JP4480438B2 - Electronic component manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、所定形状のセラミック成形体を焼成する工程を備えた電子部品製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic component manufacturing method including a step of firing a ceramic molded body having a predetermined shape.
製造工程との1つとしてセラミック成形体を焼成する工程を含む電子部品、例えば、所定の内外径と肉厚を有するリングバリスタは、原料粒体をリング状のキャビティを有する金型に入れ成形してリング形状のセラミック成形体を得る工程と、多数のセラミック成形体を所定姿勢で保持した耐火性支持具をコンベア等の搬送手段を用いてトンネル状の焼成炉内を通過させて多数のセラミック成形体を一括で焼結し半導体化する工程と、焼成により得られた半導体磁器に電極を形成する工程を経て製造される。 An electronic component including a step of firing a ceramic molded body as one of the manufacturing processes, for example, a ring varistor having a predetermined inner and outer diameter and wall thickness, is formed by placing raw material granules in a mold having a ring-shaped cavity. A ring-shaped ceramic molded body, and a refractory support holding a large number of ceramic molded bodies in a predetermined posture is passed through a tunnel-like firing furnace using a conveying means such as a conveyor. It is manufactured through a process of sintering the body in a lump to make a semiconductor and a process of forming an electrode on a semiconductor ceramic obtained by firing.
前記の焼成工程で用いられる支持具には図1に示すものが一般に知られている。この支持具100は上面を開口した矩形容器状を成し、多数のセラミック成形体を所定姿勢で保持するための矩形状凹部100aをその内側に有すると共に、対向する2つの壁面の上部にガス流通用の切り欠き100bを有する。
The support shown in FIG. 1 is generally known as the support used in the firing step. The
この支持具100によってリング状を成す多数のセラミック成形体MPを保持するときには、セラミック成形体MPを互いの環状面が接触するように重ねたものを横向きにして凹部100aの底面に平行に並べて載置するか(図1参照)、または、縦向きにして凹部100a内に所定配列で並べて載置する(図2参照)。
When a large number of ring-shaped ceramic molded bodies MP are held by the
支持具100に保持された多数のセラミック成形体MPを焼成するときには、多数のセラミック成形体MPを保持した支持具100を図1に示すように多段に積み重ねてこれを焼成炉のコンベア上に載置し図1中の白抜き矢印方向に移動させながら所期の焼成を行う。
When firing a large number of ceramic molded bodies MP held on the
また、前記とは異なる構成を備えた支持具として図3〜図5に示すような支持具110も知られている(特開2002−343609号公報参照)。この支持具110は矩形枠111と複数の丸棒112とから成り、支持枠111は対向する2辺部分の上面に丸棒112の両端を支える溝111aを等間隔で複数個有し、他の2辺部分にガス流通用の切り欠き111bを有する。
A
この支持具110によってリング状を成す多数のセラミック成形体MPを保持するときには、セラミック成形体MPを互いの環状面が接触するように重ねたものの内孔に丸棒112を挿入して該丸棒112の両端を支持枠111の溝111aに載置する作業を繰り返す。
When a large number of ring-shaped ceramic molded bodies MP are held by the
支持具110の保持された多数のセラミック成形体MPを焼成するときには、セラミック成形体MPを保持した支持具110を図6に示すように多段に積み重ねてこれを焼成炉のコンベア上に載置し図6中の白抜き矢印方向に移動させながら所期の焼成を行う。
セラミック成形体を焼結し降温して半導体化する焼成工程を備えたリングバリスタの如き電子部品の製造方法にあって、焼成により得られる半導体磁器の電気特性を安定化させるには、焼成工程の降温過程での冷却を迅速に行うことが肝要であり、冷却速度が遅くなると前記の半導体化が不均一になって半導体磁器の電気特性にバラツキを生じ易い。 In a method of manufacturing an electronic component such as a ring varistor having a firing process in which a ceramic molded body is sintered and cooled to become a semiconductor, in order to stabilize the electrical characteristics of semiconductor ceramics obtained by firing, It is important to quickly cool in the temperature lowering process. When the cooling rate is slow, the semiconductor is not uniform, and the electrical characteristics of the semiconductor ceramic are likely to vary.
