JP4560182B2 - 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス製造等のために、減圧雰囲気中あるいは減圧された特殊ガス雰囲気中でウエハ等の被処理基板に処理を行なう、Ｘ線露光装置、ＣＶＤ装置等に適した減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
減圧された雰囲気中で基板の処理を行なう減圧処理装置の一例として、減圧されたヘリウム中でマスク上に描かれたパターンをウエハ上に転写するＸ線露光装置が知られている（特開平２−１００３１１号公報参照）。
【０００３】
図７は一従来例による半導体製造装置を示す。これは、軟Ｘ線であるＳＲ光すなわちシンクロトロン放射光（荷電粒子蓄積リング放射光）を露光光とするもので、ＳＲ光を発生するＳＲ光源１０１と、ビームライン１０２と、密封された処理室１０３を有し、ビームライン１０２の内部は超高真空雰囲気となっていて、ゲートバルブ１０２ａを介してＳＲ光源１０１と接続され、処理室１０３へＳＲ光を導く。
【０００４】
処理室１０３内には、転写するパターンを薄いメンブレンの上に描いてあるマスクＭ0 、ウエハＷ0 が配設され、マスクＭ0 およびウエハＷ0 はそれぞれ、不図示の位置合わせステージに搭載されている。マスクＭ0 上に描かれたパターンをウエハＷ0 上に転写処理を行なう露光時には、露光光であるＳＲ光の減衰を抑えるために、処理室１０３内は例えば１５０Ｔｏｒｒに減圧されたヘリウム雰囲気となっている。
【０００５】
処理室１０３は、通常ベリリウムで作られたＸ線窓１０４を有し、処理室１０３のヘリウム雰囲気とビームライン１０２の超高真空雰囲気を分離するための隔壁となっている。
【０００６】
このような減圧処理装置では、マスクＭ0 あるいはウエハＷ0 を処理室１０３に搬入あるいは搬出するたびに処理室１０３全体を大気開放すると、大気開放および前述の減圧雰囲気を作成するのに時間がかかり、スループットが低下する。
このため、処理室１０３に隣接して小型のロードロック室１０５を設け、このロードロック室１０５を経てマスクＭ0 やウエハＷ0 を処理室１０３に搬出入する。ロードロック室１０５は、処理室側のゲートバルブ１０６と、大気側のゲートバルブ１０７を有する。
【０００７】
また、ウエハ上にレジストを塗布し、露光後のウエハの現像を行なうコーターディベロッパー１０８と、ロードロック室１０５の間には、ウエハを受け渡すための搬送機構１０９が設けられる。
【０００８】
ウエハＷ0 を処理室１０３内に搬入する場合の手順は以下のとおりである。
【０００９】
（１）大気側のゲートバルブ１０７を開き、搬送機構１０９によりウエハをロードロック室１０５に送り込む。このとき処理室側のゲートバルブ１０６は閉じられている。
【００１０】
（２）大気側のゲートバルブ１０７を閉じ、ロードロック室１０５内を減圧ヘリウム雰囲気にする。
【００１１】
（３）処理室側のゲートバルブ１０６を開いて、処理室１０３内の搬送機構（不図示）によりウエハＷ0 を処理室１０３内に搬送する。
【００１２】
搬出する場合は、上記の逆の手順を行なえばよい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体製造工程では、製造装置全体を工場のクリーンルーム内に設けることで、塵埃等による汚染に対する対策を行なってきた。しかし、近年の半導体の集積化に対応した０．２〜０．１μｍレベルの微細加工のためには、必要なクリーン度もクラス１０からクラス１へと厳しくなり、これをクリーンルーム全体で達成しようとすると、クリーンルームの建設・維持の費用は非常に高額なものとなる。さらに、１台の装置のメンテナンスを行なうとクリーンルーム全体のクリーン度が低下し、他の装置全体に影響が及んでしまう。
【００１４】
また、前述のように減圧処理装置にはスループット向上のためロードロック室が必要不可欠であるが、ロードロック室内は、大気から処理室の雰囲気あるいはその逆へと変化するため、雰囲気に応じたクリーン度の管理が必要になる。
【００１５】
本発明は上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、被処理基板の搬送経路すべてのクリーン度を低コストで管理して、被処理基板の汚染を効果的に回避できる減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１６】
本発明の第２の目的は、被処理基板の搬送経路すべてのクリーン度を管理するとともに、被処理基板の搬入、搬出時のロードロック室内のクリーン度の管理を効率的に行なうことである。
【００１７】
本発明の第３の目的は、被処理基板の搬送経路すべてのクリーン度を管理するとともに、雰囲気に応じたロードロック室内のクリーン度の管理を、簡便に行なうことである。
【００１８】
本発明の第４の目的は、被処理基板の搬送経路すべてのクリーン度を管理するとともに、雰囲気に応じたロードロック室内のクリーン度の管理を、水分の混入を抑えて達成することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の減圧処理装置は、減圧雰囲気気体中で被処理基板に処理を行うための減圧可能な処理室と、前記処理室に第１のゲートバルブを介して接続されたロードロック室と、前記処理とは異なる処理を行う処理装置と前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構の周囲の空間を覆い、前記ロードロック室に第２のゲートバルブを介して接続されたクリーンブースと、前記クリーンブース内にフィルタを介して清浄な気体を供給するクリーンブースガス流動機構と、前記処理室内にフィルタを介して前記雰囲気気体を供給する雰囲気気体供給手段と、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記処理室内の前記雰囲気気体を前記第１のゲートバルブを介さずに前記ロードロック室に供給し、前記クリーンブースと前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記クリーンブース内の前記清浄な気体を前記第２のゲートバルブを介さずに前記ロードロック室に供給するロードロックガス流動機構と、を備えることを特徴とする。
【００２２】
他の減圧処理装置は、減圧雰囲気気体中で被処理基板に処理を行うための減圧可能な処理室と、前記処理室に第１のゲートバルブを介して接続されたロードロック室と、前記処理とは異なる処理を行う処理装置と前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構の周囲の空間を覆い、前記ロードロック室に第２のゲートバルブを介して接続されたクリーンブースと、前記ロードロック室に乾燥気体を供給可能な乾燥気体供給源と、前記処理室内にフィルタを介して前記雰囲気気体を供給する雰囲気気体供給手段と、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記処理室内の前記雰囲気気体を前記第１のゲートバルブを介さずに前記ロードロック室に供給し、前記クリーンブースと前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記乾燥気体供給源からの乾燥気体を前記ロードロック室に供給するロードロックガス流動機構と、を備えることを特徴とする。
【００２３】
【作用】
被処理基板の前後処理を行なうコーターディベロッパー等から被処理基板をロードロック室に搬送する搬送機構が、クリーンルームの空気中に露出していると、処理室およびロードロック室の雰囲気のクリーン度を維持するのにクリーンルーム全体のクリーン度を上げなければならず、コスト高である。そこで、搬送機構による搬送経路全体をクリーンブースに内蔵させるとともに、クリーンブース内に清浄な気体の層流を発生させて、被処理基板に塵埃等が付着するのを防ぐ。
【００２４】
