JP4527902B2 - 炭化水素化合物および有機電界発光素子 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機電界発光素子および該発光素子に好適に使用できる新規な炭化水素化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、無機電界発光素子は、例えば、バックライトなどのパネル型光源として使用されてきたが、該発光素子を駆動させるには、交流の高電圧が必要である。最近になり、発光材料に有機材料を用いた有機電界発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子：有機ＥＬ素子）が開発された[Appl.Phys.Lett.,51,913(1987)]。有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陽極と陰極間に挟持された構造を有し、該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活する際に放出される光を利用して発光する素子である。有機電界発光素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の直流の低電圧で、発光が可能であり、また蛍光性有機化合物の種類を選択することにより種々の色（例えば、赤色、青色、緑色）の発光が可能である。このような特徴を有する有機電界発光素子は、種々の発光素子、表示素子等への応用が期待されている。しかしながら、一般に、発光輝度が低く、実用上十分ではない。
【０００３】
発光輝度を向上させる方法として、発光層として、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムをホスト化合物、クマリン誘導体、ピラン誘導体をゲスト化合物（ドーパント）として用いた有機電界発光素子が提案されている[J.Appl.Phys.,65,3610(1989)]。また、発光層として、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウムをホスト化合物、アクリドン誘導体（例えば、Ｎ−メチル−２−メトキシアクリドン）をゲスト化合物として用いた有機電界発光素子が提案されている（特開平８−６７８７３号公報）。しかしながら、これらの発光素子も充分な発光輝度を有しているとは言い難い。現在では、一層高輝度に発光する有機電界発光素子が望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、発光効率に優れ、高輝度に発光する有機電界発光素子を提供することである。さらには、該発光素子に好適に使用できる新規な炭化水素化合物を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、有機電界発光素子に関して鋭意検討した結果、本発明を完成するに到った。
【０００６】
すなわち本発明は、
▲１▼一対の電極間に、ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を少なくとも一種含有する層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子、
▲２▼ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を含有する層が、さらに、発光性有機金属錯体を含有することを特徴とする前記▲１▼に記載の有機電界発光素子、
▲３▼ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を含有する層が、さらに、トリアリールアミン誘導体を含有することを特徴とする前記▲１▼記載の有機電界発光素子、
▲４▼ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を含有する層が、発光層である前記▲１▼〜▲３▼に記載の有機電界発光素子、
▲５▼一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送層を有する前記▲１▼〜▲４▼に記載の有機電界発光素子、
▲６▼一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する前記▲１▼〜▲５▼のいずれかに記載の有機電界発光素子、
▲７▼ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体が、一般式（１−Ａ）で表される化合物である前記▲１▼〜▲６▼のいずれかに記載の有機電界発光素子を提供するものである。
【０００７】
【化３】

【０００８】
（式中、Ｘ1〜Ｘ18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または未置換のアリール基を表す。）
さらに、本発明は、▲８▼一般式（１−Ａ）で表される化合物を提供する。
【０００９】
【化４】

（式中、Ｘ1〜Ｘ18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または未置換のアリール基を表す。）
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に関して、詳細に説明する。
【００１１】
本発明の有機電界発光素子は、一対の電極間に、ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を少なくとも一種含有する層を少なくとも一層挟持してなるものである。
【００１２】
本発明に係るベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体（以下、本発明に係る化合物Ａと略記する）とは、一般式（１）で表される骨格を有する化合物を表すものである。
【００１３】
【化５】

一般式（１）で表される骨格は、種々の置換基で置換されていてもよく、本発明に係る化合物Ａは、好ましくは、一般式（１−Ａ）で表される化合物である。
【００１４】
【化６】

（式中、Ｘ1〜Ｘ18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す。）
【００１５】
一般式（１−Ａ）で表される化合物において、Ｘ1〜Ｘ18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは、置換または未置換のアリール基を表す。
【００１６】
尚、本発明において、アリール基とは、例えば、フェニル基、ナフチル基などの炭素環式芳香族基、例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基などの複素環式芳香族基を表す。
【００１７】
一般式（１−Ａ）で表される化合物において、好ましくは、Ｘ1〜Ｘ18は水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルキル基、炭素数１〜２０の直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは炭素数４〜２０の置換または未置換のアリール基を表す。
【００１８】
一般式（１−Ａ）のＸ1〜Ｘ18のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などを挙げることができる。
【００１９】
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、tert−オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルペンチル基、ｎ−ノニル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、１−ヘキシルヘプチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−tert−ブチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基などの直鎖、分岐または環状のアルキル基などを挙げることができる。
【００２０】
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルブチルオキシ基、２−エチルブチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基などの直鎖、分岐または環状のアルコキシ基などを挙げることができる。
【００２１】
アリール基としては、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−tert−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−tert−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−ノニルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ウンデシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、５−インダニル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−６−ナフチル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロポキシフェニル基、４−イソプロポキシフェニル基、４−ｎ−ブトキシフェニル基、４−イソブトキシフェニル基、４−tert−ブトキシフェニル基、−４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−ノニルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ウンデシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、２，３−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、２−メトキシ−５−メチルフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、
【００２２】
２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、３−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェニル基、３−メトキシ−４−フルオロフェニル基、３−メトキシ−４−クロロフェニル基、３−フルオロ−４−メトキシフェニル基、４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−（４’−メチルフェニル）フェニル基、４−（４’−メトキシフェニル）フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−エトキシ−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、７−エトキシ−２−ナフチル基、２−フリル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基などの置換または未置換のアリール基を挙げることができる。
【００２３】
より好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、あるいは、炭素数６〜１２のアリール基であり、さらに好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、あるいは、炭素数６〜１０のアリール基である。
【００２４】
本発明の有機電界発光素子においては、ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を少なくとも一種使用することが特徴であり、例えば、ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を発光成分として発光層に用いると、従来にはない、高輝度で耐久性に優れた橙色〜赤色に発光する有機電界発光素子を提供することが可能となる。
【００２５】
また、他の発光成分と組み合わせて発光層を形成すると、高輝度で耐久性に優れた白色に発光する有機電界発光素子も提供することが可能となる。
【００２６】
本発明に係る化合物Ａの具体例として、以下のＡ−１〜Ａ−３５、Ｂ−１〜Ｂ−１０、Ｃ−１〜Ｃ−４９、Ｄ−１〜Ｄ−１５およびＥ−１〜Ｅ−３０の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２７】
【化７】

