JP4476866B2 - Wafer holding method - Google Patents
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Description
本発明は、半導体ウエーハ等のウエーハに対して所定の加工を施すにあたって、そのウエーハをチャックテーブル上に動かないように保持するためのウエーハの保持方法に関する。 The present invention relates to a wafer holding method for holding a wafer such as a semiconductor wafer so as not to move on a chuck table when performing predetermined processing on the wafer.
ICやLSI等の電子回路が表面に形成された半導体チップは、各種電気・電子機器を小型化する上で今や必須のものとなっている。半導体チップは、円盤状の半導体ウエーハの表面に、ストリートと呼ばれる切断ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら矩形領域に電子回路を形成した後、半導体ウエーハをストリートに沿って分割するといった工程で製造される。 A semiconductor chip having an electronic circuit such as an IC or LSI formed on its surface is now indispensable for downsizing various electric / electronic devices. A semiconductor chip is a process in which a rectangular region of a lattice shape is defined by cutting lines called streets on the surface of a disk-shaped semiconductor wafer, an electronic circuit is formed in these rectangular regions, and then the semiconductor wafer is divided along the streets. Manufactured by.
ところで、近年では、電気・電子機器のさらなる小型化を可能とするために、デバイスの表面に、電極として15〜100μm程度の高さの突起状のバンプを形成し、このバンプを、実装基板に形成された電極に直接接合するようにしたフリップチップと称するデバイスが開発され、実用に供されている。また、インターポーザーと呼ばれている基板に複数のデバイスを併設したり積層したりして小型化を図る技術も開発され、実用化されている。 By the way, in recent years, in order to enable further miniaturization of electric and electronic equipment, bumps having a height of about 15 to 100 μm are formed as electrodes on the surface of the device, and the bumps are formed on the mounting substrate. A device called a flip chip, which is directly bonded to the formed electrode, has been developed and put into practical use. In addition, a technology for reducing the size by mounting or stacking a plurality of devices on a substrate called an interposer has been developed and put into practical use.
上記いずれの技術も、デバイスの表面に形成した複数のバンプを介して基板どうしを圧着させて接合するものであり、このため、全てのバンプどうしが突き合わせられて接触するには、その高さが均一でなければならない。そこで、本出願人は、半導体ウエーハの表面から突出するバンプの先端をバイト等の切削工具で削って高さを揃える加工装置を提案した(特許文献1)。 In any of the above technologies, the substrates are bonded together by bonding via a plurality of bumps formed on the surface of the device. Must be uniform. In view of this, the present applicant has proposed a processing apparatus for cutting the tips of bumps protruding from the surface of a semiconductor wafer with a cutting tool such as a cutting tool so as to align the height (Patent Document 1).
上記特許文献1に記載される装置のように、バイトによって半導体ウエーハ表面のバンプを除去すると、短絡を生じさせることなく容易にその高さを揃えることができるといった利点がある。 When the bumps on the surface of the semiconductor wafer are removed with a cutting tool as in the device described in Patent Document 1, there is an advantage that the height can be easily adjusted without causing a short circuit.
この装置では、半導体ウエーハを、バキュームチャック式のチャックテーブル上に吸着させて保持し、その上方に配したバイトによってバンプの先端を削り、バンプの高さが均一に揃うようにしている。バイトによってバンプを削る際には切削屑が生じるが、特に数ミクロン程度の微細な切削屑は、チャックテーブルに対して半導体ウエーハを着脱させる際に、浮遊していたものがチャックテーブル上に落下する場合がある。 In this apparatus, a semiconductor wafer is adsorbed and held on a vacuum chuck type chuck table, and the tips of the bumps are shaved with a cutting tool arranged above the semiconductor wafer so that the bumps have a uniform height. When cutting a bump with a cutting tool, cutting scraps are generated, but especially fine cutting scraps of a few microns fall on the chuck table when the semiconductor wafer is attached to or detached from the chuck table. There is a case.
