JP4501256B2

JP4501256B2 - Resist stripper

Info

Publication number: JP4501256B2
Application number: JP2000255741A
Authority: JP
Inventors: 靖原
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 2000-08-22
Filing date: 2000-08-22
Publication date: 2010-07-14
Anticipated expiration: 2020-08-22
Also published as: JP2002062669A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路、プリント配線基板の製造工程におけるフォトレジスト層を剥離するための剥離剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路は、基体上にフォトレジストを塗布し、露光、現像の後、エッチングを行い、回路を形成した後、フォトレジストを基体上から剥離するか、回路形成の後、アッシングを行い、レジストを除去した後、残ったレジスト残渣を剥離する方法で製造される。フォトレジストを基体上から剥離するため、あるいはレジスト残渣を基体上から剥離するため、従来、様々なレジスト剥離剤が提案されてきた。特開昭６２−４９３５５号公報にはアルカノールアミン類を用いたレジスト剥離液組成物が開示されている。ところが、アルカノールアミンを用いた剥離液組成物では、ドライエッチング、アッシング、イオン注入などの処理をされ無機的性質に変質したレジスト残渣の剥離には不十分となっている。そこで、最近になってより剥離性の優れたレジスト用剥離液組成物としてヒドロキシルアミンを含むものが提案された。例えば特開平４−２８９８６６号公報には、ヒドロキシルアミンとアルカノールアミンを含むレジスト用剥離液組成物が、特開平６−２６６１１９号公報にはヒドロキシルアミン、アルカノールアミン、カテコールを含むレジスト用剥離液組成物が提案されている。このヒドロキシルアミンを含むレジスト用剥離組成物は優れた剥離性を示すものの、アルミ合金、チタンに対して腐食を起こすという問題があるため、防食剤を添加して使用することが提案されている（特開平９−９６９１１号公報）。しかし、根本的にヒドロキシルアミンという化合物は不安定であり、分解、爆発などの危険性がある。そのため、ヒドロキシルアミンを含まないレジスト剥離剤の開発が求められていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来提案されてきたレジスト剥離剤は、剥離性が不十分であったり、またアルミ合金やチタンに対して腐食を起こすという問題がある。またヒドロキシルアミンは不安定で、分解、爆発の危険性がある。そのため、本発明の目的は、ヒドロキシルアミンを含有せず、優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ合金やチタンに対して腐食を起こさないレジスト剥離剤を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、レジスト剥離剤について鋭意検討した結果、特定の第三級アミンオキシドからなるレジスト剥離剤が金属材料を腐食させることがなく、かつレジスト剥離性に優れたレジスト剥離剤として用いることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００５】
すなわち、本発明は特定の第三級アミンオキシドを必須成分とすることを特徴とするレジスト剥離剤である。
【０００６】
以下、本発明について詳細に説明する。
【０００７】
本発明のレジスト剥離剤の必須成分は、特定の第三級アミンオキシドである。第三級アミンオキシドとは、第三級アミンの孤立電子対が酸素に配位した化合物であり、下記一般式（１）で表される。
【０００８】
【化１】

