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JP4510645B2 - 画像形成装置 - Google Patents
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JP4510645B2 - 画像形成装置 - Google Patents

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Description

本発明は、シート等の記録媒体上に画像を形成する機能を備えた、例えば、プリンタ、複写機、ファクシミリ装置などの画像形成装置に関し、特にオーバフィルドスキャナ方式(詳細は後述する)を採用する画像形成装置における露光光量の均一化に関するものである。
従来、この種の画像形成装置として、レーザ走査光学系には入射光束幅に対して回転多面鏡(以下、ポリゴンミラーという)の面が広いUFS(アンダーフィルドスキャナ)方式が多用されているものの、画像形成装置の高速化に伴い、UFSはポリゴンミラーが大きいため昇温や騒音が問題となってきた。この対策としては、特許文献1で提案されているポリゴンミラーの小さなOFS(オーバフィルドスキャナ、図15,16参照)というものがある。OFSは、入射光束幅に対してポリゴンミラーの面が狭く、UFSと比較して小型であるため、発熱、騒音を低く押さえることができ、立ち上がりも早く、スポット径を小さくできるため、高速化、高精細化に優れている。
特開昭49−84518号公報
しかしながら、前述のような従来技術の場合には、下記のような問題が生じていた。OFSは図15、図16に示すように光束の一部を使用して感光ドラムへ照射するため、レーザがポリゴンミラー401に入射する角度により反射される光束幅が異なり、結果として感光ドラム面上に照射されるレーザ光量が主走査方向で不均一である。具体的には、図17に示すようにOFS方式では、中央部に対し端部側で5から25%程度レーザ光量が低下するという問題がある。
このような主走査方向に対しての光量ムラ対策として、例えば、特開昭63−53043号公報で提案されているように、光量ムラを補正するための情報をROMに記憶させ、そのROMが有する情報を元に、レーザ駆動電流を感光体の主走査方向中央部照射時には下げ、端部照射時には上げるようにレーザ駆動電流を制御する手法により、走査された光線が感光ドラムに照射される際に、感光ドラム中央部に照射される光量を落とすという手法がある。
しかしながら、半導体レーザを所定光量で発光させるためには、周囲温度により駆動電流を調整する必要があるのと、経時劣化のため駆動電流を増加させる必要がある。そのため、前記手法を用いるだけでは、図18の(a)に示すようにドラム面光量が補正できる場合もあれば、レーザの周囲環境が変化すると(b)のように補正が不十分の場合もある。
その結果、印字した画像に濃度ムラが発生し、品質の高い画像を得ることができなかった。
本発明は、このような状況のもとでなされたもので、オーバフィルドスキャナ方式を採用していながら、半導体レーザの経時劣化や環境温度変化があっても、像担持体(感光ドラム)上に主走査方向で均一な光量で露光が可能となり、印字画像の濃度ムラの発生が抑えられ、品質の高い画像を得ることのできる画像形成装置を提供することを課題とするものである。
前記課題を解決するため、本発明では、画像形成装置を次の(1)、(2)のとおりに構成する。
(1)半導体レーザ発光素子により発光されたレーザビームを入射光束幅より狭い面で反射する回転多面鏡により走査して像担持体上を露光し、該像担持体上に静電潜像を形成するレーザ露光手段と、
前記レーザ露光手段により前記像担持体上に形成された静電潜像を現像手段により現像して得られたトナー画像を転写材に転写する画像形成手段とを備え
前記狭い面への前記入射光束の入射角度により反射される光束幅が前記レーザビームの主走査方向における中央部において端部よりも増加する画像形成装置において、
前記反射されるレーザビームの光量をレーザビーム走査の主走査方向の位置に応じて補正する為の補正情報であって、前記主走査方向における中央部において前記端部よりもレーザ駆動電流を減少させ前記反射されるレーザビームの光量を補正する為の予め定められた補正情報を記憶したメモリと、
前記レーザビームの走査位置を表す同期信号に同期して前記メモリから読み出された前記予め定められた補正情報に基づきレーザ駆動電流を変化させる電流可変手段と、
前記レーザビームの光量をモニタする光量モニタ手段と、
前記減少の量を零に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第1の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第1レーザ駆動電流を設定するとともに、前記減少の量を最大に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第2の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第2レーザ駆動電流を設定する制御手段と、を備え、
前記電流可変手段は、前記制御手段により設定された前記第1レーザ駆動電流と前記第2レーザ駆動電流との間で、前記補正情報に基づき、前記レーザ駆動電流を変化させることを特徴とする画像形成装置。
(2)半導体レーザ発光素子により発光されたレーザビームを入射光束幅より狭い面で反射する回転多面鏡により走査して像担持体上を露光し、該像担持体上に静電潜像を形成するレーザ露光手段と、
前記レーザ露光手段により前記像担持体上に形成された静電潜像を現像手段により現像して得られたトナー画像を転写材に転写する画像形成手段とを備え、
前記狭い面への前記入射光束の入射角度により反射される光束幅が前記レーザビームの主走査方向における中央部において端部よりも増加する画像形成装置において、
前記反射されるレーザビームの光量をレーザビーム走査の主走査方向の位置に応じて補正する為の補正情報であって、前記主走査方向における中央部において前記端部よりもレーザ駆動電流を減少させ前記反射されるレーザビームの光量を補正する為の予め定められた補正情報を記憶したメモリと、
前記レーザビームの走査位置を表す同期信号に同期して前記メモリから読み出された前記予め定められた補正情報に基づきレーザ駆動電流を変化させる電流可変手段と、
前記レーザビームの光量をモニタする光量モニタ手段と、
前記補正情報を変化させたときの前記レーザ駆動電流の変化度合いを調整すべく、前記減少の量を第1の減少量に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第1の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第1レーザ駆動電流を設定するとともに、前記減少の量を前記第1の減少量よりも減少の量が大きい第2の減少量に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第2の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第2レーザ駆動電流を設定する制御手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
本発明によれば、半導体レーザの経時劣化や環境温度変化があっても、像担持体(感光ドラム)に均一な光量でレーザ照射することが可能となる。その結果、オーバフィルドスキャナ方式のスキャナを用いる画像形成装置においても、像担持体上に主走査方向で均一な光量で露光が可能となり、印字画像の濃度ムラの発生が抑えられ、品質の高い画像を得ることができる。
本発明を実施するための最良の形態を、画像形成装置の実施例により詳しく説明する。
図1は、実施例1である“画像形成装置”の要部にかかる、光量補正のキャリブレーションのフィードバックループを示す回路ブロック図である。詳細は、後述する。
図2は、本実施例の画像形成装置全体のブロック図である。ビデオコントローラ101は、不図示のホストコンピュータから印字情報を受信し、画像展開部にて、ビットマップ画像データ110に展開し、不図示のページメモリに格納しておく。画像出力制御部は、プリンタエンジン102から送出される水平同期信号(BD信号308)と垂直同期信号(TOP信号112)に基づいて画像データ110を、プリンタエンジン102に送出する。また、ビデオコントローラ101と、プリンタエンジン102は、定期的に情報の送受信を、シリアル通信ライン113で行っている。
次に、図3に示すプリンタエンジンの構成概略図を用いて、印字シーケンスを説明する。コントローラ101からの画像データ110を給紙ユニット209から搬送(I方向の流れ)された記録媒体の第一面(表面)に印字する際、レジローラ202で記録媒体の斜行を取り除く。レジローラ202と同じ位置に、記録媒体の先端を検知するための、TOPセンサ117を配置しており、斜行を取り除くと同時に、記録媒体の先端が所定の位置に到達したことを、プリンタエンジン102のCPU2(不図示)は認識する。その後、画像データを記録媒体に記録する前、記録媒体を吸着ローラ203によって静電搬送ベルト208に吸着させ搬送させる。
一方、レーザスキャナ115C、115Y、115M、115Kは、ビデオコントローラ101からプリンタエンジン102に送られてきた画像データに基づいて各色のレーザスキャナ内にあるレーザ駆動回路116C、116Y、116M、116Kを駆動することにより、各色の感光ドラム204〜207に、トナー像を形成し、記録媒体上に転写し、定着器210にて記録媒体にトナー像を定着し、排紙ローラ211を経て、機外に排出される。
図4は、TOPセンサ出力信号123、シリアル通信ライン113、TOP信号112、画像データ110−K、110−M、110−Y、110−Cについてのタイミングを示したものである。TOPセンサ出力信号123がHIGHになったら、記録媒体の先端が所定の位置に到達タイミしたことをあらわす。CPU2は、ビデオコントローラ101がC色画像データ110−Cを送出するための同期信号であるTOP信号112を、TOPセンサ出力信号123の立ち上がりから、T(t−c)時間後に、ビデオコントローラ101に送出する。ビデオコントローラ101は、図3に示すように記録媒体が各色の感光ドラム204〜207に到達する時間差を考慮して、画像データ110を送出しなければならない。
図5は、水平スキャン方向の画像データの送出タイミングを示した図である。図のBD−C、BD−Y、BD−M、BD−K信号とは、水平同期信号であり、1ラインの印字毎に発生する信号である。ビデオコントローラ101は、このBD信号の立ち上がりエッジから所定時間Tbdに、画像データ110を送出し、記録媒体の左端エッジから所定の位置に印字を行う。
図1は、レーザ駆動回路116C、116Y、116M、116Kと、それを制御する制御基板の関係を示したブロック図である。1はCPU2を有した制御基板であり、本基板1から、各レーザ駆動基板を制御する制御信号が送信されている。レーザ駆動回路116には、光量補正回路301と、VI変換回路306と、レーザドライバIC4と、半導体レーザ6と、光量モニタのバッファ回路3が搭載されている。
次に、レーザ駆動回路116の動作を説明する。光量補正回路301は後述するように、主走査方向スキャンの感光ドラム面上の光量ムラを補正するためのプロファイル情報を記憶した不揮発メモリを有しており、水平同期信号308に同期してメモリを読み出し、後述するようにアナログ電圧に変換される。そして後段のVI変換回路306で電流値Idに変換され、レーザドライバIC4に出力される。
レーザドライバIC4は、VDO画像信号110に応じて、半導体レーザ6に電流ILを流して発光させるか、ダミー抵抗5に流して消灯させるかを切り替えることで制御している。レーザ6に流すレーザ電流値ILは、定電流回路10で設定した電流Iaから前記VI変換回路306から出力される電流Idを差し引いた電流ILとなる。定電流回路10に流す電流Iaは、半導体レーザの光量モニタ用フォトディテクタ7が所望の光量となるように設定される。VI変換回路が出力する電流Idの設定方法は後述する。
制御基板1のCPU2から光量補正回路301には、シリアル通信信号307が送受信され、光量補正回路301の動作モードを決定している。また、レーザ光量モニタを行うフォトディテクタ7の検知した結果は、バッファ回路3を介してCPU2のA/Dポートに送出される。ボリューム抵抗8は、工場組立て時に、レーザが所定光量に発光している場合に、所望の電圧としてレーザドライバIC4に入力されるよう値を調整しておく。
以上説明したように、所望の光量で発光させるために必要な電流Iaに対して、VI変換回路306が出力する電流Idを差し引いた電流をレーザ駆動電流ILとすることで、いかなる場合でも、レーザ駆動電流ILはIa以上に流れることはない。そのため、定格光量以上に発光させてしまうのが原因でレーザ故障となることを防止することができる。
図6は、光量補正回路301のブロック図である。304は不揮発メモリ、303は不揮発メモリの内容を書込み・読み出しする回路、302は不揮発メモリ304の内容をBD信号308に同期して読み出すメモリリード回路、305は不揮発メモリ304から出力される多値データをD/A変換するDAコンバータ、306はDAコンバータ305から出力されるアナログ電圧信号312を電流値313に変換するVI変換回路である。DAコンバータ305は、外部のCPU2から出力されるアナログ電圧信号309、310の電圧間を8ビットの分解能で電圧にコンバートする。不揮発メモリ304の書換えや、メモリリード条件(リード速度等)は、CPU2からシリアル通信によって、回路303とメモリリード回路302の設定値を変えることによって決定する。