そこで、チャックテーブル上に半導体ウエーハを載置するたびに、チャックテーブル上を洗浄することが行われている。ところが、微細な切削屑が除去しきれない状態で、次の半導体ウエーハがチャックテーブル上に置かれてしまう場合があり、そのまま吸着させると、切削屑がチャックテーブルと半導体ウエーハとの間に挟まり、半導体ウエーハの表面が僅かに凸状に湾曲するといった現象が起こっていた。 Therefore, every time a semiconductor wafer is placed on the chuck table, the chuck table is cleaned. However, the next semiconductor wafer may be placed on the chuck table in a state where fine cutting waste cannot be removed, and if it is adsorbed as it is, the cutting waste is sandwiched between the chuck table and the semiconductor wafer, There has been a phenomenon that the surface of the semiconductor wafer is slightly convexly curved.
このように半導体ウエーハが凸状に湾曲したままバンプを切削すると、湾曲部分のバンプが、結果的に他の部分よりも低く削られてバンプの高さが不均一になってしまうという不具合が起こる。そこで、複数のピンが突設されて保持面が構成されたいわゆるピンチャック式のチャックテーブルの採用が試みられた(特許文献2,3参照)。
If the bump is cut while the semiconductor wafer is curved in a convex manner in this way, the bump at the curved portion is eventually cut lower than the other portion, resulting in a non-uniform bump height. . Therefore, an attempt has been made to adopt a so-called pin chuck type chuck table in which a plurality of pins protrude and have a holding surface (see
このピンチャック式のチャックテーブルは、複数のピンの先端で半導体ウエーハを支持するもので、半導体ウエーハとの接触面積が比較的小さくなることから、切削屑が挟まりにくいものであった。しかしながら、切削屑が半導体ウエーハと保持面すなわちピンの先端との間に介在することは生じており、したがって、上記の不具合を完全に解消するには至らず、改善されるべき課題となっているのが現状である。 This pin chuck type chuck table supports the semiconductor wafer with the tips of a plurality of pins, and since the contact area with the semiconductor wafer is relatively small, it is difficult for cutting waste to be caught. However, it has occurred that the cutting waste is interposed between the semiconductor wafer and the holding surface, that is, the tip of the pin. Therefore, the above-mentioned problems are not completely solved and are problems to be improved. is the current situation.
よって本発明は、チャックテーブル上に落下した切削屑を効果的に除去することができ、切削屑によるウエーハの変形が生じないようにして、加工を正常に行うことができるようにするウエーハの保持方法を提供することを目的としている。 Therefore, the present invention can effectively remove the cutting waste that has fallen on the chuck table, hold the wafer so that the processing can be performed normally without deformation of the wafer due to the cutting waste. It aims to provide a method.
本発明は、複数のバンプが突出するデバイスが表面に形成されたウエーハを保持するチャックテーブルと、このチャックテーブルに保持されたウエーハのバンプを切削する切削手段と、チャックテーブルにウエーハを搬入する搬入手段とを備えたバンプ加工装置におけるチャックテーブルへのウエーハの保持方法であって、チャックテーブルの保持面は、複数のピンが突設されて構成され、該チャックテーブルの保持面にウエーハを搬入する際に、保持面に、ピンが水面下に埋没する状態になるように水を供給するとともに、該水を、ウエーハとピンの先端との間に介在させる工程と、ウエーハとピンの先端との間隔を減少させることにより、両者の間に介在する水を、流速を増大させながら押し出して排水させ、ウエーハをピンの先端に当接させてチャックテーブルに保持する工程とを備えることを特徴としている。 The present invention relates to a chuck table for holding a wafer having a device with a plurality of bumps protruding on the surface, a cutting means for cutting the bumps of the wafer held on the chuck table, and a carry-in for carrying the wafer to the chuck table. A wafer holding method on a chuck table, wherein the holding surface of the chuck table has a plurality of pins projecting, and the wafer is carried into the holding surface of the chuck table. In the process, water is supplied to the holding surface so that the pin is buried under the water surface, and the water is interposed between the wafer and the tip of the pin, and between the wafer and the tip of the pin, By reducing the interval, water intervening between the two is pushed out and drained while increasing the flow velocity, and the wafer is applied to the tip of the pin. It is characterized by comprising a step of holding the is allowed by the chuck table.
本発明によれば、ウエーハとチャックテーブルのピンの先端との間に水を介在させた後に、ウエーハを上から押し下げるか、あるいはチャックテーブルを上昇させるなどして、ウエーハをチャックテーブルに近付け、ウエーハとピンの先端との間隔を減少させると、両者の間に介在する水は、流速が増大しながら排水され、ウエーハがピンの先端に当接して保持される。 According to the present invention, after interposing water between the wafer and the tip of the pin of the chuck table, the wafer is brought close to the chuck table by pushing down the wafer from above or raising the chuck table. When the distance between the pin and the tip of the pin is reduced, the water interposed between the two is drained while increasing the flow velocity, and the wafer is held in contact with the tip of the pin.
ここで、ピンの先端に、バンプを切削した際に生じた切削屑が付着していた場合、その切削屑は、ウエーハとピンの先端との間から排水される水によって流され、除去される。ウエーハとピンの先端との間に介在する水は、ウエーハとピンの先端との間の間隔が小さくなって排水される際、その間隔が小さくなるほど流速が増大するので、切削屑は流されやすく、効果的に除去される。また、ピンであるが故に、その先端に付着していた切削屑は、360°いずれの方向に流動してもすぐに先端から脱落するので、確実に除去される。したがって、ウエーハがチャックテーブルに保持された際に、ウエーハとピンの先端との間に切削屑が挟まれることによりウエーハが変形し、後の加工に支障を来すといった不具合の発生を防止することができる。 Here, when the cutting waste generated when the bump is cut adheres to the tip of the pin, the cutting waste is flushed and removed by water drained from between the wafer and the tip of the pin. . When the water intervening between the wafer and the tip of the pin is drained with the gap between the wafer and the tip of the pin being reduced, the flow velocity increases as the gap decreases, so that the cutting waste tends to flow away. Effectively removed. Moreover, since it is a pin, the cutting waste adhering to the tip thereof is immediately removed from the tip even if it flows in any direction of 360 °, so that it is reliably removed. Therefore, when the wafer is held on the chuck table, it prevents the occurrence of problems such as the wafer being deformed due to the chip being sandwiched between the wafer and the tip of the pin, which hinders subsequent processing. Can do.
本発明では、チャックテーブルの保持面にウエーハを動かないように安定して保持する手段として、チャックテーブルにおける保持面のピン間に吸引口を形成しておき、ウエーハをピンの先端に当接させた後に、吸引口から、保持面側の水および空気を吸引することにより、ピンの先端にウエーハを吸着する手段を採用することができる。 In the present invention, as a means for stably holding the wafer on the holding surface of the chuck table so as not to move, a suction port is formed between the pins of the holding surface of the chuck table, and the wafer is brought into contact with the tip of the pin. After that, by sucking water and air on the holding surface side from the suction port, a means for adsorbing the wafer to the tip of the pin can be employed.
本発明によれば、ウエーハとチャックテーブルの保持面を構成するピンの先端との間に介在させた水を、ウエーハとピンの先端との間隔を減少させることで、流速を増大させながら排水するので、この排水によって、ピンの先端に付着する切削屑が効果的に除去される。そして、このようにピンの先端が洗浄されるので、ウエーハは変形することなくチャックテーブル上に保持され、加工を正常に行うことができる。 According to the present invention, the water interposed between the wafer and the tip of the pin constituting the holding surface of the chuck table is drained while increasing the flow velocity by reducing the distance between the wafer and the tip of the pin. Therefore, the cutting waste adhering to the tip of the pin is effectively removed by this drainage. Since the tip of the pin is cleaned in this manner, the wafer is held on the chuck table without being deformed, and the processing can be performed normally.