クリーンルーム全体のクリーン度を上げることなく、小型のクリーンブースを管理するだけで、搬送中のウエハ等被処理基板を清浄な状態に維持できるため、クリーンルーム全体を厳しく管理する場合に比べて低コストであり、またメンテナンス時に他の装置が影響を受けることもない。
【００２５】
ロードロック室に清浄な気体の層流を発生させるロードロック室ガス流動機構が設けられていれば、ロードロック室内の被処理基板を清浄に保つうえで極めて有効である。
【００２６】
処理室の雰囲気気体またはクリーンブース内の空気を選択的にロードロック室に導入するための選択手段が設けられていれば、気体を循環させることで、より一層低コスト化を促進できる。
【００２７】
処理室の雰囲気気体または乾燥ガスを選択的にロードロック室に導入するための選択手段が設けられていれば、ロードロック室内へ水分が侵入するのを防いで、被処理基板の汚染防止や、ロードロック室の真空引きの時間短縮等に大きく貢献できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２９】
図１は第１の実施の形態による減圧処理装置を示す。これは、軟Ｘ線であるＳＲ光を露光光とする露光手段を有し、被処理基板であるウエハを連続的に処理する、いわゆるインラインシステムのＸ線露光装置を含む半導体製造装置であり、ＳＲ光を発生するＳＲ光源１と、ビームライン２と、密封された処理室３を備えている。
【００３０】
ビームライン２の内部は超高真空雰囲気となっていて、ゲートバルブ２ａを介してＳＲ光源１と接続され、処理室３へＳＲ光を導く。処理室３内には、転写するパターンを薄いメンブレンの上に描いてあるマスクＭ、ウエハＷが配設され、マスクＭおよびウエハＷはそれぞれ不図示の位置合わせステージに搭載されている。マスクＭ上に描かれたパターンをウエハＷ上に転写処理を行なう露光時には、露光光であるＳＲ光の減衰を抑えるために、処理室３内は例えば１５０Ｔｏｒｒに減圧されたヘリウムの減圧雰囲気となっている。処理室３は、通常ベリリウムで作られたＸ線窓４を有し、処理室３のヘリウム雰囲気とビームライン２の超高真空雰囲気を分離するための隔壁となっている。
【００３１】
このような減圧処理装置では、マスクＭあるいはウエハＷを処理室３に搬入あるいは搬出するたびに処理室３全体を大気あるいはクリーンルームの雰囲気に開放すると、大気開放および前述の減圧雰囲気を作成するのに時間がかかり、スループットが低下する。このため、処理室３に隣接して小型のロードロック室５を設け、このロードロック室５を経てマスクＭやウエハＷを処理室３に搬入あるいは搬出する。ロードロック室５は、処理室側のゲートバルブ６と、大気側のゲートバルブ７を有する。
【００３２】
露光前にウエハ上にレジストを塗布し、また露光後のウエハの現像を行なうコーターディベロッパー８と、ロードロック室５の間には、ウエハを受け渡すための搬送機構９が設けられる。
【００３３】
処理室３内の上方には、パーティクルおよびケミカル成分を除去するためのフィルター１０が設けられ、下方全面には整流板１１が配設されており、処理室３内の雰囲気気体であるヘリウムは、ヘリウム循環ユニット１２により排出され、ヘリウム循環用ダクト１３を通って処理室３内のフィルター１０の上に戻される。この構成により、処理室３内にはクリーン度の高いヘリウムによる層流が形成される。
【００３４】
ロードロック室５の大気側には、一面をゲートバルブ７に、もう一面をコーターディベロッパー８に接続されてウエハの搬送経路全体を覆うクリーンブース１４が設けられる。クリーンブース１４は、搬送機構９を内蔵し、その上方全面に設置されたフィルター１５と、空気循環ユニット１６と、空気循環用ダクト１７によって構成されるクリーンブースガス流動機構を有する。クリーンブース１４内の空気は、空気循環ユニット１６により排出され、空気循環用ダクト１７を通ってクリーンブース１４内のフィルター１５の上に戻される。この構成により、ウエハの搬送経路すべてにクリーン度の高い清浄な気体である清浄空気の層流が形成される。
【００３５】
ロードロック室５の上方全面には整流板１８が設けられ、その上方に開口する供給管１９は一方がロードロック室５に接続され、もう一方は選択手段である供給切り替えバルブ２０を介して処理室３とクリーンブース１４に接続されてロードロック室ガス流動機構を構成している。供給切り替えバルブ２０により、供給管１９を通ってロードロック室５内に供給する気体を、供給停止、ヘリウム供給あるいは空気供給の三つの状態に選択的に切り替えることができるように構成されている。
【００３６】
排気管２１は、一方がロードロック室５に接続され、もう一方は排気切り替えバルブ２２を介して排気手段２３、ヘリウム循環ユニット１２および空気循環ユニット１６に接続されている。排気切り替えバルブ２２により、排気管２１を通ってロードロック室５から排気する気体を、排気手段２３による排気、空気循環またはヘリウム循環の三つの状態に切り替えることができるように構成されている。また、整流板１８は、例えば金属の板に多数の小穴をあけたパンチングメタル等から構成されていて、供給管１９を通って供給された気体によりロードロック室５内で均等な流れ（層流）をつくる。
【００３７】
ウエハＷを処理室３内に搬入する場合の手順は以下のとおりである。
【００３８】
（０）まず処理室３内を不図示の排気手段により真空（例えば０．１Ｔｏｒｒ）まで排気し、不図示のヘリウム供給手段により例えば１５０Ｔｏｒｒまでヘリウムを供給する。その後ヘリウム循環ユニット１２を駆動して処理室３内にヘリウムの層流を形成する。このとき処理室側のゲートバルブ６は閉じ、大気側のゲートバルブ７は開いておく。また、供給切り替えバルブ２０はクリーンブース側に、排気切り替えバルブ２２は空気循環に切り替え、ロードロック室５内にクリーンな空気の層流を形成させておく（図２の（ｂ）参照）。
【００３９】
（１）コーターディベロッパー８によりレジストが塗布されたウエハを、クリーンブース１４内の搬送機構９によりロードロック室５に送り込む。この間の搬送経路全面でクリーン度の高い空気の層流が形成されているため、ウエハは非常にクリーン度の高い状態を維持して搬送することができる。
【００４０】
（２）ゲートバルブ７、供給切り替えバルブ２０を閉じ、排気切り替えバルブ２２を排気手段２３による排気に切り替え、ロードロック室５内を０．１Ｔｏｒｒまで排気し、排気切り替えバルブ２２をヘリウム循環にする。
【００４１】
（３）供給切り替えバルブ２０を処理室側にする。必要があれば処理室３の圧力が低下した分は不図示のヘリウム供給手段によりヘリウムを補う。この状態でロードロック室５内にも処理室３と同様ヘリウムの層流が形成される（図２の（ａ）参照）。
【００４２】
（４）ロードロック室５が処理室３と同じ圧力になったら、処理室側のゲートバルブ６を開いて、処理室３内の搬送機構（不図示）によりウエハを処理室３内に搬送する。
【００４３】
次に露光処理の終了したウエハを搬出する場合の手順を示す。
【００４４】
（５）処理室３内の搬送機構により露光処理の完了したウエハをロードロック室５内に搬送する。
【００４５】
（６）処理室側のゲートバルブ６を閉じ、排気切り替えバルブ２２を空気循環、供給切り替えバルブ２０をクリーンブース側にし、ロードロック室５内に空気を送り込み大気圧にもどす。この状態でロードロック室５内に空気の層流が形成される（図２の（ｂ）参照）。
【００４６】
（７）ロードロック室５内がクリーンブース１４内と同じ雰囲気になったら、大気側のゲートバルブ７を開け、搬送機構９によりウエハをコーターディベロッパー８に受け渡す。
【００４７】
図３は第１の実施の形態の一変形例を示す。これは、搬送容器３０内に気密に封入されたウエハキャリヤ３１によりウエハを装置へ搬入、搬出するように構成されたものであり、クリーンブース１４には、ウエハキャリヤ３１をクリーンブース１４内に搬出入するための昇降機構３２が設けられている。
【００４８】