【０００９】
（式中、Ｒ_１〜Ｒ_３は、それぞれ独立して式中の窒素と結合する炭素を含む炭素数１〜２０の置換基を示す。但し、ヘテロ原子を含んでいても良い。Ｒ_１〜Ｒ_３は互いに結合していても良い。）
本発明の特定の第三級アミンオキシドに用いる第三級アミンは、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルステアリルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロパンジアミン、ビス（ジメチルアミノエチル）エーテル、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、トリエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジン、Ｎ−メチルピペリジン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、ピラジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミンである。その中でも沸点の高いＮ，Ｎ−ジメチルドデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルステアリルアミン、ビス（ジメチルアミノエチル）エーテル、Ｎ，Ｎ’ジメチルピペラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、トリエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ，’−テトラメチルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジン、Ｎ−メチルイミダゾール、ピラジン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミンが好ましい。沸点が低いとアミンオキシドの蒸気が発生し、作業性が悪くなる恐れがあるからである。
【００１０】
これらの第三級アミンを酸化することにより、本発明のレジスト剥離剤に使用する第三級アミンオキシドを容易に製造できる。第三級ポリアミンを原料とする場合は、アミノ基の全て、あるいは一部を酸化しアミンオキシドに変えることができる。酸化は公知の方法で実施することができる。酸化方法を例示すると、第三級アミンを過酸化水素で酸化する方法、アルキルハイドロパーオキシドで酸化する方法、有機過酸で酸化する方法、無機過酸で酸化する方法、酸素で酸化する方法など種々の方法があるが、どの方法を用いても一向に差し支えない。
【００１１】
本発明のレジスト剥離剤は、第三級アミンオキシド以外の成分を含んでいても良い。水を含有していても良いし、レジスト剥離剤として一般に使用されているアミン類を添加しても良い。レジスト剥離剤に添加できるアミン類としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ−（２−アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）モルホリンなどのアルカノールアミン類、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、トリエチレンジアミンなどのエチレンアミン類、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ−メチルピペラジン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルアミノエチルピペラジンなどのＮ−アルキルエチレンアミン類、エチレンアミン以外のプロパンジアミン、ブタンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのジアミン類、イミダゾール、１−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１，２，４，５−テトラメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類、モルホリン、シクロヘキシルアミン、２−エチル−ヘキシルアミン、ベンジルアミン、アニリンなどのモノアミン類、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミンなどのアルキルアミン類が挙げられる。また、腐食、危険性を鑑みれば好ましいことではないが、ヒドロキシルアミン類も添加することができる。これらアミン類は単独で使用しても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。
【００１２】
本発明のレジスト剥離剤には水溶性有機溶媒を添加することができる。この水溶性有機溶媒もレジスト剥離剤として一般に使用しているものを使用することができる。水溶性有機溶媒を例示すると、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、ジメチルスルホン、ジエチルスルホンなどのスルホン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなどのアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドンなどのラクタム類、１，３−ジメジル−２−イミダゾリジノンなどのイミダゾリジノン類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールなどのグリコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルなどのグリコールエーテル類が挙げられる。これら水溶性有機溶媒は単独で使用しても良いし、二種類以上を混合して使用しても良い。
【００１３】
第三級アミンオキシド、水、アミン類、有機溶媒の比率は、それぞれ使用する化合物が異なると、変化するため限定することは困難であるが、第三級アミンオキシドが１〜５０重量％、水が１〜５０重量％、アミン類が１〜５０重量％、有機溶媒が２０〜８０重量％である。この範囲をはずれても使用できないことはないが、レジストの剥離性が低下する。
【００１４】
本発明のレジスト剥離剤は、ポジ型、ネガ型を含めて、アルカリ水溶液で現像できるレジストに利用できる。
【００１５】
本発明のレジスト剥離剤は、無機質基体上に塗布されたフォトレジスト膜、又は無機基体上に塗布されたフォトレジスト膜をドライエッチング後に残存するフォトレジスト層、あるいはドライエッチング後にアッシングを行い残存するフォトレジスト残渣物などを剥離するのに用いられる。その際には、加熱、超音波などで剥離を促進しても良い。
【００１６】
本発明のレジスト剥離剤の使用方法は浸漬法が一般的であるが、その他の方法を使用しても一向に差し支えない。
【００１７】
【実施例】
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
実施例１〜実施例４、比較例１〜比較例２
アルミ合金の導電性膜を有したシリコンウェハ上に、市販のポジ型フォトレジストを２μｍの厚みで塗布し、プリベークした。次いで、マスクパターンを介して露光し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドで現像した。エッチングを行った後、プラズマアッシング処理を行った。このシリコンウェハを表１に示す剥離液に６０℃×１０分浸漬し、その後水洗いし、乾燥した。表面を走査型電子顕微鏡で観察し、レジスト変質膜の剥離性、及びアルミの腐食性を調べ、その結果を表１に示した。
【００１９】
【表１】

【００２０】
＜レジスト変質膜の剥離性＞
レジスト変質膜の剥離性は以下の様に評価した。
【００２１】
○：剥離性良好
△：一部残存物有り
×：大部分残存していた
＜アルミの腐食性＞
アルミの腐食性は以下の様に評価した。
【００２２】
○：腐食なし
△：一部腐食有り
×：腐食が激しい
なお、表１で記載を簡潔にするため、以下の略記号を使用した。
【００２３】
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
ＭＥＡ：モノエタノールアミン
ＴＥＴＡ：トリエチレンテトラミン
ＰＭＤＥＴＡＯ：ペンタメチルジエチレントリアミンＮ−オキシド
ＤＭＩＺＯ：１，２−ジメチルイミダゾールＮ−オキシド
ＴＥＤＡＯ：トリエチレンジアミンＮ−オキシド
ＤＭＤＡＯ：ジメチルドデシルアミンＮ−オキシド
【００２４】
【発明の効果】
本発明のレジスト剥離剤は、不安定で危険性の高いヒドロキシルアミンを含まず、腐食性が小さく、剥離性に優れたレジスト剥離剤として使用できる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a release agent for removing a photoresist layer in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit and a printed wiring board.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor integrated circuit is formed by applying a photoresist on a base, exposing and developing, etching, forming a circuit, and then removing the photoresist from the base, or ashing after forming the circuit. Then, the remaining resist residue is removed. Conventionally, various resist stripping agents have been proposed for stripping a photoresist from a substrate or stripping a resist residue from a substrate. Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-49355 discloses a resist stripping solution composition using alkanolamines. However, a stripping solution composition using alkanolamine is insufficient for stripping a resist residue that has been subjected to treatments such as dry etching, ashing, and ion implantation and changed to inorganic properties. In view of this, recently, a resist stripping composition having better peelability has been proposed that contains hydroxylamine. For example, JP-A-4-289866 discloses a resist stripping composition containing hydroxylamine and alkanolamine, and JP-A-6-266119 discloses a resist stripping composition containing hydroxylamine, alkanolamine and catechol. Has been proposed. Although the resist stripping composition containing hydroxylamine exhibits excellent stripping properties, it has a problem of causing corrosion on aluminum alloys and titanium, and therefore, it is proposed to add an anticorrosive agent ( JP-A-9-96911). However, the compound, hydroxylamine, is fundamentally unstable and has dangers such as decomposition and explosion. Therefore, development of a resist stripper that does not contain hydroxylamine has been demanded.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the conventionally proposed resist strippers have problems that the strippability is insufficient and the aluminum alloy and titanium are corroded. Hydroxylamine is unstable and has a risk of decomposition and explosion. Therefore, an object of the present invention is to provide a resist stripper that does not contain hydroxylamine, exhibits excellent resist stripping properties, and does not corrode aluminum alloys and titanium.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies on the resist stripper, the present inventors use a resist stripper made of a specific tertiary amine oxide as a resist stripper that does not corrode metal materials and has excellent resist stripping properties. As a result, the present invention has been completed.
[0005]
That is, the present invention is a resist stripper characterized by containing a specific tertiary amine oxide as an essential component.
[0006]
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
[0007]
An essential component of the resist remover of the present invention is a specific tertiary amine oxide. Tertiary amine oxide is a compound in which a lone pair of tertiary amine is coordinated to oxygen, and is represented by the following general formula (1).
[0008]
[Chemical 1]

[0009]
(In the formula, R _{1 to} R ₃ each independently represents a substituent having 1 to 20 carbon atoms including carbon bonded to nitrogen in the formula. However, it may contain a hetero atom. R ₁ to R ₃ may be bonded to each other.)
The tertiary amine used in the specific tertiary amine oxide of the present invention is triethylamine, tripropylamine, N, N-dimethyldodecylamine, N, N-dimethylstearylamine , N, N, N ′, N′— Tetramethylethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylpropanediamine, bis (dimethylaminoethyl) ether, N, N′-dimethylpiperazine, N, N ′, N′-trimethylaminoethylpiperazine, N, N, N ′, N ″, N ″ -pentamethyldiethylenetriamine, triethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylhexamethylenediamine, N, N ′, N′-trimethylaminoethylpiperazine , N -Methylpiperidine, N, N'-dimethylpiperazine, N, N-dimethylcyclohexylamine , pyridine, N-methylimida Tetrazole, 1,2-dimethyl imidazole, pyrazine, N, N-dimethylaniline, N, N-dimethylbenzylamine. Among these, N, N-dimethyldodecylamine, N, N-dimethylstearylamine, bis (dimethylaminoethyl) ether, N, N′dimethylpiperazine, N, N ′, N′-trimethylaminoethylpiperazine, N having a high boiling point , N, N ′, N ″, N ″ -pentamethyldiethylenetriamine, triethylenediamine, N, N, N ′, N, ′-tetramethylhexamethylenediamine, N, N ′, N′-trimethylaminoethylpiperazine N-methylimidazole, pyrazine, N, N-dimethylaniline and N, N-dimethylbenzylamine are preferred. This is because when the boiling point is low, amine oxide vapor is generated, and workability may be deteriorated.
[0010]
By oxidizing these tertiary amines, the tertiary amine oxide used in the resist stripper of the present invention can be easily produced. When a tertiary polyamine is used as a raw material, all or a part of the amino group can be oxidized and converted to an amine oxide. The oxidation can be carried out by a known method. Examples of oxidation methods include a method of oxidizing a tertiary amine with hydrogen peroxide, a method of oxidizing with an alkyl hydroperoxide, a method of oxidizing with an organic peracid, a method of oxidizing with an inorganic peracid, a method of oxidizing with oxygen, etc. There are various methods, but any method can be used.
[0011]
The resist stripper of the present invention may contain components other than tertiary amine oxide. Water may be contained, or amines generally used as a resist remover may be added. Examples of amines that can be added to the resist stripper include monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, 2- (2-aminoethoxy) ethanol, N- (2-aminoethyl) ethanolamine, N, N-dimethylethanolamine, N, N-diethylethanolamine, N, N-dibutylethanolamine, N-methylethanolamine, N-ethylethanolamine, N-butylethanolamine, N-methyldiethanolamine, N-ethyldiethanolamine, monoisopropanolamine, diisopropanol Alkanolamines such as amine, triisopropanolamine, N- (2-hydroxyethyl) piperazine, N- (2-hydroxyethyl) morpholine, ethylenediamine, diethylenetriamine, tri Ethylene amines such as tylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, triethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylethylenediamine, N, N, N-alkylethyleneamines such as N ′, N ″, N ″ -pentamethyldiethylenetriamine, N-methylpiperazine, N, N ′, N′-trimethylaminoethylpiperazine, propanediamine other than ethyleneamine, butanediamine Diamines such as hexamethylenediamine, imidazole, 1-methylimidazole, 2-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1,2,4,5-tetramethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, etc. Imidazoles, morpholine Cyclohexylamine, 2-ethyl - hexylamine, benzylamine, a monoamine such as aniline, triethylamine, tripropylamine, alkyl amines such as tributyl amine. Moreover, although it is not preferable in view of corrosion and danger, hydroxylamines can also be added. These amines may be used alone or in combination of two or more.
[0012]
A water-soluble organic solvent can be added to the resist remover of the present invention. As this water-soluble organic solvent, those generally used as a resist stripper can be used. Examples of water-soluble organic solvents include sulfoxides such as dimethyl sulfoxide, sulfones such as dimethyl sulfone and diethyl sulfone, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N, N- Amides such as diethylacetamide, lactams such as N-methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, N-propyl-2-pyrrolidone, N-hydroxyethyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimedyl- 2-Imidazolidinones such as imidazolidinone, ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, glycols such as propylene glycol, dipropylene glycol, tripropylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol Ether monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl Examples thereof include glycol ethers such as ether and dipropylene glycol monobutyl ether. These water-soluble organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
[0013]
The ratio of tertiary amine oxide, water, amines, and organic solvent varies depending on the compound used, and it is difficult to limit the ratio, but tertiary amine oxide is 1 to 50% by weight, water. Is 1 to 50% by weight, amines are 1 to 50% by weight, and organic solvents are 20 to 80% by weight. Even if it is out of this range, it cannot be used, but the peelability of the resist is lowered.
[0014]
The resist remover of the present invention can be used for resists that can be developed with an alkaline aqueous solution, including positive and negative types.
[0015]
The resist remover of the present invention is a photoresist film coated on an inorganic substrate, a photoresist layer remaining after dry etching of a photoresist film coated on an inorganic substrate, or a photo resist remaining after ashing after dry etching. Used to remove resist residue and the like. In that case, peeling may be promoted by heating, ultrasonic waves, or the like.
[0016]
The method of using the resist stripper of the present invention is generally an immersion method, but other methods may be used in one direction.
[0017]
【Example】
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto.
[0018]
Example 1 to Example 4, Comparative Example 1 to Comparative Example 2
A commercially available positive photoresist was applied to a thickness of 2 μm on a silicon wafer having an aluminum alloy conductive film and prebaked. Subsequently, it exposed through the mask pattern and developed with tetramethylammonium hydroxide. After etching, plasma ashing was performed. This silicon wafer was immersed in a stripping solution shown in Table 1 at 60 ° C. for 10 minutes, then washed with water and dried. The surface was observed with a scanning electron microscope to examine the peelability of the resist-modified film and the corrosiveness of aluminum. The results are shown in Table 1.
[0019]
[Table 1]

[0020]
<Releasability of resist-modified film>
The peelability of the resist-modified film was evaluated as follows.
[0021]
○: Good releasability △: Some residue left ×: Most remained <Aluminum corrosivity>
The corrosiveness of aluminum was evaluated as follows.
[0022]
○: No corrosion Δ: Partial corrosion ×: Extreme corrosion In addition, in order to simplify the description in Table 1, the following abbreviations were used.
[0023]
DMSO: dimethyl sulfoxide NMP: N-methyl-2-pyrrolidone MEA: monoethanolamine TETA: triethylenetetramine PMDETAO: pentamethyldiethylenetriamine N-oxide DMIZO: 1,2-dimethylimidazole N-oxide TEDAO: triethylenediamine N-oxide DMDAO : Dimethyldodecylamine N-oxide
【The invention's effect】
The resist stripper of the present invention does not contain hydroxylamine which is unstable and has high risk, has low corrosiveness, and can be used as a resist stripper having excellent stripping property.

Claims

DOO triethylamine, tripropylamine, N, N-dimethyldodecylamine, N, N-dimethyl stearyl amine, N, N, N ', N'-tetramethylethylenediamine, N, N, N', N'-tetramethyl Propanediamine, bis (dimethylaminoethyl) ether, N, N′-dimethylpiperazine, N, N ′, N′-trimethylaminoethylpiperazine, N, N, N ′, N ″, N ″ -pentamethyldiethylenetriamine , Triethylenediamine, N, N, N ′, N′-tetramethylhexamethylenediamine, N, N ′, N′-trimethylaminoethylpiperazine , N-methylpiperidine, N, N′-dimethylpiperazine, N, N— Dimethylcyclohexylamine , pyridine, N-methylimidazole, pyrazine, N, N-dimethylaniline, N, N-dimethyl A resist stripper comprising a tertiary amine oxide of at least one compound selected from the group consisting of rubenzylamine.

The resist stripping agent according to claim 1, containing 30 to 50% by weight of tertiary amine oxide.

The resist stripping agent according to claim 1 or 2, wherein an amine, a water-soluble organic solvent, and water are added to the tertiary amine oxide.

The amine is at least one compound selected from the group consisting of imidazoles, alkanolamines, ethyleneamines, N-alkylethyleneamines , amines , monoamines , alkylamines, and hydroxylamines. The resist remover according to claim 3.

The water-soluble organic solvent is at least one selected from the group consisting of sulfoxides, sulfones, N, N-dimethylformamide, amides, lactams, imidazolidinones, glycols, and glycol ethers. The resist stripping agent according to claim 3 or 4, wherein the resist stripping agent is characterized.