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
[1]装置の構成
図1は、本発明のウエーハの保持方法が適用されるバンプ加工装置の全体を示しており、図2は、該装置で加工する半導体ウエーハを示している。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[1] Apparatus Configuration FIG. 1 shows the entire bump processing apparatus to which the wafer holding method of the present invention is applied, and FIG. 2 shows a semiconductor wafer processed by the apparatus.
図2(a)に示すように、半導体ウエーハ1は、薄い円盤状で、その表面には、複数の半導体チップ2が格子状に形成されている。各半導体チップ2には、図2(b)に示すように、複数のバンプ3が形成されている。バンプ3は半導体チップ2に形成された電子回路の電極に接合されており、半導体ウエーハ1の表面から突出している。これらバンプ3は、例えば周知のスタッドバンプ形成法等によって形成されており、高さは不揃いの場合が多い。バンプ加工装置は、全てのバンプ3の先端を削って高さを均一に揃える加工を、半導体ウエーハ1に対して施すものである。
As shown in FIG. 2A, the semiconductor wafer 1 has a thin disk shape, and a plurality of
図1に示すように、バンプ加工装置は、各種機構が搭載された基台10を備えている。この基台10は、横長の状態に設置されて基台10の主体をなす直方体状のテーブル11と、このテーブル11の長手方向一端部(図1の奥側の端部)から、テーブル11の幅方向かつ鉛直方向上方に延びる壁部12とを有している。図1では、基台10の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。
As shown in FIG. 1, the bump processing apparatus includes a
基台10のテーブル11上は、長手方向のほぼ中間部分から壁部12側が加工エリア11Aとされ、この反対側が、加工エリア11Aに加工前の半導体ウエーハ1を供給し、かつ、加工後の半導体ウエーハ1を回収する供給・回収エリア11Bとされている。
以下、バンプ加工装置が備える各種機構を、加工エリア11Aに設けられるものと供給・回収エリア11Bに設けられものとに分けて説明する。
On the table 11 of the
Hereinafter, various mechanisms provided in the bump processing apparatus will be described separately for those provided in the
(a)加工エリアの機構
図1に示すように、加工エリア11Aには矩形状の凹所13が形成されており、この凹所13内には、移動台14を介して、円盤状のチャックテーブル70がY方向に移動自在に設けられている。移動台14は、テーブル11内に配されたY方向に延びるガイドレールに摺動自在に取り付けられ、適宜な駆動機構(いずれも図示略)によって同方向を往復動させられる。
(A) Mechanism of processing area As shown in FIG. 1, a
移動台14の移動方向両端部には、蛇腹15,16の一端が、それぞれ取り付けられており、これら蛇腹15,16の他端は、壁部12の内面と、壁部12に対向する凹所13の内壁面に、それぞれ取り付けられている。これら、蛇腹15,16は、移動台14の移動路を覆い、その移動路に切削屑等が落下することを防ぐもので、移動台14の移動に伴って伸縮する。
One end of the
チャックテーブル70は、移動台14上に、半導体ウエーハ1の保持面である上面が水平な状態に固定されている。半導体ウエーハ1は、バンプ3が形成された表面を上に向けて、このチャックテーブル70上にバキュームチャック方式で保持される。
The chuck table 70 is fixed on the moving table 14 so that the upper surface, which is the holding surface of the semiconductor wafer 1, is horizontal. The semiconductor wafer 1 is held on the chuck table 70 in a vacuum chuck manner with the surface on which the
