JP4480989B2 - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、効率的なエージング処理を行うことができる有機ＥＬ表示装置に関する。

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置は、対向して設けられた陽極と陰極との間に配置された有機ＥＬ層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示装置である。有機ＥＬ表示装置は半導体発光ダイオードに似た特性を有しているので有機ＬＥＤと呼ばれることもある。

有機ＥＬ表示素子は、ガラス基板上に陽極に接続されるかまたは陽極そのものを形成する複数の陽極配線が平行して配置され、陽極配線と直交する方向に、陰極に接続されるかまたは陰極そのものを形成する複数の陰極配線が平行して配置され、両電極間に有機ＥＬ層が挟持された構造を有する。陽極配線と陰極配線とがマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示素子において、陽極配線と陰極配線との交点が画素となる。すなわち、画素がマトリクス状に配置されている。一般に、陰極配線は金属で形成され、陽極配線はＩＴＯ（インジウム・錫・酸化物）などの透明導電膜で形成される。

陽極配線と陰極配線とがマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示素子を単純マトリクス駆動法によって駆動する場合、陽極配線と陰極配線とのうちのいずれか一方を走査電極とし、他方をデータ電極とする。そして、定電圧回路を備えた走査電極駆動回路を走査電極に接続し、走査電極を定電圧駆動する。データ電極には、出力段に定電流回路が備えられたデータ電極駆動回路を接続する。そして、選択状態にある走査電極に対応する行の表示データに応じた電流を、走査に同期して各データ電極に供給する。

有機ＥＬ表示素子を用いた有機ＥＬ表示装置を定電流で駆動していると、時間が経つにしたがって輝度が低下していく。初期輝度が高いほど輝度低下の割合は大きく、例えば、初期輝度が倍になれば、輝度が半減するまでの時間はおおよそ半分程度になる。さらに、発光していた時間が長い画素ほど暗くなるので、画素によって輝度が異なるという現象を引き起こす。この現象を「焼き付き」と呼ぶ。隣接している画素であれば３〜５％程度の輝度差があれば、輝度差があることが視認されてしまう。

通電によって、有機ＥＬ表示装置の輝度は、初期に大きく低下し、その後は緩やかに低下することが多い。輝度がそのように低下する場合には、有機ＥＬ表示装置をしばらく駆動して輝度低下したものを新たに初期状態とすると、その後の低下の仕方が緩やかになる。有機ＥＬ表示装置が実際の使用に供される前（実稼働の前）に、有機ＥＬ表示装置をしばらく駆動して輝度低下させる処理をエージング処理（以下、寿命エージング処理という。）と呼ぶ。

寿命エージング処理において、有機ＥＬ表示装置の陽極配線同士をリード線で短絡して電圧印加装置に接続し、かつ、陰極配線同士をリード線で短絡して電圧印加装置に接続する方法がある（例えば、特許文献１参照。）。そして、電圧印加装置から、所定期間、陽極配線同士を接続するリード線と陰極配線同士を接続するリード電極と間に電圧パルスを印加する。

また、有機ＥＬ表示装置の製造時に、陽極と陰極との間に配されている有機ＥＬ層にごみ等の異物が混入したり、陽極に突起が生じて突起が有機ＥＬ層に侵入したりすることがある。そして、有機ＥＬ表示装置の実稼働中に、異物等に電荷が集中し局所的に熱が発生すると、有機ＥＬ層における有機物の分解が進む。すると、ついには有機物が陰極とともに裂け、陽極と陰極との短絡（層間短絡）が生ずる。短絡が生ずると、実稼働中に、特定の画素が発光しなくなる現象が生ずる。

実稼働中にそのような現象が発生することを避けるために、あらかじめ、異物が混入している欠陥部を電気的な開放状態である絶縁状態にしたり酸化により不導体化したりするエージング処理（以下、短絡エージング処理という。）が行われる（例えば、特許文献２）。短絡エージング処理は、陽極と陰極との間に、所定時間パルス状の直流電圧を印加することによって実行される。

