JP4540163B2

JP4540163B2 - Cleaning device and method for cleaning an object to be cleaned using the cleaning device

Info

Publication number: JP4540163B2
Application number: JP2000006548A
Authority: JP
Inventors: 至菅野; 益太多田; 哲士大石
Original assignee: SPC Electronics Corp; Renesas Electronics Corp; Taiyo Nippon Sanso Corp
Current assignee: SPC Electronics Corp; Renesas Electronics Corp; Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority date: 2000-01-14
Filing date: 2000-01-14
Publication date: 2010-09-08
Anticipated expiration: 2020-01-14
Also published as: JP2001191040A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエハや液晶基板等の表面の汚染物の除去を行う洗浄装置、および被洗浄物の洗浄方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図５に半導体ウエハや液晶基板等の表面洗浄に用いられている従来の洗浄装置の模式図を示す。図において、１は洗浄カップ、２は半導体ウエハ、３はステージで洗浄カップ１内で半導体ウエハ２を保持する。４はモータで前記ステージ３を回転させる。５１はノズルで半導体ウエハ２の表面に向けて微小水滴（ミスト）を噴出する。６はロボットアームでノズル５１を保持し移動させる。７１はガス供給ラインで、ガス用フィルタ８と開閉弁９１と流量計１０およびレギュレータ１１とを備え、前記ノズル５１に配管７１ａを経て加圧したガスを供給する。１２０は液体供給ラインで、液体用フィルタ１３と開閉弁１４と流量計１５およびレギュレータ１６とを備え、前記ノズル５１に配管１２０ａを経て加圧した純水等の液体を供給する。１７は排気口で洗浄カップ１に接続されている。
ガス供給ライン７１に送られるガス供給源は、通常この装置を設置している半導体製造工場等の工場内に備えられている１０ｋｇｆ／ｃｍ²以下の乾燥空気や窒素等のガスライン、またはガスボンベ等である。
【０００３】
このような装置のガス供給ライン７１は、ガスの供給源からノズル５１までは、開閉弁９１、流量計１０、レギュレータ１１、ガス用フィルタ８の順に接続されており、ガス用フィルタ８はノズル５１の接続口の下方に位置している。また、液体供給ライン１２０に送られる液体の供給源には、通常この装置を設置している半導体製造工場等の工場内に備えている５ｋｇｆ／ｃｍ²以下の純水や薬液のラインが接続されている。この装置内の液体供給ライン１２０において、液体の供給源からノズル５１までは、開閉弁１４、流量計１５、レギュレータ１６、液体用フィルタ１３の順に接続されており、液体用フィルタ１３からノズル５１までの配管１２０ａはノズル５１の接続口の上方に位置している。
【０００４】
次に動作について説明する。半導体ウエハ２をステージ３に固定し、所定の回転数で回転させる。ガス供給ライン７１の開閉弁９１と、液体供給ライン１２０の開閉弁１４とを同時に開き、ガスと液体とがノズル５１に供給される。図６に示すノズル５１の断面図を参照し、ノズル５１内ではガスと液体とが混合され、液体は粒状の液滴５０に変化し、ガスの流れによって加速され、先端５１ｄから噴出される。噴出した液滴５０は半導体ウエハ２表面に衝突し、半導体ウエハ２表面上に付着している汚染物を除去する。半導体ウエハ２から除去された汚染物と、半導体ウエハ２表面衝突後に飛散した液滴５０と、ノズル５１から噴出したガスとが、排気口１７より洗浄カップ１内から排出される。洗浄時、半導体ウエハ２の全面を洗浄するために、ノズル５１を保持、移動させるロボットアーム６によって、ノズル５１を半導体ウエハ２の表面（水平）方向に移動させている。洗浄終了時には、開閉弁９１と開閉弁１４とが同時に閉じ、液滴５０の噴射が終了する。半導体ウエハ２表面をより清浄にするために、ガス用フィルタ８、および液体用フィルタ１３によって、ガス、および液体に含まれる異物のフィルタリングを行っている。また、流量計１０とレギュレータ１１、および流量計１５とレギュレータ１６によって、ガスおよび液体の流量と供給圧力を制御している。例えば、ガスの供給圧力と流量は１〜５ｋｇｆ／ｃｍ²、１０〜２００ｌ／ｍｉｎ、液体の供給圧力と流量は１〜５ｋｇｆ／ｃｍ²、１００〜１０００ｃｃ／ｍｉｎに設定される。
【０００５】
図６を参照し、ノズル５１は混合部５１ａと先端部５１ｂより構成されており、いずれも円形直管形状である。混合部５１ａではガスと液体が混合され、微小な液滴が形成される。先端部５１ｂ内側の断面積は混合部５１ａの断面積より小さいため、先端部５１ｂではガスの流速が速くなり、液滴がより微細化、加速されて噴出される。先端部５１ｂの断面積が小さいため、洗浄中（液滴５０の噴出中）、混合部５１ａ内にはガス、および液体の供給圧力が生じている。そのため、ガスと液体の供給圧力は各々同程度、もしくは、ガスよりも液体の供給圧力を高くする必要がある。液体の供給圧力が低く、ガスとの圧力差が多きときはガスの供給圧力に押されて、液体はノズル５１に流入されず、液体が逆流してしまう。通常液体の流量はガスの流量より小さいため、液体の供給圧力が高くても、ガス供給ライン７１は液体が逆流することはない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような従来の装置では、ガス供給ライン７１における開閉弁９１等の部品や、これらを接続する継手部品等のガス流路の断面積が、ノズル５１の先端部の断面積より小さい。特に、図６を参照して、ノズル５１と接続する接続部５１ｃの断面積が小さい。洗浄力は液滴５０の噴出速度で決定され、噴出速度はノズルの先端部５１ｂの断面積とガスの流量で決定される。洗浄力を高めるためにはガスの流量が多くなければならないが、接続部５１ｃや継手部品等にノズル５１の先端部５１ｂの断面積より小さい部分があると、そこでガスが流れにくくなり、結果、洗浄力が低下するという問題が生じていた。
【０００７】
また、従来の装置では、ガス用フィルタ８とノズル５１との間には配管７１ａと継手部品（図示せず）が接続されており、ガス流量が多い場合には、継手部品より発塵することが確認されている。
【０００８】
また、従来の装置では、ガス用フィルタ８がノズル５１の下方にあるため、洗浄終了時に液体がガス用フィルタ８に流入するという問題を生じていた。開閉弁９１と開閉弁１４を閉じた直後、開閉弁１４の後段にある液体用フィルタ１３にかかった圧力によって、少量の液体がガス供給ラインに逆流する。逆流した液体は、ノズル５１の下方にあるガス用フィルタ８に流入される。ガス用フィルタ８に液体が入り込むと、フィルタ８の異物補集効率が低下し、更には発塵を生じてしまう。
【０００９】
また、従来の装置では、ガス用フィルタ８と開閉弁９１との間にレギュレータ１１があるため、洗浄開始直後にガス流量が設定より多くなり、発塵を引き起こすという問題を生じていた。つまり開閉弁９１が開いた直後には、レギュレータ１１にガスの供給源の高い圧力がかかるため、レギュレータ１１での圧力調整が瞬間的には対応できず、大流量のガスが流れる。瞬間的に大流量のガスが流れると、継手部品より発塵し、また、ガス用フィルタ８の異物補集効率が低下および発塵を生じてしまう。
【００１０】
また、従来の装置では、液体供給ライン１２０に送られる液体の供給源に、工場に備えられている純水ラインや薬液ラインが接続されているため、液体の供給量が安定せず洗浄効果を低下させるという問題を生じていた。通常、工場に備えられている純水ラインや薬液ラインには、他の装置が接続されており、他の装置の使用状況によってこれらの供給圧力が変化する。液体の供給圧力が変動すると、供給量が変動し安定した洗浄ができない。なお、ガスの供給源である工場に備えられているガスラインやガスボンベの場合には、ガスの供給圧力が安定しており流量低下を引き起こすことはない。また、純水ラインや薬液ラインでは供給圧力が最大５ｋｇｆ／ｃｍ²程度と低いため、ガスの流量を高めたとしても純水や薬液が流れにくく、洗浄力を上げることができないという問題も生じていた。純水ラインや薬液ラインの供給圧力は通常の半導体工場等では最大５ｋｇｆ／ｃｍ²程度であり、ガスの供給圧力はそれと同等か以下にする必要があるため、ガスの流量が制限され、十分な洗浄力が得られない。
【００１１】
また、従来の装置では、液体用フィルタ１３が開閉弁１４とノズル５１との間にあり、更に液体用フィルタ１３からノズル５１までの配管１２０ａがノズル５１の接続口の上方に位置しているため、洗浄開始時に液体が流れない、もしくは液体の流量が低下して、洗浄効果を下げるという問題を生じていた。これは、通常、液体用フィルタ１３内には気体が多少混入されており、開閉弁１４が閉じている時は、液体用フィルタ１３に圧力がかかっていないため、液体用フィルタ１３内には気体の空間が存在する。洗浄開始時の開閉弁１４が開いた直後に、液体用フィルタ１３に圧力がかかり、この気体が収縮されるため、液体が流れにくくなるためである。また、ノズル５１に接続している液体供給ライン１２０の配管１２０ａが接続口の上方に位置しているため、洗浄終了後に、配管内の液体が自重落下によりノズル５１を通して排出される。洗浄開始時の開閉弁１４が開いた直後には、配管内には液体がないため、数秒間液体が流れないこともあるという問題点も有している。
【００１２】
この発明は以上のような問題点を解決するためになされたものであり、高清浄な洗浄を可能とし、かつ洗浄効果の高い洗浄装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る洗浄装置は、洗浄カップ上に設けられたノズル内で、加圧されたガスと液体とを混合、噴射して、被洗浄物上の汚染物を除去するものであって、ノズルにはガス供給ラインと液体供給ラインが接続され、このガス供給ラインに備えられたガス用フィルタ、流量調整弁、レギュレータ、第１の流量計とこれらを接続する配管や継手部のガス流路の断面積が、ノズルの先端部の断面積より大きいものである。ガス供給ラインの部品は、ノズル側よりガス用フィルタ、流量調整弁、第１の流量計、レギュレータの順に配置されており、ガス用フィルタがノズルの上方に位置して設けられる。ガス供給ラインのガス用フィルタと流量調整弁との間から分岐し、レギュレータの後方につながる分岐ラインを設けている。液体供給ラインには、第１の開閉弁、液体用フィルタ、第２の流量計を備え、ノズルと液体用フィルタとの間に第１の開閉弁が配置されている。
【００１４】
また、ノズルとガス用フィルタとが互いに直接に接続されたものである。
【００１９】
また、分岐ラインは、ガス用フィルタ側から第２の開閉弁、第３の流量計、レギュレータの順に配置されたものである。
【００２０】
また、上記流量調整弁が第３の開閉弁である。
【００２３】
さらにこの発明に係る洗浄方法は、洗浄カップ上に設けられたノズル内で、加圧されたガスと液体とを混合、噴射して、被洗浄物上の汚染物を除去する洗浄装置であって、ノズルにはガス供給ラインと液体供給ラインが接続され、このガス供給ラインに備えられたガス用フィルタ、流量調整弁、レギュレータ、第１の流量計とこれらを接続する配管や継手部のガス流路の断面積が、ノズルの先端部の断面積より大きいものであり、ガス供給ラインの部品は、ノズル側よりガス用フィルタ、流量調整弁、第１の流量計、レギュレータの順に配置されており、前記ガス用フィルタが前記ノズルの上方に位置して設けられており、ガス供給ラインのガス用フィルタと流量調整弁との間から分岐し、レギュレータの後方につながる分岐ラインを設けており、液体供給ラインには、第１の開閉弁、液体用フィルタ、第２の流量計を備え、ノズルと液体用フィルタとの間に第１の開閉弁が配置されている洗浄装置を用いた、被洗浄物の洗浄方法である。洗浄待機時には、ガス供給ラインの流量調整弁を調整して小開度として少流量のガスを供給し、洗浄時には設定したガス流量となるよう、流量調整弁を調整するものである。
【００２４】
上記分岐ラインは第２の開閉弁を含んでいる。洗浄待機時には、上記分岐ラインから少流量のガスを供給し、洗浄時には、分岐ラインの第２の開閉弁を閉とする洗浄方法である。
【００２５】
さらにこの発明に係る洗浄方法は、ガス圧力を１〜７ｋｇｆ／ｃｍ²、流量を１０〜３０ｌ／ｍｉｎとし、液体圧力を１〜７ｋｇｆ／ｃｍ²、流量を１００〜１０００ｃｃ／ｍｉｎとするものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下この発明の実施の形態１を図１、図２について説明する。図１は洗浄装置の模式図、図２は図１に示すノズル５の断面図を示す。
図において、１は洗浄カップ、２は被洗浄物である半導体ウエハ、３はステージ、４はモータ、５はノズルで微小水滴を噴出する。６はロボットアーム、７はガス供給ラインで従来の全開閉動作を行う開閉弁に代わり、ガス流量をコントロールする流量調整弁９が備えられている。ガスの供給源からノズル５までの間に、レギュレータ１１、流量計１０、流量調整弁９の順に配管７ａを介してガス用フィルタ８に接続されている。このガス用フィルタ８はノズル５の上方に位置し、そのノズル接続口に直接接続されている。このガス供給ライン７における流量調整弁９等の部品や、これらを接続する接続部や継手部品は、洗浄時の所定流量のガスを流したとき、そのガス流路断面積が、図２に示すノズル５の先端部５ｂの断面積より大きく設けてある。１２は液体供給ラインで、純水や薬液を備える液体タンク１６を備えている。