前記降温過程における冷却速度は焼結磁器からの放熱効率に主として依存するが、図1及び図2に示した支持具100にあってはセラミック成形体MPが凹部100aの底面に載置され、しかも、凹部100a内に収容されたセラミック成形体MPの周囲が壁面によって囲まれているため、多段に積み重ねた状態において各段毎に冷却速度に違いが生じると共に、焼結磁器からの放熱が底面及び周囲の壁面により遮られて冷却速度の低下を招来する。
The cooling rate in the temperature lowering process mainly depends on the heat dissipation efficiency from the sintered porcelain. In the
また、図3〜図6に示した支持具110にあっては図1及び図2に示した支持具100のような底面を有しないものの、セラミック成形体MPの周囲が矩形枠111で囲まれているため、焼結磁器からの放熱が矩形枠により遮られて冷却速度の迅速化が図り難い。
3 to 6 does not have a bottom surface like the
本発明は前記事情に鑑みて創作されたもので、その目的とするところは、焼成工程の降温過程における焼結磁器からの放熱を効率良く行って半導体磁器の電気特性にバラツキを生じることを防止できる電子部品製造方法を提供することにある。 The present invention was created in view of the above circumstances, and its purpose is to prevent heat from being efficiently dissipated from the sintered porcelain during the temperature-decreasing process of the firing process, thereby preventing variations in the electrical characteristics of the semiconductor porcelain. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic component.
前記目的を達成するため、本発明は、多数のセラミック成形体を支持具に所定姿勢で保持する工程と、該支持具をトンネル状の焼成炉内を通過させることにより多数のセラミック成形体を一括で焼結し半導体化する焼成工程を備えた電子部品製造方法であって、多数のセラミック成形体を支持具に所定姿勢で保持する工程は、円弧状外面及び円弧状内面を有するリング形状,C字形状またはU字形状のセラミック成形体と、等間隔で平行に配された複数の支持棒を備えた支持具と、複数の錘棒とを用いて、多数のセラミック成形体を同じ向きで重ねたものを各々の円弧状外面が隣接する2本の支持棒の外面に接触するように載せて複数の列を形成し、且つ、各列のセラミック成形体の円弧状内面に接触するように錘棒をそれぞれ載せて各列のセラミック成形体に錘棒の重さをそれぞれ作用させることによって行う、ことをその特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention includes a step of holding a large number of ceramic molded bodies in a predetermined posture on a support, and a large number of ceramic molded bodies collectively by passing the support through a tunnel-shaped firing furnace. A method of manufacturing an electronic component comprising a firing step of sintering into a semiconductor and holding a large number of ceramic molded bodies in a predetermined posture on a support is a ring shape having an arc-shaped outer surface and an arc-shaped inner surface, C A large number of ceramic compacts are stacked in the same direction using a letter-shaped or U-shaped ceramic compact, a support with a plurality of support bars arranged in parallel at equal intervals, and a plurality of weight bars A plurality of rows are formed so that each arc-shaped outer surface is in contact with the outer surfaces of two adjacent support rods, and weights are formed so as to be in contact with the arc-shaped inner surfaces of the ceramic molded bodies in each row. Put each stick on each row A ceramic molded body carried out by the action of the weight of the Tsumubo respectively, and its characterized by.
支持具に保持された多数のセラミック成形体は、各々の円弧状外面を隣接する2本の支持棒との2つ接触箇所で支えられ、且つ、各々の円弧状内面に載せられた錘棒の重さによって該2つの接触箇所に押さえ付けられた状態となる。要するに、支持具に保持された多数のセラミック成形体はその殆ど部分が該支持具から露出するように保持されるため、セラミック成形体を焼結し降温して半導体化する焼成工程における降温過程では支持具には焼結磁器からの放熱を阻害する要素は殆ど存しないことになる。つまり、前記降温過程における焼結磁器からの放熱を効率良く行って冷却を迅速に行うことが可能となるので、冷却速度が遅くなるを原因として半導体化が不均一になり半導体磁器の電気特性にバラツキを生じることを防止できる。 A large number of ceramic molded bodies held by the support are supported at two contact points with each of the two arcing outer surfaces on each arc-shaped outer surface, and the weight bar placed on each arc-shaped inner surface. It will be in the state pressed against these two contact locations by weight. In short, since many ceramic molded bodies held by the support are held so that most of the ceramic molded body is exposed from the support, the ceramic molded body is sintered and cooled to lower the temperature in the firing process. support again and again will be the element to inhibit heat radiation from the sintered ceramic hardly resides. In other words, it is possible to efficiently perform heat dissipation from the sintered porcelain in the temperature lowering process and quickly cool down, so that the semiconductorization becomes non-uniform due to the slow cooling rate and the electrical characteristics of the semiconductor porcelain. Variations can be prevented from occurring.
本発明によれば、焼成工程の降温過程における焼結磁器からの放熱を効率良く行って半導体磁器の電気特性にバラツキを生じることを防止し、高品質な電子部品を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to efficiently dissipate heat from the sintered porcelain during the temperature lowering process of the firing process to prevent variation in the electrical characteristics of the semiconductor porcelain, and to obtain a high-quality electronic component.
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。 The above object and other objects, structural features, and operational effects of the present invention will become apparent from the following description and the accompanying drawings.
以下に、図7〜図15を参照して、本発明に係る製造方法の一実施形態を、リングバリスタの製造を例に挙げて説明する。 Below, with reference to FIGS. 7-15, one Embodiment of the manufacturing method which concerns on this invention is described taking manufacture of a ring varistor as an example.
まず、第1成分として(SrxBayCaz)ATiO3(0.2<x<0.8/0.2<y<0.8/0.2<z<0.8) x+y+z=1 A=0.800〜1.200 (式中のx,y,z,Aはモル比)で表される酸化物を所定mol%含み、第2成分としてNb,Ta,Wと希土類元素(La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Sc,Y)の各酸化物から選択される少なくとも1種を所定mol%含み、第3成分としてSiO2を所定mol%含み、第4成分として遷移元素であるCu,Co,Mn,Fe,Niの各酸化物から選択される少なくとも1種を所定mol%含む混合物を得る。 First, (SrxBayCaz) A TiO 3 (0.2 <x <0.8 / 0.2 <y <0.8 / 0.2 <z <0.8) x + y + z = 1 A = 0.800 to 1.200 (x, y in the formula) , z, and A are molar ratios), and the second component contains Nb, Ta, W and rare earth elements (La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb). , Dy, Ho, Er, Tm , Yb, Lu, Sc, at least one member selected from the oxides of Y) containing a predetermined mol%, the SiO 2 comprises a predetermined mol% as a third component, a fourth component A mixture containing a predetermined mol% of at least one selected from transition oxides of Cu, Co, Mn, Fe, and Ni is obtained.
次に、この混合物を乾燥してから空気中で1000〜1500℃,1〜3時間の仮焼を行う。仮焼後は仮焼物を粉砕し、秤量してから溶媒を加えて微粉砕する。そして、この粉末にポリビニルアルコール等のバインダーを加え、スプレードライヤー等によって造粒する。 Next, this mixture is dried and calcined at 1000 to 1500 ° C. for 1 to 3 hours in the air. After calcination, the calcined product is pulverized and weighed, and then added with a solvent and pulverized. Then, a binder such as polyvinyl alcohol is added to this powder and granulated by a spray dryer or the like.
次に、この粒体をリング状のキャビティを有する金型に入れ成形してリング形状のセラミック成形体3(図7〜図11参照)を得る。このセラミック成形体MPは所定の内外径(D2,D1)と肉厚(t)を有する。 Next, this granule is put into a mold having a ring-shaped cavity and molded to obtain a ring-shaped ceramic molded body 3 (see FIGS. 7 to 11). This ceramic molded body MP has a predetermined inner and outer diameter (D2, D1) and wall thickness (t).