チャックテーブル70のバキュームチャック構造を説明すると、図3(a)に示すように、チャックテーブル70の上面の外周縁には縁部71が突出して形成され、この縁部71で囲まれた底面72に、縁部71と同じ高さで細い円柱状に形成された多数のピン73が、ほぼ等間隔をおいて突設されている。ピン73は、例えば、直径:0.5mm、高さ:0.5mmとされ、ピン73の間隔は1.5mm程度とされる。また、底面72には、図3(b)に示すように、複数の吸引口74が形成されている。これら吸引口74は、図3(c)に示すように、底面72の中心と、中心から縁部71の間における円周等分複数箇所(この場合4箇所)に形成されている。なお、図3(c)では、多数のピン73の図示を省略している。
The vacuum chuck structure of the chuck table 70 will be described. As shown in FIG. 3A, an
図3(b)に示すように、チャックテーブル70の下面の中心からは、ダクト75を有するポスト部76が下方に延びている。そして、チャックテーブル70内には、ダクト75から各吸引口74に通じる吸引分岐路77が、放射状に形成されている。そして、ダクト75には、図示せぬバキューム装置が接続され、このバキューム装置を運転すると、多数のピン73上に載置された半導体ウエーハ1が、それらピン73の先端に当接して保持されるようになっている。
As shown in FIG. 3B, a
図1に示すように、チャックテーブル70は、壁部12側に移動して所定の加工位置に位置付けられる。その加工位置の上方には、切削ユニット(切削手段)20が配されている。この切削ユニット20は、基台10の壁部12に、移動板32およびガイドレール31を介して昇降自在に取り付けられ、送り機構30によって昇降させられる。
As shown in FIG. 1, the chuck table 70 moves to the
切削ユニット20は、軸方向がZ方向に延びる円筒状のハウジング22と、このハウジング22に同軸的、かつ回転自在に支持された回転軸23と、この回転軸23を回転駆動するサーボモータ24と、回転軸23の下端に同軸的に固定された円盤状のホイールマウント25と、このホイールマウント25に着脱可能に取り付けられたバイト26とから構成されており、上記移動板32に、ブロック34を介してハウジング22が固定されている。ホイールマウント25は、サーボモータ24によって図1の矢印(ホイールマウント25の上面に記載)方向に回転させられる。バイト26は、ダイヤモンド等からなる刃部を有し、この刃部で被加工物を切削する。
The cutting
(b)供給・回収エリアの機構
図1に示すように、供給・回収エリア11Bには矩形状の凹所18が形成されており、この凹所18の底部には、昇降自在とされた2節リンク式の水平旋回アーム60aの先端にフォーク60bが装着された移送機構60が設置されている。
(B) Mechanism of Supply / Recovery Area As shown in FIG. 1, a
そして、凹所18の周囲には、上から見た状態で、反時計回りに、カセット61、位置合わせ台62、1節の水平旋回アーム63aの先端に吸着板63bが取り付けられた供給アーム63、供給アーム63と同じ構造で、水平旋回アーム64aおよび吸着板64bを有する回収アーム64、スピンナ式の洗浄装置65、カセット66が、それぞれ配置されている。
A
カセット61、位置合わせ台62および供給アーム63は、半導体ウエーハ1をチャックテーブル70に供給する手段であり、回収アーム64、洗浄装置65およびカセット66は、加工後の半導体ウエーハ1をチャックテーブル70から回収する手段である。2つのカセット61,66は同一の構造であるが、ここでは用途別に、供給カセット61、回収カセット66と称する。これらカセット61,66は、複数の半導体ウエーハ1を収容して持ち運びするためのもので、テーブル11の所定位置にセットされる。
The
供給カセット61には、加工前の複数の半導体ウエーハ1が、積層された状態で収容される。移送機構60は、アーム60aの昇降・旋回と、フォーク60bの把持動作によって、供給カセット61内から1枚の半導体ウエーハ1を取り出し、さらにその半導体ウエーハ1を、バンプ3が形成されている表面を上に向けた状態で、位置合わせ台62上に載置する機能を有する。
A plurality of unprocessed semiconductor wafers 1 are accommodated in the
位置合わせ台62上には、一定の位置に決められた状態で半導体ウエーハ1が載置される。供給アーム63は、位置合わせ台62上の半導体ウエーハ1を吸着板63bに吸着し、アーム63aを旋回させて、チャックテーブル70上に半導体ウエーハ1を配し、水平旋回アーム63aを下降させた後、吸着動作を停止することにより、チャックテーブル70上に半導体ウエーハ1を載置する機能を有する。
On the alignment table 62, the semiconductor wafer 1 is placed in a state determined at a certain position. The
回収アーム64は、加工後の半導体ウエーハ1を、チャックテーブル70上から吸着板64bに吸着し、アーム64aを旋回させて、半導体ウエーハ1を洗浄装置65内に移送する機能を有する。洗浄装置65は、半導体ウエーハ1を水洗した後、半導体ウエーハ1を回転させて水分を振り飛ばし除去する機能を有する。そして、洗浄装置65によって洗浄された半導体ウエーハ1は、移送機構60によって回収カセット66内に移送、収容される。
The
供給アーム63および回収アーム64により、チャックテーブル70に対して半導体ウエーハ1を着脱させる際には、移動台14を供給・回収エリア11B側に移動させて所定の供給・回収位置で停止させる。
When the semiconductor wafer 1 is attached to or detached from the chuck table 70 by the
供給アーム63と回収アーム64の間には、チャックテーブル70に高圧エアーを噴射してチャックテーブル70を洗浄し、この後、後述するようにチャックテーブル70上に水を供給するノズル67が配されている。
Between the
切削ユニット20による半導体ウエーハ1の加工位置は、供給・回収位置よりも壁部12側に所定距離移動した範囲とされ、チャックテーブル70は、移動台14の移動によって、これら加工位置と供給・回収位置との間を行き来させられる。ノズル67によるチャックテーブル70の洗浄、および水の供給は、供給・回収位置において行われる。
The processing position of the semiconductor wafer 1 by the cutting
[2]装置の動作
続いて、以上の構成からなるバンプ加工装置の使用方法ならびに動作を、以下に説明する。ここで説明する動作において、チャックテーブル70上に半導体ウエーハ1を保持する動作が、本発明の保持方法の具体例となる。
[2] Operation of the apparatus Next, the usage method and operation of the bump processing apparatus having the above configuration will be described below. In the operation described here, the operation of holding the semiconductor wafer 1 on the chuck table 70 is a specific example of the holding method of the present invention.
オペレータは、複数の半導体ウエーハ1を収容した供給カセット61と、空の回収カセット66を、供給・回収エリア11Bの所定位置にそれぞれセットして、加工の準備を行う。
The operator sets a
続いて、移送機構60によって、供給カセット61内から1枚の半導体ウエーハ1が取り出され、さらにその半導体ウエーハ1は、移送機構60によって裏面を上に向けた状態で位置合わせ台62上に載置される。
Subsequently, a single semiconductor wafer 1 is taken out from the
また、チャックテーブル70は供給・回収位置に位置付けられる。そして、図4(a)に示すように、チャックテーブル70の上面に向けて、ノズル67から水が噴射され、ピン73が水面下に埋没する状態になるまで水Wが供給される。チャックテーブル70上に供給された水Wは、表面張力によって水面が凸状に湾曲した状態でチャックテーブル70上に溜まる。
Further, the chuck table 70 is positioned at the supply / recovery position. Then, as shown in FIG. 4A, water is jetted from the
次に、位置合わせ台62に載置された半導体ウエーハ1は、供給アーム63により、図4(b)に示すように、チャックテーブル70上に供給された水Wの水面に、表面を上に向けて接触させられる。さらに、この状態から供給アーム63の水平旋回アーム63aを徐々に下降させて、図4(c)に示すように、半導体ウエーハ1をチャックテーブル70に近付けていき、やがては、図4(d)に示すようにチャックテーブル70上に当接させる。
