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JP4490948B2 - 液晶表示素子及びカラーフィルタ基板並びにその製造方法 - Google Patents
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Description

本発明は、輝度を向上し得る液晶表示素子及びカラーフィルタ基板並びにその製造方法に関するものである。
近年、携帯電話、PDA(personal digital assistant)、ノート型パソコンのような各種携帯用電子機器が発展するにつれて、これに適用し得る小型・軽量・薄型のフラットパネルディスプレイ装置に対する要求が徐々に増大している。
このようなフラットパネルディスプレイ装置においては、LCD(Liquid Crystal Display)、PDP(Plasma Display Panel)、FED(Field Emission Display)、VFD(Vacuum Fluorescent Display)などが活発に研究されているが、特に量産化技術、駆動手段の容易性、高画質の実現という理由から、現在では液晶表示素子(LCD)が脚光を浴びている。
図3は、一般的な液晶表示素子の単位画素を概略的に示した断面図である。
図3において、液晶表示素子1は、下部基板5と上部基板3と、下部基板5と上部基板3との間に形成された液晶層7とから構成されている。
下部基板5は、駆動素子アレイ基板であり、下部基板5には、複数の画素が形成され、各画素には、薄膜トランジスタのようなスイッチング素子9が形成されている。
上部基板3は、カラーフィルタ基板であり、光漏れを防止するためのブラックマトリックス8と、実際にカラーを実現するためのカラーフィルタ層2とが形成されている。また、下部基板5及び上部基板3には、それぞれ画素電極6及び共通電極4が形成されると共に、液晶層7の液晶分子を配向するための配向膜が塗布されている。
また、下部基板5及び上部基板3は、各基板3、5の外郭に形成されたシール材(図示せず)により貼り合わせられ、上部基板3と下部基板5との間に形成されたスペーサ(図示せず)により一定のセルギャップが維持されている。そして、各基板3、5の間に形成された液晶層7は、下部基板5に形成されたスイッチング素子により各画素をスイッチングする。これにより、各画素の液晶分子を駆動し、液晶層7を透過する光量を制御することによって、情報を表示する。
図3のように構成される液晶表示素子1において、下部基板5は、駆動素子を形成する駆動素子アレイ基板工程によって形成され、上部基板3は、カラーフィルタを形成するカラーフィルタ基板工程によって形成される。
以下、スペーサ及びシール材の形成工程を経て、液晶表示素子1が完成する。
下部基板5での駆動素子アレイ基板工程においては、下部基板5の表面上に配列されて画素領域を定義する複数のゲートライン(Gate Line)及びデータライン(Data Line)を形成し、複数の画素領域のそれぞれに、ゲートライン及びデータラインに接続される駆動素子の薄膜トランジスタ9を形成する。
その後、薄膜トランジスタ9に接続された画素電極6を形成する。画素電極6は、薄膜トランジスタ9を介して信号が印加されることによって、液晶層7を駆動する。
一方、上部基板3でのカラーフィルタ基板工程においては、上部基板3の表面にブラックマトリックス8を形成した後、ブラックマトリックス8の上部に赤、緑及び青色のカラーフィルタ2を形成し、その後、カラーフィルタ2の上に共通電極4を形成する。
図3のように構成される従来の液晶表示素子1は、液晶表示素子1の下部に備えられたバックライト(図示せず)から光の供給を受け、下部基板5に形成された駆動素子により液晶分子を駆動して液晶層7を透過する光量を制御することで情報を表示する。
しかし、従来の液晶表示素子1においては、液晶パネルの下部から入射した光がブラックマトリックス8により遮断されるので、下部基板5からブラックマトリックス8に向かう光は、そのまま遮断されて輝度に寄与し得ないという課題があった。
本発明は、上記のような課題を解決するために成されたもので、ブラックマトリックスに向かう光が輝度の向上に寄与し得るようにした液晶表示素子及びカラーフィルタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る液晶表示素子は、第1基板と、第1基板に対向するように配置された第2基板と、第1基板の表面に第1方向に配列された複数のゲートラインと、第1基板の表面にゲートラインに対して直角な第2方向に配列され、複数の画素領域を定義する複数のデータラインと、ゲートラインとデータラインとの交差部に形成されたスイッチング素子と、断面が二等辺三角状であり、該二等辺三角の底辺が第2基板の表面上に位置し、かつ表面に反射層を有するブラックマトリックスと、第2基板の表面上にブラックマトリックスを覆うように形成されたカラーフィルタと、第1基板と第2基板との間に形成された液晶層と、第1基板及び第2基板の背面にそれぞれ形成された第1偏光板及び第2偏光板とを含み、第1基板と接触する第1偏光板の接触面は、ブラックマトリックスで反射した光を液晶層に再反射させるものである。
