Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP4510613B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP4510613B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4510613B2
JP4510613B2 JP2004379943A JP2004379943A JP4510613B2 JP 4510613 B2 JP4510613 B2 JP 4510613B2 JP 2004379943 A JP2004379943 A JP 2004379943A JP 2004379943 A JP2004379943 A JP 2004379943A JP 4510613 B2 JP4510613 B2 JP 4510613B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
microlens
resist
photoelectric conversion
color filter
imaging device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004379943A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006186203A (ja
Inventor
宏 酒匂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2004379943A priority Critical patent/JP4510613B2/ja
Priority to US11/317,194 priority patent/US7535043B2/en
Priority to CNA2005101073778A priority patent/CN1819230A/zh
Publication of JP2006186203A publication Critical patent/JP2006186203A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4510613B2 publication Critical patent/JP4510613B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/011Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
    • H10F39/024Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/80Constructional details of image sensors
    • H10F39/806Optical elements or arrangements associated with the image sensors
    • H10F39/8063Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/30Coatings
    • H10F77/306Coatings for devices having potential barriers
    • H10F77/331Coatings for devices having potential barriers for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40Optical elements or arrangements
    • H10F77/413Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

本発明は、固体撮像装置における分光感度バラツキ低減についての構造、製造方法に関する。
固体撮像装置(CCD)において、カメラの小型化、高画素化に伴い、カメラレンズと固体撮像素子との短射出瞳距離化とセルの微細化が進んでいる。これに伴い、固体撮像装置の主要特性である光感度を低下させることのない技術確立が必要となりつつある。
図1は従来の固体撮像装置の画素部分の断面図である。半導体基板上にフォトダイオードが2次元状に配列して形成されており、フォトダイオード部1の上はBPSG(Boron Phosphorus Silicon Glass)等の平坦膜2で平坦化処理がなされ、平坦膜2の上にカラーフィルター3が形成される。カラーフィルター3は、補色のイエロー、シアン、マゼンタ、グリーンからなるからなるカラーフィルター、または原色のレッド、グリーン、ブルーからなるカラーフィルター等で構成される。
従来カラーフィルター層は、例えば、染色法、あるいは染料、顔料を含有したフォトレジスト膜を選択露光、現像処理を施し、目的のフィルターを形成するカラーレジスト法で形成される。更にマイクロレンズ下平坦膜(透明膜)4を形成し、カラーフィルター形成後の表面段差を低減させ、バラツキの少ないマイクロレンズ5を形成する。
このような固体撮像装置では、カメラレンズと固体撮像素子間の短射出瞳距離化と画素サイズの縮小に伴い、カラーフィルターの薄膜化だけでは、光感度低下や隣接画素との混色を抑えることが困難である。
そこで、特許文献1に開示した改善例によれば、セルの微細化により斜め方向の入射光9からの光感度低下やスミア低減として、半導体基板表面からマイクロレンズ下平坦膜までの距離を短くすることが必須であり、その手段として、図2のようにカラーフィルターとして機能しえる有色マイクロレンズ6を提案している。
そのカラーフィルターの製造方法では、各カラーフィルターを塗布、露光、現像により形成したあと、マイクロレンズ形状を形成するためのレンズ形成層をカラーフィルター上に積層、パターニングし、熱フロー等で半球状に形成、等方性エッチングすることで、半導体基板表面からマイクロレンズ下平坦膜までの薄膜化が図られる。
このように、マイクロレンズに色をもたせることによりマイクロレンズにカラーフィルターの役割を持たせことが提案されている。
特開平5−206429号公報
従来、マイクロレンズにカラーフィルターの役割を持たせ、マイクロレンズに色をもたせることが提案されてきたが、分光感度のF値依存性が大きいという課題がある。例えば、垂直光と斜め光などの光は入射角度が異なるとカラーフィルターを通過する光路長が異なるため、F値(絞り値)によって分光感度がばらつき変動する。
本発明は、分光感度のF値依存性を低減する固体撮像装置、その製造方法およびカメラを提供することを目的とする。
上記課題を解決するため本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置であって、前記マイクロレンズは、透明層とカラーフィルター層との2層で形成されることを特徴とする。
この構成によれば、マイクロレンズの全部がカラーフィルターを兼ねるのではなく、マイクロレンズを構成する二層のうちの一層だけがカラーフィルターを兼ねるので、カラーフィルタ層を通過する入射光の角度による光路長変化を低減するので、斜め光、垂直光においてもばらつきの少ない分光感度を得ることができ、F値に依存する分光感度の変動を低減することができる。
ここで、前記カラーフィルター層は、前記透明層の下層に、前記マイクロレンズの底面を含むように形成されており、各画素セルにおける前記カラーフィルター層は、均一な厚みで形成されるようにしてもよい。
ここで、各画素セルにおける前記カラーフィルター層の中央部は、周辺部よりも膜厚が厚いようにしてもよい。
この構成によれば、光入射角度によるカラーフィルタ層の光路長変化をさらに低減するので、さらに分光感度がばらつきを抑えることができる。
ここで、前記透明層は、底面が前記マイクロレンズの底面よりも内側にあり、高さが前記マイクロレンズの高さよりも低いレンズ形状を有しており、前記カラーフィルター層は、前記透明層の上層に、前記透明層の上側表面を覆うように形成されるようにしてもよい。
この構成によっても、光入射角度によるカラーフィルタ層中の光路長変化がより少ないため、さらに光入射角度により分光感度がばらつきを抑えることができる。
ここで、前記カラーフィルター層の厚みは、前記マイクロレンズの厚みの1/4〜2/3としてもよい。
また、本発明の固体撮像装置の製造方法は、半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、透明層とカラーフィルター層との2層を有するマイクロレンズを形成する工程とを有する。
本発明の固体撮像装置によれば、カラーフィルター層とマイクロレンズを一体化し、カラーフィルター層を、マイクロレンズの下部あるいは表面部に配置したことで、光入射角度によるカラーフィルターを通過する光路長の変化が少ないため、F値による分光変動が少ない。このため、垂直光と斜め光との分光感度のばらつきまたは変動を低減することができる。
(第1の実施の形態)
以下、本発明の実施の形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。図3〜図5は、第1の実施の形態の固体撮像装置の構成を示す図である。これらの固体撮像装置は、フォトダイオード部1の上に表面をBPSG等で平坦化し、カラーフィルターをマイクロレンズの一部として形成している。
ここで、図3〜図5について構造の特徴とその効果を説明する。図3は、第1の実施の形態の固体撮像装置の構成を示す図の1つである。フォトダイオード1の上の表面をBPSG等の平坦膜2で平坦化し、アクリル等の透明膜4を0.1〜10μmの範囲内で、必要に応じた塗布膜厚を塗布し、カラーフィルター3で、マイクロレンズ5の下部をマイクロレンズ5高さの1/4〜2/3の均一な厚みで形成する。さらに、その上にマイクロレンズ5の上部が形成されている。
図3のようにカラーフィルター3がマイクロレンズ5のボトム部に均一な厚みで形成されているため、図1のようにカラーフィルターとマイクロレンズが独立している従来構造と比較して、斜め入射時において隣接画素のカラーフィルターエッジ部を通って光が入射しにくくなり、混色が抑制され、ライン濃淡や色シェーディングの防止に対して効果がある。また、図2のようにマイクロレンズ自身にカラーフィルターの機能を持たせた構造に比べ、光入射角度により分光感度がばらつくことが少なく、分光感度のF値依存性が少ないというメリットがある。
(第2の実施の形態)
図4は第2の実施の形態の固体撮像装置の構成を示す図である。フォトダイオード1の上に表面をBPSG等で平坦化し、アクリル等の透明膜4を0.1〜10μmの範囲内で、必要に応じた塗布膜厚を塗布し、カラーフィルター3で、マイクロレンズ5の下部をマイクロレンズ5高さの1/4〜2/3の厚みで形成する。さらに、その上にマイクロレンズ5の上部が形成されている。
ここで、カラーフィルター3の膜厚は、図4に示すように、セルの中央部で厚く、周辺部で薄くなるように形成されているため、図1のようにカラーフィルターとマイクロレンズが独立している従来構造と比較して、斜め入射時において隣接画素のカラーフィルターエッジ部を通って光が入射しにくくなり、混色が抑制され、ライン濃淡や色シェーディングの防止に対して効果がある。また、図2のようにマイクロレンズ全体にカラーフィルターの機能を持たせた構造に比べ、光入射角度により分光感度がばらつくことが少なく、分光感度のF値依存性が少ないというメリットがある。また、第1の実施の形態に比べて、光入射角度によるカラーフィルタ2中の光路長変化が少ないため、さらに分光感度のばらつきを抑えることができる。
(第3の実施の形態)
図5は第3の実施の形態の固体撮像装置の構成を示す図の1つである。フォトダイオード1の上に表面をBPSG等で平坦化し、アクリル等の透明膜4を0.1〜10μmの範囲内で、必要に応じた塗布膜厚で塗布し、先に小型のマイクロレンズ5を形成し、その表面をカラーフィルター3で覆うことで、最終のマイクロレンズ形状となるように構成されている。
図5に示すように、カラーフィルター3がマイクロレンズ5の表面を覆うことで、図1のようにカラーフィルターとマイクロレンズが独立している従来構造と比較して、斜め入射時において隣接画素のカラーフィルターエッジ部を通って光が入射しにくくなり、混色が抑制され、ライン濃淡や色シェーディングの防止に対して効果がある。また、図2のようにマイクロレンズ自身にカラーフィルターの機能を持たせた構造に比べ、光入射角度により分光感度がばらつくことが少なく、分光感度のF値依存性が少ないというメリットがある。また、また、第1の実施の形態および第2の実施形態に比べて、光入射角度によるカラーフィルタ2中の光路長変化が少ないため、さらに光入射角度により分光感度がばらつきを抑えることができる。
(製造方法)
次に、図3〜図5に示した固体撮像装置のカラーフィルター部の製造方法について説明する。
図3に示す第1の実施の形態の固体撮像装置の製造方法について図6A〜図6Cを用いて説明する。これらの図において、フォトダイオード1の上の表面をBPSG等で平坦化し、アクリル等の透明膜4を0.1〜10μmの範囲で必要に応じた塗布膜厚で塗布する(図6A(a))。透明膜4の上にカラーフィルター用レジストを塗布して(図6A(b))、露光、現像を行い、所定のパターンでカラーフィルター3を形成する(図6A(c))。ここで、カラーフィルター3は、マイクロレンズ5の仕上がり高さの1/4〜2/3になるように形成する。そして、カラーフィルター3の各色について、同様な工程で、塗布、現像、露光を行い、カラーフィルター層を形成する(図6B(d))。
さらに、カラーフィルター3の上にマイクロレンズレジストを塗布して(図6B(e))、露光、現像を行い、所定のパターンでマイクロレンズ5のパターンを形成する(図6B(f))。さらに紫外線で脱色し(図C6(g))、熱フローしてマイクロレンズ形状を形成する(図6C(h))。そして、マイクロレンズ形状を上方よりエッチバックしてカラーフィルターまで転写することにより形成できる(図6C(i))。なお、図7A〜図7Cに示すように、マイクロレンズ5の紫外線脱色を最後に行っても構わない。
その他、マイクロレンズ5に使われる材料が熱フロー性を持たない場合においては、図8A〜図8Dに示すように、マイクロレンズレジスト5を塗布して(図8B(e))、露光、現像後を行い、所定のパターンでマイクロレンズ5のパターンを形成する(図8B(f))。そして、紫外線で脱色し(図8C(g))、さらにマイクロレンズ5のパターン上に、熱フロー性のあるマイクロレンズ形状形成用レジスト10を塗布し(図8C(h))、露光、現像を行い、所定のパターンでマイクロレンズ5のパターンを形成し、(図8D(i))、熱フローしてマイクロレンズ形状を形成する(図8D(j))。エッチバックすることで、マイクロレンズ形状を転写することができる(図8D(k))。なお、図9A〜図9Dに示すように、マイクロレンズ5の紫外線脱色を最後に行っても構わない。
図8B(f)以降の工程では、結局、マイクロレンズを、熱フロー性のあるレジストで形成した形状をエッチバックして形成しているが、図10(f)以降に示すように、マイクロレンズ形状形成用レジスト10を塗布した後、マイクロレンズの露光、現像を省略しても形成できる。なお、図11A〜図11Cに示すように、マイクロレンズ5の紫外線脱色を最後に行っても構わない。
また、図12A、図12B、図13A、図13Bに示すように、カラーフィルター、マイクロレンズをグレートーンマスクで形成することもできる。ここで、グレートーンマスクについて説明する。現行のマスクは、白、黒のパターンでレジストを残す、抜くために用いられるマスクであるが、グレートーンマスクとは、グレーのパターンでレジストを途中まで残す、途中まで抜くために用いられるマスクである。その特性を生かして、グレートーンマスクは、レジストの仕上がり残膜を調整できるものである。つまり、レジストを「完全に抜く、完全に残す」ではなく、必要な膜厚を残すことができる。例えば、マイクロレンズを現行の一般的なマスクで形成する場合、レジスト塗布後、マスクでパターンニングし、矩形形状をつくる。その後熱フローをして形成するが、グレートーンマスクを使った場合、マスクパターンがグレーパターンであるため、必要な残膜が得られるようなグレーパターンマスクにしておけば露光、現像後には、レンズ形状が得られるというものである。
図12Aにおいて、フォトダイオード1の上の表面をBPSG等で平坦化し、アクリル等の透明膜4を0.1〜10μmの範囲で必要に応じた塗布膜厚で塗布する(図12A(a))。透明膜4の上にカラーフィルター用レジストを塗布して(図12A(b))、上記グレートーンマスクを使用して露光、現像を行い、所定のパターンでマイクロレンズ5の下部となるカラーフィルター3を形成する(図12A(c))。ここで、カラーフィルター3は、マイクロレンズ5の仕上がり高さの1/4〜2/3になるように形成する。そして、カラーフィルター3の各色について、同様な工程で、塗布、現像、露光を行い、カラーフィルター層を形成する。
さらに、カラーフィルター3の上にマイクロレンズレジストを塗布して(図12B(d))、露光、現像を行い、所定のパターンでマイクロレンズ5のパターンを形成する(図12B(e))。さらに紫外線で脱色し(図12B(f))、熱フローしてマイクロレンズ形状を形成する(図12B(g))。なお、図13A〜図13Cに示すように、マイクロレンズ5の紫外線脱色を最後に行っても構わない。
ここで、カラーフィルター断面形状は、グレートーンマスク11のため、自在に調整可能である。図4のようにカラーフィルターをマイクロレンズのボトムに形成し、かつ、カラーフィルター3のセルの中央部が厚く、周辺部が薄くなるように形成する場合には、カラーフィルターをマイクロレンズ5高さの1/4〜2/3(セル中央部膜厚)で塗布したあと(図13A(b))、グレートーンマスク11のパターンを図12とは違うパターンに変更して露光、現像し(図13A(c))、そして、カラーフィルター3の各色について、同様な工程で、塗布、現像、露光を行い、カラーフィルター3を形成する(図13B(d))。その後、カラーフィルター3の上にマイクロレンズレジストを塗布し(図13B(e))、グレートーンマスク11で露光、現像して(図13C(f))、紫外線で脱色することにより形成できる(図13C(g))。
また、図5のようにカラーフィルターでマイクロレンズの表面を覆う形状にする場合、例えば、マイクロレンズ5とカラーフィルター3とを共に熱フロー性のあるレジストにしておき、マイクロレンズレジストを塗布して(図14A(b))、露光、現像してパターンニングし(図14A(c))、形成されたマイクロレンズパターンを紫外線で脱色し(図14B(d))、その上に熱フロー製のカラーフィルター3を塗布し(図14B(e))、そして、カラーフィルター3の各色について、同様な工程で、塗布、現像、露光を行い(図14B(f))、カラーフィルター3が上記マイクロレンズパターンの上面と側面に残るように露光、現像し(図14C(g))、マイクロレンズ5とカラーフィルター3を同時に熱フローすることにより形成できる(図14C(h))。なお、図15A〜図15Dに示すように、マイクロレンズ5の紫外線脱色処理は、マイクロレンズ3およびカラーフィルター5のパターンを形成した後の、熱フローを行う前に、行っても構わない。
また、カラーフィルター3が熱フロー性でない場合においても、図15A以降の工程に示すように、マイクロレンズレジストを塗布して(図15A(b))、露光、現像してパターンニングし(図15A(c))、形成されたマイクロレンズパターンを紫外線で脱色し(図15B(d))、熱フローを行い小型のマイクロレンズ形状を形成する(図15B(e))。その後、カラーフィルター3を塗布して(図15B(f))、露光、現像しカラーフィルタパターン3を形成する(図15B(g)。そして、カラーフィルター3の各色について、同様な工程で、塗布、現像、露光を行い、カラーフィルター3を形成する(図15C(h))。熱フロー性のあるレジストを塗布して(図15C(i))、露光、現像してパターニングし(図15C(j))、熱フローして(図15D(k))、エッチバックすることによりマイクロレンズ形状をカラーフィルターに転写することにより形成することができる(図15D(l))。
なお、上記実施例においてレンズ形状の形成においては、従来の白黒マスクにより現像、露光してパターンニングし、熱フローする方法に置き換えて、グレートーンマスク11によりマイクロレンズ5を構成する各層の形状を形成するものであって構わない。
また、上記実施例においてマイクロレンズ5の紫外線脱色処理については、マイクロレンズ5の形状の前あるいは後のどちらで行っても構わない。
以上説明したように本発明は、複数のフォトダイオードを有する固体撮像装置、カメラに適しており、例えば、イメージセンサー、デジタルスチルカメラ、カメラ付き携帯電話機、ノートパソコンに備えられるカメラ、情報処理機器に接続されるカメラユニット等に適している。
従来の固体撮像装置の断面図である。 マイクロレンズにカラーフィルター機能をもたせた構造の断面図である。 実施の形態1における固体撮像装置の断面図である。 実施の形態2における固体撮像装置の断面図である。 実施の形態3における固体撮像装置の断面図である。 図3に示した固体撮像装置の第1の製造工程を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第1の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第1の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第2の製造工程を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第2の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第2の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第3の製造工程を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第3の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第3の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第3の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第4の製造工程を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第4の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第4の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第4の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第5の製造工程を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第5の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第5の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第6の製造工程を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第6の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第6の製造工程(続き)を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第7の製造工程を示す説明図である。 図3に示した固体撮像装置の第7の製造工程(続き)を示す説明図である。 図4に示した固体撮像装置の第1製造工程を示す説明図である。 図4に示した固体撮像装置の第1製造工程を(続き)示す説明図である。 図4に示した固体撮像装置の第1製造工程を(続き)示す説明図である。 図5に示した固体撮像装置の第1製造工程を示す説明図である。 図5に示した固体撮像装置の第1製造工程を(続き)示す説明図である。 図5に示した固体撮像装置の第1製造工程を(続き)示す説明図である。 図5に示した固体撮像装置の第2製造工程を示す説明図である。 図5に示した固体撮像装置の第2製造工程を(続き)示す説明図である。 図5に示した固体撮像装置の第2製造工程を(続き)示す説明図である。 図5に示した固体撮像装置の第2製造工程を(続き)示す説明図である。
符号の説明
1 フォトダイオード部
2 BPSG等の平坦膜
3 カラーフィルター
4 アクリル等の平坦膜
5 マイクロレンズ
6 有色マイクロレンズ
7 紫外線
8 露光用マスク
9 入射光
10 レンズ形状形成用レジスト
11 グレートーンマスク

Claims (13)

  1. 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
    前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
    前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
    前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、カラーフィルターレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記カラーフィルターの上に熱フロー性を有するマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記マイクロレンズレジストを熱フローし、上に凸形状の前記マイクロレンズにする工程と、
    前記マイクロレンズレジストおよび前記カラーフィルターレジストをエッチバックして、前記マイクロレンズレジストの層と前記カラーフィルターの層との2層からなるレンズ形状を形成する工程と
    を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  2. 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
    前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
    前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
    前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、カラーフィルターレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記カラーフィルターの上にマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記マイクロレンズレジストの上に熱フロー性を有するレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記熱フロー性を有するレジストを熱フローし、上に凸形状の前記マイクロレンズにす
    る工程と、
    前記熱フロー性を有するレジストおよび前記マイクロレンズレジストおよび前記カラーフィルターレジストをエッチバックして、前記マイクロレンズレジストの層と前記カラーフィルターの層との2層からなるレンズ形状を形成する工程と
    を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  3. 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
    前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
    前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
    前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、カラーフィルターレジストをグレートーンマスクで露光および現像を行い前記マイクロレンズのレンズ形状の下層部を形成する工程と、
    前記カラーフィルターの上に熱フロー性を有するマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記マイクロレンズレジストを熱フローし、上に凸形状のレンズにして、前記マイクロレンズのレンズ形状の上層部を形成する工程と
    を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  4. 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
    前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
    前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
    前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、カラーフィルターレジストをグレートーンマスクで露光および現像を行い前記マイクロレンズのレンズ形状の下層部を形成する工程と、
    前記カラーフィルターの上にマイクロレンズレジストをグレートーンマスクで露光および現像を行い前記マイクロレンズのレンズ形状の上層部を形成する工程と
    を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  5. 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
    前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
    前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
    前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、熱フロー性を有するマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記マイクロレンズレジストの上面および側壁を覆うように熱フロー性を有するカラーフィルターレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記マイクロレンズレジストおよびカラーフィルターレジストを熱フローし、上に凸形状のレンズにする工程と
    を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  6. 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
    前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
    前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
    前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、熱フロー性を有するマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記マイクロレンズレジストを熱フローし、上に凸形状のレンズにする工程と、
    前記平坦化膜および前記マイクロレンズレジストの上にカラーフィルターレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記カラーフィルターレジストの上に熱フロー性を有するレジストをパターンニングして形成する工程と、
    前記熱フロー性を有するレジストを熱フローし、上に凸形状の前記マイクロレンズにする工程と、
    前記熱フロー性を有するレジストおよび前記マイクロレンズレジストおよび前記カラーフィルターレジストをエッチバックして、前記マイクロレンズレジストの層と前記カラーフィルターの層との2層からなるレンズ形状を形成する工程と
    を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
  7. 前記マイクロレンズレジストをパターニングする工程に続いて、前記マイクロレンズレジストを紫外線で脱色する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜3、5、6のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
  8. 前記マイクロレンズレジストの層と前記カラーフィルターの層との2層からなるレンズを形成する工程の後に、前記マイクロレンズレジストを紫外線で脱色する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置の製造方法。
  9. 前記マイクロレンズのレンズ形状の上層部を形成する工程の後に、前記マイクロレンズレジストを紫外線で脱色する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項3または4に記載の固体撮像装置の製造方法。
  10. 前記平坦化膜はBPSGであることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
  11. 前記平坦化膜を形成する工程に続いて、透明膜を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
  12. 前記透明膜はアクリルからなることを特徴とする請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法。
  13. 前記透明膜の厚みは0.1〜10μmであることを特徴とする請求項11または12に記載の固体撮像装置の製造方法。
JP2004379943A 2004-12-28 2004-12-28 固体撮像装置の製造方法 Expired - Fee Related JP4510613B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004379943A JP4510613B2 (ja) 2004-12-28 2004-12-28 固体撮像装置の製造方法
US11/317,194 US7535043B2 (en) 2004-12-28 2005-12-27 Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera
CNA2005101073778A CN1819230A (zh) 2004-12-28 2005-12-28 固体摄像器件、其制造方法和摄像机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004379943A JP4510613B2 (ja) 2004-12-28 2004-12-28 固体撮像装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006186203A JP2006186203A (ja) 2006-07-13
JP4510613B2 true JP4510613B2 (ja) 2010-07-28

Family

ID=36610414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004379943A Expired - Fee Related JP4510613B2 (ja) 2004-12-28 2004-12-28 固体撮像装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7535043B2 (ja)
JP (1) JP4510613B2 (ja)
CN (1) CN1819230A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101248806B1 (ko) 2010-12-01 2013-03-29 주식회사 동부하이텍 마이크로 렌즈 제조 방법 및 마이크로 렌즈 어레이
KR102062886B1 (ko) * 2018-06-27 2020-02-11 (주)E.O.S Uv광을 이용한 자연발색 콘택트렌즈 제조방법 및 이에 의해 제조된 콘택트렌즈

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100790225B1 (ko) 2005-12-26 2008-01-02 매그나칩 반도체 유한회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
US20080142685A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-19 Gazeley William G Integrated image sensor having a color-filtering microlens, and related system and method
US20120261731A1 (en) * 2011-04-12 2012-10-18 Cheng-Hung Yu Image sensor
US8570669B2 (en) * 2012-01-23 2013-10-29 Optiz, Inc Multi-layer polymer lens and method of making same
JP6012692B2 (ja) * 2014-01-27 2016-10-25 キヤノン株式会社 マイクロレンズアレイの形成方法および固体撮像装置の製造方法
US9746678B2 (en) * 2014-04-11 2017-08-29 Applied Materials Light wave separation lattices and methods of forming light wave separation lattices
JP6816717B2 (ja) * 2015-05-25 2021-01-20 凸版印刷株式会社 イメージセンサおよびその製造方法
CN108269815A (zh) * 2018-01-10 2018-07-10 德淮半导体有限公司 Cmos图像传感器及其形成方法
JP7423908B2 (ja) * 2019-05-27 2024-01-30 Toppanホールディングス株式会社 固体撮像装置
EP4109894A4 (en) * 2020-03-03 2023-03-22 Huawei Technologies Co., Ltd. IMAGE SENSOR AND IMAGE SENSITIZATION METHOD

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03230101A (ja) * 1990-02-05 1991-10-14 Matsushita Electron Corp カラー固体撮像装置およびその製造方法
JP2566087B2 (ja) 1992-01-27 1996-12-25 株式会社東芝 有色マイクロレンズアレイ及びその製造方法
JPH06140610A (ja) * 1992-10-27 1994-05-20 Sony Corp 固体撮像素子及びその製造方法
US5677200A (en) * 1995-05-12 1997-10-14 Lg Semicond Co., Ltd. Color charge-coupled device and method of manufacturing the same
JP3405620B2 (ja) * 1995-05-22 2003-05-12 松下電器産業株式会社 固体撮像装置
JP2802733B2 (ja) * 1995-06-07 1998-09-24 エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド カラー固体撮像素子及びその製造方法
KR100209752B1 (ko) * 1996-05-16 1999-07-15 구본준 마이크로 렌즈 패턴용 마스크
US6577342B1 (en) * 1998-09-25 2003-06-10 Intel Corporation Image sensor with microlens material structure
JP4304987B2 (ja) * 2003-01-24 2009-07-29 凸版印刷株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
US6861280B2 (en) * 2002-10-25 2005-03-01 Omnivision International Holding Ltd Image sensor having micro-lenses with integrated color filter and method of making
JP2005311275A (ja) * 2004-03-25 2005-11-04 Toppan Printing Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101248806B1 (ko) 2010-12-01 2013-03-29 주식회사 동부하이텍 마이크로 렌즈 제조 방법 및 마이크로 렌즈 어레이
KR102062886B1 (ko) * 2018-06-27 2020-02-11 (주)E.O.S Uv광을 이용한 자연발색 콘택트렌즈 제조방법 및 이에 의해 제조된 콘택트렌즈

Also Published As

Publication number Publication date
CN1819230A (zh) 2006-08-16
US20060138499A1 (en) 2006-06-29
JP2006186203A (ja) 2006-07-13
US7535043B2 (en) 2009-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100365820C (zh) 固体摄像器件、固体摄像器件的制造方法、摄影机
US7522341B2 (en) Sharing of microlenses among pixels in image sensors
US7683302B2 (en) Solid-state imaging device having on-chip color filter layers and solid-state imaging device manufacturing method of the solid-state imaging device
JP4447988B2 (ja) 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ
US7656453B2 (en) Solid-state imaging device having characteristic color unit depending on color, manufacturing method thereof and camera
JP2013165216A (ja) 撮像素子
JP2007219515A (ja) カラーフィルタ、カラーフィルタアレイ及びその製造方法、並びにイメージセンサー
CN102693997A (zh) 固体摄像装置、其制造方法以及电子装置
JP2005340299A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法並びにカメラ
JP4510613B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2012256782A (ja) カラー固体撮像素子およびそれに用いるカラーマイクロレンズの製造方法
JP2000180621A (ja) オンチップカラーフィルタ及びこれを用いた固体撮像素子
US20050045805A1 (en) Solid-state image sensor and a manufacturing method thereof
JP2011171328A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JP4181487B2 (ja) 固体撮像装置とその製造方法
KR100832710B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP2006245101A (ja) カラーフィルタを有する撮像装置
KR20080058549A (ko) 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법
JP2009152314A (ja) イメージセンサーおよびその製造方法
JP5874209B2 (ja) カラー固体撮像素子用オンチップカラーフィルタ
JP2005101266A (ja) 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ
JP2015138918A (ja) 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ
JP2011165791A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法
JP2006196626A (ja) 固体撮像装置、及びその製造方法、並びにカメラ
JP5446374B2 (ja) 固体撮像素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090728

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090925

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100330

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100430

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130514

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees