式中、R1及びR2は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有するシクロアルキル基、アダマンチル基、フェニル基又は置換基を有するフェニル基を示し、炭素数が1〜10であり、同一の基であっても異なる基であってもよい。R3及びR4は、水素原子又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基を示し、炭素数が1〜6である。R3及びR4は、互いに結合して飽和又は不飽和の環を形成していてもよく、該飽和又は不飽和の環は、置換基を有していてもよい。)
で表されるホスフィン誘導体と、
金、銅又は銀の遷移金属塩と、
を反応させて、
下記一般式(1):
(式中、R1及びR2は、直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、シクロアルキル基、置換基を有するシクロアルキル基、アダマンチル基、フェニル基又は置換基を有するフェニル基を示し、炭素数が1〜10であり、同一の基であっても異なる基であってもよい。R3及びR4は、水素原子又は直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基を示し、炭素数が1〜6であり、同一の基であっても異なる基であってもよい。R3及びR4は、互いに結合して飽和又は不飽和の環を形成していてもよく、該飽和又は不飽和の環は、置換基を有していてもよい。Mは、金、銅及び銀の群から選ばれる遷移金属原子を示す。X−は、アニオンを示す。)
で表されるホスフィン遷移金属錯体を得ることを特徴とするホスフィン遷移金属錯体の製造方法。 - 請求項1〜3いずれか1項記載のホスフィン遷移金属錯体を含有することを特徴とする抗癌剤。
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