図４は第２の実施の形態を示す。これは、ロードロック室５の大気開放を、乾燥ガスである乾燥窒素により行なう場合である。クリーンブース４４は、一面をロードロック室５の大気側のゲートバルブ７に、もう一面をコーターディベロッパー８に接続されてウエハの搬送経路を覆うものであり、クリーンブース４４の上方全面にはフィルター４５が設けられている。このクリーンブース４４は開放方式であり、クリーンブース４４の上方にはファンユニット４９が設けられる。
クリーンブース４４内にはファンユニット４９により上方からフィルター４５を通って空気が送り込まれ、下方より外部へ排出される。この構成によりウエハ搬送経路全面にクリーン度の高い気体である清浄空気による層流が形成されている。
【００４９】
供給管１９は、一方がロードロック室５に接続され、もう一方は供給切り替えバルブ５０を介して処理室３と乾燥窒素供給源６１に接続されている。供給切り替えバルブ５０により、供給管１９を通ってロードロック室５内に供給する気体を供給停止、ヘリウム供給あるいは乾燥窒素供給の三つの状態に切り替えることができる。また、流量調節バルブ６２により、ロードロック室５が所定の圧力になるように窒素の流量を調節することができる。
【００５０】
排気管５１は、一方がロードロック室５に接続され、もう一方は排気切り替えバルブ５２を介して排気手段５３とヘリウム循環ユニット１２に接続されている。排気切り替えバルブ５２により、排気管５１を通ってロードロック室５から排気する気体を排気手段５３による排気あるいはヘリウム循環の二つの状態に切り替えることができる。
【００５１】
処理室３、Ｘ線窓４、ロードロック室５、ゲートバルブ６、７、コーターディベロッパー８、搬送機構９等については第１の実施の形態と同様であるから同一符号で表わし、説明は省略する。
【００５２】
ウエハを処理室３内に搬入する場合の手順は以下のとおりである。
【００５３】
（０）まず処理室３内に第１の実施の形態と同様の手順でヘリウムの層流を形成する。このとき処理室側のゲートバルブ６は閉じ、大気側のゲートバルブ７は開いておく。また供給切り替えバルブ５０は窒素側に、排気切り替えバルブ５２は排気側に切り替え、ロードロック室５内にクリーンで乾燥した窒素による層流を形成させておく。
【００５４】
（１）搬送機構９により、コーターディベロッパー８においてレジストが塗布されたウエハを、ロードロック室５に送り込む。
【００５５】
（２）大気側のゲートバルブ７、供給切り替えバルブ５０を閉じ、排気切り替えバルブ５２を排気手段側に切り替えて、ロードロック室５内を０．１Ｔｏｒｒまで排気し、その後排気切り替えバルブ５２をヘリウム循環にする。
【００５６】
（３）供給切り替えバルブ５０を処理室側にする。処理室３の圧力が低下した分は不図示のヘリウム供給手段によりヘリウムを補う。この状態でロードロック室５内にも処理室３と同様ヘリウムの層流が形成される。
【００５７】
（０）ロードロック室５が処理室３と同じ圧力になったら、処理室側のゲートバルブ６を開いて、処理室３内の搬送機構（不図示）によりウエハを処理室３に搬送する。
【００５８】
次に露光処理の終了したウエハを搬出する場合の手順を示す。
【００５９】
（１）処理室３内の搬送機構により露光処理の完了したウエハをロードロック室５内に搬送する。
【００６０】
（２）処理室側のゲートバルブ６を閉じ、供給切り替えバルブ５０を窒素側、排気切り替えバルブ５２を排気手段側にし、流量調節バルブ６２で流量を調節しながらロードロック室５内が大気圧になるまで窒素を供給する。
【００６１】
（３）クリーンブース４４と同じ圧力になったら、大気側のゲートバルブ７を開け、搬送機構９によりウエハをコーターディベロッパー８に受け渡す。
【００６２】
上記の第１、第２の実施の形態においては、Ｘ線露光装置に適用した減圧処理装置について説明したが、他の減圧処理装置にももちろん適用できる。
【００６３】
また、クリーンブースとロードロック室の接続をゲートバルブで行なったが、ロードロック室の一部がクリーンブース室内に入り込む形で接続しても、もちろん構わない。
【００６４】
フィルターは、パーティクルとケミカル成分を除去できるものを使用したが、どちらか一方でもよい。また、整流板を使用したが、フィルターのみでも構わない。
【００６５】
ロードロック室の大気開放に、空気または窒素を使用したが、状況に応じて他の気体の適用も可能である。
【００６６】
第１、第２の実施の形態によれば、減圧処理室内に清浄な気体の層流を形成するとともに、少なくともロードロック室の一部と接続されたクリーンブースを大気中の搬送経路に設置するものであるため、工場クリーンルーム全体のクリーン度を厳しく管理する必要が無く、従って大幅にコストダウンが計られる。また、メンテナンス時も他の装置は影響されない。
【００６７】
加えて、ロードロック室内の気体の種類が変わることに対応して流す気体の種類を変えられる構成とすることにより、ロードロック室内の圧力・気体の種類に係わらずクリーン度を向上させることができる。
【００６８】
さらに、減圧処理室に循環装置とフィルターを設置して処理室内の気体を循環させて層流を形成することにより、雰囲気気体の消費を低減し、低コスト化を促進できる。
【００６９】
また、ロードロック室の状態に応じて処理室の雰囲気気体とクリーンブース内の気体を選択して供給することにより、ボンベ、フィルター等を別途用意することなく簡便な機構でクリーン度の向上が達成できる。
【００７０】
さらに、ロードロック室の状態に応じて処理室の雰囲気気体と乾燥窒素を選択して供給することにより、ロードロック室内への水分の混入を抑えることができ、被処理基板の汚染防止、真空引きの時の時間短縮が計られる。
【００７１】
次にデバイス製造方法の実施例を説明する。図５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した原版であるマスク（レチクル）を製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて基板であるウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００７２】
図６は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記のＸ線露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【００７３】
【発明の効果】
本発明は上述のとおり構成されているので、以下に記載するような効果を奏する。
【００７４】
ロードロック室に到るまでのウエハ等被処理基板の搬送経路に清浄な空気の層流を発生させ、被処理基板に塵埃等が付着するのを防ぐことで、クリーンルーム全体の必要クリーン度を低減し、設備費やメンテナンスのコストを大幅に削減できる。
【００７５】
このような減圧処理装置によってウエハを処理する半導体製造装置を用いれば、半導体デバイス等の低価格化に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態を示す模式図である。
【図２】図１の装置の配管の切り替えを説明する図である。
【図３】第１の実施の形態の一変形例を示す模式図である。
【図４】第２の実施の形態を示す模式図である。
【図５】半導体製造工程を示すフローチャートである。
【図６】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図７】一従来例を示す模式図である。
【符号の説明】
１ ＳＲ光源
２ ビームライン
３ 処理室
４ Ｘ線窓
５ ロードロック室
６、７ ゲートバルブ
８ コーターディベロッパー
９ 搬送機構
１０、１５、４５ フィルター
１２ ヘリウム循環ユニット
１４、４４ クリーンブース
１６ 空気循環ユニット
２０、５０ 供給切り替えバルブ
２２、５２ 排気切り替えバルブ
２３、５３ 排気手段
３０ 搬送容器
３１ ウエハキャリヤ
３２ 昇降機構
４９ ファンユニット
６１ 乾燥窒素供給源
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス製造等のために、減圧雰囲気中あるいは減圧された特殊ガス雰囲気中でウエハ等の被処理基板に処理を行なう、Ｘ線露光装置、ＣＶＤ装置等に適した減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
減圧された雰囲気中で基板の処理を行なう減圧処理装置の一例として、減圧されたヘリウム中でマスク上に描かれたパターンをウエハ上に転写するＸ線露光装置が知られている（特開平２−１００３１１号公報参照）。
【０００３】
図７は一従来例による半導体製造装置を示す。これは、軟Ｘ線であるＳＲ光すなわちシンクロトロン放射光（荷電粒子蓄積リング放射光）を露光光とするもので、ＳＲ光を発生するＳＲ光源１０１と、ビームライン１０２と、密封された処理室１０３を有し、ビームライン１０２の内部は超高真空雰囲気となっていて、ゲートバルブ１０２ａを介してＳＲ光源１０１と接続され、処理室１０３へＳＲ光を導く。
【０００４】
処理室１０３内には、転写するパターンを薄いメンブレンの上に描いてあるマスクＭ0 、ウエハＷ0 が配設され、マスクＭ0 およびウエハＷ0 はそれぞれ、不図示の位置合わせステージに搭載されている。マスクＭ0 上に描かれたパターンをウエハＷ0 上に転写処理を行なう露光時には、露光光であるＳＲ光の減衰を抑えるために、処理室１０３内は例えば１５０Ｔｏｒｒに減圧されたヘリウム雰囲気となっている。
【０００５】
処理室１０３は、通常ベリリウムで作られたＸ線窓１０４を有し、処理室１０３のヘリウム雰囲気とビームライン１０２の超高真空雰囲気を分離するための隔壁となっている。
【０００６】
このような減圧処理装置では、マスクＭ0 あるいはウエハＷ0 を処理室１０３に搬入あるいは搬出するたびに処理室１０３全体を大気開放すると、大気開放および前述の減圧雰囲気を作成するのに時間がかかり、スループットが低下する。
このため、処理室１０３に隣接して小型のロードロック室１０５を設け、このロードロック室１０５を経てマスクＭ0 やウエハＷ0 を処理室１０３に搬出入する。ロードロック室１０５は、処理室側のゲートバルブ１０６と、大気側のゲートバルブ１０７を有する。
【０００７】
また、ウエハ上にレジストを塗布し、露光後のウエハの現像を行なうコーターディベロッパー１０８と、ロードロック室１０５の間には、ウエハを受け渡すための搬送機構１０９が設けられる。
【０００８】
ウエハＷ0 を処理室１０３内に搬入する場合の手順は以下のとおりである。
【０００９】
（１）大気側のゲートバルブ１０７を開き、搬送機構１０９によりウエハをロードロック室１０５に送り込む。このとき処理室側のゲートバルブ１０６は閉じられている。
【００１０】
（２）大気側のゲートバルブ１０７を閉じ、ロードロック室１０５内を減圧ヘリウム雰囲気にする。
【００１１】
（３）処理室側のゲートバルブ１０６を開いて、処理室１０３内の搬送機構（不図示）によりウエハＷ0 を処理室１０３内に搬送する。
【００１２】
搬出する場合は、上記の逆の手順を行なえばよい。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体製造工程では、製造装置全体を工場のクリーンルーム内に設けることで、塵埃等による汚染に対する対策を行なってきた。しかし、近年の半導体の集積化に対応した０．２〜０．１μｍレベルの微細加工のためには、必要なクリーン度もクラス１０からクラス１へと厳しくなり、これをクリーンルーム全体で達成しようとすると、クリーンルームの建設・維持の費用は非常に高額なものとなる。さらに、１台の装置のメンテナンスを行なうとクリーンルーム全体のクリーン度が低下し、他の装置全体に影響が及んでしまう。
【００１４】
また、前述のように減圧処理装置にはスループット向上のためロードロック室が必要不可欠であるが、ロードロック室内は、大気から処理室の雰囲気あるいはその逆へと変化するため、雰囲気に応じたクリーン度の管理が必要になる。
【００１５】
本発明は上記従来の技術の有する未解決の課題に鑑みてなされたものであり、被処理基板の搬送経路すべてのクリーン度を低コストで管理して、被処理基板の汚染を効果的に回避できる減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１６】
本発明の第２の目的は、被処理基板の搬送経路すべてのクリーン度を管理するとともに、被処理基板の搬入、搬出時のロードロック室内のクリーン度の管理を効率的に行なうことである。
【００１７】
本発明の第３の目的は、被処理基板の搬送経路すべてのクリーン度を管理するとともに、雰囲気に応じたロードロック室内のクリーン度の管理を、簡便に行なうことである。
【００１８】
本発明の第４の目的は、被処理基板の搬送経路すべてのクリーン度を管理するとともに、雰囲気に応じたロードロック室内のクリーン度の管理を、水分の混入を抑えて達成することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の減圧処理装置は、減圧雰囲気気体中で被処理基板に処理を行うための減圧可能な処理室と、前記処理室に第１のゲートバルブを介して接続されたロードロック室と、前記処理とは異なる処理を行う処理装置と前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構の周囲の空間を覆い、前記ロードロック室に第２のゲートバルブを介して接続されたクリーンブースと、前記クリーンブース内にフィルタを介して清浄な気体を供給するクリーンブースガス流動機構と、前記処理室内にフィルタを介して前記雰囲気気体を供給する雰囲気気体供給手段と、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記処理室内の前記雰囲気気体を前記第１のゲートバルブを介さずに前記ロードロック室に供給し、前記クリーンブースと前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記クリーンブース内の前記清浄な気体を前記第２のゲートバルブを介さずに前記ロードロック室に供給するロードロックガス流動機構と、を備えることを特徴とする。
【００２２】
他の減圧処理装置は、減圧雰囲気気体中で被処理基板に処理を行うための減圧可能な処理室と、前記処理室に第１のゲートバルブを介して接続されたロードロック室と、前記処理とは異なる処理を行う処理装置と前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構の周囲の空間を覆い、前記ロードロック室に第２のゲートバルブを介して接続されたクリーンブースと、前記ロードロック室に乾燥気体を供給可能な乾燥気体供給源と、前記処理室内にフィルタを介して前記雰囲気気体を供給する雰囲気気体供給手段と、前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記処理室内の前記雰囲気気体を前記第１のゲートバルブを介さずに前記ロードロック室に供給し、前記クリーンブースと前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記乾燥気体供給源からの乾燥気体を前記ロードロック室に供給するロードロックガス流動機構と、を備えることを特徴とする。
【００２３】
【作用】
被処理基板の前後処理を行なうコーターディベロッパー等から被処理基板をロードロック室に搬送する搬送機構が、クリーンルームの空気中に露出していると、処理室およびロードロック室の雰囲気のクリーン度を維持するのにクリーンルーム全体のクリーン度を上げなければならず、コスト高である。そこで、搬送機構による搬送経路全体をクリーンブースに内蔵させるとともに、クリーンブース内に清浄な気体の層流を発生させて、被処理基板に塵埃等が付着するのを防ぐ。
【００２４】
クリーンルーム全体のクリーン度を上げることなく、小型のクリーンブースを管理するだけで、搬送中のウエハ等被処理基板を清浄な状態に維持できるため、クリーンルーム全体を厳しく管理する場合に比べて低コストであり、またメンテナンス時に他の装置が影響を受けることもない。
【００２５】
ロードロック室に清浄な気体の層流を発生させるロードロック室ガス流動機構が設けられていれば、ロードロック室内の被処理基板を清浄に保つうえで極めて有効である。
【００２６】
処理室の雰囲気気体またはクリーンブース内の空気を選択的にロードロック室に導入するための選択手段が設けられていれば、気体を循環させることで、より一層低コスト化を促進できる。
【００２７】
処理室の雰囲気気体または乾燥ガスを選択的にロードロック室に導入するための選択手段が設けられていれば、ロードロック室内へ水分が侵入するのを防いで、被処理基板の汚染防止や、ロードロック室の真空引きの時間短縮等に大きく貢献できる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２９】
図１は第１の実施の形態による減圧処理装置を示す。これは、軟Ｘ線であるＳＲ光を露光光とする露光手段を有し、被処理基板であるウエハを連続的に処理する、いわゆるインラインシステムのＸ線露光装置を含む半導体製造装置であり、ＳＲ光を発生するＳＲ光源１と、ビームライン２と、密封された処理室３を備えている。
【００３０】
ビームライン２の内部は超高真空雰囲気となっていて、ゲートバルブ２ａを介してＳＲ光源１と接続され、処理室３へＳＲ光を導く。処理室３内には、転写するパターンを薄いメンブレンの上に描いてあるマスクＭ、ウエハＷが配設され、マスクＭおよびウエハＷはそれぞれ不図示の位置合わせステージに搭載されている。マスクＭ上に描かれたパターンをウエハＷ上に転写処理を行なう露光時には、露光光であるＳＲ光の減衰を抑えるために、処理室３内は例えば１５０Ｔｏｒｒに減圧されたヘリウムの減圧雰囲気となっている。処理室３は、通常ベリリウムで作られたＸ線窓４を有し、処理室３のヘリウム雰囲気とビームライン２の超高真空雰囲気を分離するための隔壁となっている。
【００３１】
このような減圧処理装置では、マスクＭあるいはウエハＷを処理室３に搬入あるいは搬出するたびに処理室３全体を大気あるいはクリーンルームの雰囲気に開放すると、大気開放および前述の減圧雰囲気を作成するのに時間がかかり、スループットが低下する。このため、処理室３に隣接して小型のロードロック室５を設け、このロードロック室５を経てマスクＭやウエハＷを処理室３に搬入あるいは搬出する。ロードロック室５は、処理室側のゲートバルブ６と、大気側のゲートバルブ７を有する。
【００３２】
露光前にウエハ上にレジストを塗布し、また露光後のウエハの現像を行なうコーターディベロッパー８と、ロードロック室５の間には、ウエハを受け渡すための搬送機構９が設けられる。
【００３３】
処理室３内の上方には、パーティクルおよびケミカル成分を除去するためのフィルター１０が設けられ、下方全面には整流板１１が配設されており、処理室３内の雰囲気気体であるヘリウムは、ヘリウム循環ユニット１２により排出され、ヘリウム循環用ダクト１３を通って処理室３内のフィルター１０の上に戻される。この構成により、処理室３内にはクリーン度の高いヘリウムによる層流が形成される。
【００３４】
ロードロック室５の大気側には、一面をゲートバルブ７に、もう一面をコーターディベロッパー８に接続されてウエハの搬送経路全体を覆うクリーンブース１４が設けられる。クリーンブース１４は、搬送機構９を内蔵し、その上方全面に設置されたフィルター１５と、空気循環ユニット１６と、空気循環用ダクト１７によって構成されるクリーンブースガス流動機構を有する。クリーンブース１４内の空気は、空気循環ユニット１６により排出され、空気循環用ダクト１７を通ってクリーンブース１４内のフィルター１５の上に戻される。この構成により、ウエハの搬送経路すべてにクリーン度の高い清浄な気体である清浄空気の層流が形成される。
【００３５】
ロードロック室５の上方全面には整流板１８が設けられ、その上方に開口する供給管１９は一方がロードロック室５に接続され、もう一方は選択手段である供給切り替えバルブ２０を介して処理室３とクリーンブース１４に接続されてロードロック室ガス流動機構を構成している。供給切り替えバルブ２０により、供給管１９を通ってロードロック室５内に供給する気体を、供給停止、ヘリウム供給あるいは空気供給の三つの状態に選択的に切り替えることができるように構成されている。
【００３６】
排気管２１は、一方がロードロック室５に接続され、もう一方は排気切り替えバルブ２２を介して排気手段２３、ヘリウム循環ユニット１２および空気循環ユニット１６に接続されている。排気切り替えバルブ２２により、排気管２１を通ってロードロック室５から排気する気体を、排気手段２３による排気、空気循環またはヘリウム循環の三つの状態に切り替えることができるように構成されている。また、整流板１８は、例えば金属の板に多数の小穴をあけたパンチングメタル等から構成されていて、供給管１９を通って供給された気体によりロードロック室５内で均等な流れ（層流）をつくる。
【００３７】
ウエハＷを処理室３内に搬入する場合の手順は以下のとおりである。
【００３８】
（０）まず処理室３内を不図示の排気手段により真空（例えば０．１Ｔｏｒｒ）まで排気し、不図示のヘリウム供給手段により例えば１５０Ｔｏｒｒまでヘリウムを供給する。その後ヘリウム循環ユニット１２を駆動して処理室３内にヘリウムの層流を形成する。このとき処理室側のゲートバルブ６は閉じ、大気側のゲートバルブ７は開いておく。また、供給切り替えバルブ２０はクリーンブース側に、排気切り替えバルブ２２は空気循環に切り替え、ロードロック室５内にクリーンな空気の層流を形成させておく（図２の（ｂ）参照）。
【００３９】
（１）コーターディベロッパー８によりレジストが塗布されたウエハを、クリーンブース１４内の搬送機構９によりロードロック室５に送り込む。この間の搬送経路全面でクリーン度の高い空気の層流が形成されているため、ウエハは非常にクリーン度の高い状態を維持して搬送することができる。
【００４０】
（２）ゲートバルブ７、供給切り替えバルブ２０を閉じ、排気切り替えバルブ２２を排気手段２３による排気に切り替え、ロードロック室５内を０．１Ｔｏｒｒまで排気し、排気切り替えバルブ２２をヘリウム循環にする。
【００４１】
（３）供給切り替えバルブ２０を処理室側にする。必要があれば処理室３の圧力が低下した分は不図示のヘリウム供給手段によりヘリウムを補う。この状態でロードロック室５内にも処理室３と同様ヘリウムの層流が形成される（図２の（ａ）参照）。
【００４２】
（４）ロードロック室５が処理室３と同じ圧力になったら、処理室側のゲートバルブ６を開いて、処理室３内の搬送機構（不図示）によりウエハを処理室３内に搬送する。
【００４３】
次に露光処理の終了したウエハを搬出する場合の手順を示す。
【００４４】
（５）処理室３内の搬送機構により露光処理の完了したウエハをロードロック室５内に搬送する。
【００４５】
（６）処理室側のゲートバルブ６を閉じ、排気切り替えバルブ２２を空気循環、供給切り替えバルブ２０をクリーンブース側にし、ロードロック室５内に空気を送り込み大気圧にもどす。この状態でロードロック室５内に空気の層流が形成される（図２の（ｂ）参照）。
【００４６】
（７）ロードロック室５内がクリーンブース１４内と同じ雰囲気になったら、大気側のゲートバルブ７を開け、搬送機構９によりウエハをコーターディベロッパー８に受け渡す。
【００４７】
図３は第１の実施の形態の一変形例を示す。これは、搬送容器３０内に気密に封入されたウエハキャリヤ３１によりウエハを装置へ搬入、搬出するように構成されたものであり、クリーンブース１４には、ウエハキャリヤ３１をクリーンブース１４内に搬出入するための昇降機構３２が設けられている。
【００４８】
図４は第２の実施の形態を示す。これは、ロードロック室５の大気開放を、乾燥ガスである乾燥窒素により行なう場合である。クリーンブース４４は、一面をロードロック室５の大気側のゲートバルブ７に、もう一面をコーターディベロッパー８に接続されてウエハの搬送経路を覆うものであり、クリーンブース４４の上方全面にはフィルター４５が設けられている。このクリーンブース４４は開放方式であり、クリーンブース４４の上方にはファンユニット４９が設けられる。
クリーンブース４４内にはファンユニット４９により上方からフィルター４５を通って空気が送り込まれ、下方より外部へ排出される。この構成によりウエハ搬送経路全面にクリーン度の高い気体である清浄空気による層流が形成されている。
【００４９】
供給管１９は、一方がロードロック室５に接続され、もう一方は供給切り替えバルブ５０を介して処理室３と乾燥窒素供給源６１に接続されている。供給切り替えバルブ５０により、供給管１９を通ってロードロック室５内に供給する気体を供給停止、ヘリウム供給あるいは乾燥窒素供給の三つの状態に切り替えることができる。また、流量調節バルブ６２により、ロードロック室５が所定の圧力になるように窒素の流量を調節することができる。
【００５０】
排気管５１は、一方がロードロック室５に接続され、もう一方は排気切り替えバルブ５２を介して排気手段５３とヘリウム循環ユニット１２に接続されている。排気切り替えバルブ５２により、排気管５１を通ってロードロック室５から排気する気体を排気手段５３による排気あるいはヘリウム循環の二つの状態に切り替えることができる。
【００５１】
処理室３、Ｘ線窓４、ロードロック室５、ゲートバルブ６、７、コーターディベロッパー８、搬送機構９等については第１の実施の形態と同様であるから同一符号で表わし、説明は省略する。
【００５２】
ウエハを処理室３内に搬入する場合の手順は以下のとおりである。
【００５３】
（０）まず処理室３内に第１の実施の形態と同様の手順でヘリウムの層流を形成する。このとき処理室側のゲートバルブ６は閉じ、大気側のゲートバルブ７は開いておく。また供給切り替えバルブ５０は窒素側に、排気切り替えバルブ５２は排気側に切り替え、ロードロック室５内にクリーンで乾燥した窒素による層流を形成させておく。
【００５４】
（１）搬送機構９により、コーターディベロッパー８においてレジストが塗布されたウエハを、ロードロック室５に送り込む。
【００５５】
（２）大気側のゲートバルブ７、供給切り替えバルブ５０を閉じ、排気切り替えバルブ５２を排気手段側に切り替えて、ロードロック室５内を０．１Ｔｏｒｒまで排気し、その後排気切り替えバルブ５２をヘリウム循環にする。
【００５６】
（３）供給切り替えバルブ５０を処理室側にする。処理室３の圧力が低下した分は不図示のヘリウム供給手段によりヘリウムを補う。この状態でロードロック室５内にも処理室３と同様ヘリウムの層流が形成される。
【００５７】
（０）ロードロック室５が処理室３と同じ圧力になったら、処理室側のゲートバルブ６を開いて、処理室３内の搬送機構（不図示）によりウエハを処理室３に搬送する。
【００５８】
次に露光処理の終了したウエハを搬出する場合の手順を示す。
【００５９】
（１）処理室３内の搬送機構により露光処理の完了したウエハをロードロック室５内に搬送する。
【００６０】
（２）処理室側のゲートバルブ６を閉じ、供給切り替えバルブ５０を窒素側、排気切り替えバルブ５２を排気手段側にし、流量調節バルブ６２で流量を調節しながらロードロック室５内が大気圧になるまで窒素を供給する。
【００６１】
（３）クリーンブース４４と同じ圧力になったら、大気側のゲートバルブ７を開け、搬送機構９によりウエハをコーターディベロッパー８に受け渡す。
【００６２】
上記の第１、第２の実施の形態においては、Ｘ線露光装置に適用した減圧処理装置について説明したが、他の減圧処理装置にももちろん適用できる。
【００６３】
また、クリーンブースとロードロック室の接続をゲートバルブで行なったが、ロードロック室の一部がクリーンブース室内に入り込む形で接続しても、もちろん構わない。
【００６４】
フィルターは、パーティクルとケミカル成分を除去できるものを使用したが、どちらか一方でもよい。また、整流板を使用したが、フィルターのみでも構わない。
【００６５】
ロードロック室の大気開放に、空気または窒素を使用したが、状況に応じて他の気体の適用も可能である。
【００６６】
第１、第２の実施の形態によれば、減圧処理室内に清浄な気体の層流を形成するとともに、少なくともロードロック室の一部と接続されたクリーンブースを大気中の搬送経路に設置するものであるため、工場クリーンルーム全体のクリーン度を厳しく管理する必要が無く、従って大幅にコストダウンが計られる。また、メンテナンス時も他の装置は影響されない。
【００６７】
加えて、ロードロック室内の気体の種類が変わることに対応して流す気体の種類を変えられる構成とすることにより、ロードロック室内の圧力・気体の種類に係わらずクリーン度を向上させることができる。
【００６８】
さらに、減圧処理室に循環装置とフィルターを設置して処理室内の気体を循環させて層流を形成することにより、雰囲気気体の消費を低減し、低コスト化を促進できる。
【００６９】
また、ロードロック室の状態に応じて処理室の雰囲気気体とクリーンブース内の気体を選択して供給することにより、ボンベ、フィルター等を別途用意することなく簡便な機構でクリーン度の向上が達成できる。
【００７０】
さらに、ロードロック室の状態に応じて処理室の雰囲気気体と乾燥窒素を選択して供給することにより、ロードロック室内への水分の混入を抑えることができ、被処理基板の汚染防止、真空引きの時の時間短縮が計られる。
【００７１】
次にデバイス製造方法の実施例を説明する。図５は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造フローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成した原版であるマスク（レチクル）を製作する。ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いて基板であるウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００７２】
図６は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記のＸ線露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを製造することができる。
【００７３】
【発明の効果】
本発明は上述のとおり構成されているので、以下に記載するような効果を奏する。
【００７４】
ロードロック室に到るまでのウエハ等被処理基板の搬送経路に清浄な空気の層流を発生させ、被処理基板に塵埃等が付着するのを防ぐことで、クリーンルーム全体の必要クリーン度を低減し、設備費やメンテナンスのコストを大幅に削減できる。
【００７５】
このような減圧処理装置によってウエハを処理する半導体製造装置を用いれば、半導体デバイス等の低価格化に貢献できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態を示す模式図である。
【図２】図１の装置の配管の切り替えを説明する図である。
【図３】第１の実施の形態の一変形例を示す模式図である。
【図４】第２の実施の形態を示す模式図である。
【図５】半導体製造工程を示すフローチャートである。
【図６】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図７】一従来例を示す模式図である。
【符号の説明】
１ ＳＲ光源
２ ビームライン
３ 処理室
４ Ｘ線窓
５ ロードロック室
６、７ ゲートバルブ
８ コーターディベロッパー
９ 搬送機構
１０、１５、４５ フィルター
１２ ヘリウム循環ユニット
１４、４４ クリーンブース
１６ 空気循環ユニット
２０、５０ 供給切り替えバルブ
２２、５２ 排気切り替えバルブ
２３、５３ 排気手段
３０ 搬送容器
３１ ウエハキャリヤ
３２ 昇降機構
４９ ファンユニット
６１ 乾燥窒素供給源
Claims (5)