液体タンク１６からノズル５までは、流量計１５、液体用フィルタ１３、開閉弁１４の順で配管１２ａを介して接続されており、開閉弁１４からノズル５までの配管１２ａはノズル５の接続口の下方に位置している。図２を参照し、ノズル５とガス用フィルタ８とは継手部品を介して、もしくは溶接等により直接接続されており、接続部８ａのガス流路の断面積は、少なくとも先端部５ｂの断面積より大きく、好ましくは混合部５ａの断面積より大きい。
図４に液体タンク１６の模式図を示す。液体タンク１６には本装置が備えられている工場の純水ラインや薬液ラインが開閉弁２２を介して接続されている。またこの液体タンク１６にはガス供給源と同様の工場に備えられている乾燥空気や窒素ガス等のガスラインが、レギュレータ２３、開閉弁２４を介して接続されている。
【００２７】
次に動作について説明する。図１において、洗浄時以外の処理待機時は、流量調整弁９がわずかに開き少量のガスを流す。これはいわゆるパージと呼ばれるものでガス流量は１〜５０ｌ／ｍｉｎ程度である。洗浄時には、流量調整弁９が設定した流量になるように開き、同時に液体供給ライン１２の開閉弁１４が開いて、ガスと液体とがノズル５に供給される。洗浄中の動作は従来と同様であり、ガスの供給圧力と流量は、例えば１〜７ｋｇｆ／ｃｍ²、１０〜３００ｌ／ｍｉｎに設定される。洗浄終了時には、流量調整弁９が処理待機時の設定にもどり同時に開閉弁１４を閉じる。次に、液体供給ライン１２の動作について図３に基づき説明する。処理待機時、開閉弁２２が開いて液体タンク１６に液体を供給し設定した量の液体が充填される。次に、開閉弁２２を閉じ開閉弁２４が開いて、レギュレータ２３によって圧力調整されたガスが液体タンク１６に供給され、液体タンク１６内の圧力はガスの供給圧力と同じになる。この圧力は、例えば１〜７ｋｇｆ／ｃｍ²の範囲に設定される。洗浄開始時にはガスの供給と同時に開閉弁１４が開いて液体がノズル５へ供給される。液体の供給圧力と流量は、例えば、１〜７ｋｇｆ／ｃｍ２、１００〜１０００ｃｃ／ｍｉｎに設定される。洗浄終了時は、ガスの供給量を絞るのと同時に開閉弁１４を閉じて液体の供給が停止される。
【００２８】
このように本実施の形態１では、ガス供給ライン７における流量調整弁９等の部品や、これらを接続する接続部や継手部品等のガス流路の断面積が、ノズル５の先端部５ｂの断面積より大きい。また、図２を参照して、ノズル５と接続する接続部８ａの断面積が、先端部５ｂの断面積より大きい。従って、ガスの流量を多くすることができるため、洗浄力の高い、高清浄の洗浄が可能となる。
また、ガス用フィルタ８とノズル５が直接接続されているので、従来のように発塵することがない。
また、ガス用フィルタ８がノズル５の上方に設けてあるため、洗浄終了時に液体がガス用フィルタ８に流入することはなく、流量調整弁９により洗浄終了後も常にガスがノズル５へ流れているため、液体がガスのラインに逆流することはない。従って、ガス用フィルタ８に液体が流入して、フィルタ８の異物補集効率が低下し、更には発塵を生じるようなことがない。
【００２９】
また、流量調整弁９を備えることによって、洗浄力が違う複数の条件での洗浄が可能になるという効果も有する。本洗浄の洗浄力は液滴５０の噴出速度に依存するが、液滴５０の噴出速度を速めて洗浄力を高めると、半導体ウエハ２表面に形成された微細パターンにダメージを与えてしまう場合がある。このため、微細パターンがあるような場合は、液滴５０の噴出速度を下げて使用する必要がある。このようにいくつかの条件を選択して洗浄するために、流量調整弁９によるガス流量の制御によって簡便にガス流量を変更し、洗浄力およびダメージを制御した洗浄が可能となる。
また、本実施の形態１では、図１を参照して、ガス用フィルタ８とレギュレータ１１との間に、流量調整弁９があるため、洗浄開始時には前段にあるレギュレータ１１によって予め調整された圧力が流量調整弁９にかかるため、流量調整弁９が開いた直後に大流量のガスが流れることはない。従って、瞬間的に大流量のガスが流れて、継手部品より発塵し、また、ガス用フィルタの異物補集効率が低下および発塵を生じることがない。
【００３０】
また、本実施の形態１では、液体タンク１６内に貯蔵した液体に圧力調整したガスで加圧し、液体タンク１６から液体をノズル５に供給しているため、供給圧力が一定で安定した液体の供給が可能である。従って、安定した洗浄効果を得られる。また、液体タンク１６に加圧するガスの圧力は工場に備えられたガスラインで、おおよそ１０ｋｇｆ／ｃｍ²程度まで可能であり、通常設定されるノズル５から噴出されるガスの供給圧力の最大７ｋｇｆ／ｃｍ²程度には十分対応可能である。従って、ガス供給ライン７からのガスの供給圧力を高くできるため、ガスの流量を多くすることができ十分な洗浄力を得ることが可能となる。
【００３１】
また、本実施の形態１では、液体供給ライン１２の開閉弁１４が液体用フィルタ１３とノズル５との間にあり、さらに開閉弁１４からノズル５までの配管１２ａがノズル５の下方に接続しているため、洗浄開始時に液体が確実に流れ、優れた洗浄効果を得ることが可能である。
【００３２】
実施の形態２．
図４に実施の形態２の洗浄装置の模式図を示す。この実施の形態２は、実施の形態１に示したガス供給ライン７に分岐ライン１８を設けたものである。図において、１９は開閉弁、２０は流量計、２１はレギュレータが配管１８ａを介して備えられており、この配管１８ａにはガス供給ライン７のガス用フィルタ８と流量調整弁９との間から分岐し、ガス供給ライン７のレギュレータ１１の後方につながるよう設けられている。
この実施の形態２では、洗浄時以外の処理待機時には、分岐ライン１８を通してノズル５にガスを流す。これもいわゆるパージと呼ばれているもので、ガス供給ライン９の流量調整弁を全閉とし、開閉弁１９を開いて、レギュレータ２１と流量計２０によって予め設定された少流量のガスを分岐ライン１８からノズル５に流す。この時のガス流量は実施の形態１で示した図１の流量調整弁９によるパージの場合と同様の１〜５０ｌ／ｍｉｎに設定する。洗浄開始時には開閉弁１９が閉じると同時に流量調整弁９が開き、ガス供給ライン７を通してノズル５にガスが流れる。洗浄終了時には処理待機時の状態にもどる。
このような分岐ライン１８を備えているので、洗浄終了後も常にガスがノズル５に流れているため、液体がガス供給ラインに逆流することはなく、フィルタ８の劣化や発塵を生じることはない。またガス流量の異なる運転も可能となり、実施の形態１と同様に簡便にガス流量を変更し、洗浄力およびダメージを制御した洗浄が可能となる。