Next, the semiconductor wafer 1 placed on the alignment table 62 is brought up to the surface of the water W supplied on the chuck table 70 by the
次いで、チャックテーブル70のバキューム装置を運転し、これによって、半導体ウエーハ1はチャックテーブル70上に吸着、保持される。チャックテーブル70上に残っていた水は、吸引口74から吸引される。なお、半導体ウエーハ1がチャックテーブル70のピン73の先端に当接する前にバキューム装置を運転してもよく、その場合には、排水される水の流速がより増大する。
Next, the vacuum device of the chuck table 70 is operated, whereby the semiconductor wafer 1 is sucked and held on the chuck table 70. The water remaining on the chuck table 70 is sucked from the
上記のようにチャックテーブル70上に半導体ウエーハ1を保持させる一連の動作において、半導体ウエーハ1がチャックテーブル70に近付くように下降する過程では、半導体ウエーハ1とピン73の先端との間の間隔が減少し、両者の間に介在する水Wは、流速が増大しながら排水される。排水の多くは、半導体ウエーハ1とチャックテーブル70の間から外部に流出するが、一部はチャックテーブル70の吸引口74内に入り込む。
In the series of operations for holding the semiconductor wafer 1 on the chuck table 70 as described above, in the process in which the semiconductor wafer 1 is lowered so as to approach the chuck table 70, the distance between the semiconductor wafer 1 and the tip of the
ここで、ピン73の先端に、バンプ2を切削した際に生じた切削屑(図4(c)の拡大図に符号4で示す)が付着していた場合、その切削屑は、半導体ウエーハ1とピン73の先端との間から上記のようにして排水される水Wによって流され、除去される。半導体ウエーハ1とピン73の先端との間に介在する水Wは、両者の間隔が小さくなって排水される際、その間隔が小さくなるほど流速が増大するので、切削屑は流されやすく、したがってピン73の先端から効果的に除去される。ピン73の先端は、例えば微小な円形状であるから、その先端に付着していた切削屑は、360°いずれの方向に流動しても、すぐに先端から脱落していくので、確実に除去される。このようにして切削屑をピン73の先端から除去する場合、超音波振動を水に与えることは、切削屑をピン73から離脱させやすくなるので、好ましい方法である。
Here, when cutting waste (indicated by
このため、半導体ウエーハ1がチャックテーブル70の上面にバキュームチャックによって保持された際に、半導体ウエーハ1とピン73の先端との間に切削屑が挟まれることが防止される。その結果、半導体ウエーハ1が凸状に湾曲するように変形することがなく、後のバンプ切削加工を施した際に、バンプ2の高さが不揃いになるといった不具合が起こらない。
For this reason, when the semiconductor wafer 1 is held on the upper surface of the chuck table 70 by the vacuum chuck, it is possible to prevent cutting waste from being sandwiched between the semiconductor wafer 1 and the tip of the
そのバンプ切削加工は、次のようにして行われる。
切削ユニット20の上下方向の位置を、バイト26がバンプ3を所定の高さに切削し得る位置になるよう送り機構30によって調製し、サーボモータ24によってホイールマウント25を回転させる。この状態から、移動台14を切削ユニット20側に移動させて、チャックテーブル70上に保持した半導体ウエーハ1を、所定速度で切削ユニット20の下方である加工位置に送り込んでいく。これにより、バンプ3の先端がバイト26の刃部によって削られていき、半導体ウエーハ1の表面全面に対する切削加工が終わったら、バンプ切削加工を終了する。
The bump cutting process is performed as follows.
The vertical position of the cutting
続いて、バンプ3の先端が揃えられた加工後の半導体ウエーハ1を回収する動作を説明すると、まず、チャックテーブル70を供給・回収位置まで移動させるとともに、バキューム装置の動作を停止させ、チャックテーブル70上での半導体ウエーハ1の保持状態を解除する。次に、その半導体ウエーハ1は、回収アーム64によって洗浄装置65内に移送されて水洗されてから水分が除去され、次いで、移送機構60によって回収カセット66内に移送、収容される。また、ノズル67から、供給・回収位置で停止しているチャックテーブル70に向けて高圧エアーが噴射され、チャックテーブル70が洗浄される。この後、ノズル67からチャックテーブル70上に水が噴射され、ピン73が水面下に埋没する状態になるまで水Wが供給される。
以上が1枚の半導体ウエーハ1に対してバンプ3の先端を切削加工し、この後、洗浄して回収するサイクルであり、このサイクルが繰り返し行われる。
Next, the operation of recovering the processed semiconductor wafer 1 with the tips of the
The above is a cycle in which the tips of the
[3]効果
上記のようにして半導体ウエーハ1をチャックテーブル70に保持する方法によれば、チャックテーブル70の上面に供給した水Wの水面に半導体ウエーハ1を接触させ、この半導体ウエーハ1をチャックテーブル70に近付けることで、半導体ウエーハ1とピン73の先端との間に介在する水Wが、流速が増大しながら排水され、ピン73の先端に付着する切削屑は、その排水に混じって流され、除去される。
[3] Effect According to the method of holding the semiconductor wafer 1 on the chuck table 70 as described above, the semiconductor wafer 1 is brought into contact with the water surface of the water W supplied to the upper surface of the chuck table 70, and the semiconductor wafer 1 is chucked. By approaching the table 70, the water W interposed between the semiconductor wafer 1 and the tip of the
本実施形態では、はじめに、ノズル67からの高圧エアーの噴射によってチャックテーブル70上を洗浄するが、この時に、切削屑が完全に除去されておらず、ピン73の先端に切削屑が付着していても、上記保持方法により、ピン73の先端から切削屑を完全に除去することができる。このようにピン73の先端が洗浄されるので、半導体ウエーハ1は変形することなくチャックテーブル70上に保持され、バンプ切削加工を正常に行うことができる。
In this embodiment, the chuck table 70 is first cleaned by jetting high-pressure air from the
1…半導体ウエーハ
20…切削ユニット(切削手段)
70…チャックテーブル
73…ピン
74…吸引口
W…水
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
70 ... Chuck table 73 ...
Claims (2)
このチャックテーブルに保持された前記ウエーハの前記バンプを切削する切削手段と、
前記チャックテーブルに前記ウエーハを搬入する搬入手段とを備えたバンプ加工装置における前記チャックテーブルへの前記ウエーハの保持方法であって、
前記チャックテーブルの保持面は、複数のピンが突設されて構成され、
該チャックテーブルの保持面に前記ウエーハを搬入する際に、
前記保持面に、前記ピンが水面下に埋没する状態になるように水を供給するとともに、該水を、前記ウエーハとピンの先端との間に介在させる工程と、
前記ウエーハと前記ピンの先端との間隔を減少させることにより、両者の間に介在する前記水を、流速を増大させながら押し出して排水させ、ウエーハをピンの先端に当接させてチャックテーブルに保持する工程と
を備えることを特徴とするウエーハの保持方法。 A chuck table for holding a wafer having a device with a plurality of bumps protruding on the surface;
Cutting means for cutting the bumps of the wafer held by the chuck table;
A method of holding the wafer to the chuck table in a bump processing apparatus comprising a loading means for loading the wafer into the chuck table,
The holding surface of the chuck table is configured by projecting a plurality of pins,
When carrying the wafer into the holding surface of the chuck table,
Supplying water to the holding surface so that the pin is buried under the water surface, and interposing the water between the wafer and the tip of the pin;
By reducing the distance between the wafer and the tip of the pin, the water interposed between the two is pushed out and drained while increasing the flow velocity, and the wafer is held on the chuck table by contacting the tip of the pin. And a wafer holding method.
A suction port is formed between the pins on the holding surface of the chuck table, and after the wafer is brought into contact with the tip of the pin, water and air on the holding surface side are sucked from the suction port. The wafer holding method according to claim 1, wherein the wafer is attracted to a tip of the pin.
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