- 減圧雰囲気気体中で被処理基板に処理を行うための減圧可能な処理室と、
前記処理室に第１のゲートバルブを介して接続されたロードロック室と、
前記処理とは異なる処理を行う処理装置と前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構の周囲の空間を覆い、前記ロードロック室に第２のゲートバルブを介して接続されたクリーンブースと、
前記クリーンブース内にフィルタを介して清浄な気体を供給するクリーンブースガス流動機構と、
前記処理室内にフィルタを介して前記雰囲気気体を供給する雰囲気気体供給手段と、
前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記処理室内の前記雰囲気気体を前記第１のゲートバルブを介さずに前記ロードロック室に供給し、前記クリーンブースと前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記クリーンブース内の前記清浄な気体を前記第２のゲートバルブを介さずに前記ロードロック室に供給するロードロックガス流動機構と、を備えることを特徴とする減圧処理装置。 - 減圧雰囲気気体中で被処理基板に処理を行うための減圧可能な処理室と、
前記処理室に第１のゲートバルブを介して接続されたロードロック室と、
前記処理とは異なる処理を行う処理装置と前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送機構の周囲の空間を覆い、前記ロードロック室に第２のゲートバルブを介して接続されたクリーンブースと、
前記ロードロック室に乾燥気体を供給可能な乾燥気体供給源と、
前記処理室内にフィルタを介して前記雰囲気気体を供給する雰囲気気体供給手段と、
前記ロードロック室と前記処理室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記処理室内の前記雰囲気気体を前記第１のゲートバルブを介さずに前記ロードロック室に供給し、前記クリーンブースと前記ロードロック室との間で前記被処理基板を搬送する際に、前記乾燥気体供給源からの乾燥気体を前記ロードロック室に供給するロードロックガス流動機構と、を備えることを特徴とする減圧処理装置。 - 前記ロードロック室に清浄な気体の層流を発生させる整流板が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の減圧処理装置。
- 請求項１ないし３いずれか１項に記載の減圧処理装置と、該減圧処理装置の処理室内の被処理基板を露光する露光手段とを備えていることを特徴とする半導体製造装置。
- 請求項４に記載の半導体製造装置によって被処理基板を露光する工程と、該露光した被処理基板を現像する工程とを有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000204491A JP4560182B2 (ja) | 2000-07-06 | 2000-07-06 | 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
| US09/897,930 US6750946B2 (en) | 2000-07-06 | 2001-07-05 | Processing apparatus for processing sample in predetermined atmosphere |
| US10/824,422 US20040187786A1 (en) | 2000-07-06 | 2004-04-15 | Processing apparatus for processing sample in predetermined atmosphere |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000204491A JP4560182B2 (ja) | 2000-07-06 | 2000-07-06 | 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002025890A JP2002025890A (ja) | 2002-01-25 |
| JP2002025890A5 JP2002025890A5 (ja) | 2007-08-16 |
| JP4560182B2 true JP4560182B2 (ja) | 2010-10-13 |
Family
ID=18701744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000204491A Expired - Fee Related JP4560182B2 (ja) | 2000-07-06 | 2000-07-06 | 減圧処理装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6750946B2 (ja) |
| JP (1) | JP4560182B2 (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005101018A (ja) * | 2001-02-19 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 露光システム、露光装置及びデバイス製造方法 |
| US6954255B2 (en) * | 2001-06-15 | 2005-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US6778258B2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-08-17 | Asml Holding N.V. | Wafer handling system for use in lithography patterning |
| US6934003B2 (en) * | 2002-01-07 | 2005-08-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method |
| US7004715B2 (en) * | 2002-01-09 | 2006-02-28 | Asml Holding N.V. | Apparatus for transferring and loading a reticle with a robotic reticle end-effector |
| US7232286B2 (en) | 2002-04-05 | 2007-06-19 | Ebara Corporation | Seal device and method for operating the same and substrate processing apparatus comprising a vacuum chamber |
| TW200405406A (en) * | 2002-09-03 | 2004-04-01 | Tokyo Electron Ltd | Gas purifying device for semiconductor processing system |
| JP4336509B2 (ja) * | 2003-03-07 | 2009-09-30 | キヤノン株式会社 | 処理方法及びシステム |
| SG115629A1 (en) | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for maintaining a machine part |
| SG115631A1 (en) | 2003-03-11 | 2005-10-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection assembly, load lock and method for transferring objects |