図7は半導体レーザ6の電流と光量の特性を示したグラフ、図8はDAC305とレーザ光量の関係を表すタイミングチャート、図9は光量補正回路301のDAC305のリファレンス電圧309、310を決定するプロセスを示したフローチャートである。
半導体レーザで所定光量の発光するために必要な電流ILは、周囲温度や経年劣化によって変化する。図7のグラフ15は低温環境下の電流−光量のグラフ、グラフ16は高温環境下の電流−光量のグラフの一例である。つまり、所定光量Papcで発光させるには、低温環境下ではA点で示した電流ILでよいのに対し、高温環境下ではB点で示した電流ILが必要となるのである。
本実施例は、従来例で示したように、主走査方向のドラム面上の光量が画像中央で高光量となるスキャナにおいて、レーザ電流ILを画像中央部に向けて徐々に減らすことで、ドラム面上の光量を均一にさせるものである。
図8は、画像中央部にかけてレーザ電流ILを減らすことを示したタイムチャートである。同図に示すとおり、BD信号308に同期して不揮発メモリからドラム面光量のムラを補正するためのデータ320が読み出され、DAC305でアナログ電圧値312に変換され、後段のVI変換回路306で電流313に変換される。Id電流313は、レーザドライバIC4に入力され、レーザ電流ILを抑制する。そのため、図8のレーザ電流ILで示した通り画像中央部にかけてレーザ電流が減衰する。その結果、半導体レーザ6が出力するレーザ光量は、同図の通り、画像中央部が減衰した図となる。例えば、DAC305の入力がFFhで光量が50%ダウンするように設定すれば、80hで25%ダウンすることになる。画像中央部で、ドラム面光量が25%アップするスキャナにおいて、本処理を行うことで、ドラム面上の光量は同図のように均一な照射光量となるのである。
次に、図9のフローチャートで、光量補正回路301のDAC305のリファレンス電圧309、310を決定するプロセスを説明する。
まず、VrefL310に0Vをセット(S1)し、DAC305への入力値を00hとする(S2)。その状態で、レーザ駆動回路116のレーザドライバIC4は、レーザ光量の調整APC(Auto Power Controlの略)を行う(S3)。このAPCは、半導体レーザに内蔵されているフォトディテクタ7をモニタしながら、所望光量になるようにレーザ電流ILを決定する動作である。先に述べた通り、DAC305への入力値を00hとした場合は、VI変換回路306の出力電流Idは0mAであるので、APC実行時の設定電流Iaはレーザ電流ILと同じである。そして、このAPC光量(図7のPapc)で発光しているときのフォトディテクタ7がセンスした電圧(フォトディテクタが発する電流を可変抵抗8で電圧化した電圧)を記憶する(S4)。次に、DAC305のFFh時に光量ダウンしたい量(図7では50%)から、フォトディテクタ7の電圧のターゲット値を決定し(S6)、DAC305の入力値にFFhをセット(S7)する。そして、VrefHを0Vから増加(S8)させていき、フォトディテクタ7がセンスした電圧と比較(S9)し、S6で決定した電圧値になったら、VrefHの増加を停止し、その電圧値を記憶しVrefH309とする。
半導体レーザ6の特性が図7のグラフ15であった場合は、ポイントAとポイントBの電流差ΔI(L)を8ビットの分解能で調整可能となり、半導体レーザ6の特性が図7のグラフ16であった場合は、ポイントCとポイントDの電流差ΔI(H)を8ビットの分解能で調整可能となるのである。
次に、プリント動作での光量調整について、図8で説明する。不揮発メモリ304(図6)には、レーザスキャナ組立て時に、ドラム面光量のプロファイルを測定し、ドラム面でレーザ光量が均一になるような補正値を記憶させておく。例えば、図8に示すように、不揮発メモリからDAC304に入力される値が画像中央で80h、つまり、画像端部の光量に対して25%の光量ダウンが必要とされている場合は、VI変換回路の出力電流Idは、313で示すとおりに、画像中央部が最大となる。一方、レーザ電流ILは、画像中央部が最低となり、レーザ発光光量も画像中央部は25%光量ダウンしたプロファイルとなるのである。その結果、ドラム面光量は、画像中央部、端部ともに均一な光量となり、濃度ムラの無い、高画質印字が可能となるのである。