また、本発明に係るカラーフィルタ基板は、透明基板と、透明基板の表面に縦横に配列されて複数の画素領域を定義すると共に、リブ形状を有しかつ表面に反射層を有するブラックマトリックスと、ブラックマトリックスを覆うように形成されたカラーフィルタと、を含むものである。
また、本発明に係る液晶表示素子の製造方法は、薄膜トランジスタアレイが形成された第1基板を準備する段階と、縦横に配列されて複数の画素領域を定義すると共に、断面が二等辺三角状であり、該二等辺三角の底辺が第2基板の表面上に位置し、かつ表面に反射層を有するブラックマトリックスと、ブラックマトリックスを覆うカラーフィルタ層とが形成された第2基板を準備する段階と、第1基板と第2基板との間に液晶層を形成する段階と、第1基板及び第2基板の背面にそれぞれ第1偏光板及び第2偏光板を取り付ける段階とを含み、第1基板と接触する第1偏光板の接触面は、ブラックマトリックスで反射した光を液晶層に再反射させるものである。
本発明によれば、第1基板側からブラックマトリックスに入射した光を画素領域に向けて反射させ、画素領域に入射した光を画素領域の上部に向けて再反射させることにより、液晶表示素子の輝度の向上を実現すると共に、輝度の向上によりコントラスト比を向上させて高画質の液晶表示素子を提供し得るという効果がある。
実施の形態1.
以下、図面を参照しながら、本発明に係る液晶表示素子及びその製造方法について説明する。
図1A及び図1Bは、本発明に係る液晶表示素子100を示しており、図1Aは、液晶表示素子100に定義された複数の画素領域のうちの1つの画素領域Pを示す平面図、図1Bは図1A内のI−I’線による断面図である。
図1A及び図1Bにおいて、本発明に係る液晶表示素子100は、第1基板110と、第1基板110に対向するように配置された第2基板120と、第1基板110と第2基板120との間に形成された液晶層130とから構成される。
図1Bにおいて、第1基板110及び第2基板120のそれぞれの背面には、第1偏光板141及び第2偏光板143が付着されており、第1基板110の背面に付着された第1偏光板141は、第1基板110との接着面において光を反射させる反射特性を有する。
図1Aにおいて、第1基板110の表面には、第1方向(図中の横方向)に配列された複数のゲートライン101と、各ゲートライン101に対して直角な第2方向(図中の縦方向)に配列されて画素領域Pを定義する複数のデータライン103とが形成されている。
また、第1基板110の表面上には、画素領域Pを覆うように画素電極117が形成されており、ゲートライン101とデータライン103との交差部には、画素電極117と電気的に接続されて各画素をスイッチングするスイッチング素子TFTが形成されている。
スイッチング素子TFTは、薄膜トランジスタ102からなり、ゲートライン101から引き出されたゲート電極102と、ゲート電極102上に形成されたアクティブ層108と、アクティブ層108上に形成されたソース電極105aと、ドレイン電極105bとにより構成される。
ドレイン電極105bは、画素電極117と電気的に接続されていて、ゲート電極102とアクティブ層108との間には、ゲート絶縁膜113(図1B参照)が介在している。
図1Bにおいて、ゲート絶縁膜113は、第1基板110の全面を覆うように積層されており、薄膜トランジスタTFTの上部には、保護膜115が形成されている。
また、図1Bにおいて、第2基板120の表面には、三角状のリブ構造に形成されて光漏れを遮断するブラックマトリックス128と、第2基板120の表面上にブラックマトリックス128を覆うように形成されたカラーフィルタ129と、第2基板120の表面上のカラーフィルタ129の全面を覆うように形成された共通電極127とが形成されている。
ブラックマトリックス128は、三角状のリブ構造(リブ形状:rib shape)を有する有機パターン123と、有機パターン123の表面に形成された反射層125から構成される。
これにより、ブラックマトリックス128は、ブラックマトリックス128の領域に入射する光を遮断して光漏れを防止すると共に、第1基板110側からブラックマトリックス128に向かって入射した光(図中の矢印参照)を画素領域Pに向けて反射させる役割を果たす。