次に、多数のセラミック成形体MPを図7〜図11に示す支持具10に所定姿勢で保持させる。
Next, a large number of ceramic molded bodies MP are held in a predetermined posture on the
この支持具10は、平行に配された2つの側片11と、図7中で左右方向に等間隔で平行に配された断面円形の複数の支持棒12とを備える。各側片11は、図7中の左右方向に等間隔で形成された複数の固定溝11aを上面に有し、支持具10を多段に積み重ねるときに用いられる脚片11bを図7中の左右両端に有する。各支持棒12は各々の両端を固定溝11a内に嵌め込まれ、ネジ止めや圧入等の手法によって両端を各側片11に固定されている。
The
前記支持具10の側片11及び支持棒12と後述の錘棒13は耐火性材料、好ましくはアルミナ,ムライト,シリコンカーバイド,ジルコニア,マグネシア等によって形成される。また、支持棒12及び錘棒13はセラミック成形体MPに接触するものであるので、接触箇所に不要な化学反応が焼成過程に生じることを防止するため、各々の表面にジルコニア等から成る反応防止膜を100〜400μm程度の厚さで形成しておくことが望ましい。
The
さらに、支持棒12として中空のもの(円筒状のもの)を使用すれば、繰り返しの焼成によっても支持棒12自体に曲がりが生じることを抑制できる。支持棒12として両端に少なくとも1つの平面を有するものを使用すれば支持棒12が回転することを防止できるし、支持棒12として両端の断面が多角形のものを使用すれば支持棒12自体に曲がりが生じた場合でも支持棒12の向きを変えることで曲がりを修正する操作も可能である。
Furthermore, if a hollow thing (cylindrical thing) is used as the
さらに、図面には各側片11と各支持棒12を別部品で構成しこれらを組み合わせることで支持具10を構成したが、各側片11と各支持棒12を1つの部品として形成して支持具10を構成するようにしても構わない。
Further, in the drawing, each
多数のセラミック成形体MPを前記支持具10に所定姿勢で保持させるときには、多数のセラミック成形体MPを互いの環状面が接触するように重ねたものを横向きにして、これを各セラミック成形体MPの円弧状外面MPaが隣接する2本の支持棒12の外面に接触するようにそれぞれ載せて複数の列を形成し、そして、各列のセラミック成形体MPの内孔に該内孔よりも直径が小さな断面円形の錘棒13をそれぞれ挿入して該錘棒13をセラミック成形体MPの円弧状内面MPbに接触するように載せる(図7〜図10参照)。
When a large number of ceramic molded bodies MP are held in a predetermined posture by the
または、錘棒13に多数のセラミック成形体MPを装着して多数のセラミック成形体MPを互いの環状面が接触するように重ねたものを横向きして、各セラミック成形体MPの円弧状外面MPaが隣接する2本の支持棒12の外面に接触するように列毎に一括で載せ、そして、各列のセラミック成形体MPの内孔に挿入されている錘棒13をセラミック成形体MPの円弧状内面MPbに接触するように載せる(図7〜図10参照)。
Alternatively, a large number of ceramic molded bodies MP are mounted on the
これにより、図10(A)及び図10(B)に示すように、隣接する2本の支持棒12の外面にその円弧状外面MPaが接触するように載せられた多数のセラミック成形体MPそれぞれに錘棒13の重さが作用し、各列を構成する多数のセラミック成形体MPはその環状面が隣接する2本の支持棒12の長さ方向と略直交する向きで直立状態で保持される。
Accordingly, as shown in FIGS. 10 (A) and 10 (B), each of a large number of ceramic molded bodies MP placed so that the arc-shaped outer surface MPa is in contact with the outer surfaces of two
各列を構成する多数のセラミック成形体MPはそれぞれ円弧状外面MPaのセラミック成形体MPの重心よりも低い位置を2つの接触箇所SPで支えられ、且つ、円弧状内面MPbのセラミック成形体MPの重心よりも低い位置に接触する錘棒13の重さによって2つの接触箇所SPに押さえ付けられた状態となるため、各列を構成する多数のセラミック成形体MPはより安定した状態で保持されることになる。
A large number of ceramic molded bodies MP constituting each row are supported by two contact points SP at positions lower than the center of gravity of the ceramic molded body MP having the arc-shaped outer surface MPa, and the ceramic molded bodies MP having the arc-shaped inner surface MPb are supported. Since the