前記Vrefの調整は、電源投入時、スリープモードからの復帰時、連続印字中の所定印字枚数毎に、実施するのが良い。または、電源投入時のみ実施してもよい。
また、不揮発メモリ304をRAMにして、電源投入時に、制御基板1から、補正データをRAMに対してロードする構成としても良い。
以上説明したように、本実施例によれば、電源投入時、スリープモードからの復帰時、所定印字枚数ごとに、光量モニタによる光量測定を実施し、メモリに記憶されている補正すべき発光光量の情報と、レーザ駆動電流の補正電流量とに基づいて、補正電流値を調整することで、半導体レーザの経時劣化や環境温度変化があっても、感光ドラムに均一な光量でレーザ照射することが可能となる。
実施例2では、DAC305の基準電圧VrefHとVrefLの設定についての変形例を説明する。
図10は、本実施例の光量補正のキャリブレーションのフィードバックループを示す回路ブロック図である。実施例1ではCPU2から光量補正回路用の基準電圧309,310を送出していたのに対し、本実施例ではCPU2から送出していない。前記以外は、実施例1と同じである。
図11に、光量補正回路321の内部ブロック図を示す。図示するように、DAC305に送出する基準電圧VrefH309とVrefL310は、前段の基準電圧生成部322,323が生成する。基準電圧生成部322,323は、内部にレジスタを有しており、CPU2とのシリアル通信307によってセットされる。内部レジスタは8ビットで構成されており、例えば、電源電圧5VからGND電位の0V間を、8ビットの分解能で基準電圧生成部322,323は、D/A変換し、VrefH309とVrefL310の電圧を決定するのである。324はローパスフィルタであり、DAC出力312を円滑化し、滑らかに電圧遷移させることで、更に、円滑な光量補正が可能となる。
次に、図12のフローチャートで、光量補正回路321のDAC305のリファレンス電圧309、310を決定するプロセスを説明する。
まず、基準電圧生成部323内のレジスタに00hをセットし、VrefL310を0Vとし(S21)、次いで、DAC305への入力値を00hとする(S22)。その状態で、レーザ駆動回路116のレーザドライバIC4は、レーザ光量の調整APCを行う(S23)。このAPCは、半導体レーザに内蔵されているフォトディテクタ7をモニタしながら、所望光量になるようにレーザ電流ILを決定する動作である。先に述べた通り、DAC305への入力値を00hとした場合は、VI変換回路306の出力電流Idは0mAであるので、APC実行時の設定電流Iaはレーザ電流ILと同じである。そして、このAPC光量(実施例1の図7のPapc)で発光しているときのフォトディテクタ7がセンスした電圧(フォトディテクタが発する電流を可変抵抗8で電圧化した電圧)を記憶する(S24)。次に、DAC305のFFh時に光量ダウンしたい量(図7では50%)から、フォトディテクタ7の電圧のターゲット値を決定し(S26)、DAC305の入力値にFFhをセット(S27)する。そして、基準電圧生成部322内のレジスタを00h(VrefHは0V)からFFh(VrefHは5V)に向かって増加させていく(S28)させていき、フォトディテクタ7がセンスした電圧と比較(S29)し、S26で決定した電圧値になったら、VrefHの増加を停止し、そのときのレジスタ値を記憶しVrefH309の電圧を決定する。
本実施例でも、半導体レーザ6の特性が図7のグラフ15であった場合は、ポイントAとポイントBの電流差ΔI(L)を8ビットの分解能で調整可能となり、半導体レーザ6の特性が図7のグラフ16であった場合は、ポイントCとポイントDの電流差ΔI(H)を8ビットの分解能で調整可能となるのは、実施例1と同様である。
本実施例では、DAC305と基準電圧生成部322,323は近傍に配置されるので、VrefH309とVrefL310は外部からのノイズの影響を受けにくく、安定したDAC305の出力が得られ、その結果、レーザ光量の安定化が図れる。
更に、光量補正回路321を1チップのICにすることで、一層、DAC出力やレーザ光量の安定化が図れる。
また、図10に示すように、制御基板1とレーザ駆動回路116間の信号線を減らすことが可能となり、CPU2のポート数やケーブル芯数を削減することも可能となる。
実施例3では、マルチビームレーザを使用した場合、例えば2ビームレーザを使用した場合の変形例を説明する。2ビームレーザを使用した場合は、各レーザの特性の違いにより、補正するプロファイルが異なる。そのため、光量補正回路には、2つの不揮発メモリが必要になる。