特開平６−２０７７２号公報（段落０００３，０００６、図８） 特願２００３−２８２２５３号公報（段落０００４−０００７）

有機ＥＬ表示素子を用いた有機ＥＬ表示装置を作製する場合、一般に、１枚の大きなガラス基板上に複数の有機ＥＬ表示素子を形成する。一般的な製造工程は、図６の工程図に示すように、１枚のガラス基板上に配線群および有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、有機ＥＬ層を水分などから守るために有機ＥＬ表示素子ごとにガラスなどの対向基板によって外気から隔離する封止工程と、ガラス基板を切断して複数の有機ＥＬ表示素子に分離する切断工程と、反射防止のために円偏光板などの光学フィルムを貼り付ける光学フィルム貼付工程と、駆動回路などの周辺回路を実装して有機ＥＬ表示装置を得る実装工程とを順に実行することによって成り立っている。

短絡エージングおよび処理寿命エージング処理を効率的に実行するために、切断工程よりも前にそれらのエージング処理が実施されることが好ましい。切断工程よりも前にエージング処理を実施するために、多数の有機ＥＬ表示素子が形成されるガラス基板上に、エージング処理用の電圧を印加するための配線であって有機ＥＬ表示装置外に設置される電圧印加装置に接続可能な配線を形成し、多数の有機ＥＬ表示素子の陽極配線と有機ＥＬ表示素子の陰極配線との間に一括して電圧を印加する方法を提案した（特願２００２−３１０１９６）。そのような配線による陽極配線の接続状態および陰極配線の接続状態は、切断工程において、配線が分断されることによって解消される。その方法によれば、多数の有機ＥＬ表示素子に対して短時間で効率的にエージング処理を施すことができる。

しかし、有機ＥＬ表示装置には、同一基板上に有機ＥＬ表示素子と駆動回路とが実装されるＣＯＧ（チップ・オン・グラス）実装によって作製されるものがあるが、ＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置に対して、既に提案した方法を適用することが難しい場合がある。

図７はＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置２００を模式的に示す平面図である。駆動回路としてのドライバＩＣ８の裏面における左右両辺の近傍に、走査電極を駆動する信号を出力するための接続用パッド（図示せず）が設けられている。また、ドライバＩＣ８の裏面における上辺の近傍に、データ電極を駆動するための信号を出力するための接続用パッド（図示せず）が設けられている。すなわち、ドライバＩＣ８は表面実装型のＩＣである。

以下、陽極配線がデータ電極であり、陰極配線が走査電極であるとする。図７に示すように、配線（以下、データ電極引き回し配線という。）１０がドライバＩＣ８の上辺から有機ＥＬ表示素子７に延び、配線（以下、走査電極引き回し配線という。）１１がドライバＩＣ８の左右両辺から有機ＥＬ表示素子７に延びている場合には、既に提案した方法を適用することは難しい。全ての走査電極引き回し配線１１を有機ＥＬ表示装置２００の外部において電気的に接続するためのそれぞれの経路（配線）を、ガラス基板上において確保することが難しいからである。

従って、ＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置については、切断工程の後にエージング処理を実施せざるを得ない。そのために、エージング処理のために駆動しなければならない有機ＥＬ表示装置の数が多くなる。特に、２インチ角などの小型の有機ＥＬ表示装置を得る場合には、１枚のガラス基板から数１０枚の有機ＥＬ表示装置が分離される。その結果、多数の有機ＥＬ表示装置をエージング処理しなければならない。また、電源装置に接続するための多数のリード線を設置しなければならない。従って、エージング処理のために大きな労力がかかる。

また、ＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置では、実装されているドライバＩＣからエージング処理のための電圧を供給することになる。しかし、ドライバＩＣの出力可能電圧には限界がある。よって、特に、短絡エージング処理を実施する場合に、欠陥部を不導体化する等の現象を十分に出し尽くせないおそれがある。

本発明は、上記のような課題を解決するための発明であって、ＣＯＧ実装により形成される場合でも、短時間で効率的にエージング処理を施すことが可能になって、エージング処理に要する労力を低減することができる有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。

本発明の態様１は、複数のデータ電極、複数の走査電極および発光層を有する有機ＥＬ表示素子を搭載した基板における有機ＥＬ表示素子の表示面の一辺の近傍に有機ＥＬ表示素子を駆動する集積回路による駆動回路が搭載され、データ電極のそれぞれが、データ電極引き回し配線を介して駆動回路に接続され、走査電極のそれぞれが、走査電極引き回し配線を介して駆動回路に接続された有機ＥＬ表示装置において、データ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線に有機ＥＬ表示装置外から信号を供給するためのエージング接続用配線（図１および図２の例示では、走査電極接続配線６に相当。図４の例示では、走査電極接続配線６１，６２，６３に相当。）と、データ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線（図１および図２の例示では、走査電極引き回し配線１１に相当。）とが、データ電極または走査電極（図１および図２の例示では、走査電極２に相当）を構成する陰極層と同層に形成された導電層（図４の例示では、金属層２４に相当。）を介して接続され、導電層は、エージング接続用配線によって信号が供給されるデータ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線以外のデータ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線を、非接触で乗り越える構造を有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。

