JP4556757B2

JP4556757B2 - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP4556757B2
Application number: JP2005131009A
Authority: JP
Inventors: 玄太小泉
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 2004-06-23
Filing date: 2005-04-28
Publication date: 2010-10-06
Anticipated expiration: 2025-04-28
Also published as: US20060138078A1; JP2006041477A; US7314834B2

Description

本発明は、リフトオフ法により電極・配線となる金属膜のパターニングを行う工程を含む半導体装置の製造方法に関する。

半導体素子の電極・配線の加工方法として、例えば、図５（ａ）に示すように、半導体ウエハ４１上に形成されたレジスト層４３上に、このレジスト層４３をマスクにして真空蒸着処理により金属膜４５を形成し、これをアセトン等の有機溶剤中に浸漬してレジスト層４３、及びレジスト層４３上に形成された金属膜４５を除去するリフトオフ法によるパターン形成が多く用いられている。

このリフトオフ法によるパターン形成にあっては、金属膜４５の真空蒸着処理の際に蒸着金属粒子の散乱に起因して、レジスト層４３の側壁部に薄い金属の側壁付着層４５ｓが形成される。この側壁付着層４５ｓは有機溶剤のレジスト層４３への浸透を妨げる。このため、通常、半導体ウエハ４１を有機溶剤中に浸漬しながら超音波振動等の物理的力を加えて側壁付着層４５ｓを破る方法が採られている。

しかしながら通常用いられるポジ型のレジスト層４３の断面形状は垂直形状ではなく、やや順テーパ形状となるため、金属膜４５を厚くする場合は側壁付着層４５ｓも厚くなりリフトオフが困難となり、処理時間が長くなる。

更に、リフトオフ処理後に形成された所定のパターンの金属膜４５には、図５（ｂ）に示すように、リフトオフで完全に除去されなかった側壁付着層４５ｓの一部分がバリとして付着したり（バリ４５ｂ）、金属膜４５の近傍のウエハ表面に付着したり（バリ４５ａ）或いは金属膜４５から突出した状態で残存したりする（バリ４５ｃ）。その結果、配線間の短絡又は多層配線時の配線の断線又は短絡を生じるという問題があった。そのため、従来、レジスト層４３の側壁付着層４５ｓを薄くするためにレジスト層４３の断面形状に対し、色々工夫がされてきた。

例えば、図６（ａ）に示すように、ポジ型のレジスト層５１の露光後にクロロベンゼン処理又はＤｅｅｐＵＶ光を照射し、レジスト層５１の表面層を現像液に対して難溶化処理を行った後、現像を行いレジスト層５１の断面形状をＴ字に近い形状にする（表面層をひさし形状にする）手段や、図６（ｂ）に示すように、レジスト層６１を一層形成した後、全面露光し、更にその上にレジスト層６１を形成しパターン露光、現像を行い、レジスト層６１の断面形状を逆テーパ形状にするといった手段が挙げられる。

しかしながら、これらの方法ではレジストパターンの精度が低下するという問題がある。一方、ポジ型のレジスト層を画像反転処理によりネガ型にして現像を行い、図６（ｃ）に示すように、レジスト層７１の断面形状を垂直或いは逆テーパ形状にする手法もあるが、垂直パターンでは側壁付着層４５ｓを薄くする効果は少なく、又逆テーパ形状にする場合は意図的にレジストパターン解像度を低下させなくてはならず、かつ形状制御もできないという問題もある。

かかる問題を解決するものとして、露光後熱処理のみにより反転する表面レジスト層と、ジアゾ・ノボラック型のフォトレジストにより形成された下層のレジスト層からなるフォトレジスト膜を基板上或いはその上に形成された被膜上に形成する半導体装置の製造方法がある（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１に記載された半導体装置の製造方法によると、導電性膜の真空蒸着時に、レジストパターンの斜めから入射される金属粒子が順テーパ状に形成された表面レジスト層にブロックされるので、アンダーカットされた形状に加工された下層のレジスト層に蒸着金属粒子が付着しない。その結果、電極・配線となる金属パターン部分と繋がった側壁付着層が形成せず、リフトオフ処理時間を大巾に短縮できると共に、リフトオフ処理により形成した金属パターンの外周部にバリが発生することを防げる。
特許３３３９３３１号公報（[００１１]）

しかし、特許文献１に記載された半導体装置の製造方法によると、表層レジスト層が順テーパ形状に形成されるため、半導体素子の電極・配線となる金属パターンの微細化に対応させるのに限界があるとともに、微細な金属パターンの形状精度を確保することが難しい。なぜならば、一般的に順テーパ形状は逆テーパ形状よりも、テーパ形状の精度が、その後に形成される金属パターンの形状精度に大きな影響を及ぼすからである。つまり、逆テーパ形状においては、最も外に突き出た部分が最も上に存在するので、テーパ角に多少の誤差が生じても、その後に形成される金属パターンの形状精度に及ぼす影響は小さいが、順テーパ形状においては、最も外に突き出た部分が最も下に存在するので、テーパ角に生じた誤差が小さくても、その後に形成される金属パターンの形状精度に大きな影響を及ぼすのである。

従って、本発明の目的は、リフトオフ処理時間を大にすることなく、寸法精度に優れた微細パターンを容易に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明は、上記の目的を達成するため、基板上或いはその上に形成された被膜上に、ジアゾ・ノボラック型のポジ型フォトレジストにより１．５〜２．５μｍの膜厚の下層のレジスト層を形成し、全面露光量９０ｍｊ／ｃｍ ² ・ｓｅｃから３００ｍｊ／ｃｍ ² ・ｓｅｃの範囲で全面露光する工程と、前記全面露光された前記下層のレジスト層上に、露光後熱処理のみによりネガ型に反転するポジ型フォトレジストにより２．５〜３．５μｍの膜厚の表面レジスト層を形成する工程と、前記下層のレジスト層と前記表面レジスト層からなるフォトレジスト膜にパターン露光及び熱処理を行って前記表面レジスト層のパターン露光部をネガ型に反転させる工程と、前記フォトレジスト膜に全面露光を行う工程と、
前記フォトレジスト膜を現像することにより、前記表面レジスト層が逆テーパ形状であり、前記下層レジスト層が前記表面レジスト層に対してアンダーカット形状であるレジストパターンに加工する工程と、
前記レジストパターン上に電極、配線材料となる金属膜を形成する工程と、
前記レジストパターンを溶剤で溶解させるとともに前記レジストパターン上の前記金属膜を除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。

これら本発明は、従来技術（特に、特許文献１）と比較して、表面レジスト層やレジストパターンが、テーパ形状の精度がその後に形成される金属パターンの形状精度に大きな影響を及ぼす順テーパ形状ではなく、下層のレジスト層が、逆テーパ形状である表面レジスト層に対してアンダーカット形状であるか、又はレジストパターン全体が逆テーパ形状であるという点において優れている。つまり、従来技術においては、レジストパターンを形成する前に反転させていないので（レジストパターンを形成した後に反転させているので）、形成されたレジストパターンは順テーパ形状となるのに対し、本発明においては、レジストパターンを形成する前に反転させているので、形成されたレジストパターンは、下層のレジスト層が、逆テーパ形状である表面レジスト層に対してアンダーカット形状であるか、又はレジストパターン全体が逆テーパ形状となるのである。

また、これら本発明は、従来技術と比較して、レジストパターンの形状を容易に変更することができるという点において優れている。つまり、従来技術においてレジストパターンの形状を変更するためには、レジスト材料自体をその形状にあったものに変更ない限り不可能であった。しかし、本発明においては、レジストパターンの形状を変更するためには、形状の変更が小さい場合には、全面露光における下層のレジスト層の露光量を変化させれば良く、それで対処できない程度に形状の変更が大きい場合には、レジスト膜を構成する複数のレジスト層の膜厚の比率を変化させれば良いという点で、特に、従来技術よりも優れている。

