JP4547635B2 - 画像形成装置 - Google Patents
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Description
また、順バイアス印加手段を安定して動作させる最小限の逆バイアス電圧を好適に決定できる。
また、自励式の発振回路は他励式回路に比べ構成が簡易であるため、順バイアス印加手段を低コスト化できる。また、自励式の発振回路は流入電流の影響を受け易く、発振停止しやすいため、当該画像形成装置の構成による効果を好適に適用することができる。
本構成によれば、単に負荷抵抗と流入電流とに基づいて逆バイアス電圧の下限値を決定するため、逆バイアス電圧の下限値を速やかに決定することができる。
本発明の実施形態1を、図1〜図5を参照しつつ説明する。
1.画像形成装置の全体構成
図1は、本発明の画像形成装置としてのレーザプリンタの本実施形態を示す概略的な要部側断面図である。図1において、レーザプリンタ1は、画像形成装置の装置本体としての本体フレーム2内に、用紙(被記録媒体の一例)3を給紙するためのフィーダ部4や、給紙された用紙3に画像を形成するための画像形成部5などを備えている。なお、画像形成装置は、プリンタ(レーザプリンタ)に限定されず、ファクシミリ装置や、プリンタ機能及びスキャナ機能等を備えた複合機も本発明の画像形成装置に含まれる。
フィーダ部4は、本体フレーム2内の底部に、着脱可能に装着される給紙トレイ6と、給紙トレイ6内に設けられた用紙押圧板7と、給紙トレイ6の一端側(以下、一端側(図1で紙面右側)を前側、その反対側(図1で紙面左側)を後側とする)端部の上方に設けられる給紙ローラ8、給紙パッド9およびピンチローラ10と、給紙ローラ8に対し用紙3の搬送方向の下流側に設けられる紙粉取りローラ50と、紙粉取りローラ50に対し用紙3の搬送方向の下流側に設けられるレジストローラ12とを備えている。
画像形成部5は、スキャナ部16、プロセスカートリッジ17および定着部18を備えている。
スキャナ部16は、本体フレーム2内の上部に設けられ、レーザ発光部(図示せず)、回転駆動されるポリゴンミラー19、レンズ20,21、反射鏡22,23を備えている。レーザ発光部からの発光される画像データに基づくレーザビームは、鎖線で示すように、ポリゴンミラー19、レンズ20、反射鏡22、レンズ21、反射鏡23の順に通過あるいは反射して、プロセスカートリッジ17の感光体ドラム27の表面上に高速走査にて照射される。
プロセスカートリッジ17は、スキャナ部16の下方に設けられる。プロセスカートリッジ17は、本体フレーム2に対して着脱自在に装着されるドラムユニット51と、ドラムユニット51に収容される現像カートリッジ28とを備えている。なお、本体フレーム2の前面には、図1に示すように、下端部側を中心軸として開閉可能な前面カバー2aが設けられており、プロセスカートリッジ17はこの前面カバー2aを開けて本体フレーム2内に着脱可能に収容される。
定着部18は、図1に示すように、プロセスカートリッジ17の後方下流側に設けられ、加熱ローラ41、加熱ローラ41を押圧する押圧ローラ42を備えている。そして、定着部18では、用紙3上に転写されたトナーを、用紙3が加熱ローラ41と押圧ローラ42との間を通過する間に熱定着させている。その後、用紙3は、排紙ローラ45に送られて、その排紙ローラ45によって排紙トレイ46上に排紙される。
図2は、転写ローラ30に対してバイアス電圧を印加するバイアス印加回路60の要部構成のブロック図である。前述したように、バイアス印加回路60は、転写ローラ30に対して、上記順転写動作時に順転写バイアス電圧Va1を印加する。一方、バイアス印加回路60は、残存トナー除去時には逆バイアス電圧Va2を、また、後述するトナー転写(詳しくは、トナー像の転写)時に逆バイアス電圧Vsをそれぞれ印加する。
順転写バイアス印加回路62は、自励発振式の高電圧(負電圧)発生回路であり、順転写PWM信号平滑回路70、順転写トランスドライブ回路71、順転写昇圧・平滑整流回路72、および順転写出力電圧検出回路73を備えている。