態様２は、態様１において、駆動回路がワンチップのＬＳＩに集積されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。

態様３は、態様１または２において、データ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線と導電層とが重なり合う部分のうち接続部分を除く部分が、絶縁膜で分離されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。

態様４は、態様１、２または３において、データ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線と導電層とが重なり合う部分のうち接続部分を除く部分は、絶縁膜で分離されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。

態様５は、態様３または４において、絶縁膜が、その開口部が有機ＥＬ表示素子の発光領域を規定するための構造物として用いられる絶縁層と同一工程で形成される絶縁膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。

態様６は、態様３、４または５において、それぞれのデータ電極引き回し配線またはそれぞれの走査電極引き回し配線に接続される導電層と、他の導電層とが分離されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。

本発明は、有機ＥＬ表示装置がＣＯＧ実装により形成される場合に、短時間で効率的に短絡エージング処理および寿命エージング処理を施すことが可能になって、エージング処理に要する労力を低減することができる有機ＥＬ表示装置を提供できる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置１００を示す平面図である。図２は、１枚のガラス基板上に形成されている複数の有機ＥＬ表示装置を示す平面図である。なお、本実施の形態では、陽極配線をデータ電極とし、陰極配線を走査電極とするが、陰極配線をデータ電極とし、陽極配線を走査電極としてもよい。

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１００には、有機ＥＬ表示素子７と１チップＬＳＩであるドライバＩＣ８とが実装されている。ドライバＩＣ８には、走査電極２を駆動する走査電極駆動回路と、データ電極１を駆動するデータ電極駆動回路とが内蔵されている。ドライバＩＣ８のデータ出力端子と各データ電極（本実施の形態では陽極配線）１とはデータ電極引き回し配線（本実施の形態では陽極配線引き回し配線）１０で接続されている。ドライバＩＣ８の走査出力端子と各走査電極（本実施の形態では陰極配線）２とは走査電極引き回し配線（本実施の形態では陰極配線引き回し配線）１１で接続されている。また、ドライバＩＣ８には、有機ＥＬ表示装置１００の外から、有機ＥＬ表示装置１００の下辺（四辺のうち図１において下側に図示されている辺）の近傍に形成されている入力信号線９によって、表示データに応じた信号や電力が供給される。

有機ＥＬ表示装置を作製するときに、図２に示すように、１枚のガラス基板上に複数の有機ＥＬ表示装置が形成される。また、ガラス基板上に、データ電極用のエージング用共通配線としての第１の共通配線３の配線パターンと、走査電極用のエージング用共通配線としての第２の共通配線４の配線パターンとが形成される。

有機ＥＬ表示装置１００における各データ電極１は、エージング接続用配線としてのデータ電極接続配線５によって、有機ＥＬ表示装置１００の上辺（四辺のうち入力信号線９の端部が存在する辺と反対側の辺）を介して第１の共通配線３に接続される。全ての第１の共通配線３は、ガラス基板上の図２の図示範囲外の部分で電気的に接続される。また、各有機ＥＬ表示素子における各走査電極２は、エージング接続用配線としての走査電極接続配線６によって、有機ＥＬ表示装置１００の左右両辺を介して第２の共通配線４に接続される。全ての第２の共通配線４は、ガラス基板上の図２の図示範囲外の部分で電気的に接続される。従って、切断工程前において、全ての有機ＥＬ表示装置１００における各走査電極２に、第２の共通配線４から同じ信号を供給することができる。また、切断工程前において、全ての有機ＥＬ表示装置１００における各データ電極１に、第１の共通配線３から同じ信号を供給することができる。その結果、多数の有機ＥＬ表示装置１００に対して一括してエージング処理を実施することができる。

なお、図１に示すように、それぞれの走査電極接続配線６は、走査電極２に直接接続されるのではなく、走査電極引き回し配線１１に接続されている。すなわち、走査電極接続配線６は、走査電極引き回し配線１１を介して走査電極２に電気的に接続される。