【００２８】
【化８】

【００２９】
【化９】

【００３０】
【化１０】

【００３１】
【化１１】

【００３２】
【化１２】

【００３３】
【化１３】

【００３４】
【化１４】

【００３５】
【化１５】

【００３６】
【化１６】

【００３７】
【化１７】

【００３８】
【化１８】

【００３９】
【化１９】

【００４０】
【化２０】

【００４１】
【化２１】

【００４２】
【化２２】

【００４３】
【化２３】

【００４４】
【化２４】

【００４５】
【化２５】

【化２６】

【化２７】

【化２８】

【化２９】

【化３０】

【化３１】

【化３２】

【化３３】

【化３４】

【化３５】

【化３６】

【化３７】

【化３８】

【化３９】

【化４０】

【化４１】

【化４２】

【化４３】

【００４６】
本発明に係る化合物Ａ、例えば、一般式（１−Ａ）で表される化合物は、例えば、以下の方法により製造することができる。すなわち、下記一般式（２）で表わされる３−（３’−フルオランテニル）ベンゾ[j]フルオランテン誘導体を酸化剤（例えば、塩化アルミニウム／塩化第二銅、塩化アルミニウム／塩化ナトリウム、三フッ化コバルト、トリフルオロ酢酸タリウム、四酢酸鉛、または塩化第二鉄）の存在下で反応させることにより製造することができる（例えば、J.Amer.Chem.Soc.,118,2374(1996)に記載の方法を参照）。
【００４７】
【化４４】

（式中、Ｘ1〜Ｘ18は、一般式（１−Ａ）の場合と同じ意味を表す。）
【００４８】
一般式（２）で表わされる化合物は、例えば、下記一般式（３）で表わされるホウ酸化合物と下記一般式（４）で表される３−ハロゲノフルオランテン誘導体とを、例えば、パラジウム化合物〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムクロライド〕および塩基（例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン）の存在下で反応させることにより製造することができる（例えば、Chem.Rev.,95,2457(1995)に記載の方法を参照）。
【００４９】
【化４５】

（式中、Ｘ1〜Ｘ18は、一般式（１−Ａ）の場合と同じ意味を表し、Ｚ1はハロゲン原子を表す。）
【００５０】
一般式（４）において、Ｚ1はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
一般式（４）で表される化合物は、其自体公知の方法により製造することができる。例えば、J.Am.Chem.Soc.,115,11542(1993) に記載の方法に従って製造することができる。
【００５１】
また、同様に一般式（２）で表わされる化合物は、例えば、下記一般式（５）で表わされるホウ酸化合物と下記一般式（６）で表わされる３−ハロゲノベンゾ[j]フルオランテン誘導体とを用いても製造することができる。
【００５２】
【化４６】

（式中、Ｘ1〜Ｘ18は、一般式（１−Ａ）の場合と同じ意味を表し、Ｚ2はハロゲン原子を表す。）
【００５３】
一般式（６）において、Ｚ2はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
一般式（６）で表される化合物は、其自体公知の方法により製造することができる。例えば、J.Org.Chem.,58,1415(1993)に記載の方法に従って製造することができる。
【００５４】
一般式（３）および一般式（５）で表される化合物は、例えば、一般式（６）および一般式（４）で表される化合物より、例えば、ｎ−ブチルリチウム、金属マグネシウムを作用させて調整できるリチオ化合物またはグリニヤール試薬と、例えば、トリメトキシホウ素、トリイソプロポキシホウ素などにより調整することができる（例えば、Chem.Rev.,95,2457(1995)に記載の方法を参照）。
【００５５】
また、一般式（１−Ａ）で表わされる化合物は、例えば、下記一般式（７）で表わされる４−（３’−フルオランテニル）ベンゾ[j]フルオランテン誘導体を酸化剤（例えば、塩化アルミニウム／塩化第二銅、塩化アルミニウム／塩化ナトリウム、三フッ化コバルト、トリフルオロ酢酸タリウム、四酢酸鉛、または塩化第二鉄）の存在下で反応させることにより製造することができる（例えば、J.Amer.Chem.Soc.,118,2374(1996)に記載の方法を参照）。
【００５６】
【化４７】

（式中、Ｘ1〜Ｘ18は、一般式（１−Ａ）の場合と同じ意味を表す。）
【００５７】
一般式（７）で表わされる化合物は、例えば、下記一般式（８）で表わされるホウ酸化合物と下記一般式（９）で表される３−ハロゲノフルオランテン誘導体とを、例えば、パラジウム化合物〔例えば、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムクロライド〕および塩基（例えば、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン）の存在下で反応させることにより製造することができる（例えば、Chem.Rev.,95,2457(1995)に記載の方法を参照）。
【００５８】
【化４８】

（式中、Ｘ1〜Ｘ18は、一般式（１−Ａ）の場合と同じ意味を表し、Ｚ3はハロゲン原子を表す。）
【００５９】
一般式（９）において、Ｚ3はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
【００６０】
また、同様に一般式（７）で表わされる化合物は、例えば、下記一般式（１０）で表わされるホウ酸化合物と下記一般式（１１）で表わされる４−ハロゲノベンゾ[j]フルオランテン誘導体とを用いても製造することができる。
【００６１】
【化４９】

（式中、Ｘ1〜Ｘ18は、一般式（１−Ａ）の場合と同じ意味を表し、Ｚ4はハロゲン原子を表す。）
【００６２】
一般式（１１）において、Ｚ4はハロゲン原子を表し、好ましくは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
【００６３】
一般式（８）および一般式（１０）で表される化合物は、例えば、一般式（１１）および一般式（９）で表される化合物より、例えば、ｎ−ブチルリチウム、金属マグネシウムを作用させて調整できるリチオ化合物またはグリニヤール試薬と、例えば、トリメトキシホウ素、トリイソプロポキシホウ素などにより調整することができる（例えば、Chem.Rev.,95,2457(1995)に記載の方法を参照）。
【００６４】
本発明に係る化合物Ａは、場合により使用した溶媒（例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒）との溶媒和を形成した形で製造されることがあるが、本発明においては、本発明に係る化合物Ａはこのような溶媒和物を包含するものである。勿論、溶媒を含有しない無溶媒和物をも包含するものである。
【００６５】
本発明の有機電界発光素子には、本発明に係る化合物Ａの無溶媒和物は勿論、このような溶媒和物をも使用することができる。
【００６６】
本発明に係る化合物Ａを有機電界発光素子に使用する場合、再結晶法、カラムクロマトグラフィー法、昇華精製法などの精製方法、あるいはこれらの方法を併用して、純度を高めた化合物を使用することは好ましいことである。
【００６７】
有機電界発光素子は、通常、一対の電極間に、少なくとも一種の発光成分を含有する発光層を、少なくとも一層挟持してなるものである。発光層に使用する化合物の正孔注入および正孔輸送、電子注入および電子輸送の各機能レベルを考慮し、所望に応じて、正孔注入輸送成分を含有する正孔注入輸送層および／または電子注入輸送成分を含有する電子注入輸送層を設けることもできる。
【００６８】
例えば、発光層に使用する化合物の正孔注入機能、正孔輸送機能および／または電子注入機能、電子輸送機能が良好な場合には、発光層が正孔注入輸送層および／または電子注入輸送層を兼ねた型の素子の構成とすることができる。勿論、場合によっては、正孔注入輸送層および電子注入輸送層の両方の層を設けない型の素子（一層型素子）の構成とすることもできる。
【００６９】
また、正孔注入輸送層、電子注入輸送層および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても、また、多層構造であってもよく、正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、それぞれの層において、注入機能を有する層と輸送機能を有する層を別々に設けて構成することもできる。
【００７０】
本発明の有機電界発光素子において、本発明に係る化合物Ａは、正孔注入輸送成分、発光成分または電子注入輸送成分に用いることが好ましく、正孔注入輸送成分または発光成分に用いることがより好ましく、発光成分に用いることが特に好ましい。
本発明の有機電界発光素子においては、本発明に係る化合物Ａは、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００７１】
本発明の有機電界発光素子の構成としては、特に限定するものではなく、例えば、（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図１）、（Ｂ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極型素子（図２）、（Ｃ）陽極／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図３）、（Ｄ）陽極／発光層／陰極型素子（図４）などを挙げることができる。さらには、発光層を電子注入輸送層で挟み込んだ型の素子である（Ｅ）陽極／正孔注入輸送層／電子注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子（図５）とすることもできる。（Ｄ）型の素子構成としては、発光成分を一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子を包含するものであるが、さらには、例えば、（Ｆ）正孔注入輸送成分、発光成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図６）、（Ｇ）正孔注入輸送成分および発光成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図７）、（Ｈ）発光成分および電子注入輸送成分を混合させた一層形態で一対の電極間に挟持させた型の素子（図８）がある。
【００７２】
本発明の有機電界発光素子においては、これらの素子構成に限るものではなく、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層を複数層設けたりすることができる。また、それぞれの型の素子において、正孔注入輸送層と発光層との間に、正孔注入輸送成分と発光成分の混合層および／または発光層と電子注入輸送層との間に、発光成分と電子注入輸送成分の混合層を設けることもできる。
【００７３】
より好ましい有機電界発光素子の構成は、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）型素子、（Ｅ）型素子、（Ｆ）型素子、（Ｇ）型素子または（Ｈ）型素子であり、さらに好ましくは、（Ａ）型素子、（Ｂ）型素子、（Ｃ）型素子、（Ｆ）型素子、または（Ｈ）型素子である。
【００７４】
本発明の有機電界発光素子について、図１に示す（Ａ）陽極／正孔注入輸送層／発光層／電子注入輸送層／陰極型素子を代表例として説明する。
【００７５】
図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入輸送層、４は発光層、５は電子注入輸送層、６は陰極、７は電源を示す。
【００７６】
本発明の電界発光素子は、基板１に支持されていることが好ましく、基板としては、特に限定するものではないが、透明ないし半透明であることが好ましく、例えば、ガラス板、透明プラスチックシート（例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリエチレンなどのシート）、半透明プラスチックシート、石英、透明セラミックスあるいはこれらを組み合わせた複合シートからなるものを挙げることができる。さらに、基板に、例えば、カラーフィルター膜、色変換膜、誘電体反射膜を組み合わせて、発光色をコントロールすることもできる。
【００７７】
陽極２としては、比較的仕事関数の大きい金属、合金または電気伝導性化合物を電極物質として使用することが好ましい。
【００７８】
陽極に使用する電極物質としては、例えば、金、白金、銀、銅、コバルト、ニッケル、パラジウム、バナジウム、タングステン、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）、ポリチオフェン、ポリピロールなどを挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００７９】
陽極は、これらの電極物質を用いて、例えば、蒸着法、スパッタリング法などの方法により、基板の上に形成することができる。
【００８０】
また、陽極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。
【００８１】
陽極のシート電気抵抗は、好ましくは、数百Ω／□以下、より好ましくは、５〜５０Ω／□程度に設定する。
【００８２】
陽極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよるが、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設定する。
【００８３】
正孔注入輸送層３は、陽極からの正孔（ホール）の注入を容易にする機能、および注入された正孔を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
【００８４】
正孔注入輸送層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または他の正孔注入輸送機能を有する化合物（例えば、フタロシアニン誘導体、トリアリールメタン誘導体、トリアリールアミン誘導体、オキサゾール誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体など）を少なくとも一種用いて形成することができる。
【００８５】
尚、正孔注入輸送機能を有する化合物は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００８６】
本発明において用いる他の正孔注入輸送機能を有する化合物としては、トリアリールアミン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール誘導体が好ましい。
【００８７】