逆バイアス印加回路63は、順転写バイアス印加回路62と同様に自励発振式の高電圧(正電圧)発生回路であり、逆バイアスPWM信号平滑回路80、逆バイアストランスドライブ回路81、逆バイアス昇圧・平滑整流回路82、および逆バイアス出力電圧検出回路83を備えている。
本実施形態のレーザプリンタ1において、感光体ドラム27の表面上のトナー像を用紙3に転写する際に、上記したように、順転写バイアス印加回路62から転写ローラ30に所定の順転写バイアス電圧Va1(例えば、−8kV)を印加する。しかしながら、感光体ドラム27は、トナー転写時に、スコロトロン帯電器29や現像ローラ31によって約500V〜870Vに帯電される。この帯電による電荷の影響で、図3に示されるように、感光体ドラム27に接触する転写ローラ30を介して、順転写バイアス印加回路62側にいわゆる漏れ(リーク)電流(以下「転写流入電流」という)Iiが流入する。
実施形態1においては、転写流入電流の検出値Iiが、転写流入電流Iiが順バイアス印加回路62の起動に影響しない値である第1の所定値Ith1を超える場合、転写流入電流の検出値Iiに基づいて逆バイアス電圧Vsの下限値Vsminが決定される。そして、少なくとも順バイアス電圧Va1が転写ローラ30に印加される前に、決定された下限値の逆バイアス電圧Vsminが転写ローラ30に印加される(図5の時刻t2参照)。
次に本発明の実施形態2を、図6の、バイアス印加回路60を制御するフローチャートを参照しつつ説明する。なお、実施形態1の図4のフローチャートと同一の処理は同一のステップ番号を付し、その説明を省略し、実施形態1との相違点のみを説明する。また、画像形成装置1の全体構成およびバイアス印加回路60の構成は、実施形態1と同一のためその説明を省略する。
実施形態2では、転写流入電流Iiが第1の所定値Ith1より大きい第2の所定値Ith2以上である場合、逆バイアス印加回路63によって転写流入電流Iiを制御する。そのため、転写流入電流Iiが所定値Ith2以上に大きい場合、逆バイアス印加回路63のみでトナー像の転写に係る定電流制御を行うことができるため、転写システムの消費電力を低減することができる。
次に本発明の実施形態3を、図7のバイアス印加回路60を制御するフローチャートおよび図8のタイムチャートを参照しつつ説明する。なお、実施形態1の図4のフローチャートと同一の処理は同一のステップ番号を付し、その説明を省略し、実施形態1との相違点のみを説明する。また、画像形成装置1の全体構成およびバイアス印加回路60の構成は、実施形態1と同一のためその説明を省略する。図8のタイムチャートは、図5と同様に、トナー転写時における、逆バイアス電圧Vsの印加に係る各信号の時間推移の一例を示す。
Vt=It×(Rt+R88+R89) ......(式1)
次いで、ステップS304において、式1によって算出された負荷抵抗Rt、ステップS104において検出された転写流入電流Ii、および所定の附加電圧βを用いて、下の式2を用いて逆バイアス目標出力Voを算出し、設定する。
Vo=Rt×Ii+β ......(式2)
ここで、「Rt×Ii」の項は、転写流入電流Iiによる転写ローラ30の電位と推定される。そのため、転写流入電流Iiを確実に抑制するために、その推定電位に附加電圧βを加えた値として、逆バイアス目標出力Voが設定される。そのため、トナー転写時の順転写バイアス印加回路62の起動が転写流入電流Iiに影響されずに好適に行われる。
実施形態3では、逆バイアス電圧Vsの下限値としての逆バイアス目標出力Voを決定する際に、順転写バイアス印加回路62に対する、感光体ドラム27と転写ローラ30とによって構成される負荷抵抗Rtが算出される。そして負荷抵抗Rtと転写流入電流Iiとに基づいて、転写流入電流Iiの流入時における転写ローラ30の電位が推定される。そして、その推定された転写ローラ30の電位を所定の附加電圧βだけ超える値を、逆バイアス目標出力Voとして設定される。すなわち、一回の検出動作によって検出された検出値に基づいて逆バイアス目標出力Voが算出されるため、逆バイアス電圧の下限値を速やかに決定することができる。
次に本発明の実施形態4を、図9の、バイアス印加回路60を制御するフローチャートを参照しつつ説明する。なお、実施形態1の図4のフローチャートと同一の処理は同一のステップ番号を付し、その説明を省略し、上記他の実施形態との相違点のみを説明する。また、画像形成装置1の全体構成およびバイアス印加回路60の構成は、実施形態1と同一のためその説明を省略する。
実施形態4によれば、検出された転写流入電流値Iiに附加する所定の附加電流値αを好適に選定することによって、単に、転写流入電流値Iiの検出に基づいて、順転写バイアス印加回路62を好適に起動できるとともに、正常転写動作範囲において小さな目標転写電流の設定が可能となる。すなわち、予め設定された転写目標電流値Ioと検出転写流入電流値Iiとの間に所定の差異がある場合、その差異によって、目標転写電流値Ioと転写流入電流IiとがCPU61によって識別可能となるため、CPU61は順転写バイアス印加回路62を正常に起動制御することが可能となる。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
27...感光体ドラム(像担持体、負荷)
30...転写ローラ(転写手段、負荷)
61...CPU(制御手段、決定手段、算出手段、設定手段、判定手段)
62...順転写バイアス印加回路(順バイアス印加手段)
63...逆バイアス印加回路(逆バイアス印加手段)
84...出力検出回路(検出手段)
73...順転写出力電圧検出回路(電圧検出手段)
Va1...順転写バイアス電圧(順バイアス電圧)
Va2...残存トナー除去用の逆バイアス電圧
Vs...トナー転写時用の逆バイアス電圧(逆バイアス電圧)
Ii...転写流入電流
Ith1...第1の所定値
Ith2...第2の所定値
Io...転写目標電流値
Vsmin...逆バイアス電圧の下限値
S4...検出信号
α...附加電流値
Ii+α...附加流入電流値
Claims (2)
- 現像剤によって現像された現像剤像を担持する像担持体と、
前記現像剤像を被記録媒体に転写する転写手段と、
自励式の発振回路を含み、前記現像剤と逆極性のバイアス電圧である順バイアス電圧を前記転写手段に印加する順バイアス印加手段と、
前記順バイアス電圧と逆極性のバイアス電圧である逆バイアス電圧を前記転写手段に印加する逆バイアス印加手段と、
前記像担持体から前記転写手段を介して前記順バイアス印加手段に流入する流入電流を検出する検出手段と、
前記流入電流の検出値が第1の所定値を超える場合、前記流入電流の検出値に基づいて前記逆バイアス電圧の下限値を決定する決定手段と、
前記順バイアス電圧のOFF時に、前記流入電流の検出値が前記第1の所定値を超える場合、前記流入電流の検出値が前記第1の所定値以下に減少するまで前記逆バイアス電圧を徐々に大きくする制御手段と、を備え、
前記逆バイアス印加手段は、少なくとも前記順バイアス電圧が前記転写手段に印加される前に、前記決定された下限値の逆バイアス電圧を前記転写手段に印加し、
前記決定手段は、前記流入電流が前記第1の所定値以下となったときの逆バイアス電圧の値を前記逆バイアス電圧の下限値として決定する、画像形成装置。 - 現像剤によって現像された現像剤像を担持する像担持体と、
前記現像剤像を被記録媒体に転写する転写手段と、
自励式の発振回路を含み、前記現像剤と逆極性のバイアス電圧である順バイアス電圧を前記転写手段に印加する順バイアス印加手段と、
前記順バイアス電圧と逆極性のバイアス電圧である逆バイアス電圧を前記転写手段に印加する逆バイアス印加手段と、
前記像担持体から前記転写手段を介して前記順バイアス印加手段に流入する流入電流を検出する検出手段と、
前記流入電流の検出値が第1の所定値を超える場合、前記流入電流の検出値に基づいて前記逆バイアス電圧の下限値を決定する決定手段と、
前記順バイアス印加手段に対する、前記像担持体および前記転写手段による負荷抵抗を算出する算出手段と、を備え、
前記逆バイアス印加手段は、少なくとも前記順バイアス電圧が前記転写手段に印加される前に、前記決定された下限値の逆バイアス電圧を前記転写手段に印加し、
前記決定手段は、算出された前記負荷抵抗と前記流入電流とに基づいて前記逆バイアス電圧の下限値を決定する、画像形成装置。
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