なおこの実施の形態２では、ガス供給ライン７に流量調整弁９を設ける場合について述べたが、この流量調整弁９に代わり、分岐ライン１８と同様の開閉弁１９を開いても同等の作用効果を奏することはいうまでもない。またさらに分岐ラインを単数の場合について述べたが、同じ構成の分岐ラインを複数設けることにより、ガス流量の異なるガス供給が行え、洗浄力やダメージを制御した洗浄が可能となる。また、実施の形態１、２では被洗浄物に半導体ウエハの例を示したが、これに限らず液晶基板やその他の微細構造を有するものであってもよい。
【００３３】
【発明の効果】
この発明は以上述べたように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
【００３４】
ガス供給ラインに設けられたガス用フィルタ、流量調整弁、流量計、レギュレータやそれらを接続する配管や継手部のガス流路の断面積が、ノズル先端部の断面積より大きいので、ガス流量を多くすることができ、洗浄力の高い高洗浄が可能となる。
【００３５】
また、液体供給ラインに液体タンクを設け、その中の液体がガスで加圧されているので、供給圧力が一定で安定した液体の供給が可能であり、また、ガス供給ラインのガス圧力に対応した液体タンクの加圧が可能となり、ガス流量を多くした高い洗浄力が得られる。
【００３６】
さらに、ガス用フィルタがノズルの上方に位置して設けられているので、洗浄終了時に液体がガス用フィルタに流入することがなく、フィルタの効率低下や発塵を生じることがない。
【００３７】
また、ガス供給ラインはノズル側よりガス用フィルタ、流量調整弁、流量計、レギュレータの順に配置されているので、流量調整弁を開とした直後に大流量のガスは流れない。従って継手部品等からの発塵が防止され、ガス用フィルタの性能を低下させない。
【００３８】
さらに、ノズルとガス用フィルタが互いに直接接続されているので、発塵を少なくすることができる。
【００３９】
また、ガス供給ラインに流量調整弁を設け、あるいは分岐ラインを設けたので、ガス流量の制御や変更が容易となり、洗浄力およびダメージを制御した洗浄が可能となる。
【００４０】
さらに液体供給ラインはの配管がノズルの下方に接続されているため、また、液体供給ラインの開閉弁が、液体フィルタとノズルとの間に設けられているので、洗浄開始時に液体が確実に流れ、優れた洗浄効果を奏する。
【００４１】
また、流量調整弁または分岐ラインを設けたので、洗浄終了後も常にガスをノズルに流すことができ、液体がガス供給ラインに逆流しない。
【００４２】
さらに、ガス圧力や流量の使用可能範囲に対応した液体圧力や流量を選定した洗浄方法を採用することができ、また、異なったガス流量での洗浄方法も可能となる優れた洗浄方法を提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１を示す模式図である。
【図２】この発明の実施の形態１のノズル部の断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１の液体タンクの模式図である。
【図４】この発明の実施の形態２を示す模式図である。
【図５】従来例の洗浄装置の模式図である。
【図６】従来例のノズル部の断面図である。
【符号の説明】
１洗浄カップ、２半導体ウエハ、３ステージ、４モータ、
５，５１ノズル、５ａ，５１ａ混合部、５ｂ，５１ｂ先端部、
５１ｃ接続部、５１ｄ先端、６ロボットアーム、
７，７１ガス供給ライン、７ａ，７１ａ配管、８ガス用フィルタ、
８ａ接続部、９流量調整弁、１０，１５，２０流量計、
１１，２１，２３レギュレータ、１２，２０液体供給ライン、
１２ａ，１２０ａ配管、１３液体用フィルタ、
１４，１９，２２，２４，９１開閉弁、１６液体タンク、１７排気口、
１８分岐ライン、５０液滴。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a cleaning apparatus for removing contaminants on the surface of a semiconductor wafer, a liquid crystal substrate, and the like , and a cleaning method for an object to be cleaned .
[0002]
[Prior art]
FIG. 5 is a schematic view of a conventional cleaning apparatus used for cleaning the surface of a semiconductor wafer, a liquid crystal substrate or the like. In the figure, 1 is a cleaning cup, 2 is a semiconductor wafer, and 3 is a stage for holding the semiconductor wafer 2 in the cleaning cup 1. Reference numeral 4 denotes a motor that rotates the stage 3. Reference numeral 51 denotes a nozzle that ejects minute water droplets (mist) toward the surface of the semiconductor wafer 2. A robot arm 6 holds and moves the nozzle 51. A gas supply line 71 includes a gas filter 8, an on-off valve 91, a flow meter 10, and a regulator 11, and supplies pressurized gas to the nozzle 51 through a pipe 71a. A liquid supply line 120 includes a liquid filter 13, an on-off valve 14, a flow meter 15, and a regulator 16, and supplies liquid such as pure water pressurized through the pipe 120 a to the nozzle 51. Reference numeral 17 denotes an exhaust port connected to the cleaning cup 1.
The gas supply source sent to the gas supply line 71 is usually a gas line of dry air or nitrogen of 10 kgf / cm ² or less provided in a factory such as a semiconductor manufacturing factory where the apparatus is installed, or a gas cylinder or the like. It is.
[0003]
The gas supply line 71 of such a device is connected from the gas supply source to the nozzle 51 in the order of the on-off valve 91, the flow meter 10, the regulator 11, and the gas filter 8. The gas filter 8 is connected to the nozzle 51. It is located below the connection port. In addition, a source of liquid sent to the liquid supply line 120 is connected to a line of pure water or chemical solution of 5 kgf / cm ² or less which is usually provided in a factory such as a semiconductor manufacturing factory where the apparatus is installed. ing. In the liquid supply line 120 in this apparatus, the on-off valve 14, the flow meter 15, the regulator 16, and the liquid filter 13 are connected in this order from the liquid supply source to the nozzle 51, and from the liquid filter 13 to the nozzle 51. The pipe 120 a is located above the connection port of the nozzle 51.
[0004]
Next, the operation will be described. The semiconductor wafer 2 is fixed to the stage 3 and rotated at a predetermined rotational speed. The on-off valve 91 of the gas supply line 71 and the on-off valve 14 of the liquid supply line 120 are simultaneously opened, and gas and liquid are supplied to the nozzle 51. Referring to the cross-sectional view of the nozzle 51 shown in FIG. 6, gas and liquid are mixed in the nozzle 51, the liquid is changed into granular droplets 50, accelerated by the gas flow, and ejected from the tip 51d. The ejected droplet 50 collides with the surface of the semiconductor wafer 2 and removes contaminants adhering to the surface of the semiconductor wafer 2. Contaminants removed from the semiconductor wafer 2, droplets 50 scattered after the surface collision of the semiconductor wafer 2, and gas ejected from the nozzle 51 are discharged from the cleaning cup 1 through the exhaust port 17. At the time of cleaning, in order to clean the entire surface of the semiconductor wafer 2, the nozzle 51 is moved in the surface (horizontal) direction of the semiconductor wafer 2 by the robot arm 6 that holds and moves the nozzle 51. At the end of cleaning, the on-off valve 91 and the on-off valve 14 are simultaneously closed, and the ejection of the droplet 50 is finished. In order to make the surface of the semiconductor wafer 2 cleaner, the gas filter 8 and the liquid filter 13 filter foreign substances contained in the gas and liquid. Further, the flow rate of gas and liquid and the supply pressure are controlled by the flow meter 10 and the regulator 11, and the flow meter 15 and the regulator 16. For example, the gas supply pressure and flow rate are set to 1 to 5 kgf / cm ² and 10 to 200 l / min, and the liquid supply pressure and flow rate are set to 1 to 5 kgf / cm ² and 100 to 1000 cc / min.
[0005]
Referring to FIG. 6, the nozzle 51 is composed of a mixing part 51a and a tip part 51b, both of which have a circular straight pipe shape. In the mixing part 51a, the gas and the liquid are mixed to form minute droplets. Since the cross-sectional area inside the tip portion 51b is smaller than the cross-sectional area of the mixing portion 51a, the gas flow velocity becomes faster at the tip portion 51b, and the liquid droplets are made finer, accelerated, and ejected. Since the cross-sectional area of the front end portion 51b is small, gas and liquid supply pressures are generated in the mixing portion 51a during cleaning (during ejection of the droplet 50). For this reason, the supply pressure of the gas and the liquid must be approximately the same, or the supply pressure of the liquid must be higher than that of the gas. When the supply pressure of the liquid is low and the pressure difference with the gas is large, the pressure is pushed by the supply pressure of the gas, so that the liquid does not flow into the nozzle 51 and the liquid flows backward. Since the liquid flow rate is usually smaller than the gas flow rate, the liquid does not flow back through the gas supply line 71 even if the liquid supply pressure is high.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional apparatus as described above, the cross-sectional area of the gas flow path of the parts such as the on-off valve 91 in the gas supply line 71 and the joint parts connecting them is smaller than the cross-sectional area of the tip of the nozzle 51. In particular, referring to FIG. 6, the cross-sectional area of the connecting portion 51c connected to the nozzle 51 is small. The cleaning force is determined by the ejection speed of the droplet 50, and the ejection speed is determined by the cross-sectional area of the nozzle tip 51b and the gas flow rate. In order to increase the cleaning power, the flow rate of the gas must be large. However, if there is a portion smaller than the cross-sectional area of the tip portion 51b of the nozzle 51 in the connection portion 51c, the joint part, etc., the gas does not easily flow there. There has been a problem that the cleaning power is reduced.
[0007]
In the conventional apparatus, a pipe 71a and a joint part (not shown) are connected between the gas filter 8 and the nozzle 51, and dust is generated from the joint part when the gas flow rate is large. Has been confirmed.
[0008]
Moreover, in the conventional apparatus, since the gas filter 8 is located below the nozzle 51, there has been a problem that the liquid flows into the gas filter 8 at the end of cleaning. Immediately after the on-off valve 91 and the on-off valve 14 are closed, a small amount of liquid flows back to the gas supply line due to the pressure applied to the liquid filter 13 downstream of the on-off valve 14. The backflowed liquid flows into the gas filter 8 below the nozzle 51. When liquid enters the gas filter 8, the foreign matter collection efficiency of the filter 8 is reduced, and further dust generation occurs.
[0009]
Further, in the conventional apparatus, since the regulator 11 is provided between the gas filter 8 and the on-off valve 91, the gas flow rate becomes higher than the setting immediately after the start of cleaning, causing a problem of causing dust generation. That is, immediately after the opening / closing valve 91 is opened, a high pressure of the gas supply source is applied to the regulator 11, so that the pressure adjustment in the regulator 11 cannot be instantaneously handled, and a large flow rate of gas flows. When a large flow rate of gas flows instantaneously, dust is generated from the joint parts, and the foreign matter collecting efficiency of the gas filter 8 is reduced and dust is generated.
[0010]
In addition, in the conventional apparatus, since a pure water line or a chemical liquid line provided in the factory is connected to a liquid supply source that is sent to the liquid supply line 120, the amount of liquid supply is not stable and a cleaning effect is obtained. There was a problem of lowering. Usually, other devices are connected to a pure water line or a chemical solution line provided in a factory, and these supply pressures vary depending on the use status of the other devices. When the supply pressure of the liquid fluctuates, the supply amount fluctuates and stable cleaning cannot be performed. In the case of a gas line or gas cylinder provided in a factory that is a gas supply source, the gas supply pressure is stable and does not cause a decrease in the flow rate. In addition, since the supply pressure of the pure water line and the chemical liquid line is as low as about 5 kgf / cm ^{2 at} maximum, there is a problem that even if the gas flow rate is increased, the pure water and the chemical liquid are difficult to flow and the cleaning power cannot be increased. It was. The supply pressure of the pure water line and the chemical solution line is about 5 kgf / cm ² at the maximum in a normal semiconductor factory, etc., and the gas supply pressure needs to be equal to or less than that. Detergency cannot be obtained.