第１の共通配線３とデータ電極接続配線５との接続は、切断工程において分断される。また、第２の共通配線４と走査電極接続配線６の接続も、切断工程において分断される。

なお、図２では、走査電極引き回し配線１１は記載省略されている。また、記載が煩雑になることを避けるために、図１および図２において、データ電極、走査電極、データ電極接続配線、走査電極接続配線およびデータ電極引き回し配線について、多数存在するうちの１つまたは２つにのみ符号が付されている。

図７を参照して説明したように、ガラス基板上における切断工程後に廃棄される部位で、すなわち最終的に得られる有機ＥＬ表示装置１００の外部で、走査電極接続配線６を介して全ての走査電極引き回し配線１１を電気的に接続することを意図した場合に、有機ＥＬ表示装置１００において内側（有機ＥＬ表示装置１００の四辺よりも中央側）に配線されている走査電極引き回し配線１１からの走査電極接続配線６は、外側に配線されている走査電極引き回し配線１１に阻止されて有機ＥＬ表示装置１００の左右の辺まで延びることができない。

なお、図１および図７に示す配置において、駆動回路としてのドライバＩＣ８の裏面における左右両辺の近傍に所定の間隔を置いて走査電極引き回し配線１１の本数に応じた個数の接続用パッド（図示せず）が設けられている。それらの間隔（隙間）を利用して、それぞれの走査電極引き回し配線１１から有機ＥＬ表示装置１００の外部に延びる配線を、他の走査電極引き回し配線１１と接触することなく形成することは可能である。しかし、走査電極２の本数が多い場合など隙間が狭くなると、そのような配線を形成することが難しくなる。

そこで、本実施の形態では、配線クロスオーバ部１２において、走査電極接続配線６に電気的に接続する配線を、他の走査電極引き回し配線１１に接触させずに乗り越えさせ、対応する走査電極引き回し配線１１に電気的に接続させる。以下、走査電極接続配線６に電気的に接続する配線が他の走査電極引き回し配線１１に接触せずに乗り越える方法を説明する。

図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置１００の製造方法の一例を説明するための工程図である。図３に示す工程では、各有機ＥＬ表示装置１００は、１枚のガラス基板上に配線群および複数の有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、有機ＥＬ層を水分などから守るためにガラスなどの対向基板で有機ＥＬ表示装置ごとに外気から隔離する封止工程と、有機ＥＬ表示装置１００にエージングを施すエージング処理を実行するエージング工程と、ガラス基板を切断して複数の有機ＥＬ表示装置１００に分離する切断工程と、反射防止のために円偏光板などの光学フィルムを貼り付ける光学フィルム貼付工程と、ドライバＩＣ８を実装する実装工程とを経て作製される。

図４（Ａ）は、配線クロスオーバ部１２およびその周辺を示す平面図であり、図４（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。図４には、３つの走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３と、３つの走査電極接続配線６１，６２，６３が例示されている。走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３は、図１に示す走査電極引き回し配線１１に相当する。走査電極接続配線６１，６２，６３は、図１に示す走査電極接続配線６に相当する。

走査電極引き回し配線１１１が走査電極接続配線６１と電気的に接続され、走査電極引き回し配線１１２が走査電極接続配線６２と電気的に接続され、走査電極引き回し配線１１３が走査電極接続配線６３と電気的に接続される。図４（Ｂ）は、走査電極引き回し配線１１２が走査電極接続配線６２と電気的に接続される箇所を示す。また、走査電極接続配線６２に電気的に接続する配線に相当する金属層２４が、走査電極引き回し配線１１３を乗り越えて走査電極引き回し配線１１２と電気的に接続される例を示す。また、本実施の形態では、データ電極用共通配線としての第１の共通配線３が、走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３と走査電極接続配線６１，６２，６３との間に形成されている。従って、金属層２４による配線は、第１の共通配線３をも乗り越える必要がある。