即ち、第1基板110の下部に配置されたバックライト(図示せず)から光が入射されると、液晶層130は、共通電極127と画素電極117との間に印加される電界に応じて光透過率を調節する。また、ブラックマトリックス128は、画素領域Pの境界部、即ち、ゲートライン101、データライン103及び薄膜トランジスタTFTと対応する第2基板120の表面上に形成され、ブラック画面の駆動時に、この領域からの光漏れを防止する。
また、ブラックマトリックス128は、単純にバックライトの光を遮断するだけではなく、この領域に入って来る光を反射させて画素領域Pの方向に曲げ、更に、画素領域Pに入射した光は、第1基板110の下部に付着された第1偏光板141により再反射されて全体の輝度に寄与する。
従って、本発明においては、ブラックマトリックス128が入射した光を画素領域Pの方向に効果的に反射させるために、ブラックマトリックス128の反射面に傾斜面を形成しているが、特に、ブラックマトリックス128は、三角状のリブ構造を有している。
これにより、図1B中の矢印で表記された光経路に示すように、ブラックマトリックス128に向かって入射した光は、反射層125により画素領域Pに入射し、画素領域Pに入射した光は、再び画素領域Pの下部に形成された第1偏光板141により再反射されて、輝度の向上に寄与することが分かる。
なお、リブ構造の有機パターン123は、ネガティブPR(negative photo resist)を使用して形成することができる。即ち、ネガティブPRを塗布した後、その線幅を10μm以下にパターニングすると、その特性により三角状のリブ構造を有するパターンが形成される。
次に、本発明の実施の形態1に係るカラーフィルタ基板の製造方法について説明する。
図2A〜図2Dは、本発明に係る液晶表示素子のカラーフィルタ基板の製造方法を工程順に示した断面図である。
まず、図2Aに示すように、透明基板220を準備した後、透明基板220上にネガティブPR膜223’を塗布し、ネガティブPR膜223’上のパターンを残そうとする領域に光の透過領域が設けられたマスク221をブロッキングし、紫外線UVを照射する。
続いて、紫外線UVが選択的に照射されたネガティブPR膜223’を現像することにより、図2Bに示すように、紫外線UVが照射された領域に三角状のリブ構造を有する有機パターン223を形成する。
なお、図2Bにおいて、有機パターン223の上部が、平坦ではなくてリブ構造を有するのは、有機パターン223の幅が10μm以下に形成されるからである。
一般的に、マスク221により有機パターン223を形成する場合、有機パターン223の境界面がテーパ状となるが、有機パターン223の線幅が10μm以下である場合、有機パターン223の両側にテーパ状のリブ構造が形成される。
次に、有機パターン223を含む透明基板220の全面に、AlまたはAlNdのように反射特性が優秀な金属層を蒸着した後、これをパターニングすることにより、図2Cに示すように、有機パターン223の表面のみに反射層225を形成する。
これにより、有機パターン223と反射層225とから構成されるブラックマトリックス228を透明基板220上に形成する。
最後に、図2Dに示すように、ブラックマトリックス228が形成された透明基板220上に、赤、緑及び青色のカラーフィルタ層229をそれぞれ形成した後、カラーフィルタ層229上に、ITO(indium tin oxide)またはIZO(indium zinc oxide)のような透明な導電性物質を蒸着して、透明基板220の表面上に透明な共通電極227を形成する。
これにより、図1B内の第2基板120に対応したカラーフィルタ基板が完成する。
図2Dにおいて、ブラックマトリックス228は、左右対称のリブ形状を有し、かつその表面に反射層225が形成されている。従って、ブラックマトリックス228の領域に入射した光は、ブラックマトリックス228の表面で反射されて、画素領域P(図1A参照)に向かうことになる。
上述したように、本発明によれば、ブラックマトリックス228に向かって入射する光を画素領域P(図1A参照)に向けて曲げることにより、従来のブラックマトリックス領域で消失していた光を輝度向上に寄与させることができ、輝度の向上を実現した液晶表示素子及びカラーフィルタ基板並びにその製造方法を提供することができる。
即ち、本発明の基本概念は、ブラックマトリックス228をリブ構造で形成すると共に、ブラックマトリックス228の表面に反射層225を形成することにより、ブラックマトリックス228に向かって入射した光を、画素領域Pに向けて入射させることにある。
以下、ブラックマトリックス228により反射されて画素領域Pに入射した光は、第1偏光板141(図1B参照)により再反射されて、輝度の向上に寄与する。
なお、本発明は、上記TN方式の液晶表示装置100のみに限定的に適用されるものではない。
即ち、本発明は、共通電極及び画素電極が同一の第1基板110の表面上の画素領域に対して形成された横電界方式の液晶表示素子にも適用し得る。また、その他にも、ブラックマトリックスに入射した光を画素領域に反射し得るブラックマトリックス構造を有する如何なる駆動モードの液晶表示装置に対しても適用可能である。
本発明に係る液晶表示素子を概略的に示した平面図である。 図1AのI−I’線断面図である。 本発明に係るカラーフィルタ基板の製造方法を工程順に示した断面図である。 本発明に係るカラーフィルタ基板の製造方法を示した工程断面図である。 本発明に係るカラーフィルタ基板の製造方法を示した工程断面図である。 本発明に係るカラーフィルタ基板の製造方法を示した工程断面図である。 一般的な液晶表示素子を示した断面図である。
符号の説明
100 液晶表示装置、101 ゲートライン、103 データライン、110 第1基板、113 ゲート絶縁膜、115 保護膜、117 画素電極、120 第2基板、220 透明基板(第2基板)、123、223 有機パターン、125、225 反射層、128、228 ブラックマトリックス、127、227 共通電極、129 カラーフィルタ、130 液晶層、221 マスク、223’ PR膜、229 カラーフィルタ層、P 画素領域、TFT スイッチング素子。

Claims (7)

  1. 第1基板と、
    前記第1基板に対向するように配置された第2基板と、
    前記第1基板の表面に第1方向に配列された複数のゲートラインと、
    前記第1基板の表面に前記ゲートラインに対して直角な第2方向に配列され、複数の画素領域を定義する複数のデータラインと、
    前記ゲートラインと前記データラインとの交差部に形成されたスイッチング素子と、
    断面が二等辺三角状であり、該二等辺三角の底辺が第2基板の表面上に位置し、かつ表面に反射層を有するブラックマトリックスと、
    前記第2基板の表面上に前記ブラックマトリックスを覆うように形成されたカラーフィルタと、
    前記第1基板と前記第2基板との間に形成された液晶層と、
    前記第1基板及び前記第2基板の背面にそれぞれ形成された第1偏光板及び第2偏光板とを含み、
    前記第1基板と接触する前記第1偏光板の接触面は、前記ブラックマトリックスで反射した光を前記液晶層に再反射させることを特徴とする液晶表示素子。
  2. 前記第1基板の表面上の画素領域を覆うように形成された画素電極と、
    前記第2基板の表面上のカラーフィルタの全面を覆うように形成された共通電極と、
    を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
  3. 前記第1基板の表面上の画素領域に対して形成された共通電極及び画素電極を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示素子。
  4. 透明基板と、
    前記透明基板の表面に縦横に配列されて複数の画素領域を定義すると共に、断面が二等辺三角状であり、該二等辺三角の底辺が第2基板の表面上に位置し、かつ表面に反射層を有するブラックマトリックスと、
    前記ブラックマトリックスを覆うように形成されたカラーフィルタと、
    を含むことを特徴とするカラーフィルタ基板。
  5. 薄膜トランジスタアレイが形成された第1基板を準備する段階と、
    縦横に配列されて複数の画素領域を定義すると共に、断面が二等辺三角状であり、該二等辺三角の底辺が第2基板の表面上に位置し、かつ表面に反射層を有するブラックマトリックスと、前記ブラックマトリックスを覆うカラーフィルタ層とが形成された第2基板を準備する段階と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に液晶層を形成する段階と、
    前記第1基板及び前記第2基板の背面にそれぞれ第1偏光板及び第2偏光板を取り付ける段階とを含み、
    前記第1基板と接触する前記第1偏光板の接触面は、前記ブラックマトリックスで反射した光を前記液晶層に再反射させることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
  6. 前記第2基板を準備する段階は、
    透明基板を準備する段階と、
    有機物質からなり、断面が二等辺三角状であり、該二等辺三角の底辺が前記透明基板の表面上に位置する有機パターンを形成する段階と、
    前記有機パターンの表面に前記反射層を形成する段階と、
    前記透明基板の表面上に前記カラーフィルタ層を形成する段階と、
    を含むことを特徴とする請求項5に記載の液晶表示素子の製造方法。
  7. 前記カラーフィルタ層を形成する段階に続いて、前記カラーフィルタ層上に共通電極を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項6に記載の液晶表示素子の製造方法。
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