図13に、光量補正回路351の内部ブロック図を示す。基本的な構成は、実施例2と同様であり、それぞれのレーザビーム用回路が必要である。
図14は、図13の光量補正回路351により、画像中央部にかけてレーザ電流ILを減らすことを示したタイムチャートである。同図に示すとおり、BD信号308は、各ライン毎に2ヶのパルスとなり、1ヶ目が第一レーザ用、2ヶ目が第二レーザ用である。それぞれのBDに同期して不揮発メモリ304,334からドラム面光量のムラを補正するためのデータ320,350が読み出され、DAC305,335でアナログ電圧値312,342に変換され、後段のVI変換回路306,336で電流313、343に変換される。不揮発メモリ304,334は、それぞれのビームのドラム面光量のムラを補正するための情報が格納されているため、DAC出力電圧312,342は同図のように、形状や補正光量値が異なる。そのため、各ビームのレーザ駆動電流ILは、図14のように異なり、その結果、レーザ発光光量も異なるのである。この様に、レーザ発光光量を主走査方向に補正することで、各ビームとも、ドラム面光量は均一になるのである。
なお、本実施例では、各ビーム毎に補正データをもつメモリを用意し、光量補正を実施することで説明したが、各ビームのプロファイルの平均値を1つのメモリに記憶し、1つのメモリリード回路でメモリの内容を読出し、各ビームに対して光量補正を行ってもよい。1チップのパッケージ内にある各ビームの特性は大きく異ならないため、また、各ビームの位相差(発光点の距離)は数ドットと非常に近いため、この方式であって、十分に補正の効果がある。
以上説明したように、本実施例によれば、レーザ素子がマルチビームの画像形成装置において、各ビーム毎に、光量補正情報を記憶したメモリ手段と、読み出された補正情報によりレーザ駆動電流値を主走査方向内で可変する電流可変手段を備えているので、各ビーム毎に異なる補正が可能となる。
実施例1における光量補正のキャリブレーションのフィードバックループを示す回路ブロック図 実施例1の装置全体の構成図 実施例1における用紙搬送路を表す断面図 実施例1における副走査方向の画像信号送出タイミングを示すタイムチャート 実施例1における主走査方向の画像信号送出タイミングを示すタイムチャート 実施例1における光量補正回路のブロック図 半導体レーザの電流−光量特性を表すグラフ 実施例1における主走査方向の光量補正を表すタイムチャート 実施例1におけるキャリブレーションのフローチャート 実施例2における光量補正のキャリブレーションのフィードバックループを示す回路ブロック図 実施例2における光量補正回路のブロック図 実施例2おけるキャリブレーションのフローチャート 実施例3における光量補正回路のブロック図 実施例3における主走査方向の光量補正を表すタイムチャート 従来例におけるポリゴンミラーへの照射説明図 従来例におけるポリゴンミラーへの照射説明図 従来例における感光ドラム面上での照射光量ムラを説明する図 従来例における感光ドラム面上での照射光量ムラ補正を説明する図
符号の説明
2 CPU
301 光量補正回路
302 メモリリード回路
304 不揮発メモリ
305 DAコンバータ
306 VI変換回路
307 シリアル通信
308 BD信号
401 ポリゴンミラー

Claims (8)

  1. 半導体レーザ発光素子により発光されたレーザビームを入射光束幅より狭い面で反射する回転多面鏡により走査して像担持体上を露光し、該像担持体上に静電潜像を形成するレーザ露光手段と、
    前記レーザ露光手段により前記像担持体上に形成された静電潜像を現像手段により現像して得られたトナー画像を転写材に転写する画像形成手段とを備え
    前記狭い面への前記入射光束の入射角度により反射される光束幅が前記レーザビームの主走査方向における中央部において端部よりも増加する画像形成装置において、
    前記反射されるレーザビームの光量をレーザビーム走査の主走査方向の位置に応じて補正する為の補正情報であって、前記主走査方向における中央部において前記端部よりもレーザ駆動電流を減少させ前記反射されるレーザビームの光量を補正する為の予め定められた補正情報を記憶したメモリと、
    前記レーザビームの走査位置を表す同期信号に同期して前記メモリから読み出された前記予め定められた補正情報に基づきレーザ駆動電流を変化させる電流可変手段と、
    前記レーザビームの光量をモニタする光量モニタ手段と、
    前記減少の量を零に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第1の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第1レーザ駆動電流を設定するとともに、前記減少の量を最大に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第2の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第2レーザ駆動電流を設定する制御手段と、を備え、
    前記電流可変手段は、前記制御手段により設定された前記第1レーザ駆動電流と前記第2レーザ駆動電流との間で、前記補正情報に基づき、前記レーザ駆動電流を変化させることを特徴とする画像形成装置。
  2. 請求項1に記載の画像形成装置において、
    前記レーザ露光手段は第1半導体レーザ発光素子及び第2半導体レーザ発光素子を有するマルチビーム方式であり、前記メモリは、前記第1半導体レーザ発光素子及び前記第2半導体レーザ発光素子の夫々に対応した前記補正情報を第1補正情報と第2補正情報として記憶することを特徴とする画像形成装置。
  3. 前記電流可変手段により供給される電流と前記レーザ駆動電流との和が所定の電流となるように電流を供給する定電流供給手段を備えることを特徴とする請求項1または2記載の画像形成装置。
  4. 前記補正情報は、前記第1レーザ駆動電流の電流値と前記第2レーザ駆動電流の電流値の間の電流値を有するレーザ駆動電流を指示するための情報であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の画像形成装置。
  5. 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の画像形成装置おいて、
    前記メモリ及び前記電流可変手段を、前記レーザ露光手段に配置したことを特徴とする画像形成装置。
  6. 前記制御手段は、前記零の減少の量を設定する為の第1基準電圧及び前記最大の減少量を設定する為の第2基準電圧に基づき、前記第1レーザ駆動電流及び前記第2レーザ駆動電流を設定することを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。
  7. 前記第1基準電圧及び前記第2基準電圧を設定する設定手段を前記電流可変手段が備えることを特徴とする請求項6記載の画像形成装置。
  8. 半導体レーザ発光素子により発光されたレーザビームを入射光束幅より狭い面で反射する回転多面鏡により走査して像担持体上を露光し、該像担持体上に静電潜像を形成するレーザ露光手段と、
    前記レーザ露光手段により前記像担持体上に形成された静電潜像を現像手段により現像して得られたトナー画像を転写材に転写する画像形成手段とを備え、
    前記狭い面への前記入射光束の入射角度により反射される光束幅が前記レーザビームの主走査方向における中央部において端部よりも増加する画像形成装置において、
    前記反射されるレーザビームの光量をレーザビーム走査の主走査方向の位置に応じて補正する為の補正情報であって、前記主走査方向における中央部において前記端部よりもレーザ駆動電流を減少させ前記反射されるレーザビームの光量を補正する為の予め定められた補正情報を記憶したメモリと、
    前記レーザビームの走査位置を表す同期信号に同期して前記メモリから読み出された前記予め定められた補正情報に基づきレーザ駆動電流を変化させる電流可変手段と、
    前記レーザビームの光量をモニタする光量モニタ手段と、
    前記補正情報を変化させたときの前記レーザ駆動電流の変化度合いを調整すべく、前記減少の量を第1の減少量に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第1の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第1レーザ駆動電流を設定するとともに、前記減少の量を前記第1の減少量よりも減少の量が大きい第2の減少量に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第2の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第2レーザ駆動電流を設定する制御手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
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