図３に示す有機ＥＬ素子形成工程では、ガラス基板上にＩＴＯを成膜し、ＩＴＯをエッチングして、データ電極１と、データ電極接続配線５および走査電極接続配線６（図４に示す例では走査電極接続配線６１，６２，６３）とを形成する。次に、金属膜を成膜し、金属膜をエッチングしてデータ電極引き回し配線１０および走査電極引き回し配線１１（図４に示す例では走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３）と、第１の共通配線３および第２の共通配線４とを形成する。また、絶縁膜穴２３が形成される部位に、モリブデンを含む合金で、絶縁膜穴２３の大きさよりもやや大きい金属電極２５を形成する。

その層の上に、感光性のポリイミド樹脂である絶縁膜を塗布する。絶縁膜は、その開口部が有機ＥＬ表示素子７の発光領域を規定するための構造物である。配線クロスオーバ部１２の絶縁膜２１もここで同時に形成される。そして、露光現像等を行って、有機ＥＬ表示素子７において各画素の発光部となる開口部を形成する。

有機ＥＬ表示素子７において開口部を形成する際に、配線クロスオーバ部１２において、走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３における所定部位、および走査電極接続配線６１，６２，６３における所定部位の絶縁膜２１を除去して絶縁膜穴２２，２３も形成する。走査電極接続配線６１，６２，６３における所定部位は、走査電極接続配線６１，６２，６３のドライバＩＣ８に近い方の端部である。走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３における所定部位は、走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３における屈曲部の近傍であることが好ましい。

さらに、ネガ型（露光時に光があたった部分が残る）の感光性樹脂を塗布した後、露光現像して隔壁２６を形成する。形成された隔壁２６によって、この後の工程で蒸着によって形成される画面内の各走査電極２が分離される。また、隔壁２６によって、この後の工程で蒸着によって形成される配線クロスオーバ部１２におけるそれぞれの金属層２４も分離される。以上のようにして構造体が形成された基板の上に、有機ＥＬ層としての有機薄膜を積層する。有機薄膜として、順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を形成する。最後に、蒸着によって、アルミニウム等の金属で走査電極２となる陰極配線を形成する。

走査電極２を形成する際に、走査電極２の材料と同じ材料による金属層２４も、同時に、走査電極２を形成する方法と同じ方法で形成する。すなわち、走査電極接続配線６１，６２，６３と走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３とを接続するための導電層としての金属層２４を、走査電極２を構成する陰極層と同層に形成する。金属層２４は、絶縁膜穴２３の部位で走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３に電気的に接続される。また、金属層２４は、絶縁膜穴２３の部位で走査電極接続配線６１，６２，６３に電気的に接続される。

このようにして、走査電極接続配線６１，６２，６３と金属層２４とが重なり合う部分のうち接続部分を除く部分は、絶縁膜２１で分離される。また、走査電極引き回し配線１１１，１１２，１１３と金属層２４とが重なり合う部分のうち接続部分を除く部分は、絶縁膜２１で分離される。

以上のようにして、配線クロスオーバ部１２において、走査電極引き回し配線１１２に電気的に接続される金属層２４が、走査電極引き回し配線１１３および第１の共通配線３を乗り越えて、金属電極２５を介して走査電極接続配線６２と電気的に接続される。また、走査電極引き回し配線１１１に電気的に接続される金属層２４は、走査電極引き回し配線１１２，１１３および第１の共通配線３を乗り越えて、金属電極２５を介して走査電極接続配線６１と電気的に接続されることが可能である。走査電極引き回し配線１１３に電気的に接続される金属層２４は、第１の共通配線３を乗り越えて、金属電極２５を介して走査電極接続配線６３と電気的に接続されることが可能である。

よって、走査電極引き回し配線１１１、１１２，１１３のそれぞれに導通する配線を、他の走査電極引き回し配線と電気的に接続されることなく、有機ＥＬ表示装置１００の外に引き出すことができる（図１参照）。その結果、走査電極引き回し配線１１１、１１２，１１３のそれぞれを、有機ＥＬ表示装置１００の外に設けられている第２の共通配線４に電気的に接続することが可能になる。

なお、ここでは、それぞれの走査電極２を分離するためにに隔壁を用いたが、走査電極２をストライプ状にマスク蒸着することによって分離してもよい。その場合には、配線クロスオーバ部１２における走査電極接続配線６１，６２，６３の分離も、隔壁によるのではなく、個々の走査電極接続配線６１，６２，６３がストライプ状にマスク蒸着されることによって実現される。

有機ＥＬ素子形成工程が終了すると、ガラス基板上に形成された複数の単純マトリクス型の有機ＥＬ表示素子におけるそれぞれのデータ電極１がガラス基板上でデータ電極用接続配線５を介して第１の共通配線３に電気的に接続され、複数の有機ＥＬ表示素子におけるそれぞれの走査電極２がガラス基板上で走査電極用接続配線６を介して第２の共通配線４に電気的に接続された構造を有する有機ＥＬ表示装置用基板が形成される。

次いで、有機ＥＬ素子形成工程でガラス基板上に形成された有機ＥＬ層を水分から守るために、第２の基板としての他のガラス基板１枚を、ガラス基板に対して対向配置し、間隙材としての周辺シール材によって双方のガラス基板を接合する。そして、２枚のガラス基板と周辺シール材とによって形成された封止空間の内部に乾燥窒素ガスを封入する。

次いで、エージング工程において短絡エージング処理と寿命エージング処理とを実行する。データ電極１および走査電極２にエージングのための通電処理を行うために、第１の共通配線３および第２の共通配線４にエージング用の電圧印加装置を接続する。短絡エージング処理では、逆バイアス（データ電極よりも走査電極の電圧が高くなる。）が実際の駆動時よりも大きくなるように電圧を印加する。寿命エージング処理では、より短い時間で所望の輝度低下をさせるために、エージング処理での各画素の輝度が、有機ＥＬ表示装置として定格の表示動作をしているときの輝度よりも高くなるように通電の条件を設定する。例えば、有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様が２００ｃｄ／ｍ^２であれば、４００ｃｄ／ｍ^２で発光するように通電する。有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様に対して２倍の高輝度で発光させることによって、有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様でエージングを行う場合に比べて、約半分の時間でエージング工程が完了する。

切断工程では、ガラス基板を切断して複数の有機ＥＬ表示装置１００に分離する。そのときに、第１の共通配線３とデータ電極接続配線５との接続が分断され、第２の共通配線４と走査電極接続配線６の接続が分断されることによって、それぞれのデータ電極１とそれぞれの走査電極２とが、第１の共通配線３および第２の共通配線４から分離される。なお、データ電極接続配線５、走査電極接続配線６および配線クロスオーバ部１２は、それぞれの有機ＥＬ表示装置１００に残っている。また、第１の共通配線３および第２の共通配線４についても、データ電極接続配線５および走査電極接続配線６とは接続していないが、それぞれの有機ＥＬ表示装置１００に残っている部分がある。

次いで、光学フィルム貼付工程で、反射防止のために円偏光板などの光学フィルムを有機ＥＬ表示素子に貼り付ける。そして、実装工程で、ドライバＩＣ８を実装し、入力信号線９に外部からの信号を伝達するフレキシブルケーブルを接続して有機ＥＬ表示装置１００を得る。

なお、実装工程の後に、データ電極引き回し配線１０および走査電極引き回し配線１１のうち封止されていない部分の表面を保護するために、有機ＥＬ表示装置１００における周辺部分に紫外線硬化型の樹脂を塗布することが好ましい。その際に、金属層２４にも紫外線硬化型の樹脂が塗布され、表面が保護される。

切断工程において、ガラス基板の端部が切り落とされて廃棄される。従って、複数の有機ＥＬ表示装置１００の外に形成される第１の共通配線３および第２の共通配線４の部分を、切り落とされる部分に設ければ、第１の共通配線３および第２の共通配線４を形成してもガラス基板において無駄が生ずることはない。また、有機ＥＬ表示装置１００に残る第１の共通配線３および第２の共通配線４の部分を、封止工程において周辺シール材が設置される領域に設ければ、やはり、第１の共通配線３および第２の共通配線４を形成してもガラス基板において無駄が生ずることはない。

以上に説明したように、本実施の形態では、エージング工程において、複数の有機ＥＬ表示装置１００に一括して通電することができる。その結果、エージング処理を実行する際の作業の労力が削減される。また、第１の共通配線３および第２の共通配線４として、低抵抗である金属配線を使用する。また、データ電極接続配線５および走査電極接続配線６として、金属配線よりも高抵抗なＩＴＯによる透明導電膜配線を使用する。そのような材料を用いた場合には、第１の共通配線３および第２の共通配線４によって全ての有機ＥＬ表示素子に、ほぼ均一に電圧が印加される。

なお、データ電極接続配線５、走査電極接続配線６および配線クロスオーバ部１２は、それぞれの有機ＥＬ表示装置１００に残っているので、ドライバＩＣ８を実装する前に、有機ＥＬ表示装置１００の外部から、データ電極接続配線５および走査電極接続配線６を介してデータ電極１のそれぞれおよび走査電極２のそれぞれに信号を入力することができる。従って、データ電極接続配線５、走査電極接続配線６および配線クロスオーバ部１２を、ドライバＩＣ８が実装される前の有機ＥＬ表示素子の検査に役立たせることもできる。

第１の共通配線３および第２の共通配線４として使用する金属は、面抵抗が０．２Ω／□以下で、配線幅が２００μｍ以上であると、低抵抗が得られ好ましい。また、ガラス基板上の占有面積（切り落とされる部分における占有面積および周辺シール材が設置される部分における占有面積）を考慮すると３ｍｍ以下であることが好ましい。配線材料として、アルミニウム、アルミニウムと他の金属の積層構造、または銀系の合金などを使用すること好ましい。データ電極接続配線５および走査電極接続配線６としてＩＴＯなどの透明導電膜配線が使用されるが、その面抵抗は５Ω／□以上で、アスペクト比（配線長／配線幅）が２０以上であると、高抵抗が得られ好ましい。ガラス基板上の占有面積を考慮すると、配線長は１ｍｍ以下であることが好ましいので、配線幅は５０μｍ以下であることが好ましい。

また、データ電極接続配線５および走査電極接続配線６の抵抗値は、１００Ω以上で１０ｋΩ以下であることが好ましく、５００Ω以上であればより好ましい。１００Ω以上であれば、例えばエージング処理において１０Ｖの電圧を印加する場合に１００ｍＡ程度の消費電流で済む。しかし、データ電極接続配線５および走査電極接続配線６における発熱を考慮すると、抵抗値は５００Ω以上であることが好ましい。また、抵抗値が大きすぎると、データ電極接続配線５および走査電極接続配線６における電圧降下が大きくなるので、好ましいことではない。

また、第１の共通配線３および第２の共通配線４の抵抗値は１０Ω以下であることが好ましい。エージング処理において各有機ＥＬ表示素子には電圧が均一に印加されることが好ましいのであるが、例えば、第１の共通配線３または第２の共通配線４に１０個の有機ＥＬ表示素子が接続され、エージング処理において１０Ｖの電圧を印加する場合に、１０Ω以下であれば、各有機ＥＬ表示素子に入力される電流を１００ｍＡ以下にすることができる。

さらに、図５のレイアウト図に示すように、データ電極接続配線部３１および走査電極接続配線部３２をＩＴＯで形成することが好ましい。切断される前のガラス基板上において、図５に示す有機ＥＬ表示装置１００を含む部分の下に位置する部分（図５において図示せず。非図示部分という。）に形成されているデータ電極（図５において図示せず）は、非図示部分におけるデータ電極接続配線と図４に示すデータ電極接続部３１とを介して第１の共通配線３に接続される。また、図５に示す部分における走査電極は、走査電極引き回し配線１１、配線クロスオーバ部１２、走査電極接続配線部３２および走査電極接続配線６を介して第２の共通配線４に接続される。そのような構成によれば、第１の共通配線３および第２の共通配線４の抵抗値を相対的により小さくすることができる。その結果、第１の共通配線３および第２の共通配線４によって、全ての有機ＥＬ表示素子に対して、より均一に近い電圧を印加することができる。

なお、図５は、切断後の１つの有機ＥＬ表示装置１００内のレイアウトを示しているが、図５の記載からわかるように、有機ＥＬ表示装置１００に残る第１の共通配線３の部分および第２の共通配線４の部分は、有機ＥＬ表示装置１００内において、データ電極接続配線５および走査電極接続配線６から分離する。また、図５では、データ電極接続配線５、走査電極接続配線６、入力信号線９、データ電極引き回し配線１０、走査電極引き回し配線１１、走査電極接続配線部３１およびデータ電極接続配線部３２は、それぞれ、領域として図示されている。

また、本実施の形態では、走査電極としての陰極配線について配線クロスオーバ部１２を設けた場合について説明したが、データ電極を個別に有機ＥＬ表示装置１００の外に引き出すための配線を形成することが難しい場合には、データ電極について配線クロスオーバ部を設けることができる。すなわち、データ電極について本発明を適用することもできる。

また、本実施の形態では、以下の態様の発明も開示されている。

（態様７）隔壁によって、それぞれのデータ電極引き回し配線またはそれぞれの走査電極引き回し配線に接続される導電層と、他の導電層とが分離されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（態様８）態様７における隔壁が、走査電極を分離するための構造物として用いられる隔壁と同一工程で形成される絶縁膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（態様９）個々の導電層がマスク蒸着で形成されることによって、それぞれのデータ電極引き回し配線またはそれぞれの走査電極引き回し配線に接続される導電層と、他の導電層とが分離されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（態様１０）データ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線と導電層とが接続される部分、およびエージング接続用配線と導電層が接続される部分が、絶縁膜に開口部を設けることによって接続されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（態様１１）データ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線と導電層とが接続される部分、およびエージング接続用配線と導電層が接続される部分が、モリブデンを含む金属層を介して接続されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（態様１２）エージング接続用配線が樹脂によって覆われたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（態様１３）エージング接続用配線が紫外線硬化型の樹脂によって覆われたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（態様１４）製造工程の途中において、エージング用接続配線を、それぞれの有機ＥＬ表示装置におけるデータ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線と、複数の有機ＥＬ表示装置におけるデータ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線に一括して電圧を印加するためのエージング用共通配線（第１の共通配線３または第２の共通配線４）とに接続し、切断工程において、エージング用接続配線とエージング用共通配線とを分断することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。

（態様１５）態様１４において、切断工程よりも前にエージング処理を実行することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。

本発明は、１枚のガラス基板上に多数の有機ＥＬ表示装置が形成される場合であって、ＣＯＧ実装により形成される有機ＥＬ表示装置に適用される。

本発明の有機ＥＬ表示装置を示す平面図。 １枚のガラス基板上に形成されている複数の有機ＥＬ表示装置を示す平面図。 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図。 （Ａ）は配線クロスオーバ部およびその周辺を示す平面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図。 有機ＥＬ表示装置における配線を示すレイアウト図。 従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図。 ＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置を模式的に示す平面図。

符号の説明

１ データ電極（陽極配線）
２ 走査電極（陰極配線）
３ 第１の共通配線
４ 第２の共通配線
５ データ電極接続配線
６ 走査電極接続配線
７ 有機ＥＬ表示素子
８ ドライバＩＣ
１０ データ電極引き回し配線（陽極配線引き回し配線）
１１ 走査電極引き回し配線（陰極配線引き回し配線）
１２ 配線クロスオーバ部
１００ 有機ＥＬ表示装置

Claims (6)

1. 複数のデータ電極、複数の走査電極および発光層を有する有機ＥＬ表示素子を搭載した基板における有機ＥＬ表示素子の表示面の一辺の近傍に、有機ＥＬ表示素子を駆動する集積回路による駆動回路が搭載され、
   前記データ電極のそれぞれが、データ電極引き回し配線を介して前記駆動回路に接続され、
   前記走査電極のそれぞれが、走査電極引き回し配線を介して前記駆動回路に接続された有機ＥＬ表示装置において、
   前記データ電極引き回し配線または前記走査電極引き回し配線に有機ＥＬ表示装置外から信号を供給するためのエージング接続用配線と、前記データ電極引き回し配線または前記走査電極引き回し配線とが、前記データ電極または走査電極を構成する陰極層と同層に形成された導電層を介して接続され、
   前記導電層は、前記エージング接続用配線によって信号が供給される前記データ電極引き回し配線または前記走査電極引き回し配線以外のデータ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線を、非接触で乗り越える構造を有する
   ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 駆動回路は、ワンチップのＬＳＩに集積されている
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. データ電極引き回し配線または走査電極引き回し配線と導電層とが重なり合う部分のうち接続部分を除く部分は、絶縁膜で分離された
   請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. エージング接続用配線と導電層とが重なり合う部分のうち接続部分を除く部分は、絶縁膜で分離された
   請求項１、２または３に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 絶縁膜は、その開口部が有機ＥＬ表示素子の発光領域を規定するための構造物として用いられる絶縁層と同一工程で形成される絶縁膜である
   請求項３または請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. それぞれのデータ電極引き回し配線またはそれぞれの走査電極引き回し配線に接続される導電層と、他の導電層とが分離された
   請求項３、４または５に記載の有機ＥＬ表示装置。

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