JP4510645B2 - 画像形成装置 - Google Patents
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Description
前記レーザ露光手段により前記像担持体上に形成された静電潜像を現像手段により現像して得られたトナー画像を転写材に転写する画像形成手段とを備え、
前記狭い面への前記入射光束の入射角度により反射される光束幅が前記レーザビームの主走査方向における中央部において端部よりも増加する画像形成装置において、
前記反射されるレーザビームの光量をレーザビーム走査の主走査方向の位置に応じて補正する為の補正情報であって、前記主走査方向における中央部において前記端部よりもレーザ駆動電流を減少させ前記反射されるレーザビームの光量を補正する為の予め定められた補正情報を記憶したメモリと、
前記レーザビームの走査位置を表す同期信号に同期して前記メモリから読み出された前記予め定められた補正情報に基づきレーザ駆動電流を変化させる電流可変手段と、
前記レーザビームの光量をモニタする光量モニタ手段と、
前記減少の量を零に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第1の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第1レーザ駆動電流を設定するとともに、前記減少の量を最大に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第2の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第2レーザ駆動電流を設定する制御手段と、を備え、
前記電流可変手段は、前記制御手段により設定された前記第1レーザ駆動電流と前記第2レーザ駆動電流との間で、前記補正情報に基づき、前記レーザ駆動電流を変化させることを特徴とする画像形成装置。
(2)半導体レーザ発光素子により発光されたレーザビームを入射光束幅より狭い面で反射する回転多面鏡により走査して像担持体上を露光し、該像担持体上に静電潜像を形成するレーザ露光手段と、
前記レーザ露光手段により前記像担持体上に形成された静電潜像を現像手段により現像して得られたトナー画像を転写材に転写する画像形成手段とを備え、
前記狭い面への前記入射光束の入射角度により反射される光束幅が前記レーザビームの主走査方向における中央部において端部よりも増加する画像形成装置において、
前記反射されるレーザビームの光量をレーザビーム走査の主走査方向の位置に応じて補正する為の補正情報であって、前記主走査方向における中央部において前記端部よりもレーザ駆動電流を減少させ前記反射されるレーザビームの光量を補正する為の予め定められた補正情報を記憶したメモリと、
前記レーザビームの走査位置を表す同期信号に同期して前記メモリから読み出された前記予め定められた補正情報に基づきレーザ駆動電流を変化させる電流可変手段と、
前記レーザビームの光量をモニタする光量モニタ手段と、
前記補正情報を変化させたときの前記レーザ駆動電流の変化度合いを調整すべく、前記減少の量を第1の減少量に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第1の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第1レーザ駆動電流を設定するとともに、前記減少の量を前記第1の減少量よりも減少の量が大きい第2の減少量に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第2の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第2レーザ駆動電流を設定する制御手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
301 光量補正回路
302 メモリリード回路
304 不揮発メモリ
305 DAコンバータ
306 VI変換回路
307 シリアル通信
308 BD信号
401 ポリゴンミラー
Claims (8)
- 半導体レーザ発光素子により発光されたレーザビームを入射光束幅より狭い面で反射する回転多面鏡により走査して像担持体上を露光し、該像担持体上に静電潜像を形成するレーザ露光手段と、
前記レーザ露光手段により前記像担持体上に形成された静電潜像を現像手段により現像して得られたトナー画像を転写材に転写する画像形成手段とを備え、
前記狭い面への前記入射光束の入射角度により反射される光束幅が前記レーザビームの主走査方向における中央部において端部よりも増加する画像形成装置において、
前記反射されるレーザビームの光量をレーザビーム走査の主走査方向の位置に応じて補正する為の補正情報であって、前記主走査方向における中央部において前記端部よりもレーザ駆動電流を減少させ前記反射されるレーザビームの光量を補正する為の予め定められた補正情報を記憶したメモリと、
前記レーザビームの走査位置を表す同期信号に同期して前記メモリから読み出された前記予め定められた補正情報に基づきレーザ駆動電流を変化させる電流可変手段と、
前記レーザビームの光量をモニタする光量モニタ手段と、
前記減少の量を零に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第1の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第1レーザ駆動電流を設定するとともに、前記減少の量を最大に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第2の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第2レーザ駆動電流を設定する制御手段と、を備え、
前記電流可変手段は、前記制御手段により設定された前記第1レーザ駆動電流と前記第2レーザ駆動電流との間で、前記補正情報に基づき、前記レーザ駆動電流を変化させることを特徴とする画像形成装置。 - 請求項1に記載の画像形成装置において、
前記レーザ露光手段は第1半導体レーザ発光素子及び第2半導体レーザ発光素子を有するマルチビーム方式であり、前記メモリは、前記第1半導体レーザ発光素子及び前記第2半導体レーザ発光素子の夫々に対応した前記補正情報を第1補正情報と第2補正情報として記憶することを特徴とする画像形成装置。 - 前記電流可変手段により供給される電流と前記レーザ駆動電流との和が所定の電流となるように電流を供給する定電流供給手段を備えることを特徴とする請求項1または2記載の画像形成装置。
- 前記補正情報は、前記第1レーザ駆動電流の電流値と前記第2レーザ駆動電流の電流値の間の電流値を有するレーザ駆動電流を指示するための情報であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の画像形成装置。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の画像形成装置おいて、
前記メモリ及び前記電流可変手段を、前記レーザ露光手段に配置したことを特徴とする画像形成装置。 - 前記制御手段は、前記零の減少の量を設定する為の第1基準電圧及び前記最大の減少量を設定する為の第2基準電圧に基づき、前記第1レーザ駆動電流及び前記第2レーザ駆動電流を設定することを特徴とする請求項1記載の画像形成装置。
- 前記第1基準電圧及び前記第2基準電圧を設定する設定手段を前記電流可変手段が備えることを特徴とする請求項6記載の画像形成装置。
- 半導体レーザ発光素子により発光されたレーザビームを入射光束幅より狭い面で反射する回転多面鏡により走査して像担持体上を露光し、該像担持体上に静電潜像を形成するレーザ露光手段と、
前記レーザ露光手段により前記像担持体上に形成された静電潜像を現像手段により現像して得られたトナー画像を転写材に転写する画像形成手段とを備え、
前記狭い面への前記入射光束の入射角度により反射される光束幅が前記レーザビームの主走査方向における中央部において端部よりも増加する画像形成装置において、
前記反射されるレーザビームの光量をレーザビーム走査の主走査方向の位置に応じて補正する為の補正情報であって、前記主走査方向における中央部において前記端部よりもレーザ駆動電流を減少させ前記反射されるレーザビームの光量を補正する為の予め定められた補正情報を記憶したメモリと、
前記レーザビームの走査位置を表す同期信号に同期して前記メモリから読み出された前記予め定められた補正情報に基づきレーザ駆動電流を変化させる電流可変手段と、
前記レーザビームの光量をモニタする光量モニタ手段と、
前記補正情報を変化させたときの前記レーザ駆動電流の変化度合いを調整すべく、前記減少の量を第1の減少量に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第1の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第1レーザ駆動電流を設定するとともに、前記減少の量を前記第1の減少量よりも減少の量が大きい第2の減少量に設定し前記半導体レーザ発光素子を発光させたときの光量を前記光量モニタ手段によりモニタリングし、第2の所定光量となるように、前記半導体レーザを駆動する第2レーザ駆動電流を設定する制御手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
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