[0011]
Further, in the conventional apparatus, the liquid filter 13 is located between the on-off valve 14 and the nozzle 51, and the pipe 120 a from the liquid filter 13 to the nozzle 51 is located above the connection port of the nozzle 51. However, there is a problem that the liquid does not flow at the start of cleaning, or the flow rate of the liquid is lowered to reduce the cleaning effect. This is because gas is usually mixed in the liquid filter 13 and when the on-off valve 14 is closed, no pressure is applied to the liquid filter 13. There exists a space. This is because pressure is applied to the liquid filter 13 immediately after the opening and closing valve 14 at the start of cleaning is opened, and this gas is contracted, so that it is difficult for the liquid to flow. Further, since the pipe 120a of the liquid supply line 120 connected to the nozzle 51 is located above the connection port, the liquid in the pipe is discharged through the nozzle 51 due to its own weight drop after the end of cleaning. Immediately after opening the on-off valve 14 at the start of cleaning, there is no liquid in the pipe, so there is a problem that the liquid may not flow for several seconds.
[0012]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a cleaning apparatus that enables highly clean cleaning and has a high cleaning effect.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
A cleaning device according to the present invention is a device that removes contaminants on an object to be cleaned by mixing and spraying pressurized gas and liquid in a nozzle provided on a cleaning cup. The gas supply line and the liquid supply line are connected to the gas filter, the flow regulating valve, the regulator, the first flow meter, and the gas flow paths of the pipes and joints connecting them. The cross-sectional area is larger than the cross-sectional area of the tip of the nozzle. The components of the gas supply line are arranged in the order of a gas filter, a flow rate adjusting valve, a first flow meter, and a regulator from the nozzle side, and the gas filter is provided above the nozzle. A branch line is provided which branches from between the gas filter and the flow rate adjustment valve of the gas supply line and is connected to the rear of the regulator. The liquid supply line includes a first on-off valve, a liquid filter, and a second flow meter, and the first on-off valve is disposed between the nozzle and the liquid filter.
[0014]
The nozzle and the gas filter are directly connected to each other.
[0019]
The branch line is arranged in the order of the second on-off valve, the third flow meter, and the regulator from the gas filter side.
[0020]
The flow rate adjusting valve is a third on-off valve.
[0023]
Furthermore, the cleaning method according to the present invention is a cleaning apparatus that removes contaminants on an object to be cleaned by mixing and spraying pressurized gas and liquid in a nozzle provided on the cleaning cup. A gas supply line and a liquid supply line are connected to the nozzle, and a gas filter, a flow rate adjusting valve, a regulator, a first flow meter, and a gas flow in a pipe and a joint portion connecting them are provided in the gas supply line. The cross-sectional area of the passage is larger than the cross-sectional area of the tip of the nozzle, and the gas supply line components are arranged in the order of gas filter, flow control valve, first flow meter, regulator from the nozzle side. the gas filter is provided in a position above the nozzle, it is branched from between the gas filter and the flow control valve of the gas supply line, provided with a branch line leading to the rear of the regulator Ri, the liquid supply line, the first on-off valve, liquid filter, comprising a second flow meter, using the cleaning apparatus in which the first on-off valve is arranged between the nozzle and the liquid filter This is a method for cleaning an object to be cleaned. At the time of cleaning standby, the flow rate adjusting valve of the gas supply line is adjusted to supply a small amount of gas with a small opening, and at the time of cleaning, the flow rate adjusting valve is adjusted so that the set gas flow rate is obtained.
[0024]
Upper Symbol branch line includes a second on-off valve. This is a cleaning method in which a small flow rate gas is supplied from the branch line during cleaning standby and the second on-off valve of the branch line is closed during cleaning.
[0025]
Further, in the cleaning method according to the present invention, the gas pressure is 1 to 7 kgf / cm ² , the flow rate is 10 to 30 l / min, the liquid pressure is 1 to 7 kgf / cm ² , and the flow rate is 100 to 1000 cc / min. .
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiment 1 FIG.
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic view of a cleaning apparatus, and FIG. 2 is a sectional view of the nozzle 5 shown in FIG.
In the figure, 1 is a cleaning cup, 2 is a semiconductor wafer as an object to be cleaned, 3 is a stage, 4 is a motor, and 5 is a nozzle that ejects fine water droplets. 6 is a robot arm, and 7 is a gas supply line, which is provided with a flow rate adjusting valve 9 for controlling the gas flow rate, instead of a conventional open / close valve that performs a full open / close operation. Between the gas supply source and the nozzle 5, a regulator 11, a flow meter 10, and a flow rate adjustment valve 9 are connected to a gas filter 8 via a pipe 7 a in this order. The gas filter 8 is located above the nozzle 5 and is directly connected to the nozzle connection port. The parts such as the flow rate adjusting valve 9 in the gas supply line 7 and the connecting parts and joint parts connecting them have a gas flow path cross-sectional area shown in FIG. It is larger than the cross-sectional area of the tip 5b of the nozzle 5. A liquid supply line 12 includes a liquid tank 16 that includes pure water or a chemical solution.
The liquid tank 16 to the nozzle 5 are connected via a pipe 12 a in the order of the flow meter 15, the liquid filter 13, and the on-off valve 14, and the pipe 12 a from the on-off valve 14 to the nozzle 5 is a connection port of the nozzle 5. It is located below. Referring to FIG. 2, the nozzle 5 and the gas filter 8 are directly connected via joint parts or by welding or the like, and the cross-sectional area of the gas flow path of the connecting portion 8 a is at least the cross-sectional area of the tip portion 5 b. It is larger, preferably larger than the cross-sectional area of the mixing portion 5a.
FIG. 4 shows a schematic diagram of the liquid tank 16. The liquid tank 16 is connected to a pure water line or a chemical liquid line of a factory equipped with this apparatus via an on-off valve 22. The liquid tank 16 is connected to a gas line such as dry air or nitrogen gas provided in the same factory as the gas supply source via a regulator 23 and an on-off valve 24.
[0027]
Next, the operation will be described. In FIG. 1, when waiting for processing other than during cleaning, the flow rate adjusting valve 9 is slightly opened to allow a small amount of gas to flow. This is a so-called purge, and the gas flow rate is about 1 to 50 l / min. At the time of cleaning, the flow rate adjustment valve 9 is opened to a set flow rate, and at the same time, the opening / closing valve 14 of the liquid supply line 12 is opened, and gas and liquid are supplied to the nozzle 5. The operation during cleaning is the same as in the prior art, and the gas supply pressure and flow rate are set to, for example, 1 to 7 kgf / cm ² and 10 to 300 l / min. At the end of cleaning, the flow rate adjusting valve 9 returns to the setting for waiting for processing and simultaneously closes the on-off valve 14. Next, the operation of the liquid supply line 12 will be described with reference to FIG. At the time of processing standby, the on-off valve 22 is opened to supply liquid to the liquid tank 16 and the set amount of liquid is filled. Next, the on-off valve 22 is closed and the on-off valve 24 is opened, so that the gas whose pressure has been adjusted by the regulator 23 is supplied to the liquid tank 16, and the pressure in the liquid tank 16 becomes the same as the gas supply pressure. This pressure is set, for example, in the range of 1 to 7 kgf / cm ² . At the start of cleaning, the on-off valve 14 is opened simultaneously with the supply of gas, and the liquid is supplied to the nozzle 5. The supply pressure and flow rate of the liquid are set to, for example, 1 to 7 kgf / cm 2 and 100 to 1000 cc / min. At the end of cleaning, the supply of liquid is stopped by closing the on-off valve 14 at the same time as the gas supply amount is reduced.
[0028]
As described above, in the first embodiment, the cross-sectional area of the gas flow path of the parts such as the flow rate adjusting valve 9 in the gas supply line 7 and the connecting parts and joint parts connecting them is the same as that of the tip 5b of the nozzle 5. Greater than cross-sectional area. In addition, referring to FIG. 2, the cross-sectional area of connecting portion 8a connected to nozzle 5 is larger than the cross-sectional area of tip portion 5b. Therefore, since the gas flow rate can be increased, highly clean cleaning with high cleaning power is possible.
Further, since the gas filter 8 and the nozzle 5 are directly connected, no dust is generated as in the prior art.
Further, since the gas filter 8 is provided above the nozzle 5, the liquid does not flow into the gas filter 8 at the end of the cleaning, and the gas always flows to the nozzle 5 after the cleaning by the flow rate adjusting valve 9. As a result, liquid does not flow back into the gas line. Therefore, the liquid does not flow into the gas filter 8 and the foreign matter collecting efficiency of the filter 8 is not lowered, and further, no dust is generated.
[0029]
In addition, the provision of the flow rate adjusting valve 9 also has an effect of enabling cleaning under a plurality of conditions having different cleaning powers. The cleaning power of the main cleaning depends on the ejection speed of the droplet 50. However, if the cleaning power is increased by increasing the ejection speed of the droplet 50, the fine pattern formed on the surface of the semiconductor wafer 2 may be damaged. is there. For this reason, when there is a fine pattern, it is necessary to lower the ejection speed of the droplet 50 for use. In order to select and clean several conditions in this way, it is possible to easily change the gas flow rate by controlling the gas flow rate by the flow rate adjusting valve 9, and to perform cleaning with controlled cleaning power and damage.
In the first embodiment, referring to FIG. 1, since the flow rate adjusting valve 9 is provided between the gas filter 8 and the regulator 11, the pressure adjusted in advance by the regulator 11 in the preceding stage at the start of cleaning. Is applied to the flow rate adjusting valve 9, so that a large flow rate gas does not flow immediately after the flow rate adjusting valve 9 is opened. Therefore, a large flow rate of gas flows instantaneously and generates dust from the joint components, and the foreign matter collecting efficiency of the gas filter does not decrease and dust generation does not occur.
[0030]
In the first embodiment, the liquid stored in the liquid tank 16 is pressurized with a gas whose pressure is adjusted, and the liquid is supplied from the liquid tank 16 to the nozzle 5. Supply is possible. Therefore, a stable cleaning effect can be obtained. The pressure of the gas pressurized to the liquid tank 16 can be up to about 10 kgf / cm ² in a gas line provided in the factory, and the maximum supply pressure of the gas ejected from the nozzle 5 that is normally set is 7 kgf / cm ^2. It is possible to sufficiently cope with about cm ² . Therefore, since the gas supply pressure from the gas supply line 7 can be increased, the gas flow rate can be increased and sufficient cleaning power can be obtained.
[0031]
In the first embodiment, the on-off valve 14 of the liquid supply line 12 is between the liquid filter 13 and the nozzle 5, and the pipe 12 a from the on-off valve 14 to the nozzle 5 is connected below the nozzle 5. Therefore, the liquid flows reliably at the start of cleaning, and an excellent cleaning effect can be obtained.
[0032]
Embodiment 2. FIG.
FIG. 4 shows a schematic diagram of the cleaning apparatus of the second embodiment. In the second embodiment, a branch line 18 is provided in the gas supply line 7 shown in the first embodiment. In the figure, 19 is an on-off valve, 20 is a flow meter, and 21 is provided with a regulator via a pipe 18a. The pipe 18a is provided between the gas filter 8 and the flow rate adjusting valve 9 in the gas supply line 7. It branches and is provided so as to be connected to the rear side of the regulator 11 of the gas supply line 7.
In the second embodiment, gas is allowed to flow through the branch line 18 to the nozzle 5 during processing standby other than during cleaning. This is also called so-called purge. The flow rate adjustment valve of the gas supply line 9 is fully closed, the on-off valve 19 is opened, and a small flow rate gas preset by the regulator 21 and the flow meter 20 is branched. Flow from 18 to nozzle 5. The gas flow rate at this time is set to 1 to 50 l / min, which is the same as in the case of purging by the flow rate adjusting valve 9 shown in FIG. At the start of cleaning, the on-off valve 19 is closed and at the same time the flow rate adjusting valve 9 is opened, and gas flows to the nozzle 5 through the gas supply line 7. When cleaning is completed, the process returns to the standby state.
Since such a branch line 18 is provided, the gas always flows to the nozzle 5 even after the end of cleaning, so that the liquid does not flow back to the gas supply line, and the filter 8 is deteriorated or dust is generated. Absent. Further, an operation with a different gas flow rate is possible, and the gas flow rate can be changed simply as in the first embodiment, and the cleaning with the cleaning power and damage controlled can be performed.
In the second embodiment, the case where the gas flow control valve 9 is provided in the gas supply line 7 has been described. However, the same operation and effect can be achieved by opening the on-off valve 19 similar to the branch line 18 instead of the flow control valve 9. Needless to say. Furthermore, although the case where there is a single branch line has been described, by providing a plurality of branch lines having the same configuration, it is possible to supply gas with different gas flow rates and to perform cleaning with controlled cleaning power and damage. In the first and second embodiments, an example of a semiconductor wafer is shown as an object to be cleaned. However, the present invention is not limited to this, and a liquid crystal substrate or other fine structure may be used.
[0033]
【The invention's effect】
Since the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.
[0034]
Since the gas flow path of the gas filter, flow rate adjustment valve, flow meter, regulator and the pipes and joints connecting them to the gas supply line is larger than the cross-sectional area of the nozzle tip, It can be increased, and high cleaning with high cleaning power becomes possible.
[0035]
In addition, a liquid tank is provided in the liquid supply line, and the liquid in it is pressurized with gas, so that the supply pressure is constant and stable liquid supply is possible, and it corresponds to the gas pressure in the gas supply line The liquid tank can be pressurized and a high detergency with an increased gas flow rate can be obtained.
[0036]
Further, since the gas filter is provided above the nozzle, the liquid does not flow into the gas filter at the end of cleaning, and the efficiency of the filter and dust generation do not occur.
[0037]
Further, since the gas supply line is arranged in the order of the gas filter, the flow rate adjustment valve, the flow meter, and the regulator from the nozzle side, a large flow rate gas does not flow immediately after the flow rate adjustment valve is opened. Accordingly, dust generation from the joint parts and the like is prevented, and the performance of the gas filter is not deteriorated.
[0038]
Furthermore, since the nozzle and the gas filter are directly connected to each other, dust generation can be reduced.
[0039]
Further, since the flow rate adjusting valve or the branch line is provided in the gas supply line, the gas flow rate can be easily controlled and changed, and cleaning with controlled cleaning power and damage is possible.
[0040]
Furthermore, since the pipe of the liquid supply line is connected to the lower side of the nozzle, and the on / off valve of the liquid supply line is provided between the liquid filter and the nozzle, the liquid flows reliably at the start of cleaning. Excellent cleaning effect.
[0041]
Further, since the flow rate adjusting valve or the branch line is provided, the gas can always flow to the nozzle even after the cleaning is completed, and the liquid does not flow back to the gas supply line.
[0042]
Furthermore, it is possible to adopt a cleaning method that selects the liquid pressure and flow rate corresponding to the usable range of gas pressure and flow rate, and it is possible to provide an excellent cleaning method that enables cleaning methods with different gas flow rates. It is.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view of a nozzle portion according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic diagram of a liquid tank according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 4 is a schematic diagram showing a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a schematic view of a conventional cleaning apparatus.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional nozzle portion.
[Explanation of symbols]
1 cleaning cup, 2 semiconductor wafer, 3 stage, 4 motor,
5, 51 nozzle, 5a, 51a mixing part, 5b, 51b tip part,
51c connection part, 51d tip, 6 robot arm,
7, 71 gas supply line, 7a, 71a piping, 8 gas filter,
8a connection part, 9 flow control valve, 10, 15, 20 flow meter,
11, 21, 23 regulator, 12,20 liquid supply line,
12a, 120a piping, 13 liquid filter,
14, 19, 22, 24, 91 On-off valve, 16 liquid tank, 17 exhaust port,
18 branch lines, 50 droplets.

Claims

A cleaning device for removing contaminants on an object to be cleaned held in the cleaning cup by mixing and spraying pressurized gas and liquid in a nozzle provided on the cleaning cup. A gas supply line and a liquid supply line are connected to the nozzle, and at least the following parts, a gas filter, a flow regulating valve, a first flow meter, a regulator, and the parts are connected to the gas supply line. A pipe and a joint portion, the pipe connecting the components and the pipe, the cross-sectional area of the gas flow path of the joint portion is larger than the cross-sectional area of the tip of the nozzle,
The parts of the gas supply line are arranged in the order of the gas filter, the flow regulating valve, the first flow meter, and the regulator from the nozzle side,
The gas filter is provided above the nozzle;
Branching from between the gas filter of the gas supply line and the flow regulating valve, and a branch line connected to the rear of the regulator is provided;
The liquid supply line includes a first on-off valve, a liquid filter, and a second flowmeter, and the first on-off valve is disposed between the nozzle and the liquid filter. And a cleaning device.

The cleaning apparatus according to claim 1 , wherein the branch line is arranged in the order of a second on-off valve, a third flow meter, and a regulator from the gas filter side.

The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the nozzle and the gas filter are directly connected to each other.

The said flow control valve is a 3rd on-off valve, The washing | cleaning apparatus of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.

A cleaning device for removing contaminants on an object to be cleaned held in the cleaning cup by mixing and spraying pressurized gas and liquid in a nozzle provided on the cleaning cup. A gas supply line and a liquid supply line are connected to the nozzle, and at least the following parts, a gas filter, a flow regulating valve, a first flow meter, a regulator, and the parts are connected to the gas supply line. A pipe and a joint part, the pipe connecting the parts, the cross-sectional area of the gas flow path of the joint part is larger than the cross-sectional area of the tip of the nozzle, and the part of the gas supply line is The gas filter, the flow regulating valve, the first flow meter, and the regulator are arranged in this order from the nozzle side, and the gas filter is provided above the nozzle,
Branching from between the gas filter of the gas supply line and the flow regulating valve, and a branch line connected to the rear of the regulator is provided;
The cleaning device, wherein the liquid supply line includes a first on-off valve, a liquid filter, and a second flowmeter, and the first on-off valve is disposed between the nozzle and the liquid filter. A method for cleaning an object to be cleaned using
During cleaning standby, adjust the flow rate adjustment valve provided in the gas supply line to supply a small amount of gas, and during cleaning, adjust the opening of the flow rate adjustment valve so that the set gas flow rate is achieved. A method for cleaning an object to be cleaned.

Before SL branch line includes a second on-off valve, when the washing stand, the supply low flow of the gas from the branch line, during cleaning, characterized by the second on-off valve is closed, claim 5. A method for cleaning an object to be cleaned according to 5 .

The pressure of the gas supplied at the time of cleaning from the gas supply line is 1 to 7 kgf / cm ² , the flow rate is 10 to 30 l / min, and the pressure of the liquid supplied from the liquid supply line is 1 to 7 kgf / cm ² , the flow rate. The cleaning method for an object to be cleaned according to claim 5 or 6, wherein the flow rate is 100 to 1000 cc / min.