本発明における前記反転工程は、前記熱処理を１００〜１１０℃で行うのが好ましい。

本発明によれば、金属パターンと側壁付着層とが繋がることがないため容易にリフトオフが可能となりリフトオフ処理時間を大幅に短縮することができる。又仕上がった金属パターンには全くバリの生じることなくかつパターン精度においても蒸着膜の回り込み易さに合せ、微細な金属パターンであってもレジスト断面形状を容易に制御することにより精度の高いパターンを形成することができる。

（レジストパターンの製造方法）
以下に、本実施の形態におけるレジストパターンの製造方法を図２（ａ）から（ｅ）を参照しながら説明する。

まず、図２（ａ）に示すように、半導体ウエハ１１上にジアゾ・ノボラック型のポジ型フォトレジストを１．５〜２．５μｍの膜厚で形成しその後必要に応じ、全面露光を加え下層のレジスト層１３を形成する。この全面露光条件は後述で説明するが、次に形成する画像反転技術等でよく用いられる表面レジスト層１５との相互拡散量を制御する重要条件となる。

次に、図２（ｂ）に示すように、前述した画像反転技術等でよく用いられる表面レジスト層１５を２．５〜３．５μｍの膜厚で形成する。この表面レジスト層１５のポジ型のフォトレジストは通常のジアゾ・ノボラック型のポジ型のフォトレジストと比較して露光後アミン系触媒の拡散処理を行わずとも露光，熱処理のみでネガ型に反転し、露光された領域がアルカリ現像液に対し、不溶となる特徴をもつ。

次に、図２（ｃ）に示すように、形成した二層のレジスト層からなるフォトレジスト膜に対し、パターン露光及び熱処理（１００〜１１０℃）を行う。これにより表面レジスト層１５の露光部はポジ型レジストからネガ型レジストに変化する。（画像反転）

次に、図２（ｄ）に示すように、全面露光を加えた後、現像を行う。

図２（ｅ）は、現像後のレジスト層１３、１５を示す図である。表面レジスト層１５は、前述のパターン露光領域外のみ通常のポジ型のフォトレジストとして現像される。そして、下層のレジスト層１３はネガ型に反転した表面レジスト層１５のパターン露光領域下部も現像されるため、下層のレジスト層１３は表面レジスト層１５に対し、アンダーカットされた断面形状となる。なお、表面レジスト層１５は、下層のレジスト層１３との相互拡散の影響により逆テーパ形状を有する。

図４は、全面露光条件の設定に基づく断面形状の変化を示す図である。前述した下層のレジスト層１３の全面露光は、アンダーカットされた断面形状を制御する重要パラメータとなり、全面露光条件を設定することによって断面形状を制御することができる。

図４（ａ）は、全面露光量小の場合における断面形状を示す図である。この条件においては、下層のレジスト層１３と表面レジスト層１５との相互拡散が小となり、下層のレジスト層１３は表面レジスト層１５に対し、アンダーカット量が約５μｍと大きい断面形状を有することとなる。

図４（ｂ）は、アンダーカット量を約１μｍになるよう全面露光量を調整した場合における断面形状を示す図である。

図４（ｃ）は全面露光量大の場合における断面形状を示す図である。この条件においては、下層のレジスト層１３と表面レジスト層１５の相互拡散が大となりアンダーカット量が０．０〜０．５μｍに抑えたほぼ逆テーパ形状を有する。

図４（ａ）（ｂ）（ｃ）のどの断面形状にするかは次工程である金属膜の蒸着工程で決定される。一般的にレジスト側壁部への金属粒子の回り込み量は蒸着装置により異なる（金属粒子の入射角）。そのため、例えば、金属粒子がレジスト側壁部に回り込み易い蒸着装置の場合は、アンダーカット部への金属膜が付き易くなるため、パターン精度を考慮した場合は、図４（ａ）条件は使用せず（ｂ）又は（ｃ）条件とする。

本実施の形態における全面露光量は、（ａ）条件で９０ｍｊ／ｃｍ^２・ｓｅｃ，（ｂ）条件で２００ｍｊ／ｃｍ^２・ｓｅｃ、そして（ｃ）条件で３００ｍｊ／ｃｍ^２・ｓｅｃである。

図１は、電極・配線となる金属材料をレジストパターン１０上に真空蒸着をさせた状態を示す半導体ウエハの断面図である。本実施の形態で形成したレジストパターン１０とそのレジストパターン１０をマスクにして形成した金属膜を蒸着したリフトオフ処理前の状態である。

図１に示すように、本発明の金属パターンは、レジストパターン１０で囲まれ半導体ウエハ１１上に側壁付着層２０ｓが分離される構造となる。

そしてこの金属膜２０ｏが形成された半導体ウエハをアセトン等の有機溶剤に浸漬して下層のレジスト層１３，表面レジスト層１５及びその表面に形成された金属膜２０ｏをリフトオフ処理することにより半導体素子の電極・配線となる金属パターン２０ｐのみ形成される。このように形成された金属パターン２０ｐを図３に示す。

（本実施の形態の効果）
（１）図１に示したように、確実にレジスト側壁部で金属膜の段切れを生じさせることにより、リフトオフ処理時間は大幅に短縮され、かつ金属パターン２０ｐの外周部にはバリは全く発生しない。
（２）金属パターンの寸法精度については半導体素子を製造する上で求められる精度に合せ、レジスト断面形状を制御することにより必要な寸法精度が得られる。

電極・配線となる金属材料をレジストパターン上に真空蒸着させた状態を示す半導体ウエハの断面図である。本実施の形態におけるレジストパターンの製造方法を示す断面図である。半導体ウエハ上に形成された金属パターンを示す断面図である。全面露光条件の設定に基づく断面形状の変化を示す図である。従来方法により形成した金属パターンであり（ａ）はポジ型のレジスト膜をマスクにして金属膜を形成した状態を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の半導体ウエハにリフトオフ処理を施した状態を示す断面図である。従来方法により半導体ウエハ上にレジストパターンを形成した状態を示す断面図である。

符号の説明

１０レジストパターン
１１半導体ウエハ
１３下層のレジスト層
１５表面レジスト層
２０金属膜
２０ｐ金属パターン
２０ｏ金属膜
２０ｓ側壁付着層
４１半導体ウエハ
４３レジスト層
４５金属膜
４５ａ，４５ｂ，４５ｃバリ
４５ｓ側壁付着層
５１レジスト層

Claims

基板上或いはその上に形成された被膜上に、ジアゾ・ノボラック型のポジ型フォトレジストにより１．５〜２．５μｍの膜厚の下層のレジスト層を形成し、全面露光量９０ｍｊ／ｃｍ ² ・ｓｅｃから３００ｍｊ／ｃｍ ² ・ｓｅｃの範囲で全面露光する工程と、
前記全面露光された前記下層のレジスト層上に、露光後熱処理のみによりネガ型に反転するポジ型フォトレジストにより２．５〜３．５μｍの膜厚の表面レジスト層を形成する工程と、
前記下層のレジスト層と前記表面レジスト層からなるフォトレジスト膜にパターン露光及び熱処理を行って前記表面レジスト層のパターン露光部をネガ型に反転させる工程と、
前記フォトレジスト膜に全面露光を行う工程と、
前記フォトレジスト膜を現像することにより、前記表面レジスト層が逆テーパ形状であり、前記下層レジスト層が前記表面レジスト層に対してアンダーカット形状であるレジストパターンに加工する工程と、
前記レジストパターン上に電極、配線材料となる金属膜を形成する工程と、
前記レジストパターンを溶剤で溶解させるとともに前記レジストパターン上の前記金属膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記熱処理を１００〜１１０℃で行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。