ここで、図11を参照して支持具10の隣接する2本の支持棒12の間隔Aの設定に関する補足説明をする。
Here, with reference to FIG. 11, the supplementary description regarding the setting of the space | interval A of the two
セラミック成形体MPの外径をD1,内径をD2,肉厚をtとし、錘棒13の直径をDMPとし、錘棒13に対してセラミック成形体MPが最も傾いた状態におけるセラミック成形体MPと錘棒13の成す角度をθとし、支持棒12と錘棒13との間隔をA1としたとき、錘棒13が挿通されたセラミック成形体MPが隣接する2本の支持棒12から落下しないようにするには、A<2A1+DMPとする必要がある。この場合、A1=((D1+D2)/2)cosθ−DMP、θ=arctan(1/DMP×√(D22+t2+DMP2))−arctan(t/D2)で表せることから、前記のA<2A1+DMPはA<2×(D1+D2)/2×cosθ−DMP=2×(D1+D2)/2×cos(arctan(1/DMP×√(D22+t2+DMP2))−arctan(t/D2))−DMPとなり、セラミック成形体MPの外径D1,内径D2と錘棒13の直径DMPから隣接する2本の支持棒12の間隔Aを求めることができる。この間隔Aを隣り合うセラミック成形体MPの列が相互に干渉しない範囲でより小さく設定することで、セラミック成形体MPの保持数を増やすことができる。
The outer diameter of the ceramic molded body MP is D1, the inner diameter is D2, the wall thickness is t, the diameter of the
多数のセラミック成形体MPが保持された支持具10を前後方向(図7の左右方向)及び左右方向(図7の上下方向)から見た状態では、その前後端に位置する全てのセラミック成形体MPはその下端部分を前後端の支持棒12で隠されるものの全てのセラミック成形体MPの殆どの部分、具体的には3/4以上の部分が露出し、また、その左右端に位置する全てのセラミック成形体MPはその下端部分を側辺11で隠されるものの全てのセラミック成形体MPの殆どの部分、具体的には3/4以上の部分が露出している。
When the
次に、支持具10及び錘棒13によって多数のセラミック成形体MPを保持したまま、且つ、該支持具10を図12に示すように多段に積み重ねた状態で、脱バインダ領域と昇温領域と高温保持領域と降温領域とを順に備えたトンネル状の還元焼成炉内を通過させる。因みに、図12中の白抜き矢印は還元焼成炉内における支持具10の移動方向を示す。
Next, in a state where a large number of ceramic molded bodies MP are held by the
この通過過程では、まず、脱バインダ領域においてセラミック成形体MPを加熱することにより含有バインダーの分解,除去を行い、次いで、昇温領域において脱バインダ後のセラミック成形体MPの昇温を行い、次いで、高温保持領域においてN2+H2(H2=1.0〜5.0%)の還元性雰囲気下で約1350℃で約4時間保持してセラミック成形体MPの焼結を行い、次いで、降温領域において焼結磁器の冷却を行う。 In this passing process, first the ceramic binder MP is decomposed and removed by heating the ceramic molded body MP in the binder removal region, then the ceramic molded body MP after the binder removal is heated in the temperature rising region, and then In the high temperature holding region, the ceramic molded body MP is sintered by holding at about 1350 ° C. for about 4 hours under a reducing atmosphere of N 2 + H 2 (H 2 = 1.0 to 5.0%). Cool the sintered porcelain.
次に、焼成工程によって得られた半導体磁器を空気中または酸化性雰囲気下で700〜1000℃,約4時間の再酸化熱処理を行う。 Next, the semiconductor ceramic obtained by the firing process is subjected to re-oxidation heat treatment in air or in an oxidizing atmosphere at 700 to 1000 ° C. for about 4 hours.