| TWI234692B (en) * | 2003-03-11 | 2005-06-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate |
| EP1457829A1 (en) * | 2003-03-11 | 2004-09-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection assembly, handling apparatus for handling substrates and method of handling a substrate |
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| US8608422B2 (en) * | 2003-10-08 | 2013-12-17 | Tokyo Electron Limited | Particle sticking prevention apparatus and plasma processing apparatus |
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| JP4478440B2 (ja) * | 2003-12-02 | 2010-06-09 | キヤノン株式会社 | ロードロック装置および方法 |
| JP4564742B2 (ja) | 2003-12-03 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| US8353986B2 (en) * | 2005-03-31 | 2013-01-15 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| US20060278164A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Petrach Philip M | Dual gate isolating maintenance slit valve chamber with pumping option |
| JP4708876B2 (ja) * | 2005-06-21 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
| US7728951B2 (en) * | 2005-09-29 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for conditioning an interior space of a device manufacturing apparatus |
| JP2007234822A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法並びにデバイス製造方法 |
| JP5225815B2 (ja) * | 2008-11-19 | 2013-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | インターフェイス装置、基板を搬送する方法及びコンピュータ可読記憶媒体 |
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| JP7163199B2 (ja) * | 2019-01-08 | 2022-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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| WO2025113901A1 (en) * | 2023-11-27 | 2025-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Reticle load lock system and method |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3731444A1 (de) * | 1987-09-18 | 1989-03-30 | Leybold Ag | Vorrichtung zum beschichten von substraten |
| US4792378A (en) * | 1987-12-15 | 1988-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor |
| JP2770960B2 (ja) | 1988-10-06 | 1998-07-02 | キヤノン株式会社 | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| JP2731950B2 (ja) | 1989-07-13 | 1998-03-25 | キヤノン株式会社 | 露光方法 |
| JP2766935B2 (ja) | 1989-10-20 | 1998-06-18 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光装置 |
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| JPH0926176A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-28 | Canon Inc | 処理システムとこれを用いたデバイス生産方法 |
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| JP3926890B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2007-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
| JP3425592B2 (ja) * | 1997-08-12 | 2003-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JPH11186363A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体製造装置 |
-
2000
- 2000-07-06 JP JP2000204491A patent/JP4560182B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-07-05 US US09/897,930 patent/US6750946B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-15 US US10/824,422 patent/US20040187786A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002025890A (ja) | 2002-01-25 |
| US20040187786A1 (en) | 2004-09-30 |
| US6750946B2 (en) | 2004-06-15 |
| US20020002946A1 (en) | 2002-01-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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|
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|
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100726 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |