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JP4547635B2 - 画像形成装置 - Google Patents
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JP4547635B2 - 画像形成装置 - Google Patents

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Description

本発明は、画像形成装置に関し、より詳しくは、画像形成装置の転写ローラに印加するバイアス電圧に関する。
例えば、特許文献1には、転写ローラに順バイアス電圧を印加する場合に順バイアス電圧の印加に先駆けて逆バイアス電圧を印加する技術が開示されている。このようにすれば、感光体からの漏れ電流が順バイアス電圧を発生するための順バイアス印加手段に流れ込まないようにし、漏れ電流の影響で順バイアス印加手段が起動不能になる状況を防止することが可能となる。
特開2003−295633公報
しかしながら、上記特許文献1において、逆バイアス電圧の出力は印加後徐々に低下していくため、逆バイアス電圧を低く設定する場合、順バイアス印加手段が起動不能になり、転写不良が生じて印字品質が低下する虞がある。一方で、順バイアス電圧を印加中、高く設定した逆バイアス電圧を印加する場合、高い順バイアス電圧を印加し続ける必要があるため、効率的とはいえない。
本発明は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、その目的は、順バイアス印加手段を安定して動作させるための制御の効率化を図る画像形成装置を提供することにある。
上記の目的を達成するための手段として、第1の発明に係る画像形成装置は、現像剤によって現像された現像剤像を担持する像担持体と、前記現像剤像を被記録媒体に転写する転写手段と、自励式の発振回路を含み、前記現像剤と逆極性のバイアス電圧である順バイアス電圧を前記転写手段に印加する順バイアス印加手段と、前記順バイアス電圧と逆極性のバイアス電圧である逆バイアス電圧を前記転写手段に印加する逆バイアス印加手段と、前記像担持体から前記転写手段を介して前記順バイアス印加手段に流入する流入電流を検出する検出手段と、前記流入電流の検出値が第1の所定値を超える場合、前記流入電流の検出値に基づいて前記逆バイアス電圧の下限値を決定する決定手段と、前記順バイアス電圧のOFF時に、前記流入電流の検出値が前記第1の所定値を超える場合、前記流入電流の検出値が前記第1の所定値以下に減少するまで前記逆バイアス電圧を徐々に大きくする制御手段と、を備え、前記逆バイアス印加手段は、少なくとも前記順バイアス電圧が前記転写手段に印加される前に、前記決定された下限値の逆バイアス電圧を前記転写手段に印加し、前記決定手段は、前記流入電流が前記第1の所定値以下となったときの逆バイアス電圧の値を前記逆バイアス電圧の下限値として決定する
本構成においては、流入電流の検出値が第1の所定値を超える場合、流入電流の検出値に基づいて逆バイアス電圧の下限値が決定され、少なくとも順バイアス電圧が転写手段に印加される前に、決定された下限値の逆バイアス電圧が転写手段に印加される。そのため、例えば第1の所定値を、流入電流が順バイアス印加手段の起動に影響しない値とすることによって、下限値の逆バイアス電圧を転写手段に印加することによって、現像剤像を被記録媒体に転写する際に、流入電流の影響を好適に排除することができる。この場合、逆バイアス電圧の値を低い電圧に好適化できるため、順バイアス印加手段を安定して動作させるための制御の効率化を図ることができる。
また、順バイアス印加手段を安定して動作させる最小限の逆バイアス電圧を好適に決定できる。
また、自励式の発振回路は他励式回路に比べ構成が簡易であるため、順バイアス印加手段を低コスト化できる。また、自励式の発振回路は流入電流の影響を受け易く、発振停止しやすいため、当該画像形成装置の構成による効果を好適に適用することができる。
第2の発明に係る画像形成装置は、現像剤によって現像された現像剤像を担持する像担持体と、前記現像剤像を被記録媒体に転写する転写手段と、自励式の発振回路を含み、前記現像剤と逆極性のバイアス電圧である順バイアス電圧を前記転写手段に印加する順バイアス印加手段と、前記順バイアス電圧と逆極性のバイアス電圧である逆バイアス電圧を前記転写手段に印加する逆バイアス印加手段と、前記像担持体から前記転写手段を介して前記順バイアス印加手段に流入する流入電流を検出する検出手段と、前記流入電流の検出値が第1の所定値を超える場合、前記流入電流の検出値に基づいて前記逆バイアス電圧の下限値を決定する決定手段と、前記順バイアス印加手段に対する、前記像担持体および前記転写手段による負荷抵抗を算出する算出手段と、を備え、前記逆バイアス印加手段は、少なくとも前記順バイアス電圧が前記転写手段に印加される前に、前記決定された下限値の逆バイアス電圧を前記転写手段に印加し、前記決定手段は、算出された前記負荷抵抗と前記流入電流とに基づいて前記逆バイアス電圧の下限値を決定する。
本構成によれば、単に負荷抵抗と流入電流とに基づいて逆バイアス電圧の下限値を決定するため、逆バイアス電圧の下限値を速やかに決定することができる。
本発明の画像形成装置によれば、順バイアス印加手段を安定して動作させるための制御の効率化を図ることができる。
<実施形態1>
本発明の実施形態1を、図1〜図5を参照しつつ説明する。
1.画像形成装置の全体構成
図1は、本発明の画像形成装置としてのレーザプリンタの本実施形態を示す概略的な要部側断面図である。図1において、レーザプリンタ1は、画像形成装置の装置本体としての本体フレーム2内に、用紙(被記録媒体の一例)3を給紙するためのフィーダ部4や、給紙された用紙3に画像を形成するための画像形成部5などを備えている。なお、画像形成装置は、プリンタ(レーザプリンタ)に限定されず、ファクシミリ装置や、プリンタ機能及びスキャナ機能等を備えた複合機も本発明の画像形成装置に含まれる。
(1)フィーダ部
フィーダ部4は、本体フレーム2内の底部に、着脱可能に装着される給紙トレイ6と、給紙トレイ6内に設けられた用紙押圧板7と、給紙トレイ6の一端側(以下、一端側(図1で紙面右側)を前側、その反対側(図1で紙面左側)を後側とする)端部の上方に設けられる給紙ローラ8、給紙パッド9およびピンチローラ10と、給紙ローラ8に対し用紙3の搬送方向の下流側に設けられる紙粉取りローラ50と、紙粉取りローラ50に対し用紙3の搬送方向の下流側に設けられるレジストローラ12とを備えている。
用紙押圧板7上の最上位にある用紙3は、用紙押圧板7の裏側から図示しないばねによって給紙ローラ8に向かって押圧され、その給紙ローラ8の回転によって給紙ローラ8と給紙パッド9とで挟まれた後、1枚毎に給紙される。
給紙された用紙3は、紙粉取りローラ50によって、紙粉が取り除かれた後、レジストローラ12に送られる。レジストローラ12は、1対のローラからなり、用紙3をレジスト後に、画像形成位置に送るようにしている。なお、画像形成位置は、用紙3に感光体ドラム27上のトナー像を転写する転写位置であって、本実施形態では、感光体ドラム27と転写ローラ30との接触位置とされる。
(2)画像形成部
画像形成部5は、スキャナ部16、プロセスカートリッジ17および定着部18を備えている。
(a)スキャナ部
スキャナ部16は、本体フレーム2内の上部に設けられ、レーザ発光部(図示せず)、回転駆動されるポリゴンミラー19、レンズ20,21、反射鏡22,23を備えている。レーザ発光部からの発光される画像データに基づくレーザビームは、鎖線で示すように、ポリゴンミラー19、レンズ20、反射鏡22、レンズ21、反射鏡23の順に通過あるいは反射して、プロセスカートリッジ17の感光体ドラム27の表面上に高速走査にて照射される。
(b)プロセスカートリッジ
プロセスカートリッジ17は、スキャナ部16の下方に設けられる。プロセスカートリッジ17は、本体フレーム2に対して着脱自在に装着されるドラムユニット51と、ドラムユニット51に収容される現像カートリッジ28とを備えている。なお、本体フレーム2の前面には、図1に示すように、下端部側を中心軸として開閉可能な前面カバー2aが設けられており、プロセスカートリッジ17はこの前面カバー2aを開けて本体フレーム2内に着脱可能に収容される。
現像カートリッジ28は、ドラムユニット51に対して着脱自在に収容されており、例えば、現像ローラ31、層厚規制ブレード32、供給ローラ33、トナーホッパ34等を備えている。
トナーホッパ34内には、正帯電性のトナー(現像剤の一例)が充填されている。そして、トナーホッパ34内のトナーは、トナーホッパ34の中心に設けられるアジテータ34aにより攪拌される。
トナーホッパ34の後方位置には、供給ローラ33が回転可能に設けられており、また、この供給ローラ33に対向して、現像ローラ31が回転可能に設けられている。これら供給ローラ33と現像ローラ31とは、そのそれぞれがある程度圧縮するような状態で互いに当接されている。
供給ローラ33は、金属製のローラ軸に、導電性の発泡材料からなるローラが被覆されている。また、現像ローラ31は、金属製のローラ軸31aに、導電性のゴム材料からなるローラが被覆されている。なお、現像ローラ31には、現像時に、所定の現像バイアス電圧が印加される。
また、現像ローラ31の近傍には、層厚規制ブレード32が設けられている。層厚規制ブレード32は、現像ローラ31の近くにおいて現像カートリッジ28に支持されて、ブレード本体の弾性力によって現像ローラ31上に圧接されている。
そして、トナーホッパ34から放出されるトナーは、供給ローラ33の回転により、現像ローラ31に供給され、この時、供給ローラ33と現像ローラ31との間で正に摩擦帯電される。さらに、現像ローラ31上に供給されたトナーは、現像ローラ31の回転に伴って、層厚規制ブレード32と現像ローラ31との間に進入し、一定厚さの薄層として現像ローラ31上に担持される。
ドラムユニット51は、感光体ドラム(像担持体の一例)27、スコロトロン型帯電器29、および転写ローラ30(転写手段の一例)等を備えている。
このうち、感光体ドラム27は、現像ローラ31と対向配置され、ドラムユニット51において、回転可能に支持されている。感光体ドラム27は、筒状のドラム本体と、ドラム本体を支持し、そのドラム本体の軸心に設けられる金属製のドラム軸27aとを備えている。ドラム本体の表面には、正帯電性の感光層が形成されている。そして、感光体ドラム27の上方には、ドラムユニット51の筐体に孔状に形成された露光窓51aが設けられている。また、ドラム軸27aは接地されている(図2参照)。
スコロトロン型帯電器29は、感光体ドラム27の上方に、感光体ドラム27に接触しないように所定間隔を隔てて対向配置されている。スコロトロン型帯電器29は、タングステンなどの帯電ワイヤ29aからコロナ放電を発生させる正帯電用のスコロトロン型の帯電器であり、帯電ワイヤ29aおよび感光体ドラム27間にグリッド29bを備え、感光体ドラム27の表面を一様に正極性(例えば、約870V)に帯電させる。また、帯電ワイヤ29aには所定の帯電バイアス電圧(例えば、5kV〜8kV)が印加される。
そして、感光体ドラム27の表面は、その感光体ドラム27の回転に伴って、まず、スコロトロン型帯電器29により一様に正帯電された後、スキャナ部16からのレーザビームの高速走査により露光され、画像データに基づく静電潜像が形成される。
次いで、現像ローラ31の回転により、現像ローラ31の表面上に担持されかつ正極性に帯電されているトナーが、感光体ドラム27に対向して接触するときに、感光体ドラム27の表面上に形成された上記静電潜像に供給され、選択的に担持されることで可視化され現像が達成される。
転写ローラ30は、感光体ドラム27の下方において、感光体ドラム27に対向配置され、ドラムユニット51の筐体に回転可能に支持されている。転写ローラ30は、金属製のローラ軸30aに、例えば導電性のゴム材料からなるローラが被覆されている。
転写ローラ30のローラ軸30aには、図2に示されるように、回路基板52に実装されたバイアス印加回路60が接続されている。そして、上記転写位置において現像ローラ31に担持されたトナー像を用紙3に転写するための転写動作時には、転写ローラ30のローラ軸30aに、バイアス印加回路60から、例えば−8kVの順転写バイアス電圧(順バイアス電圧)Va1が印加される。
また、本実施形態では、画像形成動作の前後や、画像形成動作中における各用紙3への転写動作の間などにおいては、転写ローラ30には上記順転写バイアス電圧Va1とは逆極性の、残存トナー除去用の、例えば600Vの逆バイアス電圧(逆バイアス電圧)Va2がバイアス印加回路60から印加される。これにより、転写ローラ30に付着したトナーは、感光体ドラム27上に電気的に吐出されて、感光体ドラム27の表面上に残存する残存トナーとともに現像ローラ31によって回収される。
(c)定着部
定着部18は、図1に示すように、プロセスカートリッジ17の後方下流側に設けられ、加熱ローラ41、加熱ローラ41を押圧する押圧ローラ42を備えている。そして、定着部18では、用紙3上に転写されたトナーを、用紙3が加熱ローラ41と押圧ローラ42との間を通過する間に熱定着させている。その後、用紙3は、排紙ローラ45に送られて、その排紙ローラ45によって排紙トレイ46上に排紙される。
2.バイアス印加回路
図2は、転写ローラ30に対してバイアス電圧を印加するバイアス印加回路60の要部構成のブロック図である。前述したように、バイアス印加回路60は、転写ローラ30に対して、上記順転写動作時に順転写バイアス電圧Va1を印加する。一方、バイアス印加回路60は、残存トナー除去時には逆バイアス電圧Va2を、また、後述するトナー転写(詳しくは、トナー像の転写)時に逆バイアス電圧Vsをそれぞれ印加する。
バイアス印加回路60は、CPU61(制御手段、決定手段、算出手段、設定手段、および判定手段の一例)と、順転写バイアス電圧Va1を生成する順転写バイアス印加回路62(順バイアス印加手段の一例)と、逆バイアス電圧(Va2およびVs)を生成する逆バイアス印加回路63(逆バイアス印加手段の一例)とを備えている。なお、各バイアス印加回路62,63は、転写ローラ30のローラ軸30aに接続される接続ライン90に、順転写バイアス印加回路62および逆バイアス印加回路63の順序で直列に接続されている。
また、バイアス印加回路60は、接続ライン90に流れる電流値に応じた検出信号S4を出力する出力検出回路(検出手段の一例)を備えている。なお、バイアス印加回路60は、その他のバイアス電圧、例えば帯電バイアス電圧等を印加するための回路を含むが、その図示は省略されている。また、バイアス印加回路60およびCPU61は、図1に示される回路基板52上に配置されている。
そして、順転写バイアス印加回路62は、CPU61のPWM(Pulse Width Modulation:パルス幅変調)制御によって定電流制御され、逆バイアス印加回路63はCPU61のPWM制御によって定電圧制御される。また、CPU61にはメモリ100が接続されている。このメモリ100には、バイアス印加回路60を制御するプログラム、転写目標電流値Io等が格納されている。
(a)順転写バイアス印加回路
順転写バイアス印加回路62は、自励発振式の高電圧(負電圧)発生回路であり、順転写PWM信号平滑回路70、順転写トランスドライブ回路71、順転写昇圧・平滑整流回路72、および順転写出力電圧検出回路73を備えている。
このうち、順転写PWM信号平滑回路70は、CPU61のPWMポート61aからのPWM信号S1を受けてそれを平滑し、平滑されたPWM信号S1を順転写トランスドライブ回路71に提供する。順転写トランスドライブ回路71は、平滑されたPWM信号S1に基づき、順転写昇圧・平滑整流回路72の1次側巻線75bに自励発振電流を流す。
順転写昇圧・平滑整流回路72は、トランス75、ダイオード76、平滑コンデンサ77などを備えている。トランス75は、2次側巻線75a,1次側巻線75b及び補助巻線75cを備えている。2次側巻線75aの一端は、ダイオード76を介して接続ライン90に接続されている。一方、2次側巻線75aの他端は、逆バイアス印加回路63の出力端に共通接続されている。また、平滑コンデンサ77及び抵抗78がそれぞれ2次側巻線75aに並列に接続されている。
このような構成により、1次側巻線75bの電圧は、順転写昇圧・平滑整流回路72において昇圧及び整流され、このバイアス印加回路60の出力端Aに接続された転写ローラ30のローラ軸30aに順転写バイアス電圧Va1として印加される。
順転写出力電圧検出回路73は、順転写昇圧・平滑整流回路72のトランス75の補助巻線75cと、CPU61とに接続されている。順転写出力電圧検出回路73は、順転写バイアス印加回路62による順転写動作時において、補助巻線75cの間で発生する出力電圧Vbを検出して、その検出信号S2をCPU61のA/Dポート61bに供給する。CPU61は、検出信号S2に基づいて、順転写出力電圧Vcを検出する。
(b)逆バイアス印加回路
逆バイアス印加回路63は、順転写バイアス印加回路62と同様に自励発振式の高電圧(正電圧)発生回路であり、逆バイアスPWM信号平滑回路80、逆バイアストランスドライブ回路81、逆バイアス昇圧・平滑整流回路82、および逆バイアス出力電圧検出回路83を備えている。
このうち、逆バイアスPWM信号平滑回路80は、CPU61のPWMポート61cからのPWM信号S3を受けてそれを平滑し、平滑されたPWM信号S3を逆バイアストランスドライブ回路81に供給する。逆バイアストランスドライブ回路81は、平滑されたPWM信号S3に基づき、逆バイアス昇圧・平滑整流回路82の1次側巻線85bに発振電流を流す。
逆バイアス昇圧・平滑整流回路82は、トランス85、ダイオード86、平滑コンデンサ87等を備えている。トランス85は、2次側巻線85a,1次側巻線85b及び補助巻線85cを備えている。2次側巻線85aの一端は、ダイオード86を介して上記順転写バイアス印加回路62の2次側巻線75aの他端に接続されている。一方、2次側巻線85aの他端は出力検出回路84の検出抵抗89を介して接地されている。また、この2次側巻線85aに対し平滑コンデンサ87および抵抗88がそれぞれ並列に接続されている。また、抵抗88に直列接続された検出抵抗89が電流検出抵抗とされ、この検出抵抗89に流れる電流値に応じた検出信号S4がCPU61のA/Dポート61dにフィードバックさせる。
このような構成により、1次側巻線85bの電圧は、逆バイアス昇圧・平滑整流回路82において昇圧及び整流され、バイアス印加回路60の出力端Aに接続された転写ローラ30のローラ軸30aに、残存トナー除去用の逆バイアス電圧Va2あるいはトナー転写時用の逆バイアス電圧Vsとして印加される。
また、逆バイアス出力電圧検出回路83は、逆バイアス昇圧・平滑整流回路82のトランス85の補助巻線85cと、CPU61とに接続されている。逆バイアス出力電圧検出回路83は、逆バイアス印加回路63による逆バイアス動作時において、補助巻線85cの間で発生する出力電圧Veを検出して、その検出信号S5をCPU61のA/Dポート61eに供給する。CPU61は、検出信号S5に基づいて、逆バイアス出力電圧Vdを検出する。
以上により、CPU61は、順転写動作時には、PWM信号S1を順転写バイアス印加回路62に与えて駆動させつつ、接続ライン90に流れる電流値に応じた検出信号S4に基づきこの電流値が転写目標電流値Ioになるように、デューティ比を適宜変更したPWM信号S1を順転写PWM信号平滑回路70に出力する定電流制御を実行する。
また、CPU61は、逆バイアス動作時には、PWM信号S3を逆バイアス印加回路63に与えて駆動させつつ、検出抵抗89の検出信号S4に基づき逆バイアス電圧(Va2およびVs)が所定の定電圧値になるように、デューティ比を適宜変更したPWM信号S3を逆バイアスPWM信号平滑回路80に出力する定電圧制御を実行する。
ここで、順転写動作時及び逆バイアス動作時のいずれの動作時においても共通のA/Dポート61dによって出力検出回路84からの検出信号(電圧信号)S4がフィードバックされる。順転写動作時における順転写バイアス電圧Va1(例えば、−8kV)と、逆バイアス動作時における逆バイアス電圧Va2(例えば、600V)とでは、電圧値が異なるため、検出抵抗89によるそれぞれの検出電圧レベル範囲は異なる。
3.トナー転写時における制御
本実施形態のレーザプリンタ1において、感光体ドラム27の表面上のトナー像を用紙3に転写する際に、上記したように、順転写バイアス印加回路62から転写ローラ30に所定の順転写バイアス電圧Va1(例えば、−8kV)を印加する。しかしながら、感光体ドラム27は、トナー転写時に、スコロトロン帯電器29や現像ローラ31によって約500V〜870Vに帯電される。この帯電による電荷の影響で、図3に示されるように、感光体ドラム27に接触する転写ローラ30を介して、順転写バイアス印加回路62側にいわゆる漏れ(リーク)電流(以下「転写流入電流」という)Iiが流入する。
この転写流入電流Iiが検出抵抗89に流れ、その検出信号S4がCPU61に供給されると、CPU61は自励発振式の順転写バイアス印加回路62が既に起動されていると認識し、通常の順転写バイアス印加回路62の起動制御を行えない虞がある。そして、それによって、順転写バイアス印加回路62が起動不能となる虞がある。そのため、以下において、本発明による、トナー転写時における転写流入電流Ii影響を除去して順転写バイアス印加回路62を正常に起動させるバイアス印加回路60の各種制御方法を説明する。
まず、実施形態1におけるバイアス印加回路60の制御方法を、図4のバイアス印加回路60を制御するフローチャートおよび図5のタイムチャートを参照して説明する。CPU61は、このフローチャートに示す制御を実行する。図5のタイムチャートは、トナー転写時における、逆バイアス電圧Vsの印加に係る各信号の時間推移の一例を示す。
画像形成装置1に対するユーザの印字指示によって印字処理が開始されると、図4のステップS101において、CPU61は、帯電バイアス発生回路(図示せず)によって帯電器29に所定の帯電バイアス電圧(例えば、5kV〜8kV)を印加して感光体ドラム27の表面上を帯電させる(図5の時刻t0参照)。次いで、ステップS102において、所定時間、待機する。ここで所定時間待機するのは、転写流入電流Iiを安定した状態とするためである。
所定待機時間が経過すると、ステップS103において、転写流入電流Iiの値を検出抵抗89によって検出し、ステップS104において、転写流入電流Iiの値が所定値Ith1(本発明の「第1の所定値」に相当する)以下かどうかを判定する。なお、この所定値Ith1は、順転写バイアス印加回路62の起動動作に影響を与えない転写流入電流Iiの値として、事前に実験等によって決定される。
ステップS104において、転写流入電流Iiの値が所定値Ith1以下でない、すなわち転写流入電流Iiの値が所定値Ith1を超えると判定された場合には、ステップS105において、現在の逆バイアス電圧Vsに所定の増量電圧ΔVad、例えば100Vを加算して新たな逆バイアス電圧の値Vsを設定する。なお、初回のステップS105の処理においては、新たな逆バイアス電圧Vsは、単に増量電圧ΔVadである、例えば100Vとされる。
そして、新たな逆バイアス電圧Vsを、転写流入電流Iiを減少させるために、逆バイアス印加回路63によって転写ローラ30に印加する。次いで、ステップS103に戻って再び転写流入電流Iiを検出し、ステップS104の判定を行う。この動作を転写流入電流Iiが所定値Ith1以下に減少するまで繰返す(図5の時刻t1〜t2に相当する)。
そして、ステップS104において、転写流入電流Iiの値が所定値Ith1以下であると判定された場合(図5の時刻t2参照)、ステップS106において、予め設定されている転写目標電流値Ioをそのまま転写目標電流値として設定し、このときの逆バイアス電圧Vsの値を逆バイアス電圧Vsの下限値Vsminとして、例えばメモリ100に格納する。なお、転写目標電流値Ioは、例えば印字環境等に対応した値として、事前に実験等によって決定され、メモリ100に格納されているものとする。
次いで、ステップS107において、現在が転写駆動タイミングかどうかを判定し、転写駆動タイミングでない場合には、ステップS107の判定処理を繰返す。一方、転写駆動タイミングである場合には(図5の時刻t3に相当)、ステップS108において、上記逆バイアス電圧の下限値Vsminを維持するように逆バイアス印加回路63を定電圧制御するとともに、順バイアス電圧Va1を印加して転写目標電流Ioが得られるように、順転写バイアス印加回路62を定電流制御する。
なお、初回のステップS104において、転写流入電流Iiの値が所定値Ith1以下であると判定された場合は、順転写バイアス印加回路62の起動に対する転写流入電流Iiの影響がない。そのため、この場合、転写ローラ30に逆バイアス電圧Vsは印加されないとともに、ステップS108において、逆バイアス印加回路63の定電圧制御は行われない。
次いで、ステップS109において、所定の印字処理が終了したかどうかを判定し、終了していない場合には、ステップS108に戻って上記定電圧制御および定電流制御を継続する。一方、印字処理が終了したと判定した場合には(図5の時刻t6に相当)、ステップS110においてバイアス印加回路60を介しての高圧印加処理を終了し、本印字処理を終了する。
なお、図5に示されるように、用紙3へのトナー転写処理は、順バイアスVa1および逆バイアス電圧Vsの印加期間中における、図5の時刻t4〜時刻t5において行われる。
<実施形態1の効果>
実施形態1においては、転写流入電流の検出値Iiが、転写流入電流Iiが順バイアス印加回路62の起動に影響しない値である第1の所定値Ith1を超える場合、転写流入電流の検出値Iiに基づいて逆バイアス電圧Vsの下限値Vsminが決定される。そして、少なくとも順バイアス電圧Va1が転写ローラ30に印加される前に、決定された下限値の逆バイアス電圧Vsminが転写ローラ30に印加される(図5の時刻t2参照)。
そのため、少なくとも順バイアス電圧Va1が転写ローラ30に印加される前に、下限値の逆バイアス電圧Vsminを転写ローラ30に印加することによって、トナー像を用紙3に転写する際に、転写流入電流Iiの影響を好適に排除することができる。この場合、逆バイアス電圧Vsの値を低い電圧に好適化できるため、順バイアス印加回路62を安定して動作させるための制御の効率化を図ることができる。
また、順バイアス電圧Va1のOFF時に、CPU61は、転写流入電流の検出値Iiが第1の所定値Ith1を超える場合、出力検出回路84の転写流入電流Iiの検出に応じて逆バイアス電圧Vsを徐々に大きくして転写流入電流Iiを減少させる。そして、CPU61は、転写流入電流Iiが第1の所定値Ith1以下となったときの逆バイアス電圧Vsの値を逆バイアス電圧の下限値Vsminとして決定する。そのため、順バイアス印加回路62を安定して動作させる最小限の逆バイアス電圧Vsminを好適に決定できる。
また、トナー転写時用の逆バイアス電圧Vsを発生する手段として、残存トナー除去用の逆バイアス電圧Va2を発生するために設けられている逆バイアス印加回路63を利用しているため、効率的である。
<実施形態2>
次に本発明の実施形態2を、図6の、バイアス印加回路60を制御するフローチャートを参照しつつ説明する。なお、実施形態1の図4のフローチャートと同一の処理は同一のステップ番号を付し、その説明を省略し、実施形態1との相違点のみを説明する。また、画像形成装置1の全体構成およびバイアス印加回路60の構成は、実施形態1と同一のためその説明を省略する。
実施形態2においては、転写流入電流Iiが所定値(本発明における「第2の所定値」に相当)Ith2以上である場合、逆バイアス印加回路63によって転写流入電流Iiを定電流制御して、転写処理を行う。すなわち、実施形態2においては、転写流入電流Iiがある程度大きい場合には、転写流入電流Iiを積極的に利用して、順転写バイアス印加回路62に代えて、逆バイアス印加回路63によって転写に係る電流を制御する。
すなわち、図6のステップS104において、転写流入電流Iiの値が所定値Ith1以下でない、すなわち転写流入電流Iiの値が所定値Ith1を超えると判定された場合、ステップS201において、CPU61は、転写流入電流Iiの値が所定値Ith1より大きい第2の所定値Ith2(例えば、転写目標電流Ioの2倍)以上であるかどうかを判定する。
転写流入電流Iiの値が第2の所定値Ith2未満である場合、すなわち転写流入電流Iiの値が第1の所定値Ith1よりも大きく、第2の所定値Ith2未満である場合には、ステップS105において、上記逆バイアス電圧Vsの設定および印加を行って、転写流入電流Iiを減少させ、次いで、ステップS103、ステップS104、ステップS105等の処理を繰り返し、実施形態1と同様に、下限逆バイアス電圧Vsminを決定する。そして、実施形態1と同様にステップS106以降の処理を行う。
一方、転写流入電流Iiの値が第2の所定値Ith2以上である場合には、まず、ステップS202において、ステップS106と同様に、転写目標電流を所定値Ioに設定する。次いで、ステップS203において、ステップS107と同様に、現在が転写駆動タイミングかどうかを判定し、転写駆動タイミングでない場合には、ステップS203の判定処理を繰返す。一方、転写駆動タイミングである場合には、ステップS204において、CPU61は、転写流入電流Iiを転写目標電流Ioまで減少させて、転写目標電流Ioを維持するように、逆バイアス印加回路63を定電流制御する。
次いで、ステップS109と同様に、所定の印字処理が終了したかどうかを判定し、終了していない場合には、ステップS204に戻って上記処理を繰返す。一方、印字処理が終了したと判定した場合には、ステップS110において、バイアス印加回路60による高圧印加処理を終了し、実施形態2に係る印字処理を終了する。
<実施形態2の効果>
実施形態2では、転写流入電流Iiが第1の所定値Ith1より大きい第2の所定値Ith2以上である場合、逆バイアス印加回路63によって転写流入電流Iiを制御する。そのため、転写流入電流Iiが所定値Ith2以上に大きい場合、逆バイアス印加回路63のみでトナー像の転写に係る定電流制御を行うことができるため、転写システムの消費電力を低減することができる。
<実施形態3>
次に本発明の実施形態3を、図7のバイアス印加回路60を制御するフローチャートおよび図8のタイムチャートを参照しつつ説明する。なお、実施形態1の図4のフローチャートと同一の処理は同一のステップ番号を付し、その説明を省略し、実施形態1との相違点のみを説明する。また、画像形成装置1の全体構成およびバイアス印加回路60の構成は、実施形態1と同一のためその説明を省略する。図8のタイムチャートは、図5と同様に、トナー転写時における、逆バイアス電圧Vsの印加に係る各信号の時間推移の一例を示す。
実施形態3においては、CPU61は、順転写バイアス印加回路62に対する、感光体ドラム27と転写ローラ30とによって構成される負荷抵抗Rtを算出する。その算出された負荷抵抗Rtと転写流入電流Iiとに基づいて、転写流入電流Iiの流入時における転写ローラ30の電位を推定する。そして、その推定された転写ローラ30の電位を所定の附加電圧βだけ超える値を、逆バイアス電圧の下限値Vsminとして決定する。ここでは、その逆バイアス電圧の下限値Vsminを逆バイアス目標出力Voとして設定し、トナー転写時に、順バイアス電圧Va1の印加に先立って逆バイアス目標出力Voを転写ローラ30に印加する。
詳しくは、図7のステップS104において、CPU61は、実施形態1と同様に、転写流入電流Iiの値が所定値Ith1以下であるかどうか判定する。そして、転写流入電流Iiの値が所定値Ith1を超えると判定された場合は、まず、ステップS301において、負荷抵抗Rtを算出するために流す転写目標電流の値Itを、例えば検出された転写流入電流Iiに所定の附加電流値αを附加した値として設定し、その転写目標電流Itが得られるように順転写バイアス印加回路62を定電流制御する(図7の時刻t1を参照)。
なお、ここで附加電流値αは、転写流入電流Iiに影響されずに順転写バイアス印加回路62の起動が好適に行われるように転写流入電流Iiの検出値に加算される所定の電流値であり、事前に実験等によって決定される。例えば、附加電流値αは2μAとされる。
次いで、ステップS302において定電流制御が安定するまで所定時間待機し、ステップS303において、CPU61は、順転写バイアス印加回路62の順転写出力電圧検出回路73の検出信号S2に基づいて、順転写出力電圧Vtを検出する。そして、この順転写出力電圧Vt(Vc)と転写目標電流Itとによって、負荷抵抗Rtを算出する(図7の時刻t2を参照)。
なお、負荷抵抗Rtは、下の式1を用いて算出される(図2を参照)。
Vt=It×(Rt+R88+R89) ......(式1)
次いで、ステップS304において、式1によって算出された負荷抵抗Rt、ステップS104において検出された転写流入電流Ii、および所定の附加電圧βを用いて、下の式2を用いて逆バイアス目標出力Voを算出し、設定する。
Vo=Rt×Ii+β ......(式2)
ここで、「Rt×Ii」の項は、転写流入電流Iiによる転写ローラ30の電位と推定される。そのため、転写流入電流Iiを確実に抑制するために、その推定電位に附加電圧βを加えた値として、逆バイアス目標出力Voが設定される。そのため、トナー転写時の順転写バイアス印加回路62の起動が転写流入電流Iiに影響されずに好適に行われる。
続いて、ステップS106およびステップS107のおいては、実施形態1と同様な処理がお行われ、次いで、ステップS108aにおいて、逆バイアス目標出力Voの印加を開始し(図7の時刻t3を参照)、逆バイアス目標出力Voを維持するように逆バイアス印加回路63を定電圧制御する。また、トナー転写時の転写目標電流Ioが得られるように、順転写バイアス印加回路62を設定変更し(図7の時刻t4を参照)、その後、転写目標電流Ioを維持するように順転写バイアス印加回路62を定電流制御する。なお、実施形態3においては、図8の時刻t5からトナー転写処理が開始される。
次いで、実施形態1と同様に、ステップS109およびステップS110の処理を行って、実施形態3に係る印字処理を終了する。
なお、ステップS104において、転写流入電流Iiの値が所定値Ith1以下であると判定された場合は、ステップS106以下の処理にジャンプする。また、この場合、順転写バイアス印加回路62の起動に対する転写流入電流Iiの影響がない。そのため、転写ローラ30に逆バイアス電圧Vsを印加する必要がなく、ステップS108aにおいて、逆バイアス印加回路63の定電圧制御は行われない。
<実施形態3の効果>
実施形態3では、逆バイアス電圧Vsの下限値としての逆バイアス目標出力Voを決定する際に、順転写バイアス印加回路62に対する、感光体ドラム27と転写ローラ30とによって構成される負荷抵抗Rtが算出される。そして負荷抵抗Rtと転写流入電流Iiとに基づいて、転写流入電流Iiの流入時における転写ローラ30の電位が推定される。そして、その推定された転写ローラ30の電位を所定の附加電圧βだけ超える値を、逆バイアス目標出力Voとして設定される。すなわち、一回の検出動作によって検出された検出値に基づいて逆バイアス目標出力Voが算出されるため、逆バイアス電圧の下限値を速やかに決定することができる。
<実施形態4>
次に本発明の実施形態4を、図9の、バイアス印加回路60を制御するフローチャートを参照しつつ説明する。なお、実施形態1の図4のフローチャートと同一の処理は同一のステップ番号を付し、その説明を省略し、上記他の実施形態との相違点のみを説明する。また、画像形成装置1の全体構成およびバイアス印加回路60の構成は、実施形態1と同一のためその説明を省略する。
実施形態4においては、上記実施形態1〜3とは異なり、順転写バイアス印加回路62の起動時に逆バイアス電圧Vsを転写ローラ30に印加しない。すなわち、実施形態4においては、トナー転写を行う際、逆バイアス電圧Vsを用いずに、転写流入電流Iiに影響されることなく順転写バイアス印加回路62を好適に起動する。
詳しくは、図9のステップS401において、CPU61は、予め設定された転写目標電流値Ioが、検出された転写流入電流Iiに所定の附加電流値αを加算した値(Ii+α)以上であるかどうかを判定する。転写目標電流値Ioが転写流入電流Iiに附加電流値αを加算した附加流入電流値(Ii+α)以上でない場合、すなわち、転写目標電流値Ioが「Ii+α」未満である場合、ステップS402において、転写目標電流値を「Ii+α」に設定変更する。そして、以下、実施形態1と同様に、ステップS107〜ステップS110までの処理を行って、実施形態4に係る印字処理を終了する。
一方、ステップS401の判定処理において、予め設定された転写目標電流値Ioが「Ii+α」以上である場合には、ステップS106において、予め設定された転写目標電流Ioをそのまま転写目標電流値に設定して、以下、実施形態1と同様に、ステップS107〜ステップS110までの処理を行って、実施形態4に係る印字処理を終了する。
なお、上記附加電流値αは、実施形態3のステップS301において説明したように、転写流入電流Iiに影響されずに順転写バイアス印加回路62の起動が好適に行われるように、検出された転写流入電流Iiに加算される所定の電流値である。その値は、事前に実験等によって決定される。例えば、附加電流値αは、ここでは2μAとされる。
また、実施形態4においては、転写ローラ30に逆バイアス電圧Vsを印加する必要がないため、ステップS108bにおいて、逆バイアス印加回路63の定電圧制御は行われない。そのため、ステップS108bにおいては、転写目標電流を維持するための、順転写バイアス印加回路62による定電流制御のみが行われる。
<実施形態4の効果>
実施形態4によれば、検出された転写流入電流値Iiに附加する所定の附加電流値αを好適に選定することによって、単に、転写流入電流値Iiの検出に基づいて、順転写バイアス印加回路62を好適に起動できるとともに、正常転写動作範囲において小さな目標転写電流の設定が可能となる。すなわち、予め設定された転写目標電流値Ioと検出転写流入電流値Iiとの間に所定の差異がある場合、その差異によって、目標転写電流値Ioと転写流入電流IiとがCPU61によって識別可能となるため、CPU61は順転写バイアス印加回路62を正常に起動制御することが可能となる。
<他の実施形態>
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
(1)実施形態1においては、図5に示されるように、図5の時刻t5において、順バイアス電圧Va1および逆バイアス電圧Vsの印加を同時に終了する例を示したが、これに限定されない。例えば、逆バイアス電圧Vsを、図5の時刻t4〜時刻t5の間において順バイアス電圧Va1よりも早く終了してもよいし、あるいは図5の時刻t5以降に順バイアス電圧Va1よりも遅く終了するようにしてもよい。
順バイアス電圧Va1と逆バイアス電圧Vsとの印加時間の関係は、要は、トナー転写時において、少なくとも順バイアス電圧Va1が転写ローラ30に印加される前に、下限値の逆バイアス電圧Vsmin(または、Vo)が転写ローラ30に印加されるようにすればよい。これは、他の実施形態においても同様である。
(2)実施形態1および実施形態2のステップS105における所定の増量電圧ΔVadは、一定値に限定されるものではない。例えば、ステップS104の判定回数、あるいは、転写流入電流値Iiと第1の所定値Ith1との差に応じて、その値を変化させるようにしてもよい。要は、ステップS105の制御構成によって、転写流入電流値Iiの検出に応じて逆バイアス電圧Vsが徐々に大きされるものであればよい。
(3)実施形態2のステップS201〜S205の構成、すなわち、転写流入電流値Iiが第1の所定値Ith1より大きい第2の所定値Ith2以上である場合、逆バイアス印加回路63によって転写流入電流値Iiを制御する構成を、実施形態3のバイアス印加回路60を制御する構成に含めるようにしてもよい。
(4)実施形態2および実施形態3のステップS104において、所定値Ith1を、実施形態4に示される附加流入電流値(Ii+α)とするようにしてもよい。
本発明に係るレーザプリンタの内部構成を示す側断面図 バイアス印加回路の要部構成のブロック図 転写に係る流入(リーク)電流を示す説明図 本発明の実施形態1に係る処理内容を示すフローチャート 実施形態1における、逆バイアス電圧Vsの印加に係る各信号の時間推移の一例を示すタイムチャート 本発明の実施形態2に係る処理内容を示すフローチャート 本発明の実施形態3に係る処理内容を示すフローチャート 実施形態3における、逆バイアス電圧Vsの印加に係る各信号の時間推移の一例を示すタイムチャート 本発明の実施形態4に係る処理内容を示すフローチャート
1...レーザプリンタ(画像形成装置)
27...感光体ドラム(像担持体、負荷)
30...転写ローラ(転写手段、負荷)
61...CPU(制御手段、決定手段、算出手段、設定手段、判定手段)
62...順転写バイアス印加回路(順バイアス印加手段)
63...逆バイアス印加回路(逆バイアス印加手段)
84...出力検出回路(検出手段)
73...順転写出力電圧検出回路(電圧検出手段)
Va1...順転写バイアス電圧(順バイアス電圧)
Va2...残存トナー除去用の逆バイアス電圧
Vs...トナー転写時用の逆バイアス電圧(逆バイアス電圧)
Ii...転写流入電流
Ith1...第1の所定値
Ith2...第2の所定値
Io...転写目標電流値
Vsmin...逆バイアス電圧の下限値
S4...検出信号
α...附加電流値
Ii+α...附加流入電流値

Claims (2)

  1. 現像剤によって現像された現像剤像を担持する像担持体と、
    前記現像剤像を被記録媒体に転写する転写手段と、
    自励式の発振回路を含み、前記現像剤と逆極性のバイアス電圧である順バイアス電圧を前記転写手段に印加する順バイアス印加手段と、
    前記順バイアス電圧と逆極性のバイアス電圧である逆バイアス電圧を前記転写手段に印加する逆バイアス印加手段と、
    前記像担持体から前記転写手段を介して前記順バイアス印加手段に流入する流入電流を検出する検出手段と、
    前記流入電流の検出値が第1の所定値を超える場合、前記流入電流の検出値に基づいて前記逆バイアス電圧の下限値を決定する決定手段と
    前記順バイアス電圧のOFF時に、前記流入電流の検出値が前記第1の所定値を超える場合、前記流入電流の検出値が前記第1の所定値以下に減少するまで前記逆バイアス電圧を徐々に大きくする制御手段と、を備え、
    前記逆バイアス印加手段は、少なくとも前記順バイアス電圧が前記転写手段に印加される前に、前記決定された下限値の逆バイアス電圧を前記転写手段に印加し、
    前記決定手段は、前記流入電流が前記第1の所定値以下となったときの逆バイアス電圧の値を前記逆バイアス電圧の下限値として決定する、画像形成装置。
  2. 現像剤によって現像された現像剤像を担持する像担持体と、
    前記現像剤像を被記録媒体に転写する転写手段と、
    自励式の発振回路を含み、前記現像剤と逆極性のバイアス電圧である順バイアス電圧を前記転写手段に印加する順バイアス印加手段と、
    前記順バイアス電圧と逆極性のバイアス電圧である逆バイアス電圧を前記転写手段に印加する逆バイアス印加手段と、
    前記像担持体から前記転写手段を介して前記順バイアス印加手段に流入する流入電流を検出する検出手段と、
    前記流入電流の検出値が第1の所定値を超える場合、前記流入電流の検出値に基づいて前記逆バイアス電圧の下限値を決定する決定手段と、
    前記順バイアス印加手段に対する、前記像担持体および前記転写手段による負荷抵抗を算出する算出手段と、を備え、
    前記逆バイアス印加手段は、少なくとも前記順バイアス電圧が前記転写手段に印加される前に、前記決定された下限値の逆バイアス電圧を前記転写手段に印加し、
    前記決定手段は、算出された前記負荷抵抗と前記流入電流とに基づいて前記逆バイアス電圧の下限値を決定する、画像形成装置
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