次に、再酸化熱処理後の半導体磁器の一側面または円弧状外面の所定領域にAg等の金属粉末を含有した電極ペーストを塗布し、400〜900℃,約50分間の焼き付け処理を行って電極を形成する。 Next, an electrode paste containing a metal powder such as Ag is applied to a predetermined region of one side surface or arcuate outer surface of the semiconductor porcelain after the reoxidation heat treatment, followed by baking at 400 to 900 ° C. for about 50 minutes. Form.
先に述べたように、多数のセラミック成形体MPが保持された支持具10を前後方向(図7の左右方向)及び左右方向(図7の上下方向)から見た状態では、その前後端に位置する全てのセラミック成形体MPはその下端部分を前後端の支持棒12で隠されるものの全てのセラミック成形体MPの殆どの部分、具体的には3/4以上の部分が露出し、また、その左右端に位置する全てのセラミック成形体MPはその下端部分を側辺11で隠されるものの全てのセラミック成形体MPの殆どの部分、具体的には3/4以上の部分が露出している。
As described above, when the
換言すれば、前記焼成工程における降温過程では支持具10の前後端及び左右端には焼結磁器からの放熱を阻害する要素は殆ど存しないことになる。つまり、降温過程における焼結磁器からの放熱を効率良く行って冷却を迅速に行うことが可能となるので、冷却速度が遅くなるを原因として半導体化が不均一になり半導体磁器の電気特性にバラツキを生じることを防止して、高品質でα値が向上したリングバリスタを得ることができる。
In other words, in the temperature lowering process in the firing step, there are almost no elements hindering heat radiation from the sintered porcelain at the front and rear ends and the left and right ends of the
因みに、前記α値とは、製造後のリングバリスタの電極に1mAの電流が流れたときの電圧をE1とし10mAの電流が流れたときの電圧をE10としたときにα=1/(log(E10/E1))で算出される非直線係数である。 Incidentally, the α value is expressed by α = 1 / (log () when a voltage when a current of 1 mA flows through the electrode of the manufactured ring varistor is E1 and a voltage when a current of 10 mA flows is E10. E10 / E1)) is a nonlinear coefficient calculated.
また、実験によれば、前記の冷却速度は「支持具10(錘棒13を含む)の熱容量」と「支持具10に保持された全セラミック成形体MPの熱容量」との比率、代替的には各々の重量の比率に関係することが確認されている。具体的には、「全セラミック成形体MPの重量」/「支持具10(錘棒13を含む)の重量」≧0.3、好ましくは「全セラミック成形体MPの重量」/「支持具10(錘棒13を含む)の重量」≧1.0となるように予め各々の重量を設定しておけば、前記の冷却速度をより迅速化してより一層品質の高いリングバリスタを得ることができる。
Further, according to experiments, the cooling rate is a ratio of “the heat capacity of the support 10 (including the weight bar 13)” and “the heat capacity of the all ceramic molded body MP held on the
尚、前述の実施形態では、独立した複数の錘棒13を用いたものを示したが、図13に示すように、複数の錘棒13をその一端側に設けた連結片14によって一体化してもよい。また、図14(A)と図14(B)に示すように錘棒13として軽量なものを使用する場合にはその両端に錘15または錘16を着脱自在に取り付るようにしてもよい。各錘15,16は上部に取付孔15a,16aを有し、該取付孔15a,16aに錘棒13の端部を挿入してネジ止め等を行うことで着脱自在に取り付けることができる。後者の錘16は取付孔16aの下側に重量部16bを有する低重心タイプのものである。
In the above-described embodiment, the one using a plurality of independent weight bars 13 is shown. However, as shown in FIG. 13, the plurality of weight bars 13 are integrated by a connecting
また、前述の実施形態では、セラミック成形体MPとしてリング状のものを示したが、図15(A)に示すC字形状のもの(MP1)や図15(B)に示すU字形状のもの(MP2)をセラミック成形体として用いることもできる。C字形状のセラミック成形体MP1を前記支持具10で保持するときには、図15(A)に示すように、多数のセラミック成形体MP1を互いのC字状面が接触するように重ねたものを横向きにして、これを各セラミック成形体MP1の円弧状外面MP1aが隣接する2本の支持棒1dの外面に接触するように載せて複数の列を形成し、そして、各列のセラミック成形体MP1の内側に錘体2をそれぞれ挿入して該錘体2をセラミック成形体MP1の円弧状内面MP1bに接触するように載せればよい。また、U字形状のセラミック成形体MP2を前記支持具10で保持するときには、図15(B)に示すように、多数のセラミック成形体MP2を互いのU字状面が接触するように重ねたものを横向きにして、これを各セラミック成形体MP2の円弧状外面MP2aが隣接する2本の支持棒1dの外面に接触するように載せて複数の列を形成し、そして、各列のセラミック成形体MP2の内側に錘体2をそれぞれ挿入して該錘体2をセラミック成形体MP2の円弧状内面MP2bに接触するように載せればよい。
