JP4477490B2 - 金属銅堆積用の前駆体物質としてのシュウ酸二銅（ｉ）錯体 - Google Patents

Description

本発明は、中性ルイス塩基成分を使って安定化させたシュウ酸二銅（Ｉ）錯体、および金属銅堆積用の前駆体としてのその使用に関する。使用される中性ルイス塩基は、少なくとも１個のシリル基もしくはエステル基を含むアルキンまたはアルケン、あるいはニトリル、飽和もしくは不飽和窒素配位子、ホスファイト、トリアルキルホスフィン、酸素含有配位子、または硫黄含有配位子である。

銅薄膜を基板上に堆積させるための、多くの有機銅前駆体が現在知られている。β−ジケトナート配位子と、例えばアルケンまたはアルキン等の中性ルイス塩基Ｌを含む、酸化状態＋１の銅化合物が、非常に有望な物質であることがわかっている。この種の錯体、およびＣＶＤ（化学気相堆積）法における前駆体としてのその使用は、例えば米国特許第５，２２０，０４４号、ＷＯ００／７１５５０号、ＷＯ００／１７２７８号、米国特許第６，１３０，３４５号、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００１，１３，３９９３；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００１，４０，６１６７；Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１９９２，４，３６５；Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２００１，２０，４００１に記載されている。例えばヘキサフルオロアセチルアセトナート等のフッ素含有β−ジケトナート配位子の使用が好ましいが、これは対応する銅（Ｉ）錯体が、これらのフッ素を含まない類似化合物と比べてはるかに高い安定性、および高い揮発性を有するためである。例えばアルキンを使って安定化させた銅（Ｉ）アセチルアセトナート等のフッ素を含まない銅（Ｉ）β−ジケトナート錯体は、極めて酸素感受性が高く、０℃でも分解し（Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．１９９５，９２８，５２５）、したがってＣＶＤ法用の前駆体としてはもはや適切ではない。銅層の堆積は、熱誘起不均化反応で、以下の式に従って行われる。

２ＬＣｕ^I（β−ジケトナート）→Ｃｕ⁰＋Ｃｕ^II（β−ジケトナート）₂＋２Ｌ
得られるＣｕ^II（β−ジケトナート）₂およびルイス塩基Ｌは、ＣＶＤ法で使用される条件下で揮発性であり、したがって系から除去することができる。高純度の銅被膜が残ることが理想的である。ただし、この反応では使用される銅（Ｉ）前駆体の５０％しか銅（０）に転化することができず、残りの５０％は対応するＣｕ^II（β−ジケトナート）₂になる。例えばＷＯ００／０８２２５号や米国特許第５，４４１，７６６号に記載されているように、β−ジケトンの代わりにβ−ケトエステルを用いても同じ結果が得られる。しかし、フッ素含有銅（Ｉ）前駆体の使用は、銅被膜の各種基板の表面への接着が完全にならないため、不利であることがわかっているが、これはおそらく前駆体分子中のフッ素原子のファンデルワールス力、すなわち斥力相互作用に帰すことができる。さらに、マイクロエレクトニクスにおけるウェハ、特にシリコンウェハがフッ素で汚染されて、このウェハが使用不能になるおそれがある。

銅への完全な転化は、式ＬＣｕ^IＯＲのルイス塩基を使って安定化させた銅（Ｉ）アルコキシド（欧州特許第０４６８３９６号）や、欧州特許第０２９７３４８号およびドイツ特許第４１２４６８６号に記載の、式ＬＣｕ^I（η⁵−Ｃ₅Ｒ₅）のルイス塩基を使って安定化させたシクロペンタジエニル銅（Ｉ）化合物を用いて達成される。これら特許の実施例の一部は、フッ素を含まず、２５℃で安定である。ただし、これらの実施例では熱分解反応が一定の方式では進行しないため、これらの分解反応ではフリーラジカル種が形成されて、残念ながら銅被膜が汚染される（酸素：約５％、炭素：約１％）（ＭＲＳ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ／Ａｕｇｕｓｔ １９９４，４１；Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１９９２，４，５７７）。

したがって、本発明の目的は、調製が簡単かつ安価であり、熱的に安定であり、可能であれば空気に対して安定であり、熱による方法で約５０〜４００℃での一定した分解反応において金属銅被膜に完全に転化して、一定した分子状の、銅を含まず、非毒性の、可能であれば気体状の副生成物を形成する、金属銅堆積用のフッ素を含まない銅（Ｉ）前駆体を提供することにある。また、本発明のさらなる目的は、簡単かつ安価に行うことができる、本発明の前駆体物質の調製方法に加えて、これらの前駆体を用いて薄い、高純度の銅の被膜または層を調製する適切な方法を提供し、したがって改良された高純度の薄い銅層を提供することにもある。

この目的は、一般式（Ｉ）の化合物により達成される。

（式中、銅は酸化状態＋１であり、
Ｌは、少なくとも１個のシリル基もしくはエステル基を有するＲ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ'；少なくとも１個のシリル基もしくはエステル基を有するＲ'ＨＣ＝ＣＨＲ；Ｒ'₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ'、Ｒ'₃Ｎ、Ｒ'₂Ｎ（ＣＨ₂）_nＮＲ'₂、置換もしくは非置換の２，２'−ビピリジン、１，１０−フェナントロリン、Ｐ（ＯＲ'）₃、Ｐ（アルキル）₃、Ｒ'−Ｏ−Ｒ'、Ｒ'−Ｏ（ＣＨ₂）_nＯ−Ｒ'、Ｒ'−Ｓ−Ｒ'、Ｒ'−Ｓ（ＣＨ₂）_nＳ−Ｒ'；またはＣＨ₃−Ｃ≡Ｎ、^tＢｕ−Ｃ≡Ｎ、Ｃ₄Ｈ₉Ｃ≡Ｎ、およびＰｈ−Ｃ≡Ｎからなる群から選択されるニトリルであり、
ここでＲは、少なくとも１個のＳｉＲ'₃基またはＣＯＯＲ'基を有する、Ａ、アリール、アルキルアリール、またはアルキニルであり、
Ｒ'は、Ｒ、Ｈ、Ａ、アリール、アルキルアリール、またはアルキニルであり、
Ｌ、Ｒ、およびＲ'は、それぞれ独立して、同一または異なる意味を有することができ、
Ａは、直鎖もしくは分岐状のＣ１〜Ｃ３０アルキル、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、直鎖もしくは分岐状のＣ２〜Ｃ３０アルケニル、または直鎖もしくは分岐状のＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルであり、
アリールはＣ６〜Ｃ１０アリールまたはアルキルアリールであり、
アルキルアリールはＣ７〜Ｃ１８アルキルアリールであり、
アルキニルは直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ３０アルキニルである。）
したがって、本発明の化合物はまた、
Ａが、直鎖もしくは分岐状のＣ１〜Ｃ９アルキル、直鎖もしくは分岐状のＣ３〜Ｃ９シクロアルキル、直鎖もしくは分岐状のＣ２〜Ｃ９アルケニル、または直鎖もしくは分岐状のＣ３〜Ｃ９シクロアルケニルであり、
アリールがフェニルまたはナフチルであり、
アルキルアリールがトリルまたはメシチルであり、
アルキニルが直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ９アルキニルであり、
Ｌ、Ｒ、およびＲ'は、それぞれ独立して、同一または異なる意味を有することができる、一般式（Ｉ）の化合物である。

部分群は、一般式（Ｉ）で表わされる化合物において、
Ｉ． Ａが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、およびｔ−ブチルからなる群から選択される直鎖または分岐状のＣ１〜Ｃ４アルキル；シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、およびシクロヘキシルからなる群から選択されるＣ３〜Ｃ６シクロアルキル；ビニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、およびヘキセニルからなる群から選択される直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ６アルケニル；またはシクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、およびメチルシクロペンタジエニルからなる群から選択されるＣ３〜Ｃ６シクロアルケニルであり、
アリールがフェニルまたはナフチルであり、
アルキルアリールがトリルまたはメシチルであり、
アルキニルが、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、およびヘキシニルからなる群から選択される直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ６アルキニルであり、
ＲおよびＲ'が、それぞれ独立して、同一または異なる意味を有することができる化合物
ＩＩ． Ｌが、少なくとも１個のシリル基またはエステル基を有する、Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ'またはＲ'ＨＣ＝ＣＨＲであり、ＲおよびＲ'ラジカルが請求項１の定義の通りである化合物
ＩＩＩ． ＬがＲ'₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ'であり、
Ｒ'がＳｉＭｅ₃、ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₃Ｈ₇、Ｃ₄Ｈ₉、フェニル、ＣＯＯＭｅ、またはＣＯＯＥｔである化合物
ＩＶ． Ｌが、Ｍｅ₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−ＳｉＭｅ₃、Ｍｅ₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−ⁿＢｕ、ＭｅＯＯＣ−Ｃ≡Ｃ−ＣＯＯＭｅ、ＥｔＯＯＣ−Ｃ≡Ｃ−ＯＯＯＥｔ、およびＭｅ₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ'からなる群から選択されるアルキンであり、Ｒ'がＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₃Ｈ₇、フェニル、ＣＯＯＭｅ、またはＣＯＯＥｔである化合物
Ｖ． Ｌが、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＭｅ₃、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣＨ₃、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣ₂Ｈ₅、およびＨ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＲ'₃からなる群から選択されるアルケンであり、Ｒ'がそれぞれ独立してＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₃Ｈ₇、Ｃ₄Ｈ₉、ＨＣ＝ＣＨ₂、またはフェニルである化合物
ＶＩ． Ｌが、ＣＨ₃−Ｃ≡Ｎ、^tＢｕ Ｃ≡Ｎ、Ｃ₄Ｈ₉Ｃ≡Ｎ、Ｐｈ−Ｃ≡Ｎ；Ｎ（ＣＨ₃）₃、Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₃、Ｈ₂Ｎ−（ＣＨ₂）₂−ＮＨ₂、（ＣＨ₃）₂Ｎ−（ＣＨ₂）₂−Ｎ（ＣＨ₃）₂、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｎ−（ＣＨ₂）₂−Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂、Ｈ₂Ｎ−（ＣＨ₂）₄−ＮＨ₂、（ＣＨ₃）₂Ｎ−（ＣＨ₂）₄−Ｎ（ＣＨ₃）₂、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｎ−（ＣＨ₂）₄−Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂、２，９−ジメチル−１，１０−フェナントロリン；Ｐ（ＯＣＨ₃）₃、Ｐ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、Ｐ（ＯＣ₆Ｈ₁₁）₃、Ｐ（ＯＰｈ）₃；Ｐ（ＣＨ₃）₃、Ｐ（Ｃ₂Ｈ₅）₃、Ｐ（Ｃ₃Ｈ₇）₃、Ｐ（Ｃ₄Ｈ₉）₃、Ｐ（Ｃ₆Ｈ₁₁）₃；Ｃ₂Ｈ₅−Ｏ−Ｃ₂Ｈ₅、ＣＨ₃−Ｏ−Ｃ₄Ｈ₉、ＣＨ₃Ｏ−（ＣＨ₂）₂−ＯＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｏ−（ＣＨ₂）₂−ＯＣ₂Ｈ₅、ＣＨ₃−Ｓ−ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅−Ｓ−Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₃Ｈ₇−Ｓ−Ｃ₃Ｈ₇、Ｐｈ−Ｓ−Ｐｈ、ＣＨ₃Ｓ−（ＣＨ₂）₂−ＳＣＨ₃、ＣＨ₃Ｓ−（ＣＨ₂）₃−ＳＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓ−（ＣＨ₂）₂−ＳＣ₂Ｈ₅、およびＰｈＳ−（ＣＨ₂）₂−ＳＰｈからなる群から選択される化合物
で構成される。

具体的には、本発明の目的は、一般式（Ｉ）の新規化合物、すなわち
シュウ酸ジ｛［ビス（トリメチルシリル）アセチレン］銅（Ｉ）｝、
シュウ酸ジ｛［（トリメチルシリル）（ｎ−ブチル）アセチレン］銅（Ｉ）｝、
シュウ酸ジ［（ビニル−ｔ−ブチルジメチルシラン）銅（Ｉ）］、および
シュウ酸ジ［（ビニルジエチルメチルシラン）銅（Ｉ）］により達成される。

本発明の目的はまた、Ｃｕ₂Ｏをシュウ酸およびルイス塩基Ｌと不活性溶媒中で反応させ、得られる生成物を単離することで、前述の一般式（Ｉ）の化合物を調製する方法によっても達成される。具体的には、この目的は、請求項１１〜２１に記載の方法の具体的な実施形態により達成される。

