JP4528748B2 - 駆動回路 - Google Patents
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Description
アクティブマトリクス型液晶表示装置では、液晶セルを含む画素がマトリクス状に配列される。各画素は、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)と、液晶セルに並列に接続される保持容量とを含む。保持容量は、TFTのドレインと所定の共通電位間に設けられ、TFTのソースは、対応するデータ線に接続される。
一方、配線抵抗を低下させるために、駆動回路を形成するためのチップサイズの大型化を行うことはコストの観点から好ましくない。
制御部は、データ書き込み期間では、第1期間において、目標階調電位に設定される第1ノードと、その第1ノードに隣接する第2ノードとを短絡させるとともに、第1ノードと出力端子との間の第1配線に対して、第2ノードと出力端子との間の第2配線が並列接続されるようにし、第1期間に続く第2期間において、第1ノードと第2ノードとの間の短絡を解除するとともに、第1配線に対して第2配線が並列接続されないように制御する。
一方、第2ノードが目標階調電位(第1ノード)よりも高電位に設定されている場合には、第1期間において過渡的に第2ノードの電位に向けて出力端子の電位が変化するため、第2期間の開始時点では、出力端子の電位が目標階調電位に近い値となる。
(液晶表示装置の全体構成)
先ず、図1を参照して、本発明の一実施形態に係る駆動回路が適用される液晶表示装置の全体構成について説明する。図1は、液晶表示装置の構成を示すブロック図である。
なお、本実施形態では、128階調(7ビット)の表示データを処理する液晶表示装置を一例として説明するが、階調数が異なる表示データ(7ビット以外のデータ)に対しても容易に拡張可能である。
各画素は、薄膜トランジスタ(TFT)と、液晶セルに並列に接続される保持容量Csとを含む。保持容量Csは、TFTのドレインと所定の共通電位間に設けられ、フレーム期間の間、蓄積された電荷を保持する。また、TFTのソースは、対応するデータ線に接続される。
ソースドライバ15の構成および制御部60の制御内容については、以下、順を追って説明する。
次に、図1および図2を参照してソースドライバ15の具体的な回路構成例について説明する。図2は、ソースドライバ15の一部の回路構成を例示した図である。なお、図2では、ソースドライバ15の出力端子(OUT_1,OUT_2,…,OUT_N)の記載を省略してある。
図1に示すように、ソースドライバ15は、階調設定部20と、電位選択部としてのDA変換部(DAC)30と、データラッチ部40とを有する。
データラッチ部40は、制御部60からのストローブ信号(図示しない)に同期して、制御部60から表示データを読み込んでラッチし、各データ線に対応させて7ビットの表示データをDA変換部30へ出力する。
階調設定部20は、所定の基準電位に基づいて階調電位V1〜V128を生成する。DA変換部30は、階調電位V1〜V128の中から7ビットの表示データ(デジタルデータ)に応じた階調電位(アナログデータ)を選択して、その選択した階調電位をデータ線に送出する。
抵抗R1〜R129は、階調電位を生成するための抵抗であって、基準電位Vrefと接地電位との間に直列に設けられる。これにより、各抵抗間のノード、すなわち、抵抗R1と抵抗R2間のノードN1、抵抗R2と抵抗R3間のノードN2、…、抵抗R128と抵抗R129間のノードN128には、それぞれ階調電位V1,V2,…,V128(V1>V2>…>V128)が与えられる。なお、階調設定部20においてガンマ補正を行うためには、たとえば抵抗R1および抵抗R129を可変抵抗とし、制御部60からの制御信号に基づいて抵抗R1および/または抵抗R129の抵抗値を変更するようにすればよい。
各DA変換器は、オペアンプOP1〜OP128の出力端子に設けられる配線L1〜L128と、対応するデータ線との間で構成されており、各DA変換器の構成はすべて同一であるため、以下ではDA変換器30_1の構成についてのみ説明する。
たとえば、図2に示すように、スイッチ素子群32_7は、一対のスイッチ素子SW1(図2における左側のスイッチ素子)およびSW2(図2における右側のスイッチ素子)を1組有しており、表示データのMSB(Most Significant Bit)のレベルが「0」のときには、スイッチ素子SW1が短絡し、かつ、スイッチ素子SW2が開放し、そのレベルが「1」のときには、スイッチ素子SW1が開放し、かつ、スイッチ素子SW2が短絡する。
スイッチ素子群32_5(図示せず)は、一対のスイッチ素子(SW1,SW2)を4組有しており、7ビットの表示データのうちMSBから3番目のレベルが「0」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が短絡し、かつ、スイッチ素子SW2が開放し、そのレベルが「1」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が開放し、かつ、スイッチ素子SW2が短絡する。
スイッチ素子群32_4(図示せず)は、一対のスイッチ素子(SW1,SW2)を8組有しており、7ビットの表示データのうちMSBから4番目のレベルが「0」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が短絡し、かつ、スイッチ素子SW2が開放し、そのレベルが「1」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が開放し、かつ、スイッチ素子SW2が短絡する。
スイッチ素子群32_3は、一対のスイッチ素子(SW1,SW2)を16組有しており、7ビットの表示データのうちMSBから5番目のレベルが「0」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が短絡し、かつ、スイッチ素子SW2が開放し、そのレベルが「1」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が開放し、かつ、スイッチ素子SW2が短絡する。
スイッチ素子群32_2は、一対のスイッチ素子(SW1,SW2)を32組有しており、7ビットの表示データのうちMSBから6番目のレベルが「0」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が短絡し、かつ、スイッチ素子SW2が開放し、そのレベルが「1」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が開放し、かつ、スイッチ素子SW2が短絡する。
スイッチ素子群32_1は、一対のスイッチ素子(SW1,SW2)を64組有しており、7ビットの表示データのうちLSB(Least Significant Bit)のレベルが「0」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が短絡し、かつ、スイッチ素子SW2が開放し、そのレベルが「1」のときには、すべての組について、スイッチ素子SW1が開放し、かつ、スイッチ素子SW2が短絡する。
次に、制御部60によるソースドライバ15に対する制御内容について説明する。
さらに、制御部60は、第1期間において、スイッチ制御信号SC2により、表示データに対応する目標階調電位のノードと、その表示データに対して下位1ビット(LSB)のみが異なるデータに対応する階調電位のノードとが接続されるように、スイッチ素子群22内のスイッチ素子を短絡させる(閉状態にする)。たとえば、表示データに応じた目標階調電位がV3である場合には、ノードN3に接続されているスイッチ素子22_3を短絡させるので、ノードN3とノードN4とが同電位となる。
制御部60は、内部のイネーブル信号ENのレベル変化によって、データ書き込み期間における第1期間から第2期間への切換を決定する。すなわち、イネーブル信号ENがハイレベル(Hレベル)である第1期間では、上述した短絡制御モードを行い、イネーブル信号ENがハイレベルからローレベル(Lレベル)に変化した時点以降の第2期間では、上述した短絡制御モードを行わないようにする。
次に、図3〜図5を参照して、実施形態に係る駆動回路の動作を説明する。図3は、階調電位V2を画素10_1に供給するときの等価回路を示す図である。図4は、階調電位V2を画素10_1に供給するときの動作を示すタイミングチャートである。図5は、階調電位V3を画素10_1に供給するときの等価回路を示す図である。
したがって、第1期間では、目標階調電位V2よりも高い階調電位V1(ノードN1の電位)がデータ線DL_1に接続される。
さらに、第1期間において、ノードN1からスイッチ素子群32までの配線では、配線L1,ノードN10,配線L10からなる配線経路と、配線L2,ノードN20,配線L20からなる配線経路とが並列に構成されることになる。これにより、階調電位をデータ線DL_1に送出するときの寄生抵抗pRは、上記短絡制御モードを行わない場合と比較して、およそ1/2に低下する。
したがって、第2期間では、ノードN2からスイッチ素子群32までの配線は、第1期間における並列構成から、配線L2,ノードN20,配線L20からなる単一の配線経路の構成となる。
なお、図4(b)では、画素電位が0Vを起点として変化している。図4(b)は、本実施形態による画素電位の過渡応答が理解しやすいように便宜的に0Vを起点としているが、実際の液晶表示装置では、画素に供給する電位を、共通電位に対して1F期間(1フレーム期間)等で反転させる交流駆動が行われるため、連続的な表示動作における書き込み期間開始時の画素電位は刻々と変化しているのが通常である。
目標階調電位として階調電位V3を画素10_1に供給するときには、制御部60からソースドライバ15に対して、表示データとして7ビットデータ「0000010」が送出される。この表示データを受けると、ソースドライバ15のスイッチ素子群32では、スイッチ素子群32_1および32_3〜32_7における一対のスイッチ素子(SW1,SW2)のすべてにおいて、スイッチ素子SW1が短絡し、かつ、スイッチ素子SW2が開放するとともに、スイッチ素子群32_2における一対のスイッチ素子(SW1,SW2)では、スイッチ素子SW1が開放し、かつ、スイッチ素子SW2が短絡する。
したがって、第1期間では、ノードN4における階調電位V4は階調電位V3よりも低いので、目標階調電位V3がデータ線DL_1に接続される。
さらに、第1期間において、ノードN3からスイッチ素子群32までの配線では、配線L3,ノードN30,配線L30からなる配線経路と、配線L4,ノードN40,配線L40からなる配線経路とが並列に構成されることになる。これにより、階調電位をデータ線DL_1に送出するときの寄生抵抗pRは、上記短絡制御モードを行わない場合と比較して、およそ1/2に低下する。
したがって、第2期間では、ノードN2からスイッチ素子群32までの配線は、第1期間における並列構成から、配線L3,ノードN30,配線L30からなる単一の配線経路の構成となる。
したがって、書き込み対象の画素の電位が、第1期間において短期間に目標階調電位に近い電位レベルに到達するため、全体としてデータ書き込み期間を短縮させることができる。そのため、LCDパネルが大型化し、駆動回路内の配線抵抗が増加した場合でも、データ書き込み期間を短縮させることができる。
次に、本発明の駆動回路の第2の実施形態について説明する。本実施形態に係る駆動回路は、ソースドライバの階調設定部におけるスイッチ素子群の構成と、制御部の制御内容とが、第1の実施形態のものと異なる。
図6は、本実施形態におけるソースドライバの構成を示す回路図であるが、図2に示したものと同一の部位については、同一の符号を付して重複説明を行わない。
次に、図6を参照して、本実施形態におけるソースドライバ17の具体的な回路構成例について説明する。
ソースドライバ17は、前述したソースドライバ15(図2参照)と異なり、スイッチ素子群24を含む階調設定部22を有する。
スイッチ素子群24は、図6に示すように、ノードN1とノードN2間に設けられるスイッチ素子24_1、ノードN2とノードN3間に設けられるスイッチ素子24_2、ノードN3とノードN4間に設けられるスイッチ素子24_3、…、ノードN127とノードN128間に設けられるスイッチ素子22_127を含む。すなわち、隣接するノード間のすべてに対してスイッチ素子が設けられる。
スイッチ素子群24の各スイッチ素子は、本実施形態における制御部62からのスイッチ制御信号SC2によって開閉が制御される。
次に、本実施形態の制御部62(図示せず)によるソースドライバ17に対する制御内容について説明する。
さらに、制御部62は、第1期間において、スイッチ制御信号SC2により、表示データに対応する目標階調電位のノードと、その表示データに対して下位2ビットのみが異なるすべてのデータに対応する階調電位のノードとが接続されるように、スイッチ素子群24内のスイッチ素子を短絡させる。たとえば、表示データに応じた目標階調電位がV3である場合には、目標階調電位V3に対応するノードN3と、その表示データに対して下位2ビットのみが異なるすべてのデータに対応する階調電位のノードN1,N2,N4とがすべて接続されるように、スイッチ素子群24内のスイッチ素子24_1,24_2,24_3をすべて短絡させる。これにより、ノードN1〜N4がすべて同電位となる。
制御部62は、内部のイネーブル信号ENのレベル変化によって、データ書き込み期間における第1期間から第2期間への切換を決定する。すなわち、イネーブル信号ENがハイレベル(Hレベル)である第1期間では、上述した短絡制御モードを行い、イネーブル信号ENがハイレベルからローレベル(Lレベル)に変化した時点以降の第2期間では、上述した短絡制御モードを行わないようにする。
次に、図7を参照して、本実施形態に係る駆動回路の動作を説明する。図7は、階調電位V3を画素10_1に供給するときの等価回路を示す図である。
したがって、第1期間では、目標階調電位V3よりも高い階調電位V1(ノードN1の電位)がデータ線DL_1に接続される。
さらに、第1期間において、ノードN1からスイッチ素子群32までの配線では、配線L1,ノードN10,配線L10からなる配線経路と、配線L2,ノードN20,配線L20からなる配線経路と、配線L3,ノードN30,配線L30からなる配線経路と、配線L4,ノードN40,配線L40からなる配線経路とが並列に構成されることになる。これにより、階調電位をデータ線DL_1に送出するときの寄生抵抗pRは、上記短絡制御モードを行わない場合と比較して、およそ1/4に低下する。
したがって、第2期間では、ノードN2からスイッチ素子群32までの配線は、第1期間における並列構成から、配線L2,ノードN20,配線L20からなる単一の配線経路の構成となる。
これにより、第1期間において、データ線に対し、本来供給すべき階調電位よりもかなり高い階調電位が与えられ、かつ、階調電位をデータ線に接続するときの寄生抵抗pRは、短絡制御モードを行わない場合と比較して、およそ1/Nに低下する。すなわち、画素10_1の保持容量Csと寄生抵抗pRとによって構成されるCR回路の時定数は、短絡制御モードを行わない場合と比較して、およそ1/Nに低下する。また、第1期間では、データ線の電位は、本来供給すべき階調電位よりもかなり高い階調電位に向けて過渡的に変化するため、極めて短期間に目標階調電位に近い電位レベルに到達させることができるようになる。
たとえば、図7に示した例では、第1期間において、スイッチ素子24_1,24_2,24_3がすべて短絡し、データ線DL_1に対して目標の階調電位V3よりもかなり高い階調電位V1を与えるようにしたが、第1期間においてデータ線DL_1に階調電位V2を与えることで目標到達電位を達成できる場合には、スイッチ素子24_2,24_3を短絡し、スイッチ素子24_1を開放したままにすることもできる。
このようにスイッチ素子を制御すると、第1期間が終了する時点におけるデータ線の電位が目標階調電位よりも高くなりすぎることで第2期間において生ずる可能性があるリンギング等を防止することができる。
以下、この点について、図8に示す例を参照して説明する。
図8において、スイッチ素子24_1,24_2,24_3のオン抵抗を、それぞれ抵抗R241,R242,R243とする。また、図7とともに参照すると明らかなように、抵抗R321は、スイッチ素子群32におけるスイッチ素子2個分のオン抵抗に相当する。同様に、抵抗R322は、スイッチ素子群32におけるスイッチ素子4個分のオン抵抗に相当し、抵抗R323は、スイッチ素子群32におけるスイッチ素子2個分のオン抵抗に相当する。
10_1〜10_N…画素
15…ソースドライバ
20…階調設定部
22…スイッチ素子群
R1〜R129…抵抗
OP1〜OP129…オペアンプ
30…DA変換部(DAC)
30_1〜30_N…DA変換器
32…スイッチ素子群
40…データラッチ部
50…制御部
60…ゲートドライバ
Claims (4)
- 表示データに応じて、前記表示データに対応する階調電位を出力端子から出力する駆動回路であって、
基準電位に基づいて、それぞれ異なる複数の階調電位を複数のノードに設定する階調設定部と、
前記複数のノードに入力側がそれぞれ接続されて設けられた複数のアンプと、
前記複数のアンプの出力側と前記出力端子との間に設けられ、データ書き込み期間において、前記表示データに対応する目標階調電位を前記複数の階調電位の中から選択して、前記アンプから前記出力端子へ出力させる電位選択部と、
前記データ書き込み期間では、第1期間において、前記目標階調電位に設定される第1ノードと、その第1ノードに隣接する第2ノードとを短絡させるとともに、前記第1ノードと前記出力端子との間の第1配線に対して、前記第2ノードと前記出力端子との間の第2配線が並列接続されるようにし、前記第1期間に続く第2期間において、前記第1ノードと前記第2ノードとの間の短絡を解除するとともに、前記第1配線に対して前記第2配線が並列接続されないように制御する制御部と、
を備えた駆動回路。 - 前記複数のアンプの出力側と前記出力端子との間に設けられ、表示データの下位ビットから上位ビットに対応して動作可能なツリー構造の第1スイッチ素子群と、
前記複数のノードの隣接する2個のノード間に設けられる第2スイッチ素子群と、を備え、
前記制御部は、前記第1期間において、前記第1スイッチ素子群のうち、表示データの下位の所定数のビットに対応するスイッチ素子をすべて短絡させるとともに、前記第1ノードと、前記表示データに対して前記所定数のビットのみが異なる表示データに対応する階調電位のノードとが接続されるように、前記第2スイッチ素子群内のスイッチ素子を短絡させ、前記第2期間において、前記第1期間における前記短絡を解除する
請求項1記載の駆動回路。 - 前記制御部は、前記第1期間が終了する時点における電位として予め定められた目標到達電位に応じて、前記第2スイッチ素子群の中で第1期間に短絡させるスイッチ素子を選択する
請求項2記載の駆動回路。 - 前記第1スイッチ素子群のうち、表示データの最下位ビットに対応して動作する複数のスイッチ素子が前記複数のアンプの出力に接続され、
前記複数のノードの隣接する2個のノード間電圧と、当該2個のノードに対応して設けられた2個のアンプの出力間電圧とが略同一となるように、前記第1スイッチ素子群および第2スイッチ素子群におけるスイッチ素子のオン抵抗が設定される
請求項2または3記載の駆動回路。
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