JP4539790B2

JP4539790B2 - Manufacturing method of base material for electronic component manufacturing

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Publication number: JP4539790B2
Application number: JP2000129404A
Authority: JP
Inventors: 順司小出村
Original assignee: Zeon Corp
Current assignee: Zeon Corp
Priority date: 2000-04-28
Filing date: 2000-04-28
Publication date: 2010-09-08
Anticipated expiration: 2020-04-28
Also published as: WO2001084615A1; JP2001313290A; KR20020088000A; KR100744981B1; TWI266968B

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品製造用基材の製造方法及びそれに好適な洗浄溶剤に関し、更に詳しくは、硬化性樹脂溶液を基材に塗布する際に付着する不要の硬化性樹脂溶液を洗浄除去し、乾燥する工程を有する電子部品製造用基材の製造方法及びそれに好適な洗浄溶剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のウェーハやガラス基板等の基材上に絶縁層を形成する電子部品製造用基材の製造方法においては、スピンナー法等により基材上に硬化性樹脂溶液を塗布・乾燥している。そのため、遠心力により硬化性樹脂溶液が拡散し、基材中心部は均一な膜厚の塗膜が得られるが、基材の周辺部においては、中心部に比して厚膜になったり、基材の周辺部、縁辺部や裏面部にも硬化性樹脂溶液が付着する場合がある。このような場合に、硬化性樹脂溶液を乾燥し熱硬化させると、硬化性樹脂が脆くなり、高品質の製品を製造する上で大きな問題となっている。
【０００３】
そこで、このような問題を解決するために、基材の周辺部や縁辺部、裏面部に付着した不要の硬化性樹脂を洗浄剤で洗浄除去する方法が提案されている（特開平６−１２０１３６号公報）。そこで使用される洗浄剤としては、例えば、プロピレングリコールアルキルエーテル／プロピレングリコールエーテルアセテート混合物（特開平４−４９９３８号公報）、酢酸ブチル／プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート混合物、アルコキシプロピオン酸エステル／プロピレングリコールモノアルキルエーテル混合物（特開平７−１２８８６７号公報）、プロピレングリコールモノアルキルプロピオネート溶液（特開平７−１６０００８号公報）、アルコール系の水性溶媒（特開平９−２６９６０１号公報）、グリコールジアルキルエーテル／アルコール混合溶媒（特開平１１−１７４６９１号公報）等が報告されている。
一方、近年、電子部品の高速化や高密度化の要求が高まり、絶縁材料として使用される硬化性樹脂としては、耐熱性、低吸水性、低誘電率特性等の特性を向上させるため、脂環式構造含有エポキシ系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、硬化型ポリフェニレンエーテル系樹脂、硬化型ポリノルボルネン系樹脂等の環構造を含有する硬化性樹脂が用いられてきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、これらの環構造含有硬化性樹脂を用いて電子部品製造用基材を製造する場合には、上記した洗浄剤を用いても十分な洗浄効果が得られず、また、洗浄後加熱乾燥した硬化性樹脂部分が膨潤したり、断面形状に劣る場合がある等の問題が生じていた。そこで、本発明は、環構造含有硬化性樹脂を用いて電子部品製造用基材を製造するために好適な方法、及び環構造含有硬化性樹脂を有機溶媒に溶解又は分散させた硬化性樹脂溶液の洗浄に好適な洗浄溶剤を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記した従来技術の問題点に鑑み鋭意検討した結果、硬化型ノルボルネン系樹脂等の環構造含有硬化性樹脂の溶液をガラス基板上にスピンナー等で塗布し、ガラス基板の周辺部や縁辺部、裏面部等に付着した不要な塗膜部分を、炭化水素系等の非極性溶媒とジメチルホルムアミド等の極性溶媒との混合溶媒からなる洗浄溶媒を用いて洗浄処理すると、短時間での洗浄性に優れ、しかも乾燥後の硬化性樹脂部の低膨潤性や垂直断面形状性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明は第１に、環構造含有硬化性樹脂を有機溶媒に溶解又は分散させた硬化性樹脂溶液を基材上に塗布する工程と、前記基材の周辺部、縁辺部及び裏面部の少なくとも一部に付着した不要の硬化性樹脂溶液を、非極性溶媒と極性溶媒とからなる洗浄溶剤で処理して除去する工程と、及び前記基材上に塗布された硬化性樹脂溶液を乾燥する工程を有する、電子部品製造用基材の製造方法を提供する。
本発明の製造方法においては、前記非極性溶媒と極性溶媒とからなる洗浄溶剤で処理して除去する工程は、前記洗浄溶剤として、前記環構造含有硬化性樹脂溶液の有機溶媒の沸点よりも低い沸点を有する洗浄溶剤を用いるのが好ましい。
【０００７】
また、本発明は第２に、前記第１の発明を実施するために好適な非極性溶媒と極性溶媒とからなる、環構造含有硬化性樹脂を有機溶媒に溶解又は分散させた硬化性樹脂溶液の洗浄溶剤を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明に使用される環構造含有硬化性樹脂は、主鎖及び／又は側鎖に環構造を有するものであるが、耐熱性や低誘電率特性等の観点から、主鎖に環構造を含有するものが好ましい。また、環構造としては、単環、多環、縮合多環、橋架け環及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。
【０００９】
かかる環構造としては、低誘電率特性や低吸水性の観点から、芳香族環構造や脂環式環構造等の炭化水素環が好ましい。環構造を構成する炭素原子数は、格別な制限はないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個の範囲であるときに、耐熱性、低誘電率特性、低吸水性及び成形性の諸特性が高度にバランスされ好適である。
【００１０】
環構造を含有する硬化性樹脂としては公知のものを用いることができる。例えば、環構造含有エポキシ樹脂、環構造含有アクリル系樹脂、環構造含有ポリイミド系樹脂、環構造含有ポリアミド系樹脂、環構造含有ポリシアネート樹脂、環構造含有ポリエステル系樹脂、硬化型ポリフェニレンエーテル系樹脂、硬化型ベンゾシクロブテン系樹脂、硬化型ポリノルボルネン系樹脂及びこれらの２種以上の組み合わせ等が挙げられる。これらの中で、耐熱性、低誘電率特性、低吸水性及び密着性に優れる観点から、環構造含有エポキシ系樹脂、環構造含有ポリフェニレンエーテル系樹脂、硬化型ベンゾシクロブテン系樹脂、硬化型ポリノルボルネン系樹脂等が好ましく、硬化型ポリフェニレンエーテル系樹脂、硬化型ベンゾシクロブテン系樹脂及び硬化型ポリノルボルネン系樹脂が特に好ましい。
【００１１】
環構造含有エポキシ系樹脂としては、特開平１１−１５４７号公報記載のエポキシ樹脂組成物、硬化型ポリフェニレンエーテル系樹脂としては、特開平９−２９０４８１号公報に記載のポリフェニレンエーテル樹脂組成物、硬化型ポリノルボルネン系樹脂としては、ＷＯ９８／５６０１１号公報記載のノルボルネン系樹脂組成物等がそれぞれ好適である。
【００１２】
環構造含有の硬化性樹脂の誘電率（ε）は、使用目的に応じて適宜選択されるが、ＪＩＳＣ６４８１に準じて１ＭＨｚにおいて測定される値で、通常４以下、好ましくは３以下、より好ましくは２．８５以下、更に好ましくは２．７以下である。また、環構造含有の硬化性樹脂の吸水率は、ＪＩＳＣ６４８１に準じて測定される値で、通常０．５％以下、好ましくは０．２％以下、より好ましくは０．１５％以下、最も好ましくは０．１％以下である。
【００１３】
前記環構造含有硬化性樹脂を溶解又は分散させるための有機溶媒としては、環構造含有硬化性樹脂を溶解又は分散できるものであれば格別な制限はなく、非極性溶媒や極性溶媒を用いることができる。非極性溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素等が挙げられる。これらの中でも、環構造含有硬化性樹脂との相溶性に優れる観点で、芳香族炭化水素や脂環式炭化水素が好ましい。
【００１４】
極性溶媒としては、例えば、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン；テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、アニソール等のエーテル；ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、炭酸ジメチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等のエステル；γ−ブチロラクトン等のラクトン化合物;エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート化合物；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−フェニルピロリドン、Ｎ−ベンジルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド等のアミド化合物；アセトリニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル、カプロニトリル等のニトリル化合物；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド化合物；等が挙げられる。これらのうち、環構造含有硬化性樹脂との相溶性の観点から、ケトン、エステル、カーボネート化合物、アミド化合物が好ましい。これらの環構造含有硬化性樹脂を溶解又は分散させる有機溶媒は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１５】
環構造含有硬化性樹脂を溶解または分散させるのにより好ましい有機溶媒としては、前記非極性溶媒の少なくとも１種と極性溶媒の１種との混合溶媒が挙げられる。非極性溶媒と極性溶媒との混合割合は、〔非極性溶媒〕／〔極性溶媒〕の重量比で、通常９５／５〜５／９５、好ましくは８５／１５〜１５／８５、より好ましくは７５／２５〜２５／７５の範囲である。非極性溶媒と極性溶媒の混合割合がこの範囲であるときに、平坦性に優れる塗膜が得られ好適である。
【００１６】
環構造含有硬化性樹脂を溶解又は分散させる有機溶媒の量は、使用目的に応じて適宜選択されるが、硬化性樹脂の溶解液又は分散液の固形分濃度が、通常５〜９０重量％、好ましくは１０〜８０重量％、より好ましくは２０〜７０重量％になる範囲である。
【００１７】
環構造含有硬化性樹脂の有機溶媒中への溶解又は分散は、常法に従えばよく、例えば攪拌子とマグネチックスターラを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパージョン、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロール等を使用した方法等で行うことができる。
【００１８】
本発明の電子部品製造用基材の製造方法は、上記のようにして調製した環構造含有硬化性樹脂溶液を基材上に塗布し、次いで、基材の周辺部、縁辺部及び裏面部の少なくとも一部に付着した不要の硬化性樹脂溶液を非極性溶媒と極性溶媒からなる洗浄溶剤で処理して除去した後、乾燥することを特徴とする。
本発明に用いられる基材としては、特に制限はなく、電子部品の製造に用いられる公知の基材を用いることができる。例えば、シリコン基板、ガラス基板、セラミック基板、合成樹脂基板等が挙げられる。
【００１９】
硬化性樹脂溶液の基材上への塗布は、常法に従えばよく、例えばスピンナー法、バーコーター法、ダイコート法、ロールコーター法、印刷法等の方法を用いることができる。これらの塗布方法のうち、より平坦な塗膜が得られる観点からスピンナー法が好適である。スピンナー法による基材上への硬化性樹脂溶液の塗布は、例えば、スピンヘッド上で回転される回転板を有し、該回転板上に基材を保持してその中心部に硬化性樹脂溶液を塗布し、硬化性樹脂溶液を回転板の遠心力によって放射方向に拡散塗布する方法によって行われる。基材上に塗布された硬化性樹脂溶液は周辺部が中央部より盛り上がって、周辺部の膜厚は中央部の膜厚よりも大きく、また基材の縁辺部や裏面部にも樹脂溶液が回り込んでいる。
【００２０】
次いで、基材の周辺部、縁辺部及び裏面部に付着した不要の硬化性樹脂溶液を、本発明の洗浄溶剤で処理することにより除去する。
【００２１】
本発明の洗浄溶剤は、非極性溶媒と極性溶媒とからなる混合溶媒であることを特徴とする。非極性溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素；等が挙げられる。これらの中でも、環構造含有硬化性樹脂との相溶性に優れる観点で、芳香族炭化水素や脂環式炭化水素が好ましく、芳香族炭化水素が特に好ましい。
【００２２】
極性溶媒としては、例えば、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン；テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、アニソール等のエーテル；ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、炭酸ジメチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等のエステル；γ−ブチロラクトン等のラクトン化合物;エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート化合物；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−フェニルピロリドン、Ｎ−ベンジルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド等のアミド化合物；アセトリニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、ベンゾニトリル、カプロニトリル等のニトリル化合物；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド化合物；等が挙げられる。これらの中でも、環構造含有硬化性樹脂の溶解性、乾燥後の硬化性樹脂の低膨潤性や垂直断面形状性等の観点から、ケトン、エステル、カーボネート化合物、アミド化合物等が好ましい。
【００２３】
非極性溶媒と極性溶媒の好ましい組み合わせとしては、芳香族炭化水素／ニトリル化合物、芳香族炭化水素／エステル、芳香族炭化水素／スルホキシド化合物、芳香族炭化水素／アミド化合物、脂環式炭化水素／アミド化合物等が挙げられ、芳香族炭化水素／アミド化合物、特にキシレン／Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの組み合わせが好ましい。非極性溶媒と極性溶媒の混合割合は、〔非極性溶媒〕／〔極性溶媒〕の重量比で、通常９９／１〜１／９９、好ましくは９９／１〜５０／５０、より好ましくは９８／２〜６５／３５の範囲である。非極性溶媒と極性溶媒の割合がこの範囲であるときに、乾燥後の硬化性樹脂の低膨潤性や垂直断面形状性に優れ好適である。
【００２４】
本発明の洗浄溶剤の沸点は、使用環境に応じて適宜選択されるが、前記環構造含有硬化性樹脂溶液の有機溶媒の沸点よりも低いとき、好ましくは５℃以下、より好ましくは１０℃以下、特に好ましくは２０℃以下のときに、乾燥後の硬化性樹脂の低膨潤性や垂直断面形状性に優れ好適である。ここで、混合溶媒の沸点は、下式で算出されるものを用いる。
【数１】

【００２５】
本発明の洗浄溶剤を用いて不要な硬化性樹脂溶液を除去する方法として、例えば、基材の縁辺部に沿って洗浄溶剤を噴出するノズルを移動する方法、回転する基材の下方に洗浄溶剤を噴出するノズルを配置し、基材裏面から除去するバックリンス法、予め洗浄溶剤を満たした貯留部内に基材の縁辺部を水平方向から挿入し、所定時間浸漬させる方法、及びこれらの組合せ等が挙げられる。洗浄溶剤をノズルから噴出させる場合の洗浄溶剤の供給量は、硬化性樹脂溶液の種類や膜厚などにより適宜選択されるが、通常１０〜１００ｍｌ／分である。次いで、不要の硬化性樹脂溶液を洗浄除去した基材を加熱乾燥させて溶剤を除去し、必要に応じて塗膜を硬化させる。以上のようにして、不要な硬化性樹脂溶液が除去された膜厚が均一で垂直断面形状性に優れた電子部品製造用基材を製造することができる。
【００２６】
得られる電子部品製造用基材の硬化性樹脂塗膜部分の１ＭＨｚにおける誘電率（ε）は、使用目的に応じて適宜選択されればよいが、通常５以下、好ましくは４以下、より好ましくは３．６以下である。また、該塗膜部分のガラス転移温度は、使用目的に応じて適宜選択されるが、通常７０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上であり、その吸水性は使用目的に応じて適宜選択されるが、通常２％以下、好ましくは１％以下、好ましくは０．５％以下である。
【００２７】
【実施例】
次に、実施例及び比較例により本発明をより詳細に説明する。実施例中、〔部〕は、特に断りのない限り、〔重量部〕を意味する。
＜試験及び評価方法＞
（１）ガラス転移温度（Ｔｇ）
変性後の環構造含有重合体グラフト変性物のＴｇはＤＳＣ法、及び硬化性組成物の熱硬化後の硬化物のＴｇは、ＤＭＡ法により測定したｔａｎδのピークトップ値を用いた。
（２）分子量
環構造含有重合体（グラフト変性物を含む）の分子量（重量平均分子量及び数平均分子量）は、テトラヒドロフランを溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーによるポリスチレン換算値として測定した。
（３）水素添加率及び変性率
環構造含有重合体（ノルボルネン系開環重合体）主鎖の水素添加率及び環構造含有重合体のグラフト変性率は、¹Ｈ−ＮＭＲにより測定した。
（４）溶媒沸点
硬化性樹脂組成物の溶剤及び洗浄溶剤が非極性溶媒と極性溶媒の混合溶媒である場合には、下式により算出される値を用いた。
【数２】

【００２８】
（５）溶解速度
基材上に塗布された硬化性樹脂組成物を洗浄溶剤中に３０秒間浸漬した後、８０℃のオーブンで１０分間乾燥して膜厚を測定し、溶解速度（Ｓ）＝１分間あたりの減少膜厚（μｍ／ｍｉｎ）を算出し、Ｓが５μｍ／ｍｉｎ以上である場合は◎、３μｍ／ｍｉｎ以上５μｍ／ｍｉｎ未満の場合は○、１μｍ／ｍｉｎ以上３μｍ／ｍｉｎ未満の場合は△、１μｍ未満の場合は×の基準で評価した。
（６）洗浄性能（膨潤性、垂直断面形状性）
基板上に塗布された硬化性樹脂の端面（盛り上がり部分）の一部を洗浄溶剤に１分間浸漬した後、８０℃のオーブンで１０分間乾燥した後に、基板端面を観察した。盛り上がりが全く無くなり、被洗浄部分に硬化性樹脂の染み、垂れもまったくない（洗浄力が非常に高い）場合を◎、盛り上がり部分がわずかにあるが、被洗浄部分に硬化性樹脂の染みも垂れも全くない（洗浄力十分）場合を○、盛り上がりが若干有り、被洗浄部分に硬化性樹脂の染みあるいは垂れが若干ある（洗浄力不十分）場合を△、盛り上がりが残存しており、被洗浄部分に硬化性樹脂の染みや垂れが認められる（洗浄力が低い）場合を×の基準で評価した。
【００２９】
（７）低誘電率特性
ＪＩＳＣ６４８１に準じて１ＭＨｚにおける誘電率（ε）を測定し、εが２．７以下の場合を◎、２．７より大きく、２．８５以下の場合を○、２．８５より大きく、３以下の場合を△、３より大きい場合は×の基準で評価した。
（８）吸水性
ＪＩＳＣ６４８１に準じて吸水率（ｗ）の測定をし、ｗが０．１％以下の場合を◎、０．１％より大きく、０．１５％以下の場合を○、０．１５％より大きく、０．２％以下の場合を△、０．２％より大きい場合を×の基準で評価した。（９）耐熱性
シリコン基板上の硬化性樹脂薄膜に、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）を蒸着（製膜条件：放電電圧＝６０Ｖ、ＩＴＯ膜厚＝５００Å、シリコン基板温度＝２０〜２４０℃）させた状態のＩＴＯ膜の外観を観察し、外観にしわがない場合を◎、シリコン基板の１端に微妙なしわがある場合を○、シリコン基板の４端にしわがある場合を△、全面にしわがある場合を×の基準で評価した。
【００３０】
（製造例）
六塩化タングステン、トリイソブチルアルミニウム及びイソブチルアルコールからなる重合触媒を用い、公知の方法により、８−エチルテトラシクロ［４．４．１^2.5．１^7.10．０］−３−ドデセン（以下、「ＥＴＤ」と略す。）を重合させた後、ニッケルアセチルアセトナートとトリイソブチルアルミニウムからなる水素添加触媒の存在下に水素化し、ノルボルネン系開環重合体水素添加物（以下、「ポリマーＡ」という。）を得た。ポリマーＡの水素化率は９９％以上であった。
【００３１】
次に、オートクレーブ中でポリマーＡ１００部、無水マレイン酸５０部、ジクミルパーオキサイド５部、及びｔ−ブチルベンゼン３００部を混合し、１３５℃で４時間反応させた。反応混合物をイソプロピルアルコール中に滴下、凝固、乾燥し、変性ポリマーを得た。変性ポリマーはＴｇが１６２℃、重量平均分子量が６８，１００、変性率が３４モル％であった。
得られた変性ポリマー１００部に対して、多官能エポキシ化合物４０部、及びベンジルフェニルイミダゾール０．５部を混合し、１，２，４−トリメチルベンゼン／シクロヘキセン（重量比６／４）溶液２３３部に溶解させた（硬化性樹脂組成物溶液Ａ）。
【００３２】
テフロン３ｍｍ基板上に上記硬化性樹脂組成物溶液Ａをドクターブレード法により塗布し、２５０℃で２時間窒素中で硬化させて、厚さ４０〜５０μｍのフィルムを得た。このフィルムを用いて誘電率及び吸水率を測定した。誘電率、吸水率ともに◎であった。
【００３３】
変性ポリマー１００部、多官能エポキシ化合物４０部及びベンジルフェニルイミダゾール０．５部を混合した後、１，２，４−トリメチルベンゼン／シクロヘキセン（重量比６／４）溶液９００部に溶解させた（硬化性樹脂組成物溶液Ｂ）。
【００３４】
また別に、シリコン基板上に上記硬化性樹脂組成物溶液Ｂをスピンコート法により塗布した後、２５０℃で２時間熱硬化させて厚さ２μｍの薄膜を得た。この基材を用いて耐熱性の評価を行った。耐熱性は◎であった。
【００３５】
（実施例１）
前記硬化性樹脂組成物溶液Ｂを４インチのシリコン基板上にスピンコートして、厚みが３μｍの塗膜を形成した。次に、ｐ−キシレン／Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（重量比９５／５）の混合溶媒を用いて溶解速度及び洗浄性能の評価を行った。結果を第１表に示した。
【００３６】
（実施例２〜７及び比較例１，２）
第１表に示す洗浄溶剤を用いた他は、実施例１と同様にして厚さ１μｍの塗膜を得、溶解速度および洗浄性能を評価した。結果を第１表に示す。
【００３７】
なお、第１表中の略号は次の意味をそれぞれ表す。
ＸＬ：キシレン
ＤＭＦ：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド
ＤＭＡ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセタミド
ＡｃＯＥｔ：酢酸エチル
ＣＨ３ＣＮ：アセトニトリル
ＤＭＳＯ：ジメチルスルホキシド
ＥＰＰ：エトキシプロピオン酸エチル
ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【００３８】
【表１】

【００３９】
第１表より明らかなように、各実施例の洗浄溶剤は、比較例の洗浄溶剤に比して、溶解速度及び洗浄性能に優れ、また得られる基材は、低誘電率性、低吸水性及び高耐熱性を有していた。
【００４０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の製造方法によれば、硬化型ノルボルネン系樹脂等の環構造含有硬化性樹脂溶液をガラス基板上に塗布し、基板の周辺部や縁辺部、裏面部等に付着した不要な塗膜部分を、非極性溶媒と極性溶媒との混合溶媒からなる洗浄溶媒を用いて洗浄処理することにより、短時間での洗浄性に優れ、しかも乾燥後の硬化性樹脂部の低膨潤性や垂直断面形状性に優れた電子部品製造用基材及びそれに好適な洗浄溶剤が提供される。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for producing a substrate for producing an electronic component and a cleaning solvent suitable for the method, and more specifically, an unnecessary curable resin solution attached when a curable resin solution is applied to a substrate is washed and removed. The present invention relates to a method for producing a substrate for producing an electronic component having a drying step and a cleaning solvent suitable for the method.
[0002]
[Prior art]
In a recent manufacturing method of a base material for electronic component manufacturing in which an insulating layer is formed on a base material such as a wafer or a glass substrate, a curable resin solution is applied and dried on the base material by a spinner method or the like. Therefore, the curable resin solution is diffused by centrifugal force, and a coating film having a uniform film thickness is obtained at the central part of the base material, but in the peripheral part of the base material, the film becomes thicker than the central part, The curable resin solution may also adhere to the peripheral part, the edge part or the back part of the substrate. In such a case, when the curable resin solution is dried and thermally cured, the curable resin becomes brittle, which is a big problem in producing a high-quality product.
[0003]
In order to solve such problems, there has been proposed a method of cleaning and removing unnecessary curable resin adhering to the peripheral portion, edge portion, and back surface portion of the base material with a cleaning agent (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 6-120136). Issue gazette). Examples of the detergent used therefor include propylene glycol alkyl ether / propylene glycol ether acetate mixture (Japanese Patent Laid-Open No. 4-49938), butyl acetate / propylene glycol monoalkyl ether acetate mixture, alkoxypropionic acid ester / propylene glycol mono Alkyl ether mixture (JP-A-7-128867), propylene glycol monoalkylpropionate solution (JP-A-7-160008), alcohol-based aqueous solvent (JP-A-9-269601), glycol dialkyl ether / Alcohol mixed solvents (Japanese Patent Laid-Open No. 11-174691) have been reported.
On the other hand, in recent years, demands for higher speed and higher density of electronic parts have increased, and curable resins used as insulating materials have been improved in properties such as heat resistance, low water absorption, and low dielectric constant. Curable resins containing a ring structure such as cyclic structure-containing epoxy resins, benzocyclobutene resins, curable polyphenylene ether resins, and curable polynorbornene resins have been used.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, when producing a substrate for electronic component production using these ring structure-containing curable resins, a sufficient cleaning effect cannot be obtained even if the above-described cleaning agent is used. Problems such as swelling of the curable resin portion and inferior cross-sectional shape have occurred. Accordingly, the present invention provides a method suitable for producing a substrate for producing an electronic component using a ring structure-containing curable resin, and a curable resin solution in which the ring structure-containing curable resin is dissolved or dispersed in an organic solvent. It is an object of the present invention to provide a cleaning solvent suitable for the cleaning of the above.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies in view of the above-described problems of the prior art, the inventor applied a solution of a curable resin containing a ring structure such as a curable norbornene resin on a glass substrate with a spinner or the like, and the peripheral portion of the glass substrate If the unnecessary coating film adhering to the edge portion, the edge portion, the back surface portion, etc. is cleaned with a cleaning solvent consisting of a mixed solvent of a nonpolar solvent such as hydrocarbon and a polar solvent such as dimethylformamide, it takes a short time. The present invention has been completed by finding that it is excellent in cleanability and excellent in low swellability and vertical cross-sectional shape of the curable resin part after drying.
[0006]
That is, the present invention firstly includes a step of applying a curable resin solution in which a ring structure-containing curable resin is dissolved or dispersed in an organic solvent on a substrate, and a peripheral portion, an edge portion, and a back surface portion of the substrate. A step of removing an unnecessary curable resin solution adhering to at least a part of the substrate with a cleaning solvent composed of a nonpolar solvent and a polar solvent, and drying the curable resin solution applied on the substrate. The manufacturing method of the base material for electronic component manufacture which has the process to perform is provided.
In the production method of the present invention, the step of removing by treating with a washing solvent comprising the nonpolar solvent and the polar solvent is lower than the boiling point of the organic solvent of the ring structure-containing curable resin solution as the washing solvent. It is preferable to use a cleaning solvent having a boiling point.
[0007]
The present invention secondly provides a curable resin solution comprising a non-polar solvent and a polar solvent suitable for carrying out the first invention, wherein a ring structure-containing curable resin is dissolved or dispersed in an organic solvent. Provide a cleaning solvent .
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The ring structure-containing curable resin used in the present invention has a ring structure in the main chain and / or side chain, but contains a ring structure in the main chain from the viewpoint of heat resistance and low dielectric constant characteristics. Those that do are preferred. Examples of the ring structure include monocyclic, polycyclic, condensed polycyclic, bridged rings, and combinations thereof.
[0009]
Such a ring structure is preferably a hydrocarbon ring such as an aromatic ring structure or an alicyclic ring structure from the viewpoint of low dielectric constant characteristics and low water absorption. The number of carbon atoms constituting the ring structure is not particularly limited, but is usually 4 to 30, preferably 5 to 20, and more preferably 5 to 15 in the range of heat resistance and low dielectric constant. The properties, low water absorption and moldability are highly balanced and suitable.
[0010]
A well-known thing can be used as curable resin containing a ring structure. For example, ring structure-containing epoxy resin, ring structure-containing acrylic resin, ring structure-containing polyimide resin, ring structure-containing polyamide resin, ring structure-containing polycyanate resin, ring structure-containing polyester resin, curable polyphenylene ether resin, Examples thereof include curable benzocyclobutene resins, curable polynorbornene resins, and combinations of two or more thereof. Among these, from the viewpoint of excellent heat resistance, low dielectric constant characteristics, low water absorption and adhesion, a ring structure-containing epoxy resin, a ring structure-containing polyphenylene ether resin, a curable benzocyclobutene resin, and a curable poly Norbornene resins and the like are preferable, and curable polyphenylene ether resins, curable benzocyclobutene resins, and curable polynorbornene resins are particularly preferable.
[0011]
The ring structure-containing epoxy resin is an epoxy resin composition described in JP-A-11-1547, and the curable polyphenylene ether resin is a polyphenylene ether resin composition described in JP-A-9-290481, a curable type. As the polynorbornene resin, a norbornene resin composition described in WO98 / 56011 is preferable.
[0012]
The dielectric constant (ε) of the ring structure-containing curable resin is appropriately selected according to the purpose of use, but is a value measured at 1 MHz according to JIS C6481, and is usually 4 or less, preferably 3 or less, more preferably. Is 2.85 or less, more preferably 2.7 or less. The water absorption of the ring structure-containing curable resin is a value measured according to JIS C6481, and is usually 0.5% or less, preferably 0.2% or less, more preferably 0.15% or less, Preferably it is 0.1% or less.
[0013]
The organic solvent for dissolving or dispersing the ring structure-containing curable resin is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the ring structure-containing curable resin, and a nonpolar solvent or a polar solvent may be used. it can. Examples of the nonpolar solvent include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, and ethylbenzene; aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, n-hexane, and n-heptane; and alicyclic carbons such as cyclopentane and cyclohexane. Hydrogen etc. are mentioned. Among these, aromatic hydrocarbons and alicyclic hydrocarbons are preferable from the viewpoint of excellent compatibility with the ring structure-containing curable resin.
[0014]
Examples of the polar solvent include halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, benzophenone, and acetophenone; tetrahydrofuran, tetrahydropyran, anisole, and the like Ether; methyl formate, ethyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, amyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, Esters such as dimethyl carbonate, dimethyl phthalate and diethyl phthalate; Lactone compounds such as γ-butyrolactone; Carbonation such as ethylene carbonate and propylene carbonate Amide compounds such as N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, N-phenylpyrrolidone, N-benzylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide; Examples thereof include nitrile compounds such as nitrile, propionitrile, butyronitrile, benzonitrile and capronitrile; sulfoxide compounds such as dimethyl sulfoxide; and the like. Of these, ketones, esters, carbonate compounds, and amide compounds are preferred from the viewpoint of compatibility with the ring structure-containing curable resin. The organic solvents for dissolving or dispersing these ring structure-containing curable resins can be used alone or in combination of two or more.
[0015]
A more preferable organic solvent for dissolving or dispersing the ring structure-containing curable resin includes a mixed solvent of at least one nonpolar solvent and one polar solvent. The mixing ratio of the nonpolar solvent and the polar solvent is usually 95/5 to 5/95, preferably 85/15 to 15/85, more preferably 75, in a weight ratio of [nonpolar solvent] / [polar solvent]. The range is / 25 to 25/75. When the mixing ratio of the nonpolar solvent and the polar solvent is within this range, a coating film having excellent flatness is obtained, which is preferable.
[0016]
The amount of the organic solvent for dissolving or dispersing the ring structure-containing curable resin is appropriately selected according to the purpose of use, but the solid content concentration of the curable resin solution or dispersion is usually 5 to 90% by weight, The range is preferably 10 to 80% by weight, more preferably 20 to 70% by weight.
[0017]
The dissolution or dispersion of the ring structure-containing curable resin in the organic solvent may be in accordance with conventional methods, for example, stirring using a stirrer and a magnetic stirrer, high-speed homogenizer, dispersion, planetary stirrer, biaxial stirrer, ball mill It can be carried out by a method using three rolls or the like.
[0018]
In the method for producing a substrate for electronic component production according to the present invention, the ring-structure-containing curable resin solution prepared as described above is applied onto the substrate, and then the peripheral portion, the edge portion, and the back surface portion of the substrate. It is characterized in that an unnecessary curable resin solution adhering to at least a part is removed by treatment with a cleaning solvent composed of a nonpolar solvent and a polar solvent and then dried.
There is no restriction | limiting in particular as a base material used for this invention, The well-known base material used for manufacture of an electronic component can be used. For example, a silicon substrate, a glass substrate, a ceramic substrate, a synthetic resin substrate, etc. are mentioned.
[0019]
Application of the curable resin solution onto the base material may be performed in accordance with a conventional method, and for example, a spinner method, a bar coater method, a die coat method, a roll coater method, a printing method, or the like can be used. Among these coating methods, the spinner method is preferable from the viewpoint of obtaining a flatter coating film. The application of the curable resin solution onto the base material by the spinner method includes, for example, a rotating plate that is rotated on a spin head, the base material is held on the rotating plate, and the curable resin solution is provided at the center thereof. And the curable resin solution is diffused and applied in the radial direction by the centrifugal force of the rotating plate. The curable resin solution applied on the substrate has a peripheral portion that rises from the central portion, and the peripheral portion has a larger film thickness than the central portion. Wrap around.
[0020]
Subsequently, the unnecessary curable resin solution adhering to the peripheral part, the edge part, and the back surface part of the substrate is removed by treating with the cleaning solvent of the present invention.
[0021]
The cleaning solvent of the present invention is a mixed solvent composed of a nonpolar solvent and a polar solvent. Examples of the nonpolar solvent include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, and ethylbenzene; aliphatic hydrocarbons such as n-pentane, n-hexane, and n-heptane; and alicyclic carbons such as cyclopentane and cyclohexane. Hydrogen; and the like. Among these, aromatic hydrocarbons and alicyclic hydrocarbons are preferable and aromatic hydrocarbons are particularly preferable from the viewpoint of excellent compatibility with the ring structure-containing curable resin.
[0022]
Examples of the polar solvent include halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene, dichlorobenzene, and trichlorobenzene; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, benzophenone, and acetophenone; tetrahydrofuran, tetrahydropyran, anisole, and the like Ether; methyl formate, ethyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, amyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, propyl propionate, methyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, Esters such as dimethyl carbonate, dimethyl phthalate and diethyl phthalate; Lactone compounds such as γ-butyrolactone; Carbonation such as ethylene carbonate and propylene carbonate Amide compounds such as N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, N-phenylpyrrolidone, N-benzylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, N, N-dimethylacetamide; Examples thereof include nitrile compounds such as nitrile, propionitrile, butyronitrile, benzonitrile and capronitrile; sulfoxide compounds such as dimethyl sulfoxide; and the like. Among these, ketones, esters, carbonate compounds, amide compounds, and the like are preferable from the viewpoints of solubility of the ring structure-containing curable resin, low swellability of the curable resin after drying, vertical cross-sectional shape, and the like.
[0023]
Preferred combinations of the nonpolar solvent and the polar solvent include aromatic hydrocarbon / nitrile compound, aromatic hydrocarbon / ester, aromatic hydrocarbon / sulfoxide compound, aromatic hydrocarbon / amide compound, alicyclic hydrocarbon / amide Compounds and the like, and a combination of aromatic hydrocarbon / amide compound, particularly xylene / N, N-dimethylformamide is preferable. The mixing ratio of the nonpolar solvent and the polar solvent is usually 99/1 to 1/99, preferably 99/1 to 50/50, more preferably 98 /, in a weight ratio of [nonpolar solvent] / [polar solvent]. It is in the range of 2 to 65/35. When the ratio of the nonpolar solvent and the polar solvent is within this range, the curable resin after drying is excellent in low swellability and vertical sectional shape.
[0024]
The boiling point of the cleaning solvent of the present invention is appropriately selected according to the use environment, but when it is lower than the boiling point of the organic solvent of the ring structure-containing curable resin solution, it is preferably 5 ° C. or less, more preferably 10 ° C. or less. Particularly preferably, when the temperature is 20 ° C. or less, the curable resin after drying is excellent in low swelling and vertical cross-sectional shape. Here, the boiling point of the mixed solvent is calculated by the following formula.
[Expression 1]

[0025]
As a method for removing an unnecessary curable resin solution using the cleaning solvent of the present invention, for example, a method of moving a nozzle for ejecting the cleaning solvent along the edge of the substrate, a cleaning solvent below the rotating substrate Back rinsing method in which a nozzle for ejecting water is disposed and removed from the back surface of the base material, a method of inserting the edge portion of the base material from a horizontal direction into a storage portion previously filled with a cleaning solvent, and immersing for a predetermined time, a combination thereof, etc. Is mentioned. When the cleaning solvent is ejected from the nozzle, the supply amount of the cleaning solvent is appropriately selected depending on the type and film thickness of the curable resin solution, and is usually 10 to 100 ml / min. Next, the substrate from which the unnecessary curable resin solution has been washed away is dried by heating to remove the solvent, and the coating film is cured as necessary. As described above, it is possible to manufacture an electronic component manufacturing base material having a uniform film thickness from which an unnecessary curable resin solution has been removed and an excellent vertical cross-sectional shape.
[0026]
The dielectric constant (ε) at 1 MHz of the curable resin coating film portion of the obtained base for manufacturing electronic parts may be appropriately selected according to the purpose of use, but is usually 5 or less, preferably 4 or less, more preferably 3.6 or less. The glass transition temperature of the coating film portion is appropriately selected according to the purpose of use, but is usually 70 ° C. or higher, preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher. Although it is appropriately selected depending on the conditions, it is usually 2% or less, preferably 1% or less, preferably 0.5% or less.
[0027]
【Example】
Next, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. In the examples, “parts” means “parts by weight” unless otherwise specified.
<Test and evaluation method>
(1) Glass transition temperature (Tg)
The peak top value of tan δ measured by the DSC method was used for the Tg of the modified graft structure-containing polymer graft after the modification, and the Tg of the cured product after the thermosetting of the curable composition was the DMA method.
(2) Molecular weight The molecular weight (weight average molecular weight and number average molecular weight) of the ring structure-containing polymer (including the graft modified product) was measured as a polystyrene-converted value by gel permeation chromatography using tetrahydrofuran as a solvent.
(3) Hydrogenation rate and modification rate Ring structure-containing polymer (norbornene-based ring-opening polymer) The hydrogenation rate of the main chain and the graft modification rate of the ring structure-containing polymer were measured by ¹ H-NMR.
(4) When the solvent of the solvent boiling point curable resin composition and the cleaning solvent are a mixed solvent of a nonpolar solvent and a polar solvent, a value calculated by the following formula was used.
[Expression 2]

[0028]
(5) Dissolution rate After the curable resin composition applied on the substrate was immersed in a cleaning solvent for 30 seconds, the film thickness was measured by drying in an oven at 80 ° C. for 10 minutes, and the dissolution rate (S) = Calculate the reduced film thickness per minute (μm / min). When S is 5 μm / min or more, ◎, when 3 μm / min or more and less than 5 μm / min, ○, 1 μm / min or more and less than 3 μm / min In the case of △ and less than 1 μm, the evaluation was made on the basis of ×.
(6) Cleaning performance (swellability, vertical cross-sectional shape)
A part of the end face (swelled part) of the curable resin applied on the substrate was immersed in a cleaning solvent for 1 minute, and then dried in an oven at 80 ° C. for 10 minutes, and then the substrate end face was observed. ◎ When there is no swell and no stain or dripping of the curable resin on the part to be cleaned (the cleaning power is very high), there is a slight swell, but the curable resin also spills on the part to be cleaned ◯ when there is no (cleaning power is sufficient), there is a slight rise, and there is a slight stain or sag of the curable resin on the part to be cleaned (cleaning power is insufficient). The case where a stain or sagging of the curable resin was observed in the part (detergency was low) was evaluated according to the criteria of x.
[0029]
(7) Low dielectric constant characteristics The dielectric constant (ε) at 1 MHz is measured in accordance with JIS C6481, and when ε is 2.7 or less, ◎ is greater than 2.7 and is less than 2.85. When the ratio was greater than .85 and less than or equal to 3, the evaluation was based on the criteria of Δ.
(8) Water absorption The water absorption rate (w) is measured in accordance with JIS C6481, and when w is 0.1% or less, ◎, larger than 0.1% and 0.15% or less, ○, 0 The case where it was larger than 15% and 0.2% or less was evaluated on the basis of Δ, and the case where it was larger than 0.2% was evaluated on the basis of ×. (9) ITO (Indium Tin Oxide) was deposited on the curable resin thin film on the heat-resistant silicon substrate (film forming conditions: discharge voltage = 60 V, ITO film thickness = 500 mm, silicon substrate temperature = 20 to 240 ° C.). Observe the appearance of the ITO film in the state, ◎ if there is no wrinkle on the appearance, ○ if there is a fine wrinkle at one end of the silicon substrate, △ if there is a wrinkle on the four ends of the silicon substrate, if there is a wrinkle on the entire surface Evaluation was made based on the criteria of ×.
[0030]
(Production example)
Using a polymerization catalyst comprising tungsten hexachloride, triisobutylaluminum, and isobutyl alcohol, 8-ethyltetracyclo [4.4.1 ^2.5 . 1 ^7.10 . 0] -3-dodecene (hereinafter abbreviated as “ETD”), and then hydrogenated in the presence of a hydrogenation catalyst consisting of nickel acetylacetonate and triisobutylaluminum to hydrogenate a norbornene-based ring-opening polymer. A product (hereinafter referred to as “polymer A”) was obtained. The hydrogenation rate of the polymer A was 99% or more.
[0031]
Next, 100 parts of polymer A, 50 parts of maleic anhydride, 5 parts of dicumyl peroxide, and 300 parts of t-butylbenzene were mixed in an autoclave and reacted at 135 ° C. for 4 hours. The reaction mixture was dropped into isopropyl alcohol, coagulated and dried to obtain a modified polymer. The modified polymer had a Tg of 162 ° C., a weight average molecular weight of 68,100, and a modification rate of 34 mol%.
To 100 parts of the resulting modified polymer, 40 parts of a polyfunctional epoxy compound and 0.5 part of benzylphenylimidazole are mixed to obtain 233 parts of a 1,2,4-trimethylbenzene / cyclohexene (weight ratio 6/4) solution. (Curable resin composition solution A).
[0032]
The curable resin composition solution A was applied onto a Teflon 3 mm substrate by a doctor blade method and cured in nitrogen at 250 ° C. for 2 hours to obtain a film having a thickness of 40 to 50 μm. Using this film, dielectric constant and water absorption were measured. Both dielectric constant and water absorption were ◎.
[0033]
100 parts of the modified polymer, 40 parts of the polyfunctional epoxy compound and 0.5 part of benzylphenylimidazole were mixed and then dissolved in 900 parts of a 1,2,4-trimethylbenzene / cyclohexene (weight ratio 6/4) solution (cured). Resin composition solution B).
[0034]
Separately, the curable resin composition solution B was applied onto a silicon substrate by spin coating, and then thermally cured at 250 ° C. for 2 hours to obtain a thin film having a thickness of 2 μm. The heat resistance was evaluated using this substrate. The heat resistance was ◎.
[0035]
Example 1
The curable resin composition solution B was spin-coated on a 4-inch silicon substrate to form a coating film having a thickness of 3 μm. Next, the dissolution rate and cleaning performance were evaluated using a mixed solvent of p-xylene / N, N-dimethylformamide (weight ratio 95/5). The results are shown in Table 1.
[0036]
(Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 and 2)
A coating film having a thickness of 1 μm was obtained in the same manner as in Example 1 except that the cleaning solvent shown in Table 1 was used, and the dissolution rate and cleaning performance were evaluated. The results are shown in Table 1.
[0037]
In addition, the symbol in Table 1 represents the following meaning, respectively.
XL: xylene DMF: N, N-dimethylformamide DMA: N, N-dimethylacetamide AcOEt: ethyl acetate CH3CN: acetonitrile DMSO: dimethyl sulfoxide EPP: ethyl ethoxypropionate PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate
[Table 1]

[0039]
As is clear from Table 1, the cleaning solvent of each example is superior in dissolution rate and cleaning performance as compared with the cleaning solvent of the comparative example, and the obtained base material has low dielectric constant and low water absorption. And had high heat resistance.
[0040]
【The invention's effect】
As described above, according to the production method of the present invention, a ring structure-containing curable resin solution such as a curable norbornene-based resin is applied onto a glass substrate and adhered to the peripheral portion, the edge portion, the back surface portion, or the like of the substrate. Unnecessary coating parts are washed using a washing solvent consisting of a mixed solvent of a nonpolar solvent and a polar solvent, resulting in excellent cleaning performance in a short time and low swelling of the curable resin portion after drying. The base material for electronic component manufacture excellent in the property and the vertical cross-sectional shape and a cleaning solvent suitable therefor are provided.

Claims

A step of applying a curable resin solution in which a ring structure-containing curable resin is dissolved or dispersed in an organic solvent on a base material, and unnecessary attachment to at least a part of the peripheral portion, the edge portion, and the back surface portion of the base material. a curable resin solution, Ri Do from a nonpolar solvent and a polar solvent, and removing by treatment with a cleaning solvent that have a boiling point lower than the boiling point of the organic solvent of the cyclic structure-containing curable resin solution, the The manufacturing method of the base material for electronic component manufacture which has the process of drying the curable resin solution apply | coated on the base material.

Ring structure-containing epoxy resin, ring structure-containing acrylic resin, ring structure-containing polyimide resin, ring structure-containing polyamide resin, ring structure-containing polycyanate resin, ring structure-containing polyester resin, curable polyphenylene ether resin, curable type A curable resin solution obtained by dissolving or dispersing one or more ring-structure-containing curable resins selected from the group consisting of benzocyclobutene-based resins and curable polynorbornene-based resins in an organic solvent on a substrate a step of applying to the peripheral portion of the substrate, the unwanted curable resin solution adhered to at least a portion of the edge portion and the rear surface portion, Ri Do from a nonpolar solvent and a polar solvent, wherein the ring structure-containing curable removing by treatment with a cleaning solvent that have a boiling point lower than the boiling point of the organic solvent in the resin solution, drying the curable resin solution coated on the substrate Having a degree method of manufacturing an electronic component manufacturing substrate.