トリアリールアミン誘導体の例としては、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（４”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メトキシフェニル）アミノ〕ビフェニル、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナフチル）アミノ〕ビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、１，１−ビス〔４’−［Ｎ，Ｎ−ジ（４”−メチルフェニル）アミノ］フェニル〕シクロヘキサン、９，１０−ビス〔Ｎ−（４’−メチルフェニル）−Ｎ−（４”−ｎ−ブチルフェニル）アミノ〕フェナントレン、３，８−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−６−フェニルフェナントリジン、４−メチル−Ｎ，Ｎ−ビス〔４”，４'''−ビス［Ｎ’，Ｎ''−ジ（４−メチルフェニル）アミノ］ビフェニル−４−イル〕アニリン、Ｎ，Ｎ'’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，３−ジアミノベンゼン、Ｎ，Ｎ’−ビス〔４−（ジフェニルアミノ）フェニル〕−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−ジアミノベンゼン、５，５”−ビス〔４−（ビス［４−メチルフェニル］アミノ）フェニル〕−２，２’：５’，２”−ターチオフェン、１，３，５−トリス（ジフェニルアミノ）ベンゼン、４，４’，４”−トリス（Ｎ−カルバゾリイル）トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス〔Ｎ−（３'''−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン、４，４’，４”−トリス〔Ｎ，Ｎ−ビス（４'''−tert−ブチルビフェニル−４""−イル）アミノ〕トリフェニルアミン、１，３，５−トリス〔Ｎ−（４’−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ベンゼンなどを挙げることができる。
【００８８】
本発明に係る化合物Ａと他の正孔注入輸送機能を有する化合物を併用する場合、正孔注入輸送層中に占める本発明に係る化合物Ａの割合は、好ましくは、０．１〜４０重量％程度に調製する。
【００８９】
発光層４は、正孔および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する化合物を含有する層である。
【００９０】
発光層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または他の発光機能を有する化合物、例えばアクリドン誘導体、キナクリドン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、多環芳香族化合物、トリアリールアミン誘導体、有機金属錯体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、オキサゾン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ピラジン誘導体、ケイ皮酸エステル誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリビフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリターフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリナフチレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などを少なくとも一種用いて形成することができる。
【００９１】
多環芳香族化合物の例としては、ルブレン、アントラセン、テトラセン、ピレン、ペリレン、クリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロヘキサジエン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、１，４−ビス（９’−エチニルアントラセニル）ベンゼン、４，４’−ビス（９”−エチニルアントラセニル）ビフェニルなどを挙げることができる。
【００９２】
トリアリールアミン誘導体の例としては、正孔注入輸送機能を有する化合物として前述した化合物を挙げることができる。
【００９３】
有機金属錯体としては、トリス（８−キノリラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ[h]キノリノラート）ベリリウム、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾールの亜鉛塩、２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの亜鉛塩、４−ヒドロキシアクリジンの亜鉛塩、３−ヒドロキシフラボンの亜鉛塩、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩などを挙げることができる。
【００９４】
スチルベン誘導体としては、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル、４，４’−ビス〔（１，１，２−トリフェニル）エテニル〕ビフェニルなどを挙げることができる。
【００９５】
クマリン誘導体としては、クマリン１、クマリン６、クマリン７、クマリン３０、クマリン１０６、クマリン１３８、クマリン１５１、クマリン１５２、クマリン１５３、クマリン３０７、クマリン３１１、クマリン３１４、クマリン３３４、クマリン３３８、クマリン３４３、クマリン５００などを挙げることができる。
【００９６】
ピラン誘導体の好ましい例は、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２などであり、オキサゾン誘導体の好ましい例は、ナイルレッドなどである。
【００９７】
本発明の有機電界発光素子においては、発光層に本発明に係る化合物Ａを含有していることが好ましい。
【００９８】
本発明に係る化合物Ａと他の発光機能を有する化合物を併用する場合、発光層中に占める本発明に係る化合物Ａの割合は、好ましくは、０．００１〜９９．９９９重量％程度、より好ましくは、０．０１〜９９．９９重量％程度、さらに好ましくは、０．１〜９９．９重量％程度に調製する。
【００９９】
本発明において用いる他の発光機能を有する化合物としては、発光性有機金属錯体が好ましい。例えば、J.Appl.Phys.,65,3610(1989)、特開平５−２１４３３２号公報に記載のように、発光層をホスト化合物とゲスト化合物（ドーパント）とより構成することもできる。
【０１００】
本発明に係る化合物Ａを、ホスト化合物として用いて発光層を形成することができ、さらには、ゲスト化合物として用いて発光層を形成することもできる。
【０１０１】
本発明に係る化合物Ａを、ゲスト化合物として用いて発光層を形成する場合、ホスト化合物としては、例えば、前記の他の発光機能を有する化合物を挙げることができ、例えば、発光性有機金属錯体または前記のトリアリールアミン誘導体はより好ましい。
【０１０２】
この場合、発光性有機金属錯体またはトリアリールアミン誘導体に対して、本発明に係る化合物Ａを、好ましくは、０．００１〜４０重量％程度、より好ましくは、０．０１〜３０重量％程度、特に好ましくは、０．１〜２０重量％程度使用する。
【０１０３】
本発明に係る化合物Ａと併用する発光性有機金属錯体としては、特に限定するものではないが、発光性有機アルミニウム錯体が好ましく、置換または未置換の８−キノリノラート配位子を有する発光性有機アルミニウム錯体がより好ましい。好ましい発光性有機金属錯体としては、例えば、一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される発光性有機アルミニウム錯体を挙げることができる。
【０１０４】
（Ｑ）3−Ａｌ （ａ）
（式中、Ｑは置換または未置換の８−キノリノラート配位子を表す）
（Ｑ）2−Ａｌ−Ｏ−Ｌ （ｂ）
（式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表し、Ｏ−Ｌはフェノラート配位子であり、Ｌはフェニル部分を含む炭素数６〜２４の炭化水素基を表す）
（Ｑ）2−Ａｌ−Ｏ−Ａｌ−（Ｑ）2 （ｃ）
（式中、Ｑは置換８−キノリノラート配位子を表す）
【０１０５】
発光性有機金属錯体の具体例としては、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（３，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，５−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４，６−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（フェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−メチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，３−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，４−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，６−ジフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，６−トリメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２，４，５，６−テトラメチルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（２−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（２−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジメチルフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）（３，５−ジ−tert−ブチルフェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）アルミニウムなどを挙げることができる。勿論、発光性有機金属錯体は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【０１０６】
電子注入輸送層５は、陰極からの電子の注入を容易にする機能、そして注入された電子を輸送する機能を有する化合物を含有する層である。
【０１０７】
電子注入輸送層は、本発明に係る化合物Ａおよび／または他の電子注入輸送機能を有する化合物、例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム、ビス（１０−ベンゾ[h]キノリノラート）ベリリウム、５−ヒドロキシフラボンのベリリウム塩、５−ヒドロキシフラボンのアルミニウム塩などの有機金属錯体； １，３−ビス［５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル］ベンゼンなどのオキサジアゾール誘導体；〔例えば、３−（４’−tert−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４”−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体；トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体などを少なくとも一種用いて形成することができる。
【０１０８】
本発明に係る化合物Ａと他の電子注入輸送機能を有する化合物を併用する場合、電子注入輸送層中に占める本発明に係る化合物Ａの割合は、好ましくは、０．１〜４０重量％程度に調製する。
【０１０９】
本発明において、本発明に係る化合物Ａと有機金属錯体（例えば、前記一般式（ａ）〜一般式（ｃ）で表される化合物）を併用して、電子注入輸送層を形成することは好ましい。
【０１１０】
陰極６としては、比較的仕事関数の小さい金属、合金または電気伝導性化合物を電極物質として使用することが好ましい。
【０１１１】
陰極に使用する電極物質としては、例えば、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、カルシウム、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、インジウム、ルテニウム、チタニウム、マンガン、イットリウム、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金、グラファイト薄膜などを挙げることができる。これらの電極物質は、単独で使用してもよく、あるいは、複数併用してもよい。
【０１１２】
陰極は、これらの電極物質を用いて、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオン化蒸着法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法などの方法により、電子注入輸送層の上に形成することができる。
【０１１３】
また、陰極は一層構造であってもよく、あるいは多層構造であってもよい。
【０１１４】
尚、陰極のシート電気抵抗は、数百Ω／□以下に設定することが好ましい。
【０１１５】
陰極の厚みは、使用する電極物質の材料にもよるが、一般に、５〜１０００ｎｍ程度、より好ましくは、１０〜５００ｎｍ程度に設定する。
【０１１６】
尚、有機電界発光素子の発光を効率よく取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極が、透明ないし半透明であることが好ましく、一般に、発光光の透過率が７０％以上となるように陽極の材料、厚みを設定することがより好ましい。
【０１１７】
また、本発明の有機電界発光素子においては、その少なくとも一層中に、一重項酸素クエンチャーが含有されていてもよい。一重項酸素クエンチャーとしては、特に限定するものではなく、例えば、ルブレン、ニッケル錯体、ジフェニルイソベンゾフランなどが挙げられ、特に好ましくは、ルブレンである。
【０１１８】
一重項酸素クエンチャーが含有されている層としては、特に限定するものではないが、好ましくは、発光層または正孔注入輸送層であり、より好ましくは、正孔注入輸送層である。尚、例えば、正孔注入輸送層に一重項クエンチャーを含有させる場合、正孔注入輸送層中に均一に含有させてもよく、正孔注入輸送層と隣接する層（例えば、発光層、発光機能を有する電子注入輸送層）の近傍に含有させてもよい。
【０１１９】
一重項酸素クエンチャーの含有量としては、含有される層（例えば、正孔注入輸送層）を構成する全体量の０．０１〜５０重量％、好ましくは、０．０５〜３０重量％、より好ましくは、０．１〜２０重量％である。
【０１２０】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の形成方法に関しては、特に限定するものではなく、例えば、真空蒸着法、イオン化蒸着法、溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、バーコート法、ロールコート法、ラングミュア・ブロゼット法、インクジェット法など）により薄膜を形成することにより作成することができる。
【０１２１】
真空蒸着法により、各層を形成する場合、真空蒸着の条件は、特に限定するものではないが、１０^-3Ｐａ程度の真空下で、５０〜６００℃程度のボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．００５〜５０ｎｍ／ｓｅｃ程度の蒸着速度で実施することが好ましい。
【０１２２】
この場合、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層などの各層は、真空下で、連続して形成することにより、諸特性に一層優れた有機電界発光素子を製造することができる。
【０１２３】
真空蒸着法により、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層などの各層を、複数の化合物を用いて形成する場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して、共蒸着することが好ましい。
【０１２４】
溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂を、溶媒に溶解、または分散させて塗布液とする。
【０１２５】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の各層に使用しうるバインダー樹脂としては、例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアリレート、ポリスチレン、ポリエステル、ポリシロキサン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリエーテルスルフォン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体などの高分子化合物が挙げられる。バインダー樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、複数併用してもよい。
【０１２６】
溶液塗布法により、各層を形成する場合、各層を形成する成分あるいはその成分とバインダー樹脂を、適当な有機溶媒および／または水に溶解、または分散させて塗布液とし、各種の塗布法により、薄膜を形成することができる。
【０１２７】
有機溶媒の例としては、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、１−メチルナフタレンなどの炭化水素系溶媒； アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒； ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒； 酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒； メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒； ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒； Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリドン、１−メチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルフォキサイドなどの極性溶媒）等が挙げられる。
【０１２８】
尚、分散する方法としては、特に限定するものではないが、例えば、ボールミル、サンドミル、ペイントシェーカー、アトライター、ホモジナイザーなどを用いて微粒子状に分散することができる。
【０１２９】
塗布液の濃度に関しては、特に限定するものではなく、実施する塗布法により、所望の厚みを作成するに適した濃度範囲に設定することができ、好ましくは０．１〜５０重量％程度、更に好ましくは１〜３０重量％程度の溶液濃度である。
【０１３０】
尚、バインダー樹脂を使用する場合、その使用量に関しては、特に制限するものではないが、一般には、各層を形成する成分に対して（一層型の素子を形成する場合には、各成分の総量に対して）、５〜９９．９重量％程度、好ましくは、１０〜９９．９重量％程度、より好ましくは１５〜９０重量％程度に設定する。
【０１３１】
正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の膜厚に関しては、特に限定するものではないが、一般に、５ｎｍ〜５μｍ程度に設定することが好ましい。
【０１３２】
尚、作製した素子に対し、酸素や水分との接触を防止する目的で、保護層（封止層）を設けたり、また、素子を、例えば、パラフィン、流動パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン油、ゼオライト含有フルオロカーボン油などの不活性物質中に封入して保護することができる。
【０１３３】
保護層に使用する材料としては、例えば、有機高分子材料、無機材料、さらには光硬化性樹脂などを挙げることができ、保護層に使用する材料は、単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。保護層は、一層構造であってもよく、また多層構造であってもよい。
【０１３４】
有機高分子材料の例としては、フッ素化樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、ポリスチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリパラキシレン、ポリエチレン、ポリフェニレンオキサイドなどを挙げることができる。
【０１３５】
無機材料としては、ダイヤモンド薄膜、アモルファスシリカ、電気絶縁性ガラス、金属酸化物、金属窒化物、金属炭素化物、金属硫化物などを挙げることができる。
【０１３６】
電極に保護層として、例えば、金属酸化膜（例えば、酸化アルミニウム膜）、金属フッ化膜を設けることもできる。
【０１３７】
また、例えば、陽極の表面に、例えば、有機リン化合物、ポリシラン、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体から成る界面層（中間層）を設けることもできる。
【０１３８】
さらに、電極、例えば、陽極はその表面を、例えば、酸、アンモニア／過酸化水素、あるいはプラズマで処理して使用することもできる。
【０１３９】
本発明の有機電界発光素子は、一般に、直流駆動型の素子として使用されるが、パルス駆動型または交流駆動型の素子としても使用することができる。印可電圧は、一般に、２〜３０Ｖ程度である。
【０１４０】
本発明の有機電界発光素子は、例えば、パネル型光源、各種の発光素子、各種の表示素子、各種の標識、各種のセンサーなどに使用することができる。
【０１４１】
【実施例】
以下に、製造例および実施例により、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの例により何ら限定されるものではない。
【０１４２】
（製造例１） 例示化合物Ａ−１の製造
ジオキサン２００ｇに臭素１９．１８ｇを１０℃にて１時間かけ滴下し、同温度で１時間攪拌し、ジオキサン−臭素錯体を調製した。フルオランテン２０．２３ｇ及びジオキサン１００ｇからなる混合物に１０℃にて、上記で調製したジオキサン−臭素錯体を４時間かけ滴下し、室温にて６時間攪拌した。１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液１００ｇを滴下し、水１Lへ排出し、析出物を濾取し、水で洗浄した。得られた固体をメタノールで再結晶し、３−ブロモフルオランテン２３．９２ｇを得た。
３−ブロモフルオランテン１４．０６ｇ及びテトラヒドロフラン３００ｇからなる混合物に１．６ｍｏｌ／ｌ ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液３７．５ｍｌを−７０℃にて滴下した。同温度にて１時間攪拌した後、ほう酸トリイソプロピル１１．２８ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｇからなる溶液を−７０℃にて滴下した。同温度にて２時間攪拌し、室温まで昇温し、室温にて２時間攪拌した。０．５Ｎ塩酸１Ｌへ排出し、トルエンで抽出した。有機層を水洗した後、溶媒を留去した後、残さをトルエンでスラッジを行い、３−フルオランテニルほう酸１０．８４ｇを得た。
【０１４３】
１−メトキシナフタレン１５．８２ｇ及びシクロヘキサン１００ｇからなる混合物に１．７ｍｏｌ／ｌ ｔｅｒｔ−ブチルリチウムペンタン溶液７６．５ｍｌを室温にて滴下した後、室温にて８時間攪拌した。ここにマグネシウム２．９２ｇ及び１，２−ジブロモエタン２４．４２ｇをジエチルエーテル６００ｍｌ中で作用させることにより調製した臭化マグネシウム溶液を滴下した。１−ブロモナフタレン２０．７１ｇ、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタンニッケル（II）クロリド１．５８ｇ及びテトラヒドロフラン５００ｇからなる混合物に、上記で調製したグリニャール試薬を−７０℃にて滴下し、同温度にて２時間攪拌し、室温まで昇温し、室温にて２時間攪拌した。水１Ｌへ排出し、トルエンで抽出した。有機層を水洗した後、溶媒を留去した後、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ジクロロメタン／ｎ−ヘキサン）で処理した。溶媒を減圧下留去した後、残さを酢酸エチルとｎ−ヘキサンの混合溶媒より再結晶し、８−メトキシ−１−（１−ナフチル）ナフタレン１７．１５ｇを得た。
８−メトキシ−１−（１−ナフチル）ナフタレン１４．２２ｇ及びジクロロメタン５００ｇからなる混合物に、１ｍｏｌ／ｌ 三臭化ほう素ジクロロメタン溶液２５０ｍｌを−７０℃にて滴下し、同温度にて１時間攪拌し、室温まで昇温し、室温にて２時間攪拌した。水５００ｇを装入し、有機層を水洗した後、溶媒を留去した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン）で処理した。溶媒を減圧下留去し、８−ヒドロキシ−１−（１−ナフチル）ナフタレン１２．４３ｇを得た。
８−ヒドロキシ−１−（１−ナフチル）ナフタレン１０．８１ｇ、２，６−ジメチルピリジン５．１９ｇ及びジクロロメタン１００ｇからなる混合物にトリフルオロメタンスルホン酸無水物１３．５４ｇ及びジクロロメタン５０ｇからなる溶液を−３０℃にて滴下し、同温度にて１時間攪拌し、０℃まで昇温し、０℃にて２時間攪拌した。水１５０ｇを装入し、室温まで昇温した。有機層を水洗した後、溶媒を留去した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン）で処理した。溶媒を減圧下留去し、トリフルオロメタンスルホン酸〔１−（１−ナフチル）−８−ナフチル〕エステル１２．５４ｇを得た。
【０１４４】
トリフルオロメタンスルホン酸〔１−（１−ナフチル）−８−ナフチル〕エステル１０．４５ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）２１．０６ｇ、塩化リチウム３８．１５ｇ、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−ウンデセン５４．８１ｇ及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５００ｇからなる混合物を１２０℃にて１０時間攪拌した。室温まで冷却し、水５００ｇを装入し、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗した後、溶媒を留去した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン）で処理した。溶媒を減圧下留去し、ベンゾ［ｊ］フルオランテン６．８６ｇを得た。
ジオキサン３０ｇに臭素３．８４ｇを１０℃にて１時間かけ滴下し、同温度で１時間攪拌し、ジオキサン−臭素錯体を調製した。ベンゾ［ｊ］フルオランテン５．０５ｇ及びジオキサン５０ｇからなる混合物に１０℃にて、上記で調製したジオキサン−臭素錯体を１時間かけ滴下し、室温にて６時間攪拌した。１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液５０ｇを滴下し、水５００ｇへ排出し、析出物を濾取し、水で洗浄した。得られた固体をメタノールで再結晶し、３−ブロモベンゾ［ｊ］フルオランテン５．９４ｇを得た。
３−ブロモベンゾ［ｊ］フルオランテン４．９７ｇ、３−フルオランテニルほう酸３．６９ｇ、炭酸ナトリウム３．１８ｇ及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム０．５２ｇをトルエン（１００ｍｌ）及び水（５０ｍｌ）中で５時間加熱還流した。反応混合物よりトルエンを留去した後、析出している固体を濾過した。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン）で処理した。トルエンを減圧下留去した後、残さをトルエンとアセトンの混合溶媒より再結晶し、３−（３’−フルオランテニル）ベンゾ［ｊ］フルオランテン５．４３ｇを得た。
【０１４５】
３−（３’−フルオランテニル）ベンゾ[j]フルオランテン４．５３ｇと三フッ化コバルト１１．５９ｇをトリフルオロ酢酸１００ｍｌ中、室温にて５時間撹拌した。水５００ｍｌを加えた後、析出している結晶を濾取し、水で洗浄した。
この結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン）で処理した。トルエンを減圧下留去した後、残渣をトルエンとアセトンの混合溶媒より再結晶し、前記で例示した化合物（以下例示化合物）Ａ−１の化合物を紫色の結晶として２．２４ｇ得た。
【０１４６】
質量分析：ｍ／ｚ＝４５０
元素分析：（Ｃ36Ｈ18として）

融点２５０℃以上
尚、この化合物は、５００℃、１０^-3Ｐａの条件下で昇華した。
吸収極大（トルエン中）５６６ｎｍ
【０１４７】
（製造例２〜５０）
製造例１において、３−（３’−フルオランテニル）ベンゾ[j]フルオランテンを使用する代わりに、種々の３−（３’−フルオランテニル）ベンゾ[j]フルオランテン誘導体を使用した以外は、製造例１に記載した方法に従い、種々のベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を製造した。
第１表には使用した３−（３’−フルオランテニル）ベンゾ[j]フルオランテン誘導体、および製造したベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を例示化合物番号で示した。また、トルエン中の吸収極大（ｎｍ）も併せて示した。
尚、製造された化合物は、紫色の結晶であり、それらの化合物の融点は、２５０℃以上であった。
【０１４８】
【表１】

【０１４９】
【表２】

【０１５０】
【表３】

【０１５１】
【表４】

【０１５２】
【表５】

【０１５３】
【表６】

【０１５４】
【表７】

【０１５５】
（実施例１）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウムとビスベンゾ[4,5]インデノペリレン（例示化合物番号Ａ−１の化合物）を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：０．５）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５６ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２４３０ｃｄ／ｍ²の赤橙色の発光が確認された。
【０１５６】
（実施例２〜５０）
実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物Ａ−１の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号Ａ−２の化合物（実施例２）、例示化合物番号Ａ−５の化合物（実施例３）、例示化合物番号Ａ−１０の化合物（実施例４）、例示化合物番号Ａ−１３の化合物（実施例５）、例示化合物番号Ａ−１５の化合物（実施例６）、例示化合物番号Ａ−１７の化合物（実施例７）、例示化合物番号Ａ−２０の化合物（実施例８）、例示化合物番号Ａ−２４の化合物（実施例９）、例示化合物番号Ａ−２９の化合物（実施例１０）、例示化合物番号Ａ−３４の化合物（実施例１１）、 例示化合物番号Ｂ−１の化合物（実施例１２）、例示化合物番号Ｂ−４の化合物（実施例１３）、例示化合物番号Ｂ−８の化合物（実施例１４）、例示化合物番号Ｃ−３の化合物（実施例１５）、例示化合物番号Ｃ−７の化合物（実施例１６）、例示化合物番号Ｃ−９の化合物（実施例１７）、例示化合物番号Ｃ−１３の化合物（実施例１８）、例示化合物番号Ｃ−１７の化合物（実施例１９）、例示化合物番号Ｃ−１８の化合物（実施例２０）、例示化合物番号Ｃ−２３の化合物（実施例２１）、例示化合物番号Ｃ−２５の化合物（実施例２２）、例示化合物番号Ｃ−２７の化合物（実施例２３）、例示化合物番号Ｃ−３０の化合物（実施例２４）、例示化合物番号Ｃ−３３の化合物（実施例２５）、例示化合物番号Ｃ−３７の化合物（実施例２６）、例示化合物番号Ｃ−３８の化合物（実施例２７）、例示化合物番号Ｃ−４３の化合物（実施例２８）、例示化合物番号Ｃ−４４の化合物（実施例２９）、例示化合物番号Ｄ−１の化合物（実施例３０）、例示化合物番号Ｄ−６の化合物（実施例３１）、例示化合物番号Ｄ−８の化合物（実施例３２）、例示化合物番号Ｄ−９の化合物（実施例３３）、例示化合物番号Ｄ−１０の化合物（実施例３４）、例示化合物番号Ｄ−１４の化合物（実施例３５）、例示化合物番号Ｅ−１の化合物（実施例３６）、例示化合物番号Ｅ−４の化合物（実施例３７）、例示化合物番号Ｅ−５の化合物（実施例３８）、例示化合物番号Ｅ−７の化合物（実施例３９）、例示化合物番号Ｅ−８の化合物（実施例４０）、例示化合物番号Ｅ−１０の化合物（実施例４１）、例示化合物番号Ｅ−１１の化合物（実施例４２）、例示化合物番号Ｅ−１４の化合物（実施例４３）、例示化合物番号Ｅ−１７の化合物（実施例４４）、例示化合物番号Ｅ−１８の化合物（実施例４５）、例示化合物番号Ｅ−２０の化合物（実施例４６）、例示化合物番号Ｅ−２２の化合物（実施例４７）、例示化合物番号Ｅ−２３の化合物（実施例４８）、例示化合物番号Ｅ−２７の化合物（実施例４９）、例示化合物番号Ｅ−２８の化合物（実施例５０）を使用した以外は、実施例１に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、橙赤〜赤色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第２表に示した。
【０１５７】
（比較例１）
実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物番号Ａ−１の化合物を使用せずに、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウムだけを用いて、５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした以外は、実施例１に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。この素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第２表に示した。
【０１５８】
（比較例２）
実施例１において、発光層の形成に際して、例示化合物番号Ａ−１の化合物を使用する代わりに、Ｎ−メチル−２−メトキシアクリドンを使用した以外は、実施例１に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。この素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、青色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第２表に示した。
【０１５９】
【表８】

【０１６０】
【表９】

【０１６１】
【表１０】

【０１６２】
(実施例５１)
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ａ−５の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３８０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１６３】
（実施例５２）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ａ−１３の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５５ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３７０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１６４】
（実施例５３）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ａ−１７の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３８０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１６５】
（実施例５４）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ａ−２４の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：６．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３５０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１６６】
（実施例５５）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ａ−２９の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２４８０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１６７】
（実施例５６）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｂ−４の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５５ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２４４０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１６８】
（実施例５７）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−３の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５４ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３４０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１６９】
（実施例５８）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−９の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２４３０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７０】
（実施例５９）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−１７の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５４ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２４１０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７１】
（実施例６０）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−２３の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：６．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５５ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３８０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７２】
（実施例６１）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−２７の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５４ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３８０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７３】
（実施例６２）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−３３の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、電子注入輸送層を兼ねた発光層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５２ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３２０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７４】
（実施例６３）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（４−フェニルフェノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−３８の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３７０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７５】
（実施例６４）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｃ−４４の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：２．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３４０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７６】
（実施例６５）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｄ−１の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：４．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５４ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３３０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７７】
（実施例６６）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｄ−６の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：６．０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５５ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２４５０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７８】
（実施例６７）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムと例示化合物番号Ｄ−８の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：１０）し、発光層とした。
次に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、５３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２３６０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１７９】
（実施例６８）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニルを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、正孔注入輸送層とした。
次いで、その上に、例示化合物番号Ａ−２の化合物を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした。
次いで、その上に、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１４Ｖの直流電圧を印加したところ、４１ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度１８８０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１８０】
（実施例６９）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、例示化合物番号Ｃ−３の化合物を蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５５ｎｍの厚さに蒸着し、発光層とした。
次いで、その上に、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで７５ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１４Ｖの直流電圧を印加したところ、６１ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度１６３０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１８１】
（実施例７０）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した後、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
まず、ＩＴＯ透明電極上に、４，４’，４”−トリス〔Ｎ−（3'''−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミンを蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで、５０ｎｍの厚さに蒸着し、第一正孔注入輸送層とした。
次いで、４，４’，−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（１”−ナフチル）アミノ〕ビフェニルと例示化合物番号Ａ−１の化合物を、異なる蒸着源から、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２０ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１００：５）し、第二正孔注入輸送層を兼ねた発光層とした。
次いで、その上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで５０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。尚、蒸着は、蒸着槽の減圧状態を保ったまま実施した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６０ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度２５６０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１８２】
（実施例７１〜９２）
実施例７０において、発光層の形成に際して、例示化合物Ａ−１の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号Ａ−２の化合物（実施例７１）、例示化合物番号Ａ−１０の化合物（実施例７２）、例示化合物番号Ａ−１５の化合物（実施例７３）、例示化合物番号Ａ−２０の化合物（実施例７４）、例示化合物番号Ａ−２９の化合物（実施例７５）、例示化合物番号Ｂ−１の化合物（実施例７６）、例示化合物番号Ｂ−８の化合物（実施例７７）、例示化合物番号Ｃ−７の化合物（実施例７８）、例示化合物番号Ｃ−１３の化合物（実施例７９）、例示化合物番号Ｃ−１８の化合物（実施例８０）、例示化合物番号Ｃ−２５の化合物（実施例８１）、例示化合物番号Ｃ−３０の化合物（実施例８２）、例示化合物番号Ｃ−３７の化合物（実施例８３）、例示化合物番号Ｃ−４３の化合物（実施例８４）、例示化合物番号Ｄ−１の化合物（実施例８５）、例示化合物番号Ｄ−８の化合物（実施例８６）、例示化合物番号Ｄ−１０の化合物（実施例８７）、例示化合物番号Ｅ−１の化合物（実施例８８）、例示化合物番号Ｅ−５の化合物（実施例８９）、例示化合物番号Ｅ−８の化合物（実施例９０）、例示化合物番号Ｅ−１１の化合物（実施例９１）、例示化合物番号Ｅ−１７の化合物（実施例９２）を使用した以外は、実施例７０に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、橙赤〜赤色の発光が確認された。さらにその特性を調べ、結果を第３表に示した。
【０１８３】
【表１１】

【０１８４】
（実施例９３）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。
次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１５００００）、１，１，４，４，−テトラフェニル１，３−ブタジエン（青色の発光成分）、クマリン６〔”３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン”（緑色の発光成分）〕、および例示化合物番号Ａ−１３の化合物を、それぞれ重量比１００：５：３：２の割合で含有する３重量％のジクロロエタン溶液を用いて、ディップコート法により、４００ｎｍの発光層を形成した。
次に、この発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。さらに、発光層の上に、３−（４’−tert−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４”−ビフェニル）１，２，４−トリアゾールを蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２０ｎｍの厚さに蒸着した後、さらにその上に、トリス（８−キノリノラート）アルミニウムを、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで３０ｎｍの厚さに蒸着し、電子注入輸送層とした。
さらにその上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、６３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度１３１０ｃｄ／ｍ²の白色の発光が確認された。
【０１８５】
（実施例９４〜１０２）
実施例９３において、例示化合物番号Ａ−１３の化合物を用いる代わりに、例示化合物番号Ａ−２４の化合物（実施例９４）、例示化合物番号Ａ−２９の化合物（実施例９５）、例示化合物番号Ｂ−８の化合物（実施例９６）、例示化合物番号Ｃ−１３の化合物（実施例９７）、例示化合物番号Ｃ−２５の化合物（実施例９８）、例示化合物番号Ｃ−３７の化合物（実施例９９）、例示化合物番号Ｅ−１７の化合物（実施例１００）、例示化合物番号Ｅ−２０の化合物（実施例１０１）、例示化合物番号Ｅ−２７の化合物（実施例１０２）を使用した以外は、実施例９３に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。それぞれの素子に、乾燥雰囲気下、１２Ｖの直流電圧を印加したところ、白色の発光が観察された。さらにその特性を調べ、結果を第４表に示した。
【０１８６】
【表１２】

【０１８７】
（実施例１０３）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。
次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（重量平均分子量１５００００）、１，３−ビス〔５’−（ｐ−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２’−イル〕ベンゼンおよび例示化合物番号Ｃ−２３の化合物を、それぞれ重量比１００：３０：３の割合で含有する３重量％のジクロロエタン溶液を用いて、ディップコート法により、３００ｎｍの発光層を形成した。
次に、この発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。
さらに、発光層の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６４ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度１４４０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１８８】
（比較例３）
実施例１０３において、発光層の形成に際して、例示化合物番号Ｃ−２３の化合物の代わりに、１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエンを使用した以外は、実施例１０３に記載の方法により有機電界発光素子を作製した。作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、８６ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度７６０ｃｄ／ｍ²の青色の発光が確認された。
【０１８９】
（実施例１０４）
厚さ２００ｎｍのＩＴＯ透明電極（陽極）を有するガラス基板を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄した。その基板を窒素ガスを用いて乾燥し、さらにＵＶ／オゾン洗浄した。
次に、ＩＴＯ透明電極上に、ポリカーボネート（重量平均分子量５００００）、４，４’−ビス〔Ｎ−フェニル−Ｎ−（３”−メチルフェニル）アミノ〕ビフェニル、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム−μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニウムおよび例示化合物番号Ｃ−２５の化合物を、それぞれ重量比１００：４０：６０：１の割合で含有する３重量％のジクロロエタン溶液を用いて、ディップコート法により、３００ｎｍの発光層を形成した。
次に、この発光層を有するガラス基板を、蒸着装置の基板ホルダーに固定した後、蒸着槽を４×１０^-3Ｐａに減圧した。さらに、発光層の上に、マグネシウムと銀を、蒸着速度０．２ｎｍ／ｓｅｃで２００ｎｍの厚さに共蒸着（重量比１０：１）して陰極とし、有機電界発光素子を作製した。
作製した有機電界発光素子に、乾燥雰囲気下、１５Ｖの直流電圧を印加したところ、６３ｍＡ／ｃｍ²の電流が流れた。輝度９９０ｃｄ／ｍ²の赤色の発光が確認された。
【０１９０】
【発明の効果】
本発明により、発光輝度が優れた有機電界発光素子を提供することが可能になった。さらに、該発光素子に適した炭化水素化合物を提供することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図２】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図３】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図４】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図５】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図６】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図７】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【図８】有機電界発光素子の一例の概略構造図である。
【符号の説明】
１ ：基板
２ ：陽極
３ ：正孔注入輸送層
４ ：発光層
４’ ：発光層（発光成分および正孔注入輸送成分を混合した層）
４'' ：発光層（発光成分および電子注入輸送成分を混合した層）
４''' ：発光層（発光成分、正孔注入輸送成分および電子注入輸送成分を混合した層）
５ ：電子注入輸送層
６ ：陰極
７ ：電源

Claims (8)

1. 一対の電極間に、ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を少なくとも一種含有する層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子。
2. ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を含有する層が、さらに、発光性有機金属錯体を含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
3. ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を含有する層が、さらに、トリアリールアミン誘導体を含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
4. ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体を含有する層が、発光層である請求項１〜３に記載の有機電界発光素子。
5. 一対の電極間に、さらに、正孔注入輸送層を有する請求項１〜４に記載の有機電界発光素子。
6. 一対の電極間に、さらに、電子注入輸送層を有する請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界発光素子。
7. ベンゾ[4,5]インデノ[1,2,3-cd]インデノ[1,2,3-lm]ペリレン誘導体が、一般式（１−Ａ）で表される化合物である請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界発光素子。
   

   

   （式中、Ｘ1〜Ｘ18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す。）
8. 一般式（１−Ａ）で表される化合物。
   

   

   （式中、Ｘ1〜Ｘ18はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、直鎖、分岐または環状のアルキル基、直鎖、分岐または環状のアルコキシ基、あるいは置換または未置換のアリール基を表す。）

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