JP4510613B2 - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態における固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。図3〜図5は、第1の実施の形態の固体撮像装置の構成を示す図である。これらの固体撮像装置は、フォトダイオード部1の上に表面をBPSG等で平坦化し、カラーフィルターをマイクロレンズの一部として形成している。
図4は第2の実施の形態の固体撮像装置の構成を示す図である。フォトダイオード1の上に表面をBPSG等で平坦化し、アクリル等の透明膜4を0.1〜10μmの範囲内で、必要に応じた塗布膜厚を塗布し、カラーフィルター3で、マイクロレンズ5の下部をマイクロレンズ5高さの1/4〜2/3の厚みで形成する。さらに、その上にマイクロレンズ5の上部が形成されている。
図5は第3の実施の形態の固体撮像装置の構成を示す図の1つである。フォトダイオード1の上に表面をBPSG等で平坦化し、アクリル等の透明膜4を0.1〜10μmの範囲内で、必要に応じた塗布膜厚で塗布し、先に小型のマイクロレンズ5を形成し、その表面をカラーフィルター3で覆うことで、最終のマイクロレンズ形状となるように構成されている。
次に、図3〜図5に示した固体撮像装置のカラーフィルター部の製造方法について説明する。
2 BPSG等の平坦膜
3 カラーフィルター
4 アクリル等の平坦膜
5 マイクロレンズ
6 有色マイクロレンズ
7 紫外線
8 露光用マスク
9 入射光
10 レンズ形状形成用レジスト
11 グレートーンマスク
Claims (13)
- 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、カラーフィルターレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記カラーフィルターの上に熱フロー性を有するマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記マイクロレンズレジストを熱フローし、上に凸形状の前記マイクロレンズにする工程と、
前記マイクロレンズレジストおよび前記カラーフィルターレジストをエッチバックして、前記マイクロレンズレジストの層と前記カラーフィルターの層との2層からなるレンズ形状を形成する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、カラーフィルターレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記カラーフィルターの上にマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記マイクロレンズレジストの上に熱フロー性を有するレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記熱フロー性を有するレジストを熱フローし、上に凸形状の前記マイクロレンズにす
る工程と、
前記熱フロー性を有するレジストおよび前記マイクロレンズレジストおよび前記カラーフィルターレジストをエッチバックして、前記マイクロレンズレジストの層と前記カラーフィルターの層との2層からなるレンズ形状を形成する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、カラーフィルターレジストをグレートーンマスクで露光および現像を行い前記マイクロレンズのレンズ形状の下層部を形成する工程と、
前記カラーフィルターの上に熱フロー性を有するマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記マイクロレンズレジストを熱フローし、上に凸形状のレンズにして、前記マイクロレンズのレンズ形状の上層部を形成する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、カラーフィルターレジストをグレートーンマスクで露光および現像を行い前記マイクロレンズのレンズ形状の下層部を形成する工程と、
前記カラーフィルターの上にマイクロレンズレジストをグレートーンマスクで露光および現像を行い前記マイクロレンズのレンズ形状の上層部を形成する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、熱フロー性を有するマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記マイクロレンズレジストの上面および側壁を覆うように熱フロー性を有するカラーフィルターレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記マイクロレンズレジストおよびカラーフィルターレジストを熱フローし、上に凸形状のレンズにする工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 半導体基板上に、入射光を光電変換する光電変換部と、前記光電変換部の上方に各前記光電変換部に対応して形成されたマイクロレンズとを有する画素セルが複数配列された固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に光電変換部を形成する工程と、
前記光電変換部の上を平坦化膜で平坦化する工程と、
前記平坦化膜の上に各前記光電変換部に対応して、熱フロー性を有するマイクロレンズレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記マイクロレンズレジストを熱フローし、上に凸形状のレンズにする工程と、
前記平坦化膜および前記マイクロレンズレジストの上にカラーフィルターレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記カラーフィルターレジストの上に熱フロー性を有するレジストをパターンニングして形成する工程と、
前記熱フロー性を有するレジストを熱フローし、上に凸形状の前記マイクロレンズにする工程と、
前記熱フロー性を有するレジストおよび前記マイクロレンズレジストおよび前記カラーフィルターレジストをエッチバックして、前記マイクロレンズレジストの層と前記カラーフィルターの層との2層からなるレンズ形状を形成する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 前記マイクロレンズレジストをパターニングする工程に続いて、前記マイクロレンズレジストを紫外線で脱色する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜3、5、6のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記マイクロレンズレジストの層と前記カラーフィルターの層との2層からなるレンズを形成する工程の後に、前記マイクロレンズレジストを紫外線で脱色する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記マイクロレンズのレンズ形状の上層部を形成する工程の後に、前記マイクロレンズレジストを紫外線で脱色する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項3または4に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記平坦化膜はBPSGであることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記平坦化膜を形成する工程に続いて、透明膜を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記透明膜はアクリルからなることを特徴とする請求項11に記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記透明膜の厚みは0.1〜10μmであることを特徴とする請求項11または12に記載の固体撮像装置の製造方法。
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