Moreover, in the above-mentioned embodiment, although the ring-shaped thing was shown as the ceramic molded body MP, the C-shaped thing (MP1) shown to FIG. 15 (A) and the U-shaped thing shown to FIG. 15 (B). (MP2) can also be used as a ceramic molded body. When the C-shaped ceramic molded body MP1 is held by the
MP,MP1,MP2…セラミック成形体、10…支持具、11…側片、12…支持棒、13…錘棒。 MP, MP1, MP2 ... ceramic molded body, 10 ... support, 11 ... side piece, 12 ... support bar, 13 ... weight bar .
Claims (4)
多数のセラミック成形体を支持具に所定姿勢で保持する工程は、
円弧状外面及び円弧状内面を有するリング形状,C字形状またはU字形状のセラミック成形体と、等間隔で平行に配された複数の支持棒を備えた支持具と、複数の錘棒とを用いて、
多数のセラミック成形体を同じ向きで重ねたものを各々の円弧状外面が隣接する2本の支持棒の外面に接触するように載せて複数の列を形成し、且つ、各列のセラミック成形体の円弧状内面に接触するように錘棒をそれぞれ載せて各列のセラミック成形体に錘棒の重さをそれぞれ作用させることによって行う、
ことを特徴とする電子部品製造方法。 A step of holding a large number of ceramic molded bodies in a predetermined posture on a support, and a firing step of sintering the plurality of ceramic molded bodies in a lump by passing the support through a tunnel-shaped firing furnace. Electronic component manufacturing method,
The step of holding a large number of ceramic molded bodies in a predetermined posture on a support tool,
A ring-shaped, C-shaped or U-shaped ceramic molded body having an arc-shaped outer surface and an arc-shaped inner surface, a support tool including a plurality of support bars arranged in parallel at equal intervals, and a plurality of weight bars make use of,
A plurality of ceramic molded bodies stacked in the same direction are placed so that each arc-shaped outer surface is in contact with the outer surfaces of two adjacent support rods to form a plurality of rows, and the ceramic molded bodies in each row The weight rods are placed so as to be in contact with the arc-shaped inner surface of each of them, and the weights of the weight rods are applied to the ceramic molded bodies in each row, respectively.
An electronic component manufacturing method characterized by the above.
ことを特徴とする請求項1に記載の電子部品製造方法。 The portion of the support rod that contacts the ceramic molded body of the support rod has a circular cross section, and the portion of the spindle that contacts the ceramic molded body has a circular cross section.
The electronic component manufacturing method according to claim 1.
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品製造方法。 The weight bar consists of a weighted bar,
The electronic component manufacturing method according to claim 1, wherein the electronic component manufacturing method is an electronic component manufacturing method.
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品製造方法。 The weight bar consists of a bar and weights provided at both ends thereof.
The electronic component manufacturing method according to claim 1, wherein the electronic component manufacturing method is an electronic component manufacturing method.
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