本発明によれば、請求項１〜９に記載の一般式（Ｉ）の化合物は、高純度の薄い金属銅の層の製造に使用される。

高純度の薄い金属銅の層は、一般式（Ｉ）の化合物を加熱して、脱炭酸によりルイス塩基Ｌを除去し、金属銅を堆積させるプロセスにより製造される。

ルイス塩基Ｌの除去は、約５０〜約２００℃で行われる。第２の反応として行われる、脱炭酸による金属銅および二酸化炭素の形成は、約１５０〜３５０℃で完了する。

除去されたルイス塩基Ｌは、再循環され、一般式（Ｉ）の化合物の調製方法で再利用され、高純度の薄い金属銅の層の製造に使用される。

したがって、本発明の目的は、具体的には、本発明の方法において一般式（Ｉ）の化合物を用いて製造される、特性が向上した、高純度の薄い金属銅の層により達成される。

本発明は、一般式（Ｉ）の化合物を提供する。

それぞれの化合物においては、錯体中の位置にかかわらず、それぞれ独立して、
Ｌは、少なくとも１個のシリル基またはエステル基を含む、アルキンＲ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ’またはアルケンＲ’ＨＣ＝ＣＨＲである。またＬは、ニトリルＲ’−Ｃ≡Ｎ、飽和窒素配位子、不飽和窒素配位子、ホスファイトＰ（ＯＲ’）₃、トリアルキルホスフィンＰ（アルキル）₃、エーテルＲ’−Ｏ−Ｒ’、ジエーテル、チオエーテルＲ’−Ｓ−Ｒ’、またはジチオエーテルであってもよい。銅の酸化状態は＋１である。

Ｒは、少なくとも１個のＳｉＲ’₃基またはＣＯＯＲ’基を有する、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキルアリール、またはアルキニルでよい。

Ｒ’は、それぞれ独立して、Ｒ、Ｈ、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキルアリール、またはアルキニルでよい。

一般式（Ｉ）の化合物は、Ｃｕ₂Ｏ、シュウ酸、および中性配位子Ｌまたは２つの異なる中性配位子を、不活性非プロトン性有機溶媒中で反応させることで調製される。一般式（Ｉ）の化合物は、温度安定性のある物質として高純度の形で単離することができる。さらに、この得られた物質は、酸化安定性が驚くほど、異常に高いという特徴がある。これらの物質は空気中で問題なく取り扱うことができるため、後でこれらの物質を金属銅堆積用の前駆体として使用することが非常に容易になる。

一般式（Ｉ）の化合物を加熱した場合、高純度の銅ミラーが残る。副生成物はすべて揮発性であるため、反応部位から非常に容易に除去することができる。熱分解は下記の式に従って進行する。

金属銅以外に形成される唯一の反応生成物は、二酸化炭素およびルイス塩基Ｌであり、これらは再生し、再利用することができる。

一般式（Ｉ）の化合物は金属銅堆積用の前駆体として使用することができる。堆積は、気相で、前駆体と適切な溶媒の溶液で、または固体状の前駆体を加熱した基板と接触させて行うことができる。規定のフリーラジカルが関与しない分解反応で金属銅を１００％堆積させて高純度の銅被膜を形成することができる銅（Ｉ）前駆体が、初めて利用可能になるということは、従来技術と比べて有利である。したがって、堆積した金属銅の収率は、従来技術と比べて５０〜１００％向上する。これらの化合物の高い安定性や非感受性、特に高い酸化安定性は、金属銅の堆積プロセスにおけるこれらの化合物の取り扱いを非常に容易にするため、コストの点でこの堆積プロセスに好ましい影響を与える。

従来技術で使用される物質（ＣｕｐｒａＳｅｌｅｃｔ（登録商標））と比較した場合の、一般式（Ｉ）の化合物の利点は、より高い熱安定性等のより良好な物理的特性、より高い酸化安定性等のより良好な化学的特性、より容易な取り扱い、ヘキサフルオロアセチルアセトンと比べてはるかに安価な出発材料であるシュウ酸の使用による、より安価な合成、堆積プロセスにおける金属銅の収量が２倍になること、銅を含まない非毒性の副生成物、より少ない副生成物、したがってより少ない環境汚染である。さらに、これらの化合物は、フッ素汚染を発生させてウェハを使用不能にするようなフッ素原子を含まない。

結局、本発明の銅（Ｉ）前駆体の合成は、市販の銅（Ｉ）前駆体ＣｕｐｒａＳｅｌｅｃｔ（登録商標）、すなわち（トリメチルビニルシラン）銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトナートの合成と比べて容易かつ安価である。同時に、本発明の前駆体により、銅被覆の品質の向上と、プロセスの環境に対する優しさの向上の両立が可能になる。

本発明の一般式（Ｉ）の化合物は、シュウ酸ジアニオンおよび酸化状態＋１の２つの銅中心を含み、このシュウ酸ジアニオンはμ−１，２，３，４モードでブリッジとしてこの２つの銅（Ｉ）中心に結合している。シュウ酸二銅（Ｉ）単位ＣｕＯ₂Ｃ₂Ｏ₂Ｃｕは、中性配位子Ｌ、好ましくは２つの同一の配位子Ｌを、各銅（Ｉ）中心に１つづつ配位させることで安定化され、この２つの銅（Ｉ）中心は少なくとも擬似平面三角形環境を有し、所望であれば４面体環境を有する。この錯体中に存在するこれらの銅原子は、２つの異なる配位子Ｌに結合してもよい。簡略化のために、以下では通常、１個の配位子またはルイス塩基Ｌについて言及するが、２個の異なる配位子またはルイス塩基Ｌを意味していると考えてもよい。

Ｌは、少なくとも１個のシリル基またはエステル基を含む、アルキンＲ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ’またはアルケンＲ’ＨＣ＝ＣＨＲである。また、ＬはニトリルＲ’−Ｃ≡Ｎ；飽和窒素配位子もしくは不飽和窒素配位子、例えばＲ’₃Ｎ、Ｒ’₂Ｎ（ＣＨ₂）_nＮＲ’₂、置換または非置換の２，２’−ビピリジンまたは１，１０−フェナントロリン；ホスファイトＰ（ＯＲ’）₃、アルキルホスフィンＰ（アルキル）₃、エーテルＲ’−Ｏ−Ｒ’、ジエーテル、チオエーテルＲ’−Ｓ−Ｒ’、またはジチオエーテルであってもよい。また、Ｒは、少なくとも１個のＳｉＲ’₃基またはＣＯＯＲ’基を有する、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキルアリール、またはアルキニルでよい。Ｒ’は、それぞれ独立して、Ｒ、Ｈ、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アリール、アルキルアリール、またはアルキニルでよい。

アルキル基は、直鎖または分岐状のＣ１〜Ｃ３０アルキル、好ましくは直鎖または分岐状のＣ１〜Ｃ９アルキル、特に好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、およびｔ−ブチルからなる群から選ばれる直鎖または分岐状のＣ１〜Ｃ４アルキルでよい。シクロアルキル基は、直鎖または分岐状のＣ３〜Ｃ３０シクロアルキル、好ましくはＣ３〜Ｃ９シクロアルキル、特に好ましくはシクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、およびシクロヘキシルからなる群から選ばれるＣ３〜Ｃ６シクロアルキルでよい。

アルケニル基は、直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ３０アルケニル、好ましくは直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ９アルケニル、特に好ましくはビニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、およびヘキセニルからなる群から選ばれる直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ６アルケニルでよい。シクロアルケニル基は、直鎖または分岐状のＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニル、好ましくはＣ３〜Ｃ９シクロアルケニル、特に好ましくはシクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、およびメチルシクロペンタジエニルからなる群から選ばれるＣ３〜Ｃ６シクロアルケニルでよい。

アリール基は、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、好ましくはフェニルまたはナフチルでよい。アルキルアリールはＣ７〜Ｃ１８アルキルアリール、好ましくはトリルまたはメシチルでよい。

アルキニル基は、直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ３０アルキニル、好ましくは直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ９アルキニル、特に好ましくはエチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、およびヘキシニルからなる群から選ばれる直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ６アルキニルでよい。

特に好ましい中性ルイス塩基は、少なくとも１個のシリル基またはエステル基を含む、式Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ’のアルキンまたは式Ｒ’ＨＣ＝ＣＨＲのアルケンである。Ｒ’₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ’基のアルキンの使用が好ましく、特に良好な結果はアルキンＭｅ₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ’（式中、Ｒ’はＳｉＭｅ₃、ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₃Ｈ₇、Ｃ₄Ｈ₉、フェニル、ＣＯＯＭｅ、またはＣＯＯＥｔである）、およびアルキンＭｅＯＯＣ−Ｃ≡Ｃ−ＣＯＯＭｅ、ＥｔＯＯＣ−Ｃ≡Ｃ−ＣＯＯＥｔにより得られる。Ｒ’ＨＣ＝ＣＨＲ基のアルケンの使用が好ましく、特に良好な特性はアルケンＨ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＭｅ₃、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＲ’₃（式中、Ｒ’はそれぞれ独立して、ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₃Ｈ₇、Ｃ₄Ｈ₉、ＨＣ＝ＣＨ₂、またはフェニルでよい）、およびアルケンＨ₂Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣＨ₃、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣ₂Ｈ₅により得られる。特に良好な結果は、アルキンＭｅ₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−ＳｉＭｅ₃、Ｍｅ₃ＳｉＣ≡Ｃ−ⁿＢｕ、およびアルケンＨ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＥｔ₂Ｍｅ、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＭｅ₂ ^tＢｕにより得られる。

中性ルイス塩基としてはまた、以下の塩基、すなわち、ニトリルＲ’Ｃ≡Ｎ、例えばＣＨ₃−Ｃ≡Ｎ、^tＢｕＣ≡Ｎ、Ｃ₄Ｈ₉Ｃ≡ＮまたはＰｈ−Ｃ≡Ｎ；飽和窒素配位子もしくは不飽和窒素配位子、Ｒ’₃Ｎ、例えばＮ（ＣＨ₃）₃、Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₃、またはＲ’₂Ｎ（ＣＨ₂）_nＮＲ’₂、例えばＨ₂Ｎ−（ＣＨ₂）₂−ＮＨ₂、（ＣＨ₃）₂Ｎ−（ＣＨ₂）₂−Ｎ（ＣＨ₃）₂、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｎ−（ＣＨ₂）₂−Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂、Ｈ₂Ｎ−（ＣＨ₂）₄−ＮＨ₂、（ＣＨ₃）₂Ｎ−（ＣＨ₂）₄−Ｎ（ＣＨ₃）₂、（Ｃ₂Ｈ₅）₂Ｎ−（ＣＨ₂）₄−Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂、置換もしくは非置換の２，２’−ビピリジン、１，１０−フェナントロリン、２，９−ジメチル−１，１０−フェナントロリン；式Ｐ（ＯＲ’）₃のホスファイト、例えばＰ（ＯＣＨ₃）₃、Ｐ（ＯＣ₂Ｈ₅）₃、Ｐ（ＯＣ₆Ｈ₁₁）₃、Ｐ（ＯＰｈ）₃；式ＰＲ’₃のトリアルキルホスフィン、例えばＰ（ＣＨ₃）₃、Ｐ（Ｃ₂Ｈ₅）₃、Ｐ（Ｃ₃Ｈ₇）₃、Ｐ（Ｃ₄Ｈ₉）₃、Ｐ（Ｃ₆Ｈ₁₁）₃；式Ｒ’−Ｏ−Ｒ’および式Ｒ’Ｏ−（ＣＲ’₂）_n−ＯＲ’のエーテル、例えばＣ₂Ｈ₅−Ｏ−Ｃ₂Ｈ₅、ＣＨ₃−Ｏ−Ｃ₄Ｈ₉、ＣＨ₃Ｏ−（ＣＨ₂）₂−ＯＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｏ−（ＣＨ₂）₂−ＯＣ₂Ｈ₅；ならびに式Ｒ’−Ｓ−Ｒ’および式Ｒ’Ｓ−（ＣＲ’₂）_n−ＳＲ’のチオエーテル、例えばＣＨ₃−Ｓ−ＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅−Ｓ−Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₃Ｈ₇−Ｓ−Ｃ₃Ｈ₇、Ｐｈ−Ｓ−Ｐｈ、ＣＨ₃Ｓ−（ＣＨ₂）₂−ＳＣＨ₃、ＣＨ₃Ｓ−（ＣＨ₂）₃−ＳＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅Ｓ−（ＣＨ₂）₂−ＳＣ₂Ｈ₅、ＰｈＳ−（ＣＨ₂）₂−ＳＰｈも適切である。

一般式（Ｉ）の化合物は、Ｃｕ₂Ｏ、シュウ酸およびルイス塩基Ｌを、保護ガス雰囲気中で、不活性非プロトン性有機溶媒中で反応させることで調製される。この目的で使用されるルイス塩基Ｌは、等モル比の２種の異なるルイス塩基Ｌでもよい。これらの成分の添加順序は、所望に応じて選択できる。使用されるルイス塩基Ｌが２種の対応する化合物である場合、これらの２種の化合物を反応混合物に同時に加えるか、添加前に混合しておくことが好ましい。これらの出発化合物は、適切な溶媒中に予め溶解または懸濁させておくことができ、あるいは溶媒なしに固体や液体として加えることもできる。この反応を行うために使用できる適切な溶媒は、部分的にハロゲン化されていてもよい脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、および芳香族炭化水素；エーテル、環状エーテル等の不活性非プロトン性溶媒である。ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、トルエン、塩化メチレン、トリクロロメタン、クロロベンゼン、ジエチルエーテル、またはテトラヒドロフランの使用が特に好ましい。使用される保護ガス雰囲気は窒素またはアルゴンでよい。出発材料Ｃｕ₂Ｏ、シュウ酸、およびルイス塩基Ｌの化学量論比は、１：１：２〜１：１：４、好ましくは１：１：２〜１：１：３、特に好ましくは１：１：２である。ルイス塩基Ｌは、シュウ酸およびＣｕ₂Ｏに対して化学量論比以下の量で加えるべきではない。反応は−３０〜＋１００℃、好ましくは０〜５０℃、非常に好ましくは２０〜４０℃で行うことができる。最高収量は室温で得られる。反応時間は１〜２４時間、好ましくは２〜８時間、非常に好ましくは３〜６時間である。反応溶液は、形成される錯体の種類に応じて、赤色の懸濁液から無色または褐色系の溶液または懸濁液に変化する。不溶性の構成成分は分離する。これは濾過、遠心分離、または当業者に公知の他の方法で行うことができる。使用されるルイス塩基Ｌの種類に応じて、透明無色、黄色、または赤色の溶液が得られる。一般式（Ｉ）の化合物が後で単離される。これは溶媒を除去した後で、当業者に公知の方法で行うことができる。必要であれば、さらに精製が行われる。固体を反応混合物から、濾過や他の方法で機械的に除去する代わりに、形成された生成物を除去するために抽出を行うことも可能である。前述のように、一般式（Ｉ）の化合物は驚くほど温度安定性であり、このため高純度物質として良好に単離することができ、後で分析的かつ分光学的に特定する特徴付けることができる。

これらの化合物の熱挙動は、ＴＧＡ（熱重量分析）やＤＳＣ（示差走査熱分析）で調査することができる。行われた調査では、本発明の化合物の分解が２つの主な段階で行われることが示された。

最初に、ルイス塩基Ｌが銅（Ｉ）錯体から除去される。この除去は、この化合物の種類に応じて数段階で行ってもよく、ＴＧＡで検出することができる。第２段階では、残ったフラグメントＣｕＯ₂Ｃ₂Ｏ₂Ｃｕの内部レドックス反応により脱炭酸が起こって、金属銅および二酸化炭素が形成される。第１段階は、前駆体に応じて、約５０〜約２００℃で行われ、第２段階は約１５０から始まり約３５０℃で完了する。ただし、徐々に温度を上げながら、ルイス塩基の除去と脱炭酸反応を平行して進めることも十分に可能である。残存する含有量は、対応する銅（Ｉ）前駆体中の銅の含有量に正確に対応しているため、一般式（Ｉ）の化合物による金属銅の収率は１００％であり、したがって従来技術の収率の２倍である。

この効率的な分解反応により、一般式（Ｉ）の化合物による副生成物は従来技術と比べて少なくなる。遊離したルイス塩基Ｌは、堆積プロセスで再形成され、排気中の例えば冷トラップ等の適切な装置で回収し、再利用することができる。第２の副生成物は二酸化炭素中で形成される。銅（ＩＩ）ヘキサフルオロアセチルアセトナートおよびルイス塩基トリメチルビニルシランが副生成物として形成される従来技術と比べた場合、これらの副生成物は銅を含まず、非毒性で、したがってより安全である。したがって、環境汚染は従来技術の化合物を使用した場合よりも大幅に少ない。

（Ｍｅ₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−ＳｉＭｅ₃）₂Ｃｕ₂Ｏ₄Ｃ₂は、酸化に対する感受性が極めて低い、熱安定性のある化合物であることがわかっている。この化合物は最高１００℃まで安定であり、数週間にわたって空気中で取り扱うことができる。これは、ＣｕｐｒａＳｅｌｅｃｔ（登録商標）が約５０℃以上でのみゆっくりと分解し、また空気中で急速に酸化して銅（ＩＩ）を生じる従来技術と比べて大きな進歩である。これにより、合成だけでなく、堆積プロセスにおいても、はるかに容易な取り扱いが可能になる。

一般式（Ｉ）の化合物は、金属銅堆積用の前駆体として使用することができる。金属銅被膜の蒸着は、気相で、前駆体と適切な溶媒の溶液で、または固体状の前駆体を加熱した基板と接触させて行うことができる。

本発明を例示し、その理解をさらに促すために、実施例を下記に示す。ただし、前述の本発明の原理は全般的に有効であるため、これらの実施例に本出願の保護範囲を限定することは適切ではない。さらに、引用した特許出願の内容は、本明細書の基礎となる本発明の開示内容の一部をなすものとみなすべきである。

実施例１
シュウ酸ジ｛［ビス（トリメチルシリル）アセチレン］銅（Ｉ）｝
Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣＳｉＭｅ₃ ８ｇおよびシュウ酸２．１４ｇを、Ｃｕ₂Ｏ ３．４ｇの塩化メチレン３０ｍｌ懸濁液に、不活性ガス雰囲気中で加え、この混合物を室温で４時間撹拌する。不溶性の残渣を除去するために、この溶液をシリカゲル付きのフリットに通し、フリット上の残渣を塩化メチレンで２回洗浄する。この無色溶液を蒸発させて、（Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣＳｉＭｅ₃）₂Ｃｕ₂Ｏ₄Ｃ₂の無色結晶を−３０℃で得る。
Ｃ₁₈Ｈ₃₆Ｃｕ₂Ｏ₄Ｓｉ₄（５５５．９２ｇ／モル）．分析［％］：計算値：Ｃ ３８．９，Ｈ ６．５；実測値：Ｃ ３８．７，Ｈ ６．６．ＩＲ（ＫＢｒ）［ｃｍ^-1］：ν_c≡_c １９３５，ν_CO2 １６４２，１３５４，１３０９．¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）［ｐｐｍ］：０．３０（ｓ，３６Ｈ，ＳｉＭｅ₃）．¹³Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）［ＰＰＭ］：０．０（ＳｉＭｅ₃），１１４．２（Ｃ≡Ｃ），１７１．８（ＣＯ₂）．ＭＳ（ｍ／ｅ（％））：７８８（２５）［Ｍ＋Ｃｕ（Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣＳｉＭｅ₃）］⁺，６１８（１０）［Ｍ＋Ｃｕ］⁺，４０３（６８）［Ｍ−ＣｕＯ₄Ｃ₂］⁺，２３３（１００）［Ｍ−（Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣＳｉＭｅ₃）ＣｕＯ₄Ｃ₂］⁺．ＴＧ（３０〜１０００℃，５℃／分）２段階分解，第１段階温度範囲１００〜１７０℃，重量低下６５％（２ Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣＳｉＭｅ₃），第２段階温度範囲２３０〜２９０℃，重量低下１１％（２ＣＯ₂），残存含有量２４％（２Ｃｕ）．
図１に、薄い銅層を基板上に堆積させるに際しての調製されたシュウ酸ジ｛［ビス（トリメチルシリル）アセチレン］銅（Ｉ）｝の分解を、温度関数として示す。

実施例２
シュウ酸ジ｛［（トリメチルシリル）（ｎ−ブチル）アセチレン］銅（Ｉ）｝
Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣⁿＢｕ ５ｍｌおよびシュウ酸１．１３ｇを、Ｃｕ₂Ｏ １．８ｇの塩化メチレン４００ｍｌ懸濁液に、不活性ガス雰囲気中で加え、この混合物を室温で５時間撹拌する。不溶性の残渣を除去するために、この溶液をシリカゲル付きのフリットに通し、フリット上の残渣を塩化メチレンで２回洗浄する。この無色溶液を蒸発させて、（Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣⁿＢｕ）₂Ｃｕ₂Ｏ₄Ｃ₂の無色結晶を−３０℃で得る。
Ｃ₂₀Ｈ₃₆Ｃｕ₂Ｏ₄Ｓｉ₂（５２３．７７ｇ／モル）．ＩＲ（ＫＢｒ）［ｃｍ^-1］：ν_c≡_c １９８６，ν_CO2 １６４３，１３５５，１３１１．¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）［ｐｐｍ］：０．２９（ｓ，１８Ｈ，ＳｉＭｅ₃），０．９３［ｔ，³Ｊ_HH＝７．０Ｈｚ，６Ｈ，（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃］，１．３〜１．６［ｍ，４Ｈ，（ＣＨ₂）₂ＣＨ₂ＣＨ₃］，１．５〜１．８（ｍ，４Ｈ，ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃），２．５８［ｔ，³Ｊ_HH＝７．０Ｈｚ，４Ｈ，ＣＨ₂（ＣＨ₂）₂ＣＨ₃］．¹³Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）［ｐｐｍ］：０．０（ＳｉＭｅ₃），１３．４［（ＣＨ₂）₃ＣＨ₃］，２１．７［（ＣＨ₂）₂ＣＨ₂ＣＨ₃］，２２．５（ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₃），３０．９（≡ＣＣＨ₂），８５．４（≡ＣＣＨ₂），１１２．９（ＳｉＣ≡Ｃ），１７１．４（ＣＯ₂）．ＭＳ（ｍ／ｅ（％））：７４１（２０）［Ｍ＋Ｃｕ（Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣＢｕ）］⁺，５８７（２０）［Ｍ＋Ｃｕ］⁺，３７１（９３）［Ｍ−ＣｕＯ₄Ｃ₂］⁺，２１７（１００）［Ｍ−（Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣＢｕ）ＣｕＯ₄Ｃ₂］⁺．ＴＧ（３０〜１０００℃，５℃／分）２段階分解，第１段階温度範囲７０〜１５０℃，重量低下５３％（２ Ｍｅ₃ＳｉＣ≡ＣＢｕ），第２段階温度範囲１７０〜３００℃，重量低下２３％（２ＣＯ₂），残存含有量２４％（２Ｃｕ）．
図２に、薄い銅層を基板上に堆積させるに際しての調製されたシュウ酸ジ｛［（トリメチルシリル）（ｎ−ブチル）アセチレン］銅（Ｉ）｝の分解を、温度関数として示す。

実施例３
シュウ酸ジ［（ビニル−ｔ−ブチルジメチルシラン）銅（Ｉ）］
Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＭｅ₂ ^tＢｕ ４．８ｍｌおよびシュウ酸１．１３ｇを、Ｃｕ₂Ｏ １．８ｇの塩化メチレン４００ｍｌ懸濁液に、不活性ガス雰囲気中で加え、この混合物を室温で５時間撹拌する。不溶性の残渣を除去するために、この溶液をシリカゲル付きのフリットに通し、フリット上の残渣を塩化メチレンで２回洗浄する。この無色溶液を蒸発させて、（Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＭｅ₂ ^tＢｕ）₂Ｃｕ₂Ｏ₄Ｃ₂の無色結晶を−３０℃で得る。
Ｃ₁₈Ｈ₃₆Ｃｕ₂Ｏ₄Ｓｉ₂（４９９．７５ｇ／モル）．ＩＲ（ＫＢｒ）［ｃｍ^-1］：ν_CO2 １６４７，１３４４，１３１２．¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）［ｐｐｍ］：０．１４（ｓ，１２Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ₃）₂），０．９０（ｓ，１８Ｈ，Ｃ（ＣＨ₃）₃），４．５０（ｄｄ，Ｊ_trans＝１８．３Ｈｚ，Ｊ_gem＝２．５Ｈｚ，２Ｈ，ＳｉＣＨ＝ＣＨ₂），４．７８（ｄｄ，Ｊ_trans＝１８．３Ｈｚ，Ｊ_cis＝１３．３Ｈｚ，２Ｈ，ＳｉＣＨ＝ＣＨ₂），４．８６（ｄｄ，Ｊ_cis＝１３．３Ｈｚ，Ｊ_gem＝２．５Ｈｚ，２Ｈ，ＳｉＣＨ＝ＣＨ₂）．¹³Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）［ｐｐｍ］：−５．８（ＳｉＭｅ₂），１６．８（ＣＭｅ₃），２６．２（ＣＭｅ₃），９１．０（＝ＣＨ₂），９７．４（＝ＣＨＳｉ），１７１．６（ＣＯ₂）．ＭＳ（ｍ／ｅ（％））：３４７（６２）［Ｍ−ＣｕＯ₄Ｃ₂］⁺，２０６（８０）［Ｍ−（Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＭｅ₂Ｂｕ）ＣｕＯ₄Ｃ₂］⁺．ＴＧ（３０〜１０００℃，５℃／分）３段階分解，第１段階温度範囲７０〜１３０℃，重量低下３９％（Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＭｅ₂ ^tＢｕ，Ｈ₂Ｃ＝ＣＭｅ₂），第２段階温度範囲１３０〜１７０℃，重量低下１５％（Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＭｅ₂Ｈ），第３段階温度範囲１７０〜３１０℃，重量低下１９％（２ＣＯ₂），残存含有量２７％（２Ｃｕ）
図３に、薄い銅層を基板上に堆積させるに際しての調製されたシュウ酸ジ［（ビニル−ｔ−ブチルジメチルシラン）銅（Ｉ）］の分解を、温度関数として示す。

実施例４
シュウ酸ジ［（ビニルジエチルメチルシラン）銅（Ｉ）］
Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＥｔ₂Ｍｅ ４．４ｍｌおよびシュウ酸１．１ｇを、Ｃｕ₂Ｏ １．８ｇの塩化メチレン４００ｍｌ懸濁液に、不活性ガス雰囲気中で加え、この混合物を室温で５時間撹拌する。不溶性の残渣を除去するために、この溶液をシリカゲル付きのフリットに通し、フリット上の残渣を塩化メチレンで２回洗浄する。この無色溶液を蒸発させて、（Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＥｔ₂ ^tＭｅ）₂Ｃｕ₂Ｏ₄Ｃ₂の無色結晶を−３０℃で得る。
Ｃ₁₆Ｈ₃₂Ｃｕ₂Ｏ₄Ｓｉ₂（４７１．７０ｇ／モル）．ＩＲ（ＫＢｒ）［ｃｍ^-1］：ν_c≡_c １４９６；ν_CO2 １６４５，１３４３，１３１０．¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）［ｐｐｍ］：０．１２（ｓ，６Ｈ，ＳｉＭｅ），０．６５（ｑ，８Ｈ，³Ｊ＝７．８Ｈｚ，ＣＨ₂，０．９８（ｔ，１２Ｈ，³Ｊ＝７．９Ｈｚ，ＣＨ₃），４．４８（ｄｄ，Ｊ_trans＝１７．５Ｈｚ，Ｊ_gem＝３．６Ｈｚ，２Ｈ，ＳｉＣＨ＝ＣＨＨ），４．７５（ｄｄ，Ｊ_trans＝１７．７Ｈｚ，Ｊ_cis＝１３．０Ｈｚ，２Ｈ，ＳｉＣＨ＝ＣＨ₂），４．８１（ｄｄ，Ｊ_cis＝１３．０Ｈｚ，Ｊ_gem＝３．５Ｈｚ，２Ｈ，ＳｉＣＨ＝ＣＨＨ）．¹³Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃）［ｐｐｍ］：−５．５ （ＳｉＣＨ₃），５．３（ＳｉＣＨ₂ＣＨ₃），７．３（ＳｉＣＨ₂ＣＨ₃），８９．７（Ｈ₂Ｃ＝ＣＨ），９６．６（Ｈ₂Ｃ＝ＣＨ），１７１．５（ＣＯＯ）．ＴＧ（３０〜１０００℃，５℃／分）２段階分解，第１段階温度範囲５０〜１５０℃，重量低下５０％（２Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＥｔ₂Ｍｅ），第２段階温度範囲１５０〜３２０℃，重量低下２３％（２ＣＯ₂），残存含有量２７％（２Ｃｕ）．
図４に、薄い銅層を基板上に堆積させるに際しての調製されたシュウ酸ジ［（ビニルジエチルメチルシラン）銅（Ｉ）］の分解を、温度関数として示す。

シュウ酸ジ｛［ビス（トリメチルシリル）アセチレン］銅（Ｉ）｝の分解を、温度関数として示した図である。 シュウ酸ジ｛［（トリメチルシリル）（ｎ−ブチル）アセチレン］銅（Ｉ）｝の分解を、温度関数として示した図である。 シュウ酸ジ［（ビニル−ｔ−ブチルジメチルシラン）銅（Ｉ）］の分解を、温度関数として示した図である。 シュウ酸ジ［（ビニルジエチルメチルシラン）銅（Ｉ）］の分解を、温度関数として示した図である。

Claims (24)

1. 一般式（Ｉ）の化合物。
   

   

   （式中、銅は酸化状態＋１であり、
   Ｌは、少なくとも１個のシリル基もしくはエステル基を有するＲ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ'； 二つの同一のＲ ^a 基を有するＲ ^a −Ｃ≡Ｃ−Ｒ ^a ；少なくとも１個のシリル基もしくはエステル基を有するＲ'ＨＣ＝ＣＨＲ；Ｈ ₂ Ｃ＝ＣＨＲ ^b ；Ｒ'₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ'またはＲ ^c ₃ Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ ^c であり、
   ここでＲは、少なくとも１個のＳｉＲ'₃基またはＣＯＯＲ'基を有する、Ａ、アリール、アルキルアリール、またはアルキニルであり、
   Ｒ'は、Ｒ、Ｈ、Ａ、アリール、アルキルアリール、またはアルキニルであり、
   Ｌ、Ｒ、およびＲ'は、それぞれ独立して、同一または異なる意味を有することができ、
   Ｒ ^a は、ＣＯＯＣＨ ₃ 、またはＣＯＯＣ ₂ Ｈ ₅ であり、
   Ｒ ^b は、ＳｉＭｅ ₃ 、ＣＯＯＣＨ ₃ 、ＣＯＯＣ ₂ Ｈ ₅ 、またはＳｉＺ ₃ で、Ｚはそれぞれ独立して、ＣＨ ₃ 、Ｃ ₂ Ｈ ₅ 、Ｃ ₃ Ｈ ₇ 、Ｃ ₄ Ｈ ₉ 、ＨＣ＝ＣＨ ₂ 、またはフェニルであり、
   Ｒ ^c は、ＳｉＭｅ ₃ 、ＣＨ ₃ 、Ｃ ₂ Ｈ ₅ 、Ｃ ₃ Ｈ ₇ 、Ｃ ₄ Ｈ ₉ 、フェニル、ＣＯＯＣＨ ₃ 、またはＣＯＯＣ ₂ Ｈ ₅ であり、
   Ａは、直鎖もしくは分岐状のＣ１〜Ｃ３０アルキル、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル、直鎖もしくは分岐状のＣ２〜Ｃ３０アルケニル、または直鎖もしくは分岐状のＣ３〜Ｃ３０シクロアルケニルであり、
   アリールはＣ６〜Ｃ１０アリールまたはアルキルアリールであり、
   アルキルアリールはＣ７〜Ｃ１８アルキルアリールであり、
   アルキニルは直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ３０アルキニルである。）
2. Ａが、直鎖もしくは分岐状のＣ１〜Ｃ９アルキル、直鎖もしくは分岐状のＣ３〜Ｃ９シクロアルキル、直鎖もしくは分岐状のＣ２〜Ｃ９アルケニル、または直鎖もしくは分岐状のＣ３〜Ｃ９シクロアルケニルであり、
   アリールがフェニルまたはナフチルであり、
   アルキルアリールがトリルまたはメシチルであり、
   アルキニルが直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ９アルキニルであり、
   ＲおよびＲ'が、それぞれ独立して、同一または異なる意味を有することができる、
   請求項１に記載の化合物。
3. Ａが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、およびｔ−ブチルからなる群から選択される直鎖または分岐状のＣ１〜Ｃ４アルキル；シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、およびシクロヘキシルからなる群から選択されるＣ３〜Ｃ６シクロアルキル；ビニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、およびヘキセニルからなる群から選択される直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ６アルケニル；またはシクロプロペニル、シクロブテニル、シクロペンテニル、シクロペンタジエニル、およびメチルシクロペンタジエニルからなる群から選択されるＣ３〜Ｃ６シクロアルケニルであり、
   アリールがフェニルまたはナフチルであり、
   アルキルアリールがトリルまたはメシチルであり、
   アルキニルが、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、およびヘキシニルからなる群から選択される直鎖または分岐状のＣ２〜Ｃ６アルキニルであり、
   ＲおよびＲ'が、それぞれ独立して、同一または異なる意味を有することができる、
   請求項１に記載の化合物。
4. Ｌが、少なくとも１個のシリル基またはエステル基を有する、Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ'またはＲ'ＨＣ＝ＣＨＲであり、ＲおよびＲ'が請求項１の定義の通りである、
   請求項１に記載の化合物。
5. Ｌが、Ｒ ^c ₃ Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ ^c である、
   請求項１に記載の化合物。
6. Ｌが、Ｍｅ₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−ＳｉＭｅ₃、Ｍｅ₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−ⁿＢｕ，ＭｅＯＯＣ−Ｃ≡Ｃ−ＣＯＯＭｅ、ＥｔＯＯＣ−Ｃ≡Ｃ−ＣＯＯＥｔ、およびＭｅ₃Ｓｉ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ'からなる群から選択されるアルキンであり、Ｒ'がＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₃Ｈ₇、フェニル、ＣＯＯＭｅ、またはＣＯＯＥｔである、
   請求項１に記載の化合物。
7. Ｌが、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＭｅ₃、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣＨ₃、Ｈ₂Ｃ＝ＣＨＣＯＯＣ₂Ｈ₅、およびＨ₂Ｃ＝ＣＨＳｉＺ₃からなる群から選択されるアルケンであり、Ｚはそれぞれ独立して、ＣＨ ₃ 、Ｃ ₂ Ｈ ₅ 、Ｃ ₃ Ｈ ₇ 、Ｃ ₄ Ｈ ₉ 、ＨＣ＝ＣＨ ₂ 、またはフェニルである、
   請求項１に記載の化合物。
8. シュウ酸ジ｛［ビス（トリメチルシリル）アセチレン］銅（Ｉ）｝、
   シュウ酸ジ｛［（トリメチルシリル）（ｎ−ブチル）アセチレン］銅（Ｉ）｝、
   シュウ酸ジ［（ビニル−ｔ−ブチルジメチルシラン）銅（Ｉ）］、および
   シュウ酸ジ［（ビニルジエチルメチルシラン）銅（Ｉ）］である、
   一般式（Ｉ）の化合物。
9. Ｃｕ₂Ｏをシュウ酸およびルイス塩基Ｌと不活性溶媒中で反応させて、得られる生成物を単離することを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の一般式（Ｉ）の化合物の製造方法。
10. 使用される不活性非プロトン性有機溶媒が、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、ハロゲン化脂肪族炭化水素、ハロゲン化芳香族炭化水素、直鎖状エーテル、環状エーテル、またはこれらの炭化水素の混合物であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
11. ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、トルエン、塩化メチレン、トリクロロメタン、クロロベンゼン、ジエチルエーテル、およびテトラヒドロフランからなる群から選択される溶媒を使用することを特徴とする、請求項９または１０に記載の方法。
12. 保護ガス雰囲気中で行うことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
13. 使用される前記保護ガス雰囲気が窒素またはアルゴンであることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
14. 前記ルイス塩基Ｌを、前記出発材料Ｃｕ₂Ｏおよびシュウ酸の化学量論比に対して過剰で、少なくとも前記化学量論比の２倍で使用することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
15. 前記出発材料Ｃｕ₂Ｏ、シュウ酸、およびルイス塩基Ｌを、１：１：２〜１：１：４の化学量論比で使用することを特徴とする、請求項９または１４に記載の方法。
16. ２個の異なるルイス塩基Ｌを等モル量で使用することを特徴とする、請求項９、１４または１５に記載の方法。
17. 前記反応を１〜２４時間以内に、−３０〜＋１００℃で行うことを特徴とする、請求項９から１６のいずれか一項に記載の方法。
18. 室温で行うことを特徴とする、請求項９から１７のいずれか一項に記載の方法。
19. 前記反応が完了した時に、不溶性の構成成分を分離し、反応生成物を溶液から単離し、必要であれば精製することを特徴とし、
    あるいは反応生成物を反応混合物から抽出により分離し、単離し、必要であれば精製することを特徴とする、請求項９から１８のいずれか一項に記載の方法。
20. 前記不溶性の構成部分を濾過により分離することを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
21. 請求項１から９のいずれか一項に記載の一般式（Ｉ）の化合物の、高純度の薄い金属銅の層を製造するための使用。
22. 請求項１から８のいずれか一項に記載の一般式（Ｉ）の化合物を加熱して、脱炭酸によりルイス塩基Ｌを除去し、金属銅を堆積させることを特徴とする、高純度の薄い金属銅の層の製造方法。
23. 前記ルイス塩基Ｌの除去を５０〜２００℃で行い、前記脱炭酸を１５０〜３５０℃で完了して金属銅を形成することを特徴とする、請求項２２に記載の方法。
24. 前記除去されたルイス塩基Ｌを再循環し、請求項９から２０のいずれか一項に記載の方法で再利用し、高純度の薄い金属銅の層を製造するために使用することを特徴とする、請求項２２または２３に記載の方法。

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